WO2023210633A1 - 放射線検出装置及び放射線検出器 - Google Patents

放射線検出装置及び放射線検出器 Download PDF

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WO2023210633A1
WO2023210633A1 PCT/JP2023/016267 JP2023016267W WO2023210633A1 WO 2023210633 A1 WO2023210633 A1 WO 2023210633A1 JP 2023016267 W JP2023016267 W JP 2023016267W WO 2023210633 A1 WO2023210633 A1 WO 2023210633A1
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WO
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radiation detection
detection element
magnetic field
radiation
sample
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/016267
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English (en)
French (fr)
Inventor
大輔 松永
大輝 箕輪
Original Assignee
株式会社堀場製作所
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors

Definitions

  • the present invention relates to a radiation detection device and a radiation detector for detecting fluorescent X-rays.
  • Fluorescent X-ray analysis is a method of irradiating a sample with X-rays, detecting the fluorescent X-rays generated from the sample, and analyzing the sample from the spectrum of the fluorescent X-rays.
  • a radiation detection element for detecting fluorescent X-rays is, for example, an element using a semiconductor.
  • a sample irradiated with X-rays generates photoelectrons in addition to fluorescent X-rays. When photoelectrons enter the radiation detection element, the sensitivity of fluorescent X-ray detection deteriorates. Therefore, countermeasures against photoelectrons are required.
  • Patent Document 1 discloses a technique for preventing secondary electrons from entering a radiation detection element for detecting X-rays in an electron microscope.
  • the sample In fluorescent X-ray analysis, the sample is illuminated and observed.
  • illumination light for illuminating a sample is incident on a radiation detection element, a current is generated in the radiation detection element, which may cause a malfunction in a radiation detection apparatus including the radiation detection element.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a radiation detection device and a radiation detector that suppress the incidence of photoelectrons and illumination light on radiation detection elements. be.
  • a radiation detection device includes an illumination unit that illuminates a sample, an irradiation unit that irradiates the sample with X-rays, and a radiation detection element that detects X-rays generated from the sample.
  • the apparatus includes a magnetic field generation section that generates a magnetic field in a part of the space from the sample to the radiation detection element, and a block that holds the magnetic field generation section, and the block includes a magnetic field generation section that generates a magnetic field in a part of the space from the illumination section to the radiation detection element. It is characterized by being arranged so as to block light from entering.
  • a radiation detection device that detects fluorescent X-rays includes a magnetic field generation section that generates a magnetic field in a part of the space from the sample to the radiation detection element.
  • the moving direction of photoelectrons generated from the sample is bent by the magnetic field, making it difficult for the photoelectrons to enter the radiation detection element. Therefore, incidence of photoelectrons on the radiation detection element is suppressed.
  • the radiation detection device also includes a block that holds the magnetic field generation section. The block blocks light from the illumination section to the radiation detection element, making it difficult for the light to enter the radiation detection element. Therefore, the incidence of illumination light that illuminates the sample on the radiation detection element is suppressed.
  • a radiation detection device is characterized in that the magnetic field generating section and the block are subjected to antireflection processing.
  • the block and the magnetic field generating section are subjected to anti-reflection processing, so that light is difficult to be reflected by the block and the magnetic field generating section and difficult to reach the radiation detection element. Therefore, the incidence of light into the radiation detection element is further suppressed.
  • the magnetic field generating section includes a magnet, and the magnet is coated with a substance consisting of an element having a lower atomic number than an element contained in the magnet. It is characterized by
  • the magnetic field generating section includes a magnet, and the magnet is coated with a substance having an atomic number smaller than that of the substance forming the magnet.
  • X-rays generated from the magnet due to the incidence of X-rays or the collision of photoelectrons are absorbed by the material coating the magnet and are difficult to enter the radiation detection element.
  • Fluorescent X-rays emitted from the material coating the magnet have less energy and are less intense. Therefore, system peaks caused by fluorescent X-rays from the magnet are reduced.
  • the magnetic field generation section includes a plurality of magnets facing each other with a part of the space from the sample to the radiation detection element in between, and the plurality of magnets The interval between the two changes along the direction from the sample toward the radiation detection element, and is characterized by increasing as the distance approaches the radiation detection element.
  • the magnetic field generation section includes a plurality of opposing magnets, and the spacing between the plurality of magnets increases from the sample toward the radiation detection element. Fluorescent X-rays generated from the sample spread as they approach the radiation detection element. As the spacing between the multiple magnets becomes wider as they get closer to the radiation detection element, the probability that fluorescent X-rays will not enter the magnet but instead enter the radiation detection element increases, and the probability that fluorescent X-rays will be detected increases. becomes higher.
  • the block has a space inside, the magnetic field generating section is arranged inside the block, and the material of the block is a ferromagnetic material. characterized by something.
  • the magnetic field generating section is arranged inside the block, and the material of the block is a magnetic material.
  • the magnetic field generated from the magnetic field generator is shielded by the block. Since the magnetic field does not leak to the outside of the block, the magnetic field does not have an adverse effect on the outside of the block.
  • a radiation detection device is characterized in that a straight path from the sample to the radiation detection element is not blocked.
  • the straight path from the sample to the radiation detection element is not blocked by an object such as a window having a window material.
  • the fluorescent X-rays enter the radiation detection element without passing through the window material or the like and are detected.
  • the radiation detection device is capable of detecting radiation that cannot pass through the window material due to its low energy.
  • the radiation detection device further includes a spectrum generation unit that generates a spectrum of radiation detected using the radiation detection element, and a display unit that displays the spectrum generated by the spectrum generation unit. It is characterized by
  • a spectrum of fluorescent X-rays generated from a sample is generated, and the generated spectrum is displayed on a display section. The user can check the spectrum of fluorescent X-rays generated from the sample.
  • a radiation detector is a radiation detector for detecting fluorescent X-rays, which includes a block having a space inside, and an entrance hole formed in the block, through which the fluorescent X-rays enter. a radiation detection element facing the entrance port; and a magnetic field generating section that is disposed inside the block and generates a magnetic field in a space from the entrance port to the radiation detection element, the entrance port is The linear path from the entrance port to the radiation detection element is not blocked.
  • a radiation detector that detects fluorescent X-rays includes a block and a magnetic field generating section that generates a magnetic field in a part of the space from the entrance to the radiation detection element.
  • the moving direction of photoelectrons that have entered the inside of the radiation detector from the entrance port is bent by the magnetic field, thereby suppressing the photoelectrons from entering the radiation detection element.
  • the block blocks light from outside the radiation detector, making it difficult for light to enter the radiation detection element. Therefore, the incidence of illumination light that illuminates the sample on the radiation detection element is suppressed.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the internal configuration of a radiation detector.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a radiation detection element and a collimator.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an example of the functional configuration of the radiation detection device 10.
  • the radiation detection device 10 is, for example, a fluorescent X-ray analyzer. It includes a sample stage 61 on which the sample 6 is placed, an irradiation unit 41 that irradiates the sample 6 with X-rays, an X-ray optical element 42 that converges the X-rays, and a radiation detector 2.
  • the sample 6 may be held by a method other than mounting.
  • the irradiation unit 41 is, for example, an X-ray tube.
  • the X-ray optical element 42 is, for example, a monocapillary lens using an X-ray conduit that guides incident X-rays while internally reflecting them, or a polycapillary lens using a plurality of X-ray conduits.
  • the irradiation unit 41 emits X-rays
  • the X-ray optical element 42 receives the X-rays emitted by the irradiation unit 41, converges the X-rays, and directs the focused X-rays to the sample placed on the sample stage 61. Irradiate to 6.
  • the sample 6 irradiated with X-rays generates fluorescent X-rays
  • the radiation detector 2 detects the fluorescent X-rays generated from the sample 6.
  • X-rays and fluorescent X-rays are indicated by arrows. Note that the radiation detection device 10 may be configured to hold the sample 6 by a method other than placing it on the sample stage 61.
  • the radiation detection device 10 includes an illumination section 51 that illuminates the sample 6, a mirror 44, an imaging section 52, and a switching stage 43 that switches the positions of the X-ray optical element 42 and the mirror 44.
  • the lighting section 51 has a light source such as an LED (light-emitting diode), and can turn on and off the light source. When the light source is turned on, illumination light for illuminating the sample 6 is generated.
  • the illumination unit 51 illuminates the sample 6 placed on the sample stage 61.
  • the photographing section 52 photographs the sample 6 illuminated by the illumination section 51 .
  • the photographing unit 52 includes an optical system and an image sensor.
  • the switching stage 43 is attached with an X-ray optical element 42 and a mirror 44, and can change the positions of the X-ray optical element 42 and mirror 44 by moving.
  • a drive unit 32 that moves the switching stage 43 is connected to the switching stage 43 .
  • the drive unit 32 is configured using, for example, a motor.
  • the switching stage 43 is moved by the operation of the drive unit 32, and the positions of the X-ray optical element 42 and the mirror 44 are changed.
  • the switching stage 43 can position the X-ray optical element 42 at the irradiation position, as shown in FIG.
  • the irradiation position is a position where the X-rays from the irradiation section 41 are incident on the X-ray optical element 42, and the X-rays emitted from the X-ray optical element 42 are irradiated onto the sample 6.
  • the switching stage 43 can change the positions of the X-ray optical element 42 and the mirror 44, and position the mirror 44 at the imaging position.
  • the imaging position is a position where the optical axis of the mirror 44 at the imaging position and the optical axis of the X-ray optical element 42 at the irradiation position are substantially coaxial.
  • the mirror 44 at the imaging position is located on the X-ray irradiation axis.
  • the light from the illumination section 51 is reflected by the sample 6.
  • the mirror 44 located at the photographing position reflects the light from the sample 6 and makes it enter the photographing section 52 .
  • the photographing unit 52 photographs the sample 6 using the incident light.
  • the radiation detector 2 includes a radiation detection element 1 and a preamplifier 21. A part of the preamplifier 21 may be included inside the radiation detector 2 and another part may be arranged outside the radiation detector 2.
  • the radiation detector 2 is connected to a signal processing section 34 and a voltage application section 33 that applies a voltage necessary for radiation detection to the radiation detection element 1.
  • An analysis section 35 is connected to the signal processing section 34 .
  • the analysis section 35 is configured using a computer.
  • a display section 36 such as a liquid crystal display or an EL display (Electroluminescent Display) is connected to the analysis section 35 .
  • the drive section 32 , voltage application section 33 , signal processing section 34 , analysis section 35 , display section 36 , irradiation section 41 , illumination section 51 , and photographing section 52 are connected to the control section 31 .
  • the control section 31 controls the operations of the drive section 32, the voltage application section 33, the signal processing section 34, the analysis section 35, the display section 36, the irradiation section 41, the illumination section 51, and the photographing section 52.
  • the control section 31 is configured using a computer including a calculation section that executes calculations for controlling each section.
  • the control unit 31 may be configured to accept a user's operation and control each unit of the radiation detection device 10 according to the accepted operation.
  • the control section 31 and the analysis section 35 may be configured integrally.
  • the control unit 31 controls the drive unit 32 to move the switching stage 43 and position the mirror 44 at the photographing position. With the mirror 44 in the photographing position, the control section 31 turns on the illumination section 51. The sample 6 is illuminated with light from the illumination section 51, and the photographing section 52 photographs the sample 6. The photographing section 52 generates a photographed image of the sample 6 and transmits it to the control section 31 . The control section 31 causes the display section 36 to display the photographed image. The user observes the sample 6 by visually viewing the photographed image. The control unit 31 also controls the drive unit 32 to move the switching stage 43 and position the X-ray optical element 42 at the irradiation position.
  • the control section 31 causes the irradiation section 41 to generate X-rays.
  • X-rays from the irradiation unit 41 pass through the X-ray optical element 42 and are irradiated onto the sample 6.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the internal configuration of the radiation detector 2.
  • the radiation detector 2 is an SDD (Silicon Drift Detector).
  • the radiation detector 2 includes a cylindrical portion 291, a block 22 that covers and connects one end of the cylindrical portion 291, and a bottom plate portion 292 that closes the other end of the cylindrical portion 291.
  • the block 22, the cylindrical portion 291, and the bottom plate portion 292 constitute a housing of the radiation detector 2.
  • Other components of the radiation detector 2 are arranged inside the housing.
  • the block 22 is integrally made of a ferromagnetic material such as iron.
  • the shape of the block 22 is a prefix pyramid.
  • An entrance opening 221 is formed at the tip of the block 22 , through which fluorescent X-rays to be detected by the radiation detector 2 enter.
  • the entrance port 221 is an opening that extends from the outer surface of the block 22 to the interior space of the block 22 .
  • the entrance port 221 is not provided with a window having a window material, and the entrance port 221 is not blocked.
  • Block 22 is integrally formed. In the block 22, no gap connected to the internal space is formed except for the entrance port 221.
  • the radiation detection element 1, the magnetic field generation section 23, the collimator 24, the circuit board 25, the cooling section 26, the heat transfer section 27, and the lead pins 28 are arranged inside the housing composed of the block 22, the cylindrical section 291, and the bottom plate section 292. has been done.
  • the cooling unit 26 is, for example, a Peltier element.
  • the radiation detection element 1 is mounted on the surface of the circuit board 25 and is disposed at a position facing the entrance port 221.
  • the collimator 24 has a cylindrical shape with both ends open, and is made of a material that blocks X-rays.
  • the collimator 24 is arranged between the radiation detection element 1 and the entrance port 221. One end of the collimator 24 faces the entrance port 221, and the other end faces the surface of the radiation detection element 1.
  • Fluorescent X-rays pass through the entrance 221 and enter the block 22, and the collimator 24 blocks a portion of the fluorescent X-rays.
  • the radiation detection element 1 detects fluorescent X-rays that are incident without being blocked by the collimator 24 .
  • the straight path of fluorescent X-rays from the entrance port 221 to the radiation detection element 1 is not blocked. Further, the straight path of fluorescent X-rays from the sample 6 to the radiation detector 2 is not blocked. Therefore, the straight path of the fluorescent X-rays from the sample 6 to the radiation detection element 1 via the entrance port 221 is not blocked by an object such as a window having a window material.
  • a magnetic field generating section 23 is arranged between the entrance port 221 and the collimator 24.
  • a magnetic field generating section 23 is arranged in a space inside the block 22.
  • the magnetic field generating section 23 is attached to the block 22. Since the magnetic field generating section 23 is attached to the block 22, the block 22 holds the magnetic field generating section 23.
  • the magnetic field generating section 23 is configured by a plurality of magnets arranged in a space inside the block 22 so as to face each other.
  • the magnetic field generating section 23 generates a magnetic field in a part of the space inside the block 22 using the magnet.
  • the magnet used by the magnetic field generating section 23 may be a permanent magnet or an electromagnet.
  • the magnetic field generating section 23 is attached to the block 22 by magnetically attaching or adhering a magnet to the block 22.
  • the magnetic field generating section 23 is arranged so that an electric field is generated in at least a portion of the space from the entrance port 221 to the radiation detection element 1 .
  • the plurality of magnets included in the magnetic field generating section 23 face each other with the space from the entrance port 221 to the radiation detection element 1 interposed therebetween.
  • the magnetic field generator 23 generates a magnetic field in at least a portion of the space from the entrance 221 to the radiation detection element 1 . Therefore, a magnetic field is generated in a part of the space from the sample 6 to the radiation detection element 1.
  • a circuit is formed on the circuit board 25, and a preamplifier 21 is mounted thereon. In FIG. 2, the preamplifier 21 is omitted.
  • the circuit formed on the circuit board 25 is connected to the outside of the radiation detector 2. Application of a voltage to the radiation detection element 1 by the voltage application section 33 and output of a signal from the preamplifier 21 are performed through a circuit.
  • the back surface of the circuit board 25 is in thermal contact with the heat absorbing portion of the cooling section 26, either directly or via an intervening material.
  • a heat radiation portion of the cooling portion 26 is in thermal contact with the heat transfer portion 27.
  • the heat transfer portion 27 has a flat portion with which the heat radiation portion of the cooling portion 26 comes into thermal contact, and a portion that penetrates the bottom plate portion 292 .
  • Heat from the radiation detection element 1 is absorbed by the cooling section 26 through the circuit board 25, transmitted from the cooling section 26 to the heat transfer section 27, and radiated to the outside of the radiation detector 2 through the heat transfer section 27. In this way, the radiation detection element 1 is cooled.
  • the heat transfer section 27 may be connected to a heat dissipation mechanism such as a heat dissipation plate located outside the radiation detector 2.
  • the heat transfer section 27 may have a structure for heat radiation, such as a protrusion for connecting to a heat radiation mechanism.
  • the heat transfer section 27 may be integrated with the bottom plate section 292.
  • the radiation detector 2 may not include the heat transfer section 27 and the bottom plate section 292 may also serve as the heat transfer section 27. Note that the radiation detector 2 may further include other components.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the radiation detection element 1 and the collimator 24.
  • the radiation detection element 1 is a silicon drift type radiation detection element.
  • the radiation detection element 1 has a flat plate shape as a whole.
  • the radiation detection element 1 is circular in plan view.
  • the radiation detection element 1 includes a plate-shaped semiconductor section 12 made of Si (silicon).
  • the component of the semiconductor portion 12 is n-type Si.
  • the radiation detection element 1 has an entrance surface 11 located on the entrance side where radiation to be detected is incident, and an electrode surface 16 located on the back side of the entrance surface 11. A part of the entrance surface 11 is covered with a collimator 24.
  • the radiation detection element 1 is arranged such that the electrode surface 16 faces the circuit board 25 and the entrance surface 11 faces the entrance port 221.
  • An electrode layer 13 is provided in a portion of the semiconductor portion 12 on the side of the entrance surface 11.
  • the electrode layer 13 is doped with a dopant that makes Si a different type of semiconductor than the components of the semiconductor portion 12 .
  • the component of the electrode layer 13 is p-type Si in which Si is doped with a specific dopant such as boron, for example, p+Si.
  • the electrode layer 13 is formed in most of the area along the entrance surface 11, including a portion corresponding to the center of the entrance surface 11 in plan view. For example, the shape of the electrode layer 13 is circular in plan view.
  • An electrode layer 13 is formed in all areas of the incident surface 11 that correspond to the portions not covered by the collimator 24 . At the periphery of the region along the incident surface 11, there is a portion where the electrode layer 13 is not formed.
  • the component of the signal output electrode 15 is the same type of Si as the semiconductor portion 12.
  • the component of the signal output electrode 15 is n+Si doped with a specific dopant such as phosphorus.
  • a plurality of curved electrodes 14 are provided in a portion of the semiconductor portion 12 on the side of the electrode surface 16, which has multiple annular shapes in a plan view.
  • the component of the curved electrode 14 is a semiconductor of a different type from the semiconductor portion 12, and is p-type Si in which Si is doped with a specific dopant such as boron.
  • the component of the curved electrode 14 is p+Si.
  • the plurality of curved electrodes 14 are substantially concentric, and the signal output electrode 15 is located approximately at the center of the plurality of curved electrodes 14. That is, the plurality of curved electrodes 14 surround the signal output electrode 15, and the distances between the signal output electrode 15 and each curved electrode 14 are different.
  • the shape of the curved electrode 14 may be a ring other than a circular ring, and the multiple curved electrodes 14 may not be concentric.
  • the shape of the curved electrode 14 may be a shape in which a part of the ring is missing.
  • the signal output electrode 15 may be arranged at a position other than the center of the multiple curved electrodes 14.
  • the radiation detection element 1 may have a plurality of sets of signal output electrodes 15, a plurality of curved electrodes 14, and electrode layers 13.
  • the innermost curved electrode 14 and the outermost curved electrode 14 are connected to the voltage application section 33.
  • a voltage is applied to the plurality of curved electrodes 14 from the voltage application unit 33 such that the innermost curved electrode 14 has the highest potential and the outermost curved electrode 14 has the lowest potential.
  • the radiation detection element 1 is configured such that a predetermined electrical resistance is generated between adjacent curved electrodes 14 that are different in distance from the signal output electrode 15 . For example, by adjusting the components of the portion located between adjacent curved electrodes 14, an electrical resistance channel to which two curved electrodes 14 are connected is formed. That is, the plurality of curved electrodes 14 are connected in a daisy chain via electrical resistance.
  • each curved electrode 14 has a potential that monotonically increases from the outer curved electrode 14 to the inner curved electrode 14. That is, the potential of the curved electrode 14 increases sequentially from the curved electrode 14 farther from the signal output electrode 15 to the curved electrode 14 closer to the signal output electrode 15.
  • the plurality of curved electrodes 14 may include a pair of adjacent curved electrodes 14 having the same potential.
  • an electric field (potential gradient) is generated in the semiconductor section 12 in which the potential is higher as the potential is closer to the signal output electrode 15 and lower as the potential is farther from the signal output electrode 15. .
  • the electrode layer 13 is connected to a voltage application section 33. A voltage is applied to the electrode layer 13 from the voltage application unit 33 so that the potential of the electrode layer 13 is between the innermost curved electrode 14 and the outermost curved electrode 14 . In this way, an electric field is generated inside the semiconductor section 12, the potential of which increases as it approaches the signal output electrode 15.
  • X-rays are irradiated from the irradiation unit 41 to the sample 6, and fluorescent X-rays are generated in the sample 6 and enter the radiation detector 2.
  • Radiation consisting of fluorescent X-rays mainly passes through the entrance 221 and enters the inside of the radiation detector 2 .
  • a part of the radiation that has entered the inside of the radiation detector 2 is blocked by the collimator 24.
  • Radiation that is not blocked by the collimator 24 enters the radiation detection element 1.
  • the radiation that has entered the radiation detection element 1 enters the semiconductor section 12 .
  • the radiation incident on the semiconductor section 12 is absorbed within the semiconductor section 12, and an amount of charge corresponding to the energy of the absorbed radiation is generated within the semiconductor section 12.
  • the charges generated are electrons and holes.
  • the generated charges are moved by the electric field inside the semiconductor section 12, and one type of charge flows into the signal output electrode 15 in a concentrated manner.
  • electrons generated by the incidence of radiation move and flow into the signal output electrode 15.
  • the charge flowing into the signal output electrode 15 is output as a current signal.
  • the signal output electrode 15 is connected to the preamplifier 21.
  • the signal output from the signal output electrode 15 is input to the preamplifier 21.
  • Preamplifier 21 converts the current signal into a voltage signal.
  • the preamplifier 21 outputs a signal whose intensity corresponds to the energy of the radiation.
  • Preamplifier 21 is connected to signal processing section 34 .
  • the radiation detector 2 When the preamplifier 21 outputs a signal, the radiation detector 2 outputs a signal with an intensity corresponding to the energy of the radiation.
  • the signal processing unit 34 receives the signal output from the radiation detector 2 and detects the signal value corresponding to the energy of the radiation detected by the radiation detector 2 by detecting the intensity of the signal.
  • the signal processing unit 34 counts signals by signal value and outputs data indicating the relationship between the signal value and the count number to the analysis unit 35.
  • the analysis unit 35 receives data indicating the relationship between the signal value and the count number output by the signal processing unit 34.
  • the analysis section 35 generates a spectrum of the radiation incident on the radiation detector 2 based on the data from the signal processing section 34 . Since the signal value corresponds to the energy of the radiation and the count number corresponds to the number of times the radiation was detected, the spectrum of the radiation can be obtained from the relationship between the signal value and the count number.
  • a spectrum shows the relationship between energy and intensity of radiation. Since the radiation incident on the radiation detector 2 is fluorescent X-rays generated from the sample 6, a spectrum of the fluorescent X-rays generated from the sample 6 can be obtained.
  • the process of counting the signals output by the radiation detector 2 by signal value may be performed by the analysis unit 35 instead of the signal processing unit 34.
  • the generation of the radiation spectrum may be performed by the signal processing unit 34.
  • the analysis unit 35 stores spectrum data representing the spectrum of fluorescent X-rays.
  • the signal processing section 34 and the analysis section 35 correspond to a spectrum generation section.
  • the display unit 36 displays the spectrum of fluorescent X-rays. The user can check the spectrum of fluorescent X-rays from the sample 6.
  • the analysis unit 35 may further perform information processing based on the spectrum of fluorescent X-rays. For example, the analysis unit 35 performs qualitative or quantitative analysis of elements contained in the sample 6 based on the spectrum of fluorescent X-rays from the sample 6.
  • the radiation detection element 1 detects fluorescent X-rays that have passed through the entrance port 221 that is not blocked by the window material.
  • the linear path of the fluorescent X-rays from the sample 6 to the radiation detection element 1 via the entrance port 221 is not blocked by an object such as a window material. Since the detected fluorescent X-rays do not need to pass through the window material, the radiation detection device 10 can detect fluorescent X-rays that cannot pass through the window material due to their low energy. Therefore, the radiation detection device 10 can detect low-energy fluorescent X-rays generated from the sample 6, and can analyze the sample 6 based on the low-energy fluorescent X-rays. For example, qualitative or quantitative analysis of light elements contained in the sample 6 is possible. On the other hand, photoelectrons can easily enter the radiation detector 2 through the entrance port 221 .
  • the radiation detector 2 includes a magnetic field generating section 23.
  • the magnetic field generator 23 generates a magnetic field in at least a portion of the space from the entrance 221 to the radiation detection element 1 .
  • Photoelectrons generated from the sample 6 enter the radiation detector 2 through the entrance port 221 and move in the space from the entrance port 221 to the radiation detection element 1 .
  • Charged particles moving in a magnetic field experience Lorentz forces.
  • the moving direction of photoelectrons moving in the space from the entrance port 221 to the radiation detection element 1 is bent by the Lorentz force.
  • the photoelectrons whose moving direction has been bent collide with the magnetic field generating section 23 or the collimator 24.
  • the magnet included in the magnetic field generating section 23 is coated with a substance made of an element having a smaller atomic number than the elements constituting the magnet. At least the mutually opposing surfaces of the plurality of magnets facing each other with a space between them from the entrance port 221 to the radiation detection element 1 are coated.
  • the magnet is a neodymium magnet
  • the surface of the neodymium magnet is coated with nickel
  • the nickel is coated with aluminum
  • the aluminum is coated with carbon.
  • the fluorescent X-rays from the sample 6 are incident on the magnet, another fluorescent X-ray is generated from the magnet. Further, the photoelectrons whose moving direction is bent collide with the magnet included in the magnetic field generating section 23. Characteristic X-rays are generated from the magnet that the photoelectrons collide with.
  • the spectrum of the fluorescent X-rays from the sample 6 includes a system peak resulting from the X-rays generated from the magnet. Since the surface of the magnet is coated, the X-rays generated from the magnet are absorbed by the material coating the magnet and are difficult to enter the radiation detection element 1 .
  • the material coating the magnet also generates fluorescent X-rays by absorbing the X-rays from the magnet. However, since the material coating the magnet has a lower atomic number, the generated fluorescent X-rays have less energy, less intensity, and a smaller system peak. Therefore, the coating reduces system peaks due to fluorescent X-rays from the magnet.
  • the distance between the plurality of magnets facing each other with a space between them from the entrance port 221 to the radiation detection element 1 changes along the direction from the entrance port 221 to the radiation detection element 1.
  • the intervals between the plurality of magnets become narrower as they approach the entrance port 221, and become wider as they approach the radiation detection element 1.
  • the plurality of magnets are arranged at an angle to each other so that the closer they are to the radiation detection element 1, the wider the distance between them.
  • the fluorescent X-rays When the fluorescent X-rays are incident on the magnet, they do not enter the radiation detection element 1 and are not detected. Fluorescent X-rays generated in the sample 6 are generated radially. That is, the fluorescent X-rays spread as they get farther from the sample 6, and spread as they get closer to the radiation detection element 1. Since the spacing between the plurality of magnets becomes wider as it approaches the radiation detection element 1, even if the fluorescent X-rays spread as they approach the radiation detection element 1, the fluorescent The probability of incidence increases. Therefore, the probability that fluorescent X-rays will be detected increases. Therefore, the radiation detection device 10 can detect fluorescent X-rays from the sample 6 with high efficiency. The angles at which the plurality of magnets are inclined to each other are determined according to the distance from the sample 6 placed on the sample stage 61 to the radiation detection element 1 so that the fluorescent X-rays can enter the radiation detection element 1 as much as possible. It may be.
  • the material of the block 22 is ferromagnetic. If the material of the block 22 is not ferromagnetic, the magnetic field generated by the magnetic field generator 23 will leak to the outside of the block 22 and have an adverse effect on the outside of the block 22. For example, when the sample 6 is a magnetic material, the sample 6 is attracted to the magnetic field generating section 23 by the magnetic field. In this embodiment, since the material of the block 22 is a ferromagnetic material, the magnetic field is shielded by the block 22 and does not leak to the outside of the block 22, so that the magnetic field does not have an adverse effect on the outside of the block 22. For example, the sample 6 is not attracted to the block 22, and a magnetic material can be used as the sample 6.
  • the block 22 has a shape that blocks the light from the illumination part 51 so that it is difficult for the light from the illumination part 51 to directly enter the radiation detection element 1 . More specifically, inside the radiation detection device 10, the shape and position of the block 22 are determined such that a part of the block 22 is located on a line connecting the entrance surface 11 of the radiation detection element 1 and the illumination section 51. ing.
  • the block 22 is arranged on the linear path of light from the illumination section 51 to the radiation detection element 1, and blocks the light linearly irradiated from the illumination section 51 to the radiation detection element 1. Therefore, light from the illumination section 51 is suppressed from entering the radiation detection element 1.
  • the block 22 prevents light from the illumination section 51 from entering the radiation detection element 1 . Therefore, the amount of current generated in the radiation detection element 1 due to the light from the illumination section 51 is small, and occurrence of problems due to an increase in the current signal is suppressed. Therefore, malfunctions of the radiation detection device 10 are suppressed.
  • the block 22 is integrally formed, there are fewer gaps in the housing of the radiation detector 2 than in conventional radiation detectors. Therefore, it is difficult for light to enter the inside of the radiation detector 2 from portions other than the entrance port 221. Since it is difficult for light to enter the inside of the radiation detector 2, the incidence of light into the radiation detection element 1 is further suppressed.
  • the block 22 and the magnetic field generating section 23 are subjected to anti-reflection processing to prevent reflection of illumination light for illuminating the sample 6.
  • the surface color of the block 22 and the magnetic field generating section 23 is black.
  • the surface of the ferromagnetic material is coated with nickel, the nickel is coated with aluminum, and the aluminum is coated with carbon, so that the surface color is black.
  • the surface of the magnetic field generating section 23 is also blackened by carbon.
  • the aluminum surface may be subjected to an alumite treatment to provide antireflection treatment.
  • the surfaces of the block 22 and the magnetic field generating section 23 are rough so that light is scattered.
  • the block 22 and the magnetic field generation section 23 are treated with anti-reflection treatment, so that the illumination light can be prevented. Light is difficult to reflect, and it is difficult for the illumination light to reach the radiation detection element 1. Therefore, the incidence of light into the radiation detection element 1 is further suppressed.
  • the incidence of photoelectrons and illumination light on the radiation detection element 1 is suppressed.
  • the incidence of photoelectrons on the radiation detection element 1 deterioration in the sensitivity with which the radiation detection device 10 detects fluorescent X-rays from the sample 6 is suppressed.
  • the incidence of illumination light on the radiation detection element 1 malfunctions of the radiation detection device 10 are suppressed. Therefore, the radiation detection device 10 can stably detect fluorescent X-rays.
  • the radiation detection element 1 may be polygonal in plan view.
  • the radiation detection element 1 is rectangular in plan view
  • the magnetic field generation section 23 includes two flat magnets arranged to face each other.
  • the two magnets are arranged substantially parallel to the long side of the radiation detection element 1, with the space from the entrance 221 to the radiation detection element 1 sandwiched therebetween. Due to the arrangement in which the two magnets are substantially parallel to the long side of the radiation detection element 1, compared to other arrangements, such as an arrangement in which the two magnets are substantially parallel to the short side of the radiation detection element 1,
  • the distance between the two magnets can be reduced without changing the area on which radiation is incident. The smaller the distance between the two magnets, the stronger the magnetic field.
  • the moving direction of the photoelectrons changes more greatly, making it more difficult for the photoelectrons to enter the radiation detection element 1. Therefore, the incidence of photoelectrons on the radiation detection element 1 is more reliably suppressed.
  • the block 22 and the magnetic field generation section 23 are included in the radiation detector 2, but the block 22 and the magnetic field generation section 23 may be arranged outside the radiation detector 2.
  • the radiation detector 2 includes a housing that does not include the block 22, and the housing has an opening that is not covered with a window material, and the fluorescent X-rays that have passed through the opening are transmitted to the radiation detection element 1.
  • Detected in The magnetic field generation section 23 is arranged at a position between the sample 6 and the radiation detector 2, and the block 22 is arranged at a position to block the light linearly irradiated from the illumination section 51 to the radiation detection element 1. has been done. In this form as well, the incidence of photoelectrons and illumination light on the radiation detection element 1 is suppressed.
  • the radiation detection element 1 may be made of a semiconductor other than Si.
  • the semiconductor portion 12 is made of an n-type semiconductor
  • the electrode layer 13 and the curved electrode 14 are made of a p-type semiconductor.
  • the electrode layer 13 and the curved electrode 14 may be made of an n-type semiconductor.
  • the radiation detection element 1 is a silicon drift type radiation detection element, but the radiation detection element 1 may be a semiconductor element other than a silicon drift type radiation detection element. Therefore, the radiation detector 2 may be a radiation detector other than the SDD.
  • the radiation detector 2 is provided with the collimator 24, but the radiation detector 2 may be provided without the collimator 24.
  • the radiation detection device 10 includes the X-ray optical element 42, but the radiation detection device 10 may not include the X-ray optical element 42.
  • the radiation detection device 10 may use a radiation detection element 1 other than a semiconductor element.
  • Radiation detection device 1 Radiation detection element 12 Semiconductor section 2 Radiation detector 22 Block 221 Incident port 23 Magnetic field generation section 41 Irradiation section 51 Illumination section 6 Sample

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Abstract

放射線検出素子への光電子及び照明光の入射を抑制した放射線検出装置及び放射線検出器を提供する。　試料を照明する照明部と、前記試料へＸ線を照射する照射部と、前記試料から発生したＸ線を検出する放射線検出素子とを備える放射線検出装置は、前記試料から前記放射線検出素子までの空間の一部に磁界を発生させる磁界発生部と、前記磁界発生部を保持するブロックとを備える。前記ブロックは、前記照明部から前記放射線検出素子への光を遮蔽する位置に配置されている。

Description

放射線検出装置及び放射線検出器
　本発明は、蛍光Ｘ線を検出するための放射線検出装置及び放射線検出器に関する。
　蛍光Ｘ線分析は、Ｘ線を試料へ照射し、試料から発生する蛍光Ｘ線を検出し、蛍光Ｘ線のスペクトルから試料を分析する手法である。蛍光Ｘ線を検出するための放射線検出素子は、例えば、半導体を用いた素子である。Ｘ線を照射された試料からは、蛍光Ｘ線以外に光電子が発生する。光電子が放射線検出素子へ入射した場合は、蛍光Ｘ線検出の感度が悪化する。そこで、光電子への対策が必要となる。特許文献１には、電子顕微鏡において、Ｘ線を検出するための放射線検出素子への二次電子の入射を防止する技術が開示されている。
特開２０１９－３３０８０号公報
　蛍光Ｘ線分析では、試料を照明し、試料の観察を行う。試料を照明するための照明光が放射線検出素子へ入射した場合は、放射線検出素子に電流が発生し、放射線検出素子を備える放射線検出装置に不具合が発生することがある。
　本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、放射線検出素子への光電子及び照明光の入射を抑制した放射線検出装置及び放射線検出器を提供することにある。
　本発明の一形態に係る放射線検出装置は、試料を照明する照明部と、前記試料へＸ線を照射する照射部と、前記試料から発生したＸ線を検出する放射線検出素子とを備える放射線検出装置において、前記試料から前記放射線検出素子までの空間の一部に磁界を発生させる磁界発生部と、前記磁界発生部を保持するブロックとを備え、前記ブロックは、前記照明部から前記放射線検出素子への光を遮蔽するように配置されていることを特徴とする。
　本発明の一形態においては、蛍光Ｘ線を検出する放射線検出装置は、試料から放射線検出素子までの空間の一部に磁界を発生させる磁界発生部を備える。試料から発生した光電子の移動方向は、磁界によって曲げられ、光電子は放射線検出素子へ入射し難い。従って、放射線検出素子へ光電子が入射することが抑制される。また、放射線検出装置は、磁界発生部を保持するブロックを備える。ブロックは、照明部から放射線検出素子への光を遮蔽し、光が放射線検出素子へ入射し難い。このため、試料を照明する照明光の放射線検出素子への入射が抑制される。
　本発明の一形態に係る放射線検出装置では、前記磁界発生部及び前記ブロックは反射防止加工がなされていることを特徴とする。
　本発明の一形態においては、ブロック及び磁界発生部は反射防止加工がなされているので、光はブロック及び磁界発生部で反射し難く、放射線検出素子へ到達し難い。このため、光が放射線検出素子へ入射することがより抑制される。
　本発明の一形態に係る放射線検出装置では、前記磁界発生部は、磁石を含んでおり、前記磁石は、前記磁石に含まれる元素よりも原子番号が小さい元素からなる物質でコーティングされていることを特徴とする。
　本発明の一形態においては、磁界発生部は磁石を含んでおり、磁石は、磁石を構成する物質よりも原子番号が小さい物質でコーティングされている。Ｘ線の入射又は光電子の衝突により磁石から発生するＸ線は、磁石をコーティングしている物質に吸収され、放射線検出素子へ入射し難い。磁石をコーティングしている物質から発生する蛍光Ｘ線は、よりエネルギーが小さくなり、より強度も小さくなる。このため、磁石からの蛍光Ｘ線に起因するシステムピークが低減される。
　本発明の一形態に係る放射線検出装置では、前記磁界発生部は、前記試料から前記放射線検出素子までの空間の一部を間に挟んで対向する複数の磁石を含んでおり、前記複数の磁石の間の間隔は、前記試料から前記放射線検出素子へ向かう方向に沿って変化し、前記放射線検出素子に近づくほど広がっていることを特徴とする。
　本発明の一形態においては、磁界発生部は対向する複数の磁石を含んでおり、複数の磁石の間の間隔は、試料から放射線検出素子へ向かって広がっている。試料から発生した蛍光Ｘ線は、放射線検出素子へ近づくほど広がる。複数の磁石の間の間隔が放射線検出素子に近づくほど広くなっていることにより、蛍光Ｘ線が磁石へ入射せずに放射線検出素子へ入射する確率が高くなり、蛍光Ｘ線が検出される確率が高くなる。
　本発明の一形態に係る放射線検出装置では、前記ブロックは、内部に空間を有しており、前記磁界発生部は、前記ブロックの内部に配置されており、前記ブロックの材料は強磁性体であることを特徴とする。
　本発明の一形態においては、磁界発生部はブロックの内部に配置されており、ブロックの材料は磁性体である。磁界発生部から発生した磁界はブロックによって遮蔽される。磁界がブロックの外部へ漏洩することはないので、磁界がブロックの外部へ悪影響を及ぼすことはない。
　本発明の一形態に係る放射線検出装置は、前記試料から前記放射線検出素子までの直線経路が塞がれていないことを特徴とする。
　本発明の一形態においては、試料から放射線検出素子までの直線経路が、窓材を有する窓等の物体によって塞がれていない。蛍光Ｘ線は、窓材等を透過せずに放射線検出素子へ入射し、検出される。放射線検出装置は、エネルギーが低いために窓材を透過することができない放射線を検出することができる。
　本発明の一形態に係る放射線検出装置は、前記放射線検出素子を用いて検出した放射線のスペクトルを生成するスペクトル生成部と、前記スペクトル生成部が生成したスペクトルを表示する表示部とを更に備えることを特徴とする。
　本発明の一形態においては、試料から発生する蛍光Ｘ線のスペクトルを生成し、生成したスペクトルを表示部に表示する。使用者は、試料から発生した蛍光Ｘ線のスペクトルを確認することができる。
　本発明の一形態に係る放射線検出器は、蛍光Ｘ線を検出するための放射線検出器において、内部に空間を有するブロックと、前記ブロックに形成されており、前記蛍光Ｘ線が入射する入射口と、前記入射口に対向した放射線検出素子と、前記ブロックの内部に配置されており、前記入射口から前記放射線検出素子までの空間に磁界を発生させる磁界発生部とを備え、前記入射口は塞がれておらず、前記入射口から前記放射線検出素子までの直線経路が塞がれていないことを特徴とする。
　本発明の一形態においては、蛍光Ｘ線を検出する放射線検出器は、ブロックと、入射口から放射線検出素子までの空間の一部に磁界を発生させる磁界発生部を備える。入射口から放射線検出器の内部へ侵入した光電子の移動方向は、磁界によって曲げられ、放射線検出素子へ光電子が入射することが抑制される。また、ブロックは放射線検出器の外部からの光を遮蔽し、光が放射線検出素子へ入射し難い。このため、試料を照明する照明光の放射線検出素子への入射が抑制される。
　本発明にあっては、放射線検出素子への光電子及び照明光の入射が抑制されることによって、放射線検出の感度の悪化が抑制され、放射線検出装置の不具合が抑制される等、優れた効果を奏する。
放射線検出装置の機能構成例を示すブロック図である。 放射線検出器の内部の構成の例を示す模式的断面図である。 放射線検出素子及びコリメータを示す模式的断面図である。
　以下本発明をその実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。
　図１は、放射線検出装置１０の機能構成例を示すブロック図である。放射線検出装置１０は、例えば蛍光Ｘ線分析装置である。試料６が載置される試料台６１と、試料６にＸ線を照射する照射部４１と、Ｘ線を収束するＸ線光学素子４２と、放射線検出器２とを備えている。試料６は、載置以外の方法で保持されてもよい。照射部４１は、例えばＸ線管である。Ｘ線光学素子４２は、例えば、入射されたＸ線を内部で反射させながら導光するＸ線導管を用いたモノキャピラリレンズ、又は複数のＸ線導管を用いたポリキャピラリレンズである。照射部４１はＸ線を放射し、Ｘ線光学素子４２は、照射部４１が放射したＸ線を入射され、Ｘ線を収束し、集束したＸ線を、試料台６１に載置された試料６へ照射する。Ｘ線を照射された試料６では、蛍光Ｘ線が発生し、放射線検出器２は試料６から発生した蛍光Ｘ線を検出する。図中には、Ｘ線及び蛍光Ｘ線を矢印で示している。なお、放射線検出装置１０は、試料台６１に載置させる方法以外の方法で試料６を保持する形態であってもよい。
　放射線検出装置１０は、試料６を照明する照明部５１と、ミラー４４と、撮影部５２と、Ｘ線光学素子４２及びミラー４４の位置を切り替える切替ステージ４３とを備えている。照明部５１は、ＬＥＤ（light-emitting diode）等の光源を有し、光源の点灯及び消灯を行うことが可能である。光源が点灯することによって、試料６を照明するための照明光が発生する。照明部５１は、試料台６１に載置された試料６を照明する。撮影部５２は、照明部５１によって照明された試料６を撮影する。例えば、撮影部５２は、光学系と撮像素子とを有する。
　切替ステージ４３は、Ｘ線光学素子４２及びミラー４４が取り付けられており、移動することによって、Ｘ線光学素子４２及びミラー４４の位置を変更することができる。切替ステージ４３には、切替ステージ４３を移動させる駆動部３２が連結されている。駆動部３２は、例えば、モータを用いて構成されている。駆動部３２の動作により、切替ステージ４３が移動し、Ｘ線光学素子４２及びミラー４４の位置が変更される。切替ステージ４３は、図１に示す如く、Ｘ線光学素子４２を、照射位置に位置決めすることができる。照射位置は、照射部４１からのＸ線がＸ線光学素子４２へ入射され、Ｘ線光学素子４２から出射したＸ線が試料６へ照射されることになる位置である。
　切替ステージ４３は、Ｘ線光学素子４２及びミラー４４の位置を変更し、ミラー４４を撮影位置に位置決めすることができる。撮影位置は、撮影位置にあるときのミラー４４の光軸と照射位置にあるときのＸ線光学素子４２の光軸とがほぼ同軸になる位置である。撮影位置にあるときのミラー４４は、Ｘ線の照射軸上に位置する。照明部５１からの光は試料６で反射する。撮影位置にあるミラー４４は、試料６からの光を反射し、撮影部５２へ入射させる。撮影部５２は、入射した光を利用して、試料６を撮影する。
　放射線検出器２には、放射線検出素子１及びプリアンプ２１が含まれている。プリアンプ２１は、一部が放射線検出器２の内部に含まれ他の部分が放射線検出器２の外部に配置されていてもよい。放射線検出器２には、信号処理部３４と、放射線検出素子１に放射線検出のために必要な電圧を印加する電圧印加部３３とが接続されている。信号処理部３４には、分析部３５が接続されている。分析部３５はコンピュータを用いて構成されている。分析部３５には、液晶ディスプレイ又はＥＬディスプレイ（Electroluminescent Display）等の表示部３６が接続されている。
　駆動部３２、電圧印加部３３、信号処理部３４、分析部３５、表示部３６、照射部４１、照明部５１及び撮影部５２は、制御部３１に接続されている。制御部３１は、駆動部３２、電圧印加部３３、信号処理部３４、分析部３５、表示部３６、照射部４１、照明部５１及び撮影部５２の動作を制御する。制御部３１は、各部を制御するための演算を実行する演算部を含んだコンピュータを用いて構成されている。制御部３１は、使用者の操作を受け付け、受け付けた操作に応じて放射線検出装置１０の各部を制御する構成であってもよい。制御部３１及び分析部３５は、一体に構成されていてもよい。
　制御部３１は、駆動部３２を制御して、切替ステージ４３を移動させ、ミラー４４を撮影位置に位置決めする。ミラー４４が撮影位置にある状態で、制御部３１は、照明部５１を点灯させる。試料６は照明部５１からの光で照明され、撮影部５２は、試料６を撮影する。撮影部５２は、試料６の撮影画像を生成し、制御部３１へ送信する。制御部３１は、撮影画像を表示部３６に表示させる。使用者は、撮影画像を目視することにより、試料６を観察する。また、制御部３１は、駆動部３２を制御して、切替ステージ４３を移動させ、Ｘ線光学素子４２を照射位置に位置決めする。Ｘ線光学素子４２が照射位置にある状態で、制御部３１は、照射部４１にＸ線を発生させる。照射部４１からのＸ線は、Ｘ線光学素子４２を通り、試料６へ照射される。
　図２は、放射線検出器２の内部の構成の例を示す模式的断面図である。放射線検出器２は、ＳＤＤ（Silicon Drift Detector）である。放射線検出器２は、円筒部２９１と、円筒部２９１の一端に被さって連結したブロック２２と、円筒部２９１の他端を塞いだ底板部２９２とを備えている。ブロック２２、円筒部２９１及び底板部２９２は、放射線検出器２のハウジングを構成している。放射線検出器２の他の構成部分はハウジングの内部に配置されている。ブロック２２は、鉄等の強磁性体で一体に構成されている。ブロック２２の形状は、接頭錐体である。ブロック２２の先端には、放射線検出器２で検出されるための蛍光Ｘ線が入射する入射口２２１が形成されている。入射口２２１は、ブロック２２の外側の表面からブロック２２の内部の空間にまで繋がった開口部である。入射口２２１には窓材を有する窓は設けられておらず、入射口２２１は塞がれていない。ブロック２２は、一体に形成されている。ブロック２２には、内部の空間に繋がる隙間は、入射口２２１以外には形成されていない。
　ブロック２２、円筒部２９１及び底板部２９２で構成されるハウジングの内部には、放射線検出素子１、磁界発生部２３、コリメータ２４、回路基板２５、冷却部２６、伝熱部２７及びリードピン２８が配置されている。冷却部２６は例えばペルチェ素子である。放射線検出素子１は、回路基板２５の表面に実装されており、入射口２２１に対向する位置に配置されている。コリメータ２４は、両端が開口した筒状であり、Ｘ線を遮蔽する材料で構成されている。コリメータ２４は、放射線検出素子１と入射口２２１との間に配置されている。コリメータ２４の一端は入射口２２１に対向しており、他端は放射線検出素子１の表面に対向している。入射口２２１を通過して蛍光Ｘ線がブロック２２の内部へ入射し、コリメータ２４は、蛍光Ｘ線の一部を遮蔽する。放射線検出素子１は、コリメータ２４で遮蔽されずに入射した蛍光Ｘ線を検出する。入射口２２１から放射線検出素子１までの蛍光Ｘ線の直線経路は、塞がれていない。また、試料６から放射線検出器２までの蛍光Ｘ線の直線経路は、塞がれていない。従って、試料６から入射口２２１を経由して放射線検出素子１までの蛍光Ｘ線の直線経路は、窓材を有する窓等の物体によって塞がれていない。
　入射口２２１とコリメータ２４との間には、磁界発生部２３が配置されている。磁界発生部２３がブロック２２の内部の空間に配置されている。磁界発生部２３はブロック２２に装着されている。磁界発生部２３がブロック２２に装着されていることによって、ブロック２２は磁界発生部２３を保持している。磁界発生部２３は、ブロック２２の内部の空間に、複数の磁石が互いに対向するように配置されることによって、構成されている。磁石によって、磁界発生部２３は、ブロック２２の内部の空間の一部に磁界を発生させる。磁界発生部２３が用いている磁石は、永久磁石であってもよく、電磁石であってもよい。例えば、磁石がブロック２２に磁着するか又は接着されることによって、磁界発生部２３はブロック２２に装着されている。磁界発生部２３は、入射口２２１から放射線検出素子１までの空間の少なくとも一部に電界が発生するように、配置されている。具体的には、磁界発生部２３に含まれる複数の磁石は、入射口２２１から放射線検出素子１までの空間を間に挟んで対向している。磁界発生部２３によって、入射口２２１から放射線検出素子１までの空間の少なくとも一部に磁界が発生する。従って、試料６から放射線検出素子１までの空間の一部に磁界が発生する。
　回路基板２５には、回路が形成されており、プリアンプ２１が実装されている。図２では、プリアンプ２１を省略している。回路基板２５に形成された回路は、放射線検出器２の外部に接続されている。電圧印加部３３による放射線検出素子１への電圧の印加と、プリアンプ２１からの信号の出力とは、回路を通じて行われる。
　回路基板２５の裏面は、直接に又は介在物を介して、冷却部２６の吸熱部分に熱的に接触している。冷却部２６の放熱部分は伝熱部２７に熱的に接触している。伝熱部２７は、冷却部２６の放熱部分が熱的に接触する平板状の部分と、底板部２９２を貫通している部分とを有している。放射線検出素子１の熱は、回路基板２５を通じて冷却部２６に吸熱され、冷却部２６から伝熱部２７へ伝わり、伝熱部２７を通じて放射線検出器２の外部へ放熱される。このようにして、放射線検出素子１は冷却される。伝熱部２７は、放射線検出器２の外部にある放熱板等の放熱機構に連結されていてもよい。伝熱部２７は、放熱機構に連結するための突出部等の放熱のための構造を有していてもよい。伝熱部２７は底板部２９２と一体になっていてもよい。放射線検出器２は伝熱部２７を供えずに底板部２９２が伝熱部２７を兼ねていてもよい。なお、放射線検出器２は、その他の構成物を更に備えていてもよい。
　図３は、放射線検出素子１及びコリメータ２４を示す模式的断面図である。放射線検出素子１は、シリコンドリフト型放射線検出素子である。放射線検出素子１は、全体的に平板状である。例えば、放射線検出素子１は、平面視で円形である。放射線検出素子１は、Ｓｉ（シリコン）からなる板状の半導体部１２を備えている。半導体部１２の成分はｎ型のＳｉである。放射線検出素子１は、検出対象の放射線が入射する入射側に位置する入射面１１と、入射面１１の裏側に位置する電極面１６とを有する。入射面１１の一部は、コリメータ２４で覆われている。放射線検出素子１は、電極面１６が回路基板２５に対向し、入射面１１が入射口２２１に対向するように、配置されている。
　半導体部１２の入射面１１側にある部分には、電極層１３が設けられている。電極層１３は、Ｓｉを半導体部１２の成分とは異なる型の半導体にするドーパントがドープされている。電極層１３の成分は、ホウ素等の特定のドーパントがＳｉにドープされたｐ型のＳｉであり、例えば、ｐ＋Ｓｉである。電極層１３は、平面視で入射面１１の中央に対応する部分を含む、入射面１１に沿った大半の領域に形成されている。例えば、電極層１３の形状は平面視で円状である。入射面１１の中でコリメータ２４で覆われていない部分に対応する領域には全て電極層１３が形成されている。入射面１１に沿った領域の周縁には、電極層１３が形成されていない部分が存在する。
　半導体部１２の電極面１６側にある部分には、放射線検出時に信号を出力する電極である信号出力電極１５が設けられている。信号出力電極１５の成分は、半導体部１２と同じ型のＳｉである。例えば、信号出力電極１５の成分は、リン等の特定のドーパントがＳｉにドープされたｎ＋Ｓｉである。また、半導体部１２の電極面１６側にある部分には、平面視で多重の環状になった複数の曲線状電極１４が設けられている。曲線状電極１４の成分は、半導体部１２とは異なる型の半導体であり、ホウ素等の特定のドーパントがＳｉにドープされたｐ型のＳｉである。例えば、曲線状電極１４の成分は、ｐ＋Ｓｉである。複数の曲線状電極１４はほぼ同心であり、複数の曲線状電極１４のほぼ中心に信号出力電極１５が位置している。即ち、複数の曲線状電極１４は信号出力電極１５を囲んでおり、信号出力電極１５と夫々の曲線状電極１４との間の距離は異なる。
　図３には四つの曲線状電極１４を示しているが、実際にはより多くの曲線状電極１４が設けられている。なお、曲線状電極１４の形状は円環以外の環であってもよく、多重の曲線状電極１４は同心でなくともよい。曲線状電極１４の形状は環の一部が欠けた形状であってもよい。信号出力電極１５は、多重の曲線状電極１４の中心以外の位置に配置されていてもよい。放射線検出素子１は、信号出力電極１５、複数の曲線状電極１４及び電極層１３の組を複数有する形態であってもよい。
　最も内側の曲線状電極１４と、最も外側の曲線状電極１４とは、電圧印加部３３に接続されている。複数の曲線状電極１４は、最も内側の曲線状電極１４の電位が最も高く、最も外側の曲線状電極１４の電位が最も低くなるように、電圧印加部３３から電圧を印加される。また、放射線検出素子１は、信号出力電極１５からの距離が互いに異なり隣接する曲線状電極１４の間に、所定の電気抵抗が発生するように構成されている。例えば、隣接する曲線状電極１４の間に位置する部分の成分を調整することで、二つの曲線状電極１４が接続される電気抵抗チャネルが形成されている。即ち、複数の曲線状電極１４は、電気抵抗を介して数珠つなぎに接続されている。電圧が印加されることによって、夫々の曲線状電極１４は、外側の曲線状電極１４から内側の曲線状電極１４に向けて順々に単調に増加する電位を有する。即ち、曲線状電極１４の電位は、信号出力電極１５に遠い曲線状電極１４から信号出力電極１５に近い曲線状電極１４へ向けて順々に増加する。なお、複数の曲線状電極１４の中に、電位が同じ隣接する一対の曲線状電極１４が含まれていてもよい。
　複数の曲線状電極１４の電位によって、半導体部１２内には、段階的に信号出力電極１５に近いほど電位が高く信号出力電極１５から遠いほど電位が低くなる電界（電位勾配）が生成される。また、電極層１３は、電圧印加部３３に接続されている。電極層１３は、電極層１３の電位が最も内側の曲線状電極１４と最も外側の曲線状電極１４との間の電位になるように、電圧印加部３３から電圧が印加される。このように、半導体部１２の内部には、信号出力電極１５に近づくほど電位が高くなる電界が生成される。
　照射部４１から試料６へＸ線が照射され、試料６では蛍光Ｘ線が発生し、放射線検出器２へ入射する。蛍光Ｘ線からなる放射線は、主に入射口２２１を通過し、放射線検出器２の内部へ入射する。放射線検出器２の内部へ入射した放射線の一部は、コリメータ２４で遮蔽される。コリメータ２４で遮蔽されなかった放射線は、放射線検出素子１へ入射する。放射線検出素子１へ入射した放射線は、半導体部１２へ入射する。
　半導体部１２へ入射した放射線は、半導体部１２内で吸収され、吸収された放射線のエネルギーに応じた量の電荷が、半導体部１２内に発生する。発生する電荷は電子及び正孔である。発生した電荷は、半導体部１２の内部の電界によって移動し、一方の種類の電荷は、信号出力電極１５へ集中して流入する。本実施形態では、放射線の入射によって発生した電子が移動し、信号出力電極１５へ流入する。信号出力電極１５へ流入した電荷は電流信号となって出力される。
　信号出力電極１５はプリアンプ２１に接続されている。信号出力電極１５が出力した信号はプリアンプ２１へ入力される。プリアンプ２１は、電流信号を電圧信号へ変換する。プリアンプ２１は、放射線のエネルギーに応じた強度の信号を出力する。プリアンプ２１は信号処理部３４に接続されている。プリアンプ２１が信号を出力することにより、放射線検出器２は、放射線のエネルギーに応じた強度の信号を出力する。信号処理部３４は、放射線検出器２が出力した信号を受け付け、信号の強度を検出することにより、放射線検出器２が検出した放射線のエネルギーに対応する信号値を検出する。信号処理部３４は、信号値別に信号をカウントし、信号値とカウント数との関係を示すデータを分析部３５へ出力する。
　分析部３５は、信号処理部３４が出力した信号値とカウント数との関係を示すデータを受け付ける。分析部３５は、信号処理部３４からのデータに基づいて、放射線検出器２へ入射した放射線のスペクトルを生成する。信号値は放射線のエネルギーに対応し、カウント数は放射線を検出した回数に対応するので、信号値とカウント数との関係から、放射線のスペクトルが得られる。スペクトルは、放射線のエネルギーと強度との関係を示す。放射線検出器２へ入射する放射線は試料６から発生した蛍光Ｘ線であるので、試料６から発生した蛍光Ｘ線のスペクトルが得られる。
　放射線検出器２が出力した信号を信号値別にカウントする処理は、信号処理部３４ではなく分析部３５で行ってもよい。放射線のスペクトルの生成は信号処理部３４で行われてもよい。分析部３５は、蛍光Ｘ線のスペクトルを表したスペクトルデータを記憶する。信号処理部３４及び分析部３５は、スペクトル生成部に対応する。表示部３６は、蛍光Ｘ線のスペクトルを表示する。使用者は、試料６からの蛍光Ｘ線のスペクトルを確認することができる。分析部３５は、更に、蛍光Ｘ線のスペクトルに基づいた情報処理を行ってもよい。例えば、分析部３５は、試料６からの蛍光Ｘ線のスペクトルに基づいて、試料６に含まれる元素の定性分析又は定量分析を行う。
　照射部４１からＸ線を照射された試料６では、蛍光Ｘ線が発生する以外に、光電子が発生する。光電子が放射線検出素子１へ入射した場合は、光電子に起因する信号が発生し、蛍光Ｘ線を検出する感度が悪化する。入射口が窓材で塞がれていた従来の放射線検出器では、光電子は、窓材で遮蔽され、放射線検出素子へ入射することは困難であった。
　本実施形態では、窓材で塞がれていない入射口２２１を通過した蛍光Ｘ線が放射線検出素子１で検出される。試料６から入射口２２１を経由して放射線検出素子１までの蛍光Ｘ線の直線経路は、窓材等の物体によって塞がれていない。検出される蛍光Ｘ線は窓材を透過する必要が無いので、放射線検出装置１０は、エネルギーが低いために窓材を透過することができない蛍光Ｘ線を検出することができる。このため、放射線検出装置１０は、試料６から発生した低エネルギーの蛍光Ｘ線を検出することが可能であり、低エネルギーの蛍光Ｘ線に基づいた試料６の分析が可能である。例えば、試料６に含まれる軽元素の定性分析又は定量分析が可能である。一方で、光電子は、入射口２２１を通り、放射線検出器２内へ容易に侵入し得る。
　図２に示したように、放射線検出器２は磁界発生部２３を備えている。磁界発生部２３によって、入射口２２１から放射線検出素子１までの空間の少なくとも一部に磁界が発生する。試料６から発生した光電子は、入射口２２１を通って放射線検出器２内へ侵入し、入射口２２１から放射線検出素子１までの空間を移動する。磁界の中を移動する荷電粒子には、ローレンツ力が発生する。入射口２２１から放射線検出素子１までの空間を移動する光電子の移動方向は、ローレンツ力によって曲げられる。移動方向が曲げられた光電子は、磁界発生部２３又はコリメータ２４に衝突する。このように、光電子は、放射線検出素子１へ向かう途中で移動方向が曲げられるので、放射線検出素子１へ入射し難くなる。従って、放射線検出素子１へ光電子が入射することが抑制され、光電子に起因する信号が低減し、蛍光Ｘ線を検出する感度の悪化が抑制される。
　磁界発生部２３に含まれる磁石は、磁石を構成する元素よりも原子番号が小さい元素からなる物質でコーティングされている。入射口２２１から放射線検出素子１までの空間を間に挟んで対向している複数の磁石の、少なくとも互いに対向した表面が、コーティングされている。例えば、磁石はネオジム磁石であり、ネオジム磁石の表面がニッケルでコーティングされており、ニッケルがアルミニウムでコーティングされており、アルミニウムがカーボンでコーティングされている。
　試料６からの蛍光Ｘ線が磁石へ入射した場合、磁石からは別の蛍光Ｘ線が発生する。また、移動方向が曲げられた光電子は、磁界発生部２３に含まれる磁石へ衝突する。光電子が衝突した磁石からは特性Ｘ線が発生する。磁石から発生したＸ線が放射線検出素子１へ入射した場合は、試料６からの蛍光Ｘ線のスペクトルに、磁石から発生したＸ線に起因するシステムピークが含まれるようになる。磁石の表面がコーティングされていることにより磁石から発生したＸ線は、磁石をコーティングしている物質に吸収され、放射線検出素子１へは入射し難い。磁石をコーティングしている物質は、磁石からのＸ線を吸収したことによって、自身も蛍光Ｘ線を発生させる。しかし、磁石をコーティングしている物質は、原子番号がより小さいので、発生する蛍光Ｘ線はよりエネルギーが小さくなり、より強度も小さくなり、システムピークも小さくなる。従って、コーティングによって、磁石からの蛍光Ｘ線に起因するシステムピークが低減される。
　磁界発生部２３では、入射口２２１から放射線検出素子１までの空間を間に挟んで対向する複数の磁石の間の間隔は、入射口２２１から放射線検出素子１へ向かう方向に沿って変化する。複数の磁石の間の間隔は、入射口２２１に近づくほど狭く、放射線検出素子１に近づくほど広くなっている。例えば、複数の磁石は、放射線検出素子１に近づくほど間隔が広くなるように、互いに傾斜して配置されている。
　蛍光Ｘ線は、磁石へ入射した場合は、放射線検出素子１へ入射せず、検出されない。試料６で発生する蛍光Ｘ線は、放射状に発生する。即ち、蛍光Ｘ線は、試料６から遠ざかるほど広がり、放射線検出素子１へ近づくほど広がる。複数の磁石の間の間隔が放射線検出素子１に近づくほど広くなっていることにより、蛍光Ｘ線は、放射線検出素子１へ近づくほど広がったとしても、磁石へ入射せずに放射線検出素子１へ入射する確率が高くなる。このため、蛍光Ｘ線が検出される確率が高くなる。従って、放射線検出装置１０は、試料６からの蛍光Ｘ線を高い効率で検出することができる。複数の磁石が互いに傾斜した角度は、蛍光Ｘ線が可及的に放射線検出素子１へ入射できるように、試料台６１に載置される試料６から放射線検出素子１までの距離に応じて定められていてもよい。
　前述したように、ブロック２２の材料は、強磁性体である。ブロック２２の材料が強磁性体ではない場合は、磁界発生部２３が発生させた磁界がブロック２２の外部へ漏洩し、ブロック２２の外部へ悪影響を及ぼす。例えば、試料６が磁性体である場合に、磁界によって試料６が磁界発生部２３へ引き寄せられる。本実施形態では、ブロック２２の材料は強磁性体であるので、磁界はブロック２２によって遮蔽され、ブロック２２の外部へ漏洩することはなく、磁界がブロック２２の外部へ悪影響を及ぼすことはない。例えば、試料６がブロック２２へ引き寄せられることはなく、磁性体を試料６として使用することができる。
　ブロック２２は、照明部５１からの光が放射線検出素子１へ直接に入射し難くなるように、照明部５１からの光を遮蔽する形状になっている。より詳しくは、放射線検出装置１０の内部で、放射線検出素子１の入射面１１と照明部５１とを結んだ線上にブロック２２の一部が存在するように、ブロック２２の形状及び位置が定められている。ブロック２２は、照明部５１から放射線検出素子１への光の直線経路上に配置されており、照明部５１から放射線検出素子１へ直線的に照射される光を遮蔽する。このため、照明部５１からの光が放射線検出素子１へ入射することが抑制される。
　照明部５１からの光が放射線検出素子１へ入射した場合は、入射した光に応じて放射線検出素子１に電流が発生し、放射線検出素子１が出力する電流信号が増加する。電流信号の増加により、プリアンプ２１の故障の発生、又は放射線検出の精度の悪化等、放射線検出装置１０に不具合が発生することがある。本実施形態では、ブロック２２によって、照明部５１からの光が放射線検出素子１へ入射することが抑制されている。このため、照明部５１からの光を原因として放射線検出素子１に発生する電流は少なく、電流信号の増加によって不具合が発生することが抑制される。従って、放射線検出装置１０の不具合が抑制される。
　ブロック２２が一体に形成されているので、放射線検出器２のハウジングには、従来の放射線検出器に比べて隙間が少ない。このため、入射口２２１以外の部分から放射線検出器２の内部へ光が浸入し難い。放射線検出器２の内部へ光が浸入し難いので、光が放射線検出素子１へ入射することがより抑制される。
　また、ブロック２２及び磁界発生部２３は、試料６を照明するための照明光の反射を防止するための反射防止加工がなされている。例えば、ブロック２２及び磁界発生部２３の表面の色は黒になっている。例えば、ブロック２２では、強磁性体の表面がニッケルでコーティングされ、ニッケルがアルミニウムでコーティングされ、アルミニウムがカーボンでコーティングされていることによって、表面の色が黒になっている。磁界発生部２３の表面も、カーボンによって黒くなっている。アルミニウムの表面がアルマイト処理されることによって、反射防止加工がなされてもよい。例えば、ブロック２２及び磁界発生部２３の表面は、光が散乱するように、粗い表面になっている。照明部５１からの照明光が試料６の表面で反射して放射線検出器２の内部へ侵入した場合であっても、ブロック２２及び磁界発生部２３に反射防止加工がなされていることによって、照明光は反射し難く、放射線検出素子１まで照明光が到達することは難しい。このため、光が放射線検出素子１へ入射することがより抑制される。
　以上のように、本実施形態では、放射線検出素子１への光電子及び照明光の入射が抑制される。放射線検出素子１への光電子の入射が抑制されることによって、放射線検出装置１０が試料６からの蛍光Ｘ線を検出する感度の悪化が抑制される。また、放射線検出素子１への照明光の入射が抑制されることによって、放射線検出装置１０の不具合が抑制される。従って、放射線検出装置１０は、安定的に蛍光Ｘ線の検出を行うことができる。
　なお、放射線検出素子１は、平面視で多角形であってもよい。例えば、放射線検出素子１は、平面視で長方形であり、磁界発生部２３は、対向して配置された二つの平板状の磁石を有する。二つの磁石は、入射口２２１から放射線検出素子１までの空間を間に挟んだ状態で、夫々に、放射線検出素子１の長辺に略平行に配置されている。二つの磁石が放射線検出素子１の長辺に略平行である配置によって、他の配置、例えば二つの磁石が放射線検出素子１の短辺に略平行である配置に比べて、放射線検出素子１へ放射線が入射する面積を変えずに二つの磁石間の距離を小さくすることができる。二つの磁石間の距離が小さくなることによって、磁界が強くなる。光電子は、移動方向がより大きく変化し、より放射線検出素子１へ入射し難くなる。従って、放射線検出素子１への光電子の入射がより確実に抑制される。
　本実施形態においては、ブロック２２及び磁界発生部２３が放射線検出器２に含まれている形態を示したが、ブロック２２及び磁界発生部２３は、放射線検出器２の外部に配置されていてもよい。例えば、放射線検出器２は、ブロック２２を含まないハウジングを備え、ハウジングには、窓材で塞がれていない開口部が形成されており、開口部を通過した蛍光Ｘ線が放射線検出素子１で検出される。磁界発生部２３は、試料６と放射線検出器２との間の位置に配置されており、ブロック２２は、照明部５１から放射線検出素子１へ直線的に照射される光を遮蔽する位置に配置されている。この形態においても、放射線検出素子１への光電子及び照明光の入射が抑制される。
　本実施形態においては、放射線検出素子１を構成する半導体がＳｉである形態を示したが、放射線検出素子１はＳｉ以外の半導体で構成された形態であってもよい。本実施形態においては、半導体部１２がｎ型の半導体からなり、電極層１３及び曲線状電極１４がｐ型の半導体からなる形態を示したが、放射線検出素子１は、半導体部１２がｐ型の半導体からなり、電極層１３及び曲線状電極１４がｎ型の半導体からなる形態であってもよい。本実施形態においては、放射線検出素子１がシリコンドリフト型放射線検出素子である形態を示したが、放射線検出素子１は、シリコンドリフト型放射線検出素子以外の半導体製の素子であってもよい。このため、放射線検出器２は、ＳＤＤ以外の放射線検出器であってもよい。
　本実施形態においては、放射線検出器２がコリメータ２４を備える形態を示したが、放射線検出器２はコリメータ２４を備えていない形態であってもよい。本実施形態においては、放射線検出装置１０がＸ線光学素子４２を備えている形態を示したが、放射線検出装置１０は、Ｘ線光学素子４２を備えていない形態であってもよい。又は、放射線検出装置１０は、半導体製の素子以外の放射線検出素子１を用いる形態であってもよい。
　本発明は上述した実施の形態の内容に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。即ち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
　各実施形態に記載した事項は相互に組み合わせることが可能である。また、請求の範囲に記載した独立請求項及び従属請求項は、引用形式に関わらず全てのあらゆる組み合わせにおいて、相互に組み合わせることが可能である。さらに、請求の範囲には他の２以上のクレームを引用するクレームを記載する形式（マルチクレーム形式）を用いているが、これに限るものではない。マルチクレームを少なくとも一つ引用するマルチクレーム（マルチマルチクレーム）を記載する形式を用いて記載してもよい。
　１０　放射線検出装置
　１　放射線検出素子
　１２　半導体部
　２　放射線検出器
　２２　ブロック
　２２１　入射口
　２３　磁界発生部
　４１　照射部
　５１　照明部
　６　試料
 

Claims (8)

  1. 　試料を照明する照明部と、前記試料へＸ線を照射する照射部と、前記試料から発生したＸ線を検出する放射線検出素子とを備える放射線検出装置において、
    　前記試料から前記放射線検出素子までの空間の一部に磁界を発生させる磁界発生部と、
    　前記磁界発生部を保持するブロックとを備え、
    　前記ブロックは、前記照明部から前記放射線検出素子への光を遮蔽するように配置されている
    　ことを特徴とする放射線検出装置。
  2. 　前記磁界発生部及び前記ブロックは反射防止加工がなされている
    　ことを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
  3. 　前記磁界発生部は、磁石を含んでおり、
    　前記磁石は、前記磁石に含まれる元素よりも原子番号が小さい元素からなる物質でコーティングされている
    　ことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。
  4. 　前記磁界発生部は、前記試料から前記放射線検出素子までの空間の一部を間に挟んで対向する複数の磁石を含んでおり、
    　前記複数の磁石の間の間隔は、前記試料から前記放射線検出素子へ向かう方向に沿って変化し、前記放射線検出素子に近づくほど広がっている
    　ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の放射線検出装置。
  5. 　前記ブロックは、内部に空間を有しており、
    　前記磁界発生部は、前記ブロックの内部に配置されており、
    　前記ブロックの材料は強磁性体である
    　ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の放射線検出装置。
  6. 　前記試料から前記放射線検出素子までの直線経路が塞がれていない
    　ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の放射線検出装置。
  7. 　前記放射線検出素子を用いて検出した放射線のスペクトルを生成するスペクトル生成部と、
    　前記スペクトル生成部が生成したスペクトルを表示する表示部と
    　を更に備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の放射線検出装置。
  8. 　蛍光Ｘ線を検出するための放射線検出器において、
    　内部に空間を有するブロックと、
    　前記ブロックに形成されており、前記蛍光Ｘ線が入射する入射口と、
    　前記入射口に対向した放射線検出素子と、
    　前記ブロックの内部に配置されており、前記入射口から前記放射線検出素子までの空間に磁界を発生させる磁界発生部とを備え、
    　前記入射口は塞がれておらず、前記入射口から前記放射線検出素子までの直線経路が塞がれていない
    　ことを特徴とする放射線検出器。
     
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