JP5075055B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
近年、開発が進んでいる40Gbit/sの超大容量光通信システムには、DPSKや例えば特許文献1にその原理が開示されているDQPSKのような位相変調器型のLN光変調器が適用されている。
図1に本発明の光変調器に関する実施形態の一つについてその上面図を示す。なお、光変調方式としてDQPSKを例にとっているので、光導波路の構造は図8に示した従来技術と同じである。
以上においてDQPSK光変調器を例にとり説明したが、本発明は入力側フィード部に複数の中心電極を有するLN光変調器に有効であるので、DQPSKに限らず1つのマッハツェンダ光導波路からなるDPSK、あるいはDQPSKよりも多くのマッハツェンダ光導波路を具備するその他の位相変調方式、さらには2電極型の強度変調器にも適用可能であることは言うまでもない。
2、2´:SiO2バッファ層
3:マッハツェンダ光導波路(光導波路)
3a、3b、3c、3d:相互作用光導波路
4a、4b、4c、4d、4a´、4b´、4c´、4d´、7:中心電極
5a、5b、5c、5d、5e、5a´、5b´、5c´、5d´、5e´:接地電極
Claims (3)
- 基板と、該基板に形成された光導波路と、前記基板の上方に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上方に形成された電圧を印加するための中心電極と接地電極からなる進行波電極とを備え、前記光導波路は、前記進行波電極に電圧を印加することにより屈折率が変化する領域である相互作用部に複数の相互作用光導波路を具備し、前記中心電極と前記接地電極が各々複数からなるとともに、前記相互作用部の前記進行波電極に接続される入力側フィード部の電極が各々複数の中心電極と接地電極からなる光変調器において、
前記入力側フィード部における前記中心電極の下方もしくは近傍の前記バッファ層の厚みが前記相互作用部における前記バッファ層の厚みよりも厚く形成され、
前記入力側フィード部における前記進行波電極の特性インピーダンスが、前記バッファ層の厚さが前記入力側フィード部におけるものと前記相互作用部におけるものとで同じである場合の当該特性インピーダンスと比較して高くなることを特徴とする光変調器。 - 前記入力側フィード部における全ての前記中心電極について、その下方もしくは近傍の前記バッファ層の厚みが前記相互作用部における前記バッファ層の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の光変調器。
- 前記入力側フィード部における一部の前記中心電極について、その下方もしくは近傍の前記バッファ層の厚みが前記相互作用部における前記バッファ層の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の光変調器。
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