DE3731130C2 - Spannungs/Strom-Wandleranordnung - Google Patents
Spannungs/Strom-WandleranordnungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Spannungs/Strom-Wand
leranordnung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1
(DE 34 20 068 A1).
Wandleranordnungen dieser Art sind Vorrich
tungen, die in elektronischen Schaltungen eingesetzt wer
den, wenn ein in Form einer sich ändernden Spannung vorlie
gendes Eingangssignal in einen auf das Eingangssignal bezo
genen Ausgangsstrom umgesetzt werden soll. Eine solche
Wandleranordnung weist einen Parameter auf, der als Steil
heit bezeichnet wird; für diesen Parameter wird das Symbol
"gm" benutzt. Die Steilheit ist die Steigung des linearen
Teils einer Kennlinie, die den Ausgangsstrom in Abhängig
keit von der Eingangsspannung repräsentiert.
In Fig. 1 der Zeichnung ist eine bekannte Spannungs/Strom-
Wandleranordnung dargestellt. Sie ist von einer Schaltung
abgeleitet, die als Stromübernahmeschalter bekannt ist.
Die Eingangsspannung wird an die Basisanschlüsse 10 von
zwei Transistoren 12 angelegt, und der sich ändernde Aus
gangsstrom wird vom Kollektor eines Transistors des Paares
abgegriffen) Die Beziehung zwischen der Eingangsspannung
Vin und dem Ausgangsstrom Iout ist in Fig. 2 dargestellt.
Es ist zu erkennen, daß die Übertragungskennlinie nur über
einen sehr begrenzten Bereich linear ist, der in dem Dia
gramm zwischen -25 mV und +25 mV dargestellt ist. Unter
und über diesem Bereich der Eingangsspannungen hängt der
Ausgangsstrom nichtlinear von der Eingangsspannung ab.
Eine bekannte Möglichkeit zur Vergrößerung des linearen
Bereichs der Übertragungskennlinie ist in Fig. 3 darge
stellt. In die Emitterleiter 16 von zwei als Stromüber
nahmehalter miteinander verbundenen Transistoren 18 sind
Rückkopplungswiderstände 14 eingefügt. Das Ausmaß der Li
nearität der Übertragungskennlinie wird gemäß Fig. 4 zwar
vergrößert, jedoch nimmt die Steilheit der Kennlinie ab,
so daß der Bereich der Ausgangsströme der Schaltungsanord
nung im wesentlichen gleich bleibt. Wenn der Strom in der
Leitung, in der die beiden Emitter zusammengeführt sind,
bei dieser Schaltungsanordnung klein ist, müssen die Rück
kopplungswiderstände 14 einen entsprechend hohen Wert ha
ben, damit die erforderliche Erweiterung des linearen Be
reichs der Übertragungskennlinie erhalten wird. Wenn irgend
eine Fehlanpassung der Rückkopplungswiderstände 14 vorliegt,
wird die ganze Schaltung unsymmetrisch, so daß auch die
Übertragungskennlinie unsymmetrisch bezüglich des Koordi
natensprungs wird.
In DE 34 20 068 A1 ist ebenfalls ein Spannungs/Stromwandler
zur Umwandlung einer Eingangssignalspannung in einen Aus
gangssignalstrom beschrieben. Dieser Spannungs/Stromwandler
geht unter anderem von dem hier in Fig. 3 dargestellten
Spannungs/Stromwandler aus, weist genau wie dieser einen
vergrößerten linearen Bereich der Übertragungskennlinie auf,
kommt jedoch mit einer vergleichsweise geringeren Leistung
aus. Dieser Spannungs/Stromwandler besitzt einen relativ
komplexen Aufbau: Es sind Eingangs-Ausgangs-Stromspiegel
mittel vorgesehen, die einen Strom-Eingangstransistor und
wenigstens einen Strom-Ausgangstransistor aufweisen, dessen
Basis mit der Basis des Strom-Eingangstransistors verbunden
ist, wobei der Kollektor des Strom-Ausgangstransistors als
Ausgang zur Verbindung mit weiteren Ausgangsmitteln zur Ent
wicklung des Ausgangssignalsstromes dient, während ein Ein
gangswiderstand zwischen der Eingangsklemme und dem Kol
lektor des Strom-Eingangstransistors liegt. Der Eingang ei
nes nicht invertierenden Stromverstärkers ist mit dem Kol
lektor des Strom-Eingangstransistors verbunden, während sein
Ausgang mit der Basis des Strom-Eingangstransistors und der
Basis des Strom-Ausgangstransistors verbunden ist. Darüber
hinaus ist eine Konstantstromquelle mit dem Kollektor des
Strom-Eingangstransistors zur Lieferung eines im wesentli
chen konstanten Referenzstromes verbunden. Über das Problem
einer Erweiterung des Linearitätsbereichs unter Beibehaltung
der Steigung der Übertragungskennlinie ist in dieser Offen
legungsschrift nichts offenbart.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine Spannungs/Strom-Wandler
anordnung zu schaffen, bei der der Linearitätsbereich
der Übertragungskennlinie erweitert wird, ohne daß eine ent
sprechende Verringerung der Steigung, d. h. der Steilheit gm
der Schaltung eintritt. Zudem ist die Spannungs/Strom-Wand
leranordnung der Erfindung einfach aufgebaut und kann so
leicht als integrierte Schaltung hergestellt werden.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale im Anspruch 1
gelöst.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nun unter Bezug
nahme auf die Fig. 5 bis 9 der Zeichnung erläutert. Die
Figuren zeigen folgendes:
Fig. 5 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform einer
Wandleranordnung nach der Erfindung,
Fig. 6 ein ähnliches Schaltbild wie in Fig. 5, wobei
jedoch eine modifizierte Wandleranordnung nach
der Erfindung dargestellt ist,
Fig. 7 ein Diagramm zur Veranschaulichung der erweiter
ten linearen Übertragungskennlinie, die mit Hil
fe der Wandleranordnungen nach der Erfindung
erzielt werden kann,
Fig. 8 ein Schaltbild ähnlich den Schaltbildern von
Fig. 5 und Fig. 6, wobei eine Spannungs/Strom-
Wandleranordnung nach der Erfindung dargestellt
ist, die als Schaltung mit linearer Spannungsver
stärkung arbeitet, und
Fig. 9 ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform
einer Wandleranordnung nach der Erfindung.
In Fig. 5 ist eine Spannungs/Strom-Wandleranordnung nach
der Erfindung dargestellt. Die Wandleranordnung enthält
zwei Transistoren 20, die nach Art eines Stromübernahme
schalters miteinander verbunden sind. Stromquellen 22 spei
sen die Kollektoren 24 der Transistoren 20 aus einer Ver
sorgungsleitung 26. Die Emitter 28 der Transistoren 20 sind
miteinander verbunden und über einen eine Stromquelle 30
bildenden Widerstand an Masse angeschlossen. An die Basis
anschlüsse 32 der Transistoren 20 sind Signaleingangsmittel
34 angeschlossen, mit denen die Basisanschlüsse an eine
veränderliche Wechselspannungsquelle angeschlossen werden
können.
Nach der Erfindung liegt parallel zu jedem Transistor 20
ein zweiter Transistor 36. Jeder Basisanschluß 32 eines
ersten Transistors 20 ist mit dem Basisanschluß 38 des pa
rallelgeschalteten zweiten Transistors 36 über einen Wider
stand 40 verbunden. Die Widerstände 40 haben so eng wie
möglich aneinander angepaßte Werte, und die Basisanschlüs
se 38 sind miteinander verbunden. Die auf diese Weise an
die Basisanschlüsse 38 über den von den Widerständen 40
gebildeten Spannungsteiler angelegte Spannung ist halb so
groß wie die Spannung, die an der Basis eines der Transi
storen 20 erscheint.
Bei einem Betrieb in einem normalen linearen Bereich der
Wandleranordnung ist in der Übertragungskennlinie nur ein
sehr geringer Unterschied zu erkennen. Wenn jedoch der nor
male Bereich überschritten wird, wird die Steilheit der
ersten Transistoren 20 nichtlinear und kleiner. In dieser
Phase befinden sich die zweiten Transistoren 36, die bei
der halben Signalspannung an ihren Basisanschlüssen arbei
ten, immer noch im linearen Übertragungsbereich, so daß
sie ausreichenden zusätzlichen Strom liefern, damit die
Übertragungskennlinie im wesentlichen linear gehalten wird.
Wenn die Fläche der Emitter 42 der zweiten Transistoren 36
genauso groß wie die der Transistoren 20 ist, ergibt sich
eine effektive Verdopplung der gesamten Emitterfläche und
folglich nahezu eine Verdopplung des Eingangsspannungsbe
reichs, während die Linearität der Übertragungskennlinie
und die Steilheit gm der Schaltung aufrechterhalten werden.
Fig. 6 zeigt eine Abwandlung der in Fig. 5 dargestellten
Wandleranordnung. In dieser Ausführungsform sind die Basis
anschlüsse 38a der zweiten Transistoren 36a miteinander und
mit einer Bezugsspannungsquelle 44 verbunden. Die Bezugs
spannung der Quelle 44 wird in der Mitte des Bereichs der
aus der Quelle 34a stammenden Eingangssignalspannung ge
halten.
Auf diese Weise arbeiten die zweiten Transistoren 36 stets
im linearen Teil der Übertragungskennlinie des Eingangs
spannungsbereichs.
Fig. 7 zeigt die mit Hilfe der Wandleranordnungen nach der
Erfindung erreichbare Übertragungskennlinie. Die herkömm
liche Übertragungskennlinie ist in diesem Diagramm zu Ver
gleichszwecken angegeben. Wie in Fig. 2 ergibt sich eine
lineare Übertragungskennlinie beim Eingangsspannungsbereich
von ± 25 mV. Bei einer Erweiterung des Bereichs unter Ver
wendung der Wandleranordnungen nach der Erfindung bleibt
jedoch die Steilheit gm im wesentlichen unverändert.
Wenn durch die Verwendung der parallelgeschalteten zweiten
Transistoren eine effektive Verdopplung der Emitterfläche
auf den zweifachen Wert gegenüber dem Wert des Stromüber
nahmeschalters erreicht wird, wird der Bereich der linea
ren Übertragungskennlinie mehr als verdoppelt. Wenn zweite,
dritte und vierte Transistoren (mit gleichen Emitterflächen)
parallel zu jedem ersten Transistor geschaltet werden, wird
eine im wesentlichen lineare Übertragungskennlinie über
einen Eingangsspannungsbereich von ±200 mV erhalten, was
einen Verbesserungsfaktor von nahezu 10 darstellt.
Wenn die zweiten (oder zweiten und dritten) parallelgeschal
teten Transistoren eine größere Emitterfläche als die er
sten Transistoren haben, wird eine Vergrößerung erhalten,
die von der Summe der Emitterflächen der parallelgeschal
teten Transistoren abhängt.
Wie in Fig. 8 dargestellt ist, kann die Spannungs/Strom-
Wandleranordnung nach der Erfindung auch als Spannungsver
stärkungsschaltung mit verbesserter Linearität benutzt
werden. Die in dieser Figur dargestellte Schaltung enthält
in den Kollektorleitungen der parallelgeschalteten ersten
und zweiten Transistoren Lastwiderstände 46. Die an diesen
Widerständen entstehenden Spannungsschwankungen können als
Ausgangssignal der Schaltung verwendet werden.
Fig. 9 zeigt ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungs
form einer Wandleranordnung nach der Erfindung. Die Schal
tung enthält zweite Transistoren 36b und dritte Transisto
ren 48, die parallel zu jedem der ersten Transtoren 20b
geschaltet sind. Ein von vier im wesentlichen gleichen Wi
derständen 50 gebildeter Spannungsteiler liegt parallel zu
den Basisanschlüssen der ersten Transistoren 20b und somit
auch parallel zur Signalquelle 34b. An den Basisanschlüs
sen der zweiten Transistoren liegt eine Spannung, die
gleich drei Viertel der zugeführten Signalspannung ist,
während an den Basisanschlüssen der dritten Transistoren
eine Spannung liegt, die gleich der Hälfte der angelegten
Signalspannung ist.
Die Erfindung ist nicht auf die genauen Einzelheiten der
oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt; es
können vielmehr ohne weiteres auch Abwandlungen vorgenom
men werden.
Beispielsweise können in der Schaltung entweder NPN- oder
PNP-Transistoren verwendet werden, vorausgesetzt, daß in
jedem Paar die ersten, zweiten, dritten Transistoren usw.
vom gleichen Typ sind. Die Wandleranordnung nach der Er
findung eignet sich vorzüglich für eine Herstellung als
integrierte Schaltung, so daß Transistoren des gleichen
Typs bevorzugt eingesetzt werden.
Claims (9)
1. Spannungs/Strom-Wandleranordnung mit zwei aneinander an
gepaßten ersten Transistoren (20), deren Emitterelektroden
(28) miteinander und mit einer gemeinsamen Stromquelle (30)
verbunden sind,
Eingangsmitteln (34) zum Anlegen eines veränderlichen Eingangsspannungssignals zwischen die Basiselektroden (32) der ersten Transistoren (20), und
Mitteln zum Ableiten von Ausgangsstromsignalen von den Kollektorelektroden (24) der ersten Transistoren (20),
gekennzeichnet durch zwei aneinander angepaßte zweite Transistoren (36), deren Emitter-Kollektor-Strecke jeweils mit der Emitter-Kollektor-Strecke eines entsprechenden der ersten Transistoren (20) parallel verbunden ist, und
eine Spannungsversorgungsvorrichtung (40, 50, Vref), um an die Basiselektroden (38) der zweiten Transistoren (36) Spannungen anzulegen, die zwischen den an die jeweiligen Basiselektroden (32) der ersten Transistoren (20) angelegten Spannungen liegen.
Eingangsmitteln (34) zum Anlegen eines veränderlichen Eingangsspannungssignals zwischen die Basiselektroden (32) der ersten Transistoren (20), und
Mitteln zum Ableiten von Ausgangsstromsignalen von den Kollektorelektroden (24) der ersten Transistoren (20),
gekennzeichnet durch zwei aneinander angepaßte zweite Transistoren (36), deren Emitter-Kollektor-Strecke jeweils mit der Emitter-Kollektor-Strecke eines entsprechenden der ersten Transistoren (20) parallel verbunden ist, und
eine Spannungsversorgungsvorrichtung (40, 50, Vref), um an die Basiselektroden (38) der zweiten Transistoren (36) Spannungen anzulegen, die zwischen den an die jeweiligen Basiselektroden (32) der ersten Transistoren (20) angelegten Spannungen liegen.
2. Spannungs/Strom-Wandleranordnung nach Anspruch 1, die
dadurch gekennzeichnet ist, daß die Spannungsversorgungs
vorrichtung (40, 50, Vref) eine ohmsche Spannungsteiler
schaltung (40) umfaßt, die zwischen den Basiselektroden (32)
der ersten Transistoren (20) liegt, wobei die Basiselek
troden (38) der zweiten Transistoren (36) an einem Abgriff
der ohmschen Spannungsteilerschaltung (40) angeschlossen
sind.
3. Spannungs/Strom-Wandleranordnung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Abgriff der ohmschen Spannungs
teilerschaltung (40) so gelegt ist, daß die an die Basis
anschlüsse (38) der zweiten Transistoren (36) anlegbare
Spannung (V) gleich der Hälfte der Eingangsspannung (Vin) an
den Eingangsmitteln ist.
4. Spannungs/Strom-Wandleranordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Ausgangsspannungssignal (Vin) in
einem vorbestimmten Bereich liegt und daß die Basisan
schlüsse (38) der zweiten Transistoren (36) an eine Bezugs
spannung (Vref) anlegbar sind, deren Wert in der Mitte die
ses Bereichs liegt.
5. Spannungs/Strom-Wandleranordnung nach Anspruch 1, die
dadurch gekennzeichnet ist, daß sie zwei aneinander angepaß
te dritte Transistoren (48) aufweist, deren jeweilige Emit
ter-Kollektor-Strecke parallel mit den parallel geschalteten
Emitter-Kollektor-Strecken der entsprechenden ersten und
zweiten Transistoren (20 und 36) verbunden ist, und
die Spannungsversorgungsvorrichtung (40, 50, Vref) ei
nen ohmschen Spannungsteiler (50) umfaßt, der zwischen die
Basiselektroden der ersten Transistoren (20) geschaltet ist,
wobei die Basiselektroden der dritten Transistoren (48) an
den jeweiligen Abgriffen des ohmschen Spannungsteilers (50)
angeschlossen sind.
6. Spannungs/Strom-Wandleranordnung nach Anspruch 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Spannungsversorgungsvorrichtung so
ausgebildet ist, daß sie an die Basisanschlüsse der dritten
Transistoren (48) eine Spannung liefert, die von der den
Basisanschlüssen der zweiten Transistoren (36) angelegten
Spannung verschieden ist.
7. Spannungs/Strom-Wandleranordnung nach Anspruch 5 oder 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterfläche der zweiten
Transistoren (36) und/oder der dritten Transistoren (48)
größer als die Emitterfläche der ersten Transistoren (20)
ist.
8. Spannungs/Strom-Wandleranordnung nach einem der vorher
gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in den ge
meinsamen Kollektorleitungen (20a, 36a) der Transistoren
(20, 36, 48) Widerstände (46) angeordnet sind.
9. Spannungs/Strom-Wandleranordnung nach einem der vorher
gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie als in
tegrierte Schaltung aufgebaut ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8622294A GB2195211B (en) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | Improved transconductors and voltage gain devices incorporating same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE3731130A1 DE3731130A1 (de) | 1988-03-31 |
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GB (1) | GB2195211B (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2223902A (en) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Philips Electronic Associated | Transconductance amplifier |
EP0600141B1 (de) * | 1992-10-30 | 1997-03-05 | SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.p.A. | Transkonduktanzstufe |
JPH088457B2 (ja) * | 1992-12-08 | 1996-01-29 | 日本電気株式会社 | 差動増幅回路 |
GB9226550D0 (en) * | 1992-12-21 | 1993-02-17 | Philips Electronics Uk Ltd | Transconductance amplifier |
US5933054A (en) * | 1995-09-19 | 1999-08-03 | Nec Corporation | Bipolar operational transconductance amplifier |
DE19639706C1 (de) * | 1996-09-26 | 1997-12-11 | Siemens Ag | Geschaltete Stromquelle |
FR2887708B1 (fr) * | 2005-06-28 | 2008-02-15 | Atmel Grenoble Soc Par Actions | Circuit electronique a reseau de paires differentielles disymetriques |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1212720B (it) * | 1983-03-23 | 1989-11-30 | Ates Componenti Elettron | Convertitore tensione-corrente ad alta precisione, particolarmente per basse tensioni di alimentazione. |
JPS59221014A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-12 | Sony Corp | 電圧電流変換回路 |
-
1986
- 1986-09-16 GB GB8622294A patent/GB2195211B/en not_active Expired - Lifetime
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1987
- 1987-09-16 DE DE19873731130 patent/DE3731130C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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GB8622294D0 (en) | 1986-10-22 |
GB2195211A (en) | 1988-03-30 |
DE3731130A1 (de) | 1988-03-31 |
GB2195211B (en) | 1990-01-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Owner name: PLESSEY SEMICONDUCTORS LTD., SWINDON, WILTSHIRE, G |
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D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
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Owner name: MITEL SEMICONDUCTOR LTD., SWINDON, WILTSHIRE, GB |
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |