CN109148706B - 发光器件及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种发光器件及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，所述发光器件包括：发光单元；封装层，位于所述发光单元的一侧，所述封装层包括用于反射第一光的反射层；粘接层，位于所述封装层远离所述发光单元的一侧，所述粘接层包括能够被所述第一光固化的粘接材料；和彩膜层，位于所述粘接层远离所述封装层的一侧。

Description

发光器件及其制造方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制造方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)是近年来发展起来的发光器件。以硅基半导体工艺制程，可以制备高PPI(Pixels Per Inch，每英寸的像素数目)、高刷新率的OLED显示器，以便应用在虚拟现实或增强现实领域中。
采用白光OLED配合彩膜层是实现OLED的彩色化的一种方式。为了实现OLED的高分辨率，目前多采用LTCF(Low TemperatureColor Filter，低温彩膜)工艺来形成彩膜层。
发明内容
发明人注意到，低温彩膜工艺会使得彩膜层与下层的封装层之间粘附性不好，从而影响OLED器件的可靠性，故通常需要在彩膜层与封装层之间额外增加粘接层。
但是，发明人发现，在额外增加粘接层后，OLED器件的发光性能受到了影响。发明人经过进一步研究发现：粘接层是通过紫外固化工艺来形成的，紫外线的照射会对OLED中的发光层造成损伤，从而影响了OLED器件的发光性能。
为了解决上述问题，本公开实施例提供了如下技术方案。
根据本公开实施例的一方面，提供一种发光器件，包括：发光单元；封装层，位于所述发光单元的一侧，所述封装层包括用于反射第一光的反射层；粘接层，位于所述封装层远离所述发光单元的一侧，所述粘接层包括能够被所述第一光固化的粘接材料；和彩膜层，位于所述粘接层远离所述封装层的一侧。
在一些实施例中，所述反射层包括分布式布拉格反射镜。
在一些实施例中，所述分布式布拉格反射镜包括至少两个叠层，每个叠层包括硅的氧化物层和硅的氮化物层。
在一些实施例中，所述硅的氮化物层位于所述硅的氧化物层远离所述发光单元的一侧。
在一些实施例中，所述硅的氮化物层的厚度大于所述硅的氧化物层的厚度。
在一些实施例中，所述分布式布拉格反射镜包括三个叠层。
在一些实施例中，所述第一光包括紫外光。
在一些实施例中，所述封装层包括第一阻挡层、第二阻挡层、以及位于所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间的缓冲层。
在一些实施例中，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述缓冲层中的一层与所述反射层位于同一层。
在一些实施例中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中的一层与所述反射层位于同一层。
在一些实施例中，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述缓冲层中的任意一层与所述反射层位于不同层。
在一些实施例中，所述硅的氧化物层的厚度为45nm至55nm；所述硅的氮化物层的厚度为50nm至60nm。
根据本公开实施例的一方面，提供一种显示装置，包括：上述任意一个实施例所述的发光器件。
根据本公开实施例的一方面，提供一种发光器件的制造方法，包括：在发光单元的一侧形成封装层，所述封装层包括用于反射第一光的反射层；在所述封装层远离所述发光单元的一侧形成粘接材料；利用所述第一光对所述粘接材料进行固化，以形成粘接层；和在所述粘接层远离所述封装层的一侧形成彩膜层。
本公开实施例提供的发光器件中，粘接层包括能够被第一光固化的粘接材料，封装层包括用于反射第一光的反射层。反射层能够将第一光反射至封装层远离发光单元的一侧，减小了第一光对发光单元的不利影响，改善了发光器件的发光性能。另外，被反射的第一光可以进一步对粘接材料进行固化，节省了固化时间。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征、方面及其优点将会变得清楚。
附图说明
附图构成本说明书的一部分，其描述了本公开的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理，在附图中：
图1是根据本公开一些实施例的发光器件的结构示意图；
图2是根据本公开一些实现方式的反射层的结构示意图；
图3A-图3C是根据本公开不同实现方式的发光器件的结构示意图；
图4是根据本公开一些实施例的发光器件的制造方法的流程示意图；
图5示出了根据本公开一些例子的封装层的反射率和光的波长之间的关系的示意图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中，当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时，在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件，也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时，该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件，也可以不与所述其它部件直接连接而具有居间部件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
图1是根据本公开一些实施例的发光器件的结构示意图。
如图1所示，发光器件包括位于基板100(例如硅基板)一侧的发光单元101、封装层102、粘接层103和彩膜层104。
发光单元101例如可以包括第一电极111、第二电极121和位于第一电极111和第二电极121之间的发光层131。发光层131包括发光材料层，例如有机发光材料层。发光层131还可以包括电子传输层、空穴传输层、电子注入层和空穴注入层中的一层或多层。
封装层102位于发光单元101的一侧(图1中被示出为上侧)。封装层102包括用于反射上述第一光的反射层105。这里，应理解，发光单元101发出的光能够透过反射层105。在一些实施例中，封装层102可以包括薄膜封装层(TFE)。
粘接层103位于封装层102远离发光单元的一侧，且包括能够被第一光固化的粘接材料。例如，第一光可以包括紫外光。例如，粘接材料可以包括胶水材料。
彩膜层104位于粘接层103远离封装层102的一侧。彩膜层104例如可以包括红色滤光片R、绿色滤光片G和蓝色滤光片B。各滤光片之间可以设置有黑矩阵114。
在一些实施例中，发光器件还可以包括位于彩膜层104上的保护层106，例如有机层、无机层、或由有机层和无机层组成的叠层。
上述实施例中，粘接层包括能够被第一光固化的粘接材料，封装层包括用于反射第一光的反射层。反射层能够将第一光反射至封装层远离发光单元的一侧，减小了第一光对发光单元的不利影响，改善了发光器件的发光性能。另外，被反射的第一光可以进一步对粘接材料进行固化，节省了固化时间。
图2是根据本公开一些实现方式的反射层的结构示意图。
如图2所示，反射层105可以包括分布式布拉格反射镜(DBR)。在一些实施例中，分布式布拉格反射镜包括至少两个叠层115，每个叠层115包括硅的氧化物层1151(例如SiO2)和硅的氮化物层1152(例如SiNx)。
在一个或多个实施例中，可以通过优化分布式布拉格反射镜包括的叠层115的数量、叠层115中硅的氧化物层1151和硅的氮化物层1152的相对位置、以及叠层115中硅的氧化物层1151和硅的氮化物层1152的厚度，来实现反射层105对第一光的高反射率以及反射层105对发光单元101发出的光的高透过率。
例如，分布式布拉格反射镜可以包括3个、4个或5个叠层等。在某些实施例中，分布式布拉格反射镜可以包括三个叠层115。在包括三个叠层115的情况下，可以兼顾反射层105对第一光的反射率、反射层105对发光单元101发出的光的透过率和工艺成本。
在一些实现方式中，每个叠层115中的硅的氧化物层1151位于硅的氮化物层1152远离发光单元101的一侧，即硅的氧化物层1151位于硅的氮化物层1152上。
在另一些实现方式中，如图2所示，每个叠层115中的硅的氮化物层1152位于硅的氧化物层1151远离发光单元101的一侧，即硅的氮化物层1152位于硅的氧化物层1151上。这样的结构更有利于提高反射层105对第一光的反射率以及反射层105对发光单元101发出的光的透射率，从而可以在保证发光单元101发光亮度的情况下，进一步减小第一光对发光单元101的不利影响，以进一步改善发光器件的发光性能。
在至少一个实施例中，硅的氮化物层1152位于硅的氧化物层1151远离发光单元101的一侧，并且，硅的氮化物层1152的厚度大于硅的氧化物层1151的厚度。这样的结构可以更进一步提高反射层105的反射率以及反射层105对发光单元101发出的光的透射率，从而可以在保证发光单元101发光亮度的情况下，更进一步减小第一光对发光单元101的不利影响，以更进一步改善发光器件的发光性能。例如，硅的氮化物层1152的厚度和硅的氧化物层1151的厚度之比a大于1、且小于或等于1.3，例如a可以为1.1、1.2等。例如，在硅的氮化物层1152的厚度大于硅的氧化物层1151的厚度的前提下，硅的氧化物层1151的厚度可以为45nm至55nm，例如，43nm、50nm、52nm等；硅的氮化物层1152的厚度可以为50nm至60nm，例如，53nm、55nm、57nm等。
在一些实施例中，封装层102可以包括多层，封装层102中的各层与反射层105之间的位置关系可以有多种不同的实现方式。下面结合图3A-图3C进行详细介绍。
图3A-图3C是根据本公开不同实现方式的发光器件的结构示意图。
如图3A-图3C所示，封装层102可以包括第一阻挡层112、第二阻挡层122、以及位于第一阻挡层112和第二阻挡层122之间的缓冲层132。第一阻挡层112和第二阻挡层122用于阻挡水和氧中的至少一个。缓冲层132用于减小第一阻挡层112和第二阻挡层122之间的应力。
在一个或多个实施例中，第一阻挡层112和第二阻挡层122的材料可以包括无机材料，例如，硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物等。在一个或多个实施例中，缓冲层132的材料可以包括有机材料，例如，六甲基二甲硅醚(HMDSO)等。
在一些实现方式中，第一阻挡层112、第二阻挡层122和缓冲层132中的一层与反射层105可以位于同一层。在另一些实现方式中，第一阻挡层112、第二阻挡层122和缓冲层132中的任意一层与反射层105位于不同层。
例如，如图3A所示，第一阻挡层112和第二阻挡层122中的一层(例如第二阻挡层122)与反射层105位于同一层。这样的结构中，封装层102中的一层阻挡层可以作为反射层105，不用额外增加其他层，可以降低发光器件的厚度。
又例如，如图3B所示，缓冲层132与反射层105位于同一层。这样的结构中，缓冲层132可以作为反射层105，不用额外增加其他层，可以降低发光器件的厚度。
再例如，如图3C所示，第一阻挡层112、第二阻挡层122和缓冲层132中的任意一层与反射层105位于不同层。需要说明的是，虽然图3C将反射层105示出为位于第一阻挡层112和缓冲层132之间，但这并不作为对本公开的限制。应理解，反射层105可以位于封装层102中的任意两层之间，或者位于第一阻挡层112和发光单元101之间，或者，位于第二阻挡层122和粘接层103之间。
本公开还提供了一种显示装置，显示装置可以包括上述任意一个实施例的发光器件，例如OLED器件。在一些实施例中，显示装置例如可以是显示面板、移动终端、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子纸等任何具有显示功能的产品或部件。
图4是根据本公开一些实施例的发光器件的制造方法的流程示意图。
在步骤402，在发光单元的一侧形成封装层，封装层包括用于反射第一光的反射层。
发光单元可以包括第一电极、第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的发光层。在一些实施例中，反射层可以包括分布式布拉格反射镜，例如，如图2所示。在一些实施例中，第一光可以包括紫外光。
在步骤404，在封装层远离发光单元的一侧形成粘接材料。
在一些实现方式中，粘接材料例如可以包括胶水。
在步骤406，利用第一光对粘接材料进行固化，以形成粘接层。
例如，可以利用紫外光对粘接材料进行照射，以将粘接材料固化，从而形成粘接层。本领域技术人员明白，在采用其他粘接材料时，相应地可以采用不同波长的第一光对粘接材料进行固化。
在步骤408，在粘接层远离封装层的一侧形成彩膜层。
例如，可以通过低温彩膜工艺形成彩膜层。
上述实施例中，形成的封装层包括用于反射第一光的反射层，故，在用第一光对粘接材料进行固化时，可以将第一光反射至封装层远离发光单元的一侧，减小了第一光对发光单元的不利影响，改善了发光器件的发光性能。另外，被反射的第一光可以进一步对粘接材料进行固化，节省了固化时间。
图5示出了根据本公开一些例子的封装层的反射率和光的波长之间的关系的示意图。该例子中，封装层中的反射层为包括至少两个叠层115(参见图2)的分布式布拉格反射镜。
如图5所示，根据反射率和光的波长之间的关系的理论曲线和实验曲线可知，封装层对紫外光的反射率大于90％。因此，在第一光为紫外光的情况下，反射层可以反射第一光的大部分，故可以减小对发光单元的不利影响。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种发光器件，包括：
发光单元；
封装层，位于所述发光单元的一侧，所述封装层包括用于反射第一光的反射层；
粘接层，位于所述封装层远离所述发光单元的一侧，所述粘接层包括能够被所述第一光固化的粘接材料；和
彩膜层，位于所述粘接层远离所述封装层的一侧；
其中，所述反射层包括分布式布拉格反射镜，所述分布式布拉格反射镜包括至少两个叠层，每个叠层包括硅的氧化物层和位于所述硅的氧化物层远离所述发光单元的一侧的硅的氮化物层，所述硅的氮化物层的厚度与所述硅的氧化物层的厚度之比大于1、且小于或等于1.3。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述分布式布拉格反射镜包括三个叠层。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的发光器件，其中，所述第一光包括紫外光。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述封装层包括第一阻挡层、第二阻挡层、以及位于所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间的缓冲层。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述缓冲层中的一层与所述反射层位于同一层。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中的一层与所述反射层位于同一层。
7.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述缓冲层中的任意一层与所述反射层位于不同层。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述硅的氧化物层的厚度为45nm至55nm；
所述硅的氮化物层的厚度为50nm至60nm。
9.一种显示装置，包括：如权利要求1-8任意一项所述的发光器件。
10.一种发光器件的制造方法，包括：
在发光单元的一侧形成封装层，所述封装层包括用于反射第一光的反射层；
在所述封装层远离所述发光单元的一侧形成粘接材料；
利用所述第一光对所述粘接材料进行固化，以形成粘接层；和
在所述粘接层远离所述封装层的一侧形成彩膜层；
其中，所述反射层包括分布式布拉格反射镜，所述分布式布拉格反射镜包括至少两个叠层，每个叠层包括硅的氧化物层和位于所述硅的氧化物层远离所述发光单元的一侧的硅的氮化物层，所述硅的氮化物层的厚度与所述硅的氧化物层的厚度之比大于1、且小于或等于1.3。
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