CN101284730A - 非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 24
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims description 16
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 37
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 22
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 claims description 7
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000007891 compressed tablet Substances 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 70
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract 5
- 239000008187 granular material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 abstract 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 10
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 6
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明涉及一种非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。用ZnO加上从掺杂元素Al、Fe、Eu、Pr、La、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、纳米ZnO中任选的氧化物粉组成混合原料，将其混合磨细，经干燥，压制成块，600～750℃进行预烧，再放入球磨罐研磨，干燥，过筛后造粒，将粉料压制成小圆片并逐渐加热到600～720℃保温排胶，后进一步加热烧结并冷却到室温，得到低压ZnO压敏陶瓷材料；再进行表面加工，被电极烧银，经测试后封装，得到低压ZnO压敏电阻。具有制作工艺简单、成本较低、性能好、使用范围广，所生产电阻重复性、稳定性、一致性好，电参数值有显著改进等优点。
Description
技术领域：
本发明涉及一种非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。
背景技术：
低压ZnO压敏电阻是八十年代国外率先研究发展起来的。低压ZnO压敏电阻具有低压敏电压和高介电系数双优特性，耐浪涌能力也很强，更重要的是其工艺简单，不要在高温下还原烧成，而且烧结温度低，使成本大大降低，它具有造价低廉、非欧姆特性优良、响应时间快、漏电流小、通流容量大等优点，广泛应用于电子设备和电力***以及其它领域。随着电子产品的小型化、集成化，对低压压敏电阻的需求量愈来愈大，是一种很有发展前途的复合功能电阻元件。
降低压敏电压的一般有两种主要方法，一是通过改变外型尺寸及工艺方法减少压敏元件的厚度以达到降低压敏电压的目的；二是寻找低压配方，开发新型低压ZnO压敏电阻材料体系，降低晶界的击穿电压。近年来，ZnO压敏电阻器采用了叠层片式技术，可制造非欧姆特性好的低压ZnO压敏电阻器，产品的通流能力也不会下降，叠片式ZnO压敏电阻综合性能较好，但是对工装设备及工艺要求极高，投资巨大。
国内外做的比较成熟的压敏陶瓷电阻主要是Bi系低压ZnO电阻、高压高能ZnO电阻等，而非Bi系低压ZnO压敏陶瓷电阻研究的较少，而且低压化很难。
目前，对低压ZnO压敏电阻生产方法的研究主要有稀土掺杂、受主掺杂和施主掺杂等方面。如有不少人提出用Sr做受主掺杂来改变其压敏电压和非线性系数，或通过La做施主掺杂等等。但是这些方法制作的样品普遍都存在压敏电压较高，非线性系数较低的纰漏，而且这些样品在性能要求上没有使较低的压敏电压和较高的非线性系数两者统一。这些方法一般解决了压敏电压，却忽略了非线性系数，反之亦然。因此，非常需要有新的、性能好的低压ZnO压敏陶瓷电阻，以使其特有的优越的电性能更好地为工业所利用。
发明内容：
本发明的目的是克服现有技术之不足，提供一种非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，应用纳米ZnO及其它氧化物添加剂的优良特性对低压ZnO系压敏陶瓷材料进行改性制造，简化压敏陶瓷电阻的制作工艺，提高低压ZnO系压敏陶瓷电阻的性能。
本发明的技术方案是：先用ZnO加上从一组掺杂元素Al、Fe、Eu、Pr、La、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、纳米ZnO中任选的氧化物粉(如Eu2O3、SiO2、PbO、纳米ZnO等)组成混合原料，然后将该原料在球磨罐中、加入水和酒精研磨混合3～6小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后(可放在干燥箱里烘干，然后过280～350目标准筛)，在压力下压制成块，600～750℃进行预烧，再次研细后放入球磨罐中加水和酒精研磨6～12小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后进行造粒；造粒工序是将二次球磨后干燥后的粉料加入适量的聚乙烯醇水溶液，形状如鱼鳞状即表示混合均匀时，再过40～55目标准筛，用50～150Mpa压力预压成块，然后打碎，再次过40～55目标准筛，得到一定粒度而且均匀分布的粉料；再用50～150Mpa的压力将粉料压制成小圆片；然后将成型的压制片逐渐加热到600～720℃保温20～30分钟，进行排胶(可放在电阻炉中进行，将加入的有机塑化剂排出，并使之具有一定的机械强度，为样品的烧结创造条件)，再在980～1250℃加热烧结并保温1～3小时(可放到管式电阻炉中进行)；最后将烧结好的烧结体(随炉)冷却到室温，得到低压ZnO压敏陶瓷材料。
将烧结得到的低压ZnO压敏陶瓷材料进行表面加工，然后被电极，在600～800℃下烧银，经测试后封装，即可得到纳米改性低压ZnO压敏电阻。在混合原料中，采用Pr、La、Pb、Ba、Sm、V的氧化物时掺杂量摩尔百分比为0.5～6％(根据实际需要确定)；采用其它掺杂氧化物时所占的摩尔百分比为6.5～10％(根据实际需要确定)。
用本发明的方法制造低压ZnO压敏陶瓷材料或电阻时，应依照压敏陶瓷材料的压敏电压和漏电流随着烧结温度的升高而降低、非线性系数和介电常数随着烧结温度的升高而增大、介电损耗随烧结温度的升高而降低的总趋势来确定具体的制备方法，从而使其压敏电压V1mA为8～40V/mm，非线性系数α大于20，漏电流IL为0.15～0.30mA，介电常数为(3～7)×104，介电损耗值tanδ为0.2～0.5。
该方法所制造的低压ZnO压敏陶瓷材料，除了主晶相ZnO外，主晶相表面还有掺杂Al、Fe、Eu、Pr、La、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、纳米ZnO中一种或多种物相。
本发明的有益效果是：采用除Bi元素外掺杂制造低压ZnO压敏陶瓷材料及电阻的方法，利用纳米ZnO的特性，使ZnO晶粒在合适的烧结温度下得到充分的长大，性能稳定，工艺简单，克服了国内外ZnO压敏陶瓷电阻制作工艺复杂、性能不稳定等缺点，同时要求的指标也实现了低压化，使低压ZnO压敏具有电压随烧结温度升高而降低，非线性系数随烧结温度升高而升高的总趋势；
用本发明制造的压敏陶瓷电阻，由于掺杂元素在低压ZnO基体表面析出，且分布均匀，因此，还具有重复性、稳定性、一致性好，电参数值有显著改进的优点；
本发明制造的非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料体系，基本利用ZnO压敏电阻常规生产设备及工艺，不需要改变传统的压敏电阻工艺生产线，投资较小，能满足市场对低压化的需求，具有极大的市场潜力。
附图说明：
图1为本发明的工艺流程图
图2为本发明实施例5的V与α随TS的变化关系图，
图3为本发明实施例5的ε与tanδ随TS的变化关系图，
具体实施方式：
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
实施例1：如图1所示，该非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法是，先用ZnO粉，按摩尔比加上0.5％的TiO2、0.3％的SiO2、0.7％的Cr2O3、5％的PbO、2％的B2O3、5％的纳米ZnO粉组成混合原料，然后将该原料在行星式球磨机中、加入水和酒精研磨混合3小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后(放在干燥箱里60℃烘干，然后过320目标准筛)，在一定压力下压制成块，600～750℃进行预烧，再次研细后放入球磨罐中加水和酒精研磨8～12小时；将球磨好的料浆干燥、进行造粒(将干燥后的粉料加入适量7％的PVA水溶液，形状如鱼鳞状即表示混合均匀时，再过40目标准筛，用50Mpa压力预压成块，然后打碎，再次过45目标准筛)，得到一定粒度而且均匀分布的粉料，再用150Mpa的压力将粉料压制成小圆片(
d＝1.5mm)；然后将成型的压制片逐渐加热到680℃后保温30分钟(放在电阻炉中进行)，进行排胶(将加入的有机塑化剂排出，并使之具有一定的机械强度，为样品的烧结创造条件)，再在1100℃加热烧结并保温2小时(放到管式电阻炉中进行)；最后将烧结好的烧结体(随炉)冷却到室温，得到低压ZnO压敏陶瓷材料。
将烧结得到的低压ZnO压敏陶瓷材料进行表面加工，然后被电极，在600℃下烧银，经测试后封装，即可得到纳米改性低压ZnO压敏电阻。
用该方法制造的低压ZnO压敏陶瓷材料或电阻，具有电容-压敏双功能特性，其压敏电压和漏电流随着烧结温度的升高而降低，非线性系数和介电常数随着烧结温度的升高而增大，介电损耗也有随烧结温度的升高而降低的总趋势；其压敏电压V1mA为28V/mm，非线性系数α为21，漏电流IL为0.15mA，介电常数为2.7×104，介电损耗值tanδ为0.2。
实施例2：如图1所示，该非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法是，先用ZnO粉，按摩尔比加上0.5％的TiO2、0.3％的SiO2、0.7％的Cr2O3、0.2％的Co2O3、5％的PbO、2％的B2O3、5％的纳米ZnO粉组成混合原料，然后将该原料在行星式球磨机中、加入水和酒精研磨混合3小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后(放在干燥箱里60℃烘干，然后过320目标准筛)，在一定压力下压制成块，600～750℃进行预烧，再次研细后放入球磨罐中加水和酒精研磨8～12小时；将球磨好的料浆干燥、进行造粒(将干燥后的粉料加入适量7％的PVA水溶液，形状如鱼鳞状即表示混合均匀时，再过40目标准筛，用50Mpa压力预压成块，然后打碎，再次过45目标准筛)，得到一定粒度而且均匀分布的粉料，再用150Mpa的压力将粉料压制成小圆片(
d＝1.5mm)；然后将成型的压制片逐渐加热到680℃后保温30分钟(放在电阻炉中进行)，进行排胶(将加入的有机塑化剂排出，并使之具有一定的机械强度，为样品的烧结创造条件)，再在1150℃加热烧结并保温2小时(放到管式电阻炉中进行)；最后将烧结好的烧结体(随炉)冷却到室温，得到低压ZnO压敏陶瓷材料。
将烧结得到的低压ZnO压敏陶瓷材料进行表面加工，然后被电极，在600℃下烧银，经测试后封装，即可得到纳米改性低压ZnO压敏电阻。
用该方法制造的低压ZnO压敏陶瓷材料或电阻，具有电容-压敏双功能特性，其压敏电压和漏电流随着烧结温度的升高而降低，非线性系数和介电常数随着烧结温度的升高而增大，介电损耗也有随烧结温度的升高而降低的总趋势；其压敏电压V1mA为20V/mm，非线性系数α为23，漏电流IL为0.15mA，介电常数为2.5×104，介电损耗值tanδ为0.3。
实施例3：如图1所示，该非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法是，先用ZnO粉，按摩尔比加上0.5％的TiO2、0.3％的SiO2、0.5％的Cr2O3、0.5％的Co2O3、0.2％的MnO2、5％的PbO、2％的B2O3、7％的纳米ZnO粉组成混合原料，然后将该原料在行星式球磨机中、加入水和酒精研磨混合3小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后(放在干燥箱里60℃烘干，然后过320目标准筛)，在一定压力下压制成块，600～750℃进行预烧，再次研细后放入球磨罐中加水和酒精研磨8～12小时；将球磨好的料浆干燥、进行造粒(将干燥后的粉料加入适量7％的PVA水溶液，形状如鱼鳞状即表示混合均匀时，再过40目标准筛，用50Mpa压力预压成块，然后打碎，再次过45目标准筛)，得到一定粒度而且均匀分布的粉料，再用150Mpa的压力将粉料压制成小圆片(
d＝1.5mm)；然后将成型的压制片逐渐加热到680℃后保温30分钟(放在电阻炉中进行)，进行排胶(将加入的有机塑化剂排出，并使之具有一定的机械强度，为样品的烧结创造条件)，再在1150℃加热烧结并保温1.5小时(放到管式电阻炉中进行)；最后将烧结好的烧结体(随炉)冷却到室温，得到低压ZnO压敏陶瓷材料。
将烧结得到的低压ZnO压敏陶瓷材料进行表面加工，然后被电极，在600℃下烧银，经测试后封装，即可得到非Bi系低压ZnO压敏电阻。
用该方法制造的低压ZnO压敏陶瓷材料或电阻，具有电容-压敏双功能特性，其压敏电压和漏电流随着烧结温度的升高而降低，非线性系数和介电常数随着烧结温度的升高而增大，介电损耗也有随烧结温度的升高而降低的总趋势；其压敏电压V1mA为16V/mm，非线性系数α为27，漏电流IL为0.15mA，介电常数为2.6×104，介电损耗值tanδ为0.2。
实施例4：如图1所示，该非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法是，先用ZnO粉，按摩尔比加上0.6％的TiO2、0.25％的SiO2、0.5％的Cr2O3、0.5％的Co2O3、0.2％的MnO2、5％的PbO、2.5％的B2O3、6％的纳米ZnO粉组成混合原料，然后将该原料在行星式球磨机中、加入水和酒精研磨混合3小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后(放在干燥箱里60℃烘干，然后过320目标准筛)，在一定压力下压制成块，600～750℃进行预烧，再次研细后放入球磨罐中加水和酒精研磨8～12小时；将球磨好的料浆干燥、进行造粒(将干燥后的粉料加入适量7％的PVA水溶液，形状如鱼鳞状即表示混合均匀时，再过40目标准筛，用50Mpa压力预压成块，然后打碎，再次过45目标准筛)，得到一定粒度而且均匀分布的粉料，再用150Mpa的压力将粉料压制成小圆片(
d＝1.5mm)；然后将成型的压制片逐渐加热到680℃后保温30分钟(放在电阻炉中进行)，进行排胶(将加入的有机塑化剂排出，并使之具有一定的机械强度，为样品的烧结创造条件)，再在1150℃加热烧结并保温1.5小时(放到管式电阻炉中进行)；最后将烧结好的烧结体(随炉)冷却到室温，得到低压ZnO压敏陶瓷材料。
将烧结得到的低压ZnO压敏陶瓷材料进行表面加工，然后被电极，在600℃下烧银，经测试后封装，即可得到纳米改性低压ZnO压敏电阻。
用该方法制造的低压ZnO压敏陶瓷材料或电阻，具有电容-压敏双功能特性，其压敏电压和漏电流随着烧结温度的升高而降低，非线性系数和介电常数随着烧结温度的升高而增大，介电损耗也有随烧结温度的升高而降低的总趋势；其压敏电压V1mA为18V/mm，非线性系数α为30，漏电流IL为0.18mA，介电常数为2.7×104，介电损耗值tanδ为0.4。
实施例5：如图1所示，该非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法是，先用ZnO粉，按摩尔比加上0.6％的TiO2、0.25％的SiO2、0.4％的Cr2O3、0.6％的Co2O3、0.3％的MnO2、5％的PbO、2％的B2O3、3％的纳米ZnO粉组成混合原料，然后将该原料在行星式球磨机中、加入水和酒精研磨混合3小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后(放在干燥箱里60℃烘干，然后过320目标准筛)，在一定压力下压制成块，600～750℃进行预烧，再次研细后放入球磨罐中加水和酒精研磨8～12小时；将球磨好的料浆干燥、进行造粒(将干燥后的粉料加入适量7％的PVA水溶液，形状如鱼鳞状即表示混合均匀时，再过40目标准筛，用50Mpa压力预压成块，然后打碎，再次过45目标准筛)，得到一定粒度而且均匀分布的粉料，再用150Mpa的压力将粉料压制成小圆片(
d＝1.5mm)；然后将成型的压制片逐渐加热到680℃后保温30分钟(放在电阻炉中进行)，进行排胶(将加入的有机塑化剂排出，并使之具有一定的机械强度，为样品的烧结创造条件)，再在1050℃加热烧结并保温1.5小时(放到管式电阻炉中进行)；最后将烧结好的烧结体(随炉)冷却到室温，得到低压ZnO压敏陶瓷材料。
将烧结得到的低压ZnO压敏陶瓷材料进行表面加工，然后被电极，在600℃下烧银，经测试后封装，即可得到纳米改性低压ZnO压敏电阻。用该方法制造的低压ZnO压敏陶瓷材料或电阻，具有电容-压敏双功能特性，其压敏电压和漏电流随着烧结温度的升高而降低，非线性系数和介电常数随着烧结温度的升高而增大，介电损耗也有随烧结温度的升高而降低的总趋势；其压敏电压V1mA为20V/mm，非线性系数α为28，漏电流IL为0.18mA，介电常数为2.4×104，介电损耗值tanδ为0.25。
Claims (5)
1、一种非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，其特征是先用ZnO加上从一组掺杂元素Al、Ti、Fe、Eu、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pr、La、Pb、Ba、Sm、V的氧化物的任意选择一部分以及纳米ZnO组成混合原料，然后将该原料在球磨罐中，加入水和酒精研磨3～6小时；将球磨后的料浆干燥、过筛，压制成块，600～750℃进行预烧，降温后再放入球磨罐中加水和酒精研磨6～12小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后，得到均匀分布的混合粉料，再用50～150Mpa的压力将粉料压制成小圆片；然后将成型的压制片逐渐加热，在600～720℃保温20～30分钟，进行排胶，再在950～1250℃加热烧结并保温1～3小时；最后将烧结好的烧结体冷却到室温，得到非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料。
2.根据权利要1所述的非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，其特征是混合原料中，采用Pr、La、Pb、Ba、Sm、V的氧化物时掺杂量摩尔百分比为0.5～6％；采用其它掺杂氧化物时所占的摩尔百分比为6.5～10％；二次球磨后的混合粉料应加入聚乙烯醇水溶液，待形状如鱼鳞状混合均匀时过筛，预压成块，然后研细，再次过筛。
3、根据权利要1或2所述的非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，其特征是所烧结的低压ZnO压敏陶瓷材料的主晶相ZnO表面还有包含掺杂的Al、Ti、Fe、Eu、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pr、La、Pb、Ba、Sm元素中的一种或多种物相。
4.根据权利要3所述的非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，其特征是依照压敏陶瓷材料的压敏电压和漏电流随着烧结温度的升高而降低、非线性系数和介电常数随着烧结温度的升高而增大、介电损耗随烧结温度的升高而降低的总趋势来确定具体的制备方法。
5、根据权利要1所述的非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法制造的低压ZnO压敏陶瓷电阻，其特征是该电阻的压敏电压V1mA为8～40V/mm，非线性系数α大于20，漏电流IL为0.15～0.25mA，介电常数为3×104～7×104，介电损耗值tanδ为0.2～0.5。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CNA2008100584017A CN101284730A (zh) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法 |
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Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CNA2008100584017A Pending CN101284730A (zh) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN101284730A (zh) |
Cited By (8)
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|---|---|---|---|---|
| CN102173778A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-09-07 | 常州大学 | 一种高性能Pr系ZnO压敏陶瓷材料及制备方法 |
| CN101613199B (zh) * | 2009-07-21 | 2012-07-25 | 中国地质大学（北京） | 一种高性能氧化锌复合陶瓷压敏电阻材料及制备方法 |
| CN105084887A (zh) * | 2015-09-15 | 2015-11-25 | 苏州亿馨源光电科技有限公司 | 一种电阻陶瓷材料及其制备方法 |
| CN106747404A (zh) * | 2017-01-22 | 2017-05-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种无Bi、Pr、V的新型ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法 |
| CN106747409A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-31 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种TiO2压敏陶瓷材料的制备方法 |
| CN107068311A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-08-18 | 江西兴勤电子有限公司 | 一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器及其制备方法 |
| CN112662175A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-04-16 | 福州大学 | 一种压敏复合材料制备方法 |
| CN116120052A (zh) * | 2023-02-21 | 2023-05-16 | 哈尔滨理工大学 | 一种氧化锌基巨介电陶瓷材料及其制备方法和应用 |
-
2008
- 2008-05-16 CN CNA2008100584017A patent/CN101284730A/zh active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101613199B (zh) * | 2009-07-21 | 2012-07-25 | 中国地质大学（北京） | 一种高性能氧化锌复合陶瓷压敏电阻材料及制备方法 |
| CN102173778A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-09-07 | 常州大学 | 一种高性能Pr系ZnO压敏陶瓷材料及制备方法 |
| CN105084887A (zh) * | 2015-09-15 | 2015-11-25 | 苏州亿馨源光电科技有限公司 | 一种电阻陶瓷材料及其制备方法 |
| CN107068311A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-08-18 | 江西兴勤电子有限公司 | 一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器及其制备方法 |
| CN107068311B (zh) * | 2016-10-12 | 2018-10-16 | 江西兴勤电子有限公司 | 一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器及其制备方法 |
| CN106747404A (zh) * | 2017-01-22 | 2017-05-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种无Bi、Pr、V的新型ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法 |
| CN106747404B (zh) * | 2017-01-22 | 2019-11-19 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种无Bi、Pr、V的ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法 |
| CN106747409A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-31 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种TiO2压敏陶瓷材料的制备方法 |
| CN112662175A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-04-16 | 福州大学 | 一种压敏复合材料制备方法 |
| CN112662175B (zh) * | 2021-01-19 | 2022-07-12 | 福州大学 | 一种压敏复合材料制备方法 |
| CN116120052A (zh) * | 2023-02-21 | 2023-05-16 | 哈尔滨理工大学 | 一种氧化锌基巨介电陶瓷材料及其制备方法和应用 |
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