CN101446700B - 一种修复液晶面板的缺陷单元的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于修复液晶面板中的缺陷单元的方法，该方法包含：提供液晶面板，该面板包括在其上形成黑矩阵和色素层的上阵列基板、具有薄膜晶体管并与所述上阵列基板附接的下阵列基板、以及在所述上基板和下基板之间形成并包括多个单元的液晶层；进行第一激光照射，用于将激光照射到所述液晶面板中多个单元中的缺陷单元区域，以在所述黑矩阵与所述上阵列基板之间形成特定间隙；进行第二激光照射，用于将激光照射到所述缺陷单元区域以在所述色素层和所述上阵列基板之间形成梳状结构，在该梳状结构的齿之间具有特定间隙；进行第三激光照射，用于将激光照射到所述缺陷单元区域以处理所述黑矩阵，从而产生黑矩阵颗粒；以及进行第四激光照射，用于将激光照射到所述缺陷单元区域以分散所述黑矩阵颗粒，从而将该黑矩阵颗粒填充在所述色素层与所述上阵列基板之间的所述梳状结构的所述齿之间的所述间隙中。

Description

一种修复液晶面板的缺陷单元的方法
技术领域
本发明涉及一种修复液晶面板的方法，尤其涉及一种修复液晶面板的缺陷单元的方法。
背景技术
近期，具有低功耗，便携性，技术密集，和高增值特性的液晶显示器件LCD被视为下一代先进显示器。
通常，为了应用液晶显示，应形成液晶单元。液晶单元是通过在两个玻璃基板之间或在透明塑料基板之间填充液晶形成的。
为了向液晶提供电压，在基板上形成透明电极(公共电极和通用电极)，并且通过向液晶提供电压，透明电极适用于控制ON/OFF运行。
也即是说，LCD的透光性是通过向透明电极提供电压控制的，而且，字符/图像是依照光阀效应显示的。
在各种LCD器件中，用于通过像素控制电压的ON/OFF运行的具有开关元件的有源矩阵型LCD以其较高分辨率和较好的视频执行性能得到人们的关注。
有源矩阵型LCD包括液晶面板，其中液晶单元以矩阵的形式排列，并驱动电路以驱动液晶面板。
根据场的方向，将LCD划分为应用垂直场的TN(扭曲向列)模式LCD和应用共平面场的IPS(共平面开关)模式LCD。
这里，液晶由以面对的模式设置在上部基板上的像素电极和公共电极之间的垂直场驱动的TN模式LCD的优势在于其具有较大的孔径比，但其劣势在于其视角狭窄。
液晶由以平行模式设置于下部基板上的像素电极和公共电极之间的共平面场驱动的IPS模式LCD的优势在于其视角宽阔，但其劣势在于其具有较小的孔径比。
下面将参照图1描述，在几种LCD模式中，基于TN模式LCD结构的用于修复缺陷单元的现有技术方法。
图1为用于解释根据现有技术修复LCD的缺陷单元方法的LCD截面图。
现有技术LCD的液晶面板10包括：由黑矩阵23，滤色片25a、25b以及25c，保护层27，公共电极29，以及上部定向层(未示出)相继在其上形成的上部阵列基板21(即，滤色片阵列基板)；由TFT15、像素电极(未示出)和下部定向层(未示出)形成于其上的下部阵列基板11；以及注入上部阵列基板21和下部阵列基板11之间内部空间中的液晶41。
这里，黑矩阵23形成于上部阵列基板21上，以使其对应TFT区域和下部阵列基板11的栅线和数据线的区域，以及滤色片25a、25b和25c形成的制备单元区域。
此外，黑矩阵23通过吸引外部光防止漏光并增强对比，并且，滤色片25a、25b以及25c形成在由黑矩阵23分隔的单元区域并形成于黑矩阵23上。
滤色片25a、25b和25c由R、G和B形成，以实现R、G和B颜色，并将公共电压提供给公共电极29以控制液晶的排列。衬垫料(未示出)用于维持上部阵列基板21和下部阵列11之间的单元间隙。
尽管未示出，每个TFT15包括由栅线(未示出)形成在下部基板11上的栅极，半导体层(未示出)与形成于栅极(未示出)上的栅绝缘层(未示出)重叠，并且源极和漏极(未示出)由数据线(未示出)形成于半导体(未示出)上。
TFT15将像素信号从数据线提供至像素电极(未示出)响应栅线的扫描信号。由高透光率的透明导电材料制成的像素电极(未示出)接触TFT的漏极(未示出)，其中间设置钝化层。通过涂覆定向材料并随后将其擦掉形成用于液晶定向的上部和下部定向层(未示出)。
为了观察具有这种结构的现有技术液晶面板，在液晶面板10的屏幕上运行测试图像(未示出)，其测试是否存在缺陷像素。一旦发现缺陷像素，将运行修复操作。
在这种情况下，液晶面板10的缺陷包括每个像素单元的颜色缺陷，诸如亮点(即，总是启动的单元)、暗点(静点)(总是关闭的单元)的点缺陷，由栅配线(未示出)和数据配线(未示出)之间的短路引起的线状缺陷，等等。
当测试图像在液晶面板10上显示时，操作员(工作者)可以明显的看到缺陷，并且，操作员可识别缺陷像素的位置，并在其上进行修复。
尽管未示出，当黑图案在屏幕上运行时，将执行变暗(变黑，或制造暗点)过程以修复由于短路缺陷，信号缺陷等等而表现为亮点的缺陷单元。
在现有技术中，为了修复亮点，通常应用这样的方法，即缺陷单元的像素电极通过激光焊接到栅配线，剪切部分像素电极以制造提供到仍然在缺陷单元的栅配线的栅电压。
期间，如果上部或下部阵列基板的薄膜缺损，修复通过应用返修或激光执行，并且，在这种情况下，如果在上部和下部阵列基板的薄膜之间存在异物(D)，则通过重修或激光的修复不易实现。
存在这样的异物，则位于对应异物的上部定向层在摩擦过程中无法均匀擦除，其结果造成液晶面板中的非均匀定向区域。
对后，在液晶面板中的非均匀定向区域发生漏光，其恶化液晶的透光性，从而引起亮点出现在液晶面板上。
发明内容
因此，为了解决上述问题，这里构思了多种特征。示例性实施方式的一个方面是提供了一种在激光工艺中通过暗化缺陷单元区域的像素，并通过破坏缺陷单元区域的定向层，修复液晶面板的缺陷单元的方法。
本发明的另一方面是提供一种用于修复液晶面板的缺陷单元的方法，其通过激光工艺能够有效修复具有亮点缺陷的像素，从而改善成品率并降低制造的单位成本。
本说明书提供了一种修复液晶面板的缺陷单元的方法，包括：提供液晶面板，其包括具有黑矩阵和形成于其上的色素层的上部阵列基板，具有薄膜晶体管并与上部阵列基板接触的下部阵列基板，以及形成于上部基板和下部基板之间并包括多个单元的液晶层；通过向液晶面板中的多个单元中的缺陷单元区域照射激光在黑矩阵和上部阵列基板之间形成特定间隙；通过向缺陷单元区域照射激光在色素层和上部阵列基板之间形成齿间具有特定间隙的梳状结构；通过向缺陷单元区域照射激光处理黑矩阵以形成黑矩阵微粒；以及通过向缺陷单元区域照射激光，在色素层和上部阵列基板之间分散黑矩阵，从而黑矩阵颗粒填 充色素层和梳状结构之间的齿之间的间隙。
本说明书还提供了一种修复液晶面板的缺陷单元的方法，包括：提供液晶面板，其包括具有黑矩阵和形成于其上的色素层的上部阵列基板，具有薄膜晶体管并与上部阵列基板接触的下部阵列基板，以及形成于上部基板和下部基板之间并包括多个单元的液晶层；通过向液晶面板中的多个单元中的缺陷单元区域照射激光在黑矩阵和上部阵列基板之间形成特定间隙；向缺陷单元区域照射激光在色素层和上部阵列基板之间形成齿间具有特定间隙的梳状结构；通过向缺陷单元区域照射激光处理黑矩阵以形成黑矩阵微粒；以及通过向缺陷单元区域照射激光以分散黑矩阵，从而黑矩阵颗粒填充色素层和和上部阵列基板之间的梳状结构的齿之间的间隙。
用于修复液晶面板的缺陷单元的方法具有以下优点。
首先，在第一步的激光照射中，通过在黑矩阵形成间隙，减小了压力，在第二步激光照射中，通过提供颜料形成其齿间具有间隙的梳状结构，在第三步激光照射中，通过处理黑矩阵，形成黑矩阵颗粒，在第四步激光照射中，将黑矩阵颗粒填充到颜料的树状结构中，以及在第五步极光照明中，将黑矩阵颗粒分散为均匀分布于颜料的梳状结构，从而修复暗化的缺陷单元。
即是，由于梳状结构是通过将颜料从基板中分离形成的，并且部分环境黑矩阵为颗粒状并填充到梳状结构中，可有效暗化具有亮点的像素。
另外，梳状结构是通过将颜料从基板中分离形成的，部分环境黑矩阵为颗粒状并填充到梳状结构中，并且通过应用紫外射线源破坏缺陷像素区域的定向层，以分散从导光板传输的光，从而可靠地暗化缺陷像素。
从而，根据本发明的用于修复液晶面板的缺陷单元的方法可通过修复具有亮点的像素改善液晶显示的成品率，降低制造单元成本，并改善液晶显示的质量。
本发明的前述以及其他的目的、特征、方面和优势将在以下结合附图的详细描述中变得显而易见。
附图说明
图1为用于解释根据现有技术修复LCD的缺陷单元方法的LCD截面图；
图2为根据本发明的一种示例性实施方式的修复液晶面板缺陷单元方法 的修复工艺的流程图；
图3a至图3e为用于解释根据本发明的一种示例性实施方式的修复液晶面板的缺陷单元的方法的修复工艺的截面图；
图4a至4i为示出根据本发明的一个示例性实施方式的用于修复液晶面板的缺陷单元的工艺的激光扫描工艺的示意性平面图；
图5为根据本发明的一种示例性实施方式的修复液晶面板的缺陷单元的工艺条件表；
图6为根据本发明的一种示例性实施方式，在执行修复液晶面板的缺陷单元工艺之后获得的缺陷单元的图像的照片；
图7为示出根据本发明的一种示例性实施方式，修复液晶面板的缺陷单元的每个工艺和实际A/P(自动检测)现象的显微镜照片之间的对比的照片；
图8a至图8b为示出根据本发明的一种示例性实施例，在执行了对液晶面板的缺陷单元的修复工艺之后获得的缺陷单元的状态的截面结构的照片；
图9为根据本发明的另一种示例性实施例修复液晶面板的缺陷单元的方法的修复工艺的流程图。
图10a至图10f为用于解释根据本发明的另一种示例性实施例修复液晶面板的缺陷单元的方法的修复工艺的截面图；以及
图11为示出根据本发明的另一种示例性实施例修复液晶面板的缺陷单元的方法中，定向层的光吸收和基板的透光率对应紫外射线光源的波长范围的曲线图。
具体实施方式
现在将参照附图详细说明根据本发明的示例性实施例的修复液晶面板的缺陷单元的方法。
如图2所示，根据本发明的一种示例性实施方式的用于修复液晶面板的缺陷单元的方法，包括：制备已经完全制作并用于缺陷单元修复的液晶面板(S110)；向形成于液晶面板的缺陷单元中的黑矩阵照射激光，以使黑矩阵浮动，从而黑矩阵与上部基板之间具有特定间隙(S120)(第一激光照射步骤)；向色素层照射激光表现颜色以在色素层和上部基板之间形成其齿间具有间隙的梳状结构(S130)(第二激光照射步骤)；向黑矩阵照射激光以处理黑矩阵， 从而在黑矩阵中产生颗粒(S140)(第三激光照射步骤)；以及照射激光，以将黑矩阵颗粒填充到颜料区域的梳状结构中，并分散颗粒，从而使其均匀分布(S150)(第四激光照射步骤)。
缺陷单元修复工艺是在如图5中所示的工艺条件下执行的，其中激光功率，狭缝尺寸，扫描速度，逐步适当的调节处理方向等等以将黑矩阵颗粒填充到缺陷单元中(P)。
图5的工艺条件为用于测试绿色的修复条件，而用于红色和蓝色的修复情况可能不同。另外，工艺条件可以改变以缩短工艺时间，并且可根据情况，省略或添加部分工艺步骤。
在修复液晶面板的缺陷单元之前，执行制造液晶面板的工艺。
如图3a所示，液晶面板(未示出)包括：，包括相继形成与上部基板101上的黑矩阵103基板、由彩色颜料制成的滤色片层105(以下称为‘色素层’)、保护层107、构图的衬垫料(未示出)公共电极109、以及上部定向层(未示出)的上部阵列基板(滤色片基板)；下部阵列基板(未示出)；包括形成于下部基板(未示出)上的TFT(未示出)、像素电极(未示出)以及下部定向层(未示出)的下部阵列基板(未示出)；以及注入上部阵列基板101和下部阵列基板(未示出)之间内部空间中的液晶层(未示出)。
尽管未示出，形成于下不阵列基板上的TFT包括：与栅线一起形成于下部基板上的栅极(未示出)，与栅极和形成于栅极上的栅绝缘层(未示出)重叠的半导体层(未示出)；而且，源极和漏极(未示出)与数据线(未示出)共同形成于半导体层上。
TFT响应来自栅线的扫描信号将像素信号从数据线提供至像素电极(未示出)。
尽管未示出，由较高透光率的透明导电材料制成的像素电极与TFT的漏极(未示出)电连接，他们中间设置钝化层(未示出)。
用于液晶定向的上部定向层和下部定向层(未示出)通过涂覆诸如的定向材料并随后擦除形成，以完成液晶面板的制作工艺。
从而得到的已制作的液晶面板包括多个单元。在制造之后观察液晶面板的单元，一个或更多单元是具有亮点缺陷的，其中如图6所示由于异物等等，光为黑或灰图案。
其后，通过在图5所示的修复工艺条件下执行的修复工艺暗化缺陷单元(P)。
如图3b、5和6b所示，激光首先照射到缺陷单元(P)的黑矩阵103和色素层105以使黑矩阵103从上部基板101浮起特定间隔，从而在其之间形成间隙111。此外，激光能够照射到色素层105上。在这种情况下，第一激光照射的激光功率的范围为100μJ至470μJ，狭缝尺寸为充分的15x15μm，并且扫描速度范围为大约30μm/sec至70μm/sec。另外，用于第一激光照射的激光功率低于使色素层105浮动的第二激光照射的激光功率。这样防止由用于使颜料105浮动的第二激光照射的激光功率引起的黑矩阵103分解或损坏，以引起漏光。
最优选的情况下，第一激光照射的激光功率范围为100μJ至450μJ，而扫描速度范围为45μm/sec至65μm/sec。这里，用于第一激光照射的激光功率涉及输出到激光检查设备的功率，以及大约至少十分之一或更小上述功率的功率实际提供到基板。可根据试验产物、处理设备等等，提供不同的其他剩余条件，即狭缝尺寸、扫描速度和其他条件。
第一激光照射工艺为使色素层105浮动的预处理，其中，第一激光照射在包括黑矩阵103的色素层105上执行，以从而抑制压力增加，并从而防止色素层105在第二激光照射，重复工艺，过程中浮动时被破坏。即是，如果执行激光照射以第一浮动色素层105，色素层105，即滤色片，将由于增大的压力被破坏。
参照图4a，第一激光扫描工艺的执行始于黑矩阵103的上部部分的左(或右)边缘，并水平地继续通过色素层105至黑矩阵103的下部部分的边缘。在这种情况下，激光扫描工艺的执行可始于黑矩阵103下部部分的左边(或右边)，以替代黑矩阵103的上部部分的左边(或右边)，并继续到黑矩阵103的上部部分。即是，激光扫描工艺的执行可始于左边或右边的任何部分。
用于形成黑矩阵103的间隙的激光的波长在整个波长带都执行较好。这是因为黑矩阵103是黑色的，所以其在可见光区域的波长带较好的吸收。在这种情况下，黑矩阵103可由聚酰亚胺制成，其中混合碳基颜料。
接下来，如图3c、5和6c中所示，为了使色素层105从上部基板101浮动特定间隔，其次将激光照射到色素层105，以形成在其齿之间具有间隙(例如，空间、开口、或孔)的梳装结构113。在这种情况下，为了防止色素层105在第二激光照射过程中被破坏，在上部基板101和色素层105之间形成的梳状结构113的间隙的范围为0.5μm至2μm，并且在执行最后工艺之后，期望间隙为大约2μm。在这种情况下，在梳状结构113的齿之间存在间隙。这里，当执行第二激光照射时，在上部基板101和色素层105之间形成气体层，以使色素层105与上部基板101分离，从而形成在其齿间具有间隙的梳装结构113。
用于第二激光照射的激光功率的范围为大约200μJ至620μJ，狭缝尺寸为大约20μmx30μm，以及扫描速度范围为大约20μm/sec至50μm/sec。最优选的情况下，激光功率的范围为300μJ至500μJ，以及扫描速度为25μm/sec至35μm/sec。这里，用于第二激光照射的激光功率涉及输出至激光照射设备的功率，并且大约至少十分之一或更少的上述功率实际提供至基板。可根据试验产物、处理设备等等，提供不同的其他剩余条件，即狭缝尺寸、扫描速度和其他条件。
用于第二激光照射的激光波长根据像素的颜色变化。红色激光的波长为大约500nm至550nm，而蓝色和绿色激光的波长范围为大约300nm至400nm。这取决于颜料的具体特点，并且激光在这些波长带具有较高的吸光率(即是，具有较低的透光率)，所以颜料经受由光子引起的物理和化学损害，并从而与基板分离。另外，如上所述，由于在激光照射过程中形成于基板和色素层之间的气体产生的气泡的原因，在基板和色素层之间形成间隙。
执行第二激光照射工艺，以使色素层105浮动。如图4b中所示，第二激光扫描工艺的执行可始于色素层105的上部部分的左侧，并水平继续至色素层105的下部部分。作为另一种选择，第二激光扫描工艺的执行可始于下部部分的左侧，而不是始于色素层105的上部部分的左侧，并继续移动至上部部分。即是，激光扫描工艺的执行可始于左侧或右侧的任何部分。
通过这样做，梳装结构113的边缘部分，即是，与黑矩阵103重叠的部分，形成大约4°至10°的倾斜，并且色素层105的中心部分形成凸起。
由于色素层105部分由于梳状结构113的形成而具有凸起形状，因此盒间隙减少，以及在该情形下，由于变暗导致透射率也降低。这是因为凸起部分挤压液晶而扭曲液晶排列，从而使色素层105的上对准层(未示出)的功能有些丧失。
随后，如图3d、5和6d所示，在黑矩阵处理步骤中，激光第三次照射到黑矩阵103和色素层105以在黑矩阵103中产生多个黑矩阵颗粒103a并开始在形成在色素层105和上结构101之间的梳状结构的齿间隙中填充黑矩阵颗粒103a。
用于第三激光照射的激光功率范围从200μJ到600μJ，狭缝尺寸是约11μmx11μm，以及扫描速度范围从约25μm/秒到45μm/秒。更优选地，激光功率范围从220μJ到550μJ，以及扫描速度是27μm/秒到40μm/秒。在根据第三激光照射的黑矩阵处理步骤中，激光的波长范围从约300nm到400nm。
这里，用于第三激光照射的激光功率指输出到激光照射设备的功率，以及以上提到的功率的至少约十分之一或更小的功率实际上施加到基板。可以应用不同的其他剩余条件，即，狭缝尺寸、扫描速度和其他条件，取决于实验产品、处理设备等等。
根据第三激光照射的黑矩阵处理步骤通过激光扫描一次或多次实施。例如，扫描过程包括第一扫描过程，其从缺陷单元的下部分的左侧开始执行并水平进行到上部分的右边缘(参见图4c)。第二扫描过程，其从缺陷的单元(P)的下部分的左侧开始执行，并垂直进行到右边缘(参见图4d)，以及第三扫描过程，其从上部分的右边缘开始执行，并水平进行到左边缘(参见图4e)。在该情形下，第三激光扫描过程可从黑矩阵103和色素层105的下部分的左侧开始执行，而不是从上部分的右侧开始执行，并进行到下部分。即，激光扫描过程可在左侧或右侧的任意位置处执行。
其后，如图3e、图5和图6e所示，在黑矩阵颗粒分散步骤期间，激光第四次照射到黑矩阵103和色素层105的整个区域以允许在先前步骤中产生的黑矩阵颗粒103填充在形成于色素层105的树状结构113的齿之间的间隙中以便均匀分散和分布。
用于第四激光照射的激光功率范围从约180μJ到420μJ，比用于黑矩阵处理步骤低。狭缝尺寸是约10μmx10μm，以及扫描速度范围从约20μm/秒到45μm/秒。
优选地，激光功率范围从200μJ到380μJ，以及扫描速度从约25μm/秒到40μm/秒。黑矩阵颗粒103a的运动方向根据激光照射的方向来确定。
这里，用于第四激光照射的激光功率指输出到激光检测设备的功率，以及以上提到的功率的至少约十分之一或更少的功率实际上施加到基板。可以应用 不同的其他剩余条件，即，狭缝尺寸，扫描速度和其他条件，取决于实验产品、处理设备等等。
第四激光照射过程通过激光在至少几个方向，即，水平和垂直方向实施。例如，扫描过程115包括第一扫描过程，其从缺陷单元(P)的色素层105的中心开始执行，并垂直进行到色素层105的右边缘(参见图4f)；第二扫描过程，其从近邻色素层105的黑矩阵103开始执行，并垂直进行到黑矩阵103的边缘(参见图4g)，第三扫描过程，其从缺陷单元(P)的色素层105的中心开始执行，并进行到左边缘(参见图4h)，以及第四扫描过程，其从近邻色素层105的黑矩阵103开始执行，并垂直进行到黑矩阵103的左边缘(参见图4i)。
在该情形下，第四扫描过程可在色素层105区域的左边或右边的任意位置处执行。
关于激光照射使用的激光，使用通过利用氖(neonium)固体振荡并使用YAG(钇铝石榴石)晶体作为放大介质的一种激光，使用受激准分子激光(即，利用通过激发态的原子和基态的原子发光而使称为受激准分子的激发态分子回到离解态现象的激光)，以及二极管激光(即，通过使用根据载流子运动或N型半导体和P型半导体的键合部分中能级迁移产生的光而振荡的激光)。
Nd YAG(钕钇铝石榴石)激光具有330nm到350nm，530nm到550nm以及1060nm到1090nm的波长，受激准分子激光具有170nm到200nm的波长，以及二极管激光具有100nm到1000nm波长。
另外，可使用通过使用CO、CO2、He-Ne和HF产生的激光。CO激光的波长为4900nm到5100nm，CO2激光的波长为630nm到640nm，以及He-Ne激光的波长为2700nm到2900nm。
以该方式，根据本发明的一个示例性实施方式的用于修复液晶面板的缺陷单元的工艺包括：形成距离上基板黑矩阵的间隙(S120)；形成具有距离上基板的色素层的齿之间的特定间隙的梳状结构(S130)，处理黑矩阵以产生黑矩阵颗粒(S140)；以及分散黑矩阵颗粒使得颗粒以均匀分布的方式填充在色素层的树状结构中(S150)。
通过根据本发明的示例性实施方式的缺陷单元的修复工艺获得的结果如图7所示，表明观察到的显微镜的透射图像与实际A/P(自动探测器)的白色图 案中显示的图像相同。
另外，注意在通过分散黑矩阵颗粒执行修复工艺的同时进行变暗。
参照图8a和图8b，通过执行修复工艺一直到黑矩阵颗粒分散步骤，在缺陷单元(P)的漏光部分处填充的黑矩阵的厚度比变暗部分薄。
另外，注意漏光部分的一部分通过显微镜或A/P经由FIB(聚焦离子束)分析而观察，其比在缺陷单元的相对侧处的一部分变暗像素薄。
在漏光部分处的黑矩阵的厚度是约0.38μm，以及一部分变暗像素的厚度是约1.33μm，差是约0.5μm。
另外，缺陷单元(P)内的黑矩阵的厚度不具有特定的固定尺寸，但随着处理步骤的顺序执行而增加。
在修复工艺后保留在缺陷单元的两侧处的黑矩阵的厚度是约0.5μm到0.7μm，以及黑矩阵在黑矩阵处理步骤大量处理(非常多)。
现在将参照附图描述根据本发明的另一示例性实施方式的一种用于修复液晶面板的缺陷单元的方法
图9是根据本发明的另一示例性实施方式的用于修复液晶面板的缺陷单元的方法的修复工艺的流程图。
图10a到图10f是说明修复工艺的截面视图，用于解释根据本发明的另一示例性实施方式用于修复液晶面板的缺陷单元的方法。
图11是说明在根据本发明的另一示例性实施方式的用于修复液晶面板的缺陷单元的方法中根据紫外光源的波长范围对准层的光吸收率和基板的透光率。
如图9所示，根据本发明的的另一示例性实施方式用于修复液晶面板的缺陷单元的方法包括：制备液晶面板，其已经完成制造并经历缺陷修复(S210)；将激光照射到形成在液晶面板的缺陷单元中的黑矩阵以浮置具有在黑矩阵和上基板之间的特定间隙的黑矩阵(S220)(第一激光照射步骤)；将激光照射到表示颜色的色素层以形成在色素层和上基板之间的树状结构(S230)(第二激光照射步骤)；将激光照射到黑矩阵处理黑矩阵以在黑矩阵中产生颗粒(S240)(第三激光照射步骤)；照射激光以分散黑矩阵颗粒以便均匀分布在色素层的树状结构的齿之间的间隙中(S250)(第四激光照射步骤)；以及破坏设置在黑单元中的对准层(S260)。
在修复液晶面板的缺陷单元之前，执行制造液晶面板的工艺。
如图10a所示，液晶面板(未示出)包括上阵列基板(或滤色片阵列基板)，其包括顺序形成在上基板201上的黑矩阵203、由色素组成的色素层205(下文称为“滤色片”)、覆盖层207、图案间隔垫(未示出)、公共电极209、上对准层(未示出)；下阵列基板(未示出)，其包括形成在下基板上的薄膜晶体管(TFT)(未示出，指图10f中的251)、像素电极(未示出)和下对准层(未示出)；以及形成在上阵列基板201和下阵列基板(未示出)之间的液晶层(未示出：指图10f中的261)。
形成在下阵列基板上的TFT包括：形成在下基板(指图10f中的251)上的栅极和栅线，与栅极重叠的半导体层(未示出)和形成在栅极上的栅绝缘层(未示出)；以及在半导体层上与数据线(未示出)一起形成的源极和漏极(未示出)。TFT响应来自栅线的扫描信号将来自数据线的像素信号供应给像素电极(未示出)。
虽然图中未示出，由具有高透光率的透明导电材料组成的像素电极电连接具有钝化层(图中未示出，指图10f的253)***在其之间的TFT的漏极(未示出)。
用于液晶对准的上对准层217和下对准层257通过涂覆对准材料诸如聚酰亚胺形成，并然后摩擦以完成液晶显示面板的制造工艺。
由此制造的液晶面板包括多个单元。在所述单元的制造后检测液晶面板中，一个或多个单元有缺陷，具有由于外来物质或类似导致在黑图案或灰图案中发光的亮点，如图6所示。
其后，通过修复工艺使缺陷单元(P)变暗。为了执行修复工艺，如图10b和图6b所示，激光第一次照射到缺陷单元(P)的黑矩阵203，以使黑矩阵203距离上基板201以一定间隔浮置从而在二者之间形成间隙211。在该情形下，第一激光照射的激光功率范围从100μJ到470μJ，狭缝尺寸基本为15x15μm，以及扫描速度范围从约30μm/秒到70μm/秒。最优选地，第一激光照射的激光功率范围从100μJ到450μJ以及扫描速度范围从45μm/秒到65μm/秒。这里用于第一激光照射的激光功率指指输出到激光照射设备的功率，以及以上提到的功率的至少约十分之一或更小的功率实际上施加到基板。可以应用不同的其他剩余条件，即，狭缝尺寸、扫描速度和其他条件，取决于实验产品、处理设备 等等。
在该情形下，用于第一激光照射的激光功率比使色素层205浮置执行的第二激光照射的激光功率低。这防止由于用于使色素层205浮置的第二激光照射的激光功率而导致黑矩阵203分解和破坏造成漏光。
第一激光照射过程是用于使色素层205浮置的预工艺，其中第一激光照射在黑矩阵203上执行从而抑制不断增加的压力，由此防止色素层105在第二激光照射、随后工艺期间当色素层浮置时而断裂。即，如果对第一浮置色素层205执行激光照射，则色素层205由于增加的压力而可能断裂。
虽然图中未示出，第一激光扫描过程与本发明的前述示例性实施方式相同的方式执行。即，参照图4a，第一激光扫描过程从黑矩阵203的上部分的左(或右)边缘开始执行并水平进行到黑矩阵203的下部分的边缘。在该情形下，激光扫描过程可从黑矩阵203的下部分的左侧(或右侧)开始执行，而不是黑矩阵203的上部分的左侧(或右侧)，并进行到黑矩阵203的上部分。即，激光扫描过程可在左侧或右侧的任意位置开始执行。
用于形成黑矩阵203的间隙的激光波长在整个波长范围执行。这时因为黑矩阵203是黑色的，因此它可在可见光区域的波长范围很好吸收。在该情形下，黑矩阵203可由具有其中混合有碳基色素的聚酰亚胺形成。
然后，如图4c所示，为了使色素层205在距离上基板201的一定间隔浮置，激光第二次照射到色素层205以形成具有其齿间间隙的树状结构213，尤其，为了防止色素层205在第二激光照射期间断裂，形成在上基板201和色素层205之间的树状结构213的齿间间隙的适宜范围从0.5μm到2μm，以及在执行最后处理后，预期间隙是约2μm。在该情形下，该间隙存在于梳状结构213的齿之间。
用于第二激光照射的激光功率在大约200μJ到620μJ的范围内，狭缝尺寸为大约20μm×30μm，以及扫描速度范围在大约20μm/秒至50μm/秒的范围内。更优选地，激光功率在从300μJ到500μJ的范围内，并且扫描速度为25μm/秒到35μm/秒之间。这里，用于第二激光照射的激光功率指输出到激光照射设备的功率，并且实际上将以上所述功率的大约至少1/10或更低的功率施加到基板。可根据实验产品、处理设备等而不同地施加其它条件，即，狭缝尺寸、扫描速度和其它条件。
用于第二激光照射的激光的波长根据像素的颜色而变化。红色激光的波长在从大约500nm到550nm的范围内，并且蓝色和绿色激光的波长在大约300nm到400nm的范围内。这归因于色素的特定属性，并且激光在该波带具有高吸收性(即，具有低透射比)，所以色素由于光子而经受物理和化学损伤，并因而与衬底分离。此外，如上所述，因为由于在激光照射期间形成于衬底与色素层之间的气体而产生气泡，所以间隙形成于衬底和色素层205之间。
第二激光照射工艺执行以使色素层205浮动(float)。尽管没有示出(参见图4b)，但是可从色素层205的上部分的左侧开始执行第二激光扫描工艺并水平进行到色素层205的下部分。可选地，第二激光扫描工艺可从下部分的左侧开始执行，而不是从色素层205的上部分的左侧开始，并且继续移动到上部分。即，激光扫描工艺可在左侧或右侧的任意位置执行。
通过这样做，梳状结构213的边缘部分，即，与黑矩阵203重叠的区域，形成为倾斜大约4°到10°，并且像素区域的色素层205的中心部分可形成为凸状。
另外，在TN模式情形下，因为部分色素层205由于梳状结构213的形成而具有凸形形状，所以盒间隙减小，并且在该情形下，由于变暗所以透射比也减小。这是因为，凸形部分压紧液晶而破坏液晶排列，所以色素层205的上对准层217的功能也有些损失。
随后，如在图10d中所示，在黑矩阵处理步骤中，激光第三次照射到黑矩阵203和色素层205以在黑矩阵203中产生多个黑矩阵颗粒203a并开始以黑矩阵颗粒203a填充形成于色素层205与上基板201之间的梳状结构的齿之间的间隙。
用于第三次激光照射的激光功率在大约200μJ到620μJ的范围内，狭缝尺寸为大约11μm×11μm，以及扫描速度范围在大约25μm/秒至45μm/秒的范围内。更优选地，激光功率在从220μJ到550μJ的范围内，并且扫描速度为27μm/秒到40μm/秒之间。这里，用于第三激光照射的激光功率指输出到激光照射设备的功率，并且实际上将以上所述功率的大约至少1/10或更低的功率施加到基板。可根据实验产品、处理设备等而不同地施加其它条件，即，狭缝尺寸、扫描速度和其它条件。
在根据第三激光照射的黑矩阵处理步骤中，激光的波长在大约300nm到 400nm的范围内。
根据第三激光照射的黑矩阵处理步骤通过至少三次激光扫描而执行。该扫描工艺包括：第一扫描工艺，其从有缺陷单元的下部分左侧开始执行并且水平进行到上部分的边缘(参见图4c)；第二扫描工艺，其从有缺陷单元(P)的下部分左侧开始执行并垂直进行到右边缘(参见图4d)；以及第三扫描工艺，其从上部分的右边缘开始执行，并水平进行到下部分的左边缘(参见图4e)。
在该情形下，第三激光扫描工艺可从黑矩阵203和色素层205的下部分左侧开始执行，而不是从其上部分右侧开始，并进行到下部分。即，激光扫描工艺可在左侧或右侧的任意位置处执行。
之后，如在图10e中所示，在黑矩阵颗粒分散步骤中，激光第四次照射到黑矩阵203和色素层205的整个区域以使在之前部分中产生的黑矩阵颗粒203a填充到在色素层205的梳状结构213的齿之间形成的间隙中，从而均匀地分散并分布颗粒。
用于第四次激光照射的激光功率在大约180μJ到420μJ的范围内，其低于用于黑矩阵处理步骤的激光功率。狭缝尺寸为大约10μm×10μm，以及扫描速度范围在大约25μm/秒至45μm/秒的范围内。
优选地，激光功率在从200μJ到380μJ的范围内，并且扫描速度为25μm/秒到40μm/秒之间。根据激光照射的方向而确定黑矩阵颗粒203a的移动方向。
这里，用于第四激光照射的激光功率指输出到激光检测设备的功率，并且实际上将以上所述功率的大约至少1/10或更低的功率施加到基板。可根据实验产品、处理设备等而不同地施加其它条件，即，狭缝尺寸、扫描速度和其它条件。
第四激光照射工艺通过在至少数个方向上的激光扫描而执行。扫描工艺115包括：第一扫描工艺，其从有缺陷单元(P)的色素层205的中心开始执行并垂直进行到色素层205的右边缘(参见图4f)；第二扫描工艺，其从邻近色素层205的右部分的黑矩阵203的边界开始执行并垂直进行到黑矩阵203的右边缘(参见图4g)；第三扫描工艺，其从有缺陷单元(P)的色素层205的中心开始执行并进行到左边缘(参见图4h)；以及第四扫描工艺，其从邻近有缺陷单元(P)的色素层205的左部分的黑矩阵203开始执行并垂直进行到黑矩阵203的左边缘(参见图4i)。
在该情形下，第四激光扫描工艺可在色素层205区域的左侧或右侧或中心的任何位置执行。
关于激光照射使用的激光，使用通过利用氖(neonium)固体振荡并使用YAG(钇铝石榴石)晶体作为放大介质的一种激光，使用受激准分子激光(即，利用通过激发态的原子和基态的原子发光而使称为受激准分子的激发态分子回到离解态现象的激光)，以及二极管激光(即，通过使用根据载流子运动或N型半导体和P型半导体的键合部分中能级迁移产生的光而振荡的激光)。
Nd YAG(钕钇铝石榴石)激光具有330nm到350nm，530nm到550nm以及1060nm到1090nm的波长，受激准分子激光具有170nm到200nm的波长，以及二极管激光具有100nm到1000nm波长。
另外，可使用通过使用CO、CO2、He-Ne和HF产生的激光。CO激光的波长为4900nm到5100nm，CO2激光的波长为630nm到640nm，以及He-Ne激光的波长为2700nm到2900nm。
然而，在情形下，当通过利用黑矩阵203使具有亮斑的像素变暗时，黑矩阵颗粒203a应该以高密度均匀分散在梳状结构213的齿之间。如果黑矩阵颗粒203非均匀分散，则在检测面板时发生光线在黑矩阵颗粒203a之间以黑色或灰色图案泄露的现象。
因而，最终，为了防止发生光线在黑矩阵颗粒203a之间泄露的该现象，如在图10f中所示，紫外线光源273照射到缺陷单元(P)以破坏缺陷单元(P)的下对准层257和上对准层217，从而去除缺陷单元放置的液晶261的定向性。在该情形下，除了紫外线光源273，根据需要还可使用不同的光源。
为了破坏对准层257和217，如在图11中所示，具有大约300nm到400nm波长范围，且具有低对准层吸光性和高透光率的光源可用作紫外线光源273。
在TFT-LCD TN模式的情形下，由于TFT表面的对准层257和217和滤色片205表面彼此交叉，所以在对准层257和217被破坏之前，在功率截止状态下，在TFT表面与滤色片205表面之间的液晶261倾斜90°对准。
尽管没有示出，但是可通过照射紫外线光源273而破坏对准层257，并且因此，液晶261丢失其定向性并且甚至当导通电压时也不能垂直对准。因而，来自下偏振片(未示出)的光线不能穿过已修复的像素而是扩散开。
以这种方式，根据本发明的其它示例性实施方式用于修复已经明白的缺陷 单元的工艺包括：形成黑矩阵与上基板之间的间隙(S220)；形成与上基板隔开的色素层的梳状结构的齿之间的间隙(S230)，处理黑矩阵颗粒(S240)；将黑矩阵颗粒分散到色素层的梳状结构中(S250)；以及破坏对准层(S260)。
因此，通过执行该修复工艺，即，形成黑矩阵的工艺，形成色素层的梳状结构的工艺，处理黑矩阵颗粒的工艺，将黑矩阵颗粒分散到色素层的梳状结构中的工艺，以及破坏上下对准层的工艺，当液晶损失定向性时，光线扩散，朝向具有亮斑的缺陷像素定向的光线的强度变弱，并因此，经过偏振片(未示出)输出的光线不会经过已修复的像素泄露，完全实现暗化(darkening)。
如上所述，由于在黑矩阵和色素层上执行激光照射工艺和利用紫外线光的对准层破坏工艺，所以缺陷单元的暗化效应最大化。
在附图中没有示出通过额外地执行利用紫外线光的对准层破坏工艺获得的结果，但是注意到该结果将类似于在图7和图8中示出的结果。
同时，用于不透明地变暗在缺陷像素区域的亮斑的方法能容易地应用到ECB(电控双折射)或VA(垂直对准)模式液晶面板，以及IPS模式液晶面板和TN模式液晶面板。
同时在不同的示例性实施方式中，在偏振片附接到液晶面板的上和下部分以使缺陷像素区域变暗的状态下，可照射激光，从而修复缺陷单元。在该情形下，由于附接到液晶面板的上和下部分的偏振片具有特定的定向性，所以激光照射可衍射该定向性进行以将激光照射到缺陷单元区域。因而，缺陷单元修复工艺可能利用附接的偏振片执行。
用于所有激光照射步骤的激光的波长根据像素的颜色而变化。红色激光的波长范围为约500nm～550nm，蓝色和绿色激光的波长范围为约300nm～400nm。这取决于颜料的具体特点，并且激光在这些波长带具有较高的吸光率(即是，具有较低的透光率)，所以颜料经受由光子引起的物理和化学损害，并从而与基板分离。当在不脱离本发明的特征下，以数种形式具体化本发明时，还应该理解以上所述的实施方式不限定前述说明的任何细节，除非特别指出，而应该广泛地构造为在附加的权利要求限定的范围内，并因此附属的权利要求书意欲包括落入权利要求的边界和范围或者该边界和范围的等效物内的所有变型和修改。

Claims (17)

1.一种用于修复液晶面板中的缺陷单元的方法，该方法包含：
提供液晶面板，该面板包括在其上形成黑矩阵和色素层的上阵列基板、具有薄膜晶体管并与所述上阵列基板附接的下阵列基板、以及在所述上阵列基板和下阵列基板之间形成并包括多个单元的液晶层；
进行第一激光照射，用于将激光照射到所述液晶面板中多个单元中的缺陷单元区域，以在所述黑矩阵与所述上阵列基板之间形成特定间隙；
进行第二激光照射，用于将激光照射到所述缺陷单元区域以在所述色素层和所述上阵列基板之间形成梳状结构，在该梳状结构的齿之间具有特定间隙；
进行第三激光照射，用于将激光照射到所述缺陷单元区域以处理所述黑矩阵，从而产生黑矩阵颗粒；以及
进行第四激光照射，用于将激光照射到所述缺陷单元区域以分散所述黑矩阵颗粒，从而将该黑矩阵颗粒填充在所述色素层与所述上阵列基板之间的所述梳状结构的所述齿之间的所述间隙中。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光使用Nd YAG、准分子、CO、CO2、He-Ne、HF和二极管中的至少之一。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述上阵列基板和所述色素层之间的所述梳状结构的齿之间的间隙为0.5μm到2μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，施加到所述缺陷单元区域的激光功率小于用于激光照射的激光功率的1/10，所述用于激光照射的激光功率范围为100μJ到700μJ。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成距离所述上阵列基板具有特定间隙的所述黑矩阵时，将小于用于第一激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到所述缺陷单元区域中，所述用于第一激光照射的激光功率范围为100μJ到470μJ；在所述色素层与所述上阵列基板之间形成其齿之间具有特定间隙的所述梳状结构时，将小于用于第二激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到所述缺陷单元区域，所述用于第二激光照射的激光功率范围为200μJ到620μJ；在处理以产生所述黑矩阵颗粒时，将小于用于第三激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到所述缺陷单元区域，所述用于第三激光 照射的激光功率范围为200μJ到600μJ；以及将小于用于第四激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到缺陷单元区域，从而将所述黑矩阵颗粒分散到所述色素层的所述梳状结构的齿之间的间隙中，所述用于第四激光照射的激光功率范围为180μJ到420μJ。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在激光照射中的扫描速度为10μm/s到70μm/s。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在与所述上阵列基板距离特定间隙的所述黑矩阵的形成中，所施加的所述激光扫描速度在30μm/s到70μm/s之间的范围内；所施加以在所述色素层与所述上阵列基板之间形成其齿之间具有特定间隙的所述梳状结构的所述激光扫描速度在20μm/s到50μm/s之间的范围内；施加以处理所述黑矩阵的所述激光扫描速度在从25μm/s到45μm/s的范围内；以及施加以将所述黑矩阵颗粒分散到所述色素层的所述梳状结构的齿之间的间隙中的所述激光扫描速度在从20μm/s到45μm/s的范围内。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在分散所述黑矩阵颗粒之后，破坏所述缺陷单元的对准层，以将所述黑矩阵颗粒分散到整个缺陷单元区域。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在破坏所述对准层时，照射波长在300nm到400nm范围内的紫外线(UV)光源。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一激光照射从所述黑矩阵上部分的边缘开始并经过所述缺陷区域而水平进行到所述黑矩阵的下边缘，所述第二激光照射从所述色素层的上部分边缘开始并水平进行到所述色素层的下边缘。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第三激光照射首先从所述黑矩阵的下部分边缘的一部分开始并经过所述缺陷单元区域水平进行到所述黑矩阵的上部分边缘的一部分，所述第三激光照射其次从所述黑矩阵的左部分的下边缘开始并经过整个缺陷单元区域垂直进行到所述黑矩阵的右边缘，并且所述第三激光照射第三次是从所述黑矩阵的上部分的右边缘开始并经过所述缺陷单元区域而水平进行到所述黑矩阵的左边缘。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第四激光照射首先从所述 缺陷单元区域的中心开始并垂直进行到与所述黑矩阵界面的右侧，所述第四激光照射再次从邻近所述缺陷单元区域右边缘的所述黑矩阵开始并垂直进行到所述黑矩阵的右边缘，所述第四激光照射第三次是从所述缺陷单元区域的中心开始并垂直进行到与所述黑矩阵的左侧界面，以及所述第四激光照射第四次是从邻近所述缺陷单元区域左边缘的所述黑矩阵开始并垂直进行到所述黑矩阵的左边缘。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：
将偏振片附接到所述液晶面板。
14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成距离所述上阵列基板具有特定间隙的所述黑矩阵时，将小于用于第一激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到所述缺陷单元区域中，所述用于第一激光照射的激光功率范围为100μJ到470μJ；在所述色素层与所述上阵列基板之间形成其齿之间具有特定间隙的所述梳状结构时，将小于用于第二激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到所述缺陷单元区域，所述用于第二激光照射的激光功率范围为200μJ到620μJ；在处理以产生所述黑矩阵颗粒时，将小于用于第三激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到所述缺陷单元区域，所述用于第三激光照射的激光功率范围为200μJ到600μJ；以及将小于用于第四激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到缺陷单元区域，从而将所述黑矩阵颗粒分散到所述色素层的所述梳状结构的齿之间的间隙中，所述用于第四激光照射的激光功率范围为180μJ到420μJ。
15.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一激光照射从所述黑矩阵上部分的边缘开始并经过所述缺陷区域而水平进行到所述黑矩阵的下边缘，所述第二激光照射从所述色素层的上部分边缘开始并水平进行到所述色素层的下边缘。
16.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，第三激光照射首先从所述黑矩阵的下部分边缘的一部分开始并经过所述缺陷单元区域水平进行到所述黑矩阵的上部分边缘的一部分，所述第三激光照射其次从所述黑矩阵的左部分的下边缘开始并经过整个缺陷单元区域垂直进行到所述黑矩阵的右边缘，并且所述第三激光照射第三次是从所述黑矩阵的上部分的右边缘开始并经过所述缺陷单元区域而水平进行到所述黑矩阵的左边缘。 
17.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，第四激光照射首先从所述缺陷单元区域的中心开始并垂直进行到与所述黑矩阵界面的右侧，所述第四激光照射再次从邻近所述缺陷单元区域右边缘的所述黑矩阵开始并垂直进行到所述黑矩阵的右边缘，所述第四激光照射第三次是从所述缺陷单元区域的中心开始并垂直进行到与所述黑矩阵的左侧界面，以及所述第四激光照射第四次是从邻近所述缺陷单元区域左边缘的所述黑矩阵开始并垂直进行到所述黑矩阵的左边缘。 
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101846827B (zh) * 2010-06-13 2011-12-14 友达光电股份有限公司 彩色滤光基板及其制造方法
WO2012050054A1 (ja) * 2010-10-14 2012-04-19 シャープ株式会社 液晶パネル及びその製造方法、液晶表示装置、テレビ受信装置
JP5853331B2 (ja) 2011-03-11 2016-02-09 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ照射装置及びそれを使用した液晶表示パネルの輝点修正方法
JP5733065B2 (ja) * 2011-07-07 2015-06-10 三菱電機株式会社 液晶表示パネルとその修復方法
US9066090B2 (en) * 2011-09-09 2015-06-23 Lg Display Co., Ltd. Stereoscopic image display and method for manufacturing the same
CN102650750B (zh) * 2011-09-22 2014-06-11 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器亮点维修方法
CN102629004B (zh) * 2012-03-05 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示器亮点维修方法
CN102654661B (zh) * 2012-05-04 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示面板的修复方法
JP5773970B2 (ja) * 2012-11-16 2015-09-02 三菱電機株式会社 液晶表示装置の輝点欠陥修正方法および製造方法
US8986062B2 (en) * 2013-01-18 2015-03-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for repairing white defect of liquid crystal display panel
JP2014157335A (ja) * 2013-02-18 2014-08-28 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置の輝点欠陥修正方法および液晶表示装置の製造方法
US9304090B2 (en) 2013-03-11 2016-04-05 Electro Scientific Industries, Inc. Systems and methods for providing polarization compensated multi-spectral laser repair of liquid crystal display panels
CN103676236B (zh) * 2013-12-18 2017-01-04 合肥京东方光电科技有限公司 一种修复缺陷像素的方法、***及显示面板
CN103744202B (zh) * 2014-01-09 2017-02-08 北京京东方光电科技有限公司 一种开口组件、液晶屏亮点修复装置
CN104297996B (zh) * 2014-11-10 2018-03-27 上海天马微电子有限公司 一种彩膜基板、液晶显示面板和显示装置
JP2016161803A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 三菱電機株式会社 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法
KR20160139114A (ko) 2015-05-26 2016-12-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
JP6714898B2 (ja) * 2016-03-30 2020-07-01 三菱電機株式会社 カラーフィルタ基板、およびその製造方法
CN108803120B (zh) * 2017-04-26 2023-12-29 群创光电股份有限公司 液晶显示装置
CN109212791A (zh) * 2017-07-07 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板亮点不良的修复方法
CN107450209B (zh) * 2017-09-30 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种亮点修复方法及彩膜基板
KR20200104981A (ko) * 2019-02-27 2020-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 리페어 방법
CN116681901B (zh) * 2023-07-31 2023-10-31 山东捷瑞数字科技股份有限公司 一种基于工业视觉的玻璃推刀刀头剩余寿命的预测方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1338655A (zh) * 2000-08-11 2002-03-06 夏普公司 液晶显示装置及其疵点修复方法
US6714269B1 (en) * 1999-03-22 2004-03-30 Industrial Technology Research Institute Front-side repairable TFT-LCD and method for making
CN1746730A (zh) * 2004-09-06 2006-03-15 精工爱普生株式会社 液晶显示装置的缺陷修补方法及缺陷修补装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100351439B1 (ko) * 1999-10-04 2002-09-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
KR100369214B1 (ko) * 1999-10-29 2003-01-24 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 자외선 복사에 의한 유기 화합물의 제거 방법 및 그 장치
CN100520867C (zh) * 2004-05-28 2009-07-29 夏普株式会社 显示装置的基板及其修补方法、显示装置的修补方法和液晶显示装置
US8273423B2 (en) * 2004-09-29 2012-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha Color filter substrate, liquid crystal display device, production method of color filter substrate, production method of liquid crystal display device
KR101073314B1 (ko) * 2004-10-29 2011-10-12 엘지디스플레이 주식회사 액정 패널의 불량셀 리페어 방법
US20060124747A1 (en) * 2004-12-09 2006-06-15 Rathbun Irwin D Protective envelope for a chip card
US7636148B2 (en) * 2004-12-14 2009-12-22 Lg Display Co., Ltd. Apparatus and method for repairing liquid crystal display device
KR101133765B1 (ko) * 2005-02-15 2012-04-09 삼성전자주식회사 표시 장치의 수리 장치 및 수리 방법
KR20070038610A (ko) * 2005-10-06 2007-04-11 삼성전자주식회사 표시 장치의 수리 장치 및 수리 방법
JP2007206641A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Laserfront Technologies Inc リペア装置及びリペア方法
KR101238337B1 (ko) * 2006-05-12 2013-03-04 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 액정표시장치
KR100780012B1 (ko) * 2006-12-29 2007-11-27 참앤씨(주) 액정표시패널의 리페어 방법 및 장치
US8319906B2 (en) * 2007-02-09 2012-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device, television receiver, active matrix substrate manufacturing method, and liquid crystal panel manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714269B1 (en) * 1999-03-22 2004-03-30 Industrial Technology Research Institute Front-side repairable TFT-LCD and method for making
CN1338655A (zh) * 2000-08-11 2002-03-06 夏普公司 液晶显示装置及其疵点修复方法
CN1746730A (zh) * 2004-09-06 2006-03-15 精工爱普生株式会社 液晶显示装置的缺陷修补方法及缺陷修补装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2004-109512A 2004.04.08

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Publication number Publication date
US20090141231A1 (en) 2009-06-04
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