JP5742681B2 - 半導体素子の試験装置及びその試験方法 - Google Patents
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Description
インダクタと、
前記インダクタに接続される半導体素子がアバランシェ破壊した後に前記インダクタに流れる電流を還流させる還流回路と、
前記インダクタと前記半導体素子との間に設けられる遮断手段とを備え、
前記還流回路が、前記インダクタと前記半導体素子と前記遮断手段が構成された閉回路よりも低いインピーダンスを有し、
前記電流が前記還流回路を還流してから、前記遮断手段が前記インダクタと前記半導体素子との間の通電を遮断する、ことを特徴とするものである。
インダクタに遮断手段を介して接続される半導体素子がアバランシェ破壊した後に、前記インダクタに流れる電流を、前記インダクタと前記半導体素子と前記遮断手段が構成された閉回路よりもインピーダンスが低い還流回路に還流させ、
前記電流を前記還流回路に還流させてから、前記インダクタと前記半導体素子との間の通電を前記遮断手段により遮断する、ことを特徴とするものである。
10 半導体素子
11 駆動部
12 電源
13,21 ダイオード
14 コイル
15,22 抵抗
20 電流センサ
30 放電回路
Claims (6)
- インダクタと、
前記インダクタに接続される半導体素子がアバランシェ破壊した後に前記インダクタに流れる電流を還流させる還流回路と、
前記インダクタと前記半導体素子との間に設けられる遮断手段とを備え、
前記還流回路が、前記インダクタと前記半導体素子と前記遮断手段が構成された閉回路よりも低いインピーダンスを有し、
前記電流が前記還流回路を還流してから、前記遮断手段が前記インダクタと前記半導体素子との間の通電を遮断する、半導体素子の試験装置。 - 前記還流回路は、第1のリレーと抵抗とが直列に接続される直列回路と、前記直列回路に並列に接続される第2のリレーと、前記直列回路に直列に接続される逆流防止ダイオードとを有し、
前記第2のリレーのオン後に、前記遮断手段が前記インダクタと前記半導体素子との間の通電を遮断する、請求項1に記載の半導体素子の試験装置。 - 前記遮断手段が前記インダクタと前記半導体素子との間の通電を遮断した後に、前記第1のリレーがオンする、請求項2に記載の半導体素子の試験装置。
- 前記第1のリレーのオン後に、前記第2のリレーがオフする、請求項3に記載の半導体素子の試験装置。
- 前記還流回路は、逆流防止ダイオードとリレーと第1の抵抗とが直列に接続される直列回路を有し、
前記閉回路は、抵抗値が前記第1の抵抗よりも大きな第2の抵抗と、前記第2の抵抗に直列に接続される帰還ダイオードとを有し、
前記リレーのオン後に、前記遮断手段が前記インダクタと前記半導体素子との間の通電を遮断する、請求項1に記載の半導体素子の試験装置。 - インダクタに遮断手段を介して接続される半導体素子がアバランシェ破壊した後に、前記インダクタに流れる電流を、前記インダクタと前記半導体素子と前記遮断手段が構成された閉回路よりもインピーダンスが低い還流回路に還流させ、
前記電流を前記還流回路に還流させてから、前記インダクタと前記半導体素子との間の通電を前記遮断手段により遮断する、半導体素子の試験方法。
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