JP6556250B2 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：放電励起プラズマ）方式の装置と、軌道放射光を用いるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２０１３−００４３６９号公報 国際公開２０１５／０８２９９７号 特開２００７−２７３２３９号公報

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバ内に配置され、凹曲面形状の反射面および反射面の外縁周りの外周部を備え、ターゲットへレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから放射されるＥＵＶ光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、外周部または外周部に沿って設けられて反射面に沿ったガス流を吹き出す複数の外周ヘッドを備えるガス供給装置と、外周部の近くに排気口を形成する排気路を備え、プラズマとともに生成されるイオンまたは粒子をガス流とともに排気口から排気する排気装置と、を備え、複数の外周ヘッドは、外周部またはその近くから反射面に沿って流れるガス流を吹き出し、複数のガス流を凹曲面形状の反射面において合流させることにより、反射面に沿って流れて排気口の方へ向かうガス流を生成する、とよい。

本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバ内に配置され、凹曲面形状の反射面および反射面の外縁周りの外周部を備え、ターゲットへレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから放射されるＥＵＶ光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、反射面の中央部に設けられて反射面に沿ったガス流を吹き出す中央ヘッド、および外周部または外周部に沿って設けられて反射面に沿ったガス流を吹き出す外周ヘッド、を備えるガス供給装置と、外周部の近くに排気口を形成する排気路を備え、プラズマとともに生成されるイオンまたは粒子をガス流とともに排気口から排気する排気装置と、を備え、中央ヘッドは、反射面に沿って中央部から排気口の方へ向かうガス流を吹き出し、ガス流には、外周ヘッドが外周部から反射面に沿って吹き出したガス流が合流する、とよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例のチャンバについてのＹ軸と垂直な断面を概略的に示す。 図３は、図２のチャンバについてのＺ軸と垂直な断面を概略的に示す。 図４は、図２および図３のチャンバ内でのガス流を概略的に示す。 図５は、図２および図３でのＥＵＶ集光ミラーのデブリ付着状態を概略的に示す。 図６は、第１実施形態のチャンバについてのＺ軸と垂直な断面を概略的に示す。 図７は、図６のチャンバについてのＹ軸と垂直な断面を概略的に示す。 図８は、図６および図７のチャンバ内でのＹ軸と垂直な方向でのガス流を概略的に示す。 図９は、図６および図７のチャンバ内でのＸ軸と垂直な方向でのガス流を概略的に示す。 図１０は、外周メインガス流の有効吹出角度とＥＵＶ集光ミラーのクリーンエリアとの関係の一例を示す。 図１１は、ＥＵＶ集光ミラーのクリーンエリアの定義例を示す。 図１２は、コーン型フードのガス流量とＥＵＶ集光ミラーのクリーンエリアとの関係の一例を示す。 図１３は、外周ヘッドのガス流量とＥＵＶ集光ミラーのクリーンエリアとの関係の一例を示す。 図１４は、第２実施形態における、スリット状の外周吹出口を備える外周ヘッドを概略的に示す。 図１５は、複数の分割ヘッドにスリット状の外周吹出口を形成した外周ヘッドを概略的に示す。 図１６は、複数の外周吹出口が配列された外周ヘッドを概略的に示す。 図１７は、複数の分割ヘッドに複数の外周吹出口を配列した外周ヘッドを概略的に示す。 図１８は、複数の筒状ノズルを備える外周ヘッドを概略的に示す。 図１９は、分岐チャンバを概略的に示す。 図２０は、複数のチャンバ本体による分岐チャンバを概略的に示す。 図２１は、第３実施形態のチャンバについてのＺ軸と垂直な断面を概略的に示す。 図２２は、第４実施形態のチャンバについてのＺ軸と垂直な断面を概略的に示す。 図２３は、図２２のチャンバについてのＹ軸と垂直な断面を概略的に示す。 図２４は、図２２および図２３のチャンバ内でのＹ軸と垂直な方向でのガス流を概略的に示す。 図２５は、図２２および図２３のチャンバ内でのＸ軸と垂直な方向でのガス流を概略的に示す。 図２６は、第５実施形態のチャンバについてのＺ軸と垂直な断面を概略的に示す。 図２７は、図２６のチャンバについてのＹ軸と垂直な断面を概略的に示す。 図２８は、図２６および図２７のチャンバ内でのＹ軸と垂直な方向でのガス流を概略的に示す。 図２９は、図２６および図２７のチャンバ内でのＸ軸と垂直な方向でのガス流を概略的に示す。

実施形態

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。
なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．用語の説明
３．課題
３．１ 比較例の構成
３．２ 比較例の動作
３．３ 課題
４．第１実施形態
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．第２実施形態
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．第３実施形態
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．第４実施形態
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
８．第５実施形態
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用・効果

［１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［１．１ 構成］
図１には、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。
図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット２７物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔２４が設けられていてもよい。その貫通孔２４には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面４６を備えるＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備え得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光３２の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［１．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３２が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［２．用語の説明］
「ターゲット」とは、チャンバ２に導入されたレーザ光３３の被照射物をいう。レーザ光３２が照射されたターゲット２７は、プラズマ化してＥＵＶ光２５１を放射し得る。
「ドロップレット」は、チャンバ２内へ供給されたターゲット２７の一形態である。

［３．課題］
［３．１ 比較例の構成］
図２および図３は、比較例のチャンバ２を示す模式的な断面図である。図２は、Ｚ軸およびＸ軸に沿ったチャンバ２の断面図であり、図３は、Ｘ軸およびＹ軸に沿ったチャンバ２の断面図であってよい。
Ｚ軸は、チャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出する方向でよい。
Ｘ軸は、Ｚ軸に直交し、一対の排気口４３の中心同士を結ぶ線分に沿った方向でよい。
Ｙ軸は、Ｘ軸およびＺ軸に直交し、ターゲット供給部２６とターゲット回収部２８とを結ぶターゲット２７の軌道に沿った方向でよい。
以降の図面でも図２を基準として座標軸を使用してよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６、ターゲット回収部２８、ＥＵＶ集光ミラー２３、ガス供給装置５１、排気装置６１、磁場装置７１、を備えてよい。

チャンバ２は、ＥＵＶ光２５１を生成するために減圧される内部空間を外界から隔離するものでよい。チャンバ２は、例えば中空の球形状、又は図２のように中空の円筒形状に形成されてよい。中空の円筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出するＥＵＶ光２５１の光路軸方向、すなわちＺ軸に沿った方向でよい。

円筒形状のチャンバ２の底面部には、レーザ光３２をチャンバ２内へ導くためのウインドウ２１が設けられてよい。
ウインドウ２１は、パルスレーザ光３２を透過する材料で形成されてよい。ウインドウ２１は、プラズマ生成領域２５に対して−Ｚ軸方向側に設けられてよい。

ウインドウ２１の周囲には、コーン型フード４１が設けられてよい。
コーン型フード４１は、チャンバ２内へ突出し、集光されるパルスレーザ光３２の光路に沿って先細りとなる略円錐台形状またはコーン形状を備えてよい。コーン型フード４１は、ウインドウ２１の周囲から、Ｚ軸方向に沿ってプラズマ生成領域２５へ向かって延在してよい。

円筒形状のチャンバ２の側面部には、円形状を備える一対のチャンバ孔４２が形成されてよい。一対のチャンバ孔４２は、対向する位置に形成されてよい。
一方のチャンバ孔４２には、ターゲット供給部２６が配置されてよい。
他方のチャンバ孔４２には、ターゲット回収部２８が配置されてよい。
一対のチャンバ孔４２の中心同士を結ぶ線分は、Ｙ軸に沿っており、プラズマ生成領域２５においてＺ軸に沿ったＥＵＶ光２５１の光路軸方向と直交してよい。

円筒形状のチャンバ２の側面部には、円形状を備える一対の排気口４３が形成されてよい。一対の排気口４３は、対向する位置に形成されてよい。一対の排気口４３の中心同士を結ぶ線分は、Ｘ軸に沿っており、プラズマ生成領域２５においてＺ軸に沿ったＥＵＶ光２５１の光路軸方向および一対のチャンバ孔４２の中心同士を結ぶ線分の方向と直交してよい。

ＥＵＶ集光ミラー２３は、チャンバ２の内部に配置されてよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５とウインドウ２１との間に位置してよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３は、凹曲面形状の反射面４６と、反射面４６の外縁周りを形成する外周部４７と、反射面４６の中央部４８を貫通する貫通孔２４と、を備えてよい。外周部４７は、ＥＵＶ集光ミラー２３の側面であってもよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３は、外周部４７が一対の排気口４３よりチャンバ２の底面部側に配置されるように、対向する一対の排気口４３の間に設けられてよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７の近くに、一対の排気口４３が位置してよい。
貫通孔２４には、略円錐台形状のコーン型フード４１が挿入され、コーン型フード４１の先端部分は凹曲面形状の反射面４６から突出してもよい。

ガス供給装置５１は、ガスタンク５２、分岐ユニット５３、複数の分岐ダクト５４、中央ヘッド５５、を備えてよい。
ガスタンク５２は、水素ガスを貯蔵してよい。
分岐ユニット５３は、ガスタンク５２に接続されてよい。複数の分岐ダクト５４は、分岐ユニット５３に接続されてよい。分岐ユニット５３は、ガスタンク５２の水素ガスを各分岐ダクト５４へ分岐してよい。複数の分岐ダクト５４へ分岐されるガスの圧力は、同じでよい。
一つの分岐ダクト５４は、コーン型フード４１に接続され、コーン型フード４１内へ水素ガスを供給してよい。コーン型フード４１は、その先端からチャンバ２内へコーンガス流Ｆ１を吹き出してよい。これにより、ＥＵＶ光２５１とともに生成されるスズ原子やスズイオンは、コーン型フード４１内へ入り難くなり、ウインドウ２１に付着し難くなってよい。

他の一つの分岐ダクト５４は、中央ヘッド５５に接続されてよい。
中央ヘッド５５は、略円錐台形状のコーン型フード４１の外周に沿って、コーン型フード４１の周囲に全周で設けられるものでよい。中央ヘッド５５は、コーン型フード４１の全周にわたるスリット状の中央吹出口５６、またはコーン型フード４１の全周にわたって等間隔に配列された複数の中央吹出口５６を備えてよい。中央吹出口５６は、反射面４６の貫通孔２４内に位置してよい。
反射面４６の貫通孔２４内に位置する中央ヘッド５５は、中央吹出口５６から、凹曲面形状の反射面４６に沿って外周部４７へ向かって流れる均一な中央ガス流Ｆ２を吹き出してよい。これにより、スズ原子といった粒子やスズイオンは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６に付着し難くなってよい。

排気装置６１は、一対の排気ダクト６２、排気ユニット６３、を備えてよい。
一対の排気ダクト６２は、チャンバ２の一対の排気口４３と排気ユニット６３とを接続してよい。
排気ユニット６３は、チャンバ２内のガスを吸気してチャンバ２外へ排気してよい。これにより、排気ユニット６３は、スズ原子といった粒子やスズイオンをチャンバ２の外へ排気してよい。

磁場装置７１は、一対の電磁コイル７２、電源装置７３を備えてよい。
電磁コイル７２は、リング形状の超電導磁石でよい。電磁コイル７２は、電源装置７３に接続されてよい。
一対の電磁コイル７２は、チャンバ２の外において、一対の排気口４３の外側に配置されてよい。一対の電磁コイル７２は、プラズマ生成領域２５またはＥＵＶ集光ミラー２３に対して、一対の排気口４３と同じＸ軸方向の両側に配置されてよい。一対の電磁コイル７２の中心軸は、一対の排気口４３の中心同士を結ぶ線分と一致してよい。チャンバ２の両外側に一対の電磁コイル７２を設置することで、チャンバ２内には、ミラー磁場が形成されてよい。なお、チャンバ２内に形成される磁場は、非軸対称磁場でもよい。
電源装置７３により一対の電磁コイル７２に電流を流してよい。これにより、一対の排気口４３の間には、一対の排気口４３の配列方向に沿った磁力線が生成されてよい。スズイオンは、この磁力線に沿って移動してよい。

［３．２ 比較例の動作］
比較例において、排気装置６１は、チャンバ２内を排気してよい。
ガス供給装置５１は、水素ガスを、コーン型フード４１および中央ヘッド５５から吹き出してよい。水素ガスは、コーン型フード４１の先端およびＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８から、チャンバ２内へ吹き出してよい。
チャンバ２内に導入される水素ガスの総流量は、数ｓｌｍ以上、数百ｓｌｍ以下としてよい。これにより、チャンバ２内は、数Ｐａ以上、数百Ｐａ以下の水素圧力に保たれてよい。
磁場装置７１は、一対の電磁コイル７２に通電し、チャンバ２内に数Ｔ以下の磁場を発生させてよい。
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７としてのドロップレットをチャンバ２内へ供給してよい。ドロップレットの粒径は、数マイクロメートル以上、数十マイクロメートル以下でよい。ドロップレットは、３０ｋＨｚ以上、１００ｋＨｚ以下（３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００ｋＨｚ）の周波数で発生させてよい。パルスレーザ光３２が照射されなかったドロップレットは、チャンバ２内をＹ軸に沿って移動し、ターゲット供給部２６と対向して設置されているターゲット回収部２８に回収されてよい。
パルスレーザ光３２は、ウインドウ２１を通じてチャンバ２内へ導入され、ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４に設置されたコーン型フード４１の中を通過し、プラズマ生成領域２５にてドロップレットに照射させてよい。

パルスレーザ光３２が照射されたドロップレットは、プラズマとなり、スズ原子、スズイオン、ＥＵＶ光２５１を含む光を発生してよい。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３により集光反射され、Ｚ軸に沿って進行して露光装置６へ向けて出力されてよい。
プラズマとともに生成されたスズ原子やスズイオンは、デブリとなり、チャンバ２内で拡散しようとしてよい。
スズイオンは、磁場によるローレンツ力を受けて磁場軸の両サイド方向へと移動し、磁場軸の方向に設置された一対の排気口４３へ導かれ、チャンバ２外へ排気されてよい。
スズイオンの一部は、水素ガスとの衝突により排気口４３に到達する前に、エネルギーを失い停止してよい。停止したスズイオンは、排気ガス流Ｆｏにより、一対の排気口４３へ導かれてよい。
スズイオンの一部は、水素ガスとの電荷交換反応により、排気口４３に到達する前に中性化してスズ原子となってよい。スズ原子は、磁場の力を受けないため周囲に拡散され易いが、排気ガス流Ｆｏにより一対の排気口４３へ導かれてよい。
このようにスズイオンは、効率よくチャンバ２内から排出されてよい。その一方で、磁場の影響を受けないスズ原子は、チャンバ２内で周囲に拡散し易く、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面に堆積し易くてよい。
このため、本実施形態では、チャンバ２内に導入するガスとして水素ガスを使用してよい。チャンバ２内に導入された水素ガスは、プラズマの光エネルギーにより一部が光解離し、反応性の高い水素原子、すなわち水素ラジカルとなってよい。
水素原子は、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面に堆積したスズデブリと反応してよい。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面に堆積したスズデブリは、常温で揮発性のスタンナンガス（ＳｎＨ_４）となり、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面から除去されてよい。
スタンナンガスは、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８に設けられた中央ヘッド５５から吹き出される中央ガス流Ｆ２により、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面を外周部４７へ向かって流れ、一対の排気口４３からチャンバ２の外へ排気されてよい。
これにより、スズ原子についても、チャンバ２内から排出し得る。

［３．３ 課題］
しかしながら、長期的には、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６にデブリが付着し得る。
図４は、比較例でのガス流の説明図である。図５は、比較例でのＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６へのデブリの付着状態の一例である。
比較例では、図４に示すように、コーン型フード４１の先端からコーンガス流Ｆ１を吹き出すとともに、コーン型フード４１の周囲に設けられた中央ヘッド５５から中央ガス流Ｆ２を吹き出してよい。この場合、中央ヘッド５５とコーン型フード４１の先端との間の空間において、ガスの対流Ｆｃが発生し得る。コーン型フード４１の先端部の周囲で、ガスが対流Ｆｃし得る。
スタンナンガスの一部は、この対流Ｆｃに巻き込まれることにより、チャンバ２から排出され難くなる。また、対流Ｆｃ中のスタンナンガスは、プラズマ生成により加熱されるコーン型フード４１に接触して、熱分解され得る。その結果、コーン型フード４１の先端部の周囲で析出したスズ原子は、図５に示すように、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８に再付着し得る。このようにしてスズ原子がＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６に再付着することにより、長期的にはＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６の中央部４８には、デブリの堆積領域ＳＤが形成され得る。
コーン型フード４１の先端部分が凹曲面形状の反射面４６から突き出して位置している場合、コーン型フード４１の先端は、プラズマ生成領域２５の近くに配置され得る。プラズマ生成時の熱により加熱されるコーン型フード４１の先端部には、冷却液を循環させてよい。しかしながら、このような場合でもコーン型フード４１の中央部４８が冷却され難いことがあり得る。コーン型フード４１の表面温度が１００℃を超えてしまうと、コーン型フード４１に接触したスタンナンガスは、熱分解し易くなり得る。
スタンナンガスの熱分解を抑制するために、中央ヘッド５５から吹き出すガスの流量を増やすことも考えられるが、中央ヘッド５５のガス流量を増加させると、コーン型フード４１の周囲においてガスが対流Ｆｃする範囲が拡大するようになり得る。その結果、スタンナンガスが熱分解されることにより生成されるスズ原子は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６の中央部４８だけでなく、その周囲にも拡散して付着するようになってしまい得る。

［４．第１実施形態］
［４．１ 構成］
図６および図７は、第１実施形態でのチャンバ２を示す模式的な説明図である。図６は、図３と同じ視点での断面図あり、図７は、図２と同じ視点での一部断面図あってよい。
本実施形態のガス供給装置５１は、ガスタンク５２、分岐ユニット５３、複数の分岐ダクト５４、外周ヘッド５７、を備えてよい。本実施形態は、中央ヘッド５５がなく、替わりに外周ヘッド５７が設けられている点において、比較例と基本的に異なる。
以上の説明と共通する部分は、以上の説明と共通の符号を使用して、その説明を省略する。

外周ヘッド５７は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７から、凹曲面形状の反射面４６に沿った外周ガス流Ｆ３を中央部４８へ向けて吹き出すものでよい。
外周ヘッド５７は、外周部４７の近くに設けられてよい。外周ヘッド５７は、外周部４７に一体的に設けられてもよい。
外周ヘッド５７は、一対の排気口４３、ターゲット供給部２６およびターゲット回収部２８を避けて、外周部４７のほぼ全周にわたって延在するように設けられてよい。
外周ヘッド５７には、図６に示すように反射面４６に沿った外周ガス流Ｆ３を吹き出す複数の円形の外周吹出口５８が形成されてよい。外周ヘッド５７には、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周に沿って延びるスリット状の外周吹出口５８が形成されてもよい。
外周吹出口５８は、図７に示すように反射面４６の凹曲面形状に沿った角度で、反射面４６の中央部４８へ向けて設けられてよい。

分岐ユニット５３は、外周ヘッド５７の複数の外周吹出口５８へガスを分岐するものでよい。外周ヘッド５７からのガスの流量は、１０ｓｌｍ以上、１００ｓｌｍ以下（１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００ｓｌｍ）でよい。さらには、２０ｓｌｍ以上、４０ｓｌｍ以下（２０、３０、４０ｓｌｍ）でよい。
この際、分岐ユニット５３は、速い速度の外周メインガス流Ｆ３ｍと、外周メインガス流Ｆ３ｍよりも遅い速度の外周サブガス流Ｆ３ｓとを生成し、これらを複数の外周吹出口５８へ供給してよい。一対の排気口４３の近くの複数の外周吹出口５８（破線）には、遅い速度の外周サブガス流Ｆ３ｓを分岐し、ターゲット供給部２６またはターゲット回収部２８の近くの複数の外周吹出口５８（実線）には、速い速度の外周メインガス流Ｆ３ｍを分岐してよい。メインガスの流量は、サブガスの流量より４倍以上、１０倍以下（４、５，６，７，８，９，１０倍）でよく、さらに好ましくは５倍以上、７倍以下（５，６，７倍）でよい。外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出す外周吹出口５８は、図６に示すように３０°の有効吹出角度θ内に配置されてよい。

有効吹出角度θとは、メインガス用の複数の外周吹出口５８が外周に沿って一列に並ぶ場合、一端の外周吹出口５８の外縁とＥＵＶ集光ミラー２３の中心とを結ぶ線分と、他端の外周吹出口５８の外縁とＥＵＶ集光ミラー２３の中心とを結ぶ線分とが成す角度をいう。
一例として図６のターゲット供給部２６の右側に配列されたメインガス用の複数の外周吹出口５８について、有効吹出角度θが定義され得る。この場合、ターゲット供給部２６直近右側の外周吹出口５８から、外周サブガス流Ｆ３ｓの外周吹出口５８に隣接する外周吹出口５８までの角度が、有効吹出角度θとなってよい。図６においては、ターゲット供給部２６の左側と、ターゲット回収部２８の右側と、ターゲット回収部２８の左側とに配列されたメインガス用の複数の外周吹出口５８についても、同様に有効吹出角度θが定義され得る。

［４．２ 動作］
ガス供給装置５１は、図７に示すように、水素ガスを、コーン型フード４１の先端および外周ヘッド５７から吹き出させてよい。
外周ヘッド５７は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７に沿って配列された複数の外周吹出口５８から、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６に向かって外周ガス流Ｆ３を吹き出してよい。
複数の外周吹出口５８の中、一対の排気口４３の配列方向と垂直なＹ軸の近くの外周吹出口５８は、一対の排気口４３の近くの外周吹出口５８より速い外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出してよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３の凹曲面形状の反射面４６では、図６に示すように、外周部４７から反射面４６に沿って中央部４８へ向かう複数の外周ガス流Ｆ３が流れ得る。
複数の外周ガス流Ｆ３は、反射面４６の中央部４８において合流し得る。
凹曲面形状の反射面４６では、主に外周メインガス流Ｆ３ｍにより、中央部４８から反射面４６に沿って一対の排気口４３の方へ向かう合成ガス流Ｆａが生成され得る。
外周サブガス流Ｆ３ｓは、合成ガス流Ｆａに合流し得る。

図８および図９は、チャンバ２内のガス流の流れを説明する図である。図８は、図４と同じ視点での断面図であり、図９は、図６のＺ軸およびＹ軸に沿った断面図であってよい。
図９に示すように、外周メインガス流Ｆ３ｍは、反射面４６の凹曲面形状に沿って、Ｙ軸方向の外周部４７から中央部４８へ向かって流れ得る。
また、反射面４６から離れた空間においても、チャンバ２内には、外周メインガス流Ｆ３ｍに沿った方向の第一離間ガス流Ｆ４が生成され、コーン型フード４１による上向きのコーンガス流Ｆ１と好適に合流し得るようになってよい。
図８に示すように、合成ガス流Ｆａは、反射面４６の凹曲面形状に沿って、中央部４８からＸ軸方向の外周部４７へ向かって流れ得る。
また、反射面４６から離れた空間においても、チャンバ２内には、合成ガス流Ｆａに沿った方向の第二離間ガス流Ｆ５が生成され得るようになってよい。

［４．３ 作用・効果］
図１０は、外周メインガス流Ｆ３ｍの有効吹出角度θとＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアとの関係の一例を示す特性図である。横軸は、Ｙ軸を基準とした外周メインガス流Ｆ３ｍの有効吹出角度θでよい。縦軸は、ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアの面積を、反射面４６の有効面積で割った値でよい。
図１１は、ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアの定義の一例の説明図である。図１１において、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６は、略円板形状の平面に展開され、中央に円形の貫通孔２４が平面展開されてよい。図１１のＥＵＶ集光ミラー２３は、反射面４６のうち、二本の破線の間の領域として露光に用いられないオブスキュレーション領域８１が図示されていてよい。この場合、クリーンエリアは、反射面４６の面積から、貫通孔２４の面積およびオブスキュレーション領域８１の面積を除算した有効面積について演算されてよい。そして、有効面積の中で、デブリが付着しない面積を、有効面積により除算したものが、図１０の縦軸のクリーンエリアの値となってよい。

図１１には、比較例でのデブリ付着領域が図示されてよい。比較例では、一対の排気口４３の周囲の部分と、中央部４８とに、デブリが付着し得る。比較例でのクリーンエリアの値は、有効面積の中の汚染された領域の面積に応じて小さくなり、クリーンエリアの面積は、１より小さい値となり得る。

これに対して、図１０に示すように、本実施形態では、外周メインガス流Ｆ３ｍの有効吹出角度θがたとえば３０°である場合、クリーンエリアの値は略１となり得る。クリーンエリアの値が１であることは、図１０の有効面積内にデブリが付着しないことを意味してよい。
外周メインガス流Ｆ３ｍの有効吹出角度θを、たとえば２０°以上、４５°以下（２０、２５、３０、３５、４０、４５°）とした場合、クリーンエリアの値を０．６以上とし得る。
外周メインガス流Ｆ３ｍの有効吹出角度θを、たとえば２５°以上、４５°以下（２０、２５、３０、３５、４０、４５°）とした場合、クリーンエリアの値を０．８以上とし得る。

図１２は、コーン型フード４１のガス流量とＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアとの関係の一例を示す特性図である。横軸は、コーン型フード４１のガス流量の値でよい。縦軸は、ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアの面積を、反射面４６の有効面積で割った値でよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアは、図１２に示すように、コーン型フード４１の流量によっても影響を受けて変動してよい。
図１２より、本実施形態では、コーン型フード４１の流量を、４ｓｌｍ以上、７ｓｌｍ以下（４、５、６、７ｓｌｍ）とするとよい。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアとして、０．９５以上の値を確保することができる。

図１３は、外周ヘッド５７のガス流量とＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアとの関係の一例を示す特性図である。横軸は、外周ヘッド５７のガス流量の値でよい。縦軸は、ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアの面積を、反射面４６の有効面積で割った値でよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアは、図１３に示すように、外周ヘッド５７の流量について依存性を示して変動してよい。
比較例では、１５ｓｌｍ以上に多流量化するとかえってクリーンエリアが減少してしまうが、本実施形態では、１５ｓｌｍ以上に多流量化してもクリーンエリアが０．８５以上の高い値の範囲で増加し得る。よって、本実施形態では、外周ヘッド５７のガス流量を増やしても、クリーンエリアを効果的に高い状態に維持し得る。クリーンエリアの割合は、改善され得る。
図１３より、本実施形態では、外周ヘッド５７のガス流量を、１５ｓｌｍ以上、２５ｓｌｍ以下（１５、２０、２５ｓｌｍ）とした場合、クリーンエリアの値を０．８５以上とし得る。

このように、本実施形態では、コーン型フード４１の先端部の周囲においてガスが対流し難くなり得る。コーン型フード４１の先端部に接触することによるスタンナンガスの熱分解は、抑制され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８におけるスズ原子の再付着は、抑制され得る。長期的に見てもＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８の汚染は、抑制され得る。

以上のように、本実施形態では、凹曲面形状の反射面４６に対して外周部４７から外周ガス流Ｆ３を供給しているので、比較例のようにＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８のコーン型フード４１の周囲において対流Ｆｃが発生し難くなり得る。本実施形態では、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８の汚れを抑制できる。本実施形態では、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８にスズ原子などのデブリが堆積し難くなり得る。
また、本実施形態では、外周ヘッド５７の流量を増やしても、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６の上でのガスの流れ方が変化せず、単に流速が増加するだけであり得る。本実施形態では、チャンバ２内からのデブリの排気性能を向上させ、ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアを増加させ得る。

［５．第２実施形態］
本実施形態では、第１実施形態のガス供給装置５１に用いることができる外周ヘッド５７の具体例を説明する。
以上の説明と共通する部分は、以上の説明と共通の符号を使用して、その説明を省略する。

［５．１ 構成］
図１４から図１８に、外周ヘッド５７の具体例を示す。
図１４の外周ヘッド５７は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周に沿って湾曲した長尺のヘッド本体９１に、スリット状の外周吹出口５８を形成したものでよい。スリット状の外周吹出口５８は、長尺のヘッド本体９１の延在方向において幅広に形成されてよい。このような外周ヘッド５７をＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７に沿って複数設置することにより、スリット状の各外周吹出口５８は、反射面４６の外周方向に沿って配置され得る。

図１５の外周ヘッド５７は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周に沿って湾曲して外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出すメイン分割ヘッド９２と、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周に沿って湾曲して外周サブガス流Ｆ３ｓを吹き出すサブ分割ヘッド９３と、を備える。メイン分割ヘッド９２およびサブ分割ヘッド９３には、ヘッド本体にスリット状の外周吹出口５８が形成されてよい。本実施形態では、このようにメイン分割ヘッド９２とサブ分割ヘッド９３とを分離して形成しているので、速さが異なる外周メインガス流Ｆ３ｍと外周サブガス流Ｆ３ｓとを各々の分割ヘッドに対して個別に供給し得る。

図１６の外周ヘッド５７は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周に沿って湾曲した長尺のヘッド本体９１に、複数の外周吹出口５８を形成したものでよい。複数の外周吹出口５８は、長尺のヘッド本体９１の延在方向に沿って等間隔に配列されてよい。本実施形態では、外周ヘッド５７をＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７に沿って配置しているので、複数の外周吹出口５８を、反射面４６の外周方向に沿って配列し得る。

図１７の外周ヘッド５７は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周に沿って湾曲して外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出すメイン分割ヘッド９２と、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周に沿って湾曲して外周サブガス流Ｆ３ｓを吹き出すサブ分割ヘッド９３と、を備えてよい。メイン分割ヘッド９２とサブ分割ヘッド９３とは、各々のヘッド本体９１に複数の外周吹出口５８を形成したものでよい。複数の外周吹出口５８は、ヘッド本体９１の延在方向に沿って等間隔に配列されてよい。本実施形態では、メイン分割ヘッド９２とサブ分割ヘッド９３とを分離して形成しているので、速さが異なる外周メインガス流Ｆ３ｍと外周サブガス流Ｆ３ｓとを各々の分割ヘッドに対して個別に供給し得る。

図１８は、外周ヘッド５７を、複数の筒状ノズル９４で形成したものでよい。各筒状ノズル９４は、外周吹出口５８を有してよい。本実施形態では、複数の筒状ノズル９４をＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７に沿って等間隔に配列しているので、複数の外周吹出口５８を、反射面４６の外周方向に沿って配列し得る。

図１４から図１８の外周ヘッド５７を相互に比較した場合、図１４の外周ヘッド５７では、外周吹出口５８自体が反射面４６の外周方向に沿って延びていてよい。よって、図１６または図１８の複数の離散的な円形の外周吹出口５８と比べて、反射面４６の外周の全体から、切れ目のない外周ガス流Ｆ３を吹き出し得る。
図１４および図１６の外周ヘッド５７では、複数の排気口４３が一体的に形成されているので、これらをまとめて位置決めし得る。図１８の筒状ノズル９４を用いたチューブ型の外周ヘッド５７と比べて、取り付け作業は、容易となり得る。
図１５または図１７の外周ヘッド５７は、分離された複数の分割ヘッドで構成されているので、異なる速さのガスを個別に供給して、異なる速さの外周メインガス流Ｆ３ｍ，Ｆ３ｓを吹き出させることを容易に実現し得る。

図１９は、ガス供給装置５１において分岐ユニット５３と外周ヘッド５７との間に接続される分岐チャンバ１０１の概略構成図の一例である。
図１９の分岐チャンバ１０１は、チャンバ本体１０２、ガス導入ポート１０３、複数のガス導出ポート１０４、ガス整流板１０５、を有してよい。
チャンバ本体１０２は、略立方体形状の中空形状に形成されてよい。ガス導入ポート１０３と、複数のガス導出ポート１０４とは、略立方体形状のチャンバ本体１０２の対向する側面から突出して形成され、チャンバ本体１０２の内部空間と連通してよい。ガス整流板１０５は、チャンバ本体１０２の内部空間を、ガス導入ポート１０３側の空間と、複数のガス導出ポート１０４側の空間とに仕切ってよい。
複数のガス導出ポート１０４は、外周ヘッド５７に接続されてよい。ガス導出ポート１０４は、たとえば外周ヘッド５７の外周吹出口５８と同数とし、外周吹出口５８と１対１対応で接続されてよい。
ガス導入ポート１０３は、分岐ユニット５３に接続されてよい。
ガス整流板１０５は、薄い金属板でよく、複数の通気孔１０６が形成されてもよい。通気孔１０６は、適度な圧力損失を生じるよう例えば０．５ｍｍφでよい。通気孔１０６は、ガス導出ポート１０４と同数またはそれ以下としてよい。通気孔１０６は、各ガス導出ポート１０４に対応する位置に１対１対応で形成されてよい。
分岐チャンバ１０１は、接続された複数の外周吹出口５８に対して、それぞれ均等な圧力が付与されるよう均圧処理されたガスを分岐し得る。

図２０は、流量が互いに異なる外周メインガス流Ｆ３ｍと外周サブガス流Ｆ３ｓとを分岐するための分岐チャンバ１０１の概略構成図の一例である。
図２０の分岐チャンバ１０１は、メインチャンバ本体１０７、サブチャンバ本体１０８、複数のガス導入ポート１０３、複数のガス導出ポート１０４、複数のガス整流板１０５、を有してよい。
メインチャンバ本体１０７におけるガス導入ポート１０３、複数のガス導出ポート１０４、ガス整流板１０５の構成、サブチャンバ本体１０８におけるガス導入ポート１０３、複数のガス導出ポート１０４、ガス整流板１０５の構成は、図１９と同様である。
本実施形態では、外周ヘッド５７に接続される分岐チャンバ１０１を、複数に分割されたチャンバ本体１０７，１０８で構成しているので、複数の外周吹出口５８に対して、複数のチャンバ本体１０７，１０８の各々において個別に均圧処理された複数の流量のガスを供給し得る。

［５．２ 動作］
図１４から図１８の外周ヘッド５７は、第１実施形態の外周ヘッド５７として使用し得る。
図１９および図２０の分岐チャンバ１０１は、外周ヘッド５７の複数の外周吹出口５８へガスを分岐するために用い得る。

図１７の外周ヘッド５７と図２０の分岐チャンバ１０１との組み合わせを例に説明すると、メイン分割ヘッド９２と分岐ユニット５３との間には、メインチャンバ本体１０７が接続されてよい。また、サブ分割ヘッド９３と分岐ユニット５３との間には、サブチャンバ本体１０８が接続されてよい。
この場合、分岐ユニット５３で分岐されるガス流は、メインチャンバ本体１０７において外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出す複数の外周吹出口５８へ個別に分岐され、メイン分割ヘッド９２へ供給され得る。
分岐ユニット５３で分岐されるガス流は、サブチャンバ本体１０８において外周サブガス流Ｆ３ｓを吹き出す複数の外周吹出口５８へ個別に分岐され、サブ分割ヘッド９３へ供給され得る。この際、メインチャンバ本体１０７に供給されるガスの流量が、サブチャンバ本体１０８に供給されるガスの流量よりも多くなるよう構成されてもよい。例えば、メインチャンバ本体１０７に接続されるガス導入ポート１０３の内径が、サブチャンバ本体１０８に接続されるガス導入ポート１０３の内径よりも大きくなるよう構成されてもよい。また例えば、メイン分割ヘッド９２に接続される複数のガス導出ポート１０４の内径が、サブ分割ヘッド９３に接続される複数のガス導出ポート１０４の内径よりも大きくなるよう構成されてもよい。あるいは、それぞれのガス導入ポート１０３には不図示のニードルバルブ等が配置されてもよい。それぞれのニードルバルブの開度は互いに異なってもよい。その結果、外周メインガス流Ｆ３ｍは、外周サブガス流Ｆ３ｓより早くなり得る。好ましくは、メインのガス流量を８ｓｌｍ以上、５５ｓｌｍ以下（８、１０、２０、３０、４０、５０、５５ｓｌｍ）とし、サブのガス流量を１ｓｌｍ以上、６ｓｌｍ以下（１、２、３、４、５、６ｓｌｍ）としてよい。さらに好ましくは、メインのガス流量を１６ｓｌｍ以上、３５ｓｌｍ以下（１６，２０，２５，３０，３５ｓｌｍ）とし、サブのガス流量を２ｓｌｍ以上、７ｓｌｍ以下（２，３，４，５，６，７ｓｌｍ）としてよい。

［５．３ 作用・効果］
本実施形態では、分岐チャンバ１０１において均圧処理して分岐したガス流を、外周ヘッド５７へ供給し得る。
また、簡単な構成でメインのガス流量をサブのガス流量よりも多くし得る。

［６．第３実施形態］
本実施形態では、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７の近くに位置センサ７などが配置され、外周ヘッド５７の複数の外周吹出口５８を、これらの位置センサ７を避けるように配置する例について説明する。
以上の説明と共通する部分は、以上の説明と共通の符号を使用して、その説明を省略する。

［６．１ 構成］
図２１は、第３実施形態でのチャンバ２を示す模式的な説明図である。図２１は、図６と同じ視点からの断面図であってよい。
図２１のチャンバ２では、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７の近くに、一対の排気口４３、ターゲット供給部２６、ターゲット回収部２８に加えて、位置センサ７、位置センサ用光源８、エネルギー計測センサ９などが配置されていてよい。

位置センサ７は、プラズマ生成領域２５へ供給されるドロップレットの位置を検出するセンサであってよい。
位置センサ用光源８は、位置センサ７によるドロップレットの検出位置へ光を照射するものでよい。位置センサ用光源８は、ドロップレットの検出位置を挟んで、位置センサ７に対向するように配置されてよい。
位置センサ７は、検出位置を通過するドロップレットを撮像した画像に基づいて、ドロップレットの位置を検出してよい。

エネルギー計測センサ９は、プラズマ生成領域２５にて生成されるＥＵＶ光２５１のエネルギーを計測してよい。

これらのセンサ７〜９は、プラズマ生成領域２５へ供給されるドロップレットや、プラズマ生成領域２５にて生成されるＥＵＶ光２５１を検出するものでよい。よって、センサ７〜９は、検出精度などの観点から、なるべくプラズマ生成領域２５の近くに配置することが望ましい。このため、これらのセンサ７〜９は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７の近くに配置してよい。
このように、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７の近くには、位置センサ７などの周辺部材が配置されるので、外周ヘッド５７および複数の外周吹出口５８は、これらの周辺部材が設けられる部分を避けて、外周部４７のほぼ全周に配置するようにしてよい。
そして、外周ヘッド５７の複数の外周吹出口５８の外周ガス流Ｆ３により、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６上で一対の排気口４３へ向かう合成ガス流Ｆａを好適に生成するためには、外周メインガス流Ｆ３ｍの流路を確保する必要があってよい。
よって、本実施形態では、外周ヘッド５７において、外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出す複数の外周吹出口５８の配置するための角度を確保してよい。

図２１において、外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出す複数の外周吹出口５８は、ターゲット供給部２６の左右両側と、ターゲット回収部２８の左右両側とに配置されてよい。
この場合、図２１のターゲット供給部２６の右側において、複数の外周吹出口５８は、ターゲット供給部２６と、位置センサ用光源８とを避けて、配置してよい。
たとえば、図２１のターゲット供給部２６の右側において外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出す複数の外周吹出口５８は、ターゲット供給部２６と位置センサ用光源８との間と、位置センサ用光源８の右外側とに配置されてよい。
この場合においても、外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出す複数の外周吹出口５８は、少なくとも２０°以上、４５°以下（２０、２５、３０、３５、４０、４５°）の有効吹出角度θの範囲において設けられるとよい。好ましくは、３０°の有効吹出角度θで設けられるとよい。
図２１では、ターゲット供給部２６の右側に位置センサ用光源８が配置されてよい。この場合、有効吹出角度θは、メインガス用の複数の外周吹出口５８の配列の一端の外周吹出口５８外縁とＥＵＶ集光ミラー２３の中心とを結ぶ線分と、他端の外周吹出口５８外縁とＥＵＶ集光ミラー２３の中心とを結ぶ線分とが成す角度から、その間に配置される周辺部材の配置角度を減算したものとしてよい。周辺部材は、位置センサ７、位置センサ用光源８、エネルギー計測センサ９などでよい。周辺部材の配置角度とは、周辺部材の両側とＥＵＶ集光ミラー２３の中心とを結ぶ一対の線分が成す角度としてよい。
たとえば図２１の場合、外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出す複数の外周吹出口５８の有効吹出角度θは、以下の式で表してよい。ここで、ターゲット供給部２６と位置センサ用光源８との間において、外周吹出口５８配列の一端の外周吹出口５８外縁とＥＵＶ集光ミラー２３の中心とを結ぶ線分と、他端の外周吹出口５８外縁とＥＵＶ集光ミラー２３の中心とを結ぶ線分とが成す角度をθ１としてよい。また、位置センサ用光源８の右外側におけるメインガス用の複数の外周吹出口５８の角度をθ２としてよい。また、図２１において、位置センサ用光源８の右外側には、１個の外周吹出口５８しか配置されていないので、この場合には外周吹出口５８の外縁を角度θ２の基準としてよい。

２０°≦θ（＝θ１＋θ２）≦４５°

［６．２ 動作］
外周ヘッド５７は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７の近くに配置される周辺部材を避けて設けられた複数の外周吹出口５８から、有効吹出角度θの吹き出し幅を有する外周メインガス流Ｆ３ｍを吹き出してよい。

［６．３ 作用・効果］
本実施形態では、外周メインガス流Ｆ３ｍの吹き出し幅として有効吹出角度θを確保しているので、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７の近くに周辺部材を配置する必要がある場合でも、図６と同様のガス流を生成し得る。
その結果、本実施形態では、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部４７の近くに周辺部材を配置しても、ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーンエリアが影響を受け難くし得る。

［７．第４実施形態］
本実施形態では、コーン型フード４１がＥＵＶ集光ミラー２３の凹曲面形状の反射面４６から突出するようにした例について説明する。
以上の説明と共通する部分は、以上の説明と共通の符号を使用して、その説明を省略する。

［７．１ 構成］
図２２および図２３は、本実施形態でのチャンバ２を示す模式的な説明図である。図２２は、図６と同じ視点からの断面図でよく、図２３は、図７と同じ視点からの断面図でよい。
コーン型フード４１は、その先端部分がＥＵＶ集光ミラー２３の凹曲面形状の反射面４６から突出しないように短く形成されてよい。以下、本実施形態において、第１実施形態と区別する際には本実施形態のコーン型フード４１をショートコーン型フード４１Ｓといい、第１実施形態のコーン型フード４１をロングコーン型フード４１Ｌという。
ショートコーン型フード４１Ｓのガス流量は、２ｓｌｍ以上、２０ｓｌｍ以下（２、４、６、８、１０、１２、１４、１６、１８、２０ｓｌｍ）でよい。さらに好ましくは、４ｓｌｍ以上、８ｓｌｍ以下（４、６、８ｓｌｍ）でよい。本実施形態での流量は、第１実施形態と同じでよい。

［７．２ 動作］
ガス供給装置５１は、分岐ユニット５３からショートコーン型フード４１Ｓ内へガスを供給してもよい。
図２４および図２５は、チャンバ２内のガス流の流れを説明する図である。図２４は、図８と同じ視点からの断面図であり、図２５は、図９と同じ視点からの断面図であってよい。
図２４および図２５に示すように、チャンバ２内のガスの流れは、基本的に第１実施形態の図９および図１０と同じとなってよい。
ただし、第１実施形態では、外周ヘッド５７がＥＵＶ集光ミラー２３の中心部へ向かって流す外周ガス流Ｆ３は、ロングコーン型フード４１Ｌの側面に衝突し、その衝突の後に周囲へ流れ得る。このため、スタンナンガス（ＳｎＨ_４）は、比較例のように大量ではなくとも、コーン型フード４１の側面で熱分解を起こし易くなり得る。スタンナンガスが熱分解されることによりスズ原子が析出し、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６の中心部には、スズ原子が再付着し易くなり得る。
これに対して、本実施形態では、ショートコーン型フード４１Ｓを使用し、その先端部分が凹曲面形状の反射面４６から突出しないので、外周ガス流Ｆ３がショートコーン型フード４１Ｓの側面に衝突し難くなり得る。外周ヘッド５７から吹き出されてＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８へ向かって流れてきたガスは、ショートコーン型フード４１Ｓの側面に衝突し難くなり得る。

また、第１実施形態では、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８には、コーン型フード４１の側面が位置していたため、外周ヘッド５７の外周ガス流Ｆ３の速度が低下し得る。
これに対して、本実施形態では、コーン型フード４１がないため、外周ヘッド５７の外周ガス流Ｆ３は、短いコーン型フード４１の先端からプラズマ生成領域２５へ向かって吹き出されるコーンガス流Ｆ１に引き寄せられ、減速されることなくこれと合流し得る。
その結果、本実施形態では、第１実施形態と比べて、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８におけるガス流の速度が増加し得る。

［７．３ 作用・効果］
本実施形態では、コーン型フード４１の先端部分が凹曲面形状の反射面４６から突出しないので、コーン型フード４１に衝突したスタンナンガスが熱分解により析出し難くなり、スズ原子がＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８に再付着し難くなり得る。
また、本実施形態では、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部４８でのガス流が速くなり、スズ原子といった粒子やスズイオンの排出効果の増加を期待し得る。

［８．第５実施形態］
本実施形態では、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６の中央部４８から一対の排気口４３の方へ向かうガス流Ｆａの基本的な流れを、中央ヘッド５５により生成する例について説明する。
以上の説明と共通する部分は、以上の説明と共通の符号を使用して、その説明を省略する。

［８．１ 構成］
図２６および図２７は、本実施形態でのチャンバ２を示す模式的な説明図である。図２６は、図６と同じ視点からの断面図でよく、図２７は、図７と同じ視点からの断面図でよい。

ガス供給装置５１は、図２の構成と同様、ガスタンク５２、分岐ユニット５３、複数の分岐ダクト５４、を備え、さらに、外周ヘッド５７、中央ヘッド５５、を備えてよい。

中央ヘッド５５は、略円錐台形状のコーン型フード４１の外周に沿って、コーン型フード４１の周囲に設けられてよい。中央ヘッド５５は、ＥＵＶ集光ミラー２３の凹曲面形状の反射面４６内に位置してよい。中央ヘッド５５は、コーン型フード４１側面の、一対の排気口４３に対向する部分において、スリット状の中央吹出口５６または複数の円形の中央吹出口５６を備えてよい。中央ヘッド５５は、反射面４６の中央部４８から反射面４６の凹曲面形状に沿って、一対の排気口４３へ向けて流れる特定方向の中央ガス流Ｆ６を吹き出してよい。中央ヘッド５５は、一対の排気口４３の各々へ向かう方向を基準として、±数十°の角度範囲で、特定方向の中央ガス流Ｆ６を吹き出してよい。

分岐ユニット５３は、複数の分岐ダクト５４によりコーン型フード４１、中央ヘッド５５および外周ヘッド５７に接続され、中央ヘッド５５および外周ヘッド５７へガスを分岐してよい。

［８．２ 動作］
分岐ユニット５３は、コーン型フード４１、中央ヘッド５５および外周ヘッド５７へガスを分岐して供給してもよい。
中央ヘッド５５は、中央吹出口５６から、反射面４６の凹曲面形状に沿って中央部４８から一対の排気口４３の方へ向かって流れる特定方向の中央ガス流Ｆ６を吹き出してよい。中央ヘッド５５へのガスの流量は、たとえば２ｓｌｍ以上でよい。
外周ヘッド５７は、外周部４７から反射面４６の凹曲面形状に沿って中央部４８へ向かう外周ガス流Ｆ３を吹き出してよい。外周ヘッド５７は、各外周吹出口５８から、均圧化されたほぼ同じ速さの外周ガス流Ｆ３を吹き出してよい。外周ヘッド５７は、第１実施形態と同様に速さが異なる外周メインガス流Ｆ３ｍ，Ｆ３ｓを吹き出してもよい。

図２８および図２９は、チャンバ２内のガス流の流れを説明する図である。図２８は、図８と同じ視点からの断面図でよく、図２９は、図９と同じ視点からの断面図でよい。
中央ヘッド５５から吹き出される特定方向の中央ガス流Ｆ６は、図２８に示すように、反射面４６の中央部４８から反射面４６の凹曲面形状に沿って外周部４７へ向かって流れてよい。反射面４６から離れた空間においても、図２８のＸ軸方向では、中央ヘッド５５から吹き出される特定方向の中央ガス流Ｆ６に沿った方向の第一離間ガス流Ｆ４が生成し得る。
外周ヘッド５７から吹き出される外周ガス流Ｆ３は、図２９に示すように、外周部４７から反射面４６に沿って中央部４８へ向かって流れてよい。そして、図２６に示すように、外周ヘッド５７から吹き出された外周ガス流Ｆ３は、中央ヘッド５５から吹き出される特定方向の中央ガス流Ｆ６と合流してよい。反射面４６から離れた空間においても、図２９のＹ軸方向では、中央ヘッド５５から吹き出される特定方向の中央ガス流Ｆ６に沿った方向の流れが生成し得る。
その結果、本実施形態では、第１実施形態と同様にコーン型フード４１の周囲においてガスの対流Ｆｃを生成し難くなり得る。

［８．３ 作用・効果］
本実施形態では、中央ヘッド５５から、反射面４６の中央部４８から反射面４６の凹曲面形状に沿って一対の排気口４３へ向かう特定方向の中央ガス流Ｆ６を吹き出てよい。そして、この中央ヘッド５５の特定方向の中央ガス流Ｆ６に対して、外周ヘッド５７が中央部４８へ向かって吹き出す外周ガス流Ｆ３は、合流し得る。
よって、本実施形態では、一対の排気口４３へ向かう排気ガス流Ｆｏを、外周ヘッド５７から吹き出した外周ガス流Ｆ３により増加し得る。
その結果、本実施形態では、反射面４６の中央部４８だけでなく、排気口４３の周囲の部分においても、スズの粒子が付着し難くなり得る。本実施形態では、長期的にも、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面４６についての一対の排気口４３の近くの部分に、低速イオンやイオンが中性化した中性化粒子の一部が付着し難くなり得る。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。したがって、添付の請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「備える」という用語は、「備えるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１…ＥＵＶ光生成装置
２…チャンバ
３…レーザ装置
４…ターゲットセンサ
５…ＥＵＶ光生成制御部
６…露光装置
７…位置センサ
８…位置センサ用光源
９…エネルギー計測センサ
１１…ＥＵＶ光生成システム
２１…ウインドウ
２２…レーザ光集光ミラー
２３…ＥＵＶ集光ミラー
２４…貫通孔
２５…プラズマ生成領域
２６…ターゲット供給部
２７…ターゲット
２８…ターゲット回収部
２９…接続部
３２…パルスレーザ光
３３…パルスレーザ光
３４…レーザ光進行方向制御部
４１…コーン型フード
４１Ｓ…ショートコーン型フード
４１Ｌ…ロングコーン型フード
４２…チャンバ孔
４３…排気口
４６…反射面
４７…外周部
４８…中央部
５１…ガス供給装置
５２…ガスタンク
５３…分岐ユニット
５４…分岐ダクト
５５…中央ヘッド
５６…中央吹出口
５７…外周ヘッド
５８…外周吹出口
６１…排気装置
６２…排気ダクト
６３…排気ユニット
７１…磁場装置
７２…電磁コイル
７３…電源装置
８１…オブスキュレーション領域
９１…ヘッド本体
９２…メイン分割ヘッド
９３…サブ分割ヘッド
９４…筒状ノズル
１０１…分岐チャンバ
１０２…チャンバ本体
１０３…ガス導入ポート
１０４…ガス導出ポート
１０５…ガス整流板
１０６…通気孔
１０７…メインチャンバ本体
１０８…サブチャンバ本体
２５１…ＥＵＶ光
２５２…ＥＵＶ光
２９１…壁
２９２…中間集光点
２９３…アパーチャ
Ｆ１…コーンガス流
Ｆ２…中央ガス流
Ｆ３…外周ガス流
Ｆ３ｍ…外周メインガス流
Ｆ３ｓ…外周サブガス流
Ｆ４…第一離間ガス流
Ｆ５…第二離間ガス流
Ｆ６…特定方向の中央ガス流
Ｆｃ…対流
Ｆａ…合成ガス流
Ｆｏ…排気ガス流
ＳＤ…デブリの堆積領域
θ…有効吹出角度

Claims (10)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内に配置され、凹曲面形状の反射面および前記反射面の外縁周りの外周部を備え、ターゲットへレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから放射されるＥＵＶ光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
   前記外周部または前記外周部に沿って設けられてガス流を吹き出す外周ヘッドを備えるガス供給装置と、
   前記外周部の近くに排気口を形成する排気路を備え、プラズマとともに生成されるイオンまたは粒子を前記ガス流とともに前記排気口から排気する排気装置と、
   を備え、
   前記外周ヘッドは、
   前記外周部またはその近くから前記反射面に沿って流れる外周ガス流を吹き出す複数の外周吹出口を備え、
   吹き出した複数の前記外周ガス流を凹曲面形状の前記反射面において合流させることにより、前記反射面に沿って流れて前記排気口の方へ向かうガス流を生成する、
   極端紫外光生成装置。
2. 前記排気装置は、一対の前記排気口を備え、一対の前記排気口は、前記ＥＵＶ集光ミラーを間に挟むように前記ＥＵＶ集光ミラーの両側に配置され、
   前記外周ヘッドは、
   一対の前記排気口の配列方向と垂直な方向において互いに向かい合う外周ガス流を吹き出す一対の前記外周吹出口を備え、
   互いに向かい合うように吹き出された複数の外周ガス流が凹曲面形状の前記反射面の中央部で合流することにより、前記反射面に沿って前記中央部から一対の前記排気口の双方へ向かって流れる一対の合成ガス流を生成する、
   請求項１記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記チャンバ内へレーザ光を導くウインドウを囲うように前記チャンバ内へ突出して設けられるコーン型フードを更に備え、
   前記ＥＵＶ集光ミラーには、前記中央部に貫通孔が形成され、
   前記コーン型フードは、先端部分が凹曲面形状の前記反射面から突出する長さで前記貫通孔へ向けて設けられ、
   前記ガス供給装置は、前記コーン型フード内へガスを供給し、前記コーン型フードの先端からコーンガス流を吹き出させる、
   請求項２記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記チャンバ内へレーザ光を導くウインドウを囲うように前記チャンバ内へ突出して設けられるコーン型フードを更に備え、
   前記ＥＵＶ集光ミラーには、前記中央部に貫通孔が形成され、
   前記コーン型フードは、先端部分が凹曲面形状の前記反射面から突出しない長さで前記貫通孔内部に設けられ、
   前記ガス供給装置は、前記コーン型フード内へガスを供給し、前記コーン型フードの先端からコーンガス流を吹き出させる、
   請求項２記載の極端紫外光生成装置。
5. 前記ＥＵＶ集光ミラーの前記外周部またはその近くには、前記排気路、前記ターゲットを供給するターゲット供給部、前記ターゲットを回収するターゲット回収部、前記ターゲットを検出するためのセンサ、および、前記レーザ光を検出するためのセンサ、の中の少なくとも１つの周辺部材が更に設けられ、
   前記外周ヘッドは、
   前記周辺部材が設けられる部分以外の、前記反射面の全周にわたって設けられ、
   複数の前記外周吹出口から異なる速さの前記外周ガス流を吹き出すことにより、前記反射面の前記中央部から一対の前記排気口の方へ向かう一対の前記合成ガス流を生成する、
   請求項２記載の極端紫外光生成装置。
6. 前記外周ヘッドは、一対の前記排気口の近くの前記外周吹出口よりも、一対の前記排気口の配列方向と垂直な方向の近くの前記外周吹出口の方が、速い前記外周ガス流を吹き出す、
   請求項５記載の極端紫外光生成装置。
7. 前記外周ヘッドは、一対の前記排気口の配列方向と垂直な方向の近くの前記外周吹出口であって、前記周辺部材が設けられる部分を避けた少なくとも２０°以上であって４５°以下である角度範囲の前記外周吹出口から、残りの範囲の前記外周吹出口より速い前記外周ガス流を吹き出す、
   請求項６記載の極端紫外光生成装置。
8. 前記ガス供給装置は、前記外周ヘッドに接続される分岐チャンバを備え、
   前記分岐チャンバは、前記外周ヘッドの複数の外周吹出口へガス流を個別に分岐する、
   請求項７記載の極端紫外光生成装置。
9. 磁場装置を更に備え、
   前記磁場装置は、
   前記ＥＵＶ集光ミラーについての一対の前記排気口の配列方向と同じ方向に配置される一対の電磁コイルを備え、
   一対の前記電磁コイルに電流を流して一対の前記排気口の配列方向に沿った磁力線を生成する、
   請求項２記載の極端紫外光生成装置。
10. チャンバと、
    前記チャンバ内に配置され、凹曲面形状の反射面および前記反射面の外縁周りの外周部を備え、ターゲットへレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから放射されるＥＵＶ光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記反射面の中央部に設けられてガス流を吹き出す中央ヘッド、および前記外周部または前記外周部に沿って設けられてガス流を吹き出す外周ヘッドを備えるガス供給装置と、
    前記外周部の近くに排気口を形成する排気路を備え、前記プラズマとともに生成されるイオンまたは粒子を前記ガス流とともに前記排気口から排気する排気装置と、
    を備え、
    前記中央ヘッドは、前記中央部から凹曲面形状の前記反射面に沿って前記排気口の方へ向かう特定方向の中央ガス流を吹き出し、前記特定方向の中央ガス流には、前記外周ヘッドが前記外周部から前記反射面に沿って吹き出した外周ガス流が合流する、
    極端紫外光生成装置。

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