CN101414085A - 液晶显示设备及其制造方法 - Google Patents

液晶显示设备及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101414085A
CN101414085A CNA2008101665721A CN200810166572A CN101414085A CN 101414085 A CN101414085 A CN 101414085A CN A2008101665721 A CNA2008101665721 A CN A2008101665721A CN 200810166572 A CN200810166572 A CN 200810166572A CN 101414085 A CN101414085 A CN 101414085A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
photoresist
ohmic contact
data line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008101665721A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101414085B (zh
Inventor
郭喜荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN101414085A publication Critical patent/CN101414085A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101414085B publication Critical patent/CN101414085B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

液晶显示设备及其制造方法。一种制造液晶显示设备的方法包括：在基板上形成选通线、栅极、位于所述选通线的端部的栅焊盘电极、以及公共线；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成蚀刻阻止层；在所述有源层上形成彼此隔开的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，并且形成与其下面的栅绝缘层接触的掺杂非晶硅图案，所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的外侧位于所述有源层之外；分别形成与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线、位于所述数据线的端部的数据焊盘电极、以及位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层上的源极和漏极；在所述像素区域中形成像素电极和公共电极以感应共面电场；以及在所述栅焊盘电极上形成栅焊盘端子电极，其中所述数据线、像素电极和公共电极中的至少一方与其下面的掺杂非晶硅图案接触。

Description

液晶显示设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示设备，且更具体而言，涉及液晶显示(LCD)设备及其制造方法。
背景技术
本申请要求2007年10月17日提交的韩国专利申请No.2007-0104784的优先权，此处以引证的方式并入其全部内容，就像在此进行了完整阐述一样。
直到最近，显示设备通常使用阴极射线管(CRT)。目前，对开发作为CRT的替代品的各种类型的平板显示器做了很多努力和研究，诸如液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器以及电致发光显示器(ELD)。在这些平板显示器当中，LCD设备具有诸如高分辨率、轻重量、薄外形、紧凑尺寸以及低电压电源要求之类的很多优点。
一般而言，LCD设备包括彼此隔开且相对的两个基板，在这两个基板之间夹有液晶材料。两个基板包括彼此相对的电极，使得施加到电极之间的电压感应出穿过液晶材料的电场。液晶材料中的液晶分子的取向依照根据感应电场的强度而变成感应电场的方向，由此改变LCD设备的光透射率。因而，LCD设备通过改变感应电场的强度而显示图像。
利用垂直感应电场而工作的LCD设备具有不能获得宽视角的缺点。为了获得宽视角，提出了IPS-LCD(共面切换模式LCD)设备。IPS-LCD设备通过共面电场工作。
图1是示出根据相关技术的IPS-LCD设备的视图。
参考图1，LCD设备包括被称为阵列基板的下基板10、被称为滤色基板的上基板9以及这两个基板9和10之间的液晶层11。公共电极30和像素电极17形成在下基板10上且感应共面电场L，并且液晶层11的液晶分子通过该共面电场L而工作。
图2A和2B是示出了根据相关技术分别处于关闭状态和打开状态的LCD设备的视图。
参考图2A和2B，当关闭状态变为打开状态时，在公共电极17和像素电极30之间感应共面电场L。尽管公共电极17和像素电极30上的液晶分子11a的取向不变，但是公共电极17和像素电极30之间的液晶分子11b的取向根据共面电场L而改变。因为根据共面电场排列液晶分子，可获得宽视角。
图3是示出根据相关技术的IPS-LCD设备的阵列基板的平面图，且图4是沿着图3的IV-IV线提取的截面图。
参考图3和图4，阵列基板包括在基板40上彼此交叉以限定像素区域P的选通线43和数据线60。公共线47与选通线43隔开。
薄膜晶体管Tr位于选通线43和数据线60的交叉处的开关区域TrA中。薄膜晶体管Tr包括栅极45、半导体层51以及源极53和漏极55。
在像素区域P中，多个像素电极70a和70b以及多个公共电极49a和49b交替设置。像素电极70a和70b连接到连接图案69，且该连接图案69连接到漏极55。公共电极49a和49b连接到公共线47。
使用五道掩模工序制造阵列基板。例如，在第一掩模工序中在基板40上沉积第一金属材料并对其构图以形成栅极45、选通线43、公共电极49a和49b以及公共线47。在具有栅极45的基板40上形成栅绝缘层50。
在第二掩模工序中在栅绝缘层50上顺序形成本征非晶硅(a-Si)层和掺杂非晶硅层并对其构图以形成半导体层51。半导体层51包括由本征非晶硅制成的有源层51a和由掺杂非晶硅制成的欧姆接触层51b。
在第三掩模工序中在具有半导体层51的基板40上沉积第二金属材料并对其构图以形成源极53和漏极55以及数据线60。去除源极53和漏极55之间的欧姆接触层51b。
在第四掩模工序中在具有源极53和漏极55的基板40上形成钝化层65并对其构图以形成露出漏极55的漏接触孔67。
在第五掩模工序中在钝化层65上沉积透明导电材料并对其构图以形成像素电极70a和70b。
通过上述五道掩模工序，制造了阵列基板。然而，因为随着掩模工序的增加，生产时间和成本也增加，因此需要减少掩模工序的数量。
图5是示出根据相关技术使用四道掩模工序制造的IPS-LCD设备的阵列基板。
参考图5，与图4相比，减少了一道掩模工序。即，在与形成半导体层79相同的掩模工序中形成源极84和漏极86以及数据线82。因此，在数据线82下面形成具有与半导体层79相同的层叠结构的半导体图案80。半导体层79包括由本征非晶硅制成的有源层79a和由掺杂非晶硅制成的欧姆接触层79b，且以相同的方式，半导体图案80包括由本征非晶硅制成的第一图案80a和由掺杂非晶硅制成的第二图案80b。在与开关区域TrA中形成栅极77相同的工序中形成公共电极75a和75b，且源极84和漏极86接触欧姆接触层79b。连接图案90通过钝化层88中的漏接触孔接触漏极86，且像素电极91a和91b连接到连接图案90。栅绝缘层78位于栅极77上。
因为有源层79a突出到欧姆接触层79b的外面且第一图案80a突出到第二图案80b的外面，薄膜晶体管Tr的光电流增加且因而截止电流也增加。而且，因为第一图案80a突出到第二图案80b的外面，当背光打开或关闭时，产生波动噪声，且孔径比下降。因此，在相关技术的IPS-LCD设备中，显示质量降低。
发明内容
因此，本发明涉及一种液晶显示设备及其制造方法，其能够基本上克服因相关技术的局限和缺点带来的一个或多个问题。
本发明的优点是提供一种能够改善显示质量的液晶显示设备及其制造方法。
本发明的附加特征和优点将在下面的描述中描述且将从描述中部分地显现，或者可以通过本发明的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的这些和其他优点。
为了实现这些和其它优点，按照本发明的目的，作为具体和广义的描述，本发明提供一种液晶显示设备的制造方法，该方法包括：在基板上形成选通线、栅极、位于所述选通线的端部的栅焊盘电极、以及公共线；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成蚀刻阻止层；在所述有源层上形成彼此隔开的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，并且形成与其下面的所述栅绝缘层接触的掺杂非晶硅图案，所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的外侧位于所述有源层之外；形成与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线、位于所述数据线的端部的数据焊盘电极、以及分别位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层上的源极和漏极；在所述像素区域中形成像素电极和公共电极以感应共面电场；以及在所述栅焊盘电极上形成栅焊盘端子电极，其中所述数据线、像素电极和公共电极的至少其中之一与其下的所述掺杂非晶硅图案接触。
在另一方面中，一种液晶显示设备包括：基板上的选通线、栅极、位于选通线的端部的栅焊盘电极、以及公共线；位于所述栅极上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的有源层；位于所述有源层上的蚀刻阻止层；位于所述有源层上的彼此隔开的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层以及与其下的栅绝缘层接触的掺杂非晶硅图案，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的外侧位于所述有源层之外；与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线、位于所述数据线的端部的数据焊盘电极、以及分别位于所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层上的源极和漏极；位于所述像素区域中、用以感应共面电场的像素电极和公共电极；以及位于所述栅焊盘电极上的栅焊盘端子电极，其中所述数据线、所述像素电极和所述公共电极的至少其中之一与其下的掺杂非晶硅图案接触。
应当理解上述一般描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，且旨在提供如权利要求限定的本发明实施方式的进一步解释。
附图说明
附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。
附图中：
图1是示出根据相关技术的IPS-LCD设备的视图；
图2A和2B是示出根据相关技术分别处于关闭状态和打开状态的LCD设备的视图；
图3是示出根据相关技术的IPS-LCD设备的阵列基板的平面图；
图4是沿着图3的IV-IV线提取的截面图；
图5是示出根据相关技术使用四道掩模工序制造的IPS-LCD设备的阵列基板的视图；
图6是示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的平面图；
图7A是示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板沿着图6的VII-VII线提取的截面图；
图8A和9A是分别示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的栅焊盘和数据焊盘的截面图；
图7B、8B和9B是示出根据本发明的第二实施方式的阵列基板的截面图；
图10A至10K是沿着图6的VII-VII线提取的示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的一部分的制造工艺的截面图；
图11A至11K是示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的栅焊盘部分的制造工艺的截面图；以及
图12A至12K是示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的数据焊盘部分的制造工艺的截面图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施方式，在附图中示例出了其示例。
图6是示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的平面图。
参考图6，在根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板中，栅线103和数据线135在基板101上彼此交叉以限定像素区域。公共线106与选通线103隔开并与之平行。
薄膜晶体管Tr位于选通线103和数据线135的交叉处。薄膜晶体管Tr包括栅极108、半导体层以及源极140和漏极143。薄膜晶体管Tr可具有各种结构。例如，源极140可从数据线135突出，且栅极108可从选通线103突出。或者，源极140可为U形，且漏极143可***到U形源极140的内部空间中。
多个像素电极150和多个公共电极147在像素区域中交替地设置。像素电极150连接到漏极143，且公共电极147连接到公共线106。公共电极147可通过公共接触孔117接触公共线106。像素电极150的一端可连接到连接部153。连接部153可与选通线103交叠以形成存储电容器StgC。或者，连接部153可与公共线106交叠以形成存储电容器。尽管在图中未示出，可在选通线103的端部形成栅焊盘，且可在数据线135的端部形成数据焊盘。栅焊盘和数据焊盘可连接到驱动电路以接受选通信号和数据信号。
图7A是根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板沿着图6的VII-VII线提取的截面图。
参考图6和7A，栅极108形成在基板101上的开关区域TrA中。栅绝缘层116形成在具有栅极108的基板101上。由本征非晶硅制成的有源层121形成在栅绝缘层116上且对应于栅极108。有源层121可位于栅极108的轮廓中。蚀刻阻止层127形成在有源层121上。蚀刻阻止层127可露出有源层121的两侧且由无机绝缘材料制成。欧姆接触层129可形成在蚀刻阻止层127、有源层121和栅绝缘层116上。欧姆接触层129可与蚀刻阻止层127的两侧交叠且覆盖有源层121的露出部分。半导体层132包括有源层121和欧姆接触层129。
源极140和漏极143形成在欧姆接触层129上。源极140和漏极143可具有至少两层，例如，形成双层结构。
选通线103可由与公共线106相同的材料形成。栅绝缘层116形成在选通线103和公共线106上。栅绝缘层116可具有露出公共线106的多个公共接触孔117。
多个像素电极150和多个公共电极147形成在栅绝缘层116上。像素电极150可由与公共电极147相同的材料形成。像素电极150连接到漏极143，且公共电极147通过公共接触孔117连接到公共线106。掺杂非晶硅图案130可在像素电极150和公共电极147下面且沿着像素电极150和公共电极147形成。掺杂非晶硅图案130可具有与位于掺杂非晶硅图案130上的像素电极150或公共电极147基本相同的平面形状。掺杂非晶硅图案130可在数据线135下面且沿着数据线135形成，并且具有与数据线135基本相同的平面形状。
在存储区域StgA中，可形成存储电容器StgC。存储电容器StgC可包括作为选通线103的一部分的第一存储电极和与选通线103交叠的连接部153的第二存储电极，且栅绝缘层116位于第一和第二存储电极之间。掺杂非晶硅图案130可在连接部153下面且沿着连接部153形成，且具有与连接部153基本相同的平面形状。
图8A和9A是分别示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的栅焊盘和数据焊盘的截面图。
参考图8A和9A，在栅焊盘区域GPA中，在基板101上形成栅焊盘电极111。栅焊盘电极111可位于选通线(图6和7A中的103)的端部。栅绝缘层116可具有露出栅焊盘电极111的栅焊盘接触孔118。栅焊盘端子电极159通过栅焊盘接触孔118电连接到栅焊盘电极111。掺杂非晶硅图案130可位于栅焊盘端子电极159之下且具有与栅焊盘端子电极159基本相同的平面形状。
在数据焊盘区域DPA中，在栅绝缘层116上形成数据焊盘电极156。数据焊盘电极156可位于数据线(图6和7A的135)的端部。掺杂非晶硅图案130可位于数据焊盘电极156之下且具有与数据焊盘电极156基本相同的平面形状。
参考7A、8A和9A，在实施方式的第一示例的阵列基板中，像素电极150、公共电极147、连接部153、栅焊盘端子电极159和数据焊盘电极156可具有单层结构，且掺杂非晶硅图案130可形成在像素电极150、公共电极147、连接部153、栅焊盘端子电极159和数据焊盘电极156之下。源极140、漏极143和数据线135可具有双层结构。例如，源极140可具有第一层140a和第二层140b，漏极143可具有第一层143a和第二层143b，且数据线135可具有第一层135a和第二层135b。源极140、漏极143和数据线135的第二层140b、143b和135b可由包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)和铝合金的低电阻材料形成。因此，可将沿着数据线135施加到像素的数据信号的压降减至最小。像素电极150，公共电极147，连接部153，栅焊盘端子电极159，数据焊盘电极156，以及源极140、漏极143和数据线135的第一层140a、143a和135a可由包括钼(Mo)和钼合金的金属材料形成。
低电阻材料易受腐蚀影响。因此，对于栅焊盘和数据焊盘，可去除由低电阻材料制成的金属层，且栅焊盘端子电极159和数据焊盘电极156可不具有由低电阻材料制成的层。而且，像素电极150和公共电极147可不具有由低电阻材料制成的层，从而可使像素电极150和公共电极147与栅绝缘层116之间的阶差减至最小。
图7B、8B和9B是示出根据本发明的第二实施方式的阵列基板的截面图。图7B、8B和9B分别对应于图7A、8A和9A。除了源极和漏极、数据线、像素电极、公共电极、公共线、连接部、栅焊盘端子电极和数据焊盘电极的层叠结构之外，图7B、8B和9B的阵列基板与图7A、8A和9A的阵列基板类似。因而可省略与图7A、8A和9A的部件类似的部件的解释。
源极240、漏极243和数据线235可具有三层结构，且像素电极250、公共电极247、连接部253、栅焊盘端子电极259以及数据焊盘电极256可具有双层结构。
源极240、漏极243、数据线235、像素电极250、公共电极247、连接部253、栅焊盘端子电极259和数据焊盘电极256的第一层240a、243a、235a、250a、247a、253a、259a和256a可具有约30～60
Figure A200810166572D0014142632QIETU
的厚度且由诸如钼(Mo)和钼合金的金属材料形成。源极240、漏极243、数据线235、像素电极250、公共电极247、连接部253、栅焊盘端子电极259和数据焊盘电极256的第二层240b、243b、235b、250b、247b、253b、259b和256b可由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)这样的透明导电材料形成。源极240、漏极243和数据线235的第三层240c、243c和235c可由诸如铜(Cu)、铜合金、铝(Al)和铝合金的低电阻材料形成。
对于栅焊盘和数据焊盘，可去除由低电阻材料制成的金属层，且栅焊盘端子电极159和数据焊盘电极156可具有由耐腐蚀的透明导电材料形成的顶层。因此，可避免焊盘受到腐蚀。
下面将解释根据本发明的实施方式的IPS-LCD设备的制造方法。如上所述，因为除了层叠结构之外，第一实施方式的阵列基板与第二实施方式的阵列基板类似，所以将一起解释根据第一和第二实施方式的IPS-LCD设备的制造方法。
图10A至10K是沿着图6的VII-VII线提取的示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的一部分的制造工艺的截面图，图11A至11K是示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的栅焊盘部分的制造工艺的截面图，且图12A至12K是示出根据本发明的第一实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板的数据焊盘部分的制造工艺的截面图。
参考图10A、11A和12A，在基板101上沉积第一金属材料并使用第一掩模(未示出)对其构图以形成选通线103、公共线106、栅极108和栅焊盘电极111。在开关区域TrA中形成栅极108，且在栅焊盘区域GPA中形成栅焊盘电极111。第一金属材料可包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金以及铬(Cr)。
参考图10B、11B和12B，在具有选通线103的基板101上顺序形成栅绝缘层116、本征非晶硅层120和第一绝缘层125。栅绝缘层116可由氮化硅和氧化硅的至少其中之一形成。第一绝缘层125可由氮化硅和氧化硅的至少其中之一形成。
在第一绝缘层125上形成第一光刻胶层180。第一光刻胶层180可以是正型的。第二掩模191位于第一光刻胶层180上且具有阻挡部分BA、第一和第二半透射部分HTA1和HTA2以及透射部分TA。使用第二掩模191对第一光刻胶层180执行曝光。透过第一和第二半透射部分HTA1和HTA2的光透射率介于透过阻挡部分BA的光透射率和透过透射部分TA的光透射率之间，且透过第一半透射部分HTA1的光透射率小于透过第二半透射部分HTA2的光透射率。
第二掩模191可具有基本基板193和位于基本基板193的表面上的半透射层195。基本基板193可具有阻挡区域B、半透射区域S以及透射区域T。阻挡区域B对应于阻挡部分BA，半透射区域S对应于第一半透射部分HTA1，且透射区域T对应于第二半透射部分HTA2和透射部分TA。阻挡区域B可包括金属膜以阻挡光，且半透射区域S可包括狭缝图案以半透射光。透射区域T是透明的以透射光。半透射层195可对应于第一和第二半透射部分HTA1和HTA2。而且，半透射层195可形成为与阻挡部分BA相对应。半透射层195具有对应于透射部分TA的通孔H以透射光。
半透射层195可包括半色调膜以半透射光。经过第一半透射部分HTA1的光被双重半透射，而经过第二半透射部分HTA2的光被单重半透射。因此，透过第一半透射部分HTA1的光透射率小于透过第二半透射部分HTA2的光透射率。应当理解，可以按与图10B、11B和12B所示的方式不同的各种方式形成第二掩模191。
当使用负型光刻胶层183时，阻挡部分BA与透射部分TA交换位置，并且第一半透射部分HTA1与第二半透射部分HTA2交换位置。
参考图10C、11C和12C，通过曝光，第一光刻胶层(图10B、11B和12B的180)被显影。被显影的第一光刻胶层包括具有第一厚度的第一光刻胶部分180a、具有第二厚度的第二光刻胶部分180b以及具有第三厚度的第三光刻胶部分180c。第一光刻胶部分180a对应于阻挡部分(图10的BA)，第二光刻胶部分180b对应于第一半透射部分(图10B的HTA1)，且第三光刻胶部分180c对应于第二半透射部分(图10B、11B和12B的HTA2)。第一光刻胶层的去除部分对应于透射部分(图10B和11B的TA)。
第一光刻胶部分180a和第二光刻胶部分180b形成在开关区域TrA中，且两个第二光刻胶部分180b位于第一光刻胶部分180a的两侧。因为当第一光刻胶层是正型时第二光刻胶部分180b比第一光刻胶部分180a更多地曝光，因而第一厚度大于第二厚度。第一厚度与第一光刻胶层的原始厚度基本相同。
被去除的部分形成在公共线106的至少一部分和栅焊盘电极111的至少一部分上。可在像素区域P中除了第一和第二光刻胶部分180a和180b的区域以及被去除部分的区域之外的区域中、栅焊盘区域GPA中除了被去除部分的区域之外的区域中、以及数据焊盘区域DPA中形成第三光刻胶部分180c。因为当光刻胶是正型时第三光刻胶部分180c比第二光刻胶部分180b更多地曝光，因而第二厚度大于第三厚度。
使用显影后的第一光刻胶层对第一绝缘层125、本征非晶硅层120和栅绝缘层116执行蚀刻工序以形成公共接触孔117和栅焊盘接触孔118。公共接触孔117和栅焊盘接触孔118对应于被去除部分。
然后，参考图10D、11D和12D，对显影后的第一光刻胶层执行第一灰化工序直到完全去除第三光刻胶部分(图10C、11C和12C的180c)为止。在第一灰化工序中，部分地去除第一和第二光刻胶部分180a和180b，使得第一和第二光刻胶层部分180a和180b的厚度减小。通过第一灰化工序，具有第一灰化的第一和第二光刻胶部分180a和180b的第一灰化的第一光刻胶层保留下来，且第三光刻胶部分下面的第一绝缘层(图10C、11C和12C的125)被露出。然后，通过例如干刻工序的蚀刻工序去除第三光刻胶部分下的第一绝缘层和本征非晶硅层(图10C、11C和12C的120)。在该蚀刻工序之后，第一灰化的第一和第二部分180a和180b下面的第一绝缘层和本征非晶硅保留下来。保留的非晶硅层被称为有源层121，且保留的第一绝缘层被称为第一绝缘图案126。
参考图10E、11E和12E，对第一灰化的第一光刻胶层执行第二灰化工序，直到完全去除第一灰化的第二光刻胶部分(图10D的180b)为止。在第二灰化工序中，部分地去除第一灰化的第一光刻胶部分180a，从而进一步减小第一光刻胶部分180a的厚度。通过第二灰化工序，第二灰化的第一光刻胶部分180a保留下来，且第一灰化的第二光刻胶部分下面的第一绝缘图案(图10D的126)被露出。然后，通过例如干刻工序的蚀刻工序去除第一绝缘图案126。在该蚀刻工序之后，第二灰化的第一光刻胶部分180a下面的第一绝缘图案保留下来，且有源层121的两边部分被露出。保留的第一绝缘图案被称为蚀刻阻止层127。然后，例如，通过灰化工序或剥离工序去除第二灰化的第一光刻胶层。
参考图10F、11F和12F，顺序形成掺杂非晶硅层128、第二金属层132和第三金属层133。第二金属层132可由钼(Mo)和钼合金的至少其中一种形成。第三金属层133可由包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)和铝合金的低电阻材料形成。
尽管在图中未示出，当制造根据第二实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板时，在第三金属层133上形成第四金属层。对于这种结构，第三金属层可由包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电材料形成，且第四金属层可由包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)和铝合金的低电阻材料形成。
在第一实施方式的第三金属层133或第二实施方式的第四金属层上形成第二光刻胶层183。使用包括阻挡部分BA、半透射部分HTA和透射部分TA的第三掩模192对第二光刻胶层183进行曝光。透过半透射部分HTA的光透射率介于透过阻挡部分BA的光透射率和透过透射部分TA的光透射率之间。第二光刻胶层183可以是正型的。可选地，光刻胶层183可以是负型的，且当使用负型光刻胶层183时，阻挡部分BA与透射部分TA交换位置。
参考图10G、11G和12G，通过曝光，对第二光刻胶层(图10F、11F和12F的183)进行显影。显影后的第二光刻胶层包括具有第四厚度的第四光刻胶部分183a和具有第五厚度的第五光刻胶部分183b。第四光刻胶部分183a对应于阻挡部分(图10F的BA)，且第五光刻胶部分183b对应于半透射部分(图10F、11F和12F的HTA)。第二光刻胶层的被去除部分对应于透射部分(图10F、11F和12F的TA)。
在形成有源极、漏极和数据线的区域中形成第四光刻胶部分183a。在形成有连接部的存储区域StgA以及形成有像素电极、公共电极、栅焊盘端子电极和数据焊盘电极的区域中形成第五光刻胶部分183b。因为当光刻胶层是正型时第五光刻胶部分183b比第四光刻胶部分183a更多地曝光，因而第四厚度大于第五厚度。第四厚度与第二光刻胶层的原始厚度基本相同。
第二光刻胶层的被去除部分可形成在像素区域P中除了第四和第五光刻胶部分183a和183b的区域之外的区域中、栅焊盘区域GPA中除了第五光刻胶部分183b的区域之外的区域中、以及数据焊盘区域DPA中除了第五光刻胶部分183b的区域之外的区域中。
参考图10H、11H和12H，使用显影后的第二光刻胶层，对第三金属层(图10G、11G和12G的133)、第二金属层(图10G、11G和12G的132)和掺杂非晶硅层(图10G、11G和12G的128)执行蚀刻工序。通过该蚀刻工序，在开关区域TrA中形成彼此隔开的欧姆接触层129。欧姆接触层129的内侧在蚀刻阻止层127上彼此相对。而且，形成彼此隔开的源极140和漏极143，且形成与选通线103交叉以限定像素区域P的数据线135。源极140包括分别由第二和第三金属材料形成的第一层140a和第二层140b。漏极143包括分别由第二和第三金属材料形成的第一层143a和第二层143b。数据线135包括分别由第二和第三金属材料形成的第一层135a和第二层135b。如上所述，对于根据第二实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板，源极、漏极(图7B的240和243)和数据线(图7B的235)具有三层结构。
而且，还形成金属图案。换句话说，在像素区域P中形成像素电极150和公共电极147，在存储区域StgA中形成连接部153，在栅焊盘区域GPA中形成栅焊盘端子电极159，且在数据焊盘区域DPA中形成数据焊盘电极156。像素电极150包括分别由第二和第三金属材料形成的第一层150a和第二层150b。公共电极147包括分别由第二和第三金属材料形成的第一层147a和第二层147b。连接部153包括分别由第二和第三金属材料形成的第一层153a和第二层153b。栅焊盘端子电极159包括分别由第二和第三金属材料形成的第一层159a和第二层159b。数据焊盘电极156包括分别由第二和第三金属材料形成的第一层156a和第二层156b。对于根据第二实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板，通过本蚀刻工序，像素电极、公共电极、连接部、栅焊盘端子电极和数据焊盘电极均具有三层结构。掺杂非晶硅图案130位于像素电极150、公共电极147、数据线135、连接部153、栅焊盘端子电极159和数据焊盘电极156的下面。位于数据线135下面的掺杂非晶硅图案130与位于源极140下面的欧姆接触层129相连。公共电极147通过掺杂非晶硅图案130电连接到公共线106，该掺杂非晶硅图案130通过公共接触孔117与公共线106接触。栅焊盘端子电极159通过掺杂非晶硅图案130电连接到栅焊盘电极111，该掺杂非晶硅图案130通过栅焊盘接触孔118与栅焊盘电极111接触。
参考图10I、11I和12I，对显影后的第二光刻胶层执行灰化工序直到完全去除第五光刻胶部分(图10H、11H和12H的183b)为止。在该灰化工序中，部分地去除第四光刻胶部分183a，使得第四光刻胶部分183a的厚度减小。通过该灰化工序，具有灰化的第四光刻胶部分183a的灰化的第二光刻胶层保留下来。因此，像素电极150、公共电极147、连接部153、栅焊盘端子电极159和数据焊盘电极156的顶层被露出，而源极140、漏极143、以及数据线135未被露出，且其顶面被第一灰化的第四光刻胶部分183a覆盖。
参考图10J、11J和12J，对灰化的第四光刻胶部分(图10I、11I和12I的183a)执行热处理，使得灰化的第四光刻胶部分回流(reflow)且完全覆盖薄膜晶体管Tr和数据线135。换句话说，回流的第四光刻胶部分183c完全覆盖源极140、漏极143、数据线135、欧姆接触层129、数据线135下面的掺杂非晶硅图案130、以及蚀刻阻止层127。
然后，执行蚀刻工序以去除像素电极150、公共电极147、连接部153、栅焊盘端子电极159和数据焊盘电极156的第二层(图10I、11I和12I的150b、147b、153b、159b和156b)。因此，像素电极150、公共电极147、连接部153、栅焊盘端子电极159和数据焊盘电极156均具有单层结构。对于根据第二实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板，去除像素电极、公共电极、连接部、栅焊盘端子电极和数据焊盘电极的第三层，且像素电极、公共电极、连接部、栅焊盘端子电极和数据焊盘电极均具有如图7B、8B和9B所示的双层结构。
因为数据线135及其下面的掺杂非晶硅图案130被回流的第四光刻胶部分183c完全覆盖，数据线135及其下面的掺杂非晶硅图案130未被蚀刻且具有基本相同的平面形状。在数据线135下面不存在相关技术的本征非晶硅图案。因此，可防止波动噪声且可增大孔径比。而且，因为源极140和漏极143及其下面的欧姆接触层129被回流的第四部分183c完全覆盖，它们未被蚀刻且具有相同的平面形状。有源层121位于栅极108的轮廓内，未突出到欧姆接触层129的外部，且不在数据线135的下面延伸。因此，可使光电流降至最小且可减小截止电流。
参考图10K、11K和12K，例如通过灰化工序或剥离工序去除回流的第四部分(图10K的183c)。
通过上述工序，制造了根据本发明的实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板。而且，阵列基板被粘接到例如滤色基板的相对基板，从而制造根据本发明的实施方式的IPS-LCD设备。
在上述实施方式中，连接部具有与像素电极和公共电极相同的层叠结构。可选地，连接部可具有与源极和漏极相同的层叠结构，为此，可按与形成源极和漏极相同的方式形成连接部。
如上所述，可通过三道掩模工序制造根据实施方式的IPS-LCD设备的阵列基板。因此，可减少掩模工序的数量并降低生产成本。而且，不在数据线下面形成本征非晶硅图案。因此，可防止波动噪声且增大孔径比。而且，有源层位于栅极的轮廓内且不突出到欧姆接触层的外部。因此，可使光电流减至最小且可减小截止电流。
对于本领域技术人员而言很明显，在不偏离本发明的精神或范围的条件下，可对本发明做出各种修改和变型。因而，本发明涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的修改和变型。

Claims (18)

1.一种液晶显示设备的制造方法，该方法包括：
在基板上形成选通线、栅极、位于所述选通线的端部的栅焊盘电极、以及公共线；
在所述栅极上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成蚀刻阻止层；
在所述有源层上形成彼此隔开的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，并且形成与下面的所述栅绝缘层接触的掺杂非晶硅图案，所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的外侧位于所述有源层之外；
形成与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线、位于所述数据线的端部的数据焊盘电极、以及分别位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层上的源极和漏极；
在所述像素区域中形成像素电极和公共电极以感应共面电场；以及
在所述栅焊盘电极上形成栅焊盘端子电极，
其中所述数据线、像素电极和公共电极的至少其中之一与其下面的所述掺杂非晶硅图案接触。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述像素电极、公共电极、栅焊盘端子电极、数据焊盘电极的至少其中之一具有至少一层，且其中所述数据线、源极和漏极的至少其中之一具有所述至少一层和位于所述至少一层上的另一层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述有源层和所述蚀刻阻止层的步骤包括：
顺序沉积本征非晶硅层、绝缘层和第一光刻胶层；
使用包括透射部分、第一半透射部分、第二半透射部分、以及阻挡部分的掩模对所述第一光刻胶层进行曝光；
对所述第一光刻胶层进行显影以形成分别对应于所述阻挡部分、第一半透射部分、第二半透射部分的第一至第三光刻胶部分，其中所述第一光刻胶部分比所述第二光刻胶部分厚，且所述第二光刻胶部分比所述第三光刻胶部分厚，且其中所述第一光刻胶层的对应于所述透射部分的部分被去除；
使用显影后的第一光刻胶层对所述绝缘层、所述本征非晶硅层和所述栅绝缘层进行第一蚀刻，以形成露出所述公共线的公共接触孔和露出所述栅焊盘电极的栅焊盘接触孔；
对显影后的第一光刻胶层进行第一灰化以去除所述第三光刻胶部分；
使用所述第一灰化的第一光刻胶层对所述第一蚀刻后的绝缘层和本征非晶硅层进行第二蚀刻，以形成所述第一灰化的第一光刻胶部分和所述第一灰化的第二光刻胶部分下面的有源层；
对所述第一灰化的第一光刻胶层进行第二灰化以去除所述第一灰化的第二光刻胶部分；
使用所述第二灰化的第一光刻胶层对所述第二蚀刻的绝缘层进行第三蚀刻，以形成所述第二灰化的第一光刻胶部分下面的蚀刻阻止层；以及
去除所述第二灰化的第一光刻胶部分，
其中所述公共电极通过所述公共接触孔电连接到所述公共线，且所述栅焊盘端子电极通过所述栅焊盘接触孔电连接到所述栅焊盘电极。
4.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、掺杂非晶硅图案、源极、漏极、数据线、像素电极、公共电极、栅焊盘端子电极、以及数据焊盘电极的步骤包括：
顺序沉积掺杂非晶硅层、至少两个金属层、以及第二光刻胶层；
使用包括透射部分、半透射部分和阻挡部分的掩模对所述第二光刻胶层进行曝光；
对所述第二光刻胶层进行显影，以形成分别对应于所述阻挡部分和所述半透射部分的第四光刻胶部分和第五光刻胶部分，其中所述第四光刻胶部分比所述第五光刻胶部分厚，且其中所述第二光刻胶层的对应于所述透射部分的部分被去除；
使用显影后的第二光刻胶层对所述至少两个金属层和所述掺杂非晶硅层进行蚀刻，以形成所述第四光刻胶部分下面的源极、漏极和数据线，所述第五光刻胶部分下面的金属图案，所述源极和漏极下面的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，以及所述数据线和所述金属图案下面的掺杂非晶硅图案；
对所述显影后的第二光刻胶层进行灰化以去除所述第五光刻胶部分；
使用所述灰化的第四光刻胶部分去除所述金属图案的顶层以形成所述像素电极、所述公共电极、所述栅焊盘端子电极和所述数据焊盘电极；以及
去除所述灰化的第四光刻胶部分。
5.根据权利要求4所述的方法，该方法还包括在去除所述金属图案的顶层之前，加热所述灰化的第四光刻胶部分以覆盖所述数据线、所述源极、所述漏极、所述第一欧姆接触层、所述第二欧姆接触层、以及所述数据线下面的掺杂非晶硅图案。
6.根据权利要求4所述的方法，该方法还包括在形成所述像素电极的同一工序中形成连接部，其中所述连接部与所述栅线交叠且连接到所述像素电极。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少两个金属层是具有顺序沉积的第一层和第二层的两个金属层，所述第一层由钼和钼合金的至少其中一种形成，且所述第二层由铜、铜合金、铝和铝合金的至少其中一种形成。
8.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少两个金属层是具有顺序沉积的第一至第三层的三个金属层，所述第一层由钼和钼合金的至少其中一种形成，所述第二层由氧化铟锡、氧化铟锌和氧化铟锡锌的至少其中一种形成，且所述第三层由铜、铜合金、铝和铝合金的至少其中一种形成。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一层具有约30
Figure A200810166572C0004160614QIETU
～60
Figure A200810166572C0004160614QIETU
的厚度。
10.一种液晶显示设备，该液晶显示设备包括：
基板上的选通线、栅极、位于选通线的端部的栅焊盘电极、以及公共线；
位于所述栅极上的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的有源层；
位于所述有源层上的蚀刻阻止层；
位于所述有源层上的彼此隔开的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层以及与其下面的栅绝缘层接触的掺杂非晶硅图案，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的外侧位于所述有源层之外；
与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线、位于所述数据线的端部的数据焊盘电极、以及分别位于所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层上的源极和漏极；
位于所述像素区域中、用以感应共面电场的像素电极和公共电极；以及
位于所述栅焊盘电极上的栅焊盘端子电极，
其中所述数据线、所述像素电极和所述公共电极的至少其中之一与其下的掺杂非晶硅图案接触。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述像素电极、所述公共电极、所述栅焊盘端子电极、所述数据焊盘电极的至少其中之一具有至少一层，且其中所述数据线、所述源极和所述漏极的至少其中之一具有所述至少一层和位于所述至少一层上的另一层。
12.根据权利要求10所述的设备，其中所述栅绝缘层包括公共接触孔和栅焊盘接触孔，通过该公共接触孔，所述公共电极电连接到所述公共线，通过该栅焊盘接触孔，所述栅焊盘端子电极电连接到所述栅焊盘电极。
13.根据权利要求10所述的设备，其中所述有源层位于所述栅极的轮廓内。
14.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层具有与所述源极和所述漏极相同的平面形状，且所述掺杂非晶硅图案具有与其上的所述数据线、所述像素电极、所述公共电极、所述栅焊盘端子电极和所述数据焊盘电极相同的平面形状。
15.根据权利要求10所述的设备，该设备还包括由与所述像素电极相同的材料形成的连接部，该连接部与所述选通线交叠且连接到所述像素电极。
16.根据权利要求11所述的设备，其中所述至少一层是一层，所述一层由钼和钼合金的至少其中一种形成，且所述另一层由铜、铜合金、铝和铝合金的至少其中一种形成。
17.根据权利要求11所述的设备，其中所述至少一层是具有第一层和位于所述第一层上的第二层的双层，所述第一层由钼和钼合金的至少其中一种形成，所述第二层由氧化铟锡、氧化铟锌和氧化铟锡锌的至少其中一种形成，且所述另一层由铜、铜合金、铝和铝合金的至少其中一种形成。
18.根据权利要求17所述的设备，其中所述第一层具有约30
Figure A200810166572C0004160614QIETU
～60
Figure A200810166572C0004160614QIETU
的厚度。
CN2008101665721A 2007-10-17 2008-10-17 液晶显示设备及其制造方法 Expired - Fee Related CN101414085B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070104784A KR101058461B1 (ko) 2007-10-17 2007-10-17 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR1020070104784 2007-10-17
KR10-2007-0104784 2007-10-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101414085A true CN101414085A (zh) 2009-04-22
CN101414085B CN101414085B (zh) 2010-10-13

Family

ID=40562562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101665721A Expired - Fee Related CN101414085B (zh) 2007-10-17 2008-10-17 液晶显示设备及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7807486B2 (zh)
KR (1) KR101058461B1 (zh)
CN (1) CN101414085B (zh)
TW (1) TWI415195B (zh)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102109721A (zh) * 2010-11-22 2011-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器的像素阵列制造方法
CN102569307A (zh) * 2010-12-06 2012-07-11 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN102654703A (zh) * 2012-03-31 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、以及显示设备
CN102779783A (zh) * 2012-06-04 2012-11-14 北京京东方光电科技有限公司 一种像素结构及其制造方法、显示装置
CN102983103A (zh) * 2012-12-10 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置
CN103293804A (zh) * 2012-02-24 2013-09-11 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN103531591A (zh) * 2012-07-06 2014-01-22 乐金显示有限公司 具有金属氧化物的薄膜晶体管基板及其制造方法
CN103928455A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 上海天马微电子有限公司 一种tft阵列基板及其制造方法
CN104022078A (zh) * 2014-05-29 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法
WO2015067069A1 (zh) * 2013-11-05 2015-05-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法及通孔的制作方法
CN104656330A (zh) * 2013-11-20 2015-05-27 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN107402482A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 三星显示有限公司 具有改善的可制造性的显示基板
CN109148303A (zh) * 2018-07-23 2019-01-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管的制备方法
WO2019100494A1 (zh) * 2017-11-22 2019-05-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Ips型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080060861A (ko) * 2006-12-27 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
JP5424724B2 (ja) 2009-06-04 2014-02-26 富士フイルム株式会社 電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器
US8854583B2 (en) * 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
CN101957515A (zh) * 2010-09-04 2011-01-26 福建华映显示科技有限公司 半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法
CN102629585B (zh) * 2011-11-17 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法
US9366922B2 (en) * 2012-02-07 2016-06-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin film transistor array and method for manufacturing the same
CN102544029A (zh) * 2012-02-07 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN103777793B (zh) * 2012-10-17 2017-05-31 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板及其制备方法
TWI691084B (zh) * 2012-10-24 2020-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN103137558B (zh) * 2013-02-06 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 一种tn型阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102040812B1 (ko) * 2013-02-12 2019-11-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102080065B1 (ko) 2013-04-30 2020-04-07 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR102094841B1 (ko) * 2013-05-16 2020-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103928470B (zh) * 2013-06-24 2017-06-13 上海天马微电子有限公司 一种氧化物半导体tft阵列基板及其制造方法
KR102130139B1 (ko) 2013-07-30 2020-07-03 엘지디스플레이 주식회사 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
TWI545734B (zh) * 2014-03-12 2016-08-11 友達光電股份有限公司 畫素結構與其製造方法
CN104749845A (zh) * 2015-04-17 2015-07-01 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105629598B (zh) * 2016-03-11 2018-12-11 深圳市华星光电技术有限公司 Ffs模式的阵列基板及制作方法
KR102682193B1 (ko) * 2016-12-28 2024-07-04 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치
CN108803159B (zh) * 2018-05-24 2020-06-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板
US10852591B2 (en) * 2018-06-29 2020-12-01 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4943589B2 (ja) * 2001-04-26 2012-05-30 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー 液晶表示装置の製造方法
US7045373B2 (en) * 2001-09-25 2006-05-16 Hannstar Display Corp. Manufacturing method for in-plane switching mode LCD unit with fewer masking process
KR100919199B1 (ko) * 2002-12-31 2009-09-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
JP4385993B2 (ja) * 2005-05-10 2009-12-16 三菱電機株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4543013B2 (ja) * 2005-06-29 2010-09-15 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置及びその製造方法
KR20080060861A (ko) * 2006-12-27 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012068754A1 (zh) * 2010-11-22 2012-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器的像素阵列制造方法
CN102109721A (zh) * 2010-11-22 2011-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器的像素阵列制造方法
CN102109721B (zh) * 2010-11-22 2013-04-24 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器的像素阵列制造方法
CN102569307A (zh) * 2010-12-06 2012-07-11 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN102569307B (zh) * 2010-12-06 2014-12-03 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN103293804A (zh) * 2012-02-24 2013-09-11 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN103293804B (zh) * 2012-02-24 2016-03-30 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN102654703B (zh) * 2012-03-31 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、以及显示设备
US9673229B2 (en) 2012-03-31 2017-06-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, method for manufacturing the same and display apparatus
US9412761B2 (en) 2012-03-31 2016-08-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, method for manufacturing the same and display apparatus
WO2013143291A1 (zh) * 2012-03-31 2013-10-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、以及显示设备
CN102654703A (zh) * 2012-03-31 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、以及显示设备
CN102779783B (zh) * 2012-06-04 2014-09-17 北京京东方光电科技有限公司 一种像素结构及其制造方法、显示装置
CN102779783A (zh) * 2012-06-04 2012-11-14 北京京东方光电科技有限公司 一种像素结构及其制造方法、显示装置
CN103531591B (zh) * 2012-07-06 2016-02-03 乐金显示有限公司 具有金属氧化物的薄膜晶体管基板及其制造方法
CN103531591A (zh) * 2012-07-06 2014-01-22 乐金显示有限公司 具有金属氧化物的薄膜晶体管基板及其制造方法
CN102983103A (zh) * 2012-12-10 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置
CN102983103B (zh) * 2012-12-10 2015-09-16 京东方科技集团股份有限公司 制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置
CN103928455B (zh) * 2013-01-15 2017-02-15 上海天马微电子有限公司 一种tft阵列基板及其制造方法
CN103928455A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 上海天马微电子有限公司 一种tft阵列基板及其制造方法
WO2015067069A1 (zh) * 2013-11-05 2015-05-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法及通孔的制作方法
US9379146B2 (en) 2013-11-05 2016-06-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing array substrate and method for forming through hole
CN104656330A (zh) * 2013-11-20 2015-05-27 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN104656330B (zh) * 2013-11-20 2018-09-04 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
US9455282B2 (en) 2014-05-29 2016-09-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Manufacturing method of an array substrate
CN104022078A (zh) * 2014-05-29 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法
CN104022078B (zh) * 2014-05-29 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法
CN107402482A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 三星显示有限公司 具有改善的可制造性的显示基板
WO2019100494A1 (zh) * 2017-11-22 2019-05-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Ips型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN109148303A (zh) * 2018-07-23 2019-01-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7807486B2 (en) 2010-10-05
TW200919591A (en) 2009-05-01
US20100328567A1 (en) 2010-12-30
CN101414085B (zh) 2010-10-13
KR20090039257A (ko) 2009-04-22
TWI415195B (zh) 2013-11-11
KR101058461B1 (ko) 2011-08-24
US20090101908A1 (en) 2009-04-23
US8053802B2 (en) 2011-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101414085B (zh) 液晶显示设备及其制造方法
CN102141710B (zh) 薄膜晶体管阵列基板、包括该基板的液晶显示器及制造该基板的方法
CN101093329B (zh) 用于共平面开关模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法
CN1992291B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法
US8956900B2 (en) Liquid crystal display device comprising first and second data link lines electrically connected to odd and even data lines respectively and crossing each other to connect even and odd data pad electrodes respectively
CN100421017C (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US7839460B2 (en) Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN101097320B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN101644864B (zh) 用于面内切换模式液晶显示设备的阵列基板及其制造方法
CN100483237C (zh) 共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN100559250C (zh) 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
US7692193B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20050112644A (ko) 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN102466934A (zh) 高透光率面内切换模式液晶显示设备及其制造方法
CN102096255A (zh) 液晶显示设备的阵列基板及其制造方法
CN103809340A (zh) 边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN101191967B (zh) 液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
TW200410000A (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
CN100371813C (zh) 面内切换型液晶显示装置中的液晶显示板及其制造方法
CN101071238A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN102087449A (zh) 液晶显示设备的阵列基板和制造该阵列基板的方法
CN101206361A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN103135304B (zh) 阵列基板及其制造方法
CN1664681B (zh) 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN100464235C (zh) 液晶显示器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101013

Termination date: 20171017