CN100576487C - 真空处理装置的搬送定位方法、真空处理装置和计算机存储介质 - Google Patents

真空处理装置的搬送定位方法、真空处理装置和计算机存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种真空处理装置的搬送定位方法，在真空搬送腔室(10)内设置有检测半导体晶片(W)位置的位置检测机构(33)，通过真空搬送机构(30)，将配置在负载锁定腔室(17)、真空处理腔室(11～16)的规定位置上的半导体晶片(W)搬送至位置检测机构(33)，检测其位置，由该检测结果，进行负载锁定腔室(17)、真空处理腔室(11～16)的定位。

Description

真空处理装置的搬送定位方法、真空处理装置和计算机存储介质
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等基板进行真空处理的真空处理装置的搬送定位方法、真空处理装置和计算机存储介质。
背景技术
一直以来，使用在真空氛围气体下对例如半导体晶片等基板进行真空处理(例如成膜处理或蚀刻处理)的真空处理装置。并且也已知所谓的多腔室型真空处理装置，其在内部收容有搬送机构的真空搬送腔室的周围设置有多个真空处理腔室，通过真空搬送腔室将基板搬送至各真空处理腔室，进行真空处理。
在上述真空处理装置中，至少具有设置于真空搬送腔室内的真空搬送机构和设置在大气压氛围气体下的大气搬送机构。此外，为了提高搬送效率，在这些搬送机构中分别设置有多个拾取器(pick)，能够支撑多枚(例如2枚)基板。这些搬送机构需要对各自的进入点(accesspoint)进行定位。作为这种定位方法，已知有如下方法：通过目视，根据可由各搬送机构搬送的程度进行大致定位(粗示教：roughteaching)以后，通过搬送机构对各进入点进行基板的搬送，通过设置在大气氛围气体中的基板位置检测机构(***：orienta)测定基板的位置偏移，进行精细定位(例如，参照专利文献1)。即，在该定位法中，首先通过设置在大气氛围气体下的大气搬送机构，将基板从进入点(例如负载锁定腔室)向***搬送，检测出该基板的偏移，通过修正该偏移，进行大气搬送装置相对于进入点的搬送位置的定位。然后，由设置在真空搬送腔室内的真空搬送机构接收通过完成该定位的大气搬送机构搬送至负载锁定腔室的基板，例如搬送至邻接的其他负载锁定腔室，再通过大气搬送机构将基板搬送至***，检测出基板的偏移，由此进行真空搬送机构的搬送定位。
在上述现有技术中，通过一台设置在大气氛围气体中的基板位置检测机构(***)，对设置于真空搬送腔室内的真空搬送机构进行搬送定位。因此，暂时由大气搬送机构搬送已经通过***定位后的基板，并配置在负载锁定腔室中，然后由真空搬送机构搬送后，再次由大气搬送机构接收该基板，搬送至***，检测出位置偏移。因此，到***为止的基板搬送距离增长，并且中转基板的进入点(负载锁定腔室等)的搬送位置座标误差等被累积，存在搬送位置座标精度恶化的问题。
专利文献1：日本特开2004-174669号公报
发明内容
本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够相对现有技术提高搬送位置精度的真空处理装置的搬送定位方法、真空处理装置和计算机存储介质。
本发明的第一方面是一种真空处理装置的搬送定位方法，其是对真空处理装置的真空搬送机构的进入点进行定位的方法，上述真空处理装置包括：真空搬送机构，设置在上述真空搬送腔室内，在真空氛围气体下搬送基板；多个真空处理腔室，与上述真空搬送腔室连接，对上述基板实施真空处理；和负载锁定腔室，与上述真空搬送腔室连接。上述真空搬送腔室内设置有检测上述基板位置的位置检测机构，通过上述真空搬送机构，将配置在上述进入点的规定位置的上述基板搬送至上述位置检测机构，检测该基板的位置，由该检测结果进行上述进入点的定位。
在上述第一方面中，将配置在上述真空搬送机构的规定位置的上述基板搬送至上述位置检测机构，检测该基板的位置，由该检测结果进行相对于上述位置检测机构的定位。
在上述第一方面中，上述进入点之一为上述真空处理腔室，将配置在上述真空处理腔室的规定位置的上述基板搬送至上述位置检测机构，检测该基板的位置，由该检测结果进行相对于上述真空处理腔室的定位。
在上述第一方面中，上述进入点之一为上述负载锁定腔室，将配置在上述负载锁定腔室的规定位置的上述基板搬送至上述位置检测机构，检测该基板的位置，由该检测结果进行相对于上述负载锁定腔室的定位。
在上述第一方面中，上述真空处理装置包括：在大气压氛围气体中搬送基板的大气搬送机构、和在大气压氛围气体中检测上述基板位置的***，使用通过该***进行相对于上述负载锁定腔室的定位后的上述大气搬送机构，将上述基板配置在上述负载锁定腔室的规定位置。
在上述第一方面中，将配置在上述大气搬送机构的规定位置的上述基板搬送至上述***，检测该基板的位置，由该检测结果，进行上述大气搬送机构上述***的定位。
在上述第一方面中，上述真空处理装置具备载置部，载置有收容上述基板的基板收容箱体，将配置在载置于该载置部上的上述基板收容箱体的规定位置的上述基板搬送至上述***，检测该基板的位置，由该检测结果进行上述大气搬送机构相对于上述载置部的定位。
在上述第一方面中，将配置在上述负载锁定腔室的规定位置的上述基板搬送至上述***，检测该基板的位置，由该检测结果进行上述大气搬送机构相对于上述负载锁定腔室的定位。
在上述第一方面中，上述真空处理装置具备用于配置样品基板的样品贮藏器，将配置在该样品贮藏器中的上述基板搬送至上述***，检测该基板的位置，由该检测结果进行上述大气搬送机构相对于上述样品贮藏器的定位。
在上述第一方面中，预先将上述基板配置在可能配置的所有规定位置上，然后，依次搬送上述基板，进行定位。
本发明的第二方面是一种真空处理装置，包括：真空搬送机构，设置在真空搬送腔室内，在真空氛围气体下搬送基板；多个真空处理腔室，与上述真空搬送腔室连接，对上述基板实施真空处理；负载锁定腔室，与上述真空搬送腔室连接；位置检测机构，设置在上述真空搬送腔室内，检测上述基板的位置；大气搬送机构，在大气氛围气体中搬送上述基板；***，在大气氛围气体中检测上述基板的位置；载置部，载置有收容上述基板的基板收容箱体；样品贮藏器，用于配置样品基板；和控制部，进行控制使得进行本发明第一方面所述的真空处理装置的搬送定位方法。
本发明的第三方面是一种计算机存储介质，存储有在计算机上运行的控制程序，上述控制程序在执行时，控制真空处理装置，使得进行本发明第一方面所述的真空处理装置的搬送定位方法。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的真空处理装置的整体结构的示意图。
图2是表示图1的真空处理装置中的大气搬送机构的定位工序的流程图。
图3是表示图1的真空处理装置中的真空搬送机构的定位工序的流程图。
图4是表示大气搬送机构相对于***的定位工序的流程图。
图5是表示大气搬送机构相对于载置部的定位工序的流程图。
图6是表示大气搬送机构相对于负载锁定腔室的定位工序的流程图。
图7是表示大气搬送机构相对于样品贮藏器(dummy storage)的定位工序的流程图。
图8是表示真空搬送机构相对于位置检测机构的定位工序的流程图。
图9是表示真空搬送机构相对于负载锁定腔室的定位工序的流程图。
图10是表示真空搬送机构相对于真空处理腔室的定位工序的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明的一个实施方式。图1是表示本发明一个实施方式的真空处理装置1的整体结构的示意图。在真空处理装置1的中央部分设置有真空搬送腔室10，沿着该真空搬送腔室10，在其周围配设有多个(本实施方式中为6个)真空处理腔室11～16。
在真空搬送腔室10的前面侧(图中下侧)设置有2个负载锁定腔室17，在这些负载锁定腔室17的更前面侧(图中下侧)设置有用于在大气中搬送基板(本实施方式中为半导体晶片W)的搬送腔室18。并且，在搬送腔室18的更前面侧(图中下侧)设置有多个(图1中为3个)载置部19，该载置部19配置有能够收容多枚半导体晶片W的基板收容箱体(盒或前开式晶片盒)。在搬送腔室18的侧面(图中左侧)设置有***20，该***20通过定位平面或凹槽检测半导体晶片W的位置。另外，在负载锁定腔室17的侧面(图中右侧)设置有用于收容样品晶片的样品贮藏器21。
在负载锁定腔室17与搬送腔室18之间、负载锁定腔室17与真空搬送腔室10之间、真空搬送腔室10与真空处理腔室11～16之间，分别设置有闸阀22，能够将它们之间气密性地闭塞和开放。并且，在真空搬送腔室10内设置有真空搬送机构30。该真空搬送机构30具备第一拾取器31和第二拾取器32，由此能够支撑2枚半导体晶片W，能够将半导体晶片W向各真空处理腔室11～16、负载锁定室17搬入和搬出。
并且，在真空搬送腔室10内设置有位置检测机构33，该位置检测机构33用于检测支撑在上述真空搬送机构30的第一拾取器和第二拾取器上的半导体晶片W的位置。作为该位置检测机构33，可以使用利用多个(例如3个)光学传感器检测半导体晶片W周边部位置的构造的装置等。
另外，在搬送腔室18内设置有大气搬送机构40。该大气搬送机构40具备第一拾取器41和第二拾取器42，由此能够支撑2枚半导体晶片W。大气搬送机构40能够将半导体晶片W或样品晶片向载置在载置部19上的各盒或前开式晶片盒、负载锁定室17、***20、样品贮藏器21搬入和搬出。
上述结构的真空处理装置1的动作由控制部60统一控制。该控制部60中设置有具备CPU并对真空处理装置1的各部进行控制的过程控制器61、用户接口62和存储部63。
用户接口62由工序管理者用于管理真空处理装置1而输入指令的键盘、可视化显示真空处理装置1的运转状况的显示器等构成。
存储部63中存储有方案，该方案存储有用于在过程控制器61的控制下实现在真空处理装置1中执行的各种处理的控制程序(软件)和处理条件数据等。并且，根据需要，按照来自用户接口62的指示等，从存储部63调出任意方案，由过程控制器61执行，在过程控制器61的控制下，在真空处理装置1中进行希望的处理和后述的搬送定位。并且，控制程序和处理条件数据等方案，可以在存储于计算机能够读取的计算机存储介质(例如硬盘、CD、软盘、半导体存储器等)等中的状态下使用，或者，也可以例如通过专用线路从其他的装置随时传送，在线使用。
对上述结构的真空处理装置1的搬送定位方法进行说明。在组装真空处理装置1后等情况下，需要进行真空搬送机构30、大气搬送机构40相对于各进入点的定位时，首先通过目视，进行粗示教。该粗示教中，进行定位，直至能够不碰触构造物而搬送半导体晶片W等。
接着，进行高精度的定位。首先说明大气搬送机构40的定位。如图2所示，该定位采用***20，首先进行大气搬送机构40与***20的定位(201)，接着进行大气搬送机构40与载置部19的定位(202)，然后进行大气搬送机构40与负载锁定腔室17的定位(203)，最后进行大气搬送机构40与样品贮藏器21的定位(204)。其中，只要最初进行大气搬送机构40与***20的定位，后面相对于进入点的定位可以以任意顺序进行。
另外，在真空搬送机构30的定位中，如图3所示，首先进行真空搬送机构30与位置检测机构33定位(301)，接着进行真空搬送机构30与负载锁定腔室17的定位(302)，最后进行真空搬送机构30与真空处理腔室11～16的定位(303)。其中，只要最初进行真空搬送机构30与位置检测机构33的定位，负载锁定腔室17和真空处理腔室11～16的定位先进行哪个都可以。
在图2所示的大气搬送机构40与***20的定位中，如图4所示，首先将半导体晶片W配置在大气搬送机构40的第一拾取器41或者第二拾取器42的规定位置上(401)。然后，将该半导体晶片W搬送至***20(402)，通过***20检测出半导体晶片W的位置(403)。然后，由该检测结果算出偏移量，进行位置修正(404)，回收半导体晶片W(405)。针对第一拾取器41和第二拾取器42两个拾取器进行通过以上动作进行的定位(406)。并且，半导体晶片W的回收可以通过回收至指定的载置部19的盒或前开式晶片盒中而自动回收，或者除去***20的外罩手动进行回收。以下的定位也与此相同。
在图2所示的大气搬送机构40与载置部19的定位中，如图5所示，首先将半导体晶片W配置在载置部19的盒或前开式晶片盒的规定位置，例如配置在最下部的狭槽中(501)。然后，由上述***20的位置修正数据临时修正设计上的物理位置(502)。接着，将半导体晶片W搬送至***20(503)，通过***20检测出半导体晶片W的位置(504)。然后，由该检测结果算出偏移量，进行位置修正(505)，将半导体晶片W回收至原来的盒或前开式晶片盒(506)。针对第一拾取器41和第二拾取器42两个拾取器进行通过以上动作进行的定位(507)。并且，所有的(本实施方式中为3个)载置部19均通过上述动作进行定位(508)。
在图2所示的大气搬送机构40与负载锁定腔室17的定位中，如图6所示，首先将半导体晶片W配置在负载锁定腔室17的规定位置(601)。然后，由上述***20的位置修正数据临时修正设计上的物理位置(602)。接着，用第二拾取器42将该半导体晶片W搬送至***20(603)，通过***20检测出半导体晶片W的位置(604)。然后，由该检测结果算出偏移量，进行位置修正(605)，用第二拾取器42使半导体晶片W返回负载锁定腔室17中(606)。接着，用第一拾取器41将半导体晶片W搬送至***20(607)，通过***20检测出半导体晶片W的位置(608)。然后，由该检测结果算出偏移量，进行位置修正(609)，回收半导体晶片W(610)。针对2个负载锁定腔室17进行通过以上动作进行的定位(611)。
其中，如上所述首先对第二拾取器42进行定位是因为，在实际的真空处理中，将进行真空处理的半导体晶片W搬送至负载锁定腔室17时，必须设定为使用第二拾取器42，能够提高第二拾取器42相对于负载锁定腔室17的位置精度。
在图2所示的大气搬送机构40与样品贮藏器21的定位中，如图7所示，首先将半导体晶片W配置在样品贮藏器21的规定位置，例如配置在最下部的狭槽中(701)。然后，由上述***20的位置修正数据临时修正设计上的物理位置(702)。接着，将半导体晶片W搬送至***20(703)，通过***20检测出半导体晶片W的位置(704)。然后，由该检测结果算出偏移量，进行位置修正(705)，将半导体晶片W回收至规定位置，例如回收至样品贮藏器21(706)。针对第一拾取器41和第二拾取器42两个拾取器进行通过以上动作进行的定位(707)。
在图3所示的真空搬送机构30与定位机构33的定位中，如图8所示，首先将半导体晶片W配置在真空搬送机构30的第一拾取器31或者第二拾取器32上的规定位置(801)。然后，将该半导体晶片W搬送至定位机构33的位置(802)，通过定位机构33检测出半导体晶片W的位置(803)。然后，由该检测结果算出偏移量，进行位置修正(804)。针对第一拾取器31和第二拾取器32两个拾取器进行通过以上动作进行的定位(805)。然后，将半导体晶片W载置在负载锁定腔室17中进行回收(806)。其中，将半导体晶片W配置在真空搬送机构30的第一拾取器31、第二拾取器32上的规定位置时，打开真空搬送腔室10的外罩，在大气压下进行，而其后的动作则关闭外罩在真空氛围气体下进行。因此，预先将半导体晶片W载置在第一拾取器31和第二拾取器32两者的规定位置，然后进行以后的处理，能够提高作业效率。另外，定位结束后，关闭与真空搬送腔室10之间的闸阀22后，使负载锁定腔室17回到大气压，通过大气搬送机构40将配置在负载锁定腔室17中的半导体晶片W回收至规定的位置(例如盒或者前开式晶片盒的规定狭槽)。
在图3所示的真空搬送机构30与负载锁定腔室17的定位中，如图9所示，首先将半导体晶片W配置在负载锁定腔室17的规定位置(901)。该半导体晶片W的配置可以通过利用如前所述完成定位后的大气搬送机构40，经由***20搬送半导体晶片W而进行。接着，将该半导体晶片W搬送至定位机构33的位置(902)，通过定位机构33检测出半导体晶片W的位置(903)。然后，使该半导体晶片W返回到原来的负载锁定腔室17后(904)，由检测结果算出偏移量，进行位置修正(905)。针对第一拾取器31和第二拾取器32两个拾取器进行通过以上动作进行的定位(906)。并且，分别针对两个负载锁定腔室17进行通过上述动作进行的定位(907)。其中，此后，关闭与真空搬送腔室10之间的闸阀22后，使负载锁定腔室17回到大气压，通过大气搬送机构40将负载锁定腔室17内的半导体晶片W回收至规定的位置(例如盒或者前开式晶片盒的规定狭槽)。
在图3所示的真空搬送机构30与真空处理腔室11～16的定位中，如图10所示，首先使用规定的夹具将半导体晶片W配置在真空处理腔室11～16的规定位置(101)。接着，用真空搬送机构30的一个拾取器将该半导体晶片W搬送至定位机构33的位置(102)，通过定位机构33检测出半导体晶片W的位置(103)。然后，使半导体晶片W返回到原来的真空处理腔室11～16(104)，其后由检测结果算出偏移量，进行位置修正(105)。接着，用真空搬送机构30的另一个拾取器将半导体晶片W搬送至定位机构33的位置(106)，通过定位机构33检测出半导体晶片W的位置(107)。然后，将半导体晶片W搬送至负载锁定腔室17(108)，其后由检测结果算出偏移量，进行位置修正(109)。分别针对真空处理腔室11～16进行通过以上动作进行的定位(110)。其中，在关闭与真空搬送腔室10之间的闸阀22以后，使负载锁定腔室17回到大气压，通过大气搬送机构40将负载锁定腔室17内的半导体晶片W回收至规定的位置(例如盒或者前开式晶片盒的规定狭槽)。
如上所述，在本实施方式中，使用设置在真空搬送腔室10内的位置检测机构33，进行真空搬送腔室10内的真空搬送机构30相对于各进入点(搬送位置)的定位，所以，与将半导体晶片W搬送至设置在大气压氛围气体下的***20并进行定位的情况相比，能够缩短半导体晶片W的搬送距离。并且，由于不会累积将半导体晶片W中转至大气搬送机构40的进入点的搬送位置座标误差，能够提高搬送位置的精度。
下面，对整体定位(成批示教)进行说明。该方法中，预先将半导体晶片W配置在前述定位中所必须的规定位置，即可能配置半导体晶片W的所有规定位置。然后，按照图2所示的步骤，在进行大气搬送机构40的定位以后，继续按照图3所示的步骤连续进行真空搬送机构30的定位。因此，一旦将半导体晶片W配置在规定位置以后，不必通过操作员的手动作业，就能够自动进行所有的定位。
其中，在大气搬送机构40的定位的情况下，预先配置好半导体晶片W的位置为，大气搬送机构40的第一拾取器41和第二拾取器42、各载置台19的盒或者前开式晶片盒的规定狭槽(例如最下部的狭槽)、各负载锁定腔室17和样品贮藏器21的规定狭槽(例如最下部的狭槽)。
另外，在真空搬送机构30的定位的情况下，预先配置好半导体晶片W的位置为，真空搬送机构30的第一拾取器31和第二拾取器32、各负载锁定腔室17和各真空处理腔室11～16。各负载锁定腔室17，为了进行大气搬送机构40的定位，需要配置半导体晶片W，所以在进行真空搬送机构30的定位时，需要通过预先进行定位后的大气搬送机构40，将半导体晶片W配置在负载锁定腔室17的规定位置上。
并且，真空搬送机构30的定位的情况下，需要通过大气搬送机构40，将定位中已使用的半导体晶片W从负载锁定腔室17中取出到外部。因此，在大气搬送机构40的定位结束以后，需要进行真空搬送机构30的定位。但是，在真空搬送腔室10内设置有能够暂时载置半导体晶片W的缓冲器的情况下，将定位中已使用的半导体晶片W载置在该缓冲器上，也能够与大气搬送机构40的定位同时进行。
下面，对上述结构的真空处理装置1的真空处理动作进行说明。载置部19上载置有盒或者前开式晶片盒时，通过设置在搬送腔室18内的大气搬送机构40从该盒或者前开式晶片盒中取出半导体晶片W，搬送至***20并进行定位后，配置于负载锁定室17内。
然后，通过真空搬送腔室10内的真空搬送机构30，将半导体晶片W从负载锁定室17搬送至各真空处理腔室11～16，实施规定的处理。并且，用真空搬送机构30将完成处理后的半导体晶片W从各真空处理腔室11～16配置到负载锁定室17内。
如上所述，配置在负载锁定室17内的完成处理后的半导体晶片W，其后通过大气搬送机构40从负载锁定室17内取出，收容在载置于载置部19上的盒或者前开式晶片盒中。
在上述真空处理中，在进行正确定位后的状态下搬送半导体晶片W，所以能够进行高精度的真空处理。并且，本发明不限于上述实施方式，勿庸置疑可以进行各种变形。例如，载置台的数量或者真空处理腔室的数量可以适当变更。另外，进行定位的顺序也可以进行适当变更。
产业上的可利用性
本发明的真空处理装置的搬送定位方法、真空处理装置和计算机存储介质能够用于半导体装置的制造领域等。因此，具有产业上的可利用性。

Claims (11)

1.一种真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
其是对真空处理装置的真空搬送机构的进入点进行定位的方法，所述真空处理装置包括：
真空搬送机构，设置在真空搬送腔室内，在真空氛围气体下搬送基板；
多个真空处理腔室，与所述真空搬送腔室连接，对所述基板实施真空处理；和
负载锁定腔室，与所述真空搬送腔室连接，
所述真空搬送腔室内设置有检测所述基板位置的位置检测机构，通过所述真空搬送机构，将配置在所述进入点的规定位置的所述基板搬送至所述位置检测机构，检测该基板的位置，由该检测结果进行所述进入点的定位。
2.如权利要求1所述的真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
将配置在所述真空搬送机构的规定位置的所述基板搬送至所述位置检测机构，检测该基板的位置，
由该检测结果进行相对于所述位置检测机构的定位。
3.如权利要求1所述的真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
所述进入点之一为所述真空处理腔室，
将配置在所述真空处理腔室的规定位置的所述基板搬送至所述位置检测机构，检测该基板的位置，
由该检测结果进行相对于所述真空处理腔室的定位。
4.如权利要求1所述的真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
所述进入点之一为所述负载锁定腔室，
将配置在所述负载锁定腔室的规定位置的所述基板搬送至所述位置检测机构，检测该基板的位置，
由该检测结果进行相对于所述负载锁定腔室的定位。
5.如权利要求4所述的真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
所述真空处理装置包括：在大气压氛围气体中搬送基板的大气搬送机构、和在大气压氛围气体中检测所述基板位置的***，
使用通过该***进行相对于所述负载锁定腔室的定位后的所述大气搬送机构，将所述基板配置在所述负载锁定腔室的规定位置。
6.如权利要求5所述的真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
将配置在所述大气搬送机构的规定位置的所述基板搬送至所述***，检测该基板的位置，
由该检测结果，进行所述大气搬送机构相对于所述***的定位。
7.如权利要求5所述的真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
所述真空处理装置具备载置部，载置有***述基板的基板收容箱体，
将配置在载置于该载置部上的所述基板收容箱体的规定位置的所述基板搬送至所述***，检测该基板的位置，
由该检测结果进行所述大气搬送机构相对于所述载置部的定位。
8.如权利要求5所述的真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
将配置在所述负载锁定腔室的规定位置的所述基板搬送至所述***，检测该基板的位置，
由该检测结果进行所述大气搬送机构相对于所述负载锁定腔室的定位。
9.如权利要求5所述的真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
所述真空处理装置具备用于配置样品基板的样品贮藏器，
将配置在该样品贮藏器中的所述基板搬送至所述***，检测该基板的位置，
由该检测结果进行所述大气搬送机构相对于所述样品贮藏器的定位。
10.如权利要求1所述的真空处理装置的搬送定位方法，其特征在于：
预先将所述基板配置在可能配置的所有规定位置上，然后，依次搬送所述基板，进行定位。
11.一种真空处理装置，其特征在于，包括：
真空搬送机构，设置在真空搬送腔室内，在真空氛围气体下搬送基板；
多个真空处理腔室，与所述真空搬送腔室连接，对所述基板实施真空处理；
负载锁定腔室，与所述真空搬送腔室连接；
位置检测机构，设置在所述真空搬送腔室内，检测所述基板的位置；
大气搬送机构，在大气氛围气体中搬送所述基板；
***，在大气氛围气体中检测所述基板的位置；
载置部，载置有***述基板的基板收容箱体；
样品贮藏器，用于配置样品基板；和
控制部，进行控制使得进行权利要求1所述的真空处理装置的搬送定位方法。
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