JP6282428B2 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機膜を陽極と陰極で挟み込んだ構造を有している（特許文献１参照）。通常、複数の有機膜が積層されており、その一層は発光層である。複数の画素に一色（例えば白色）の発光を得るのであれば、発光層にするための有機膜を全体的に連続するように設ける（特許文献２参照）。あるいは、複数の画素に複数色の発光を得るためには、発光層にするための有機膜は画素ごとに分離されるが、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層又は電子輸送層などにするための有機膜は連続的に設ける。いずれの場合であっても、少なくとも１層の有機膜が隣同士の画素にわたって連続的に設けられる。

特開２０１２−２３４７４８号公報 特開２００８−１２３８７９号公報

高画質の表示装置では、画素の微細化によって、隣同士の画素が接近するようになってきた。そのため、いずれかの画素で発生した光がその隣の画素に入り込むことがあった。隣同士の画素の色が異なる場合には混色が生じるという問題があった。なお、特許文献１及び２には、混色の問題について言及されていない。

本発明は、隣同士の画素の混色の防止を目的とする。

（１）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板に設けられた複数の画素電極と、隣同士の前記画素電極の間に設けられて、前記隣同士の前記画素電極の端部の上及び下にそれぞれ一体的に延びる絶縁層と、前記複数の画素電極及び前記絶縁層を連続的に覆う共通層を含むように前記基板に設けられた有機エレクトロルミネッセンス膜と、前記有機エレクトロルミネッセンス膜の上に設けられた共通電極と、を有することを特徴とする。本発明によれば、画素電極の端部の上に絶縁層が載るので、画素電極の端部と共通電極とのショートを防止することができる。絶縁層は、画素電極の端部の上及び下にそれぞれ一体的に延びる。そのため、絶縁層は、画素電極の端部の上に薄く形成することができるので、有機エレクトロルミネッセンス膜の盛り上がる方向への湾曲を小さくすることができる。これにより、隣の画素に入った光が上に進行しにくくなるので、隣同士の画素の混色を防止することができる。

（２）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記絶縁層は、上面に窪む凹部を有し、前記共通層は、前記凹部に沿って湾曲していることを特徴としてもよい。

（３）（２）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記絶縁層の前記凹部の底面は、前記複数の画素電極の上面よりも低い位置にあり、前記共通層の下面は、前記絶縁層の前記凹部の上方で、前記複数の画素電極の上面よりも低い位置にあることを特徴としてもよい。

（４）（２）又は（３）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記共通電極は、前記共通層の湾曲に沿って湾曲し、前記有機エレクトロルミネッセンス膜及び前記共通電極を覆って封止する封止層をさらに有し、前記封止層は、前記共通電極の湾曲に沿った凹凸を下面に有することを特徴としてもよい。

（５）（４）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記封止層は、複数層からなり、前記封止層の最下層は、前記共通電極の前記湾曲に沿って湾曲し、前記封止層の最上層は、上面が平坦になっていることを特徴としてもよい。

（６）（１）から（５）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記基板には、前記複数の画素電極の下方に配線層が設けられ、それぞれの前記画素電極は、前記配線層に接続するように下方に延びる接続部を有することを特徴としてもよい。

（７）（６）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記接続部は、前記画素電極の前記端部を避けて、前記配線層に向けて屈曲するように設けられ、前記絶縁層は、前記端部から前記接続部の上に至るように設けられることを特徴としてもよい。

（８）（６）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記接続部は、前記画素電極の前記端部を含むように前記配線層に向けて屈曲することを特徴としてもよい。

（９）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、基板に下地層を形成する工程と、前記下地層に導電層を形成する工程と、複数の画素電極の形状になるように、前記導電層をパターニングする工程と、前記複数の画素電極の端部がオーバーハングするように、前記下地層をパターニングする工程と、前記複数の画素電極及び前記下地層を覆って、隣同士の前記画素電極の間及び前記複数の画素電極の前記端部の下に至るように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を、それぞれの前記画素電極の前記端部を除いた少なくとも中央部が露出するようにパターニングする工程と、前記複数の画素電極の前記絶縁層からの露出領域及び前記絶縁層を連続的に覆う共通層を含むように有機エレクトロルミネッセンス膜を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス膜の上に共通電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、画素電極の端部の上に絶縁層を載せて、画素電極の端部と共通電極とのショートを防止することができる。絶縁層は、ハーフ露光などの複雑な工程を行わずに、画素電極の端部の上及び下にそれぞれ一体的に延びるように形成することができる。

（１０）（９）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記導電層をパターニングする工程の前に、前記導電層の上に、前記複数の画素電極の形状のマスク層を形成する工程をさらに含み、前記導電層をパターニングする工程で、前記導電層の前記マスク層から露出した部分を除去することを特徴としてもよい。

（１１）（１０）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記絶縁層をパターニングする工程で、前記絶縁層の前記マスク層から露出した部分を除去することを特徴としてもよい。

（１２）（１０）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記絶縁層をパターニングする工程で、前記マスク層を除去した後に、前記絶縁層の前記複数の画素電極から露出した部分を除去することを特徴としてもよい。

本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の斜視図である。 図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。 図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のIII−III線断面図である。 図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のIV−IV線断面図である。 図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。 図６（Ａ）〜図６（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。 実施形態の変形例１に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。 図７に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のVIII−VIII線断面図である。 実施形態の変形例２に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 実施形態の変形例３に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の斜視図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ガラスなどからなる光透過性の第１基板１０を有する。第１基板１０は、画像表示のための画像表示領域を有する。第１基板１０には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載されている。第１基板１０には、外部との電気的接続のために、フレキシブル配線基板１４が接続されている。

図２は、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。第１基板１０には、複数の画素電極１６が設けられている。画素電極１６は陽極である。複数の画素電極１６は、縦方向及び横方向に配列されている。画素電極１６の端部に載るように、絶縁層１８が設けられている。絶縁層１８は、それぞれの画素電極１６の周縁部を囲むようになっている。言い換えると、絶縁層１８は、画素電極１６の中央部を露出させる開口１８ａを有する。

図３は、図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のIII−III線断面図である。図４は、図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のIV−IV線断面図である。

第１基板１０には、第１基板１０からの不純物に対するバリアとなるアンダーコート２０が形成され、その上に半導体層２２が形成されている。半導体層２２を覆ってゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート絶縁膜２４の上にはゲート電極２６が形成され、ゲート電極２６を覆って層間絶縁膜２８が形成されている。第１基板１０の上（層間絶縁膜２８の上）には、複数の配線層３０が設けられている。配線層３０の一部は、層間絶縁膜２８を貫通しており、半導体層２２の上でソース電極又はドレイン電極として機能し、薄膜トランジスタを構成している。配線層３０を覆うように、層間絶縁膜２８上にパッシベーション膜３２が形成されている。パッシベーション膜３２は、上面が凸凹になっているので、これを平坦化するために下地層３４が形成されている。下地層３４は、アクリル樹脂などの樹脂からなる。

画素電極１６は、下地層３４の上に設けられている。画素電極１６は陽極である。複数の画素電極１６の下方に配線層３０が設けられている。画素電極１６は、図４に示すように、配線層３０に接続するように下方に延びる接続部１６ａを有する。接続部１６ａは、画素電極１６の端部を避けて、配線層３０に向けて屈曲するように設けられている。画素電極１６は、下地層３４を貫通して、配線層３０に電気的に接続されている。

下地層３４は、隣同士の画素電極１６の間に穴３４ａ（例えば貫通穴）を有する。穴３４ａは、画素電極１６の端部の下方に入り込む形状になっている。つまり、画素電極１６の端部が、穴３４ａの開口からオーバーハングするようになっている。下地層３４は、図４に示すように、隣同士の画素電極１６の間に形成される穴３４ａと一方の画素電極１６の接続部１６ａとの間に区画部３６を有している。

下地層３４の穴３４ａに絶縁層１８が設けられている。絶縁層１８は、隣同士の画素電極１６の間に設けられる。絶縁層１８は、画素電極１６の端部の下に至るようになっている。また、絶縁層１８は、画素電極１６の端部の上にも載るようになっている。つまり、絶縁層１８は、隣同士の画素電極１６の端部の上及び下にそれぞれ一体的に延びる。さらに、絶縁層１８は、図４に示すように、画素電極１６の端部から接続部１６ａの上に至るようになっている。

第１基板１０には有機エレクトロルミネッセンス膜３８が設けられている。有機エレクトロルミネッセンス膜３８は、複数の画素電極１６及び絶縁層１８に載るようになっている。有機エレクトロルミネッセンス膜３８は、図示しないが複数層からなり、少なくとも発光層を含み、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含む。発光層は、一色（例えば白色）の光のみを発するように構成されている。

有機エレクトロルミネッセンス膜３８は、複数の画素電極１６及び絶縁層１８を連続的に覆う共通層４０を含む。図２及び図３に示す例では、有機エレクトロルミネッセンス膜３８の全体が共通層４０である。あるいは、複数層からなる有機エレクトロルミネッセンス膜３８の少なくとも１層（少なくとも１層を除く）が共通層４０（例えば電子注入層）であり、少なくとも１層からなる残りの層は、画素電極１６ごとに切断された層であってもよい。２層以上の発光層を含むタンデム構造からなる有機エレクトロルミネッセンス膜では、隣同士の発光層の間に配置された電子及び正孔を供給するためのチャージジェネレーション層が共通層であってもよい。

有機エレクトロルミネッセンス膜３８の上には共通電極４２が設けられている。共通電極４２は陰極である。画素電極１６及び共通電極４２に電圧をかけることにより各々から正孔と電子を有機エレクトロルミネッセンス膜３８に注入する。注入された正孔と電子が発光層で結合して光を発する。画素電極１６の端部と共通電極４２の間には、絶縁層１８が介在しているので、両者間のショートが防止されている。

本実施形態によれば、画素電極１６の端部の上に絶縁層１８が載るので、画素電極１６の端部と共通電極４２とのショートを防止することができる。絶縁層１８は、画素電極１６の端部の上及び下にそれぞれ一体的に延びる。そのため、絶縁層１８は、画素電極１６の端部の上に薄く形成することができるので、有機エレクトロルミネッセンス膜３８の盛り上がる方向への湾曲を小さくすることができる。これにより、隣の画素に入った光が上に進行しにくくなるので、隣同士の画素の混色を防止することができる。

共通電極４２の上には封止層４４が設けられている。封止層４４は、有機エレクトロルミネッセンス膜３８を、水分から遮断するように封止している。封止層４４の上には充填層４６が設けられている。

第１基板１０と間隔をあけて対向するように、第２基板４８が配置されている。第２基板４８の第１基板１０側の面には、カラーフィルタ層５０が設けられている。カラーフィルタ層５０は、ブラックマトリクス５２及び着色層５４を含む。上述した有機エレクトロルミネッセンス膜３８の発光層（図示せず）が単一色（例えば白色）を発するので、本実施形態ではカラーフィルタ層５０を設けてフルカラー表示を可能にしている。有機エレクトロルミネッセンス膜３８が、異なる色（例えば、赤、緑及び青）を発する複数の発光層を含む場合、発光層が複数色の光を発するので着色層５４は不要である。第１基板１０と第２基板４８との間に充填層４６が設けられている。

図５（Ａ）〜図６（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。

図５（Ａ）に示すように、第１基板１０を用意する。第１基板１０には、回路層５６が設けられている。回路層５６は、図３又は図４に示す、第１基板１０の上に積層されたパッシベーション膜３２までの複数層を含む。回路層５６の上に下地層３４を形成する。下地層３４の上に導電層５８を形成する。導電層５８は、接続部１６ａを有するように形成する。導電層５８の上に、複数の画素電極１６の形状のマスク層６０を形成する。マスク層６０は、フォトリソグラフィによってパターニングする。

図５（Ｂ）に示すように、複数の画素電極１６の形状になるように、導電層５８をパターニングする。詳しくは、導電層５８のマスク層６０から露出した部分を、ウエットエッチングなどによって除去する。導電層５８を、酸化インジウムスズ及び銀などの異なる複数層から形成するときはそれぞれ別の溶液でエッチングする。

図５（Ｃ）に示すように、複数の画素電極１６の端部がオーバーハングするように、下地層３４をパターニングする。パターニングにはアッシングを適用することができる。パターニングは、絶縁層１８のマスク層６０から露出した部分を除去して行う。あるいは、マスク層６０を除去した後に、複数の画素電極１６をマスクとして、絶縁層１８の複数の画素電極１６から露出した部分を除去してもよい。

図６（Ａ）に示すように、複数の画素電極１６及び下地層３４を覆うように、絶縁層１８を形成する。絶縁層１８は、隣同士の画素電極１６の間及び複数の画素電極１６の端部の下に至るように形成する。絶縁層１８は、下地層３４の穴３４ａに入るように形成する。絶縁層１８は、ハーフ露光などの複雑な工程を行わずに、画素電極１６の端部の上及び下にそれぞれ一体的に延びるように形成することができる。また、絶縁層１８を液状材料から形成するときに、その粘度が高くても、画素電極１６の端部の上に薄く絶縁層１８を形成することができる。

図６（Ｂ）に示すように、絶縁層１８を、それぞれの画素電極１６の端部を除いた少なくとも中央部が露出するようにパターニングする。つまり、絶縁層１８に開口１８ａを形成する。

その後、図３及び図４に示すように、複数の画素電極１６の絶縁層１８からの露出領域及び絶縁層１８を連続的に覆う共通層４０を含むように、有機エレクトロルミネッセンス膜３８を形成する。そして、有機エレクトロルミネッセンス膜３８の上に共通電極４２を形成する。画素電極１６の端部の上に絶縁層１８が載るので、画素電極１６の端部と共通電極４２とのショートを防止することができる。

さらに、図３及び図４に示すように、第２基板４８及びカラーフィルタ層５０を設ける。本実施形態によれば、画素電極１６の上で絶縁層１８を薄くすることができるので、第１基板１０から第２基板４８までの厚みを薄くすることができる。

図７は、実施形態の変形例１に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。図８は、図７に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のVIII−VIII線断面図である。この例では、接続部１１６ａは、画素電極１１６の端部を含むように配線層１３０に向けて屈曲する点で上記実施形態（図４）と異なる。

したがって、画素電極１１６の端部も、下地層１３４の穴１３４ａの中に配置されている。接続部１１６ａは、画素電極１１６の端部に設けられて、画素電極１１６の中央部から離れるので、画素電極１１６の中央部を露出させるための絶縁層１１８の開口１１８ａを大きくすることができる。

下地層１３４の穴１３４ａは、隣同士の画素電極１１６の間の領域から、一方の画素電極１１６の端部（接続部１１６ａ）に至るように大きく形成される。そのため、絶縁層１１８を形成するための液状材料を充填しやすい。これに対して、図４に示す下地層３４は、隣同士の画素電極１６の間に形成される穴３４ａと一方の画素電極１６の接続部１６ａとの間に区画部３６を有している。したがって、絶縁層１８を形成するための液状材料が接続部１６ａの上に溜まるようになる。

その他の内容は、実施形態で説明した内容が該当する。例えば、第１基板１１０には、複数の画素電極１１６の下方に配線層１３０が設けられ、画素電極１１６の接続部１１６ａは、配線層１３０に接続するように下方に延びる。

図９は、実施形態の変形例２に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。この例では、絶縁層２１８は、上面に窪む凹部２６２を有する。凹部２６２は、画素電極２１６の端部の上方を避けて形成される。つまり、凹部２６２は、下地層２３４の穴２３４ａの上方に形成されている。絶縁層２１８を形成するための液状材料の粘度を高くすれば、凹部２６２が形成される。凹部２６２の底面は、画素電極２１６の上面よりも低い位置にある。

共通層２４０は、凹部２６２に沿って湾曲している。絶縁層２１８が画素電極２１６の上では薄くなっているので、共通層２４０は、盛り上がる方向への湾曲は小さくなっている。その一方で、絶縁層２１８の凹部２６２の内面に沿って、共通層２４０は下がる方向に湾曲している。共通層２４０の下面は、絶縁層２１８の凹部２６２の上方で、画素電極２１６の上面よりも低い位置にある。共通層２４０が下がる方向へ湾曲することで、光の導波を防止することができ、隣の画素から光が入り込むことで生じる混色の低減が可能になる。

共通電極２４２は、共通層２４０の湾曲に沿って湾曲している。有機エレクトロルミネッセンス膜２３８及び共通電極２４２は、封止層２４４によって覆われて封止されている。封止層２４４は、共通電極２４２の湾曲に沿った凹凸を下面に有する。

図１０は、実施形態の変形例３に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。この例では、封止層３４４は、複数層（最上層３４４Ａ，中間層３４４Ｂ，最下層３４４Ｃ）からなる。封止層３４４の最下層３４４Ｃは、共通電極３４２の湾曲に沿って湾曲する。封止層３４４の最上層３４４Ａは、上面が平坦になっている。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０…第１基板、１２…集積回路チップ、１４…フレキシブル配線基板、１６…画素電極、１６ａ…接続部、１８…絶縁層、１８ａ…開口、２０…アンダーコート、２２…半導体層、２４…ゲート絶縁膜、２６…ゲート電極、２８…層間絶縁膜、３０…配線層、３２…パッシベーション膜、３４…下地層、３４ａ…穴、３６…区画部、３８…エレクトロルミネッセンス膜、４０…共通層、４２…共通電極、４４…封止層、４６…充填層、４８…第２基板、５０…カラーフィルタ層、５２…ブラックマトリクス、５４…着色層、５６…回路層、５８…導電層、６０…マスク層、１１０…第１基板、１１６…画素電極、１１６ａ…接続部、１１８…絶縁層、１１８ａ…開口、１３０…配線層、１３４…下地層、１３４ａ…穴、２１６…画素電極、２１８…絶縁層、２３４…下地層、２３４ａ…穴、２３８…エレクトロルミネッセンス膜、２４０…共通層、２４２…共通電極、２４４…封止層、２６２…凹部、３４２…共通電極、３４４…封止層、３４４Ａ…最上層、３４４Ｂ…中間層、３４４Ｃ…最下層。

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板に設けられた複数の画素電極と、
   隣同士の前記画素電極の間に設けられた絶縁層と、
   前記複数の画素電極及び前記絶縁層を連続的に覆う共通層を含むように前記基板に設けられた有機エレクトロルミネッセンス膜と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス膜の上に設けられた共通電極と、
   前記複数の画素電極の下方に位置する配線層と、
   前記複数の画素電極の各々と前記配線層とが接続する接続部と、を有し、
   前記絶縁層は、前記有機エレクトロルミネッセンス膜の側から前記基板の側へ窪む凹部を有し、
   前記凹部は、平面視において前記接続部と重畳しない領域に位置し、
   前記隣同士の前記画素電極の各々は端部を有し、
   前記端部は、前記基板と対向する下面と、前記下面とは反対側の上面と、前記下面と前記上面とに交差する側面と、を有し、
   前記絶縁層は、前記下面と前記上面と前記側面とに直に接し、かつ平面視において前記下面と前記上面とに重畳し、
   前記共通層は、前記凹部に沿って湾曲していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記絶縁層の前記凹部の底面は、前記複数の画素電極の上面よりも低い位置にあり、
   前記共通層の下面は、前記絶縁層の前記凹部の上方で、前記複数の画素電極の上面よりも低い位置にあることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
3. 請求項１又は２に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記共通電極は、前記共通層の湾曲に沿って湾曲し、
   前記有機エレクトロルミネッセンス膜及び前記共通電極を覆って封止する封止層をさらに有し、
   前記封止層は、前記共通電極の湾曲に沿った凹凸を下面に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 請求項３に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記封止層は、複数層からなり、
   前記封止層の最下層は、前記共通電極の前記湾曲に沿って湾曲し、
   前記封止層の最上層は、上面が平坦になっていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記接続部は、前記画素電極が前記配線層に向けて屈曲し、かつ前記配線層と接続する部分であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 請求項５に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記接続部は、前記画素電極の前記端部を避けて、前記配線層に向けて屈曲するように設けられ、
   前記絶縁層は、前記端部から前記接続部の上に至るように設けられることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
7. 請求項６に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
   前記接続部は、前記画素電極の前記端部を含むように前記配線層に向けて屈曲することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記隣同士の前記画素電極は、第１端部を有する第１画素電極と、前記第１端部と対向する第２端部を有する第２画素電極であり、
   前記第１端部は、前記基板と対向する第１下面と、前記第１下面とは反対側の第１上面と、前記第１下面と前記第１上面とに交差する第１側面と、を有し、
   前記第２端部は、前記基板と対向する第２下面と、前記第２下面とは反対側の第２上面と、前記第２下面と前記第２上面とに交差する第２側面と、を有し、
   前記絶縁層は、前記第１下面、前記第１上面、前記第１側面、前記第２下面、前記第２上面、および前記第２側面に直に接する、一体的に延びる領域を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
9. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記複数の画素電極の前記基板の側には、下地層が配置され、
   前記下地層は、前記隣同士の前記画素電極の間に穴を有し、
   前記穴は、前記端部の前記下面を露出し、
   前記絶縁層の一部は、前記穴に配置されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
   

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