JP2003142904A - 伝送線路 - Google Patents
伝送線路Info
- Publication number
- JP2003142904A JP2003142904A JP2001337340A JP2001337340A JP2003142904A JP 2003142904 A JP2003142904 A JP 2003142904A JP 2001337340 A JP2001337340 A JP 2001337340A JP 2001337340 A JP2001337340 A JP 2001337340A JP 2003142904 A JP2003142904 A JP 2003142904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- transmission line
- dielectric substrate
- characteristic
- surface ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波での信号の反射やクロストーク等によ
る特性劣化を抑圧した伝送線路を提供する。 【解決手段】 誘電体基板1の表面に中心導体2と該中
心導体の両側に位置する表面接地導体3を各々形成し、
誘電体基板1の裏面に裏面接地導体5を形成し、さらに
誘電体基板1の表裏間を貫通し且つ中心導体2の延伸方
向に沿った方向に延び且つ表面接地導体3と裏面接地導
体5を電気的に導通させる導体壁4を形成した。
る特性劣化を抑圧した伝送線路を提供する。 【解決手段】 誘電体基板1の表面に中心導体2と該中
心導体の両側に位置する表面接地導体3を各々形成し、
誘電体基板1の裏面に裏面接地導体5を形成し、さらに
誘電体基板1の表裏間を貫通し且つ中心導体2の延伸方
向に沿った方向に延び且つ表面接地導体3と裏面接地導
体5を電気的に導通させる導体壁4を形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路を構成
する伝送線路に関するものである。
する伝送線路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図7は高周波伝送線路として従来から用
いられているコプレーナガイド伝送線路の構成例を示す
図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線断面図で
ある。図7において、1は誘電体基板、2は誘電体基板
1の表面に形成された信号線としての中心導体、3はそ
の中心導体2の両側に形成された表面接地導体、5は誘
電体基板1の裏面に形成された裏面接地導体、6は表面
接地導体3と裏面接地導体5を電気的に接続するビアホ
ールである。一般に、高周波になると、コプレーナガイ
ド伝送線路では、誘電体基板1の表面と裏面の接地導体
3、5の間で高次伝搬モードが発生し、該伝送線路の特
性が劣化する。
いられているコプレーナガイド伝送線路の構成例を示す
図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線断面図で
ある。図7において、1は誘電体基板、2は誘電体基板
1の表面に形成された信号線としての中心導体、3はそ
の中心導体2の両側に形成された表面接地導体、5は誘
電体基板1の裏面に形成された裏面接地導体、6は表面
接地導体3と裏面接地導体5を電気的に接続するビアホ
ールである。一般に、高周波になると、コプレーナガイ
ド伝送線路では、誘電体基板1の表面と裏面の接地導体
3、5の間で高次伝搬モードが発生し、該伝送線路の特
性が劣化する。
【0003】そこで、図7に示す従来のコプレーナガイ
ド伝送線路では、ビアホール6により、両面の接地導体
3、5間を接続して、高次伝搬モードを抑圧する構造と
していた。
ド伝送線路では、ビアホール6により、両面の接地導体
3、5間を接続して、高次伝搬モードを抑圧する構造と
していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7の
コプレーナガイド伝送線路においては、ビアホール6の
形成工程における製造精度により、ビアホール6間(図
7(a)の上下方向)のピッチに制限が生じ、また、複数
のコプレーナガイド伝送線路を配置した図8に示すよう
な誘電体基板においては、ビアホール6の配置によって
伝送線路間(図8の左右方向)のピッチが制限され、高
密度化が困難であった。
コプレーナガイド伝送線路においては、ビアホール6の
形成工程における製造精度により、ビアホール6間(図
7(a)の上下方向)のピッチに制限が生じ、また、複数
のコプレーナガイド伝送線路を配置した図8に示すよう
な誘電体基板においては、ビアホール6の配置によって
伝送線路間(図8の左右方向)のピッチが制限され、高
密度化が困難であった。
【0005】さらに、従来のコプレーナガイド伝送線路
では、誘電体基板の材料、厚さが一定の場合、中心導体
の幅、中心導体と表面接地導体とのギャップおよび導体
厚によって線路の特性インピーダンスを求めて回路設計
を行っているが、この際、ビアホールは考慮されていな
い。実際には、ビアホールの有無、さらに、ビアホール
のピッチによって、電磁界の分布が異なることとなる。
このことは、厳密には、特に高周波領域では、各々のケ
ースに応じて、3次元空間のフルウェーブ解析より特性
インピーダンスを求めることを意味し、設計コストが増
大する。
では、誘電体基板の材料、厚さが一定の場合、中心導体
の幅、中心導体と表面接地導体とのギャップおよび導体
厚によって線路の特性インピーダンスを求めて回路設計
を行っているが、この際、ビアホールは考慮されていな
い。実際には、ビアホールの有無、さらに、ビアホール
のピッチによって、電磁界の分布が異なることとなる。
このことは、厳密には、特に高周波領域では、各々のケ
ースに応じて、3次元空間のフルウェーブ解析より特性
インピーダンスを求めることを意味し、設計コストが増
大する。
【0006】本発明は、斯かる実情に鑑みてなされたも
ので、その目的は、高周波での信号の反射やクロストー
ク等による特性劣化を抑圧した伝送線路を提供しようと
するものである。
ので、その目的は、高周波での信号の反射やクロストー
ク等による特性劣化を抑圧した伝送線路を提供しようと
するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
誘電体基板の表面に中心導体と該中心導体の両側に位置
する表面接地導体が各々形成され、前記誘電体基板の裏
面に裏面接地導体が形成され、且つ前記表面接地導体と
前記裏面接地導体が電気的に導通されている伝送線路に
おいて、前記誘電体基板の表裏間を貫通し且つ前記中心
導体の延伸方向に沿った方向に延びる導体壁を形成し、
該導体壁により前記表面接地導体と前記裏面接地導体を
電気的に導通させたことを特徴とする伝送線路とした。
誘電体基板の表面に中心導体と該中心導体の両側に位置
する表面接地導体が各々形成され、前記誘電体基板の裏
面に裏面接地導体が形成され、且つ前記表面接地導体と
前記裏面接地導体が電気的に導通されている伝送線路に
おいて、前記誘電体基板の表裏間を貫通し且つ前記中心
導体の延伸方向に沿った方向に延びる導体壁を形成し、
該導体壁により前記表面接地導体と前記裏面接地導体を
電気的に導通させたことを特徴とする伝送線路とした。
【0008】請求項2に係る発明は、請求項1に係る発
明の伝送線路を前記誘電体基板に複数並列に形成したこ
とを特徴とする伝送線路とした。
明の伝送線路を前記誘電体基板に複数並列に形成したこ
とを特徴とする伝送線路とした。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の伝送線路は、通常のコプ
レーナガイド伝送線路構造に加えて、基板の表面と裏面
にある接地導体をつなぐために、導体壁(グランド板)
を設けた構造を有する。これにより、電磁波高次モード
の発生を抑えるとともに、高周波での信号の反射やクロ
ストーク等による伝搬特性劣化を改善することができる
ようにした。
レーナガイド伝送線路構造に加えて、基板の表面と裏面
にある接地導体をつなぐために、導体壁(グランド板)
を設けた構造を有する。これにより、電磁波高次モード
の発生を抑えるとともに、高周波での信号の反射やクロ
ストーク等による伝搬特性劣化を改善することができる
ようにした。
【0010】[第1の実施形態]図1は本発明の第1の
実施形態のコプレーナガイド伝送線路を示す図であり、
(a)は平面図、(b)は(a)のb−b断面図である。図1に
おいて、1は誘電体基板、2は誘電体基板1の表面に形
成された信号線としての中心導体、3はその中心導体2
の両側に形成された表面接地導体、5は誘電体基板1の
裏面に形成された裏面接地導体、4は表面接地導体3と
裏面接地導体5を電気的に接続する導体壁(グランド
板)である。この導体壁4は、誘電体基板1の表裏間を
貫通し且つ中心導体2の延伸方向に沿った方向に延びて
いる。
実施形態のコプレーナガイド伝送線路を示す図であり、
(a)は平面図、(b)は(a)のb−b断面図である。図1に
おいて、1は誘電体基板、2は誘電体基板1の表面に形
成された信号線としての中心導体、3はその中心導体2
の両側に形成された表面接地導体、5は誘電体基板1の
裏面に形成された裏面接地導体、4は表面接地導体3と
裏面接地導体5を電気的に接続する導体壁(グランド
板)である。この導体壁4は、誘電体基板1の表裏間を
貫通し且つ中心導体2の延伸方向に沿った方向に延びて
いる。
【0011】誘電体基板1の基板厚を0.15mm、そ
の比誘電率を4.7、中心導体2の線幅を0.19m
m、中心導体2と表面接地導体3との間のギャップを
0.1mm、中心導体2、表面接地導体3および裏面接
地導体5の導体厚を0.01mm、導体壁4の厚さを
0.1mmとし、誘電体基板1の両面の接地導体3、5
と導体壁4をI字形状に接続した構造とし、特性インピ
ーダンスが50Ω付近になる寸法とした。なお、本実施
形態では、上記の条件としたが、他のパラメータを変え
ずに、導体壁4を図1(a)、(b)において左右に移動させ
た構造(必要に応じて表面接地導体3の左右の端部まで
も移動可能)とすることにより、特性インピーダンスを
調整することも可能である。
の比誘電率を4.7、中心導体2の線幅を0.19m
m、中心導体2と表面接地導体3との間のギャップを
0.1mm、中心導体2、表面接地導体3および裏面接
地導体5の導体厚を0.01mm、導体壁4の厚さを
0.1mmとし、誘電体基板1の両面の接地導体3、5
と導体壁4をI字形状に接続した構造とし、特性インピ
ーダンスが50Ω付近になる寸法とした。なお、本実施
形態では、上記の条件としたが、他のパラメータを変え
ずに、導体壁4を図1(a)、(b)において左右に移動させ
た構造(必要に応じて表面接地導体3の左右の端部まで
も移動可能)とすることにより、特性インピーダンスを
調整することも可能である。
【0012】図2に、図1の構造のコプレーナガイド伝
送線路の構造と図7で説明した従来のビアホールを用い
たコプレーナガイド伝送線路の構造を数値解析した結果
のSパラメータのS21(透過)特性の周波数特性を示
す。ここで、実線は図1の実施形態のコプレーナガイド
伝送線路の構造の場合である。点線と破線は、図7の従
来のビアホールを用いたコプレーナガイド伝送線路の構
造の場合であり、各々、ビアホールの間隔が、3mmと
2mmの結果である。なお、従来のコプレーナガイド伝
送線路については、誘電体基板厚、比誘電率、導体厚お
よびギャップは、本実施形態の場合と同じ値としたが、
中心導体の線幅については、特性インピーダンスを50
Ω付近とするため、0.21mmとした。
送線路の構造と図7で説明した従来のビアホールを用い
たコプレーナガイド伝送線路の構造を数値解析した結果
のSパラメータのS21(透過)特性の周波数特性を示
す。ここで、実線は図1の実施形態のコプレーナガイド
伝送線路の構造の場合である。点線と破線は、図7の従
来のビアホールを用いたコプレーナガイド伝送線路の構
造の場合であり、各々、ビアホールの間隔が、3mmと
2mmの結果である。なお、従来のコプレーナガイド伝
送線路については、誘電体基板厚、比誘電率、導体厚お
よびギャップは、本実施形態の場合と同じ値としたが、
中心導体の線幅については、特性インピーダンスを50
Ω付近とするため、0.21mmとした。
【0013】この図2の特性より、本実施形態の構造で
は良好なS21特性を示しているのに対して、従来構造
の場合は各ビアホール間隔に対応した周波数で特性劣化
が生じていることがわかる。
は良好なS21特性を示しているのに対して、従来構造
の場合は各ビアホール間隔に対応した周波数で特性劣化
が生じていることがわかる。
【0014】従来のビアホールによる表裏面間の接地導
体の接続では、不要な共振モードを抑圧するために、動
作周波数に応じて半波長以下のビアホール間隔が必要な
ことから、高周波になるに従いビアホール間隔を狭く
し、密にビアホールを形成することが必須となるが、こ
のことは、ビアホールの製造精度が要求されることとな
り、製造コストの増加を招くこととなる。さらに、信号
の伝搬方向に対して垂直な断面構造がビアホールの有無
によって異なるため、断面構造によって求められる特性
インピーダンスの計算が困難である。
体の接続では、不要な共振モードを抑圧するために、動
作周波数に応じて半波長以下のビアホール間隔が必要な
ことから、高周波になるに従いビアホール間隔を狭く
し、密にビアホールを形成することが必須となるが、こ
のことは、ビアホールの製造精度が要求されることとな
り、製造コストの増加を招くこととなる。さらに、信号
の伝搬方向に対して垂直な断面構造がビアホールの有無
によって異なるため、断面構造によって求められる特性
インピーダンスの計算が困難である。
【0015】これに対して、本実施形態では、誘電体基
板1の表面接地導体3と裏面接地導体5とを面状に連続
接続する導体壁4を備えるので、ビアホールが不要とな
り、動作周波数の変化により、ビアホール間隔を変える
必要はなくなる。さらに、信号の伝搬方向に対して垂直
な断面構造が均一であるため、特性インピーダンスも2
次元断面形状のみから計算できる。
板1の表面接地導体3と裏面接地導体5とを面状に連続
接続する導体壁4を備えるので、ビアホールが不要とな
り、動作周波数の変化により、ビアホール間隔を変える
必要はなくなる。さらに、信号の伝搬方向に対して垂直
な断面構造が均一であるため、特性インピーダンスも2
次元断面形状のみから計算できる。
【0016】また、従来のコプレーナガイド伝送線路で
は、構造的には基板厚、中心導体線幅、中心導体と表面
接地導体間のギャップ、中心導体厚によって特性インピ
ーダンスが求められていたが、本実施形態では、さら
に、導体壁4の位置も特性インピーダンスを定めるパラ
メータとなるため、設計の自由度が増加するとともに、
広い周波数帯域をカバーする伝送線路特性を実現するこ
とができる。
は、構造的には基板厚、中心導体線幅、中心導体と表面
接地導体間のギャップ、中心導体厚によって特性インピ
ーダンスが求められていたが、本実施形態では、さら
に、導体壁4の位置も特性インピーダンスを定めるパラ
メータとなるため、設計の自由度が増加するとともに、
広い周波数帯域をカバーする伝送線路特性を実現するこ
とができる。
【0017】[第2の実施形態]図3は本発明の第2の
実施形態の伝送線路を示す図であり、(a)は平面図、(b)
は(a)のb−b線断面図である。図1に示したものと同
じものには同じ符号を付けている。ここでは、中心導体
2が2個の場合、つまり2つの伝送線路を並列化した場
合を示した。
実施形態の伝送線路を示す図であり、(a)は平面図、(b)
は(a)のb−b線断面図である。図1に示したものと同
じものには同じ符号を付けている。ここでは、中心導体
2が2個の場合、つまり2つの伝送線路を並列化した場
合を示した。
【0018】図4は、図3のコプレーナガイド伝送線路
の構造と図8に示した従来のコプレーナガイド伝送線路
の構造を数値解析したSパラメータのS21特性を示す
図であり、実線が図3の構造のS21特性、破線が図8
の構造のS21特性である。また、図5は図3の構造の
伝送線路のS11(反射特性)、S31(近端クロスト
ーク特性)、S41(遠端クロストーク特性)を示す図
である。さらに図6は図8の従来構造の伝送線路のS1
1,S31,S41を示す特性である。ここで、中心導
体線幅、中心導体と表面接地導体間のギャップ、基板厚
等のパラメータは、第1の実施形態で示した値を用い、
中央の表面接地導体3’の幅は0.1mmとした。ま
た、図8の従来型のコプレーナガイド伝送線路の場合、
ビアホール6の間隔(図8(a)の上下方向間隔)は3m
mとした。
の構造と図8に示した従来のコプレーナガイド伝送線路
の構造を数値解析したSパラメータのS21特性を示す
図であり、実線が図3の構造のS21特性、破線が図8
の構造のS21特性である。また、図5は図3の構造の
伝送線路のS11(反射特性)、S31(近端クロスト
ーク特性)、S41(遠端クロストーク特性)を示す図
である。さらに図6は図8の従来構造の伝送線路のS1
1,S31,S41を示す特性である。ここで、中心導
体線幅、中心導体と表面接地導体間のギャップ、基板厚
等のパラメータは、第1の実施形態で示した値を用い、
中央の表面接地導体3’の幅は0.1mmとした。ま
た、図8の従来型のコプレーナガイド伝送線路の場合、
ビアホール6の間隔(図8(a)の上下方向間隔)は3m
mとした。
【0019】図4より、図2で示した単一中心導体の伝
送線路の場合と同様に、図8の従来構造の伝送線路で
は、24GHz付近と47GHz付近で、ビアホール間
隔に起因する特性劣化が生じていることが判る。さら
に、図5と図6を比べると,本発明による構造の特性
(図5)では、50GHzまでの広帯域に渡って、S1
1、S31、S41の全てが−20dB以下の良好な特
性を示しているのに対し、従来構造の特性(図6)で
は、数GHz付近からS11が−20dBを超えてお
り、全体の特性も本発明に比べて劣化していることがわ
かる。
送線路の場合と同様に、図8の従来構造の伝送線路で
は、24GHz付近と47GHz付近で、ビアホール間
隔に起因する特性劣化が生じていることが判る。さら
に、図5と図6を比べると,本発明による構造の特性
(図5)では、50GHzまでの広帯域に渡って、S1
1、S31、S41の全てが−20dB以下の良好な特
性を示しているのに対し、従来構造の特性(図6)で
は、数GHz付近からS11が−20dBを超えてお
り、全体の特性も本発明に比べて劣化していることがわ
かる。
【0020】なお、本発明の伝送線路は、上述の図示例
にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であ
る。
にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であ
る。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のコプレー
ナガイド伝送線路によれば、従来のコプレーナガイド伝
送線路に比べて、広帯域に渡って一定な特性インピーダ
ンスを有し、かつ、中心導体間のピッチを狭めて高密度
な配線を実現でき、高周波での信号の反射やクロストー
ク等による特性劣化を抑圧できるという優れた効果を奏
し得る。
ナガイド伝送線路によれば、従来のコプレーナガイド伝
送線路に比べて、広帯域に渡って一定な特性インピーダ
ンスを有し、かつ、中心導体間のピッチを狭めて高密度
な配線を実現でき、高周波での信号の反射やクロストー
ク等による特性劣化を抑圧できるという優れた効果を奏
し得る。
【図1】 本発明の第1の実施形態の1個の中心導体を
有するコプレーナガイド伝送線路を示す図で、(a)は平
面図、(b)は断面図である。
有するコプレーナガイド伝送線路を示す図で、(a)は平
面図、(b)は断面図である。
【図2】 図1のコプレーナガイド伝送線路と従来の図
7のコプレーナガイド伝送線路のSパラメータのS21
特性を比較した特性図である。
7のコプレーナガイド伝送線路のSパラメータのS21
特性を比較した特性図である。
【図3】 本発明の第2の実施形態の2個の中心導体を
有するコプレーナガイド伝送線路を示す図で、(a)は平
面図、(b)は断面図である。
有するコプレーナガイド伝送線路を示す図で、(a)は平
面図、(b)は断面図である。
【図4】 図3のコプレーナガイド伝送線路と従来の図
8のコプレーナガイド伝送線路のSパラメータのS21
特性を比較した特性図である。
8のコプレーナガイド伝送線路のSパラメータのS21
特性を比較した特性図である。
【図5】 図3のコプレーナガイド伝送線路のSパラメ
ータのS11,S31,S41特性の特性図である。
ータのS11,S31,S41特性の特性図である。
【図6】 従来の図8のコプレーナガイド伝送線路のS
パラメータのS11,S31,S41特性の特性図であ
る。
パラメータのS11,S31,S41特性の特性図であ
る。
【図7】 従来の1個の中心導体を有するコプレーナガ
イド伝送線路を示す図で、(a)は平面図、(b)は断面図で
ある。
イド伝送線路を示す図で、(a)は平面図、(b)は断面図で
ある。
【図8】 従来の2個の中心導体を有するコプレーナガ
イド伝送線路を示す図で、(a)は平面図、(b)は断面図で
ある。
イド伝送線路を示す図で、(a)は平面図、(b)は断面図で
ある。
1:誘電体基板
2:中心導体
3、3’:表面接地導体
4:導体壁(グランド板)
5:裏面接地導体
6:ビアホール
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 新井 芳光
東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日
本電信電話株式会社内
Fターム(参考) 5J014 CA00
Claims (2)
- 【請求項1】誘電体基板の表面に中心導体と該中心導体
の両側に位置する表面接地導体が各々形成され、前記誘
電体基板の裏面に裏面接地導体が形成され、且つ前記表
面接地導体と前記裏面接地導体が電気的に導通されてい
る伝送線路において、 前記誘電体基板の表裏間を貫通し且つ前記中心導体の延
伸方向に沿った方向に延びる導体壁を形成し、該導体壁
により前記表面接地導体と前記裏面接地導体を電気的に
導通させたことを特徴とする伝送線路。 - 【請求項2】請求項1に記載の伝送線路を前記誘電体基
板に複数並列に形成したことを特徴とする伝送線路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001337340A JP2003142904A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001337340A JP2003142904A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 伝送線路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003142904A true JP2003142904A (ja) | 2003-05-16 |
Family
ID=19151996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001337340A Pending JP2003142904A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 伝送線路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003142904A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005286436A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | 高周波用配線基板 |
JP2005331531A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイス |
JP2009124072A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波モジュール |
CN101295808B (zh) * | 2007-04-29 | 2012-07-25 | 倪其良 | 一种可变换类别与可调频的宽带滤波器的设计方法 |
US10734711B2 (en) | 2016-02-15 | 2020-08-04 | Kathrein-Werke Kg | Shaft antenna system for mobile communication |
-
2001
- 2001-11-02 JP JP2001337340A patent/JP2003142904A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005286436A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | 高周波用配線基板 |
JP2005331531A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイス |
CN101295808B (zh) * | 2007-04-29 | 2012-07-25 | 倪其良 | 一种可变换类别与可调频的宽带滤波器的设计方法 |
JP2009124072A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波モジュール |
US10734711B2 (en) | 2016-02-15 | 2020-08-04 | Kathrein-Werke Kg | Shaft antenna system for mobile communication |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7336142B2 (en) | High frequency component | |
JP4462758B2 (ja) | 高周波用配線基板 | |
JP2000269707A (ja) | コプレーナ線路 | |
JP2006024618A (ja) | 配線基板 | |
JP2004320109A (ja) | 高周波伝送線路及び高周波基板 | |
JPH06236788A (ja) | ソケット | |
EP1798806B1 (en) | Apparatus for Converting Transmission Structure | |
JP2010192987A (ja) | 同軸コネクタ、同軸コネクタ・平面線路接続構造 | |
US4211986A (en) | Strip line coupler having spaced ground plate for increased coupling characteristic | |
JP4629013B2 (ja) | 高周波回路基板 | |
JPH08510624A (ja) | 伝送線路およびその設計方法 | |
JP2003142904A (ja) | 伝送線路 | |
JP5519328B2 (ja) | 高周波用伝送線路基板 | |
JPH08162812A (ja) | 高周波結合器 | |
JP2018117173A (ja) | 90度ハイブリッド回路 | |
CA1256557A (en) | Sandwich-wire antenna | |
JP2000165116A (ja) | 方向性結合器 | |
JP2004247980A (ja) | 伝送線路の接続構造及び方法 | |
US20230034066A1 (en) | BROADBAND AND LOW COST PRINTED CIRCUIT BOARD BASED 180º HYBRID COUPLERS ON A SINGLE LAYER BOARD | |
JP2018182422A (ja) | 基板集積導波管 | |
JP4381701B2 (ja) | 同軸コネクタと多層基板との接続構造 | |
JP4392018B2 (ja) | 改良型方向性結合器 | |
US4224584A (en) | Directional microwave coupler | |
JPH08162810A (ja) | ストリップライン導波管変換回路 | |
TWI757979B (zh) | 電路板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050329 |