CN103283306B - 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法 - Google Patents

蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103283306B
CN103283306B CN201180062835.4A CN201180062835A CN103283306B CN 103283306 B CN103283306 B CN 103283306B CN 201180062835 A CN201180062835 A CN 201180062835A CN 103283306 B CN103283306 B CN 103283306B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
substrate
forming
electrode
pattern film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201180062835.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103283306A (zh
Inventor
园田通
川户伸
川户伸一
井上智
桥本智志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN103283306A publication Critical patent/CN103283306A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103283306B publication Critical patent/CN103283306B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851Division of substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

在基板(3)中的形成蒸镀膜的面,以在包含显示区域(R1)的、密封树脂(11)呈框状形成的密封区域内具有开口部的方式形成光致抗蚀剂(13),接着形成具有条状的图案的发光层(8R、8G、8B),接着以剥离液除去光致抗蚀剂(13),从而形成被高精细地图案形成的发光层(8R、8G、8B)。

Description

蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及被图案形成为规定形状的蒸镀膜的形成方法和具备上述被图案形成为规定形状的蒸镀膜的显示装置的制造方法。
背景技术
近年,在多种多样的商品、领域中使用平板显示器,对平板显示器的进一步大型化、高画质化、低耗电化提出了要求。
在这样的状况下,具备利用有机材料的电致发光(Electroluminescence:以下记作“EL”)的有机EL元件的有机EL显示装置作为全固体型且在低电压驱动、高速响应性、自发光性、广视野角特性等方面优异的平板面板显示器受到高度关注。
有机EL显示装置例如具有如下结构:在由设置有TFT(薄膜晶体管)的玻璃基板等构成的基板上,设置有与TFT电连接的有机EL元件。
例如,在全彩色的有机EL显示装置,一般而言,在基板上作为子像素排列形成有具备红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)各种颜色的发光层的有机EL元件,通过使用TFT使这些有机EL元件有选择地按所期望的亮度发光来进行彩色图像显示。
因此,为了制造有机EL显示装置,需要按每个有机EL元件、按规定图案形成包括发出各种颜色的光的有机发光材料的发光层。
作为按规定图案形成这样的发光层的方法,例如已知有真空蒸镀法、喷墨法、激光转印法等。而且,例如在低分子型有机EL显示装置(OLED),多使用真空蒸镀法。
在真空蒸镀法中,使用形成有规定图案的开口的掩模(也称为荫罩),使被紧密地固定有掩模的基板的被蒸镀面与蒸镀源相对。
然后,通过使来自蒸镀源的蒸镀颗粒(成膜材料)通过掩模的开口蒸镀在被蒸镀面,形成规定图案的薄膜。蒸镀按发光层的每种颜色进行,将这称为“分涂蒸镀”。
在专利文献1和专利文献2中记载有使掩模一点点地相对于基板移动地进行各种颜色的发光层的分涂蒸镀的方法。
在这样的现有的分涂蒸镀法中,使用与基板相同大小的掩模,在蒸镀时,掩模以覆盖基板的被蒸镀面的方式被固定。
因此,在现有的分涂蒸镀法中,基板越大掩模也就随之需要大型化。
但是,如果将掩模加大,则由于掩模的自重弯曲或伸长而容易在基板与掩模之间产生间隙,并且该间隙的大小根据基板的被蒸镀面的位置的不同而不同。
因此,使用现有的分涂蒸镀法,存在难以进行高精度的图案形成、产生蒸镀位置的偏差和混色的问题。
此外,在现有的分涂蒸镀法中,如果将掩模加大,则保持掩模等的框架等也变得巨大,其重量也增加,因此存在难以处理、在生产性和安全性方面产生不便的问题。
而且,在现有的分涂蒸镀法中,蒸镀装置和/或附带的装置也同样巨大化、复杂化,因此,装置设计变得困难,设置成本也变高价。
如上所述,在现有的分涂蒸镀法中,难以向大型基板形成高精细地进行图案形成的蒸镀膜,例如现在就不能以量产的水平对使用超过60英寸的掩模的大型基板实现分涂蒸镀。
先行技術文献
专利文献
专利文伸献1:日本特开平8-227276号公报(1996年9月3日公开)
专利文献2:日本特开2000-188179号公报(2000年7月4日公开)
发明内容
发明要解决的技术问题
因此,提案有如图13和图14所示那样使用比基板101小的荫罩102的分涂蒸镀法。
在该分涂蒸镀法中,使用具有开口部102a的荫罩102、具有喷嘴开口部103a(射出口)的喷嘴103和与喷嘴103连接的蒸镀材料供给源104形成为一个整体的掩模单元105。
而且,如图13所示,使基板101的被蒸镀面101a与荫罩102相对配置,并且在将被蒸镀面101a与荫罩102的间隙G保持为一定的同时,在图中的左右方向上对基板101进行扫描并且对被固定的掩模单元105进行蒸镀,由此,能够在基板101的被蒸镀面101a形成具有条状的图案的蒸镀膜。
另一方面,在上述分涂蒸镀法中,如图14所示,使基板101固定,在图中的左右方向上对掩模单元105进行扫描并且对被固定的基板101进行蒸镀,由此,能够在基板101的被蒸镀面101a形成具有条状的图案的蒸镀膜。
在这样的扫描方式的分涂蒸镀法中,不需要如现有的分涂蒸镀法那样使用与基板相同大小的掩模,因此能够改善由于掩模尺寸变大而可能产生的上述那样的问题。
但是,在这样的使用比基板101小的荫罩102的扫描方式的分涂蒸镀法中,产生以下那样的新问题。
图15是表示基板101的被蒸镀面101a的图,在大型的基板101,在各有机EL显示装置分别存在:需要形成蒸镀膜(例如,发光层等)的蒸镀区域R1;和成为不需要形成蒸镀膜(例如,发光层等)的端子部等的不需蒸镀区域R2。
本来,在不需蒸镀区域R2,不需要形成蒸镀膜(例如,发光层等),但是在图13和图14所示的扫描方式的分涂蒸镀法,如图15所示,不仅在蒸镀区域R1而且在不需蒸镀区域R2也形成具有条状的图案的蒸镀膜106。
以下,根据图16,对在不需蒸镀区域R2也形成具有条状的图案的蒸镀膜106的理由进行说明。
如图16所示,在扫描方式的分涂蒸镀法中,为了不在不需蒸镀区域R2形成蒸镀膜106,考虑在荫罩102到达蒸镀停止(OFF)线、即荫罩102的右前端到达不需蒸镀区域R2的左前端时,使得从掩模单元所具备的喷嘴的喷嘴开口部射出的蒸镀颗粒不射出。
但是,如果这样,则虽然能够在不需蒸镀区域R2不形成蒸镀膜106,但是,在蒸镀区域R1,尚残留有荫罩102的区域成为实质上蒸镀时间变短、蒸镀膜的膜厚下降的蒸镀量减少区域。
因此,在这样的扫描方式的分涂蒸镀法中,为了在蒸镀区域R1形成具有均匀的膜厚的蒸镀膜106,如图15所示,只能不仅在蒸镀区域R1而且在不需蒸镀区域R2也形成具有条状的图案的蒸镀膜106。
图17是用于说明由于在不需蒸镀区域R2形成的蒸镀膜106而可能产生的问题的图。
图17的(a)是表示作为发光层具备利用扫描方式的分涂蒸镀法形成的蒸镀膜106的有机EL显示装置113的概略结构的图。
图17的(b)是表示有机EL显示装置113的端子部a的平面图。
在图17(a)所示的有机EL显示装置113所具备的基板101,不仅在蒸镀区域R1而且在不需蒸镀区域R2也形成有具有条状的图案的蒸镀膜106。
即,如图17(b)所示,在作为不需蒸镀区域R2的配线107的端子部107a也形成有蒸镀膜106。
而且,外部电路和在不需蒸镀区域R2形成的配线107的端子部107a经各向异性导电膜(ACF:AnisotropicConductiveFilm)111与挠性导线112电连接,但是如图17(a)所示,当在端子部107a上形成蒸镀膜106时,成为引起电导通不良或电流泄漏的原因。
即,在蒸镀膜106如发光层等有机蒸镀膜那样为高电阻的膜的情况下,电导通不良,另一方面,在蒸镀膜106如金属膜那样为低电阻的膜的情况下,产生电流泄漏。
此外,在蒸镀区域R1的4边端部的不需蒸镀区域R2,呈框状形成有密封树脂109,通过密封树脂109,基板101与密封基板110被贴合。
因此,能够使得依次叠层阳极(未图示)、空穴注入层兼空穴输送层(未图示)、作为发光层的蒸镀膜106、电子输送层(未图示)、电子注入层(未图示)和阴极108而得到的有机EL元件不由于大气中的水分和氧而劣化。
能够考虑在贴合基板101与密封基板110之前,使用有机溶剂擦拭(擦取)在不需蒸镀区域R2的端子部107a上的蒸镀膜106,但是由于有机EL元件因有机溶剂或大气中的水分和/或氧而劣化,所以,一般在将基板101与密封基板110贴合之后,且在基板101以成为各有机EL显示装置113的方式被分割之后,使用有机溶剂擦拭端子部107a上的蒸镀膜106。
但是,即使在基板101与密封基板110贴合之后,使用有机溶剂擦拭端子部107a上的蒸镀膜106的情况下,也产生以下那样的问题。
在上述擦拭工序中,存在容易擦拭不充分而残留残渣并且容易在擦拭时在其上产生新的异物,因此容易产生与外部电路的连接不良的问题。
此外,在通过密封树脂109进行基板101与密封基板110的贴合的情况下,还存在有机溶剂对密封树脂109产生损害,在密封树脂109,大气中的水分和/或氧从因上述有机溶剂而受到损伤的位置浸透的问题。
因此,例如利用包括这样的擦拭工序的制造方法制造的有机EL显示装置的成品率低,难以确保可靠性。
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供能够进行高精细的图案形成的蒸镀膜的形成方法、和使成品率及可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
用于解决技术问题的技术手段
本发明的蒸镀膜的形成方法,如上所述,为了解决上述技术问题,其为在基板形成规定形状的蒸镀膜的蒸镀膜的形成方法,其具有:在上述基板的形成上述蒸镀膜的面,形成具有开口部并且能够剥离的规定形状的图案膜的工序;在上述开口部和上述图案膜上,沿着上述基板面上的某一方向,形成相互具有规定间隔的多个直线状的上述蒸镀膜的工序;和通过剥离上述图案膜,将上述蒸镀膜形成为规定形状的工序。
根据上述方法,在上述基板的形成上述蒸镀膜的面,形成具有开口部并且能够剥离的规定形状的图案膜之后,在上述开口部和上述图案膜上,形成作为能够比较容易地形成高精细的蒸镀膜的图案形状的、相互具有规定间隔的多个直线状的上述蒸镀膜,通过剥离上述图案膜,能够形成上述直线状的蒸镀膜作为规定形状的高精细的图案。
因此,根据上述方法,能够进行高精细的图案形成。
为了解决上述问题,本发明的显示装置的制造方法具有:在基板上形成多个有源元件的工序;形成第一电极的工序,上述第一电极与上述各个有源元件电连接,在上述基板上的显示区域呈矩阵状形成;在上述第一电极上形成至少包含发光层的有机层的工序;和至少在上述有机层上形成具有与上述第一电极相反的极性的第二电极的工序,在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序中,在上述显示区域,形成能够剥离的图案膜的开口部,在作为上述显示区域的周边区域的非显示区域的至少一部分,形成上述图案膜,在上述开口部和上述图案膜上,沿上述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少上述发光层,在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序之后或形成上述第二电极的工序之后,剥离上述图案膜,由此将至少上述发光层形成为规定形状。
根据上述方法,能够实现成品率和可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
发明的效果
本发明的蒸镀膜的形成方法,如上所述,具有:在上述基板的形成上述蒸镀膜的面,形成具有开口部并且能够剥离的规定形状的图案膜的工序;在上述开口部和上述图案膜上,沿着上述基板面上的某一方向,形成相互具有规定间隔的多个直线状的上述蒸镀膜的工序;和通过剥离上述图案膜,将上述蒸镀膜形成为规定形状的工序。
此外,如上所述,本发明的显示装置的制造方法是如下的制造方法:在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序中,在上述显示区域,形成能够剥离的图案膜的开口部,在作为上述显示区域的周边区域的非显示区域的至少一部分,形成上述图案膜,在上述开口部和上述图案膜上,沿上述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少上述发光层,在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序之后或形成上述第二电极的工序之后,剥离上述图案膜,由此将至少上述发光层形成为规定形状。
因此,可实现能够进行高精细的图案形成的蒸镀膜的形成方法和成品率及可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中、将光致抗蚀剂图案形成在基板上的情况的图。
图2是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中、剥离光致抗蚀剂后的基板的图。
图3是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的各工序的图。
图4是表示现有的使用扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的概略的制造工序的图。
图5是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中、能够使用的光致抗蚀剂的图案形状的一个例子的图。
图6是表示本发明的其他的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中、形成在基板的光致抗蚀剂的图案形状和发光层的图。
图7是表示本发明的其他的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中、进行至剥离光致抗蚀剂的工序和密封区域的密封工序之后的基板的图。
图8是表示本发明的其他的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的各工序的图。
图9是表示本发明的另外其他的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中、形成在基板的感光性干膜的图案形状和发光层的图。
图10是表示本发明的另外其他的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中、进行至剥离感光性干膜的工序和第二电极的蒸镀与密封区域的密封工序之后的基板的图。
图11是表示本发明的另外其他的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的各工序的图。
图12是表示利用本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法制造的有机EL显示装置的概略结构的图。
图13是表示能够在本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中使用的蒸镀装置的一个例子的图。
图14是表示能够在本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中使用的蒸镀装置的一个例子的图。
图15是表示利用图13或图14所示的蒸镀装置形成于基板的蒸镀膜的样子的图。
图16是对在不需蒸镀区域也形成具有条状的图案的蒸镀膜的理由进行说明的图。
图17是用于说明由于在不需蒸镀区域形成的蒸镀膜而可能产生的问题的图。
图18是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中,在不使用荫罩而是以光致抗蚀剂为掩模,将空穴注入层、空穴输送层、电子输送层和电子注入层形成为与第二电极同一形状的情况下的、将第二电极和外部配线电连接的方法的一个例子的图。
具体实施方式
以下,根据附图对本发明的实施方式进行详细说明。不过,该实施方式中记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只不过是一个实施方式,不应该解释为本发明的范围被它们限定。
另外,在以下的实施方式中,作为使用能够进行高精细的图案形成的蒸镀膜的形成方法的一个例子,列举有机EL显示装置的制造方法进行说明,但是并不限定于此,本发明的蒸镀膜的形成方法能够应用于要求高精细地图案形成的蒸镀膜的所有领域。
此外,在以下的实施方式中,作为一个例子列举有机EL显示装置的制造方法进行说明,因此,使用本发明的蒸镀膜的形成方法形成的蒸镀膜为有机膜,但是并不限定于此,本发明的蒸镀膜的形成方法当然也能够应用于无机膜的形成。
〔实施方式1〕
图12是表示有机EL显示装置1的概略结构的图,图12(a)是表示构成有机EL显示装置1的显示区域的有机EL元件10的截面的图。
在形成有薄膜晶体管2(以下,记作“TFT”)的基板3上,形成有层间绝缘膜4、第一电极5和边缘覆盖物6。
作为基板3,例如能够使用无碱玻璃和塑料等,但是在本实施方式中,使用板厚0.7mm的无碱玻璃。
而且,作为层间绝缘膜4和边缘覆盖物6,能够使用已知的感光性树脂,作为上述感光性树脂,例如能够列举丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂等。
另外,在本实施方式中,作为层间绝缘膜4和边缘覆盖物6,使用感光性丙烯酸树脂。
此外,第一电极5在利用溅射法等形成电极材料之后,利用光刻技术和蚀刻与各个像素对应地图案形成。
作为第一电极5,能够使用各种各样的导电性材料,但是在向基板侧发射光的底部发光型有机EL元件的情况下,需要为透明或半透明。另一方面,在从与基板相反侧发射光的顶部发光型有机EL元件的情况下,需要第二电极9为透明或半透明。
此外,TFT2通过已知的方法制作,在本实施方式中,对在各像素形成有TFT2的有源矩阵型的有机EL显示装置的制造进行说明,但是并不限定于此,本发明也能够应用于没有TFT2的无源矩阵型的有机EL显示装置。
为了防止有机EL层在第一电极5的端部变薄而在与第二电极9之间短路,以覆盖第一电极5的端部的方式形成有边缘覆盖物6,并且在没有边缘覆盖物6的部分使得第一电极5露出。该露出部分成为各像素的发光部。
如图所示,在第一电极5上形成各有机EL层。作为有机EL层,例如能够列举空穴注入层和空穴输送层7、发光层8R、8G、8B,虽然未图示,但是还可以列举形成为与第二电极9相同形状的电子输送层和电子注入层等。
而且,虽然未图示,但是根据需要也可以***阻挡电子等载流子的流动的载流子阻挡层。
此外,既可以一个层具有多个功能,例如也可以形成如空穴注入层和空穴输送层7那样兼用作空穴注入层和空穴输送层的一个层。
在本实施方式中,令第一电极5为阳极,从第一电极5侧依次叠层空穴注入层和空穴输送层7、发光层8R、8G、8B、电子输送层(未图示)、电子注入层(未图示),然后令第二电极9为阴极。
另外,在令第一电极5为阴极的情况下,上述叠层顺序颠倒。
此外,在本实施方式中,为底部发光型有机EL元件,因此,作为第一电极5,使用ITO(铟锡氧化物)。
而且,作为有机EL层的各材料,能够使用已知的材料,作为发光层8R、8G、8B,可以使用单一材料,或使用以某材料为主体材料将其它材料作为客体材料或掺杂混入的混合型。
以下,表示能够作为各有机EL层的材料使用的具体例。
作为空穴注入层和空穴输送层7的材料,例如能够使用蒽、氮苯并菲、芴酮、腙、芪、苯并菲、苯炔(benzyne)、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、***、咪唑、噁二唑、噁唑、聚芳烷烃、苯二胺、芳基胺及它们的衍生物、噻吩类化合物、聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、苯胺类化合物等的杂环式链共轭类的单体、低聚体或聚合体等。
而且,作为发光层8R、8G、8B的材料,使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。例如能够列举蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、二萘嵌苯、二萘品苯、荧蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、晕苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪及它们的衍生物、三(8-羟基喹啉)铝络合物、双(苯并羟基喹啉)铍络合物、三(二苯甲酰基甲基)菲罗啉铕络合物、二甲苯基乙烯苯、羟基苯噁唑、羟基苯噻唑等。
作为电子输送层、电子注入层的材料,例如能够使用三(8-羟基喹啉)铝络合物、噁二唑衍生物、***衍生物、苯基喹恶啉衍生物、噻咯衍生物等。
而且,图12(b)是表示具备第一电极5、空穴注入层和空穴输送层7、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极9的有机EL元件10被密封的样子的图。
如图所示,以使得有机EL元件10不由于大气中的水分和/或氧而劣化的方式,在设置有多个有机EL元件10的有机EL显示装置1的显示区域的4边端部,呈框状形成密封树脂11,通过密封树脂11贴合基板3与密封基板12。
另外,在本实施方式中,作为密封基板12,使用玻璃基板,通过具有粘接性的框状的密封树脂11,贴合基板3与密封基板12,由此进行有机EL元件10的密封,但是有机EL元件10的密封方法并不限定于此,例如也可以在有机EL元件10的上表面,利用CVD法形成水分和氧不易透过的致密的密封膜,在有机EL元件10的侧面,在整个面涂敷粘接剂而与密封基板贴合,或呈框状形成多孔玻璃(粉末玻璃)等,进行有机EL元件10的密封。
进一步,也可以根据需要同时使用上述密封方法。
图3是表示有机EL显示装置1的概略的制造工序的图。
首先,利用已知的方法,制作具备TFT和与上述TFT电连接的第一电极的基板3(S1)。
然后,以覆盖在基板3上形成有端子部等的不需蒸镀区域R2的方式,形成光致抗蚀剂13(S2)。
图1是表示在基板3上图案形成有光致抗蚀剂13的样子的图。
如图所示,光致抗蚀剂13不在呈框状形成的密封树脂11的内侧形成,而仅在呈框状形成的密封树脂11的外侧形成。
即,仅在基板3上的各有机EL面板的密封区域外形成光致抗蚀剂13,在显示区域R1(发光区域)和密封区域内,不形成光致抗蚀剂13。
在本实施方式中,作为在之后工序中能够剥离的图案膜使用正性光致抗蚀剂13,进行涂敷工序、预烘焙工序、曝光工序、显影工序和后烘焙工序,将光致抗蚀剂图案形成为图1所示形状。
光致抗蚀剂13能够使用通用的,但是优选使用吸水量少,在真空中的脱气少的光致抗蚀剂。
如果吸水量多,则存在在有机EL元件的制作工序中,从光致抗蚀剂13脱离的水分对构成有机EL元件的膜造成损伤的问题。
即使在在真空中脱气量多的情况下,也同样地存在在有机EL元件的制作工序中,从光致抗蚀剂13脱离的气体对构成有机EL元件的膜造成损伤的可能性。
于是,光致抗蚀剂13在之后工序中优选由不产生水分、分解物的低吸收性的材料、耐热性材料形成。
此外,作为上述耐热性材料,能够举例为有机无机混合类的材料,但并不限定于此。
此外,在有机EL元件的制作工序中,为了清洗第一电极的表面,一般至少在形成包括发光层的有机层之前对第一电极表面进行等离子体处理或UV处理。
因此,在这些处理中,优选使用对这些处理具有高耐性的光致抗蚀剂13,以使得光致抗蚀剂13劣化而产生的分解物不对有机EL元件产生影响。
然后,将具有规定形状的开口部的荫罩紧密固定在基板3上的光致抗蚀剂13上,利用现有的真空蒸镀法在整个面形成空穴注入层和空穴输送层(S3)。
在本实施方式中,使用荫罩形成空穴注入层和空穴输送层,但是也能够同时使用光致抗蚀剂13形成空穴注入层和空穴输送层。
即,在图1中,第二电极连接部R3成为光致抗蚀剂13的开口部,因此,仅以光致抗蚀剂13作为掩模形成空穴注入层和空穴输送层时,在第二电极连接部R3上也形成空穴注入层和空穴输送层。在这种情况下,由于在第二电极连接部R3与第二电极之间存在有机膜,存在可能发生接触不良的问题。
因此,能够通过使用遮蔽第二电极连接部R3的部分的荫罩,而其它部分以光致抗蚀剂13为掩模,形成规定形状的空穴注入层和空穴输送层。
另外,由于空穴注入层和空穴输送层在多个有机EL元件的整个面一并蒸镀即可,所以不需要进行高精度的图案形成,使用显示区域R1在整个面开口的开放式掩模即可。只要是开放式掩模即可,不需要使保持掩模的框太大,不使重量过大,因此在向大型基板蒸镀时也能够应用。
接着,使用如图13所示那样的比基板101小的荫罩102,并且在图中的左右方向上扫描基板101的同时对掩模单元105进行蒸镀,如图1所示那样形成具有在图中的左右方向上延伸的条状的图案的发光层8R、8G、8B(S4),其中,该掩模单元105是具有开口部102a的荫罩102、具有喷嘴开口部(射出口)103a的喷嘴103、与喷嘴103连接的蒸镀材料供给源104被形成为一体而得到的。
此外,在本实施方式中,相对于掩模单元105,扫描基板101的情况进行了说明,但并不限定于此,如图14所示也可以相对于基板101,扫描掩模单元105,进一步,也可以使基板101和掩模单元105分别在相反方向被扫描。
在本实施方式中,仅与各色R、G、B的子像素对应的部分开口的各色用荫罩102的较长方向(长度方向)上的长度被设定为图1所示的显示区域R1的上下方向上的长度,当在图1的上端的显示区域R1形成发光层8R、8G、8B时,基板3相对于掩模单元105向图中右方向被扫描,而且,当在图1的下端的显示区域R1形成发光层8R、8G、8B时,基板3相对于掩模单元105向图中上方向移动,在进行对准调整后,成为向图中左方向扫描。
另外,荫罩102的形状并不限定于此,只要是不产生荫罩102的自重弯曲和伸长的程度,就能够适当地设定。此外,也能够对图1的上端和下端的显示区域R1一并进行蒸镀。
然后,在进行发光层8R的蒸镀时,从蒸镀材料供给源104射出R(红色)的蒸镀颗粒,利用仅与R子像素对应的部分开口的荫罩102通过上述的扫描进行蒸镀,由此在各个R子像素形成发光层8R。
对发光层8G和发光层8B也使用同样的方法,在与各个子像素对应的部分发光层。
即,在本实施方式中,利用扫描方式的分涂蒸镀法形成发光层8R、8G、8B。
因此,如图1所示,在未形成光致抗蚀剂13的显示区域R1(发光区域)和密封区域内,在空穴注入层和空穴输送层上形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,另一方面,在形成有光致抗蚀剂13的不需蒸镀区域R2,在形成于光致抗蚀剂13上的空穴注入层和空穴输送层上形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B。
在本实施方式中,如图13所示那样相对于掩模单元105对基板101进行扫描而进行蒸镀,但是也可以如图14所示那样相对于基板101对掩模单元105进行扫描而进行蒸镀。
此外,在本实施方式中,如图13所示那样,令基板101的被蒸镀面101a与荫罩102的间隙G为规定间隔地在基板101的被蒸镀面101a形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,但是也能够以使得基板101的被蒸镀面101a与荫罩102紧贴的状态进行,形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B。
而且,在本实施方式中,为了形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,使用图13所示那样的蒸镀装置,但是只要能够膜厚均匀、形成精细的条状的图案,对所使用的蒸镀装置的种类就没有特别限定。
之后,使具有规定形状的开口部的荫罩紧密固定在基板3之上的光致抗蚀剂13上,利用现有的真空蒸镀法在整个面依次形成电子输送层、电子注入层(S5、S6)。
之后,以基板3之上的光致抗蚀剂13为掩模,利用现有的真空蒸镀法在整个面依次形成第二电极(S7)。
然后,如图1所示那样,在包括显示区域R1的密封区域内和在形成有光致抗蚀剂13的区域的整个面形成的上述第二电极中的、在显示区域R1的上下端部分形成的部分,通过在基板3上形成的第二电极的连接部R3与基板3上的配线电连接。
在本实施方式中,使用荫罩形成电子输送层、电子注入层,但是,如在空穴注入层和空穴输送层的形成时所述的那样,还能够同时使用光致抗蚀剂13作为掩模的一部分。
如上所述,对完成蒸镀的基板3,进行包括显示区域R1的密封区域的密封,以使得具备第一电极、空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极的有机EL元件不由于大气中的水分和氧而劣化(S8)。
如图1所示,在包括显示区域R1的密封区域的4边端部,呈框状形成有密封树脂11,通过密封树脂11,基板3与密封基板(未图示)被贴合。
然后,进行光致抗蚀剂13的剥离(S9)。通过剥离光致抗蚀剂13,叠层在光致抗蚀剂13的表面的叠层膜(空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极)也能够同时剥离。
此外,作为光致抗蚀剂13的剥离方法,可以使用已知的技术。例如,使用以水系的剥离液进行剥离的光致抗蚀剂13,将密封的基板3以上述剥离液剥离洗净,由此能够将光致抗蚀剂13从基板3上剥离。
图2是表示剥离光致抗蚀剂13后的基板3的图。
如图所示,在不需蒸镀区域R2,未叠层空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极,仅在包括形成有第一电极的显示区域R1的密封区域叠层有空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极。
之后,将基板3按各个有机EL面板分割(S10),使用在不需蒸镀区域R2形成的端子部进行与外部电路(驱动电路)的连接(S11),完成有机EL显示装置1。
通过以上那样的工序,制作有机EL显示装置1,从在外部形成的驱动电路向按各个子像素具备的有机EL元件流动电流使其发光,由此,能够进行所期望的显示。
以下,在对不具备能够在之后的工序中剥离的图案膜而使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的制造工序进行比较的同时,对由于具备作为能够在之后的工序中剥离的图案膜的光致抗蚀剂13而能够得到的好处进行详细说明。
图4是表示不具备能够在之后的工序中剥离的图案膜而使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的概略的制造工序的图。
如图所示,首先,利用已知的方法,制作TFT和与上述TFT电连接的第一电极的基板(S101)。
然后,由于不具备光致抗蚀剂13,仅使用通常的开放式掩模,在基板上,利用真空蒸镀法在整个面形成空穴注入层和空穴输送层(S102)。
在图4所示的使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的制造工序中,由于不具备光致抗蚀剂13,不能将光致抗蚀剂13作为掩模同时使用,需要仅利用通常的开放式掩模进行蒸镀。
因此,在本发明的有机EL显示装置1的制造工序中,能够实现蒸镀掩模(开放式掩模)的简化和与此相伴的安装时间的削减带来的装置生产节拍(tact,节奏)时间的提高(生产性的提高)和设备成本的降低,能够实现有机EL显示装置的制造成本的削减。
进一步,在图3所示的本发明的有机EL显示装置1的制造工序中,因为能够将光致抗蚀剂13作为掩模同时使用,所以能够通过开放式掩模的紧贴面积的降低,实现由于开放式掩模的接触而产生的基板上的图案的损伤的降低,并且,由于光致抗蚀剂13覆盖形成有端子部的不需蒸镀区域R2,还发挥作为端子部的保护膜的作用,能够避免开放式掩模与端子部的直接的接触,因此,能够防止由于上述开放式掩模而对端子部造成的损伤,能够实现有机EL显示装置的成品率的提高。
进一步,因为光致抗蚀剂13覆盖形成有端子部的不需蒸镀区域R2,所以能够防止在端子部上粘上异物等,能够提高有机EL显示装置的可靠性。
然后,使用图13所示那样的蒸镀装置,与本发明的有机EL显示装置1的制造工序同样地形成具有条状的图案的发光层(S103)。
但是,在图4所示的使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的制造工序中,由于设置有覆盖不需蒸镀区域R2的光致抗蚀剂13,具有条状的图案的发光层还被蒸镀在不需蒸镀区域R2,结果成为在端子部上粘接蒸镀发光层。
因此,另外需要利用有机溶剂进行的在不需蒸镀区域R2形成的发光层的擦拭工序(S109),因此导致有机EL显示装置的生产线和成品率的下降,详细情况后述。
然后,由于不具备光致抗蚀剂13,仅使用通常的开放式掩模,在基板上利用现有的真空蒸镀法在整个面依次形成电子输送层、电子注入层和第二电极(S104、S105、S106)。
在上述电子输送层和电子注入层的形成工序中,由于不具备光致抗蚀剂13,不能将光致抗蚀剂13作为掩模同时使用,同样产生在基板上利用真空蒸镀法在整个面形成空穴注入层和空穴输送层的工序(S102)时已说明的问题。
进一步,在第二电极的形成工序中,不能将光致抗蚀剂13作为掩模使用,需要使用通常的开放式掩模。因此,不仅产生与上述电子输送层和电子注入层的形成相同的问题,还需要开放式掩模的使用所需的设备。
然后,与图3所示的本发明的有机EL显示装置1的制造工序同样,进行有机EL元件的密封工序(S107)和按各个有机EL面板将基板分割的工序(S108)。
然后,进行利用有机溶剂进行的在不需蒸镀区域R2形成的发光层的擦拭的工序(S109)。
在图3所示的本发明的有机EL显示装置1的制造工序中,因为能够仅通过剥离光致抗蚀剂13而容易地将其除去,所以不需要这样的擦拭工序,但是在图4所示的使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的制造工序中,该擦拭工序是必须的工序,在该工序中存在引起以下这样的问题的可能。
首先,在上述擦拭工序中,必须使用有机溶剂直接从不需蒸镀区域R2擦去被蒸镀的发光层,但是并不容易将被蒸镀的发光层完全地除去,而存在容易残留残渣的问题。
此外,在上述擦拭工序中,容易在其上产生新的异物,如果在形成有端子部等的不需蒸镀区域R2存在这些异物,则会在将端子部与外部电路连接时引起电不良,导致有机EL显示装置的成品率的下降。
进一步,在使用密封树脂将密封基板与基板贴合那样的情况下,也存在上述有机溶剂使密封树脂产生损伤、使有机EL显示装置的可靠性下降的问题。
在已经叙述的图3所示的本发明的有机EL显示装置1的制造工序中,由于使用了光致抗蚀剂13,因此能够实现使用现有的光致抗蚀剂的剥离技术进行无残渣的光致抗蚀剂的除去、通过剥离液进行的附着物的除去、通过光致抗蚀剂和剥离液的选择的自由性实现的对密封树脂的损伤的抑制,所以能够避免上述这样的不具备光致抗蚀剂13的情况下产生的问题。
然后,使用进行擦拭后的端子部进行与外部电路(驱动电路)的连接(S110),完成有机EL显示装置。
以下,根据图5的(a)到(d),对在本发明的有机EL显示装置1的制造工序中能够使用的光致抗蚀剂13的其它的图案的一个例子进行说明。
图5(a)和图5(b)是表示具有具备红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)各种颜色的发光层的有机EL元件的3种子像素以在图中的上下方向相邻的方式配置而形成有机EL显示装置的1像素的情况,是表示至少在形成有不需蒸镀区域R2的发光层8R、8G、8B的区域形成光致抗蚀剂13的一个例子的图。
如图所示,关于未形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B的不需蒸镀区域R2,并没有以光致抗蚀剂13覆盖的必要性,因此也可以将光致抗蚀剂13如图5(a)那样形成为在图中上下方向上延伸的条状或如图5(b)那样形成为岛状。
在如图5(a)和图5(b)所示那样存在未被光致抗蚀剂13覆盖的不需蒸镀区域R2的情况下,例如,与不能在发光层8R、8G、8B以外的有机膜的蒸镀时将光致抗蚀剂13作为掩模使用的情况等、将光致抗蚀剂13设置为图1所示那样的图案的情况相比较时,所得到的效果较少,但是对于具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,能够进行高精细的图案形成。
而且,因为能够通过将光致抗蚀剂13的图案如图5(a)和图5(b)所示那样形成来减少光致抗蚀剂13的使用量,所以能够实现材料费的削减,并且能够减少光致抗蚀剂13的脱气体的量,对有机EL元件的不良影响也能够更加减少。
另外,图5(a)和图5(b)所示的光致抗蚀剂13的图案形状是一个例子,考虑基板面内的有机EL面板的个数、其配置、式样和其大小等,适当地决定光致抗蚀剂13的图案形状即可。
另一方面,5(c)和图5(d)是表示具有具备红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)各种颜色的发光层的有机EL元件的3种子像素以在图中的左右方向相邻的方式配置而形成有机EL显示装置的1像素的情况,是表示至少在形成有不需蒸镀区域R2的发光层8R、8G、8B的区域形成光致抗蚀剂13的一个例子的图。
如图所示,关于未形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B的不需蒸镀区域R2,并没有以光致抗蚀剂13覆盖的必要性,因此也可以将光致抗蚀剂13如图5(c)那样形成为在图中左右方向上延伸的条状或如图5(d)那样形成为岛状。
此外,至此虽然未在包含显示区域R1的密封区域内形成光致抗蚀剂13,但在本实施方式中,只要在有机EL显示装置的特性方面没有问题,也可以在包含显示区域R1的密封区域内形成作为凸部的光致抗蚀剂13。
具体而言,通过例如在显示区域R1(发光区域)的各像素之间形成作为凸部的光致抗蚀剂13的图案,能够作为防止密封基板与有机EL元件撞击而使有机EL元件损伤的柱发挥作用。
此外,在本实施方式中,如图13所示,通过将基板101的被蒸镀面101a与荫罩102的间隙G保持为一定,并且在将基板101在图中的左右方向上扫描的同时对被固定的掩模单元105进行蒸镀,从而在基板101的被蒸镀面101a形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,但是并不限定于此,也可以在将基板101的被蒸镀面101a与荫罩102紧贴的同时使基板101滑动地进行蒸镀。
而且,在这样的情况下,能够利用光致抗蚀剂13防止由于基板101的被蒸镀面101a与荫罩102的紧贴而可能产生的基板101的被蒸镀面101a的损伤。
此外,在本实施方式中,使用荫罩(开放式掩模)蒸镀空穴注入层和空穴输送层、电子输送层、电子注入层,但是也能够如上述的发光层那样使用图13或图14那样的蒸镀方法形成。在这种情况下,代替呈条状图案形成的掩模,使用在显示区域R1的整个面形成开口部的掩模即可。
此外,在本实施方式中,使用开放式掩模蒸镀空穴注入层和空穴输送层、电子输送层、电子注入层,但只要是将第二电极连接在基板3的配线的其它机构即可,能够不使用开放式掩模而与第二电极同样地形成空穴注入层和空穴输送层、电子输送层、电子注入层。
图18是表示不使用荫罩(开放式掩模)而是使光致抗蚀剂为掩模,将空穴注入层、空穴输送层、电子输送层和电子注入层,与第二电极形成为同一形状情况下的、将第二电极和外部配线电连接的方法的一个例子的图。
在本实施方式中,图示的凸部15使用光致抗蚀剂13形成,但并不限定于此,也可以使用图12(a)所示的形成边缘覆盖物6的层形成。
另外,形成凸部15、光致抗蚀剂13、边缘覆盖物6的层可以是同一层。
而且,如图所示,在凸部15上形成空穴注入层和空穴输送层7、电子输送层(未图示)、电子注入层(未图示)和第二电极9。
在密封基板12的与基板3相对的面,形成有由导电性材料构成的配线兼第二电极连结部R3,配线兼第二电极连结部R3在显示区域R1内与第二电极9电连接,通过配线引出至由形成为框状的密封树脂11包围的密封区域外。
而且,配线兼第二电极连结部R3,通过导电膜111与基板3的配线107连接。
通过采用以上这样的构造,即使在不使用荫罩(开放式掩模)而是使光致抗蚀剂为掩模,将空穴注入层、空穴输送层、电子输送层和电子注入层,与第二电极形成为同一形状时,也能够将第二电极与外部电路相连接。
于是,能够将发光层以外的有机层和第二电极无掩模地形成为规定形状。
由此,在图18所示的有机EL显示装置1c的制造工序中,不仅能够防止蒸镀掩模的接触而导致的基板上的图案的损伤,而且能够将光致抗蚀剂13用作蒸镀掩模,因此能够实现蒸镀掩模的安装时间的削减而带来的装置生产节拍的提高、设备成本的降低,结果能够实现有机EL显示装置1c的成本削减。
而且,如图13或图14所示那样在基板与蒸镀掩模之间保持间隙G的同时形成发光层时,在有机EL元件的制造工序中,蒸镀掩模一次也不会接触。因此,完全不存在由于蒸镀掩模的接触而导致的基板上图案的损伤的可能性,能够更加提高有机EL显示装置1c的成品率。
[实施方式2]
接着,基于图6至图8对本发明的第二实施方式进行说明。在本实施方式中,在包括发光层8R、8G、8B的有机层的形成工序之后,以光致抗蚀剂13为掩模,形成密封膜,之后,在进行光致抗蚀剂13的剥离之后,使用密封基板,进行有机EL元件的密封,在这方面与实施方式1不同,关于其它的结构,与在实施方式1中说明的相同。为了便于说明,对具有与在实施方式1的附图所示的部件相同功能的部件,标注相同的附图标记,省略其说明。
图8是表示有机EL显示装置1a的概略的制造工序的图。
图8的从S1至S7的工序与在实施方式1的图3中已经说明的从S1至S7的工序相同,因此省略其说明。
图6是表示在具备有机EL显示装置1a的基板3a形成的光致抗蚀剂13的图案形状和发光层8R、8G、8B的图。
然后,以图6所示那样的光致抗蚀剂13为掩模,在作为有机EL元件的上表面的第二电极上,利用CVD法等形成水分和氧不容易透过的致密的密封膜(未图示),在有机EL元件的侧面,呈框状形成密封树脂或多孔玻璃(粉末玻璃),进行有机EL元件的密封(S8)。
另外,在本实施方式中,将光致抗蚀剂13用作掩模进行发光层8R、8G、8B、第二电极的形成和密封膜的形成,但是并不限定于此,还能够如在实施方式1中说明的那样,对于发光层8R、8G、8B以外的有机层,也仅使用光致抗蚀剂13或同时使用光致抗蚀剂13和开放式掩模形成。
然后,进行光致抗蚀剂13的剥离(S9)。另外,此时,如上述那样有机EL元件被密封膜等保护,因此有机EL元件不会在剥离工序中受到损伤。
之后,对完成蒸镀的基板3a,进行包括显示区域R1的密封区域的密封,以使得具备第一电极、空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极的有机EL元件不由于大气中的水分和氧而劣化(S10)。
如图7所示,在包含显示区域R1的密封区域的4边端部,呈框状形成有密封树脂11,通过密封树脂11,基板3a与密封基板(未图示)被贴合。
然后,将基板3a按各个有机EL面板分割(S11),使用在不需蒸镀区域R2形成的端子部进行与外部电路(驱动电路)的连接(S12),完成有机EL显示装置1a。
在如上述那样制作的有机EL显示装置1a,在不需蒸镀区域R2不形成蒸镀膜。因此,与实施方式1一样简便地解决向不需蒸镀区域R2形成蒸镀膜的问题。
进一步,因为能够将光致抗蚀剂13用作蒸镀掩模,所以能够实现蒸镀掩模的安装时间的削减而带来的装置生产节拍的提高、设备成本的降低,结果能够实现有机EL显示装置1a的制造成本的削减。
同时,通过贴向基板3a的紧贴次数的降低,能够减少对有机EL面板的表面的损伤,由此能够实现有机EL显示装置1a的成品率的提高。
另外,在本实施方式中,第二电极和密封膜的形成利用蒸镀法形成,但是并不限定于此,还能够利用溅射法等其它的成膜法。
此外,只要仅通过第二电极的形成就能够在光致抗蚀剂13的剥离工序中保护有机EL元件,也可以省略密封膜的形成工序。
此外,在图7,作为被密封树脂11包围的区域的密封区域的外缘也包含在不需蒸镀区域R2,被光致抗蚀剂13保护(参照图6)。
因此,在利用密封树脂11或多孔玻璃(粉末玻璃)呈框状密封有机EL元件的情况下和利用密封树脂11将密封基板与TFT基板贴合而密封的情况下,在密封区域的外缘,蒸镀膜不存在于(被夹于)基板间。
由此,能够提高密封树脂11或多孔玻璃的紧贴性、防止空孔,能够充分地发挥密封性能,因此能够进一步提高有机EL显示装置1a的可靠性。
[实施方式3]
接着,基于图9至图11对本发明的第三实施方式进行说明。在本实施方式中,取代光致抗蚀剂13而使用感光性干膜14作为图案膜,并且在该干膜14的剥离工序后形成第二电极,在这方面与实施方式1不同。
此外,关于发光层8R、8G、8B以外的有机层,也在不使用蒸镀掩模而以干膜14作为掩模形成的方面与实施方式1不同。
此外,在感光性干膜14覆盖至涂敷密封树脂的框状区域、仅显示区域R1开口的方面与实施方式1不同。
关于其它的结构,与在实施方式1中说明的相同。为了便于说明,对具有与在实施方式1的附图所示的部件相同功能的部件,标注相同的附图标记,省略其说明。
图11是表示有机EL显示装置1b的概略的制造工序的图。
在图11中的S1、S2和S4的工序中,除了取代光致抗蚀剂13而形成感光性干膜14作为图案膜的方面,以及将该感光性干膜14作为掩模形成蒸镀膜的方面以外,与实施方式1中的在图3已经说明的S1、S2和S4的工序相同,因此省略其说明。
而且,S3、S5和S6的工序,类似于实施方式1的图3的S7的工序。即,以仅显示区域R1开口的干膜14为掩模形成空穴注入层和空穴输送层、电子输送层及电子注入层。由于该干膜14覆盖第二电极连接部R3,因此在其上不形成上述有机层。
图9是表示在基板3b形成的感光性干膜14的图案形状和发光层8R、8G、8B的图。
如图所示,感光性干膜14以在显示区域R1具有开口部的方式形成。
此外,在本实施方式中,使用负性感光性干膜14,该感光性干膜14为膜状,在图案形成后,能够以膜的状态机械式地剥离。
于是,在这样的剥离工序中,不使用剥离液,因此即使不是将有机EL元件密封的状态,也不会使构成有机EL元件的蒸镀膜受到损伤。
然后,在本实施方式的有机EL显示装置1b的制造工序中,如图11所示那样,在形成第二电极之前剥离感光性干膜14(S7)。
然后,由于感光性干膜14已经被剥离,所以使用通常的开放式掩模(使用在包含显示区域R1和第二电极连结部R3的区域具有开口部的荫罩),蒸镀第二电极(S8)。
如上述那样,对完成蒸镀的基板3b,进行包括显示区域R1的密封区域的密封,以使得具备第一电极、空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极的有机EL元件不因大气中的水分和氧而劣化(S9)。
图10是表示进行至剥离感光性干膜14、第二电极的蒸镀和包括显示区域R1的密封区域的密封为止之后的基板3b的图。
如图所示,在包括显示区域R1的密封区域的4边端部,呈框状形成有密封树脂11,通过密封树脂11,基板3b与密封基板(未图示)被贴合。
然后,将基板3b按各个有机EL面板分割(S10),使用在不需蒸镀区域R2形成的端子部进行与外部电路(驱动电路)的连接(S11),完成有机EL显示装置1b。
在如上述那样制作的有机EL显示装置1b,在不需蒸镀区域R2不形成蒸镀膜。因此,与实施方式1和2同样,简便地解决向不需蒸镀区域R2形成蒸镀膜的问题。
此外,因为能够将感光性干膜14用作包括发光层8R、8G、8B的有机膜的蒸镀掩模,所以能够实现蒸镀掩模的安装时间的削减而带来的装置生产节拍的提高、实现设备成本的降低,结果能够实现有机EL显示装置1b的成本削减。
同时,通过紧贴次数的降低,能够减少对有机EL面板的表面的损伤,能够实现有机EL显示装置1b的成品率的提高。
进一步,作为被密封树脂11包围的区域的密封区域的外缘(形成密封树脂的框状区域)也包含在不需蒸镀区域R2,被感光性干膜14保护(参照图9和图10)。
因此,在利用密封树脂11或多孔玻璃(粉末玻璃)呈框状密封有机EL元件的情况下和利用密封树脂11将密封基板与TFT基板贴合而密封的情况下,在密封区域的外缘蒸镀膜不存在于(被夹于)基板间。
由此,能够提高密封树脂11或多孔玻璃的紧贴性、防止空孔,能够充分地发挥密封性能,因此能够进一步提高有机EL显示装置1b的可靠性。
本发明的蒸镀膜的形成方法优选包含在将上述蒸镀膜形成于上述开口部和上述图案膜上的工序之前和/或之后,将上述图案膜作为掩模形成与上述蒸镀膜不同的第一膜的工序,上述图案膜的剥离在形成上述第一膜的工序之后进行。
根据上述方法,能够在上述图案膜的形成后的工序中将上述图案膜用作蒸镀掩模,因此能够无掩模地进行蒸镀,能够实现蒸镀掩模的安装时间的削减而带来的装置生产节拍的提高、设备成本的降低。
同时,能够通过蒸镀掩模的紧贴次数的降低,减少对上述基板的表面的损伤。
本发明的蒸镀膜的形成方法优选包含在将上述蒸镀膜形成于上述开口部和上述图案膜上的工序之前和/或之后,使用具有贯通孔的掩模,形成与上述蒸镀膜不同的第二膜的工序,上述图案膜的剥离在形成上述第二膜的工序之后进行。
根据上述方法,具有贯通孔的掩模与基板隔着上述图案膜紧贴,因此能够使得上述图案膜发挥基板的保护膜的作用,能够减少对上述基板的表面的损伤。
在本发明的蒸镀膜的形成方法中,上述图案膜优选通过对感光性材料进行曝光和显影而形成。
根据上述方法,能够比较容易地图案形成上述图案膜,并且能够使用剥离液进行剥离。
本发明的蒸镀膜的形成方法中,上述图案膜优选能够以膜状剥离的干膜。
根据上述方法,能够不使用剥离液,将上述图案膜以膜状剥离,因此能够抑制使用剥离液的情况下产生的不良影响。
在本发明的蒸镀膜的形成方法中,上述图案膜优选由在形成上述图案膜之后的工序中不产生分解物的耐热性材料形成。
根据上述方法,能够抑制之后工序中的上述图案膜的影响。
本发明的方式的蒸镀膜的成方法优选如下方式:在将上述蒸镀膜形成于上述开口部和上述图案膜上的工序中,掩模单元中的上述蒸镀掩模与上述基板被维持为固定距离,上述掩模单元包括:具有贯通孔且面积比上述基板小的上述蒸镀掩模;和将从蒸镀材料供给源供给的蒸镀颗粒隔着上述蒸镀掩模向上述基板的形成有上述图案膜的面射出的射出口,并且上述蒸镀掩模与上述射出口的相对位置被固定,上述掩模单元和上述基板中的至少任意一个相对于另一个进行扫描,从而形成上述蒸镀膜。
根据上述方法,能够高效率、高精细地形成相互具有规定间隔的多个直线状的上述蒸镀膜。
在本发明的蒸镀膜的形成方法中,上述掩模单元中的上述蒸镀掩模与上述基板也可以紧贴。
根据上述方法,上述基板与上述蒸镀掩模隔着上述图案膜紧贴,因此能够通过上述图案膜防止上述蒸镀掩模对上述基板的损伤。
本发明的显示装置的制造方法,优选包含将上述图案膜作为掩模,形成上述有机层中的上述发光层以外的层和包含金属层的无机层中的至少一个以上的层的工序。
根据上述方法,能够在形成选自上述有机层中的上述发光层以外的层、金属层和无机层中的至少一个以上的层的工序中,将上述图案膜用作掩模,因此能够在形成这些膜的工序中,无掩模地进行蒸镀,能够通过掩模的安装时间的削减实现装置生产节拍的提高、设备成本的降低。
同时,通过蒸镀掩模的紧贴次数的降低,能够减少对上述基板的表面的损伤。
因此,根据上述方法,能够实现成品率和可靠性的提高,并且能够抑制制造成本。
本发明的显示装置的制造方法,优选包含使用具有贯通孔的掩模,形成上述有机层中的上述发光层以外的层和包含金属层的无机层中的至少一个以上的层的工序。
根据上述方法,具有贯通孔的掩模与基板隔着上述图案膜紧贴,因此上述图案膜发挥基板的保护膜的作用,能够减少对上述基板的表面的损伤,因此能够实现成品率和可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
在本发明的方式显示装置的制造方法中,优选上述图案膜的剥离在形成上述第二电极的工序之后进行,在形成上述第二电极的工序中,以上述图案膜为掩模形成上述第二电极。
能够将上述图案膜作掩模在形成在上述第二电极的工序中用,因此能够无掩模地进行形成上述第二电极的工序,能够通过掩模的安装时间的削减实现装置生产节拍的提高、设备成本的降低。
同时,能够通过蒸镀掩模的紧贴次数的降低,减少对上述基板的表面的损伤。
本发明的方式显示装置的制造方法优选在形成上述第二电极的工序中,使用具有贯通孔的掩模形成上述第二电极。
根据上述方法,用具有贯通孔的掩模形成上述第二电极,因此能够以在配线的连结部和上述第二电极之间不存在有机层的方式,形成上述第二电极的形状。
本发明的方式显示装置的制造方法优选具有利用密封部件密封上述第一电极、上述有机层和上述第二电极的工序,将上述图案膜剥离的工序在利用上述密封部件进行密封的工序之后进行。
根据上述方法,以利用密封部件密封上述第一电极、上述有机层和上述第二电极的状态剥离上述图案膜,因此能够抑制剥离液带来的不良影响。
本发明的显示装置的制造方法优选具有以上述图案膜为掩模形成密封上述第一电极、上述有机层和上述第二电极的密封膜的工序,形成上述密封膜的工序在剥离上述图案膜之前进行,在剥离上述图案膜之后,进行利用密封部件密封上述第一电极、上述有机层、上述第二电极和上述密封膜的工序。
根据上述方法,以利用密封膜密封上述第一电极、上述有机层和上述第二电极的状态剥离上述图案膜,因此能够抑制剥离液带来的不良影响。
此外,由于还另外利用与上述密封膜不同的密封部件进行密封,因此能够提高可靠性。
在本发明的显示装置的制造方法中,上述图案膜优选通过对感光性材料进行曝光和显影而形成。
根据上述方法,能够比较容易地图案形成上述图案膜,并且能够使用剥离液进行剥离。
在本发明的显示装置的制造方法中,优选在上述图案膜为对感光性材料进行曝光和显影而形成的能够以膜状剥离的干膜的情况下,在利用密封部件密封上述第一电极、上述有机层、上述第二电极的工序之前,剥离上述图案膜。
根据上述方法,能够不使用剥离液地对上述图案膜进行剥离,所以能够在以上述密封部件进行密封的工序之前剥离上述图案膜。
在本发明的显示装置的制造方法中,上述图案膜优选由在形成上述图案膜的工序之后的工序中不产生分解物的耐热性材料形成。
根据上述方法,能够抑制之后工序中的上述图案膜的分解物的影响。
本发明的显示装置的制造方法优选在利用密封部件对上述第一电极、上述有机层和上述第二电极进行密封的工序之前,具有在上述显示区域的一部分形成支承上述密封部件的凸部的工序。
通过由上述方法形成的上述凸部,能够防止例如上述密封材料被按压时上述有机层或上述第二电极等与上述密封部件接触而引起损伤的情况。
在本发明的显示装置的制造方法中,在上述凸部上优选具备上述第二电极。
在上述第二电极的形状和上述有机层中,上述发光层以外的层的形状相同的情况下,在上述第二电极的下部总是存在有机层,因此来自外部的配线与上述第二电极之间存在有机层,所以将来自外部的配线与上述第二电极电连接是困难的。
根据上述方法,即使上述第二电极的形状与上述有机层中的上述发光层以外的层的形状是相同的,例如也能够使用设置在上述凸部上的第二电极,经由在上述密封部件侧设置的配线,与在上述基板侧设置的配线电连接。
在本发明的显示装置的制造方法中,形成上述凸部的工序可以与形成上述图案膜的工序为同一工序。
根据上述方法,上述凸部通过形成上述图案膜的工序形成,因此无需用于设置上述凸部的另外的工序。
在本发明的显示装置的制造方法中,形成上述图案膜的工序与形成以覆盖上述第一电极的端部的方式形成的边缘覆盖物的工序为同一工序。
根据上述方法,上述图案膜通过形成边缘覆盖物的工序形成,因此无需用于设置上述图案膜的另外的工序。
在本发明的方式的显示装置的制造方法中,优选当在上述开口部和上述图案膜上,沿上述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少上述发光层时,掩模单元中的蒸镀掩模与上述基板被维持为固定距离,上述掩模单元包括:具有贯通孔且面积比上述基板小的上述蒸镀掩模;和将从蒸镀材料供给源供给的蒸镀颗粒隔着上述蒸镀掩模向上述基板的形成有上述图案膜的面射出的射出口,并且上述蒸镀掩模与上述射出口的相对位置被固定,上述掩模单元和上述基板中的至少任意一个相对于另一个进行扫描,从而形成至少上述发光层。
根据上述方法,能够高效率地实现成品率和可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
在本发明的显示装置的制造方法中,上述掩模单元中的上述蒸镀掩模与上述基板也可以紧贴。
根据上述方法,上述基板与上述蒸镀掩模隔着上述图案膜紧贴,因此能够通过上述图案膜防止上述蒸镀掩模引起的对上述基板的损伤。
在本发明的显示装置的制造方法中,优选在作为上述显示区域的周边区域的非显示区域中,在形成上述密封部件的区域也形成有上述图案膜。
根据上述方法,不会出现蒸镀膜在形成有密封部件的区域存在于基板间(被夹于基板间)的情况,因此能够提高密封部件的紧贴性、防止空孔,能够充分地发挥密封性能,因此能够进一步提高有机EL显示装置的可靠性。
本发明并不限定于上述各实施方式,能够在权利要求所示的范围内进行各种变更,将在不同的实施方式中分别公开的技术方法适当地进行组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
产业上的可利用性
本发明例如能够优选应用于有机EL显示装置的制造工序等。
符号说明
1、1a、1b、1c有机EL显示装置(显示装置)
2TFT(有源元件)
3、3a、3b基板
5第一电极
7空穴注入层和空穴输送层(有机层)
8R、8G、8B发光层
9第二电极
10有机EL元件
11密封树脂(密封部件)
12密封基板(密封部件)
13光致抗蚀剂(图案膜)
14感光性干膜(图案膜)
15凸部
R1显示区域
R2不需蒸镀区域(非显示区域)
R3第二电极连接部

Claims (23)

1.一种蒸镀膜的形成方法,其是在基板上形成规定形状的蒸镀膜的蒸镀膜的形成方法,其特征在于,具有:
在所述基板的形成所述蒸镀膜的面,形成具有开口部并且能够剥离的规定形状的图案膜的工序;
在所述开口部和所述图案膜上,沿着所述基板面上的某一方向,形成相互具有规定间隔的多个直线状的所述蒸镀膜的工序;和
通过剥离所述图案膜,将所述蒸镀膜形成为规定形状的工序,
在形成所述图案膜的工序中,在形成密封部件的密封区域的内侧不形成所述图案膜,仅在所述密封区域的外侧形成所述图案膜,
在将所述蒸镀膜形成于所述开口部和所述图案膜上的工序中,
掩模单元中的蒸镀掩模与所述基板被维持为固定距离,所述掩模单元包括:具有贯通孔且面积比所述基板小的所述蒸镀掩模;和将从蒸镀材料供给源供给的蒸镀颗粒隔着所述蒸镀掩模向所述基板的形成有所述图案膜的面射出的射出口,并且所述蒸镀掩模与所述射出口的相对位置被固定,
所述掩模单元和所述基板中的至少任意一个相对于另一个进行扫描,从而形成所述蒸镀膜。
2.一种蒸镀膜的形成方法,其是在基板上形成规定形状的蒸镀膜的蒸镀膜的形成方法,其特征在于,具有:
在所述基板的形成所述蒸镀膜的面,形成具有开口部并且能够剥离的规定形状的图案膜的工序;
在所述开口部和所述图案膜上,沿着所述基板面上的某一方向,形成相互具有规定间隔的多个直线状的所述蒸镀膜的工序;和
通过剥离所述图案膜,将所述蒸镀膜形成为规定形状的工序,
在形成所述图案膜的工序中,在形成密封部件的密封区域的内侧不形成所述图案膜,仅在所述密封区域的外侧形成所述图案膜,
包含在将所述蒸镀膜形成于所述开口部和所述图案膜上的工序之前和/或之后,使用具有贯通孔的掩模,形成与所述蒸镀膜不同的第二膜的工序,
所述图案膜的剥离在形成所述第二膜的工序之后进行。
3.如权利要求2所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
在将所述蒸镀膜形成于所述开口部和所述图案膜上的工序中,
掩模单元中的蒸镀掩模与所述基板被维持为固定距离,所述掩模单元包括:具有贯通孔且面积比所述基板小的所述蒸镀掩模;和将从蒸镀材料供给源供给的蒸镀颗粒隔着所述蒸镀掩模向所述基板的形成有所述图案膜的面射出的射出口,并且所述蒸镀掩模与所述射出口的相对位置被固定,
所述掩模单元和所述基板中的至少任意一个相对于另一个进行扫描,从而形成所述蒸镀膜。
4.如权利要求1所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
包含在将所述蒸镀膜形成于所述开口部和所述图案膜上的工序之前和/或之后,将所述图案膜作为掩模,形成与所述蒸镀膜不同的第一膜的工序,
所述图案膜的剥离在形成所述第一膜的工序之后进行。
5.如权利要求1至4中任一项所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
所述图案膜是对感光性材料进行曝光和显影而形成的。
6.如权利要求5所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
所述图案膜为能够以膜状剥离的干膜。
7.如权利要求1至4中任一项所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
所述图案膜由在形成所述图案膜的工序之后的工序中不产生分解物的耐热性材料形成。
8.如权利要求1、3和4中任一项所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
所述掩模单元中的所述蒸镀掩模与所述基板紧贴。
9.一种显示装置的制造方法,其具有:在基板上形成多个有源元件的工序;形成第一电极的工序,所述第一电极与所述各个有源元件电连接且在所述基板上的显示区域呈矩阵状形成;在所述第一电极上形成至少包含发光层的有机层的工序;和至少在所述有机层上形成具有与所述第一电极相反的极性的第二电极的工序,该显示装置的制造方法的特征在于:
在形成所述有机层中的至少所述发光层的工序中,
在包含所述显示区域的形成密封部件的密封区域的内侧,形成能够剥离的图案膜的开口部,
仅在所述密封区域的外侧形成所述图案膜,
当在所述开口部和所述图案膜上,沿所述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少所述发光层时,
掩模单元中的蒸镀掩模与所述基板被维持为固定距离,所述掩模单元包括:具有贯通孔且面积比所述基板小的所述蒸镀掩模;和将从蒸镀材料供给源供给的蒸镀颗粒隔着所述蒸镀掩模向所述基板的形成有所述图案膜的面射出的射出口,并且所述蒸镀掩模与所述射出口的相对位置被固定,
所述掩模单元和所述基板中的至少任意一个相对于另一个进行扫描,从而形成所述蒸镀膜,
在形成所述有机层中的至少所述发光层的工序之后或形成所述第二电极的工序之后,剥离所述图案膜,由此将至少所述发光层形成为规定形状。
10.如权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
包含将所述图案膜作为掩模,形成所述有机层中的所述发光层以外的层和包含金属层的无机层中的至少一个以上的层的工序。
11.如权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
包含使用具有贯通孔的掩模,形成所述有机层中的所述发光层以外的层和包含金属层的无机层中的至少一个以上的层的工序。
12.如权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述图案膜的剥离在形成所述第二电极的工序之后进行,
在形成所述第二电极的工序中,以所述图案膜为掩模形成所述第二电极。
13.如权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在形成所述第二电极的工序中,使用具有贯通孔的掩模形成所述第二电极。
14.如权利要求9至13中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
具有隔着所述密封部件利用密封基板密封所述第一电极、所述有机层和所述第二电极的工序,
所述图案膜仅形成在所述密封区域的外侧,
将所述图案膜剥离的工序在利用所述密封基板进行密封的工序之后进行。
15.如权利要求9至13中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
具有以所述图案膜为掩模形成密封所述第一电极、所述有机层和所述第二电极的密封膜的工序,
所述图案膜仅形成在所述密封区域的外侧,
形成所述密封膜的工序在剥离所述图案膜之前进行,
在剥离所述图案膜之后,进行隔着所述密封部件利用密封基板密封所述第一电极、所述有机层、所述第二电极和所述密封膜的工序。
16.如权利要求9至13中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述图案膜是对感光性材料进行曝光和显影而形成的。
17.如权利要求9至13中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述图案膜是对感光性材料进行曝光和显影而形成的能够以膜状剥离的干膜的情况下,
在隔着所述密封部件利用密封基板对所述第一电极、所述有机层和所述第二电极进行密封的工序之前,将所述图案膜剥离。
18.如权利要求9至13中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述图案膜由在形成所述图案膜的工序之后的工序中不产生分解物的耐热性材料形成。
19.如权利要求9至13中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在隔着所述密封部件利用密封基板对所述第一电极、所述有机层和所述第二电极进行密封的工序之前,具有在所述显示区域的一部分形成支承所述密封基板的凸部的工序。
20.如权利要求19所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述凸部上具备所述第二电极。
21.如权利要求19所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
形成所述凸部的工序与形成所述图案膜的工序为同一工序。
22.如权利要求9至13中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
形成所述图案膜的工序与形成以覆盖所述第一电极的端部的方式形成的边缘覆盖物的工序为同一工序。
23.如权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述掩模单元的所述蒸镀掩模与所述基板紧贴。
CN201180062835.4A 2010-12-27 2011-12-20 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法 Active CN103283306B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-291201 2010-12-27
JP2010291201 2010-12-27
PCT/JP2011/079441 WO2012090771A1 (ja) 2010-12-27 2011-12-20 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103283306A CN103283306A (zh) 2013-09-04
CN103283306B true CN103283306B (zh) 2016-07-20

Family

ID=46382882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180062835.4A Active CN103283306B (zh) 2010-12-27 2011-12-20 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8906718B2 (zh)
JP (1) JP5384752B2 (zh)
CN (1) CN103283306B (zh)
WO (1) WO2012090771A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014047416A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Tokyo Electron Ltd 蒸着装置、蒸着方法、有機elディスプレイ、および有機el照明装置
JP2015069806A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US10326076B2 (en) 2015-04-13 2019-06-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of manufacturing display substrate, display substrate and display device
CN104779200B (zh) * 2015-04-13 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制备方法、显示基板半成品以及显示装置
KR20180089606A (ko) * 2017-01-31 2018-08-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리의 제조 방법
KR102030235B1 (ko) * 2017-06-15 2019-10-10 고려대학교 세종산학협력단 신축성 기판 구조체 및 그 제조방법, 신축성 디스플레이 및 그 제조방법 그리고 신축성 디스플레이 사용방법
US20210273178A1 (en) * 2018-09-28 2021-09-02 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method of manufacturing display device
CN109524350B (zh) * 2018-11-23 2021-05-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
JP2022115080A (ja) 2021-01-27 2022-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11815689B2 (en) 2021-04-30 2023-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11699391B2 (en) 2021-05-13 2023-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410445B1 (en) * 1999-01-25 2002-06-25 Appliedsensor Sweden Ab Manufacturing method for integrated sensor arrays
CN1764335A (zh) * 2004-10-22 2006-04-26 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置的制造方法和有机电致发光装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4420365A (en) 1983-03-14 1983-12-13 Fairchild Camera And Instrument Corporation Formation of patterned film over semiconductor structure
US6378199B1 (en) 1994-05-13 2002-04-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Multi-layer printed-wiring board process for producing
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JPH10102237A (ja) 1996-09-25 1998-04-21 Casio Comput Co Ltd 電極形成方法
JPH10261486A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el発光装置の製造方法
JP4253883B2 (ja) 1998-11-24 2009-04-15 カシオ計算機株式会社 発光素子の製造方法
JP3019095B1 (ja) 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜elデバイスの製造方法
JP2001118679A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Toyota Motor Corp 有機el素子の製造方法
JP2002367774A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Sony Corp 薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置
US6689674B2 (en) * 2002-05-07 2004-02-10 Motorola, Inc. Method for selective chemical vapor deposition of nanotubes
JP2004146369A (ja) * 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
JP4355796B2 (ja) 2003-08-29 2009-11-04 国立大学法人京都大学 有機半導体装置およびその製造方法
KR20070012631A (ko) 2003-12-05 2007-01-26 유니버시티 오브 피츠버그 오브 더 커먼웰쓰 시스템 오브 하이어 에듀케이션 금속성 나노-광학 렌즈 및 빔 정형 장치
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
JP4846265B2 (ja) * 2005-05-13 2011-12-28 共同印刷株式会社 表示装置用素子基板及びその製造方法
JP4972728B2 (ja) * 2005-08-30 2012-07-11 日本電信電話株式会社 有機材料層形成方法
US8013516B2 (en) * 2008-01-23 2011-09-06 Global Oled Technology Llc LED device having improved power distribution
JP2010108706A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410445B1 (en) * 1999-01-25 2002-06-25 Appliedsensor Sweden Ab Manufacturing method for integrated sensor arrays
CN1764335A (zh) * 2004-10-22 2006-04-26 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置的制造方法和有机电致发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8906718B2 (en) 2014-12-09
US20130280839A1 (en) 2013-10-24
JP5384752B2 (ja) 2014-01-08
CN103283306A (zh) 2013-09-04
WO2012090771A1 (ja) 2012-07-05
JPWO2012090771A1 (ja) 2014-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103283306B (zh) 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法
US11751455B2 (en) Non-common capping layer on an organic device
CN103270816B (zh) 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法
KR101011346B1 (ko) 발광 장치 및 그 제작 방법
US8957579B2 (en) Low image sticking OLED display
US20170084671A1 (en) Hybrid display
CN103299712B (zh) 被成膜基板和有机el显示装置
TW200803008A (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
US10811633B2 (en) Method of increasing the flexibility of an AMOLDED display, a flexible display, and a product
CN103340012A (zh) 被成膜基板、有机el显示装置
WO2013047457A1 (ja) 表示装置の製造方法および表示装置
US9825243B2 (en) Methods for fabricating OLEDs on non-uniform substrates and devices made therefrom
US9293740B2 (en) Method of manufacturing EL display device
JP2003086382A (ja) 発光素子、及び、それを用いた表示装置
WO2014174805A1 (ja) El表示装置の製造方法
CN106337162A (zh) 沉积装置及使用其的显示装置的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant