CN102333737A - 玻璃基板的研磨方法、封装件的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备以及电波钟 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种玻璃基板研磨方法,具有边供给研磨剂边研磨玻璃基板表面的研磨工序,其特征在于,所述研磨工序包括:一次抛光工序,使用由研磨布构成的第一研磨垫研磨所述玻璃基板的所述表面;以及二次抛光工序,使用由泡沫氨基甲酸乙酯构成的第二研磨垫研磨所述玻璃基板的所述表面。

Description

玻璃基板的研磨方法、封装件的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备以及电波钟
技术领域
本发明涉及玻璃基板研磨方法、封装件制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备以及电波钟。
背景技术
近年来,在便携电话或便携信息终端设备中,利用了水晶等的压电振动器被用作时刻源或控制信号等的定时源、参照信号源等。已知各式各样的这种压电振动器,表面安装(SMD)型的压电振动器作为其中之一而为人所知。作为这种压电振动器,具备例如互相接合的基底基板及盖基板、在两基板之间形成的空腔、以及在空腔内以被气密密封的状态收纳的压电振动片(电子部件)。
这种类型的压电振动器,直接接合基底基板及盖基板而成为2层构造,在两基板之间形成的空腔内收纳有压电振动片。
制造这样的2层构造型的压电振动器时,在盖基板形成空腔用的凹部,另一方面在基底基板上装配压电振动器后,经由接合层将两圆片阳极接合。由此,制造将压电振动片气密密封在空腔内的多个压电振动器(封装件)。
专利文献1:日本特开平5-177539号公报
发明内容
然而,在上述的压电振动器的制造工序中,在接合基底基板与盖基板的情况下,为确保空腔的气密性,确保两基板的接合带(接合面的面积)及接合面的表面精度,使平坦面彼此接合尤为重要。
于是,在接合两基板的情况下,在其前段进行研磨两基板的接合面以提高表面精度的研磨工序。作为研磨工序的一个实例,例如为如专利文献1所示,其公开了一种在设置有研磨布的上下一对的平台间,夹持保持基板的托盘,使平台与托盘相对旋转、移动,从而将基板的两表面同时研磨的方法。
在上述的两基板中,特别是在研磨盖基板时,研磨布主要在包围凹部的隔壁的前端面上滑动,从而能够提高成为与基底基板的接合面的隔壁的前端面的表面精度。
然而,使用研磨布研磨盖基板时,由于研磨布一直卷入到隔壁的前端面(接合面)的周边,接合面的周边部有产生面塌边现象之虞。具体而言,接合面形成从其中心到外周侧及内周侧玻璃基板的厚度逐渐变薄的曲面形状。由此,与基底基板的接合带缩小,有不能确保空腔的气密性之虞。即,要使两基板接合时,彼此的接合面之间产生间隙,从而不能确保空腔内的气密,存在着压电振动器的振动特性下降的情况。
本发明有鉴于上述问题构思而成,其目的是提供谋求提高玻璃基板的接合面的表面精度并且能通过确保接合带来确保空腔内的气密的玻璃基板研磨方法、封装件制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备以及电波钟。
为达成上述目的,本发明涉及的玻璃基板研磨方法,具有边供给研磨剂边研磨玻璃基板表面的研磨工序,其特征在于,所述研磨工序包括:一次抛光工序,使用由研磨布构成的第一研磨垫研磨所述玻璃基板的所述表面;以及二次抛光工序,使用由泡沫氨基甲酸乙酯(urethane)构成的第二研磨垫研磨所述玻璃基板的所述表面。
利用此结构,在一次抛光工序中,利用由研磨布构成的第一研磨垫研磨玻璃基板的表面,从而镜面加工玻璃基板的表面,能够提高表面精度。
然而,使用研磨布研磨玻璃基板时,如上述那样地研磨布一直卷入到玻璃基板的周边,表面的周边部有发生面塌边现象之虞。
此处,在二次抛光工序中,使用比研磨布硬质的、由泡沫氨基甲酸乙酯构成的第二研磨垫,不仅能维持一次抛光加工的玻璃基板表面的表面精度,还能不使表面的角部等发生面塌边地进行研磨。即,第二研磨垫不会卷入到玻璃基板角部的周边,而仅在前端面上滑动,所以能够积极地研磨前端面,使面塌边部分平坦化。
从而,在谋求提高玻璃基板表面的表面精度的同时,能够确保平坦面较大,所以能够确保与玻璃基板表面接合时的接合带。其结果是,不仅能确保气密性,还能使玻璃基板可靠地接合。
另外,本发明的特征在于,在所述玻璃基板的表面形成凹部,在所述研磨工序中,研磨包围所述凹部周围的隔壁的前端面。
如上所述,使用由研磨布构成的第一研磨垫进行研磨时,研磨布一直卷入到包围凹部的隔壁的周边,所以隔壁的周边产生面塌边。
相对与此,在本发明的结构中,通过使用比研磨布硬质的、由泡沫氨基甲酸乙酯构成的第二研磨垫,由于第二研磨垫不会卷入玻璃基板的角部周边,而仅在前端面上滑动,所以能够积极的研磨前端面,且去除面塌边。因此,能够使玻璃基板的隔壁的前端面平坦化。
另外,本发明的特征在于,在所述一次抛光工序和所述二次抛光工序中,使用双面研磨装置,对所述玻璃基板的背面一并施行研磨。
依据此结构,不仅能提高玻璃基板表面的表面精度,还能一并提高玻璃基板背面的表面精度。
另外,本发明的特征在于,所述双面研磨装置包括:行星齿轮机构,具有圆盘状的托盘,所述托盘上形成有收纳所述玻璃基板的保持孔;以及下平台和上平台,配置于所述托盘的上下方,安装有所述第一研磨垫或所述第二研磨垫;在所述研磨工序中,将所述下平台和所述上平台经由所述第一研磨垫或者所述第二研磨垫压接到所述玻璃基板的表面和背面,使所述托盘边自转边绕轴线公转,且所述下平台的旋转方向与所述上平台的旋转方向设定为相反。
依据此结构,使各平台以互为相反的方向旋转,所以能够增大玻璃基板与研磨垫的阻力,从而能够提高研磨率。因此,能够谋求作业效率的提高。
另外,本发明的特征在于,在所述二次抛光工序中,所述下平台的所述研磨垫使用所述第二研磨垫,利用所述下平台研磨所述玻璃基板的表面侧,另一方面,所述上平台的所述研磨垫使用由比所述泡沫氨基甲酸乙酯软质的材料构成的第三研磨垫,利用所述上平台研磨所述玻璃基板的背面侧。
依据此结构,同玻璃基板背面与上平台之间的阻力相比较,能够增大表面与下平台之间的阻力,所以与背面的研磨速度相比,能使玻璃基板表面的研磨率较快。即,以玻璃基板的表面作为接合面的情况下,仅积极地研磨成为接合面的表面,所以能够去除面塌边。
此外,本发明的封装件制造方法,能够在互相接合的多个基板之间形成的空腔内封入电子部件,其特征在于,包括:凹部形成工序,在所述多个基板中的第一基板的表面形成所述空腔用的凹部;研磨工序,使用所述本发明的玻璃基板研磨方法,研磨包围所述凹部周围的隔壁的前端面;以及阳极接合工序,在所述隔壁的前端面阳极接合所述多个基板中的第二基板。
依据此结构,通过使用本发明的玻璃基板研磨方法进行研磨,第二研磨垫不会卷入到接合面周边,而仅在前端面上滑动,所以能够积极地研磨前端面,使面塌边部分平坦化。据此,能够使第一基板的接合面平坦化。
从而,能够谋求提高第一基板的接合面的表面精度,并且确保平坦面较大,所以能够确保与第一基板的接合面接合时的接合带。其结果是,能够使第一基板与第二基板可靠地阳极接合,从而确保空腔内的气密。
另外,本发明涉及的压电振动器的特征在于,利用所述本发明的封装件制造方法而制造。
依据此结构,由于是利用所述本发明的封装件制造方法制造的压电振动器,所以能够提供振动特性优良且可靠性高的压电振动器。
另外,本发明涉及的振荡器的特征在于,上述本发明的压电振动器,作为振子与集成电路电连接。
另外,本发明的电子设备的特征在于,上述本发明的压电振动器与计时部电连接。
另外,本发明涉及的电波钟,其特征在于,上述本发明的压电振动器与滤波部电连接。
在本发明涉及的振荡器、电子设备以及电波钟中,由于具备上述压电振动器,所以能够提供振动特性优良且可靠性高的产品。
依据本发明涉及的玻璃基板研磨方法,在二次抛光工序中使用比研磨布硬质的、由泡沫氨基甲酸乙酯构成的第二研磨垫,不仅能够维持一次抛光中加工的玻璃基板表面的表面精度,还能不引起表面的角部等的面塌边地进行研磨。即,第二研磨垫不会卷入到玻璃基板的角部的周边,而仅在前端面上滑动,所以能够积极地研磨平坦面且去除面塌边。据此,能够使玻璃基板的表面平坦化。
从而,能够谋求提高玻璃基板表面的表面精度,并且确保平坦面较大,所以能够确保接合玻璃基板表面时的接合带。其结果是,在确保玻璃基板间的气密性的基础上,可靠地接合玻璃基板。
另外,依据本发明涉及的封装件制造方法,通过使用所述本发明的玻璃基板研磨方法进行研磨,能谋求提高第一基板的接合面的表面精度,并且确保平坦面较大,所以能够确保接合第一基板的接合面时的接合带较大。其结果是,能够可靠地接合第一基板与第二基板,从而确保空腔内的气密。
另外,依据本发明涉及的压电振动器,由于是利用所述本发明的封装件制造方法制造的压电振动器,所以能够提供振动特性优良且可靠性高的压电振动器。
在本发明涉及的振荡器、电子设备以及电波钟中,由于具备上述压电振动器,所以能够提供振动特性优良且可靠性高的产品。
附图说明
图1是示出本发明实施方式的压电振动器的一个实例的外观立体图。
图2是压电振动器的内部结构图,是在拆卸下盖基板的状态下从上方观察压电振动片的图。
图3是沿图2的A-A线的剖面图。
图4是压电振动器的分解立体图。
图5是示出制造图1所示的压电振动器时的流程的流程图。
图6是用于说明第二圆片制作工序的工序图,是示出盖基板用圆片的剖面的图。
图7是用于说明第二圆片制作工序的工序图,是示出盖基板用圆片的剖面的图。
图8是用于说明第二圆片制作工序的工序图,是示出盖基板用圆片的剖面的图。
图9是用于说明第二圆片制作工序的工序图,是示出盖基板用圆片的剖面的图。
图10是用于说明第二圆片制作工序的工序图,是俯视盖基板用圆片的图。
图11是示出抛光工序中使用的双面研磨装置的剖面图(侧面图)。
图12是双面研磨装置的俯视图。
图13是示出各平台的旋转方向及旋转速度比与托盘的相对旋转比的关系的图。
图14是示出本发明涉及的振荡器的一个实施方式的结构图。
图15是示出本发明涉及的电子设备的一个实施方式的结构图。
图16是示出本发明涉及的电波钟的一个实施方式的结构图。
附图标记说明
1…压电振动器(封装件);3a…凹部;5…压电振动片(电子部件);40…盖基板用圆片(玻璃基板、第一基板);41…接合面(表面);42…背面;71…双面研磨装置;72…上平台;73…下平台;76…托盘;76b…圆片保持孔(保持孔);77…行星齿轮机构;100…振荡器;101…振荡器的集成电路;110…便携信息设备(电子设备);113…电子设备的计时部;130…电波钟;131…电波钟的滤波部;C…空腔;P…研磨垫。
具体实施方式
接着,基于附图说明本发明的实施方式。
(压电振动器)
图1是本实施方式的压电振动器的外观立体图,图2是压电振动器的内部结构图,是在拆卸下盖基板的状态下从上方观察压电振动片的图。另外,图3是沿图2所示的A-A线的压电振动器的剖面图,图4是压电振动器的分解立体图。
如图1~4所示,压电振动器1形成为基底基板2和盖基板3层叠为两层的盒状,是在内部的空腔C内收纳压电振动片5的表面安装型的压电振动器1。此外,压电振动片5与基底基板2外侧设置的外部电极6、7通过贯通基底基板2的一对贯通电极8、9电连接。
基底基板2由玻璃材料例如钠钙玻璃(soda lime glass)构成的透明的绝缘基板呈板状地形成。在基底基板2,形成有能形成一对贯通电极8、9的一对通孔(贯通孔)21、22。通孔21、22从基底基板2的下表面向着上表面直径逐渐缩小且截面为锥状(taper)。
盖基板3与基底基板2同样,是由玻璃材料例如钠钙玻璃构成的透明的绝缘基板,以能与基底基板2重合的大小呈板状形成。而且,在盖基板3的与基底基板2接合的接合面一侧,形成有容纳压电振动片5的矩形的凹部3a。
在基底基板2及盖基板3叠合时,该凹部3a形成容纳压电振动片5的空腔C。而且,盖基板3以将凹部3a与基底基板2侧相向的状态对于基底基板2经由下述的接合层23阳极结合。
压电振动片5是由水晶、钽酸锂或铌酸锂等的压电材料形成的音叉型的振动片,在被施加既定的电压时振动。
该压电振动片5在由平行配置的一对振动臂部24、25和将一对振动臂部24、25的基端侧固定成一体的基部26构成的俯视时略呈“コ”字型处、在一对振动臂部24、25的外表面上,具有使一对振动臂部24、25振动的、未图示的由一对第一激振电极和第二激振电极构成的激振电极;以及与第一激振电极及第二激振电极电连接的一对装配电极(都未图示)。
如此构成的压电振动片5,如图3、4所示,利用金等的凸点(bump)B与基底基板2的上表面形成的迂回电极27、28上凸点接合。更具体而言,压电振动片5的第一激振电极经由一个装配电极及凸点B与一个迂回电极27上凸点接合,第二激振电极经由另一个装配电极及凸点B与另一个迂回电极28上凸点接合。由此,压电振动片5以从基底基板2的上表面浮起的状态被支撑,并且成为与各装配电极和迂回电极27、28分别电连接的状态。
而且,在基底基板2的上表面侧(盖基板3接合的接合面侧)形成由导电性材料(例如铝)构成的阳极接合用的接合层23。该接合层23以包围盖基板3上形成的凹部3a的周围的方式沿着基底基板2的周边形成。而且,基底基板2和盖基板3是以凹部3a与基底基板2的接合面侧相向的状态对于基底基板2经由接合层23阳极结合。
此外,外部电极6、7设置在基底基板2下表面的长度方向的两端,经由各贯通电极8、9及各迂回电极27、28与压电振动片5电连接。更具体而言,一个外部电极6经由一个贯通电极8及一个迂回电极27与压电振动片5的一个装配电极电连接。另外,另一个外部电极7经由另一个贯通电极9及另一个迂回电极28与压电振动片5的另一个装配电极电连接。
贯通电极8、9由通过烧结而对于通孔21、22整体固定的筒体32及芯材部31形成,完全堵塞通孔21、22而维持空腔C内的气密,并且承担使外部电极6、7与迂回电极27、28导通的作用。具体而言,一个贯通电极8位于外部电极6与基部26之间的迂回电极27的下方;另一个贯通电极9位于外部电极7的上方、迂回电极28的下方。
筒体32由膏状的玻璃料烧结而成。筒体32形成为两端平坦且与基底基板2厚度大致相同的圆筒状。而且,在筒体32的中心,以贯通筒体32的中心孔32a的方式配置有芯材部31。另外,在本实施方式中,配合通孔21、22的形状,筒体32的外形以成为圆锥状(截面为锥状)的方式形成。而且,该筒体32以埋入通孔21、22内的状态烧结而成,被牢固地对于该通孔21、22固定。
上述的芯材部31是利用金属材料呈圆柱状形成的导电性芯材,与筒体32同样以两端平坦且与基底基板2的厚度大致相同的方式形成。
此外,贯通电极8、9通过导电性的芯材部31确保电导通性。
在使如此构成的压电振动器1工作的情况下,对在基底基板2形成的外部电极6、7施加既定的驱动电压。由此,能够使电流在压电振动片5的各激振电极中流动,能够使一对振动臂部24、25在接近/分离的方向以既定的频率振动。而且,利用该一对振动臂部24、25的振动,能够用作时刻源、控制信号的定时源或参照信号源等。
(压电振动器的制造方法)
接着,参照图5所示的流程图对上述压电振动器的制造方法进行说明。
(第一圆片制作工序)
首先,如图5所示,进行第一圆片制作工序(S10),在该工序中将以后成为基底基板2的基底基板用圆片制作到即将进行阳极接合之前的状态。首先,将钠钙玻璃研磨加工至既定厚度并清洗之后,利用蚀刻等去除最表面的加工变质层形成圆板状的基底基板用圆片(参照图7)(S11)。接着,进行通孔形成工序(S12),该工序中例如通过按压加工等在基底基板用圆片上形成用于配置一对贯通电极8、9的多个通孔21、22。具体而言,利用按压加工在基底基板用圆片上形成凹部之后,从基底基板用圆片的背面侧研磨,从而贯通凹部而能够形成通孔21、22。
接着,进行贯通电极形成工序(S13),在通孔形成工序(S12)中形成的通孔21、22内形成贯通电极8、9。由此,在通孔21、22内,芯材部31被保持在与基底基板用圆片的表面共面的状态。通过以上方式,能够形成贯通电极8、9。
接着,进行接合层形成工序(S14)并且进行迂回电极形成工序(S15),在接合层形成工序(S14)中,在基底基板用圆片的上表面对导电性材料构图而形成接合层23。以此方式,第一圆片制作工序(S10)结束。
(第二圆片制作工序)
图6~10是用于说明第二圆片制作工序的工序图,图6~9是盖基板用圆片的剖面图,图10是俯视图。
接着,在与上述工序同时或在其前后的时刻,进行第二圆片制作工序(S20),在该工序中将成为盖基板3的盖基板用圆片40制作到即将进行阳极接合之前的状态。具体而言,如图6所示,将钠钙玻璃研磨加工至既定厚度并清洗之后,利用蚀刻等去除最表面的加工变质层形成圆板状的盖基板用圆片40(S21)。接着,如图7、10所示,在盖基板用圆片40的接合面41上,进行凹部形成工序(S22),在该工序中利用蚀刻等在行列方向形成多个空腔C用的凹部3a。
(研磨工序)
接着,进行研磨盖基板用圆片40的至少接合面41的研磨工序(S23)。在研磨工序(S23)中,首先使用未图示的双面粗磨(lapping)装置粗磨(粗加工)盖基板用圆片40的两表面(接合面41及接合面41相反侧的面42(以下,称为背面42))(粗磨工序:S24)。具体而言,利用由铸铁等构成的粗磨具经由粗磨剂夹持盖基板用圆片40,使该粗模具与盖基板用圆片40相对移动。由此,能够粗加工盖基板用圆片40的两表面41、42。
接着,为提高盖基板用圆片40的至少接合面41的镜面精度,进行一次抛光工序(S25)。在一次抛光工序中,使用S公司制造的双面研磨装置71对盖基板圆片40的两表面41、42一并进行研磨。
(双面研磨装置)
图11是双面研磨装置的剖面图(侧面图),图12是双面研磨装置的俯视图。
如图11、12所示,双面研磨装置71的概略结构包括:俯视为圆形的上平台72;与上平台72相同的俯视为圆形的下平台73;位于下平台73中央的中心齿轮(sun gear)74;包围下平台73***的内齿轮(intemal gear)75;在上平台72与下平台73之间、且在中心齿轮74与内齿轮75之间设置的、保持盖基板用圆片40的多个托盘76;为盖基板用圆片40的两表面41、42供给研磨剂W的研磨剂供给单元78;分别独立地旋转驱动上平台72、下平台73以及中心齿轮74、内齿轮75的未图示的驱动单元。
上平台72与下平台73,互相配置于同轴L1上且呈圆盘状,以能绕轴线L1旋转的方式被支撑。在各平台72、73的研磨侧的表面设有粘贴研磨垫P的垫保持部72a、73a。
中心齿轮74的***及内齿轮75的内围以一定齿距、竖直且呈圆环状地配置有齿74a、75a。中心齿轮74及内齿轮75与上平台72及下平台73配置于同轴L1上,以绕轴线L1旋转的方式形成。
从而,使托盘76为圆盘形状,在其内侧沿圆周方向等间隔地形成能够嵌入地保持盖基板用圆片40的多个圆片保持孔76b。托盘76形成为厚度比盖基板用圆片40的厚度薄,且以盖基板用圆片40从托盘76的上下突出的方式保持盖基板用圆片40的侧面。
另外,托盘76的***以一定齿距、竖直且呈圆环状地配置有齿(轮部)76a。而且,托盘76不固定,托盘76的齿76a与旋转的中心齿轮74及内齿轮75的齿74a、75a咬合,从而托盘76是自转及公转的结构。该中心齿轮74及内齿轮75利用上述驱动单元逆时针(参照图12中的箭头Q、R)旋转。此时,中心齿轮74及内齿轮75的旋转速度,调整为分别按不同的速度旋转。由此,各托盘76在以轴线L2为中心顺时针(参照图12中的箭头S)自转的同时,以轴线L1为中心逆时针(参照图12中的箭头T)公转。即,托盘76、中心齿轮74及内齿轮75作为使托盘76自转的同时绕轴线L1公转的行星齿轮机构77起作用。
研磨剂供给单元78具备:容纳研磨剂W且具备搅拌马达的未图示的容纳部,以及一端经由泵连接到容纳部、另一端的供给口79a连接到上平台72的多个供给软管79。而且,将研磨剂W从容纳部经由泵送出到供给软管79,且从在上平台72形成的供给孔72b供给到各平台72、73的研磨垫P与盖基板用圆片40的两表面41、42之间。另外,研磨剂供给单元78具备研磨剂回收部(未图示),回收从下平台73流出到外部的研磨剂W,成为能够将回收后的研磨剂W再次搬送到供给软管79的机构。另外,研磨剂W一般优选使用研磨玻璃面用的氧化铈等。
使用这样的双面研磨装置71进行一次抛光工序(S25)时,首先将研磨垫P粘贴到垫保持部72a、73a,并且将盖基板用圆片40嵌入到圆片保持孔76b中。另外,作为一次抛光工序中使用的研磨垫(第一研磨垫)P,优选使用例如非纺织布或皮革(suede)状的研磨布即铈垫等。
然后,驱动研磨剂供给单元78,从供给口79a将研磨剂W供给到各平台72、73的研磨垫P与盖基板用圆片40的两表面41、42之间。其后,驱动上平台72、下平台73及中心齿轮74、内齿轮75,使该各平台72、73及各齿轮74、75绕轴线L1旋转。
这里,图13是显示各平台72、73的旋转方向及旋转速度比与托盘76的相对旋转比的关系的图。
如图12、13所示,在本实施方式的抛光工序中,各平台72、73及各轮74、75全部独立地被旋转驱动,采用所谓的4路方式。具体而言,使下平台73与上平台72绕轴线L1以相反方向旋转。这种情况下,上平台72的旋转方向设为顺时针(图11中的箭头N),既定时间T1内的旋转速度比设为1(图13中U·P1),下平台73的旋转方向设为逆时针(图12中的箭头M),且旋转速度比设定为3(图13中的L·P3)。即,下平台73与上平台72以相反的方向旋转,并且既定时间T1内的旋转速度设定为3∶1。
这样,通过使各平台72、73以彼此相反的方向旋转,能够增大盖基板用圆片40与研磨垫P的阻力,能够提高研磨速度。因此,能够谋求作业效率的提高。
另外,使中心齿轮74及内齿轮75如上述逆时针(参照图12中箭头L、R)旋转,调整为分别以不同的速度旋转。由此,托盘76变为绕其轴线L2自转的同时绕轴线L1公转。这种情况下,托盘76的公转方向与下平台73的旋转方向为同一方向(逆时针),托盘76的公转速度比在既定时间T1内为1。其结果是,下平台73与托盘76的相对旋转速度比为2(图13中L·P2)。另一方面,上平台72绕顺时针以旋转速度比1旋转,所以上平台72与托盘76的相对旋转速度比也是2(图13中U·P2)。
另外,其它的一次抛光工序中的研磨条件例如为如下所示。
·研磨压力:数百g/cm2
·研磨剂流量:数百cc/min
利用以上的条件进行一次抛光工序(S25),如图8所示,对盖基板用圆片40的两表面41、42进行镜面加工。
而且,在一次抛光工序(S25)中,为提高盖基板用圆片40的接合面41的表面精度,需要使用比上述铈垫等软的研磨垫P。因此,研磨垫P卷入到成为接合面41的凹部3a的隔壁43的周边,形成从隔壁43的中心到周边的厚度逐渐变薄的曲面形状。其结果是,与粗磨工序(S24)后的接合面41的平坦面的面积(接合带D1)相比(参照图7),一次抛光工序(S25)后的接合面的接合带D2缩小,下述接合工序中,有不能将两圆片良好地接合之虞。
这里,在本实施方式中,对经过一次抛光工序(S25)的盖基板用圆片40进行二次抛光工序(S26)。进行二次抛光工序(S26)期间,首先将研磨垫P粘贴在垫保持部72a、73a。在本实施方式的二次抛光工序(S26)中,各平台72、73的研磨垫P分别使用不同的材料。具体而言,下平台73使用由泡沫氨基甲酸乙酯构成的研磨垫(第二研磨垫)P。由泡沫氨基甲酸乙酯构成的研磨垫P,是将非纺织布浸入到泡沫氨基甲酸乙酯中而形成的,是比上述铈垫硬质的研磨垫P。
另一方面,上平台72的垫保持部72a采用具有非纺织布基底的连续泡沫构造的研磨垫(例如,第三研磨垫)P(例如,SUBA(注册商标))。即,上平台72的垫保持部72a中粘贴有比泡沫氨基甲酸乙酯软质的研磨垫P。由此,跟接合面41与下平台73之间的阻力相比,能够减小背面42与上平台72之间的阻力。由此,能确保与背面42的研磨速度相比,接合面41的研磨速度较大,所以能积极地研磨接合面41的面塌边部分。另外,各平台72、73及各轮74、75的旋转方向及旋转速度比、或压力、研磨剂流量等其它研磨条件,均与上述的一次研磨工序(S25)的研磨条件相同。
利用以上条件进行二次研磨工序(S26)时,由泡沫氨基甲酸乙酯构成的研磨垫P上保持研磨剂W,并且在盖基板用圆片40的全部区域均匀地运动。由此,如图9所示,主要研磨接合面41的前端部分,从而使接合面41成为接合带D3的平坦面。另外,能够将本实施方式中的接合带D3形成为与粗磨工序后的接合带D1相比的90%~95%左右。通过以上方式,结束第二圆片制作工序(S20)。
接着,在第一圆片制作工序(S10)中制成的基底基板用圆片的各迂回电极27、28上,分别经由金等的凸点B装配压电振动片5(S31)。然后,进行重合工序(S32),将上述各圆片制作工序中制成的基底基板及盖基板用圆片40重合。具体而言,以未图示的基准标记等为指标将两圆片对准到正确位置。由此,装配的压电振动片5成为收纳在盖基板用圆片40中形成的凹部3a与基底基板用圆片包围的空腔C内的状态。
重合工序后,进行阳极接合的接合工序(S33),该工序中,将重合的2个圆片放入到未图示的阳极接合装置中,在利用未图示的保持机构夹紧圆片的***部分的状态下,在既定的温度环境下施加既定电压。具体而言,在接合层23与盖基板用圆片40之间施加既定的电压。此时,在接合层23与盖基板用圆片40的界面上产生电化学反应,从而将二者牢固密接地阳极接合。由此,能够将压电振动片5密封在空腔C内,能够将基底基板用圆片与盖基板用圆片40相接合而得到圆片接合体。
其后,形成分别与一对贯通电极8、9电连接的一对外部电极6、7,且微调压电振动器1的频率。然后,进行将圆片接合体单片化的切断,且进行内部电特性检查,从而形成容纳压电振动片5的封装件(压电振动器1)。
这样,在本实施方式的结构中,对于一次抛光工序中施加镜面研磨的盖基板用圆片40,在二次抛光工序中使用由泡沫氨基甲酸乙酯构成的研磨垫P研磨接合面41侧。
依据此结构,通过使用比由铈垫等构成的研磨垫P硬质的、由泡沫氨基甲酸乙酯构成的研磨垫P,不仅能够维持在一次抛光中加工的接合面41的表面精度,而且能够没有面塌边地对接合面41的周边部进行研磨。即,由泡沫氨基甲酸乙酯构成的研磨垫P不卷入盖基板用圆片40的接合面41,而仅在接合面41的前端部分上滑动,能够积极研磨前端部分且去除面塌边部分。由此,能使接合面41平坦化。从而,当两圆片接合时,能够在确保接合带(例如,接合带D3)的状态下将两圆片接合,所以能够确保空腔C内的气密。其结果是,能够提供振动特性良好且可靠性高的压电振动器1。
(振荡器)
接着,参照图14对本发明涉及的振荡器的一个实施方式进行说明。
如图14所示,本实施方式的振荡器100以压电振动器1作为与集成电路101电连接的振子而构成。该振荡器100具备安装有电容器等电子部件102的基板103。在基板103上安装有振荡器用的上述集成电路101,在该集成电路101附近安装有压电振动器1。这些电子部件102、集成电路101及压电振动器1通过未图示的布线图案分别电连接。此外,各构成部件利用未图示的树脂来进行模制(mould)。
在这种结构的振荡器100中,对压电振动器1施加电压时,该压电振动器1内的压电振动片5振动。利用压电振动片5具有的压电特性,将该振动转换为电信号,作为电信号输入至集成电路101。所输入的电信号通过集成电路101进行各种处理,作为频率信号输出。由此,压电振动器1作为振子起作用。
另外,通过按照需求选择性地设定集成电路101的结构,例如RTC(实时时钟)模块等,除了钟表用单功能振荡器等之外,还能够附加控制该设备或外部设备的工作日期或时刻,或者提供时刻或日历等的功能。
如上所述,依据本实施方式的振荡器100,由于具备高质量化的压电振动器1,所以振荡器100自身也能够同样地谋求高质量化。不仅如此,还能够获得长期稳定的高精度的频率信号。
(电子设备)
接着,参照图15对本发明涉及的电子设备的一个实施方式进行说明。此外作为电子设备,以具有上述的压电振动器1的便携信息设备110为例进行说明。最初本实施方式的便携信息设备110例如是以便携电话为代表的,是对现有技术中的手表的发展与改良。外观类似于手表,在相当于表盘的部分配有液晶显示器,能够在该画面上显示当前的时刻等。另外,在作为通信机利用的情况下,从手腕取下,通过内置于表带的内侧部分的扬声器及麦克风,能进行与现有技术的便携电话相同的通信。然而,与现有的便携电话相比较,显著小型化及轻型化。
接着,对本实施方式的便携信息设备110的结构进行说明。如图15所示,该便携信息设备110具备压电振动器1和供电用的电源部111。电源部111例如由锂二次电池构成。进行各种控制的控制部112、进行时刻等的计数的计时部113、与外部进行通信的通信部114、显示各种信息的显示部115、以及检测各功能部的电压的电压检测部116与该电源部111并联连接。然后,通过电源部111为各功能部供电。
控制部112控制各功能部,进行声音数据的发送及接收、当前时刻的测量或显示等的***整体的动作控制。另外,控制部112具备预先写入程序的ROM、读取写入到该ROM的程序并执行的CPU、以及作为该CPU的工作区使用的RAM等。
计时部113具备内置有振荡电路、寄存器电路、计数器电路及接口电路等的集成电路,以及压电振动器1。对压电振动器1施加电压时压电振动片5振动,利用水晶所具有的压电特性将该振动转换为电信号,作为电信号输入到振荡电路。将振荡电路的输出二值化,通过寄存器电路和计数器电路来计数。然后,通过接口电路,与控制部112进行信号的发送与接收,在显示部115显示当前时刻、当前日期或者日历信息等。
通信部114具有与现有的便携电话相同的功能,具备无线电部117、声音处理部118、切换部119、放大部120、声音输入/输出部121、电话号码输入部122、来电音发生部123以及呼叫控制存储器部124。
无线电部117通过天线125与基站进行收发声音数据等各种数据的交换。声音处理部118对从无线电部117或放大部120输入的声音信号进行编码及解码。放大部120将从声音处理部118或声音输入/输出部121输入的信号放大到既定电平。声音输入/输出部121由扬声器或麦克风等构成,扩大来电音或接听声音,或者将声音集音。
另外,来电音发生部123响应来自基站的呼叫而生成来电音。切换部119仅在来电时,通过将连接在声音处理部118的放大部120切换到来电音发生部123,在来电音发生部123中生成的来电音得以经由放大部120输出到声音输入/输出部121。
此外,呼叫控制存储器部124存放与通信的呼叫及来电控制相关的程序。另外,电话号码输入部122具备例如0到9的号码键及其它键,通过按下这些号码键等,输入通话对象的电话号码等。
在通过电源部111对控制部112等的各功能部施加的电压低于既定值的情况下,电压检测部116检测出该电压下降并通知控制部112。此时的既定电压值是作为使通信部114稳定动作所需的最低限的电压而预先设定的值,例如为3V左右。从电压检测部116收到电压下降通知的控制部112,禁止无线电部117、声音处理部118、切换部119及来电音发生部123的动作。特别是必须停止耗电较大的无线电部117的动作。进而,在显示部115显示通信部114由于电池余量不足而不能使用的提示。
即,能够由电压检测部116和控制部112禁止通信部114的动作,并在显示部115显示该提示。该显示可以是文字消息,但作为更直观的显示,也可以在显示于显示部115的显示面上部的电话图标上打“×(叉)”标记。
此外,通过具备能有选择地截断与通信部114的功能相关的部分的电源的电源截断部126,能够更可靠地停止通信部114的功能。
如上所述,依据本实施方式的便携信息设备110,由于具备高质量化的压电振动器1,所以便携信息设备自身也同样能够谋求高质量化。不仅如此,还能够显示长期稳定的高精度的时钟信息。
接着,参照图16对本发明涉及的电波钟的一个实施方式进行说明。
如图16所示,本实施方式的电波钟130具备电连接到滤波部131的压电振动器1,是接收包含时钟信息的标准电波、具备自动修正为正确的时刻并显示的功能的钟表。
在日本国内,在福岛县(40kHz)和佐贺县(60kHz)有发送标准电波的发送站(发送局),分别发送标准电波。40kHz或60kHz这样的长波兼有沿地表传播的性质以及在电离层和地表边反射边传播的性质,因此传播范围较广,以上述的两个发送站整个覆盖日本国内。
(电波钟)
以下,对电波钟130的功能性结构详细进行说明。
天线132接收40kHz或60kHz的长波标准电波。长波标准电波是将被称作时间码的时刻信息AM调制在40kHz或60kHz的载波的波。所接收的长波标准电波由放大器133放大,由具有多个压电振动器1的滤波部131滤波并调谐。
本实施方式中的压电振动器1,分别具备与上述载波频率相同的40kHz及60kHz的谐振频率的水晶振动器部138、139。
进而,滤波后的既定频率的信号通过检波、整流电路134来检波并解调。
接着,经由波形整形电路135抽出时间码,用CPU136计数。在CPU136中,读取当前的年、累积日、星期、时刻等信息。被读取的信息反映于RTC137,显示出准确的时刻信息。
由于载波为40kHz或60kHz,所以水晶振动器部138、139优选为具有上述的音叉型结构的振动器。
此外,虽然上述的说明以日本国内的示例示出,但长波的标准电波的频率在海外是不同的。例如,在德国使用77.5kHz的标准电波。从而,在将在海外也能对应的电波钟130装入便携设备的情况下,还需要与日本的情况不同频率的压电振动器1。
如上所述,依据本实施方式的电波钟130,由于具备高质量化的压电振动器1,所以电波钟自身也同样能够谋求高质量化。不仅如此,还能够长期稳定地高精度地对时刻计数。
以上,参照附图对本发明的实施方式进行了详述,但具体结构并不局限于上述实施方式,而是还包含不脱离本发明思想的范围的设计变形等。
例如,在上述的实施方式中,举出音叉型的压电振动片5为例进行说明,但并不局限于音叉型。例如将厚度滑移振动片或AT振动片装配在空腔内,该振动片与外部电极电连接时,依据上述的方法形成贯通电极也无妨。
另外,上述实施方式中,对在基底基板2与盖基板3之间形成的空腔C内收纳压电振动片5的2层构造类型的结构进行说明,但并不仅限于此,也可以采用以形成压电振动片5的压电基板被基底基板2与盖基板3从上下夹入的方式接合的3层构造类型。
另外,在上述实施方式的抛光工序中,对各平台72、73及各轮74、75全部独立地旋转驱动的4路方式进行说明,但并不仅限于此,采用将两平台72、73一起固定的2路方式或者仅将上平台72固定的3路方式也无妨。
另外,在上述实施方式中,使用内齿轮75独立旋转的S公司制造的双面研磨装置71,但也可使用内齿轮75不独立旋转,例如固定到下平台、与下平台一起旋转的构造的双面研磨装置。
而且,各平台72、73及各轮74、75的旋转速度或旋转方向可适当的设计变更。
而且,在上述实施方式中是对使用双面研磨装置71研磨盖基板用圆片40的两表面41、42的情况进行说明,但至少仅能够研磨接合面41也无妨。即,也可使用单面研磨装置仅研磨接合面41。
产业上的利用可能性
本发明不仅谋求提高玻璃基板接合面的表面精度,并且保证接合带,所以能够确保空腔内的气密。

Claims (10)

1.一种玻璃基板研磨方法,具有边供给研磨剂边研磨玻璃基板表面的研磨工序,其特征在于,
所述研磨工序包括:
一次抛光工序,使用由研磨布构成的第一研磨垫研磨所述玻璃基板的所述表面;以及
二次抛光工序,使用由泡沫氨基甲酸乙酯构成的第二研磨垫研磨所述玻璃基板的所述表面。
2.如权利要求1所述的玻璃基板研磨方法,其特征在于,
在所述玻璃基板的表面形成有凹部;
所述研磨工序中,研磨包围所述凹部周围的隔壁的前端面。
3.如权利要求1或2所述的玻璃基板研磨方法,其特征在于,
所述一次抛光工序及所述二次抛光工序中,使用双面研磨装置,对所述玻璃基板的背面一并实施研磨。
4.如权利要求3所述的玻璃基板研磨方法,其特征在于,
所述双面研磨装置包括:
行星齿轮机构,具有圆板状的托盘,所述托盘上形成有收纳所述玻璃基板的保持孔;以及
下平台及上平台,配置于所述托盘的上下方,安装有所述第一研磨垫或所述第二研磨垫;
在所述研磨工序中,经由所述第一研磨垫或所述第二研磨垫将所述下平台及所述上平台按压到所述玻璃基板的表面及背面,使所述托盘在自转的同时绕轴线公转,所述下平台的旋转方向设定为与所述上平台的旋转方向相反。
5.如权利要求4所述的玻璃基板研磨方法,其特征在于,
在所述二次抛光工序中,所述下平台的所述研磨垫使用所述第二研磨垫,利用所述下平台研磨所述玻璃基板的表面侧,另一方面,所述上平台的所述研磨垫使用由比所述泡沫氨基甲酸乙酯软质的材料构成的第三研磨垫,利用所述上平台研磨所述玻璃基板的背面侧。
6.一种封装件制造方法,能够在互相接合的多个基板之间形成的空腔内封入电子部件,其特征在于,包括:
凹部形成工序,在所述多个基板中的第一基板的表面形成所述空腔用的凹部;
研磨工序,使用权利要求1至5中的任一项所述的玻璃基板研磨方法,研磨包围所述凹部周围的隔壁的前端面;以及
阳极接合工序,在所述隔壁的前端面与所述多个基板中的第二基板阳极接合。
7.一种压电振动器,其特征在于,按照权利要求6所述的封装件制造方法制造。
8.一种振荡器,其特征在于,权利要求7所述的压电振动器,作为振子与集成电路电连接。
9.一种电子设备,其特征在于,权利要求7所述的压电振动器与计时部电连接。
10.一种电波钟,其特征在于,权利要求7所述的压电振动器与滤波部电连接。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104858771A (zh) * 2015-06-01 2015-08-26 东莞信柏结构陶瓷有限公司 氧化锆超薄片抛光装置以及抛光方法
CN105643433A (zh) * 2016-02-15 2016-06-08 张欣 一种高效研磨抛光加工装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012169376A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Seiko Instruments Inc 陽極接合装置、パッケージ製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計
JP5597583B2 (ja) * 2011-03-28 2014-10-01 太陽誘電株式会社 タッチパネル装置及び電子機器
JP2012200851A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Seiko Instruments Inc 研磨装置、研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
PT2543653E (pt) * 2011-07-04 2014-07-25 Comadur Sa Método para o fabrico de uma cerâmica mate que não marca
JP2013031909A (ja) * 2011-08-03 2013-02-14 Seiko Instruments Inc ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計
US9748090B2 (en) * 2015-01-22 2017-08-29 Toshiba Memory Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
US20210402546A1 (en) 2020-06-24 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Polishing carrier head with piezoelectric pressure control

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1291126A (zh) * 1998-02-19 2001-04-11 美国3M公司 磨具和研磨玻璃的方法
CN1338728A (zh) * 2000-06-21 2002-03-06 三井金属矿业株式会社 磁记录介质用玻璃基底的制造方法
CN1643658A (zh) * 2002-03-28 2005-07-20 信越半导体株式会社 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法
CN201167092Y (zh) * 2007-12-19 2008-12-17 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管的封装结构

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05177539A (ja) 1991-12-24 1993-07-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 両面ポリッシュ装置によるウェハ研磨方法
JPH05309559A (ja) * 1992-05-12 1993-11-22 Speedfam Co Ltd 平面研磨方法及び装置
JPH11221742A (ja) * 1997-09-30 1999-08-17 Hoya Corp 研磨方法及び研磨装置並びに磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体
JP3762157B2 (ja) 1999-09-02 2006-04-05 旭テクノグラス株式会社 陽極接合用ガラス
JP2001341058A (ja) * 2000-03-29 2001-12-11 Nihon Micro Coating Co Ltd 磁気ディスク用ガラス基板表面加工方法及び加工用砥粒懸濁液
JP2006157872A (ja) 2004-10-28 2006-06-15 Seiko Instruments Inc 圧電振動子とその製造方法、発振器、電子機器及び電波時計
JP4988375B2 (ja) * 2007-02-22 2012-08-01 日本板硝子株式会社 ガラス組成物
JP2008252805A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Kyocera Kinseki Corp 水晶振動子及び水晶振動子の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1291126A (zh) * 1998-02-19 2001-04-11 美国3M公司 磨具和研磨玻璃的方法
CN1338728A (zh) * 2000-06-21 2002-03-06 三井金属矿业株式会社 磁记录介质用玻璃基底的制造方法
CN1643658A (zh) * 2002-03-28 2005-07-20 信越半导体株式会社 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法
CN201167092Y (zh) * 2007-12-19 2008-12-17 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管的封装结构

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104858771A (zh) * 2015-06-01 2015-08-26 东莞信柏结构陶瓷有限公司 氧化锆超薄片抛光装置以及抛光方法
CN104858771B (zh) * 2015-06-01 2017-09-29 东莞信柏结构陶瓷股份有限公司 氧化锆超薄片抛光装置以及抛光方法
CN105643433A (zh) * 2016-02-15 2016-06-08 张欣 一种高效研磨抛光加工装置
CN105643433B (zh) * 2016-02-15 2018-11-06 张欣 一种高效研磨抛光加工装置

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