CN102201509B - 发光器件、发光器件封装以及照明*** - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000009351 contact transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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Abstract
本发明公开了发光器件、发光器件封装以及照明***。发光器件包括：衬底；发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，其形成在衬底上使得向上暴露第一导电半导体层的一部分；在第二导电半导体层上的肖特基接触区域；在第二导电半导体层上的第二电极；以及在暴露的第一导电半导体层上的第一电极，其中当肖特基接触区域靠近台面边缘区域时，肖特基接触区域之间的距离变窄。
Description
技术领域
本发明涉及发光器件、发光器件封装以及照明***。
背景技术
发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。通过组合周期表的III-V族元素能够形成p-n结二极管。通过调节化合物半导体的组成比率，LED能够表现各种颜色。
同时，根据现有技术，可能出现电流集边(current crowding)，使得LED的寿命和可靠性可能被降低。
另外，根据现有技术，在静电放电(ESD)时电流在反向方向上流动，使得可能损坏用作发光区域的有源层。为了解决上述问题，齐纳二极管被安装在封装中，但是齐纳二极管会吸收光。
发明内容
实施例提供发光器件和发光器件封装以及照明***，其能够提高光提取效率和电流扩展效率。
实施例提供发光器件、发光器件封装以及照明***，其能够防止由静电放电(ESD)引起的损坏而没有光量的损耗。
根据实施例的发光器件可以包括：衬底；发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，其形成在衬底上使得向上暴露第一导电半导体层的一部分；在第二导电半导体层上的肖特基接触区域；在第二导电半导体层上的第二电极；以及在暴露的第一导电半导体层上的第一电极，其中随着肖特基接触区域靠近台面边缘区域，肖特基接触区域之间的距离变窄。
根据实施例的发光器件封装可以包括：封装主体；发光器件，该发光器件被安装在封装主体中；以及电极，该电极将封装主体电气地连接到发光器件。
根据实施例的照明***可以包括发光模块，该发光模块包括发光器件封装。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图。
图2至图4是示出根据第一实施例的用于制造发光器件的方法的截面图；
图5是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；
图6是示出在根据实施例的发光器件的静电放电时形成电场的概念的示意图；
图7是示出根据实施例的发光器件的电路结构的示意图；
图8是示出在根据实施例的发光器件的静电放电时的波形的示意图；
图9是示出根据实施例的发光器件封装的截面图；
图10是示出根据实施例的照明单元的透视图；以及
图11是示出根据实施例的背光单元的分解透视图。
具体实施方式
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、发光器件封装以及照明***。
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或衬底“上”时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或者多个中间层。
<实施例>
图1是示出根据实施例的发光器件的横截面图。
根据实施例的发光器件100包括衬底105；发光结构110，该发光结构110具有第一导电半导体层112、有源层114以及第二导电半导体层116，其以第一导电半导体层112能够被部分地向上暴露的方式形成在衬底105上，肖特基接触区域120，该肖特基接触区域120形成在第二导电半导体层116上；第二电极146，该第二电极146形成在第二导电半导体层116上；以及第一电极142，该第一电极142形成在暴露的第一导电半导体层112上。
根据实施例，当肖特基接触区域120靠近台面边缘区域时，肖特基接触区域120之间的距离能够变窄。
根据实施例，台面的形式的肖特基接触能够形成在第二导电半导体层116上以通过提高LED的电流扩展来增加光量。
根据实施例，当肖特基接触靠近台面边缘区域(参见，W4)时，肖特基接触之间的间隔变窄。换言之，当肖特基接触远离台面边缘区域(参见，W1)时，肖特基接触之间的间隔变宽。
根据实施例，通过调整肖特基接触之间的间隔在透明电极中会出现电阻变化。因此，能够提高电流扩展从而能够增加光量。
根据实施例的发光器件，能够有效地调整电流流动，从而能够提高光提取效率。
另外，根据实施例，能够提高电流扩展效率，从而能够提高发光器件的可靠性。
在下文中，将会参考图2至图4描述用于制造根据实施例的发光器件的方法。根据实施例，发光器件可以包括诸如GaN、GaAs、GaAsP、或者GaP的III-V族元素，但是实施例不限于此。另外，实施例不限于下面描述的工艺序列，而是在实施例中能够采用各种工艺序列。
首先，制备如图2中所示的衬底105。衬底105可以包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，衬底105可以包括Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、以及Ga203中的至少一个。凹凸结构能够形成在衬底105上，但是实施例不限于此。
衬底105能够进行湿法清洁工艺以从衬底105的表面移除杂质。
然后，包括第一导电半导体层112、有源层114以及第二导电半导体层116的发光结构110形成在衬底105上。
例如，通过MOCVD(金属有机化学气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、MBE(分子束外延)或者HVPE(氢化物气相外延)能够形成发光结构110，但是实施例不限于此。
缓冲层(未示出)能够形成在衬底105上。缓冲层可以减少发光结构110和衬底105之间的晶格错配。缓冲层可以包括III-V族化合物半导体。例如，缓冲层可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及AlInN中的至少一个。未掺杂的半导体层能够形成在缓冲层上，但是实施例不限于此。
第一导电半导体层112可以包括掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体。如果第一导电半导体层112是N型半导体层，那么第一导电掺杂物是N型掺杂物，诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te，但是实施例不限于此。
第一导电半导体层112可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。
另外，第一导电半导体层112可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP以及InP中的至少一个。
第一导电半导体层112可以包括通过CVD、MBE、溅射或者HVPE形成的N型GaN层。另外，通过将包括诸如硅的n型杂质的硅烷(SiH4)气体、三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)以及氮气(N2)注入室能够形成第一导电半导体层112。
有源层114通过经由第一导电半导体层112注入的电子和经由第二导电半导体层116注入的空穴的复合发射具有基于有源层(发光层)114的本征能带确定的能量的光。
有源层114可以包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结构中的至少一个。例如，通过注入TMGa气体、NH3气体、N2气体以及三甲基铟(TMIn)气体能够形成具有MQW结构的有源层114，但是实施例不限于此。
有源层114可以具有包括InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(InGaAs)以及GaP/AlGaP(InGaP)中的至少一个的阱/阻挡层，但是实施例不限于此。阱层可以包括具有低于阻挡层的带隙能的带隙能的材料。
导电包覆层(未示出)能够形成在有源层114的上面和/或下面。导电包覆层可以包括具有高于有源层114的带隙能的带隙能的AlGaN基半导体。
第二导电半导体层116包括掺杂有第二导电掺杂物的III-V族化合物半导体。例如，第二导电半导体层116可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。详细地，第二导电半导体层116可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP组成的组中选择的一个。如果第二导电半导体层116是P型半导体层，那么第二导电掺杂物包括诸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的P型掺杂物。第二导电半导体层116能够被制备为单层或者多层，但是实施例不限于此。
第二导电半导体层116可以包括能够通过将包括p型杂质(例如，Mg)的(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}气体、TMGa气体、NH3气体以及N2气体注入室形成的p型GaN层，但是实施例不限于此。
根据实施例，第一导电半导体层112可以包括N型半导体层，并且第二导电半导体层116可以包括P型半导体层，但是实施例不限于此。另外，诸如具有与第二导电半导体层116的极性相反的极性的N型半导体层(未示出)的半导体层能够形成在第二导电半导体层116上。因此，发光结构110可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的一个。
然后，台面蚀刻发光结构110使得能够向上暴露第一导电半导体层112的一部分。例如，以第二导电半导体层116和有源层114能够被蚀刻的方式通过使用预定的蚀刻图案(未示出)作为蚀刻掩模对用于第一电极142的区域执行蚀刻工艺，从而暴露第一导电半导体层112的顶表面的一部分。
然后，如图3A中所示，肖特基接触区域120形成在发光结构110上。
根据实施例，为了形成肖特基接触区域120，可以采用各种方法，诸如等离子体处理、与第二导电半导体层116形成肖特基接触的诸如Ti、TiW或者TiN的金属的沉积、或者使用离子碰撞的非晶转变，但是实施例不限于此。
参考图3A，肖特基接触区域120形成在第二导电半导体层116的顶表面内。通过等离子体处理或者非晶转变能够实现肖特基接触区域120的这样的构造。
另外，如图3B中所示，如果形成与第二导电半导体层116形成肖特基接触的绝缘层或者金属层，那么第二肖特基接触区域120b能够形成在第二导电半导体层116的顶表面上。如果以绝缘层的形式制备第二肖特基接触区域120b，那么绝缘层可以包括介电物质，诸如氧化物层或者氮化物层，或者非导电层，但是实施例不限于此。
根据实施例，台面形式的肖特基接触能够形成在第二导电半导体层116上以通过提高LED的电流扩展来增加光量。
根据实施例，当肖特基接触靠近台面边缘区域(参见，W4)时，肖特基接触之间的间隔变窄。换言之，当肖特基接触远离台面边缘区域(参见，W1)时，肖特基接触之间的间隔变宽。
肖特基接触区域120能够相互电气地连接。
为了当肖特基接触靠近台面边缘区域(参见，W4)时减少肖特基接触之间的间隔并且当肖特基接触远离台面边缘区域(参见，W1)时扩宽肖特基接触之间的间隔，以掩模图案可以具有与肖特基接触区域120的间隔相对应的图案间隔的方式在形成肖特基接触区域120之前设计掩模图案，但是实施例不限于此。
根据实施例，通过调节肖特基接触之间的间隔，在透明电极中会出现电阻变化。因此，能够提高电流扩展从而能够增加光量。
图3C至图3E是示出形成在根据实施例的发光器件中的肖特基接触区域120的顶视图。
如图3C中所示，以网格图案的形式能够制备肖特基接触区域120，但是实施例不限于此。例如，能够以如图3D中所示的条纹图案的形式制备肖特基接触区域120。
另外，如果以网格图案的形式制备肖特基接触区域120，那么开口区域可以具有矩形形状，但是实施例不限于此。例如，开口区域可以具有如图3E中所示的圆形。
然后，如图4中所示，透明电极130形成在具有肖特基接触区域120的第二导电半导体层116上。通过以多层结构堆叠单独的金属(或者金属合金)和金属氧化物能够形成透明电极130。例如，欧姆层可以包括ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ni、Pt、Cr、Ti以及Ag中的至少一个，但是实施例不限于此。
接下来，第一电极142形成在暴露的第一导电半导体层112上并且第二电极146形成在透明电极130上。
第一和第二电极142和146可以包括Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au以及W中的至少一个，但是实施例不限于此。
根据第一实施例，通过调整肖特基接触格点(mesh)之间的间隔，在透明电极中可以出现电阻变化。因此，能够改进电流扩展从而能够增加光量。
另外，根据实施例的发光器件，能够有效地调整电流流动，从而能够提高光提取效率。
此外，根据实施例，能够改进电流扩展效率，从而能够提高发光器件的可靠性。
图5是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。
第二实施例可以采用第一实施例的技术特征。
根据第二实施例，介电层150进一步形成在透明电极130上并且第一电极142接触介电层150的一侧。
根据第二实施例，介电层150能够形成在第一导电半导体层112和透明电极130上。
因为介电层150能够形成在发光区域上，所以介电层150可以是透明的介电层。介电层150可以包括TiO2、Al2O3或者SiO2，但是实施例不限于此。
根据实施例，介电层150形成在台面边缘区域处，从而防止电流在台面边缘区域中集中同时防止ESD。
然后，第一电极142被形成在暴露的第一导电半导体层112上同时接触介电层150，并且第二电极146形成在透明电极130上。
根据第二实施例，第一电极142、介电层150以及第二电极146组成MIM电容器。
根据实施例，介电层150形成在第一和第二电极142和146之间以电气地断开第一和第二电极142和146，从而针对ESD保护LED。
因此，在正向电压下，电流被施加到有源层使得有源层发射光，并且如果由于ESD使得以脉冲的形式施加ESD影响，那么高频能量可以经过介电层从而能够保护有源层。
根据第二实施例，介电层150形成在台面边缘区域处，从而防止台面边缘区域中的电流集中同时防止ESD。
第一电极142能够形成在介电层150的顶表面上同时接触介电层150。在这样的情况下，能够扩大第一电极142和介电层150之间的接触面积使得能够增加电容，并且介电层150能够通过第一电极142稳固地接触发光结构。
另外，介电层150可以接触第二电极146。接触介电层150的第二电极146可以延伸到介电层150的顶表面上。在这样的情况下，能够增加电容并且能够牢固地保持介电层150。
同时，接触第二电极146的介电层150可以延伸到第二电极146的顶表面上以增加电容。
根据实施例，介电层150形成在发光区域上，因此介电层150可以是透明介电层，但是实施例不限于此。
同时，根据实施例，介电层130能够接触透射电极120而不接触第二电极146。在这样的情况下，是光提取区域的第二导电半导体层116可以更少地被介电层150覆盖，从而能够提高光提取效率和ESD保护效率。
根据实施例，为了针对ESD保护LED，介电层150形成在第一和第二电极142和146之间。因此，在正向电压下电流被施加到有源层使得有源层发射光，并且如果由于ESD使得以脉冲的形式施加ESD影响，那么高频能量可以经过介电层从而能够保护有源层。
图6是示出在根据实施例的发光器件的静电放电时形成电场的概念的示意图。
当反向电压被施加到半导体器件时会出现由ESD引起的LED损坏。另外，由于当施加反向电压时通电的电荷使得强电场被感应到LED有源区域。
另外，在ESD时载流子(电子和空穴)被加速使得载流子与原子碰撞，从而产生其它的载流子并且产生的载流子可以产生新的载流子，这被称为“雪崩击穿”。如果由于由通电的电荷感应的强电场使得半导体器件遭受过度ESD，那么LED半导体会由于雪崩击穿而损坏。
为了解决上述问题，根据实施例，如图6中所示，提供MIM电容器结构。在这样的情况下，被施加到LED的有源层的电场的一部分被感应到MIM电容，使得电场在有源区域中衰减，从而提高针对ESD的耐受性。
详细地，根据现有技术，源自于通电电荷的所有强电场Q0能够被感应到LED有源区域，使得会由于雪崩击穿而导致出现LED损坏。相反地，根据实施例，源自于通电电荷的强电场Q0的一部分Q2能够被感应到介电层130，使得能够在LED有源区域中减少电场的强度Q1。
图7是示出根据实施例的发光器件的电路结构的示意图。
根据实施例，第一电极142、介电层150以及第二电极146可以用作电容器CD。
根据实施例的发光器件可以具有如图7中所示的电路结构。如果施加正向电压，那么电流流过LED从而发射光。另外，如果由于ESD导致施加反向电压，那么电流流过MIM电容器CD。
这时，当由于ESD导致施加反向电压时，流过有源层的电流可以随着由于ESD应力导致总电容CD增加而降低，从而减少影响。
这能够通过使用公式如下地表达。
QDis＝CESDVESD(QDis是ESD时的电荷量，并且CESD是ESD时的电容)
C′Tot＝C二极管+CD(具有MIM电容器)
CTot＝C二极管(不具有MIM电容器)
I＝dQ/dt＝ΔQ/τ＝QDis/(RCTot)∴CTot ↑-＞I ↓
∴I′＝QDis/(RC′Tot)＜I＝QDis/(RCTot)
即，当由于ESD导致施加反向电压时，流过有源层的电流I′随着由于ESD应力导致的总电容CTot增加而降低，因此能够减少影响。
图8是示出在根据实施例的发光器件的静电放电时的波形的示意图。
如图8中所示，通过傅里叶变换，脉冲波形可以具有高频分量。另外，随着上升时间(tr)变陡，高频分量的强度会增加。
如根据下述公式能够看到的，随着频率变高，通过电容引起的阻抗会减少。因此，当由于ESD导致施加反向电压时，MIM电容器的阻抗减少，使得高频电流可以流过MIM电容器。
阻抗：Z＝ZR+jZIm(ZR是实部阻抗，j是虚部的系数，并且ZIm是由电容器引起的阻抗)
电容器：ZIm，C＝1/(jωC)，(ω＝2πf)
即，当由于ESD导致施加反向电压时，MIM电容器的阻抗减少，使得高频电流可以流过MIM电容器。
根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装和照明***，能够针对ESD保护LED而没有光量的损耗。
根据实施例，电容器被设置在LED芯片中以防止由ESD引起的损坏，从而能够通过简单工艺以低成本制造封装并且能够减少光吸收。
此外，根据实施例，能够有效地调整电流流动，从而能够提高电流提取效率。
另外，根据实施例，能够改进电流扩展效率，使得能够提高发光器件的可靠性。
图9是示出根据实施例的发光器件封装200的截面图。
参考图9，发光器件封装200包括：主体205；第四和第五电极层210和220，该第四和第五电极层210和220形成在主体205上；发光器件100，该发光器件100被设置在主体205上，并且电气地连接到第四和第五电极层210和220；以及成型构件240，该成型构件240围绕发光器件100。
主体205可以包括硅、合成树脂或者金属材料。倾斜表面可以形成在发光器件100的周围。
第四和第五电极层210和220相互电气地隔离以将电力提供给发光器件100。另外，第四和第五电极层210和220反射从发光器件100发射的光以提高光效率，并且将从发光器件100生成的热散发到外部。
能够采用图1或者图5中所示的水平型发光器件作为发光器件100，但是实施例不限于此。例如，发光器件能够形成在主体205上。
发光器件100能够通过布线230电气地连接到第四电极层210和/或第五电极层220。根据实施例，水平型发光器件100被示出为采用两个布线230。在倒装芯片型发光器件的情况下，可以省略布线230。
成型构件240围绕发光器件100以保护发光器件100。另外，成型构件240可以包括荧光材料以改变从发光器件100发射的光的波长。
多个根据实施例的发光器件封装可以排列在基板上，并且包括导光板、棱镜片、扩散片或者荧光片的光学构件可以被设置在从发光器件封装发射的光的光学路径上。发光器件封装、基板以及光学构件可以用作背光单元或者照明单元。例如，照明***可以包括背光单元、照明单元、指示器、灯或者街灯。
图10是示出根据实施例的照明单元1100的透视图。
参考图10，照明单元1100包括壳体1110、安装在壳体1110中的发光模块1130以及连接端子1120，该连接端子1120被安装在壳体1110中以接收来自于外部电源的电力。
优选地，壳体1110包括具有优异的散热性的材料。例如，壳体1110包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1130可以包括基板1132和安装在基板1132上的至少一个发光器件封装200。
基板1132包括印制有电路图案的绝缘构件。例如，基板1132包括PCB(印制电路板)、MC(金属核)PCB、柔性PCB或者陶瓷PCB。
另外，基板1132可以包括有效地反射光的材料。基板1132的表面能够涂有诸如白色或者银色的颜色以有效地反射光。
至少一个发光器件封装200能够安装在基板1132上。每个发光器件封装200可以至少包括发光器件100。发光器件100可以包括发射具有红色、绿色、蓝色或者白色的光的彩色LED和发射UV光的UV(紫外线)LED。
发光模块1130可以具有发光器件封装200的各种组合以获得各种颜色和亮度。例如，能够组合白色LED、红色LED以及绿色LED以实现高显色指数(CRI)。
连接端子1120被电气地连接到发光模块1130以将电力提供给发光模块1130。连接端子1120具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能够以***外部电源的插头的形式制备连接端子1120，或者通过布线将连接端子1120连接到外部电源。
图11是示出根据实施例的背光单元1200的分解透视图。
根据实施例的背光单元1200包括：导光板1210；发光模块1240，该发光模块1240用于将光提供给导光板1210；反射构件1220，该反射构件1220被定位在导光板下方；以及底盖1230，该底盖1230用于在其中容纳导光板1210、发光模块1240以及反射构件1220，但是实施例不限于此。
导光板1210扩散光以提供表面光。导光板1210包括透明材料。例如，通过使用诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂能够制造导光板1210。
发光模块1240将光提供给导光板1210的至少一侧，并且用作包括背光单元的显示装置的光源。
发光模块1240能够与导光板1210相邻地定位，但是实施例不限于此。详细地，发光模块1240包括基板1242和安装在基板1242上的多个发光器件封装200，并且基板1242能够与导光板1210相邻，但是实施例不限于此。
基板1242可以包括具有电路图案(未示出)的印制电路板(PCB)。另外，基板1242还可以包括金属核PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)，但是实施例不限于此。
另外，发光器件封装200被布置为发光器件封装200的出光表面与导光板1210隔开预定距离。
反射构件1220被布置在导光板1210的下方。反射构件1220将向下行进通过导光板1210的底表面的光朝着导光板1210反射，从而提高背光单元的亮度。例如，反射构件1220可以包括PET、PC或者PVC树脂，但是实施例不限于此。
底盖1230可以在其中容纳导光板1210、发光模块1240以及反射构件1220。为此，底盖1230具有带有开口的上表面的盒形状，但是实施例不限于此。
通过使用金属材料或者树脂材料通过按压工艺或者挤压工艺能够制造底盖1230。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
Claims (15)
1.一种发光器件，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层被形成在所述衬底上，并且台面蚀刻所述发光结构使得向上暴露所述第一导电半导体层的一部分；
肖特基接触区域，所述肖特基接触区域在所述第二导电半导体层上；
第二电极，所述第二电极在所述第二导电半导体层上；以及
第一电极，所述第一电极在暴露的第一导电半导体层上，
其中当所述肖特基接触区域靠近台面边缘区域时，所述肖特基接触区域之间的间隔（W4）变窄，
其中当所述肖特基接触区域远离台面边缘区域时，所述肖特基接触区域之间的间隔（W1）变宽，并且
其中所述台面边缘区域位于所述第一电极和所述第二电极之间。
2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述肖特基接触区域上的透明电极和在所述透明电极上的介电层，
其中所述肖特基接触区域包括第一对相邻的肖特基接触区域和第二对相邻的肖特基接触区域，
其中所述第一对相邻的肖特基接触区域相比于所述第二对相邻的肖特基接触区域远离所述台面边缘区域，
所述第一对相邻的肖特基接触区域之间的第一间隔（W1）大于靠近所述台面边缘区域的所述第二对相邻的肖特基接触区域之间的第二间隔（W4）。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一电极接触所述介电层的一侧。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二电极接触所述介电层的相反的另一侧。
5.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一电极延伸到所述介电层的顶表面上。
6.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述介电层包括透明介电层。
7.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述介电层形成在所述台面边缘区域上。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中以格点的形式制备所述肖特基接触区域。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中以条纹图案的形式制备所述肖特基接触区域。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述肖特基接触区域包括与所述第二导电半导体层形成肖特基接触的非晶层。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述肖特基接触区域包括绝缘层。
12.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述介电层包括TiO2、Al2O3以及SiO2中的至少一个。
13.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一电极、所述介电层以及所述第二电极组成MIM电容器。
14.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
根据权利要求1至13中的一项所述的发光器件，所述发光器件安装在所述封装主体中；以及
电极，所述电极将所述封装主体电气地连接到所述发光器件。
15.一种照明***，包括：
发光模块，所述发光模块包括根据权利要求14所述的发光器件封装。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2010-0026631 | 2010-03-25 | ||
| KR1020100026631A KR101081061B1 (ko) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
| KR20100039596A KR101039937B1 (ko) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템 |
| KR10-2010-0039596 | 2010-04-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102201509A CN102201509A (zh) | 2011-09-28 |
| CN102201509B true CN102201509B (zh) | 2014-09-03 |
Family
ID=44405243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110043109.XA Active CN102201509B (zh) | 2010-03-25 | 2011-02-21 | 发光器件、发光器件封装以及照明*** |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8441019B2 (zh) |
| EP (1) | EP2369646B1 (zh) |
| JP (1) | JP5341935B2 (zh) |
| KR (1) | KR101039937B1 (zh) |
| CN (1) | CN102201509B (zh) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5433609B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2014-03-05 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| KR20120131983A (ko) | 2011-05-27 | 2012-12-05 | 삼성전자주식회사 | 전류제한층을 구비한 반도체 발광 소자 |
| KR101941029B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2019-01-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템 |
| EP2610929B1 (en) * | 2011-12-26 | 2019-09-18 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| CN102522472A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法 |
| WO2014007867A1 (en) * | 2012-07-02 | 2014-01-09 | The Regents Of The University Of California | Semi-transparent, transparent, stacked and top-illuminated organic photovoltaic devices |
| CN103682010A (zh) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 比亚迪股份有限公司 | 一种led芯片及制备方法 |
| JP2014096460A (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 紫外半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR102080775B1 (ko) * | 2013-06-19 | 2020-02-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| CN105655460B (zh) * | 2014-12-08 | 2018-09-11 | 比亚迪股份有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
| KR102224245B1 (ko) | 2015-01-26 | 2021-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 |
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| US11437504B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-09-06 | Intel Corporation | Complementary group III-nitride transistors with complementary polarization junctions |
| WO2019066921A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Intel Corporation | GROUP III NITRIDE ELECTROLUMINESCENT DEVICES COMPRISING POLARIZATION JUNCTION |
| US11295992B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-04-05 | Intel Corporation | Tunnel polarization junction III-N transistors |
| WO2019066908A1 (en) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Intel Corporation | GROUP III NITRIDE POLARIZATION JUNCTION DIODE |
| CN107845711A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-27 | 江苏新广联半导体有限公司 | 提升电流扩展均匀性的led倒装芯片及其制作方法 |
| DE102019103632A1 (de) * | 2019-02-13 | 2020-08-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches halbleiterbauelement mit ersten und zweiten bereichen einer ersten halbleiterschicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements |
Family Cites Families (36)
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- 2011-02-16 US US13/028,808 patent/US8441019B2/en active Active
- 2011-02-21 CN CN201110043109.XA patent/CN102201509B/zh active Active
- 2011-02-28 EP EP11156256.7A patent/EP2369646B1/en active Active
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| JP特开2004-342885A 2004.12.02 |
| JP特开平6-181337A 1994.06.28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110233602A1 (en) | 2011-09-29 |
| CN102201509A (zh) | 2011-09-28 |
| KR101039937B1 (ko) | 2011-06-09 |
| EP2369646A1 (en) | 2011-09-28 |
| US8441019B2 (en) | 2013-05-14 |
| JP2011205099A (ja) | 2011-10-13 |
| EP2369646B1 (en) | 2016-08-10 |
| JP5341935B2 (ja) | 2013-11-13 |
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|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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