CN101918897B - 曝光方法及装置、以及元件制造方法 - Google Patents
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Abstract
基板(PT)的曝光方法,包含:图案配置步骤,对分别具有放大倍率、并排的复数个投影光学***(PL1至PL4),配置于既定方向具有大于将该投影光学***的曝光宽度除以该放大倍率所得的宽度、小于该投影光学***的配置间隔的区域宽度的图案区域(A1至A4);以及曝光步骤,将以该投影光学***形成的第1图案的投影像、以及第2图案的投影像依序转印至基板上,该第1图案设在各该图案区域的第1部分图案区域(A11至A41),该第2图案则设在相对该第1部分图案区域、至少部分区域在该图案区域内于该既定方向相异的第2部分图案区域(A12至A42)。如此,能抑制图案投影像的接合误差的产生,提升图案全体的投影像的转印精度。
Description
技术领域
本发明,是关于将图案的投影像形成于基板上的曝光技术、及使用该曝光技术的元件制造技术。
背景技术
在例如制造半导体元件或液晶显示元件等的元件(电子元件、微元件)时,使用将光罩(线片、光罩等)的图案透过投影光学***投影至涂有光刻胶的板片(玻璃板或半导体晶圆等)上的投影曝光装置。例如液晶显示元件制造用的板片日益大型化,近年来,渐使用超过2m见方的板片。针对此整板片例如使用等倍的投影光学***时,光罩亦随之大型化。光罩的成本,除须维持光罩基板的平面度外,面积越大制造工艺越复杂,因此越大型化其成本越高。再者,例如为形成液晶显示元件的薄膜晶体管部,通常需4~5层份的光罩,其成本非常高。
针对此情形,提出了一种使用例如于扫描方向分成2列配置、在与扫描方向正交的方向(以下,称非扫描方向)相邻配置的具有放大倍率的复数个部分投影光学***所构成的放大系多透镜,将光罩图案缩小至小于板片的扫描型投影曝光装置(扫描型曝光装置)(例如,参照专利文献1)。此种现有具备放大系多透镜的扫描型曝光装置,将光罩图案对应各部分投影光学***以短片状分割为复数个图案区域,将各图案区域内的图案的投影像通过一次扫描曝光于非扫描方向接合转印至板片上。所谓接合转印,指相邻图案投影像于非扫描方向的交界部彼此重叠被转印。
(专利文献1)日本特开平11-265848号公报。
发明内容
然而,上述具备放大系多透镜的扫描型曝光装置,会有在接合转印至板片上的各投影像间,发生因光罩上各图案区域间产生的图案描绘误差所引起的接合的误差(以下,称接合误差)之虞。
有鉴于此,本发明的目的在提供一种使用复数个投影光学***(部分投影光学***)将图案的放大像形成于板片(基板)上时,可抑制发生接合误差的曝光方法及装置、以及元件制造方法。
本发明的第1态样,提供一种曝光方法,其包含:图案配置步骤,对分别具有放大倍率、并排的复数个投影光学***,配置于既定方向具有大于将该投影光学***的曝光宽度除以该放大倍率所得的宽度、小于该投影光学***的配置间隔的区域宽度的图案区域;以及曝光步骤,将以该投影光学***形成的第1图案的投影像、以及第2图案的投影像依序转印至基板上,该第1图案设在各该图案区域的第1部分图案区域,该第2图案则设在部分区域相对所述的第1部分图案区域重复且其他区域在所述的图案区域内于所述的既定方向相异的第2部分图案区域;所述的曝光步骤,一边使所述的图案区域及所述的基板同步移动于与所述的既定方向正交的扫描方向、一边转印所述的第1图案的所述的投影像与所述的第2图案的所述的投影像。
本发明的第2态样,提供一种曝光装置,其具备:复数个投影光学***,分别具有放大倍率且并排设置;图案配置机构,对复数个该投影光学***,配置于既定方向具有大于该投影光学***的曝光宽度除以该放大倍率所得的宽度、小于该投影光学***的配置间隔的区域宽度的图案区域,且使该图案区域往该既定方移动;基板保持机构,供保持基板、使该基板往该既定方向移动;以及控制部,进行将以该投影光学***形成的第1图案的投影像、以及第2图案的投影像依序转印至基板上的控制,该第1图案设在各该图案区域的第1部分图案区域,该第2图案则设在部分区域相对所述的第1部分图案区域重复且其他区域在所述的图案区域内于所述的既定方向相异的第2部分图案区域;所述的图案配置机构使所述的图案区域往与所述的既定方向正交的扫描方向移动;所述的基板保持机构,使所述的基板往所述的扫描方向移动;所述的控制部,进行一边使所述的图案区域及所述的基板同步往所述的扫描方向移动、一边转印所述的第1图案的所述的投影像与所述的第2图案的所述的投影像的控制。
本发明的第3态样,提供一种元件制造方法,其包含:使用上述曝光装置,将设于该图案区域的图案的以该投影光学***形成的投影像,转印至感光基板的曝光步骤;使转印有该投影像的该感光基板显影,以将对应该投影像的形状的转印图案层,形成于该感光基板上的显影步骤;以及透过该转印图案层对该感光基板进行加工的加工步骤。
本发明的第3态样,提供一种元件制造方法,其包含:使用上述曝光方法,将设于所述的图案区域的图案的以所述的投影光学***形成的投影像,转印至感光基板的曝光步骤;使转印有所述的投影像的所述的感光基板显影,以将对应所述的投影像的形状的转印图案层,形成于所述的感光基板上的显影步骤;以及透过所述的转印图案层对所述的感光基板进行加工的加工步骤。
根据本发明的曝光方法及装置、以及元件制造方法,可在使用复数个投影光学***(部分投影光学***)将图案的放大像形成于板片(基板)上时抑制接合误差的产生,而能提升图案全体的投影像的转印精度。
附图说明
图1显示本发明的一实施形态例的曝光装置的照明装置及光罩载台的立体图。
图2显示本发明的一实施形态例的曝光装置的概略构成的立体图。
图3显示图2中的投影光学***PL1及部分照明光学***ILS1的构成的图。
图4(A)显示图2的光罩MA的俯视图,图4(B)显示欲形成于光罩MA的图案的原来的元件图案的图。
图5显示图1的光罩载台MST的剖面图。
图6(A)显示第一次扫描曝光中的光罩MA的俯视图,图6(B)显示对应图6(A)的板片PT的俯视图。
图7(A)显示第二次扫描曝光中的光罩MA的俯视图,图7(B)显示对应图7(A)的板片PT的俯视图。
图8(A)显示对板片PT的图案转印区域EP2的扫描曝光中的光罩MA的俯视图,图8(B)显示对应的板片PT的俯视图。
图9显示实施形态的曝光装置的一曝光动作例的流程图。
图10(A)对取2面的光罩进行曝光动作的说明图,图10(B)对取6面的光罩进行曝光动作的说明图,图10(C)对取4面的光罩进行曝光动作的说明图。
图11对基板载台PST的偏移进行修正的修正方法的说明图。
图12对基板载台PST的旋转进行修正的修正方法的说明图。
图13(A)显示实施形态的另一例的光罩的俯视图,图13(B)显示图13(A)的光罩图案的部分原本的元件图案的图。
图14显示使用实施形态的一曝光装置例的液晶显示元件的一制造工艺例的流程图。
附图标号:
3 光导
4 准直透镜
5 反射镜
6 复眼透镜
7 聚光***
8 可变视野光阑
9 中继光学***
9a 棱镜型反射镜构件
9b 聚光透镜
9c 凹面镜
10 光源部
10a~10d 送光部
21XA~21XC X轴激光干涉仪
21XD、22XD 辅助激光干涉仪
21YA Y轴激光干涉仪
21YB 辅助激光干涉仪
22XA~22XC X轴激光干涉仪
22Y Y轴激光干涉仪
23 主控制***
30 元件图案
30QA~30QC 重复部
31A~31C 图案间区域
32A1、32A2、32B1、32B2 位置测量用标记
32C1、32C2、32D1、32D2 位置测量用标记
33A~33C 重复部
33PA~33PD 接合部
34A~33D 重复部
33PA~33PD 接合部
34PA、34PB、34PC、34PD 接合部
35A~35C 支承部
35Aa、38a、38b 吸附孔
36A~36D 薄膜框架
37A~37D 薄膜
50X、51X X轴移动镜
50Y、51Y Y轴移动镜
53 空间像测量***
100 曝光装置
A1~A4 图案区域
A11~A41 第1部分图案区域
A12~A42 第2部分图案区域
AD11 倍率修正机构
AD12 像偏移修正机构
AD13 焦点修正机构
ALG 对准***
AM1、AM2 对准标记
AX21~AX23 光轴
CCMc 凹面反射镜
EFI~EF4 曝光区域
EP1、EP2 图案转印区域
FM1c、FM2c 第1、第2偏向构件
G1c、G2c、G3c 第1、第2、第3透镜群
IF1~IF4 照明区域(像场)
ILS1~ILS4 部分照明光学***
IU 照明装置
LMx1、LMx2 激光光束
LPx1、LPx2 激光光束
M 放大倍率
MA 光罩
MST 光罩载台
Mx、My 光罩MA的X方向、Y方向宽度
PA1~PA4 转印区域
PA11~PA41 第1分割转印区域
PA12~PA42 第2分割转印区域
PL1~PL4 投影光学***
PST 基板载台
PT 板片
Px、Py 板片PT的X方向、Y方向宽度
QA1~QA4 部分元件图案
具体实施方式
以下,参照图1~图12说明本发明的一较佳实施形态。
图2显示由本实施形态的步进扫描方式的扫描型投影曝光装置所构成的曝光装置100的概略构成的立体图,图1则显示该曝光装置100的照明装置及光罩载台的概略构成的立体图。图1及图2中,曝光装置100,具备:以来自光源的照明光照明光罩MA的图案的照明装置IU、保持光罩MA移动的光罩载台MST、将光罩MA的图案的放大像投影至板片(基板)PT上的投影光学装置PL、保持板片PT移动的基板载台PST、包含用以驱动光罩载台MST及基板载台PST的线性马达等的驱动机构(未图示)、以及统筹控制此驱动机构等的动作的主控制***23等。照明装置IU、光罩载台MST及基板载台PST的基座构件(未图示)、以及投影光学装置PL等被未图示的机架机构所支承。
本实施形态的板片PT,是例如涂有液晶显示元件制造用的光刻胶(感光材料)的1.9×2.2m见方、2.2×2.4m见方、2.4×2.8m见方、或2.8×3.2m见方程度的矩形平板状玻璃板片。又,作为一例,如图2所示,板片PT的表面被区分为分别供转印光罩MA图案的2个图案转印区域EP1、EP2,将被主控制***23所辨识。
以下,于图1及图2中,取与光罩载台MST的导引面(未图示)垂直的方向为Z轴、在与该导引面平行的面内沿扫描曝光时光罩MA的扫描方向的方向为X轴、沿与该X轴正交的非扫描方向的方向为Y轴进行说明。本实施形态中,基板载台PST的导引面(未图示)与光罩载台MST的导引面平行,扫描曝光时板片PT的扫描方向与X轴平行。又,将绕与Z轴平行的轴的旋转方向亦称为θz方向。
图1的照明装置IU中,从光源部10的4个送光部10a、10b、10c、10d射出的曝光用照明光(曝光用光),分别射入对光罩MA进行部分照明的4个相同构成的部分照明光学***ILS1、ILS2、ILS3、ILS4。作为曝光用的照明光,使用例如包含从超高压水银灯射出的g线(波长436nm)、h线(波长405nm)及i线(波长365nm)的光的波长带所选择的光,或亦可使用KrF(波长248nm)或ArF(波长193nm)等的准分子激光。
从送光部10a~10d射出的照明光分别射入部分照明光学***ILS1~ILS4,经准直透镜4而成为平行光束,射入为光学积分器的复眼透镜6。来自形成在部分照明光学***ILS1~ILS4的复眼透镜6的后侧焦点面的多数二次光源的照明光,分别经由聚光透镜7照明可变视野光阑8。来自可变视野光阑8的光束经由中继光学***9,大致均匀的照明于光罩MA上具有在X方向平行的2边的梯形(Y方向2边对X方向平行或倾斜的梯形)的照明区域(照野区域)IF1、IF2、IF3、IF4。照明区域IF1~IF4沿Y方向配置成一列。又,亦可将部分照明光学***ILS1~ILS4的可变视野光阑8,作为一共用的视野光阑构件、于此视野光阑构件形成部分照明光学***ILS1~ILS4用的4个视野光阑用的开口。
来自光罩MA的照明区域IF1~IF4的光,如图2所示,分别透过对应的第1、第2、第3及第4投影光学***PL1、PL2、PL3、PL4,使板片PT上的曝光区域(像野区域或像场区域)EF1、EF2、EF3、EF4曝光。投影光学***PL1~PL4分别对光罩MA侧及板片PT侧为远心,从光罩MA侧至板片PT侧具有放大倍率。曝光区域EF1~EF4的形状,将照明区域IF1~IF4的形状以投影光学***PL1~PL4的投影倍率加以放大的形状。投影光学***PL1~PL4及与此等对应的曝光区域EF1~EF4于Y方向配置成一列。于Y方向的照明区域IF1~IF4排列周期与曝光区域EF1~EF4的排列区域相等。又,曝光区域EF1~EF4的形状以可变视野光阑8遮蔽照明光的一部分来加以设定。可变视野光阑8被构成为使照明光通过的开口部的大小可变(可扩缩),据此,即能适当放大或缩小曝光区域EF1~EF4于Y方向的宽度的曝光宽度。
本实施形态中,包含4个投影光学***(部分投影光学***)PL1~PL4构成投影光学装置PL,各投影光学***PL1~PL4,分别将光罩MA(第1面)上的照明区域IF1~IF4内的图案以共通的放大倍率M(绝对值)将以放大的投影像,形成于板片PT表面(第2面)上的曝光区域EF1~EF4。投影光学***PL1~PL4,将光罩MA的图案的X方向(扫描方向)正立、Y方向(非扫描方向)倒立的像形成于板片PT上。该放大倍率M以2倍较佳,本实施形状中,作为一例,为2.5倍。
图1中,光罩MA透过光罩保持具(未图示)被吸附保持在光罩载台MST上。于光罩载台MST上固定有X轴、Y轴的移动镜50X及50Y,并以和此对向的方式,配置有由X轴激光干涉仪22XA、22XB及Y轴激光干涉仪22Y所构成的光罩侧激光干涉仪。光罩侧激光干涉仪,测量光罩载台MST的X方向、Y方向位置以及光罩载台MST的θz方向的旋转角,测量结果被供应至主控制***23。主控制***23根据该测量值透过线性马达等的载台驱动***(未图示),控制光罩载台MST的X方向、Y方向位置及速度,以及θz方向的旋转角。
又,图2中,板片PT透过基板保持具(未图示)被吸附保持于基板载台PST上。于基板载台PST固定有X轴、Y轴的移动镜51X及51Y,并以和X轴的移动镜51X对向的方式,配置有于Y方向以既定间隔将测量用激光光束平行于X轴照射的激光干涉仪21XA、21XB、21XC及辅助激光干涉仪21XD。又,以和Y轴的移动镜51Y对向的方式,配置有于X方向以既定间隔将测量用激光光束平行于Y轴照射的激光干涉仪21YA及辅助激光干涉仪21YB。
通过X轴激光干涉仪21XC及Y轴激光干涉仪21YA测量基板载台PST的X方向及方向的位置,以X轴两侧的激光干涉仪21XA、21XB测量扫描曝光时基板载台PST的θz方向的旋转角。又,通过Y轴激光干涉仪21YA及辅助激光干涉仪21YB测量基板载台PST于Y方向步进移动时的基板载台PST的θz方向的旋转角。关于X轴辅助激光干涉仪21XD的用途留待后述。此外,例如在移动镜51X、51Y的真直度良好的情形等时,X轴激光干涉仪21XA~21XD中,可仅设置2轴的激光干涉仪(例如21XA、21XB),而能省略Y轴的辅助激光干涉仪21YB。
由此等激光干涉仪21XA~21XD、21YA、21YB构成的板片侧激光干涉仪的测量值被供应至主控制装置23,主控制***23根据该测量值透过线性马达等的载台驱动***(未图示),控制基板载台PST的X方向、Y方向位置及速度。于扫描曝光时,与光罩载台MST被以速度V/M(M为放大倍率)驱动于X方向的动作同步,基板载台PST被以速度V驱动于X方向。由于投影光学***PL1~PL4的像于X方向为正立像,因此光罩载台MST的扫描方向与基板载台PST的扫描方向沿X轴的相同方向。
图2中,于投影光学***PL1~PL4的附近,配置有为进行板片PT的位置对准的例如影像处理方式的离轴型对准***ALG、以及测量光罩MA及板片PT的Z方向位置(焦点位置)的自动聚焦***(未图示)。因此,于板片PT上的图案转印区域EP1及EP2的附近分别形成有复数个对准标记AM1及AM2。又,根据该自动聚焦***的测量结果,使用未图示的Z驱动机构例如控制光罩载台MST的Z方向的位置、及/或驱动后述投影光学***PL1~PL4的各别的聚焦机构,据以将投影光学***PL1~PL4的像面与板片PT的表面加以对焦。
又,于基板载台PST,设有用以测量透过投影光学***PL1~PL4投影的光罩MA上的位置测量用标记的像的位置的对准***的空间像测量***53。对准***ALG及空间像测量***53的检测信号以对准信号处理***(未图示)加以处理,经此处理所得的被检测标记的位置信息被供应至主控制装置23。
其次,说明构成本实施形态的部分照明光学***ILS1~ILS4及投影光学装置PL的投影光学***PL1~PL4的构成。代表性的参照图3,说明部分照明光学***ILS1及投影光学***PL1的构成。
图3显示图1光源部10的一部分、部分照明光学***ILS1及投影光学***PL1的构成。图3中,发出激光的激光光源1、将该激光加以聚光的透镜***2、以及传送被聚光的激光的光导件3,被收纳在图1的光源部10内。以从光导件3射出的激光构成的照明光,经由部分照明光学***ILS1内的准直透镜4、反射镜5、及复眼透镜6至中继光学***9为止的光学构件照明光罩MA。又,图3中的反射镜5于图1中省略。
又,亦可将激光光源1的激光加以分歧后供应至4个部分照明光学***ILS1~ILS4,亦可在不使用光导件3的情形下,透过反射镜***传送激光。
图3中,作为中继光学***9,例如,包含将光路加以弯折的棱镜型反射镜构件9a、将被弯折的照明光加以聚光的聚光透镜9b、以及将被聚光的照明光加以反射聚光的凹面镜9c所构成。中继光学***9,将在可变视野光阑8的开口部的扫描方向倒立的像(照明区域)形成于光罩MA上。
又,投影光学***PL1,具备:配置在光罩MA与板片PT间的光路中的凹面反射镜CCMc,配置在光罩MA与凹面反射镜CCMc间的光路中具有与Z轴平行的光轴AX21的第1透镜群G1c,配置在第1透镜群G1c与凹面反射镜CCMc间的光路中的第2透镜群G2c,配置在第2透镜群G2c与板片PT间的光路中、使从第2透镜群G2c往+Z方向行进的光横切过光轴AX21的方式沿光轴AX22偏向的第1偏向构件FM1c,配置在第1偏向构件FM1c与板片PT间的光路中、使从第1偏向构件FM1c往+X方向行进的光偏向于-Z方向的第2偏向构件FM2c,配置在第2偏向构件FM2c与板片PT间的光路中具有与第1透镜群G1c的光轴AX21平行的光轴AX23的第3透镜群G3c。
此外,在第1透镜群G1c与光罩MA之间配置有包含彼此间隔可变的复数个透镜的倍率修正机构AD11,在第3透镜群G3c与板片PT之间配置有包含2片倾斜角可变的平行平板的X方向、Y方向的像偏移修正机构AD12、以及包含例如2片楔形棱镜的焦点修正机构AD13。
其他的投影光学***PL2~PL4亦同样构成,投影光学***PL1~PL4的倍率修正机构AD11、像偏移修正机构AD12、以及焦点修正机构AD13(成像特性修正机构),可分别通过驱动部(未图示)彼此独立的驱动。又,投影光学***PL1~PL4的构成,不限于于图3所示者。
其次,如图1所示,于本实施形态的光罩MA的图案面,沿Y方向以既定间隔(既定周期)形成有X方向细长矩形的图案区域A1、A2、A3、A4。又,图案区域A1~A4的数量对应投影光学***PL1~PL4的数量设定。
图4(A)显示图1的光罩MA的俯视图,图4(B)显示欲形成于图1的板片PT的各图案转印区域EP1、EP2的元件图案30(为便于说明,以文字“F”表示)。此场合,形成于光罩MA的4个图案区域A1~A4的图案,分别将图4(B)的元件图案30以Y方向既定宽度的重复部30QA、30QB、30QC为交界部加以4等分的部分元件图案QA1~QA4,缩小为1/M倍(M为投影光学***PL1~PL4的放大倍率),并使其个别倒立于Y方向(非扫描方向)的图案。图4(A)中,图案区域A1的+Y方向及图案区域A2的-Y方向的重复部33A对应于图4(B)的重复部30QA,同样的,图4(A)的2处重复部33B及2处重复部33C,分别对应于图4(B)的重复部30QB及30QC。
又,由于图1的投影光学***PL1~PL4的放大倍率M为2.5,因此光罩MA的图案区域A1~A4的Y方向之间的图案间区域31A、31B、31C的宽度较图案区域A1~A4的宽度宽。
再者,图4(A)中,图案区域A1~A4的Y方向宽度,被设定为与图1的照明装置IU形成的照明区域IF1~IF4的Y方向宽度、以及投影光学***PL1~PL4的物体面侧的视野的Y方向宽度的大致2倍。又,本实施形态中,光罩MA的各图案区域A1~A4,分别于Y方向夹着既定宽度的重复部34A、34B、34C、34D,被分割为-Y方向侧的第1部分图案区域A11、A21、A31、A41、以及+方向侧的第2部分图案区域A12、A22、A32、A42。-Y方向侧的第1部分图案区域A11~A41的图案被一次扫描曝光曝光于板片PT上、+方向侧的第2部分图案区域A12~A42被一次扫描曝光曝光于板片PT上。
此场合,于图案区域A1的+Y方向侧附近,以和图案区域A1(部分图案区域A12)的既定位置关系且于X方向以既定周期,形成有复数个2维位置测量用标记32A1。同样的,于部分图案区域A21及A22的附近,以和此等区域的既定位置关系形成有复数个位置测量用标记32B2、32B1,于部分图案区域A31及A32的附近,以和此等区域的既定位置关系形成有复数个位置测量用标记32C2、32C1,于图案区域A4附近,以和图案区域A4(部分图案区域A41)的既定位置关系形成有复数个位置测量用标记32D2。位置测量用标记32B1、位置测量用标记32B1、32C1、位置测量用标记32C2分别形成在图案间区域31A、31B、31C内。
图5显示图1的光罩载台MST的剖面图,图5中,于光罩载台MST的光罩MA的装载面,架设有支承光罩MA的图案间区域31A、31B、31C的中央部的支承部35A、35B、35C。如此,通过支承图案间区域31A~31C,即使为大型的光罩MA,光罩MA的挠曲亦小,能以高精度将光罩MA的图案转印至板片PT上。
于支承部35A~35C的上部分别形成有连接于真空泵(未图示)的吸附孔35Aa等,于光罩载台MST的光罩MA的周边部亦形成有连接于真空泵(未图示)的吸附孔38a、38b等,通过此等吸附孔安定的吸附保持光罩MA。此,亦可以静电吸附光罩MA。
又,图5中,于光罩MA的图案面,以覆盖各图案区域A1~A4及位置测量用标记的方式,透过框状的薄膜架36A、36B、36C、36D张设有例如由厚度为1μm程度的可使照明光透射的有机材料薄膜构成的防尘用薄膜(pellicle、保护膜)37A、37B、37C、37D。据此,防止尘埃等的杂质附着于各图案区域A1~A4。又,与使用1片薄膜覆盖光罩MA的图案面全面的情形相较,针对各图案区域A1~A4分别设置薄膜的方式,薄膜的损伤较少。此外,由于各薄膜小型化,可提升薄膜制造时的良率,降低其成本。
接着,说明图2的光罩MA与板片PT的关系。首先,设光罩MA的X方向宽度为Mx、Y方向宽度为My,板片PT的X方向宽度为Px、Y方向宽度为Py。此时,板片尺寸、光罩尺寸、放大倍率的选择,使此等宽度Mx、My、Px、Py之间成立下述关系。
Mx>Px/M…(1)
My>Py/2…(2)
又,可于基板载台PST上将板片PT以纵置或横置(旋转90度的状态)方式装载,式(1)、式(2)中的Px及Py分别为板片PT的纵及横尺寸中较大者。
其次,图6(A)显示图4(A)的光罩MA的图案,图6(B)显示待转印图6(A)的光罩MA的图案的放大像(图4(B)的元件图案30)的图2的板片PT。图6(B)中,板片PT表面于Y方向被分割为2面的图案转印区域EP1、EP2。又,第1图案转印区域EP1,于Y方向被分割为待分别转印图6(A)的光罩MA的图案区域A1~A4的图案的放大像,夹着接合部33PA、33PB、33PC接合而于Y方向倒立曝光的宽度Pp的转印区PA1、PA2、PA3、PA4。于接合部33PA~33PC,分别被曝光图6(A)的板片PT的重复部33A~33C的图案像。
进一步的,转印区域PA1~PA4,被分割为光罩MA的第1部分图案区域A11~A41的放大像将被分别曝光的+Y方向侧的宽度Pp的第1分割转印区域PA11、PA21、PA31、PA41,以及光罩MA的第2部分图案区域A12~A42的放大像将被分别曝光的-Y方向侧的宽度Wp的第2分割转印区域PA12、PA22、PA32、PA42。又,转印区域PA1~PA4的第1分割转印区域PA11~PA41与第2分割转印区域PA12~PA42之间,分别形成有图6(A)的图案区域A1~A4内的重复部34A~34D的像被重复步曝光的接合部34PA、34PB、34PC、34PD。
同样的,板片PT的第2图案转印区域EP2亦分别由分割转印区域PAi1、PAi2(i=1~4)构成,被分割为光罩MA的图案区域Ai的图案的放大像将曝光出的4个转印区域PAi。
此时,将光罩MA侧的图案区域A1~A4的Y方向排列周期设为Pm、将图案区域A1~A4的Y方向宽度设为Wm时,使用放大倍率M、板片PT的分割转印区域PA11、PA12等的Y方向宽度Wp、以及转印区域PA1等的Y方向宽度(与投影光学***PL1~PL4的配置间隔相等)Pp,将有下列关系的成立。
Pm>Wm≧(Wp×2)/M…(3)
Pm=Pp=Wp×2…(4)
此处,板片PT的图案转印区EP1的各转印区域PA1~PA4的分割转印区域PA11~PA41、PA12~PA42的Y方向宽度Wp,与投影光学***PL1~PL4的曝光区域EF1~EF4的Y方向宽度、亦即与曝光宽度相同。此曝光宽度,例如,被规定成以可变视野光阑8设定的梯形曝光区域EF1~EF4中在X方向中央部的Y方向宽度。或者,在不透过光罩MA的图案而以曝光区域EF1~EF4而对板片PT进行扫描曝光时,将各曝光区域EF1~EF4于扫描中在板片PT上的累积曝光量,相对扫描完成时的既定累积曝光量的一半的宽度。
进一步的,来自图2的X轴激光干涉仪21XC及辅助激光干涉仪21XD的激光光束于Y方向的间隔,相等于该板片PT的分割转印区域PA11、PA12等的Y方向宽度(曝光宽度)Wp。
于曝光时,根据对准的结果,修正各投影光学***PL1~PL4以图3的像偏移修正机构AD12的像偏移量、倍率修正机构AD11进行的倍率的修正量、及偏向构件FM1c、FM2c的旋转角。
以下,参照图9的流程图,说明曝光装置100的一曝光动作例。以下的曝光动作以主控制装置23加以控制。
首先,假设光罩载台MST上已装载有光罩MA,为进行光罩MA的对准,例如将基板载台PST上的空间像测量***53的受光面移动至投影光学***PL2的曝光区域EF2。又,该受光面实际的Z方向的位置与板片PT的表面同高。接着,使光罩载台MST移动于X方向、Y方向,如图4(A)所示,将照明区域IF2沿轨迹TR1相对光罩MA移动,于照明区域IF2依序照明复数个位置测量用标记32B1、32B2,以空间像测量***53测量此等标记的以投影光学***PL2形成的像的位置。同样的,光罩MA上的其他复数个位置测量用标记32A1、32C1、32C2、32D2的像的位置亦以空间像测量***53加以测量。据此,即能测量光罩MA的图案区域A1~A4(部分图案区域A141~A41、A12~A42)的像的位置,根据此结果,即能将部分图案区域A141~A41、A12~A42的像在板片PT上正确的接合于X方向、Y方向而曝光。
其次,于图9的步骤101中,将图2的基板载台PST上的板片与曝光对象的涂有光刻胶的板片PT加以更换。于次一步骤102中,为进行板片PT的第1图案转印区域EP1的对准,一边驱动基板载台PST使板片PT步进移动于X方向、Y方向、一边通过对准机构ALG测量图案转印区域EP1的复数个对准标记AM1的位置。于其次的步骤103中,为进行板片PT的第2图案转印区域EP2的对准,一边使板片PT步进移动于X方向、Y方向、一边通过对准机构ALG测量图案转印区域EP2复数个对准标记AM2的位置。又,对准***ALG不限于1个而可具备复数个,此种情形时,于步骤102、103,可分别同时测量对准标记AM1、AM2所具有的复数个标记。此外,于步骤102、103中,虽依序测量对准标记AM1、AM2,但亦可同时测量对准标记AM1、AM2。
于其次的步骤104,首先,根据上述对准结果,作成光罩MA的图案区A1~A4的像与板片PT的图案转印区域EP1的转印区域PA1~PA4分别重叠的状态。之后,如图6(A)所示,将光罩MA以速度V/M移动于+X方向,使照明区域IF1~IF4相对光罩MA的图案区域A1~A4的第1部分图案区域A11~A41扫描于+X方向,并与此同步,如图6(B)所示,将板片PT以速度V移动于+X方向,使曝光区域EF1~EF4相对图案转印区域EP1的转印区域PA1~PA4的+Y侧的一半的第1分割转印区域PA11~PA41扫描于X方向。据此,于图案转印区域EP1的第1分割转印区域PA11~PA41分别扫描曝光出光罩MA的第1部分图案区域A11~A41的图案的像(倒立于Y方向的像)。
此时,光罩MA的重复部33A~33C、34A~34D,被梯形的照明区域IF1~IF4的斜边部扫描。又,于其边缘部相接的照明区域IF1的端部IF1a平行于X轴。此种照明区域IF1及IF4(后述)的形状的变更,可通过例如可变视野光阑8的开口部的切换、或固定的开口部的端部的开闭来实施。
又,设图6(B)的曝光区域EF1~EF4的X方向宽度(狭缝宽度)为W、照明光于板片PT的照度为P、光刻胶的感度(曝光量)为E时,为了将光刻胶以适当曝光量曝光,基板载台PST的扫描速度V设定如下。
V=(P×W)/E…(5)
于其次的步骤105,如图7(A)所示,透过光罩载台MST使光罩MA于-Y方向(图7(A)中的方向STM)步进移动距离Wp/M,与此大致并行的,透过基板载台PST使板片PT往反方向的+Y方向(图7(B)中的方向STP)步进移动与曝光宽度Wp相等的距离。于其次的步骤106,以图7(A)的光罩MA的图案区域A1~A4的像与图7(B)的板片PT的第1图案转印区域EP1的转印区域PA1~PA4相重叠的状态,将光罩MA以速度V/M移动于-Y方向,沿轨迹TRM以照明区域IF1~IF4于X方向相对扫描光罩MA的图案区域A1~A4的第2部分图案区域A12~A42,并与此同步,如图7(B)所示,将板片PT以速度V移动于-X方向,以曝光区域EF1~EF4沿轨迹TRP于X方向相对扫描图案转印区域EP1的转印区域A1~A4的-Y方向一半的第2分割转印区域PA12~PA42。
据此,于图案转印区域EP1的第2分割转印区域PA12~PA42分别扫描曝光出光罩MA的第2部分图案区域A12~A42的图案的像(倒立于Y方向的像)。因此,于图案转印区域EP1的全面,曝光出与图4(B)的元件图案30相同的像。此外,于板片PT的接合部33PA~33PC及34PA~34PD,重叠曝光光罩MA的重复部33A~33C及34A~34D的像。
此时,图7(A)的光罩MA的重复部33A~33C、34A~34D,被照明区域IF1~IF4的斜边部扫描。又,由于部分图案区域A42的N+Y方向的边缘不是接合部,因此与该边缘部相接的照明区域IF4的端部IF4a平行于X轴。如此,通过将重复部33A~33C、34A~34D以照明区域IF1~IF4的斜边部加以扫描,以二次扫描曝光加以重复曝光的板片PT的接合部33PA~33PC及34PA~34PD的曝光量,即与其他部分的曝光量相等。
又,图2中,预先于曝光开始前,X轴激光干涉仪21XC与辅助激光干涉仪21XD,进行以在激光光束照射点的X方向位置相等的状态显示相同测量值的重置,并进行使转印像正确整齐排列的投影像的校准(calibration)。接着,在从图9的步骤104移至步骤106时,将以步骤104测量的激光干涉仪21XC与辅助激光干仪21XD的测量值的差分设为△X。此场合,基板载台PST的X方向位置根据激光干涉仪21XC的测量值加以控制,且于步骤106,将基板载台PST的X方向位置仅修正该差分△X。据此,即使图2的X轴移动镜51X产生弯曲,仪能将图7(B)的图案转印区EP1的第1分割转印区域PA11~PA41与第2分割转印区域PA12~PA42的X方向位置加以配合曝光,以降低接合误差。
于其次的步骤107,根据步骤103的对准结果,如图8(B)所示,透过基板载台PST使板片PT于-Y方向仅步进移动图案转印区域EP1、EP2的中心间隔分,将图案转印区域EP2的转印区域PA1~PA4的第1分割转印区域PA11~PA41沿轨迹TRP1移动至曝光区域EF1~EF4的前方。与此动作大致并行的,如图8(A)所示,使光罩MA步进移动于+Y方向,沿轨迹TRM1将图案区域A1~A4的部分图案区域A11~A41移动至照明区域IF1~IF4的前方。
于其次的步骤108,与步骤104同样的,如图8(A)及8(B)所示,与使光罩MA移动于+X方向的动作同步使板片PT移动于+X方向,将光罩MA的第1部分图案区域A11~A41的图案的像(倒立于Y方向的像)分别扫描曝光于板片PT的图案转印区域EP2的第1分割转印区域PA11~PA41。于其次的步骤109,与步骤105同样的,使光罩MA于-Y方向仅步进移动距离Wp/M(参照图7(A)),与此大致并行的,使板片PT于反方向的+Y方向步进移动距离Wp。于其次的步骤110,与步骤106同样的,对应图8(A)的轨迹TRM2,使光罩MA移动于+X方向,并与此同步,对应图8(B)的轨迹TRP2,使板片PT移动于+Y方向,将光罩MA的第2部分图案区域A12~A42的图案的像(倒立于Y方向的像)分别扫描曝光于板片PT的图案转印区域EP2的其余的第2分割转印区域PA12~PA42。因此,于图案转印区域EP2的全面,接合出与图4(B)的元件图案30相同的像,以均匀的曝光量分布曝光。
于其次的步骤111,在有待曝光板片的情形时,移至步骤112,将基板载台PST移动至板片PT的更换位置后移至步骤101。于步骤111,已无待曝光板片的情形时,即将板片PT从基板载台PST排出(卸载)而结束曝光制造工艺。
将本实施形态的曝光方法予以整理时,即成图10(A)所示。亦即,图10(A)的板片PT的X方向宽度L2及Y方向宽度L1例如分别为3.2m及2.8m。本实施形态中,板片PT的图案转印区域EP1及EP2分别通过将光罩载台MST扫描于+X方向及-X方向的二次扫描曝光SC1、SC2及SC3、SC4而曝光,于该期间,基板载台PST进行三次步进移动ST1、ST2、ST3。各扫描曝光SC1等,分别包含一定速度的曝光时间EXt与加减速时间ADt。如以上所述,本实施形态,可将取2面的板片PT的全面以四次扫描曝光动作高效率的加以曝光。
又,如图10(B)所示,当于一片板片PT设置被相同元件图案曝光的6面图案转印区域EPA的情形时,以及如图10(C)所示,于一片板片PT设置被相同元件图案曝光的8面图案转印区域EPB的情形时,根据本实施形态的曝光方法,能分别以四次扫描曝光使板片PT的全面高效率的曝光。此外,图10(B)的情形时,于光罩MA形成有对应3个分元件图案的图案,图10(C)的情形时,则于光罩MA形成有对应4个分元件图案的图案。
接着,参照图11及图12,说明上述实施形态中,于进行扫描曝光中基板载台PST(板片PT)与光罩载台MST(光罩MA)之间产生位置偏差时的一位置对准方法例。
首先,如图11(A)所示,在基板载台PST的位置离目标位置于X方向、Y方向偏移△X、△Y的情形时,如图11(B)所示,使光罩载台MST于X方向移动△X1/M(M为投影光学***PL1~PL4的放大倍率)、于Y方向移动-△Y/M来进行大略的修正。此处,Y方向修正量的符号相反,因图2的投影光学***PL1~PL4的像倒立于Y方向之故。又,基板载台PST的位置及旋转角,例如使用以平行于X轴照射激光光束LPx1、LPx2的X轴激光干涉仪21XA、21XB、及以平行于Y轴照射激光光束LPy的Y轴激光干涉仪21YA加以测量。同样的,光罩载台MST的位置及旋转角,例如使用以平行于X轴照射激光光束LMx1、LMx2的X轴激光干涉仪22XA、22XB、及以平行于Y轴照射激光光束LMy的Y轴激光干涉仪22Y加以测量。
进一步的,将光罩载台MST的偏移量换算为基板载台PST上的偏移量的值为△X1、-△Y1。因此,使用投影光学***PL1~PL4的图3的像偏移修正机构AD12,使光罩MA的图案的像偏移该等偏移量的残差分(△X-△X1、△Y+△Y1)。据此,基板载台PST的偏移即能高精度地、且以高追踪速度加以修正。
其次,如图12(A)所示,在基板载台PST的θz方向的旋转角(例如以箭头24P所示的在板片PT中心的分割转印区域的排列方向)从目标值绕反时针偏移△θ的情形时,如图12(b)所示,使光罩载台MST(以箭头24M所示的在光罩中心的部分图案区域的排列方向)顺时针旋转角度△θ。此场合,由于图2的投影光学***PL1~PL4的像于X方向正立、于Y方向倒立,因此以投影光学***PL1~PL4形成的光罩MA的部分图案区域的像的排列方向,如箭头24MP所示,虽与板片上的箭头24P的排列方向平行,但其位置则相对基板载台PST(板片的分割转印区域)于X方向偏移△X1、△X2、△X3、△X4。偏移量△X1~△X4,若设光罩载台MST的旋转中心与投影光学***PL1~PL4的Y方向间隔为L的话,大致为-2·△θ·L。因此,如上所述,因光罩载台MST的旋转所产生的X方向的偏移量,使用投影光学***PL1~PL4的图3的像偏移修正机AD12加以修正。据此,基板载台PST的旋转角即能高精度地、且以高追踪速度加以修正。
本实施形态的作用效果等如下。
(1)上述实施形态的曝光装置100,具备:分别具有放大倍率且并排设置的复数个投影光学***PL1~PL4;对复数个投影光学***PL1~PL4配置于Y方向(既定方向)具有大于照明区域IF1~IF4的宽度(将投影光学***PL1~PL4的曝光宽度除以放大倍率M所得的宽度)、小于投影光学***PL1~PL4的配置的周期(配置间隔)的宽度(区域宽度)的图案区域A1~A4,且使图案区域A1~A4往Y方向移动的光罩载台MST(图案配置机构);保持板片PT、使板片PT往Y方向移动的基板载台PST(基板保持机构);以及进行将以投影光学***PL1~PL4形成的图案(第1图案)的投影像、以及图案(第2图案)的投影像依序转印至板片PT上的控制的主控制***23(控制部),第1图案设在各图案区域A1~A4的第1部分图案区域A11~A41,第2图案则设在相对第1部分图案区域A11~A41、至少重复部34A~34D(部分区域)在图案区域A1~A4内于Y方向相异的第2部分图案区域A12~A42。
又,以曝光装置100的主控制***23控制的曝光方法,对分别具有放大倍率、并排设置的复数个投影光学***PL1~PL4,配置于Y方向具有大于照明区域IF1~IF4的宽度、小于投影光学***PL1~PL4的配置周期(配置间隔)的宽度的图案区域A1~A4的步骤104的一部分、及步骤105的移动动作(图案配置步骤);以及将以投影光学***PL1~PL4形成的图案(第1图案)的投影像、以及图案(第2图案)的投影像依序转印至板片PT上的步骤104、106(曝光步骤),前述第1图案设在各图案区域A1~A4的第1部分图案区域A11~A41,前述第2图案则设在相对第1部分图案区域A11~A41、至少重复部34A~34D(部分区域)在图案区域A1~A4内于Y方向相异的第2部分图案区域A12~A42。
根据本实施形态,由于在光罩MA的复数个图案区域A1~A4内的第1部分图案区域A11~A41及第2部分图案区域A12~A42之间不会产生光罩图案的描绘误差,因此能抑制将该等部分图案区域的图案的像曝光于板片PT上时在接合部34PA~34PD产生的接合误差,提升光罩图案全体的投影像的转印精度。
又,与第1部分图案区域A11~A41及第2部分图案区域A12~A42于Y方向分离形成的情形相较,能缩短于该步骤105的光罩MA及板片PT的Y方向移动量(移动行程),因此能使光罩载台MST的基座部(载台机构)小型化。此外,光罩MA本身亦能小型化。
又,上述实施形态,将光罩MA的各图案区域A1~A4的图案以二次扫描曝光转印至板片PT上。然而,亦可将各图案区域A1~A4的Y方向宽度设定为照明区域IF1~IF4的宽度的3倍以上,以三次以上的扫描曝光将各图案区域A1~A4的图案转印至板片PT上。
如上所述,将各图案区域A1~A4的图案以k次(k为3以上的整数)的扫描曝光转印至板片PT上的情形时,下式将取代上述式(3)、式(4)而成立。
Pm>Wm≧(Wp×K)/M…(3A)
Pm=Pp=Wp×K…(4A)
此等场合,能在第二次以后的扫描曝光,使曝光区域EF1~EF4的Y方向宽度较第一次扫描曝光时宽度的曝光宽度Wp(最大宽度)狭小。此时,取代上述式(3)、式(4)而成立下式即可。
Pm>Wm>Wp/M…(3B)
又,光罩MA的图案区域A1~A4的数量(图案的Y方向分割数)不限于于4个,可对应投影光学***的配置数适当决定。
(2)又,投影光学***PL1~PL4分别将于Y方向倒立的像形成于像面,步骤105中沿Y方向的光罩MA的移动方向与板片PT的移动方向相反(反向侧)。据此,能将光罩MA的各图案区域A1~A4的部分图案区域A11~A41及A12~A42的像正确的加以接合曝光至板片PT上。
又,投影光学***PL1~PL4,并不限于投影于X方向正立、于Y方向倒立的像的光学***,亦可使用投影出于X方向正立、于Y方向亦正立的像的光学***,或者投影出于X方向倒立、于Y方向正立或倒立的像的光学***。
(3)又,投影光学***PL1~PL4沿Y方向配置成一列,于步骤104的光罩MA及板片PT的移动方向、与步骤106中的光罩MA及板片PT的移动方向为反方向。据此,由于能往复扫描光罩MA及板片PT,因此能缩短曝光时间。再者,由于投影光学***PL1~PL4于Y方向配置成一列,因此能将光罩MA的图案区域A1~A4于Y方向并列配置,使光罩MA小型化。
又,投影光学***PL1~PL4并不一定需须于Y方向配置成一列。在投影光学***PL1~PL4的X方向位置不同的情形时,只要调整光罩MA的图案区域A1~A4的X方向位置即可。
(4)光罩MA的第1部分图案区域A11~A41与第2部分图案区域A12~A42,其Y方向端部在重复部34A~34D重叠。据此,能降低将该等的像加以接合曝光时的接合误差。又,针对第1部分图案区域A11~A41与第2部分图案区域A12~A42能分别获得充分的图案转印精度的情形时,并不一定需要设置重复部34A~34D,而可将第1部分图案区域A11~A41与第2部分图案区域A12~A42相邻设置。此外,亦可与此对应的,在不设置接合部34PA~34PD的情形下,使第1分割转印区域PA11~PA41与第2分割转印区域PA12~PA42相邻转印。
(5)又,投影光学***PL1~PL4的Y方向的配置周期(配置间隔),为曝光区域EF1~EF4的Y方向宽度的2倍,步骤104、106,包含将光罩MA的第2部分图案区域A12~A32的图案(第2图案)的投影像于Y方向的接合部33PA~33PC(像端部),重叠于与包含第2部分图案区域A12~A32的图案区域A1~A3相邻的图案区域A2~A4所设的第1部分图案区域A21~A41的图案的像来进行转印的步骤。因此,能将光罩MA的复数个图案区域A1~A4的像一边接合于Y方向、一边曝光至板片PT上。
此外,投影光学***PL1~PL4的Y方向的配置周期,亦可以是曝光区域EF1~EF4的Y方向宽度的3倍以上的整数倍。例如若是3倍的话,可通过三次扫描曝光,将光罩MA的复数个图案区域的像一边接合于Y方向、一边曝光至板片PT上。
(6)又,投影光学***PL1~PL4的放大倍率至少以2倍较佳。如此,能将光罩MA的图案区域A1~A4的Y方向间的区域(图案间区域31A~31C)作的较宽,亦能于此等区域形成其他光罩图案。
(7)亦即,上述实施形态,在光罩MA的图案间区域31A~31D仅设有位置测量用标记32B1等,但例如图13(A)的光罩MA1所示,亦可于图案间区域31A~31D设置其他图案区域B1~B3(附加图案区域),于图案区域A4的-Y方向侧设置图案区域B4。于图案区域B1~B4,形成将图13(B)的符号“K”表示的另一图元件30B的部分元件QB1~QB24加以缩小的图案。又,于光罩MA1的图案面,光罩MA1的图案区域A1~A4与图案区域B 1~B4之间于X方向(扫描方向)的细长区域、以及图案区域A1、B4外侧于X方向的细长区域,分别被光罩载台保持的保持区域39。
此外,光罩MA1的图案区域B1~B4的图案,亦被分为第1部分图案区域B11~B41与第2部分图案区域B12~B42曝光至板片PT上。采此方式,可使用一片光罩MA1将2个元件图案用的图案像依序转印至板片上。如此,即能在不进行光罩更换的情形下,迅速进行2个元件图案用的图案转印,提升元件制造中的生产率。
又,本发明亦能适用于投影光学***PL1~PL4的倍率在1倍与2倍之间的情形。
(8)于基板载台PST侧,具有以步骤105中将板片PT移动于Y方向时的移动量间隔(测量用激光光束的间隔)配置、用以测量板片PT的X方向移动量的图2的2个激光干涉仪21XC、21XD。通过此等激光干涉仪的使用,即使移动镜51产生弯曲,亦能将板片PT的第1分割转印区域PA11~PA41与第2分割转印区域PA12~PA42的X方向位置正确的加以对齐。
(9)又,上述实施形态的图4的光罩MA,形成有透过分别具放大倍率的复数个投影光学***PL1~PL4投影曝光至板片PT上的图案的光罩,且以X方向的既定长度,分别配置有在与X方向正交的Y方向较复数个投影光学***PL1~PL4的物体面侧视野(照明区域IF1~IF4)宽度为宽的复数个图案区域A1~A4。
将此光罩MA的图案区A1~A4的图案的像分为第1部分图案区域A11~A41与第2部分图案区域A12~A42扫描曝光至板片PT,能使用上述实施形态的曝光方法,并抑制因光罩图案的描绘误差所产生的接合误差,提升光罩图案全体的投影像的转印精度。
(10)此外,于复数个图案区域A1~A4的Y方向间的区域(图案间区域31~31C)形成有位置测量用标记32B1~32C2(位置对准用标记),因此能将图案区域A1~A4的图案的像以高精度加以接合曝光。
(11)又,如图5所示,由于设有个别覆盖图案区域A1~A4的薄膜37A~37D(保护构件),因此能防止异物附着于图案区域A1~A4。
此外,上述实施形态中,虽说明光罩MA及板片PT各自的扫描方向及非扫描方向于XYZ座标系中一致,但亦可对应将光罩MA的图案的投影像形成于板片PT上的投影光学***的构成,将光罩MA及板片PT各自的扫描方向及非扫描方向于XYZ座标系中设定为不同方向。不过,光罩MA及板片PT的扫描方向及非扫描方向,在考虑投影光学***内光路的弯折等而使其在光学上一致,在此意思下,使光罩MA与板片PT于扫描方向或非扫描方向同步移动,指使光罩MA与板片PT相对投影光学***移动于光学上对应的方向(光学上同方向)之意。
又,上述实施形态中,虽说明图案区域A1~A4一体设于光罩MA上,但亦可将图案区域A1~A4形成于个别的光罩上,将各光罩一次搭载于光罩载台上。作为个别的光罩,可使用例如将光罩MA对应图案区域A1~A4加以4分割的小型光罩。此外,将对应图案区域A1~A4的复数个光罩一次搭载于光罩载台上的场合,最好是能设置用以进行各光罩间的相对位置对准的机构较佳。
又,上述实施形态中,虽说明将曝光区域EF1~EF24的曝光宽度设定为既定大小的情形下,进行图9所示的一连串处理,但亦可就各处理变更曝光区域EF1~EF24的曝光宽度。例如可在转印设于第1部分图案区域A11~A41的图案的情形、与在转印设于第2部分图案区域A12~A42的图案的情形时,变更曝光宽度。据此,即能在投影光学***的配置间隔范围内自由的设定各图案区域A1~A4及图案转印区域EP1、EP2的非扫描方向宽度。又,曝光区域EF1~EF4的曝光宽度,如上所述,例如可使用可变视野光阑8来加以变更。
其次,可使用上述实施形态的图2的曝光装置100,于感光基板(玻璃板)上形成既定图案(电路图书、电极图案等)据以制造液晶显示元件等的元件。以下,参照图14的流程图说明此制造方法的一例。
图14的步骤S401(图案形成步骤),首先,实施于曝光对象的基板上涂布光刻胶以准备感光基板的涂布步骤、使用上述扫描型的投影曝光装置将液晶显示元件用的光罩的图案转印曝光至该感光性基板的曝光步骤、以及使该感光基板显影的显影步骤。通过包含此涂布步骤、曝光步骤及显影步骤的光微影制造工艺,于该基板上形成既定光刻胶图案(转印图案层)。接着此微影制造工艺后,经由将该光刻胶图案作为光罩的蚀刻步骤、及光刻胶剥离步骤等,于该基板上形成包含多数电极等的既定图案。该微影制造工艺等,视该基板上的层数实施复数次。
于其次的步骤S402(彩色滤光片形成步骤),通过将对应红R、绿R、蓝B的3个微细滤器的组多数排列成矩阵状、或将复数个红R、绿G、蓝B的3条条状滤器的组排列于水平扫描线方向来形成彩色滤光片。于其次的步骤403(单元组装步骤),例如将在步骤S401所得的具有既定图案的基板与在步骤S402所得的彩色滤光片之间注入液晶,以制造液晶面板(液晶单元)。
于其后的步骤S404(模块组装步骤),安装用以进行所组装的液晶面板(液晶单元)的显示动作的电路、及背光组等零件后,完成液晶显示元件。
如上所述,上述液晶显示元件的制造方法,包含使用上述实施形态的曝光装置将设于光罩的图案的投影像转印至板片(感光基板)的曝光步骤、使被转印该投影像的板片显影以在板片上形成对应该投影像的形状的转印图案层的显影步骤、以及透过该转印图案层对板片PT进行加工的加工步骤。
使用上述液晶显示元件的制造方法,由于能减轻光罩图案的描绘误差的影响,因此能高精度的进行液晶显示元件的制造。
又,本发明不限于扫描型曝光装置,亦能适用于以一次型曝光装置(步进型曝光装置)进行曝光的场合。
此外,本发明不限于上述实施形态,在不脱离本发明的要旨范围内可有各种构成。
Claims (28)
1.一种曝光方法,其包含:
图案配置步骤,对分别具有放大倍率、并排的复数个投影光学***,配置于既定方向具有大于将所述的投影光学***的曝光宽度除以所述的放大倍率所得的宽度、小于所述的投影光学***的配置间隔的区域宽度的图案区域;以及
曝光步骤,将以所述的投影光学***形成的第1图案的投影像、以及第2图案的投影像依序转印至基板上,所述的第1图案设在各所述的图案区域的第1部分图案区域,所述的第2图案则设在部分区域相对所述的第1部分图案区域重复且其他区域在所述的图案区域内于所述的既定方向相异的第2部分图案区域;
所述的曝光步骤,一边使所述的图案区域及所述的基板同步移动于与所述的既定方向正交的扫描方向、一边转印所述的第1图案的所述的投影像与所述的第2图案的所述的投影像。
2.如权利要求1所述的曝光方法,其中,所述的曝光步骤包含:
第1曝光步骤,将各所述的图案区域的所述的第1图案的所述的投影像,转印至所述的基板上分别对应的第1部分转印区域;以及
第2曝光步骤,将各所述的图案区域的所述的第2图案的所述的投影像,转印至所述的基板上分别对应、相对所述的第1部分转印区域至少部分区域在所述的既定方向相异的第2部分转印区域。
3.如权利要求1所述的曝光方法,其中,所述的第1部分图案区域与所述的第2部分图案区域被设成所述的既定方向的区域交界部重叠;
所述的曝光步骤,将所述的第1图案的所述的投影像与所述的第2图案的所述的投影像在所述的既定方向的像交界部加以重叠转印。
4.如权利要求1所述的曝光方法,其中,所述的配置间隔为所述的曝光 宽度的整数倍;
所述的曝光步骤,将所述的第2图案的所述的投影像于所述的既定方向的像端部,重叠于与包含设置所述的第2图案的所述的第2部分图案区域的所述的图案区域相邻的所述的图案区域所设的图案以所述的投影光学***投影的投影像加以转印。
5.如权利要求1所述的曝光方法,其中,所述的曝光步骤,使所述的图案区域及所述的基板同步移动于所述的扫描方向的第1面向、一边转印所述的第1图案的所述的投影像,使所述的图案区域及所述的基板同步移动于所述的扫描方向的第2面向、一边转印所述的第2图案的所述的投影像。
6.如权利要求1所述的曝光方法,其中,所述的投影光学***于所述的既定方向形成倒立的所述的投影像;
所述的曝光步骤,在转印所述的第1图案的所述的投影像后、至转印所述的第2图案的所述的投影像前,使所述的图案区域与所述的基板往所述的既定方向的彼此相反侧移动。
7.如权利要求1所述的曝光方法,其包含:
附加图案配置步骤,将与所述的图案区域相邻设置,于所述的既定方向具有大于所述的曝光宽度除以所述的放大倍率所得宽度、小于所述的配置间隔的区域宽度的附加图案区域,分别相对复数个所述的投影光学***配置;以及
附加图案曝光步骤,将设在各所述的附加图案区域的第1部分附加图案区域的第1附加图案以投影光学***投影的投影像,以及设在相对所述的第1部分附加图案区域、至少一部分区域在所述的附加图案区域内于所述的既定方向不同的第2部分附加图案区域的第2附加图案以投影光学***投影的投影像,依序转印至所述的基板上。
8.如权利要求7所述的曝光方法,其中,复数个所述的图案区域及所述的附加图案区域于光罩基板上于所述的既定方向交互设置;
所述的图案配置步骤,对复数个所述的投影光学***配置所述的光罩基板;
所述的附加图案配置步骤,相对复数个所述的投影光学***使所述的光罩基板移动于所述的既定方向。
9.如权利要求1所述的曝光方法,其中,所述的放大倍率至少为2倍。
10.如权利要求1所述的曝光方法,其中,复数个所述的投影光学***于所述的既定方向排列成一列。
11.一种曝光装置,其具备:
复数个投影光学***,分别具有放大倍率且并排设置;
图案配置机构,对复数个所述的投影光学***,配置于既定方向具有大于所述的投影光学***的曝光宽度除以所述的放大倍率所得的宽度、小于所述的投影光学***的配置间隔的区域宽度的图案区域,且使所述的图案区域往所述的既定方移动;
基板保持机构,供保持基板、使所述的基板往所述的既定方向移动;以及
控制部,进行将以所述的投影光学***形成的第1图案的投影像、以及第2图案的投影像依序转印至基板上的控制,所述的第1图案设在各所述的图案区域的第1部分图案区域,所述的第2图案则设在部分区域相对所述的第1部分图案区域重复且其他区域在所述的图案区域内于所述的既定方向相异的第2部分图案区域;
所述的图案配置机构使所述的图案区域往与所述的既定方向正交的扫描方向移动;
所述的基板保持机构,使所述的基板往所述的扫描方向移动;
所述的控制部,进行一边使所述的图案区域及所述的基板同步往所述的扫描方向移动、一边转印所述的第1图案的所述的投影像与所述的第2图案的所述的投影像的控制。
12.如权利要求11所述的曝光装置,其中,所述的图案配置机构具有保持形成有所述的图案区域的物体的图案保持机构。
13.如权利要求11所述的曝光装置,其中,所述的第1部分图案区域与所述的第2部分图案区域被设成所述的既定方向的区域交界部重叠;
所述的控制部,进行将所述的第1图案的所述的投影像与所述的第2图案的所述的投影像在所述的既定方向的一方的像交界部加以重叠转印的控制。
14.如权利要求11所述的曝光装置,其中,所述的配置间隔为所述的曝光宽度的整数倍。
15.如权利要求14所述的曝光装置,其中,所述的控制部,进行将所述的第2图案的所述的投影像于所述的既定方向的像端部,重叠于与包含设置所述的第2图案的所述的第2部分图案区域的所述的图案区域相邻的所述的图案区域所设的图案以所述的投影光学***投影的投影像加以转印的控制。
16.如权利要求11所述的曝光装置,其中,所述的投影光学***,于所述的既定方向形成倒立的所述的投影像;
所述的控制部,在转印所述的第1图案的所述的投影像后、至转印所述的第2图案的所述的投影像前,使所述的图案区域与所述的基板往所述的既定方向的彼此相反侧移动。
17.如权利要求11所述的曝光装置,其中,所述的图案配置机构,将与所述的图案区域相邻设置,于所述的既定方向具有大于所述的曝光宽度除以所述的放大倍率所得宽度、小于所述的配置间隔的区域宽度的附加图案区域,分别相对复数个所述的投影光学***配置,且使所述的附加图案区域往所述的既定方向移动;
所述的控制部,进行将设在各所述的附加图案区域的第1部分附加图案区域的第1附加图案以投影光学***投影的投影像,以及设在相对所述的第1部分附加图案区域、至少一部分区域在所述的附加图案区域内于所述的既定 方向不同的第2部分附加图案区域的第2附加图案以投影光学***投影的投影像,依序转印至所述的基板上的控制。
18.如权利要求17所述的曝光装置,其中,所述的图案配置机构具有保持形成有所述的附加图案区域的物体的附加图案保持机构。
19.如权利要求17所述的曝光装置,其中,所述的图案区域及所述的附加图案区域一体形成在光罩构件上;
所述的图案配置机构具有保持所述的光罩构件的光罩保持机构。
20.如权利要求19所述的曝光装置,其中,所述的光罩保持机构具有用以支承在所述的图案区域与所述的附加图案区域的区域间的所述的光罩构件的支承部。
21.如权利要求12所述的曝光装置,其中,所述的图案区域一体形成在光罩构件上;
所述的图案保持机构具有用以支承在相邻所述的图案区域间的所述的光罩构件的支承部。
22.如权利要求11所述的曝光装置,其具备以相等于所述的曝光宽度的间隔排列于所述的既定方向、用以测量所述的图案配置机构往所述的扫描方向的移动量的复数个激光干涉仪。
23.如权利要求11所述的曝光装置,其具备将所述的曝光宽度往所述的既定方向设定为可变的光阑机构。
24.如权利要求21所述的曝光装置,其中,所述的放大倍率至少为2倍。
25.如权利要求11所述的曝光装置,其中,复数个所述的投影光学***于所述的既定方向排列成一列。
26.一种元件制造方法,其包含:
使用权利要求11至25中任一项所述的曝光装置,将设于所述的图案区域的图案的以所述的投影光学***形成的投影像,转印至感光基板的曝光步骤;
使转印有所述的投影像的所述的感光基板显影,以将对应所述的投影像的形状的转印图案层,形成于所述的感光基板上的显影步骤;以及
透过所述的转印图案层对所述的感光基板进行加工的加工步骤。
27.一种元件制造方法,其包含:
使用权利要求1至10中任一项所述的曝光方法,将设于所述的图案区域的图案的以所述的投影光学***形成的投影像,转印至感光基板的曝光步骤;
使转印有所述的投影像的所述的感光基板显影,以将对应所述的投影像的形状的转印图案层,形成于所述的感光基板上的显影步骤;以及
透过所述的转印图案层对所述的感光基板进行加工的加工步骤。
28.一种元件制造方法,其包含:
通过权利要求7或8所述的曝光方法,将设于所述的图案区域的图案的所述的投影像、与设于所述的附加图案区域的附加图案的所述的投影像,依序转印至感光基板的曝光步骤;
使转印有所述的图案的所述的投影像与所述的附加图案的所述的投影像的至少一方的所述的感光基板显影,以将对应所述的图案的所述的投影像与所述的附加图案的所述的投影像的至少一方的形状的转印图案层,形成于所述的感光基板上的显影步骤;以及
透过所述的转印图案层对所述的感光基板进行加工的加工步骤。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104460236A (zh) * | 2013-09-18 | 2015-03-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于光刻的高生产量和小占位面积扫描曝光的***和方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8253923B1 (en) * | 2008-09-23 | 2012-08-28 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
CN102419334A (zh) * | 2011-09-13 | 2012-04-18 | 浙江中控太阳能技术有限公司 | 一种能同时检测平面镜平整度和清洁度的装置及方法 |
CN103869602A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其实现曝光接合的方法 |
CN103969958B (zh) * | 2013-01-25 | 2016-03-30 | 上海微电子装备有限公司 | 一种多曝光视场拼接***和方法 |
JP5344105B1 (ja) | 2013-03-08 | 2013-11-20 | ウシオ電機株式会社 | 光配向用偏光光照射装置及び光配向用偏光光照射方法 |
CN104749902B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-02-15 | 上海微电子装备有限公司 | 掩模板面型整形装置 |
JP5773095B1 (ja) * | 2015-02-10 | 2015-09-02 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置および光照射方法 |
CN106802538B (zh) * | 2017-03-16 | 2019-01-29 | 无锡影速半导体科技有限公司 | 超大板直写式光刻机扫描曝光方法 |
US10474027B2 (en) | 2017-11-13 | 2019-11-12 | Macronix International Co., Ltd. | Method for forming an aligned mask |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19757074A1 (de) * | 1997-12-20 | 1999-06-24 | Zeiss Carl Fa | Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren |
CN1460897A (zh) * | 2002-05-23 | 2003-12-10 | 三荣技研株式会社 | 扫描曝光方法和扫描曝光装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3505813B2 (ja) * | 1994-11-01 | 2004-03-15 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
JP2000331909A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JP4362999B2 (ja) * | 2001-11-12 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2004335864A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4984810B2 (ja) | 2006-02-16 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置及びフォトマスク |
JP5453806B2 (ja) | 2006-02-16 | 2014-03-26 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びディスプレイの製造方法 |
JP4952182B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2012-06-13 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置、マイクロデバイスの製造方法、走査露光方法、及びマスク |
-
2008
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-
2013
- 2013-07-08 HK HK13107916.1A patent/HK1182184A1/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19757074A1 (de) * | 1997-12-20 | 1999-06-24 | Zeiss Carl Fa | Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren |
CN1460897A (zh) * | 2002-05-23 | 2003-12-10 | 三荣技研株式会社 | 扫描曝光方法和扫描曝光装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP特开平7-183188A 1995.07.21 |
Cited By (1)
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