TWI540617B - 結晶裝置、結晶方法、及利用順序橫向固化法製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

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Description

結晶裝置、結晶方法、及利用順序橫向固化法製造有機發光顯示裝置之方法
本實施例係有關於一種結晶裝置、結晶方法、及製造有機發光顯示裝置之方法。本實施例係有關於一種可藉由選擇性地使用順序橫向固化法(SLS)於基板之部分區域而執行非晶矽之結晶作用的結晶裝置，例如，藉由包含至少一雷射產生裝置及複數個光學系統。本實施例係有關於一種結晶方法，及製造有機發光顯示裝置之方法。
主動矩陣型(AM)之有機發光顯示裝置之每一個像素可包含像素驅動電路。像素驅動電路可包含由矽晶所形成之薄膜電晶體(TFT)。形成薄膜電晶體之晶矽可使用非晶矽或多晶矽。
製造多晶矽層之方法可變換。舉例而言，製造多晶矽層的方法可包含直接沉積多晶矽及沉積非晶矽並結晶非晶矽。
本實施例係針對一種結晶裝置、結晶方法、及製造有機發光顯示裝置之方法。
本實施例可藉由提供利用順序橫向固化法(sequential lateral solidification, SLS)並結晶形成於基板上之非晶矽之一種結晶裝置以實施，結晶裝置包含：用以發射雷射光束之雷射產生裝置、用以處理自雷射產生裝置發射之雷射光束並將處理過的雷射光束照射至基板上的第一光學系統、與第一光學系統平行形成且用以處理自雷射產生裝置發射的雷射光束並將處理過的雷射光束照射至基板上的第二光學系統、以及用以切換自雷射產生裝置所發射之雷射光束的路徑並交替地發送雷射光束至第一光學系統及第二光學系統之路徑切換構件。
自雷射產生裝置所發射之雷射光束可週期性地且交替地發射至第一光學系統及第二光學系統。
自雷射產生裝置所發射之雷射光束可於基板相對應於結晶裝置移動時照射至基板上。
複數個平板可平行設置於基板上，第一光學系統可對應於第一平板而設置以於第一平板上結晶非晶矽層，而第二光學系統可對應於第二平板而設置以於第二平板上結晶非晶矽層。
自雷射產生裝置所發射之雷射光束可於第一光學系統通過第一平板上需結晶之非晶矽層之區域時，透過第一光學系統照射至第一平板上，而自雷射產生裝置所發射之雷射光束可於第二光學系統通過第二平板上需結晶之非晶矽層之區域時，透過第二光學系統照射至第二平板上。
自雷射產生裝置所發射之雷射光束可為脈衝雷射光束。
脈衝雷射光束單次照射於其上之基板的第一雷射照射區以及脈衝雷射光束接著照射於其上之第二雷射照射區可形成以彼此部分地重疊。
第一雷射照射區與第二雷射照射區之重疊區的非晶矽層可藉由融化及固化二次而結晶。
路徑切換構件可包含反射部分及透射部分，其中反射部分及透射部分可交替地設置於雷射光束之路徑上。
當透射部分設置於雷射光束之路徑上時，雷射光束可透過透射部分發送至第一光學系統。
當反射部分設置於雷射光束之路徑上時，雷射光束可於反射部分反射並發送至第二光學系統。
路徑切換構件可相對雷射光束之路徑而執行往復運動(reciprocating motion)。
路徑切換構件可包含三稜鏡，其中自雷射產生裝置所發射之雷射光束可交替地照射至三稜鏡之第一表面及第二表面。
路徑切換構件可包含三稜鏡，其中三稜鏡可相對雷射光束之路徑執行往復運動。
雷射產生裝置可包含第一雷射產生裝置及第二雷射產生裝置。
自第一雷射產生裝置及第二雷射產生裝置所產生之雷射光束可為脈衝雷射光束且交替地照射至基板上。
藉由第二雷射產生裝置所產生之雷射光束可產生於藉由第一雷射產生裝置所產生之脈衝雷射光束之脈衝之間。
實施例亦可藉由提供一種利用順序橫向固化法(sequential lateral solidification, SLS)且結晶形成於基板上之非晶矽層的結晶方法，複數個平板係平行設置於基板上，結晶方法包含：形成非晶矽於基板上；對應結晶裝置相對地移動基板；於對應結晶裝置相對地移動基板時，藉由交替地照射雷射光束至彼此平行設置之複數個平板中第一平板與第二平板上以執行結晶作用。
選擇性結晶作用的執行可僅結晶非晶矽層之一部分。
自雷射產生裝置所發射之雷射光束可於雷射產生裝置通過第一平板上之非晶矽層之需結晶區域時而照射至第一平板上，且自雷射產生裝置所發射之雷射光束可於雷射產生裝置通過第二平板上之非晶矽層之需結晶區域時而照射至第二平板上。
結晶作用的執行可包含選擇性地僅結晶於非晶矽層中主動層形成之區域。
照射至基板上之雷射光束可為脈衝雷射光束，且結晶作用之執行可包含當基板相對應結晶裝置而相對地移動時，藉由週期性地且交替地照射雷射光束至基板上以融化與固化非晶矽層。
脈衝雷射光束單次照射之基板之第一雷射照射區，以及脈衝雷射光束接著照射之第二雷射照射區可形成以彼此部分地重疊。
第一雷射照射區及第二雷射照射區之重疊區域的非晶矽層可藉由融化及固化二次而結晶。
根據本發明之另一態樣，提供一種結晶方法，其包含：設置與基板分隔之結晶裝置、以及於基板相對應於結晶裝置相對地移動時，透過第一光學系統及第二光學系統將雷射產生裝置所發射之雷射光束交替地照射至基板上。結晶裝置包含：用以發射雷射光束之雷射產生裝置、用以處理自雷射產生裝置所發射之雷射光束且將處理過之雷射光束照射至基板之第一光學系統、與第一光學系統平行形成且用以處理自雷射產生裝置所發射之雷射光束且將處理過之雷射光束照射至基板之第二光學系統、以及用以切換自雷射產生裝置所發射之雷射光束並交替地發送雷射光束至第一光學系統與第二光學系統之路徑切換構件。
實施例也可藉由提供一種利用結晶方法以製造有機發光顯示裝置之方法，其中有機發光顯示裝置包含複數個像素，每一像素包含通道區、儲存區、以及發光區，其中結晶作用的執行包含僅結晶通道區及儲存區。
本申請案主張於2010年11月5日向韓國智慧財產局提出，申請案號為10-2010-0109777之專利申請案的優先權效益，該發明名稱為：“結晶裝置、結晶方法、以及利用順序橫向固化法製造有機發光顯示裝置之方法(Crystallization Apparatus, Crystallization Method, and Method of Manufacturing Organic Light-Emitting Display Device, Which Use Sequential Lateral Solidification)”，其全部內容將完全併入後文參考。
後文中，將參閱附圖以詳細描述例示性實施例。然而，本發明可以不同形式實施並不應解釋為限制於此處所設之實施例。相反的，此些實施例之提供可使本揭露更加透徹且完整，且將充分的傳達本發明之概念至本領域之技術人士。
在圖式中，層及區域之尺寸可誇大以清楚解釋。可被理解的是當層及元件被稱為在另一層、基板、或元件“上”時，其可直接地位於另一層、基板、或元件上，或可存在其他中介元件。
第1圖為根據一例示性實施例之結晶裝置100之示意圖。
參閱第1圖，根據本實施例之結晶裝置100可包含配置以產生雷射光束L之雷射產生裝置101。結晶裝置100可包含配置以處理自雷射產生裝置101發射之雷射光束L並將處理過之雷射光束L照射至第一基板10的第一光學系統102。結晶裝置100可包含與第一光學系統102平行形成且配置以處理自雷射產生裝置101發射之雷射光束L並將處理過之雷射光束L照射至第一基板10的第二光學系統103。結晶裝置100可包含配置以切換自雷射產生裝置101發射之雷射光束L之路徑並交替地發送雷射光束L至第一光學系統102或第二光學系統103其中之一的路徑切換構件104。
於此，每一第一光學系統102及第二光學系統103可包含至少一個衰減器(圖未示)，其可調整自雷射產生裝置101發射且未被處理之雷射光束L的強度、一聚焦透鏡(圖未示)，其可聚焦自雷射產生裝置101發射之雷射光束L、以及一縮短透鏡(圖未示)，其可縮短穿透聚焦透鏡之雷射光束L至一定比例。
非晶矽層於其上沉積至第一基板10上之X-Y階台105可被固定，且可設置在對應於雷射產生裝置101之位置。為了結晶第一基板10之整個區域，X-Y階台105可對應第一基板10而相對地移動，因此擴大結晶區域。
現將詳細描述藉由利用結晶裝置100所製造之有機發光顯示裝置1的結構。
第2圖係為藉由利用第1圖中結晶裝置100所製造之有機發光顯示裝置1之平面圖，第3圖為根據一例示性實施例之形成第2圖之有機發光顯示裝置1之複數個像素之一像素的平面圖，以及第4圖係為第3圖之線段A-A所截取之橫截面視圖。
參閱第2圖，根據一例示性實施例之有機發光顯示裝置1可包含具有薄膜電晶體TFT、有機發光裝置EL等之第一基板10、以及例如藉由密封件12黏附於第一基板10之第二基板(圖未示)。
第一基板10可包含各自包括薄膜電晶體TFT、有機發光裝置EL、以及儲存電容Cst (顯示於第4圖)之複數個像素。第一基板10可為例如低溫多晶矽(low temperature polycrystalline silicon, LTPS)基板、玻璃基板、塑膠基板、或不鏽鋼(stainless steel, SUS)基板。
第二基板可為設置於第一基板10上之封裝基板以阻擋外部濕氣與空氣滲透入第一基板10之薄膜電晶體與有機發光裝置EL。第二基板可設置以面對第一基板10。第一基板10及第二基板可藉由沿著第一基板10與第二基板邊緣設置之密封件12而彼此結合。第二基板可為例如由玻璃或塑膠形成之透明基板。
第一基板10可包含例如發射光之像素區PA。第一基板10可包含圍繞像素區PA設置之電路區(圖未示)。根據例示性實施例，密封件12可設置於圍繞像素區PA之電路區上，因此黏接第一基板10與第二基板。
根據一例示性實施例之有機發光顯示裝置1可於像素區PA之半導體層上執行選擇性結晶作用。此選擇性結晶作用將於後詳細描述。
參閱第3圖及第4圖，有機發光顯示裝置1之一像素可包含通道區2、儲存區、3、以及發光區4。通道區2、儲存區、3、以及發光區4可沿著第3圖中之一方向而彼此平行形成，但通道區2、儲存區3、以及發光區4之位置並不以此為限。舉例而言，儲存區3及發光區4可沿著縱向方向彼此相鄰形成，且通道區2可形成於儲存區3及發光區4之每一側且相鄰於每一儲存區3及發光區4。
通道區2可包含薄膜電晶體TFT作為驅動裝置。薄膜電晶體TFT可包含主動層210、閘極電極214、源極電極216a、以及汲極電極216b。第一絕緣層13可設置於閘極電極214及主動層210之間以使閘極電極214及主動層210彼此絕緣。同時，注入高密度雜質的源極區與汲極區可形成於主動層210之每一個邊緣，且可分別地連接源極電極216a與汲極電極216b。
儲存區3可包含儲存電容Cst。儲存電容Cst可包含第一電容電極310及第二電容電極316，其中第一絕緣層13可設置於其間。第一電容電極310可與薄膜電晶體TFT之主動層210以相同材料形成於相同層上。第二電容電極316可與薄膜電晶體TFT之源極電極216a與汲極電極216b以相同材料形成於相同層上。
發光區4可包含有機發光裝置EL。有機發光裝置EL可包含連接薄膜電晶體TFT之源極電極216a與汲極電極216b其中之一之像素電極418、面對像素電極418之反電極421、以及設置於其間之中介層420。像素電極418可由例如透明導電材料形成。第4圖中之參考符號15表示閘極絕緣層，參考符號17表示鈍化層，以及參考符號19表示像素定義層。
在利用順序橫向固化法(SLS)以結晶之例示性方法中，像素區的整個區域，也就是通道區、儲存區、以及發光區可被結晶。然而，有機發光顯示裝置具有增加的尺寸，欲結晶的區域也同時增加。因此，用以產生雷射光束之雷射產生裝置之維修費用增加，因此導致生產力劣化。
一個像素中需要高電子移動性之區域可為通道區2及儲存區3。占據像素之整個區域一半以上的發光區4可不需要較高的電子移動性。因此，僅結晶通道區2及儲存區3可更有效率的降低雷射維修費用。
因此，有機發光顯示裝置之特徵在於藉由選擇性地結晶以形成主動層為多晶矽狀態，例如僅結晶形成於通道區2及儲存區3之半導體層。發光區4之半導體層可不被結晶、可實質上不被結晶、或可僅最低限度地結晶。換句話說，當基板及雷射產生裝置其中之一彼此相對地移動時，可於需結晶之部分執行結晶作用，例如僅於通道區2及儲存區3之部分。
藉由執行此選擇性結晶作用，可擴大雷射產生裝置之效率，且可於改善生產力時降低維修費用。
選擇性結晶作用可藉由第1圖中之結晶裝置100而執行。換句話說，參閱第1圖，藉由一雷射產生裝置101所產生之雷射光束可藉由路徑切換構件104交替地發送至第一光學系統102及第二光學系統103。當第一光學系統102通過第一基板10之第一平板上之通道區2及儲存區3而執行結晶作用時，第二光學系統103可通過第二平板之發光區4。或者，當第二光學系統103通過第一基板10之第二平板上之通道區2及儲存區3而執行結晶作用時，第一光學系統102可通過第一平板之發光區4。
現將詳細描述。
第5圖為藉由利用自雷射產生裝置101發射之雷射光束以結晶第一基板10之過程。如第5圖所示，當有機發光顯示裝置擴大時，複數個平板，即有機發光顯示裝置，可形成於一母玻璃上。於此，如第5圖所示，當平板排列於複數行(line)中，透過第一光學系統102而照射之雷射光束可結晶設置於第一行之第一平板P1，且透過第二光學系統103而照射之雷射光束可結晶設置於第三行之第二平板P2。
詳細來說，當自雷射產生裝置101發射之雷射光束藉由路徑切換構件104而發送至第一光學系統102時，當第一基板10以相對於結晶裝置100以箭頭A表示之方向移動時，通過第一光學系統102之雷射光束可照射至第一平板P1以結晶例如第一平板P1之通道區及儲存區之部分區域。於此，第二光學系統103可通過第二平板不需結晶之區域，例如發光區。
於此，當第一平板P1完成結晶時，路徑切換構件104可切換雷射光束之路徑以使雷射光束照射至第二光學系統103。換句話說，當自雷射產生裝置101發射之雷射光束藉由路徑切換構件104發送至第二光學系統103時，通過第二光學系統103之雷射光束可照射至第二平板P2以結晶第二平板P2之例如通道區及儲存區之區域。於此，第一光學系統102可通過第一平板P1不需結晶之區域，例如第一平板P1之發光區。
換句話說，當第一光學系統102通過第一平板P1之通道區及儲存區時，路徑切換構件104可發送雷射光束至第一光學系統102，因此結晶第一平板P1之通道區及儲存區。又，當第二光學系統103通過第二平板P2之通道區及儲存區時，路徑切換構件104可發送雷射光束至第二光學系統103，因此結晶第二平板P2之通道區及儲存區。
因此，選擇性結晶作用可於對應結晶裝置100而相對地移動第一基板10時，藉由重複且交替地結晶第一基板P1之通道區與儲存區以及第二基板P2之通道區與儲存區而執行。
於此，選擇性結晶作用可藉由以一預定距離，例如對應於非結晶區域之寬度的偏移，以分隔設置第二光學系統103與第一光學系統102而執行。
現將詳細描述根據一例示性實施例之一種藉由使用結晶裝置並使用順序橫向固化法以結晶非晶矽層之方法。
晶體矽層可藉由於第一基板10上形成構成絕緣層之緩衝層(圖未示)、於緩衝層上沉積非晶矽層、且接著結晶非晶矽層而形成。實施例可省略此緩衝層。
藉由結晶裝置100之雷射產生裝置101所產生之雷射光束可為脈衝雷射光束，例如此雷射光束可不為連續波(CW)雷射光束。舉例而言，當雷射產生裝置101產生頻率約為6000 Hz之脈衝雷射光束時，高頻率雷射光束可於約1秒內於第一基板10上照射約6000次。
當自雷射產生裝置101產生之脈衝雷射光束照射至第一基板10上時，晶粒可能會自脈衝雷射光束照射之融化區域內之非晶矽層的兩介面之間橫向增長。當晶粒邊界彼此發生碰撞時，晶粒可能會停止增長，且核心產生區域可能不會實質存在，其可能不存在於晶粒之間。當調整雷射產生裝置101之移動速度時，接下來的雷射照射區域與現有之雷射照射區重疊，透過以單一方向之單一掃描可獲得雙重之結晶效果。
換句話說，當藉由雷射產生裝置101產生之脈衝雷射光束第一次照射至第一基板10時，當非晶矽層融化且於脈衝雷射光束照射之融化區域中固化時可形成多晶矽。接著，雷射產生裝置101可在脈衝雷射光束之脈衝間的休止期於一方向移動一定距離。於此，雷射產生裝置101之移動速度可調整以使接下來的雷射照射區，也就是融化區，重疊於現有之雷射照射區。在此時，當脈衝雷射光束第二次照射至第一基板10時，多晶矽融化並再次固化，以結晶於脈衝雷射光束第一次照射之雷射照射區、以及脈衝雷射光第二次照射之雷射照射區彼此重疊之部位。因此，一像素之通道區及儲存區可於雷射產生裝置101以一方向移動時，藉由週期性地照射雷射光束而結晶。
現將描述根據不同例示性實施例之結晶裝置100之路徑切換構件104。
第6圖為第1圖之結晶裝置100之路徑切換構件104之詳細示意圖，且第7圖為第6圖之控制構件104a之平面圖。
參閱第6圖及第7圖，結晶裝置100之路徑切換構件104可包含控制構件104a、第一反射鏡104b、第二反射鏡104c以及第三反射鏡104d。同時，控制構件104a可包含反射部分104aa及透射部分104ab。控制構件104a可以箭頭B所標示之方向往復運動(reciprocating motion)之方式而設置。換句話說，反射部分104aa及透射部分104ab可交替地設置於自雷射產生裝置101所發射之雷射光束之路徑上，因此交替地發送雷射光束至第一光學系統102及第二光學系統103。現將詳細描述。
當第5圖之第一平板P1之通道區及儲存區設置於第一光學系統102下時可藉由利用自雷射產生裝置101發射之雷射光束L而結晶，控制構件104a之透射部分104ab可設置於自雷射產生裝置101發射之雷射光束之路徑上。因此，自雷射產生裝置101發射之雷射光束L可通過控制構件104a之透射部分104ab，且可透過第一反射鏡104b及第二反射鏡104c照射至第一平板P1上。
另一方面，當第5圖之第二平板P2之通道區及儲存區設置於第二光學系統103下時可藉由利用自雷射產生裝置101發射之雷射光束L而結晶，控制構件104a之反射部分104aa可設置於自雷射產生裝置101發射之雷射光束之路徑上。因此，自雷射產生裝置101發射之雷射光束L之路徑可藉由控制構件104a之反射部分104aa反射而切換，且雷射光束L可透過第三反射鏡104d而照射至第二平板P2上。
因此，自雷射產生裝置101發射之雷射光束L之路徑可隨控制構件104a之往復移動而被控制，例如於箭頭B所表示之方向，且因此結晶作用可選擇性地僅於第一平板P1及第二平板P2之所需部分執行。
於此，控制構件104a可形成以具有一定角度。控制構件104a之一定角度可變化以實施最大的能量傳輸(energy transmission)。
第8圖至第11圖係根據例示性實施例之第1圖中結晶裝置100之路徑切換構件之示意圖。
根據一例示性實施例，如第8圖所示，路徑切換構件114可為三稜鏡。於此，路徑切換構件114之至少兩平面可反射光。用以控制自雷射產生裝置101所發射之雷射光束L的反射鏡101a可設置於雷射產生裝置101之一側。反射鏡101a可藉由利用雷射光束L之照射方向為軸心而旋轉，藉由將雷射光束L交替地發送至路徑切換構件114之不同表面之方式而控制雷射產生裝置101發射之雷射光束L之路徑。當雷射光束L照射至路徑切換構件114之第一表面114a時，雷射光束L可反射於第一表面114a且可接著入射第一光學系統102。或者，當雷射光束L照射至路徑切換構件114之第二表面114b時，雷射光束L可反射於第二表面114b且可接著入射於第二光學系統103上。
根據另一例示性實施例，路徑切換構件124可如第9圖所示為三稜鏡。控制自雷射產生裝置101發射之雷射光束L之反射鏡101b可設置於雷射產生裝置101之一側。反射鏡101b可於箭頭C所標示之方向往復地移動，藉由將雷射光束L交替地發送至路徑切換構件124之不同表面之方式而控制自雷射產生裝置101發射之雷射光束L之路徑。因此，當雷射光束L照射至路徑切換構件124之第一表面124a時，雷射光束L可反射於第一表面124a，且可入射第一光學系統102。或者，當雷射光束L照射至路徑切換構件124之第二表面124b時，雷射光束L可反射於第二表面124b且可入射第二光學系統103。
根據另一例示性實施例，路徑切換構件134可如第10圖所示為三稜鏡。路徑切換構件134可配置以於由箭頭D所標示之方向往復地移動自身。因此，當路徑切換構件134設置於以實線所標示之第一位置時，雷射光束L可反射於第一表面134a且可入射至第一光學系統102上。當路徑切換構件134設置於以虛線所標示之第二位置時，雷射光束L可反射於第二表面134b且可入射至第二光學系統103上。
根據另一例示性實施例，路徑切換構件144可為包含反射部分144a及透射部分144b之旋轉構件，如第11圖所示。隨著路徑切換構件144以箭頭E所標示之方向旋轉，反射部分144a及透射部分144b可交替地設置於雷射產生裝置101所發射之雷射光束L之路徑上，且因此雷射光束L可交替地發送至第一光學系統102及第二光學系統103。
根據如第11圖所示之另一例示性實施例，路徑切換構件144可為包含第一透射部分及第二透射部分之旋轉構件。於此，第一透射部分及第二透射部分皆可穿透雷射光束L，但其中之一可折射雷射光束L。隨著路徑切換構件144以箭頭E所標示之方向旋轉，第一透射部分及第二透射部分可交替地設置於雷射產生裝置101所發射之雷射光束L之路徑上，且因此雷射光束L可交替地發送至第一光學系統102及第二光學系統103。
第12圖為根據另一例示性實施例之結晶裝置200之示意圖。
根據第12圖，根據本例示性實施例之結晶裝置200可包含產生雷射光束L之雷射產生裝置201。結晶裝置200可包含第一光學系統202，其係處理雷射產生裝置201所發射之雷射光束L且將處理過之雷射光束L照射至第一基板10。結晶裝置200可包含與第一光學系統202平行形成之第二光學系統203，其係處理雷射產生裝置201所發射之雷射光束L，並將處理過之雷射光束L照射至第一基板10。結晶裝置200可包含路徑切換構件204，其係切換雷射產生裝置201所發射之雷射光束之路徑以交替地發送雷射光束L至第一光學系統202及第二光學系統203。於此，第一光學系統202、第二光學系統203、及路徑切換構件204之結構可相似於如上所述之結構，且因此其詳細描述將不再重複。參考符號205表示X-Y階台。
結晶裝置200之雷射產生裝置201可包含第一雷射產生裝置211及第二雷射產生裝置212。根據本實施例之結晶裝置200可包含兩個，或至少兩個雷射產生裝置以及兩個，或至少兩個光學系統。每一個第一雷射產生裝置211及第二雷射產生裝置212之結構可相似於第1圖中之雷射產生裝置101。
藉由包含兩個雷射產生裝置，即第一雷射產生裝置211及第二雷射產生裝置212，結晶裝置200之生產速度可較結晶裝置100改善至少兩倍之多。現將詳細描述此生產速度之改善。
第13圖為第1圖中結晶裝置100之脈衝雷射波形圖。為了闡述第13圖，雷射光束係照射四次以結晶所有之結晶區域，即像素中之通道區與儲存區。雷射產生裝置所產生之脈衝雷射之頻率約為6000 Hz。因此，結晶裝置100可花費約1/1500秒(約1/6000秒x四次)以結晶像素之結晶區域。路徑切換構件104約每1/1500秒切換雷射光束L之路徑以交替地結晶第5圖之第一平板P1及第二平板P2。參考符號C1表示第一平板P1結晶之部分。
第14圖為第12圖中結晶裝置200之脈衝雷射波形圖。在結晶裝置200中，第一雷射產生裝置211所產生之雷射光束與第二雷射產生裝置212所產生之雷射光束之間有約一半波長之脈衝延遲。換句話說，由第二雷射產生裝置212所產生之雷射光束係產生於由第一雷射產生裝置211產生之脈衝雷射光束之脈衝之間。詳細來說，由第一雷射產生裝置211及第二雷射產生裝置212所產生之雷射光束係交替地照射於第一基板10上。因此，結晶裝置200中，雷射光束照射至基板之時間係為結晶裝置100之一半。參閱第13圖及第14圖，結晶裝置100結晶三個像素，而結晶裝置200於相同時間內結晶六個像素。參考符號C2表示第二平板P2結晶之部分。
因此，可改善結晶速度。
第15圖為根據另一例示性實施例之結晶裝置300之示意圖。
參閱第15圖，根據本例示性實施例之結晶裝置300可包含雷射產生裝置301，其具有第一雷射產生裝置311及第二雷射產生裝置312以產生雷射光束L。結晶裝置300可包含光學系統302，其係用以處理自雷射產生裝置301發射之雷射光束L，並將處理過之雷射光束L照射至第一基板10上。結晶裝置300可包含路徑切換構件304，其係用以聚集自雷射產生裝置301發射之雷射光束L並切換雷射光束L之路徑。雷射產生裝置301及路徑切換構件304之結構可相似於如前所述之實施例，且因此其詳細的描述將省略。參考符號305表示X-Y階台。
相較於結晶裝置100及結晶裝置200，結晶裝置300可僅包含一光學系統302。舉例而言，當結晶裝置300僅包含一光學系統302時，其可包含兩個雷射產生裝置，即第一雷射產生裝置311及第二雷射產生裝置312，且因此可較結晶裝置100及200於結晶一平板時之生產速度快約兩倍之多。
若自雷射產生裝置產生之脈衝雷射之頻率約為6000 Hz時，脈衝雷射可以每秒12000次照射至一平板，且因此結晶一平板所花費之時間可減半。因此，可更進一步改善結晶速度。
總結與回顧，由於形成源極、汲極以及通道之半導體主動層係由非晶矽所形成，因此用於像素驅動電路之非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)可具有等於或小於1 cm2/Vs之低電子移動性。因此，近來非晶矽薄膜電晶體趨向於由多晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFT)而取代。多晶矽薄膜電晶體所發射的光具有相較於非晶矽電晶體具有相對較大之電子移動性及優良的穩定性。因此，多晶矽薄膜電晶體係非常適合驅動主動矩陣型(AM)有機發光顯示裝置及/或用於切換薄膜電晶體之主動層。
製造此多晶矽之方法可變換，且可區分為直接沈積多晶矽之方法以及沈積非晶矽並結晶非晶矽之方法。
直接沈積多晶矽之方法的例子包含例如化學氣相沈積(CVD)法、光學化學氣相沈積法、氫基(hydrogen radical, HR)化學氣相沈積法、電子迴旋共振(electron cyclotron resonance)化學氣相沈積法、電漿促進(plasma enhanced, PE)化學氣相沈積法、以及低壓(low pressure, LP)化學氣相沈積法。
同時，沈積非晶矽並結晶非晶矽之方法的例子包含例如固相結晶(solid phase crystallization, SPC)法、準分子雷射結晶(excimer laser crystallization, ELC)法、金屬誘導結晶(metal induced crystallization, MIC)法、金屬誘導側向結晶(metal induced lateral crystallization, MILC)法、以及順序橫向固化(sequential lateral solidification, SLS)法。
固相結晶法(SPC)可能因其需長時間於等於或大於600℃之高溫執行而不易實際應用。準分子雷射結晶法(ELC)能執行低溫結晶，但由於雷射光束可能因使用光學系統而擴大導致均勻度降低。金屬誘導結晶法(MIC)由於沈積於非晶矽層表面之金屬薄膜因此可具有低結晶溫度，且矽晶層可使用金屬薄膜作為催化劑而結晶。然而，在金屬誘導結晶法中，以多晶矽層形成之薄膜電晶體裝置的特性可能會因多晶矽層受金屬污染而劣化，並且所形成的結晶尺寸小且結晶可能以不規律的方式而分佈。
順序橫向固化法(SLS)使用之特性包含例如矽晶之晶粒於垂直於液體與固體之邊界表面之方向而增長。舉例而言，結晶作用可藉由使用遮罩以透過一定區域穿透雷射光束而融化部分非晶矽，且結晶係自非晶矽之融化部分及非融化部分間之邊界朝向非晶矽之融化部分而增長。如上所述，順序橫向固化法以作為製造低溫多晶矽之方法而受到注目。
根據實施例，當非晶矽層藉由利用順序橫向固化法而結晶時，雷射的使用可有效率的增加且可降低維修費用。實施例包含結晶裝置、結晶方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法。
更具體地說，實施例係有關於一種結晶裝置、結晶方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法，其中藉由例如選擇性地使用順序橫向固化法於基板之部分區域以結晶非晶矽可增加雷射使用效率以及降低維修費用。
雖然本發明已參照其例示性實施例來特別地顯示與描述，然而將理解的是該技術領域具有通常知識者可在未脫離由下述申請專利範圍所定義之本發明的精神與範疇下做形式與細節上的各種變化。
1．．．有機發光顯示裝置
2．．．通道區
3．．．儲存區
4．．．發光區
13．．．第一絕緣層
15．．．閘極絕緣層
17．．．鈍化層
19．．．像素定義層
10．．．第一基板
12．．．密封件
100、200、300．．．結晶裝置
101、201、301．．．雷射產生裝置
101a、101b．．．反射鏡
102、202．．．第一光學系統
103、203．．．第二光學系統
104、114、124、134、144、204、304．．．路徑切換構件
104a．．．控制構件
104b．．．第一反射鏡
104c．．．第二反射鏡
104d．．．第三反射鏡
104aa、144a．．．反射部分
104ab、144b．．．透射部分
105、205、305．．．X-Y階台
114a、124a、134a．．．第一表面
114b、124b、134b．．．第二表面
211、311．．．第一雷射產生裝置
212、312．．．第二雷射產生裝置
210．．．主動層
214．．．閘極電極
216a．．．源極電極
216b．．．汲極電極
302．．．光學系統
310．．．第一電容電極
316．．．第二電容電極
418．．．像素電極
420．．．中介層
421．．．反電極
Cst．．．儲存電容
TFT．．．薄膜電晶體
EL．．．有機發光裝置
L．．．雷射光束
PA．．．像素區
P1．．．第一平板
P2．．．第二平板
A、B、C、D、E．．．方向
C1．．．第一平板結晶之部分
C2．．．第二平板結晶之部分
藉由參閱附圖以詳細闡述例示性實施例將使本發明之特徵及優點更顯而易見，其中：
第1圖係根據例示性實施例之結晶裝置之示意圖；
第2圖係藉由使用第1圖之結晶裝置所製造之有機發光顯示裝置之平面圖；
第3圖係根據一例示性實施例之形成第2圖中有機發光顯示裝置之複數個像素中一像素的平面視圖；
第4圖係由第3圖中線段A-A所截取之橫截面視圖；
第5圖係描述藉由利用自雷射產生裝置發射之雷射光束結晶基板之例示性製程的示意圖；
第6圖係詳細描述第1圖之結晶裝置之例示性路徑切換構件之示意圖；
第7圖係為第6圖之控制構件之平面圖；
第8圖至第11圖為根據例示性實施例之第1圖中結晶裝置之路徑切換構件之示意圖；
第12圖係根據另一例示性實施例之結晶裝置之示意圖；
第13圖係為第1圖之結晶裝置中脈衝雷射波形圖；
第14圖係為第12圖之結晶裝置中脈衝雷射波形圖；以及
第15圖係為根據另一實施例之結晶裝置之示意圖。
10．．．第一基板
100．．．結晶裝置
101．．．雷射產生裝置
102．．．第一光學系統
103．．．第二光學系統
104．．．路徑切換構件
105．．．X-Y階台
L．．．雷射光束

Claims (26)

  1. 一種結晶裝置，其係利用順序橫向固化法(sequential lateral solidification, SLS)且結晶形成於一基板上之一非晶矽層，該結晶裝置包含：
    一雷射產生裝置，其係配置以發射一雷射光束；
    一第一光學系統，其係配置以處理自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束且將處理過之該雷射光束照射至該基板；
    一第二光學系統，其係平行於該第一光學系統，該第二光學系統係配置以處理自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束且將處理過之該雷射光束照射至該基板；以及
    一路徑切換構件，其係配置以切換自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束之一路徑且交替地發送該雷射光束至該第一光學系統及該第二光學系統。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束係週期性地且交替地發送至該第一光學系統及該第二光學系統。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束係於該基板相對該結晶裝置移動時而照射至該基板上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之結晶裝置，其中該第一光學系統係對應至該基板上之複數個平板之一第一平板且係配置以結晶該第一平板上之該非晶矽層，而該第二光學系統係對應至該基板上之該複數個平板之一第二平板且係配置以結晶該第二平板上之該非晶矽層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之結晶裝置，其中自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束係配置以當該第一光學系統通過該第一平板上之該非晶矽層需結晶之一區域時，透過該第一光學系統而照射至該第一平板上，而自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束係配置以當該第二光學系統通過該第二平板上之該非晶矽層需結晶之一區域時，透過該第二光學系統而照射至該第二平板上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束係為一脈衝雷射光束。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之結晶裝置，其中該脈衝雷射光束單次照射於其上之該基板之一第一雷射照射區、以及該脈衝雷射光束接著照射於其上之該基板之一第二雷射照射區係彼此部分地重疊而形成。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之結晶裝置，其中該第一雷射照射區與該第二雷射照射區之重疊區的該非晶矽層係配置以藉由融化及固化二次而結晶。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中該路徑切換構件包含一反射部分及一透射部分，該反射部分及該透射部分係交替地排列於該雷射光束之該路徑上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之結晶裝置，其中該雷射光束係透過該透射部分發送至該第一光學系統。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之結晶裝置，其中該雷射光束係於該反射部分反射並發送至該第二光學系統。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之結晶裝置，其中該路徑切換構件係配置以對應該雷射光束之該路徑而執行一往復運動(reciprocating motion)。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中該路徑切換構件包含一三稜鏡，且自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束係交替地照射至該三稜鏡之一第一表面及一第二表面。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中該路徑切換構件包含一三稜鏡，該三稜鏡係配置以對應該雷射光束之該路徑而執行一往復運動。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中該雷射產生裝置包含一第一雷射產生裝置及一第二雷射產生裝置。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之結晶裝置，其中自該第一雷射產生裝置及該第二雷射產生裝置所產生之雷射光束為交替地照射至該基板之脈衝雷射光束。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之結晶裝置，其中藉由該第二雷射產生裝置所產生之該雷射光束係產生於藉由該第一雷射產生裝置所產生之該脈衝雷射光束之脈衝之間。
  18. 一種結晶方法，其係利用順序橫向固化法(sequential lateral solidification, SLS)且結晶形成於一基板上之一非晶矽層，其中複數個平板係平行設置於該基板上，該結晶方法包含：
    形成該非晶矽層於該基板上；
    對應一結晶裝置以移動該基板；
    於該基板對應該結晶裝置而移動時執行一結晶作用，該結晶作用之執行係藉由交替地照射一雷射光束至該複數個平板之一第一平板及一第二平板而進行，該第一平板及該第二平板係彼此平行設置。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之結晶方法，其中該結晶作用之執行係選擇性地僅結晶該非晶矽層之一部分。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之結晶方法，其中自一雷射產生裝置所發射之該雷射光束係於該雷射產生裝置通過該第一平板上之該非晶矽層需結晶之一區域時照射至該第一平板上，且自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束係於該雷射產生裝置通過該第二平板上之該非晶矽層需結晶之一區域時照射至該第二平板上。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之結晶方法，其中該結晶作用之執行包含選擇性地僅結晶一主動層形成於其上之該非晶矽層之一區域。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之結晶方法，其中照射至該基板之該雷射光束係為一脈衝雷射光束，且該結晶作用之執行包含於該基板對應該結晶裝置移動時，藉由週期性地照射該脈衝雷射光束至該基板而融化及固化該非晶矽層。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之結晶方法，其中該脈衝雷射光束係單次照射至該基板之一第一雷射照射區，且該脈衝雷射光束接著照射至該基板之一第二雷射照射區，該第一雷射照射區及該第二雷射照射區係彼此部分地重疊。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之結晶方法，其中該第一雷射照射區及該第二雷射照射區之重疊區域之該非晶矽層係藉由融化及固化二次而結晶。
  25. 一種結晶方法，其係利用包含一雷射產生裝置、一第一光學系統、與該第一光學系統平行形成之一第二光學系統、以及一路徑切換構件之一結晶裝置，該結晶裝置係與一基板相隔，該結晶方法包含：
    自該雷射產生裝置發射一雷射光束；
    於該第一光學系統中處理自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束且將處理過之該雷射光束照射至該基板上；
    於該第二光學系統中處理自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束且將處理過之該雷射光束照射至該基板上；
    當該基板對應該結晶裝置移動時，切換自該雷射產生裝置所發射之該雷射光束之一路徑，並利用該路徑切換構件透過該第一光學系統及該第二光學系統將該雷射產生裝置所發射之該雷射光束交替地照射至該基板上。
  26. 一種利用如申請專利範圍第18項所述之結晶方法製造有機發光顯示裝置之方法，該有機發光顯示裝置包含複數個像素，每一該像素包括一通道區、一儲存區、以及一發光區，其中結晶作用之執行係包含僅結晶該通道區及該儲存區。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101901362B1 (ko) * 2011-11-07 2018-09-27 삼성디스플레이 주식회사 결정화 장치, 결정화 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN117881215A (zh) 2013-12-02 2024-04-12 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR20150102180A (ko) * 2014-02-27 2015-09-07 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US10416289B2 (en) * 2015-02-19 2019-09-17 Philips Photonics Gmbh Infrared laser illumination device
CN106783529B (zh) * 2015-11-25 2020-04-28 上海和辉光电有限公司 一种连续型非晶硅薄膜处理***及方法
JP6339644B2 (ja) * 2016-10-19 2018-06-06 ファナック株式会社 ビーム分配器
JP6306659B1 (ja) * 2016-10-19 2018-04-04 ファナック株式会社 ビーム分配器
CN107876968A (zh) * 2017-12-26 2018-04-06 英诺激光科技股份有限公司 一种用于平行加工的激光加工设备
CN108519266B (zh) * 2018-04-16 2020-11-24 江苏美科硅能源有限公司 一种全熔高效硅锭的分级方法
CN110497618B (zh) * 2019-08-05 2021-06-01 湖南华曙高科技有限责任公司 用于三维打印的光路***及三维打印设备
CN110508938A (zh) * 2019-08-13 2019-11-29 江苏屹诚激光装备制造有限公司 一种高精度激光切割装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6019101A (ja) * 1983-07-13 1985-01-31 Hoya Corp ビ−ムスプリツタ
US4701591A (en) * 1983-11-07 1987-10-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Apparatus for processing multiple workpieces utilizing a single laser beam source
JPH0628227B2 (ja) * 1987-10-06 1994-04-13 株式会社日立製作所 半導体露光装置
US5893989A (en) * 1997-02-19 1999-04-13 Lasag Ag Laser machining device, in particular for machining track rods
US6795473B1 (en) * 1999-06-23 2004-09-21 Lambda Physik Ag Narrow band excimer laser with a prism-grating as line-narrowing optical element
KR100430231B1 (ko) * 1998-10-02 2004-07-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저어닐장비
US6291794B1 (en) * 1999-10-19 2001-09-18 Lsp Technologies, Inc. Multiple beam time sharing for a laser shock peening apparatus
KR100424593B1 (ko) * 2001-06-07 2004-03-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법
JP2003091245A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR100587368B1 (ko) * 2003-06-30 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Ｓｌｓ 결정화 장치
KR100531416B1 (ko) * 2003-09-17 2005-11-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Ｓｌｓ 장비 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법
JP2005167084A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Fujitsu Ltd レーザ結晶化装置及びレーザ結晶化方法
CN1892420B (zh) * 2005-07-08 2010-05-05 友达光电股份有限公司 用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法
JP4910546B2 (ja) * 2006-08-01 2012-04-04 住友電気工業株式会社 同軸ケーブルのレーザ加工方法
KR100867926B1 (ko) * 2007-06-21 2008-11-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법

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