CH647114A5 - Zweirichtungsverstaerker und telephonteilnehmerstation mit einem solchen verstaerker. - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Transistorverstärker gemäss dem Oberbegriff von Anspruch 1.

Solche Verstärker werden in Telephonteilnehmeran-schlussstationen benötigt, in welchen die Schallwandler über Verstärker mit der Telephonleitung gekoppelt sind. Diese Verstärker und überhaupt die ganze Teilnehmerstation werden vorteilhafterweise aus der Leitung gespeist. In diesem Fall ist es sehr erwünscht, dass die Schaltung polaritätsunempfindlich ist, da man ohne Prüfung nie sicher ist, welcher der beiden Drähte positiver ist. Ebenfalls ist es erwünscht, dass eine derartige Schaltung so ausgelegt ist, dass sie für ein breites Spektrum von Leitungszuständen verwendet werden kann.

Aufgabe der Erfindung ist deshalb ein Verstärker, welcher die obigen Bedingungen erfüllt.

Gelöst wird diese Aufgabe durch im Kennzeichen des Anspruchs genannten Merkmale.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun anhand der Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt:

Fig. 1 das Schaltbild eines erfindungsgemässen Verstärkers;

Fig. 2 einen Teil der Schaltung nach Fig. 1 ;

Fig. 3 einen stark vergrösserten Schnitt durch einen Teil einer integrierten Schaltung für den Verstärker nach Fig. 1 ;

Fig. 4 ein Blockschaltbild einer Schaltung einer Telephonteilnehmerstation, in welcher der erfindungsgemässe Verstärker verwendet wird ; und

Fig. 5 ein Schaltbild, das angibt, welche der Elemente der Schaltung nach Fig. 4 ausserhalb der integrierten Schaltung angeordnet sind.

In der Schaltung nach Fig. 1, welche für die Verwendung in einer Telephonteilnehmerstation ausgelegt ist, sind vier Transistoren Tl, T2, T3 und T4 vorhanden, wobei T1 und T2 grössere Abmessungen als T3 und T4 aufweisen. Im Falle einer Integration bedeutet dies, dass diese Transistoren Tl und T2 grössere Flächen aufweisen als T3 und T4. Die mit LI und L2 angegebenen Leitungsanschlüsse sind mit den Kollektoren von zwei dieser Transistoren verbunden. Der Sender, d.h. im vorliegenden Fall das Mikrophon, ist über andere Schaltungselemente (siehe Fig. 4) mit den Klemmen A und B und damit mit den Basen der Transistoren Tl und T2 verbunden. Der Empfänger, d.h. der Ohrhörer oder der Lautsprecher im Fall eines lautsprechenden Telephons, ist so verbunden, dass er von den über Rl anstehenden Spannungen betrieben wird, siehe auch Fig. 4.

Wie bereits erwähnt, kann die Leitungsklemme LI positiv oder negativ sein, in welchem Fall die Klemme L2 negativ bzw. positiv ist. Wenn also LI positiv ist, fliesst der Strom von der Leitung über LI, den Kollektor-Emitter-Pfad von Tl, den Widerstand Rl, den Basis-Kollektor-Pfad von T3 und von da zurück zur Klemme L2. Wenn L2 positiv ist, fliesst der Strom über L2 durch den Kollektor-Emitter-Pfad von T2, den Widerstand Rl, den Basis-Kollektor-Pfad von T4 und von da zurück zur Klemme LI. Es ist zu bemerken, dass in beiden Fällen der Strom im Widerstand Rl die gleiche Richtung hat.

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Dieser Widerstand kann also verwendet werden, um über Rückführungsschleifen usw. die Transferverstärkung zwischen D und C an den Enden des Widerstandes Rl und den Leitungsklemmen zu bestimmen. Dies wird deutlich bei Betrachtung der in Fig. 2 gezeigten einen Hälfte der Schaltung von Fig. 1.

In Fig. 2 sind einige die Arbeitsweise der Schaltung betreffende Strom- und Spannungswerte eingetragen. Die Spannungsverstärkung von Rl zur Leitung ist definiert durch dabei ist Vo die Ausgangsspannung und wenn a gegen 1 strebt, ergibt sich wobei Zi die äussere Leitungsimpedanz und Rl ein externer Widerstand ist, welcher zwischen die beiden gemeinsamen Punkte C und D geschaltet ist. Einer der gemeinsamen Punkte ist der Verbindungspunkt der Emitter von Tl und T2 und der andere dieser Punkte ist der Verbindungspunkt der Basen T3 und T4. Die Spannungsverstärkung zwischen der Leitung und Rl ist also lediglich ein Verhältnis von Impedanzen.

Da der Grossteil des Leitungsstromes Ii durch die Ausgangsstufe T3 fliesst, kann der Mittelwert der Spannung über Rl verwendet werden für die Übertragung einer Information bezüglich des Leitungsstromes. Dies ermöglicht, dass Änderungen in der Spannungs-Strom-Kennlinie der Leitung voraussagbar werden, und zwar basierend auf Vergleichen zwischen dem Mittelwert der Spannung über Rl und einer genauen internen Bezugsspannung.

Da fast der ganze Leitungsstrom über den Kollektor-Basisübergang des Transistors T3 fliesst, ist der Transistor stark gesättigt, so dass die Spannung an seinem Emitter sehr nahe jener an seinem Kollektor ist. Dies bedeutet, dass die Impedanz dieses Transistors sehr niedrig ist, so dass der Spannungsabfall wegen des Brückenverstärkers entsprechend klein ist. Diese Bedingung bewirkt auch das negative Potential, das für die Treiberschaltungen nötig ist, wenn der Verstärker Teil einer elektronischen Telephonteilnehmerschaltung bildet. Es wurde früher bei der Auslegung solcher Schaltungen angenommen, dass sowohl die Treiberschaltungen als auch die Ausgangsschaltungen eine Spannung benötigen, welche sehr nahe der Spannung auf den «Schienen» der Schaltung liegt. Bei Betrieb mit sehr geringer Spannung, d.h. wenn die Teilnehmerstation am Ende einer langen Leitung angeschlossen ist, beschränkt jedoch der zur Verfügung stehende Strom die Amplitude der Ausgangsspannung. Es ist nun möglich, eine Schaltung auszulegen, welche mit 1,5 V arbeitet und eine Treiberspannung von 1 V Spitze zu Spitze abgibt, falls hinreichend Strom vorhanden ist, um diese Spannung über einer Impedanz von ungefähr 300 Q zu halten.

Die Konfiguration von T3 wurde so gewählt, weil bei andern Auslegungen die Möglichkeit eines Emitter-Basis-Durchbruches Probleme ergeben hätte. Eine Betrachtung von Fig. 1 zeigt, dass in allen Fällen der Leitungsstrom an den Kollektor eines NPN-Transistors gelangt.

Es ist zu bemerken, dass wenn LI gegenüber L2 positiv ist, das Vorhandensein von T2 und T4 einen sehr geringen Einfluss auf die Arbeitsweise hat. In gleicher Weise hat, wenn L2 gegenüber LI positiv ist und T2 und T4 die wirksamen Transistoren sind, das Vorhandensein von Tl und T3 einen relativ geringen Effekt.

Es soll nun ein praktisches Beispiel beschrieben werden.

In einer Schaltung nach Fig. 2 ist der Hub auf der Leitung bei Vorhandensein eines Signals gegeben durch 2 (VBc + IiR + Vs) gegenüber dem Gleichspannungsieiter L2, wobei VBc die Basis-Kollektor-Spannung von T3 ist und Vs die Spannung über Tl ist, wenn dieser gesättigt ist. Die Multiplikation durch 2 erfolgt, um den Hub von Spitze zu Spitze anzugeben. In einem praktischen Fall hat der Klammerausdruck bei IL = 8 m A, Ri = 10 Q, VBC = 0,7 V und Vs = 0,2 V den Wert von 0,98 V, wobei angenommen ist, dass die Spannung an der Leitung nur 1,8 V sei. Wie bereits erwähnt, kann eine solch niedrige Spannung bei langen Leitungen tatsächlich vorkommen. Mit den angegebenen Parametern ist ein Spitzenhub von 1,6 V möglich. Der ideale strombegrenzte Wert ist dann

Es ist jedoch leicht zu sehen, dass durch die Sättigung von T3 eine Spannung verfügbar ist, welche gleich der Leitungsspannung plus VSAT ist.

Für die Erklärung wird angenommen, dass der Wert des Leitungsstromes Ii ungefähr 5 mA sei, wobei weiter angenommen wird, dass der Rest der Schaltung inkl. dem Verstärker 3 mA aufnehme. Der vom Emitter von T3 abnehmbare Strom kann also diesen Wert erreichen, vorausgesetzt dass die angegebene Strompegel nicht miteinander verknüpft sind. Wenn ein Signal angelegt wird, schwankt jedoch der Wert des Leitungsstromes IL, so dass der zur Verfügung stehende Laststrom ebenfalls ändert. In einem extremen Fall kann der Signalstrom bewirken, dass der Basisstrom auf 0 geht, was den von der Schaltung erhältlichen Laststrom auf 0 reduziert. Um diese Begrenzung zu überwinden und zu ermöglichen, dass ein negativer Strom durch die Gabel fliesst, ist der Kondensator Cl vorgesehen. Dieser Kondensator speichert die Energie für die negative Spitze. Wir haben VC1 = VBE — ILR, wobei VCi die Spannung über dem Kondensator Cl und R der Wert des Widerstandes Rl ist. Der Widerstand R2 im Emitterkreis von T3 (und der entsprechende Widerstand R3 für T4) wird verwendet, um einen Schleifenstrom im untern Zweig der Brücke zu vermeiden.

Wenn eine Schaltung der oben beschriebenen Art in integrierter Form ausgeführt wird, muss die Substratinjektion in T3 oder T4, je nach Richtung des Stromflusses zwischen LI und L2, unterbrochen werden. Da diese Transistoren in einem oder andern dieser Fälle gesättigt sind, injiziert der Kollektor-Basis-Übergang des leitenden Transistors Ladungsträger in das Substrat und diese Strominjektion, welche bis zu 30-50% von Ii sein kann, kann Schwierigkeiten verursachen wegen der dadurch bewirkten Spannungsänderung im Punkt E von Fig. 2. Damit die Schaltung arbeitet, muss diese Substratinjektion reduziert werden auf einen Wert von höchstens 1% des Leitungsstromes. Gleichzeitig darf jedoch die Rückwärtsstromverstärkung von T3 oder T4 nicht nachteilig beein-flusst werden, da sonst die an E zur Verfügung stehende negative Spannung ändern würde in Abhängigkeit von der Stromaufnahme der gespeisten Schaltung.

Die oben beschriebenen Schwierigkeiten wegen der Substratinjektion treten natürlich nicht auf, wenn die obige Schaltung mit diskreten Komponenten ausgeführt wird. Um die Schwierigkeiten bei der Ausführung in einer integrierten Schaltung zu überwinden, wird der Transistor T3 (und ebenso der Transistor T4) durch eine Feldsperre umgeben, "/eiche bei kleinen Strömen wirksam ist, und durch eine Substratwand, welche bei hohen Strömen wirksam ist. Diese Lösung ist schematisch in Fig. 3 gezeigt, welche die Anordnung von T3 zeigt, der durch eine Zone N + für den Emitter, eine Zone P für die Basis und durch eine Zone N für den Kollektor gebildet wird. Die Feldsprre ist die als 1 bezeichnete Zone BN + und die

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Substratwand ist die als 2 bezeichneté Zone Piso, welche die Sperre umgibt und durch den Kontakt 3 mit ihr verbunden ist. Der Vorteil der Feldsperre 1 besteht darin, dass sie eine wirksame Reflexion der Träger von der Wand und den Seiten bewirkt, so dass bei kleinen Strömen (5-20 mA) die Rückwärtsverstärkung des Transistors hoch bleibt. Wenn jedoch der Strom ansteigt, bewirkt der Leckstrom von Trägern unter der Sperre bei A einen beträchtlichen Anstieg im Substratstrom. Um dies zu vermeiden, wird eine Substratwand 2 verwendet, welche vom tatsächlichen Substrat durch die Zone BN + isoliert ist und alle Streu-Minoritätsträger auffängt.

Der oben erwähnte Substratstrom wird erzeugt als Ergebnis des Spannungsabfalles .über R2 (oder R3 von Fall T4) und wird, wie bereits erwähnt, durch den Leckstrom unter der Sperre besonders bei höheren Strompegeln bewirkt. Da die Lebensdauer von derart in das Substrat injizierten Minoritätsträgern in der tieferen Zone der Schicht sehr gering ist, ist die P-Wand wirksam für die Unterdrückung des Substratsstromes. Die Tatsache, dass die P + IS0-Wand nach der Sperre N + angeordnet ist, bewirkt eine gute Rückwärtsverstärkung für den Transistor, weil die Minoritätsträger in der Zone N + gestapelt werden und weil dadurch ein Sammelsystem für die Streuträger vorgesehen wird, welche durch den untern Teil der Sperre N + diffundieren.

Es wurde bereits erwähnt, dass die Transistoren Tl und T2 relativ grosse Transistoren sein müssen, so dass eine vernünftige Spannung VBe mit einem Strom von 150 mA erreicht wird. Bei der Ausführung als integrierte Schaltung wird dies erreicht, indem Tl und T2 wesentlich grössere Flächen des Chips belegen als T3 und T4.

Fig. 4 zeigt, wie eine Schaltung nach Fig. 1 in die Schaltung einer Telephonteilnehmerstation eingefügt ist, wobei der Verstärker von Fig. 1 durch Block 1 dargestellt wird. Die andern Blöcke bedeutet:

2 Hauptverstärker

3 Eingangsdifferentialverstärker

4 Rückführ-Diffentialverstärker

5 Bezugsspannungsquelle

6 Brücke

7 Empfängerbrücke

8 Empfänger-Differentialverstärker

9 Empfänger-Ausgangsverstärker

10 Nebensprechnetzwerk

11 Tonwahl-Eingangs-Differentialverstärker

Wie aus der Beschreibung von Fig. 1 ersehen werden konnte, besteht die Funktion des Brückenverstärkers 1 darin, das Sendesignal an die Leitungsklemmen LI und L2 anzulegen, und zwar unabhängig von der Gleichstrompolarität an diesen Klemmen. Zusätzlich stellt der Brückenverstärker die Spannung an der negativeren der Klemmen LI und L2 mit einem kleinen Spannungsabfall für den Rest der Schaltung zur Verfügung. Der kleine Spannungsabfall ist sehr wichtig bei sehr langen Leitungen, bei welchen der Leitungsstrom und dadurch die Leitungsspannung in jedem Fall sehr klein ist. Dies ist auch wichtig, wenn zwei oder mehr Teilnehmerstationen parallel an die gleiche Leitung angeschlossen werden. Dies ist insbesondere dann so, wenn eine der Teilnehmerstationen eine solche mit Kohlemikrophon ist, da eine solche Teilnehmerstation bei Nichtvorhandensein einer Schaltung gemäss dem Brückenverstärker 1 eine zu ihr parallel geschaltete elektronische Teilnehmerstation praktisch blockiert.

Der durch die Leitungsklemmen LI und L2 fliessende Strom fliesst auch durch einen Widerstand RIO, welcher dem Widerstand Rl von Fig. 1 entspricht. Da die Stromverstärkung des Brückenverstärkers 1 nahe bei 1 ist, z.B. 0,98, kann die an RIO vorhandene Spannung verwendet werden, um den zur Leitung fliessenden Strom zu definieren, indem die Spannung an RIO abgetastet wird und diese Spannung über eine Rückführschleife mit einem Differentialverstärker 4 den Leitungsstrom definiert, wie dies noch erläutert wird. Da, um dies zu erreichen, die Schleifenverstärkung hoch sein muss, wird durch den Hauptverstärker 2 eine weitere Verstärkung bewirkt, welche die Schleifenverstärkung durch den Brückenverstärker 1, den Rückführdifferentialverstärker 4 und den Hauptverstärker 2 auf ungefähr 1000 erhöht.

Die Verwendung eines aktiven Rückführsystems mit dem Differentialverstärker 4 und den Widerständen RI 1 und R12 anstelle eines üblicheren passiven Rückführnetzwerkes, ermöglicht die Steuerung des Betrages der Rückführung durch Änderung des Betrages des Stromes, welcher in diesen Verstärker 4 fliesst. Dies ermöglicht seinerseits die Steuerung der Sendeverstärkung. Die Anordnung kompensiert auch die nichtlineare Kennlinie des Eingangsdifferentialverstärkers 3 und die Temperaturkoeffizienten der verschiedenen Teile der Schaltung.

Mit der obigen Anordnung ist die Verstärkung von den Eingangsklemmen des Verstärkers 3, mit welchem das Mikrophon 12 verbunden ist, zum Widerstand RIO definiert mit:

_ 1(3) Rn + Ri2 1(4) ' Rn wobei 1(3) der Strom im Verstärker 3 und 1(4) der Strom im Verstärker 4 ist. Um also eine Möglichkeit der Verstärkungsregelung vorzusehen, z.B. zur Kompensation der Leitungsdämpfung, muss nur die Grösse von 13 zu 14 verändert werden. Da der Verstärkungsgrad für die Leitungsklemmen LI und L2 genau definiert ist, er ist Ri/Re, ist die Gesamtverstärkung auch genau definiert.

Es soll nun das Toneingangssignal betrachtet werden, welches aus einer oder mehreren Tonfrequenzen besteht, wenn Tonwahl verwendet wird, welche entweder direkt von einem Tastwahlsatz oder von einem Anrufwiederholer stammt. Die Tonfrequenzspeisung erfolgt über den Kondensator C10 zum Differentialverstärker 11 und von da zum Hauptverstärker 2. Da der Verstärker 11 ein Differentialverstärker mit einem Strom 1(11) ist, ist die Verstärkung, welcher das Tonfrequenzeingangssignal unterworfen ist, auch einfach bestimmt durch ein Verhältnis von Strömen und Widerständen. Es wird daher auf eine weitere Beschreibung dieses Einganges verzichtet mit Ausnahme der Bemerkung, dass der Verstärker 11 einen mit M bezeichneten Ausgang aufweist, welcher den Verstärkungsgrad des Verstärker 3 reduziert, wenn ein Tonfrequenzeingangssignal vorhanden ist.

Die gezeigte Schaltung weist eine weitere Brückenanordnung auf, welche wichtig ist im Sendepfad, und zwar die Lastbrücke 6. Dies ist ein Netzwerk, welches entweder Klemme LI oder L2, je nach dem, welche positiver ist bezogen auf den Ausgang des Verstärker 1, mit dem obern Ende des Widerstandes R13 verbindet. Es ist hier zu bemerken,

dass der Ausgang des Verstärkers 1 die negative Speiseklemme der Schaltung ist.

Der Widerstand R13 ist der Abschlusswiderstand des Netzwerkes und im vorliegenden Fall hat er einen Wert von 600 Q. Er ist wirksam über den Klemmen LI und L2, über den Kondensator C5 und den negativen Schaltteil des Brük-kenverstärkers 1, und zwar nur für Sprachsignale. Das Ausgangssignal der Brücke 6 ergibt auch die positive Speisespannung für die ganze Schaltung. Da diese Spannung und die Speisung von der untern Klemme von RI 1 bei ungefähr 3 V stabilisiert sein muss, ist eine interne Bezugsspannung 5 in der Schleife des Hauptverstärkers vorgesehen. Es ist zu bemerken, dass diese Spannung auch die nichtgezeigten

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Schaltungen für die Erzeugung der Tonfrequenzen speist. Die Spannung an der untern Klemme von R13 wird durch den Eingang des Bezugsverstärkers abgefühlt und das Ausgangssignal dieses Verstärkers steuert die Spannung über LI und L2, so dass die Spannung über einen weiten Bereich der Lei- 5 tungsströme konstant und gleich 3 V ist (siehe die graphische Darstellung unten in Fig. 4).

Eine weitere Besonderheit ist eine nicht gezeigte Schaltung, welche den Leitungsstrom überwacht und wenn dieser unter 14 mA fällt, die durch den Verstärker 5 gelieferte io

Bezugsspannung nachstellt. Dies ermöglicht, dass in einem solchen Fall ein verbesserter Betrieb erreicht wird.

Die empfangene Spannung über der Leitung, lediglich Sprachsignale, erscheint wegen der Wirkung der Brücke 6 über dem Widerstand R13 und erscheint auch über der Serie- is Schaltung von Kondensator C6 und Widerstand R14. Von dort ist sie an die Eingangsklemme des Empfängerdifferentialverstärkers 8 angelegt, welcher schliesslich den Hörerwandler 13 anspeist. Dieser Verstärker 8 verstärkt dieses Signal und legt es an den Ausgangsverstärker 9 an, welcher 20 seinerseits den Hörerwandler 13 speist. Der Verstärker 9 weist auch eine Steuerverbindung über eine andere Brückenanordnung 7 auf, welche die jeweils negativere der Klemmen LI oder L2 mit dem Verstärker 9 verbindet. Diese zusätzliche Brückenanordnung ist notwendig wegen des grossen Betrages 25 des vom Verstärker 9 aufgenommenen Stromes. Diese starke

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Stromaufnahme würde sonst wegen des an R13 erzeugten Spannungsabfalles die Verwendung der andern Brücke 6 verunmöglichen.

Das Rückhörnetzwerk R15, R16, R14, C7, R17 ist im wesentlichen ein Abgleichnetzwerk, welches die Sendesignale, die über RIO erscheinen, durch Anspeisen eines gleichen und entgegengesetzten Signales über C6 und R2 aufhebt. Der Kondensator C7 und der Widerstand R17 sind für die Phasenkompensation im praktischen Fall bestimmt, in welchen die Klemmen LI und L2 mit einer tatsächlichen Telephonleitung verbunden sind.

Die Kondensatoren C8, C9 und CIO werden zur Verhinderung einer Frequenz-Interferenz verwendet, C11 wird verwendet zum Vermeiden einer Gleichspannungsablage und C12 ist der Kondensator des Brückenverstärkers (entsprechend Cl in Fig. 1).

Die Fig. 5 zeigt die Anordnung der externen Komponenten, wenn der Grossteil der Schaltung von Fig. 5 in einer integrierten Schaltung ausgeführt ist. Es werden die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 4 verwendet. Der Widerstand R18, der Kondensator C14 und der Abieiter JH1 gehören zur üblichen Schutzschaltung, um die Schaltung gegen unerwünschte Leitungszustände, wie z.B. Blitzeinschläge zu schützen. Der veränderliche Widerstand RV1 verbindet die Drähte zum Hörer 13 und zum Mikrophon 12 für Einstellzwecke.

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3 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

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1. Zweirichtungsverstärker zum Anschluss an eine Zwei-Draht-Leitung, welche sowohl einen ersten Signaleingang als auch einen ersten Signalausgang bildet, wobei die Gleichstromversorgung für den Verstärker über die Zwei-Draht-Lei-tung erfolgt, dadurch gekennzeichnet, dass der Verstärker einen ersten und einen zweiten Transistor (TI, T2) aufweist, deren Kollektoren je mit einem der beiden Drähte (LI, L2) der Leitung verbunden sind, dass die Emitter des ersten und zweiten Transistors miteinander und mit einem ersten gemeinsamen Punkt (D) verbunden sind, dass der Verstärker einen dritten und einen vierten Transistor (T3, T4) aufweist, deren Kollektoren je mit einem der Drähte der Zwei-Draht-Leitung verbunden sind, dass die Basen des dritten und vierten Transistors miteinander und mit einem zweiten gemeinsamen Punkt (C) verbunden sind, dass eine ohmsche Impedanz (Rl) zwischen den ersten und den zweiten gemeinsamen Punkt geschaltet ist, so dass die Polarität des ersten gegenüber dem zweiten gemeinsamen Punktes unabhängig ist von den Polaritäten der beiden Drähte der Zwei-Draht-Leitung, dass ein zweiter Signalausgang des Verstärkers über der ohmschen Impedanz abgenommen ist, so dass ein von der Leitung empfangenes Signal über der ohmschen Impedanz erscheint, und dass ein zweiter Signaleingang des Verstärkers an die Basen des ersten und zweiten Transistors angelegt ist, wobei das an die Basen des ersten und zweiten Transistors angelegte Signal durch den Verstärker an die Zwei-Draht-Leitung angelegt wird.

2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitter des dritten (T3) und des vierten (T4) Transistors über einen zweiten (R2) bzw. einen dritten (R3) Widerstand mit einem dritten gemeinsamen Punkt (E) verbunden sind, und dass ein Kondensator (Cl) zwischen den zweiten (C) und den dritten gemeinsamen Punkt geschaltet ist.

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PATENTANSPRÜCHE

3. Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite Transistor (TI, T2) untereinander praktisch gleich sind, sowie der dritte und der vierte Transistor (T3, T4) untereinander ebenfalls praktisch gleich sind, und dass der erste und der zweite Transistor grössere Abmessungen aufweisen als der dritte und der vierte Transistor, und dass der jeweils leitende der beiden Transistoren gesättigt ist.

4. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Verstärker als integrierte Schaltung ausgeführt ist, und dass der dritte und der vierte Transistor (T3, T4) auf dem Substrat der integrierten Schaltung je durch eine Feldsperre (1) mit schwebendem Potential umgeben sind (Fig. 3).

5. Telephonteilnehmerstation mit einem Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Mikrophon (12) über einen Eingangs-Differentialverstär-ker (3) und einen Hauptverstärker (2) mit dem zweiten Signaleingang verbunden ist, und dass der zweite Signalausgang über einer ohmschen Impedanz (RIO) abgenommen und über einen Empfänger-Ausgangsverstärker (9) mit dem Hörer (13) verbunden ist.

6. Teilnehmerstation nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Rückführschleife zum Zwecke der Verstärkungsgradsteuerung vom zweiten Signalausgang zu einem Punkt in der Verbindung zwischen dem Mikrophon (12) und dem Hauptverstärker (2) erstreckt, und dass die Rückführschleife einen Rückführ-Differentialverstärker (4) aufweist, so dass sich eine aktive Rückführschleife ergibt.

7. Teilnehmerstation nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein Eingang (CIO) über einen weiteren Differentialverstärker (11) vorhanden ist, über welchen Tonfrequenz-Wahlsignale und andere Signale empfangbar sind, und dass von diesem weiteren Differentialverstärker eine Verbindung (M) zum Eingangs-Differentialverstärker (3) vorhanden ist, um das Eingangssignal vom Mikrophon während der Signalisierung abzusenken.

8. Teilnehmerstation nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Verbindung mittels einer Brücke (7) von der Leitung (Li, L2) zum Empfänger-Ausgangsverstärker (9) vorhanden ist, über welche dessen Verstärkung gesteuert wird und über welche ein Gleichstromsignal erhalten wird.