CN101971100B - 光刻设备、等离子体源以及反射方法 - Google Patents

光刻设备、等离子体源以及反射方法 Download PDF

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Abstract

一种光刻设备，包括：等离子体源，其包括配置成包围等离子体形成位置(2)的容器(1)、配置成将光辐射(8)转移到或离开所述容器的光学装置(3)和反射器(6)，反射器(6)布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上。所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射。所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。

Description

光刻设备、等离子体源以及反射方法
相关应用的交叉引用 
本申请要求于2008年3月3日递交的美国临时申请60/064,385的权益，这里以参考的方式全文并入。 
技术领域
本发明涉及一种光刻设备、等离子体源以及用于转移光学装置和等离子体源之间的辐射的方法。 
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分，和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。 
用以产生极紫外(EUV)辐射或光的方法包括，但不限于将具有例如氙、锂或锡等元素的材料转变成在极紫外范围内具有发射谱线的等离子体状态。在一种这样的方法中，通常称为放电产生的等离子体(“DPP”)，这种等离子体可以通过在一对电极之间放电来产生。在另一方法中，可以通 过用激光束辐照目标材料，例如具有相关谱线发射元素的材料的液滴、束流或簇，来产生所需的等离子体。后一种工艺被称为激光产生等离子体(“LPP”)。 
对于这些工艺的每一种，通常在例如真空室等密封的容器内产生等离子体，并且使用多种类型的量测设备进行监测。除了产生极紫外辐射，这些等离子体工艺还会在等离子体室内产生不想要的副产物，包括来自等离子体形成过程的热量、高能离子以及离散的碎片，例如在形成等离子体过程中没有完全离子化的源材料的原子和/或块。 
这些等离子体形成过程中的副产物会潜在地损坏或减低多种等离子体室光学元件的操作效率，这些光学元件包括但不限于，量测探测器的表面、用于成像等离子体形成过程的窗口、以及在激光产生等离子体的情况下的激光输入窗口。热量、高能离子和/或源材料碎片可以以多种方式损坏光学元件，包括加热光学元件、给光学元件涂覆降低光透过率的材料、透入光学元件以及例如损坏结构完整性和/或光学性能(例如用以反射这种短波长光的反射镜的能力)、腐蚀或侵蚀光学元件和/或扩散进入光学元件。 
此外，一些光学元件(例如激光输入窗口)形成真空室的一部分，因而当等离子体室处于真空时，它们处于一定应力之下。对于这些元件，淀积和热会结合在一起使这些元件产生裂纹(即破裂)，因而导致真空的损失以及潜在地需要昂贵的维修。 
发明内容
本发明旨在保护等离子体源中的光学元件不受极紫外诱发的损伤和污染。 
根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：包围等离子体源的容器；用于将光辐射转移到所述容器或使光辐射转移离开所述容器的光学装置；和布置在所述光学装置和所述等离子体源之间的光学路径上的反射器，用于在所述光学装置和所述等离子体源之间反射所述光辐射，其中所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。 
根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括等离子体源，所述等离子体源包括：容器，配置成包围等离子体形成位置；光学装置，配置成 将光辐射转移到所述容器或使光辐射转移离开所述容器；和反射器，布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上。所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射。所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。等离子体源可以是激光产生等离子体(LPP)源。 
根据本发明的一方面，提供一种等离子体源，包括：容器，配置成包围等离子体形成位置；光学装置，配置成将辐射转移到所述容器或使辐射转移离开所述容器；和反射器，布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间的光学路径上。所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述辐射。所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。 
根据本发明的一方面，提供一种用于在光学装置和等离子体源之间转移辐射的方法，所述方法包括：提供包围在容器内的等离子体源；提供光学装置，用于将光辐射转移到所述容器或使光辐射转移离开所述容器；和提供熔融金属反射镜，所述金属反射镜布置在所述等离子体源的视线上，用于将所述光辐射反射到或反射离开所述光学装置。 
根据本发明的一方面，提供一种用于在光学装置和等离子体源中的等离子体形成位置之间转移辐射的方法。所述方法包括：将所述等离子体形成位置包围在容器中；用所述光学装置提供光辐射到所述容器或使所述光辐射离开所述容器；和用布置在所述等离子体形成位置的视线上的熔融金属反射镜将所述光辐射反射到所述光学装置或使光辐射反射离开所述光学装置。 
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中： 
图1示出根据本发明实施例的光刻设备； 
图2示意地示出图1中的光刻设备的等离子体源的实施例； 
图3示出等离子体源的实施例； 
图4示出等离子体源的实施例； 
图5示出等离子体源的实施例；和 
图6示出根据等离子体源的实施例的遮挡件的实际示例。 
具体实施例
图1示意地示出了根据本发明一个实施例的光刻设备。所述设备包括：照射***(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据特定参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据特定参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影***(例如折射式投影透镜***)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。 
照射***可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。 
所述支撑结构MT支撑，即承载图案形成装置的重量。支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影***)。这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”可以被认为与更为上位的术语“图案形成装置”同义。 
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应该注意的是，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。 
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。 
这里使用的术语“投影***”应该广义地解释为包括任意类型的投影***，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学***、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影***”同义。 
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。 
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。 
所述光刻设备还可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体覆盖(例如水)，以便填满投影***和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备的其他空间中，例如掩模和投影***之间的空间。浸没技术可以用于提高投影***的数值孔径在本领域中是公知的。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底)浸入到液体中，而仅意味着在曝光过程中液***于投影***和该衬底之间。 
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递***BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、 以及如果需要时设置的所述束传递***一起称作辐射***。 
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。 
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影***PS，所述投影***将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器、或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。 
可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中： 
1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。 
2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。 
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。 
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。 
图2示意地示出等离子体源，其包括容器1，容器1包围等离子体形成位置2。容器可以是真空室。等离子体形成位置2配置成在光刻设备中提供EUV辐射。同样，等离子体形成位置2可以看成等离子体源本身，因为等离子体在等离子体形成位置处形成。根据图2的实施例，在本实施例中可以是激光装置或激光器的光学装置3可以用于点燃等离子体。其他光学装置，例如剂量传感器或其他光学传感器也可以使用。光学装置3可以是脉冲源，例如在美国专利第7247870号中描述的。根据本发明的实施例，可以转移来自例如光学传感器、剂量计等其他光学装置的辐射或辐射到这些光学装置的辐射。光学装置3可以设置在容器的外边，使得辐射穿过输入窗口4进入容器1(例如真空室)。如图2所示，遮挡件5布置在等离子体形成位置2的视线上，并且配置成遮挡碎片到光学装置3。在这种方式中，在等离子体形成位置2处形成等离子体的过程中产生的碎片不能撞击输入窗口4，或替换地，不能撞击与将光辐射转移到容器中相关的诸如透镜反射镜或激光器光学元件等光学元件。 
根据一个实施例，反射器6可以是液态锡(Sn)反射镜的形式，所述反射器6设置用以反射光辐射8。反射器6放置在光学装置3(这里显示 为激光装置)和等离子体形成位置2，尤其是放电区域之间的光学路径上。反射器6配置成反射光学装置3和等离子体形成位置2(例如锡(Sn)液滴目标)之间的光辐射8。由具有表面7的反射镜形成元件提供反射器6。在一个实施例中，反射镜形成元件的表面是弯曲的或是曲面。 
遮挡件5可以是与反射器6不同的元件，尽管在一个实施例中反射器6本身也可以与其他光学元件一起提供遮挡功能。 
在等离子体源为锡源(替换地，可以是锂或氙源)的情形中，反射器6的反射镜形成元件具有钼或金表面7，用于具有良好的润湿性能。这种方法的潜在的优点在于，反射镜形成元件提供用于光辐射8的聚焦透镜，其可以放置为较靠近等离子体形成位置2。因此，光学装置3可以更有效地聚焦，这更有利于等离子体产生，减少激光发散(当光学装置是激光器时)和减小定点稳定性规格(pointing stability specifications)。 
在一个实施例中，反射器6的表面7是熔融金属表面。这个实施例的潜在的优点在于，由于熔融金属表面的冷却性能以及由于对碎片相对不敏感(因为尤其是当金属的功能相当于碎片或与碎片一致时，熔融金属表面可以毫无问题地吸收碎片)，反射器6可以更靠近地放置。在这个示例中，对于锡源，熔融金属优选是锡或，更优选地，锡外加镓和/或铟。后面的附加物可以提供更低的熔点和在钼或金表面上提供更好的润湿性能。 
在图2中，例如燃料液滴产生装置、摄像机以及传感器等部件没有示出。在反射器6由液态锡表面7形成的实施例中，反射器6的反射率不受污染表面7的锡碎片的影响。反射器6的表面7可以是平的或曲面的。如果使用平的表面，可以设置附加的聚焦元件，例如输入窗口4可以是用来聚焦光的透镜。在这种情况下，反射器6仅将光反射朝向等离子体形成位置2。对光辐射具有聚焦能力的曲面的优点在于，允许聚焦透镜更靠近等离子体形成位置2放置，由此减小光辐射(例如激光)发散和定点稳定性要求。为了进一步减小聚焦透镜和等离子体形成位置2之间的距离，反射器的表面7可以是曲面。 
在图3的实施例中，等离子体形成位置2配置成使得反射器6水平地布置，在这种情况下液态锡可以简单地容纳在浴器60中。如果浴器60是固定的，由于重力，表面7(包括锡)是平的和水平的。替换地，如图4 所示，浴器60可以围绕垂直轴线旋转以便形成可以用于聚焦激光束的抛物面反射镜形状。 
在一个实施例中，如图5所示，在反射镜形成元件(例如衬底61)上具有液态锡膜(用表面7表示)，其中衬底61可以倾斜成任意方向。在本实施例中，使得表面7更平滑可以提高反射率。为了实现这种效果，锡表面应当具有高于锡熔点的温度，并且锡在反射镜衬底表面上应当具有良好的润湿。为了润湿表面7，通过旋转反射镜元件61通过浴器60而提供熔融金属供给。当然，其他形式的供给也是可以的，例如从一个出口提供在表面7上的流动。 
反射镜形成衬底61的润湿性能会受到污染物的影响，尤其是受反射镜形成表面上的碳污染物和氧化物的影响。这些污染物和氧化物可以通过在氢气环境下加热衬底来去除。 
如图5所示，实施例还包括用于氢气90的附加的入口9和加热器10。当反射镜需要变得更平滑时(例如在打开极紫外(等离子体)源之前，或当在操作期间效率降低时)，可以将氢气90供给到***中，并且可以打开加热器10。这将在氢气环境中加热反射镜衬底61，从而从反射镜衬底61的表面去除污染物和氧气。随后，可以关闭氢气90和加热器10，之后可以运行极紫外(等离子体)源。此时覆盖表面的所有锡将良好地润湿，因而将形成高的(红外)反射涂层。 
在一个实施例中，加热器可以保持接通，以便将反射镜加热到其所需操作温度(应该高于锡的熔融温度)。 
应该注意，还可以通过为衬底61选择正确的材料来防止污染物和氧化物。例如，可以选择使用具有极低的氧化速率的材料(例如金)。 
在氢气条件下加热的一个可能的缺点是去除污染物和氧化物相对较慢，并且反射镜需要被加热到非常高的温度。 
一种可以较快且在较低温度下工作的方法是使用氢根代替氢分子。这种实施方式还可以包括用于从氢气90产生氢根的装置。这可以例如是热丝11或射频放电。注意的是，此时加热器10不再使用，但是其可以用于在极紫外照射期间控制收集器的操作温度。 
图6示出用氢根进行的处理对钼板上的纯锡的润湿的影响。上面图像图6A示出具有锡液滴的钼板，其已经在氮气环境下被加热到锡熔点。下面图片图6B示出相同的实验，但是是在H2/H的环境下。实验结果显示，H处理带来锡在钼上的良好的润湿。在两个实验中均使用热丝加热。在一些情形中，可以使用纯锡，但是优选地，使用镓-铟-锡合金。这种合金具有类似锡的润湿特性，但是其优点在于在室温状态是液态。当使用镓-铟-锡，优选使用氩气环境，以便防止合金中的镓氧化。 
正如图中所示的，沿从光学装置到等离子体形成位置的下游方向，反射器是光学路径中的最终的光学元件。 
虽然本申请详述了光刻设备在制造ICs中的应用，应该理解到，这里描述的光刻设备可以有其它的应用，例如制造集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、测量工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将这里公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。 
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其它应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。 
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(UV)(例如具有或约为365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如波长范围在5-20nm)，以及粒子束，例如离子束或电子束。 
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。 
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。 

Claims (14)

1.一种光刻设备，包括：
等离子体源，包括：
容器，配置成包围等离子体形成位置；
光学装置，配置成将光辐射转移到所述容器或使光辐射转移离开所述容器；和
反射器，布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间的光学路径上，所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射，
其中所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜，
其中所述反射镜包括反射镜形成元件，和其中熔融金属供给装置设置成润湿所述反射镜形成元件，所述反射镜形成元件相对于重力的方向以倾斜角度布置在所述熔融金属供给装置的浴器中，通过旋转所述浴器内的反射镜形成元件来形成所述熔融金属反射镜，以便用熔融金属润湿所述反射镜形成元件。
2.如权利要求1所述的光刻设备，还包括布置在所述等离子体形成位置的视线中的遮挡件，所述遮挡件配置成将所述光学装置与碎片遮挡开。
3.如权利要求1所述的光刻设备，其中所述熔融金属反射镜包括熔化的锡。
4.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述等离子体形成位置包括锡或锂。
5.如权利要求1-3中任一项所述的光刻设备，其中所述光学装置是激光器装置，所述激光器装置配置用以在所述等离子体形成位置的放电区域中产生等离子体。
6.如权利要求1-3中任一项所述的光刻设备，其中所述反射镜形成元件是弯曲的以便提供对所述光辐射的聚焦能力。
7.如权利要求1-3中任一项所述的光刻设备，其中所述反射镜形成元件具有包括金或钼的表面层。
8.如权利要求1-3中任一项所述的光刻设备，其中，所述反射器是在从所述光学装置到所述等离子体形成位置的光学路径中处于下游方向的最终的光学元件。
9.一种等离子体源，包括：
容器，配置成包围等离子体形成位置；
光学装置，配置成将辐射转移到所述容器或使辐射转移离开所述容器；和
反射器，布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间的光学路径上，所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述辐射，
其中所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜，其中所述反射镜包括反射镜形成元件，其中熔融金属供给装置设置成润湿所述反射镜形成元件，所述反射镜形成元件相对于重力的方向以倾斜角度布置在所述熔融金属供给装置的浴器中，通过旋转所述浴器内的反射镜形成元件来形成所述熔融金属反射镜，以便用熔融金属润湿所述反射镜形成元件。
10.如权利要求9所述的等离子体源，其中，所述反射器是在从所述光学装置到所述等离子体形成位置的光学路径中处于下游方向的最终的光学元件。
11.一种用于在光学装置和等离子体源之间转移辐射的方法，所述方法包括：
提供包围在容器内的等离子体源；
提供光学装置，用于将光辐射转移到所述容器或使所述光辐射转移离开所述容器；和
提供熔融金属反射镜，所述金属反射镜布置在所述等离子体源的视线上用于将来自所述光学装置的所述光辐射反射到等离子体形成位置以点燃等离子体，其中所述反射镜包括反射镜形成元件，其中熔融金属供给装置设置成润湿所述反射镜形成元件，所述反射镜形成元件相对于重力的方向以倾斜角度布置在所述熔融金属供给装置的浴器中，通过旋转所述浴器内的反射镜形成元件来形成所述熔融金属反射镜，以便用熔融金属润湿所述反射镜形成元件。
12.一种用于在光学装置和等离子体源中的等离子体形成位置之间转移辐射的方法，所述方法包括：
将所述等离子体形成位置包围在容器中；
用所述光学装置提供光辐射到所述容器或使光辐射转移离开所述容器；和
用布置在所述等离子体形成位置的视线上的熔融金属反射镜将从来自所述光学装置的所述光辐射反射到等离子体形成位置以点燃等离子体，其中所述反射镜包括反射镜形成元件，其中熔融金属供给装置设置成润湿所述反射镜形成元件，所述反射镜形成元件相对于重力的方向以倾斜角度布置在所述熔融金属供给装置的浴器中，通过旋转所述浴器内的反射镜形成元件来形成所述熔融金属反射镜，以便用熔融金属润湿所述反射镜形成元件。
13.一种光刻设备，包括：
等离子体源，配置成产生辐射，所述等离子体源包括：
容器，配置成包围等离子体形成位置；
光学装置，配置成将光辐射转移到所述容器或使光辐射转移离开所述容器；和
反射器，布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间的光学路径上，所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射，其中所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜，其中所述反射镜包括反射镜形成元件，其中熔融金属供给装置设置成润湿所述反射镜形成元件，所述反射镜形成元件相对于重力的方向以倾斜角度布置在所述熔融金属供给装置的浴器中，通过旋转所述浴器内的反射镜形成元件来形成所述熔融金属反射镜，以便用熔融金属润湿所述反射镜形成元件；
照射器，配置成调节所述辐射；
图案形成装置，配置成图案化所述辐射；和
投影***，配置将图案化辐射投影到衬底上。
14.如权利要求13所述的光刻设备，其中，所述反射器是在从所述光学装置到所述等离子体形成位置的光学路径中处于下游方向的最终的光学元件。
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