JP4299580B2 - 発光素子および発光装置 - Google Patents
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Description
【特許文献1】
特開2000−216442号公報
【特許文献2】
特開2001−230448号公報
【特許文献3】
特開2002−94121号公報
【0002】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に形成された半導体膜を用いた発光素子、およびその発光素子を用いた発光装置に関するものである。
【0003】
【従来の技術】
近年、窒化ガリウム系材料を用いた発光素子は、青色、緑色、または白色発光装置の光源として組み込まれ、製品化されている。この種の発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体膜、アノード電極及びカソード電極から構成される発光機能部分(以下、本明細書においては「半導体発光素子」と称する)をサファイア基板等の絶縁性の基板上に形成したもので、絶縁基板上に半導体発光素子を形成したLEDチップ(以下、本明細書においては「発光素子」と称する)を適宜のケースに組み込んで発光装置を製作している。
【0004】
以上のように構成されている発光装置を実際に使用する場合、従来より、アノード電極とカソード電極との間の高絶縁性のため、静電気により両電極間に高電圧が印加された場合内部の発光素子が破壊(静電破壊、ESD)されるという問題が生じている。
【0005】
この問題を解決するため、従来においては、発光装置(LEDランプ)の外部の電気回路基板上に、抵抗、コンデンサ、バリスタ等の電子部品を組み込み、発光装置内部の半導体発光素子の静電破壊を防止するようにした構成、又は、発光装置内部において半導体発光素子と並列にダイオードを接続した構成(例えば、特許文献1、特許文献2参照)、あるいは発光装置内部において抵抗を接続した構成(例えば、特許文献3参照)等が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、発光装置の外部に電子部品を実装する構成によると、回路基板上に実装すべき部品点数が増加し、その占有スペースのために回路基板の寸法が大きくなり、また、部品の実装のための工程数が増加するので、装置のコストの増大と寸法の大型化を招くという問題点を有している。また、発光装置内に静電破壊を防止するための部品を組み込む構成によると、極小寸法の抵抗やコンデンサ等を装置内部に実装することとなるので工程が複雑となり、コストの増大を招くという問題点を有している。なお、いずれの場合にも、発光素子に対して個別電子部品を取り付ける構成であるから、製造コストがこの取り付けのために上昇せざるを得ないものである。
【0007】
本発明の目的は、従来技術における上述の問題点を解決することができる静電破壊耐性の大きな発光素子および発光装置を提供することにある。
【0008】
本発明の目的は、付加的な部品を付けることによる占有スペースの増加や実装工程を増加させることがなく、静電気による素子の破壊を防止することができるようにした発光素子およびその発光素子を使用した発光装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、化合物半導体膜を用いて構成される半導体発光素子が基板上に形成されて成る発光素子において、該半導体発光素子上にその膜状アノード電極又は膜状カソード電極を利用した薄膜コンデンサを設け、薄膜コンデンサと半導体発光素子とが電気的に並列に接続されるように構成したものである。薄膜コンデンサが半導体発光素子と電気的に並列に接続されているため、静電気を原因とする異常な高電圧パルスが半導体発光素子に印加されても、半導体発光素子の静電破壊を防止するとが可能となる。この薄膜コンデンサは半導体発光素子と密着するようにして同一基板上に形成されるので、小型化、低コスト化を図ることができる。
【0012】
請求項1の発明によれば、単結晶性の基板上に、N型半導体層と、前記N型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたP型半導体層と、前記P型半導体層上に形成された膜状のアノード電極とを備えて成る半導体発光素子が形成されて成る発光素子において、
前記アノード電極上に絶縁膜と透明導電膜とが積層されて成る薄膜コンデンサを具え、前記透明導電膜が前記N型半導体層と接続されていることを特徴とする発光素子が提案される。
【0013】
請求項2の発明によれば、請求項1の発明において、前記絶縁膜が、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、SBT、BST、PZT、Ta2 O5 、Hf2 O5 、Al2 O3 、SiO2 、Si3 N4 、Y2 O3 、Gd2 O3 、TiO2 、ZrO2 、La2 O3 から選ばれた単層膜または積層膜である発光素子が提案される。
【0014】
請求項3の発明によれば、請求項1の発明において、前記絶縁膜の比誘電率が20以上である発光素子が提案される。
【0015】
請求項4の発明によれば、請求項1の発明において、前記絶縁膜が、立方晶ペロブスカイト構造をもつ誘電体材料である発光素子が提案される。
【0016】
請求項5の発明によれば、請求項1の発明において、前記透明導電膜が、ITO、ATO、FTO、AZO、In2 O3 、SnO2 、ZnO、CdO、TiO2 、TiN、ZrN、HfN、Au、Ag、Pt,Cu、Pd、Al、Crから選ばれた単層膜または積層膜である発光素子が提案される。
【0017】
請求項6の発明によれば、請求項1の発明において、前記アノード電極が、Au、Ni、Pt、Ru、Ti、Pd、Mo、Rhのいずれか一つの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料である発光素子が提案される。
【0018】
請求項7の発明によれば、請求項1の発明において、前記半導体発光素子が、前記基板の基板面に対して側壁テーパー角度が60°以下のメサ形状となっている発光素子が提案される。
【0019】
請求項8の発明によれば、請求項1の発明において、前記薄膜コンデンサの静電容量が50pF以上であり、かつ、前記薄膜コンデンサの直流印加電圧4Vにおけるリーク電流が1×10-5A以下である発光素子が提案される。
【0020】
請求項9の発明によれば、請求項1の発明において、前記基板が、サファイア基板であり、前記半導体発光素子が3族窒化物半導体から構成されている発光素子が提案される。
【0021】
請求項10の発明によれば、請求項1乃至9のうちのいずれか1つの発光素子を光源として組み込んだ発光装置が提案される。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の一例について図面を参照して説明する。
【0023】
図1は本発明による発光素子の実施の形態の一例を示す断面図である。発光素子1は、単結晶性の基板2上に半導体発光素子を形成したもので、半導体発光素子は、例えば有機金属熱分解法(MOCVD法)の如き適宜の気相成長法を用いて所要の化合物半導体単結晶薄膜層を積層形成することにより製作でき、その他の必要な絶縁膜、電極膜等は公知の適宜の手段を用いて形成することができる。
【0024】
基板2上には、N型半導体層3、活性層4、P型半導体層5の各層がこの順序で形成されている。これら3つの層を含んで成る半導体発光素子Kはメサ形状にエッチング加工されている。ここでは、N型半導体層3の一部がより薄い厚みの電極形成用部分3Aとなっており、電極形成用部分3Aに隣接する側壁部分は側壁テーパー角度θを有するテーパー面3Bとなっている。ここで、側壁テーパー角度θは、基板2の基板面2Aに対する図示の角度である。テーパー面3BはN型半導体層3のみならず、その上に形成されている活性層4、P型半導体層5にも及んでいる。
【0025】
P型半導体層5の上にはP型半導体層5を外部回路と電気的に接続するためのアノード電極6が形成されている。アノード電極6はP型半導体層5上に薄膜状に形成されている。一方、N型半導体層3の電極形成用部分3A上には、N型半導体層3を外部回路と電気的に接続するためのカソード電極7が形成されている。カソード電極7もまた電極形成用部分3A上に薄膜状に形成されている。
【0026】
基板2上に以上のように構成された半導体発光素子Kは、アノード電極6とカソード電極7との間に電圧を所要の極性にて印加することにより、N型半導体層3から活性層4に電子が注入され、P型半導体層5から活性層4には正孔が注入され、活性層4においてこれらの電子と正孔とが再結合することで発光する。
【0027】
アノード電極6の上には、アノード電極6を一方の電極とする薄膜コンデンサ8が形成されている。この薄膜コンデンサ8は、アノード電極6上に形成されて、絶縁膜9の上にさらに透明な導電膜10を形成し、導電膜10とアノード電極6とによって絶縁膜9を挟んだ形態の極く薄いコンデンサとしたもので、導電膜10が薄膜コンデンサ8の他方の電極となっている。
【0028】
薄膜コンデンサ8は、静電気の作用でアノード電極6とカソード電極7との間に高電圧が印加されても、これにより半導体発光素子が静電破壊されることを有効に防止する目的で設けられたものである。
【0029】
この薄膜コンデンサ8を半導体発光素子と電気的に並列に接続するため、導電膜10がテーパー面3B上に沿ってカソード電極7まで延設されており、導電膜10の端部10Aがカソード電極7と電気的に接続された状態となっている。なお、本実施の形態では、絶縁膜9はテーパー面3Bにまで延びるように形成されており、アノード電極6の端部6Aとテーパー面3Bとを覆っている。これにより導電膜10は、活性層4、P型半導体層5及びアノード電極6と電気的に所要の絶縁状態に保たれている。
【0030】
このように、アノード電極6、絶縁膜9及び導電膜10を積層形成することにより形成された薄膜コンデンサ8がアノード電極6とカソード電極7とに電気的に接続され、薄膜コンデンサ8と半導体発光素子Kとが並列に接続されているので、静電気によりアノード電極とカソード電極との間に高電圧が発生するのを有効に抑えることができ、半導体発光素子Kの静電破壊を有効に防止することができる。
【0031】
薄膜コンデンサ8は半導体製造プロセスを利用して半導体発光素子Kと密着して一体になるよう基板2上に上述の如く形成されるので、薄膜コンデンサ8のための占有スペースは極めて僅かであり、個別部品等の実装工程は不要である。このため、小型化が可能で付加部品の実装工程が不要となり、小型で低コストの発光素子を実現できる。
【0032】
基板2上に形成する半導体発光素子Kは3族窒化物半導体による結晶性半導体膜を用いて構成することができる。この場合には、基板2としてはサファイア基板、SiC基板、Si基板が好適である。また、N型半導体層3はSiをドーピングしたGaN、活性層4はGaNとInGaNの量子井戸構造、P型導電層5はMgをドーピングしたGaNを用いて構成することができる。勿論、本発明はこの構成に限定されるものではなく、例えば基板2をGaAs基板またはInP基板とし、結晶性半導体膜がInAlGaPAs系の半導体発光素子をこの基板上に形成した場合にも適用することができる。
【0033】
また、本発明においては、P型導電層をP型クラッド層/低濃度ドープP型層/高濃度ドープP型層(コンタクト層)の構成(例えば、特開2001−148507号公報に示されている構成)とすることもできる。この場合、低濃度ドープP型層がLED素子の直列抵抗を増加させるため、LEDの作動電圧は若干高くなるが静電気による破壊防止対策を2重に施すことになりより静電気耐性に優れたLED素子となり得る。
【0034】
アノード電極6とカソード電極7の各材料は、各導電型の半導体膜とオーミック性接合となるものを選択すればよい。半導体膜が3族窒化物半導体の場合、アノード電極をAuNiとし、カソード電極をTiAlとすることで良好なオーミック接合が得られる。アノード電極は、このほか、Au、Ni、Pt、Ru、Ti、Pd、Mo、Rhのいずれか一つの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いて形成することができる。
【0035】
絶縁膜9の材料としては、発光波長における吸収が少ないこと、静電容量を極力大きくとれるように誘電率が高いこと、半導体発光素子動作時のリーク電流が極力少ないこと、という条件の両立可能なものを選択する。例えば、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、SBT、BST、PZT、Ta2 O5 、Hf2 O5 、Al2 O3 、SiO2 、Si3 N4 、Y2 O3 、Gd2 O3 、TiO2 、ZrO2 、La2 O3 などが絶縁膜9の材料として好適である。ここで、絶縁膜9をこれらの材料から選ばれた単層膜または積層膜とすることができる。さらに、絶縁膜9は、立方晶ペロブスカイト構造をもつ誘電体材料とするのが好ましい。
【0036】
透明な導電膜10の材料としては、ITO、ATO、FTO、AZO、In2 O3 、SnO2 、ZnO、CdO、TiO2 、TiN、ZrN、HfN、Au、Ag、Pt, Cu、Pd、Al、Crなどが好適である。ここで、透明な導電膜10をこれらの材料から選ばれた単層膜または積層膜とすることができる。
【0037】
図2は、図1に示した本発明の実施の形態の変形例を示す断面図である。図2の各部のうち図1の各部に対応する部分にはそれらと同一の符号が付されている。図2に示した発光素子20は、薄膜コンデンサ8の他方の電極を構成する透明の導電膜10’がテーパー面3Bに沿って電極形成用部分3Aにまで延設されており、その端部10’AがN型半導体層3を外部回路と接続するために使用されるカソード電極を兼ねている点でのみ図1に示した発光素子1と異なっている。
【0038】
この構成によれば、図1におけるカソード電極7と透明な導電膜10とを別々に形成する必要がなく、透明な導電膜10’の形成のみで済むので、製造工程をより簡単化することができる。
【0039】
図3は、本発明の別の実施の形態を示す断面図である。図3の各部のうち図1の各部に対応する部分にはそれらと同一の符号が付されている。図3に示す発光素子30は、図1の薄膜コンデンサ8の場合と同様にしてカソード電極7の上に薄膜コンデンサ31が形成されている。すなわち、薄膜コンデンサ31は、カソード電極7上に形成された絶縁膜32の上にさらに透明な導電膜33を形成し、導電膜33とカソード電極7とによって絶縁膜32を挟んだ形態の極く薄い薄膜コンデンサとされたもので、カソード電極7がその一方の電極となっており、導電膜33がその他方の電極となっている。
【0040】
絶縁膜32はテーパー面3Bに沿ってN型半導体層3の上方の上端部3Baにまで延設されている。一方、透明な導電膜33も、テーパー面3Bに沿うようにして絶縁膜32上をテーパー面3Bに沿って延設され、上端部3BaからさらにP型半導体層5上にまで延びている。そして、P型半導体層5上に形成された導電膜33の端部33Aが、P型半導体層5を外部回路と電気的に接続するためのアノード電極として働く構成となっている。
【0041】
発光素子30によれば、P型半導体層5の上に透明な導電膜33のみが形成されるので、図1及び図2に示す構成の場合に比べて外部発光効率を改善することができる。また、アノード電極を別工程で形成する必要がないので、工程数の簡素化を図ることができ、コストの低減に役立つ。さらに、薄膜コンデンサ31をテーパー面3Bの麓部に設けるので、発光素子30全体の厚みを薄くすることができる。
【0042】
なお、上記いずれの実施の形態の場合にも、テーパー面3Bの麓部と頂上部との高低差は1μm以上の高さになる場合もある。このような高低差がある段差部に、蒸着法、スパッタ法、CVD法などで絶縁膜または透明導電膜を形成する場合、それらが薄膜であると、側壁テーパー角度θが60°以上では段差を被覆しきれない場合がありうる。その場合には、麓部において透明の導電膜の断線や、透明な導電膜と半導体層との間の短絡などの不具合が起こり得る。したがって、テーパー面3Bのテーパー角度θは60°以下にすることが望ましい。
【0043】
さらに、薄膜コンデンサ8、31のコンデンサ容量が小さすぎると、静電破壊防止という効果を充分に発揮することができない。一方、薄膜コンデンサ8、31の漏洩(リーク)電流が大きすぎると発光素子の消費電力が大きくなるため望ましくない。そのため、静電容量は50pF以上であり、かつ、直流印加電圧4Vにおける漏洩電流が1×10-5A以下であることが望ましい。
【0044】
次に、上述の如くして構成される薄膜コンデンサの容量の確保と絶縁膜の絶縁破壊との関係について説明する。よく知られているように誘電体コンデンサの静電容量Cは、
C=ε’ε0 (S/t)
ε’:比誘電率
ε0 :真空の誘電率(8.85E−12F/m)
S:コンデンサ面積
t:誘電体膜厚(電極間距離)
と表される。例えば、GaN系青色LEDの1チップあたりの発光部分面積(アノード電極面積とほぼ等しい)は、200μm×200μm程度である。今、面積200μm×200μmのコンデンサで、コンデンサの設計容量600pFを形成したいとする。コンデンサ面積を増加させれば単純に静電容量は増加するが、コンデンサ占有面積も増加するため望ましくないのでその面積は上記条件とする。
【0045】
図4は誘電体の比誘電率とコンデンサが600pFとなる膜厚との間の関係を示すグラフである。図5は誘電体膜厚と電界強度との間の関係を示すグラフで、直流電圧4V時の電界強度が示されている。図4に示すグラフは、コンデンサの容量を600pF以上にするためには、比誘電率が高い程誘電体膜厚を厚くでき、比誘電率が低い程誘電体膜厚を薄くする必要があることを示している。また、図5に示すグラフは、LEDの動作電圧4Vがコンデンサの電極間に印加された場合、誘電体膜が厚い程電界強度が弱く、誘電体膜が薄い程電界強度が強くなることを示している。これらのグラフにより、誘電率が高ければ高いほど、設計容量とするための誘電体膜厚を厚くすることができ、LED動作時の膜厚にかかる電界強度を小さくすることができることが判る。
【0046】
一方、比誘電率は20以下の場合、600pFにするためには膜厚を118Å以下にする必要がある。このような薄膜では電界強度が3.4MV/cm以上となる。このような電界強度を長時間かけるとほとんどの絶縁膜は、絶縁破壊をおこす。また、膜厚の制御性も薄膜になればなるほど困難になる。したがって、この場合には、絶縁層の比誘電率を20より大きくすることが好ましい。
【0047】
図6は、図1に示した発光素子1を用いて構成された発光装置の実施の形態の一例を示す断面図である。発光装置40は第1リードフレーム41の内端に一体形成された台座部42上に図1に示した発光素子1が固定されている。第1リードフレーム41に対して第2リードフレーム43が略平行となるように設けられており、発光素子1のカソード電極7が第1接続導体44によって台座部42に電気的に接続され、そのアノード電極6が第2接続導体45になって第2リードフレーム43に電気的に接続されている。そして、第1リードフレーム41及び第2リードフレーム43の内端部は透明な熱硬化性樹脂46によって封されている。
【0048】
したがって、第1リードフレーム41と第2リードフレーム43との間に電圧を印加することにより発光素子1において発光が得られ、発光素子1からの光は透明な熱硬化性樹脂46を通って外部に放出される。静電破壊防止用のコンデンサは発光素子1内に薄膜コンデンサとして予め上述の如くして組み込まれているので、外付部品を付加する必要がなく組立工程が複雑化することはない。また、発光素子1は薄膜コンデンサを半導体発光素子と並列に接続した構成であるから、第1リードフレーム41と第2リードフレーム43との間に印加する駆動電圧を高くする必要はなく、低電圧駆動が可能であり、消費電力も少なくて済む。
【0049】
【実施例】
以下に本発明の一実施例を説明するが、本発明はこれによって限定されるものではない。
【0050】
図1に示す構造の発光素子を次のように作製した。基板2としてサファイア基板を用い、サファイア基板上に、MOCVD法によりSiドープGaNをN型半導体層3として、GaN\InGaN多重量子井戸を活性層4として、MgドープGaNをP型半導体層5として形成し、青色発光ダイオード素子を形成した。この青色発光ダイオード素子の上にスピンコート法で成膜したチタン酸バリウム膜を誘電体とする薄膜コンデンサを形成し、青色発光ダイオード素子と薄膜コンデンサとが電気的に並列接続されるようにした。薄膜コンデンサの容量は260pFであった。
【0051】
図7は、発光素子の静電気放電に対する耐性を試験するための回路図である。ここでVoは可変直流電源、Rp、Rは抵抗器、Cはコンデンサ、Swは切替スイッチである。試験は次のようにして行った。静電気帯電した装置または治具などから、発光素子1に静電気放電するマシンモデル(R=0Ω、C=200pF)条件とした。図7中の可変直流電源Voの電圧をある値に設定し、切替スイッチSwを実線で示されるように切り替えて抵抗器Rpを介してコンデンサCに充電した後、切替スイッチSwを点線で示されるように切り替えて、発光素子1に対して放電する。これを3回繰り返した後、青色発光ダイオード素子の電圧−電流特性を評価した。青色発光ダイオード素子の電圧−電流特性が変化することで素子が破壊されたか否かの判別が可能である。
【0052】
従来構造の青色発光ダイオード素子では、60Vで試験した素子の50%が破壊した。一方、260pFの薄膜コンデンサが青色発光ダイオード素子に並列に接続された実施例の場合、50%の素子が破壊したのは150Vであった。つまり、静電破壊に至る耐圧が90V改善されていることが確認された。
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば、静電気による半導体発光素子の破壊防止が可能であり、かつ、付加的な部品を付けることによる占有スペースの増加や実装工程を増加させることなく、発光素子およびその発光素子を光源として組み込んだ発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による発光素子の実施の形態の一例を示す断面図。
【図2】図1に示した実施の形態の変形例を示す断面図。
【図3】本発明による発光素子の他の実施の形態を示す断面図。
【図4】誘電体の比誘電率とコンデンサが600pFとなる膜厚との間の関係を示すグラフ。
【図5】誘電体膜厚と電界強度との間の関係を示すグラフ。
【図6】本発明による発光装置の実施の形態の一例を示す断面図。
【図7】発光素子の静電気放電に対する耐性を試験するための回路図。
【符号の説明】
1、20、30 発光素子
2 基板
3 N型半導体層
3A 電極形成用部分
3B テーパー面
4 活性層
5 P型半導体層
6 アノード電極
7 カソード電極
8 薄膜コンデンサ
9、32 絶縁膜
10、33 導電膜
θ 側壁テーパー角度
K 半導体発光素子
Claims (10)
- 単結晶性の基板上に、N型半導体層と、前記N型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたP型半導体層と、前記P型半導体層上に形成された膜状のアノード電極とを備えて成る半導体発光素子が形成されて成る発光素子において、
前記アノード電極上に絶縁膜と透明導電膜とが積層されて成る薄膜コンデンサを具え、前記透明導電膜が前記N型半導体層と接続されていることを特徴とする発光素子。 - 前記絶縁膜が、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、SBT、BST、PZT、Ta 2 O 5 、Hf 2 O 5 、Al 2 O 3 、SiO 2 、Si 3 N 4 、Y 2 O 3 、Gd 2 O 3 、TiO 2 、ZrO 2 、La 2 O 3 から選ばれた単層膜または積層膜である請求項1記載の発光素子。
- 前記絶縁膜の比誘電率が20以上である請求項1記載の発光素子。
- 前記絶縁膜が、立方晶ペロブスカイト構造をもつ誘電体材料である請求項1記載の発光素子。
- 前記透明導電膜が、ITO、ATO、FTO、AZO、In 2 O 3 、SnO 2 、ZnO、CdO、TiO 2 、TiN、ZrN、HfN、Au、Ag、Pt,Cu、Pd、Al、Crから選ばれた単層膜または積層膜である請求項1記載の発光素子。
- 前記アノード電極が、Au、Ni、Pt、Ru、Ti、Pd、Mo、Rhのいずれか一つの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料である請求項1記載の発光素子。
- 前記半導体発光素子が、前記基板の基板面に対して側壁テーパー角度が60°以下のメサ形状となっている請求項1記載の発光素子。
- 前記薄膜コンデンサの静電容量が50pF以上であり、かつ、前記薄膜コンデンサの直流印加電圧4Vにおけるリーク電流が1×10 -5 A以下である請求項1記載の発光素子。
- 前記基板が、サファイア基板であり、前記半導体発光素子が3族窒化物半導体から構成されている請求項1記載の発光素子。
- 請求項1乃至9のうちのいずれか1つの発光素子を光源として組み込んだ発光装置。
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