CN102842621A - 半导体二极管 - Google Patents
半导体二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102842621A CN102842621A CN2011103368079A CN201110336807A CN102842621A CN 102842621 A CN102842621 A CN 102842621A CN 2011103368079 A CN2011103368079 A CN 2011103368079A CN 201110336807 A CN201110336807 A CN 201110336807A CN 102842621 A CN102842621 A CN 102842621A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor
- doped region
- semiconductor diode
- silicide layer
- metal silicide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 8
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWMJHFGIYXGLDX-UHFFFAOYSA-N C(C)O[Si](OCC)(OCC)OCC.[F] Chemical compound C(C)O[Si](OCC)(OCC)OCC.[F] PWMJHFGIYXGLDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical group [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011469 building brick Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002650 habitual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开一种半导体二极管，包括：半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开。本发明所提出的半导体二极管可降低半导体二极管的重掺杂区的接触电阻，进而有效的减少半导体二极管的功率损失。
Description
技术领域
本发明有关于一种半导体装置，且特别是有关于一种可减少功率损失的半导体二极管。
背景技术
半导体二极管为熟知的电子组件，其限制了电荷载子的流动方向。半导体二极管容许电流往预定的方向流动，且实质阻挡通往相反于预定的方向的电流。在没有二极管的情形下，大部分的电子装置无法进行操作。
大部分惯用的半导体二极管为p-n接面二极管，其由半导体材料所构成，例如硅、砷化镓(GaAs)或碳化硅(SiC)，其内具有杂质元素，用以调整其操作特性。p-n接面二极管广泛使用于低电压开关、电源供应器、电源转换器及相关应用。在现有技术中，当在阴极(n侧)侧施加正电压、在阳极(p-侧)侧施加负电压时，上述p-n接面二极管会阻挡电流直至阴极电压高到足以发生崩溃。在反向偏压(reverse bias)的操作模式中，从阴极至阳极的电流非常低，且称其为漏电流。当在阳极侧施加正电压、在阴极侧施加负电压时，称此操作模式为正向偏压(forward bias)(二极管的跨电压称为正向偏压电压)。从阳极至阴极的电流随着正向偏压电压的增加而增加。因电流上升的作用，当达到阈值电压(threshold voltage)(或称为导通电压(turn on voltage))时，二极管将切换至导通状态(ON state)。而超过导通电压时，电流将会明显增加。
通常二极管所需的导通电压约为0.7伏特左右，且二极管的功率损失与正向偏压电压成正比。在许多家用电子装置中，例如电视机或微波炉等等，使用家用电压来供电，因此可忍受(tolerate)电路中二极管的功率损失。然而，对于使用电池供电的电子装置来说，例如笔记本电脑、手机或数字相机等等则无法忍受上述功率损失，其原因在于上述功率损失会直接缩短电池寿命，进而影响到电子装置的可用性(usability)。由于半导体装置的尺寸持续的缩小而集成电路中的装置密度持续的增加，因此集成电路中功率损失的问题变得更为严重。
因此，有必要寻求一种新的半导体二极管设计，其能够改善上述的问题。
发明内容
由此，本发明的目的为提供半导体二极管，以有效的减轻半导体二极管的功率损失，从而改善集成电路中功率损失的问题。
本发明提供的半导体二极管，包括：半导体基底，其具有第一导电型的轻掺杂区；第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开。
本发明所提出的半导体二极管，可降低半导体二极管的重掺杂区的接触电阻，进而能够有效的减少半导体二极管的功率损失，从而改善集成电路中功率损失的问题。
对于已经阅读后续由各附图及内容所显示的较佳实施方式的本领域的技术人员来说，本发明的目的是明显的。
附图说明
图1A为根据本发明一实施方式的半导体二极管的平面示意图；
图1B为沿图1A中1B-1B’线的剖面示意图。
具体实施方式
在通篇说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域的技术人员应可理解，电子设备制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包括”为开放式的用语，故应解释成“包括但不限定于”。
如图1A及图1B所示，其分别为根据本发明一实施方式的半导体二极管10的平面示意图以及沿图1A中1B-1B’线的剖面示意图。在本实施方式中，半导体二极管10可以实现为例如p-n接面二极管。半导体二极管10包括半导体基底100。半导体基底100可包括硅或其他第III主族、第IV主族和/或第V主族元素。可通过例如布植工序(implantprocess)或其他常用的掺杂工序，在半导体基底100内形成具有第一导电型(例如，n型或p型)的轻掺杂井区(其也称为轻掺杂区或井区)102。在本实施方式中，半导体基底100可具有与轻掺杂区102的第一导电型相反的第二导电型。举例来说，半导体基底100的第二导电型为p型，而轻掺杂井区102的第一导电型为n型。另外，可通过在半导体基底100内布植磷或砷而形成轻掺杂井区102。在另一实施方式中，可通过在半导体基底100上成长磊晶(epitaxial)半导体层，接着对其进行n型杂质布植工序而形成轻掺杂井区102。
隔离结构103形成于半导体基底100的轻掺杂井区102内，以在其中限定出主动区(active area)OD。在本实施方式中，可使用浅沟槽隔离结构(shallow trench isolation，STI)作为隔离结构103，然而在其他实施方式中，也可使用熟知的局部硅氧化结构(local oxidationof silicon，LOCOS)。
第一重掺杂区104，其具有与半导体基底100相同的第二导电型，以及第二重掺杂区105，其具有与轻掺杂井区102相同的第一导电型，分别形成于轻掺杂井区102内且对应于主动区OD，其中第二重掺杂区105与第一重掺杂区104直接接触，以形成半导体二极管10的p-n接面，且第一重掺杂区104与第二重掺杂区105二者被由隔离结构103所形成的环状体所环绕，如图1A所示。在本实施方式中，第一重掺杂区104与第二重掺杂区105可通过进行不同的离子布值工序而形成。
第一金属硅化物层106以及第二金属硅化物层108设置于半导体基底100的轻掺杂井区102上，且分别与第一重掺杂区104及第二重掺杂区105直接接触。在一实施方式中，第一金属硅化物层106及第二金属硅化物层108可包括镍硅化物。另外，在其他实施方式中，第一金属硅化物层106及第二金属硅化物层108可包括适当的其他金属硅化物，例如钛硅化物、钴硅化物、钽硅化物、铂硅化物或其组合。
可采用传统的硅化工序形成第一金属硅化物层106及第二金属硅化物层108。举例来说，可在形成任何金属硅化物层之前，在半导体基底100上沉积抗氧化保护(resist protective oxide，RPO)层(图未示)，接着可选择性去除位于需进行硅化工序处的抗氧化保护层。金属层(图未示)选择性形成于轻掺杂井区102上，形成金属层处对应于主动区OD且其未被抗氧化保护层所覆盖。可对金属层进行高温退火工序(high temperature annealing process)，使金属层与下方的半导体基底100发生反应，而分别形成与第一重掺杂区104直接接触的第一金属硅化物层106及与第二重掺杂区105直接接触的第二金属硅化物层108。最后，去除抗氧化保护层，使第一金属硅化物层106与第二金属硅化物层108隔开。
在半导体基底100上设置内层介电(interlayer dielectric，ILD)层110(图1A中未示出)，其可包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其组合或低介电材料(low k material)，例如氟硅玻璃(fluorinated silicateglass，FSG)、掺杂碳的氧化物(carbon doped oxide)、甲基硅酸盐类(methyl silsequioxane，MSQ)、含氢硅酸盐类(hydrogen silsequioxane，HSQ)、或氟四乙基硅酸盐(fluorine tetra-ethyl-orthosilicate，FTEOS)。内层介电层110可通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)、低压化学气相沉积(low pressure CVD，LPCVD)、电浆增强化学气相沉积(plasma enhanced CVD，PECVD)、高密度电浆化学气相沉积(high density plasma CVD，HDPCVD)、或其他熟知的沉积技术形成。
第一金属接触窗(metal contact)112与第二金属接触窗114设置于内层介电层110内，且分别与第一金属硅化物层106及第二金属硅化物层108直接接触，用以提供电性连接，其中第一金属接触窗112与第二金属接触窗114作为半导体二极管10的接线端(terminal)。在一实施方式中，第一金属接触窗112与第二金属接触窗114可包括金属钨，然而在其他实施方式中也可使用适当的其他金属，例如铝、铜或其合金。可通过对内层介电层110进行通路洞(via hole)蚀刻工序，接着在通路洞内填入金属而形成第一金属接触窗112与第二金属接触窗114。在内层介电层110上设置多个金属层(图未示)，且分别电性连接至第一金属接触窗112与第二金属接触窗114，以将半导体二极管10电性连接至其他半导体装置或电路(图未示)。
根据上述实施方式，由于金属接触窗与金属硅化物层(其导电率高于半导体二极管的重掺杂区的导电率)直接接触，因此可降低半导体二极管的重掺杂区的接触电阻，进而减少半导体二极管的功率损失。此外，由于位于金属接触窗与对应的重掺杂区之间的金属硅化物层，可减轻金属/半导体接触面(interface)因制作接触窗期间发生过蚀刻所引起的损害，因此可增加半导体二极管的可靠度及稳定性。
以上所述仅为本发明的较佳实施方式，凡依本发明权利要求所做的均等变化和修饰，均应属本发明的涵盖范围。
Claims (10)
1.一种半导体二极管，包括：
半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；
第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；
第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；
第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；
第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开。
2.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述半导体二极管还包括隔离结构，位于所述半导体基底内，且环绕所述第一重掺杂区及所述第二重掺杂区。
3.如权利要求2所述的半导体二极管，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。
4.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述半导体二极管还包括：
第一金属接触窗，与所述第一金属硅化物层直接接触；以及
第二金属接触窗，与所述第二金属硅化物层直接接触。
5.如权利要求4所述的半导体二极管，其特征在于，所述第一金属接触窗及所述第二金属接触窗包括金属钨。
6.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述第一金属硅化物层及所述第二金属硅化物层包括镍硅化物。
7.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述第一导电型为n型，且所述第二导电型为p型。
8.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，其中所述第一导电型为p型，且所述第二导电型为n型。
9.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述半导体二极管还包括：
内层介电层，位于半导体基底上；以及
第一金属接触窗与第二金属接触窗，设置于所述内层介电层内，且分别与所述第一金属硅化物层及所述第二金属硅化物层直接接触。
10.如权利要求9所述的半导体二极管，其特征在于，所述内层介电层包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其组合或低介电材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/168,311 US9373727B2 (en) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | Semiconductor diode |
| US13/168,311 | 2011-06-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102842621A true CN102842621A (zh) | 2012-12-26 |
Family
ID=47361064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011103368079A Pending CN102842621A (zh) | 2011-06-24 | 2011-10-31 | 半导体二极管 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9373727B2 (zh) |
| CN (1) | CN102842621A (zh) |
| TW (1) | TW201301526A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110060965A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-26 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 免封装二极管及其加工工艺 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9087576B1 (en) * | 2012-03-29 | 2015-07-21 | Crossbar, Inc. | Low temperature fabrication method for a three-dimensional memory device and structure |
| US10192970B1 (en) * | 2013-09-27 | 2019-01-29 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Simultaneous ohmic contact to silicon carbide |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060752A (en) * | 1997-12-31 | 2000-05-09 | Siliconix, Incorporated | Electrostatic discharge protection circuit |
| US20050212051A1 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-29 | Sarnoff Corporation | Low voltage silicon controlled rectifier (SCR) for electrostatic discharge (ESD) protection of silicon-on-insulator technologies |
| CN1797786A (zh) * | 2004-11-29 | 2006-07-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体元件及其制造方法 |
| CN101305469A (zh) * | 2005-11-10 | 2008-11-12 | 桑迪士克3D公司 | 掺杂有锑以避免或限制掺杂物扩散的垂直二极管 |
| CN101952947A (zh) * | 2007-10-09 | 2011-01-19 | 国际商业机器公司 | 自组装侧壁间隙壁 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008684A (en) * | 1996-10-23 | 1999-12-28 | Industrial Technology Research Institute | CMOS output buffer with CMOS-controlled lateral SCR devices |
| US7335927B2 (en) * | 2006-01-30 | 2008-02-26 | Internatioanl Business Machines Corporation | Lateral silicided diodes |
| DE102008011816B4 (de) * | 2008-02-29 | 2015-05-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Temperaturüberwachung in einem Halbleiterbauelement unter Anwendung eines pn-Übergangs auf der Grundlage von Silizium/Germaniummaterial |
-
2011
- 2011-06-24 US US13/168,311 patent/US9373727B2/en active Active
- 2011-09-20 TW TW100133731A patent/TW201301526A/zh unknown
- 2011-10-31 CN CN2011103368079A patent/CN102842621A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060752A (en) * | 1997-12-31 | 2000-05-09 | Siliconix, Incorporated | Electrostatic discharge protection circuit |
| US20050212051A1 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-29 | Sarnoff Corporation | Low voltage silicon controlled rectifier (SCR) for electrostatic discharge (ESD) protection of silicon-on-insulator technologies |
| CN1797786A (zh) * | 2004-11-29 | 2006-07-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体元件及其制造方法 |
| CN101305469A (zh) * | 2005-11-10 | 2008-11-12 | 桑迪士克3D公司 | 掺杂有锑以避免或限制掺杂物扩散的垂直二极管 |
| CN101952947A (zh) * | 2007-10-09 | 2011-01-19 | 国际商业机器公司 | 自组装侧壁间隙壁 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110060965A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-26 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 免封装二极管及其加工工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9373727B2 (en) | 2016-06-21 |
| US20120326263A1 (en) | 2012-12-27 |
| TW201301526A (zh) | 2013-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10096588B2 (en) | TVS structures for high surge and low capacitance | |
| US20070176239A1 (en) | Trenched MOSFETS with improved ESD protection capability | |
| CN102789987A (zh) | 低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法 | |
| CN109037206B (zh) | 一种功率器件保护芯片及其制作方法 | |
| CN102842621A (zh) | 半导体二极管 | |
| CN111916447A (zh) | 功率半导体装置 | |
| CN102856394A (zh) | 萧特基二极管及半导体装置 | |
| US6580100B2 (en) | Voltage-controlled vertical bidirectional monolithic switch | |
| CN104900717A (zh) | 半导体装置 | |
| KR101764468B1 (ko) | 쇼트키 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| CN107946374A (zh) | 一种带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器及制造方法 | |
| CN105977160B (zh) | 一种高可靠的vdmos输入端静电泄露的制造方法 | |
| US9472562B1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| US9337088B2 (en) | MOL resistor with metal grid heat shield | |
| CN114068519A (zh) | 在半导体阱上具有到掺杂半导体的雪崩结的集成电路结构 | |
| CN108987389B (zh) | 一种电流保护芯片及其制作方法 | |
| CN109326592B (zh) | 瞬态电压抑制器及其制造方法 | |
| CN102347309A (zh) | 电熔丝结构及其形成方法 | |
| CN109148292A (zh) | 一种瞬态电压抑制器及其制作方法 | |
| CN109037205A (zh) | 瞬态电压抑制器及其制造方法 | |
| CN103887286A (zh) | 一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置 | |
| CN108922925B (zh) | 一种功率器件保护芯片及其制作方法 | |
| CN208271904U (zh) | 功率半导体元件 | |
| CN109638012B (zh) | 一种双向防护芯片及其制备方法 | |
| CN102024758A (zh) | 肖特基二极管的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C05 | Deemed withdrawal (patent law before 1993) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121226 |