CN102074635B - 发光器件、发光器件封装和照明*** - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 InN Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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Abstract
本发明公开了发光器件、发光器件封装和照明***。根据实施方案的发光器件包括:发光结构,其包括第一导电型半导体层、在第一导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电型半导体层;在第一导电型半导体层的第一区域上的介电层;在介电层上的第二电极;以及在第一导电型半导体层的第二区域上的第一电极。
Description
技术领域
实施方案涉及发光器件、发光器件封装和照明***。
背景技术
发光器件(LED)包括具有将电能转化为光能的特性的p-n结型二极管。p-n结型二极管可通过将周期表的III-V族元素组合而形成。LED可通过调节化合物半导体的组成比例而表现出各种颜色。
当对LED施加正向电压时,n层的电子与p层的空穴复合,使得可产生对应于导带和价带间能隙的能量。该能量主要实现为热或光,并且LED将该能量作为光发射。
氮化物半导体表现出优异的热稳定性和宽的带隙能,使得氮化物半导体在光学器件和高功率电子器件领域得到关注。特别地,使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件和紫外(UV)发光器件已经得到发展和广泛应用。
根据相关技术,当发生静电放电(ESD)时,电流可反向流动,由此导致在发光区域中形成的有源层受损。
为防止LED由于ESD而受损,根据相关技术,在LED的反方向上通过将齐纳二极管与封装并联连接而在封装中安装齐纳二极管。因此,当施加恒定电压时,电流流向LED,使得LED发光。此外,当发生ESD时,电流流向齐纳二极管,从而防止LED受损。
然而,根据相关技术,在封装中安装齐纳二极管使得可能发生光吸收损失。
发明内容
实施方案提供一种能够防止LED受损而不导致光吸收损失的发光器件、发光器件封装和照明***。
根据实施方案的一种发光器件可包括:发光结构,其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、和在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层;在第一导电型半导体层的第一区域上的介电层;在介电层上的第二电极;以及在第一导电型半导体层的第二区域上的第一电极。
根据实施方案的一种发光器件包括:发光结构,其包括第一导电型半导体层、在第一导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电型半导体层;在发光结构的第一区域上的电容器;以及在第一导电型半导体层的第二区域上的第一电极。
根据实施方案的一种发光器件封装包括:封装体;在封装体上的至少一个电极层;以及与电极层电连接的发光器件。
根据实施方案的一种照明***包括:具有发光器件封装的发光模块,所述发光模块具有衬底和在衬底上的发光器件封装,其中发光器件封装包括:封装体;在封装体上的至少一个电极层;以及与电极层电连接的发光器件。
附图说明
图1a、1b是显示根据实施方案的发光器件的截面图;
图2a、2b是显示根据实施方案的发光器件的平面图;
图3是显示对根据实施方案的发光器件施加恒定电压时载流子运行的截面图;
图4是显示在根据实施方案的发光器件中发生ESD时载流子运行的截面图;
图5是根据实施方案的发光器件的电路图;
图6是显示在根据实施方案的发光器件中发生ESD时的波形图;
图7~10是显示根据实施方案的发光器件的制造方法的截面图;
图11是显示根据实施方案的发光器件封装的截面图;
图12是显示根据实施方案的照明单元的立体图;和
图13是显示根据实施方案的背光单元的分解立体图。
具体实施方式
以下,将参考附图详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装和照明***。
在实施方案的描述中,应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上”时,其可直接在另一层或衬底上,或者也可存在中间层。此外,应理解当层被称为在另一个层“下”时,其可以直接在另一层下,也可存在一个或更多个中间层。另外,也应理解当层被称为在两层“之间”时,其可以是在所述两层之间仅有的层,或也可存在一个或更多个中间层。
(实施方案)
图1a是沿着图2a的线I-I’截取的根据实施方案的发光器件的截面图,
图2a是显示根据实施方案的发光器件的平面图。
根据实施方案的发光器件100包括:具有第一导电型半导体层102、有源层104和第二导电型半导体层106的发光结构110。在第一导电型半导体层102的第一区域上形成介电层132,在介电层132上形成第二电极134,在第一导电型半导体层102的第二区域上形成第一电极140。
根据实施方案,第一导电型半导体层102、介电层132和第二电极134可构成电容器130。当施加反向电压时,反向电压从第一电极140流向第一导电型半导体层102。
根据实施方案,在第二导电型半导体层106上形成导电衬底120。第二电极134可与导电衬底120电连接并且可不与第一电极140电连接。
图1a涉及垂直型LED,但是实施方案不限于垂直型LED,实施方案可应用于横向型LED。
图2a是显示根据实施方案的发光器件的平面图,第一电极140延伸至第一导电型半导体层102的边缘区域并由此增加发光面积。第一电极140不限于图2a,例如第一电极140不延伸至第一导电型半导体层102的边缘区域,如图1b所示。
图2b是显示根据实施方案的发光器件的另一平面图,第一电极140包括网格形状并由此有助于电流散布。
根据实施方案,通过调整第一电极140的宽度可增加横向电流散布。例如,第一电极140的靠近焊盘(pad)电极的区域的第一宽度可较宽,第一电极140的远离焊盘电极的区域的第二宽度可较窄,并可由此增加横向电流散布。
根据实施方案的发光器件可防止LED由于ESD而受损且不导致光吸收损失。
图3是显示对根据实施方案的发光器件施加恒定电压时载流子运行的截面图,图4是显示在根据实施方案的发光器件100中发生ESD时载流子运行的截面图。
根据实施方案,当如图3所示施加恒定电压时,载流子流至有源层,使得有源层发光。此外,当如图4所示发光器件100中发生ESD时,高频能量施加于介电层,从而可保护有源层。
亦即,根据实施方案,在LED芯片的局部区域上形成介电层,并且在介电层上形成电极,由此形成电容器。然后,电极和导电衬底电短路,使得电流在恒定电压下流向用作有源区的发光层。此外,在放电操作期间发生脉冲型ESD时,高频能量通过介电层,从而可保护发光层。
此外,根据实施方案,在LED芯片中形成电容器以防止由ESD导致的损伤,使得封装的制造成本和工艺减少并且使得光吸收的损失最小化。
图5是根据实施方案的发光器件100的电路图。
在图5中,与LED连接的电阻为约1.5KΩ,这与人体电阻类似,但是实施方案不限于此。
根据实施方案,第一导电型半导体层102、介电层132和第二电极134可构成MOS(金属/氧化物/半导体)电容器130。
因此,根据实施方案的发光器件可具有如图5所示的电路。如果在恒定电压条件下施加正向电压,则电流流过LED,使得LED发光。此外,如果由于ESD而施加反向电压,则电流流过MOS电容器130。
亦即,如果根据ESD施加反向电压,则由于总电容CTot因ESD应力而增加,所以流到有源层104的电流减少,从而可减轻冲击。
这可通过下式表示。
QDis=CESDVESD(QDis是放电操作期间的电荷量,CESD是放电操作期间的电容)
C ′Tot=C二极管+CMOS(具有MOS)
CTot=C二极管(没有MOS)
I=dQ/dt=ΔQ/τ=QDis/(RCTot) ∴CTot↑->I↓
∴I′=QDis/(RC′)<I=QDis/(RCTot)
换言之,如果根据ESD施加反向电压,则由于总电容CTot因ESD应力而增加,所以流到有源层104的电流I′减少,从而可减轻冲击。
图6是显示在根据实施方案的发光器件中发生ESD时的波形图。
如图6所示,脉冲波形通过傅里叶变换可具有高频分量。此外,高频分量随着上升时间tr缩短而增加。
如下式所示,由电容引起的阻抗可随着频率增加而减小。因此,如果由于ESD施加反向电压,则MOS电容器阻抗减小,使得高频电流流向MOS电容器。
阻抗:Z=ZR+jZIm(ZR是真阻抗,j是虚部因子,ZIm是由电容器引起的阻抗),
电容器:ZIm,C=1/(jωC),(ω=2πf)。
因此,由于ESD施加反向电压时,MOS电容器阻抗减小,使得高频电流流向MOS电容器。
根据实施方案的发光器件可防止LED因ESD而受损且不导致光吸收损失。
亦即,根据实施方案,在LED芯片的局部区域上形成介电层,并且在介电层上形成电极,由此形成电容器。然后,电极和导电衬底电短路,使得在DC恒定电压下电流流向用作有源区的发光层。此外,在放电操作期间发生脉冲型ESD时,高频能量通过介电层,从而可保护发光层。
此外,根据实施方案,在LED芯片中形成电容器以防止由ESD导致的损伤,使得封装的制造成本和工艺可减少并且使得光吸收的损失可最小化。
以下,将参考图7~10详细地描述根据实施方案的发光器件的制造方法。
根据实施方案,发光器件可包括GaN、GaAs、GaAsP或者GaP。例如,绿色-蓝色LED可包括GaN(InGaN),黄色-红色LED可包括InGaAIP或者AIGaAs。此外,通过调整上述材料的组成可实现全部颜色。
首先,准备第一衬底105,如图7所示。第一衬底105包括导电衬底或者绝缘衬底。例如,第一衬底105可包括Al2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3中的至少一种。在第一衬底105上可形成凹凸结构,但是实施方案不限于此。
可对第一衬底105进行湿清洗以从第一衬底105的表面移除杂质。
然后,在第一衬底105上形成包括第一导电型半导体层102、有源层104和第二半导体层106的发光结构110。
例如,发光结构110可通过MOCVD(有机金属化学气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、MBE(分子束外延)或者HVPE(氢化物气相外延)形成,但是实施方案不限于此。
在第一衬底105上可形成缓冲层(未显示)。缓冲层可使得发光结构110和第一衬底105之间的晶格失配减小。缓冲层可包括III-V族化合物半导体。例如,缓冲层可包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种。在缓冲层上可形成未掺杂的半导体层,但是实施方案不限于此。
第一导电型半导体层102可包括掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族化合物半导体。如果第一导电型半导体层102是N型半导体层,则第一导电掺杂剂是N型掺杂剂,例如Si、Ge、Sn、Se或者Te,但是实施方案不限于此。
第一导电型半导体层102可包括组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料。
此外,第一导电型半导体层102可包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的至少一种。
第一导电型半导体层102可包括通过CVD、MBE、溅射或者HVPE形成的N型GaN层。此外,第一导电型半导体层102可通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)、氮气(N2)和包含n型杂质例如硅的硅烷(SiH4)气体注入室中形成。
然后,在第一导电型半导体层102上形成有源层104。
通过第一导电型半导体层102注入的电子与通过第二导电型半导体层106注入的空穴在有源层104处相遇,使得有源层104可发射光,所述光的能量由有源层(发光层)104的本征能带决定。
有源层104可包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少之一。例如,有源层104可通过注入TMGa气体、NH3气体、N2气体和三甲基铟(TMIn)气体而形成为MQW结构,但是实施方案不限于此。
有源层104可具有包括InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(InGaAs)和GaP/AlGaP(InGaP)中的至少之一的阱层/势垒层,但是实施方案不限于此。阱层可包括带隙能低于势垒层带隙能的材料。
在有源层104上方和/或下方可形成导电覆层(未显示)。导电覆层可包括带隙能高于有源层104带隙能的AlGaN基半导体。
然后,在有源层104上形成第二导电型半导体层106。
第二导电型半导体层106包括掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族化合物半导体。例如,第二导电型半导体层106可包括组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料。具体地,第二导电型半导体层106可包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。如果第二导电型半导体层106是P型半导体层,则第二导电掺杂剂包括P型掺杂剂例如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba。第二导电型半导体层106可制备为单层或者多层,但是实施方案不限于此。
第二导电型半导体层106可包括p型GaN层,其可通过将TMGa气体、NH3气体、N2气体和包括p型杂质(例如Mg)的(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}气体注入室中形成,但是实施方案不限于此。
根据实施方案,第一导电型半导体层102可包括N型半导体层,第二导电型半导体层106可包括P型半导体层,但是实施方案不限于此。此外,在第二导电型半导体层106上可形成极性与第二导电型半导体层106的极性相反的半导体层例如N型半导体层(未显示)。因此,发光结构110可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的一种。
然后,如图8所示,在第二导电型半导体层106上形成第二电极层120。
第二电极层120可包括:第二欧姆层122、反射层124、结层和导电支撑衬底128。
例如,第二电极层120的欧姆层122与发光结构110欧姆接触以易于为发光结构110供电。欧姆层122可通过堆叠单金属、金属合金和金属氧化物制备为多层。
例如,欧姆层122可包括选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IZON(氮化IZO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少之一,但是实施方案不限于此。
此外,第二电极层120可包括反射层124以将从发光结构110入射的光反射,由此改善光提取效率。
例如,反射层124可包括含有Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少之一的金属或者金属合金。此外,反射层124可通过使用上述金属或金属合金以及透射导电材料例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO制备为多层。例如,反射层124可具有包括IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni的堆叠结构。
此外,如果第二电极层120包括结层126,则反射层124可用作接合层或者可包括阻挡金属或者接合金属。例如,结层126可包括选自Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta中的至少之一。
第二电极120包括导电支撑衬底128。导电支撑衬底128支撑发光结构110以对发光结构110供电。导电支撑衬底128可包括具有优异电导率的金属、金属合金或导电半导体材料。
导电支撑衬底128可包括选自Cu、Cu合金、Au、Ni、Mo、Cu-W和载体晶片例如Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe和SiC中的至少之一。
导电支撑衬底128的厚度可为约30μm~500μm,该厚度可以随发光器件的设计规则而改变。
导电支撑衬底128可通过电化学金属沉积方案、镀覆方案或者使用共晶金属的接合方案形成。
然后,如图9所示,移除第一衬底105使得可暴露出第一导电型半导体层102。第一衬底105可通过激光剥离方案或者化学剥离方案移除。此外,第一衬底105可通过物理研磨第一衬底105来移除。
然后,在第一导电型半导体层102的第一区域上形成介电层132。介电层132可包括氧化物层或者氮化物层,例如SiO2、TiO2、Al2O3、Si3N4、SrBi2(Ta,Nb)2O9(SBT)、Pb(Zr,Ti)O3(PZT)、Bi4Ti3O12(BTO),但是实施方案不限于此。介电层132可为铁电材料,并且即使宽度小也可获得大容量。
例如,形成用于暴露出第一导电型半导体层102的第一区域的第一图案(未显示),并且通过使用第一图案作为掩模在暴露出的第一导电型半导体层102的第一区域上形成介电层132。然后,移除第一图案。
或者,在第一导电型半导体层102的整个区域上形成介电层,并且形成阻挡第一区域的第二图案(未显示)。然后,通过使用第二图案作为掩模,移除在除第一区域之外的第一导电型半导体层上形成的介电层,由此在第一区域上形成介电层132。然后,移除第二图案。
然后,如图10所示,在介电层132上形成第三电极134,在第一导电型半导体层102的第二区域上形成第一电极140。
第一电极140包括:进行引线接合的焊盘部以及从焊盘部延伸的指部。指部可分支为预定图案。指部可具有各种形状。
第一电极140和第三电极134可依次或者同时形成。
此外,第一电极140和第三电极134可具有相同材料。
例如,在形成用于暴露出在其中形成第一电极140和第三电极134的第一区域和第二区域的第三图案之后,通过使用第三图案作为掩模,在第一区域和第二区域上形成电极材料,使得第一电极140和第三电极134可通过使用相同材料同时形成。然后,移除第三图案。
然后,将第三电极134与第二电极120电连接。
根据实施方案的发光器件及其制造方法,可防止LED由于ESD而受损并且不引起光吸收损失。
亦即,根据实施方案,在LED芯片的局部区域上形成介电层,并且在介电层上形成电极,由此形成电容器。然后,电极和导电衬底电短路,使得在DC恒定电压下电流流向用作有源区的发光层。此外,在放电操作期间发生脉冲型ESD时,高频能量通过介电层,从而可保护发光层。
此外,根据实施方案,在LED芯片中形成电容器以防止由ESD导致的损伤,使得封装的制造成本和工艺减少并且使得光吸收的损失最小化。
图11是显示根据实施方案的发光器件封装200的截面图。
参考图11,发光器件封装200包括:封装体205、在封装体205上形成的第五电极层213和第六电极层214、提供在封装体205上并与第五电极层213和第六电极层214电连接的发光器件100、以及包围发光器件100的模制构件240。
封装体205可包括硅、合成树脂或金属材料。在发光器件100周围可形成倾斜表面。
第五电极层213和第六电极层214彼此电隔离以对发光器件100供电。此外,第五电极层213和第六电极层214将从发光器件100发射出的光反射,以改善光效率并将由发光器件100产生的热发散至外部。
图1中显示的垂直型发光器件可用作发光器件100,但是实施方案不限于此。例如,横向型发光器件可用作发光器件100。
发光器件100可安装在封装体205上或者第五电极层213和第六电极层214上。
发光器件100通过引线接合方案、倒装芯片接合方案和芯片接合方案中的至少之一与第五电极层213和/或第六电极层214电连接。根据实施方案,光发光器件100通过导线230与第五电极层213电连接并且通过芯片接合方案与第六电极层214电连接。
模制构件240包围发光器件100以保护发光器件100。此外,模制构件240可包括磷光体以改变从发光器件100发射的光的波长。
可在衬底上布置多个根据实施方案的发光器件封装,并且可在从发光器件封装发射出的光的光路上提供包括导光板、棱镜板、散射板或荧光板的光学构件。发光器件封装、衬底和光学构件可用作背光单元或者照明单元。例如,照明***可包括背光单元、照明单元、指示器、灯或者街灯。
图12是显示根据实施方案的照明单元1100的立体图。图12中显示的照明单元1100是照明***的一个实例,但实施方案不限于此。
参考图12,照明单元1100包括:壳体1110、安装于壳体1110中的发光模块1130、以及安装于壳体1110中以从外部电源接收电力的接线端子1120。
优选地,壳体1110包括具有优异散热性能的材料。例如,壳体1110包括金属材料或树脂材料。
发光模块1130可包括衬底1132和安装于衬底1132上的至少一个发光器件封装200。
衬底1132包括印刷有电路图案的绝缘元件。例如,衬底1132包括PCB(印刷电路板)、MC(金属芯)PCB、F(柔性)PCB或者陶瓷PCB。
此外,衬底1132可包括有效反射光的材料。衬底1132的表面可涂覆颜色例如白色或者银色,以有效地反射光。
在衬底1132上可安装至少一个发光器件封装200。每个发光器件封装200可包括至少一个LED(发光二极管)。LED可包括发射红色光、绿色光、蓝色光或者白色光的彩色LED或者发射紫外线的UV(紫外)LED。
发光模块1130的LED可进行各种布置以提供各种颜色和亮度。例如,可布置白色LED、红色LED和绿色LED以实现高的显色指数(CRI)。
接线端子1120与发光模块1130电连接以对发光模块1130供电。参考图12,接线端子1120具有与外部电源插座螺旋连接的形状,但是实施方案不限于此。例如,接线端子1120可制备为***外部电源中的引脚形式或者通过导线与外部电源连接。
图13是显示根据实施方案的背光单元1200的分解立体图。图13中显示的背光单元1200是照明***的一个实例,实施方案不限于此。
根据实施方案的背光单元1200包括:导光板1210,用于为导光板1210提供光的发光模块1240,位于导光板1210下方的反射构件1220,以及用于在其中容纳导光板1210、发光模块1240和反射构件1220的底盖1230,但是实施方案不限于此。
导光板1210将光散射以提供表面光。导光板1210包括透明材料。例如,导光板1210可通过使用丙烯酰基树脂例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂制造。
发光模块1240为导光板1210的至少一个横向侧面提供光,并用作包括背光单元的显示器的光源。
发光模块1240可定位为与导光板1210邻接,但是实施方案不限于此。具体而言,发光模块1240包括:衬底1242和在衬底1242上安装的多个发光器件封装200,衬底1242可与导光板1210邻接,但是实施方案不限于此。
衬底1242可包括具有电路图案(未显示)的印刷电路板(PCB)。此外,衬底1242可还包括金属芯PCB(MCPCB)或者柔性PCB(FPCB),但是实施方案不限于此。
此外,发光器件封装200布置为使得发光器件封装200的出光面与导光板1210间隔开预定距离。
在导光板1210下方设置反射构件1220。反射构件1220将穿过导光板1210的底表面向下行进的光反射向导光板1210,由此改善背光单元的亮度。例如,反射构件1220可包括PET、PC或者PVC树脂,但是实施方案不限于此。
底盖1230可容纳导光板1210、发光模块1240和反射构件1220。为此,底盖1230为具有开放上表面的盒形,但是实施方案不限于此。
底盖1230可利用金属材料或者树脂材料通过压制工艺或者挤出工艺制造。
如上所述,根据实施方案的照明***包括根据实施方案的发光器件封装,从而可改善照明***的可靠性。
在本说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任何引用,表示与实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外,当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时,认为将这种特征、结构或特性与实施方案的其它特征、结构或特性关联均在本领域技术人员的范围之内。
虽然参考大量其说明性的实施方案已经描述了实施方案,但是应理解本领域技术人员可设计很多的其它改变和实施方案,这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地,在本公开、附图和所附的权利要求的范围内,在本发明的组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外,对本领域技术人员而言,可替代的用途也会是明显的。
Claims (15)
1.一种发光器件,包括:
发光结构,其包括:第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层;
在所述第一导电型半导体层的第一区域上的介电层;
在所述介电层上的第二电极;和
在所述第一导电型半导体层的第二区域上的第一电极,
其中所述第一电极包括焊盘电极和分支电极,
所述焊盘电极设置在所述第一导电型半导体层的边缘上;以及
所述焊盘电极设置在所述第一区域的相对角区域上,
其中靠近所述焊盘电极的区域的第一分支电极的第一宽度大于远离所述焊盘电极的区域的第二分支电极的第二宽度。
2.根据权利要求1所述的发光器件,还包括在所述第二导电型半导体层下的导电衬底。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述第二电极与所述导电衬底电连接。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极不与所述第二电极电连接。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述分支电极具有网格形状。
6.一种发光器件,包括:
发光结构,其包括:第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电型半导体层;
在所述发光结构的第一区域上的电容器;和
在所述第一导电型半导体层的第二区域上的第一电极,
其中所述电容器包括在所述第一导电型半导体层上的第二电极,以及
其中所述第一电极包括焊盘电极和分支电极,
所述焊盘电极设置在所述第一导电型半导体层的边缘上;以及
所述焊盘电极设置在所述第二电极的相对角区域上,
其中靠近所述焊盘电极的区域的第一分支电极的第一宽度大于远离所述焊盘电极的区域的第二分支电极的第二宽度。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其中所述电容器包括:在所述第一导电型半导体层的第一区域上的介电层和在所述介电层上的所述第二电极,其中所述分支电极具有网格形状。
8.根据权利要求7所述的发光器件,还包括:在所述第二导电型半导体层下的导电衬底。
9.根据权利要求8所述的发光器件,其中所述第二电极与所述导电衬底电连接。
10.根据权利要求7所述的发光器件,其中所述第一电极不与所述第二电极电连接。
11.根据权利要求6所述的发光器件,其中在恒定电压下电流流向所述有源层使得所述有源层发光,当发生静电放电(ESD)时高频电流通过所述电容器。
12.根据权利要求7所述的发光器件,其中所述介电层包括SiO2、TiO2、Al2O3、Si3N4、SrBi2(Ta,Nb)2O9(SBT)、Pb(Zr,Ti)O3(PZT)、Bi4Ti3O12(BTO)中的至少一种。
13.根据权利要求7所述的发光器件,其中所述第一电极和所述第二电极包含相同的材料。
14.一种发光器件封装,包括:
封装体;
在所述封装体上的至少一个电极层;和
与所述电极层电连接的根据权利要求1或6所述的发光器件。
15.一种照明***,包括:
具有发光器件封装的发光模块,所述发光模块具有衬底和在所述衬底上的发光器件封装,
其中所述发光器件封装包括:
封装体;
在所述封装体上的至少一个电极层;和
与所述电极层电连接的根据权利要求1或6所述的发光器件。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2009-0100811 | 2009-10-22 | ||
KR1020090100811A KR100986556B1 (ko) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102074635A CN102074635A (zh) | 2011-05-25 |
CN102074635B true CN102074635B (zh) | 2014-09-10 |
Family
ID=43135197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010529798.0A Active CN102074635B (zh) | 2009-10-22 | 2010-10-22 | 发光器件、发光器件封装和照明*** |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8148737B2 (zh) |
EP (1) | EP2315267A1 (zh) |
KR (1) | KR100986556B1 (zh) |
CN (1) | CN102074635B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101039939B1 (ko) | 2010-04-28 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 |
CN103855179A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 孙润光 | 一种无机发光二极管显示器件结构 |
US9433040B2 (en) * | 2013-06-14 | 2016-08-30 | Micron Technology, Inc. | Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods |
US10158043B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-12-18 | Mikro Mesa Technolgy Co., Ltd. | Light-emitting diode and method for manufacturing the same |
US9231153B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-01-05 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro-light-emitting diode |
US9590137B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-03-07 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light-emitting diode |
US9105813B1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-08-11 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro-light-emitting diode |
CN104534337A (zh) * | 2015-01-09 | 2015-04-22 | 华南理工大学 | 一种基于rgb芯片的led平板灯具及其制备方法 |
CN109216518B (zh) * | 2017-06-30 | 2020-06-12 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 抗静电led芯片制备方法及其应用 |
KR102446211B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2022-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자의 검사 방법 및 발광 소자의 검사 장치 |
US10325889B1 (en) | 2018-01-12 | 2019-06-18 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Display device including LED devices with selective activation function |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US597756A (en) * | 1898-01-25 | Machine for swaging wire | ||
TW365071B (en) * | 1996-09-09 | 1999-07-21 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same |
KR19980024435U (ko) | 1996-10-31 | 1998-07-25 | 배순훈 | 상부면 개폐식 tvcr |
US6603152B2 (en) | 2000-09-04 | 2003-08-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Blue light emitting diode with electrode structure for distributing a current density |
DE102005025416A1 (de) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur |
KR20080087251A (ko) * | 2007-03-26 | 2008-10-01 | 서울옵토디바이스주식회사 | 커패시터를 구비하는 발광 다이오드 |
US7759670B2 (en) | 2007-06-12 | 2010-07-20 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Vertical LED with current guiding structure |
KR100946758B1 (ko) * | 2007-11-09 | 2010-03-11 | (주)더리즈 | 발광 다이오드 소자와 그 제조 방법 |
-
2009
- 2009-10-22 KR KR1020090100811A patent/KR100986556B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-10-21 US US12/909,295 patent/US8148737B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-22 EP EP10188567A patent/EP2315267A1/en not_active Ceased
- 2010-10-22 CN CN201010529798.0A patent/CN102074635B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110095307A1 (en) | 2011-04-28 |
EP2315267A1 (en) | 2011-04-27 |
US8148737B2 (en) | 2012-04-03 |
KR100986556B1 (ko) | 2010-10-07 |
CN102074635A (zh) | 2011-05-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
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