JPH06130338A - 光導波路デバイス - Google Patents

光導波路デバイス

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JPH06130338A
JPH06130338A JP4284242A JP28424292A JPH06130338A JP H06130338 A JPH06130338 A JP H06130338A JP 4284242 A JP4284242 A JP 4284242A JP 28424292 A JP28424292 A JP 28424292A JP H06130338 A JPH06130338 A JP H06130338A
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electrode
substrate
optical
waveguide device
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Yoshinobu Kubota
嘉伸 久保田
Minoru Kiyono
實 清野
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光通信や光集積回路において光変調素子とし
て使用される光導波路デバイス、詳しくは、該基板上に
おける電極配置、および基板側と筐体側を接続する実装
構造に関し、信号電極に対する信号電圧を上昇させる必
要なく、入力インピーダンスの整合を確保し、しかも、
光導波路デバイスの高周波数領域における動作の安定性
と出力レベルをともに改善した光導波路デバイスを提供
することを目的とする。 【構成】 配線部分３２よりも幅広な接地電極４０の配
線部分４２を、接地電極４０の電極部分４０に連続させ
る形式で、信号電極３０の配線部分３２に対して一定の
間隔で対向させて、信号電極３０の曲がり部分の外側を
含む一方の側にのみ配置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光集積回路に
おいて光変調素子として使用される光導波路デバイス、
詳しくは、該基板上における電極配置、および基板側と
筐体側を接続する実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信や光集積回路に使用される光導波
路デバイスは、印加される電界の強度に応じて屈折率が
変化する誘電体材料の性質を利用して、光を閉じ込めた
光路の屈折率を外部からの電気信号に応じて変化させ、
これにより、光路に供給されたレーザー光を与えられた
電気信号でＯＮ−ＯＦＦ変調、または振幅変調、または
移相変調するデバイスである。
【０００３】光導波路デバイスは、マイクロリソグラフ
ィ、薄膜形成、熱拡散、選択エッチング等の手法を用い
て、誘電体基板の表面の屈折率を部分的に高めて光導波
路を形成し、さらに、基板上に光導波路に電界を作用さ
せるための電極を形成して製作される。電極は、高周波
数の変調信号の進行波が印加される信号電極と、信号電
極に対して抵抗を介して接続される接地電極とで構成さ
れ、信号電極は、基板の方向性に応じて、光導波路の直
上に配置、または、光導波路に隣接させて配置される。
【０００４】光導波路デバイスでは、１００ギガヘルツ
にも達する従来に無い高周波数領域での動作が期待され
る。このような高周波数領域では、従来の延長線上で決
定された電極配置や配線構造が逆にデバイスチップの安
定な動作を妨げ、動作効率を低下させる可能性がある。
【０００５】光導波路デバイスの基本的な電極配置の１
つは、デバイスチップを横断する方向に光導波路を設け
て横断方向の両辺に光コネクタを配置し、一方、光導波
路に対応させて設けた電極部分の両端から光コネクタが
配置されない辺に向かって、デバイスチップ表面に配線
部分を形成する配置である。
【０００６】このような光導波路デバイスは、誘電体基
板を横断する方向で該基板の表面層に形成され、印加さ
れた電界の強度に応じて光路の屈折率を変化させる光導
波路と、光導波路に対応させて基板上に形成した信号電
極と、信号電極に対向させて基板上に形成した接地電極
とを有し、信号電極が、光導波路に沿った電極部分の両
端から光導波路に交差する方向に引き出されて基板の片
方の縁部分にまで延長された一対の配線部分を有する。
【０００７】光導波路デバイスの基本的な実装構造の１
つは、筐体内にデバイスチップを収納し、筐体側に設け
た端子にデバイスチップ上の配線部分を、中継部材を介
して接続する構造である。
【０００８】このような実装構造は、誘電体基板を横断
する方向で基板の表面層に形成されて、印加された電界
の強度に応じて光路の屈折率を変化させる光導波路と、
光導波路に対応させて基板上に形成した信号電極と、信
号電極に対向させて基板上に形成した接地電極とを有
し、基板の片方の縁部分にまで延長された信号電極およ
び接地電極のそれぞれの配線部分を、中継部材で中継し
て、筐体側の複数の端子にそれぞれ接続する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】実際に電極配置がなさ
れて、実装完了した光導波路デバイスは、通常、誘電体
基板の特性等から期待される理論的な作動限界よりも、
はるかに低い周波数しか利用できず、高周波数領域にお
ける周波数特性が不安定である。
【００１０】この原因としては、(a) 誘電体基板が有限
の大きさであるため、デバイスチップに設定された種々
の設計寸法が共振現象を起こして基板材料が振動し、こ
の振動が光導波路に作用して雑音成分となる、(b) 筐体
側の信号用コネクタから始まって、中継基板、デバイス
チップ、中継基板、抵抗接続用コネクタ、抵抗器、筐体
側接地端子、中継基板、デバイスチップの順に連結され
た変調信号の経路に一定の周波数特性を持った損失が発
生する、各現象が考えられている。
【００１１】変調信号の経路では、電磁波の放射を避け
るため、同軸ケーブル等のアースシールドされた配線が
多用され、基板上の信号電極は、接地電極を一定の狭い
間隔で対向させたストリップ線路として形成される。こ
こで、信号電極を両側から接地電極で挟み込むコプレー
ナストリップ線路とすれば、光導波路デバイスの高周波
数領域における光変調出力が安定化されることが報告さ
れている。
【００１２】しかし、信号電極の全長でコプレーナスト
リップ線路を採用すると、信号電極と接地電極の対向長
さが増して、両者間の静電容量が増し、入力インピーダ
ンスを規格の値に設定できなくなる。一方、信号電極に
沿って部分的にコプレーナストリップ線路を採用すれ
ば、入力インピーダンスの整合は容易になるが、信号電
極の途中にインピーダンスの段差が形成されて変調信号
の損失が増す。
【００１３】そこで、両者間の静電容量を減少させる意
図で信号電極と接地電極の対向間隔を増す選択が採用さ
れるが、この選択は、光導波路に作用する電界を弱め、
信号電極に印加する変調信号の電圧を増加しないと、同
様な光変調出力を得られなくなる。
【００１４】本発明の第１の目的は、基板上の電極配置
を提供して、信号電極に対する信号電圧を上昇させる必
要なく、入力インピーダンスの整合を確保し、しかも、
光導波路デバイスの高周波数領域における動作の安定性
と出力レベルをともに改善することである。
【００１５】本発明の第２の目的は、中継部材の構造を
提供して、実装された光導波路デバイスの高周波数領域
における動作の安定性と出力レベルをともに改善し、入
力インピーダンスの整合を容易にすることである。
【００１６】本発明の第３の目的は、マッハツェンダ型
変調器の好ましい電極配置と実装構造を提供して、入力
インピーダンスの整合を確保しつつ、高周波数領域にお
ける動作の安定性と出力レベルをともに改善することで
ある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は請求項１および請
求項２の光導波路デバイスの基本的な構造の説明図であ
る。ただし、請求項１の構造は、中継基板５０を含む構
造に限定されない。
【００１８】図１において、請求項１の光導波路デバイ
スは、誘電体基板１０を横断する方向で該基板の表面層
に形成され、印加された電界の強度に応じて光路の屈折
率を変化させる光導波路２０と、該光導波路２０に対応
させて前記基板１０上に形成した信号電極３０と、該信
号電極３０に対向させて前記基板１０上に形成した接地
電極４０とを有し、該信号電極３０が、前記光導波路２
０に沿った電極部分３１の両端から前記光導波路２０に
交差する方向に引き出されて前記基板１０の片方の縁部
分にまで延長された一対の配線部分３２を有する光導波
路デバイスにおいて、前記配線部分３２よりも幅広な前
記接地電極４０の配線部分４２を、前記接地電極４０の
電極部分４０に連続させる形式で前記配線部分３２に対
して一定の間隔で対向させて、前記信号電極３０の曲が
り部分の外側を含む一方の側にのみ配置したものであ
る。
【００１９】請求項２の光導波路デバイスは、請求項１
の光導波路デバイスにおいて、少なくとも前記接地電極
の外縁と前記信号電極の内縁とが前記基板上に切り取る
面積を覆う別の接地電極を、前記基板の裏面に形成した
ものである。
【００２０】請求項３の光導波路デバイスは、請求項１
〜２いずれかの光導波路デバイスにおいて、前記光導波
路は、入口と出口を共有して中間で分岐した一対の光導
波路で構成され、前記信号電極と協働してマッハツェン
ダ光変調器を構成しているものである。
【００２１】請求項４の光導波路デバイスは、請求項３
の光導波路デバイスにおいて、前記一対の光導波路の一
方に対応して前記信号電極が配置され、該信号電極に対
向させた前記接地電極が他方の前記光路に対応する電極
を兼ねて、単一電極型マッハツェンダ光変調器を構成す
るものである。
【００２２】請求項５の光導波路デバイスは、請求項３
の光導波路デバイスにおいて、前記一対の光導波路のそ
れぞれに対応して、独立の前記信号電極が対称に一対配
置されて二電極型マッハツェンダ光変調器を構成すると
き、一対の前記信号電極にそれぞれ対向する一対の前記
接地電極が中央で一体化されたＨ型の平面形状に形成さ
れているものである。
【００２３】図１において、請求項６の光導波路デバイ
スは、誘電体基板１０を横断する方向で該基板の表面層
に形成され、印加された電界の強度に応じて光路の屈折
率を変化させる光導波路２０と、該光導波路２０に対応
させて前記基板１０上に形成した信号電極３０と、該信
号電極３０に対向させて前記基板１０上に形成した接地
電極４０とを有し、前記基板１０の片方の縁部分にまで
延長された前記信号電極３０および接地電極４０のそれ
ぞれの配線部分３２、４２を、中継部材５０で中継し
て、筐体６０側の複数の端子６１、６２にそれぞれ接続
する形式で実装された光導波路デバイスにおいて、前記
中継部材５０は、前記基板１０とほぼ等しい誘電率の誘
電体材料から形成された中継基板５１に、前記基板１０
の縁部分におけるそれぞれの前記配線部分３２、４２の
幾何学的な配置と寸法をほぼ等しく再現した形式で、そ
れぞれの中継配線５２、５３を形成して構成されるもの
である。
【００２４】請求項７の光導波路デバイスは、請求項６
の光導波路デバイスにおいて、前記中継基板が複数個に
分割され、該複数個が前記基板の縁部分に沿って配置さ
れるものである。
【００２５】請求項８の光導波路デバイスは、請求項６
の光導波路デバイスにおいて、前記基板を介して前記信
号電極と前記接地電極の両方に対向する別の接地電極が
前記基板の裏面に形成されるとき、前記中継基板を介し
て一対の前記中継配線の両方に対向する幅広の別の中継
配線を用いて、前記別の接地電極を前記筐体側の別の端
子に中継するものである。
【００２６】請求項９の光導波路デバイスは、請求項６
の光導波路デバイスにおいて、前記基板に前記光導波路
が並列に一対配置され、該一対の光導波路のそれぞれに
対応して、独立の前記信号電極が対称に一対配置され、
該一対の信号電極の配線部分が前記基板の対向する２つ
の縁部分に引き出されるとき、前記中継部材が、前記２
つの縁部分のそれぞれに沿って配置され、前記筐体側に
も前記２つの縁部分のそれぞれに対応させて前記端子が
配置されるものである。
【００２７】請求項１０の光導波路デバイスは、誘電体
基板を横断する方向で該基板の表面層に形成されて印加
された電界の強度に応じて光路の屈折率を変化させる一
対の光導波路と、該一対の光導波路の一方に対応させて
前記基板上に配置した信号電極と、該一対の光導波路の
他方に対応させて前記基板上に配置した接地電極とを有
し、前記信号電極が、前記一方の光導波路に沿った部分
の両端から前記光導波路と交差する方向に引き出されて
前記基板の一方の縁部分まで延長された配線部分を有
し、前記接地電極が、前記信号電極の前記縁部分の側に
配置されるとともに、前記他方の光導波路に沿った部分
の両端から前記配線部分にほぼ一定の間隔で対向して前
記縁部分まで延長された光導波路デバイスにおいて、前
記接地電極と協働して前記配線部分を挟み込み、前記信
号電極の前記一方の光導波路に沿った部分にも部分的に
対向して前記両端を基点にして次第に対向間隔を拡大す
る別の接地電極を前記基板の表面に形成したものであ
る。
【００２８】
【作用】請求項１〜１０の光導波路デバイスは、印加さ
れる電界の強度に応じて屈折率が変化する誘電体材料の
性質を利用して、光を閉じ込めた光路の屈折率を外部か
らの電気信号に応じて変化させ、これにより、光路に供
給されたレーザー光を与えられた電気信号に応じてＯＮ
−ＯＦＦ変調、または振幅変調、または移相変調する。
また、配線部分は、信号電極の電極部分から光導波路と
交差する方向に引き出され、光導波路の入口と出口に配
置される光コネクタの配置と装着を妨げない基板の縁部
分において、基板から外部（筐体側）へ電気配線され
る。電極部分と配線部分とを含む信号電極は、電磁波の
放射を避けるために、基板上で接地電極に対向させて配
置される。
【００２９】請求項１〜５、１０の光導波路デバイス
は、デバイスチップ上の電極配置に関しており、配線部
分─電極部分─配線部分と続く信号電極の途中にインピ
ーダンスの段差を形成しないために、好ましくは、信号
電極と接地電極は終始ほぼ一定の間隔で対向する。ただ
し、基板材料の誘電率に方向性があって一定の間隔がか
えってインピーダンスの段差を形成してしまう場合に
は、信号電極と接地電極の対向間隔を調整してこの段差
を解消できる。デバイスチップ上の信号経路のインピー
ダンスの段差（くびれ、ふくらみ）は、実装された光導
波路デバイス全体に含まれる他の段差と協働して定在波
を形成し、電極部分に印加される変調信号を変形する。
【００３０】請求項１の光導波路デバイスでは、配線部
分が、誘電体基板上でいわゆる非対称ストリップ線路と
して形成される。非対称ストリップ線路は、接地電極で
信号電極を挟み込むコプレーナストリップ線路に比較し
て、接地電極と信号電極の間に形成される静電容量が少
なく、信号電極と接地電極の対向間隔を減じて、光導波
路に作用する電界の強度を確保しても、高周波数領域に
おける信号電極の入力インピーダンスの低下は小さくて
済む。
【００３１】また、接地電極が信号電極の曲がりの外側
に配置されるから、接地電極を信号電極の曲がりの内側
に配置した場合に発生する配線部分と電極部分の間のイ
ンピーダンスの段差が解消され、この部分における反射
が減って、配線部分から電極部分へ、また電極部分から
配線部分への高周波信号の伝達が効率的になる。
【００３２】接地電極は信号電極よりも幅広で、好まし
くは、１００倍以上の幅に設定される。幅広の接地電極
は音速の異なる基板との接合面で振動の伝播を妨げ、振
幅を減衰する。また、接地電極と信号電極は、連続的に
変化する電界に沿った長さを介して対向し、誘電体基板
層と協働してきわめてＱ値の低い弾性波共振器を構成し
ており、細い接地電極の場合に比較して、デバイスチッ
プ上に設定された種々の寸法に起因して発生する他の共
振を起こりにくくすることが期待される。
【００３３】幅広の接地電極は、接地電極近傍の誘電体
基板における電界の変動レベルを、信号電極近傍におけ
る変動レベルよりも小さくするから、他の光導波路を並
列に配置する場合、他の光導波路側に接地電極を配置す
れば、他の光導波路に作用する振動のレベルを抑制でき
る。
【００３４】請求項２の光導波路デバイスでは、配線部
分が、別の接地電極を設けた誘電体基板上に形成され
る。別の接地電極は、接地電極と信号電極の間に形成さ
れる静電容量を増すが、基板の厚さが非対称ストリップ
線路の対向間隔に比較してはるかに大きいため、実際に
追加される静電容量はわずかで、高周波数領域における
信号電極の入力インピーダンスの低下は小さい。
【００３５】幅広の別の接地電極は、連続的に変化する
誘電体基板の厚みを介して細い信号電極に対向し、誘電
体基板層と協働してきわめてＱ値の低い弾性波共振器を
構成しており、細い接地電極の場合に比較して、デバイ
スチップ上に設定された種々の寸法に起因して発生する
他の共振を起こりにくくすることが期待される。
【００３６】また、表面側の接地電極と裏面側の接地電
極とで挟まれた誘電体基板の部分では、信号電極に印加
される変調信号とほとんど無関係に一定の電界状態が維
持されるから、変調信号の影響による振動発生が少な
く、しかも、誘電体基板と裏面の接地電極の音速の異な
る広い界面が、この部分を通過する振動を減衰する。
【００３７】請求項３〜５の光導波路デバイスでは、入
口と出口を共有して中間で分岐した一対の光導波路が信
号電極と協働してマッハツェンダ光変調器を構成する。
【００３８】請求項４の光導波路デバイスでは、幅広の
接地電極が一対の光導波路の片方に対応する電極を兼ね
る。
【００３９】請求項５の光導波路デバイスでは、一対の
光導波路のそれぞれに独立した信号電極が配置され、幅
広の接地電極は、両方の光導波路の間隔に、両方の光導
波路に共通に設けられる。
【００４０】請求項６〜９の光導波路デバイスは、筐体
と中継部材を用いた実装構造に関しており、筐体─中継
部材─信号電極─接地電極と続く信号伝達経路の途中に
インピーダンスの段差を形成しないために、筐体─中継
部材間、および中継部材─基板間でインピーダンス整合
が調整され、好ましくは、ワイヤボンディングを含む空
中配線が必要最小限の長さに留められる。
【００４１】中継部材の中継配線は、基板側の信号電極
と接地電極の配線部分を、筐体側の複数の接続端子（外
部接続用のコネクタや筐体）に対してそれぞれ接続す
る。中継部材は、(a) 筐体側からの振動や応力を遮断し
てデバイスチップに作用する外乱を抑制し，また、(b)
基板と筐体の間隔を埋めて必要な空中配線の長さを短く
済ませる。
【００４２】請求項６の光導波路デバイスでは、中継基
板が基板とほぼ等しい誘電率の誘電体材料（例えば基板
と同一の材料）で形成されるから、基板の縁部分におけ
る複数の配線部分と、それぞれの配線部分に対応する中
継基板上の中継配線との間で幾何学的な配置関係と寸法
を揃えるだけで、配線部分と中継配線の間に形成される
インピーダンスの段差が解消される。中継配線が中継部
材の表面側にのみ配置される場合でも、好ましくは、中
継基板と基板の厚さを揃える。
【００４３】これにより、基板と中継基板を接近させて
配置しても、配線部分から中継配線へ、または中継配線
から配線部分への高周波信号の伝達が効率的になる。基
板に対する中継基板の接近は、基板側の配線部分と中継
基板側の中継配線とのほぼ一致させた配置関係と寸法と
の相乗効果で、筐体側の接続端子から基板側の配線部分
までの間に配置される空中配線（例えばワイヤボンディ
ング）の必要な長さを短くする。
【００４４】請求項７の光導波路デバイスでは、中継基
板が基板に比較してかなり短く形成される。数１０mmを
越える光導波路を有する光導波路デバイスでは、基板が
５０〜６０mmにも達するから、同程度に長い１個の中継
基板では、基板との対向間隔を全長にわたって一定にす
ることが困難になる。対向間隔を揃えることは、実装さ
れた光導波路デバイスの信号経路におけるインピーダン
スの段差を減少して高周波信号の伝達を効率的にするた
めに必要である。
【００４５】短い中継基板は、中継基板と基板の対向間
隔を揃え易くし、また、筐体側との電気的および機械的
な接続によって中継基板に発生する応力を軽減する。
【００４６】短い中継基板には、信号電極と接地電極を
組み合わせた基板側の配線部分のグループ（例えば非対
称ストリップ線路）の位置に配置され、好ましくは、基
板の支持機構とは独立させた別の支持機構によって、筐
体に対して位置決め固定される。
【００４７】請求項８の光導波路デバイスでは、表面側
の信号電極と組み合わせる形式で誘電体基板の裏面にも
接地電極が配置（例えば請求項２）され、この裏面の接
地電極は、中継基板の裏面の中継配線で中継されて、筐
体側に連絡される。中継基板の裏面の中継配線は、誘電
体基板の縁部分における裏面の接地電極に対して、その
配置と寸法をほぼ一致させて形成され、幅一杯に多数の
ワイヤボンディングを配置する等して基板側に接続さ
れ、反対側の縁部分では、同様に幅一杯を用いた形式で
筐体側に接続される。
【００４８】請求項９の光導波路デバイスでは、誘電体
基板に並列な２本の光導波路が配置され、２本の光導波
路のそれぞれに対応させて信号電極が２個配置（例えば
請求項５）され、それぞれの信号電極は背中合わせの反
対方向に配線部分を引き出して配置される。中継部材
は、誘電体基板側の配線部分の配置に合わせて、基板側
の２つの縁部分のそれぞれに沿って配置される。中継部
材における中継配線の配置に適合させて筐体側にも２系
統に端子が配置される。
【００４９】請求項１０の光導波路デバイスでは、誘電
体基板を横断する方向で該基板の表面層に形成されて印
加された電界の強度に応じて光路の屈折率を変化させる
一対の光導波路と、該一対の光導波路の一方に対応させ
て前記基板上に配置した信号電極と、該一対の光導波路
の他方に対応させて前記基板上に配置した接地電極とを
有し、前記信号電極が、前記一方の光導波路に沿った部
分の両端から前記光導波路と交差する方向に引き出され
て前記基板の一方の縁部分まで延長された配線部分を有
し、前記接地電極が、前記信号電極の前記縁部分の側に
配置されるとともに、前記他方の光導波路に沿った部分
の両端から前記配線部分にほぼ一定の間隔で対向して前
記縁部分まで延長された光導波路デバイスにおいて、前
記接地電極と協働して前記配線部分を挟み込み、前記信
号電極の前記一方の光導波路に沿った部分にも部分的に
対向して前記両端を基点にして次第に対向間隔を拡大す
る別の接地電極を前記基板の表面に形成したものであ
る。
【００５０】請求項１０の光導波路デバイスでは、配線
部分を両側から幅広の接地電極で挟み込むコプレーナス
トリップ線路とし、信号電極の曲がり部分を越えた位置
から先の電極部分の中央部分を、信号電極の片側に幅広
の接地電極を対向させる非対称ストリップ線路とし、コ
プレーナストリップ線路と非対称ストリップ線路の境界
の部分を、「一方の接地電極が信号電極から次第に遠ざ
かる形式の線路」としている。
【００５１】この「一方の接地電極が信号電極から次第
に遠ざかる形式の線路」は、配線部分と電極部分の境界
部分におけるインピーダンスの変化をゆるやかにして段
差を解消する。そして、信号電極の大きな部分を占める
電極部分で信号電極と接地電極の対向長さを節約し、信
号電極の全体をコプレーナストリップ線路とする場合よ
りも、電極と接地電極の間の静電容量を小さく済ませ
る。
【００５２】
【実施例】図２は第１実施例のマッハツェンダ型光変調
器の説明図、図３は図２の光変調器におけるマイクロ波
の透過特性の線図、図４は図２の光変調器における光応
答特性の線図、図５は図２の光変調器における電気的干
渉の測定結果を示す線図である。図２中、(a) は実施
例、(b) は(a) とは電極配置を異ならせた比較例であ
る。また、図３〜図４中、実線は図２(a) の光変調器、
破線は図２(b) の光変調器における測定結果である。
【００５３】図２のマッハツェンダ型光変調器は、二電
極型のもので、上下対称に形成された一対の光導波路を
それぞれの信号電極３ｓで独立に制御して、第３実施例
として後述する単一電極型のものよりも複雑な光変調を
可能にしている。
【００５４】図２(a) において、光変調器は次のように
して製作された。まず、幅２mm、厚さ１mmのLiNbO3結晶
のＺカット基板上にTiを０．０９５μm の厚さに成膜
し、所望の光導波路の形状にパターンニングし、１００
０°Ｃで８時間加熱してLiNbO3結晶中にTi原子を熱拡散
させ、Ｙ型分岐路Ｙｉ、Ｙｏを有する高屈折率の光導波
路２ｉ〜２ｏを形成した。次に、基板の表面に１．２μ
m のバッファ層を薄膜形成し、さらにバッファ層上に２
０μm の金属層を薄膜形成して、金属層から各電極を成
形した。ここで、アース（接地）電極３ｅの幅は１mm、
電極長は５０mm、信号電極３ｓの幅はそれぞれ５μm 、
信号電極３ｓと接地電極３ｅの間隔は１５μm に定めら
れた。電極厚さ２０μm とバッファ層厚さ１．２μm の
組み合わせは、光とマイクロ波との速度が整合する条件
である。
【００５５】このように構成されたマッハツェンダ型光
変調器では、波長１．５５μm の半導体レーザ光に対し
て、一方の信号電極３ｓを接地して単一電極型に動作さ
せた場合の動作電圧は３．２Ｖ、相補信号で動作させた
場合の動作電圧は１．６Ｖであった。また、特性インピ
ーダンスは周波数＊＊Hzを中心とする帯域で５０Ωを確
保でき、１１ＧHz以下におけるマイクロ波の反射は−１
８dB以下であった。すなわち、２つの信号電極３ｓをい
ずれも非対称ストリップラインとし、非対称ストリップ
ラインの形式を、曲がり部７の外側に幅広の接地電極を
平行に組み合わせる形式に選択したから、電極間の静電
容量を小さくして特性インピーダンスの低減を防止でき
た。
【００５６】図３はマイクロ波の透過特性を示す図であ
り、実線は第１実施例における測定結果である。破線
は、図２(a) と基板の大きさや光導波路の条件を揃え
て、図２(b) のように電極を配置し直した比較例におけ
る測定結果である。
【００５７】従来、幅が１mm以上、厚さが０．５mm以上
の基板を用いると、高周波数領域で動作が不安定にな
り、電極の通過特性に破線のような共振によるスパイク
状の落ち込みが発生することが報告されており、実際に
図２(b) の電極配置でも通過特性の落ち込みが確認され
た。しかし、図２(a) の電極配置の採用によって、幅２
mm、厚さ１mmといった大型の基板を用いても高周波数領
域におけるスパイク状の落ち込みは回避されることとな
り、高周波数領域における光変調器の動作が安定化され
た。このことは、基板の断面方向におけるマイクロ波の
共振が解消されたためであると推察される。
【００５８】図４は光応答特性を比較する図であり、実
線は第１実施例における測定結果である。図３の結果に
も対応して、従来または図２(b) の比較例の電極配置の
ものでは、破線のように１０ＧHz以上で光応答特性が急
激に悪化していたが、第１実施例では、実線で示される
ように、２０ＧHzまでフラットな特性が得られており、
３dB帯域は１６ＧHzにまで達していた。この結果から、
第１実施例のマッハツェンダ型光変調器では、光とマイ
クロ波の速度整合がほぼ取れているものと推察される。
【００５９】図５は信号電極間の電気的干渉を測定した
結果である。結果は−１８dB以下と良好であり、中央に
アース電極３ｅを設けたことによる効果が確認できた。
図２(b) のアース電極３ｍに比較して、第１実施例のア
ース電極は、電極間の電気干渉を抑制する点でも優れて
いることが確認され、図２(b) のアース電極３ｍを除去
したことによる悪影響は認められなかった。
【００６０】図６は第２実施例のマッハツェンダ型光変
調器の説明図である。図中、(a) は裏面、(b) は(a) 図
中のＸ─Ｘ断面である。ここでは、第１実施例の二電極
型のマッハツェンダ型光変調器の裏面側に別の接地電極
が追加された。
【００６１】図６において、図２のマッハツェンダ型光
変調器の裏面には、表面側の信号電極３ｓおよびアース
電極３ｅに共通に対向して幅全体を覆うアース電極３ｇ
が設けられた。
【００６２】このように構成されたマッハツェンダ型光
変調器では、図２のマッハツェンダ型光変調器よりも、
さらに図３〜図５の各特性が改善された。
【００６３】図７は、第３実施例のマッハツェンダ型光
変調器の説明図である。図中、(a)は第３実施例、(b)
、(c) は、(a) に対して電極配置のみを異ならせた比
較例を示す。ここでは、単一電極型のマッハツェンダ型
光変調器が示される。
【００６４】図７において、第１実施例と同様なLiNbO3
結晶のＺカット基板上には、第１実施例と同様の製造方
法で、光導波路２ｉ〜２ｏ、信号電極３ｓ、アース電極
３ｅが形成される。ただし、Ｙ分岐Ｙｉ、Ｙｏの間の光
導波路２ａ、２ｂの間隔は１５μm と非常に狭く定めて
ある。これは、この間隔がほぼそのまま信号電極３ｓと
アース電極３ｅの間隔となり、この間隔を拡大すると、
一定の印加電圧に対して光導波路２ａ、２ｂに作用する
電界が弱まるからである。
【００６５】光導波路２ｂの直上に設けた信号電極３ｓ
の電極部分の両端から、配線部分が手前側の辺に向かっ
て引き出される。一方、光導波路２ａの直上から反対側
の辺に向かって拡張されたアース電極３ｅの電極部分の
両端から、信号電極３ｓの曲がり部分７を外側から囲む
形式で、配線部分が手前側の辺に向かって引き出され
る。
【００６６】このように構成されたマッハツェンダ型光
変調器では、アース電極３ｅの外側に信号電極３ｓを配
置した(b) の比較例のマッハツェンダ型光変調器に比較
して高周波数領域で特性の安定化が著しい。この理由の
１つは、(b) の電極配置では信号電極３ｓの電極部分と
配線部分の境界部分７ａにインピーダンスのくびれが形
成されるためと考えられる。
【００６７】また、信号電極３ｓを両側からアース電極
３ｅで挟み混む(c) の別の比較例のマッハツェンダ型光
変調器に比較して、信号電極３ｓとアース電極３ｅの間
隔を同じに設定した場合のマッハツェンダ型光変調器の
入力インピーダンスが大きくなる。これは、信号電極３
ｓとアース電極３ｅの対向長さが少ない分、両者間の静
電容量が小さくなるためである。
【００６８】図８は第４実施例のマッハツェンダ型光変
調器の説明図である。ここでは、単一電極型のマッハツ
ェンダ型光変調器が示される。
【００６９】図７において、第１実施例と同様なLiNbO3
結晶のＺカット基板上には、第１実施例と同様の製造方
法で、光導波路２ｉ〜２ｏ、信号電極３ｓ、アース電極
３ｅが形成される。また、光導波路２ａ、２ｂに関する
寸法は第３実施例と同様に定めてある。
【００７０】光導波路２ｂの直上に設けたアース電極３
ｅは、手前側の辺まで拡張されて配線部分を形成する。
筐体に実装された際に、この辺の全長には、多数のワイ
ヤボンディングが配列され、アース電極３ｓは筐体側と
面状に連絡される。一方、信号電極３ｓの曲がり部分７
の外側には、信号電極３ｓの配線部分に沿って上述の辺
にまで延長されるとともに、信号電極３ｓの電極部分の
両端から中央に向かって電極部分から次第に遠ざかる別
の接地電極３ｅが配置される。
【００７１】このように構成されたマッハツェンダ型光
変調器では、図７(b) の比較例のマッハツェンダ型光変
調器に比較して高周波数領域で特性の安定化が著しく、
さらに、図７(c) の別の比較例のマッハツェンダ型光変
調器に比較して、マッハツェンダ型光変調器の入力イン
ピーダンスが大きくなる。
【００７２】図９は、LiNbO3等の異方性結晶から製作さ
れる光導波路デバイスの２つの形式の説明図である。図
中、(a) はＺカット基板によるもの、(b) はＸカット基
板によるものである。ここでは、第１〜第４実施例が、
Ｚカット以外の他の結晶面上にも形成できることを説明
する。
【００７３】光導波路デバイスは、LiNbO3やLiTaO3等の
電気光学結晶の表面にTi等の金属薄膜による所望のパタ
ーンを形成した後、金属薄膜の原子を結晶中に熱拡散さ
せたり、安息香酸等の酸性溶液中に浸漬してプロトン交
換することによって光導波路を形成し、基板の方向に適
合させて光導波路に電極を組み合わせて形成される。
【００７４】図９において、LiNbO3等の異方性結晶で
は、結晶のＺ方向に強い電気光学特性が得られるため、
電極配置は、光導波路にＺ方向の電界が作用されるよう
に決定される。
【００７５】図９(a) では、表面側をＸ−Ｙ平面とした
Ｚカット基板１ｚを用いるので、光導波路２ａ、２ｂの
直上に信号電極３ｓおよびアース電極３ｅを配置し、光
導波路２ａ、２ｂに対してＺ方向、すなわち垂直に電界
５を作用させる。
【００７６】図９(b) では、表面側をＺ−Ｙ平面とした
Ｘカット基板１ｘを用いるので、光導波路２ａ、２ｂを
挟み込む形式で信号電極３ｓおよびアース電極３ｅを配
置し、光導波路２ａ、２ｂに対してＺ方向、すなわち水
平に電界５を作用させる。
【００７７】第１実施例〜第４実施例では、Ｚカット基
板を用いたマッハツェンダ型光変調器が示されるが、電
極と光導波路の配置関係を図９(b) のように変更するこ
とによって、Ｘカット基板やＹカット基板でも同様にマ
ッハツェンダ型光変調器を構成できる。
【００７８】図１０は、図７(c) の別の比較例における
特性インピーダンスの実測値と信号電極とアース電極の
対向間隔の関係を示す線図である。
【００７９】図１０において、信号電極３ｓは、その両
側をアース電極３ｅで挟み込んだコプレーナストリップ
線路に形成されている。信号電極３ｓとアース電極３ｅ
とはギャップＧの空気層および誘電体基板内に形成され
る電界に沿った長さの誘電体層を介して対向して静電容
量を構成する。信号電極３ｓとアース電極３ｅの高さｈ
を共に１０μm とするとき、マッハツェンダ型光変調器
の特性インピーダンスを規格の５０Ωとするには、電極
間隔を４０μm にも定める必要があった。しかし、図７
(a) の第３実施例によれば、電極間隔を２０μm 以下に
定めても５０Ωの特性インピーダンスを確保できる。こ
のことは、５０Ωの特性インピーダンスを確保してより
強い電界を光導波路に作用できる、換言すれば、より低
い動作電圧または光路長さで十分な光変調を獲得できる
ことを意味する。
【００８０】図１１は、第５実施例の実装されたマッハ
ツェンダ型光変調器の説明図である。図中、(a) は正面
図、(b) は(a) 図中のＸ−Ｘ断面図である。ここでは、
第３実施例型デバイスチップを筐体に中継基板を用いて
実装した構造が示され、中継基板にデバイスチップの基
板と同一材料が選択され、デバイスチップの基板と中継
基板の両方の裏面に接地電極が配置される。
【００８１】図１１において、LiNbO3単結晶基板１１０
の表面層には、基板１１０を長手方向に横断して光導波
路１２０が形成される。光導波路１２０は、入口と出口
を共有する２本の光導波路１２１、１２２を有し、光導
波路１２０の入口と出口に対応させて、基板１１０の左
右の２辺に光コネクタ１１１が設けられる。
【００８２】光導波路１２１の上には、図示しない低屈
折率層を介して信号電極１３０が形成され、信号電極１
３０は、光導波路１２１に沿った電極部分１３１の両端
から直角に曲げて下辺にまで延長した配線部分１３２を
有する。信号電極１３０の配線部分１３２の一方には図
示しない信号源、他方には図示しない抵抗を介して筐体
（接地レベル）がそれぞれ接続され、信号電極１３０
は、高周波信号の反射端を形成しない進行波電極として
使用される。
【００８３】光導波路１２２の上には、図示しない低屈
折率層を介して接地電極１４０が配置され、接地電極１
４０は、光導波路１２２に沿った電極部分１４１の両端
から配線部分１３２と同じ方向に引き出した配線部分１
４２を有する。
【００８４】信号電極１３０の細い配線部分１３２と接
地電極１４０の幅広の接地部分１４２は、基板１１０上
で、実際には５０μm 以下の狭い間隔で対向して非対称
ストリップ線路を構成する。
【００８５】細い中継配線１５２と幅広の中継配線１５
３は、基板１１０と結晶方位を揃えたLiNbO3単結晶の中
継基板１５１上に、基板１１０の下辺における配線部分
１３２と配線部分１４２に対して、その幾何学的な配置
と寸法を揃えて形成される。中継配線１５２と中継配線
１５３は、中継部材１５０上で非対称ストリップ線路を
構成する。中継部材１５０の裏面側には、基板１１０の
裏面の接地電極１１７に揃えて、接地電極１５７が形成
される。
【００８６】光導波路デバイスを外部環境から保護して
外部の装置との接続を容易にする筐体１６０には、光コ
ネクタ１６４、高周波コネクタ１６１、基板１１０と中
継基板１５１を共通に支持する支持板１６８がそれぞれ
固定される。光コネクタ１６４は、基板１１０側の光コ
ネクタ１１１に対して光ファイバー１６５によって接続
される。柔軟な配線１６２は、中継基板１５１上の中継
配線１５３を筐体１６０に接続する。
【００８７】このように構成されたマッハツェンダ型光
変調器では、中継部材１５０が、基板１１０と筐体１６
０の間隔を埋めて空中配線の長さを最小にする。中継部
材１５０は、中央で２つに分割され、左右両方の配線部
分２４８における基板１１０と中継部材１５０の間隔調
整を容易にしている。基板１１０と中継部材１５０の対
応する部分同志は、ワイヤボンディング１３８、１４８
で接続される。裏面側の接地電極は支持部材１６８を通
じて短絡する。中継部材１５０の中継配線１５２は、筐
体１６０のコネクタ１６１の芯線１６３に接続される。
【００８８】そして、信号電極１３０を進行波電極と
し、光導波路１２０にレーザー光を入射させ、信号電極
１３０に変調信号を印加すると、光導波路１２１、１２
２を伝播する光の位相差が制御され、出力される光がＯ
Ｎ−ＯＦＦ変調される。
【００８９】図１２は、第６実施例の実装されたマッハ
ツェンダ型光変調器の説明図である。ここでは、第１実
施例型デバイスチップを筐体に中継基板を用いて実装し
た構造が示される。
【００９０】図１２において、LiNbO3単結晶基板２１０
の表面層には、光導波路２２０が形成される。光導波路
２２０は、２本の光導波路２２１、２２２を有し、基板
２１０の左右の２辺に光コネクタ２１１が設けられる。
【００９１】光導波路２２１の上には信号電極２３０の
電極部分２３１、光導波路２２２の上には信号電極２７
０の電極部分２７１がそれぞれ配置され、信号電極２３
０の配線部分２３２は基板２１０の下辺に、信号電極２
７０の配線部分２７２は基板２１０の上辺に引き出され
る。
【００９２】光導波路２２１と光導波路２２２の間の基
板２１０表面にはＨ型の接地電極２４０が配置され、接
地電極２４０は、配線部分２３１に沿った配線部分２４
２および配線部分２７２に沿った配線部分２４４を有
し、信号電極２３０、２７０の細い配線部分１３２に対
して、接地電極１４０の配線部分２４２、２４４は１０
０倍以上の幅に設定される。
【００９３】中継基板２５１は、基板２１０と結晶方位
を揃えたLiNbO3単結晶材料で形成され、中継配線２５２
と中継配線１５３は、基板２１０の下辺における配線部
分２３２と配線部分２４２の幾何学的な配置と寸法を揃
えて形成される。また、中継基板２８１は、基板２１０
と結晶方位を揃えたLiNbO3単結晶材料で形成され、中継
配線２８２と中継配線２８３は、基板２１０の上辺にお
ける配線部分２７２と配線部分２４４に対して、その幾
何学的な配置と寸法を揃えて形成される。
【００９４】筐体２６０には、光コネクタ２６４、高周
波コネクタ２６１、２６６、基板２１０と中継基板２５
１、２８１を共通に支持する支持板２６８、がそれぞれ
固定される。光コネクタ２６４は、基板２１０側の光コ
ネクタ２１１に対して光ファイバー２６５によって接続
される。柔軟な配線２６２、２６７は、中継基板２５
１、２８１上の中継配線２５３、２８３を筐体２６０に
接続する。
【００９５】このように構成されたマッハツェンダ型光
変調器では、中継部材２５０、２８０は、配線部分２３
２、２４２、２７２、２４４の配置部分のみを占める狭
い形状に形成される。基板２１０と中継部材２５０の対
応する部分同志は、ワイヤボンディング２３８、２４
８、２７２、２４７で接続される。中継部材２５０、２
８０の中継配線２５２、２８２は、筐体１６０のコネク
タ２６１、２６６の芯線２６３、２６８に接続される。
【００９６】そして、信号電極２３０、２７０を進行波
電極とし、光導波路１２０にレーザー光を入射させ、信
号電極２３０、２７０に変調信号を印加すると、光導波
路２２１、２２２を伝播する光の位相差が制御され、出
力される光がＯＮ−ＯＦＦ変調される。
【００９７】
【発明の効果】請求項１の光導波路デバイスによれば、
非対称ストリップ線路における接地電極の配置方向を特
定の方向に定め、接地電極の幅を信号電極よりも大きく
定めたため、(a) デバイスチップに定めた寸法の共振現
象が抑制され、(b) 信号経路を通じたインピーダンスの
段差が解消され、コプレーナストリップ線路を採用する
場合よりも信号電極のインピーダンスが大きい。従っ
て、光導波路デバイスの高周波数領域における特性が安
定化される。また、光導波路デバイスの入力インピーダ
ンスを確保しつつ、信号電極と接地電極の間隔を狭くで
きるから、光導波路デバイスの低電圧動作や小型化が容
易になる。
【００９８】請求項２の光導波路デバイスによれば、光
導波路デバイスの高周波数領域における特性がさらに安
定化される。
【００９９】請求項３〜５の光導波路デバイスによれ
ば、マッハツェンダ光変調器の入力インピーダンスを確
保しつつ、その高周波数領域における特性を安定化でき
る。
【０１００】請求項６〜９の光導波路デバイスによれ
ば、筐体─中継部材─信号電極─接地電極と続く信号伝
達経路におけるインピーダンスの段差が解消され、光導
波路デバイスの損失が減少し、高周波数領域における動
作も安定化される。また、途中のワイヤボンディングを
含む空中配線が必要最小限の長さで済み、ワイヤボンデ
ィングの自動化等、組立の自動化も容易になる。
【０１０１】請求項１０の光導波路デバイスによれば、
光導波路デバイスの入力インピーダンスを大きく定める
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１および請求項６の光導波路デバイスの
説明図である。
【図２】第１実施例のマッハツェンダ型光変調器の説明
図である。
【図３】図２の光変調器におけるマイクロ波の透過特性
の線図である。
【図４】図２の光変調器における光応答特性の線図であ
る。
【図５】図２の光変調器における電気的干渉の測定結果
を示す線図である。
【図６】第２実施例のマッハツェンダ型光変調器の説明
図である。
【図７】第３実施例のマッハツェンダ型光変調器の説明
図である。
【図８】第４実施例のマッハツェンダ型光変調器の説明
図である。
【図９】LiNbO3等の異方性結晶から製作される光導波路
デバイスの２つの形式の説明図である。
【図１０】図７(c) の別の比較例における特性インピー
ダンスの実測値と信号電極とアース電極の対向間隔の関
係を示す線図である。
【図１１】第５実施例の実装されたマッハツェンダ型光
変調器の説明図である。
【図１２】第６実施例の実装されたマッハツェンダ型光
変調器の説明図である。
【符号の説明】
１０ 基板 ２０ 光導波路 ３０ 信号電極 ４０ 接地電極 ５０ 中継部材 ６０ 筐体

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体基板を横断する方向で該基板の表
    面層に形成され、印加された電界の強度に応じて光路の
    屈折率を変化させる光導波路（２０）と、該光導波路
    （２０）に対応させて前記基板（１０）上に形成した信
    号電極（３０）と、該信号電極（３０）に対向させて前
    記基板（１０）上に形成した接地電極（４０）とを有
    し、該信号電極（３０）が、前記光導波路（２０）に沿
    った電極部分（３１）の両端から前記光導波路（２０）
    に交差する方向に引き出されて前記基板（１０）の片方
    の縁部分にまで延長された一対の配線部分（３２）を有
    する光導波路デバイスにおいて、前記配線部分（３２）
    よりも幅広な前記接地電極（４０）の配線部分（４２）
    を、前記接地電極（４０）の電極部分（４０）に連続さ
    せる形式で前記配線部分（３２）に対して一定の間隔で
    対向させて、前記信号電極（３０）の曲がり部分の外側
    を含む一方の側にのみ配置したことを特徴とする光導波
    路デバイス。
  2. 【請求項２】 請求項１の光導波路デバイスにおいて、
    少なくとも前記接地電極の外縁と前記信号電極の内縁と
    が前記基板上に切り取る面積を覆う別の接地電極を、前
    記基板の裏面に形成したことを特徴とする光導波路デバ
    イス。
  3. 【請求項３】 請求項１〜２いずれかの光導波路デバイ
    スにおいて、前記光導波路は、入口と出口を共有して中
    間で分岐した一対の光導波路で構成され、前記信号電極
    と協働してマッハツェンダ光変調器を構成していること
    を特徴とする光導波路デバイス。
  4. 【請求項４】 請求項３の光導波路デバイスにおいて、
    前記一対の光導波路の一方に対応して前記信号電極が配
    置され、該信号電極に対向させた前記接地電極が他方の
    前記光路に対応する電極を兼ねて、単一電極型マッハツ
    ェンダ光変調器を構成することを特徴とする光導波路デ
    バイス。
  5. 【請求項５】 請求項３の光導波路デバイスにおいて、
    前記一対の光導波路のそれぞれに対応して、独立の前記
    信号電極が対称に一対配置されて二電極型マッハツェン
    ダ光変調器を構成するとき、一対の前記信号電極にそれ
    ぞれ対向する一対の前記接地電極が中央で一体化された
    Ｈ型の平面形状に形成されていることを特徴とする光導
    波路デバイス。
  6. 【請求項６】 誘電体基板を横断する方向で該基板の表
    面層に形成され、印加された電界の強度に応じて光路の
    屈折率を変化させる光導波路（２０）と、該光導波路
    （２０）に対応させて前記基板（１０）上に形成した信
    号電極（３０）と、該信号電極（３０）に対向させて前
    記基板（１０）上に形成した接地電極（４０）とを有
    し、前記基板（１０）の片方の縁部分にまで延長された
    前記信号電極（３０）および接地電極（４０）のそれぞ
    れの配線部分（３２、４２）を、中継部材（５０）で中
    継して、筐体（６０）側の複数の端子（６１、６２）に
    それぞれ接続する形式で実装された光導波路デバイスに
    おいて、前記中継部材（５０）は、前記基板（１０）と
    ほぼ等しい誘電率の誘電体材料から形成された中継基板
    （５１）に、前記基板（１０）の縁部分におけるそれぞ
    れの前記配線部分（３２、４２）の幾何学的な配置と寸
    法をほぼ等しく再現した形式で、それぞれの中継配線
    （５２、５３）を形成して構成されることを特徴とする
    光導波路デバイス。
  7. 【請求項７】 請求項６の光導波路デバイスにおいて、
    前記中継基板が複数個に分割され、該複数個が前記基板
    の縁部分に沿って配置されることを特徴とする光導波路
    デバイス。
  8. 【請求項８】 請求項６の光導波路デバイスにおいて、
    前記基板を介して前記信号電極と前記接地電極の両方に
    対向する別の接地電極が前記基板の裏面に形成されると
    き、前記中継基板を介して一対の前記中継配線の両方に
    対向する幅広の別の中継配線を用いて、前記別の接地電
    極を前記筐体側の別の端子に中継することを特徴とする
    光導波路デバイス。
  9. 【請求項９】 請求項６の光導波路デバイスにおいて、
    前記基板に前記光導波路が並列に一対配置され、該一対
    の光導波路のそれぞれに対応して、独立の前記信号電極
    が対称に一対配置され、該一対の信号電極の配線部分が
    前記基板の対向する２つの縁部分に引き出されるとき、
    前記中継部材が、前記２つの縁部分のそれぞれに沿って
    配置され、前記筐体側にも前記２つの縁部分のそれぞれ
    に対応させて前記端子が配置されることを特徴とする光
    導波路デバイス。
  10. 【請求項１０】 誘電体基板を横断する方向で該基板の
    表面層に形成されて印加された電界の強度に応じて光路
    の屈折率を変化させる一対の光導波路と、該一対の光導
    波路の一方に対応させて前記基板上に配置した信号電極
    と、該一対の光導波路の他方に対応させて前記基板上に
    配置した接地電極とを有し、前記信号電極が、前記一方
    の光導波路に沿った部分の両端から前記光導波路と交差
    する方向に引き出されて前記基板の一方の縁部分まで延
    長された配線部分を有し、前記接地電極が、前記信号電
    極の前記縁部分の側に配置されるとともに、前記他方の
    光導波路に沿った部分の両端から前記配線部分にほぼ一
    定の間隔で対向して前記縁部分まで延長された光導波路
    デバイスにおいて、前記接地電極と協働して前記配線部
    分を挟み込み、前記信号電極の前記一方の光導波路に沿
    った部分にも部分的に対向して前記両端を基点にして次
    第に対向間隔を拡大する別の接地電極を前記基板の表面
    に形成したことを特徴とする光導波路デバイス。
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