CN101101869A - 激光退火装置和半导体设备制造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 154
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 22
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 15
- 206010021033 Hypomenorrhoea Diseases 0.000 claims description 12
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 102
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
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- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
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- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
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- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
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- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
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- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
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- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02683—Continuous wave laser beam
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Abstract
本发明涉及激光退火装置和相应的半导体设备制造方法,其中在用激光束斜向照射基底之前,移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。由此可以防止或减少同心圆图案的产生,从而提高了半导体设备的可靠性。
Description
本申请是于2002年8月12日提交的申请号为02130305.3、发明名称为“激光退火装置和半导体设备制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种使用激光束的激光退火装置。本发明还涉及一种半导体设备制造方法,制造半导体设备所经过的步骤中包括一个使用激光退火方法的步骤。这里半导体设备是指一种利用半导体特性来发挥作用的普通设备,包括液晶显示器和发光设备等电光设备和将电光设备作为一个部件包含其中的电子设备。
背景技术
近年来,广泛开展了对形成于玻璃等绝缘基底上的半导体膜使用的激光退火技术的研究,目的是晶化或提高结晶度。在目前的描述中,将使用激光束晶化半导体膜并获得结晶半导体膜的方法称作激光结晶。
与传统常用的人造石英玻璃基底相比,玻璃基底价格低廉,有极好的可加工性,具有容易制备大面积基底的优点。这是上面提到的研究的原因。同时,由于玻璃基底熔点低,所以激光器首先用在结晶过程中。激光器可以只将高能量传递给半导体膜而完全不增加基底的温度。而且与使用电炉相比透射能要高得多。
结晶半导体膜由很多晶粒形成,因此它们也称作多晶半导体膜。因为通过激光退火装置形成的结晶半导体膜迁移率高,所以可以使用结晶半导体膜来形成薄膜晶体管(TFT)。它们广泛使用在,例如,像素驱动的单极液晶电光设备和形成在一块玻璃基底上的驱动电路TFT中。
同时,因为激光退火装置生产能力和工业优势高,所以优先使用方法是将受激准分子激光器等发出的高输出脉冲激光通过光学***,在照射板上形成一个几厘米平方的方点或长度为10多厘米的线性形状,目的是扫描激光(相对于照射板移动激光照射位置)。顺便说一句,将激光形成线性形状是指激光在照射板上形成线性形状。它是指激光的截面形状是线性形状。此外,“线性形状”在这里不是严格的“线性”,而是指长宽比大的矩形或椭圆形。例如长宽比为10或更大。(优选是100~10000)。
具体来讲,与使用需要扫描的点状激光的情况不同,使用线性激光束可以只通过在线性光束纵向的垂直方向扫描就可以实现整个照射平面的激光照射,提供了高生产效率。在纵向的垂直方向上进行扫描是因为这个扫描方向具有最高的效率。因为生产效率高,所以在当前的激光退火处理中,使用脉冲振荡的受激准分子激光通过适当光学***形成的线性光束是制造使用TFT的液晶显示设备技术的主流。
为了形成受激准分子激光束,将KrF(波长248nm)或XeCl(波长308nm)用作激发气体。但是Kr(氪)和Xe(氙)这样的气体是十分昂贵的。因此,如果使用了Kr或Xe而且还要经常进行气体交换,那么会不利的提高制造成本。
此外,两到三年之内需要替换一次激光振荡用激光管这样的附件和去除在振荡期间产生的不需要成分的气体净化器。这些附件大多是昂贵的,这更不利的提高了制造成本。
如上所述,使用受激准分子激光束的激光照射设备性能高。但是,此类激光照射设备需花费很多人工来维护,而且如果用作主生产激光照射设备,其运行成本(这里指设备运行必需的成本)不利的高。
因此,为了实现运行成本低于受激准分子激光器的激光器和使用激光器的激光退火方法,提出了一种固态激光器(是将晶体棒组作为共振腔来输出激光束的)。
YAG激光器是典型固态激光器中的一种,使用它将激光束照射到半导体膜。根据YAG激光器,光学***将由非线性光学元件调制成第二谐波的激光束(波长532nm)处理成在照射面上呈线状的线性光束。半导体膜是厚度为55nm的非晶体硅膜,是通过等离子CVD方法在基底(“1737基底”,由Corning公司制造)上形成的。得到结晶硅膜的执行步骤包含一个对非晶体硅膜使用激光退火方法的步骤,但在其上形成了同心圆图案。这个图案表示板中结晶硅膜的材料特性是不一致的。因此,如果使用上面形成有同心圆图案的结晶硅膜来制造TFT,那么这个图案反而会影响TFT的电特性。这里,同心圆的图案称作同心圆图案。
此外,因为制造的电光设备屏幕的尺寸大,所以增加了母玻璃的面积。在这之后,对于激光退火方法,产生了将激光束高速照射到安装在作为基底的母玻璃上的半导体层的需要。
此外,对于激光退火方法,产生了补偿在半导体层结晶过程中临时熔化半导体膜的激光束功率低的需要。
发明内容
因此,本发明的一个目标是提供一种用于要求低运行成本、能够防止产生同心圆图案或减少其形成的激光照射设备的激光退火方法,以及提供一种包括一个使用激光退火方法步骤的半导体设备制造方法。
根据本发明的一种激光退火装置,包括:输出激光束的激光光源;以及移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置,其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
根据本发明的另一种激光退火装置,包括:输出激光束的激光光源;处理该激光束的光学***;反射该激光束的镜子;以及移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置,其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
根据本发明的又一种激光退火装置,包括:输出激光束的激光光源;调制该激光束的非线性光学元件;会聚已调制激光束的波导管;以及移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置,其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
根据本发明的另一种激光退火装置,包括:输出激光束的激光光源;以及移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置;其中该移动机械装置沿着导轨以非接触方式移动;该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
根据本发明的再一种激光退火装置,包括:输出激光束的激光光源;以及具有由该激光束通过的透明窗的激光退火室、移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置和用于控制该激光退火室的气体的真空泵;其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
根据本发明所提供的半导体设备制造方法,包括:在基底上形成半导体膜;以及照射激光束到该半导体膜,其中不停地重复在以第一方向移动该基底的同时用该激光束斜向照射该半导体膜的步骤和在垂直于该第一方向的第二方向上移动该基底等于或小于该激光束宽度的距离的步骤;以及在用该激光束斜向照射该基底之前,该基底被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
下面将要考虑产生同心圆图案的一个原因。照射到非晶体硅膜的激光束是在照射面上呈线性形状的线性光束。因此,即使在激光束照射后获得的结晶硅膜上形成一些图案,只要半导体膜、基底和基底平台是完全平的,那么图案也应该是与线性光束平行或垂直的。但是,看到的图案是同心圆图案。从这一点,可以认为同心圆图案的产生不是由线性光束导致的。也就是可以估计是半导体膜的厚度、半导体膜的激光束吸收系数、基底或基底平台或它们的组合导致了同心圆图案的产生。
下面将考虑产生同心圆图案的原因中的半导体膜的激光吸收系数。分别得到非晶体硅膜(厚度55nm)相对于波长的反射系数和透射系数,图10A和10B分别显示了结果。请注意,非晶体硅膜是用等离子CVD方法在1737基底上形成的。图10A和10B显示非晶体硅膜对于YAG激光器第二谐波(波长532nm)的反射系数和透射系数分别是26%和38%。我们认为非晶体硅膜表面的反射光在某一表面上与非晶体硅膜透射的激光束相互干扰。估计是这一点产生了同心圆图案。
因此,为了防止或减少同心圆图案的产生,我们认为必须要防止这样的干扰。为了防止干扰,聚光多束激光束,聚光后的激光束照射基底表面上的半导体膜,从而使半导体膜结晶。
因此,根据本发明的激光退火装置是一个包括下列组件的激光退火装置:一个输出激光束的激光源;以及一个移动由激光束斜向照射的基底的移动机械装置,其特征在于移动机械装置的作用是往复运动等于或大于基底一条边长的距离,在往复方向的垂直方向移动等于或小于激光束在激光束照射基底的区域中Y轴方向长度的距离。结果通过使用根据本发明的激光退火装置,可以防止或减少由激光束照射不利产生的同心圆图案的产生,可以提高所得半导体设备的可靠性。即使是大尺寸基底上的半导体膜,也可以将激光束均匀的照射到其上面。
此外,根据本发明的激光退火装置是一个包括下列组件的激光退火装置:一个输出激光束的激光源;一个调制激光束的非线性光学元件;一个聚光已调制激光束的波导管;以及一个移动由聚光激光束斜向照射的基底的移动机械装置,其特征在于移动机械装置的作用是往复运动等于或大于基底一条边长的距离,在往复方向的垂直方向移动等于或小于激光束在激光束照射基底的区域中Y轴方向长度的距离。结果通过使用根据本发明的激光退火装置,可以防止或减少由激光束照射不利产生的同心圆图案的产生,可以提高所得半导体设备的可靠性。即使是大尺寸基底上的半导体膜,也可以将激光束均匀的照射到其上面。
根据本发明的半导体设备制造方法是包括下列步骤的半导体设备制造方法:在基底上形成半导体膜;以及照射多束激光束到半导体膜,其特征在于不断的重复在恒速移动基底的同时将激光束斜向照射到半导体膜的步骤和在移动方向的垂直方向移动等于或小于激光束宽度的距离的步骤。结果,通过使用根据本发明的激光退火装置,可以防止或减少由激光束照射不利产生的同心圆图案的产生,可以提高所得半导体设备的可靠性。即使是大尺寸基底上的半导体膜,也可以将激光束均匀的照射到其上面。
根据本发明的半导体设备制造方法是包括下列步骤的半导体设备制造方法:在基底上形成半导体膜;以及照射多束激光束到半导体膜,其特征在于不断的重复由多个非线性光学元件分别调制多束激光束的步骤、使已调制激光束通过波导管从而聚光已调制激光束的步骤、在恒速移动基底的同时将聚光激光束斜向照射到半导体膜的步骤和在移动方向的垂直方向移动等于或小于激光束的距离的步骤。结果,通过使用根据本发明的激光退火装置,可以防止或减少由激光束照射不利产生的同心圆图案的产生,可以提高所得半导体设备的可靠性。即使是大尺寸基底上的半导体膜,也可以将激光束均匀的照射到其上面。
而且,根据本发明的半导体设备制造方法是特征在于恒定的速度处在20~200cm/s范围内的半导体设备制造方法。结果是可以将激光束高速照射到在大尺寸基底上提供的半导体膜。
另外,在本发明中使用的激光束可以通过光学***处理成椭圆形。
此外,根据本发明的半导体设备制造方法是特征在于激光束是以相对于基底前表面法线方向或基底后表面法线方向5~10°的斜角入射到半导体膜的半导体设备制造方法。这种方法是根据这样的事实发明的:如果在倾斜基底的同时执行使用激光退火方法的步骤,那么不会出现同心圆图案。同时使用本发明,可以去掉或减少由激光束干扰引起的结晶半导体膜的不规则材料特性。如果使用这样的结晶半导体膜制造TFT,那么会提高TFT的电特性。
而且,根据本发明的半导体设备制造方法是特征在于从平行于基底并靠近基底端面的方向进行半导体基底结晶的半导体设备制造方法。通过使用根据本发明的半导体设备制造方法,可以制造半导体层表面是平的、具有高电迁移率的半导体设备。
此外,激光束可以从基底的后表面(形成半导体膜的表面的反面)照射到半导体膜。
至于激光束,可以使用通常所知的激光器,例如YAG激光器(通常表示为Nd:YAG激光器)、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器、Nd:YAlO3激光器、红宝石激光器、Ti:兰宝石激光器或玻璃激光器。特别首选一致性和脉冲能量好的YAG激光器。
例如,如果使用了YAG激光器,那么最好使用第二谐波(波长532nm)。这是因为YAG激光器的基谐波(第一谐波)的波长为1064nm。第一谐波可以由包含一个非线性元件的波长调制器调制成第二、第三或第四谐波。各个谐波可以使用已知的技术来形成。在此叙述中,假设“固态激光器发出的激光束”不只包括第一谐波,还包括波长半调制的谐波。
对于YAG激光器还可以使用应用良好的Q开关方法(Q调制开关方法)。这种方法是突然将Q系数从Q系数非常低的状态增加到会输出能量级非常高、非常陡的脉冲激光束。
如果装配了激发固态晶体的共振镜或光源,那么在本发明中使用的固态激光器基本上可以输出激光束。因此,与受激准分子激光器相比,不需要花费太多的人工来维护。即,因为固态激光器的运行成本远远低于受激准分子激光器,所以可以大大减少半导体设备的制造成本。此外,如果减少了维护频率,就会提高大规模生产线的运行效率,并提高制造过程的总生产量,还大大有利于减少半导体设备的制造成本。除此之外,固态激光器所占面积小于受激准分子激光器所占面积,这对于生产线的设计而言具有好的影响。
如果激光束的功率不低于10W,那么即使是使用单激光束也可以进行均匀的激光退火。功率不低于10W的激光束足够在半导体层的结晶过程中熔化半导体层了。
附图描述
图1是一幅显示了一个激光束照射例子的图;
图2是一幅显示了一个激光退火装置例子的图;
图3是一幅显示了激光退火装置例子的图;
图4是处理目标基底的X和Y方向的说明图;
图5是一幅显示了处理目标基底的移动时间和速度之间相互关系的图表;
图6是一幅显示了一个根据本发明的激光退火装置例子的图;
图7A到7D显示了半导体设备制造步骤;
图8是一幅显示了根据本发明的半导体设备的图。
图9A是像素部分TFT的示意图,图9B是驱动电路TFT的示意图;
图10A是一幅显示了非晶形硅膜(厚度55nm)反射系数相对于波长的图表,图10B是一幅显示了非晶体硅膜(厚度55nm)透射系数相对于波长的图表;
图11是一幅显示了一个激光退火装置例子的图;
图12是一幅显示了一个激光退火装置例子的图;以及
图13A到13C是显示了一个激光退火装置例子的图。
具体实施方式
首先参照图1来讲述本发明一个实施方案中的激光束照射方法。
通过一个将激光束照射到非晶形硅膜的结晶步骤,形成结晶硅层。这个结晶过程是在配有透明窗601的激光退火室602中进行的。
首先,基底使用的是Corning公司制造的,由表示为#7059玻璃或#1737玻璃的硼硅酸盐钡玻璃或硼硅酸盐铝玻璃制成的透光基底。替代做法是用石英基底或硅基底作为基底。在此实施方案中,使用了大小为680mm×880mm,厚度为1.1mm的玻璃基底。在此说明中,在上面按顺序形成底膜和半导体膜的基底称作“处理目标基底”。
在激光退火室602内配置了台架603、装配在台架603上的平台604和移动台架603的移动机械装置605。在激光退火室602外配置了真空泵630、供气管607和闸门阀608。
安装台架603,这样由移动台架603的移动机械装置605在与处理目标基底606的法线方向成正确角度的方向上(X轴方向或Y轴方向)移动底座603,从而使激光束照射到处理目标基底606的上表面。激光束照射方向与处理目标基底606的法线方向相比偏了5到10°。
在此说明中,包含平台604和移动机械装置605的半导体制造设备称作激光退火装置。台架603可以安装在平台604和移动机械装置605之间。激光退火装置除了上面提到的组元外还包括激光振荡器609、光学***610和镜子611。非晶形硅膜由配置有激光退火装置和透明窗611的激光退火室602、真空泵630、供气管607和闸门阀608的组合装置来晶化。图2从Y轴方向显示了图1的激光退火装置。图3显示了从镜子一侧(处理目标基底606的上方)观看的激光退火装置。移动机械装置605在X轴方向可以移动等于或大于处理目标基底606一条边长度的距离,在垂直于X方向的Y轴方向可以移动等于或小于激光束宽度的距离。注意的是该激光束的宽度是在垂至于移动机械装置的移动方向的方向上的激光束的宽度。
如图1所示,激光振荡器609发射出激光束600,光学***610处理激光束使其具有椭圆形截面,镜子611反射激光束,使其通过透明窗601照射处理目标基底606。照射光束可以是矩形的光束。
图4是一幅从法线方向显示了处理目标基底606的图。安装处理目标基底606,使处理目标基底606的末端位于距激光束照射位置100mm远的位置。接下来,在加速的同时移动移动机械装置605,使处理目标基底606以箭头①的方向移动。0.05秒之后,激光束600以恒速(在本实施方案中是20cm/s)照射处理目标基底606。如果激光束照射位置在处理目标基底606的外侧,那么增加移动速度(图5)。接下来在与箭头①方向相反的箭头②方向执行与箭头①方向相同的步骤,从而晶化基底。为了执行箭头③方向的步骤和箭头④方向的步骤,分别重复箭头①方向的步骤和箭头②方向的步骤。如果需要,可以重复执行这些步骤,从而用激光束照射处理目标基底606的整个表面。处理目标基底606上的半导体膜在与处理目标基底606平行并靠近处理目标基底606端面的方向上结晶。
移动处理目标基底606的速度可以设置为一个处于20到200cm/s范围内的恒定速度。
在结晶过程中,处理目标基底606可以放置在平台604上,从而用安装在台架603上的加热器来将处理目标基底606保持在一个预定的温度上。如果非晶形硅层在450℃的温度上结晶,那么会增加晶体的粒径。
对于激光振荡器609,使用了将CW激光束振荡成激光束600的振荡器。
激光退火室602中的大气可以使用作为减压和真空装置安装的真空泵630来控制。安装的通过阀门连接到氢气缸的供气管607a和通过阀门连接到氮气或其它气缸的供气管607b组成起供气装置作用的供气管607。在此实施方案中,激光束以常温常压照射。
在此实施方案中,在以20到200cm/s的恒速移动基底的同时用激光束照射基底表面上的半导体膜。由此,即使是大尺寸基底上的半导体膜,也可以将均匀的激光束照射到其上面。
在此实施方案中,功率设置为10W。但是,如果设置的功率不小于10W,那么即使是使用单束激光束也可以进行均匀的激光退火。功率不小于10W的激光束足以在半导体层的结晶过程中熔化半导体层。
在此实施方案中,激光振荡器发射激光束。另一种做法是使用多个激光振荡器聚光多束激光束,从而增加光束强度。固此通过聚光激光束,可以减少同心圆图案的产生,从而提高所得半导体设备的可靠性。如果需要,可以使用多个光学***、多个镜子、光纤等等。
根据本发明,在使用激光退火方法的步骤中要将激光束处理成具有椭圆形的截面,从而提高透射能。此外,通过使用易于维护的固态激光器,可以得到比使用传统受激准分子激光器的激光退火方法更高的透射能。因此可以减少TFT和由TFT制成的显示器这样的半导体设备的制造成本。
此外,通过将激光束斜向照射到半导体膜,可以去掉或减少在半导体膜上产生的同心圆图案,从而使半导体的材料特性在使用激光退火步骤之后变得均匀。如果使用这样的半导体膜来制造半导体设备,可以大大的提高半导体设备的性能。
本发明实施方案详述
实施方案1
下面将参照图6来讲述此实施方案中的光学***。
对于激光振荡器201,理想是使用大功率的激光器(YAG激光器、YVO4激光器等)。当然只要气体激光器、玻璃激光器等功率大,也可以使用。使用光学***将激光振荡器201产生的激光变成一个照射面为线性形状的线性光束。光学***使用,例如,长焦距的柱面棱镜205来将激光束放大成长光束,使用柱面棱镜206将激光束会聚成细光束。通过使用这样的长焦距柱面棱镜,可以得到减小了像差、在照射面上或附近的能量分布均匀的激光束。此外,长焦距柱面棱镜可以有效的抑制在入射到半导体膜上的光束的光束宽度和基底背表面反射的光束的光束宽度之间产生明显的差别。本发明的试验显示当使用了焦距为500mm或更大的柱面棱镜时,能够有力的减少像差的影响。
反射镜207安装在柱面棱镜的前面,从而可以改变激光束的传播方向。通过反射镜207可以将激光束入射到照射面上的角度调整到想要的角度θ。如果棱镜206的角度根据反射镜207的角度而改变,那么在照射面上可以形成更加匀称的激光束。
此外,当线性光束照射到半导体膜上时,进行的照射在扫描期间具有激光束的0到80%的扫描重叠率(在本实施例中激光束是在X轴方向上)。注意到在脉冲激光器的情况下,进行的照射在连续照射的激光束之间具有还可以重叠50-98%或可选的不重叠。因为最优条件随半导体膜的状态或激光束的延迟时间而不同,所以最好是操作员适当的确定最优条件。
在实施方案1中,一个脉冲激光器(输出20W,频率30Hz,YAG)被用作激光振荡器201。使用非线性光学元件202将脉冲激光束调制到第二谐波,接下来使用光学***将其变成长度为130mm,宽度为0.4mm的线性光束,并且线性光束照射到半导体膜上。此时,线性光束以与基底垂直方向5到10度的角度偏差照射。
台架208安装在平台203的下面,移动机械装置209安装在台架208下面。通过移动机械装置209可以在X轴方向和Y轴方向移动基底204。在移动机械装置209下面可以安装滚珠、圆柱、电机等。
处理目标基底204中的半导体膜在与处理目标基底204平行且靠近处理目标基底204端面的方向上结晶。
此外,通过用激光束斜向照射处理目标基底204的半导体膜,可以去掉或减少在半导体膜上产生的同心圆图案,从而使半导体的材料特性在使用激光退火步骤之后变得均匀。如果使用这样的半导体膜来制造半导体设备,可以大大提高半导体设备的性能。
实施方案2
此实施方案描述了用于激光退火设备的结晶方法。
首先,将玻璃基底(玻璃变形温度为667℃的Corning 1737)制备为基底1000。接下来在基底1000上形成保护膜1001,并通过喷镀方法在保护膜1001上以多层结构的形式依次形成氮化钽膜1002a(50nm厚)和钽膜1002b(250nm厚)。(图7A)接下来,使用光刻法形成多层结构的门电极1002,光刻法是传统的形成图案的方法。
随后,在不暴露给大气的条件下以多层结构依次形成门绝缘膜和非晶形半导体膜1004。在此实施方案中,为了防止杂质在制造过程中从门电极接线扩散到半导体膜和门绝缘膜之中,使用等离子CVD方法形成多层结构的氮化硅膜1003a(50nm厚)和氧化硅膜1003b(125nm厚),该层起多层结构的门绝缘膜的作用。在此实施方案中,用了两层绝缘膜作为门绝缘膜,但是门绝缘膜可以是单层或三层以上的多层结构。此外,在此实施方案中,使用等离子CVD方法在门绝缘膜上形成了一个厚度为54nm的非晶形硅膜1004作为非晶形半导体膜。而且,多层结构的形成是在不暴露给大气的条件下依次进行的,因此每个层接触面没有从大气中附着的杂质。
此后,进行加热处理(温度为500℃,1小时)以减少非晶形硅膜中阻碍半导体膜结晶的氢的浓度。
在得到如图7C所示的状态之后,为了形成结晶半导体膜1005,使用红外光或紫外光(激光退火)照射非晶形半导体膜1004使其结晶(激光结晶)。(图7D)非晶形半导体膜1004在与基底1000平行且靠近基底1000端面的方向上结晶。
在使用紫外光作为结晶方法的情况下,可以使用紫外光灯发出的激光或强光,而在使用红外光的情况下,可以使用红外光灯发出的红外激光或强光。在此实施方案中,YVO4激光束的形状为椭圆形,以5到10°的斜角照射到半导体膜。
此外,我们可以考虑非晶形半导体膜1004的厚度、基底温度等来确定适当的激光结晶的条件(例如激光波长、照射强度、重合度、和照射时间)。
此外,一些激光结晶的条件会使半导体膜在经过了熔化状态之后才结晶,或者半导体膜在没有熔化的固态或固态和液态的中间状态结晶。这种处理使非晶形半导体膜1004结晶并变成结晶半导体膜1005。在此实施方案中,结晶半导体膜是多晶硅膜(多硅膜)。
实施方案3
下面参照图8到9的顶视图来描述使用实施方案1和2得到的有源矩阵液晶显示器设备的结构。
在图8A所示的有源矩阵液晶显示器设备的顶视图中,在有源矩阵基底801上形成像素部分811、驱动电路(门驱动电路805和源驱动电路807的统称)、接到一个FPC(柔性印刷电路)的外部输入端803、将外部输入端803连接到对应电路输入部分的接线804等等。通过在其间加入末端密封材料将有源矩阵基底801和上面形成有滤色器等等的反向基底802相互结合在一起。
门驱动电路的作用是将信号输入到所选的门接线806。门接线806是电连接到门电极的接线。而且所选的门接线是依次选择的。当然,在门接线上配有绝缘线。另一方面,源驱动电路的功能是接收图像数据信号并将信号送往与所选门接线连接的像素电极。源驱动电路807与门驱动电路806匹配移动。接下来,通过选择每个门接线的开关元件(没有给出)和通过给源接线808加上需要的电压就可以得到有源矩阵型显示设备的图像。
提供在面向基底背面的像素部分811的表面上形成的滤色器,所以各有一个红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色器对应一个像素。对于实际显示来说,颜色的显示是通过三种颜色的滤色器,即红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器,来实现的。这三种颜色的滤色器可以随意排列。
当由激光照射导致的粒增长的方向(图8)与箭头方向一致时,如果该方向与图9A(像素部分的TFT图)中半导体膜810中载流子的流动方向(沟道方向)相同,那么不会降低电迁移率。806代表门接线,811代表接触孔。同样,如果图8中由激光照射导致的粒增长的方向与图9B(驱动电路的TFT图)中半导体膜810中载流子的流动方向相同,那么不会降低电迁移率。906代表门接线,911代表接触孔。
实施方案4
下面将要描述一种与第一实施方案中不同的激光退火装置。在此实施方案中的激光退火装置的特征在于提供了多个激光振荡器、多个光学***和多个镜子,将各个由激光振荡器振荡并由光学***处理的激光束聚光,并将聚光光束照射到基底。
如图11所示,激光束1100a到1100c分别由激光振荡器1109a到1109c发射,并由镜子1111a到1111c反射。反射的激光束会聚并照射到安装在平台1104上的处理目标基底1113。使用安装在平台1104下面的移动机械装置1105,处理目标基底1113可以在X轴方向和Y轴方向移动。在移动机械装置1105的下面安装有滚珠、圆柱、电机等。
在此实施方案中,可以防止或减少由激光束或多束激光束照射不利产生的同心圆图案的产生。因此可以提高所得半导体设备的可靠性。
实施方案5
下面将要描述与第一和第二实施方案中不同的激光退火装置。在此实施方案中的激光退火装置的特征在于提供了多个激光振荡器、多个非线性光学元件和一个波导管,各个激光振荡器发射激光束,各个非线性光学元件调制激光束,波导管会聚已调制激光束,会聚激光束照射基底。
如图12所示,激光振荡器100a到100c发射激光束,激光束112a到112c由非线性光学元件101a到101c进行调制,入射到光纤阵列103,并由波导管104会聚。光纤阵列105发射的激光束照射平台110上的处理目标基底113。请注意,光纤阵列103是使激光束112a到112c彼此接近的装置。
台架106安装在平台110的下面,移动机械装置107安装在台架106的下面。使用移动机械装置107,处理目标基底113可以在X轴方向和Y轴方向(没有给出)移动。在移动机械装置107的下面安装有滚珠、圆柱、电机等。
在此实施方案中,可以防止或减少由激光束或多束激光束照射不利产生的同心圆图案的产生。因此可以提高所得半导体设备的可靠性。
实施方案6
下面将要描述一种与第一到第三实施方案中的那些激光退火装置不同的激光退火装置,同时特别涉及一个移动平台的、参照图13的移动机械装置的例子。
一般来讲,在其上安装有激光照射的处理目标的平台沿着以X轴方向或Y轴方向安装的导轨移动。称作滚珠(轴承)的弧形物体放置在导轨和固定平台的部件(滑块)之间。从而实现了可以减少摩擦引起的负载和可以平滑移动平台的机械装置。
因为滚珠(轴承)会固平台的反复移动而磨损,所以需要通过定期维护来替换滚珠。此外,为了更为平滑的移动平台,需要减少由平台移动引起的磨损。
图13A显示了此实施方案中移动平台的移动机械装置。在图13A中,引用符号1300表示导轨,在其上以一个固定方向移动平台形成了一个方向的误差。引用符号1301表示固定平台的部件,称作滑块。滑块1301可以沿着导轨1300移动。另一种做法是可以安装多个滑块,以预定的间隔固定。引用符号1302表示一个穿过在滑块1301上形成的洞、沿着导轨1300方向安装的滑杆。滑杆1302通过侧板1304固定在导轨1300上。
供电电压和空气通过电缆1303送给滑块1301。图13B是滑块1301的放大图。供电电压产生使滑块1301和导轨1300相互吸引的磁场。此外,供电电压产生的磁场的方向是滑块1301远离在滑块1301中提供的洞中的滑杆1302并且不与其接触的方向。根据线性电机力的原理,滑块1301以箭头所示的方向移动。另一方面,力作用在滑块1301和导轨1300上,因此滑块1301和导轨1300通过这个磁场相互吸引。提供给滑块1301的空气通过气孔1305释放到滑块1301和导轨1300之间的区域里。因为力通过磁场的引力和气体的释放作用到滑块1301远离滑杆1302的方向上,所以在滑块1301和导轨1300之间保持着一个固定距离。
另一种做法是,不是由通过电缆提供的供电电压来产生磁场,而且导轨1300和滑块1301中的一个可以在磁性元件的外面形成,导轨1300和滑块1301中的另一个可以在磁性元件吸引的材料的外面形成,从而产生了磁场。替代做法是导轨1300和滑块1301可以分别在磁性元件的外面形成。
更进一步,不是由通过电缆提供的供电电压来产生磁场,而且滑杆1302和滑块1301中的一个可以在磁性元件的外面形成,滑杆1302和滑块1301中的另一个可以在要远离磁性元件的材料的外面形成,从而产生了磁场。替代做法是滑杆1302和滑块1301可以分别在磁性元件的外面形成。
使用在此实施方案中显示的平台移动机械装置,可以以非接触的方式沿着导轨移动平台,免除了滚珠(轴承)的定期更换,因此利于维护。此外,因为非接触移动,几乎不发生摩擦,与使用滚珠的情况相比平台可以更为平滑的移动。
图13C显示了激光照射的处理目标1311安装在固定在滑块1301上面的平台1310上的状态。在此实施方案中,平台移动装置使平台能够更为平滑的移动,使激光束更为均匀的照射处理目标1311。
如到这里所述,通过使用根据本发明的激光退火装置,多个激光束可以会聚成一个激光流,从而防止或减少了同心圆图案的产生,这是由激光流照射不利产生的,能够提高所得半导体设备的可靠性。如果使用了根据本发明的激光退火装置,那么即使是大尺寸基底上的半导体膜,也可以将激光束或多束激光束均匀的照射到上面。
此外,根据本发明,在使用激光退火方法的步骤中要将激光束处理成具有椭圆形的截面,从而提高透射能。除此之外,通过使用易于维护的固态激光器,可以得到比使用传统受激准分子激光器的激光退火产生的更高的透射能。结果是可以减少TFT和由TFT制造的显示器这样的半导体设备的制造成本。
而且通过用激光束斜向照射半导体膜,可以去掉或减少在半导体膜上产生的同心圆图案,从而使半导体膜的材料特性在使用激光退火方法的步骤之后变得均匀。如果使用这样的半导体膜来制造半导体设备,那么可以大大提高半导体设备的性能。
Claims (22)
1.一种激光退火装置,包括:
输出激光束的激光光源;以及
移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置,其中
该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及
在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
2.一种激光退火装置,包括:
输出激光束的激光光源;
处理该激光束的光学***;
反射该激光束的镜子;以及
移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置,
其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及
在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
3.根据权利要求2的激光退火装置,其中该光学***的作用包括将该激光束处理成椭圆形或线性形状。
4.一种激光退火装置,包括:
输出激光束的激光光源;
调制该激光束的非线性光学元件;
会聚已调制激光束的波导管;以及
移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置,
其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及
在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
5.一种激光退火装置,包括:
输出激光束的激光光源;以及
移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置;
其中该移动机械装置沿着导轨以非接触方式移动;
该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及
在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
6.根据权利要求5的激光退火装置,其中该非接触方式通过产生磁场实现。
7.根据权利要求5的激光退火装置,其中该非接触方式通过排放空气实现。
8.根据权利要求5的激光退火装置,其中该非接触方式通过产生磁场和排放空气实现。
9.一种激光退火装置,包括:
输出激光束的激光光源;以及
具有由该激光束通过的透明窗的激光退火室、移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置和用于控制该激光退火室的气体的真空泵;
其中该移动机械装置的作用包括反复移动等于或大于该基底一条边长度的距离,在反复移动方向的垂直方向上移动等于或小于该激光束在该垂直方向上在该基底上的照射区域的长度的距离;以及
在用该激光束斜向照射该基底之前,该移动机械装置被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
10.根据权利要求1-9之一的激光退火装置,其中该移动机械装置具有加热器。
11.根据权利要求1-10之一的激光退火装置,其中该恒定的速度处于20到200cm/s的范围内。
12.根据权利要求1-11之一的激光退火装置,其中将激光束斜向照射到该基底上的角度相对于该基底前表面的法线方向或基底后表面的法线方向是5到10°。
13.根据权利要求1-12之一的激光退火装置,其中该激光束是从由Nd:YAG激光器、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器和Nd:YAlO3激光器组成的集合中选择的激光器发出的一种二次谐波。
14.一种半导体设备制造方法,包括:
在基底上形成半导体膜;以及
照射激光束到该半导体膜,
其中不停地重复在以第一方向移动该基底的同时用该激光束斜向照射该半导体膜的步骤和在垂直于该第一方向的第二方向上移动该基底等于或小于该激光束宽度的距离的步骤;以及
在用该激光束斜向照射该基底之前,该基底被加速地移动,在该照射期间以恒定的速度被移动,以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。
15.根据权利要求14的方法,还包括在用该激光束斜向照射该半导体膜的步骤之前会聚该激光束的步骤。
16.根据权利要求14的方法,还包括分别利用多个非线性光学元件调制该多个激光束的步骤,以及在用该激光束斜向照射该半导体膜之前使该被调制的激光束通过波导管从而会聚该被调制的激光束的步骤。
17.根据权利要求14-16之一的方法,其中该恒定的速度处于20到200cm/s的范围内。
18.根据权利要求14-17之一的方法,其中该激光束被处理成照射表面上的椭圆形状。
19.根据权利要求14-18之一的方法,其中将激光束斜向照射到该半导体膜上的角度相对于该基底前表面的法线方向或基底后表面的法线方向是5到10°。
20.根据权利要求14-19之一的方法,其中该半导体膜的结晶是在平行于该基底且靠近基底端面的方向进行的。
21.根据权利要求14-20之一的方法,其中该激光束从该基底的后表面照射到该半导体膜。
22.根据权利要求14-21之一的方法,其中该激光束是从由Nd:YAG激光器、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器和Nd:YAlO3激光器组成的集合中选择的激光器发出的一种二次谐波。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001245095 | 2001-08-10 | ||
JP245095/2001 | 2001-08-10 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB021303053A Division CN1279591C (zh) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | 激光退火装置和半导体设备制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101101869A true CN101101869A (zh) | 2008-01-09 |
CN101101869B CN101101869B (zh) | 2010-12-29 |
Family
ID=19074912
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB021303053A Expired - Fee Related CN1279591C (zh) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | 激光退火装置和半导体设备制造方法 |
CN2006101156099A Expired - Fee Related CN101101869B (zh) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | 激光退火方法和半导体设备制造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB021303053A Expired - Fee Related CN1279591C (zh) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | 激光退火装置和半导体设备制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6847006B2 (zh) |
JP (1) | JP5058205B2 (zh) |
KR (1) | KR100885904B1 (zh) |
CN (2) | CN1279591C (zh) |
TW (1) | TW561556B (zh) |
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- 2002-08-07 US US10/212,773 patent/US6847006B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-07 KR KR1020020046477A patent/KR100885904B1/ko active IP Right Grant
- 2002-08-09 TW TW091117994A patent/TW561556B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-08-12 CN CNB021303053A patent/CN1279591C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-12 CN CN2006101156099A patent/CN101101869B/zh not_active Expired - Fee Related
-
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US20030038122A1 (en) | 2003-02-27 |
US20100173480A1 (en) | 2010-07-08 |
US7863541B2 (en) | 2011-01-04 |
KR20030014609A (ko) | 2003-02-19 |
JP2009164637A (ja) | 2009-07-23 |
KR100885904B1 (ko) | 2009-02-26 |
CN101101869B (zh) | 2010-12-29 |
US20050035095A1 (en) | 2005-02-17 |
TW561556B (en) | 2003-11-11 |
US6847006B2 (en) | 2005-01-25 |
CN1279591C (zh) | 2006-10-11 |
CN1405862A (zh) | 2003-03-26 |
JP5058205B2 (ja) | 2012-10-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101229 Termination date: 20180812 |