CN101512902B - 开关元件驱动装置及开关元件驱动方法 - Google Patents

开关元件驱动装置及开关元件驱动方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101512902B
CN101512902B CN2007800321833A CN200780032183A CN101512902B CN 101512902 B CN101512902 B CN 101512902B CN 2007800321833 A CN2007800321833 A CN 2007800321833A CN 200780032183 A CN200780032183 A CN 200780032183A CN 101512902 B CN101512902 B CN 101512902B
Authority
CN
China
Prior art keywords
grid voltage
overcurrent
switch element
turn
force device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800321833A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101512902A (zh
Inventor
山脇秀夫
小杉肇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Publication of CN101512902A publication Critical patent/CN101512902A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101512902B publication Critical patent/CN101512902B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/168Modifications for eliminating interference voltages or currents in composite switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

一种开关元件驱动装置,具有以比正常关断的过程中快的速率来降低电力元件(10)的栅极电压的第一晶体管(24),以及以比正常关断的过程中慢的速率来降低所述电力元件(10)的所述栅极电压的第二晶体管(25)。如果当所述电力元件(10)中的过电流被过电流监测器件(26)检测到时由栅极电压监控器件(21)检测到的栅极电压大于预定值,则通过第一晶体管(24)来降低所述栅极电压,然后在所述电力元件(10)保持导通的同时通过所述第二晶体管(25)来降低所述栅极电压。如果当所述电力元件(10)中的过电流被过电流监测器件(26)检测到时由所述栅极电压监控器件(21)检测到的所述栅极电压小于或等于预定值,则仅通过所述第二晶体管(25)来降低所述栅极电压。

Description

开关元件驱动装置及开关元件驱动方法
技术领域
本发明涉及一种用于适于在开关元件中检测到过电流的情况的开关元件的驱动技术。
背景技术
公知有一种在短路时保护诸如绝缘栅双极性晶体管(IGBT)等等的半导体开关元件的方法(参见例如,“APPLICATION NOTES”,AN-984J(第五页上的图5),IR(国际整流器)协会)。根据所描述的保护方法,如果发生例如负载短路等等的故障,则栅极驱动电压快速地降低到特定水平,然后如果在一个时间段之后,故障持续存在,则栅极驱动电压被切断。该技术旨在减小故障电流因而延长故障验证期间。
然而,在上述现有技术中,伴随过电流的检测的是栅极电压的快速下降,而不考虑开关元件的导通状态。因此,即使当过电流在栅极电压还没有充分上升的导通过程的初期被检测到时,栅极电压也快速下降。如果当栅极电压还没充分上升时栅极电压就快速下降,则开关元件被快速关断,以使关断浪涌电压增大。
发明内容
本发明提供了执行适当的保护操作以免受在完全导通状态的过程中发生的过电流以及在导通的初期过程中发生的过电流的开关元件驱动装置以及开关元件驱动方法。
根据本发明的一个方案的开关元件驱动装置的特征在于包括:过电流检测器件,其用于检测流经开关元件的过电流;第一栅极电压降低器件,其用于以比正常关断时栅极电压的下降速率快的速率来降低开关元件的栅极电压;第二栅极电压降低器件,其用于以比正常关断时栅极电压的下降速率慢的速率来降低开关元件的栅极电压;以及栅极电压监控器件,其用于监控开关元件的栅极电压,其中如果当过电流被过电流检测器件检测到时由栅极电压监控器件判断出栅极电压大于预定值,则栅极电压通过第一栅极电压降低器件来降低,然后在开关元件保持导通状态的同时,栅极电压通过第二栅极电压降低器件来降低,其中如果当过电流被过电流检测器件检测到时由栅极电压监控器件判断出栅极电压小于或等于预定值,则栅极电压仅通过第二栅极电压降低器件来降低。
根据本发明的另一个方案的开关元件驱动方法的特征在于:当流经开关元件的过电流被检测到时,如果开关元件的栅极电压大于预定值,则引起以比正常关断时栅极电压的下降速率快的速率来降低开关元件的栅极电压的快速关断操作,然后在开关元件保持导通状态的同时引起以比正常关断时栅极电压的下降速率慢的速率来降低开关元件的栅极电压的慢关断操作,以及,如果当流经开关元件的过电流被检测到时开关元件的栅极电压小于或等于预定值,则仅通过慢关断操作来降低栅极电压。
根据本发明的这些方案,能够执行适当的保护操作以免受在开关元件的完全导通状态的过程中发生的过电流以及在导通的初期过程中发生的过电流的影响。
附图说明
结合附图,通过对示例性实施例的下列描述,本发明的上述以及进一步的目的、特征和优点将变得显而易见,其中,相似的附图标记用于表示相似的元件,并且其中:图1为表示根据本发明的开关元件驱动装置的实施例的图;图2为表示当电力元件10通过超过栅极电阻Rn的栅极电阻来关断时的运行情况的图;图3为表示在电力元件10完全导通的同时过电流流动的情况下的保护操作的图;图4为表示在电力元件10正在导通的同时过电流流动的情况下的相关技术领域的保护操作的图;图5为表示在电力元件10正在导通的同时过电流流动时根据本发明的实施例的保护操作的图;图6表示电力元件10的Ice-Vce静态特性;以及图7表示根据本发明的开关元件驱动方法的实施例。
具体实施方式
以下,将结合附图来描述本发明的示例性实施例。图1为表示根据本发明的开关元件驱动装置的实施例的图。所述实施例的开关元件驱动装置驱动例如绝缘栅双极性晶体管(IGBT)、电力MOSFET等等(以下,称为“电力元件10”)的电压驱动型半导体开关元件。所述实施例的开关元件驱动电路包括导通晶体管P-Tr,例如作为用于导通电力元件10的器件的p-沟道FET等等,并且还包括关断晶体管N-Tr,例如作为用于关断电力元件10的器件的n-沟道FET等等。以下,导通晶体管P-Tr将被称为“晶体管PTr”,而关断晶体管N-Tr将被称为“晶体管NTr”。
当本实施例的开关元件驱动电路的控制电路30从例如微型计算机等等的外部设备接收到导通电力元件10的指令时,控制电路30导通晶体管PTr并且关断晶体管NTr。当晶体管PTr被导通并且晶体管NTr被关断时,电力元件10的栅极经由晶体管PTr以及栅极电阻Rp被电源27充电。如果电力元件10的栅极的充电量大于预定值,则电力元件10被导通。
另一方面,如果控制电路30从例如微型计算机等等的外部设备接收到关断电力元件10的指令,则控制电路30关断晶体管PTr并且导通晶体管NTr。当晶体管PTr被关断并且晶体管NTr被导通时,电力元件10的栅极的电荷经由晶体管NTr和栅极电阻Rn来释放。当电力元件10的栅极的充电量小于或等于预定值时,电力元件10关断。
此外,本实施例的开关元件驱动电路包括过电流检测器件26,其用于通过电力元件10来检测过电流以便防止可能在过电流流经电力元件10时由于例如负载短路等等的故障而发生的电力元件10或其***电路的损坏。过电流检测器件26通过灵敏绝缘栅双极性晶体管(IGBT)***、分流电阻***等等来检测过电流。在灵敏IGBT***中,流经电力元件10的主电流基于通过连接到灵敏IGBT的发射器(或连接到源极)的灵敏电阻的电压来检测。在分流电阻***中,流经电力元件10的主电流基于通过串联***主电流流经的路径的分流电阻产生的电压来检测。灵敏电阻或分流电阻的电压通过比较器与参考电压进行比较。如果灵敏电阻或分流电阻的电压高于参考电压,则可以认为检测到的主电流过高,也就是说,过电流正在流经电力元件10。
当过电流检测器件26检测到过电流时,流经电力元件10的电流Ice比没有检测到过电流的正常情况大。在这种情况中,如果电力元件10以与正常情况相同的方式,即如上所述通过导通晶体管NTr来被关断,则通过电力元件10的比正常大的电流Ice带来较大的电流变化率“dIce/dt”,电流变化率“dIce/dt”引起了比正常关断时大的作为与导线、驱动对象负载等等的电感L的乘积的“L*dIce/dt”的浪涌电压。这种关断浪涌电压由于超过其耐电压而可能损坏电力元件10或其***电路。
为了减小可能损坏电力元件10或其***电路的这种关断浪涌,当过电流被过电流检测器件26检测到时,可以通过经由比连接在电力元件10的栅极与晶体管NTr之间的栅极电阻Rn大的栅极电阻而使电力元件10的栅极放电来关断电力元件10。因此,由于更大的栅极电阻,放电时间被增加,这减小了电流的变化率“dIce/dt”。图2为表示当经由比栅极电阻Rn大的栅极电阻来关断电力元件10时的运行情况的图。然而,如图2所示,由于较大的栅极电阻增加了关断时间,所以经由比栅极电阻Rn大的栅极电阻来关断电力元件10导致增加的关断损耗,并且可能通过热而使电力元件10损坏。
因此,为了抑制关断浪涌以及关断损耗的增加,电力元件10的关断的控制分为多个阶段。在所述实施例的开关元件驱动装置中,电力元件10的关断分为两个阶段:第一步和第二步。本实施例的开关元件驱动装置包括在第一步中工作的例如n-沟道FET等等的过电流时关断用OC-Tr1(过电流晶体管),以及在第二步中工作的例如n-沟道FET等等的过电流晶体管OC-Tr2。如果过电流被过电流检测器件26检测到,则过电流晶体管OC-Tr1和过电流晶体管OC-Tr2释放电力元件10的栅极的电荷。以下,过电流晶体管OC-Tr1将称为“晶体管OCTr1”,而过电流晶体管OC-Tr2将称为“晶体管OCTr2”。
如果过电流检测器件26检测到过电流,则所述实施例的开关元件驱动电路的控制电路30操作晶体管OCTr1作为第一步,以使电力元件10的栅极的电荷经由栅极电阻Roc1来释放,并且因此栅极电压Vge快速地下降到不低于电力元件10变得完全关断时的阈值电压的电压。为了使栅极电压Vge的下降比正常关断的情况更快,使得栅极电阻Roc1的电阻值小于栅极电阻Rn的电阻值。这样,图6中示出的电力元件10的Ice-Vce静态特性上的工作点从P1点移动至P2点,以使流经电力元件10的电流Ice的峰值电流被抑制并且关断损耗被减小。为了使电力元件10的栅极电压Vge的下降停止在不低于电力元件10变得完全关断时的阈值电压,可以采取多种措施。例如,可以使用定时器等等以使电压的下降在经过固定时间后停止,或可以同时导通晶体管PTr和晶体管OCTr1,以使栅极电压Vge变为由电阻Rp和电阻Roc1确定的电源电压27的分压值。
在第一步中抑制电流Ice的峰值电流达一定时间以后,所述实施例的开关元件驱动电路的控制电路30关断在第一步中工作的晶体管OCTr1,然后在第二步中导通晶体管OCTr2。通过导通晶体管OCTr2,电力元件10的栅极的电荷经由晶体管OCTr2和栅极电阻Roc2释放以缓慢地减小电力元件10的栅极电压。为了比正常关断的情况更缓慢地减小栅极电压Vge,使得栅极电阻Roc2的阻值大于栅极电阻Rn的阻值。这样,如图3所示,电力元件10经受慢关断操作,以便关断浪涌电压的增加被抑制而不引起大的电流变化率“dIce/dt”。
然而,当过电流在电力元件10的栅极电压Vge在导通过程中充分上升之前被过电流检测器件26检测到时,经由栅极电阻Roc1比正常快地释放电力元件10的栅极的电荷的操作晶体管OCTr1的第一步将导致还没有充分上升的栅极电压Vge由于电力元件10的完全关断而减小到阈值电压以下的电压的情况,也就是说,晶体管OCTr1的工作将关断电力元件10而不是抑制峰值电流。因此,如图4所示,关断浪涌电压将增加,所以电力元件10的预期保护是不可能的。
为了避免这点,如果栅极电压Vge小于或等于预定的监控电压,则所述实施例的开关元件驱动电路监控栅极电压Vge,并且仅执行第二步操作而不执行第一步操作。因此,如图5所示,当过电流在电力元件10的栅极电压Vge在导通的过程中充分上升之前被过电流检测器件26检测到时,不会使电力元件10经受快速关断操作而是使其经受慢关断操作,以使关断浪涌电压的增加能够被抑制。这时,因为通过电力元件10的电流Ice仍然小,关断损耗充分小于过电流在完全导通状态的过程中被检测到的情况。因此,可靠地实现了电力元件10的预期保护。
附带地,关断浪涌电压的幅值和关断损耗变化的幅值根据由电力元件10驱动的负载等等的电感以及各种电路元件的电阻常数和寄生电容而变化。因此,用于判断是否执行第一步操作以及第二步操作的预定监控电压应该通过根据作为保护对象的开关驱动电路的仿真来判断。作为其最低要求,监控电压为大于电力元件10开始导通的栅极电压,并且小于电力元件10开始完全导通的栅极电压的值。例如,在电力元件10开始导通的栅极电压为5V而电力元件10开始完全导通的栅极电压为15V的情况中,监控电压可以被适当地设定为8至12V。
图7示出了根据本发明的开关元件驱动方法的实施例。如果过电流被过电流检测器件26检测到(步骤10),则控制电路30基于栅极电压是否小于或等于预定值来改变降低栅极电压的方法(步骤S20)。如果栅极电压没有小于或等于预定值,则假定电力元件10完全导通,并且控制电路30执行第一步操作,然后是第二步操作(步骤S30和步骤S40)。另一方面,如果栅极电压小于或等于预定值,则假定电力元件没有完全导通,控制电路30仅执行第二步操作(S50)。
因此,根据上述实施例,当已经发生了电力元件的过电流故障而由于增大的关断浪涌电压或增大的关断损耗没有损坏电力元件等等时,为了关断电力元件而执行第一步操作和第二步操作。然而,当过电流在电力元件的导通过程中被检测到时,不执行第一步的操作,而仅执行第二步的操作。因此,关断浪涌电压的增大以及关断损耗的增大都被抑制,并且不管是在电力元件的导通过程的初期还是在完全导通状态等等的过程中都稳定地执行免受过电流影响的保护操作。
虽然已经结合示例性实施例对本发明进行了描述,但应该理解的是,本发明不局限于所描述的实施例或构造。与此相反,本发明旨在覆盖各种改进以及等同结构。另外,虽然在多种组合和结构中示出了示例性实施例的多种元件,但是包括更多、更少或仅有单个元件的其它组合和结构也在本发明的精神和范围内。

Claims (2)

1.一种开关元件驱动装置,其特征在于包括:
过电流检测器件(26),其用于检测流经开关元件(10)的过电流;
栅极电压监控器件,其用于监控所述开关元件(10)的栅极电压;
第一栅极电压降低器件(24),其用于以比过电流没有被所述过电流检测器件(26)检测到的正常关断时所述栅极电压的下降速率快的速率来降低所述开关元件(10)的所述栅极电压;
第二栅极电压降低器件(25),其用于以比所述正常关断时所述栅极电压的所述下降速率慢的速率来降低所述开关元件(10)的所述栅极电压;以及
控制装置,当所述过电流检测器件(26)检测到所述过电流时,如果通过所述栅极电压监控器件判断出所述栅极电压大于预定值,则所述控制装置通过所述第一栅极电压降低器件(24)来降低所述栅极电压,然后在所述开关元件(10)保持导通时通过所述第二栅极电压降低器件(25)来降低所述栅极电压,而当所述过电流检测器件(26)检测到所述过电流时,如果通过所述栅极电压监控器件判断出所述栅极电压小于或等于所述预定值,则所述控制装置仅通过所述第二栅极电压降低器件(25)来降低所述栅极电压。
2.一种开关元件驱动方法,其特征在于包括:
检测流经开关元件(10)的过电流(S10);
如果检测到流经所述开关元件(10)的过电流,则检测所述开关元件(10)的栅极电压(S20);
如果检测到的所述开关元件(10)的栅极电压大于预定值,则引起以比过电流没有被检测到的正常关断时所述栅极电压的下降速率快的速率来降低所述开关元件(10)的所述栅极电压的快速关断操作(S30),并且,然后在所述开关元件(10)保持导通状态时引起以比所述正常关断时所述栅极电压的所述下降速率慢的速率来降低所述开关元件(10)的所述栅极电压的慢关断操作(S40);以及
如果检测到的所述开关元件(10)的栅极电压小于或等于所述预定值,则仅通过所述慢关断操作来降低所述栅极电压(S50)。
CN2007800321833A 2006-09-05 2007-09-04 开关元件驱动装置及开关元件驱动方法 Expired - Fee Related CN101512902B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006240634A JP4349398B2 (ja) 2006-09-05 2006-09-05 スイッチング素子駆動装置及びスイッチング素子駆動方法
JP240634/2006 2006-09-05
PCT/IB2007/002545 WO2008029248A2 (en) 2006-09-05 2007-09-04 Switching element driving device and switching element driving method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101512902A CN101512902A (zh) 2009-08-19
CN101512902B true CN101512902B (zh) 2011-08-24

Family

ID=39157622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800321833A Expired - Fee Related CN101512902B (zh) 2006-09-05 2007-09-04 开关元件驱动装置及开关元件驱动方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7933105B2 (zh)
EP (1) EP2060004B1 (zh)
JP (1) JP4349398B2 (zh)
CN (1) CN101512902B (zh)
DE (1) DE602007010164D1 (zh)
WO (1) WO2008029248A2 (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2216905B1 (en) * 2009-02-05 2012-08-29 Abb Oy Method of controlling an IGBT and a gate driver
JP5678498B2 (ja) * 2010-07-15 2015-03-04 富士電機株式会社 電力用半導体素子のゲート駆動回路
EP2634907B1 (en) * 2010-10-29 2020-07-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Inverter
JP5754414B2 (ja) * 2012-05-16 2015-07-29 株式会社デンソー 駆動対象スイッチング素子の駆動装置
JP5472416B2 (ja) * 2012-09-25 2014-04-16 東芝三菱電機産業システム株式会社 半導体スイッチの制御装置
JP5751236B2 (ja) * 2012-10-24 2015-07-22 トヨタ自動車株式会社 スイッチング制御回路
JP5846152B2 (ja) 2013-04-15 2016-01-20 株式会社デンソー 駆動対象スイッチング素子の駆動回路
US9383762B2 (en) 2013-12-23 2016-07-05 Ess Technology, Inc. Voltage regulator using both shunt and series regulation
US9640972B2 (en) * 2014-03-26 2017-05-02 Infineon Technologies Ag Controlled switch-off of a power switch
DE112014006951T5 (de) * 2014-09-11 2017-05-24 Mitsubishi Electric Corporation Kurzschluss-Schutzschaltung für Halbleiterelemente vom Typ mit Lichtbogen-Selbstlöschung
JP6414440B2 (ja) * 2014-10-24 2018-10-31 株式会社デンソー スイッチング素子の駆動装置
JP6358067B2 (ja) * 2014-12-08 2018-07-18 株式会社デンソー 電力変換装置
JP6365278B2 (ja) * 2014-12-09 2018-08-01 株式会社デンソー 電力変換装置
EP3076009A3 (en) * 2015-03-09 2017-01-04 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
CN105406846B (zh) * 2015-12-10 2018-04-27 北京卫星制造厂 一种适用于固态功率控制器的功率管驱动控制电路
KR102657320B1 (ko) * 2016-12-14 2024-04-15 현대자동차주식회사 컨버터 제어 장치
DE102017122220A1 (de) * 2017-09-26 2019-03-28 Eaton Industries (Austria) Gmbh Schutzschalter und Verfahren zum Betreiben eines Schutzschalters
DE102018107146B4 (de) * 2018-03-26 2020-04-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Steuereinrichtung für einen Leistungshalbleiterschalter
EP3546964A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-02 Mitsubishi Electric R & D Centre Europe B.V. A method for monitoring a multi-die power module
JP7293738B2 (ja) * 2019-03-11 2023-06-20 株式会社豊田自動織機 半導体駆動装置
DE102022207192A1 (de) * 2022-07-14 2024-01-25 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Überwachungsvorrichtung und Verfahren zur Überwachung eines Sperrwandlers, Sperrwandler

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5986484A (en) * 1996-07-05 1999-11-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device drive circuit with voltage surge suppression
US6057728A (en) * 1997-10-02 2000-05-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor circuit and power transistor protection circuit
CN1445928A (zh) * 2002-01-17 2003-10-01 三菱电机株式会社 功率半导体元件的驱动电路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2892815B2 (ja) 1990-11-02 1999-05-17 株式会社日立製作所 Igbtの駆動回路
JP3577847B2 (ja) 1996-08-27 2004-10-20 富士電機デバイステクノロジー株式会社 電力変換装置のゲート駆動回路
JP3598870B2 (ja) 1999-04-07 2004-12-08 富士電機デバイステクノロジー株式会社 ドライブ回路
US6459324B1 (en) * 2000-10-23 2002-10-01 International Rectifier Corporation Gate drive circuit with feedback-controlled active resistance
JP3695649B2 (ja) 2001-03-07 2005-09-14 ザ・インクテック株式会社 感光性組成物
JP3649154B2 (ja) 2001-05-31 2005-05-18 日産自動車株式会社 過電流保護装置
JP2002369495A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Nissan Motor Co Ltd 電圧駆動型素子の駆動回路
JP3780898B2 (ja) 2001-10-16 2006-05-31 富士電機デバイステクノロジー株式会社 パワーデバイスの駆動回路
JP2005006381A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Hitachi Ltd スイッチング素子の駆動回路
JP4455972B2 (ja) 2004-10-08 2010-04-21 三菱電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5986484A (en) * 1996-07-05 1999-11-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device drive circuit with voltage surge suppression
US6057728A (en) * 1997-10-02 2000-05-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor circuit and power transistor protection circuit
CN1445928A (zh) * 2002-01-17 2003-10-01 三菱电机株式会社 功率半导体元件的驱动电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开平5-336732A 1993.12.17

Also Published As

Publication number Publication date
JP4349398B2 (ja) 2009-10-21
EP2060004B1 (en) 2010-10-27
CN101512902A (zh) 2009-08-19
WO2008029248A2 (en) 2008-03-13
DE602007010164D1 (de) 2010-12-09
WO2008029248A3 (en) 2008-07-03
JP2008066877A (ja) 2008-03-21
US7933105B2 (en) 2011-04-26
US20090256618A1 (en) 2009-10-15
EP2060004A2 (en) 2009-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101512902B (zh) 开关元件驱动装置及开关元件驱动方法
US6097582A (en) Short circuit protection of IGBTs and other power switching devices
US9698654B2 (en) Soft shutdown for isolated drivers
JP2009225506A (ja) 電力変換器
US11070046B2 (en) Short-circuit protection circuit for self-arc-extinguishing type semiconductor element
CN101174788B (zh) 一种电压驱动型功率半导体器件关断过电压保护电路
US9570905B2 (en) Semiconductor drive apparatus
US20140203860A1 (en) Gate drive circuit for transistor
JP5742681B2 (ja) 半導体素子の試験装置及びその試験方法
JP2015216839A (ja) 電力スイッチに対する短絡保護のためのゲートドライブユニットおよび方法
US9331188B2 (en) Short-circuit protection circuits, system, and method
Kim et al. Overcurrent and short-circuit protection method using desaturation detection of SiC MOSFET
US8503146B1 (en) Gate driver with short-circuit protection
JP2018011467A (ja) 半導体スイッチング素子のゲート駆動回路
Chen et al. A smart gate drive with self-diagnosis for power MOSFETs and IGBTs
JP2009148043A (ja) スイッチ出力回路
US10931191B2 (en) Half bridge circuit driver chip with protection circuit and protection method thereof
TWI502853B (zh) 用於高電流脈衝電源供應器的短路控制
JP5258810B2 (ja) 半導体装置の試験装置
JP6070003B2 (ja) 半導体駆動装置
JP2012217087A (ja) 負荷駆動装置
US11929666B2 (en) Gate drive circuit and power conversion device
JP3453718B2 (ja) 電流の遮断装置
US20230112315A1 (en) Drive device for voltage-controlled semiconductor element
US20180278183A1 (en) Control system, controller, and control method for wound induction machine

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110824

Termination date: 20170904

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee