CN102201793A - 玻璃基板的接合方法、玻璃接合体、封装件的制造方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟 - Google Patents

Abstract

本发明提供在接合材料的材料采用电阻值大的Si的情况下，也能切实地将接合材料与玻璃基板之间阳极接合的、玻璃基板的接合方法、玻璃接合体、封装件的制造方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟。其特征在于：包括阳极接合工序，将固接在盖基板用圆片(50)的内表面的接合材料(35)与基底基板用圆片(40)阳极接合，通过在盖基板用圆片(50)的内表面依次形成ITO膜(25)与Si膜(26)而构成接合材料(35)。

Description

玻璃基板的接合方法、玻璃接合体、封装件的制造方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟

技术领域

本发明涉及玻璃基板的接合方法、玻璃接合体、封装件(package)的制造方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟。

背景技术

近年来，在便携电话或便携信息终端设备上，采用利用了水晶等作为时刻源或控制信号等的定时源、参考信号源等的压电振动器(封装件)。已知各式各样的这种压电振动器，但作为其中之一，众所周知表面安装(SMD)型的压电振动器。作为这种压电振动器，例如具备互相接合的由玻璃材料构成的基底基板及盖基板；在两基板之间形成的空腔；以及以气密密封在空腔内的状态被收纳的压电振动片(电子部件)。

作为将基底基板和盖基板直接接合的方法，提出了阳极接合的方案。在阳极接合中，使接合材料固接到一个基板的内表面的基础上，使探针(probe)与该接合材料连接而作为阳极，并在另一基板的外表面配置阴极，通过对其施加电压，将接合材料与另一基板的内表面接合(例如，参照专利文献1、2)。作为该接合材料的材料，采用电阻值较低的Al。

但是，当阳极接合中利用的接合材料露出到接合后的封装件的外侧时，存在由Al形成的接合材料腐蚀，从而降低封装件的气密性的问题。因此，为了防止Al的腐蚀，需要在阳极接合后对封装件进行涂敷等处理。

专利文献1：日本特开2001-72433号公报

专利文献2：日本特开平7-183181号公报

于是最近，作为接合材料的材料，研究了采用Si，其理由是其耐腐蚀性优异等。

可是，由于Si是电阻值较大的材料，所以用Si形成厚度较薄的接合材料时薄层电阻会增大。因此，在阳极接合时若对接合材料连接探针，则电压降会比例于从探针连接点起的距离而增大。由此，接合材料的电位成为不均匀，存在在探针连接点的近处能进行阳极接合，但在离探针连接点较远的部位不能进行阳极接合的问题。此外，要在离探针连接点较远的部位也进行阳极接合时，需要施加高电压而进行阳极接合，能量消耗量会增大。与之相对，也可以考虑较厚地形成Si膜的膜厚而减少薄层电阻的情况，但在该情况下Si膜的成膜时间变长，与制造效率的降低挂钩。

而且，Si膜能够用CVD法来成膜，但是，在成膜时有杂质(靶中所包含的硼)飞散，从而被成膜的Si膜中的杂质的含有率下降。其结果，Si膜的薄层电阻进一步增加，存在不能对Si膜直接施加电压的情况。此外，在利用CVD法来成膜Si膜时，使用甲硅烷气体等特殊的气体，因此难以进行处理且不易引入。

发明内容

于是，本发明鉴于上述问题而构思，提供一种在接合材料的材料采用电阻值大的Si的情况下也能可靠地将接合材料与玻璃基板之间阳极接合的、玻璃基板的接合方法、玻璃接合体、封装件的制造方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟。

为了解决上述课题，本发明提供以下方案。

本发明的玻璃基板的接合方法，是接合第一玻璃基板与第二玻璃基板的玻璃基板的接合方法，其中，包括阳极接合工序，将固接在所述第一玻璃基板的内表面的接合材料与所述第二玻璃基板阳极接合，所述接合材料通过在所述第一玻璃基板的内表面依次形成ITO膜和Si膜而成。

依据该构成，在第一玻璃基板的内表面形成导电膜的ITO膜，作为薄层电阻大的Si膜的基底层，从而与仅用Si膜构成接合材料的情况相比，能够降低接合材料的薄层电阻。由此，即便减薄Si膜的膜厚，也能对接合材料的整个面均匀地施加电压。此外，能够减薄Si膜的厚度，因此缩短Si膜的成膜时间而能够提高制造效率。因而，即便在接合材料的材料采用薄层电阻大的Si膜的情况下，也能使两玻璃基板彼此在接合面整个区域中牢固地阳极接合。在该情况下，能以较低的电压进行阳极接合，从而能够减少能量消耗量。

而且，ITO膜及Si膜具有耐腐蚀性，因此在阳极接合中利用的接合材料露出于外侧的情况下，接合材料也不会腐蚀。因此，不同于例如接合材料采用A1的情况，无需在阳极接合后实施涂敷加工。由此，能够谋求提高制造效率。

此外，本发明的特征在于：在所述阳极接合工序中，在所述ITO膜连接阳极，并在所述第二玻璃基板的外表面配置阴极的状态下，对所述两电极间施加电压。

在将第一玻璃基板和第二玻璃基板阳极接合的方法中，有在第一玻璃基板的外表面配置成为阳极的接合辅助材料，并且在第二玻璃基板的外表面配置阴极的方式(所谓的对置电极方式)。在该对置电极方式中，接合辅助材料使用能与第一玻璃基板阳极接合的材料，并且以与接合辅助材料和第一玻璃基板的阳极接合反应连动地使接合材料和第二玻璃基板接合。因此，在对置电极方式中，在接合工序后需要除去接合到第一玻璃基板的接合辅助材料的工序。

与之相对，依据本发明的构成，采用将阳极连接到ITO膜的同时，在第二玻璃基板的外表面配置阴极，并且对ITO膜直接施加电压的方式(所谓的直接电极方式)。因此，与上述对置电极方式相比，能够减少作业工时，能够谋求提高制造效率。

此外，本发明的特征在于：用溅镀法来成膜所述Si膜。

依据该构成，与用CVD法来成膜Si膜的情况相比，无需使用甲硅烷气体等特殊的气体而能简单成膜，因此能够谋求提高制造效率。

此外，本发明的玻璃接合体，是固接在第一玻璃基板的内表面的接合材料和所述第二玻璃基板阳极接合而成的玻璃接合体，其特征在于：所述接合材料通过层叠形成在所述第一玻璃基板的内表面的ITO膜和形成在所述ITO膜上的Si膜而成。

依据该构成，在第一玻璃基板的内表面形成导电膜的ITO膜，作为薄层电阻大的Si膜的基底层，从而与仅用Si膜构成接合材料的情况相比，能够降低接合材料的薄层电阻。由此，能够形成如上述那样两玻璃基板彼此的接合面整个区域被牢固地阳极接合的玻璃接合体。在该情况下，能够减薄Si膜的厚度，因此能够将玻璃接合体薄型化。

而且，由于ITO膜及Si膜具有耐腐蚀性，所以在阳极接合中利用的接合材料露出于外侧的情况下，接合材料也不会腐蚀。因此，不同于例如接合材料使用Al的情形，在阳极接合后也无需实施涂敷加工。由此，能够谋求提高制造效率。

此外，本发明的封装件的制造方法，是制造在所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板之间具备能封入电子部件的空腔的封装件的方法，其特征在于，包括：阳极接合工序，使用上述本发明的玻璃基板的接合方法，阳极接合所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板而形成玻璃接合体；以及小片化工序，将所述玻璃接合体小片化而形成多个封装件，在所述阳极接合工序中，在所述第一玻璃基板的端部中在所述ITO膜连接阳极，而在所述第二玻璃基板的外表面配置阴极的状态下，对所述两电极间施加电压。

依据该构成，由于使用上述本发明的玻璃基板的接合方法将玻璃基板彼此接合，所以即便阳极与第一玻璃基板的端部连接，对接合材料的整个面也能均匀地施加电压。也就是说，为了对接合材料的整个面均匀地施加电压，无需将阳极连接在多个部位，或者考虑阳极的连接位置，能够简单地形成两玻璃基板彼此的接合面整个区域被牢固地阳极接合的玻璃接合体。再者，本发明的封装件是被上述那样制造的玻璃接合体被小片化而成的，所以能够确保各封装件的空腔内的气密。

而且，如上所述，ITO膜及Si膜具有耐腐蚀性，因此，即便在阳极接合中利用的接合材料露出于封装件的外侧的情况下，接合材料也不会腐蚀。因此，能够谋求提高制造效率，而且能够防止封装件的气密性降低。

此外，本发明的封装件，其特征在于：利用上述本发明的封装件的制造方法来制造。

依据该构成，使用上述本发明的封装件的制造方法制造封装件，从而能够提供气密性优异的封装件。

此外，本发明的压电振动器，其特征在于，在上述本发明的封装件的所述空腔内，气密密封有压电振动片。

依据该构成，由于具备气密性优异的封装件，能够提高压电振动片的真空密封的可靠性。由此，压电振动器的串联谐振电阻值(R1)被维持在较低的状态，因此能以低电力使压电振动片振动，从而能够制造能量效率优异的压电振动器。

此外，本发明的振荡器，其特征在于：使上述本发明的压电振动器，作为振子电连接至集成电路。

此外，本发明的电子设备，其特征在于：使上述本发明的压电振动器电连接至计时部。

此外，本发明的电波钟，其特征在于：使上述本发明的压电振动器电连接至滤波部。

在本发明的振荡器、电子设备及电波钟中，由于具备能量效率优异的压电振动器，能够提供与压电振动器同样能量效率优异的制品。

(发明效果)

依据本发明的玻璃基板的接合方法及玻璃接合体，即便减薄Si膜的膜厚，也能对接合材料的整个面均匀地施加电压。此外，由于能够减薄Si膜的厚度，所以能够缩短Si膜的成膜时间而提高制造效率。因而，即便接合材料的材料上采用薄层电阻大的Si膜的情况下，也能在接合面整个区域将两玻璃基板彼此牢固地阳极接合。

此外，依据本发明的封装件的制造方法及封装件，由于使用上述本发明的玻璃基板的接合方法来将玻璃基板彼此接合，所以，无需为了对接合材料的整个面均匀地施加电压而在多个部位连接阳极，或者考虑阳极的连接位置，能够简单地形成两玻璃基板彼此的接合面整个区域被牢固地阳极接合的玻璃接合体。再者，如上述那样制造的玻璃接合体被小片化而成为本发明的封装件，能够确保各封装件的空腔内的气密。

此外，依据本发明的压电振动器，能够提供确保空腔内的气密性并且振动特性优异的可靠性高的压电振动器。

在本发明的振荡器、电子设备及电波钟中，由于具备上述的能量效率优异的压电振动器，能够提供能量效率与压电振动器同样优异的制品。

附图说明

图1是实施方式的压电振动器的外观立体图。

图2是压电振动器的拆下盖基板的状态的平面图。

图3是沿着图2的A-A线的侧面剖视图。

图4是压电振动器的分解立体图。

图5是压电振动片的平面图。

图6是压电振动片的仰视图。

图7是沿着图5的B-B线的剖视图。

图8是实施方式的压电振动器的制造方法的流程图。

图9是圆片体的分解立体图。

图10是接合材料形成工序的说明图，并且是盖基板用圆片的剖视图。

图11是接合材料形成工序的说明图，并且是盖基板用圆片的剖视图。

图12是接合工序的说明图，并且是沿着图9的C-C线的剖面的局部放大图。

图13是实施方式所涉及的振荡器的结构图。

图14是实施方式所涉及的电子设备的结构图。

图15是实施方式所涉及的电波钟的结构图。

具体实施方式

以下，根据附图，说明本发明的实施方式。

(压电振动器)

下面，参照附图，说明本发明的实施方式的压电振动器。图1是实施方式所涉及的压电振动器的外观立体图。图2是压电振动器的拆下盖基板的状态的平面图。图3是沿着图2的A-A线的侧面剖视图。图4是压电振动器的分解立体图。此外在图4中，为了方便观看附图，省略了后述的压电振动片4的激振电极15、引出电极19、20、装配电极16、17及重锤金属膜21的图示。

如图1～图4所示，本实施方式的压电振动器1，是具备通过接合材料35来阳极接合基底基板2及盖基板3的封装件9、和被收纳于封装件9的空腔C的压电振动片4的表面安装型的压电振动器1。

图5是压电振动片的平面图，图6是仰视图，图7是沿着图5的B-B线的剖视图。

如图5～图7所示，压电振动片4是由水晶或钽酸锂、铌酸锂等的压电材料形成的音叉型振动片，在被施加既定电压时振动。该压电振动片4具备：平行配置的一对振动腕部10、11；将该一对振动腕部10、11的基端侧固定成一体的基部12；以及形成在一对振动腕部10、11的两主表面上的沟部18。该沟部18沿着该振动腕部10、11的长边方向从振动腕部10、11的基端侧形成至大致中间附近。

此外，本实施方式的压电振动片4包括：形成在一对振动腕部10、11的外表面上并使一对振动腕部10、11振动的由第一激振电极13及第二激振电极14构成的激振电极15；以及与第一激振电极13及第二激振电极14电连接的装配电极16、17。激振电极15、装配电极16、17及引出电极19、20由例如铬(Cr)或镍(Ni)、铝(Al)、钛(Ti)等的导电材料的覆盖膜形成。

激振电极15是使一对振动腕部10、11在互相接近或分离的方向上以既定的谐振频率振动的电极。构成激振电极15的第一激振电极13及第二激振电极14，在一对振动腕部10、11的外表面上，以分别电性切断的状态被构图而形成。具体而言，第一激振电极13主要形成在一个振动腕部10的沟部18上和另一振动腕部11的两侧面上，并且第二激振电极14主要形成在一个振动腕部10的两侧面上和另一振动腕部11的沟部18上。此外，第一激振电极13及第二激振电极14在基部12的两主表面上，分别经由引出电极19、20而与装配电极16、17电连接。

此外，在一对振动腕部10、11的前端覆盖了用于进行调整(频率调整)的重锤金属膜21，以使本身的振动状态在既定频率的范围内振动。该重锤金属膜21分为在粗调频率时使用的粗调膜21a和在微调时使用的微调膜21b。

如图1、图3及图4所示，盖基板3是由玻璃材料例如碱石灰玻璃构成的能够阳极接合的基板，大致形成为板状。在盖基板3中与基底基板2的接合面一侧，形成有收纳压电振动片4的空腔C用的凹部3a。

在此，在盖基板3中与基底基板2的接合面(内表面)侧的整个面形成有阳极接合用的接合材料35。也就是说，接合材料35在凹部3a的整个内表面以外，还形成在凹部3a的周围的边框区域(以下，将这些区域统称为盖基板3的内表面3b)。本实施方式的接合材料35由形成在盖基板3的内表面3b上的ITO(氧化铟锡)膜和形成在ITO膜25上的Si膜26构成。ITO膜25是具有耐腐蚀性的导电膜，并且是在氧化铟(In₂O₃)添加5～10wt％氧化锡(SnO₂)的化合物。在本实施方式中，ITO膜25的膜厚形成为例如

左右。另一方面，Si膜26形成为在与ITO膜25的形成区域相同的区域，覆盖ITO膜25，膜厚形成为例如

左右。然后如后文所述，通过阳极接合该接合材料35的Si膜26与基底基板2，空腔C被真空密封。

基底基板2是由玻璃材料例如碱石灰玻璃构成的基板，如图1～图4所示，以与盖基板3相等的外形大致形成为板状。

在基底基板2的内表面2a侧(与盖基板3接合的接合面侧)，如图1～图4所示，构图有一对迂回电极36、37。各迂回电极36、37例如由下层的Cr膜及上层的Au膜的层叠体形成。

然后如图3、图4所示，上述压电振动片4的装配电极16、17通过金等的凸点(bump)B而凸点接合至迂回电极36、37的表面。压电振动片4以使振动腕部10、11从基底基板2的内表面2a浮起的状态被接合。

此外在基底基板2形成有贯通该基底基板2的一对贯通电极32、33。各贯通电极32，33由不锈钢或Ag、Al等的具有导电性的金属材料形成。一个贯通电极32形成在一个迂回电极36的正下方。另一贯通电极33形成在振动腕部11的前端附近，并且经由迂回布线而与另一迂回电极37连接。

此外如图1、图3及图4所示，在基底基板2的外表面2b形成有一对外部电极38、39。一对外部电极38、39形成在基底基板2的长边方向的两端部，与一对贯通电极32、33分别电连接。

在使这样构成的压电振动器1动作时，对形成在基底基板2的外部电极38、39施加既定的驱动电压。由此，能够从一个外部电极38经由一个贯通电极32及一个迂回电极36而对压电振动片4的第一激振电极13通电。此外从另一外部电极39经由另一贯通电极33及另一迂回电极37而对压电振动片4的第二激振电极14通电。由此，能够使电流在压电振动片4的由第一激振电极13及第二激振电极14构成的激振电极15中流动，并能使一对振动腕部10、11以既定频率沿着接近/分离的方向振动。再者，利用该一对振动腕部10、11的振动，能够用作时刻源、控制信号的定时源或参考信号源等。

(压电振动器的制造方法)

接着，对本实施方式的压电振动器的制造方法进行说明。图8是本实施方式的压电振动器的制造方法的流程图。图9是圆片体的分解立体图。以下，对在基底基板用圆片40与盖基板用圆片50之间封入多个压电振动片4而形成圆片体(玻璃接合体)60，并且切断圆片体60，从而同时制造多个压电振动器的方法进行说明。此外，图9以下的各图所示的虚线M示出在切断工序中切断的切断线。

本实施方式的压电振动器的制造方法，主要包括：压电振动片制作工序(S10)、盖基板用圆片制作工序(S20)、基底基板用圆片制作工序(S30)、和组装工序(S40以下)。其中，压电振动片制作工序(S10)、盖基板用圆片制作工序(S20)及基底基板用圆片制作工序(S30)能够并行实施。此外本实施方式的压电振动器的制造方法，包含盖基板及基底基板通过接合材料阳极接合而成的封装件的制造方法。压电振动器的制造方法主要包括接合材料形成工序(S24)和接合工序(S60)。

在压电振动片制作工序(S10)中，制作图5～图7所示的压电振动片4。具体而言，首先以既定的角度对水晶的朗伯(Lambert)原矿石进行切片，做成一定厚度的圆片。接下来，对该圆片进行研磨而粗加工后，用蚀刻除去加工变质层，之后进行抛光(polish)等镜面研磨加工，得到既定厚度的圆片。接下来，对圆片实施清洗等适当的处理后，利用光刻技术以压电振动片4的外形形状对该圆片进行构图，并且进行金属膜的成膜及构图，形成激振电极15、引出电极19、20、装配电极16、17、重锤金属膜21。据此，可以制作多个压电振动片4。接下来，进行压电振动片4的谐振频率的粗调。这是通过对重锤金属膜21的粗调膜21a照射激光使其一部分蒸发，使振动腕部10、11的重量发生变化来进行的。

在盖基板用圆片制作工序(S20)中，制作后面成为盖基板3的盖基板用圆片50(参照图9)。首先，将由碱石灰玻璃构成的圆板状的盖基板用圆片50，研磨加工成既定厚度并加以清洗后，利用蚀刻等来除去最表面的加工变质层(S21)。其次，在盖基板用圆片50中与基底基板用圆片40(参照图9)接合的接合面一侧，形成多个空腔用的凹部3a(S22)。通过加热冲压成形或蚀刻加工等来进行凹部3a的形成。接着，研磨与基底基板用圆片40的接合面(S23)。

图10、图11是接合材料形成工序的说明图，并且是盖基板用圆片的剖视图。

接着，在盖基板用圆片50中与基底基板用圆片40接合的接合面侧形成接合材料35(S24)。具体而言，如图10所示，首先用溅镀等来在盖基板用圆片50中的接合面一侧成膜ITO膜25。在该情况下，ITO膜25除了盖基板用圆片50中除了与基底基板用圆片40接合的接合面以外，还在凹部3a的整个内表面(以下，将这些区域统称为盖基板用圆片50的内表面50a)成膜。其后，如图11所示，在ITO膜25上用溅镀或CVD等来成膜Si膜26。这时，Si膜26也成膜在盖基板用圆片50的整个内表面50a。由此，形成ITO膜25及Si膜26依次层叠在盖基板50的内表面50a上而成的接合材料35。

如此，通过在盖基板用圆片50的整个内表面50a形成接合材料35(ITO膜25及Si膜26)，将不需要接合材料35的构图，能够降低制造成本。此外，接合材料35是在成膜后构图，从而也可以是仅在盖基板用圆片50中与基底基板用圆片40接合的接合面形成的构成。此外，在接合材料形成工序(S24)之前进行研磨工序(S23)，因此能确保接合材料35的表面的平面度，能够实现与基底基板用圆片40的稳定的接合。

在基底基板用圆片制作工序(S30)中制作后面成为基底基板2的基底基板用圆片40。首先，将由碱石灰玻璃构成的圆板状的基底基板用圆片40研磨加工至既定厚度并加以清洗后，利用蚀刻等来除去最表面的加工变质层(S31)。其次，进行在基底基板用圆片40形成一对贯通电极32、33的贯通电极形成工序(S32)。贯通电极32、33通过例如在基底基板用圆片40形成贯通孔30、31，并向贯通孔30、31内填充银膏等的导电材料后进行烧结而形成。接着，进行形成与一对贯通电极32、33电连接的迂回电极36、37的迂回电极形成工序(S33)。

然而，还可以考虑在基底基板用圆片40的内表面，与迂回电极36、37一起形成接合材料35的情况。但是，在该情况下，会在形成迂回电极36、37之后形成接合材料35，制造时间会较长。此外为了防止两者间的扩散，需要在掩蔽迂回电极36、37的情况下形成接合材料35，制造工序变得复杂。与之相对，在本实施方式中，在盖基板用圆片50形成接合材料35，并在基底基板用圆片40形成迂回电极36、37。由此，能够并行实施迂回电极36、37的形成和接合材料35的形成，从而能够缩短制造时间。此外无需考虑两者间的扩散，因此能够简化制造工序。

在装配工序(S40)中，将制作的多个压电振动片4接合到基底基板用圆片40的迂回电极36、37的上表面。具体而言，首先在一对迂回电极36、37上分别形成金等的凸点B。接着，将压电振动片4的基部12承载于凸点B上，并且一边将凸点B加热至既定温度一边将压电振动片4按压到凸点B。由此，以使压电振动片4的振动腕部10、11从基底基板用圆片40的内表面浮起的状态，基部12被机械固接在凸点B。此外，装配电极16、17和迂回电极36、37成为电连接的状态。

在叠合工序(S50)中，对结束压电振动片4的装配的基底基板用圆片40叠合盖基板用圆片50。具体而言，以未图示的基准标记等为标志，将两圆片40、50对准到正确的位置。由此，装配到基底基板用圆片40的压电振动片4成为被收纳于由盖基板用圆片50的凹部3a和基底基板用圆片40围住的空腔C内的状态。

图12是接合工序的说明图，并且是相当于图9的C-C线的局部剖视图。

如图12所示，在本实施方式的接合工序(S60)中，采用上述的直接电极方式。具体而言，在基底基板用圆片40的外表面侧配置由导电材料构成的电极板(阴极)71。电极板71是在俯视时大致形成为与基底基板用圆片40相同的形状的板状部件。另一方面，在盖基板用圆片50的外周端部中的ITO膜25连接端子(阳极)72。

接着，利用夹具(未图示)按压基底基板用圆片40及盖基板用圆片50，对圆片体60施加压力。在该状态下，按每个夹具将圆片体60置于阳极接合装置的内部。接着，将阳极接合装置的内部保持在既定温度，加热圆片体60。同时，在端子72和电极板71连接直流电源70，以使接合材料35成为阳极、电极板71成为阴极的方式向两者间施加电压。这样，在接合材料35的Si膜26与基底基板用圆片40的界面产生电化学反应，使两者分别牢固地密合而被阳极接合。

可是，将两基板用圆片40、50阳极接合的方法，除了上述直接电极方式以外，还有在盖基板用圆片50的外表面配置成为阳极的接合辅助材料，并且在基底基板用圆片40的外表面配置成为阴极的电极板的方式(所谓的对置电极方式)。但是，在该对置电极方式中，接合辅助材料使用能与盖基板用圆片50阳极接合的材料，以能够与接合辅助材料和盖基板用圆片50的阳极接合反应连动地接合接合材料35(Si膜26)与基底基板用圆片40。因此，在接合工序后无需进行除去接合在盖基板用圆片50的接合辅助材料的工序。

与之相对，如本实施方式那样，以ITO膜25为阳极，并且在基底基板用圆片40的外表面侧配置成为阴极的电极板71，向ITO膜25与基底基板用圆片40之间施加电压，从而与上述的对置电极方式相比，能够削减作业工时，并且能够谋求提高制造效率。

在外部电极形成工序(S70)中，在基底基板用圆片的背面形成外部电极38、39。

在微调工序(S80)中，对各个压电振动器1的频率进行微调。具体而言，首先从外部电极38、39持续施加既定电压，一边使压电振动片4振动一边测量频率。在该状态下，从基底基板用圆片40的外部照射激光，使重锤金属膜21的微调膜21b蒸发。由此，一对振动腕部10、11的前端侧的重量降低，所以压电振动片4的频率上升。由此，能够微调压电振动器1的频率而使之落入标称频率的范围内。

在切断工序(S90)中，沿着切断线M切断已接合的圆片体60。具体而言，首先在圆片体60的基底基板用圆片40的表面粘贴UV胶带。接着，从盖基板用圆片50一侧沿着切断线M照射激光(划片)。接着，从UV胶带的表面沿着切断线M推上切断刀，将圆片体60劈裂(断开)。然后，照射UV并剥离UV胶带。由此，能够将圆片体60分离成多个压电振动器。再者，通过这以外的切片等的方法，切断圆片体60也可。

在电特性检查工序(S100)中，测定压电振动器1的谐振频率、谐振电阻值、驱动电平特性(谐振频率及谐振电阻值的激振电力相关性)等并加以核对。此外，一并核对绝缘电阻特性等。最后进行压电振动器1的外观检查，对尺寸或质量等进行最终核对。

经以上工序完成压电振动器1。

如以上详细说明的那样，在接合材料形成工序(S24)中，在盖基板用圆片50的内表面50a依次形成ITO膜25及Si膜26而构成了接合材料35。

依据该构成，通过在盖基板用圆片50的内表面50a形成导电膜的ITO膜25，与只用薄层电阻大的Si膜26构成接合材料35的情况相比，能够减少接合材料35的薄层电阻。由此，即便减薄Si膜26的膜厚，也能对接合材料35的整个面均匀地施加电压。这时，能以较低的电压来进行阳极接合，所以能谋求减少能量消耗量，并能减少制造成本。此外，由于能够减薄Si膜26的厚度，能够缩短Si膜26的成膜时间而提高制造效率。此外，以往只将Si膜的接合材料形成为时，薄层电阻非常高，达到500kΩ/sq左右。与之相对，如上述那样在将ITO膜25形成为

左右的膜厚、将Si膜26形成为

左右的膜厚的接合材料35中，能够将薄层电阻减少至20Ω/sq左右。

再者，在本实施方式中，由于电位在接合材料35面内整体上均匀，所以接合材料35的材料采用薄层电阻大的Si膜26的情况下，也能在接合面整个区域将两基板用圆片40、50彼此牢固地阳极接合。其结果，能够提供气密性优异的封装件9。再者，在该封装件9内密封有压电振动片4，因此能够提高压电振动片4的真空密封的可靠性。由此，能够将压电振动器1的串联谐振电阻值(R1)维持在较低的状态，所以能以低电力使压电振动片4振动，从而能够制造能量效率优异的压电振动器1。

此外，在本实施方式中，即便在基底基板用圆片40的外周端部连接端子72，也能对接合材料35的整个面均匀地施加电压。也就是说，为了对接合材料35的整个面均匀地施加电压，无需在多个部位连接端子72，或者考虑端子72的连接位置，能够简单地形成两基板用圆片40、50彼此在接合面整个区域牢固地阳极接合的圆片体60。

而且，由于ITO膜25及Si膜26具有耐腐蚀性，即便在阳极接合中利用的接合材料35露出于外侧时，接合材料35也不会腐蚀。因此，不同于例如接合材料使用Al的情况，也无需在阳极接合后实施涂敷加工。由此，能够谋求提高制造效率。

(振荡器)

接着，参照图13，对本发明的振荡器的一个实施方式进行说明。

本实施方式的振荡器100如图13所示，将压电振动器1构成为电连接至集成电路101的振子。该振荡器100具备安装了电容器等的电子部件102的基板103。在基板103安装有振荡器用的上述集成电路101，在该集成电路101的附近安装有压电振动器1。这些电子部件102、集成电路101及压电振动器1通过未图示的布线图案分别电连接。此外，各构成部件通过未图示的树脂来模制(mould)。

在这样构成的振荡器100中，对压电振动器1施加电压时，该压电振动器1内的压电振动片4振动。通过压电振动片4所具有的压电特性，将该振动转换为电信号，以电信号方式输入至集成电路101。通过集成电路101对输入的电信号进行各种处理，以频率信号的方式输出。从而，压电振动器1作为振子起作用。

此外，根据需求有选择地设定集成电路101的结构，例如RTC(实时时钟)模块等，除了钟表用单功能振荡器等之外，还能够附加控制该设备或外部设备的工作日期或时刻或者提供时刻或日历等的功能。

如上所述，依据本实施方式的振荡器100，由于具备切实地阳极接合基底基板2和盖基板3并且切实地确保空腔C内的气密的、提高了成品率的高质量的压电振动器1，振荡器100本身也同样稳定地确保导通性且提高动作的可靠性而能谋求高质量化。而且，除此之外，能够得到长期稳定的高精度的频率信号。

(电子设备)

接着，参照图14，就本发明的电子设备的一个实施方式进行说明。此外作为电子设备，举例说明了具有上述压电振动器1的便携信息设备110。

最初本实施方式的便携信息设备110例如以便携电话为代表，发展并改良现有技术中的手表。外观类似于手表，在相当于文字盘的部分配有液晶显示器，能够在该画面上显示当前的时刻等。此外，在作为通信机而利用的情况下，从手腕取下，通过内置于表带的内侧部分的扬声器和麦克风而能够进行与现有技术的便携电话相同的通信。然而，与现有的便携电话相比较，明显小型化且轻型化。

下面，对本实施方式的便携信息设备110的结构进行说明。如图14所示，该便携信息设备110具备压电振动器1和供电用的电源部111。电源部111例如由锂二次电池构成。进行各种控制的控制部112、进行时刻等的计数的计时部113、与外部进行通信的通信部114、显示各种信息的显示部115、和检测各功能部的电压的电压检测部116与该电源部111并联连接。而且，通过电源部111来对各功能部供电。

控制部112控制各功能部，进行声音数据的发送及接收、当前时刻的测量或显示等的整个***的动作控制。此外，控制部112具备预先写入程序的ROM、读取写入到该ROM的程序并执行的CPU、和作为该CPU的工作区使用的RAM等。

计时部113具备内置了振荡电路、寄存器电路、计数器电路及接口电路等的集成电路和压电振动器1。对压电振动器1施加电压时压电振动片4振动，通过水晶所具有的压电特性，该振动转换为电信号，以电信号的方式输入到振荡电路。振荡电路的输出被二值化，通过寄存器电路和计数器电路来计数。然后，通过接口电路，与控制部112进行信号的发送与接收，在显示部115显示当前时刻或当前日期或者日历信息等。

通信部114具有与现有的便携电话相同的功能，具备无线电部117、声音处理部118、切换部119、放大部120、声音输入/输出部121、电话号码输入部122、来电音发生部123及呼叫控制存储器部124。

通过天线125，无线电部117与基站进行收发声音数据等各种数据的交换。声音处理部118对从无线电部117或放大部120输入的声音信号进行编码及解码。放大部120将从声音处理部118或声音输入/输出部121输入的信号放大到既定电平。声音输入/输出部121由扬声器或麦克风等构成，扩大来电音或受话声音，或者将声音集音。

此外，来电音发生部123响应来自基站的呼叫而生成来电音。切换部119仅在来电时，通过将连接在声音处理部118的放大部120切换到来电音发生部123，在来电音发生部123中生成的来电音经由放大部120输出至声音输入/输出部121。

此外，呼叫控制存储器部124存放与通信的呼叫及来电控制相关的程序。此外，电话号码输入部122具备例如0至9的号码键及其它键，通过按压这些号码键等，输入通话目的地的电话号码等。

电压检测部116在通过电源部111对控制部112等的各功能部施加的电压小于既定值时，检测其电压降后通知控制部112。这时的既定电压值是作为使通信部114稳定动作所需的最低限的电压而预先设定的值，例如，3V左右。从电压检测部116收到电压降的通知的控制部112禁止无线电部117、声音处理部118、切换部119及来电音发生部123的动作。特别是，停止耗电较大的无线电部117的动作是必需的。而且，显示部115显示通信部114由于电池余量的不足而不能使用的提示。

即，能够由电压检测部116和控制部112禁止通信部114的动作并在显示部115显示该提示。该显示可以是文字消息，但作为更直观的显示，也可以在显示于显示部115的显示面的上部的电话图标打“×(叉)”标记。

此外，通过具备能够有选择地截断与通信部114的功能相关的部分的电源的电源截断部126，能够更加可靠地停止通信部114的功能。

如上所述，依据本实施方式的便携信息设备110，由于具备切实地阳极接合基底基板2和盖基板3并且切实地确保空腔C内的气密的、提高了成品率的高质量的压电振动器1，便携信息设备本身也同样稳定地确保导通性，并且提高动作的可靠性而能谋求高质量化。而且，除此之外，能够显示长期稳定的高精度的时钟信息。

(电波钟)

接着，参照图15，就本发明的电波钟的一个实施方式进行说明。

如图15所示，本实施方式的电波钟130具备电连接到滤波部131的压电振动器1，是接收包含时钟信息的标准电波，并具有自动修正为正确的时刻并加以显示的功能的钟表。

在日本国内，在福岛县(40kHz)和佐贺县(60kHz)有发送标准电波的发送站(发送局)，分别发送标准电波。40kHz或60kHz这样的长波兼有沿地表传播的性质和在电离层和地表一边反射一边传播的性质，因此其传播范围宽，且由上述的两个发送站覆盖整个日本国内。

以下，对电波钟130的功能性结构进行详细说明。

天线132接收40kHz或60kHz长波的标准电波。长波的标准电波将被称为定时码的时刻信息AM调制为40kHz或60kHz的载波。

所接收的长波的标准电波由放大器133放大，由具有多个压电振动器1的滤波部131滤波并调谐。

本实施方式中的压电振动器1分别具备与上述载波频率相同的40kHz及60kHz的谐振频率的水晶振动器部138、139。

而且，滤波后的既定频率的信号通过检波、整流电路134来检波并解调。

接着，经由波形整形电路135而抽出定时码，由CPU136计数。在CPU136中，读取当前的年、累积日、星期、时刻等的信息。被读取的信息反映于RTC137，显示出准确的时刻信息。

由于载波为40kHz或60kHz，所以水晶振动器部138、139优选具有上述的音叉型结构的振动器。

此外，虽然上述的说明由日本国内的示例表示，但长波的标准电波的频率在海外是不同的。例如，在德国使用77.5KHz的标准电波。所以，在将即使在海外也能够对应的电波钟130装入便携设备的情况下，还需要与日本的情况不同的频率的压电振动器1。

如上所述，依据本实施方式的电波钟130，由于具备切实地阳极接合基底基板2和盖基板3并且切实地确保空腔C内的气密的、提高了成品率的高质量的压电振动器1，电波钟130本身也同样稳定地确保导通性，并且提高动作的可靠性而能谋求高质量化。而且，除此之外，能够长期稳定且高精度地对时刻进行计数。

此外，本发明的技术范围并不限于上述实施方式，在不超出本发明的宗旨的范围内，还包括对上述实施方式进行各种变更的方案。即，在实施方式中列举的具体的材料或层结构等只是一个例子，能够适宜变更。

例如，在上述实施方式中，在盖基板用圆片50的整个内表面50a形成了接合材料，但与之相反地，在基底基板用圆片的内表面形成接合材料也可。

而且，在上述实施方式中，说明了用直接电极方式进行阳极接合的情形，但并不限于此，用对置电极方式进行阳极接合也可。

此外在上述实施方式中，使用本发明的封装件的制造方法的同时，在封装件的内部封入压电振动片而制造了压电振动器，但是，在封装件的内部封入压电振动片以外的电子部件，也能制造压电振动器以外的器件。

附图标记说明

1...压电振动器；2...基底基板(第二玻璃基板)；3...盖基板(第一玻璃基板)；4...压电振动片；9...封装件；25...ITO膜；26...Si膜；35...接合材料；40...基底基板用圆片；50...盖基板用圆片；60...圆片体(玻璃接合体)；71...电极板；72...端子(阳极)；100...振荡器；101...振荡器的集成电路；110...便携信息设备(电子设备)；13...电子设备的计时部；130...电波钟；131...电波钟的滤波部；C...空腔。

Claims (10)

1.一种玻璃基板的接合方法，接合第一玻璃基板与第二玻璃基板的玻璃基板，其特征在于，

包括阳极接合工序，将固接在所述第一玻璃基板的内表面的接合材料与所述第二玻璃基板阳极接合，

所述接合材料通过在所述第一玻璃基板的内表面依次形成ITO膜和Si膜而成。

2.如权利要求1所述的玻璃基板的接合方法，其特征在于，在所述阳极接合工序中，在所述ITO膜连接阳极，并在所述第二玻璃基板的外表面配置阴极的状态下，对所述两电极间施加电压。

3.如权利要求1或2所述的玻璃基板的接合方法，其特征在于，用溅镀法来成膜所述Si膜。

4.一种玻璃接合体，将固接在第一玻璃基板的内表面的接合材料和所述第二玻璃基板阳极接合而成，其特征在于：

所述接合材料通过层叠形成在所述第一玻璃基板的内表面的ITO膜和形成在所述ITO膜上的Si膜而成。

5.一种封装件的制造方法，制造在所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板之间具备能封入电子部件的空腔的封装件，其特征在于，包括：

阳极接合工序，使用权利要求1至权利要求3中任一项所述的玻璃基板的接合方法，阳极接合所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板而形成玻璃接合体；以及

小片化工序，将所述玻璃接合体小片化而形成多个封装件，

在所述阳极接合工序中，在所述第一玻璃基板的端部中在所述ITO膜连接阳极，而在所述第二玻璃基板的外表面配置阴极的状态下，对所述两电极间施加电压。

6.一种封装件，其特征在于：利用权利要求5所述的封装件的制造方法来制造。

7.一种压电振动器，其特征在于：在权利要求6所述的封装件的所述空腔内，气密密封有压电振动片。

8.一种振荡器，其特征在于：使权利要求7所述的压电振动器，作为振子电连接至集成电路。

9.一种电子设备，其特征在于：使权利要求7所述的压电振动器电连接至计时部。

10.一种电波钟，其特征在于：使权利要求7所述的压电振动器电连接至滤波部。

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