CN102334384B - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

在发光装置的显示面板(10)中，在平坦化膜(103)中的子像素(11a)的下部电极层(110)与子像素(11b)的下部电极层(110)之间设置有凹部(103a)。平坦化膜(103)中的凹部(103a)比平坦化膜(103)的其他部分的上面下沉，在凹部(103)的上面形成有与半导体性中间层(121a)同一材料的凹部内形成层(121b)。并且，与形成在平坦化膜(103)的凹部(103a)的上面的半导体性中间膜同一材料的凹部内形成层(121b)的端部的膜厚(t2)比其中央部的膜厚(t1)薄。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
近年来，研究、开发了有机电致发光(有机EL)显示装置(例如，参照专利文献1、2)。有机EL显示装置具有以子像素(sub pixel)为单位设置了有机EL元件的结构，每个有机EL元件利用固体荧光性物质的电致发光现象来进行自发光。使用图19来说明现有技术涉及的有机EL显示装置的结构。
如图19所示，在有机EL显示装置中，在基板900上形成有TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)层(在图中仅图示了作为其一部分的源极901a)，在其上形成有钝化膜902和平坦化膜903。进一步，在平坦化膜903上以与各子像素对应的状态形成有阳极层910。下部电极层(阳极层)910具有金属层9101和透明导电层9102的层叠结构，通过接触孔904与TFT层的源极901a连接。
下部电极层910是如第一下部电极层910a和第二下部电极层910b这样按每个子像素而设置的。即，在相邻的子像素中，第一下部电极层910a的第一金属层9101a和第一透明导电层9102a与第二下部电极层910b的第二金属层9101b和第二透明导电层9102b相互电分离。
在下部电极层910以及子像素间的平坦化膜903上，依次层叠形成有发光层叠体920、上部电极层(阴极层)930以及密封层931。发光层叠体920包括从平坦化膜903的上面侧起依次层叠的半导体性中间层921、发光层922、电子注入层924、隔壁923。隔壁923按每个子像素区划发光层922。具体而言，通过隔壁923区划出第一下部电极层910a上的发光层922a和第二下部电极层910b上的发光层922b。
专利文献1：日本特开平11-54286号公报
专利文献2：日本特开2004-192890号公报
发明内容
但是，如图19中的箭头D所示，在现有技术涉及的有机EL显示装置中，由于半导体性中间层921形成在整个面板上，因此会在相邻的子像素的下部电极层910(第一下部电极层910a和第二下部电极层910b)之间流动泄流电流，会发生串扰(crosstalk，色度亮度干扰)。
在图19中作为现有技术以有机EL显示装置为一个例子，但是包括有机EL显示装置的发光装置也会产生同样的问题。
本发明是为了谋求解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制相邻的下部电极层之间的泄露电流、能够有效地防止发生串扰的发光装置及其制造方法。
为了实现上述目的，本发明的一个方式的发光装置采用以下结构。
本发明的一个方式的发光装置，具备：平坦化膜，形成在基板的上方、具有凹部；第一下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外；第二下部电极层，在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外隔着所述凹部与所述第一下部电极层相邻而形成；半导体性中间层，形成在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层的上方；以及隔壁，形成为覆盖所述第一下部电极层的端部、与所述第一下部电极层相邻的所述第二下部电极层的端部以及所述平坦化膜的凹部，所述平坦化膜的凹部在所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉，在所述平坦化膜的凹部的上面形成有与所述半导体性中间层同一材料的层，形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的端部的膜厚比形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚薄。
在本发明的一个方式的发光装置中，在第一下部电极层与第二下部电极层之间的平坦化膜设置有凹部。平坦化膜中的凹部比平坦化膜的其他部分的上面下沉，在凹部的上面形成有与半导体性中间层同一材料的层。并且，形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间膜同一材料的层的端部的膜厚比其中央部的膜厚薄。
在本发明的一个方式的发光装置中，由于上述的与半导体性中间层同一材料的层的膜厚的关系，在形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间层同一材料的层的端部，导电性降低。因此，在本发明的一个方式的发光装置中，形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间层同一材料的层成为实质上不电连接第一下部电极层和第二下部电极层的状态，能防止第一下部电极层与第二下部电极层之间的泄露电流。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，能够有效地防止发生串扰。
附图说明
图1是表示实施方式1的有机EL显示装置1的整体结构的示意框图。
图2是表示有机EL显示装置1的显示面板10的示意性鸟瞰图。
图3是表示显示面板10的局部结构的示意截面图。
图4是表示显示面板10中的隔壁123的示意俯视图。
图5是表示显示面板10的制造工序的示意截面图。
图6是表示显示面板10的制造工序的示意截面图。
图7是表示显示面板10的制造工序的示意截面图。
图8是表示实施方式2的有机EL显示装置的显示面板部12的局部结构的示意截面图。
图9是表示显示面板12的制造工序的示意截面图。
图10是表示显示面板12的制造工序的示意截面图。
图11是表示实施方式3的有机EL显示装置的显示面板部14的局部结构的示意截面图。
图12是表示显示面板14的制造工序的示意截面图。
图13是表示显示面板14的制造工序的示意截面图。
图14是表示实施方式4的有机EL显示装置的显示面板部16的局部结构的示意截面图。
图15是表示显示面板16的制造工序的示意截面图。
图16是表示显示面板16的制造工序的示意截面图。
图17是表示显示面板16的制造工序的示意截面图。
图18是表示变形例的显示面板18中的隔壁263的示意俯视图。
图19是表示现有技术涉及的显示面板的局部结构的示意截面图。
标号说明：
1有机EL显示装置
10、12、14、16、18显示面板
11a、11b、11c、13a、13b、13c、15a、15b、15c、17a、17b、17c、19a、19b、19c子像素
20驱动控制部
21、22、23、24驱动电路
25控制电路
31源极信号布线
32电源布线
100基板
101TFT
101a源极
102钝化膜
103、143、183、223平坦化膜
103a、143a、183a、223a凹部
104接触孔
110、150、190、230下部电极层
110a、150a、190a、230a第一下部电极层
110b、150b、190b、230b第二下部电极层
120、160、200、240发光层叠体
121、161、201、241半导体性层
121a、161a、201a、241a半导体性中间层
121b、161b、201b、241b凹部内形成层
122、162、202、242发光层
122a、162a、202a、242a第一发光层
122b、162b、202b、242b第二发光层
123、163、203、243、263隔壁
124、164、204、244电子注入层
130、170、210、250上部电极层
131、171、211、251密封层
143s、183s、223s凹部侧面
500、501、502、503、504抗蚀剂
1030、1031、1431、1831、2231平坦化膜
1100、1500、1900金属膜
2301金属层
2301a第一金属层
2301b第二金属层
2302透明导电层
2302a第一透明导电层
2302b第二透明导电层
2303金属膜
2304透明导电膜
具体实施方式
[本发明的一个方式的概要]
本发明的一个方式的发光装置，具备：平坦化膜，形成在基板的上方、具有凹部；第一下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外；第二下部电极层，在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外隔着所述凹部与所述第一下部电极层相邻而形成；半导体性中间层，形成在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层的上方；以及隔壁，形成为覆盖所述第一下部电极层的端部、与所述第一下部电极层相邻的所述第二下部电极层的端部以及所述平坦化膜的凹部，所述平坦化膜的凹部在所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉，在所述平坦化膜的凹部的上面形成有与所述半导体性中间层同一材料的层，形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的端部的膜厚比形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚薄。
在本发明的一个方式的发光装置中，在第一下部电极层与第二下部电极层之间的平坦化膜设置有凹部。平坦化膜中的凹部比平坦化膜的其他部分的上面下沉，在凹部的上面形成有与半导体性中间层同一材料的层。并且，形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间膜同一材料的层的端部的膜厚比其中央部的膜厚薄。
在本发明的一个方式的发光装置中，由于上述的与半导体性中间层同一材料的层的膜厚的关系，在形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间层同一材料的层的端部，导电性降低。因此，在本发明的一个方式的发光装置中，形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间层同一材料的层成为实质上不电连接第一下部电极层和第二下部电极层的状态，能防止第一下部电极层与第二下部电极层之间的泄露电流。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，能够有效地防止发生串扰。
另外，在本发明的一个方式的发光装置中，具有：平坦化膜，形成在基板的上方并具有凹部；第一下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外的区域；第二下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外的区域并隔着所述凹部与所述第一下部电极层相邻；半导体性中间层，形成在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层的上方；以及隔壁，覆盖所述第一下部电极层的端部、与所述第一下部电极层相邻的所述第二下部电极层的端部、所述平坦化膜的凹部；所述平坦化膜的凹部在所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间比所述平坦化膜的其他部分的上表面下沉，在所述平坦化膜的凹部的上表面上形成有与所述半导体性中间层为相同材料的层，所述凹部的侧面具有没有形成与所述半导体性中间层为相同材料的层的区域，所述半导体性中间层和形成在所述平坦化膜的凹部的上表面上的、与所述半导体性中间层为相同材料的层，通过所述凹部的侧面被没有形成与所述半导体性中间层为相同材料的层的区域断开。
在本发明的一个方式的发光装置中，在第一下部电极层与第二下部电极层之间的平坦化膜设置有凹部。平坦化膜中的凹部比平坦化膜的其他部分的上面下沉，在凹部的上面形成有与半导体性中间层同一材料的层。并且，在平坦化膜的凹部的侧面具有没有形成半导体性中间膜的区域。
在本发明的一个方式的发光装置中，通过在上述凹部的侧面具有没有形成半导体性中间层的区域，在该部分半导体性中间层断开，半导体性中间层就不会跨第一下部电极层和与上述第一下部电极层隔着凹部而形成的第二下部电极层而连续形成。
因此，半导体性中间层不进行第一下部电极层和第二下部电极层的电连接，能够防止第一下部电极层与第二下部电极层之间的泄露电流。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，能防止发生串扰。
进一步，本发明的一个方式的发光装置的隔壁形成为也进入到向像素区域的方向凹陷了的形状的部分，因此与平坦化膜之间的附着性得到提高。其结果，在本发明的一个方式的发光装置中，隔壁难以剥离，具有高可靠性。
另外，在本发明的一个方式的发光装置中，在上述结构中，所述凹部的侧面为进入到了所述第一下部电极层和所述第二下部电极层各自的下方的形状。
在本发明的一个方式的发光装置中，如上所述，凹部的侧面被设为进入到了第一下部电极层和第二下部电极层各自的下方的形状，由此在平坦化膜的凹部的侧面具有没有形成半导体性中间层的区域。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，在平坦化膜的凹部的上面的端部，在物理上也不存在将第一下部电极层和第二下部电极层之间电连接的介质，因此能够完全防止第一下部电极层与第二下部电极层之间的泄露电流。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，能防止发生串扰。
另外，在本发明的一个方式的发光装置中，在所述第一下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第一透明导电膜形成的层，在所述第二下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第二透明导电膜形成的层，所述半导体性中间层形成在由所述第一透明导电膜形成的层上和由所述第二透明导电膜形成的层上。
在本发明的一个方式的发光装置中，如上所述，也可以在第一下部电极层的上面及第二下部电极层的上面与半导体性中间层之间分别介入由第一透明导电膜形成的层和由第二透明导电膜形成的层。
另外，在本发明的一个方式的发光装置中，在上述结构中，在所述基板与所述平坦化膜之间形成有薄膜晶体管层，所述平坦化膜形成在所述薄膜晶体管层上。
在本发明的一个方式的发光装置中，如上所述，在基板与平坦化膜之间形成有薄膜晶体管层，平坦化膜形成在薄膜晶体管层上。在这样的结构中，平坦化膜的凹部在第一下部电极层与第二下部电极层之间比平坦化膜的其他部分的上面下沉，因此可以使形成有薄膜晶体管层的上方的平坦化膜的膜厚比形成在第一下部电极层和第二下部电极层之间的平坦化膜的膜厚厚。
由此，能够确保薄膜晶体管层与第一下部电极层及第二下部电极层之间的间隔，因此能够防止在薄膜晶体管层与第一下部电极层及第二下部电极层之间产生的寄生电容增大。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，信号延迟和功耗的损耗小。
另外，在本发明的一个方式的发光装置中，在上述结构中，具备：第一发光层，在所述第一下部电极层的上方形成在所述半导体性中间层上；和第二发光层，在所述第二下部电极层的上方形成在所述半导体性中间层上，所述隔壁区划所述第一发光层和所述第二发光层。
在本发明的一个方式的发光装置中，如上所述，隔壁为区划在第一下部电极的上方形成在半导体性中间层上的第一发光层和在第二下部电极层的上方形成在半导体性中间层上的第二发光层的结构。
由此，关于第一发光层和第二发光层也相互断开，因此第一发光层发出的光和第二发光层发出的光不会混色。
因此，本发明的一个方式的发光装置具有优良的发光特性。
另外，在本发明的一个方式的发光装置中，在上述结构中，具备形成在所述第一发光层和所述第二发光层的上方的上部电极层。
在本发明的一个方式的发光装置中，可以具备形成在第一发光层和第二发光层的上方的上部电极层。
另外，在本发明的一个方式的发光装置中，所述上部电极层为阴极层。
在本发明的一个方式的发光装置中，可以设为上部电极层为阴极层的结构。
另外，在本发明的一个方式的发光装置中，在上述结构中，所述第一下部电极层和所述第二下部电极层为阳极层，所述半导体性中间层为空穴注入层。
在本发明的一个方式的发光装置中，半导体性中间层为空穴注入层。在将半导体性中间层设为了空穴注入层的结构的发光装置中，能通过空穴注入层促进从第一下部电极层向第一发光层注入空穴、以及从第二下部电极层向第二发光层注入空穴。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，驱动电压低，功耗小。
另外，在本发明的一个方式的发光装置中，在上述结构中，所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。
在本发明的一个方式的发光装置中，如上所述，平坦化膜中的凹部的深度大于形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。即，在本发明的一个方式的发光装置中，由于没有形成半导体性中间层的区域的宽度变大，所述半导体性中间层具有平坦化膜的凹部的侧面的、进入到了第一下部电极层和第二下部电极层各自的下方的形状，其结果，能够容易地使形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间层同一材料的层的端部的膜厚比形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚薄。
或者，在平坦化膜的凹部的侧面没有形成半导体性中间层的区域的宽度变大。因此，即使使半导体性中间层及与半导体性中间层同一材料的层的膜厚增大，也能容易地断开第一下部电极层的上方的半导体性中间层和第二下部电极层的上方的半导体性中间层，半导体性中间层就不会跨第一下部电极层和与第一下部电极层隔着平坦化膜的凹部而形成的第二下部电极层而形成。
因此，半导体性中间层不进行第一下部电极层和第二下部电极层的电连接，能够防止第一下部电极层与第二下部电极层之间的泄露电流，因此是更优选的。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，在相邻的子像素之间更加不会发生由泄露电流引起的串扰。
另外，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，包括：第一工序，准备基板；第二工序，在所述基板的上方形成平坦化膜；第三工序，在所述平坦化膜上形成第一下部电极层和第二下部电极层；第四工序，在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层上形成抗蚀剂；第五工序，通过对所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间的、没有形成所述抗蚀剂的所述平坦化膜的区域进行蚀刻，形成没有形成所述抗蚀剂的所述平坦化膜的区域的所述平坦化膜的上面比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉了的凹部；以及第六工序，在所述第一下部电极层上、所述第二下部电极层上、以及所述凹部的底面上形成半导体性中间层，使形成在所述平坦化膜的凹部的上面的所述半导体性中间层的端部的膜厚比形成在所述平坦化膜的凹部的上面的所述半导体性中间层的中央部的膜厚形成得薄。
在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，在第一下部电极层与第二下部电极层之间的平坦化膜形成比平坦化膜的其他部分的上面下沉了的凹部。在该平坦化膜的凹部的上面形成半导体性中间层。由于形成半导体性中间层时的凹部的侧面的阴影效应，半导体性中间层发生层切，因此形成在平坦化膜的凹部的上面的半导体性中间层的端部的膜厚变得比形成在平坦化膜的凹部的上面的半导体性中间层的中央部的膜厚薄。
由此，在本发明的一个实施方式的发光装置的制造方法中，在形成在平坦化膜的凹部的上面的半导体性中间层的端部，半导体性中间层的导电性变弱。因此，形成在平坦化膜的凹部的上面的半导体性中间层实质上不电连接第一下部电极层与第二下部电极层，因此能够防止第一下部电极层与第二下部电极层之间的泄露电流。
因此，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，能够实现不发生串扰的发光装置。
另外，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，包括：第一工序，准备基板；第二工序，在所述基板的上方形成平坦化膜；第三工序，在所述平坦化膜上形成第一下部电极层和第二下部电极层；第四工序，通过将所述第一下部电极层和第二下部电极层自身作为掩模，对所述平坦化膜的所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间的区域进行蚀刻，在所述平坦化膜的所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间的区域形成比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉了的凹部；以及第五工序，在所述第一下部电极层上、所述第二下部电极层上、以及所述凹部的底面上形成半导体性中间层，所述凹部的侧面具有没有形成所述半导体性中间层的区域，在所述凹部的侧面通过没有形成所述半导体性中间层的区域将所述半导体性中间层断开。
在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，在对第一下部电极层与第二下部电极层之间的平坦化膜进行蚀刻的第四工序中，通过第四工序的蚀刻，在平坦化膜形成比该平坦化膜的其他部分的上面下沉了的凹部，在该凹部的侧面具有没有形成半导体性中间层的区域，因此将第一下部电极层的上方的半导体性中间层与第二下部电极层的上方的半导体性中间层断开。
在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，第一下部电极层的上方的半导体性中间层与第二下部电极层的上方的半导体性中间层在凹部的侧面中的没有形成半导体性中间层的区域断开，因此，半导体性中间层不会跨第一下部电极层和与第一下部电极层隔着凹部而形成的第二下部电极层而连续形成。
由此，由于在平坦化膜形成比该平坦化膜的其他部分的上面下沉了的凹部，因此能够将在通过第三工序形成了第一下部电极层和第二下部电极层之后残留的用于形成电极层的金属膜的残渣也完全除去。因此，能够防止第一下部电极层与第二下部电极层之间的泄露电流。
因此，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，能够制造在相邻的子像素之间不会发生第一下部电极层与第二下部电极层之间的短路和由半导体性中间层的泄露电流导致的串扰的发光装置。
另外，在本发明的一个实施方式的发光装置的制造方法中，由于隔壁对于向子像素区域的方向凹陷了的形状的部分也是凹陷进入而形成的，因此与平坦化膜的附着力提高。其结果，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，能够制造隔壁难以剥离的可靠性高的发光装置。
另外，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，在所述第四工序中，通过所述第四工序的蚀刻而形成于所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间的所述平坦化膜的凹部为其侧面进入到了所述第一下部电极层和所述第二下部电极层各自的下方的形状。
在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，如上所述，在第四工序中，在平坦化膜形成侧面进入到了第一下部电极层和第二下部电极层各自的下方的形状的凹部，因此能够使平坦化膜的凹部的侧面具有没有形成半导体性中间层的区域。
因此，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，在平坦化膜的凹部的上面的端部，在物理上也不存在将第一下部电极层和第二下部电极层之间电连接的介质，因此能够完全防止第一下部电极层与第二下部电极层之间的泄露电流。
因此，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，能够制造防止了发生串扰的发光装置。
另外，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，在上述构成中，所述蚀刻是干式蚀刻。
另外，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，在上述构成中，在所述第一下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括通过第一透明导电膜形成的层，在所述第二下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括通过第二透明导电膜形成的层，在形成所述半导体中间层时，所述半导体性中间层形成在通过所述第一透明导电膜形成的层上和通过所述第二透明导电膜形成的层上。
在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，在各半导体性中间层侧形成包括通过第一透明导电膜形成的层或通过第二透明导电膜形成的层的第一下部电极层和第二下部电极层。在第一下部电极层中的由第一透明导电膜形成的层和第二下部电极层中的由第二透明导电膜形成的层的形成中，通过湿式蚀刻来进行图案形成，除去在第一下部电极层与第二下部电极层之间形成的透明导电膜。并且，在进行用于形成平坦化膜的凹部的干式蚀刻时，将上述通过湿式蚀刻而形成了图案的由第一透明导电膜形成的层和由第二透明导电膜形成的层用作掩模来进行干式蚀刻。
由于将由第一透明导电膜形成的层和由第二透明导电膜形成的层用作掩模对平坦化膜进行干式蚀刻，因此，为了在平坦化膜形成凹部，可以不使用新的干式蚀刻用的掩模，能够谋求简化制造工序。
以下，使用几个例子来说明用于实施本发明的方式。
在以下说明中所使用的实施方式是为了对本发明的结构、作用、效果进行容易理解的说明的示例，本发明除了其本质性的部分之外不受以下任何方式限定。
[实施方式1]
1.显示装置1的整体结构
以下，说明作为发光装置的一个例子的有机EL显示装置1。
使用图1和图2对本实施方式的有机EL显示装置1的整体结构进行说明。
如图1所示，有机EL显示装置1具有显示面板10和与其连接的驱动控制部20。显示面板10是利用了有机材料的电致发光现象的有机EL面板，将多个有机EL元件排列而构成。如图2所示，显示面板10在基板100上与各子像素对应地形成有TFT101，在TFT101连接有源极信号布线31和电源布线32。如图2所示，在形成有TFT101的基板100上依次层叠形成有下部电极层110、发光层叠体120以及上部电极层130。后面将详细地说明显示面板10的详细结构。
返回到图1，驱动控制部20包括4个驱动电路21～24和控制电路25。
在实际的有机EL显示装置1中，驱动控制部20对于显示面板10的配置不限于此。
2.显示面板10的结构
使用图3和图4对显示面板10的结构进行说明。
如图3所示，在显示面板10中，相邻形成有子像素11a、11b、11c，所述子像素11a、11b、11c分别具备具有红(R)、绿(G)、蓝(B)中的某种发光颜色的有机发光层。显示面板10为顶部发射型的有机EL显示器。
在基板100上形成有TFT层(在图3中仅图示了源极101a)和钝化膜102，在其上层叠形成有平坦化膜103。在平坦化膜103，与各子像素11a、11b、11c各自对应地形成有下部电极层(阳极层)110。这里，以下有时将属于子像素11a的下部电极层110称为第一下部电极层110a，将属于子像素11b的下部电极层110称为第二下部电极层110b。下部电极层110与TFT层的源极101a通过上下贯穿平坦化膜103的接触孔104相连接。
在下部电极层110上形成有半导体性中间层121a。半导体性中间层121a作为空穴注入层、空穴输送层、或空穴注入兼输送层而发挥功能。另外，在平坦化膜103中，相邻的下部电极层110之间的部分具有比其他部分的上面下沉了的凹部103a。并且，在各凹部103a的上面也形成有作为与半导体性中间层121a同一材料的层的凹部内形成层121b。以下有时也将半导体性中间层121a和凹部内形成层121b合称为半导体性层121。
如图3所示，在下部电极层110上，按每个子像素11a、11b、11c形成有发光层122。另外，在子像素11a、11b、11c各自之间，在凹部内形成层121b上和半导体性中间层121a的端部的一部分上立设有由绝缘材料形成的隔壁123。通过隔壁123，发光层122被按各个子像素11a、11b、11c区划。以下，有时将属于子像素11a的发光层122称为第一发光层122a，将属于子像素11b的发光层122称为第二发光层122b。
如图4所示，在显示面板10中，隔壁123采用一体地形成了在Y轴方向上延伸设置的隔壁要素123a和在X轴方向上延伸设置的隔壁要素123b的所谓的像素堤(pixel bank)。并且，在X轴方向上相邻的子像素11a、11b、11c彼此之间由隔壁要素123a区划，同样地，在Y轴方向上相邻的子像素彼此之间由隔壁要素123b区划。
返回到图3，在发光层122上，电子注入层124、上部电极层(阴极层)130以及密封层131分别越过由隔壁104规定的区域而在整体范围内连续地形成。半导体性层121、发光层122、隔壁123以及电子注入层124的层叠构造与图2中的发光层叠体120对应。
如图3所示，相邻形成的3个子像素11a、11b、11c分别与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各颜色对应，将它们作为一组(set)而构成一个像素(pixel)。
a)基板100
基板100例如将无碱玻璃、钠玻璃、无荧光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃、石英、丙烯系树脂、苯乙烯系树脂、聚碳酸酯系树脂、环氧系树脂、聚乙烯、聚酯、硅系树脂、或氧化铝(alumina)等绝缘性材料作为基底(base)而形成。
b)平坦化膜103
平坦化膜103例如使用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯系树脂材料等有机化合物来形成。
c)下部电极层110
下部电极层110例如由Ag(银)、APC(银、钯、铜的合金)、ARA(银、铷、金的合金)、MoCr(钼和铬的合金)、NiCr(镍和铬的合金)等形成。在如本实施方式这样为顶部发射型的有机EL的情况下，优选使用高反射性的材料来形成。
d)半导体性层121
半导体性层121例如使用WOx(氧化钨)或MoWox(钼-钨氧化物)等金属氧化物、金属氮化物、或者金属氮氧化物来形成。
e)发光层122
发光层122具有通过注入空穴和电子并使其复合而产生激励状态进行发光的功能。用于形成发光层122的材料需要使用能够使用湿式印刷法进行制膜的发光性的有机材料。
具体而言，优选例如由特许公开公报(日本国特开平5-163488号公报)所记载的8-羟基喹啉酮(oxinoid)化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫环酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、荧蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、甘油化合物、菲化合物、环戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基吡喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃鎓化合物、噻喃鎓化合物、硒杂环己二烯鎓化合物、碲杂环己二烯鎓化合物、芳香族醛连氮化合物、低聚亚苯基化合物、噻吨化合物、蒽化合物、花青化合物、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2-联吡啶化合物的金属配合物、席夫碱与Ⅲ族化合物的配合物、喔星金属配合物、稀土类配合物等荧光物质形成。
f)隔壁123
隔壁123由树脂等有机材料形成，具有绝缘性。作为用于形成隔壁123的有机材料的例子，可以列举出丙烯系树脂、聚酰亚胺系树脂、酚醛清漆型酚树脂等。隔壁123优选具有有机溶剂耐性。进一步，隔壁123有时被进行蚀刻处理、烘培处理等，因此优选由对于这些处理不会发生过度变形、过度变质等的耐性高的材料来形成。另外，为了使其具有拨水性，也可以对表面进行氟处理。
关于用于形成隔壁123的绝缘材料，可以使用以上述各种材料为代表的、特别是电阻率为105[Ω·cm]以上、且具有拨水性的材料。这是因为：在使用了电阻率为105[Ω·cm]以下的材料的情况下，由于隔壁123而会成为导致在下部电极层110与上部电极层130之间产生泄露电流、或者在相邻元件之间产生泄露电流的原因，会产生功耗增大等各种问题。
另外，是因为：在使用亲水性的材料来形成了隔壁123的情况下，隔壁123的表面与半导体性中间层121a的表面的亲和性/拨水性的差异变小，为了形成发光层122而使隔壁123的开口部难以选择性地保持含有有机物质的墨水。
进一步，关于隔壁123的构造，不仅可以采用图3所示的单层构造，还可以采用两层以上的多层构造。在该情况下，既可以按每层而组合上述材料，也可以按每层而使用无机材料和有机材料。
g)电子注入层124
电子注入层124具有向发光层122输送从上部电极层130注入的电子的功能，例如优选通过钡、酞菁染料(phthalocyanine)、氟化锂、或它们的组合来形成。
h)上部电极层130
上部电极层(阴极层)130例如由ITO、IZO(氧化铟锌)等形成。在为顶部发射型的有机EL元件100a、100b、100c的情况下，优选由光透射性的材料来形成。关于光透射性，优选设为透射率为80[％]以上。
作为用于形成上部电极层130的材料，除了上述材料以外，例如也可以使用将含有碱金属、碱土类金属、或它们的卤化物的层和含有银的层按照该顺序层叠而得到的构造。在上述说明中，含有银的层既可以由银单独来形成，也可以由银合金来形成。另外，为了谋求提高光取出效率，也可以在该含有银的层上设置透明度高的折射率调整层。
i)密封层131
密封层131具有抑制发光层122等暴露于水分、空气的功能，例如能使用SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等材料来形成。在顶部发射型的情况下，优选由光透射性的材料来形成。
3.平坦化膜103中的凹部103a和半导体性层121
如图3所示，在本实施方式的有机EL显示装置1中，在显示面板10中，在第一下部电极层110a与第二下部电极层110b之间的平坦化膜103设置有凹部103a。平坦化膜103中的凹部103a比平坦化膜103a的其他部分的上面下沉，在凹部103a的上面形成有凹部内形成层121b。并且，如图3中的由双点划线包围的部分所示，平坦化膜103的凹部103a中的凹部内形成层121b的端部的膜厚t2比与其相比靠近中央部侧的部分的膜厚t1薄。
因此，在有机EL显示装置1中，由于上述的膜厚t1、t2的关系，在平坦化膜103的凹部103a中的凹部内形成层121b的端部(膜厚为t2的部分)，导电性降低，平坦化膜103的凹部103a中的凹部内形成层121b处于实质上不电连接第一下部电极层110a及其上的半导体性中间层121a与第二下部电极层110b及其上的半导体性中间层121a的状态，能防止第一下部电极层110a与第二下部电极层110b之间的泄露电流。
因此，在本实施方式的有机EL显示装置1中，能有效地防止发生串扰。
进一步，如图3所示，在显示面板10中，隔壁123形成为也进入到平坦化膜103中的伴随凹部103a的形成而凹陷了的形状的部分，因此能够提高隔壁123的附着性，隔壁123难以剥离。因此，本实施方式的有机EL显示装置1具有高可靠性。
4.显示面板10的制造方法
使用图5至图7对显示面板10的制造方法进行说明。在图5至图7中，抽出一部分而示意性地进行了图示。
首先，如图5(a)所示，准备基板100。
接着，在基板100中的Z轴上侧主面100f形成TFT层和钝化膜102，进一步，以覆盖其上方的方式层叠形成平坦化膜1030(参照图5(b))。在图5(b)中，为了便于图示，在TFT层的结构中，仅图示了源极101a。
接着，如图5(c)所示，形成在与TFT层的各源极101a对应的部位形成了接触孔104的平坦化膜1031，在其上形成金属膜(例如Ag薄膜)1100。例如可以使用溅射法、真空蒸镀法等来形成金属膜1100。
接着，如图6(a)所示，在金属膜1100上的要形成下部电极层110的区域堆积感光性的抗蚀剂500。然后，如图6(b)所示，通过光刻法和蚀刻法进行形成图案，形成包括第一下部电极层110a和第二下部电极层110b的下部电极层110。
如图6(b)所示，在蚀刻之后，成为下部电极层110的两边缘110s进入到了抗蚀剂500的下方的状态。
接着，通过在下部电极层110上残留了抗蚀剂500的状态下进行蚀刻(例如干式蚀刻)，在平坦化膜103中，在第一下部电极层110a与第二下部电极层110b之间的、没有形成抗蚀剂500的区域1031f形成凹部103a(参照图6(c))。如图6(c)所示，在下部电极层110的两边缘110s(参照图6(b))与凹部103a的开口边缘之间保留有一些距离。这是因为如图6(b)和图6(c)所示，下部电极层110的两边缘110s进入到了抗蚀剂500的下方之故。
对于图6(c)中的平坦化膜103的凹部103a的形成，不限于通过干式蚀刻来进行形成，也可以通过湿式蚀刻来进行形成。
接着，如图7(a)所示，在下部电极层110和平坦化膜103中的凹部103a的底面上，堆积半导体性材料，层叠形成半导体性层121。半导体性层121包括下部电极层110上的半导体性中间层121a和平坦化膜103的凹部103a的底面上的凹部内形成层121b。
接着，在半导体性层121上，通过旋涂法等成膜用于形成隔壁123的绝缘材料层，使用光掩模进行曝光、显像，由此进行图案形成。然后，通过以清洗液进行清洗，如图7(b)所示形成隔壁123。
接着，如图7(c)所示，在由隔壁123规定的区域，通过喷墨法滴下含有发光层122的材料的组成物墨水并使其干燥，由此形成发光层122。进一步，在发光层122上层叠形成电子注入层124、上部电极层130以及密封层131。
这里，在发光层122的形成中，除了上述喷墨法以外，例如也可以使用分配(dispenser)法、喷嘴喷涂(nozzle coat)法、旋涂法、凹版印刷法、或凸版印刷法等。另外，在组成物墨水的干燥中，设为依次进行真空干燥和氮气氛下干燥。
另外，对于电子注入层124的形成，例如可以使用真空蒸镀法，对于上部电极层130的形成，例如可以使用等离子体涂覆(plasma coating)法。
如以上所述，完成了显示面板10的主要部分。
在本实施方式的显示面板10的制造方法中，如图7(a)所示，在第一下部电极层110a与第二下部电极层110b之间的平坦化膜103形成了凹部103a的状态下形成半导体性层121，因此由于凹部103a的侧面部的阴影效应(shadowing effect，遮蔽效应)，凹部内形成层121b的端部的膜厚t2变得比中央部的膜厚t1薄(参照图3中的由双点划线包围的部分)。因此，由于在凹部103的侧面部导电性变弱，第一下部电极层110a上的半导体性中间层121a和与其相邻的凹部内形成层121b实质上不电连接。关于第二下部电极层110b上的半导体性中间层121a和与其相邻的凹部内形成层121b也是同样的。
因此，在显示面板10中，能够防止第一下部电极层110a与第二下部电极层110b之间的泄露电流，不会发生串扰。
进一步，在本实施方式的制造方法中，如图6(b)和图6(c)所示，在形成了下部电极层110之后也不除去用于形成下部电极层110的抗蚀剂500，将所述抗蚀剂500直接(原样地)用作形成平坦化膜103的凹部103a时的掩模。因此，为了形成凹部103a，可以不使用新的掩模，能够简化制造工序，降低制造成本。
[实施方式2]
1.显示面板10的结构
在本实施方式的有机EL显示装置中，除了显示面板12的结构以外，具有与上述实施方式1的有机EL显示装置1相同的结构。以下，使用图8对显示面板12的结构进行说明。
如图8所示，实施方式2的显示面板12也是相邻形成有子像素13a、13b、13c的顶部发射型的有机EL显示器，所述子像素13a、13b、13c分别具备具有红(R)、绿(G)、蓝(B)中的某种发光颜色的有机发光层。
关于在基板100上形成的TFT层(在图8中也仅图示了源极101a)和钝化膜102、以及设置于平坦化膜143的接触孔104，具有与上述实施方式1的显示面板10相同的结构。
如图8所示，在显示面板12中，也在下部电极层(阳极层)150之间的区域形成有凹部143a。并且，半导体性层161具有：半导体性中间层161a，其形成在下部电极层150上，作为空穴注入层、空穴输送层、或空穴注入兼输送层而发挥功能；以及凹部内形成层161b，其形成在平坦化膜143中的凹部143a的底面上，是与半导体性中间层161a同一材料的层。
如图8所示，在半导体性中间层161a上依次层叠有发光层162、电子注入层164、上部电极层(阴极层)170以及密封层171，另外，立设有区划各子像素13a、13b、13c的隔壁163。通过半导体性中间层161a、发光层162、隔壁163以及电子注入层164构成了发光层叠体160。在发光层162中，与上述实施方式1的显示面板10同样地，包括形成在第一下部电极层150a的上方的第一发光层162a和形成在第二下部电极层150b的上方的第二发光层162b。
关于本实施方式的显示面板12的隔壁163，虽然没有特别地图示出其俯视形状，但是与上述实施方式1的显示面板10的隔壁123同样地，采用所谓的像素堤。
2.平坦化膜143中的凹部143a和半导体性层161
如图8所示，在本实施方式的显示面板12中，也在平坦化膜143中的第一下部电极层150a与第二下部电极层150b之间的区域设置有凹部143a。平坦化膜143中的凹部143a比平坦化膜143a的其他部分的上面下沉，这一点与上述实施方式1的显示面板10相同。另外，在凹部143a的底面上形成有凹部内形成层161b，这一点也与上述实施方式1的显示面板10相同。
但是，如图8中的由双点划线包围的部分所示，在本实施方式的显示面板12中，在凹部143a的侧面143s的一部分中具有没有形成半导体性层161的区域(箭头A所示的部位P1和部位P2之间的区域)。
因此，在本实施方式的显示面板12中，由于在平坦化膜143中的凹部143a的侧面143s的一部分具有没有形成半导体性层161的区域，在该区域，第一下部电极层150a上的半导体性中间层161a和第二下部电极层150b上的半导体性中间层161a断开。因此，子像素13a、13b、13c中的各半导体性中间层161a不是跨彼此之间的凹部143a而连续形成的。因此，在显示面板12中，半导体性层161不电连接第一下部电极层150a和第二下部电极层150b，能够防止第一下部电极层150a与第二下部电极层150b之间的泄露电流。
因此，在本实施方式的显示面板12中，也能防止发生串扰。
进一步，如图8所示，在本实施方式的显示面板12中，隔壁163形成为进入到平坦化膜143的随着凹部143a而凹陷了的形状的部分，因此也能够提高隔壁163的附着性，隔壁163难以剥离。因此，本实施方式的有机EL显示装置也具有高可靠性。
3.显示面板12的制造方法。
使用图9和图10对显示面板12的制造方法进行说明。在图9和图10中，也抽出一部分而示意性地进行了图示。
首先，如图9(a)所示，通过执行上述实施方式1中的从图5(a)到图5(c)所示的各工序，在基板100上形成TFT层(在图9(a)中仅图示了源极101a)、钝化膜102、平坦化膜1431、接触孔104以及金属膜1500。
接着，如图9(b)所示，在金属膜1500上的要形成下部电极层150的区域堆积感光性的抗蚀剂501。然后，如图9(b)所示，通过光刻法和蚀刻法形成图案，形成包括第一下部电极层150a和第二下部电极层150b的下部电极层150。
在上述实施方式1的制造方法中，在蚀刻之后，成为了下部电极层110的两边缘110s进入到了抗蚀剂500的下方的状态，但是在本实施方式的制造方法中，如图9(b)所示，在蚀刻之后，使得下部电极层150的两边缘150s与抗蚀剂501的各边缘对齐。
接着，与上述实施方式1的制造方法同样地，在下部电极层150上残留了蚀刻剂501的状态下进行蚀刻(例如干式蚀刻)。由此，在平坦化膜143中，在第一下部电极层150a与第二下部电极层150b之间的没有形成抗蚀剂501的区域1431f形成凹部143a(参照图9(c))。
在本实施方式的制造方法中，平坦化膜143的凹部143a的形成，不限于通过干式蚀刻，也可以通过湿式蚀刻进行。
接着，如图10(a)所示，在下部电极层150和平坦化膜143中的凹部143a的底面上堆积半导体性材料，层叠形成半导体性层161。半导体性层161包括下部电极层150上的半导体性中间层161a和平坦化膜143的凹部143a的底面上的凹部内形成层161b。
接着，例如通过旋涂法等在半导体性层161上成膜用于形成隔壁163的绝缘材料层，使用光掩模进行曝光、显像，由此来形成图案。然后，通过以清洗液进行清洗，如图10(b)所示形成隔壁163。
接着，如图10(c)所示，通过喷墨法在由隔壁163规定的区域滴下含有发光层162的材料的组成物墨水并使其干燥，形成发光层162。进一步，在发光层162上层叠形成电子注入层164、上部电极层170以及密封层171。
这里，发光层162的形成也与上述实施方式1的制造方法同样地，除了上述喷墨法以外，也可以使用分配法、喷嘴喷涂法、旋涂法、凹版印刷法或凸版印刷法等。另外，在组成物墨水的干燥中，设为依次进行真空干燥和氮气氛下干燥。
另外，关于电子注入层164的形成，也与上述实施方式1的制造方法同样地，例如可以使用真空蒸镀法，上部电极层170的形成例如可以使用等离子体涂覆法。
如以上所述，完成了显示面板12的主要部分。
在本实施方式的显示面板12的制造方法中，也如图10(a)所示，由于是在第一下部电极层150a与第二下部电极层150b之间的平坦化膜143形成了凹部143a的状态下形成的半导体性层161，因此由于阴影效应，在凹部143a的侧面143s的一部分中产生没有形成半导体性层161的区域(参照图8中的由双点划线包围的部分)。因此，第一下部电极层150a上的半导体性中间层161a和与其相邻的凹部内形成层161b成为非电连接的状态。关于第二下部电极层150b上的半导体性中间层161a和与其相邻的凹部内形成层161b也是同样的。
因此，在显示面板12中，与上述实施方式1的显示面板10相比，能够更加可靠地防止第一下部电极层150a与第二下部电极层150b之间的泄露电流，不会发生串扰。
另外，在本实施方式的制造方法中，也如图9(b)和图9(c)所示，在形成了下部电极层150之后也不除去用于形成下部电极层150的抗蚀剂501，将所述抗蚀剂501直接用作形成平坦化膜143的凹部143a时的掩模。因此，为了形成凹部143a，可以不使用新的掩模，能够简化制造工序，降低制造成本。
在本实施方式的显示面板12中，使平坦化膜143中的凹部143a的深度构成为比形成在凹部143a的底面上的凹部内形成层161b的膜厚(凹部143a的中央部的膜厚)深。这是为了使凹部内形成层161b与半导体性中间层161a或下部电极层150之间完全断开。
[实施方式3]
1.显示面板14的结构
在本实施方式的有机EL显示装置中，除了显示面板14的结构以外，也具有与上述实施方式1、2的有机EL显示装置1相同的结构。以下，使用图11对显示面板14的结构进行说明。
如图11所示，本实施方式的显示面板14也是相邻形成有子像素15a、15b、15c的顶部发射型的有机EL显示器，所述子像素15a、15b、15c分别具备具有红(R)、绿(G)、蓝(B)中的某种发光颜色的有机发光层。
关于在基板100上形成的TFT层(在图11中也仅图示了源极101a)和钝化膜102、以及设置于平坦化膜183的接触孔104，具有与上述实施方式1、2的显示面板10、12相同的结构。
如图11所示，在显示面板14中，也在平坦化膜183中，在下部电极层(阳极层)190之间的区域形成有凹部183a。并且，半导体性层201具有：半导体性中间层201a，其形成在下部电极层190上，作为空穴注入层、空穴输送层、或空穴注入兼输送层而发挥功能；以及凹部内形成层201b，其形成在平坦化膜183中的凹部183a的底面上，是与半导体性中间层201a同一材料的层。
如图11所示，在半导体性中间层201a上依次层叠有发光层202、电子注入层204、上部电极层(阴极层)210以及密封层211，另外，立设有区划各子像素15a、15b、15c的隔壁203。通过半导体性中间层201a、发光层202、隔壁203以及电子注入层204构成了发光层叠体200。在发光层202中，与上述实施方式1、2的显示面板10、12同样地，包括形成在第一下部电极层190a的上方的第一发光层202a和形成在第二下部电极层190b的上方的第二发光层202b。
关于本实施方式的显示面板14的隔壁203，也采用所谓的像素堤。
2.平坦化膜183中的凹部183a和半导体性层201
如图11所示，在本实施方式的显示面板14中，也在平坦化膜183中的第一下部电极层190a与第二下部电极层190b之间的区域设置有凹部183a。平坦化膜183中的凹部183a比平坦化膜183a的其他部分的上面下沉，这一点与实施方式1、2的显示面板10、12相同。另外，在凹部183a的底面上形成有凹部内形成层201b，这一点也与上述实施方式1、2的显示面板10、12相同。
如图11中的由双点划线包围的部分所示，在本实施方式的显示面板14中，平坦化膜183中的凹部183a的上端缘(部位P3)处于相比于下部电极层190的端缘(部位P4)而进入到了下部电极层190的下方的状态。因此，在本实施方式的显示面板14中，在平坦化膜183中的凹部183a的侧面183s中的、进入到了下部电极层190的下方的部分(由箭头B表示的部分)，具有没有形成半导体性层201的区域，由此在该区域，第一下部电极层190a上的半导体性中间层201a与第二下部电极层190b上的半导体性中间层201a断开。
由于上述结构，子像素15a、15b、15c中的各半导体性中间层201不会跨彼此之间的凹部183a而连续形成。因此，在显示面板14中，半导体性层201不电连接第一下部电极层190a和第二下部电极层190b，能够防止第一下部电极层190a与第二下部电极层190b之间的泄露电流。在本实施方式中，由于凹部183a的至少一部分进入到下部电极层190的下方，在该进入的部分半导体性层201断开，因此与上述实施方式2的显示面板12相比，能够更加可靠地防止第一下部电极层190a与第二下部电极层190b之间的泄露电流。
因此，在本实施方式的显示面板14中，也能防止发生串扰。
如图11所示，在本实施方式的显示面板14中，隔壁203形成为也进入到平坦化膜183的随着凹部183a的形成而凹陷了的形状的部分，因此也与上述同样地，隔壁163难以剥离，有机EL显示装置具有高可靠性。
3.显示面板14的制造方法。
使用图12和图13对显示面板14的制造方法进行说明。在图12和图13中，也抽出一部分而示意性地进行了图示。
首先，如图12(a)所示，通过执行上述实施方式1中的从图5(a)到图5(c)所示的各工序，在基板100上形成TFT层(在图12(a)中仅图示了源极101a)、钝化膜102、平坦化膜1831、接触孔104以及金属膜1900。
接着，如图12(b)所示，在金属膜1900上的要形成下部电极层190的区域堆积感光性的抗蚀剂502。然后，如图12(b)所示，通过光刻法和蚀刻法形成图案，形成包括第一下部电极层190a和第二下部电极层190b的下部电极层190。在本实施方式的制造方法中，也如图12(b)所示，在蚀刻之后，使下部电极层190的两边缘190s与抗蚀剂502的各边缘对齐。
接着，与上述实施方式1、2的制造方法同样地，在下部电极层190上残留了抗蚀剂502的状态下进行蚀刻(例如干式蚀刻)。由此，在平坦化膜183中，在第一下部电极层190a与第二下部电极层190b之间的没有形成抗蚀剂502的区域1831f形成凹部183a(参照图12(c))。在本实施方式的制造方法中，通过对上述实施方式2的制造方法改变蚀刻条件(例如蚀刻时间等)，能够使凹部183a的侧面183s的至少一部分进入到下部电极层190的下方。
在本实施方式的制造方法中，在平坦化膜183的凹部183a的形成中，也不限于通过干式蚀刻进行形成，也可以通过湿式蚀刻进行形成。
接着，如图13(a)所示，在下部电极层190和平坦化膜183中的凹部183a的底面上堆积半导体性材料，层叠形成半导体性层201。半导体性层201包括下部电极层190上的半导体性中间层201a和平坦化膜183的凹部183a的底面上的凹部内形成层201b。如图13(a)所示，由于使凹部183a的侧面183s的至少一部分进入到下部电极层190的下方，因此在堆积了半导体性材料的状态下，在凹部183a的侧面183s的至少一部分，半导体性层201可靠地断开。
接着，例如通过旋涂法等在半导体性层201上成膜用于形成隔壁203的绝缘材料层，使用光掩模进行曝光、显像，由此形成图案。然后，通过以清洗液进行清洗，如图13(b)所示形成隔壁203。
接着，如图13(c)所示，通过喷墨法在由隔壁203规定的区域滴下含有发光层202的材料的组成物墨水并使其干燥，由此形成发光层202。进一步，在发光层202上层叠形成电子注入层204、上部电极层210以及密封层211。
这里，发光层202的形成中，也与上述实施方式1、2的制造方法同样地，除了上述喷墨法以外，例如也可以使用分配法、喷嘴喷涂法、旋涂法、凹版印刷法或凸版印刷法等。另外，在组成物墨水的干燥中，设为依次进行真空干燥和氮气氛下干燥。
另外，关于电子注入层204的形成，也与上述实施方式1、2的制造方法同样地，例如可以使用真空蒸镀法，上部电极层210的形成例如可以使用等离子体涂覆法。
如上所所述，完成了显示面板14的主要部分。
在本实施方式的显示面板14的制造方法中，也如图13(a)所示，在第一下部电极层190a与第二下部电极层190b之间的平坦化膜183形成了凹部183a的状态下形成半导体性层201，因此由于阴影效应，在凹部183a的侧面183s的至少一部分中产生没有形成半导体性层201的区域(参照图11中的由双点划线包围的部分)。因此，第一下部电极层190a上的半导体性中间层201a和与其相邻的凹部内形成层201b成为非电连接的状态。关于第二下部电极层190b上的半导体性中间层201a和与其相邻的凹部内形成层201b也是同样的。
如上所述，在本实施方式中，使得凹部183a的侧面183s的至少一部分进入到下部电极层190的下方，因此能够更加可靠地断开半导体层201。
因此，在显示面板14中，与上述实施方式1、2的显示面板10、12相比，能够更加可靠地防止第一下部电极层190a与第二下部电极层190b之间的泄露电流，不会发生串扰。
另外，在本实施方式的制造方法中，也如图12(b)和图12(c)所示，在形成了下部电极层190之后也不除去用于形成下部电极层190的抗蚀剂502，将所述抗蚀剂502直接用作形成平坦化膜183的凹部183a时的掩模。因此，为了形成凹部183a，可以不使用新的掩模，能够简化制造工序，降低制造成本。
在本实施方式的显示面板14中，也使平坦化膜183中的凹部183a的深度构成为比形成在凹部183a的底面上的凹部内形成层201b的膜厚(凹部183a的中央部的膜厚)深。这是为了使得凹部内形成层201b与半导体性中间层201a或下部电极层190之间完全断开。
[实施方式4]
1.显示面板16的结构
在本实施方式的有机EL显示装置中，除了显示面板16的结构以外，也具有与上述实施方式1、2、3的有机EL显示装置1相同的结构。以下，使用图14对显示面板16的结构进行说明。
如图14所示，本实施方式的显示面板16也是相邻形成有子像素17a、17b、17c的顶部发射型的有机EL显示器，所述子像素17a、17b、17c分别具备具有红(R)、绿(G)、蓝(B)中的某种发光颜色的有机发光层。
如图14所示，关于在基板100上形成的TFT层(在图14中也仅图示了源极101a)和钝化膜102、以及设置于平坦化膜223的接触孔104，具有与上述实施方式1、2的显示面板10、12相同的结构。
如图14所示，在显示面板16中，也在平坦化膜223中，在下部电极层(阳极层)230之间的区域形成有凹部223a。并且，半导体性层241具有：半导体性中间层241a，其形成在下部电极层230上，作为空穴注入层、空穴输送层、或空穴注入兼输送层而发挥功能；以及凹部内形成层241b，其形成在平坦化膜223中的凹部223a的底面上，是与半导体性中间层241a同一材料的层。
这里，在本实施方式的显示面板16中，下部电极层230具有金属层2301和透明导电层2302的层叠构造。并且，属于子像素17a的第一下部电极层230a具有第一金属层2301a和第一透明导电层2302a的层叠构造，同样地，属于子像素17b的第二下部电极层230b具有第二金属层2301b和第二透明导电层2302b的层叠构造。
如图14所示，在半导体性中间层241a上依次层叠有发光层242、电子注入层244、上部电极层(阴极层)250以及密封层251，另外，立设有区划各子像素17a、17b、17c的隔壁243。通过半导体性中间层241a、发光层242、隔壁243以及电子注入层244构成了发光层叠体240。在发光层242中，与上述实施方式1、2、3的显示面板10、12、14同样地，包括形成在第一下部电极层230a中的第一透明导电层2302a的上方的第一发光层242a和形成在第二下部电极层230b中的第二透明导电层2302b的上方的第二发光层242b。
关于本实施方式的显示面板16的隔壁243，也采用所谓的像素堤。
2.平坦化膜223中的凹部223a和半导体性层241
如图14所示，在本实施方式的显示面板16中，也在平坦化膜223中的第一下部电极层230a与第二下部电极层230b之间的区域设置有凹部223a。平坦化膜223中的凹部223a比平坦化膜223a的其他部分的上面下沉，这一点与实施方式1、2、3的显示面板10、12、14相同。另外，在凹部223a的底面上形成有凹部内形成层241b，这一点也与上述实施方式1、2、3的显示面板10、12、14相同。
如图14中的由双点划线包围的部分所示，在本实施方式的显示面板16中，与上述实施方式3的显示面板14同样地，平坦化膜223中的凹部223a的上端缘(部位P5)处于相比于下部电极层230中的透明导电层2302的端缘(部位P6)而进入到了下部电极层230下方的状态。在下部电极层230中，金属层2301的侧缘被透明导电层2302覆盖。
通过采用以上的结构，在本实施方式的显示面板16中，在平坦化膜223中的凹部223a的侧面223s中的、进入到了下部电极层230的透明导电层2302的下方的部分(由箭头C表示的部分)，具有没有形成半导体性层241的区域，由此在该区域，第一下部电极层230a上的半导体性中间层241a与第二下部电极层230b上的半导体性中间层241a断开。
由于上述结构，子像素17a、17b、17c中的各半导体性中间层241a不会跨彼此之间的凹部223a而连续形成。因此，在显示面板16中，半导体性层241不电连接第一下部电极层230a和第二下部电极层230b，能够防止第一下部电极层230a与第二下部电极层230b之间的泄露电流。在本实施方式中，凹部223a的至少一部分进入到下部电极层230的透明导电层2302的下方，在该进入的部分，半导体性层241断开，因此与上述实施方式3的显示面板14同样地，能够可靠地防止第一下部电极层230a与第二下部电极层230b之间的泄露电流。
因此，在本实施方式的显示面板16中，也能防止发生串扰。
如图14所示，在本实施方式的显示面板16中，隔壁243形成为进入到平坦化膜223的随着凹部223a的形成而凹陷了的形状的部分，因此也与上述同样地，隔壁243难以剥离，有机EL显示装置具有高可靠性。
3.显示面板16的制造方法。
使用图15至图17对显示面板16的制造方法进行说明。在图15至图17中，也抽出一部分而示意性地进行了图示。
首先，如图15(a)所示，通过执行上述实施方式1中的从图5(a)到图5(c)所示的各工序，在基板100上形成TFT层(在图15(a)中仅图示了源极101a)、钝化膜102、平坦化膜2231、接触孔104以及金属膜2303。
接着，如图15(b)所示，在金属膜2303上的要形成下部电极层230的金属层2301的区域堆积感光性的抗蚀剂503。然后，如图15(b)所示，通过光刻法和蚀刻法形成图案，形成包括第一下部电极层230a中的金属层2301a和第二下部电极层230b中的金属层2301b的下部电极层230的金属层2301。在本实施方式的制造方法中，也如图15(b)所示，在蚀刻之后使得下部电极层230中的金属层2301的两边缘2301s与抗蚀剂503的各边缘对齐。
接着，与上述实施方式1、2、3的制造方法不同，从下部电极层230的金属层2301上除去抗蚀剂503。然后，如图15(c)所示，以覆盖金属层2301和金属层2301之间露出的平坦化膜2231的露出面2231f的方式成膜透明导电膜2304。透明导电膜2304的成膜例如可以使用溅射法。
接着，如图16(a)所示，对透明导电膜2304，在要形成下部电极层230中的透明导电层2302的区域堆积感光性的抗蚀剂504。然后，在该状态下，对透明导电膜2304执行蚀刻(例如湿式蚀刻)，由此能够形成包括透明导电层2302a和透明导电层2302b的透明导电层2302的图案。由此，能够形成包括第一下部电极层230a和第二下部电极层230b的下部电极层230。
接着，在除去了抗蚀剂504之后，将下部电极层230中的透明导电层2302作为掩模来进行蚀刻(例如干式蚀刻)。由此，在平坦化膜223中，在第一下部电极层230a与第二下部电极层230b之间的区域2231a形成凹部223a(参照图16(b))。在本实施方式的制造方法中，与上述实施方式3的制造方法同样地，通过考虑蚀刻条件(例如蚀刻时间等)，能够使凹部223a的侧面223s的至少一部分进入到下部电极层230中的透明导电层2302的下方。
在本实施方式的制造方法中，在平坦化膜223的凹部223a的形成中，也不限于通过干式蚀刻进行形成，也可以使用湿式蚀刻进行形成。
接着，如图16(c)所示，对下部电极层230中的透明导电层2302上和平坦化膜223中的凹部223a的底面上堆积半导体性材料，层叠形成半导体性层241。半导体性层241包括下部电极层230中的透明导电层2302上的半导体性中间层241a和平坦化膜223的凹部223a的底面上的凹部内形成层241b。如图16(c)所示，由于使凹部223a的侧面223s的至少一部分进入到下部电极层230中的透明导电层2302的下方，因此在堆积了半导体性材料的状态下，在凹部223a的侧面223s的至少一部分，半导体性层241可靠地断开。
接着，例如通过旋涂法等在半导体性层241上成膜用于形成隔壁243的绝缘材料层，使用光掩模进行曝光、显像，由此形成图案。然后，通过以清洗液进行清洗，如图17(a)所示形成隔壁243。
接着，如图17(b)所示，通过喷墨法在由隔壁243规定的区域滴下含有发光层242的材料的组成物墨水并使其干燥，由此形成发光层242。进一步，在发光层242上层叠形成电子注入层244、上部电极层250以及密封层251。
这里，在发光层242的形成中，也与上述实施方式1、2、3的制造方法同样地，除了上述喷墨法以外，例如也可以使用分配法、喷嘴喷涂法、旋涂法、凹版印刷法、或凸版印刷法等。另外，在组成物墨水的干燥中，设为依次进行真空干燥和氮气氛下干燥。
另外，关于电子注入层244的形成，也与上述实施方式1、2、3的制造方法同样地，例如可以使用真空蒸镀法，上部电极层250的形成例如可以使用等离子体涂覆法。
如以上所述，完成了显示面板16的主要部分。
在本实施方式的显示面板16的制造方法中，也如图16(c)所示，在第一下部电极层230a与第二下部电极层230b之间的平坦化膜223形成了凹部223a的状态下形成半导体性层241，因此由于阴影效应，在凹部223a的侧面223s的至少一部分中产生没有形成半导体性层241的区域(参照图14中的由双点划线包围的部分)。因此，第一下部电极层190a上的半导体性中间层201a和与其相邻的凹部内形成层241b成为不电连接的状态。关于第二下部电极层230b上的半导体性中间层241a和与其相邻的凹部内形成层241b也是同样的。
如上所述，在本实施方式中，由于使凹部223a的侧面223s的至少一部分进入到下部电极层230中的透明导电层2302的下方，因此能够更加可靠地断开半导体层241。
因此，在显示面板16中，与上述实施方式3的显示面板14同样地，能够更加可靠地防止第一下部电极层230a与第二下部电极层230b之间的泄露电流，不会发生串扰。
另外，在本实施方式的制造方法中，也如图16(a)和图16(b)所示，将下部电极层230中的透明导电层2302用作形成平坦化膜223的凹部223a时的掩模。因此，为了形成凹部223a，可以不使用新的掩模，能够简化制造工序，降低制造成本。
在本实施方式的显示面板16中，也使平坦化膜223中的凹部223a的深度构成为比形成在凹部223a的底面上的凹部内形成层241b的膜厚(凹部223a的中央部的膜厚)深。这是为了使得凹部内形成层241b与半导体性中间层241a或下部电极层230之间完全断开。
[其他事项]
在上述实施方式1、2、3、4中，关于隔壁123、163、203、243，采用了所谓的像素堤，但是不限于此。例如，如图18所示，也可以采用所谓的线堤(line bank)构造的隔壁263，由此来区划X轴方向上的子像素19a、19b、19c的各发光层。
另外，在上述实施方式1、2、3、4中，作为发光装置的一个例子而采用了有机EL显示装置1，但是不限于此。例如，也能够应用于照明装置等。
另外，也能够代替上述实施方式1、2中的下部电极层110、150而应用上述实施方式4中的下部电极层230的结构。
进一步，在上述实施方式1、2、3、4中，采用了下部电极层110、150、190、230为阳极而上部电极层130、170、210、250为阴极的结构，但是也可以设为使阳极和阴极的位置反过来了的结构。
另外，在上述实施方式1、2、3、4中说明了顶部发射型的有机EL显示装置，但是也可以设为底部发射型的有机EL显示装置。
进一步，平坦化膜103、143、183、223的各凹部103a、143a、183a、223a的形状、尺寸不限于附图所示的形状、尺寸。例如，在工序方面允许的情况下，通过加深凹部的深度，能够更加可靠地防止下部电极层之间的泄露电流。
产业上的可应用性
本发明对于实现不发生串扰、具有优良的发光性能的发光装置是有用的。

Claims (42)

1.一种发光装置，具备：
平坦化膜，形成在基板的上方、具有凹部；
第一下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外；
第二下部电极层，在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外隔着所述凹部与所述第一下部电极层相邻而形成；
半导体性中间层，形成在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层的上方；以及
隔壁，形成为覆盖所述第一下部电极层的端部、与所述第一下部电极层相邻的所述第二下部电极层的端部以及所述平坦化膜的凹部，
所述平坦化膜的凹部在所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉，
在所述平坦化膜的凹部的上面形成有与所述半导体性中间层同一材料的层，
形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的端部的膜厚比形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚薄。
2.根据权利要求1所述的发光装置，
在所述第一下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第一透明导电膜形成的层，
在所述第二下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第二透明导电膜形成的层，
所述半导体性中间层形成在由所述第一透明导电膜形成的层上和由所述第二透明导电膜形成的层上。
3.根据权利要求1所述的发光装置，
在所述基板与所述平坦化膜之间形成有薄膜晶体管层，
所述平坦化膜形成在所述薄膜晶体管层上。
4.根据权利要求2所述的发光装置，
在所述基板与所述平坦化膜之间形成有薄膜晶体管层，
所述平坦化膜形成在所述薄膜晶体管层上。
5.根据权利要求1所述的发光装置，具备：
第一发光层，形成在所述第一下部电极层的上方所述半导体性中间层上；和
第二发光层，形成在所述第二下部电极层的上方所述半导体性中间层上，
所述隔壁区划所述第一发光层和所述第二发光层。
6.根据权利要求2所述的发光装置，具备：
第一发光层，形成在所述第一下部电极层的上方所述半导体性中间层上；和
第二发光层，形成在所述第二下部电极层的上方所述半导体性中间层上，
所述隔壁区划所述第一发光层和所述第二发光层。
7.根据权利要求5所述的发光装置，
具备形成在所述第一发光层和所述第二发光层的上方的上部电极层。
8.根据权利要求6所述的发光装置，
具备形成在所述第一发光层和所述第二发光层的上方的上部电极层。
9.根据权利要求7所述的发光装置，
所述上部电极层为阴极层。
10.根据权利要求8所述的发光装置，
所述上部电极层为阴极层。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的发光装置，
所述第一下部电极层和所述第二下部电极层为阳极层，
所述半导体性中间层为空穴注入层。
12.根据权利要求1至10中的任一项所述的发光装置，
所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。
13.根据权利要求11所述的发光装置，
所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。
14.一种发光装置，具备：
平坦化膜，形成在基板的上方、具有凹部；
第一下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外；
第二下部电极层，在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外隔着所述凹部与所述第一下部电极层相邻而形成；
半导体性中间层，形成在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层的上方；以及
隔壁，形成为覆盖所述第一下部电极层的端部、与所述第一下部电极层相邻的所述第二下部电极层的端部以及所述平坦化膜的凹部，
所述平坦化膜的凹部在所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉，
在所述平坦化膜的凹部的上面形成有与所述半导体性中间层同一材料的层，
所述凹部的侧面具有没有形成与所述半导体性中间层同一材料的层的区域，
所述半导体性中间层和形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层，通过在所述凹部的侧面被没有形成与所述半导体性中间层同一材料的层的区域断开。
15.根据权利要求14所述的发光装置，
所述凹部的侧面为进入到了所述第一下部电极层和所述第二下部电极层各自的下方的形状。
16.根据权利要求14所述的发光装置，
在所述第一下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第一透明导电膜形成的层，
在所述第二下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第二透明导电膜形成的层，
所述半导体性中间层形成在由所述第一透明导电膜形成的层上和由所述第二透明导电膜形成的层上。
17.根据权利要求15所述的发光装置，
在所述第一下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第一透明导电膜形成的层，
在所述第二下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第二透明导电膜形成的层，
所述半导体性中间层形成在由所述第一透明导电膜形成的层上和由所述第二透明导电膜形成的层上。
18.根据权利要求14所述的发光装置，
在所述基板与所述平坦化膜之间形成有薄膜晶体管层，
所述平坦化膜形成在所述薄膜晶体管层上。
19.根据权利要求15所述的发光装置，
在所述基板与所述平坦化膜之间形成有薄膜晶体管层，
所述平坦化膜形成在所述薄膜晶体管层上。
20.根据权利要求16所述的发光装置，
在所述基板与所述平坦化膜之间形成有薄膜晶体管层，
所述平坦化膜形成在所述薄膜晶体管层上。
21.根据权利要求17所述的发光装置，
在所述基板与所述平坦化膜之间形成有薄膜晶体管层，
所述平坦化膜形成在所述薄膜晶体管层上。
22.根据权利要求14所述的发光装置，具备：
第一发光层，形成在所述第一下部电极层的上方所述半导体性中间层上；和
第二发光层，形成在所述第二下部电极层的上方所述半导体性中间层上，
所述隔壁区划所述第一发光层和所述第二发光层。
23.根据权利要求15所述的发光装置，具备：
第一发光层，形成在所述第一下部电极层的上方所述半导体性中间层上；和
第二发光层，形成在所述第二下部电极层的上方所述半导体性中间层上，
所述隔壁区划所述第一发光层和所述第二发光层。
24.根据权利要求16所述的发光装置，具备：
第一发光层，形成在所述第一下部电极层的上方所述半导体性中间层上；和
第二发光层，形成在所述第二下部电极层的上方所述半导体性中间层上，
所述隔壁区划所述第一发光层和所述第二发光层。
25.根据权利要求17所述的发光装置，具备：
第一发光层，形成在所述第一下部电极层的上方所述半导体性中间层上；和
第二发光层，形成在所述第二下部电极层的上方所述半导体性中间层上，
所述隔壁区划所述第一发光层和所述第二发光层。
26.根据权利要求22至25中的任一项所述的发光装置，
具备形成在所述第一发光层和所述第二发光层的上方的上部电极层。
27.根据权利要求26所述的发光装置，
所述上部电极层为阴极层。
28.根据权利要求14至25中的任一项所述的发光装置，
所述第一下部电极层和所述第二下部电极层为阳极层，
所述半导体性中间层为空穴注入层。
29.根据权利要求26所述的发光装置，
所述第一下部电极层和所述第二下部电极层为阳极层，
所述半导体性中间层为空穴注入层。
30.根据权利要求27所述的发光装置，
所述第一下部电极层和所述第二下部电极层为阳极层，
所述半导体性中间层为空穴注入层。
31.根据权利要求14至25中的任一项所述的发光装置，
所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。
32.根据权利要求26所述的发光装置，
所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。
33.根据权利要求27所述的发光装置，
所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。
34.根据权利要求28所述的发光装置，
所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。
35.根据权利要求29所述的发光装置，
所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。
36.根据权利要求30所述的发光装置，
所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。
37.一种发光装置的制造方法，包括：
第一工序，准备基板；
第二工序，在所述基板的上方形成平坦化膜；
第三工序，在所述平坦化膜上形成第一下部电极层和第二下部电极层；
第四工序，在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层上形成抗蚀剂；
第五工序，通过对所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间的、没有形成所述抗蚀剂的所述平坦化膜的区域进行蚀刻，形成没有形成所述抗蚀剂的所述平坦化膜的区域的所述平坦化膜的上面比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉了的凹部；以及
第六工序，在所述第一下部电极层上、所述第二下部电极层上、以及所述凹部的底面上形成半导体性中间层，
使形成在所述平坦化膜的凹部的上面的所述半导体性中间层的端部的膜厚比形成在所述平坦化膜的凹部的上面的所述半导体性中间层的中央部的膜厚形成得薄。
38.根据权利要求37所述的发光装置的制造方法，
在所述第一下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第一透明导电膜形成的层，
在所述第二下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第二透明导电膜形成的层，
在所述第六工序中，所述半导体性中间层形成在由所述第一透明导电膜形成的层上和由所述第二透明导电膜形成的层上。
39.一种发光装置的制造方法，包括：
第一工序，准备基板；
第二工序，在所述基板的上方形成平坦化膜；
第三工序，在所述平坦化膜上形成第一下部电极层和第二下部电极层；
第四工序，通过将所述第一下部电极层和第二下部电极层自身作为掩模，对所述平坦化膜的所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间的区域进行蚀刻，在所述平坦化膜的所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间的区域形成比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉了的凹部；以及
第五工序，在所述第一下部电极层上、所述第二下部电极层上、以及所述凹部的底面上形成半导体性中间层，
所述凹部的侧面具有没有形成所述半导体性中间层的区域，
在所述凹部的侧面通过没有形成所述半导体性中间层的区域将所述半导体性中间层断开。
40.根据权利要求39所述的发光装置的制造方法，
在所述第四工序中，通过所述第四工序的蚀刻而形成于所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间的所述平坦化膜的凹部为其侧面进入到了所述第一下部电极层和所述第二下部电极层各自的下方的形状。
41.根据权利要求39或40所述的发光装置的制造方法，
所述蚀刻是干式蚀刻。
42.根据权利要求39所述的发光装置的制造方法，
在所述第一下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第一透明导电膜形成的层，
在所述第二下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第二透明导电膜形成的层，
在所述第五工序中，所述半导体性中间层形成在由所述第一透明导电膜形成的层上和由所述第二透明导电膜形成的层上。
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