CN101349616B - 使用可移动底座的抛光头检测 - Google Patents
使用可移动底座的抛光头检测 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101349616B CN101349616B CN2008100854285A CN200810085428A CN101349616B CN 101349616 B CN101349616 B CN 101349616B CN 2008100854285 A CN2008100854285 A CN 2008100854285A CN 200810085428 A CN200810085428 A CN 200810085428A CN 101349616 B CN101349616 B CN 101349616B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- testing
- testing wafer
- base
- rubbing head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 294
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 22
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 227
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 29
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/0053—Control means for lapping machines or devices detecting loss or breakage of a workpiece during lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种使用可移动底座的抛光头检测,其中抛光头在测试台中进行测试,该测试台具有用于支撑测试晶片的底座以及用于朝向抛光头移动底座中心晶片支撑表面和测试晶片的可控的底座致动器。在本说明书的另一方案中,可使用***定位该测试晶片,该***具有定位在底座中心晶片支撑表面周围的多个第一测试晶片接合部件。在另一技术方案中,晶片***器具有定位在外部晶片支撑表面周围的多个第二测试晶片接合部件,该外部晶片支撑表面设置在底座中心晶片支撑表面***并且适于支撑测试晶片。该多个第二测试晶片接合部件可分布在环形部件的第二圆周上,该第二圆周具有大于第一圆周的直径。还描述和要求了附加的实施方式和方案。
Description
技术领域
本发明涉及使用可移动底座的抛光头检测。
背景技术
通过导电、半导体或绝缘层的顺序沉积,集成电路通常形成在衬底上,特别是,硅晶片上。在每层沉积之后,经常对已沉积的层进行蚀刻以产生电路特征。由于一系列层顺序地沉积和蚀刻,衬底的最外或最上表面,也即衬底的已暴露表面变得越来越不平坦。该非平坦表面在集成电路制造工艺的光刻步骤中可能产生问题。所以,经常需要周期性地平坦化该衬底表面。
化学机械抛光(CMP)是一种可接受的平坦化方法。该平坦化方法通常包括使用装载罩组件将衬底安装在承载器或抛光头上。该衬底的已暴露表面与旋转的抛光垫相对放置。抛光垫或者是“标准的”或者是“固定研磨垫”。标准的抛光垫具有耐用的粗糙表面,而固定研磨垫通常具有装在容器介质中的研磨剂颗粒。抛光头在衬底上提供可控的负载,也即压力,以将其推向抛光头。如果使用标准垫,将包括至少一种可化学反应的试剂以及研磨剂颗粒的抛光浆液施加到抛光垫的表面。
抛光头可经受周期性的维护,其中拆卸下该头,更换受损的零件并且随后重新组装。在该头返回开始抛光其它晶片之前,可以在检测台上检测重新打磨的头以确定在将其用于昂贵的晶片或其他半导体衬底上之前该头是否操作正常。
发明内容
根据在此公开的说明书的一个技术方案,抛光头在测试台中测试,该测试台具有用于支撑测试晶片的底座以及用于将底座中心晶片支撑表面和检测晶片向抛光头移动的可控的底座致动器。该底座可在垂直远离该抛光头的第一垂直位置与垂直距离该抛光头更近的第二垂直位置之间移动以促进抛光头的检测。
在一个实施方式中,该测试包括检测该头的晶片损失感应器。晶片损失感应器测试或其他抛光头测试可包括对该头的隔膜腔室施加真空压力以拾取设置在底座中心晶片支撑表面上的第一测试晶片。该测试还包括在对隔膜腔室施加真空压力之前对该头的内部管道腔室施加压力,并且在对隔膜腔室施加真空压力的同时监视该内部管道腔室中的压力。
在本说明书的另一技术方案中,可使用***定位该测试晶片,该***具有定位在底座中心晶片支撑表面周围的多个第一测试晶片接合部件。该测试晶片接合部件接合该测试晶片以相对于该底座中心晶片支撑表面定位该测试晶片。在一个实施方式中,该晶片***包括环形部件,其适于加载分布在该环形部件的第一圆周上的多个第一测试晶片接合部件。
在又一技术方案中,抛光头测试可包括使用***定位具有大于第一直径的第二直径的测试晶片,该***具有定位在外部晶片支撑表面的多个第二测试晶片接合部件,该外部晶片支撑表面设置在底座中心晶片支撑表面周围,并且适于支撑测试晶片。该多个第二测试晶片接合部件可分布在环形部件的第二圆周上,该第二圆周具有大于第一圆周的直径。
在再一技术方案中,测试台可具有可拆卸的盖板,该盖板具有自身的晶片支撑表面。该盖板可移除以暴露底座和测试晶片***。
还存在本发明的附加的技术方案。应该理解,前述仅仅是本发明一些实施方式和方案的简要概括。描述并声明了附加的实施方式和技术方案。因此,前述内容不意味着限制本说明书的范围。
附图说明
图1示出根据本说明书一个实施方式的具有测试晶片夹持与传送***的抛光头测试台,其中移除了盖板;
图2示出设置在测试晶片夹持与传送***的一个实施方式的底座上方的典型抛光头的示意性截面图;
图3示出图1的测试台的测试晶片夹持与传送***的俯视图,其中示出移除了盖板;
图4a示出具有盖板的测试晶片夹持与传送***的示意性局部侧截面图;
图4b示出不具有盖板的测试晶片夹持与传送***的分解的示意性局部侧截面图;
图5示出图1的测试晶片夹持与传送***的晶片***的透视图;
图6a-6g示出测试晶片夹持与传送***检测抛光头的操作的一个示例;
图7a和7b示出图2的抛光头的晶片损失传感器的操作的示意图;
图8示出在图7a和图7b中所示的晶片损失传感器的操作期间该抛光头的内部管道腔室中的压力变化;
图9示出与图2的抛光头的每个压力腔室相关联的测试台气动回路的一个示例的示意图;
图10示出测试晶片夹持与传送***测试抛光头的操作的一个示例的流程图;
图11示出根据另一实施方式的测试晶片夹持与传送***的示意性局部透视截面图;
图12示出用于图11的测试晶片夹持与传送***的晶片***的一个示例的透视图;
图13所示为图12的晶片***的示意性局部透视截面图,其示出不同尺寸的测试晶片的定位;
图14示出根据另一实施方式的具有底座的测试晶片夹持与传送***的俯视图。
具体实施方式
根据本发明一个实施方式的测试台在图1通常以10表示。测试台10包括支撑头定位控制***14的框架或平台12,该头定位控制***14将化学和机械抛光头16定位在平台12的上方。如美国专利No.7,089,782中更详细描述的,头定位控制***14可将头16精确定位在平台12上方的许多电动受控位置中的其中一个上以促进头16的各种测试过程。然而,应该理解,取决于特定应用,抛光头16可安装在固定高度,或者在不同高度之间可手动移动,或者使用其他机构致动。
根据本发明的一个技术方案,测试台10还包括测试晶片夹持与传送***17,该测试晶片夹持与传送***17包括可移动底座19。如以下更详细描述的,测试晶片夹持与传送***17将测试晶片相对于抛光头16进行定位以促进抛光头16的测试。例如,测试晶片夹持与传送***17可由CMP工具的装载罩组件提供晶片加载的模拟。
图2示出设置在测试晶片夹持与传送***17的可移动底座19上方的典型的化学和机械抛光头16的示意性截面图。应该理解,根据本说明书方案的测试台可用于测试各种不同类型的晶片或衬底抛光头,包括用于抛光150mm、200mm或300mm晶片的头。
如美国专利No.7,089,782中更详细描述的,诸如图2的头16的抛光头可具有多个传感器,其优选由测试台10来测试。这样的传感器的示例一般由18表示并且感应该晶片是否损失。传感器的数量和类型可根据抛光头的类型改变。其他通用类型的头传感器包括晶片存在传感器和晶片压力传感器。
抛光头16还具有三个压力密封腔室,即定位环腔室20、内部管道腔室22和隔膜腔室24。测试台10可对腔室应用各种测试以确保正确的密封和操作。应该理解,腔室的数量和类型可根据头的类型改变。例如,该头可具有三到八个腔室。
在所示实施方式的头16中,定位环腔室20位于头16的外壳26与基座28之间。在晶片抛光操作期间,定位环腔室20受压以将负载,即向下的压力施加给基座28。旋转隔板29将外壳柔性耦接到基座28并且允许定位环腔室20的膨胀和压缩。这样,基座28相对于抛光头的垂直位置由定位环腔室20中的压力控制。
柔性隔膜30在支撑结构32下方延伸以提供待抛光的晶片或其他半导体衬底36的安装表面34。位于基座28与支撑结构32之间的隔膜腔室24的压力迫使柔性隔膜30向下以将衬底压向抛光垫。柔性部件38将支撑结构32柔性耦接到基座28并且允许隔膜腔室24的膨胀和压缩。
另一弹性和柔性隔膜40可通过夹紧环或其他合适的紧固件与基座28的下表面附着以限定内部管道腔室22。受压的流体,诸如空气可引入或引出内部管道腔室22并且从而控制支撑结构32和柔性隔膜30上的向下的压力。
外壳26连接到抛光***的锭子44上,该锭子用于在围绕旋转轴46抛光期间旋转头16并且该旋转轴46在抛光期间与抛光垫的表面垂直。三个压力管道50、52和54或者在高于大气(受压)或者低于大气(真空)压力时将诸如空气或氮气的流体引入每个腔室20、22和24。
如图1所示,头测试台的头定位控制***14包括电动受控线性致动器60,其由可为诸如个人计算机的可编程通用计算机的控制器62(图9)来控制。可选的,控制器62可包括可编程逻辑阵列、分布式逻辑电路或其他数字或模拟控制电路。线性致动器60可将安装在安装台64上的头16定位到安装臂66的一端,安装到由控制器62选择的精确位置。在所示的实施方式中,可控的精确位置是头16相对于测试台10的底座19的测试表面或测试晶片支撑表面68(图2)的垂直位移。该垂直位移沿着与测试表面68正交的Z轴测量,其中测试表面68支撑用于由抛光头测试的测试晶片。在该实施方式中,Z轴平行于头的旋转轴46。应该理解,可选择其他的位移方向用于控制。
头安装致动器60包括伺服电机组件70,其由控制器62通过合适的驱动电路控制。应该理解,取决于特定的应用,其它类型的电机也可用于将抛光头致动到各种垂直位置。
伺服电机组件70的输出耦接到垂直机架组件78,其引导安装臂66并且限制安装臂的移动以及由此限制头16沿着Z轴线性非旋转的运动。机架组件78包括机架80,安装臂66通过一对肋板81安装到该机架80。机架80具有一对引导杆82,其适于沿着安装在垂直支撑板90上的导轨86滑动以引导该机架80并且由此引导该头16沿着Z轴垂直、非旋转、线性的上下运动。支撑板90通过肋板92安装到平台12的水平支撑板94上。应该理解,也可选择其他机械设置以沿着一个或多个所选的移动轴引导抛光头。
图3示出测试晶片夹持与传送***17一个实施方式的俯视图。沿着图3的线4a-4a看到的图3的测试晶片夹持与传送***17的局部截面示意图在图4a中示出。测试晶片夹持与传送***17包括支撑板100,其容纳在由框架或平台12的支撑板94限定的空腔102(在图4b中最好地看出)中。支撑板100具有凸缘104,其由支撑板空腔102的肩部106容纳。这时,测试晶片夹持与传送***17的支撑板100由框架12的支撑板94支撑。
根据本说明书的另一方案,框架12的支撑板94的空腔102经过规划尺寸和成形以便允许支撑板100的顶表面110相对于支撑板94的顶表面112平齐或凹进。这样的设置有利于支撑板94上的可选的盖板120的放置,以覆盖测试晶片夹持与传送***17。在一些现有的***中,类似于板120的盖板经常用于提供与用于抛光头测试目的的表面122类似的测试晶片支撑表面。
因此,在图4a的所示实施方式中,诸如抛光头16的抛光头,可使用盖板120的测试晶片支撑表面122测试。可选地,盖板120可移除以暴露测试晶片夹持与传送***17以有利于利用测试晶片夹持与传送***17而不是盖板120进行附加的抛光头测试。盖板120可使用容纳在支撑板94的相应的配准孔或孔径132(图4b)中的盖板120的配准销130而精确定位在支撑板94上。应该理解,取决于特定应用,其他机构和设备也可用于定位可拆卸的盖板120。
测试晶片夹持与传送***17还包括测试晶片***140,其具有由环形部件143(图5)承载并且分布在环形部件143的圆周上的多个测试晶片接合部件142。如图3最好地示出,晶片***140的测试晶片接合部件142定位在底座19的中心晶片支撑表面144(图3)的周围。测试晶片接合部件142适于在底座19接纳测试晶片36和将测试晶片36传送到达抛光头16之前,相对于中心晶片支撑表面144接合和定位测试晶片36(图6a)。
如前所述,测试台10可用于测试抛光头的各种传感器、腔室和其他结构。图7a和7b示出典型的“晶片损失”传感器18的示意图,该传感器提供该头没有夹持晶片的指示。如图7a所示,晶片损失传感器18包括传感器盘195,其由轴196连接到阀198的阀部件197。轴196在管道199中移动,该管道将隔膜腔室24连接到内部管道腔室22的压力管道52。当晶片36由头16夹持时,晶片36密封远离隔膜30的大气压。另外,支撑结构32离开晶片离开传感器盘195移动。如果内部管道腔室22受到例如高于大气的1psi(每平方英寸一磅)的压力,以及隔膜腔室受到例如低于大气的-5psi的真空压力时,与传感器轴196附接的阀部件197密封地安置在管道52的阀座200中。因此,阀198密封关闭并且隔膜腔室24和内部管道腔室22的压力保持恒定,表示该晶片没有“损失”。
然而,如图7b所示,晶片从头16下落,作用到隔膜30上的大气压驱动隔膜30并向上支撑结构进入隔膜腔室中。支撑结构32啮合并且压缩内部管道腔室22,造成内部管道腔室22中的压力开始上升在如图8所示的202。随着隔膜30和支撑结构继续向上进入隔膜腔室24,支撑结构也接触晶片消失传感器18的盘195,如图7b所示。该接触造成与传感器18的轴196连接的阀部件197离开阀座200。结果,如图8中所示,阀打开为203处并且管道腔室22中的压力开始降低为在图8中所示的204处,并且最终与隔膜腔室20一致,表示晶片消失。
图9示出与抛光头的每个压力腔室相关联的气动回路的示意图。在所示实施方式中,每个腔室具有压力回路230,其包括由阀234和调整器236连接到腔室的受压流体源232。每个腔室还具有真空回路240,其包括由阀244和调整器246连接到腔室的真空压力源242(经常称为真空喷射阀)。出口回路250包括阀254并且将相关腔室开放到大气环境。
阀234、244和254由控制器62控制。为了保留特定腔室中的压力,关闭出口阀254、压力阀234和真空阀254。通过关闭这些阀,腔室停止进一步受压、脱气或排气。腔室中的压力可由控制器62通过诸如浮动连接到相关腔室的压力传感器260监视。如果腔室压力在关闭控制阀234、244和254之后下降,表示出现泄露。如前所述,如果内部管道腔室22中的压力按照图8所示的曲线,表示由抛光头夹持的测试晶片的损失。
测试台10可对于压力和包括在整个各种腔室上的泄露(噪音)的真空泄露测试抛光头的腔室。测试包括升高的高度和时间以及阀和传感器测试。
图10示出了根据本说明书的一个实施方式的利用测试台的抛光头测试。该测试的一个示例是晶片损失传感器测试。应该理解,取决于特定应用,根据本说明书的测试台可用于执行各种测试。
在第一操作中,测试晶片放置在诸如晶片***140的晶片***上(方框266)。在所示实施方式中,晶片***140的测试晶片接合部件142通常是指形并且每个包括有角度的倾斜表面270(图6a),其啮合测试晶片36的边缘并且在重力作用下引导测试晶片进入倾斜表面270之间的对准位置并且由每个测试晶片接合部件142的通常水平的支撑表面272支撑。在该对准位置中,底座19的中心晶片支撑表面144的中心274基本上与测试晶片36的中心同轴对准。同样,在所示实施方式中,抛光头16的中心轴46(图2)基本上与测试晶片的中心对准。应该理解,晶片***可以设计为实现测试晶片与底座19或抛光头16之间的其他对准。还应该理解,取决于特定应用,测试晶片接合部件142可具有各种不同的形状和咬合表面。
在所示实施方式中,底座19和测试晶片***140由附着到测试晶片夹持与传送***17的支撑板100的底座外壳280支撑。底座19和测试晶片***140在测试台中支撑,使得底座19和测试晶片***140的中心与抛光头16的中心轴46(图2)同轴对准。应该理解,取决于特定应用,也可选择其他设置。
一旦测试晶片由晶片***140定位,则可以抬升底座,造成底座19的底座支撑表面144接合测试晶片的下侧。底座19的持续向上运动将测试晶片提升离开晶片***140并且将测试晶片朝向抛光头16垂直向上移动,例如如图6b所示。在该位置,测试晶片的中心继续与抛光头16的中心同轴对准。
在所示实施方式中,底座19具有中心连接杆292,其用于底座外壳280中滑动的垂直运动。与底座连接杆292连接的底座致动器294在图6a中所示的第一降低位置与图6b所示的第二抬升位置之间垂直地致动底座19。应该理解,底座19可具有其他形状和部件以有利于垂直运动。
在所示实施方式中,底座致动器294包括气压缸300,其由测试台控制器62控制的气动回路302驱动。气压缸300通过驱动部件304连接到底座19的连接杆。在施加合适的气动压力给气压缸300时,驱动部件304和并因此底座19可选择地在向上或向下运动中被驱动。根据特定的应用,垂直运动的范围可通过合适的限位器或控制器62限制。应该理解,其他类型的致动器也可用于抬升底座19。这样的其他致动器包括电动马达和伺服。
在开始抛光头16的测试之前,控制器62可控制线性致动器60(图1)将头16定位在底座19和测试晶片36上方的所选高度处,如图6c所示。所选高度可根据待执行的特定测试而改变。应该理解,对于一些抛光头测试,可以省略抛光头16的定位。一旦抛光头16在底座16上方的合适高度时,可以开始抛光头的测试(方框312)。
例如,在晶片损失传感器测试中,抛光头在加载测试晶片之前可距离测试晶片的顶表面诸如1.5mm的距离。在该高度时,控制器62可使得头16开始加载测试晶片到抛光头上的处理。在实际加载晶片之前,隔膜腔室24(图2)可受压以使得头隔膜30膨胀。随着头隔膜30的膨胀,其接触测试晶片的顶表面并且表现出气陷,其否则将在隔膜30与晶片顶表面之间的气陷。
为了加载测试晶片,内部管道腔室24也受压以应用压力推动隔膜30的周长与测试晶片的周长一致。内部管道腔室中的压力随后保持该压力以测试内部管道腔室的泄露,如以下所述。如果内部管道腔室的压力在预定的压力水平保持稳定,表示内部管道腔室的正常密封。在所示实施方式中,优选的,对于晶片损失传感器测试,内部管道腔室加压到高于大气压的1psi水平。也可使用0-3psi范围中的其他压力。根据特定应用,可改变特定值。
一旦内部管道腔室22中的压力保持确认在预定值,并且隔膜30与晶片顶表面之间的气陷出现,则真空压力施加给隔膜腔室24以结束加载测试晶片。具有已加载的测试晶片的抛光头随后可从底座19收回到底座19上方的另一高度,如图6d所示。在所示实施方式中,优选地,对与晶片损失传感器测试,隔膜腔室可抽真空到大气压以下-5psi的水平。也可使用-2到-7psi范围中的其他压力。根据特定应用,可改变特定值。
如果晶片与类似于图7a所示的方法正确加载,并且晶片损失传感器已经正确安装并且操作正常,晶片损失传感器将不会致动并且内部管道腔室22中的压力实质上保持为如由控制器62监视的常数。另一方面,如果晶片没有拾取或下降,隔膜30将进入隔膜腔室24,造成支撑结构32接触内部管道腔室22和晶片损失传感器18,如图7b所示。因此,内部管道腔室22中的压力将随着如图8所示的支撑结构接触内部管道腔室22而开始升高并且随着晶片损失传感器打开内部管道腔室22和隔膜腔室24之间的阀86内部管道腔室22中的压力将下降,指示控制器62,该晶片已经消失。
在所示实施方式中,优选地,头测试台10可以将抛光头精确地定位到准确、电动可控的位置以有利于抛光头的测试,如美国专利No.7,089,782所述。例如,在使用如上所述的测试晶片的晶片损失传感器测试中,如果在加载晶片之前,抛光头定位到太接近测试晶片,隔膜30和支撑结构32可被向上驱动到隔膜腔室24中,造成晶片损失传感器18不正确地致动。相反,如果在加载晶片之前,抛光头定位到距离测试晶片太远,测试晶片不能准确地被拾取。因此,施加到隔膜腔室24以拾取晶片的真空压力可更改,造成隔膜30和支撑结构32退缩到隔膜腔室24中,再次造成晶片损失传感器18不正确地致动。在测试表面上方1-2mm范围内的抛光头垂直位置被认为对于许多这样的应用是合适的。也可使用其他距离。根据特定应用,可改变特定值。
因为存在头可以编程以移动的许多位置,头测试台有效地提供相对于抬高的底座19的头的运动的连续控制。对于许多不同类型的头,头的测试位置和加载位置可相对于抬高的底座19而限定。对于特定的头类型,包括厚度差别的头的尺寸上的任何差别可通过对致动器控制进行编程以将头移动到最优位置来容易地兼容。
当使用测试晶片的抛光头16的测试或者部分测试的结束时,抛光头16可将测试晶片返回到底座19。因此,控制器62控制线性致动器60将抛光头16定位到底座19相邻的垂直位置,如图6e所示。抛光头16的气动回路还可由控制器62控制以使得抛光头16释放测试晶片并且将测试晶片放置在底座19上,如图6f所示。另外,控制器62可将抛光头撤回到另一高度,如图6f所示。
一旦测试晶片通过抛光头16返回到底座19时,底座19可降低到晶片***140(方框314)。底座19连续的向下运动将测试晶片设置在晶片***140上并且相对于抛光头16的中心适当地重新对准测试晶片的中心。随后可结束测试或者随后可适当地执行抛光头的附加测试。根据特定的应用,该附加测试可包括或排除测试晶片36的使用或者底座19的运动。
在所示实施方式中,底座19的向下垂直运动在如图6g所示的晶片***140下方的较低位置处停止。连接到底座连接杆292的底座致动器294将底座19从图6f所示的抬高位置和图6g所示的较低位置致动。应该理解,根据特定的应用,也可选择其他的终止位置。
可以提供抛光头测试的示例,其中测试晶片由晶片***140对准并且抬高到抛光头16以为抛光头16加载该测试晶片做准备。应该理解,取决于特定应用,根据本说明书使用测试台的一些抛光头测试可省略测试晶片加载操作,或者测试晶片对准操作,或者测试晶片提升操作。
图11示出根据本说明书另一方案的测试晶片夹持与传送***400的另一实施方式。如图12最好所见,测试晶片夹持与传送***400包括测试晶片***140,其具有由环形部件443加载并且分布在环形部件443的内部圆周上的多个第一测试晶片接合部件442a。测试晶片***140还具有由环形部件443承载并且分布在环形部件443的外部圆周上的多个第二测试晶片接合部件442b。
如图13最好所示,晶片***440的测试晶片接合部件442a定位在底座450的中心晶片支撑表面444的周围。测试晶片接合部件442a适于在底座450容纳测试晶片36并且将测试晶片36传输到抛光头16之前(图13)之前相对于底座中心晶片支撑表面444咬合并且定位测试晶片36。
在所示实施方式中,测试晶片接合部件442a,类似于部件142,通常是指形并且每个包括有角度的倾斜表面270a(图13),其咬合测试晶片36的边缘并且在重力作用下引导测试晶片进入倾斜表面270a之间的对准位置中并且倾斜表面270a由每个测试晶片接合部件442a的通常水平的支撑表面272a支撑。在该对准位置中,底座450的中心晶片支撑表面444的中心274a与测试晶片36的中心以及头16的中心轴同轴对准。
晶片***440的测试晶片接合部件442b类似地定位在底座450的中心晶片支撑表面444的周围,但是在比晶片接合部件442a更宽的圆周上。测试晶片接合部件442b适于在底座450容纳测试晶片460并且将测试晶片460传输到抛光头之前相对于底座中心晶片支撑表面444咬合并且定位测试晶片460。如图13中显示的,测试晶片460可具有宽于测试晶片36的直径。因此,测试晶片夹持与传送***400可容易地容纳抛光头和不同尺寸的测试晶片,例如150mm、200mm和300mm。
测试晶片接合部件442b,类似于部件442a,通常是指形并且每个包括有角度的倾斜表面270b(图13),其咬合测试晶片460的边缘并且在重力作用下引导测试晶片进入倾斜表面270b之间的对准位置中并且该倾斜表面270b由每个测试晶片接合部件442b的通常水平的支撑表面272b支撑。在该对准位置中,底座450的中心晶片支撑表面444的中心274b与测试晶片460以及抛光头的中心轴向对准。
在所示实施方式中,底座450包括多个凸缘470(图11),其容纳在晶片***440的环形部件443的内环壁474的凹槽472(图12)中。每个凸缘470的外肩部476咬合环形部件443的内环壁480。中心晶片支撑表面444可具有衬垫482以防止损伤测试晶片。
在一个实施方式中,底座,诸如底座450可专用于特定尺寸的测试晶片,诸如测试晶片460或测试晶片36。可选地,底座450可容纳不同尺寸的测试晶片。例如,底座凸缘470的上表面484可适于提供底座外部晶片支撑表面以咬合和支撑更大的测试晶片,诸如测试晶片460。在另一示例中,测试晶片夹持与传送***400可包括底座适配板490(图14),其具有底座中心晶片支撑表面492和底座外晶片支撑表面494。底座适配板490可由底座凸缘470承载并且可专用于较大的测试晶片,诸如测试晶片460或者可选地,可适于容纳不同尺寸的测试晶片。在所示实施方式中,底座适配板490在底座中心晶片支撑表面492和底座外晶片支撑表面494上装载有测试晶片衬垫。
如图11所示,底座450的中心晶片支撑表面444限定了多个凹槽496,其中每个孔径适于在底座中心晶片支撑表面444位于降低的垂直位置时容纳测试晶片接合部件442a。类似地,底座适配板490的中心晶片支撑表面492限定多个凹槽498(图14),其中该凹槽498与凹槽496对准并且适于在底座适配板位于降低的垂直位置时容纳测试晶片接合部件442a。因为测试晶片接合部件442b的晶片接合表面470b、472b相比于测试晶片接合部件442a的相应晶片接合表面470a、472a在垂直定位上更接近于抛光头16,如图12所示,较大直径的测试晶片,诸如测试晶片460可通过如图22所示的测试晶片接合部件442a的顶部上的测试晶片接合部件442b来对准和支撑。因此,测试晶片接合部件442b可与较大的测试晶片460一起使用,而对于与较大测试晶片干扰的较小测试晶片不与测试晶片接合部件442a一起使用。
再次参照图1,平台12具有一组滑轮或滚轴600,其允许测试台在用于测试抛光头的制造工厂中容易从一侧移动到另一侧。这对于工厂具有更多个使用不同尺寸的头的抛光***的场合特别有用。
如在美国专利No.7,089,782中更详细描述地,测试台10包括横向的车架组件以有利于将抛光头16加载和安装到用于测试的测试台上。应该理解,该横向车架组件的细节和特征可根据特定应用而改变。并且,测试台可包括晶片夹盘以将测试晶片夹持到位以用于测试抛光头。同样,该晶片夹盘的细节也取决于特定应用。
当然,应该理解,所示实施方式的修改,在它们的各种方案中对于本领域的技术人员来说是显而易见的,一些仅仅在研究之后也是显然的,其他的是常规的机械和电学设计的主题。其他的实施方式也是可行的,它们的特定设计取决于特定的应用。因此,该说明书的范围不应该由在此所述的具体实施方式限定,而应该由所附权利要求及其等同物来限定。
Claims (11)
1.一种使用测试晶片测试抛光头的测试台,该抛光头用于平坦化半导体晶片,该测试台包括:
框架;
具有适于支撑测试晶片的中心晶片支撑表面的底座;
适于在所述中心晶片支撑表面上方安装所述抛光头的抛光头基座;
适于耦接到所述抛光头并且对所述抛光头进行压力测试的气动回路;
头基座致动器,其连接到所述框架和所述抛光头基座并且适于在垂直方向上相对于所述底座的所述中心晶片支撑表面移动所述抛光头;以及
底座致动器,其耦接到所述框架和所述底座并且适于在垂直方向上相对于所述框架在垂直距离所述抛光头的第一垂直位置与相比于所述第一垂直位置垂直距离所述抛光头更近的第二垂直位置之间移动所述底座的所述中心晶片支撑表面;以及
测试晶片***,其具有定位在所述底座的所述中心晶片支撑表面周围并且适于相对于所述中心晶片支撑表面咬合并定位所述测试晶片的多个第一测试晶片接合部件,其中,所述测试晶片***包括环形部件,所述环形部件适于装载分布在所述环形部件的第一圆周上的所述多个第一测试晶片接合部件;以及
其中,所述底座的所述中心晶片支撑表面限定了多个孔径,每个孔径适于在所述中心晶片支撑表面位于所述第一垂直位置时容纳所述多个第一测试晶片接合部件的测试晶片接合部件。
2.根据权利要求1所述的测试台,其特征在于,所述底座具有设置在所述底座的所述中心晶片支撑表面***并且适于支撑测试晶片的外部晶片支撑表面;并且其中所述测试晶片***包括由所述环形部件承载并且定位在所述底座的所述外部晶片支撑表面以及分布在所述环形部件的第二圆周上的多个第二测试晶片接合部件,所述第二圆周具有大于所述第一圆周的直径。
3.根据权利要求2所述的测试台,其特征在于,所述多个第一和第二测试晶片接合部件的每个测试晶片接合部件具有测试晶片接合表面并且其中所述多个第二测试晶片接合部件的每个测试晶片接合表面相比于所述多个第一测试晶片接合部件的测试晶片接合表面在垂直方向上更接近于所述抛光头。
4.根据权利要求1所述的测试台,其特征在于,所述框架包括具有顶表面的支撑板,其限定适于容纳所述底座和所述顶表面下方的所述测试晶片***的空腔,所述框架还包括适于设置在所述顶表面上并且覆盖所述底座和所述测试晶片***的可卸盖板,所述盖板具有测试晶片支撑表面。
5.一种测试用于平坦化半导体晶片的抛光头的方法,包括:
将抛光头安装到测试台的抛光头基座上;
控制可控的头基座致动器以在垂直方向上相对于底座的中心晶片支撑表面移动所述抛光头;
控制可控的底座致动器以在垂直方向上相对于所述抛光头在垂直距离所述抛光头的第一垂直位置与相比于所述第一垂直位置垂直距离所述抛光头更近的第二垂直位置之间移动所述底座的所述中心晶片支撑表面和设置在所述底座的所述中心晶片支撑表面上具有第一直径的测试晶片;
测试所述抛光头;以及
使用测试晶片***定位所述测试晶片,该测试晶片***具有定位在所述底座的所述中心晶片支撑表面周围的多个第一测试晶片接合部件,所述定位包括将所述测试晶片与所述多个第一测试晶片接合部件的每个测试晶片接合部件的接合表面咬合并且相对于所述底座的所述中心晶片支撑表面定位所述测试晶片,其中,所述测试晶片***包括环形部件,所述环形部件适于装载分布在所述环形部件的第一圆周上的所述多个第一测试晶片接合部件;以及
其中,所述控制可控的底座致动器包括移动所述底座,使得在所述底座的所述中心晶片支撑表面位于所述第一垂直位置时,所述多个第一测试晶片接合部件的每个测试晶片接合部件由所述底座的所述中心晶片支撑表面限定的多个孔径的每个孔径容纳。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述测试包括测试抛光头的晶片消失传感器。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述测试包括对所述抛光头的隔膜腔室施加真空压力以拾取设置在所述底座的所述中心晶片支撑表面上的第一测试晶片。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述测试包括在对所述隔膜腔室施加所述真空压力之前,对所述抛光头的内部管道腔室施加压力。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述测试包括在对所述隔膜腔室施加所述真空压力的同时监视所述内部管道腔室中的压力。
10.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括使用所述测试晶片***定位具有大于所述第一直径的第二直径的测试晶片,其中所述测试晶片***还包括定位在外部晶片支撑表面周围的多个第二测试晶片接合部件,该外部晶片支撑表面设置在所述底座的所述中心晶片支撑表面***并且适于支撑测试晶片,其中所述多个第二测试晶片接合部件分布在所述环形部件的第二圆周上,所述第二圆周具有大于所述第一圆周的直径。
11.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述框架包括具有顶表面的支撑板,其限定适于容纳所述底座和在所述顶表面下方的所述测试晶片***的空腔,其中所述框架还包括适于设置在所述顶表面上并且覆盖所述底座和所述测试晶片***的可卸盖板,所述盖板具有测试晶片支撑表面,并且其中所述方法还包括去除所述盖板以暴露所述底座和所述测试晶片***。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/686,868 US7750657B2 (en) | 2007-03-15 | 2007-03-15 | Polishing head testing with movable pedestal |
US11/686,868 | 2007-03-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101349616A CN101349616A (zh) | 2009-01-21 |
CN101349616B true CN101349616B (zh) | 2010-12-15 |
Family
ID=39590174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100854285A Active CN101349616B (zh) | 2007-03-15 | 2008-03-14 | 使用可移动底座的抛光头检测 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7750657B2 (zh) |
EP (1) | EP1970161B1 (zh) |
JP (1) | JP5645348B2 (zh) |
KR (1) | KR100977914B1 (zh) |
CN (1) | CN101349616B (zh) |
IL (1) | IL190140A (zh) |
SG (1) | SG146564A1 (zh) |
TW (1) | TWI492815B (zh) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7750657B2 (en) * | 2007-03-15 | 2010-07-06 | Applied Materials Inc. | Polishing head testing with movable pedestal |
US7922562B2 (en) * | 2007-06-04 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for reducing electrostatic charge of semiconductor wafers |
JP5238293B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-07-17 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置並びに研磨方法 |
US9837295B2 (en) * | 2010-04-15 | 2017-12-05 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing |
TWI454708B (zh) * | 2010-08-31 | 2014-10-01 | Can be adapted to different specifications of the test machine probe card structure | |
CN102398197B (zh) * | 2010-09-14 | 2013-09-18 | 交通运输部公路科学研究所 | 一种平板式磨光机 |
TWI490451B (zh) * | 2011-06-01 | 2015-07-01 | Univ Nat Formosa | 調節器檢測裝置及其用以檢測調節器之方法 |
KR102143884B1 (ko) | 2013-09-11 | 2020-08-12 | 삼성전자주식회사 | 버퍼 영역을 갖는 웨이퍼 로더 |
US9484243B2 (en) | 2014-04-17 | 2016-11-01 | Lam Research Corporation | Processing chamber with features from side wall |
US9892956B1 (en) * | 2016-10-12 | 2018-02-13 | Lam Research Corporation | Wafer positioning pedestal for semiconductor processing |
CN107134417B (zh) * | 2017-04-26 | 2023-06-16 | 深圳市时创意电子有限公司 | 一种半自动多卡晶圆一体测试机台 |
KR102385573B1 (ko) * | 2017-12-13 | 2022-04-12 | 삼성전자주식회사 | 로드 컵 및 이를 포함하는 화학기계적 연마 장치 |
JP7074607B2 (ja) * | 2018-08-02 | 2022-05-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置用の治具 |
CN109884433B (zh) * | 2019-03-14 | 2021-12-28 | 武汉高能激光设备制造有限公司 | 一种多功能测试台及其使用方法 |
KR20210066147A (ko) | 2019-11-28 | 2021-06-07 | 주식회사 씨티에스 | 씨엠피 해드 검사 장치 |
KR20210066151A (ko) | 2019-11-28 | 2021-06-07 | 주식회사 씨티에스 | 씨엠피 해드 검사 장치 |
CN112847138B (zh) * | 2021-04-25 | 2021-07-30 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 抛光头检测装置、腔室气密性和传感器有效性检测方法 |
CN114406894A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-04-29 | 浙江领晨科技有限公司 | 一种加工晶圆的化学机械研磨设备 |
CN114654379B (zh) * | 2022-03-21 | 2023-04-07 | 北京晶亦精微科技股份有限公司 | 一种研磨头及具有其的晶圆研磨装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0747167A2 (en) * | 1995-06-09 | 1996-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for holding a substrate during polishing |
CN2321579Y (zh) * | 1997-02-24 | 1999-06-02 | 王跃平 | 半自动纽扣抛光机 |
US7044832B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-05-16 | Applied Materials | Load cup for chemical mechanical polishing |
Family Cites Families (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0272531B1 (en) * | 1986-12-08 | 1991-07-31 | Sumitomo Electric Industries Limited | Surface grinding machine |
DE3713155A1 (de) | 1987-04-15 | 1988-11-03 | Schmidt & Link Werkzeugbau Gmb | Einrichtung zum automatischen programmierten pruefen von prueflingen aller art |
US5313156A (en) * | 1991-12-04 | 1994-05-17 | Advantest Corporation | Apparatus for automatic handling |
US5539676A (en) * | 1993-04-15 | 1996-07-23 | Tokyo Electron Limited | Method of identifying probe position and probing method in prober |
US5486129A (en) * | 1993-08-25 | 1996-01-23 | Micron Technology, Inc. | System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head |
US5700180A (en) * | 1993-08-25 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing |
US5342068A (en) * | 1993-08-26 | 1994-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Laminar flow vacuum chuck |
KR100248569B1 (ko) * | 1993-12-22 | 2000-03-15 | 히가시 데쓰로 | 프로우브장치 |
US5664987A (en) * | 1994-01-31 | 1997-09-09 | National Semiconductor Corporation | Methods and apparatus for control of polishing pad conditioning for wafer planarization |
JPH0894508A (ja) | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 研磨パッド評価装置 |
JPH08222621A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Fujitsu Ltd | 円形基板の位置決めユニットと位置決め方法 |
JPH08252765A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Fujitsu Ltd | 研磨装置、研磨布搬送装置、研磨布貼付装置、及び研磨布 |
JP3483648B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2004-01-06 | 東芝機械株式会社 | 研磨装置 |
US5908530A (en) * | 1995-05-18 | 1999-06-01 | Obsidian, Inc. | Apparatus for chemical mechanical polishing |
SG55211A1 (en) * | 1995-07-05 | 1998-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Testing apparatus |
JPH09213772A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持装置 |
US6166552A (en) * | 1996-06-10 | 2000-12-26 | Motorola Inc. | Method and apparatus for testing a semiconductor wafer |
US5741171A (en) * | 1996-08-19 | 1998-04-21 | Sagitta Engineering Solutions, Ltd. | Precision polishing system |
US5828223A (en) * | 1996-10-28 | 1998-10-27 | Rabkin; Richard | Universal chip tester interface device |
JP3494828B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2004-02-09 | 株式会社アドバンテスト | 水平搬送テストハンドラ |
US6379221B1 (en) * | 1996-12-31 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
US5957751A (en) | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US6053688A (en) * | 1997-08-25 | 2000-04-25 | Cheng; David | Method and apparatus for loading and unloading wafers from a wafer carrier |
JPH1167855A (ja) | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウエハテスト用搬送装置及びそのウエハテスト方法 |
JP3768352B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2006-04-19 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
JP4417470B2 (ja) * | 1998-05-11 | 2010-02-17 | 株式会社アドバンテスト | トレイ移送アーム、電子部品ハンドリング装置および電子部品試験装置 |
US6257564B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc | Vacuum chuck having vacuum-nipples wafer support |
US6113480A (en) * | 1998-06-02 | 2000-09-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus for polishing semiconductor wafers and method of testing same |
US6251215B1 (en) * | 1998-06-03 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
US6066266A (en) * | 1998-07-08 | 2000-05-23 | Lsi Logic Corporation | In-situ chemical-mechanical polishing slurry formulation for compensation of polish pad degradation |
JP2000052233A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-22 | Sony Corp | 研磨装置 |
JP2000167765A (ja) | 1998-12-02 | 2000-06-20 | Toshiba Mach Co Ltd | ポリッシングヘッドおよびポリッシング装置 |
US6220936B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-04-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | In-site roller dresser |
US6272902B1 (en) * | 1999-01-04 | 2001-08-14 | Taiwan Semiconductor Manufactoring Company, Ltd. | Method and apparatus for off-line testing a polishing head |
JP2000254857A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-09-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置及び平面加工方法 |
JP2000260852A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 検査ステージ及び検査装置 |
US6135698A (en) * | 1999-04-30 | 2000-10-24 | Asyst Technologies, Inc. | Universal tool interface and/or workpiece transfer apparatus for SMIF and open pod applications |
US6459945B1 (en) * | 1999-05-13 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for facilitating determining suitable material layer thickness in a semiconductor device fabrication process |
US6164633A (en) * | 1999-05-18 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Multiple size wafer vacuum chuck |
US6361422B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for transferring semiconductor substrates using an input module |
KR100304706B1 (ko) * | 1999-06-16 | 2001-11-01 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 및 연마 헤드 내부의 오염 물질 세척방법 |
US6402595B1 (en) * | 1999-08-27 | 2002-06-11 | Rodel Holdings Inc. | Method for chemical mechanical polishing |
US6626744B1 (en) * | 1999-12-17 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Planarization system with multiple polishing pads |
US6705930B2 (en) * | 2000-01-28 | 2004-03-16 | Lam Research Corporation | System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques |
US6340326B1 (en) * | 2000-01-28 | 2002-01-22 | Lam Research Corporation | System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers |
JP4218816B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 針荷重測定方法、検査方法及び検査装置 |
MY144519A (en) * | 2000-03-01 | 2011-09-30 | Intest Corp | Vertical counter balanced test head manipulator |
JP2001298008A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Sony Corp | 研磨方法および研磨装置 |
JP2001310253A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-06 | Toshiba Corp | 研磨装置 |
JP2001358204A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Tokyo Electron Ltd | 検査ステージ |
US6997664B1 (en) * | 2000-07-19 | 2006-02-14 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus for loading/unloading wafers to and from semiconductor fabrication equipment |
US6592429B1 (en) * | 2000-07-28 | 2003-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling wafer uniformity in a chemical mechanical polishing tool using carrier head signatures |
WO2002017354A2 (en) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Ade Corporation | Ring chuck to hold 200 and 300 mm wafer |
US6549279B2 (en) * | 2001-04-09 | 2003-04-15 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for optical endpoint calibration in CMP |
DE10123386A1 (de) | 2001-05-14 | 2002-11-28 | Advanced Micro Devices Inc | Teststation und Verfahren zur Beurteilung der Zuverlässigkeit eines Polierkopfes einer CMP-Vorrichtung |
KR100772325B1 (ko) * | 2001-06-22 | 2007-10-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학적 기계적 연마장비의 연마 패드 교체방법 |
EP1274121A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-08 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Wafer chuck for supporting a semiconductor wafer |
JP3783075B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2006-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置及びローダ装置 |
KR100583949B1 (ko) * | 2002-01-07 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 프로빙 장치 및 테스트 헤드 도킹 제어방법 |
US6796879B2 (en) * | 2002-01-12 | 2004-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dual wafer-loss sensor and water-resistant sensor holder |
JP2003222654A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
US6794889B2 (en) * | 2002-04-26 | 2004-09-21 | Agilent Technologies, Inc. | Unified apparatus and method to assure probe card-to-wafer parallelism in semiconductor automatic wafer test, probe card measurement systems, and probe card manufacturing |
US6841991B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-01-11 | Micron Technology, Inc. | Planarity diagnostic system, E.G., for microelectronic component test systems |
US7089782B2 (en) * | 2003-01-09 | 2006-08-15 | Applied Materials, Inc. | Polishing head test station |
US6876215B1 (en) * | 2003-02-27 | 2005-04-05 | Credence Systems Corporation | Apparatus for testing semiconductor integrated circuit devices in wafer form |
US7354335B2 (en) * | 2004-04-09 | 2008-04-08 | Novellus Systems, Inc. | CMP apparatus and load cup mechanism |
US7230437B2 (en) * | 2004-06-15 | 2007-06-12 | Formfactor, Inc. | Mechanically reconfigurable vertical tester interface for IC probing |
US7034563B1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-04-25 | Ahbee 2, L.P., A California Limited Partnership | Apparatus for measuring of thin dielectric layer properties on semiconductor wafers with contact self aligning electrodes |
US7750657B2 (en) * | 2007-03-15 | 2010-07-06 | Applied Materials Inc. | Polishing head testing with movable pedestal |
-
2007
- 2007-03-15 US US11/686,868 patent/US7750657B2/en active Active
-
2008
- 2008-03-13 SG SG200802067-9A patent/SG146564A1/en unknown
- 2008-03-13 IL IL190140A patent/IL190140A/en active IP Right Grant
- 2008-03-14 CN CN2008100854285A patent/CN101349616B/zh active Active
- 2008-03-14 JP JP2008065885A patent/JP5645348B2/ja active Active
- 2008-03-14 KR KR1020080023921A patent/KR100977914B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-14 TW TW097109159A patent/TWI492815B/zh active
- 2008-03-14 EP EP08152801A patent/EP1970161B1/en active Active
-
2010
- 2010-07-02 US US12/829,971 patent/US8008941B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0747167A2 (en) * | 1995-06-09 | 1996-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for holding a substrate during polishing |
CN2321579Y (zh) * | 1997-02-24 | 1999-06-02 | 王跃平 | 半自动纽扣抛光机 |
US7044832B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-05-16 | Applied Materials | Load cup for chemical mechanical polishing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG146564A1 (en) | 2008-10-30 |
US20100327900A1 (en) | 2010-12-30 |
IL190140A (en) | 2012-01-31 |
JP2008227510A (ja) | 2008-09-25 |
KR100977914B1 (ko) | 2010-08-24 |
US8008941B2 (en) | 2011-08-30 |
KR20080084737A (ko) | 2008-09-19 |
TW200846133A (en) | 2008-12-01 |
US20080227374A1 (en) | 2008-09-18 |
JP5645348B2 (ja) | 2014-12-24 |
US7750657B2 (en) | 2010-07-06 |
EP1970161A1 (en) | 2008-09-17 |
IL190140A0 (en) | 2008-12-29 |
CN101349616A (zh) | 2009-01-21 |
EP1970161B1 (en) | 2013-02-20 |
TWI492815B (zh) | 2015-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101349616B (zh) | 使用可移动底座的抛光头检测 | |
US8052504B2 (en) | Method, apparatus and system for use in processing wafers | |
TWI408773B (zh) | 基板支撐單元以及利用其研磨基板之裝置與方法 | |
KR101011788B1 (ko) | 톱링, 폴리싱장치 및 폴리싱방법 | |
KR101937519B1 (ko) | 연마 장치 및 연마 방법 | |
US7101253B2 (en) | Load cup for chemical mechanical polishing | |
US10926374B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US9707661B2 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
US20160023323A1 (en) | Carrier head and chemical mechanical polishing apparatus | |
CN101823232B (zh) | 玻璃抛光*** | |
US7089782B2 (en) | Polishing head test station | |
TW201537666A (zh) | 清淨裝置及清淨方法 | |
KR20000048476A (ko) | 화학 기계적 연마를 위한 제어가능한 압력 및 부하 영역을갖는 캐리어 헤드 | |
US6905399B2 (en) | Conditioning mechanism for chemical mechanical polishing | |
JP2017157646A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
KR20070095014A (ko) | 사전 검사 설비를 구비한 화학기계적 연마 설비 어셈블리및 화학기계적 연마 설비의 정비 방법 | |
US20220181175A1 (en) | Cooling sheet attachment apparatus to focusing ring for semiconductor manufacturing apparatus | |
WO2022081398A1 (en) | Substrate polishing apparatus with contact extension or adjustable stop | |
JP2017187311A (ja) | リーク検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: American California Patentee after: Applied Materials Inc. Address before: American California Patentee before: Applied Materials Inc. |