CN100401139C - 光波导器件 - Google Patents

Abstract

本发明的光波导器件，通过第一接地电极(10)及信号电极(11)对第一分支部(3a)施加电压，通过第二接地电极(12A)及信号电极对第二分支部(3b)施加电压。在第一接地电极及信号电极之间形成第一间隙(13)，在第二接地电极及信号电极之间形成第二间隙(14)。第一间隙及第二间隙分为电压施加部(13a、14a)、馈通部及连接部(13b、14b)，且满足(G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁)。其中，(G₁₁)是连接部(13b)中的第一间隙的宽度，(G₁₂)是连接部(14b)中的第二间隙的宽度，(G₂₁)是连接部分一侧末端(13c)中的第一间隙的宽度，(G₂₂)是连接部分一侧末端(14c)中的第二间隙的宽度，(G₃₁)是电压施加部(13a)中的第一间隙的宽度，(G₃₂)是电压施加部(14a)中的第二间隙的宽度。

Description

光波导器件

技术领域

本发明涉及行波型光调制器等的光波导器件。

背景技术

本申请人在特开平10-133159号公报、特开2002-169133号公报中，公开了在行波型光调制器的基板的光波导下面设置厚度较薄部分，并将该厚度较薄部分的厚度例如变薄为10μm以下的方法。由此，由于无需形成由氧化硅构成的缓冲层地可实现高速光调制，并能够减小驱动电压Vπ和电极长度L的乘积(Vπ·L)，因此非常有利。

在如特开平10-133159号公报、特开2002-169133号公报所记载的行波型光调制器中，例如在铌酸锂单晶体的X片上形成CPW(共面型)电极及马赫曾德型光波导，并在对光波导的各个分支部施加同样的电场的同时使电极作用长度相等，由此，获得0线性调频脉冲(chirp)特性的光调制器。

但在实际光传输***中，即使对于将X片或Y片作为基板应用的光调制器，使之具有所定的线性调频脉冲量时，也有有利的时候。但，例如对于将光电晶体X片或Y片作为基板应用的光调制器，使之具有所定的线性调频脉冲量的方法，至今尚未研讨过。

本申请人，为了对光调制器给予所期望的线性调频脉冲量，如下述那样地想到了使一对间隙(gap)宽度互不相同的方法。但已判明在这种情况下，由于在调制器的馈通部和电压施加部的边界(信号电极的弯曲部分)上，电极图形从大致对称型急速偏移到非对称型，因此，发生反射，并在电极的高频通过特性(S₂₁特性)上发生波动。

发明内容

本发明的课题是在光波导器件上使第一间隙和第二间隙的宽度不同时，抑制高频通过特性(S₂₁特性)的波动发生，并使发生波动的频率向高频一侧移动。

本发明的光波导器件，具备由光电材料构成的基板、形成于该基板上并至少具备第一分支部及第二分支部的光波导、信号电极、第一接地电极及第二接地电极，通过第一接地电极及信号电极对第一分支部施加电压，通过第二接地电极及信号电极对第二分支部施加电压，并在第一接地电极和信号电极之间形成第一间隙，在第二接地电极和信号电极之间形成第二间隙。

这里，本发明的特征在于，第一间隙及第二间隙分为电压施加部、馈通部及这些之间的连接部，且第一间隙及第二间隙满足下式(参见图4)。

G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁

(其中，G₁₁是连接部13b中的第一间隙13的宽度，G₁₂是连接部14c中的第二间隙14的宽度，G₂₁是电压施加部13a的连接部分一侧末端13c中的第一间隙13的宽度，G₂₂是电压施加部14a的连接部分一侧末端14c中的第二间隙14的宽度，G₃₁是电压施加部13a中的第一间隙13的宽度，G₃₂是电压施加部14a中的第二间隙14的宽度。)

如图3所示那样，为了给予线性调频脉冲(chirp)调制特性，使电压施加部中的第一间隙13的宽度G₂₁和第二间隙14的宽度G₂₂较大地不同时，已知发生如图12所示那样的波动(15GHz以下的波动)。已判明这是由于在从电压施加部到馈通部的连接部(弯曲部分)13b、14b的周边，微波电场模式分布大不一样，因而导致S₂₁特性上的波动。

本发明人根据该发现，如图4所示那样地调制成电压施加部13a、14a的末端部分13c、14c中的间隙宽度G₂₁和G₂₂之比(G₂₂/G₂₁)处于连接部(弯曲部分)13b、14b中的间隙宽度之比(G₁₂/G₁₁)和电压施加部13a、14a中的间隙宽度之比(G₃₂/G₃₁)之间。由此，在从电压施加部到馈通部的连接部(弯曲部分)13b、14b的周边，使微波电场模式分布的变动较平滑，并如图13所示那样，成功地使S₂₁特性的波动向高频一侧移动，以实现本发明。

附图说明

图1是概略地表示可应用本发明的光波导器件例的俯视图。

图2是图1的器件的沿II-II线的剖视图。

图3是表示比较例的电极及间隙图形的俯视图。

图4是表示本发明的实施例的电极及间隙图形的俯视图。

图5是表示本发明的其他实施例的电极及间隙图形的俯视图。

图6是表示比较例的电极及间隙图形的俯视图。

图7是表示本发明的再其他实施例的电极及间隙图形的俯视图。

图8是表示本发明的再其他实施例的电极及间隙图形的俯视图。

图9是表示本发明的再其他实施例的电极及间隙图形的俯视图。

图10是表示本发明的再其他实施例的电极及间隙图形的俯视图。

图11是表示本发明的再其他实施例的电极及间隙图形的俯视图。

图12是表示图3的器件的S₂₁特性的曲线图。

图13是表示图4的器件的S₂₁特性的曲线图。

具体实施方式

下面参照附图更详细地说明本发明。

图1是概略地表示可应用光调制器1的整体的剖视图。图2是图1的沿II-II线的剖视图。

光调制器1例如具有平板状的基板2。在基板2的一方的主表面2a一侧设有光波导3，光波导3包括第一分支部3a及第二分支部3b。还有，在主表面2a上设有例如共面型的信号电极11、第一接地电极10及第二接地电极12。第一分支部3a配置于第一间隙(gap)13内，第二分支部3b配置于第二间隙14内。

在本实施例中，虽然采用了所谓共面型(Coplanar waveguide：CPW电极)的电极配置，但对电极的配置方式不做特别限定。本发明也能应用在所谓非对称共面带状导线(Asymmetric coplanar strip line：A-CPS电极)型的电极配置上。

在本实施例中，在第一间隙13内及第二间隙14内分别形成有光波导的分支部3a、3b，并做成对分支部3a、3b大致沿水平方向施加信号电压。从平面上来看，光波导3构成所谓马赫曾德型的光波导。

第一间隙13包括电压施加部13a、馈通部13d及13a和13b之间的连接部13b。连接部13b和电压施加部13a之间例如弯折成直角。还有，第二间隙14包括电压施加部14a、馈通部14d及14a和14b之间的连接部14b。连接部14b和电压施加部14a之间例如弯折成直角。

做出如此的设计，则在宽度G₃₁相对较窄的电压施加部13a中，由于施加到分支部3a上的电场强度Ex相对地变大，因此，基于电场强度的电极相互作用长度的积分值也增大。在宽度G32相对较宽的电极间隙14a中，施加到分支部3b上的电场强度Ex相对地变小。其结果，可将光调制器1的线性调频脉冲量调节到期望值上。

从加大光调制器的线性调频脉冲量的观点来看，G₃₁和G₃₂之差理想的是为3μm或其以上，更理想的是为20μm或其以上。为了将VπL控制到较小，G₃₁理想的是为100μm或其以下，更理想的是为40μm或其以下。为了防止信号电极和接地电极之间接通，G₃₁、G₃₂理想的是为1μm或其以上，更理想的是为3μm或其以上。G₃₂/G₃₁理想的是为1.5或其以上，更理想的是为3或其以上。但由于理想的线性调频脉冲量随所应用的光通信***而不同，因此，即使在该范围以外也可应用。

下面对线性调频脉冲量进行说明。线性调频脉冲量也称之为“线性调频脉冲参数α”。

用光调制器的两个分支部(光波导)3a和3b，分别计算根据电场强度Ex(z)的电极互相作用长度z的各个积分值A₁、A₂。所谓分支部的电场强度的电极相互作用长度，是将分支部的各个点z上的电场强度Ex(z)在分支部的总长L范围内积分而得到的值。该积分值由下式可得。

${\∫}_0^L\mathrm{Ex}\left(z\right)\mathrm{dz}$

例如，根据特开平07-064031号公报，表示线性调频脉冲的参数α由下式可得。

$\mathrm{\α}=-\cot \left(\mathrm{\Δ\βL}\right)\·\frac{1+m}{1-m}$

$m=\frac{\mathrm{\Δ}{n}_1}{\mathrm{\Δ}{n}_2}$

$\mathrm{\Δ\β}=\frac{{\mathrm{\β}}_1-{\mathrm{\β}}_2}{2}$

这里，由于ΔβL通常为π/4或-π/4，因此，cot(ΔβL)＝1或-1。Δn₁和Δn₂分别表示波导3a、3b上的折射率变化。该平均折射率变化与

${\∫}_0^L\mathrm{Ex}\left(z\right)\mathrm{dz}$

成比例。因此，下式成立。

$m=\frac{\mathrm{\Δ}{n}_1}{\mathrm{\Δ}{n}_2}=\frac{A_1}{A_2}$

在光调制器1的信号电极上，设有用于实现对筐体的电气连接的一对馈通部8A、8B。在各个馈通部中，各个接地电极及信号电极连接在外部插头上。这里，由于插头上的特性阻抗是所定值，例如，规定为50Ω，因此，各个馈通部上的电极的特性阻抗也有必要标准化为所定值。因此，加大了中心电极的馈通部8A、8B的幅度，并加大了间隙的馈通部13d、14d。

这里，如图3所示那样，为了给予线性调频脉冲调制特性，在使电压施加部13a中的第一间隙13的宽度G₃₁和电压施加部14a中的第二间隙14的宽度G₃₂较大地不同时，在S₂₁的特性上，发生如图12所示那样的波动。这是因为从电压施加部13a、14a到馈通部13d、14d的连接部(弯曲部)13b、14b的周边上，微波的电场模式分布大不一样。

图4是表示本发明的一个实施方式的电极图形的俯视图。

本例的电极图形满足

G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁

的关系。

即做成电压施加部13a、14a的末端部分13c、14c中的间隙宽度G₂₂和G₂₁之比(G₂₂/G₂₁)大于或等于连接部13b、14b中的间隙宽度之比(G₁₂/G₁₁)。与此同时，将末端部分13c、14c中的间隙宽度之比(G₂₂/G₂₁)调节成比电压施加部13a、14a中的间隙宽度之比(G₃₂/G₃₁)还小。由此，在从电压施加部到馈通部的连接部(弯曲部)13b、14b的周边，使得微波的电场模式分布的变动平滑，并能够使S₂₁特性的波动向高频一侧移动。

为了形成这种间隙图形，在本例中，在第一接地电极10上，在电压施加区域内设置若干个突出部10a。中心的信号电极11具备大致垂直地交叉的平直部11a(A方向)及平直部11c(B方向)及连接这些的弯折部11b。第二接地电极12A具备朝向电压施加方向A延伸的平直部12a、与其大致垂直地交叉的馈通部12b。而且，在电压施加部的末端部分形成有宽度较宽的突出部12c和锥形部12d，由此，调节各个部分的间隙宽度。

在本发明的优选实施方式中，例如像图4所示那样，第一分支部位于第一间隙内，第二分支部位于第二间隙内。

在本发明中，满足G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁的关系。

这里，G₂₂/G₂₁可以与G₁₂/G₁₁相等。但从本发明的观点来看，理想的是，G₂₂/G₂₁为G₁₂/G₁₁的5倍或其以下，更理想的是，为3倍或其以下。

还有，在本发明中，满足G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁的关系。这里，从本发明的观点来看，理想的是G₃₂/G₃₁为G₂₂/G₂₁的1.2倍或其以上，更理想的是为2倍或其以上。但若G₃₂/G₃₁过大，则反而存在成为低频区域中的波动发生原因的危险，因此，理想的是，G₃₂/G₃₁为G₂₂/G₂₁的8倍或其以下，更理想的是为5倍或其以下。

在本发明中，虽然对G₁₂/G₁₁不做特别限定，但由于馈通部中的对称性以高为宜，因此，理想的是为3或其以下，最理想的是为1。

在行波型光调制器中，通用中心电极宽度(W₂＝W₃)，并在电压施加部和连接部上使特性阻抗一致地决定G₂₁和G₂₂。这里，如图4所示那样，有必要做成末端部14c的宽度G₂₂比电压施加部的宽度G₃₂还小。为此，例如有必要在第二接地电极12A上形成宽度较宽的突出部12c及锥形部12d。

其结果，根据设计，如图4的例子那样，光波导的分支部3b位于电极12A的下面。但由于具有在电极下面光波导的损失增大的倾向，因而光损失与分支部3a不同，消光比、光***损失等的特性降低。因此，通过在分支部3a一侧上也设置矫正用的电极12e，以使分支部3b中的电极下部的长度LB与分支部3a中的电极下部的长度LA相等。由此，理想的是，调节成分支部3a中的光损失和分支部3b中的光损失达到相同的程度。

这样，若分支部3b位于第二接地电极12A的下面，则分支部3b的光损失增大。为了防止这种情况出现，能够在间隙内在信号电极上设置朝向第二接地电极的突出部。

例如，在图5所示例中，第一接地电极10A与图4所示第一接地电极相同。在信号电极11A上，在连接部14c内，设有朝向第二接地电极12A一侧突出的突出部11d。在平直部11a和突出部11d之间设置锥形部11e。由此，能够减小第二接地电极12A一侧的突出部12c的突出高度，并能够设计成分支部3b通过突出部12c的外侧。

在以上的各个例中，相对地减小了图1中的器件的馈通部一侧的电极间隙，并相对地加大了相反一侧的电极间隙。但是，也能够相对地加大器件的馈通部一侧的电极间隙，并相对地减少相反一侧的电极间隙，在这种情况下也能应用本发明。图6是该方式的参考例，图7～图9表示该实施方式的参考例。在图7～图9的各个例中，第二接地电极(第二间隙)位于馈通部一侧，第一接地电极(第一间隙)位于与馈通部相反的一侧。

在图6的参考例中，信号电极11与图4所示信号电极相同。位于与馈通部相反的一侧上的第一接地电极20，具备朝向光的传播方向(A方向)延伸的平直部20a及朝向与此垂直的B方向延伸的平直部20b。在馈通部一侧上设有第二接地电极22。而且，位于与馈通部相反的一侧的第一间隙23具备电压施加部23a、其末端部23c及连接部23b。还有，位于馈通部一侧的第二间隙24具备电压施加部24a、其末端部24c及连接部24b。

在图6的例中，为了给予线性调频脉冲调制特性，使电压施加部23a中的第一间隙23的宽幅G₃₁和电压施加部24a中的第二间隙24的宽幅G₃₂大不一样。

在图7的实施例中，信号电极11B具备朝向光的传播方向A延伸的平直部11a、位于连接部内的厚度较厚的突出部11f、锥形部11g、弯折部11b以及沿着箭头B方向延伸的平直部11c。第一接地电极20A具备朝向箭头A方向延伸的平直部20a、厚度较厚的突出部20e以及朝向箭头B方向延伸的平直部20b。还有，第二接地电极22A具备在连接部内朝向信号电极11B的方向突出的突出部22b和锥形部22c。

在图7的例的电极图形中，满足

G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁

的关系。

即做成电压施加部23a、24a的末端部23c、24c中的间隙宽度之比(G₂₂/G₂₁)大于或等于连接部23b、24b中的间隙宽度之比(G₁₂/G₁₁)。与此同时，将末端部23c、24c中的间隙宽度之比(G₂₂/G₂₁)调节成比电压施加部23a、24a中的间隙宽度之比(G₃₂/G₃₁)还小。由此，在从电压施加部到馈通部的连接部(弯曲部)23b、24b的周边，使得微波的电场模式分布的变动平滑，并能够使S₂₁特性的波动向高频一侧移动。

还有，在本例中，各个分支部3a、3b未形成于电极下面，因此，能够防止光损失。

在图8的实施例中，信号电极11具备朝向光的传播方向A延伸的平直部11a、弯折部11b以及沿着箭头B方向延伸的平直部11c。第一接地电极20B具备朝向箭头A方向延伸的平直部20a、厚度较厚的突出部20e以及朝向箭头B方向延伸的平直部20b，另外，设有矫正用的突出部20f。第二接地电极22B具备在连接部内朝向信号电极11的方向突出的突出部22b和锥形部22c。

图8的例的电极图形也满足G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁的关系。而且，由于分支部3b通过突出部22b的下面，通过在第一接地电极20B上设置矫正用的突出部20f，并使第一分支部3b通过突出部20f的下面，调节成各个分支部上的光损失大致相同。

在图9的实施例中，信号电极11具备朝向光的传播方向A延伸的平直部11a、弯折部11b以及沿着箭头B方向延伸的平直部11c。该第一接地电极20c具备朝向箭头A方向延伸的平直部20a、厚度较厚的突出部20c、锥形部20d及朝向箭头B方向延伸的平直部20b。在本例中，突出部20c设置于连接部23c上。第二接地电极22C具备朝向信号电极11的方向突出的突出部22a。突出部22a设置于连接部24c的外面。图9的例的电极图形也满足G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁的关系。

在本发明中，电压施加部的连接部分一侧末端上的第一间隙的宽幅G₂₁和电压施加部的连接部分一侧末端上的第二间隙的宽幅G₂₂之比G₂₂/G₂₁可以大致一定。该例例示在图4～图9中。但G₂₂/G₂₁在电压施加部末端上大致一定并不是必要条件，即使变动也可以。在该实施例中，理想的是，G₂₂/G₂₁朝向电压施加部的主体部分平滑地增大。而且，虽然G₂₂/G₂₁变动，但满足G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁的关系。

例如在图10的例中，在第一接地电极10C上设有若干个突出部10d。信号电极11D形成有朝向接地电极12C突出的突出部11h，且该突出部11h平滑地直线地倾斜。第二接地电极12C在电压施加部的末端形成有突出部12c。G₂₂/G₂₁朝向电压施加部13a、14a的中心平滑地增大。虽然G₂₂/G₂₁如此地变动，但满足G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁的关系。

还有，在本发明中，在电压施加部的连接部分一侧末端和电压施加部的主体部分之间，能够进一步设置中间部。对这种中间部的数量不做特别限定。但即使在这种情况下，也有必要按照本发明并满足G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁的关系。在此基础上，将G₄₁作为中间部中的第一间隙宽度，并将G₄₂作为中间部中的第二间隙宽度时，从本发明的作用效果的观点来看，以满足G₂₂/G₂₁≤G₄₂/G₄₁＜G₃₂/G₃₁的关系为宜。

例如在图11的例中，在第一接地电极10D上设有若干个突出部10e。信号电极11E形成有朝向接地电极12D突出的突出部11j、11k，且11j的高度比11k的高度还高。第二接地电极12D在电压施加部的末端设置有突出部12c、12e及这些之间的倾斜部12d。突出部12c的高度比突出部12e的高度还大。

在本例中，在第一间隙13上在电压施加部13a、连接部13b、末端部13c的基础上还增设有中间部13d，在间隙14上在电压施加部14a、连接部14b、末端部14c的基础上还增设有中间部14d。而且，按照本发明满足G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁的关系。再有，将G41作为中间部13d中的第一间隙宽度，并将G42作为中间部14d中的第二间隙宽度时，满足G₂₂/G₂₁≤G₄₂/G₄₁＜G₃₂/G₃₁的关系。

在本发明中，构成光波导基板的基板，由铁电性的光电材料理想的是由单晶体构成。这种晶体，只要能够进行光调制，就不特别限定，但能够例示出铌酸锂、钽酸锂、铌酸锂-钽酸锂固溶体、铌酸钾锂、KTP、GaAs及水晶等。

电极，只要是低电阻且阻抗特性优良的材料就不做特别限定，能够由金、银、铜等材料构成。

在基板的表面和信号电极、接地电极之间能够设置缓冲层，缓冲层能够使用氧化硅、氟化镁、氮化硅及氧化铝等众所周知的材料。

光波导形成于基板上，理想的是形成于基板的一方的主表面一侧上。光波导可以是直接形成于基板的一方的主表面上的脊形光波导，也可以是借助于其他的层形成于基板的一方的主表面的上面的脊形光波导，还有，也可以是通过内扩散法或离子交换法形成的光波导，例如，钛扩散光波导、质子交换光波导。电极虽然设置于基板的一方的主表面一侧，但也可以直接形成于基板的一方的主表面上，也可以形成在缓冲层的上面。

在优选实施方式中，将基板的厚度Tsub(参见图2)做成200μm或其以下，更理想的是做成100μ或其以下。还有，在基板上设置凹部时，理想的是做成100μm或其以下，做成50μm或其以下，进一步做成30μm或其以下则更理想。

基板2的底面也能够借助于接合层接合到另一体的保持基体上。从对保持基体引起的对微波的传播速度的影响控制到最小限度的观点来看，保持基体的材质以具有比光电单晶体的介电常数还低的介电常数的材质为宜。作为这种材质，有石英玻璃等玻璃。

下面说明比较例。首先，制造了图1～图3所示光调制器1。

具体来讲，使用了X型地切割的3英寸晶片(LiNbO₃单晶体)，并通过钛扩散工艺和光刻法，在晶片的表面上形成了马赫曾德型的光波导3。光波导的尺寸例如可做成1/e²且10μm。

其次，通过镀层工艺，形成信号电极及接地电极。接着在研磨底板上固定研磨样本基板，并在其上面将电极面朝下粘贴调制器用基板主体。接着，通过水平磨削、研磨、抛光(CMP)将调制器用基板薄型加工到8μm。接着，将基板固定在平板状的支撑基板上。粘接固定用的树脂，使用树脂厚度为50μm的薄膜树脂。端面磨削光波导的端面(对光纤的连接部)，并用芯片切割来切断晶片得到各个芯片。芯片的宽度做成1.5mm，器件的总厚做成0.6mm。

这里，各个参数设定如下。

基板的厚度Tsub：8μm    电极的厚度Tm：25μm

电极长度：40mm

Gu：45μm     G₁₂：45μm    G₃₁：20μm

G₃₂：95μm    W₁：30μm     W₂：30μm

分别制作1.55μm用偏振波保持光纤或保持了1.3μm单模光纤的单芯光纤阵列，并将前者作为输入一侧将后者作为输出一侧而与光调制器1耦合，且对光纤和光波导进行调芯，通过紫外线硬化型树脂进行了粘接。接着，用矢量网络分析器测定了S₂₁特性。所使用的探测器是Cascade制品CPW探测器“ACP50-250”。其结果如图12所示。其结果，在频率为15GHz以下的区域内观测到了多个波动。

下面说明实施例1。

首先，与比较例相同地制造了图1、图2及图4所示那样的光调制器。但与比较例不同，如图4所示那样地变更了电极及间隙的图形。还有，各个参数如下。

基板的厚度：8μm    电极的厚度：25μm

电极长度：40mm

Gu：45μm     G₁₂：45μm    G₂₁：33μm

G₂₂：33μm    G₃₁：20μm    G₃₂：95μm

W₁：30μm     W₂：30μm     W₃：30μm

锥形部11b的锥角最大为30°

与比较例相同地测定了该调制器的S₂₁特性。测定结果如图13所示。可知图12中所见到的那种波动有了明显减少。

下面说明实施例2。

首先，与比较例相同地制造了图1、图2及图5所示那样的光调制器。但与比较例不同，如图5所示那样地变更了电极及间隙的图形。还有，各个参数如下。

基板的厚度：8μm    电极的厚度：25μm

电极长度：40mm

G₁₁：55μm    G₁₂：55μm    G₂₁：45μm

G₂₂：45μm    G₃₁：20μm    G₃₂：95μm

W₁：60μm     W₂：60μm    W₃：30μm

锥形部11b的锥角最大为30°

与比较例相同地测定了该调制器的S₂₁特性，结果与实施例1同样，图12中所见到的那种波动有了明显减少。

下面说明实施例3。

首先，与比较例相同地制造了图1、图2及图10所示那样的光调制器。但与比较例不同，如图10所示那样地变更了电极及间隙的图形。还有，各个参数如下。

基板的厚度：8μm    电极的厚度：25μm

电极长度：40mm

Gu：55μm     G₁₂：55μm    G₂₁：45μm

G₂₂：45μm    G₃₁：20μm    G₃₂：95μm

W₁：60μm     W₂：60μm     W₃：30μm

锥形部11h的锥角最大为30°

与比较例相同地测定了该调制器的S21特性，结果与实施例1同样，图12中所见到的那种波动有了明显减少。

下面说明实施例4。

首先，与比较例相同地制造了图1、图2及图11所示那样的光调制器。但与比较例不同，如图11所示那样地变更了电极及间隙的图形。还有，各个参数如下。

基板的厚度：8μm    电极的厚度：25μm

电极长度：40mm

Gu：55μm     G₁₂：55μm    G₂₁：45μm

G₂₂：45μm    G₃₁：20μm    G₃₂：95μm

G₄₁：35μm    G₄₂：70μm    W₁：60μm

W₂：60μm     W₃：30μm     W₄：45μm

锥形部的锥角最大为30°

与比较例相同地测定了该调制器的S₂₁特性，结果与实施例1同样，图12中所见到的那种波动有了明显减少。

上面说明了本发明的特定的实施方式，但本发明不限定于这些特定的实施方式，在不脱离技术方案的范围的情况下，可以进行种种修正或变更来实施。

Claims (7)

1.一种光波导器件，具备由光电材料构成的基板、形成于该基板上并至少具有第一分支部及第二分支部的光波导、信号电极、第一接地电极及第二接地电极，通过上述第一接地电极及上述信号电极对上述第一分支部施加电压，通过上述第二接地电极及上述信号电极对上述第二分支部施加电压，并在上述第一接地电极和上述信号电极之间形成第一间隙，在上述第二接地电极和上述信号电极之间形成第二间隙，其特征在于，

上述第一间隙及上述第二间隙分为电压施加部、馈通部及它们之间的连接部，且上述第一间隙及上述第二间隙满足下式

G₁₂/G₁₁≤G₂₂/G₂₁＜G₃₂/G₃₁

其中，G₁₁是上述连接部中的上述第一间隙的宽度，G₁₂是上述连接部中的上述第二间隙的宽度，G₂₁是上述电压施加部的上述连接部分一侧末端中的上述第一间隙的宽度，G₂₂是上述电压施加部的上述连接部分一侧末端中的上述第二间隙的宽度，G₃₁是上述电压施加部中的上述第一间隙的宽度，G₃₂是上述电压施加部中的上述第二间隙的宽度，上述第一接地电极与上述第二接地电极两者中的一方位于上述馈通部一侧，另一方位于上述馈通部的相反一侧。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，

上述第一分支部位于上述第一间隙内，且上述第二分支部位于上述第二间隙内。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，

G₁₂/G₁₁为1。

4.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，

上述光波导器件是行波型光调制器。

5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，

上述光波导器件能够作为线性调频脉冲调制器使用。

6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，

上述光波导器件是行波型光调制器。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，

上述光波导器件能够作为线性调频脉冲调制器使用。

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