CN102736442B - 光刻设备和方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光刻设备和方法。所述光刻设备包括投影***，投影***包括多个反射性光学元件。反射性光学元件中的一个设置有开口，所述开口穿过反射性光学元件。所述开口由覆盖层封闭，所述覆盖层对于EUV辐射基本上是透明的。覆盖层防止污染物进入到投影***中，同时允许图案化的EUV辐射从投影***通到衬底上。

Description

光刻设备和方法

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。

已广泛地承认光刻术是IC和其它的器件和/或结构制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸不断变小，光刻术正在成为使微型的IC或其它器件和/或结构能够被制造的越来越关键的因素。

通过如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的限制的理论估计：

$\mathrm{CD}=k_1*\frac{\mathrm{\λ}}{\mathrm{NA}}---\left(1\right)$

其中，λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影***的数值孔径，k₁是依赖于过程的调整因子，也称为瑞利常数，以及CD是被印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)可以得出，可以以三种方式实现减小特征的最小可印刷尺寸：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此使最小可印刷的尺寸减小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm的范围内的波长的电磁辐射，例如在13-14nm的范围内，例如在5-10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm。可能的源包括例如激光产生等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

EUV辐射可以通过使用等离子体来产生。用于产生EUV辐射的辐射***可以包括用于激励燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器模块。可以例如通过将激光束引导至燃料来产生等离子体，所述燃料诸如是适合的材料(例如锡)的颗粒、或适合的气体或蒸汽(诸如Xe气体或Li蒸汽)的流。所产生的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射且将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包封结构或腔，所述包封结构或腔布置成提供真空环境以维持等离子体。这样的辐射***典型地被用术语“激光产生等离子体(LPP)源”表示。

EUV光刻设备的投影***使用反射镜以将来自图案形成装置的辐射引导至衬底。如果污染物聚集在反射镜上，那么它们的反射率将被减小且传递至衬底的辐射的强度将减小。这可能减小光刻设备的生产率(即，通过光刻设备每小时形成图案的衬底的数量)。

可能期望以现有技术中未知的方式来防止或限制污染物通入到光刻设备的投影***中。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，其包括投影***，所述投影***包括多个反射性光学元件，其中开口穿过所述反射性光学元件中的一个和穿过所述投影***的壁，其中所述开口由覆盖层封闭，所述覆盖层对于EUV辐射基本上是透明的。

所述开口可以设置在反射性光学元件中，所述反射性光学元件比其他的反射性光学元件更靠近光刻设备的衬底台。所述反射性光学元件可以包括投影***的壁的一部分。替代地，投影***的壁可以与反射性光学元件分离。

所述覆盖层可以定位成在所述开口的外端处或其附近。

所述投影***还可以包括气体出口，所述气体出口配置成产生气流，所述气流抑制污染物到达所述覆盖层。

所述气体出口可以配置成产生所述气流，使得所述气体行进跨过所述覆盖层。

所述投影***的壁可以包括引导壁，所述引导壁限定了向外倾斜成锥形的体积，配置成容纳在所述气体已经行进跨过所述覆盖层之后的所述气体。

所述覆盖层可以定位成位于沿所述开口自下向上的至少途中位置，所述投影***还可以包括气体出口，所述气体出口配置成将气体引入到所述覆盖层外面的开口中。

所述开口可以包括延伸超过所述投影***的壁的突出部分。

所述投影***还可以包括致动器，所述致动器配置成移动所述突出部分远离所述光刻设备的衬底台。

所述光刻设备还可以包括覆盖层容纳设备，所述覆盖层容纳设备配置成在所述覆盖层被从所述开口移除时容纳所述覆盖层。

所述覆盖层容纳设备可以定位在所述光刻设备的衬底台上。

所述光刻设备还可以包括致动器，所述致动器配置成朝向所述覆盖层容纳设备移动所述覆盖层。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，其包括：投影***，所述投影***包括定位在腔中的多个反射镜光学元件，其中开口穿过所述反射镜光学元件中的一个和穿过所述投影***的壁，其中所述******还包括气体出口，所述气体出口配置成将气体传输到所述腔中，使得气流被从所述腔穿过所述开口建立。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻方法，包括步骤：使用图案形成装置使辐射束形成图案，之后使用投影***将图案化的辐射束投影到衬底上，其中开口穿过所述投影***的反射性元件和穿过所述投影***的壁，其中图案化的辐射束在入射到衬底上之前穿过所述开口，且其中所述开口被覆盖层封闭，所述覆盖层对于EUV是基本上透明的。

所述光刻方法还可以包括步骤：使用覆盖层容纳设备从所述开口移除所述覆盖层，和用替代覆盖层来更换所述覆盖层。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻方法，包括步骤：使用图案形成装置使辐射束形成图案，之后使用投影***将图案化的辐射束投影到衬底上，其中开口穿过所述投影***的反射性光学元件和穿过所述投影***的壁，其中图案化的辐射束在入射到衬底上之前穿过所述开口，且其中气体引入到所述投影***中，使得从所述投影***穿过所述开口建立气流。

附图说明

下面仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：

图1描述根据本发明的一实施例的光刻设备；

图2是光刻设备的更详细的视图，包括放电产生等离子体源收集器模块；

图3是光刻设备的替代的源收集器模块的视图，所述替代的源收集器模块是激光产生等离子体源收集器模块；

图4示意性地显示根据本发明的一实施例的光刻设备的投影***的一部分，其中开口穿过一个反射光学元件和穿过投影***的壁；

图5示出图4的投影***的一部分的壁的一实施例；

图6示出根据本发明的一实施例的图4的投影***的一部分，其中开口被覆盖层关闭；

图7示出本发明的一实施例的横截面视图，其可以用于从开口移除覆盖层；

图8示出图7的实施例，其中容纳设备被靠近覆盖层移动，到达布置用于覆盖层释放的位置；

图9示出图8的容纳设备，该容纳设备被远离投影***壁移动，以移动覆盖层至覆盖层更换位置；

图10显示本发明的一实施例的横截面视图，其可以用于从开口移除覆盖层，其中致动器连接至投影***壁，被布置以将覆盖层朝向和远离容纳设备移动；

图11示出图10的实施例，其中投影***壁被向下移动以将覆盖层朝向容纳设备移动；

图12示出图10的实施例，其中覆盖层被容纳设备保持用于移动至覆盖层更换位置；

图13示出根据本发明的一实施例的光刻设备的投影***的一部分；和

图14示出图6的实施例，其中气体出口定位在覆盖层的下方。

图15显示从上方观看的图14的实施例的部分剖视图。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一实施例的光刻设备100。所述光刻设备包括：照射***(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影***(例如反射式投影***)PS，配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。

照射***可以包括各种类型的光学部件，诸如折射式、反射式、磁性式、电磁式、静电式或其它类型的光学部件或它们的任何组合，用于引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影***)。

术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

如同照射***，投影***可以包括各种类型的光学部件，诸如折射式、反射式、磁性式、电磁式、静电式或其它类型的光学部件或其任何组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其它因素所适合的。期望对于EUV辐射使用真空，因为气体可能吸收EUV辐射。因此，可以在真空壁和真空泵的帮助下提供真空环境至束路径。

如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。

所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外(EUV)辐射束。产生EUV光的方法包括但不一定限于，将材料转换成等离子体状态，该等离子体状态具有至少一种元素(例如氙、锂或锡)，且在EUV范围内具有一个或更多的发射线。在这样的一种方法中，通常用术语“激光产生等离子体”(“LPP”)表示的所期望的等离子体可以通过用激光束来辐射燃料(诸如具有所期望的发射线的元素的材料的液滴、流或簇团)来产生。源收集器模块SO可以是包括图1中未显示的激光器的EUV辐射***的一部分，用于提供激励燃料的激光束。所产生的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其被通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器来收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体(例如当CO₂激光器被用于提供用于燃料激励的激光束时)。

在这种情况下，不会将该激光器考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递***的帮助，将所述辐射束从所述激光器传到源收集器模块。在其它情况下，所述源可以是所述源收集器模块的组成部分(例如当所述源为放电产生等离子体EUV产生器(通常用术语DPP源来表示)时)。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整装置。通常，可以对所述照射器的光瞳面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(分别一般称为σ-_outer和σ-_inner)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场和光瞳反射镜装置。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。在被图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过投影***PS，所述投影***PS将束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。

所示的设备可以用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。

3.在另一模式中，将保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

图2更详细地示出设备100，其包括源收集器模块SO、照射***IL以及投影***PS。源收集器模块SO构造和布置成使得真空环境可以保持在源收集器模块SO的包封结构220中。发射EUV辐射的等离子体210可以由放电产生等离子体(“DPP”)源形成。EUV辐射可以通过气体或蒸汽(例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽)产生，其中温度非常高的等离子体210被产生以发射在电磁频谱的EUV范围内的辐射。温度非常高的等离子体210通过例如导致至少部分电离的等离子体的放电来生成。例如10Pa的分压的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它的适合的气体或蒸汽可能用于有效地产生辐射。在一实施例中，受激励的锡(Sn)的等离子体被提供以产生EUV辐射。

由温度高的等离子体210发射的辐射经由可选的气体阻挡件或污染物阱230(在一些情形中也被称为污染物阻挡件或翼片阱)被从源腔211传递到收集器腔212中，该气体阻挡件或污染物阱被定位在源腔211中的开口中或其后面。污染物阱230可以包括通道结构。污染物阱230还可以包括气体阻挡件、或气体阻挡件和通道结构的组合。此处还表示出的污染物阱或污染物阻挡件230至少包括在现有技术中已知的通道结构。

收集器腔211可以包括辐射收集器CO，所述辐射收集器CO可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以被反射离开光栅光谱滤光片240以被聚焦到虚源点IF处。虚源点IF通常称为中间焦点，源收集器模块布置成使得中间焦点IF位于包封结构220中的开口221处或其附近。虚源点IF是发射辐射的等离子体210的像。

随后，辐射穿过照射***IL，其可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24布置成在图案形成装置MA处提供辐射束21的期望的角分布，以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望的均匀性。当辐射束21在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射时，图案化的束26被形成，且图案化的束26借助于反射元件28、30通过投影***PS成像到由晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。

通常可以在照射光学单元IL和投影***PS中设置比图示的元件更多的元件。可以可选地依赖于光刻设备的类型而设置光栅光谱滤光片240。此外，可以设置比图中所显示的反射镜更多的反射镜，例如在投影***PS中可以设置比图2中显示的反射元件多1-6个额外的反射元件。

收集器光学装置CO(如图2所示)显示为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，这仅作为收集器(或收集器反射镜)的例子。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴向对称设置，这一类型的收集器光学装置CO优选地与放电产生等离子体源(通常称作DPP源)组合使用。

替代地，源收集模块SO可以是如图3显示的激光产生等离子体(“LPP”)辐射***的一部分。激光器LA布置成将激光能量沉积到燃料(诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li))中，从而产生具有几十eV的电子温度的高度电离的等离子体210。在这些离子的去激励和复合期间产生的能量辐射从等离子体发射，由近正入射的收集器光学装置CO收集和聚焦到包封结构220中的开口221上。

图4示意性地显示光刻设备的投影***PS的一部分的横截面视图。第一反射镜28定位在第二反射镜30的下方。第一反射镜28和第二反射镜30可以是凹面的，如在图中示意性地表示的。替代地，第一和第二反射镜28、30可以具有一些其它适合的形式，例如它们中的任一个或两者可以是平坦的、凸面的或具有一些其它更复杂的形式。管道或开口32穿过第二反射镜30。该管道或开口在下文被称作第二反射镜开口32。图案化的辐射束26在光刻设备的操作期间穿过第二反射镜开口32。还在图2中显示出第二反射镜开口32。虽然第二反射镜开口32看上去在图2中显著地大于图4中的情形，但是这仅是个假象，其由图的示意性性质引起且开口在图2或图4中不是要成比例地显示的。第二反射镜开口32可以例如被设定尺寸以容纳图案化的辐射束26。第二反射镜开口32可以例如具有倾斜的侧面，所述倾斜的侧面的角度大致与图案化的辐射束26的边缘匹配。第二反射镜开口32可以具有形状(如从上方或下方观看的)，所述形状通常对应于辐射束的形状。第二反射镜开口32可以具有非圆形的形状。辐射束可以例如在第二反射镜开口32处具有中间焦点。第二反射镜开口32可以例如是几毫米宽。第二反射镜开口32可以例如达50毫米长，和可以例如达80毫米长。

第一反射镜28配置成使得其朝向第二反射镜30反射图案化的辐射束26。图案化的辐射束26的传播方向通过射线显示，其示意性地表示图案化的辐射束的外边缘。第二反射镜30配置成使得其反射图案化的辐射束26穿过管道或开口34，所述管道或开口34穿过第一反射镜28和穿过投影***的壁36。第一反射镜28可以自身形成投影***的壁的一部分(如在图4中示意性地显示的)。替代地，投影***的壁可以被设置成与第一反射镜分离(如在图5中示意性地显示的)。管道或开口34在下文被称作第一反射镜开口34。

图案化的辐射聚集到曝光狭缝(或其他曝光区域)，其入射到衬底W上，由此曝光图案到衬底上。第一反射镜开口34在图4中未成比例地显示(在图2中也未成比例地显示)。

第一反射镜开口34可以具有非圆形形状。第一反射镜开口34可以具有通常对应于辐射束形状的形状(如从上方或下方观看)。第一反射镜开口34可以例如是几毫米宽(如在第一反射镜开口的最下端处测量的)。第一反射镜开口34在x方向(横向于扫描方向)上长度可以例如在7毫米和70毫米之间，或可以具有一些其它长度(如在第一反射镜开口的最下端处测量的)。第一反射镜开口34在y方向(扫描方向)上的宽度可以例如在1毫米和50毫米之间，或可以具有一些其它宽度(在第一反射镜开口的最下端处测量的)。由于第一反射镜开口具有倾斜的壁，所述倾斜的壁向外倾斜以容纳图案化的辐射束26，第一反射镜开口34的尺寸可以沿第一反射镜开口向上进一步增加。

如在图2和4中示意性地显示的，第一反射镜开口34穿过第一反射镜28的反射表面。在一替代的实施例(未显示)中，在没有穿过第一反射镜的反射表面的情况下，第一反射镜开口可以穿过形成了第一反射镜28的一部分的支撑结构。这可能是有利的，因为其避免在第一反射镜28上产生暗区(非反射区域)。这些替代物都可以被认为是穿过第一反射镜28的第一反射镜开口34的例子。

在图4中示意性地显示出投影***PS的壁36。壁可以具有任何适合的形式，且不一定是图4中显示的形状(或图2中显示的形状)。壁36可以限定腔37，在腔37内可以建立真空和/或在腔37内可以提供气体(所述气体例如设置在低于大气压强或周围气体压强的压强下)。可以设置另外的壁(未显示)，其包括衬底W和衬底台，并其限定一体积，在该体积内可以提供在低于大气压强或周围气体压强的压强下的真空或气体。类似地，可以提供另外的壁(未显示)，其包括图案形成装置MA和支撑结构MT(参见图2)，且其限定了一体积，在该体积内可以设置在低于大气压强或周围气体压强的压强下的真空或气体。

在将图案投影到衬底上的过程中，衬底W的上表面可以在靠近第一反射镜开口34的区域中。可能期望防止或限制污染物从衬底W进入到投影***PS。污染物可以例如由在衬底W上存在的抗蚀剂引起，且可能聚集到第一和第二反射镜28、30上，使得减小了第一和第二反射镜的反射率。这是不被期望的，因为其将减小在衬底W处的图案化的辐射束26的强度，由此减小光刻设备的生产率(即，每小时可以形成图案的衬底的数量)。

在一实施例中，气体供给装置可以连接至投影***PS，气体供给装置配置成传递气体到投影***腔37中。气体供给装置可以包括气体出口38，该气体出口38可以例如连接至投影***壁36。箭头示意性地显示气体通入到投影***腔37中。所述气体可以例如是氢气。替代地，所述气体可以是氦气、氮气、氩气或一些气体适合的气体。在投影***腔37中可以被供给具有在10-100Pa范围内的压强的气体。

围绕衬底W和衬底台WT的环境可以处于比投影***腔37中的压强更低的压强下，例如大约2Pa的压强。因为投影***腔37内的压强高于投影***腔外面的压强，所以气体将通过第一反射镜开口34从投影***腔流出。类似地，围绕图案形成装置MA和支撑结构MT的环境可以处于低于投影***腔37中的压强的压强，例如大约2Pa的压强。因为投影***腔37内的压强高于投影***腔外面的压强，所以气体将通过第二反射镜开口32从投影***腔流出。第一反射镜开口34大于第二反射镜开口32，因此流过第一反射镜开口的气体将比流过第二反射镜开口的气体更多(假定开口32、34外面的压强相等或大致相等)。这在图4中通过指向第一反射镜开口34的较大的箭头和指向第二反射镜开口32的较小的箭头来示意性地表示。流过第一反射镜开口34的气流防止或限制污染物通过第一反射镜开口进入到投影***腔37中。

在图5中更详细地显示第一反射镜28和第一反射镜开口34，以及衬底W和衬底台WT。如从图5所见，投影***壁36在第一反射镜28的下面延伸。然而，这可能不是必须的。例如，在一实施例中，投影***壁可以部分地由第一反射镜28形成。使投影***壁36在第一反射镜28下方延伸提供的优点是未通过气体仅将压力施加到第一反射镜的一侧上，由此避免了这样的压力引起第一反射镜变形的可能性。由于相同的原因，投影***壁36可以延伸遮过第二反射镜30(例如在图4中示意性地显示的)，但这不是必须的。

第一反射镜开口34的有效尺寸被借助于锥形壁40而减小，该锥形壁连接至投影***壁36。由于锥形壁40，第一反射镜开口34的横截面是大致锥形的，其具有配置成容纳被聚焦的图案化的辐射束26的斜坡。锥形壁40在图5中未连接至第一反射镜28。这可能是有利的，因为其防止投影***壁36的振动传递至第一反射镜28的可能性。它还可以避免或减小从锥形壁40和投影***壁36至第一反射镜的热学变化的过渡。在一替代的布置中，锥形壁40可以连接至第一反射镜28。

气体穿过第一反射镜开口34引起对污染物穿过第一反射镜开口34进入投影***腔37的佩克莱特(Péclet)驱动抑制。Péclet驱动污染物抑制的有效性依赖于第一反射镜开口34的长度(在z方向上测量的)；更长的开口将提供更加有效的污染物抑制。为此原因，锥形壁40可以具有例如延伸超过在第一反射镜开口处的第一反射镜28的高度的高度。Péclet驱动的污染物抑制的有效性还依赖于第一反射镜开口34的横截面面积(在x和y方向上测量的)。为此原因，第一反射镜开口34可以具有充分大以容纳图案化的辐射束26但是不是显著地比其大的横截面和形状，(另外的区域将减小Péclet驱动的污染物抑制，而没有提供有用的目的)。

突出部分可以从锥形壁40的底端向下延伸；在图13中显示的突出部分的例子，如由突出部分56示意性地显示的。突出部分可以远离衬底台移动，例如以关于图13在下文进一步描述的方式移动。

锥形壁40可以被冷却用于减小由穿过第一反射镜开口34的气体引起的对衬底W的局部加热。类似地，投影***壁36的部分可以由于同样的原因而被冷却。冷却可以例如使用诸如基于水的冷却***的主动式冷却***来提供。

投影***腔37中的气体可以吸收图案化的辐射束26的一部分(EUV辐射被气体吸收)。然而，吸收的量可以充分低，使得它不会防止光刻设备的生产性操作。例如，EUV辐射的吸收可能小于或等于大约30％，和可能例如在5-30％的范围内。图案化的辐射束26在投影***PS中行进的路径长度是辐射束在其在源SO处生成之后行进的总路径长度的相对小的部分(参见图1和2)。因此，在投影***腔37中存在在10-100Pa的范围内的压强的气体时可以允许由所述气体引起的吸收，和仍然以合理的生产率操作光刻设备。如果气体贯穿光刻设备设置在10-100Pa的范围中的压强下，则可能不能允许由气体引起的吸收和仍然以合理的生产率操作光刻设备。因为气体主要意图是提供对由衬底W引起的污染物的抑制，所以它可以充分地在投影***腔中提供在10-100Pa的范围内的压强下的气体，而不在例如照射***IL中提供在所述压强下的气体(投影***PS最靠近衬底且因此最容易受由衬底引起的污染物的影响)。

图6示意性显示本发明的一替代的实施例。在这一实施例中，第一反射镜开口34被覆盖层50封闭。覆盖层50对EUV辐射基本上是透明的，但是可能吸收一些EUV辐射(例如，吸收入射到其上的30％的EUV辐射)。覆盖层50允许图案化的辐射束26穿过第一反射镜开口34并入射到保持在衬底台WT上的衬底W上。术语“基本上透明”可以诠释成意思是覆盖层50透射入射到其上的多于50％的EUV辐射。

覆盖层50封闭第一反射镜开口34，并因此防止污染物从衬底W通过第一反射镜开口进入投影***PS中。

与如图4和5中显示的使用通过气流的污染物抑制相比，使用覆盖层50的潜在优点是投影***腔可能包含处于显著低的压强的气体，使得该气体吸收显著少的EUV辐射。潜在的缺点是如上文所述，覆盖层50可能吸收一些EUV辐射。另一潜在的缺点是覆盖层50可能被由衬底W产生的污染物污染。

覆盖层50可以连接至投影***的壁36，和/或可以连接至锥形壁40(或可以借助一些其他适合的结构连接)。在图6显示的实施例中，覆盖层50处于第一反射镜开口34的外端，但是覆盖层可以替代地定位成靠近第一反射镜开口的外端或在沿第一反射镜开口自下向上的至少途中位置。或者覆盖层可以定位成位于第一反射镜开口的内端和外端之间。在图6显示的实施例中，覆盖层50定位在投影***壁36的下面，和因此比投影***壁更靠近衬底W。

覆盖层可以例如是材料(或多个材料)片状阻挡层。覆盖层50可以由硅、石墨烯、Mo、Ti、Mg、Zr或它们氧化物或一些其它的适合的材料形成。材料可以对于EUV辐射具有相对高的透射率，和可以具有相对高的强度和热导率。覆盖层可以由单一材料或多种材料形成。多种材料可以设置成多个层，或可以混合在一起。覆盖层可以由诸如框架等支撑结构(未显示)支撑。

在光刻设备的操作期间入射到覆盖层50上的污染物可能由于污染物和穿过覆盖层的EUV辐射之间的相互作用而附着至覆盖层。污染物在覆盖层50上随着时间的聚集可能减小覆盖层的透射率(即，更多的EUV辐射可以由覆盖层吸收)。这可能导致入射到衬底上的EUV辐射的减小和光刻设备的生产率的对应的减小。为此原因，其可以有益地周期性地清洁覆盖层50，以移除污染物(或移除至少一些污染物)。

覆盖层50可以通过周期性地将氢基团引入到环境中进行清洁，其中在光刻设备的操作期间衬底W和衬底台WT将定位在所述环境中。氢基团的引入可以例如在衬底未设置在衬底台WT上时发生。被引入到所述环境中的氢基团可以从覆盖层50移除污染物。氢基团可以之后被从环境与污染物一起被移除。

在一实施例中，覆盖层50可以从第一反射镜开口34移除，使得它不再封闭第一反射镜开口，并可以被移动至清洁位置和/或与替代覆盖层交换。所述替代覆盖层可以例如是清洁的覆盖层或新的覆盖层。

图7-9示意性地显示本发明的一实施例的横截面，其可以用于从第一反射镜开口34移除覆盖层50。锥形壁40、投影***壁36、第一反射镜28和衬底台WT都在图7中显示出。衬底台WT包括覆盖层容纳设备102，其还可以被称作为覆盖层容纳器。容纳设备102从衬底台WT向上延伸，并包括由壁106围绕的凹陷104。凹陷104被设定尺寸以容纳覆盖层50，并可以例如具有与覆盖层50大致相同的形状。容纳设备102可以设置在衬底台WT上的位置处，其在光刻设备的操作期间不容纳衬底。例如，容纳设备102可以位于衬底台WT的角处或其附近。

在光刻设备的正常操作期间，容纳设备102被定位成远离被曝光的衬底，且不会干扰光刻设备的操作。在期望从第一反射镜开口34移除覆盖层50时，衬底台WT被移动使得容纳设备102定位在覆盖层50(如在图7中显示)的下方。

如在图8中显示的，衬底台WT之后被向上移动，使得容纳设备102更靠近覆盖层50但是不接触覆盖层。覆盖层50之后被从投影***壁36释放，和落入到凹陷104中，其中覆盖层可以固定至容纳设备102。

参考图9，衬底台WT之后被向下移动和远离投影***壁36移动，以在覆盖层50和投影***壁之间提供期望的间隙。在此之后，衬底台WT例如如由图9中的箭头显示沿着y方向移动。覆盖层50可以例如移动至覆盖层更换位置，在该位置覆盖层可以与替代覆盖层进行交换。替代覆盖层可以是新的覆盖层，或可以是之前已经使用的覆盖层，和可以是已经被清洁以移除污染物的覆盖层。

可以使用衬底台WT将替代覆盖层移动至第一反射镜开口34的下面。事实上与上述的过程相反的过程可以用于将覆盖层50连接至第一反射镜开口34。所述过程可以例如包括向上移动衬底台WT，直到覆盖层50接触投影***壁36的底表面(或其它覆盖层容纳结构)为止。固定机构可以之后用于将覆盖层50固定至投影***壁36，在其之后可以将衬底台WT向下移动和远离覆盖层移动。

用于将覆盖层50固定至投影***壁36(或其他结构)的机构可以例如是静电夹具、电磁夹具、磁性夹具或任何其他的适合机构。类似地，覆盖层50可以使用静电夹具、电磁夹具、磁性夹具或一些其他的适合机构来固定至容纳设备102。替代地，覆盖层50可以不被固定在容纳设备102中，覆盖层仅由凹陷104和容纳设备的壁106来保持。在一实施例中，在将替代覆盖层50固定至投影***壁36时，替代使用衬底台WT以使得覆盖层与投影***壁接触，衬底台WT可以用于使得覆盖层靠近投影***壁，但是不与投影***壁接触。投影***壁36(或其他结构)可以之后使用静电吸引(或其他吸引力)吸引覆盖层50，使得覆盖层从容纳设备102升起，和被吸引至投影***壁，其中覆盖层50被固定保持在合适位置。

可以在未在衬底台WT上设置衬底的情况下，执行上述的方法。替代地，所述方法可以在衬底设置在衬底台WT上的情况下执行。在衬底设置在衬底台WT上的情况下执行所述方法可以允许执行所述方法，而不导致显著地减小光刻设备的生产率。可以使用光刻设备曝光衬底，在此之后覆盖层50可以被从投影***壁36传递至容纳设备102。衬底台WT可以与替代衬底台交换，在替代衬底台上设置待曝光的衬底(如在双平台光刻设备中是常见的)，替代衬底台设置有保持在容纳设备中的替代覆盖层。替代覆盖层可以连接至投影***壁36，在此之后可以进行衬底的曝光。同时，从投影***壁36移除的覆盖层50可以被从衬底台WT移除(例如，允许其被清洁或更换)。

在图10中示意性地显示本发明的一替代的实施例。与图7-9中显示的实施例相同，衬底台WT设置有覆盖层容纳设备102a。与图7-9中显示的容纳设备102不同，图10中显示的容纳设备102a没有从衬底台WT的表面高出，而是仅包括壁106a，所述壁106a限定具有与覆盖层50的形状相对应的形状的凹陷。例如，如果在覆盖层被转移到容纳设备上时期望增加衬底台WT和投影***壁36之间的间隙，那么容纳设备102a可以从衬底台WT的表面高出。容纳设备102a高出的程度可以依赖于期望的间隙的尺寸。

在图10显示的实施例中，致动器108连接至投影***壁36和可以上下移动投影***壁，由此将投影***壁和覆盖层50朝向和远离容纳设备102a移动。投影***壁36包括可膨胀部分36a，其包括相对于彼此可移动的一系列壁构件，使得它们之间所夹的角度可以变化。投影***壁36的可膨胀部分36a以与可折叠的壁相等同的方式起作用，和在保持投影***壁的内部和外部之间的隔离的同时允许上下移动投影***壁。

在使用中，在期望更换覆盖层50时，衬底台WT被移动，直到容纳设备102a定位在覆盖层50的下方。致动器108之后用于向下移动投影***壁36，如在图11中示意性地显示的。投影***壁36的向下移动将覆盖层50朝向容纳设备102a移动。覆盖层50可以与容纳设备102a形成接触，或可以定位成使得它在容纳设备102a的上方，但是不接触它。覆盖层50可以之后被从投影***壁36移除，例如通过切断静电夹持力等或其它固定机构使得覆盖层50自由地与投影***壁36分离来从投影***壁36移除。覆盖层50之后从投影***壁36落入到容纳设备102a中。

如果覆盖层50被从投影***壁36转移至容纳设备102a，那么覆盖层可以被固定至容纳设备，例如使用静电吸引或一些其它固定机构来固定至容纳设备。致动器108用于将投影***壁36远离衬底台WT移动，如在图12中显示的。这提供了在覆盖层50和投影***壁36之间的间隙，并允许移动衬底台WT，使得覆盖层被移动至覆盖层更换位置或其它位置。

覆盖层50可以被以替代覆盖层更换，所述替代覆盖层可以是新的覆盖层或可以是被清洁的之前使用的覆盖层。替代覆盖层可以通过逆向地执行上文参照图10-12描述的步骤而被返回至第一反射镜开口34。在投影***壁36未充分地靠近容纳设备102a以使它接触覆盖层50的实施例中，静电吸引力或一些其它的这些力可以用于使覆盖层接触投影***壁。

在上文关于图10-12描述的方法可以在衬底设置或未设置在衬底台WT上的情况下执行。

在一实施例中，替代用新或清洁的覆盖层更换覆盖层50，覆盖层可以在它原位地处在容纳设备102、102a上时被清洁。例如，容纳设备102、102a可以包括一个或更多的出口，所述出口配置成传输清洁气体(例如氢基团)或清洁液体，使得它接触覆盖层50的最下表面。容纳设备102、102a还可以包括一个或更多的进口和泵，所述进口和泵用于移除清洁气体或液体和在覆盖层的下方建立真空。容纳设备102、102a可以因此用于容纳覆盖层50，清洁覆盖层和之后使覆盖层返回至第一反射镜开口34。

在图13示意性地显示本发明的一替代的实施例。与之前的图中显示的实施例相同，第一反射镜开口34被覆盖层封闭。然而，在这一情形中，覆盖层52定位在锥形壁40的内端处或其附近(覆盖层可以定位成位于沿第一反射镜开口34自下向上的至少途中位置(part-way)或者覆盖层可以定位成在第一反射镜开口的内端和外端之间)。锥形壁40设置有气体出口54，所述气体出口54配置成传输气体至在覆盖层52的外面(在这一实施例中在覆盖层的下方)的第一反射镜开口34的一部分。气体出口54连接至一个或更多的管道(未显示)，其配置成传输气体至气体出口。管道可以定位在投影***壁36内、在投影***壁的上方或可以设置在一些其它位置。由气体出口54供给的气体可以是氢气。替代地，所述气体可以是氦气、氩气、氮气、氧气或一些其它的适合气体。

气体从气体出口54流入到在覆盖层52下方的第一反射镜开口34的部分中，和朝向衬底W流出开口34。气体之后流动离开第一反射镜开口34，在衬底W和投影***壁36之间流动。从第一反射镜开口34流出的气流提供了Péclet驱动的污染物抑制，由此减小了污染物在覆盖层52上的聚集。这防止或减慢了覆盖层52的透射率的劣化，由此延长了覆盖层52的使用寿命。第一反射镜开口34可以具有充分大以容纳图案化的辐射束26但是不显著地比其大的横截面和形状。

Péclet驱动的污染物抑制的有效性依赖于第一反射镜开口34的面积和高度，在第一反射镜开口34上产生污染物抑制气流。为此原因，如上文进一步的描述的，第一反射镜开口34的形状可以大致对应于图案化的辐射束26的形状。另外，投影***壁36可以包括突出部分56，所述突出部分56朝向衬底台WT延伸。投影***壁36的突出部分56增加了第一反射镜开口34的高度，在第一反射镜开口34上进行Péclet驱动的污染物抑制，由此减小污染物在覆盖层52处的聚集。因为突出部分56设置在具有最窄的直径的第一反射镜开口34的一部分处，所以Péclet驱动的污染物抑制是最有效的(与例如在第一反射镜开口34的较宽的部分处提供了额外的高度相比)。图7中显示的突出部分56朝向衬底台WT直接向下延伸。在一替代的布置(未显示)中，突出部分56可以具有倾斜的内表面，例如具有遵循或大致遵循图案化的辐射束26的外边缘的斜坡。这可以提供由通过气体出口54传输的气体提供的Péclet驱动的污染物抑制的进一步的改善。

因为突出部分56延伸成与投影***壁36相比更靠近衬底W，所以突出部分56和气体流过的衬底W之间的间隙是对气流的主要限制。由气流引起的对衬底W的任何加热或冷却和造成的衬底的任何变形可以因此被限制于在突出部分56下方的区域。这是因为衬底W和投影***壁36之间的间隙显著地大于突出部分56和衬底W之间的间隙，因此在气体已经穿过超过突出部分之后气流的速度可以是相对低的。因为它限制了其上发生由气体引起的对衬底的加热或冷却的区域，所以这可能是有利的。

在一实施例中，突出部分56连接至致动器(未显示)，所述致动器配置成将突出部分56远离衬底W移动，以避免突出部分和衬底之间的冲突。这可以例如如果衬底W移动得太靠近突出部分56(例如由于衬底和/或衬底台WT的非平坦性)而完成。突出部分56可以例如通过致动器被至少部分地缩回到锥形壁40中。替代地，致动器可以将锥形壁40和突出部分56一起移动(锥形壁和突出部分例如被刚性地彼此连接)。在这种情况下，锥形壁40可以相对于投影***壁36和第一反射镜28移动。在一替代的实施例中，第一反射镜28还可以远离衬底W移动(例如与锥形壁40和/或光刻设备的其它部分的移动结合移动)。突出部分56(可选地与光刻设备的其它部分一起)远离衬底W移动可以帮助防止突出部分和衬底之间的碰撞，由此避免突出部分或晶片或光刻设备的其它部分发生的损坏。

从气体出口54传输的气体可以被加热或冷却以补偿或减小由气体在衬底W上方通过引起的热效应(或由其它的机制引起的热效应)。锥形壁40可以被加热或冷却用于避免或减小由气体引起的热效应(或其它机制引起的热效应)。

虽然在覆盖层52下方的气流可以抑制污染物在覆盖层上聚集，但是一些污染可能仍会在该处聚集。在这种情况下，可以执行覆盖层52的周期性的清洁，例如使用氢基团清洁或一些其它清洁方法来执行。对覆盖层的清洁可以例如在光刻设备未操作时来执行。

在一实施例中，覆盖层可以设置在第二反射镜开口32(参见图4)处，而不是将覆盖层设置在第一反射镜开口34处。这可以例如与气体到投影***腔37中的传输相组合(如在图4中显示的)。在这种情况下，抑制到投影***腔37中的污染物是由从第一反射镜开口34流出的气流来提供，污染物被借助覆盖层防止从第二反射镜开口32穿过，该覆盖层封闭所述开口。污染物在封闭第二反射镜开口32的覆盖层上的积累可以通过以类似于关于图13在上文描述的方式在覆盖层下方传输气体来防止或减小。因为第二反射镜开口32小于第一反射镜开口34，所以在覆盖层上的污染物积累的抑制可能在第二反射镜开口32中更强(与在第一反射镜开口34处使用相同量的气体来获得的污染物抑制相比较)。

图14和15示意性地显示本发明的另外的可替代的实施例。图14显示该实施例的剖视图，图15显示从上方观看的该实施例的部分剖视图。首先参考图14，第一反射镜开口34被覆盖层60封闭。覆盖层60以关于其它的实施例在上文进一步描述的相同的方式防止污染物进入到投影***腔37中。气体出口62定位在覆盖层60的下方，气体出口配置成传输气体，其抑制污染物在覆盖层60上的积累。与图13显示的实施例不同，图14的实施例不会从覆盖层60的两侧传输气体，而是替代地仅从覆盖层的一侧传输气体。气体出口62配置成引导气体横跨覆盖层60，如通过箭头示意性地显示的。

气体出口62显示从图15的上方观看的部分剖视图。如可以从图15所见到的，气体出口62包括管道64(例如管子)，管道64连接至腔66，气体通过管道传输至腔。组合地参考图14和15，腔66设置有气体所流过的出口68，气体从出口68流至覆盖层60下方的区域。出口68可以例如延伸至靠近覆盖层60的边缘的位置，可以沿着覆盖层的边缘延伸，或可以与覆盖层的边缘重叠。出口68配置成横跨覆盖层60的最下表面建立气流，由此防止污染物接触覆盖层或减小污染与覆盖层接触的可能性。

出口68可以例如包括狭缝、多个孔(例如，布置成一排或更多排，如由虚线示意性地显示的)、网孔或一些其它的配置。

为了促进气体在覆盖层60下方流动(替代例如流动远离覆盖层的气体)，空间设置在覆盖层的一相对侧上，气体可以流动到覆盖层的该相对侧。如从图14可见，所述空间允许例如气体从出口68行进以在锥形壁40的该相对侧的下方通过，而不被阻挡。为了进一步促进气体在覆盖层60下方流动，引导壁可以从投影***壁36向下突出，例如如在图15中示意性地显示的。在图15中，引导壁70限定了向外(扩大)成锥形的体积，气体可以流入到所述体积中。同时，引导壁70提供了防止气体在其它方向上流动的限制。

引导壁70可以包括投影***壁36的相对厚的部分的边缘。所述投影***壁36的相对厚的部分可以充分厚以容纳所述管道64，该管道64传输气体至腔66。

在图15中，引导壁70以大约45度的角度向外倾斜。然而，引导壁70可以以任何适合的角度向外倾斜。由覆盖层60的下方的气流提供的压强在引导壁70的角度小时是最大的，这是因为由引导壁建立的体积的流阻是较大的。更大的压强可能是期望的，因为它在防止或限制污染物到达覆盖层60时是更有效的。然而，可以期望减小压强(通过提供具有更大角度的引导壁)，用于减小压强施加力到衬底W的程度(这样的力可能导致衬底的变形)。对引导壁70的倾斜锥角的选择可以通过考虑所述权衡来进行。

在本发明的上文实施例中的任一个中，冷却设备可以用于冷却光刻设备的一部分，如果所述部分可能通过由所述实施例使用的气体流过而被加热。如果光刻设备的一部分可以通过例如致动器或用于固定覆盖层的固定机构而被加热，则冷却设备可以用于冷却所述部分。

在显示的一些实施例中，锥形壁显示为未机械地连接至第一反射镜。然而，锥形壁可以机械地连接至第一反射镜。

在显示的一些实施例中，锥形壁显示为机械地连接至第一反射镜。然而，锥形壁可以不机械地连接至第一反射镜。

如果光刻设备的一部分能够通过使实施例所使用的气体流过而被加热(或冷却)，则冷却(或加热)设备可以用于加热所述部分。加热或冷却设备可以是主动式的或被动式的。

覆盖层可以使用氢基团或一些其它适合的气体而被原位地清洁。

在一实施例中，覆盖层可以以相对于投影***的光轴成一角度或倾斜来定向。在这被进行时，例如由覆盖层上的污染物颗粒辐射的热量可以被引导远离图案到衬底上的曝光所进行的位置，由此减小了热量导致衬底上的曝光位置变形的程度。

虽然第一反射镜开口34和第二反射镜开口32被描述成具有特殊的形状，但是第一反射镜开口和第二反射镜开口可以具有任何适合的形状。

在上文描述中使用的术语“反射镜”可以被看作反射性光学元件的例子。反射性光学元件的其它例子可以包括彼此靠近地定位的多个反射镜。

覆盖层50，52，60可以由硅、石墨烯、rapheme、Mo、Ti、Mg、Zr或它们的氧化物或一些其它的适合材料形成。所述材料可以对于EUV辐射具有相对高的透射率，和可以具有相对高的强度和热导率。覆盖层可以由材料的组合形成。

笛卡尔坐标在上文被用于方便描述本发明的实施例。笛卡尔坐标仅是要改善对本发明的实施例的理解，而不意味着光刻设备或光刻设备的部件必须具有特定的方向。

尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。

术语“EUV辐射”可以被认为是包括具有在5-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如在13-14nm的范围内，或例如在5-10nm(诸如6.7nm或6.8nm)的范围内。

尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对上述的本发明进行修改。

Claims (12)

1.一种光刻设备，包括：

投影***，配置成将图案化的辐射束投影到衬底上，所述投影***包括

多个反射性光学元件，其中开口穿过所述反射性光学元件中的一个和穿过所述投影***的壁，和

覆盖层，配置成封闭所述开口，其中所述覆盖层对于EUV辐射是透明的，其中所述覆盖层定位成在所述开口的外端处或其附近；

气体出口，所述气体出口配置成产生气流，所述气流抑制污染物到达所述覆盖层；

其中所述气体出口配置成产生所述气流，使得所述气体行进跨过所述覆盖层，所述投影***的壁包括引导壁，所述引导壁限定向外倾斜成锥形的体积，所述向外倾斜成锥形的体积配置成容纳在所述气体已经行进跨过所述覆盖层之后的所述气体。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括覆盖层容纳设备，所述覆盖层容纳设备配置成在所述覆盖层被从所述开口移除时容纳所述覆盖层。

3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中所述覆盖层容纳设备定位在所述光刻设备的衬底台上。

4.根据权利要求2或3所述的光刻设备，还包括配置成朝向所述覆盖层容纳设备移动所述覆盖层的致动器。

5.一种光刻设备，包括：

投影***，配置成将图案化的辐射束投影到衬底上，所述投影***包括

多个反射性光学元件，其中开口穿过所述反射性光学元件中的一个和穿过所述投影***的壁，和

覆盖层，配置成封闭所述开口，其中所述覆盖层对于EUV辐射是透明的，其中所述覆盖层定位成位于沿所述开口自下向上的至少途中位置，其中所述投影***还包括气体出口，所述气体出口配置成将气体引入到所述覆盖层外面的开口中，和所述开口包括延伸超过所述投影***的壁的突出部分。

6.根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述投影***还包括致动器，所述致动器配置成将所述突出部分远离所述光刻设备的衬底台移动。

7.根据权利要求5所述的光刻设备，还包括覆盖层容纳设备，所述覆盖层容纳设备配置成在所述覆盖层被从所述开口移除时容纳所述覆盖层。

8.根据权利要求7所述的光刻设备，其中所述覆盖层容纳设备定位在所述光刻设备的衬底台上。

9.根据权利要求7或8所述的光刻设备，还包括配置成朝向所述覆盖层容纳设备移动所述覆盖层的致动器。

10.一种用于根据权利要求1-4中任一项所述的光刻设备的光刻方法，包括步骤：

使用图案形成装置使辐射束形成图案；

使用投影***将图案化的辐射束投影到衬底上，其中开口穿过所述投影***的反射性元件和穿过所述投影***的壁，其中图案化的辐射束在入射到衬底上之前穿过所述开口，且其中所述开口被覆盖层封闭，所述覆盖层对于EUV是透明的。

11.根据权利要求10所述的光刻方法，还包括步骤：使用覆盖层容纳设备从所述开口移除所述覆盖层；和使用所述覆盖层容纳设备以替代覆盖层更换所述覆盖层。

12.一种用于根据权利要求5-9中任一项所述的光刻方法，包括步骤：

使用图案形成装置使辐射束形成图案；和

使用投影***将图案化的辐射束投影到衬底上，其中开口穿过所述投影***的反射性光学元件和穿过所述投影***的壁，其中图案化的辐射束在入射到衬底上之前穿过所述开口，且其中气体引入到所述投影***中，使得从所述投影***穿过所述开口建立气流。