CN101635306A - 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具备耐久性得以提高的密封成且实现了高可靠性的有机EL装置及其制造方法和电子设备。该有机EL装置具有：元件基板(20A)；在一对电极之间夹持有机发光层(12)，被配置在元件基板(20A)上的多个发光元件(21)；至少覆盖多个发光元件(21)而设置的有机缓冲层(18)；和至少覆盖有机缓冲层(18)而设置的阻气层(19)；阻气层(19)具有含有含氮的硅化合物的第一阻气层(19a)、与形成材料中含有第一阻气层(19a)的形成材料的氧化物且比第一阻气层(19a)薄的第二阻气层(19b)交替层叠而成的结构，第一阻气层(19a)及第二阻气层(19b)分别形成2层以上。

Description

有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
技术领域
本发明涉及有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法以及电子设备。
背景技术
随着信息设备的多样化等，对耗电量少且轻量化的平面显示装置的需求正在提高。作为这样的平面显示装置之一，已知有具备有机发光层的有机电致发光装置(以下称为“有机EL装置”)。
有机EL装置具备多个在阳极与阴极之间夹持有机发光层(发光层)、电子注入层等功能层而构成的有机发光元件(有机El元件)。其中，由于阴极、电子注入层由具有容易释放电子的特性的材料形成，所以容易与大气中存在的水分发生反应而劣化。如果它们劣化，则会形成被称之为黑斑的非发光区域。因此，在有机EL装置中，阻断大气中的水分对有机发光元件造成影响的密封结构十分重要。
近年来，能够使用数μm厚的薄密封膜，将有机发光元件与外部环境阻断。如果使用这样的密封技术，则能够不具备用于在内部密封气体、液体的中空结构地实现完全的固体结构。具备固体结构的有机EL装置可以实现大幅度的薄型化、轻量化，从而能够期待更高功能、更高品质的有机EL装置。
上述的薄密封膜使用透明且透湿性低的无机化合物层，阻断来自外部环境的水分浸入。不过，由于这样的无机化合物层具备高密度、高杨氏模量、高膜应力，所以存在较脆、容易破损的问题。在密封膜覆盖的有机发光元件的周围，形成有因在发光元件之间设置的像素隔壁、与发光元件连接的布线等引起的凹凸形状，由于这样的凹凸部而特别容易破损。如果将无机化合物层厚膜化来防止破损，则成膜时的残留应力增大，而容易成为发生翘曲或裂纹的原因，反而有可能使性能降低。一旦密封膜破损，则水分会从破损部分连续浸入，使得发光元件持续劣化。于是，不仅在密封膜的破损部分发生黑斑，而且黑斑以破损部分为中心生长，使非发光部分向周围扩大，从而导致产品寿命显著缩短。
因此，提出一种为了使凹凸平坦化、缓和热应力而形成树脂层，并使其与具有防止水分透过功能的无机化合物层层叠的结构(例如参照专利文献1、2)。而且，提出了一种层叠形成材料或密度不同的无机化合物层，用这样的层叠结构被覆发光元件，由此实现破损的抑制和高被覆性，实现良好密封的技术(例如参照专利文献3、4)。
专利文献1：特开平10-312883号公报
专利文献2：特开2000-223264号公报
专利文献3：特开2007-184251号公报
专利文献4：特开2003-282237号公报
然而，在将无机化合物层层叠到树脂层上的情况下，当在树脂层上设置无机化合物层时，由于因温度变化等引起树脂层的伸缩，有可能导致树脂层的端部的无机化合物层无法追随该伸缩而破裂。在不使用树脂层的情况下，由于难以使发光元件附近的凹凸形状平坦化，残留无机化合物层容易破损的凹凸形状，所以制造的有机EL装置的可靠性低。
发明内容
本发明鉴于这样的情况而完成，其目的在于，提供一种具备耐久性得以提高的密封层且实现了高可靠性的有机EL装置。而且，其目的还在于，提供这样的有机EL装置的制造方法。并且，其目的还在于，提供具备这样的有机EL装置的电子设备。
为了解决上述课题，本发明的有机电致发光装置具备：基板；在一对电极之间夹持有机发光层，被配置在上述基板上的多个发光元件；被设置成覆盖上述多个发光元件的有机缓冲层；和被设置成覆盖上述有机缓冲层的阻气层；上述阻气层具有：含有含氮的硅化合物的第一无机膜、与形成材料中含有上述第一无机膜的形成材料的氧化物且比上述第一无机膜薄的第二无机膜交替层叠而成的结构，上述第一无机膜及上述第二无机膜分别形成2层以上。
第一无机膜以含氮原子的硅化合物为形成材料。在含氮原子的硅化合物中，由于原子间的键合有氮原子(键数：3)介于其间，所以共价键的数量多，成为高密度、阻气性高的膜。另一方面，杨氏模量高、欠缺柔软性。
第二无机膜以第一无机膜的形成材料的氧化物为形成材料。在这样的氧化物中，由于原子间的键合有氧原子(键数：2)介于其间，所以与原来的第一无机膜的形成材料相比，原子间的共价键的数量相对减少。于是，成为与第一无机膜的形成材料相比，阻气性相对低、杨氏模量低的膜。
在本发明的阻气层中，具有这样性质的第一无机膜和第二无机膜交替地层叠多层。即，在两层第一无机膜之间夹持有杨氏模量比第一无机膜相对低的第二无机膜。
在这样的阻气层被施加应力的情况下，在两个第一无机膜之间，相对层内方向(第二无机膜的面方向)的剪切力具有相对柔软性的第二无机膜，与第一无机膜相比发生较大变形。因此，如果与不具备第二无机膜的情况相比，则相对层内方向的剪切力能够较大地变形。由于本发明的阻气层中设置有多个这样的层叠结构，所以整体能实现大的变形。因此，如果与不具备第二无机膜的情况相比，阻气层可以相对应力柔软变形，难以发生由应力引起的破损。
另一方面，第二无机膜是比第一无机膜薄的膜，阻气性能主要由第一无机膜承担。因此，阻气层强烈反映第一无机膜的性质，显示高的阻气性。
因此，通过本发明的构成，阻气层成为兼具高阻气性和针对应力的耐久性的层，可以实现可靠性高的有机EL装置。
在本发明中，优选具备覆盖上述多个发光元件的表面且形成在上述多个发光元件与上述有机缓冲层之间的电极保护层，上述电极保护层具有含有含氮的硅化合物的第三无机膜、与形成材料中含有上述第三无机膜的形成材料的氧化物且比上述第三无机膜薄的第四无机膜交替层叠而成的结构，上述第三无机膜及上述第四无机膜分别形成两层以上。
根据该构成，通过进一步用电极保护层覆盖在发光元件上，能够进一步提高阻气性、提高密封性能。而且，由于所设置的电极保护层具备与阻气层同样构成的第三无机膜与第四无机膜的层叠结构，所以成为兼具高阻气性和高耐久性的层。因此，能够实现可靠性更高的有机EL装置。
在本发明中，对于上述第二无机膜而言，优选所含有的氧原子相对硅原子的原子个数比为1以上2以下。
如果第二无机膜中氧原子相对硅原子的原子个数比小于1，则与第一无机膜的杨氏模量差减小，难以得到所需要的柔软性。另外，在氧原子个数比为2的情况下，由于成为氧化硅(SiO2)，所以原子个数比以2为上限。因此，通过该构成，可形成相对应力能够发生变形的阻气层。
在上述第四无机膜中，优选所含有的氧原子相对硅原子的原子个数比也为1以上2以下。
如果第四无机膜中氧原子相对硅原子的原子个数比小于1，则与第一第三无机膜的杨氏模量差减小，难以得到所需要的柔软性。另外，在氧原子个数比为2的情况下，由于成为氧化硅(SiO2)，所以原子个数比以2为上限。因此，通过该构成，可实现相对应力能够发生变形的电极保护层。
在本发明中，上述第二无机膜的膜厚优选为0.1nm以上10nm以下。
如果膜厚小于0.1nm，则由于成为硅原子一个原子的量左右的厚度，所以在第一无机膜和第二无机膜的层间方向没有第二无机膜的扩展。因此，在层内方向上，无法发生以第二无机膜所含的共价键的角度变化等为基础的第二无机膜的变形，不能实现阻气层整体的变形。另外，为了不影响第一无机膜的阻气性，优选第二无机膜的膜厚是到10nm左右的膜厚。因此，通过该构成，可以形成兼具耐久性和阻气性的阻气层。
基于同样的理由，优选上述第四无机膜的膜厚也为0.1nm以上10nm以下。
如果膜厚小于0.1nm，则在第三无机膜和第四无机膜的层间方向没有第四无机膜的扩展，无法实现阻气层整体的变形。另外，为了不影响第三无机膜的阻气性，优选第四无机膜的膜厚是到10nm左右的膜厚。因此，通过该构成，可以形成兼具耐久性和阻气性的阻气层。
在本发明中，优选上述有机缓冲层的周缘端部的角度为20度以下。
根据该构成，由于在有机缓冲层的周缘端部，覆盖有机缓冲层而形成的阻气层不具备陡峭的角度，所以能够抑制阻气层在有机缓冲层的周缘端部损伤。因此，能够基于阻气层确实可靠地密封。这里，“有机缓冲层的周缘端部的角度”表示相对于形成有机缓冲层的基底面的、有机缓冲层的周缘端部的接触角度(仰角)。
另外，本发明的有机电致发光装置的制造方法，是上述有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，包括：形成含有含氮的硅化合物的材料膜的工序；和对上述材料膜的表面实施氧等离子处理，在上述材料膜的表面形成含有该材料膜的形成材料的氧化物的氧化膜的工序。
通过该方法，可以容易地形成薄膜的氧化膜，能够容易地制造具备良好耐久性的有机EL装置。
本发明涉及的电子设备，具备上述的有机电致发光装置。
根据该构成，可以实现耐久性高且寿命长的电子设备。
附图说明
图1是示意地表示本发明的第一实施方式涉及的有机EL装置的剖面图。
图2是表示本实施方式中的有机EL装置的制造方法的工序图。
图3是表示在ICP-CVD成膜法中使用的ICP-CVD装置的说明图。
图4是表示在压力梯度型等离子枪成膜法中使用的成膜装置的说明图。
图5是表示本实施方式中的有机EL装置的制造方法的工序图。
图6是表示本实施方式中的有机EL装置的制造方法的工序图。
图7是示意地表示本发明的第二实施方式涉及的有机EL装置的剖面图。
图8是表示本发明的电子设备的例子的立体图。
图9是表示实施例的结果的表。
图中：1、2-有机EL装置(有机电致发光装置)，10-阳极(电极)，11-阴极(电极)，12-发光层(有机发光层)，17-电极保护层，17a-第一保护层(第三无机膜)，17b-第二保护层(第四无机膜)，18-有机缓冲层，19-阻气层，19a-第一阻气层(第一无机膜)，19b-第二阻气层(第二无机膜)，20A-元件基板(基板)，21-发光元件，1300-移动电话(电子设备)，1400-电视接收机(电子设备)，θ1、θ2-仰角(周缘端部的角度)。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下，参照图1～图6，说明本发明的第一实施方式涉及的有机电致发光装置(有机EL装置)。其中，在以下的所有附图中，为了容易观察附图，使各构成要素的膜厚、尺寸的比率适当不同。
图1是示意地表示有机EL装置1的剖面图。本发明的有机EL装置1是所谓“顶部发射方式”的有机EL装置。由于顶部发射方式不是从配置了有机EL元件的基板侧而是从对置的基板侧取出光，所以发光面积不受在元件基板上配置的各种电路的大小影响，具有能够确保大发光面积的效果。因此，可以在抑制电压及电流的同时确保亮度，从而可将发光元件的寿命维持得较长。
有机EL装置1具有：配置有多个发光元件21的元件基板20A、覆盖多个发光元件21而层叠形成的有机缓冲层18与阻气层19各层、和与该元件基板20A的配置有多个发光元件21的面对置配置的支承基板31，这些元件基板20A和支承基板31借助密封层33及粘接层34贴合在一起。下面，按顺序对各构成要素进行说明。
(元件基板)
元件基板20A具有：基板主体20、和形成在基板主体20上的具有各种布线或TFT元件的元件层14。基板主体20可以使用透明基板及不透明基板的任意一种。作为不透明基板，可以举出例如氧化铝等陶瓷、对不锈钢等金属片材实施了表面氧化等绝缘处理的材料，而且还可以举出热固化性树脂、热塑性树脂，进而可举出其薄膜(塑料膜)等。作为透明基板，例如可以使用玻璃、石英玻璃、氮化硅等无机物，丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂等有机高分子(树脂)。另外，如果具备透光性，则也可以使用层叠或混合上述材料而形成的复合材料。在本实施方式中，使用玻璃作为基板主体20的材料。
在基板主体20上形成有驱动用TFT 123与未图示的各种布线，并形成用无机绝缘膜覆盖这些构成的元件层14。构成元件层14的一部分的无机绝缘膜，例如由氧氮化硅构成。
在元件基板20A上，形成有用于对来源于元件基板20A所具有的布线与TFT元件等的表面凹凸进行缓和的平坦化层16、和将来自被配置于平坦化层16上的发光元件21的射出光向支承基板31侧反射的金属反射层15。平坦化层16由绝缘性的树脂材料形成，由于形成方法使用光刻法，所以，材料例如使用了感光性的丙烯酸树脂或环状烯烃树脂等。
金属反射层15为了与布线兼有制造工序，由与布线材料相同的例如铝、钛、钼、银、铜等金属或组合了它们的合金材料形成，具有对光进行反射的性质。在本实施方式中，由铝形成。金属反射层15被配置成在后述的发光元件21基板主体20之间与发光元件21平面重叠。
在平坦化层16上的与金属反射层15平面重叠的区域，配置有发光元件21，在相邻的发光元件21之间以及发光元件21与元件基板20的端部之间形成有隔壁13。换言之，发光元件21被隔壁13划分。隔壁13与平坦化层16一样，由绝缘性的树脂材料形成，由于形成方法使用光刻法，所以材料使用了例如感光性的丙烯酸树脂或环状烯烃树脂等。
发光元件21由阳极10和阴极11夹持发光层12而构成，被设置在由隔壁13包围的平坦化层16上。发光元件21的厚度为500nm左右，与隔壁13具有1μm以上的厚度(高度)差。
阳极10形成在平坦化层16上，与元件基板20A所具有的驱动用TFT连接。而且，优选阳极10使用功函数为5eV以上的空穴注入效果高的材料。作为这样的空穴注入效果高的材料，例如可以举出ITO(Indium ThinOxide：铟锡氧化物)等金属氧化物。在本实施方式中，使用ITO。另外，阳极10并非必须具有透光性，也可以是铝等不透光的金属电极。该情况下，由于阳极10反射光、兼具前述的金属反射层15的功能，所以可以不设置金属反射层15。
发光层12采用了发白光的白色发光层。在本实施方式中，该白色发光层使用低分子系的发光材料、通过真空蒸镀法形成。作为白色的发光材料，可以举出使在苯乙烯胺系发光层中掺杂了蒽系的掺杂剂而得到的层(蓝色)、和在苯乙烯胺系发光层中掺杂了红荧烯系掺杂剂而得到的层(黄色)同时发光，实现了白色发光的发光材料。这里，使用了低分子系的发光材料，但也可以使用高分子系的发光材料形成发光层。另外，还可以是改变各层的构成，同时发出红色、绿色、蓝色三种颜色光而取出白色发光的三层结构。此外，对于发光元件21而言，作为发光层12，可以具有：具有红色发光层的红色发光元件、具有绿色发光层的绿色发光元件、和具有蓝色发光层的蓝色发光元件。
其中，优选在阳极10和发光层12之间，分别成膜三芳基胺多聚物(ATP)层(空穴注入层)、三苯基二胺系衍生物(TPD)层(空穴输送层)，在发光层12和阴极11之间成膜8-羟基喹啉铝(Alq3)层(电子注入层)、LiF(电子注入缓冲层)，使来自各电极的电子及空穴的注入变得容易。
阴极11覆盖发光层12和隔壁13的表面，并延伸形成到被配置在最外侧(接近元件基板20A的外周部的一侧)的隔壁13的头顶部。阴极11的形成材料优选使用电子注入效果大(功函数为4eV以下)的材料。例如钙、镁、钠、锂、银、或它们的金属化合物。作为金属化合物，有氟化钙等金属氟化物、氧化锂等金属氧化物、乙酰丙酮合钙等有机金属配合物。这些材料通常使用真空蒸镀法，但对于蒸汽压低的金属氧化物等，可以使用ECR等离子溅射法、离子镀法、对置靶溅射法等高密度等离子成膜法形成阴极11。
在阴极11上，形成有对阴极11的导通进行辅助的辅助布线22。辅助布线22使用ITO、ZnO(氧化锌)、IZO(铟锌氧化物、IZO(注册商标))、AZO(铝锌氧化物)、GZO(镓锌氧化物)等透明金属氧化物导电体形成。在本实施方式中，使辅助布线22形成较厚，赋予作为阴极11的保护层的功能。
另外，在元件基板20A上的元件基板20A的外周部附近的未形成平坦化层16的区域，形成阴极布线22A，阴极布线22A和阴极11通过辅助布线22连接而导通。
阴极布线22A的形成目的在于，使阴极11与未图示的电源通电，其主要设置在元件基板20A的外周部附近。阴极布线22A的形成材料可使用铝-硅合金、钛、钨、钼、钽等金属，将这些材料形成单层，或层叠多层而使用。另外，在阴极布线22A的最表层形成有材料与阳极10相同的ITO。通过在形成阳极10的同时，还在阴极布线22A的最表层形成ITO，可以防止阴极布线22A在制造工序的光刻工序中被腐蚀。
(薄膜密封层)
在元件基板20A上形成有覆盖发光元件21、并整个面上层叠有多层保护层的薄膜密封层。作为该薄膜密封层，本实施方式的有机EL装置1具有：有机缓冲层18和阻气层19。
在元件基板20A上，覆盖元件基板20A的端面并覆盖元件基板20A、辅助布线22的表面，全面地形成有机缓冲层18。有机缓冲层18被配置成掩埋因隔壁13的形状的影响而形成为凹凸状的辅助阴极22的表面的凹凸，使起伏缓和。该有机缓冲层18对因元件基板20A的翘曲、体积膨胀引起的应力进行缓和，具有防止阴极11、发光层12从隔壁13剥离的功能。而且，由于有机缓冲层18的上面的起伏被缓和，所以在后述的阻气层19上没有应力集中的部位，可防止裂纹的发生。有机缓冲层18的杨氏模量优选在0.1GPa以上5GPa以下的范围。
作为有机缓冲层18的形成材料，优选是流动性出色且没有溶剂和挥发成分的、全部成为高分子骨架的原料的有机化合物材料，作为这样的形成材料，优选使用具有环氧基的分子量为3000以下的环氧单体/低聚物。这里，以分子量低于1000的原料为单体，以分子量为1000以上3000以下的原料为低聚物。例如有双酚A型环氧低聚物、双酚F型环氧低聚物、苯酚酚醛清漆型环氧低聚物、聚乙二醇二缩水甘油醚、烷基缩水甘油醚、3，4-环氧环己烯基甲基-3’，4’-环氧环己烯羧酸酯、ε-己内酯改性3，4-环氧环己基甲基3’，4’-环氧环己烷羧酸酯等，它们可以单独使用，也可以多种组合而使用。
而且，在有机缓冲层18的形成材料中，含有与环氧单体/低聚物发生反应的固化剂。作为这样的固化剂，优选使用电绝缘性、粘接性出色且形成硬度高、强韧且耐热性出色的固化被膜的固化剂，优选透明性出色且固化的偏差少的加聚型。例如优选3-甲基-1，2，3，6-四氢苯二甲酸酐、甲基-3，6-甲桥-1，2，3，6-四氢苯二甲酸酐、1，2，4，5-苯四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐等酸酐系固化剂。添加了这些固化剂的有机缓冲层18的形成材料作为出色的热固化性树脂发挥作用。由于这些酸酐系固化剂如果与水分子发生反应生成酸，则不会发生聚合，所以有机缓冲层18的形成材料优选被调整成含水率为10ppm以下。
并且，作为促进酸酐的反应(开环)的反应促进剂，通过微量添加1，6-己二醇等分子量大且难以挥发的醇类、氨基酚类等胺化合物，容易实现低温固化。它们的固化通过在60～100℃的范围内加热来进行，其固化被膜成为具有酯键的高分子。
另外，可以使用为了缩短固化时间而经常使用的阳离子释放类型的光聚合引发剂，但为了不使固化收缩急剧进行，以反应慢的引发剂为好，而且，为了通过基于涂敷后的加热引起的粘度降低进行平坦化，优选最终利用热固化形成固化物的引发剂。进而，可以混入使得与阴极11、阻气层19的密接性提高的硅烷偶合剂、异氰酸酯化合物等捕水剂等添加剂。
有机缓冲层形成材料的粘度优选为2000mPa·s(室温：25℃)以上。其原因在于，为了涂敷后不向发光层12浸透而产生被称为黑斑的非发光区域。另外，作为混合有这些原料的缓冲层形成材料的粘度，优选为4000mPa·s以上10000mPa·s以下(室温)。通过调节成该范围的粘度，可以抑制气泡的发生。
而且，作为有机缓冲层18的膜厚，优选为2μm以上5μm以下。这是因为，有机缓冲层18的膜厚越厚，在有异物混合等情况下，越容易防止阻气层19破损，但如果与有机缓冲层18相适应的层厚超过5μm，则由于后述的着色层32a和发光层12的距离增大，向侧面逃逸的光增加，所以取出光的效率会降低。
在有机缓冲层18上，形成有包括有机缓冲层18的端部在内覆盖整个面的阻气层19。而且，阻气层19的端部与元件层14相接。阻气层19具有防止氧、水分浸入到发光元件21的功能，由此可以抑制由氧、水分导致发光元件21劣化等。
本发明的阻气层19具有含氮的硅化合物(氮化硅或氧氮化硅等)、和其氧化物交替层叠形成的结构。阻气层19的总膜厚优选为100nm以上800nm以下。在阻气层19小于100nm的情况下，由于膜厚薄，所以容易破损，在大于800nm的情况下，例如如果为1000nm以上，则由于因膜应力、柔软性的降低而容易产生裂纹，所以不优选。除了密封性能之外，如果还考虑生产性，则更优选为200nm以上500nm以下的膜厚。针对阻气层19的构成、制造方法，将在后面详细叙述。
在附图中，阻气层19以形成得比元件基板20A小(窄)的方式被示出，但阻气层19也可以延伸至元件基板20A的端部。为了效率化，当在一张大型基板上形成了多个基板之后，在制造过程中切断、即进行所谓多分割制造时，可以在贴合了支承基板31之后，按每个阻气层19切断面板。
(支承基板)
与元件基板20A对置具有支承基板31、和形成在支承基板31上的滤色层32。
支承基板31是具有使从发光元件21射出的光透过的透光性、和保护薄膜密封层的强度的基板，例如可以使用玻璃、石英玻璃、氮化硅等无机物、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂等具有透光性的有机高分子(树脂)形成。另外，如果具有透光性，则可以使用层叠或混合上述材料而形成的复合材料。其中，从透明性高和透湿性低出发，特别优选使用玻璃基板。另外，还可以形成阻断或吸收紫外线的层、光反射防止膜、散热层等功能层。
在支承基板31上形成有滤色层32。在滤色层32中，将透过光调制成红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)中任意一种光的着色层32a排列形成为矩阵状。着色层32a通过在丙烯酸树脂等的树脂层中混合显示红色、绿色、蓝色的颜料或染料而形成。另外，根据需要，还可以具备淡蓝、亮青、白色等着色层32a。
该着色层32a的每个与射出白色光的发光元件21对置配置。由此，从发光元件21射出的光透过各着色层32a，作为红色光、绿色光、蓝色光向观察者侧射出，进行彩色显示。
另外，在相邻的着色层32a之间以及着色层32a的周围，形成有防止漏光、改善辨识性的黑矩阵层32b。黑矩阵层32b由着色成黑色的树脂形成的。
滤色层32在着色层32a为0.5μm以上2μm以下的范围内被调节成适于各种颜色的厚度。另外，黑矩阵层32b具有1μm左右的厚度。
(密封层)
元件基板20A和支承基板31通过在元件基板20A的外周部附近配置的密封层33贴合在一起。
密封层33具有：防止水分向装置内部浸入的功能、和固定元件基板20A与支承基板31的贴合位置的功能。
而且，密封层33被设置成与有机缓冲层18的周缘端部重叠。有机缓冲层18和阻气层19大都由热膨胀率不同的材料形成，有可能因热膨胀率的差异导致阻气层19破损。这样的破损容易在阻气层19的形状发生变化的有机缓冲层18的端部发生。但是，如果用密封层33和有机缓冲层18夹持阻气层19，则可以防止因应力集中引起阻气层19裂纹、剥离等损伤。
密封层33的形成材料由通过紫外线发生固化而粘度提高的树脂材料构成。优选使用具有环氧基的分子量为3000以下的环氧单体/低聚物。这里，以分子量低于1000的原料为单体，以分子量为1000以上3000以下的原料为低聚物。作为这样的形成材料，例如有双酚A型环氧低聚物、双酚F型环氧低聚物、苯酚酚醛清漆型环氧低聚物、3，4-环氧环己烯基甲基-3’，4’-环氧环己烯羧酸酯、ε-己内酯改性3，4-环氧环己基甲基3’，4’-环氧环己烷羧酸酯等，它们可以单独使用，也可以多种组合而使用。
而且，密封层33的形成材料中含有与环氧单体/低聚物发生反应的固化剂。作为该固化剂，优选使用重氮盐、二苯基碘鎓盐、三苯基硫盐、磺酸酯、铁芳烃配合物、硅烷醇/铝配合物等主要通过紫外线照射发生阳离子聚合反应的光反应型引发剂。添加了这些固化剂的密封层33的形成材料，作为光(紫外线)固化性树脂发挥作用。
密封层33的形成材料在涂敷时的粘度优选为10Pa·s以上200Pa·s以下(室温)。另外，如果添加被称为阳离子保持剂的添加剂以使在紫外线照射后粘度缓慢上升，则可以删除贴合后的光照射工序，在此基础上，由于密封层33的形成材料难以流动，所以贴合工序变得容易。并且，即便是1mm以下细的密封宽度，也可以防止密封层33的断裂，由于可以防止贴合后填充剂溢出，所以优选。另外，优选是含水量被调节成1000ppm以下的材料。
通常情况下，在用于形成密封层33的材料中，大多混合用于控制基板间距离的规定粒径的球状粒子(间隔物)、用于调节粘度的鳞片状或块状的无机材料(无机填料)等填充物。但是，由于这些填充物有可能在贴合压接时使阻气层19受损，所以，在本实施方式中，使用没有混入这些填充物的密封层形成材料。
粘接层34被没有间隙地填充在由密封层33包围的有机EL装置1的内部。粘接层34具有下述功能：固定与元件基板20A对置配置的支承基板31，将与滤色层的分开距离保持恒定，且对来自外部的机械冲击具有缓冲功能，从而保护薄膜密封层。
粘接层34的形成材料优选是具有透光性且具备粘接功能的有机材料(透明粘接剂)，进而以流动性出色且没有溶剂那样的挥发成分的材料为好。作为这样的形成材料，可以使用丙烯酸系、环氧系、氨基甲酸酯系等的树脂粘接剂，但如果考虑耐热性、耐水性，则优选环氧系粘接剂。例如，可以举出作为密封层的形成材料而示出的分子量为3000以下的环氧单体/低聚物，它们可以单独使用，也可以组合多种而使用。
另外，在粘接层34的形成材料中，作为添加剂，含有与环氧单体/低聚物发生反应的固化剂。作为该固化剂，优选使用电绝缘性出色且形成强韧、耐热性出色的固化被膜的固化剂，以透明性出色且固化的偏差少的加聚型为佳。例如优选3-甲基-1，2，3，6-四氢苯二甲酸酐、甲基-3，6-甲桥-1，2，3，6-四氢苯二甲酸酐、1，2，4，5-苯四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、或它们的聚合物等酸酐系固化剂。另外，可以使用芳香族胺、脂肪族胺等胺固化剂。添加了这些固化剂的粘接层34的形成材料，作为热固化性树脂发挥作用。作为其它添加剂，可以含有使与阻气层19的密接性提高的硅烷偶合剂。
粘接层34的形成材料的固化，通过在80～120℃的范围内加热来进行，其固化被膜成为具有与氧氮化硅的密接性出色的酯键的高分子。其中，基于与密封层的形成材料相同的理由，粘接层34的形成材料使用未混入间隔物或无机填料等的填充剂。
粘接层34的形成材料在涂敷时的粘度优选为100～1000mPa·s(室温)。其理由是考虑到贴合后材料向空间的填充性，优选是加热后粘度一下降后马上开始固化的材料。另外，优选是含水量被调节成1000ppm以下的材料。
图1(b)是表示有机EL装置1的周边部的剖面结构的剖面图，是表示图1(a)中用圆虚线包围的符号A所示的部分的图。
有机缓冲层18覆盖以阶梯状重叠而形成的阴极布线22A和辅助布线22，并形成为与元件层14相接。在有机缓冲层18的表面，基底形状的凹凸得到缓和。
有机缓冲层18的周缘端部相对于元件基板20A的面方向的仰角(周缘端部的角度)θ1，优选形成为20度以下，特别优选形成10度左右。由此，可以防止覆盖有机缓冲层18的周缘端部35的阻气层19因应力集中导致的裂纹或剥离等损伤。在本实施方式中，仰角θ1为10度。
阻气层19由以含氮的硅化合物为形成材料的第一阻气层(第一无机膜、材料膜)19a、和以第一阻气层的形成材料的氧化物为形成材料的第二阻气层(第二无机膜、氧化膜)19b交替层叠而成。
第一阻气层19a由水分透过性低且阻气性高的含氮的硅化合物形成。关于这样的化合物，例如可以举出氮化硅、氧氮化硅。本实施方式的第一阻气层19a分别形成为50nm。
第一阻气层19a的形成材料所含有的氮原子的量，可以通过设计进行增减，如果增加氮原子量，则由于原子间的共价键数量增加(共价键的密度提高)，所以可以形成难以透过水分等(阻气性高)的层。阻气性是能够通过下述方法进行评价的性质，即对于例如水分的透过难易程度，求出由JIS-K7129“塑料膜及片材-水蒸汽透过度的求法(设备测定法)”决定的水蒸汽透过度。例如，使用JIS-K7129B法进行评价的膜厚为100nm的氧氮化硅的水蒸汽透过率为0.05g/m2·day以下。
另一方面，如果第一阻气层19a的形成材料的氮原子量增加，则杨氏模量增加而丧失柔软性。氮化硅的杨氏模量为300GPa，氧化硅的杨氏模量为100GPa，氧氮化硅的杨氏模量根据含有的氧和氮的量比，取100GPa～300GPa之间的值。本实施方式的第一阻气层19a可以使用按照杨氏模量为150～300GPa的范围的方式设定氮量的材料。
第二阻气层19b使用第一阻气层19a的形成材料的氧化物为构成材料而形成。因此，第二阻气层19b的形成材料成为从第一阻气层19a的形成材料，将一部分或全部的氮原子置换成氧原子的结构。如果氧原子量增加，则由于原子间的共价键数量减少(共价键的密度降低)，所以成为与第一阻气层19a相比容易透过水分等(阻气性低)的层。例如，使用JIS-K7129B法进行评价的膜厚为100nm的氧化硅的水蒸汽透过率为0.1～0.5g/m2·day。作为阻气性能，氧化硅的氧原子相对硅原子之比为1.5～1.7左右的材料是最高的。
另一方面，由于共价键密度比第一阻气层19a的形成材料低，所以成为杨氏模量相对较低的层。
本发明的阻气层19，交替层叠了多层具有这样性质的第一阻气层19a和第二阻气层19b。即，成为在两个第一阻气层19a之间夹持有杨氏模量相对低的第二阻气层19b的构成。第二阻气层19b通过薄膜成膜或对第一阻气层19a的表面进行氧化而形成，成为膜厚为1～10nm左右非常薄的膜。
对于第二阻气层19b的膜厚而言，例如可以在形成后的阻气层19的剖面测定氧浓度分布，将氧浓度发生变化的场所作为第一阻气层19a与第二阻气层19b的界面来进行测定。
在如此构成的阻气层19被施加应力的情况下，在两个第一阻气层19a之间，相对具有柔软性的第二阻气层19b与第一阻气层19a相比发生较大变形。因此，与不具备第二阻气层19b的情况相比，可以发生较大的变形。而且，在阻气层19上层叠有多个第二阻气层19b。因此，即使各个第二阻气层19b的变形小，通过多个第二阻气层19b分别变形，整体也可能实现大的变形。因此，与不具备第二阻气层19b的情况相比，阻气层19可以对应力柔软变形，难以发生由应力导致的破损。
另外，第二阻气层19b是非常薄的膜，阻气性能的主体由第一阻气层19a承担。为此，阻气层19反映第一阻气层19a的性质，显示高的阻气性。
因此，阻气层19成为兼具高阻气性和针对应力的耐久性的层。
本实施方式的有机EL装置1成为如上所示的构成。
(有机EL装置的制造方法)
接着，参照图2～图6，对本实施方式中的有机EL装置1的制造方法进行说明。
首先，如图2(a)所示，在形成了辅助布线22等的元件基板20A上形成有机缓冲层18。具体而言，首先，在减压环境下通过丝网印刷法，在辅助布线22上配置有机缓冲层18的形成材料。通过在减压环境下配置有机缓冲层18的形成材料，可极力除去有机缓冲层18的形成材料与筛眼中所含的挥发性杂质、水分，从而可以除去涂敷时产生的气泡。由于在丝网印刷法中通过基于涂刷器(squeegee)的摩擦，将已配置的材料的表面强制性平坦化，所以与其它的材料配置方法相比，可以使材料表面平坦。
接着，在60～100℃的范围下加热所配置的有机缓冲层18的形成材料使其固化。该加热固化在大气压下的水分被管理为10ppm以下的氮气环境下进行。此时，从加热后到开始反应的期间，由于有机缓冲层18的形成材料的粘度暂时降低，所以形成材料透过电极保护层17、阴极11浸透到发光层12，有可能发生黑斑。鉴于此，优选以60～80℃的低温将其固化至达到某种程度的固化，在反应进展至某种程度而成为高粘度化时，将温度升高至80℃以上，使其完全固化。
接着，如图2(b)所示，在有机缓冲层18上成膜氧氮化硅，形成第一阻气层19a。具体而言，利用ECR(电子回旋共振)等离子溅射法、离子镀法(压力梯度型等离子枪成膜法等)、ICP(电感耦合型等离子)-CVD法、SWP(表面波等离子)-CVD法等高密度等离子成膜法形成。这里，图示了使用后述的ICP-CVD装置40来形成的情况。
接着，如图2(c)所示，对第一阻气层19a的表面实施氧等离子处理，氧化第一阻气层19a的表面，形成非常薄的第二阻气层19b。这里，图示了使用后述的ICP-CVD装置40来形成的情况。
通过将图2(b)和图2(c)的处理反复进行必要次数，可以形成由多个第一阻气层19a和第二阻气层19b交替层叠而成的阻气层19。
这里，对于阻气层19的形成方法，使用图3及图4进行更详细的说明。对于阻气层19的形成而言，只要是前述的高密度等离子成膜法即可制造，但作为可以大面积化且生产效率高的制造方法，优选采用ICP-CVD成膜法以及能够搬送成膜的压力梯度型等离子枪成膜法。图3是表示在ICP-CVD成膜法中使用的ICP-CVD装置的图。图4是表示采用压力梯度型等离子枪的离子镀式成膜装置的图。
如图3所示，ICP-CVD装置40具有：由导电性材料形成的腔室41、配置在腔室41内用于载置被处理基板X的基座42、设置在腔室41的顶板的电介质壁43、和腔室41之外的设置在电介质壁43上的高频天线44。基座42内置有对被载置的被处理基板X进行加热的加热机构。而且，在腔室41的壁面上设置有向腔室41内供给各种原料气体MG的供给管45。供给管45根据用于反应的气体种类，相互独立地具备多个。并且，在腔室41上适当设置有排气口(图示略)。
高频天线44借助第一匹配器46与第二高频电源47连接。第一高频电源47供给高频电力，该高频电力的输出足以使高频天线44产生电感耦合等离子。另一方面，基座42借助第二匹配器48，与供给偏压用高频电力的第二高频电源49连接。
ICP-CVD装置40通过向高频天线44通电而产生感应电场，同时借助供给管45向腔室41内导入原料气体MG，生成源自原料气体的等离子，在腔室41内被处理基板X上成膜。
为了使用这样的ICP-CVD装置40形成第一阻气层19a，作为原料气体MG，供给甲硅烷(SiH4)、氨(NH3)、一氧化二氮(N2O)，利用在腔室41内部产生的电感耦合等离子进行原子化、激发，在被处理基板X上成膜。这相当于图2(b)所示的制造工序中的成膜处理。
同样地，为了形成第二阻气层19b，供给氧(O2)作为原料气体，供给氩(Ar)作为环境气体，在腔室41内产生氧等离子，氧化第一阻气层19a的表面，使作为氧化物薄膜的第二阻气层19b成膜。这相当于图2(c)所示的制造工序中的成膜处理。
通过将以上的工序反复进行必要次数，可以形成由第一阻气层19a和第二阻气层19b交替层叠而成的阻气层19。
图4是示意地表示具备压力梯度型等离子枪的离子镀式成膜装置50的图，图4(a)是表示使第一阻气层19a成膜的情况的示意图，图4(b)是表示使第二阻气层19b成膜的情况的示意图。
离子镀式成膜装置50具有：腔室51、与腔室51连接的成膜室52、与腔室51内的侧壁连接的压力梯度型等离子枪53、配置在腔室51内的下部的由导电性材料形成的炉床(hearth)54、和炉床54的凹部中具备的蒸镀材料55。炉床54内置有炉床用磁铁。炉床用磁铁具有将从等离子枪53射出的Ar等离子的等离子束PB导向炉床54的功能。另外，在腔室51的壁面上，适当设置有向腔室51内供给成膜用环境气体AG的供给口56、排气口(图示略)。
成膜室52在内部设置有载置并搬送被处理基板X的搬送装置，其成为在成膜室52内往复的构成。在成膜室52上设置有搬出已结束成膜的被处理基板X并搬入未处理的被处理基板X的搬入部57。
在这样的离子镀式成膜装置50中，从等离子枪53射出的等离子束PB被照射到炉床54上的蒸镀材料55，使蒸镀材料55蒸发。蒸发后的蒸镀材料55通过附着到在成膜室52内被搬送的被处理基板X上，在被处理基板X上进行成膜。蒸镀材料55使用Si或SiO2等与成膜的种类对应的材料。
为了使用这样的离子镀式成膜装置50形成第一阻气层19a，例如如图4(a)所示，在向一个方向搬送被处理基板X时，供给氩(Ar)和氮(N2)作为成膜用环境气体AG，同时利用等离子束PB使蒸镀材料55蒸发来进行成膜。这相当于图2(b)所示的制造工序中的成膜处理。
同样，为了形成第二阻气层19b，例如如图4(b)所示，在向另一方向搬送被处理基板X时，供给氩(Ar)和氧(O2)作为成膜用环境气体AG，照射以不使蒸镀材料55蒸发的程度使输出降低的等离子束PB。这样，可以在腔室51内产生氧等离子，通过氧等离子氧化第一阻气层19a的表面，使作为氧化膜的薄膜的第二阻气层19b成膜。这相当于图2(c)所示的制造工序中的成膜处理。
通过将以上工序反复进行必要次数，可以形成由第一阻气层19a和第二阻气层19b交替层叠而成的阻气层19。
另一方面，在支承基板31侧，如图5(a)所示，在形成有滤色层32的支承基板31的周边部配置密封层33的形成材料。具体而言，通过点胶(needle dispensing)法将前述的密封层33的形成材料涂敷到支承基板31的周围。另外，该涂敷方法可以使用丝网印刷法。本实施方式的密封层33形成材料在涂敷时的粘度为50Pa·S(室温)。含水量被预先调节为1000ppm以下。
接着，如图5(b)所示，在由配置于支承基板31的密封层33的形成材料包围的内部，配置粘接层34的形成材料。作为配置方法，使用喷射分配(jet dispensing)法进行涂敷。其中，粘接层34的形成材料并不必须涂敷在支承基板31的整个面上，只要在支承基板31上的多处分开涂敷必要量即可。本实施方式的粘接层34形成材料在涂敷时的粘度为500mPa·S(室温)。由于密封层33的形成材料的粘度与粘接层34的形成材料的粘度相比足够高，所以密封层33的形成材料可以发挥作为防止粘接层34的形成材料溢出的堤坝的功能。
接着，如图5(c)所示，对涂敷有密封层33及粘接层34的支承基板31进行紫外线照射。例如，向配置在支承基板31上的各形成材料照射照度为30mW/cm2、光量为2000mJ/cm2的紫外线。于是，由于含有光反应型引发剂的密封层33的形成材料优先发生反应而开始固化，所以密封层33的形成材料的粘度提高。
接着，如图6(a)所示，进行基板间的校准作业，将图2(c)所示的形成至阻气层19的元件基板20A、和图5(c)所示的已使密封层33的固化开始的支承基板31贴合在一起。贴合在减压环境下进行。
接着，如图6(b)所示，在压接贴合之后在大气中加热(后烘焙)，使密封层33及粘接层34的形成材料的固化完成。
由此，可以得到本实施方式的有机EL装置1。
根据如上所述的有机EL装置1，由于阻气层19具备以具有高阻气性的氧氮化硅为形成材料的第一阻气层19a、和以能针对应力发生变形的杨氏模量相对较低的氧化硅(SiO2)为形成材料的第二阻气层19b构成的层叠结构，所以成为兼具耐久性的层，能够实现可靠性高的有机EL装置1。
而且，在本实施方式中，将第二阻气层19b形成为1nm的厚度。因此，可以实现兼具耐久性及阻气性的阻气层。
并且，在本实施方式中，有机缓冲层18的周缘端部的仰角θ1为10度。因此，由于在有机缓冲层18的周缘端部，覆盖有机缓冲层18而形成的阻气层19与基底形状对应，不具备陡峭的角度地形成，所以可以抑制阻气层19在有机缓冲层18的周缘端部处损伤。
另外，根据如上所示的有机EL装置的制造方法，可以容易地使薄膜的第二阻气层19b成膜，能够容易地制造具有良好耐久性的有机EL装置。
此外，在本实施方式中，第二阻气层19b是将第一阻气层19a的表面的一部分氧化而形成的，但也可以另外层叠而形成。
而且，在本实施方式中，构成了顶部发射方式的有机EL装置，但也可以采用底部发射方式。
[第二实施方式]
图7是本发明的第二实施方式涉及的有机EL装置的说明图。本实施方式的有机EL装置与第一实施方式的有机EL装置一部分共用。不同点在于，不对辅助布线赋予作为阴极的保护层的功能，而设置对阴极进行保护的电极保护层。因此，对于本实施方式中与第一实施方式共用的构成要素，附加相同的符号，省略详细说明。
如图7(a)所示，在阴极11的端部设置有用于辅助阴极11和阴极配线22A的通电的辅助阴极配线24，并覆盖阴极11、阴极布线22A、辅助阴极布线24的表面整个面地形成有电极保护层17。通过该电极保护层17，即便以具备透光性的程度(20nm以下)非常薄地形成阴极11，也可以抑制阴极11、其下的发光层12的破损。而且，还具有防止氧、水分浸入到发光元件21的功能，由此，可以抑制由氧、水分导致发光元件21劣化。
本实施方式的电极保护层17与阻气层19同样，具有含氮的硅化合物(氮化硅或氧氮化硅等)和其氧化物交替层叠而成的结构。电极保护层17的膜厚优选为100nm以上400nm以下的范围。如果形成例如3～5μm左右的膜厚，则还可以完全埋没因隔壁13引起的凹凸不平，但由于欠缺柔软性、膜应力增高，所以不优选。
如图7(b)所示，电极保护层17与阻气层19同样，由以含氮的硅化合物为形成材料的第一保护层17a(第三无机膜、材料膜)、和以第一保护层的形成材料的氧化物为形成材料的第二保护层17b(第四无机膜、氧化膜)交替层叠而形成。电极保护层17可以使用与前述的阻气层19相同的形成方法形成。
如此形成的电极保护层17被设置成与阻气层19相接，成为由电极保护层17和阻气层19密封有机缓冲层18的构成。有机缓冲层18的周缘端部相对电极保护层17表面的仰角(周缘端部的角度)θ2，优选形成为20度以下，特别优选形成为10度左右。在本实施方式中，仰角θ2为10度。
在上述构成的有机EL装置2中，可以更有效地抑制来自外部环境的水分浸入，能够实现耐久性更高、高品质的有机EL装置。
[电子设备]
接着，对本发明涉及的电子设备的实施方式进行说明。图8是表示使用了本发明的有机EL装置的电子设备的例子的图，图8(a)是表示移动电话的立体图，图8(b)是表示电视接收机的立体图。图8(a)是将本发明的有机EL装置用于移动电话显示部那样的小型面板的例子，图8(b)是将本发明的有机EL装置用于薄型电视的显示部那样的大型面板的例子。
图8(a)所示的移动电话1300具备本发明的有机EL装置作为小尺寸的显示部1301，并具有多个操作按钮1302、受话口1303及送话口1304。由此，可以提供具备由本发明的有机EL装置构成的显示品质出色的显示部的移动电话1300。
图8(b)所示的电视接收机1400具备：接收机主体(框体)1402、扬声器等声音输出部1404、和使用了上述有机EL装置1的显示部1406。由此，可以提供具备高品质的显示部1406、且轻量的薄型大画面电视1400。
由于这些电子设备具备本发明的有机EL装置，所以可以成为具备耐久性高、寿命长的显示部的电子设备。
另外，本发明的有机EL装置并不限于上述的电子设备，还可以适当用作电子图书、投影仪、个人电脑、数码相机、电视接收机、取景器型或监视器直视型录像机、车辆导航装置、传呼机、电子记事本、计算器、文字处理器、工作站、电视电话、POS终端、具备触摸面板的设备等的图像显示机构，通过这样构成，可以提供具备显示品质高且可靠性出色的显示部的电子设备。
以上，边参照附图边对本发明的优选实施方式进行了说明，本发明当然并不限于上述例子。在上述的例子中示出的各构成部件的诸形状、组合等只是一个例子，可以在不脱离本发明的主旨的范围内，根据设计要求等进行各种变更。
实施例
下面对本发明的实施例进行说明。在本实施例中，为了确认发明的效果，制作成为有机EL装置的替代品的评价用试验体来进行评价。
本实施例中采用的试验体，在玻璃性的支承基板上形成镁膜(Mg膜)，覆盖Mg膜地形成由电极保护层(SiON)/有机缓冲层/阻气层构成的薄膜密封层，进而在薄膜密封层上贴合玻璃性的对置基板。电极保护层形成为与支承基板相接，成为密封Mg膜的结构。而且，按照电极保护层与阻气层相接的方式形成，成为密封有机缓冲层的结构。
在所使用的试验体中，将各构成的厚度设为，Mg膜：50nm，电极保护层(SiON)：400nm，有机缓冲层：3μm，阻气层：400nm。在实施例的试验体中，当形成阻气层时，层叠8层50nm的SiON层，在各层成形之前进行氧等离子处理，形成了氧化物的薄膜。另一方面，在比较例的试验体中，当形成阻气层时，层叠形成8层50nm的SiON层，不进行氧等离子处理。
在使用了这样的试验体的评价中，通过将Mg膜看作有机EL装置的阴极，对Mg膜的劣化程度进行评价，由此评价对有机EL装置的阴极进行覆盖的薄膜密封层的密封性能。
将上述的试验体在设定成1.7个大气压、120℃、相对湿度85％RH的试验环境的高度加速寿命试验装置(压力锅试验机)内放置500小时，目视评价放置后的Mg膜的变质。
试验体所具备的具有50nm厚度的Mg膜，具有金属光泽且不透明，但如果Mg膜发生变质成为MgO(氧化镁)，则失去Mg的金属光泽而变得透明。即，在放置后的Mg膜有这样的变质部分的情况下，薄膜密封层受损，表示水分、空气从损伤部分浸入的情况。所以，目视确认放置后的Mg膜上是否发生这样的变质部分来进行评价。
结果，如图9所示，在实施例的试验体中，Mg膜上未观察到变质，与此相对，在比较例的试验体中，可以确认在Mg膜的周缘部有透明的变质部分。
根据该结果，可以确认具备本发明的构成的阻气层的耐久性提高，能够知晓本发明的构成可以有效解决问题。

Claims (9)

1.一种有机电致发光装置，其特征在于，具备：
基板；
在一对电极之间夹持有机发光层，被配置在所述基板上的多个发光元件；
被设置成覆盖所述多个发光元件的有机缓冲层；和
被设置成覆盖所述有机缓冲层的阻气层；
所述阻气层具有含有含氮的硅化合物的第一无机膜、与形成材料中含有所述第一无机膜的形成材料的氧化物且比所述第一无机膜薄的第二无机膜交替层叠而成的结构，
所述第一无机膜及所述第二无机膜分别形成2层以上。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，
具备覆盖所述多个发光元件的表面、形成在所述多个发光元件与所述有机缓冲层之间的电极保护层，
所述电极保护层具有含有含氮的硅化合物的第三无机膜、与形成材料中含有所述第三无机膜的形成材料的氧化物且比所述第三无机膜薄的第四无机膜交替层叠而成的结构，
所述第三无机膜及所述第四无机膜分别形成两层以上。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光装置，其特征在于，
在所述第二无机膜中，所含有的氧原子相对硅原子的原子个数比为1以上2以下。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，
所述第二无机膜的膜厚为0.1nm以上10nm以下。
5.根据权利要求2所述的有机电致发光装置，其特征在于，
在所述第四无机膜中，所含有的氧原子相对硅原子的原子个数比为1以上2以下。
6.根据权利要求2或5所述的有机电致发光装置，其特征在于，
所述第四无机膜的膜厚为0.1nm以上10nm以下。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，
所述有机缓冲层的周缘端部的角度为20度以下。
8.一种有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，是权利要求1～7所述的有机电致发光装置的制造方法，包括：
形成含有含氮的硅化合物的材料膜的工序；和
对所述材料膜的表面实施氧等离子处理，在所述材料膜的表面形成含有该材料膜的形成材料的氧化物的氧化膜的工序。
9.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～7中任意一项所述的有机电致发光装置。
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