CN102163670B - 发光器件、发光器件封装以及照明*** - Google Patents

发光器件、发光器件封装以及照明*** Download PDF

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Abstract

本发明涉及发光器件、发光器件封装以及照明***。公开了一种发光器件。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；电极，该电极被电气地连接到第一半导体层；电极层，该电极层在发光结构层下面；以及导电支撑构件，该导电支撑构件在电极层下面。导电支撑构件包括从至少一个边缘凸出的突出部。

Description

发光器件、发光器件封装以及照明***
技术领域
本公开涉及发光器件、发光器件封装、以及照明***。
背景技术
在物理和化学特性方面，III-V族氮化物半导体已经被广泛地用作诸如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的发光器件的核心材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。
LED是下述半导体器件，其通过使用化合物半导体的特性将电变成红外线或者光以传输/接收信号。并且LED还被用作光源。
使用氮化物半导体材料的LED或LD主要被用于提供光的发光器件。例如，LED或LD被用作诸如蜂窝电话的键区的发光部分、电子标识牌、以及照明装置的各种产品的光源。
发明内容
实施例提供实施例提供一种发光器件，该发光器件包括能够提高光提取效率。
实施例提供实施例提供一种发光器件，该发光器件包括从发光结构层下面的支撑构件的边缘凸出的突出部。
实施例提供一种发光器件，该发光器件包括从支撑构件的横向表面向内凹陷的凹陷部分。
实施例提供具有发光器件的发光器件封装和照明***。
根据实施例，发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；电极，该电极被电气地连接到第一半导体层；发光结构层下面的电极层；以及导电支撑构件，该导电支撑构件在电极层下面，并且包括从其至少一个边缘凸出的突出部。
根据实施例，发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；电极，该电极被电气地连接到第一半导体层；电极层，该电极层在发光结构层下面；以及导电支撑构件，该导电支撑构件在电极层下面，并且包括从其至少一个边缘凸出的突出部和从其至少一个横向表面向内凹陷的凹陷部分。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；
图2至图12是示出图1的发光器件的制造工艺的截面图；
图13是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；
图14是示出具有图1的发光器件的发光器件封装的截面图；
图15是示出根据实施例的显示装置的图；
图16是示出根据实施例的另一显示装置的图；以及
图17是示出根据实施例的照明装置的图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或者膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或者“下”时，它能够“直接地”或者“间接地”在另一基板、层(或者膜)、区域、垫、或者图案上，或者还可以存在一个或者多个中间层。已经参考附图描述该种层的位置。
出于便于描述和清晰的目的，附图中每层的厚度或者尺寸可以被夸大、省略、或示意性示出。此外，元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。
图1是根据第一实施例的发光器件100的截面图。
参考图1，发光器件100包括：发光结构层135、第一电极171、沟道层140、电极层150、导电支撑构件160、第一突出部201、以及第二突出部203。
发光器件100是包括多个化合物半导体层的半导体发光器件。半导体发光器件包括LED(发光二极管)，并且LED可以包括发射蓝色、红色、或者绿色的光的彩色LED或者UVLED。
发光结构层135包括多个化合物半导体层。例如，发光结构层135包括第一半导体层110、有源层120、以及第二半导体层130。
第一半导体层110可以包括被掺杂有第一导电类型掺杂物的III-V族元素的化合物半导体。例如，第一半导体层110可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，第一半导体层110可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的一个。第一半导体层110是N型半导体，并且第一导电掺杂物包括诸如Si、Ge、Sn、Se、或者Te的N型掺杂物。第一半导体层110可以具有单层结构或者多层结构。如果第一半导体层110具有多层结构，那么至少一个层可以包括未掺杂的层。
第一电极171被形成在第一半导体层110上，并且具有具有预定的形状的焊盘和/或图案的形式。第一电极171可以被设置在第一半导体层110的上部分的外部或者中心部分处。第一电极171可以具有圆形或者多边形的外观。第一电极171可以进一步包括臂图案。第一电极171可以被布置在除了第一半导体层110的上部之外的其他区域处，并且可以被电气地连接到第一半导体层110。
第一电极171可以具有包括从由Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag以及Au组成的组中选择的一个的多层结构或者单层结构。
有源层120可以被***在第一半导体层110和第二半导体层130之间，并且可以包括单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构以及量子点结构中的至少一个。
有源层120可以具有包括由III-V族元素的化合物半导体组成的阱和阻拦层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱/GaN阻拦层、InGaN阱/AlGaN阻拦层、或者InGaN阱/InGaN阻拦层的堆叠结构，但是实施例不限于此。阻拦层的带隙可以高于阱层的带隙。
导电包覆层可以被形成在有源层120上面和/或下面。导电包覆层可以包括GaN基半导体。导电包覆层的带隙可以高于阻拦层的带隙。
第二半导体层130被形成在有源层120下面，并且可以包括被掺杂有第二导电类型掺杂物的III-V族元素的化合物半导体。例如，第二半导体层130可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，第二半导体层130可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的一个。如果第二导电类型是P型半导体，那么第二导电类型掺杂物包括诸如Mg、或者Zn的P型掺杂物。第二半导体层130可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。如果第二半导体层130具有多层结构，那么至少一个层可以包括未掺杂的层。
第一半导体层110、有源层120、以及第二半导体层130可以被定义为发光结构层135。
另外，具有与第一导电层相反的极性的半导体层可以被形成在第二半导体层130上，其中，半导体层被形成在N型半导体层中。第一半导体层110可以包括P型半导体层，并且第二半导体层130可以包括N型半导体层。发光结构层135可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的至少一个。
沟道层140可以被形成在发光结构层135的下面。沟道层140的内部可以被设置在发光结构层135的下部的***部分处，并且沟道层140的外部可以延伸到发光结构层135的横向表面之外。
沟道层140可以以带状、环形、或者具有多边形或者圆形的框架形状被形成在第二半导体层130的下面。
沟道层140可以包括透射绝缘层或者透射导电层。例如，沟道层140可以包括从由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2、ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一个。
沟道层140可以包括透射激光束的材料或者基本不会被激光束打碎的材料，以及上面的材料。另外，沟道层140可以改进与第二半导体层130的结合强度。沟道层140的宽度或者厚度可以是2μm或者较少。
发光结构层135的外部区域105可以相对于导电支撑构件160具有台阶结构。垂直于发光结构层135的下表面或者相对于发光结构层135的下表面倾斜地可以形成发光结构层135的至少一个横向表面。
沟道层140将电极层150与第二半导体层130隔开了预定的距离。
沟道层140透射在制造工艺中照射的激光束，以防止在发光结构层135的横向表面处出现分层。沟道层140能够防止从电极层150或者导电支撑构件160产生的金属碎片进入第一半导体层110、有源层120、以及第二半导体层130的外部。沟道层140能够延迟湿气渗透到第一半导体层110、有源层120、以及第二半导体层130的外部。
电极层150可以包括至少一个导电层。至少一个导电层可以包括欧姆层、欧姆层下面的反射层、以及反射层下面的结合层中的至少一个。欧姆层可以与发光结构层的最下层的下表面发生欧姆接触，例如，与第二半导体层130欧姆接触，并且可以具有层或者图案的形式。欧姆层可以包括从由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一个。
反射层可以被设置在发光结构层135和/或欧姆层下面。例如，可以从Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其选择性组合组成的组中选择反射层。
结合层可以包括阻拦金属或者结合金属。例如，结合层可以包括从由Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta组成的组中选择的至少一个。
导电支撑构件160可以被形成在电极层150下面。导电支撑构件160可以用作基底基板，并且包括诸如Cu、Cu的合金、Au、Au的合金、Ni、Ni的合金、Mo、Mo的合金、或者Cu-W的金属。通过电镀方案、晶圆结合方案、或者溅射方案可以形成导电支撑构件160。根据另一实施例，通过金属电镀可以结合导电支撑构件160。导电支撑构件160的厚度可以具有大约10μm至大约500μm的范围。
一个突出部可以从导电支撑构件160的至少一个边缘凸出。突出部可以在发光结构层135的厚度方向中和/或在与厚度方向相对的方向中凸出。突出部可以包括组成电极层150和导电支撑构件160的材料中的至少一个或者其的组合。从导电支撑构件160的上边缘凸出的突出部是第一突出部201，并且从导电支撑构件160的下边缘凸出的突出部是第二突出部203。
第一突出部201和第二突出部203可以从导电支撑构件160呈毛口地突出(burrsprotruding)。
第一突出部201可以朝着发光结构层135的外部从导电支撑构件160的至少一个上边缘的至少一部分凸出。第一突出部201可以与导电支撑构件160的上边缘具有与小于10μm的距离相对应的高度T1。详细地，第一突出部201可以低于发光结构层135的上端，并且可以以7μm或者较少的高度突出。第一突出部201可以具有比发光结构层135的有源层120的高度更加高的高度。
第一突出部201可以与发光结构层135的横向表面隔开了1μm或者更大的距离。第一突出部201可以随机地保护导电支撑构件160的上边缘。
第一突出部201可以包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、Cu、Mo、以及Cu-W组成的组中选择的一个。
在与第一突出部201的突出部方向相对的方向中，第二突出部203可以从导电支撑构件160的至少一个下边缘的至少一部分凸出。第二突出部203可以与导电支撑构件160的下边缘具有与10μm或者更小的距离相对应的高度T2。第一和第二突出部201和203的高度T1和T2可以相互相同或者相互不同。
第一突出部201可以包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、Cu、Mo、Cu-W、以及其选择性组合组成的组中选择的至少一个。
第一和第二突出部201和203可以从导电支撑构件160的上边缘和/或下边缘的至少一部分凸出。
凹陷部分168被形成在导电支撑构件160的横向表面处。凹陷部分168可以向内凹陷，或者与导电支撑构件160的至少一个横向表面相对地凹陷。
凹陷部分168可以被形成在导电支撑构件160的上边缘和下边缘之间。例如，凹陷部分168可以被凹陷在第一和第二突出部201和203之间的区域中。
可以从导电支撑构件160的横向表面的角落到中心部分逐渐增加凹陷部分168的深度。
导电支撑构件160的边缘具有第一和第二突出部201和203中的至少一个，并且凹陷部分168可以被形成在第一突出部201和/或第二突出部203从其凸出的导电支撑构件160的横向表面中。
导电支撑构件160的第一突出部201可以提高发光器件的光提取效率。
图2至图12是示出图1的发光器件100的制造工艺的截面图。
参考图2和图3，基板101被加载到生长设备中，并且II至IV族元素的化合物半导体层被形成在基板101上。
可以从由电子束蒸发器、PVD(物理气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、PLD(等离子体激光沉积)、复合型热蒸发器、溅射、MOCVD(金属有机化学气相沉积)组成的组中选择生长设备。然而，实施例不限于上述生长设备。
可以从由包括Al2O3的蓝宝石基板、包括GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、或者Ga2O3的基板、导电基板、以及包括GaAs的基板组成的组中选择基板101。凹凸图案可以被形成在基板101的顶表面上。另外，基板101可以在其上被提供有在包括II至VI族元素的化合物半导体的层或者图案，例如，提供有ZnO层、氮化物缓冲层、以及未掺杂的半导体层中的至少一个。
通过使用III-V族元素的化合物半导体可以形成缓冲层和未掺杂的半导体层。缓冲层可以减少相对于基板101的晶格常数失配。未掺杂的半导体层可以包括没有被掺杂有掺杂物的GaN基半导体，以提高半导体层的结晶性。
基板101在其上被形成有包括多个化合物半导体层的发光结构层135。发光结构层135包括第一半导体层110、第一半导体层110上的有源层120、以及有源层120上的第二半导体层130。
第一半导体层110可以包括N型半导体，并且第二半导体层130可以包括P型半导体层。
第一和第二半导体层110和130可以包括III-V族元素的化合物半导体，例如，具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。可以从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择第一和第二半导体层110和130。第一和第二半导体层110和130可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。
有源层120可以包括单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构以及量子点结构中的至少一个。有源层120可以具有包括由III-V族元素的化合物半导体形成的阻拦层和阱层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱/GaN阻拦层、InGaN阱/AlGaN阻拦层、或者InGaN阱/InGaN阻拦层的堆叠结构。
导电包覆层可以被形成在有源层120上面和/或下面。导电包覆层可以包括GaN基半导体。导电包覆层的带隙可能高于阻拦层的带隙。
第三半导体层，例如，N型半导体层可以进一步被形成在第二半导体层130上，但是实施例不限于此。因此，发光结构层135可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的至少一个。
参考图3和图4，沟道层140被形成在第二半导体层130上。在第二半导体层130的第一区域上形成掩模图案之后，沟道层140被形成在第一区域周围，并且掩模图案被移除。第一区域可以是每个芯片区域A1的中心，但是实施例不限于此。
沟道层140可以被形成在第二半导体层130的第一区域的***区域处，并且可以具有回路形、环形、以及具有圆形或者多边形的框架形状。沟道层140可以具有连续的回路形状或者离散的回路形状。
沟道层140包括透射层，例如，绝缘层或者导电层。沟道层140可以包括SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个。沟道层140可以包括透射激光束的材料或者基本不会被激光束打碎的材料，以及上述材料，但是实施例不限于此。沟道层140的宽度或者厚度可以是2μm或者更小。
另外，沟道层140可以包括相对于第二半导体层130提供优秀的结合强度的材料。另一金属层可以被进一步形成在沟道层140的上面和/或下面，但是实施例不限于此。
参考图4和图5，电极层150被形成在第二半导体层130上。电极层150可以被形成在第二半导体层130的第一区域中。电极层150可以从第二半导体层130的顶表面延伸到沟道层140的顶表面。
电极层150可以包括多个导电层。导电层中的至少一个可以具有不同于剩余的导电层的宽度。另外，至少一个导电层可以具有不同的电气特性或者不同的反射特性。
导电层可以包括欧姆层、欧姆层下面的反射层、以及反射层下面的结合层中的至少一个。欧姆层可以与发光结构层的最上面的层欧姆接触，例如，与第二半导体层130的顶表面欧姆接触，并且可以具有层或者图案的形式。欧姆层可以包括从由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一个。
反射层可以被设置在发光结构层135和/或欧姆层下面。例如，可以从Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其选择性组合组成的组中选择反射层。
结合层可以包括阻拦金属或者结合金属。例如，结合层可以包括从由Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta组成的组中选择的至少一个。
参考图5和图6，导电支撑构件160可以被形成在电极层150上。导电支撑构件160可以用作基底基板，并且包括诸如Cu、Cu的合金、Au、Au的合金、Ni、Ni的合金、Mo、Mo的合金、或者Cu-W的金属。通过电镀方案可以形成导电支撑构件160，但是实施例不限于此。导电支撑构件160的厚度可以具有大约10μm至大约500μm的范围，但是实施例不限于此。
导电支撑构件160支撑发光结构层135，使得能够防止发光结构层135由于稍后要进行描述的LLO(激光剥离)工艺而被弯曲或者被损坏。
导电支撑构件160被制备为基底，并且基板101被移除。基板101可以被物理地和/或化学地移除。为了物理地移除基板101，具有预定的波长带的激光束被照射到基板101，使得基板101能够被移除。为了化学地移除基板101，在形成孔之后，通过蚀刻工艺在基板101和发光结构层135之间移除半导体层，从而使得基板101能够被移除。第一半导体层101的表面可以进行ICP/RIE(电感耦合等离子体/反应离子蚀刻)。
参考图6和图7，发光结构层135被蚀刻。根据单独的芯片的宽度，蚀刻工艺可以包括隔离蚀刻工艺。换言之，蚀刻工艺可以包括干法和/或湿法蚀刻工艺。相对于发光结构层135的***部分执行蚀刻工艺，使得沟道层140能够被暴露到外部区域105。
外部区域105是芯片之间的沟道区域，或者在其中发光结构层135能够被移除的区域。在这样的情况下，发光结构层135之间的间隙是芯片之间的间隙。间隙可能是5μm或者更多。
第一电极171被电气地连接到第一半导体层110。例如，第一电极171可以被设置在第一半导体层110上。第一电极171可以包括焊盘或者包括被连接到焊盘的图案的结构。在执行另一工艺或者下述工艺之前或者之后，可以执行第一电极171，但是实施例不限于此。
凹-凸图案或者粗糙部可以进一步被形成在第一半导体层110的表面上，并且此结构能够提高发光效率。发光结构层135的外横向表面可以垂直于发光结构层135的下表面，或者可以相对于发光结构层135的下表面倾斜，但是实施例不限于此。
参考图8和图9，保护层180被形成在发光结构层135上。保护层180能够防止芯片在激光工艺中被损坏。例如，保护层180可以包括PR(光致抗蚀剂)，但是实施例不限于此。
支撑层190被形成在导电支撑构件160的下面。例如，支撑层190可以包括具有预定的厚度的粘合板。当执行激光工艺时，支撑层190支撑芯片。例如，粘合板可以是UV板或者蓝板，但是实施例不限于此。如有必要，保护层180和支撑层190中的至少一个可以被省略或者添加。例如，另一保护层可以进一步被***在导电支撑构件160和支撑层190之间。
通过激光执行激光划片工艺，以允许激光束195被集中在导电支撑构件160的预定点。
参考图9和图10，通过激光划片工艺，芯片区域A1之间的边界区域200被相互隔开。换言之，边界区域200被相互隔开，使得芯片区域A1被相互区分。
在这样的情况下，边界区域200不能与芯片区域A1完全地相互隔离。由于导电支撑构件160可以包括具有良好柔韧性的诸如Cu、Au、Mo、或者Ni的材料，所以通过激光工艺，边界区域200可以相互隔开，但是当边界区域200被硬化或者熔合时，边界区域200可以相互重新组合。换言之，由于边界区域200的重新组合可以导致形成重新组合部分165。
通过相互结合以芯片的单位形成的导电支撑构件160的边缘，即，通过将激光束被照射到其中的导电支撑构件160的区域相互结合，来形成重新组合部分165。随着导电支撑构件160的厚度被增加，重新组合部分165的整个厚度可能被增加。在已经执行激光划片工艺之后，可以移除保护层180和/或支撑层190。重新组合部分165可以没有被形成，但是实施例不限于此。
通过激光划片工艺，突出部201和203可以被形成在边界区域200处。例如，突出部201和203中的至少一个可以从导电支撑构件160的至少一个边缘突出。突出部201和203可以在发光结构层135的厚度方向中和/或发光结构层135的厚度方向的相对方向上突出。突出部201和203可以包括组成电极层150和导电支撑构件160的材料中的至少一个或者材料的混合物。第一突出部201被形成在导电支撑构件160的上边缘处，并且第二突出部203被形成在导电支撑构件160的下边缘处。第一和第二突出部201和203可以从导电支撑构件160呈毛边地凸出。
第一突出部201可以从导电支撑构件160的至少上边缘的至少一部分凸出，并且可以从发光结构层135向外(例如，向上)凸出。
第一突出部201可以在发光结构层135的厚度方向中从导电支撑构件160的上边缘突出预定的高度T0。
第一突出部201的高度T0可以根据激光功率进行变化。例如，第一突出部201可以从导电支撑构件16的上边缘凸出大约10μm至大约30μm的高度。具有高度TO的第一突出部201部分地包围发光结构层135的***部分，或者完全地包围发光结构层135的整个区域，使得可能降低发光效率。
在这样的情况下，第一突出部201被布置在发光结构层135的外部，使得第一突出部201被相互隔开。第一突出部201可以与发光结构层135相距1nm或者更多。
第二突出部203可以被形成在导电支撑构件160的至少一个下边缘的至少一部分处，并且可以在第一突出部201的相对方向上(例如，向下)凸出。第二突出部203的高度可以低于第一突出部201的高度。详细地，由于激光束被从芯片的上部分照射到芯片的下部分，所以与光的入射区域相比，光的能量被较少地集中在光的出射区域。因此，第二突出部203的高度低于第一突出部201的高度。
参考图10和图11，相对于芯片区域A1之间的边界区域200执行湿法蚀刻工艺。通过湿法蚀刻工艺，重新组合部分165A被部分地蚀刻。另外，通过湿法蚀刻工艺可以减少第一和第二突出部201和203的至少一个的尺寸。
第一和第二突出部201和203可以被部分地形成在导电支撑构件160的上边缘和下边缘的至少一部分中。
通过湿法蚀刻工艺，第一突出部201可以与导电支撑构件160的上边缘具有与小于10μm的距离相对应的高度T1。详细地，第一突出部201可以低于发光结构层135的上端，或者可以以7μm或者更小的高度突出。第一突出部201可以具有比沟道层140的顶表面或者发光结构层135的有源层120的高度更高的高度T1。
第一突出部201可以与发光结构层135隔开了大约1μm或者更大的距离T3。
第二突出部203在与第一突出部201的相对方向上从导电支撑构件160的下边缘凸出。详细地，第二突出部203可以从导电支撑构件160的下边缘凸出有大约10μm或者更小的高度T2。
在这样的情况下，第一和第二突出部201和203可以被形成在导电支撑构件160的所有边缘或者至少一个边缘的至少一部分中，并且可以从导电支撑构件160异常地凸出。
凹陷部分163可以从导电支撑构件160的横向表面向内凹陷。通过蚀刻工艺可以形成凹陷部分163。蚀刻工艺可以选择性地包括通过使用诸如蚀刻剂的化学溶液而执行的湿法蚀刻工艺，和通过使用气体作为蚀刻剂执行的干法蚀刻工艺。
图10是示出当执行湿法蚀刻工艺时发光器件100的截面图。当执行湿法蚀刻工艺时，边界区域200的凹陷部分168可以从导电支撑构件160的至少一个横向表面的至少一部分以弯曲表面而向内凹陷。湿法蚀刻工艺是作为非定向蚀刻工艺的各向同性蚀刻工艺，并且为了便于解释，图10中的凹陷部分168的尺寸可以被夸大。
凹陷部分168可以被设置为与第一和第二突出部201和203相邻，但是实施例不限于此。
在这样的情况下，随着蚀刻剂的接触面积被增加，凹陷部分168被更深地凹陷。例如，当从导电支撑构件160的顶表面执行蚀刻工艺时，与凹陷部分168的下部分相比，边界区域200的凹陷部分168的上部分被更深地凹陷。
当执行干法蚀刻工艺时，具有定向性的蚀刻工艺是可能的，从而不同于湿法蚀刻工艺，在边界区域200中可以不形成向内凹陷的弯曲的表面。然而，干法蚀刻工艺可以表现出较低的蚀刻率。
图8中所示的保护层被移除。另外，导电支撑构件160下面的支撑层190可以被移除，或者可以保留在到下一步的附接状态中。
参考图11，上盖板215被附接到芯片的上部分，并且下盖板210被附接到导电支撑构件160的下部分。
上盖板215可以具有薄粘合板的形式，或者也可能没有应用该形式。下盖板210可能是具有粘合特性的粘合板。例如，下盖板210可以包括UV板或者蓝钢板，但是实施例不限于此。
上盖板215被形成在发光结构层135和第一电极171上，从而防止芯片在分断工艺中被保护。
当在分断工艺中，半导体发光器件被划分为芯片的单位时，下盖板210固定半导体发光器件的被划分的芯片，使得被划分的芯片没有被散开，并且对芯片进行分类。
参考图11和图12，相对于边界区域200执行分断工艺以形成单独的芯片。如图11和图12中所示，通过分断工艺第一芯片与第二芯片分离。
根据分断工艺，通过使用切割机来切割边界区域200的重新组合部分165，使得以芯片为单位将第一芯片完全地与第二芯片分离。因此，制造了作为单独的芯片的发光器件100。
根据实施例，相对于芯片边界区域200执行湿法蚀刻工艺，以降低从芯片突出的第一突出部201的高度，或者移除第一突出部201，使得能够减少通过被设置在发光结构层135的外部的第一突出部201进行的光吸收。因此，能够提高光提取效率。
另外，由于重新组合部分165的至少一部分被移除，所以重新组合部分165的整个厚度被减少，使得能够减少由分断工艺引起的故障。因此，能够提高发光器件的制造工艺中的产品产率。
在分断工艺之后能够移除上和下盖板215和210。
图13是示出根据第二实施例的发光器件100A的截面图。
参考图13，发光器件100A包括：发光结构层135，该发光结构层135包括多个化合物半导体层；发光结构层135下面的多个导电层150A；导电层150A下面的导电支撑构件160；第一电极171；以及沟道层140，该沟道层140被***在发光结构层135和至少一个导电层150A之间。
发光结构层135可以包括LED，该LED包括化合物半导体，例如，III-V元素的化合物半导体。LED可以包括要发射蓝色、红色、或者绿色光的具有可视射线波长带的彩色LED或者UVLED，但是实施例不限于此。
发光结构层135包括第一半导体层110，该第一半导体层110包括III-V族化合物半导体；有源层120；以及第二半导体层130。其它的结构与第一实施例的相同，并且将不会进一步进行描述。
光提取结构112被形成在第一半导体层110上。光提取结构112可以包括第一半导体层110的顶表面上的凹凸结构，或者包括第一半导体层110的顶表面上的分离的粗糙部。光提取结构112改变被引导到第一半导体层110的顶表面的临界角，使得能够提高光提取效率。
第一半导体层110可以具有超晶格结构(SLS)，在其中，具有不同的折射率和不同的介质的两个层被交替地布置。例如，通过使用InGaN/GaNSLS、AlGaN/GaNSLS、InGaN/InGaNSLS、以及AlGaN/InGaNSLS中的至少一对，超晶格结构可以具有三至十个堆叠结构。
第一电极171可以被形成在第一半导体层110上。第一电极171可以包括焊盘或者具有被连接到焊盘的分支或者臂图案的电极，但是实施例不限于此。
钝化层180可以被形成在发光结构层120的横向表面处，并且可以包括绝缘材料。钝化层180可以从第一半导体层110的顶表面延伸到沟道层140的顶表面。可以从由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、以及TiO2组成的组中选择绝缘材料。
导电层150A包括第一导电层151，该第一导电层151与第二半导体层130的下部分欧姆接触；第二导电层152，该第二导电层152用作第一导电层151下面的反射层；以及第三导电层153，该第三导电层153被形成在第二导电层152下面，并且被用于结合导电支撑构件160。
第一导电层151用作欧姆层，该欧姆层与第二半导体层130的下表面欧姆接触，并且可以包括从由金属、金属氧化物、以及金属氮化物组成的组中选择的至少一个。第一导电层151可以包括从由ITO、IZO、IZON、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Pt、Ni、Au、Rh、以及Pd组成的组中选择的至少一个。通过选择性地使用上述材料，第一导电层151可以具有单层结构或者多层结构。
第二导电层152被形成在第一导电层151下面，并且用作反射层。反射层可以包括至少具有50％反射率的金属。第二导电层152可以具有包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及材料中的至少两个的合金组成的组中选择的一个的至少一个层。第一和第二导电层151和152用作第二电极，但是实施例不限于此。
第二导电层152的一部分被设置在沟道层140中，以有效地反射入射光。第二导电层152可以延伸到沟道层140的下表面。详细地，第二导电层152可以在沟道层140的下表面的整个区域，或者沟道层140的80％的下表面的上方延伸。
第三导电层153被形成在第二导电层152下面，并且用作阻拦层和/或结合层。第三导电层153可以包括从由Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt、Si、Al-Si、Ag-Cd、Au-Sb、Al-Zn、Al-Mg、Al-Ge、Pd-Pb、Ag-Sb、Au-In、Al-Cu-Si、Ag-Cd-Cu、Cu-Sb、Cd-Cu、Al-Si-Cu、Ag-Cu、Ag-Zn、Ag-Cu-Zn、Ag-Cd-Cu-Zn、Au-Si、Au-Ge、Au-Ni、Au-Cu、Au-Ag-Cu、Cu-Cu2O、Cu-Zn、Cu-P、Ni-B、Ni-Mn-Pd、Ni-P、以及Pd-Ni，或者材料中的一个的合金组成的组中选择的至少一个。第三导电层153可以具有单层结构或者多层结构。
第三导电层153用作结合层，以将导电支撑构件160结合到第二导电层153。第三导电层153可以延伸到第二导电层152的横向表面，但是实施例不限于此。
导电支撑构件160被形成在第三导电层153下面，并且可以包括从第一实施例中公开的材料中选择的材料。导电支撑构件160支撑发光结构层135。导电支撑构件160的厚度可以处于大约30μm至大约500μm的范围，但是实施例不限于此。
沟道层140的内部被形成在发光结构层135的下表面的***部分处，并且沟道层140的外部可以进一步延伸超出发光结构层135的横向表面。沟道层140被设置在第二导电层152和发光结构层135之间，以使导电材料与导电层分离。沟道层140的内部可以与发光结构层135重叠了预定的宽度(例如，数个μm至数十个μm)。沟道层140的厚度可以是处于大约0.02μm至大约5μm的范围内，并且可以根据芯片尺寸而进行变化。
沟道层140可以具有回路形状、环形、或者框架形状。沟道层140可以具有连续的图案或者离散的图案。
可以从由具有比III-V族化合物半导体的折射率更低的折射率的绝缘材料、金属氧化物、以及金属氮化物组成的组中选择沟道层140。可以从由ITO、IZO、IZTO、IZON、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、以及TiO2组成的组中选择沟道层140。
沟道层140可以将发光结构层135的层的外部与第三导电层153隔开。
电流阻挡层158可以被形成在发光结构层135下面。电流阻挡层158垂直地与第一电极171重叠。电流阻挡层158可以具有低于第一导电层151的导电性。例如，可以从由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、以及TiO2组成的组中选择电流阻挡层158，或者电流阻挡层158可以包括与第一导电层151肖特基接触的金属材料。
至少一个突出部可以从导电支撑构件160的至少一个边缘凸出。突出部可以在发光结构层135的厚度方向中和/或与厚度方向相对的方向上凸出。突出部可以包括组成第二和第三导电层152和153以及导电支撑构件160的材料中的至少一个或者其混合物。第一突出部201被形成在导电支撑构件160的上边缘处，并且第二突出部203被形成在导电支撑构件160的下边缘处。第一和第二突出部201和203可以从导电支撑构件160呈毛边状地凸出。
第一突出部201可以从导电支撑构件160的至少一个上边缘中的至少一个凸出，并且可以朝着发光结构层135的外部凸出。第一突出部201的上端可以从导电支撑构件160的上边缘凸出了小于10μm的高度。详细地，第一突出部201可以低于发光结构层135的上端，或者可以凸出7μm或者更小的高度。第一突出部201可以具有比发光结构层135的有源层120的高度更高的高度。
第一突出部201与发光结构层135的横向表面隔开了1μm或者更大的距离。第一突出部201可以从导电支撑构件160的上边缘随机地突出。
可以从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、Cu、Mo、以及Cu-W组成的组中选择第一突出部201。
第二突出部203从导电支撑构件160的至少一个下边缘的至少一部分凸出，并且可以在与第一突出部201的突出部方向相对的方向上凸出。第二突出部203可以从导电支撑构件160的下边缘凸出了10μm或者更小的高度。第一和第二突出部201和203的高度T1和T2可以相互相同或者相互不同。
第二突出部203可以包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、Cu、Mo、以及Cu-W或者其选择性组合组成的组中选择的至少一个。
第一和第二突出部201和203可以从导电支撑构件160的上和/下边缘中的至少一个凸出。
凹陷部分168被形成在导电支撑构件160的横向表面处。凹陷部分168向内凹陷或者与导电支撑构件160的至少一个横向表面相对地凹陷。
凹陷部分168可以被形成在导电支撑构件160的上边缘和下边缘之间。例如，凹陷部分160可以被凹陷在第一和第二突出部201和203之间的区域中。
凹陷部分168的深度可以从导电支撑构件160的横向表面的角落到中心部分逐渐地增加。
导电支撑构件160的边缘具有第一和第二突出部201和203中的至少一个，并且凹陷部分168可以被形成在第一突出部201和/或第二突出部203从其凸出的导电支撑构件160的横向表面中。
图14是示出具有图1的发光器件100的发光器件封装30的截面图。
参考图14，发光器件封装30包括：主体20、被形成在主体20处的第一和第二引线电极31和32、被设置在主体20上的图1中所示的并且电气地连接到第一和第二引线电极31和32的发光器件100、以及包围发光器件100的成型构件40。
主体20可以包括硅、合成树脂、或者金属材料。当从顶部看到时，主体20具有腔体，该腔体具有开口的上部分，并且在发光器件100周围被形成有被倾斜的内壁。
通过使用金属材料，以引线框架或者金属层来形成第一和第二引线电极31和32。第一和第二引线电极31和32被相互电气地隔离，并且将电力提供到发光器件100。第一和第二引线电极31和32能够反射从发光器件100产生的光，以增加光效率，并且将从发光器件100发射的热散发到外部。
发光器件100能够被安装在主体20上，或者第一和第二引线电极31和32上。
发光器件100可以通过布线而被电气地连接到第一和第二引线电极31和32，并且可以通过芯片结合方案而被连接到第二引线电极32。
成型构件40包围发光器件100以保护发光器件100。另外，成型构件40可以包括磷光体，以改变从发光器件100发射的光的波长。
在这样的情况下，从图1的发光器件100的边缘凸出的第一突出部201与成型构件40耦接，以防止成型构件40移动或者被分层。当执行焊料焊接时，第二突出部203提高与焊料的结合强度。
透镜可以直接地安装在成型构件40上，或者以预定的距离被安装在成型构件上，但是实施例不限于此。
尽管已经描述实施例，其中，发光器件封装具有顶视类型，但是发光器件封装也可以具有侧视类型。因此，能够改善吸热特性、导电性、以及反射特性。在通过成型构件对顶视类型或者侧视类型的发光器件进行封装之后，透镜可以被形成在成型构件上，或者透镜可以与成型构件结合，但是实施例不限于此。
<照明***>
根据实施例的发光器件或者发光器件封装能够被应用于灯单元。灯单元包括被排列在灯单元中的多个发光器件或者发光器件封装。灯单元可以包括照明灯、信号灯、汽车头灯、以及电子标识牌。
照明***可以包括图15和图16中所示的显示装置、图17中所示的照明装置、照明灯、信号灯、汽车头灯、电子显示器等等。
图15是示出根据实施例的显示装置的分解透视图。
参考图15，根据实施例的显示装置1000可以包括：导光板1041；发光模块1031，该发光模块1031将光提供给导光板1041；在导光板1041的下面的反射构件1022；在导光板1041上的光学片1051；在光学片1051上的显示面板1061；以及底盖1011，该底盖1011存储导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022；然而，其不限于此。
底盖1011、反射片1022、导光板1041、以及光学片1051可以被定义为灯单元1050。
导光板1041用于漫射光，以聚集到表面光源。利用透明材料形成导光板1041，并且导光板1041，例如可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯基树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚合物(COC)以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个。
发光模块1031将光提供给导光板1041的至少一侧，并且最终用作显示装置的光源。
包括至少一个发光模块1031，并且发光模块1031可以直接或者间接地在导光板1041的一侧处提供光。发光模块1031包括根据上述实施例的发光器件封装30和基板1033。发光器件封装30可以以预定的间隔布置在基板1033上。
基板1033可以是包括电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。然而，基板1033不仅可以包括典型的PCB，而且可以包括金属核PCB(MCPCB)或者柔性PCB(FPCB)，并且它不限于此。在发光器件封装30被安装在底盖1011的侧面上或者散热板上的情况下，基板1033可以被除去。在此，散热板的一部分可以接触到底盖1011的上表面。
多个发光器件封装30可以被安装在基板1033上，使得发光表面与导光板1041分离预定的距离，但是对此不存在限制。发光器件封装30可以直接地或者间接地将光提供给光进入部分，即导光板1041的一侧，并且对此不存在限制。
反射构件1022可以被布置在导光板1041的下方。反射构件1022在向上方向上反射被入射到导光板1041的下表面的光，从而可以提高灯单元1050的亮度。例如，可以利用例如PET、PC或者PVC(聚氯乙烯)树脂来形成反射构件1022；然而，它不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的上表面；然而，对此不存在限制。
底盖1011可以存储导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022。为此，底盖1011可以被提供有存储单元1012，其具有其上表面被开口的盒状形状，并且对此不存在限制。底盖1011可以与顶盖组合，并且对此不存在限制。
可以利用金属材料或者树脂材料来形成底盖1011，并且可以使用按压或者挤压成型工艺来制造底盖1011。底盖1011还可以包括具有优秀的导热性的金属或者非金属材料，并且对此不存在限制。
显示面板1061是例如，LCD面板，并且包括透明的第一和第二基板，和第一和第二基板之间的液晶层。在显示面板1061的至少一侧上，可以附接偏振板；然而，附接结构不限于此。显示面板1061通过穿过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000可以被应用于各种蜂窝电话、笔记本计算机的监视器、膝上计算机的监视器、以及电视。
光学片1051被布置在显示面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个半透明片。光学片1051可以包括例如漫射片、水平和垂直棱镜片、亮度增强片中的至少一个。漫射片漫射入射光。水平或/和垂直棱镜片将入射光集中在显示区域。亮度增强片重新使用丢失的光以增强亮度。保护片可以被布置在显示面板1061上，并且对此不存在限制。
在此，在发光模块1031的光路径上，导光板1041和光学片1051可以被包括作为光学构件；然而，对此不存在限制。
图16是示出根据实施例的显示装置的图。
参考图16，显示装置1100包括：底盖1152、基板1120、光学构件1154、以及显示面板1155。在此，上述发光器件封装30被排列在基板1120上。
基板1120和发光器件封装30可以被定义为发光模块1060。底盖1152、至少一个发光模块1060、以及光学构件1154可以被定义为灯单元。
底盖1152可以被提供有存储单元1153，并且对此不存在限制。
在此，光学构件1154可以包括透镜、导光板、漫射片、水平和垂直棱镜片、以及亮度增强片中的至少一个。可以利用PC材料或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料来形成导光板，并且可以去除导光板。漫射片漫射入射光。水平或/和垂直棱镜片将入射光集中在显示区域上。亮度增强片重新使用丢失的光以增强亮度。
光学构件1154被布置在发光模块1060上。光学构件1154将从发光模块1060发射的光转换为表面光源，或者对光执行漫射或者收集。
图17是示出根据实施例的照明装置的透视图。
参考图17，照明装置1500包括：壳体1510；发光模块1530，该发光模块1530被安装到壳体1510；以及连接端子1520，该连接端子1520被安装到壳体1510，并且被提供有来自于外部电源的电力。
优选地，利用具有优异的散热特性的材料来形成壳体1510。例如，可以利用金属材料或者树脂材料来形成壳体1510。
发光模块1530可以包括基板1532，和被安装在基板1532上的根据实施例的发光器件封装30。多个发光器件封装30可以以矩阵的形式排列，或者以预定的间隔相互分离地排列。
基板1532可以是其中印有电路图案的绝缘体。例如，基板1532可以包括PCB、金属核PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、以及FR-4基板。
基板1532还可以利用有效地反射光的材料形成，或者它的表面可以被涂覆有有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装30可以被安装在板1532上。每个发光器件封装30可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括诸如红、绿、蓝或者白色的可见光的发光二极管，或者发射紫外线(UV)的UV发光二极管。
各种发光器件封装30的组合可以被布置在发光模块1530中，以获得颜色色调和亮度。例如，为了确保高显色指数(CRI)，可以组合并且布置白色发光二极管、红色发光二极管、以及绿色发光二极管。
连接端子1520可以被电气地连接到发光模块1530以提供电力。连接端子1520以插座的方法螺纹连接到外部电源；然而，对此不存在限制。例如，可以将连接端子1520形成为插脚的形状以将其***到外部电源，或者可以通过布线将其连接到外部电源。
制造根据实施例的发光器件的方法包括：在基板上形成包括多个化合物半导体层的发光结构层；在发光结构层的顶表面的***部分处形成沟道层；在发光结构层上形成电极层；在电极层上形成导电支撑构件；移除基板；通过使用激光沿着发光结构层的芯片边界区域对导电支撑构件进行划片；以及相对于芯片边界区域执行蚀刻工艺。通过激光划片工艺，突出部从导电支撑构件的至少一个边缘凸出。
实施例能够提供半导体发光器件和制造发光器件的方法，在激光划片工艺之后通过执行蚀刻工艺，能够提高制造工艺的产品产率。
根据实施例，能够提高发光器件的光提取效率，并且能够提高用于包括发光器件的发光器件封装和照明***的可靠性。
在本说明书中，任何对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构、或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构、或特性时，认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也在本领域技术人员的理解范围内。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以设计出许多将落入本公开内容的原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开内容、附图、和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (17)

1.一种发光器件，包括：
发光结构层，所述发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；
电极，所述电极被电气地连接到所述第一半导体层；
沟道层，所述沟道层形成在所述发光结构层的下面；
电极层，所述电极层在发光结构层和所述沟道层的下面；以及
导电支撑构件，所述导电支撑构件在所述电极层下面，
其中，所述导电支撑构件包括从所述导电支撑构件的至少一个上边缘或者下边缘凸出的突出部，
其中，所述沟道层暴露到所述发光结构层的外部区域，并且所述沟道层和所述电极层不覆盖所述发光结构层的横向表面。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述突出部从所述导电支撑构件的至少一个下边缘的一部分凸出。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述突出部的一部分在与所述发光结构层的方向相对的方向上从所述导电支撑构件的下边缘凸出。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述突出部从所述导电支撑构件的至少一个上边缘的一部分凸出。
5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述突出部的一部分在所述发光结构层的方向上从所述导电支撑构件的上边缘凸出。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述突出部在彼此相对的方向上从所述导电支撑构件的上边缘和下边缘中的至少一部分凸出。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述突出部包括从由所述电极层和所述导电支撑构件的材料组成的组中选择的至少一个。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述突出部在所述发光结构层的方向上从所述导电支撑构件的至少一个边缘凸出了10μm或者更小的长度。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述突出部与所述发光结构层隔开了1μm或者更多的距离。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极层包括多个导电层，并且至少一个导电层被布置在所述发光结构层的第一区域中。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述沟道层具有被设置在所述导电层的至少一个的外部处和在所述发光结构层的第一区域的***部分处的内部，以及从所述内部延伸超出所述发光结构层的侧壁的外部。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述突出部从所述导电支撑构件的至少一个边缘凸出超出所述沟道层的顶表面。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述导电支撑构件包括凹陷部分，所述凹陷部分从所述导电支撑构件的至少一个横向表面以弯曲表面向内凹陷，所述凹陷部分形成在所述导电支撑构件的上边缘和下边缘之间，其中，从所述导电支撑构件的横向表面的角落到中心部分逐渐增加所述凹陷部分的深度。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述突出部凸出超出所述发光结构层的有源层。
15.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述突出部从具有所述凹陷部分的所述导电支撑构件的横向表面的边缘凸出。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，从所述导电支撑构件的上边缘凸出的突出部是第一突出部，并且从所述导电支撑构件的下边缘突出的突出部是第二突出部，
其中，所述第一突出部低于所述发光结构层的上端。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述第二突出部的高度低于所述第一突出部的高度。
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