具体实施方式
参照图1A和1B来说明根据本发明第一实施例的显示装置。图1A是示出作为显示装置一示例的半透射型液晶显示装置的液晶单元的一个像素的元件侧基板平面图。图1B是沿图1A中线1B-1B剖取的剖面图。
如图1A和1B所示,液晶显示装置1由多个像素40形成,每个像素中液晶层20密封在彼此相对的基板10和30之间。每个像素40具有反射区5和透射区6并显示图象。元件层(包括驱动和控制元件和信号线)11形成在基板10上。平坦化层12形成在基板10上以覆盖元件层11。通过接触孔13连接到元件层11的像素电极14形成在元件层11上的平坦化层12上。间隙调整层15形成在像素电极14上并在元件层11上方。间隙调整层15的上表面(在液晶层20侧)以不规则形状形成,且反射电极16在其上形成。反射电极16在间隙调整层15的一端连接到像素电极14。
因此,反射区5由包括元件层11、覆盖元件层11的平坦化层12、经由像素电极14的一部分形成在平坦化层12上的间隙调整层15、和形成在间隙调整层15上的反射电极16的区域形成。透射区6由包括除了其中间隙调整层15形成的区域之外的形成在基板10上的平坦化层12和像素电极14的区域形成。
另一方面,滤色器31形成在作为与基板10相对的对向基板的基板30上。像素电极33经由平坦化层32形成在滤色器31的表面上。
在液晶显示装置1中,元件层11和像素电极14之间的接触孔13被间隙调整层15的下部覆盖,也就是被间隙调整层15覆盖。因此,反射区5的反射特性得以改善。虽然像素电极14形成在透射区6的表面上,但是由于像素电极14的厚度均匀,因此透射区6具有与由平坦化层制成得平的形式相同的形式。因此,即使不设置光阻挡元件,也没有光泄漏并可获得高透射对比率。
参照图2A和2B的主要部分剖面图将在先的半透射型液晶显示装置的一个结构示例作为对比例1进行解释。
如图2A所示,液晶显示装置101由多个像素140形成,每个像素中液晶层120密封在彼此相对的基板110和130之间。每个像素140具有反射区105和透射区106并显示图象。元件层(包括驱动和控制元件和信号线)111形成在基板110上。间隙调整层115形成以覆盖元件层111。间隙调整层115的上表面(在液晶层120侧上)以不规则形状形成,并且通至元件层111的接触孔113形成在间隙调整层115中。通过接触孔113连接到元件层111的像素电极114形成在基板110上。反射电极116经由像素电极114形成在间隙调整层115上。
另一方面,滤色器131形成在作为与基板110相对的对向基板的基板130上。像素电极133经由平坦化层132形成在滤色器131的表面上。
在对比例1的结构中,由于接触孔113形成在反射区105中,因此反射特性被恶化。如作为图2A中透射区106的剖面的图2B所示,透射窗口119形成在平坦化层118中以形成多间隙。因此,在信号线120的部分中的平坦化层118上形成台阶且透射对比度下降。当对信号线120的部分遮蔽光时,透射率降低。
参考图3A和3B的主要部分剖面图对半透射型液晶显示装置的结构的示例作为对比例2进行说明。
如图3A所示,液晶显示装置201由多个像素240形成,每个像素中液晶层220密封在彼此相对的基板210和230之间。每个像素240具有反射区205和透射区206并显示图象。元件层(包括驱动和控制元件和信号线)211形成在基板210上。绝缘薄膜212形成以覆盖元件层211。在元件层211上方的绝缘薄膜212的上表面(在液晶层220侧上)以不规则形状形成,通至元件层211的接触孔213形成在绝缘薄膜212中。通过接触孔213连接到元件层211的像素电极214形成在基板210上。反射电极216经由像素电极214的一部分形成在元件层211上方的绝缘薄膜212的上表面上。
另一方面,滤色器231形成在作为与基板210相对的对向基板的基板230上。像素电极233经由平坦化层232形成在滤色器231的表面上。此外,间隙调整层234形成在与元件层211相对的像素电极233上。
在对比例2的结构中,如图3B所示,透射区206的像素结构是形成覆盖基板210上的信号线235的平坦化色缘薄膜212的结构。此外,绝缘薄膜212的表面形成为平的。因此,该结构与根据本实施例的液晶显示装置1的结构相同,并得到高透射特性。然而,有必要考虑两基板210和230的粘合余量。形成在对向基板(基板230)侧上的关于反射区205的间隙调整层234的尺寸被减小。因此,当分辨率更高时反射率降低。此外,由于反射区205的接触孔213是必要的,因此反射特性被恶化。
另一方面,在根据本实施例的液晶显示装置1中,由于像素电极14通过形成在平坦化层12中的接触孔13连接到元件层11,且反射区5的间隙调整层15形成在像素电极14上,因此不必要在间隙调整层15中形成接触孔。因此,反射特性得以改善。此外,由于间隙调整层15形成在元件层11侧上,因此不必要保正与相对侧粘合的余量。因此,由于反射区5的间隙调整层15可形成为宽的,因此可得到高反射特性。
此外,在具有对比例2中的结构的半透射型液晶显示装置中,有必要在绝缘薄膜212的表面上形成凹凸。因此,绝缘薄膜212需要具有耐热性以防止绝缘薄膜212在热处理中反流为平坦的。由此,限制了绝缘薄膜212的材料。另一方面,根据本实施例的液晶显示装置1采用的平坦化层12中,不必要在其表面形成凹凸。因此,可以采用功能材料的组合,该功能材料例如为低介电常数材料如脂环族烯烃树脂或旋涂玻璃(SOG)以及具有低耐热性的高平面化材料。
在具有在先结构的半透射型液晶显示装置的情况,绝缘薄膜212需要具有例如透射和绝缘属性的特性。然而,间隙调整层15不需要该特性。因此,通过采用高灵敏度材料(high sensitivity materrial),高平坦化材料等可以得到功能的改善例如改善的生产率、高可靠性和低介电产生。
比较根据本实施例的半透射型液晶显示装置和具有在先结构的半透射型液晶显示装置(对比例2)的光学特性。比较结果如表1所示。
表1
如表1所示,具有在先结构的液晶显示装置201(对比例2)与根据本实施例的液晶显示装置1的透射特性基本上相同。另一方面,关于反射特性,在对比例2中的液晶显示装置201的反射率是1.9%,而根据本实施例的液晶显示装置1的反射率是3%。由此,根据本实施例的液晶显示装置1中,反射率是对比例2中的液晶显示装置201的反射率的1.5倍。这是因为在间隙调整层15中没有形成接触孔,且由于没有组装余量,因此反射面积增加。此外,由于粘合偏移部分的台阶的影响引起的光泄漏以及由于接触孔,对比例2中的液晶显示装置201的反射对比率非常低。另一方面,在根据本实施例的液晶显示装置1中,反射对比率是液晶显示装置201的反射对比率的大约3倍。
如上所述,由于反射区5包括在其中形成反射电极16的间隙调整层15,反射区5可抑制反射特性的恶化。因此,可得到高的反射率。透射区6由包括形成在基板10上的平坦化层12的区域形成。其中形成驱动晶体管、信号线等的元件层11设置于反射区5中,因此,由于在透射区6中没有引起光丢失的凹凸,因此可以实现高透射对比率和高透射率。
参照图4A至4C和图5A和5B的制造工艺剖面图对根据第一实施例的制造液晶显示装置的方法进行说明。图4A至4C和图5A和5B示出作为液晶显示装置的示例的半透射型液晶显示装置。
如图4A所示,由TFT等制成并包括开关元件、辅助存储电容、栅极线和信号线的元件层11形成在基板(第一基板)10上。
如图4B所示,为了平坦化由于元件层11和信号线(未示出)导致的凹凸,平坦化层12形成在基板10上。通至元件层11的接触孔13形成在平坦化层12上。透明抗蚀剂可用于平坦化层12。作为该抗蚀剂,例如,提供有JSR公司制造的PC315G。作为替换,可以使用丙烯酸有机薄膜、脂环族烯烃树脂、SOG等。
如图4C所示,通过接触孔13连接到元件层11的像素电极14作为透射区6的电极形成在平坦化层12上。像素电极14由例如,氧化铟锡(ITO)等透明电极形成。
如图5A所示,间隙调整层15形成在反射区5的元件层11上方的平坦化层12上。由于连接到元件层11的像素电极14先形成,接着,间隙调整层15以同样方式形成,因此防止了通至元件层11的接触孔形成在间隙调整层15中。因此可得到良好的反射特性。
当间隙调整层15形成时,间隙调整层15以仅能曝光间隙调整层15的表面层的曝光量曝光,并显影以在间隙调整层15的上表面上形成凹凸,接着,对间隙调整层15进行烘烤。因此,凹凸形成为倒圆的形状。烘烤在例如220℃下进行。
其后,如图5B所示,在间隙调整层15的一端连接至像素电极14的反射电极16形成在间隙调整层15上。反射电极16由例如具有高反射率的金属材料形成。金属材料是,例如,银(Ag),铝(Al)等。由于间隙调整层15的上表面形成倒圆的凹凸的形状,且反射电极16以这样的方式形成在其表面上,因此可以改善反射区5的反射特性。
作为之后的工艺,形成取向膜,基板经由其中形成有间隔物(spacer)的滤色器或经由间隔物使用密封材料粘合,液晶注入基板之间以完成液晶单元。相差板(phase difference plate)和偏振片(sheet polarizer)粘合到该液晶单元以制造根据本实施例的半透射型液晶显示装置。
根据第一实施例制造液晶显示装置的方法,由于反射区5可抑制反射特性的恶化,因此可以实现具有高反射率的液晶显示装置。由于透射区6的表面由平坦化层12平坦化,因此可以实现具有高透射对比率和高透射率的液晶显示装置。由于反射电极16在间隙调整层15的一端连接到像素电极14,因此连接反射电极16和像素电极14的接触孔是不必要的。因此,可以实现反射特性例如反射率和对比度良好的液晶显示装置。此外,由于间隙调整层15形成在形成元件层11的一侧,因此在元件层11侧上形成台阶。因此,与滤色器粘合的余量不是必要的。从而当透射率相同时,与在滤色器侧具有间隙调整层的显示装置相比,可以形成反射特性良好的显示装置。
在根据第一实施例制造液晶显示装置的方法中,依据形成间隙调整层15的材料,曝光量可能太大以至于阻碍生产率。当形成间隙调整层15的膜的厚度很大时,由于间隙调整层15的反流(refloW)增加,因此妨碍了获得令人满意的反射特性所必要的凹凸的形成。因此,提供一种降低间隙调整层15的厚度的制造液晶显示装置的方法。该制造液晶显示装置的方法的示例参照图6A至6C的制造工艺剖面图作为根据本发明的第二实施例制造液晶显示装置的方法进行说明。图6A至6C示出了作为液晶显示装置的示例的半透射型液晶显示装置。
如图6A所示,由TFT等制成并包括开关元件、辅助存储电容线、栅极线和信号线形的元件层11成在基板(第一基板)10上。随后,为了平坦化由于元件层11和信号线(未示出)的凹凸,在基板10上形成平坦化层12。平坦化层12在反射区5和透射区6中形成为平的并在元件层11的一端有台阶。换句话说,形成平坦化层12使得从基板10的表面到其中形成间隙调整层的区域中的平坦化层12的表面的高度大于到其中不形成间隙调整层的区域的平坦化层12的表面的高度。通至元件层11的接触孔13形成在平坦化层12中。透明抗蚀剂可用于平坦化层12。作为该抗蚀剂,例如,有一种JSR公司制造的PC315G。作为替换,可以使用丙烯酸有机薄膜、脂环族烯烃树脂、SOG等。
通过接触孔13连接到元件层11的像素电极14作为透射区6的电极形成在平坦化层12上。像素电极14由例如,氧化因锡(ITO)等透明电极形成。
如图6B所示,具有平的表面的绝缘薄膜17经由像素电极14形成在平坦化层12上。
如图6C所示,在反射区5的元件层11上的平坦化层12上,通过光刻技术和蚀刻技术,或当绝缘薄膜17是光敏膜时,通过光刻技术(曝光,显影等),形成由绝缘薄膜17形成的间隙调整层15。连接到元件层11的像素电极14先形成,且接着,间隙调整层15以同样方式形成。因此,防止通至元件层11的接触孔形成在间隙调整层15中,从而得到良好的反射特性。
当间隙调整层15形成时,间隙调整层15以仅能曝光间隙调整层15的表面层的曝光量(例如小于用于形成接触孔的曝光量的曝光量)曝光,并显影以形成间隙调整层15的上表面上的凹凸,接着,对间隙调整层15进行烘烤。因此,凹凸形成为倒圆的形状。烘烤在例如220℃下进行。
如上所述,绝缘薄膜17的平坦化表面以小于用于形成接触孔的曝光量的曝光量曝光并显影以形成台阶。在这种情况下,因为用于形成间隙调整层15的绝缘薄膜17的涂敷厚度α与作为用于得到合适间隙的台阶的间隙调整层15的高度β同时降低,所以绝缘薄膜17的涂敷厚度α可以以小的曝光量形成。
由此,由于形成凹凸的材料的反流也被控制,如图7示出的平坦化层透射区的凹陷量(excavation amount)和凹凸的倾角之间的关系,凹凸的倾角可由凹陷量控制。因此,可以制造具有为装置优化的反射特性的液晶显示装置。
根据第二实施例的液晶显示装置参照图8的主要部分剖面图进行说明。图8示出了作为液晶显示装置的示例的半透射型液晶显示装置。
如图8所示,液晶显示装置1由多个像素40形成,每个像素中液晶层20密封在彼此相对的基板10和30之间。每个像素40具有反射区5和透射区6并显示图象。元件层(包括驱动和控制元件和信号线)11形成在基板10上。平坦化层12形成在基板10上以覆盖元件层11。通过接触孔13连接到元件层11的像素电极14形成在元件层11上的平坦化层12上。间隙调整层15形成在像素电极14上并在元件层11的上方。间隙调整层15由例如两层有机绝缘薄膜形成。间隙调整层15的上表面(在液晶层20侧上)以不规则形状形成,且反射电极16在其上形成。反射电极16在间隙调整层15的一端连接到像素电极14。
因此,反射区5由包括元件层11、覆盖该元件层11的平坦化层12、经由像素电极14的一部分形成在平坦化层12上的间隙调整层15以及形成在间隙调整层15上的反射电极16的区域形成。透射区6由包括除了其中形成间隙调整层15的区域之外的形成在基板10上的平坦化层12和像素电极14的区域形成。
另一方面,滤色器31形成在作为与基板10相对的对向基板的基板30上。像素电极33经由平坦化层32形成在滤色器31的表面上。
在在先的像素中,由于反射区中像素中的接触孔和信号线而有凹凸,因此很难连续设置凹凸以得到令人满意的反射特性。然而,根据本实施例,由于可以连续设置包括凹凸的像素,可得到具有令人满意的反射特性的显示元件。平的区域对光间隔物(photo-spacer)中间隙的稳定性是必不可少的。由于得到连续的凹凸且该凹凸的高度是均匀的,因此可以在该凹凸上设置光间隔物。
根据本发明第三实施例的液晶显示装置参照图9的主要部分剖面图进行说明。图9示出了作为液晶显示装置的示例的半透射型液晶显示装置。
如图9所示,液晶显示装置1由多个像素40形成,每个像素中液晶层20密封在彼此相对的基板10和30之间。每个像素40具有反射区5和透射区6并显示图象。元件层(包括驱动和控制元件和信号线)11形成在基板10上。平坦化层12形成在基板10上以覆盖元件层11。通过接触孔13连接到元件层11的像素电极14形成在元件层11上的平坦化层12上。间隙调整层15形成在像素电极14上并在元件层11上方。间隙调整层15的上表面(在液晶层20侧上)以不规则形状形成。通至接触孔13的接触孔18形成在间隙调整层15中。通过接触孔18连接至像素电极14的反射电极16形成在间隙调整层15的表面上。反射电极16在间隙调整层15的一端连接到像素电极14。
因此,反射区5由包括元件层11、覆盖元件层11的平坦化层12、经由像素电极14的一部分形成在平坦化层12上的间隙调整层15和形成在间隙调整层15上的反射电极16的区域形成。透射区6由包括除了其中形成间隙调整层15的区域之外的基板10上形成的平坦化层12和像素电极14的区域形成。
另一方面,滤色器31形成在作为与基板10相对的对向基板的基板30上。像素电极33经由平坦化层32形成在滤色器31的表面上。
根据本发明第四实施例的液晶显示装置参照图10的主要部分剖面图进行说明。图10示出了作为液晶显示装置的示例的半透射型液晶显示装置。
如图10所示,液晶显示装置1由多个像素40形成,每个像素中液晶层20密封在彼此相对的基板10和30之间。每个像素40具有反射区5和透射区6并显示图象。元件层(包括区动和控制元件和信号线)11形成在基板10上。平坦化层12形成在基板10上以覆盖元件层11。间隙调整层15形成在元件层11上的平坦化层12上并在元件层11的上方。间隙调整层15的上表面(在液晶层20侧上)以不规则形状形成。穿透平坦化层12通至元件层11的接触孔19形成在间隙调整层15中。通过接触孔19连接到元件层11的像素电极14形成在间隙调整层15的表面上。反射电极16形成在间隙调整层15的区域中的像素电极14上。
因此,反射区5由包括元件层11、覆盖元件层11的平坦化层12、间隙调整层15、与穿透间隙调整层15和平坦化层12连接到元件层11的像素电极14的一部分和形成在间隙调整层15上的反射电极16的区域形成。透射区6由包括除了其中形成间隙调整层15的区域之外的基板10上形成的平坦化层12和像素电极14的区域形成。
另一方面,滤色器31形成在作为与基板10相对的对向基板的基板30上。像素电极33经由平坦化层32形成在滤色器31的表面上。
在各实施例中,形成在间隙调整层15的上表面上的凹凸可在像素之间连续形成。光间隔物可设置在凹凸的表面上。
在在先的液晶显示装置中,由于当元件层11侧上存在台阶时很难增加信号线的凹凸中的透射对比度。因此,如果试图基本阻挡光线并提高对比度,则透射率降低。另一方面,在根据实施例的液晶显示装置中,由于信号线嵌入在平坦化层12中,可得到具有良好透射特性的显示面板。过去,形成反射电极的凹凸的绝缘薄膜限制于由丙烯酸树脂等制成的具有反射特性的绝缘薄膜。然而,可以选择具有不同特性的材料例如低介电常数材料如SOG或脂环族烯烃树脂。
在各实施例中,液晶显示装置作为显示装置示例进行说明。然而,通过将本发明用于例如有机电致发光装置的显示装置,在该显示装置中像素电极具有连接到元件层的接触孔(连接部分),也可以得到例如改善的功能和改善的开口率(aperture)的特性。
本领域技术人员应该理解各种修改,组合,子组合,和变更可根据设计要求和其他因素而产生,只要它们包含在权利要求或其等同物的范围内。