CN102201795A - 封装件划线方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟 - Google Patents

封装件划线方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种不影响可靠性且能漂亮地进行划线的封装件划线方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟。在用于对由玻璃形成的盖基板的表面实施划线的封装件划线方法中，包括：在盖基板的表面形成薄膜的薄膜形成工序(S100)；以及划线工序(S120)，对通过薄膜形成工序形成的薄膜照射激光，除去薄膜，从而在盖基板的表面实施划线。

Description

封装件划线方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟
技术领域
本发明涉及封装件划线(marking)方法、封装件(package)、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟。
背景技术
例如，在便携电话或便携信息终端上，往往采用利用水晶等作为时刻源或控制信号等的定时源、参考信号源等的压电振动器。这种压电振动器，在形成有空腔(密闭室)的封装件内真空密封有电子部件的压电振动片。封装件成为这样的构造：在一对玻璃基板中的一个基板形成凹部的状态下互相叠合，并将两者直接接合，从而使凹部作为空腔起作用。
可是，作为对玻璃基板的表面实施划线的方案，可考虑使用喷墨或墨印(ink stamp)等实施划线的方案。但是，在压电振动器这样的小型部件中，标识(mark)的大小有极限，能划线的文字数会较少。因此，公开了通过对玻璃基板的表面照射激光而进行蚀刻，从而在玻璃基板的表面实施划线的方法(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开平10-101379号公报
但是，将上述的现有技术用到压电振动器等、在内部密封有电子部件的封装件时，若使用会透射玻璃基板的激光，则有可能会影响电子部件。
另一方面，通过使用对于玻璃基板而言吸收率为100％的激光，能够阻止对电子部件的影响。但是，通过对玻璃基板的表面进行蚀刻而实施划线的情况下，存在的课题是因产生裂痕等而有可能会降低封装件的可靠性，并且难以漂亮地实施划线。
发明内容
于是，本发明鉴于上述状况构思而成，提供一种不会影响可靠性且能漂亮地进行划线的封装件划线方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟。
为了解决上述课题，本发明的封装件划线方法，用于对具备互相接合且至少在一个表面的至少一部分由玻璃形成的第一基板及第二基板、以及在这些第一基板和第二基板之间形成并且能封入电子部件的空腔的封装件的所述玻璃的表面，实施划线，其特征在于，包括：薄膜形成工序，在所述玻璃的表面形成薄膜；以及划线工序，对经过所述薄膜形成工序而形成的所述薄膜照射激光，除去所述薄膜，从而对所述玻璃的表面实施划线。
通过这样构成，无需对玻璃的表面进行蚀刻，而能够对表面实施划线。因此，能够防止激光对电子部件造成影响，能够提供可靠性高的封装件。
此外，通过除去形成在玻璃的表面的薄膜而实施划线，因此与蚀刻玻璃的表面的情况相比，能够漂亮地实施划线，并且能够防止发生裂痕。
本发明的封装件划线方法，其特征在于，所述激光是被玻璃100％吸收的波长区域的激光。
通过这样构成，能够切实地防止激光会透射玻璃，因此能提供可靠性更高的封装件。
本发明的封装件划线方法，其特征在于，所述激光的波长λ被设定为满足λ≥7.5μm的关系。
通过这样构成，能够防止对玻璃产生裂痕等。
在此，一般作为被玻璃100％吸收的激光的波长区域，有数nm的较短的波长区域和数μm的较长的波长区域。较短的波长区域的激光，由于波长短而能量相应地较大，因此担心会在玻璃产生裂痕等。因此，将波长较长的激光，具体地说，将激光的波长λ设定为满足λ≥7.5μm的关系，从而被玻璃100％吸收，并且能够防止对玻璃产生裂痕等。
本发明的封装件划线方法，其特征在于，所述薄膜的膜厚T被设定为满足作为所述激光采用CO2激光器。
通过这样构成，使用CO2激光器，切实地除去薄膜，从而能够切实地实施漂亮的划线。
在此，若薄膜的膜厚T被设定为厚于
Figure BSA00000467692100032
则担心无法除去薄膜，而不能漂亮地实施划线。因此，通过将薄膜的膜厚T设定为满足
Figure BSA00000467692100033
的关系，能够切实地实施漂亮的划线。
本发明的封装件划线方法，其特征在于，所述激光的输出P被设定为满足4.5W≤P≤6W的关系。
通过这样构成，除去薄膜的同时，能够切实地防止对玻璃产生裂痕。
本发明的封装件划线方法，其特征在于，所述薄膜是以Si为主要成分的膜。
通过这样构成，能够将除去了薄膜的部分的玻璃的表面显眼。即，一般Si吸收激光，并且具有色素，因此能够用颜色清楚地区分除去了薄膜的部分和未除去的部分。因此，除去了薄膜的部分的玻璃的表面显眼，能够清楚地显示划线。
此外，Si的耐腐蚀性高，绝缘性也高，因此能够提高封装件的可靠性。
本发明的封装件划线方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序之前，具备接合工序，将形成在所述第一基板及所述第二基板中一个基板的接合材料与另一基板阳极接合，在所述薄膜形成工序中，以覆盖从所述第一基板和所述第二基板之间向外部露出的所述接合材料的方式形成所述薄膜。
通过这样构成，能够防止接合材料的腐蚀。
本发明的封装件划线方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序中，以在薄膜形成夹具的凹部内配置所述封装件，并在所述凹部内容纳所述封装件的外部电极并且使所述接合材料在外部露出的状态，形成所述薄膜。
通过这样构成，防止外部电极的短路，并且能够用薄膜覆盖接合材料。
本发明的封装件划线方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序中，以在薄膜形成夹具的多个凹部内分别配置所述封装件并且多个所述封装件被分离配置的状态，形成所述薄膜。
通过这样构成，在封装件1的侧面也能形成薄膜，因此能够切实地用薄膜覆盖接合材料。
本发明的封装件，具备互相接合且至少一个的表面的至少一部分由玻璃形成的第一基板及第二基板；以及形成在这些第一基板与第二基板之间并且能封入电子部件的空腔，其特征在于，通过在所述玻璃的表面形成薄膜并对该薄膜照射激光而除去所述薄膜，对所述玻璃的表面实施了划线。
通过这样构成，能够提供不影响可靠性且被漂亮实施划线的封装件。
本发明的压电振动器，其特征在于，在上述发明所述的封装件的所述空腔内，气密密封有压电振动片。
通过这样构成，能防止激光对压电振动片产生影响，从而能够提供可靠性高的压电振动器。
此外，由于具备气密性优异的封装件，所以能够提供振动特性优异的压电振动器。
本发明的振荡器，其特征在于，使本发明所述的所述压电振动器，作为振子电连接到集成电路。
通过这样构成，能够提供振动特性优异且可靠性高的振荡器。
本发明的电子设备，其特征在于，使本发明所述的所述压电振动器电连接到计时部。
通过这样构成，能够提供振动特性优异且可靠性高的电子设备。
本发明的电波钟，其特征在于，使本发明所述的所述压电振动器电连接到滤波部。
通过这样构成，能够提供振动特性优异且可靠性高的电波钟。
(发明效果)
依据本发明，无需蚀刻玻璃的表面，而能够对表面实施划线。因此，能够防止激光对电子部件产生影响，并且能够提供可靠性高的封装件。
此外，通过除去形成在玻璃的表面的薄膜而实施划线，因此与蚀刻玻璃的表面的情况相比，能够漂亮地实施划线，并且能够防止裂痕的发生。
附图说明
图1是本发明的实施方式中的压电振动器的外观立体图。
图2是本发明的实施方式中的压电振动器的内部结构图，并且示出拆下盖基板3的状态。
图3是沿着图2的A-A线的剖视图。
图4是本发明的实施方式中的压电振动器的分解立体图。
图5是表示本发明的实施方式中的压电振动器的制造方法的流程图。
图6是本发明的实施方式中的圆片(wafer)接合体的分解立体图。
图7是本发明的实施方式中的划线工序的说明图。
图8是表示本发明的实施方式中的碱石灰玻璃的透射率的变化的图表，其中(a)示出激光的波长区域为0μm～24μm的情形；(b)示出激光的波长区域为100nm～1,100nm的情形。
图9是本发明的实施方式中的振荡器的概略结构图。
图10是本发明的实施方式中的便携信息设备的概略结构图。
图11是本发明的实施方式中的电波钟的概略结构图。
图12是本发明的第二实施方式中的薄膜形成工序的说明图，其中(a)是平面图；(b)是沿着(a)的B-B线的剖视图。
具体实施方式
(压电振动器)
接着，根据附图，对本发明的实施方式进行说明。
图1是本实施方式中的压电振动器1的外观立体图，图2是压电振动器1的内部结构图，并且示出拆下盖基板3的状态。此外，图3是沿着图2的A-A线的剖视图，图4是压电振动器1的分解立体图。
如图1～图4所示，本实施方式的压电振动器1是表面安装型的压电振动器1，其具备：基底基板(第一基板)2及盖基板(第二基板)3通过接合材料23而被阳极接合的箱状的封装件10；以及被收纳于封装件10的空腔C内的压电振动片(电子部件)5。然后，压电振动片5与设置在基底基板2的背面2a(图3中的下面)的外部电极6、7，利用贯通基底基板2的一对贯通电极8、9来电连接。
基底基板2是由玻璃材料例如碱石灰玻璃构成的透明绝缘基板，形成为板状。在基底基板2形成有一对贯通孔21、22，其中形成有一对贯通电极8、9。贯通孔21、22呈现其直径从基底基板2的背面2a朝着表面2b(图3中的上面)而逐渐缩小的截面为锥的形状。
盖基板3与基底基板2同样由玻璃材料例如碱石灰玻璃构成的透明绝缘基板，形成为能与基底基板2叠合的大小的板状。在盖基板3的背面3b(图3中的下面)侧，形成有能容纳压电振动片5的矩形状的凹部3a。
该凹部3a在叠合基底基板2及盖基板3时，形成容纳压电振动片5的空腔C。然后，盖基板3以使凹部3a与基底基板2一侧对置的状态通过接合材料23阳极接合到基底基板2。即，在盖基板3的背面3b侧，形成有在中央部形成的凹部3a，和形成在凹部3a的周围并且成为与基底基板2接合的接合面的边框区域3c。
压电振动片5是由水晶、钽酸锂或铌酸锂等的压电材料形成的音叉型振动片，在被施加既定电压时振动。
该压电振动片5是包括大致平行配置的一对振动腕部24、25和将一对振动腕部24、25的基端侧固定成一体的基部26的音叉型振动片。在一对振动腕部24、25的表面上，具有使振动腕部24、25振动的由未图示的一对第一激振电极和第二激振电极构成的激振电极；以及将第一激振电极及第二激振电极与后述的迂回电极27、28电连接的一对装配电极(均未图示)。
这样构成的压电振动片5，如图2、图3所示，利用金等的凸点(bump)B，凸点接合至形成在基底基板2的表面2b的迂回电极27、28上。
更具体地说，压电振动片5的第一激振电极经由一个装配电极及凸点B而凸点接合到一个迂回电极27上。此外，第二激振电极经由另一装配电极及凸点B而凸点接合至另一迂回电极28上。由此，压电振动片5以从基底基板2的表面2b浮起的状态被支持，并且成为各装配电极和迂回电极27、28分别电连接的状态。
而且，在基底基板2的表面2b侧(接合盖基板3的接合面侧)，形成有由Al构成的阳极接合用的接合材料23。该接合材料23的膜厚例如被设定为
Figure BSA00000467692100071
左右，并且以与盖基板3的边框区域3c对置的方式沿着基底基板2的外周部分而形成。
然后，通过使接合材料23和盖基板3的边框区域3c阳极接合，空腔C被真空密封。此外，接合材料23的侧面形成为与基底基板2的侧面2c及盖基板3的侧面3e(封装件10的侧面(外侧面)10a)大致共面。
外部电极6、7设置在基底基板2的背面2a(基底基板2中与接合面相反侧的面)中长边方向的两侧。外部电极6、7经由各贯通电极8、9及各迂回电极27、28而与压电振动片5电连接。
更具体地说，一个外部电极6经由一个贯通电极8及一个迂回电极27而与压电振动片5的一个装配电极电连接。此外，另一外部电极7经由另一贯通电极9及另一迂回电极28而与压电振动片5的另一装配电极电连接。
此外与基底基板2的侧面2c相比，外部电极6、7的侧面(外周边)更靠内侧。
贯通电极8、9由经烧结而与贯通孔21、22固定成一体的筒体32及芯材部31形成。贯通电极8、9完全闭塞贯通孔21、22，并且维持空腔C内的气密，同时承担使外部电极6、7和迂回电极27、28导通的作用。
具体而言，一个贯通电极8配置在外部电极6与基部26之间且位于迂回电极27的下方，另一贯通电极9在外部电极7与振动腕部25之间且位于迂回电极28的下方。
筒体32是膏状的玻璃料被烧结而成的部件。筒体32形成为两端平坦且壁厚与基底基板2大致相同的圆筒状。在筒体32的中心，以贯通筒体32的中心孔的方式配置有芯材部31。
此外，在本实施方式中筒体32的外形配合贯通孔21、22的形状而形成为圆锥状(截面为锥状)。该筒体32以埋入贯通孔21、22内的状态被烧结，对这些贯通孔21、22牢固地固接。
上述芯材部31是用金属材料形成为圆柱状的导电性的芯材，与筒体32同样形成为两端平坦且壁厚与基底基板2大致相同。此外，贯通电极8、9穿过导电性的芯材部31而确保电导通性。
在此，如图1、图3所示，在封装件10，以覆盖从盖基板3的表面3d到盖基板3的侧面3e及基底基板2的侧面2c(封装件10的侧面10a)的整个区域的方式形成有薄膜11。即，以覆盖从基底基板2及盖基板3之间向外部露出的接合材料23的方式形成有薄膜11。然后，薄膜11的周边端部(图3中的下端部)形成为与基底基板2的背面2a大致共面。即，在基底基板2的背面2a形成有薄膜11。
通过这样形成薄膜11，提高薄膜11与基底基板2及盖基板3的密合性，能够抑制在薄膜11与基板2、3之间产生间隙或者薄膜11被剥离。
薄膜11由以硅(Si)为主要成分的金属材料形成，薄膜11的膜厚T被设定为
Figure BSA00000467692100091
的关系。
此外，形成在盖基板3的表面3d的薄膜11，被实施了表示制品的种类、制品编码、制造年月日等的划线13。通过对薄膜11照射激光L(参照图7)，并除去薄膜11的一部分，从而实施划线13(在后方做详细说明)。
通过由以激光L的吸收率高的硅(Si)为主要成分的金属材料形成薄膜11，能够对形成在盖基板3的表面3d的薄膜11切实地实施划线13。
根据这样的构成，在使压电振动器1动作时，对于形成在基底基板2的外部电极6、7施加既定的驱动电压。由此，能使电流在压电振动片5的各激振电极中流动，并且能够使一对振动腕部24、25在接近/分间的方向上以既定频率进行振动。再者，利用该一对振动腕部24、25的振动，能够作为时刻源、控制信号的定时源或参考信号源等而加以利用。
(压电振动器的制造方法)
接着，根据图5、图6，对压电振动器1的制造方法进行说明。
图5是表示本实施方式中的压电振动器1的制造方法的流程图，图6是圆片接合体60的分解立体图。
此外，在该压电振动器1的制造方法中，对这样的制造方法进行说明，即，在多个基底基板2连续的基底基板用圆片40与多个盖基板3连续的盖基板用圆片50之间，封入多个压电振动片5而形成圆片接合体60，并通过切断圆片接合体60而同时制造多个压电振动器1的方法。在此，图6所示的虚线M示出在切断工序中切断的切断线。
本实施方式中的压电振动器1的制造方法，主要包括压电振动片制作工序(S10)、盖基板用圆片制作工序(S20)、基底基板用圆片制作工序(S30)、和组装工序(S40以下)。在这些工序之中，压电振动片制作工序(S10)、盖基板用圆片制作工序(S20)、及基底基板用圆片制作工序(S30)能并行地实施。
首先，如图5所示，进行压电振动片制作工序，制作压电振动片5(S10)。此外，在制作压电振动片5之后，先进行谐振频率的粗调。此外，关于更高精度地调整谐振频率的微调，在装配后进行。
(盖基板用圆片作成工序)
接着，如图5、图6所示，进行将后面成为盖基板3的盖基板用圆片50制作到刚要进行阳极接合之前的状态的盖基板用圆片制作工序(S20)。
具体而言，将碱石灰玻璃研磨加工至既定厚度并加以清洗后，利用蚀刻等来除去最表面的加工变质层，从而形成圆板状的盖基板用圆片50(S21)。
接着，进行在盖基板用圆片50的背面50a(图6中的下面)，利用蚀刻等来在行列方向上形成多个空腔C用的凹部3a的凹部形成工序(S22)。
接着，为了确保与后述的基底基板用圆片40之间的气密性，进行至少研磨成为与基底基板用圆片40接合的接合面的盖基板用圆片50的背面50a侧的研磨工序(S23)，对背面50a进行镜面加工。经以上工序，结束盖基板用圆片作成工序(S20)。
(基底基板用圆片作成工序)
接着，在与上述的工序同时或者前后的定时，进行将后面成为基底基板2的基底基板用圆片40制作到刚要进行阳极接合之前的状态的基底基板用圆片制作工序(S30)。
首先，将碱石灰玻璃研磨加工至既定厚度并加以清洗后，利用蚀刻等来除去最表面的加工变质层，从而形成圆板状的基底基板用圆片40(S31)。
接着，利用例如压力加工等，进行在基底基板用圆片形成多个用于配置一对贯通电极8、9的贯通孔21、22的贯通孔形成工序(S32)。
具体而言，利用压力加工等来从基底基板用圆片40的背面40b形成凹部后，至少从基底基板用圆片40的表面40a侧开始研磨，从而使凹部贯通，能够形成贯通孔21、22。
接着，进行在贯通孔形成工序(S32)中形成的贯通孔21、22内形成贯通电极8、9的贯通电极形成工序(S33)。
由此，在贯通孔21、22内，芯材部31以与基底基板用圆片40的两表面40a、40b(图6中的上下面)共面的状态被保持。经以上工序，能够形成贯通电极8、9。
接着，进行在基底基板用圆片40的表面40a对导电材料进行构图而形成接合材料23的接合材料形成工序(S34)，并且进行迂回电极形成工序(S35)。
此外，接合材料23形成在基底基板用圆片40中的空腔C的形成区域以外的区域，即遍及与盖基板用圆片50的背面50a接合的接合区域的整个区域。这样，结束基底基板用圆片制作工序(S30)。
接着，通过金等的凸点B，将在压电振动片作成工序(S10)中作成的压电振动片5分别装配在基底基板用圆片作成工序(S30)中作成的基底基板用圆片40的各迂回电极27、28上(S40)。
然后，进行将在上述的各圆片40、50的作成工序中作成的基底基板用圆片40及盖基板用圆片50叠合的叠合工序(S50)。
具体而言，以未图示的基准标记等为标志，将两圆片40、50对准到正确的位置上。由此，被装配的压电振动片5成为被收纳于由形成在盖基板用圆片50的凹部3a和基底基板用圆片40包围的空腔C内的状态。
在叠合工序后，进行接合工序(S60)，在该工序中将已叠合的两个圆片40、50置于未图示的阳极接合装置，并以用未图示的保持机构夹持圆片的外周部分的状态，在既定的温度气氛下施加既定电压而进行阳极接合。
具体而言，在接合材料23与盖基板用圆片50之间施加既定电压。这样，在接合材料23与盖基板用圆片50的界面产生电化学反应，使两者分别牢固地密合而被阳极接合。由此，能够将压电振动片5密封于空腔C内，并且能够得到基底基板用圆片40和盖基板用圆片50接合的圆片接合体60。
然后，如本实施方式那样使两圆片40、50彼此阳极接合，从而与用粘接剂等来接合两圆片40、50的情况相比，不依赖于随时间的劣化或冲击等，而能够防止圆片接合体60的翘曲等，并且能够更加牢固地接合两圆片40、50。
这时，在本实施方式中在接合材料23上采用电阻值较低的Al，因此能够对接合材料23的整个面均匀地施加电压，并且能够简单地形成两圆片40、50的接合面彼此牢固地阳极接合的圆片接合体60。此外，能以较低的电压进行阳极接合，因此谋求减少能量消耗量，并能减少制造成本。
其后，形成分别与一对贯通电极8、9电连接的一对外部电极6、7(S70)，并且对压电振动器1的频率进行微调(S80)。
在频率的微调结束后，进行将所接合的圆片接合体60切断而小片化的小片化工序(S90)。
在小片化工序(S90)中，用未图示的料盘保持圆片接合体60，对于盖基板用圆片50中的表面50b的表层部分，沿着切断线M而照射激光，在圆片接合体60形成划片槽。然后，对于形成有划片槽的圆片接合体60进行断开(breaking)，对圆片接合体60施加劈裂应力。这样，在圆片接合体60上，沿厚度方向产生裂痕，以沿着形成在盖基板用圆片50上的划片槽折断的方式切断圆片接合体60。然后，按每个划片槽推上未图示的切断刀，从而圆片接合体60被成批地分离为切断线M每一条的封装件10(压电振动器1)。
在结束小片化工序后，进行用薄膜11来镀敷封装件10的薄膜形成工序(S100)。
作为薄膜11的形成方法，能列举例如用溅镀法、真空蒸镀法、CVD法等成膜方法形成的方法。在此，以从封装件10的盖基板3的表面3d起覆盖盖基板3的侧面3e及基底基板2的侧面2c(封装件10的侧面10a)的整个区域的方式形成薄膜11时，在基底基板2的背面2a，例如粘贴UV胶带也可。作为UV胶带，例如有在由聚烯烃构成的片材涂敷有紫外线固化树脂的粘接剂的胶带。
此外，在进行小片化工序的阶段，预先将基底基板用圆片40的背面40b侧(外部电极6、7侧)粘贴到UV胶带的粘接面也可。由此，能以一连串的作业进行小片化工序和薄膜形成工序。
即，在经过小片化工序之后，进行将UV胶带拉伸的延伸(expand)工序，从而在UV胶带上，多个封装件10成为隔开既定间隔地配置的状态。在该状态下进行薄膜形成工序，从而能够以从封装件10的盖基板3的表面3d起覆盖盖基板3的侧面3e及基底基板2的侧面2c(封装件10的侧面10a)的整个区域的方式形成薄膜11。
通过这样以一连串作业来进行小片化工序和薄膜形成工序，能比在封装件10个别地形成薄膜11时谋求提高制造效率。
此外，以在基底基板2的背面2a侧粘贴UV胶带的状态进行薄膜形成工序，从而能够抑制成膜材料向基底基板2的背面2a一侧的迂回。因此，能够抑制成膜材料向外部电极6、7的附着，因此能够抑制各外部电极6、7之间因薄膜11而被架设的情况。
再者，若由Al等构成的接合材料23露出于外部，则会从露出部分开始腐蚀，从而无法保持封装件10的气密性。与之相对，在封装件10的侧面形成由耐腐蚀性优异的Si等构成的薄膜11，用薄膜11覆盖从基底基板2与盖基板3之间向外部露出的接合材料23，从而能够防止接合材料23的腐蚀。
此外，在基底基板2的背面2a侧粘贴UV胶带的情况下，薄膜形成工序结束后，需要进行用于取出形成有薄膜11的压电振动器1的拾取工序。
更具体地说，在拾取工序中，首先对UV胶带进行UV照射，使UV胶带的粘接力下降。由此，压电振动器1能从UV胶带剥离。其后，通过图像识别等来掌握各压电振动器1的位置，利用吸嘴等来吸引，从而取出从UV胶带被剥离的压电振动器1。
接着，进行小片化后的压电振动器1的内部的电特性检查(S110)。
即，测定压电振动片5的谐振频率、谐振电阻值、驱动电平特性(谐振频率及谐振电阻值的激振电力相关性)等并加以核对。此外，一并核对绝缘电阻特性等。然后，进行压电振动器1的外观检查，对尺寸或质量等进行最终核对。
(划线工序)
接着，根据图5、图7，对划线工序进行说明。
图7是划线工序的说明图。
如图5、图7所示，对完成电特性检查及外观检查，并检查合格的压电振动器1，最后进行实施划线13的划线工序(S120)。
划线13是这样进行的：对盖基板3的表面3d从竖直方向照射激光L，除去盖基板3的表面3d上的薄膜11。
在此，作为激光L，采用100％被由碱石灰玻璃形成的盖基板3吸收的波长区域的激光，更优选的是，采用100％被盖基板3吸收的波长区域中波长较长的激光。
更具体地说，基于图8进行说明。
图8是纵轴为碱石灰玻璃的透射率(Transmittance)、横轴为激光的波长(Wavelength)时表示碱石灰玻璃的透射率的变化的图表，其中(a)示出激光的波长区域为0μm～24μm的情形，(b)示出激光的波长区域为100nm～1,100nm的情形。
如图8(a)、图8(b)所示，在激光对于碱石灰玻璃而言被100％吸收的区域，即，能够确认透射率为0％的区域是激光的波长λ被设定为比大约240nm短的情况，或者被设定为比大约7.2μm长的情况。
在此，随着波长变短，激光的能量增加，因此，若使用波长较短的区域的激光(参照图8(b))，则在划线工序时不但除去薄膜11，还有可能在盖基板3的表面3d产生裂痕。
因此，短波长的激光例如300nm左右的波长的激光，或者用于在圆片接合体60形成划片槽的小片化工序，或者用于以往那样对玻璃自身实施蚀刻时。
与之相对，作为激光L，采用波长较长的激光(参照图8(a))，即，波长λ满足
λ≥7.5μm    ......(2)
的关系的激光，从而能够防止对盖基板3的表面3d产生裂痕。
更具体地说，作为激光L，最好使用CO2激光器。该CO2激光器的波长λ为10.6μm，因此满足式(2)。
而且，作为激光L，在使用CO2激光器的情况下，也因提高激光L的输出而有可能在盖基板3的表面3d产生裂痕。因此，在薄膜11的膜厚T被设定为满足式(1)那样，即，满足
Figure BSA00000467692100151
的关系的情况下，设激光L的输出为P时，最好设定输出P，以满足
4.5W≤P≤6.0W    ......(3)
的关系。
如此，由于激光L的输出P满足式(3)，激光L只除去薄膜11，不会产生裂痕，而能100％被盖基板3吸收(参照图7)。
此外，在如以往那样对玻璃自身实施蚀刻时，激光的能量密度有时被设定为例如0.7J/cm2～20J/cm2。
此外，被激光L除去了薄膜11的部位，会使盖基板3的表面3d露出。在此，薄膜11由以硅(Si)为主要成分的金属材料形成，其膜厚T被设定为满足式(1)，因此具有近似紫色、粉红、或灰色这样的色彩。因此，盖基板3的表面3d露出的部位和薄膜11的色彩的不同被明显体现出来。
此外，在薄膜11没有被完全除去，而从该除去的部分露出盖基板3的表面3d的情况下，除去后的部分与没有被除去的部分的色彩的不会被明显体现，会难以分辨划线。
因而，依据上述实施方式，以从盖基板3的表面3d覆盖盖基板3的侧面3e及基底基板2的侧面2c(封装件10的侧面10a)的整个区域的方式形成薄膜11，用激光L来除去该薄膜11，从而能够对盖基板3的表面3d实施划线，因此如以往那样，无需蚀刻盖基板3的表面3d。因此，能够防止激光L对压电振动片5的影响，能够提供可靠性高的封装件10(压电振动器1)。
此外，如以往那样，与蚀刻盖基板3的表面3d的情况相比，能够漂亮地实施划线。而且，能够切实地防止在盖基板3产生裂痕。
然后，作为用于划线工序的激光L，使用CO2激光器，从而能够切实地防止激光透射盖基板3。因此，能够提供可靠性更高的封装件10(压电振动器1)。
此外，将薄膜11的膜厚T设定为满足式(1)，另一方面，将激光L的输出P设定为满足式(3)，从而切实地除去薄膜11并从该除去的部分露出盖基板3的表面3d，使盖基板3能够100％吸收激光L。
而且，在用以硅(Si)为主要成分的金属材料来形成薄膜11，从而能对盖基板3的表面3d进一步漂亮地实施划线。进而，由于硅(Si)具有耐腐蚀性高且绝缘性也高，所以能够提高封装件10(压电振动器1)的可靠性。
此外，在上述实施方式中，对薄膜11由以硅(Si)为主要成分的金属材料形成的情况进行了说明。但是，并不限于此，取代硅(Si)而能够使用铬(Cr)或钛(Ti)等、耐腐蚀性比接合材料23高的(离子化倾向小)金属材料。
这时，需要将激光L的波长λ或输出P，与式(2)、式(3)不同地设定。即、激光L的波长λ或输出P，并不局限于满足式(2)、式(3)，在盖基板3的表面3d形成薄膜11后，对该薄膜11照射激光L时，除去薄膜11，并且能够防止裂痕对盖基板3产生，且使盖基板3能以100％吸收激光L的激光即可。
此外，取代硅(Si)而由铬(Cr)或钛(Ti)等来形成薄膜11的情况下，由于压电振动器1的外部电极6、7的侧面位于比基底基板2的侧面2c更靠近内侧的位置(参照图3)，所以外部电极6、7间也不会因薄膜11被架设，能够防止外部电极6、7的短路。
而且，在上述实施方式中，对以从盖基板3的表面3d覆盖盖基板3的侧面3e及基底基板2的侧面2c(封装件10的侧面10a)的整个区域的方式形成薄膜11的情形进行了说明。但是，并不限于此，至少在盖基板3的表面3d形成薄膜11即可。
这时，在结束小片化工序之后无需进行薄膜形成工序，例如在盖基板用圆片制作工序中，将盖基板用圆片50的表面研磨(研磨工序)之后，以盖基板用圆片50的状态在该表面形成薄膜11也可。如此，以盖基板用圆片50的状态形成薄膜11，从而也能将该薄膜11作为对接合工序时的电荷进行中和的膜加以利用。
即，在将盖基板用圆片50和基底基板用圆片40阳极接合的接合工序中，在盖基板用圆片50的表面侧产生负电荷层。但是，在盖基板用圆片50的表面形成以Si为主要成分的薄膜11，因此由该薄膜11来使负电荷层得到中和。由此，在盖基板用圆片50内不会出现极化，而且能够可靠地进行阳极接合。
此外，在上述实施方式中，对基底基板2及盖基板3分别由玻璃材料例如碱石灰玻璃形成的情况进行了说明。但是，并不限于此，至少实施划线13的部位用玻璃材料形成即可。即，在本实施方式中，至少在盖基板3的表面3d中，实施划线13的部位用玻璃材料形成即可。
而且，在上述实施方式中，对在盖基板3的表面3d实施划线13的情况进行了说明。但是，并不限于此，在基底基板2的背面2a实施划线13也可。在该情况下，在基底基板2的背面2a设有外部电极7、8，因此需要以避开这些外部电极7、8的方式形成薄膜11。
(第二实施方式)
接着，对本发明的第二实施方式进行说明。第一实施方式的薄膜形成工序(S100，参照图5)中，以在UV胶带上粘贴封装件的状态进行了该工序，但在第二实施方式的薄膜形成工序中，将封装件配置在薄膜形成夹具的凹部内后进行该工序，在这一点上有所不同。对于与第一实施方式相同的构成的部分，省略其详细的说明。
在第二实施方式中，与第一实施方式同样地进行至小片化工序(S90)。即，以在圆片接合体60粘贴UV胶带的状态，将圆片接合体60小片化为多个封装件10(压电振动器1)。接着在第二实施方式中，对UV胶带照射UV而使UV胶带的粘接力下降。然后，拾取已小片化的封装件10，并承载于下述的薄膜形成夹具。
图12是本发明的第二实施方式中的薄膜形成工序的说明图，图12(a)是平面图，图12(b)是沿着图12(a)的B-B线的剖视图。此外在图12(b)中省略了封装件10的内包物的记载。在第二实施方式中，将封装件10承载于薄膜形成夹具70后进行薄膜形成工序。
如图12(b)所示，薄膜形成夹具70通过层叠由Al等构成的支撑板71和由不锈钢等构成的盖板72来形成。在盖板72形成有贯通孔73，贯通孔73的底部开口被支撑板71闭塞，在薄膜形成夹具70形成有凹部74。
如图12(a)所示，凹部74的平面形状成为与封装件10同样的矩形状。在薄膜形成夹具70形成有多个凹部74，各凹部74以相互分离的状态被矩阵状排列配置。通过在各凹部74内配置封装件10，相互分离地配置多个封装件10。
如图12(b)所示，以使封装件10的外部电极6、7抵接到凹部74的底面的方式在凹部74内配置封装件10。凹部74的深度(盖板72的厚度)，比封装件10的外部电极6、7的厚度还深，因此外部电极6、7被容纳于凹部74内。此外凹部74的深度，比从封装件10的底面到接合材料23为止的高度还浅，因此接合材料23露出于外部。
在薄膜形成工序中，以在薄膜形成夹具70的凹部74内配置封装件10的状态形成薄膜11。薄膜11与第一实施方式同样地，由Si等的材料通过溅镀等来形成。如上所述，外部电极6、7被容纳于凹部74内，因此薄膜11不会形成在外部电极6、7上。因而，能够防止外部电极6、7的短路。此外，多个封装件10被相互分离配置，因此能够在封装件10的侧面形成薄膜11。然后，接合材料23不会被容纳于凹部74内，而从封装件10的侧面露出到外部。因而，能以覆盖接合材料23的方式形成薄膜11。
接着薄膜形成工序(S100)而进行电特性检查(S110)，进而进行划线工序(S120)。划线工序是在薄膜形成夹具70配置封装件10的状态下进行的。如此，无需移动封装件10而连续进行从薄膜形成工序到划线工序，从而能够减少制造成本。其后，从薄膜形成夹具拾取封装件10。
经以上工序，完成从封装件10的下半部有外部电极6、7露出，并且上半部被薄膜11覆盖而被实施了划线的压电振动器1。
如以上详细说明的那样，在第二实施方式中，将封装件10的外部电极6、7容纳于薄膜形成夹具的凹部内而形成薄膜，因此能够防止外部电极6、7的短路。此外，以使接合材料23露出于外部的状态形成薄膜，因此能够用薄膜来覆盖接合材料23。而且，在多个封装件10被分离配置的状态下形成薄膜，因此能够在封装件10的侧面形成薄膜，并且能够用薄膜可靠地覆盖接合材料23。由此，能够防止接合材料23的腐蚀，因此能够保持封装件10的气密性。
(振荡器)
接着，根据图9，对本发明的振荡器的一个实施方式进行说明。
图9是振荡器100的概略结构图。
如该图所示，振荡器100中将压电振动器1构成为电连接至集成电路101的振子。振荡器100具备安装了电容器等的电子部件102的基板103。在基板103安装有振荡器用的集成电路101，在该集成电路101的附近安装有压电振动器1。
这些电子部件102、集成电路101及压电振动器1通过未图示的布线图案分别电连接。此外，各构成部件通过未图示的树脂来模制(mould)。
在这样构成的振荡器100中，对压电振动器1施加电压时，压电振动器1内的压电振动片5振动。通过压电振动片5所具有的压电特性，将该振动转换为电信号，以电信号方式输入至集成电路101。通过集成电路101对输入的电信号进行各种处理，以频率信号的方式输出。从而，压电振动器1作为振子起作用。
此外，根据需求有选择地设定集成电路101的结构，例如RTC(实时时钟)模块等，除了钟表用单功能振荡器等之外，还能够附加控制该设备或外部设备的工作日期或时刻或者提供时刻或日历等的功能。
因而，依据本实施方式的振荡器100，由于具备确保了空腔C内的气密的压电振动器1，能够提供特性及可靠性优异的高质量的振荡器100。而且，除此之外，能够得到长期稳定的高精度的频率信号。
(电子设备)
接着，根据图10，就本发明的电子设备的一个实施方式进行说明。此外作为电子设备，举例说明了具有上述压电振动器1的便携信息设备110。
图10是便携信息设备110的概略结构图。
在此，便携信息设备110是例如以便携电话为代表，发展并改良现有技术中的手表的设备。外观类似于手表，在相当于文字盘的部分配有液晶显示器，能够在该画面上显示当前的时刻等。此外，在作为通信机而利用的情况下，从手腕取下，通过内置于表带的内侧部分的扬声器和麦克风而能够进行与现有技术的便携电话相同的通信。然而，与现有的便携电话相比较，明显小型化且轻型化。
如图10所示，便携信息设备110具备压电振动器1和供电用的电源部111。电源部111例如由锂二次电池构成。进行各种控制的控制部112、进行时刻等的计数的计时部113、与外部进行通信的通信部114、显示各种信息的显示部115、和检测各功能部的电压的电压检测部116与该电源部111并联连接。而且，通过电源部111来对各功能部供电。
控制部112控制各功能部，进行声音数据的发送及接收、当前时刻的测量或显示等的整个***的动作控制。此外，控制部112具备预先写入程序的ROM、读取写入到ROM的程序并执行的CPU、和作为CPU的工作区使用的RAM等。
计时部113具备内置了振荡电路、寄存器电路、计数器电路及接口电路等的集成电路和压电振动器1。对压电振动器1施加电压时压电振动片5振动，通过水晶所具有的压电特性，该振动转换为电信号，以电信号的方式输入到振荡电路。
振荡电路的输出被二值化，通过寄存器电路和计数器电路来计数。然后，通过接口电路，与控制部112进行信号的发送与接收，在显示部115显示当前时刻或当前日期或者日历信息等。
通信部114具有与现有的便携电话相同的功能，具备无线电部117、声音处理部118、切换部119、放大部120、声音输入/输出部121、电话号码输入部122、来电音发生部123及呼叫控制存储器部124。
通过天线125，无线电部117与基站进行收发声音数据等各种数据的交换。声音处理部118对从无线电部117或放大部120输入的声音信号进行编码及解码。放大部120将从声音处理部118或声音输入/输出部121输入的信号放大到既定电平。声音输入/输出部121由扬声器或麦克风等构成，扩大来电音或受话声音，或者将声音集音。
此外，来电音发生部123响应来自基站的呼叫而生成来电音。切换部119仅在来电时，通过将连接在声音处理部118的放大部120切换到来电音发生部123，在来电音发生部123中生成的来电音经由放大部120输出至声音输入/输出部121。
此外，呼叫控制存储器部124存放与通信的呼叫及来电控制相关的程序。此外，电话号码输入部122具备例如0至9的号码键及其它键，通过按压这些号码键等，输入通话目的地的电话号码等。
电压检测部116在通过电源部111对控制部112等的各功能部施加的电压小于既定值时，检测其电压降后通知控制部112。这时的既定电压值是作为使通信部114稳定动作所需的最低限的电压而预先设定的值，例如，3V左右。
从电压检测部116收到电压降的通知的控制部112禁止无线电部117、声音处理部118、切换部119及来电音发生部123的动作。特别是，停止耗电较大的无线电部117的动作是必需的。而且，显示部115显示通信部114由于电池余量的不足而不能使用的提示。
即，能够由电压检测部116和控制部112禁止通信部114的动作并在显示部115显示该提示。该显示可以是文字消息，但作为更直观的显示，也可以在显示于显示部115的显示面的上部的电话图标打“×(叉)”标记。
此外，通过具备能够有选择地截断与通信部114的功能相关的部分的电源的电源截断部126，能够更加可靠地停止通信部114的功能。
因而，依据本实施方式的便携信息设备110，由于具备确保了空腔C内的气密的压电振动器1，能够提供特性或可靠性优异的高质量的便携信息设备110。而且，除此之外，能够显示长期稳定的高精度的时钟信息。
(电波钟)
接着，根据图11，就本发明的电波钟的一个实施方式进行说明。
图11是电波钟130的概略结构图。
在此，电波钟130具备电连接到滤波部131的压电振动器1，是接收包含时钟信息的标准电波，并具有自动修正为正确的时刻并加以显示的功能的钟表。
在日本国内，在福岛县(40kHz)和佐贺县(60kHz)有发送标准电波的发送站(发送局)，分别发送标准电波。40kHz或60kHz这样的长波兼有沿地表传播的性质和在电离层和地表一边反射一边传播的性质，因此其传播范围宽，且由上述的两个发送站覆盖整个日本国内。
如图11所示，电波钟130的天线132接收40kHz或60kHz长波的标准电波。长波的标准电波将被称为定时码的时刻信息AM调制为40kHz或60kHz的载波。所接收的长波的标准电波由放大器133放大，由具有多个压电振动器1的滤波部131滤波并调谐。
本实施方式中的压电振动器1分别具备与上述载波频率相同的40kHz及60kHz的谐振频率的水晶振动器部138、139。
而且，滤波后的既定频率的信号通过检波、整流电路134来检波并解调。
接着，经由波形整形电路135而抽出定时码，由CPU136计数。在CPU136中，读取当前的年、累积日、星期、时刻等的信息。被读取的信息反映于RTC137，显示出正确的时刻信息。
由于载波为40kHz或60kHz，所以水晶振动器部138、139优选具有上述的音叉型结构的振动器。
此外，虽然上述的说明由日本国内的示例表示，但长波的标准电波的频率在海外是不同的。例如，在德国使用77.5KHz的标准电波。所以，在将海外也能够对应的电波钟130装入便携设备的情况下，还需要与日本的情况不同的频率的压电振动器1。
因而，依据本实施方式的电波钟130，由于具备确保了空腔C内的气密的压电振动器1，能够提供特性戒可靠性优异的高质量的电波钟130。而且，除此之外，能够长期稳定且高精度地对时刻进行计数。
此外，本发明的技术范围并不限于上述实施方式，在不超出本发明的宗旨的范围内，还包括对上述实施方式进行各种变更的方案。即，在实施方式中列举的具体的材料或层结构等只是一个例子，能够适宜变更。
例如，在上述实施方式中，在基底基板用圆片40的表面40a形成了接合材料23，但与之相反地，在盖基板用圆片50的背面50a形成接合材料23也可。
这时，也可以是通过在成膜后进行构图，仅在盖基板用圆片50的背面50a的与基底基板用圆片40的接合面形成的结构，但是，通过包括凹部3a的内表面在内的整个背面50a形成接合材料23，将不需要接合材料23的构图，从而能减少制造成本。
此外，在上述实施方式中，在接合工序(S60)中，也可以采用在基底基板用圆片40的背面40b配置成为阳极的接合辅助材料，并且在盖基板用圆片50的表面50b配置阴极的方式(所谓的对置电极方式)，且也可以采用将接合材料23连接至阳极，并且在盖基板用圆片50的表面50b配置阴极，对接合材料23直接施加电压的方式(所谓的直接电极方式)。
通过采用对置电极方式，在阳极接合时对接合辅助材料与阴极之间施加电压，在接合辅助材料与基底基板用圆片40的背面40b之间产生阳极接合反应，与该反应连动地接合材料23与盖基板用圆片50的背面50a之间被阳极接合。由此，能够对接合材料23的整个面更加均匀地施加电压，从而能够将接合材料23与盖基板用圆片50的背面50a之间切实地阳极接合。
与之相对，通过采用直接电极方式，将不需要对置电极方式所必需的接合工序后的接合辅助材料的除去作业，因此能够减少制造工时，并且能够提高制造效率。
然后，在上述实施方式中，使用本发明的封装件的制造方法的同时，在封装件的内部封入压电振动片而制造了压电振动器。但是，并不限于此，在封装件的内部封入压电振动片以外的电子部件，也能制造压电振动器以外的器件。
附图标记说明
1...压电振动器；2...基底基板(第一基板)；3...盖基板(第二基板)；3d、50b...表面；5...压电振动片(电子部件)；6、7...外部电极；10...封装件；11...薄膜；13...划线；23...接合材料；40...基底基板用圆片；50...盖基板用圆片；60...圆片接合体；70...薄膜形成夹具；74...凹部；100...振荡器；101...振荡器的集成电路；110...便携信息设备(电子设备)；113...电子设备的计时部；130...电波钟；131...电波钟的滤波部；C...空腔；L...激光。

Claims (14)

1.一种封装件划线方法，用于对具备互相接合且至少在一个表面的至少一部分由玻璃形成的第一基板及第二基板、以及在这些第一基板和第二基板之间形成并且能封入电子部件的空腔的封装件的所述玻璃的表面，实施划线，其特征在于，包括：
薄膜形成工序，在所述玻璃的表面形成薄膜；以及
划线工序，对经过所述薄膜形成工序而形成的所述薄膜照射激光，除去所述薄膜，从而对所述玻璃的表面实施划线。
2.如权利要求1所述的封装件划线方法，其特征在于，所述激光是被玻璃100％吸收的波长区域的激光。
3.如权利要求2所述的封装件划线方法，其特征在于，所述激光的波长λ被设定为满足λ≥7.5μm的关系。
4.如权利要求1至3中任一项所述的封装件划线方法，其特征在于，
所述薄膜的膜厚T被设定为满足
Figure FSA00000467692000011
作为所述激光采用CO2激光器。
5.如权利要求4所述的封装件划线方法，其特征在于，所述激光的输出P被设定为满足4.5W≤P≤6W的关系。
6.如权利要求1至5中任一项所述的封装件划线方法，其特征在于，所述薄膜是以Si为主要成分的膜。
7.如权利要求1至6中任一项所述的封装件划线方法，其特征在于，
在所述薄膜形成工序之前，具备接合工序，将形成在所述第一基板及所述第二基板中一个基板的接合材料与另一基板阳极接合，
在所述薄膜形成工序中，以覆盖从所述第一基板和所述第二基板之间向外部露出的所述接合材料的方式形成所述薄膜。
8.如权利要求7所述的封装件划线方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序中，以在薄膜形成夹具的凹部内配置所述封装件，并在所述凹部内容纳所述封装件的外部电极并且使所述接合材料在外部露出的状态，形成所述薄膜。
9.如权利要求8所述的封装件划线方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序中，以在薄膜形成夹具的多个凹部内分别配置所述封装件并且多个所述封装件被分离配置的状态，形成所述薄膜。
10.一种封装件，具备互相接合且至少一个的表面的至少一部分由玻璃形成的第一基板及第二基板；以及形成在这些第一基板与第二基板之间并且能封入电子部件的空腔，其特征在于，
通过在所述玻璃的表面形成薄膜并对该薄膜照射激光而除去所述薄膜，对所述玻璃的表面实施了划线。
11.一种压电振动器，其特征在于，在权利要求10所述的封装件的所述空腔内，气密密封有压电振动片。
12.一种振荡器，其特征在于，使权利要求11所述的所述压电振动器，作为振子电连接至集成电路。
13.一种电子设备，其特征在于，使权利要求11所述的所述压电振动器电连接至计时部。
14.一种电波钟，其特征在于，使权利要求11所述的所述压电振动器电连接至滤波部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114785308A (zh) * 2022-04-10 2022-07-22 合肥同晶电子有限公司 一种石英晶体封装结构

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8844123B2 (en) * 2009-12-03 2014-09-30 Chin-Chi Yang Method of manufacturing a hollow surface mount type electronic component
JP6150249B2 (ja) * 2013-02-25 2017-06-21 京セラ株式会社 電子デバイスのガラス封止方法
WO2016132767A1 (ja) * 2015-02-18 2016-08-25 株式会社村田製作所 圧電振動デバイス及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003304137A (ja) * 2002-02-06 2003-10-24 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP2005130342A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法
JP2009017454A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法
CN101399527A (zh) * 2007-09-27 2009-04-01 日本电波工业株式会社 压电装置及压电装置的制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3777093A (en) * 1972-05-25 1973-12-04 R Sterns Electromechanical relay
JPS5366393A (en) * 1976-11-26 1978-06-13 Sharp Corp Manufacture of crystal oscillator
US6075223A (en) * 1997-09-08 2000-06-13 Thermark, Llc High contrast surface marking
JP3406817B2 (ja) * 1997-11-28 2003-05-19 株式会社東芝 金属層へのマーク付け方法および半導体装置
JP2003197794A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Daishinku Corp 電子部品用パッケージ
KR100662724B1 (ko) * 2004-01-27 2006-12-28 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 마이크로 릴레이
WO2006118192A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Kyocera Corporation 圧電部品及びその製造方法
JP4777744B2 (ja) * 2005-11-01 2011-09-21 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子用ウェハ体及び圧電振動子の製造方法
JP5185666B2 (ja) * 2008-03-18 2013-04-17 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP5362293B2 (ja) * 2008-08-28 2013-12-11 日本電波工業株式会社 圧電素子内蔵部品の製造方法
JP2010052086A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5188329B2 (ja) * 2008-08-29 2013-04-24 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003304137A (ja) * 2002-02-06 2003-10-24 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP2005130342A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法
JP2009017454A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法
CN101399527A (zh) * 2007-09-27 2009-04-01 日本电波工业株式会社 压电装置及压电装置的制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114785308A (zh) * 2022-04-10 2022-07-22 合肥同晶电子有限公司 一种石英晶体封装结构
CN114785308B (zh) * 2022-04-10 2022-12-20 合肥同晶电子有限公司 一种石英晶体封装结构

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