CN101785369A - 用于产生极紫外辐射的模块和方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于产生极紫外辐射的模块(1)包括：供给装置，该供给装置被配置以将点燃材料的液滴供给到预定目标点燃位置上；激光器(6)，该激光器被布置以聚焦到该预定目标点燃位置上并通过撞击位于预定目标点燃位置处的这样的液滴(4)来产生等离子体，以便将液滴变成用于产生极紫外辐射的等离子体。另外，模块包括收集反射镜(12)，该收集反射镜具有反射镜表面(14)，该反射镜表面被构造和布置以反射辐射，以便将辐射聚焦到焦点(FP)上。流体供给装置(2)被构造和布置以在横向于反射镜表面的方向上形成远离反射镜表面流动的气流(GF)，以便减缓由等离子体产生的颗粒碎片。

Description

用于产生极紫外辐射的模块和方法
技术领域
本发明涉及用于产生极紫外辐射的模块和方法。所述模块及方法可以用于光刻设备和器件制造方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式将图案从图案形成装置转移到衬底上。
为了能够将不断减小的结构投影到衬底上，已经提出使用波长在10-20nm范围内的极紫外辐射，优选地波长在13-14nm范围内。
为了产生这样的辐射，通过将激光聚焦到液滴上，可以产生等离子体，从而将液滴(优选为锡液滴)转变成用于产生极紫外辐射的等离子体。通常，所谓的收集反射镜可以用于将辐射聚焦到焦点上。
除了极紫外辐射之外，等离子体通常产生成颗粒形式的碎片，例如热化原子、离子、中子、纳米团簇和/或微颗粒。碎片可能对收集反射镜和其它光刻装置造成损坏。为了防止碎片造成损坏，可以将缓冲气体用于等离子体的附近区域中，用于减缓碎片。另外，已经发现在产生极紫外辐射时收集反射镜会劣化和形变。
发明内容
期望防止收集反射镜的变形和劣化。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于产生极紫外辐射的模块，该模块包括：供给，该供给被配置以将点燃材料的一个或更多个液滴供给到预定的目标点燃位置上；激光器，该激光器被布置以聚焦到预定目标点燃位置上和以在液滴位于预定目标点燃位置时通过撞击液滴产生等离子体，用于将液滴变成极紫外产生的等离子体；收集反射镜，该收集反射镜具有反射镜表面，该反射镜表面被构造和布置以反射辐射，用于将辐射聚焦到焦点上；和流体供给，该流体供给被配置以在横向于反射镜表面的方向上形成流动远离反射镜表面的气流，用于减轻由等离子体产生的颗粒碎片。
根据本发明的另一方面，这样的模块可以包含在光刻投影设备中，该光刻投影设备被布置以将图案从图案形成装置投影到衬底上，且具体地在这样的设备中，包括：照射***，该照射***被配置以调节辐射束；支撑件，该支撑件被构造以支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；被构造保持衬底的衬底台；和投影***，该投影***被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于产生极紫外辐射的方法，其中辐射束例如激光束被聚焦到点燃材料的液滴上，液滴位于预定的目标点燃位置上用于将液滴变成极紫外辐射产生的等离子体；使用具有反射镜表面的收集反射镜反射辐射，用于将辐射聚焦到焦点上；和在横向于反射镜表面的方向上提供流动远离反射镜表面的气流，用于减轻由等离子体产生的颗粒碎片。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于产生极紫外辐射的模块，包括：燃料供给，其被配置以将点燃材料供给到靠近腔中的轴线的期望的位置；被配置以输出辐射束的辐射源，辐射束被引导至期望的位置，以便于照射点燃材料，以形成被配置以发射极紫外辐射的等离子体；收集反射镜，该收集反射镜包括定位在腔中的反射镜表面，反射镜表面被构造和布置以将极紫外辐射反射和聚焦到靠近轴线定位的焦点上；和流体供给，该流体供给被构造以沿轴线的方向供给气流，以减轻由等离子体产生的颗粒碎片。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；
图2示出根据本发明的模块的实施例的示意图；
图3是根据本发明的模块的另一实施例的收集器的正视图；
图4是图3中的收集器的侧视图；和
图5是根据本发明的模块的还一实施例的侧视图；
图6和7是根据本发明的模块的又一实施例；
图8是图6中的模块的散热器；和
图9是图7中的模块的散热器。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射***(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，极紫外(EUV)辐射)；支撑结构或支撑件(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和投影***(例如折射式投影透镜***)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射***可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影***)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影***”应该广义地解释为包括任意类型的投影***，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学***、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其它因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影***”同义。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
光刻设备还可是这种类型，其中衬底的至少一部分被相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影***和衬底之间的空间。浸没液体还可应用至光刻设备的其它空间，例如在掩模和投影***之间。浸没技术用于提高投影***的数值孔径在本领域是公知的。在此处所使用的术语“浸没”并不是指结构(例如衬底)必须浸没在液体中，而是仅指液体在曝光期间位于投影***和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递***BD(未在图1中显示)的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递***BD一起称作辐射***。
所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(未在图1中显示)。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN(未在图1中显示)和聚光器CO(未在图1中显示)。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在被图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过投影***PS，所述投影***PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构(例如掩模台)MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构(例如掩模台)MT可以仅与短行程致动器相连，或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
所示的设备可以用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2显示出根据本发明的实施例的被配置以产生极紫外辐射的模块1的示意图。模块1可以适合用作源SO和给照射器IL提供辐射束。模块1包括供给(例如流体供给)装置2，其被配置以将点燃材料的一个或更多个液滴4供给到预定的目标点燃位置TIP。另外，例如激光器或激光源的辐射源6被包含在模块1中，激光器6被布置以产生被聚焦到预定的目标点燃位置TIP上的束，以便通过撞击设置在预定的目标点燃位置TIP处的液滴4来产生用于产生极紫外的等离子体8。在一个实施例中，液滴可能被设置在靠近腔的轴线的位置。模块1还包括：包含收集反射镜12的腔10，该收集反射镜12包括被构造且被布置以反射辐射的反射镜表面14，以便将辐射聚焦到焦点FP上；和流体供给装置16，所述流体供给装置16被构造以形成在横向于反射镜表面14的方向D上从反射镜表面14流走的气流GF，以便减缓由等离子体产生的颗粒碎片。
优选地通过使用佩克莱特(Peclet)效应来实现颗粒碎片的减缓。所谓的佩克莱特数描述流动的对流比率与其扩散(通常是热扩散)比率。在热扩散情况下，它等于雷诺(Reynold)数与普朗特(Prandtl)数的乘积，在质量扩散的情况下，它等于雷诺数与施密特(Schmidt)数的乘积。通过产生对流足够高的流动，佩克莱特数将变得很高，使得到达收集反射镜的颗粒碎片将足够少。用于气流的适合的速度可以被发现是大于约5m/s的速度。以大约5m/s和更高的速度，例如SnH4的氢化物可以被传送远离收集反射镜表面14。典型地，气流的速度可以是100m/s。
在实施例中，焦点可以位于靠近轴线的位置。该轴线可以是光轴。气流GF可以在等离体产生期间通过孔18进行连续供给。
因为在目标点燃位置的附近中的或多或少的静止的缓冲气体的热负载将导致收集反射镜的变形和劣化，所以在图2中描述的模块1处于操作中时形成气流，气流GF流动远离反射镜表面14，从而减小了气流GF中的气体和反射镜表面14之间的热接触的量。
用作流体供给装置16的一个或更多个孔18可以设置在反射镜12中，每个孔被配置以允许气流GF的至少一部分通过。优选地，可以将一个或更多个孔20设置在激光器6中，以允许气流GF的至少一部分通过。在另一实施例中，气流GF被供给到具有被布置在模块1中的多个流体供给装置(或流体供给单元)22的腔10中。每个流体供给装置22被布置以提供气体的子流(subflow)，每个子流被朝中心区域引导，使得由在中心区域中出现的子流之间的碰撞来提供远离反射镜表面的气流。
模块1包括泵24，其被布置以将气体从腔10中抽出。优选地，由压力控制器21来控制泵24，所述压力控制器21被布置以控制泵24，以便将压力保持在约10Pa至400Pa的范围内的水平，更具体地保持在约20Pa至200Pa的范围内。非常适合的压力水平是100Pa。由于相对高的操作温度，这样的气体压力不会削弱***对极紫外辐射的透射率，在气体是氢气的情况下尤其如此。应当理解，可以以另一方式，例如通过流体供给装置16而不是泵24，来控制压力。
在模块被包含在光刻投影设备(例如图1中显示的设备)中的情形，泵24可以用于防止气流GF流入到设备的其它部分中，例如到照射***IL。
如之前提及的，气流可以包括分子态和/或原子态氢或任何其它的适合的气体。可以由供给气体的流体供给装置16来供给气体。流体供给装置还可以供给液体，所述液体在进入腔10中时转变成气相。
参考图3，公开了图2的实施例的替代实施例。图3的实施例类似于图2的实施例。区别是，在图3的实施例中，流体供给2包括布置在靠近收集反射镜12的反射镜表面14的位置上的一个或更多个歧管26。歧管26被配置以通过多个孔18供给气流。通过采用歧管26，消除了在收集反射镜12中提供孔的需要，所述歧管26可以是与收集反射镜12分离的结构。这显著地增加了根据本发明的模块的可制造性。
在图3的实施例中，歧管26被定位在腔10中，使得孔18朝等离子体目标点燃位置引导气体。
图4是图3的收集反射镜12的侧视图。然而，在图4中，激光源6被显示出且延伸穿过孔28(还可参见图3)。
图5是模块的还一实施例的侧视图。图5的实施例非常类似于图2的实施例。然而，在图5中，模块1另外地包括气体收集***30，所述气体收集***30被配置以收集包括所述至少一部分来自颗粒碎片的颗粒中的至少一部分的气流。如图5所见，气体收集***被配置以在相对于目标点燃位置与流体供给装置对面的位置处收集气流。流体供给装置16和气体收集***被布置使得气流可以达到约100m/s的速度或在10m/s至1000m/s的范围内的任何其它的流速。
如所看到的，在图5中的由流体供给装置16供给的气流是相当窄的射流。气体收集***30的使用可以分别与图2和3中的实施例的孔16的类型结合。以这种方式，可以获得更均一的且更宽阔的气流，作为背景气流。
图6和7公开了用于产生极紫外(EUV)辐射的还一模块101。该模块包括极紫外辐射发射源，所述源设置有将点燃材料的流体供给到预定的目标点燃位置TIP的供给装置。虽然，为了清楚的原因未在图6和7中显示出，但是所述供给装置可以与图2中显示出的供给装置2相同或至少与其类似。
所述源还可设置有目标点燃机构106，在图6和7中的各个实施例中为激光器，其被构造和布置以在目标点燃位置处从点燃材料产生等离子体，所述等离子体发射EUV辐射。在这种情形下，所述源是激光诱导的等离子体(LPP)源并延伸穿过具有反射镜表面114的收集反射镜112中的孔。另一类型的这样的源是放电产生的等离子体(DPP)源。
收集器112被包含在模块101中，且被构造和布置以将由等离子体发射的辐射聚焦到焦点FP，散热器132具有热能转移表面134，该表面134被构造和布置以将热能远离目标点燃位置TIP而转移。有利地，散热器132可以设置在靠近目标点燃位置的位置处，如图6和7所示。
在图6和7的实施例中，所述模块包括腔(未在附图中显示出其整体)，源、收集反射镜112以及散热器132设置在所述腔中。所述腔可以包含分子态氢、氢根或它们的混合物。
图6中的模块101不同于图7中的模块101之处在于，图7中显示出的模块101的散热器132具有圆柱形形状(参见图8)，而图6中示出的模块101的散热器132具有圆锥形形状(图9)且朝焦点FP逐渐变细。典型地，散热器132可以具有直径为约80mm或约160mm的横截面。图9中的圆锥形散热器132的敞开角度是约10度或约20度。
在图6和7的两个实施例中，散热器132被定位在一区段中，所述区段免受由收集反射镜112引导到焦点FP的辐射，这是因为该区段被收集反射镜中的非反射性部分136屏蔽而免受反射镜112的反射镜表面114的反射。收集反射镜的该部分136缺少反射性，是由于它处于目标点燃机构106(即激光器)延伸通过收集反射镜112所在的位置。因此，散热器132不阻挡由收集反射镜112反射的任何EUV辐射，并且因此对焦点FP处的EUV辐射强度不会产生有害的作用。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其它的应用，例如制造集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将此处使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
虽然以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以有其它的应用，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有在5-20nm范围内的波长)以及粒子束(例如离子束或电子束)。
在允许的情况下，术语“透镜”可以指的是不同类型的光学部件中的任何一个或组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上描述旨在进行解释，而不是限制性的。因而，本领域普通技术人员可以理解，在不偏离下述权利要求的保护范围的前提下可以对所描述的发明进行修改。

Claims (35)

1.一种用于产生极紫外辐射的方法，所述方法包括步骤：
将辐射束，例如激光束，引导到点燃材料的液滴上，所述液滴位于预定目标点燃位置上，以便将液滴变成被配置以产生极紫外辐射的等离子体；
使用包括反射镜表面的收集反射镜来反射所述辐射以将所述辐射聚焦到焦点上；和
提供气流，所述气流在大致横向于所述反射镜表面的方向上远离所述反射镜表面流动，以减缓由所述等离子体产生的颗粒碎片。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述气流包括分子态氢和/或原子态氢。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述目标点燃位置和所述反射镜位于一腔中。
4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述腔中的气压保持在约10Pa和400Pa之间。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述气压在约20Pa和200Pa之间。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述反射镜包括一个或更多个孔，每个所述孔被配置以允许所述气流的至少一部分通过。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，输出激光束的激光器设置有一个或更多个孔，每个所述孔被配置以允许所述气流的至少一部分通过。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，提供了气体的多个子流，所述子流中的每一个被朝向中心区域引导，使得由出现在所述中心区域中的所述子流之间的碰撞来提供远离所述反射镜表面的气流。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，流动远离所述反射镜表面的所述气流由在靠近所述收集反射镜的位置处布置的一个或更多个歧管来提供。
10.根据权利要求9所述的方法，其中包括来自所述颗粒碎片的所述颗粒的至少一部分的所述气流被收集。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述包括来自所述颗粒碎片的颗粒的所述至少一部分的气流被在相对于所述目标点燃位置的与所述反射镜表面相对的位置处收集。
12.一种用于产生极紫外辐射的模块，所述模块包括：
供给装置，所述供给装置被配置以将点燃材料的一个或更多个液滴供给到预定目标点燃位置上；
辐射源，所述辐射源被配置以供给激光束，所述激光束被布置以被聚焦到预定目标点燃位置上和通过撞击位于所述预定目标点燃位置处的液滴来产生等离子体，以便将所述液滴变成用于产生极紫外的等离子体；
收集反射镜，所述收集反射镜包括反射镜表面，所述反射镜表面被构造和布置以反射所述辐射，用于将所述辐射聚焦到焦点处；和
流体供给装置，所述流体供给装置被构造以形成气流，所述气流在大致横向于所述反射镜表面的方向上远离所述反射镜表面流动，以减缓由所述等离子体产生的颗粒碎片。
13.根据权利要求12所述的模块，其中，所述气体包括分子态氢和/或原子态氢。
14.根据权利要求12或13所述的模块，其中，所述模块包括一腔，所述目标点燃位置和所述反射镜位于所述腔中。
15.根据权利要求14所述的模块，其中，所述模块包括被布置以从所述腔中抽出气体的一个或更多个泵。
16.根据权利要求14或15所述的模块，其中，所述模块设置有压力控制器，所述压力控制器被构造以将所述腔中的气体压力保持在约10Pa和400Pa之间。
17.根据权利要求16所述的模块，其中，所述气体压力在20和200Pa之间。
18.根据权利要求14-17中任一项所述的模块，其中，所述模块包括：一个或更多个泵，被布置以从所述腔中抽出气体；和压力控制器，被布置以控制所述一个或更多个泵，以便将所述腔中的气体压力保持在约10Pa和400Pa之间。
19.根据权利要求18所述的模块，其中所述气体压力在约20Pa和200Pa之间。
20.根据权利要求12-19中任一项所述的模块，其中，所述反射镜包括一个或更多个孔，每个所述孔被配置以允许所述气流的至少一部分通过。
21.根据权利要求12-20中任一项所述的模块，其中，所述激光源设置有一个或更多个孔，每个所述孔被配置以允许所述气流的至少一部分通过。
22.根据权利要求12-21中任一项所述的模块，其中，所述模块包括多个流体供给装置，每个所述流体供给装置被布置以提供气体的子流，且所述子流中的每一个被朝向中心区域引导，使得由出现在所述中心区域中的所述子流之间的碰撞来提供远离所述反射镜表面的气流。
23.一种用于产生极紫外辐射的模块，所述模块包括：
燃料供给装置，所述燃料供给装置被配置以将点燃燃料供给到靠近腔中的轴线的期望的位置上；
辐射源，所述辐射源被配置以输出辐射束，所述辐射束被引导至所述期望的位置，以便辐射所述点燃材料，以形成被配置以发射极紫外辐射的等离子体；
收集反射镜，所述收集反射镜包括定位在所述腔中的反射镜表面，所述反射镜表面被构造和布置以将所述极紫外辐射反射和聚焦到位于靠近所述轴线处的焦点上；和
流体供给装置，所述流体供给装置被构造以大致沿所述轴线的方向供给气流，以减缓由所述等离子体产生的颗粒碎片。
24.根据权利要求23所述的模块，其中，所述气流大致平行于所述轴线流动。
25.根据权利要求23或24所述的模块，其中，所述气流被配置以远离所述反射镜表面且朝向所述焦点流动。
26.根据权利要求23、24或25所述的模块，其中，所述流体供给装置包括被配置以分别产生第一子流和第二子流的第一流体供给单元和第二流体供给单元，所述第一子流和第二子流被朝向靠近所述轴线所述反射镜表面的中心区域引导，以形成所述气流。
27.根据权利要求12-26中任一项所述的模块，其中，所述流体供给装置包括一个或更多个歧管，所述歧管被布置在靠近所述收集反射镜的位置处，且被配置以供给所述气流。
28.根据权利要求12-27中任一项所述的模块，其中，所述模块包括气体收集***，所述气体收集***被配置以收集包括来自所述颗粒碎片的颗粒的所述至少一部分中的至少一部分的气流。
29.根据权利要求28所述的模块，其中，所述气体收集***被配置以在相对于所述目标点燃位置与所述流体供给装置对面的位置处收集所述气流。
30.一种光刻投影设备，所述光刻投影设备被布置以将图案从图案形成装置投影到衬底上，所述光刻设备包括：
照射***，所述照射***被配置以调节辐射束；
支撑件，所述支撑件被构造以保持图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；
衬底台，所述衬底台被构造以保持衬底；
投影***，所述投影***被配置以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和
根据权利要求12-29中任一项所述的模块。
31.一种用于产生极紫外辐射的方法，所述方法包括步骤：
用辐射束辐射点燃材料，以形成被配置以发射极紫外辐射的等离子体；
使用包括反射镜表面的收集反射镜将所述极紫外辐射反射和聚焦到焦点上；和
在大致横向于所述反射镜表面的方向上供给远离所述反射镜表面流动的气流，以减缓由所述等离子体产生的颗粒碎片。
33.一种用于产生极紫外辐射的模块，所述模块包括：
极紫外辐射发射源，所述源设置有供给装置和目标点燃机构，所述供给装置被配置以将点燃材料的流体供给到预定目标点燃位置，所述目标点燃机构被构造和布置以在所述目标点燃位置处从所述点燃材料产生等离子体，所述等离子体发射所述极紫外辐射；
收集反射镜，所述收集反射镜被构造和布置以将由所述等离子体发射的辐射聚焦到焦点上；和
散热器，所述散热器具有热能转移表面，所述热能转移表面被构造和布置以将热能远离所述目标点燃位置而转移，
其中，所述散热器位于靠近所述目标点燃位置的位置处。
34.根据权利要求33所述的模块，所述散热器至少部分地被设置在一区段中，所述区段免受被所述收集反射镜引导至所述焦点的辐射。
35.根据权利要求34所述的模块，其中，免受辐射的所述区段由所述收集反射镜中的非反射性部分和所述收集反射镜的所述非反射性部分相对于所述目标点燃位置的位置来限定。
36.根据权利要求33、34或35所述的模块，其中所述模块包括一腔，所述源、所述收集器以及散热器位于所述腔中，所述腔还包括分子态氢和/或氢根。
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