WO2022209665A1 - 高周波回路および通信装置 - Google Patents

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WO2022209665A1
WO2022209665A1 PCT/JP2022/010314 JP2022010314W WO2022209665A1 WO 2022209665 A1 WO2022209665 A1 WO 2022209665A1 JP 2022010314 W JP2022010314 W JP 2022010314W WO 2022209665 A1 WO2022209665 A1 WO 2022209665A1
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WO
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filter
terminal
band
switch
power amplifier
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PCT/JP2022/010314
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English (en)
French (fr)
Inventor
農史 小野
弘嗣 森
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving

Definitions

  • the present invention relates to high frequency circuits and communication devices.
  • front-end circuits that support multi-band and multi-mode, it is required to transmit and receive multiple high-frequency signals with low loss and high isolation.
  • Patent Document 1 discloses a receiving module (transmission circuit) having a configuration in which a plurality of filters with different passbands are connected to an antenna via a multiplexer (switch).
  • Bands specified by 3GPP (3rd Generation Partnership Project) include, for example, the first FDD (Frequency Division Duplex) band uplink operating band or downlink operating band (hereinafter referred to as the first band), other reception-only bands Bands and frequencies may overlap.
  • FDD Frequency Division Duplex
  • a filter having the first band as the passband and a filter having the other receive-only band as the passband serves as one filter (hereinafter referred to as a first filter) from the viewpoint of miniaturization of the high frequency circuit.
  • the first filter is a reception filter for the first FDD band, it is impedance-matched on the assumption that it will be used simultaneously with the transmission filter for the first FDD band (first transmission mode). Therefore, when the first filter is used as a receive filter for the other dedicated receive band (second transmission mode), if the impedance of the transmit filter for the first FDD band is opened, the impedance of the first filter will deviate. Transmission loss may increase.
  • an object of the present invention is to provide a compact high-frequency circuit and communication device capable of transmitting high-frequency signals in a plurality of transmission modes with low loss.
  • a high-frequency circuit includes a first filter having a passband including an uplink operating band of a first band for frequency division duplexing, and a passband including a downlink operating band of the first band.
  • a second filter having a band; a third filter having a passband including at least a portion of the second band; an impedance element; a common terminal; a first terminal connected to the first filter; and a third terminal connected to a third filter, switching between conduction and non-conduction between the common terminal and the first terminal, switching between conduction and non-conduction between the common terminal and the second terminal, a first switch that switches between conduction and non-conduction between the common terminal and the third terminal; and a second switch that switches between conduction and non-conduction between the common terminal and the impedance element.
  • the third band is included in the passband, the common terminal and the first terminal are in a connected state, the common terminal and the second terminal are in a connected state, and the common terminal and the third terminal are in a non-connected state.
  • the common terminal and the impedance element are in a non-connected state, the common terminal and the first terminal are in a connected state, the common terminal and the second terminal are in a connected state, and the common terminal and the third terminal are in a connected state.
  • the common terminal and the impedance element are connected, the common terminal is connected to one of the first terminal and the second terminal, and the common terminal is not connected to the other of the first terminal and the second terminal.
  • the common terminal and the impedance element are connected.
  • the present invention it is possible to provide a compact high-frequency circuit and communication device capable of transmitting high-frequency signals in a plurality of transmission modes with low loss.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating band combinations applied to the high-frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 3A is a diagram showing a first mode circuit state of the high-frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 3B is a diagram showing a second mode circuit state of the high-frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 3C is a diagram showing a third mode circuit state of the high-frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 4A is a diagram showing a first mode circuit state of the high-frequency circuit according to Modification 1 of the embodiment.
  • 4B is a diagram showing a second mode circuit state of the high-frequency circuit according to Modification 1 of the embodiment.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating band combinations applied to the high-frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 4C is a diagram illustrating a circuit state in a third mode of the high-frequency circuit according to Modification 1 of the embodiment
  • FIG. FIG. 5 is a diagram exemplifying band combinations applied to the high-frequency circuit according to Modification 1 of the embodiment.
  • FIG. 6A is a diagram showing a second mode circuit state of a high-frequency circuit according to Modification 2 of the embodiment.
  • FIG. 6B is a diagram showing a second mode circuit state of the high-frequency circuit according to Modification 3 of the embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a second mode circuit state of the high-frequency circuit according to Modification 4 of the embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram that has been appropriately emphasized, omitted, or adjusted in proportion to show the present invention, and is not necessarily strictly illustrated, and the actual shape, positional relationship, and ratio are different. may differ.
  • substantially the same configurations are denoted by the same reference numerals, and redundant description may be omitted or simplified.
  • connection means not only direct connection with connection terminals and/or wiring conductors, but also electrical connection via other circuit elements.
  • connected between A and B means connected to A and B on a path connecting A and B.
  • transmission path refers to a transmission line composed of a wiring through which a high-frequency transmission signal propagates, an electrode directly connected to the wiring, and a terminal directly connected to the wiring or the electrode. It means that there is
  • receiving path means a transmission line composed of a wiring through which a high-frequency received signal propagates, an electrode directly connected to the wiring, and a terminal directly connected to the wiring or the electrode. do.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency circuit 1 and a communication device 5 according to the first embodiment.
  • a communication device 5 includes a high frequency circuit 1, an antenna 2, and an RF signal processing circuit (RFIC) 3.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • the high frequency circuit 1 transmits high frequency signals between the antenna 2 and the RFIC 3 .
  • a detailed circuit configuration of the high-frequency circuit 1 will be described later.
  • the antenna 2 is connected to the antenna connection terminal 100 of the high frequency circuit 1, transmits a high frequency signal output from the high frequency circuit 1, and receives a high frequency signal from the outside and outputs it to the high frequency circuit 1.
  • the RFIC 3 is an example of a signal processing circuit that processes high frequency signals. Specifically, the RFIC 3 performs signal processing such as down-conversion on the high-frequency received signal input via the receiving path of the high-frequency circuit 1, and converts the received signal generated by the signal processing to a baseband signal processing circuit ( BBIC: not shown). Further, the RFIC 3 performs signal processing such as up-conversion on the transmission signal input from the BBIC, and outputs the high-frequency transmission signal generated by the signal processing to the transmission path of the high-frequency circuit 1 . The RFIC 3 also has a control section that controls the switches and amplifiers of the high-frequency circuit 1 . Some or all of the functions of the RFIC 3 as a control section may be implemented outside the RFIC 3, for example, in the BBIC or the high frequency circuit 1. FIG.
  • the antenna 2 is not an essential component in the communication device 5 according to the present embodiment.
  • the high frequency circuit 1 includes filters 11, 12 and 20, a low noise amplifier 30, a power amplifier 40, switches 60, 61 and 62, a matching circuit 50, an antenna connection terminal 100, A high frequency output terminal 110 and a high frequency input terminal 120 are provided.
  • the antenna connection terminal 100 is connected to the antenna 2.
  • a high frequency input terminal 120 is a terminal for receiving a high frequency transmission signal from the outside of the high frequency circuit 1 .
  • a high-frequency output terminal 110 is a terminal for providing a high-frequency received signal to the outside of the high-frequency circuit 1 .
  • Filter 11 is an example of a second filter and has a passband that includes the first downlink operating band of the first band for frequency division duplexing (FDD). Filter 11 is connected to antenna connection terminal 100 via switch 60 .
  • FDD frequency division duplexing
  • Filter 12 is an example of a first filter and has a passband that includes the first uplink operating band of the first band for FDD. Filter 12 is connected to antenna connection terminal 100 via switch 60 .
  • one of the filters 11 and 12 includes the third band in the passband.
  • the third band overlaps at least a portion of the first downlink operating band and the first uplink operating band.
  • the filters 11 and 12 may constitute a duplexer that passes the transmission signal and reception signal of the first band.
  • the filter 20 is an example of a third filter and has a passband that includes at least part of the second band. Filter 20 is connected to antenna connection terminal 100 via switch 60 .
  • Power amplifier 40 is an example of a first power amplifier, and can amplify high-frequency transmission signals (hereinafter referred to as transmission signals) of first, second, and third bands input from high-frequency input terminal 120. .
  • Power amplifier 40 is connected between high frequency input terminal 120 and switch 62 .
  • the low-noise amplifier 30 is an example of a first low-noise amplifier, and amplifies the first and third band high-frequency received signals (hereinafter referred to as received signals) input from the antenna connection terminal 100 .
  • Low noise amplifier 30 is connected between high frequency output terminal 110 and switch 61 .
  • each of the 1st band, the 2nd band and the 3rd band is for a communication system constructed using radio access technology (RAT: Radio Access Technology). (Electrical and Electronics Engineers), etc.).
  • RAT Radio Access Technology
  • 5G (5th Generation)-NR New Radio
  • WLAN Wireless Local Area Network
  • the first band consists of a first downlink operating band and a first uplink operating band.
  • the second band consists of a second downlink operating band and a second uplink operating band.
  • the third band consists only of the third downlink operating band.
  • the uplink operating band means the frequency range designated for the uplink among the above bands.
  • the downlink operating band means the frequency range designated for the downlink among the above bands.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating band combinations applied to the high-frequency circuit 1 according to the embodiment.
  • the first band is, for example, band B13 for LTE for frequency division duplex (FDD) or band n13 for 5G-NR (first down link operating band: 746-756 MHz, first uplink operating band: 777-787 MHz), and the second band is, for example, band B26 for LTE for FDD or band n26 for 5G-NR (second Uplink operating band: 814-849 MHz, secondary downlink operating band: 859-894 MHz).
  • the third band is for example band B67 for LTE or band n67 for 5G-NR (third downlink operating band: 738-758 MHz). The third band overlaps at least a portion of the first downlink operating band.
  • the switch 60 is an example of a first switch, and has four SPST (Single Pole Single Throw) type switch elements (first to fourth switch elements).
  • a common terminal 60 a which is one terminal of each switch element, is connected to the antenna connection terminal 100 .
  • a selection terminal 60 b (second terminal), which is the other terminal of the first switch element, is connected to the filter 11 .
  • a selection terminal 60 c (first terminal), which is the other terminal of the second switch element, is connected to the filter 12 .
  • a selection terminal 60 d (third terminal), which is the other terminal of the third switch element, is connected to the filter 20 .
  • a selection terminal 60 e (fourth terminal), which is the other terminal of the fourth switch element, is connected to the matching circuit 50 .
  • the switch 60 switches connection and disconnection between the antenna connection terminal 100 and the filter 11, switches connection and disconnection between the antenna connection terminal 100 and the filter 12, based on, for example, a control signal from the RFIC 3, Connection and disconnection between the antenna connection terminal 100 and the filter 20 are switched, and connection and disconnection between the antenna connection terminal 100 and the matching circuit 50 are switched.
  • the number of switch elements included in the switch 60 is appropriately set according to the number of filters and matching circuits included in the high frequency circuit 1 .
  • the fourth switch element that switches connection and disconnection between the common terminal 60a and the matching circuit 50 may not be included in the switch 60, and may be included in a second switch different from the switch 60.
  • a switch 61 is an example of a third switch and is connected between the filter 11 and the low noise amplifier 30 .
  • the switch 61 has a common terminal 61a and a selection terminal 61b.
  • the common terminal 61 a is connected to the input terminal of the low noise amplifier 30 .
  • the selection terminal 61b is connected to the filter 11.
  • FIG. With this connection configuration, the switch 61 switches connection and disconnection between the filter 11 and the low noise amplifier 30 based on, for example, a control signal from the RFIC 3 .
  • a switch 62 is an example of a fourth switch and is connected between filters 12 and 20 and power amplifier 40 .
  • the switch 62 has a common terminal 62a and select terminals 62b and 62c.
  • Common terminal 62 a is connected to the output terminal of power amplifier 40 .
  • the selection terminal 62 b is connected to the filter 12 and the selection terminal 62 c is connected to the filter 20 .
  • the switch 62 switches connection and disconnection between the filter 12 and the power amplifier 40, and switches connection and disconnection between the filter 20 and the power amplifier 40, based on a control signal from the RFIC 3, for example. .
  • the matching circuit 50 is an example of an impedance matching circuit, includes an impedance element, and is connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 60 .
  • the impedance element is, for example, an inductor having one end connected to the selection terminal 60e and the other end connected to the ground.
  • the switch 60 may be formed in a semiconductor IC (Integrated Circuit). Furthermore, switches 61 and 62 may be included in the semiconductor IC. Also, the impedance element of the matching circuit 50 may be included in the semiconductor IC. According to this, the switches 60, 61, 62 and the impedance elements can be made compact and low profile.
  • the semiconductor IC is composed of, for example, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Specifically, it is formed by an SOI (Silicon On Insulator) process. This makes it possible to manufacture semiconductor ICs at low cost.
  • the semiconductor IC may be made of at least one of GaAs, SiGe and GaN. This makes it possible to output a high frequency signal with high quality amplification performance and noise performance.
  • high-frequency circuit 1 may include at least filters 11, 12 and 20, switch 60, and matching circuit 50, and may not include other circuit elements.
  • the first mode is a mode in which the transmission signal and reception signal of the first band are transmitted simultaneously.
  • the second mode is a mode in which the transmission signal and reception signal of the first band and the transmission signal of the second band are simultaneously transmitted (2 uplinks and 1 downlink).
  • the third mode is a mode for transmitting the received signal of the third band.
  • FIG. 3A is a diagram showing a first mode circuit state of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment. As shown in the figure, when the first mode is executed, the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected. are disconnected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60e are disconnected.
  • the common terminal 62a and the selection terminal 62b are connected, the common terminal 62a and the selection terminal 62c are disconnected, and the common terminal 61a and the selection terminal 61b are connected.
  • filter 11 and low noise amplifier 30 are connected, filter 12 and power amplifier 40 are connected, and filter 20 and power amplifier 40 are disconnected.
  • the transmission signal of the first band is transmitted through the transmission path of the high frequency input terminal 120, the power amplifier 40, the switch 62, the filter 12, the switch 60, the antenna connection terminal 100, and the antenna 2.
  • a received signal of the first band is transmitted through a receiving path including the antenna 2 , the antenna connection terminal 100 , the switch 60 , the filter 11 , the switch 61 , the low noise amplifier 30 and the high frequency output terminal 110 .
  • FIG. 3B is a diagram showing a second mode circuit state of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment. As shown in the figure, when the second mode is executed, the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected. are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60e are connected.
  • the common terminal 62a and the selection terminal 62b are connected, the common terminal 62a and the selection terminal 62c are connected, and the common terminal 61a and the selection terminal 61b are connected. . That is, filter 11 and low noise amplifier 30 are in a connected state, filter 12 and power amplifier 40 are in a connected state, and filter 20 and power amplifier 40 are in a connected state.
  • the transmission signal of the first band is transmitted through the transmission path of the high frequency input terminal 120, the power amplifier 40, the switch 62, the filter 12, the switch 60, the antenna connection terminal 100, and the antenna 2.
  • a received signal of the first band is transmitted through a receiving path including the antenna 2 , the antenna connection terminal 100 , the switch 60 , the filter 11 , the switch 61 , the low noise amplifier 30 and the high frequency output terminal 110 .
  • the transmission signal of the second band is transmitted through the transmission path including the high frequency input terminal 120 , the power amplifier 40 , the switch 62 , the filter 20 , the switch 60 , the antenna connection terminal 100 and the antenna 2 .
  • FIG. 3C is a diagram showing a third mode circuit state of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment. As shown in the figure, when the third mode is executed, the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are disconnected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected. are disconnected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60e are connected.
  • the common terminal 62a and the selection terminal 62b are disconnected, the common terminal 62a and the selection terminal 62c are disconnected, and the common terminal 61a and the selection terminal 61b are connected. becomes. That is, filter 11 and low noise amplifier 30 are in a connected state, filter 12 and power amplifier 40 are in a non-connected state, and filter 20 and power amplifier 40 are in a non-connected state.
  • the received signal of the third band is transmitted through a receiving path including the antenna 2, the antenna connection terminal 100, the switch 60, the filter 11, the switch 61, the low noise amplifier 30, and the high frequency output terminal 110.
  • the impedance is matched without the matching circuit 50 connected, whereas the filter 11 is used for the reception of the third band.
  • the impedance is matched by connecting the matching circuit 50 to prevent the impedance from being shifted due to the filter 12 being in an open state. That is, even when the same filter 11 is used in the first mode and the third mode, the connection state of the matching circuit 50 is changed if the modes are different. Thereby, an increase in transmission loss of the high-frequency circuit 1 can be suppressed in both the first mode and the third mode using the same filter.
  • the impedance element (matching circuit 50) is used both in the third mode for transmitting the signals of the third band and in the second mode for simultaneously transmitting the signals of the first and second bands.
  • the impedance element (matching circuit 50) is not used in the first mode in which the signal of the first band is transmitted. Thereby, the high-frequency circuit 1 can be miniaturized compared to the case where different impedance elements are used in the third mode and the second mode.
  • the third mode may be a mode in which the reception signal of the third band and the transmission signal of the second band are simultaneously transmitted.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are disconnected, the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected, The common terminal 60a and the selection terminal 60e may be connected.
  • the common terminals 62a and 62b may be disconnected, the common terminals 62a and 62c may be connected, and the common terminals 61a and 61b may be connected. That is, filter 11 and low noise amplifier 30 may be in a connected state, filter 12 and power amplifier 40 may be in a non-connected state, and filter 20 and power amplifier 40 may be in a connected state.
  • the third mode may be a mode in which the reception signal of the third band, the transmission signal of the second band, and the reception signal of the second band are simultaneously transmitted.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are disconnected, the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60a are selected.
  • the terminal 60e may be connected.
  • the common terminals 62a and 62b may be disconnected, the common terminals 62a and 62c may be connected, and the common terminals 61a and 61b may be connected.
  • filter 11 and low noise amplifier 30 may be in a connected state
  • filter 12 and power amplifier 40 may be in a non-connected state
  • filter 20 and power amplifier 40 may be in a connected state.
  • the circuit for transmitting the received signal of the second band is not shown in FIG. 3C.
  • the first band is, for example, band B28 or 5G for LTE for FDD.
  • - band n28 first uplink operating band: 703-748 MHz, first downlink operating band: 758-803 MHz
  • a second band e.g.
  • band B66 for LTE for FDD ( second uplink operating band: 1710-1780 MHz, second downlink operating band: 2110-2200 MHz), band B2 for LTE for FDD (second uplink operating band: 1850-1910 MHz, second downlink operating band : 1930-1990 MHz), or band n5 for 5G-NR (first uplink operating band: 824-849 MHz, first downlink operating band: 869-894 MHz).
  • the third band is for example band B29 (third downlink operating band: 717-728 MHz) for LTE.
  • the third band overlaps at least a portion of the first uplink operating band.
  • the second band is band B66 for LTE
  • the transmission of band n77 3300-4200 MHz
  • the signal may be transmitted in a circuit different from the circuit configuration of the high frequency circuit 1 shown in FIG. 3C. That is, it is possible to support simultaneous transmission of the transmission signal and reception signal of band B66, the transmission signal or reception signal of band n77, and the reception signal of band B29 (2 uplinks/3 downlinks: DC (Dual Connectivity)_29_66_n77).
  • the received signal of the third band, the transmitted signal and the received signal of the second band, and the transmitted signal of band n77 for 5G-NR are shown in FIG. 3C may be transmitted in a circuit different from the circuit configuration of the high-frequency circuit 1 shown in FIG. That is, it is possible to support simultaneous transmission (2 uplinks/3 downlinks: DC_2_29_n77) of the transmission signal and reception signal of band B2, the transmission signal or reception signal of band n77, and the reception signal of band B29.
  • the received signal of the third band, the transmitted signal and received signal of the second band, and the transmitted signal and received signal of band B2 for LTE are simultaneously may be transmitted in a circuit different from the circuit configuration of the high-frequency circuit 1 shown in FIG. 3C.
  • the received signal of band n77 for 5G-NR may be transmitted in a circuit different from the circuit configuration of the high frequency circuit 1 shown in FIG. 3C. That is, simultaneous transmission of band B2 and band n5 transmission signals and band B2, band n5, band B29 and band n77 reception signals (2 uplinks/4 downlinks: DC_2_29_n5_n77) is possible.
  • the transmitted signal and received signal of band B2 for LTE are shown in FIG. 3C may be transmitted in a circuit different from the circuit configuration of the high-frequency circuit 1 shown in FIG.
  • the transmission signal and reception signal of band n77 for 5G-NR may be transmitted in a circuit different from the circuit configuration of the high frequency circuit 1 shown in FIG. 3C. That is, simultaneous transmission of band B2 and band n77 transmission signals and band B2, band n5, band B29 and band n77 reception signals (2 uplinks/4 downlinks: DC_2_29_n5_n77) is possible.
  • the connection configuration of the switch 60 as described above is shown. It may also have a reverse connection configuration. That is, in the first mode, the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60d are disconnected, and the common terminal 60a is connected. and the selection terminal 60e are connected. In the second mode, the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected. The selection terminal 60e is disconnected.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are disconnected, the common terminal 60a and the selection terminal 60d are disconnected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are disconnected.
  • the selection terminal 60e is disconnected.
  • the impedance is matched with the matching circuit 50 connected, whereas the filter 11 is used as a duplexer for the third band.
  • impedance matching is achieved by not connecting the matching circuit 50 to prevent impedance deviation due to the filter 12 being in an open state. That is, even when the same filter 11 is used in the first mode and the third mode, the connection state of the matching circuit 50 is changed if the modes are different. Thereby, an increase in transmission loss of the high-frequency circuit 1 can be suppressed in both the first mode and the third mode using the same filter.
  • the impedance element (matching circuit 50) is not used in the third mode for transmitting the signals of the third band and the second mode for simultaneously transmitting the signals of the first and second bands. Also, the impedance element (matching circuit 50) is used in the first mode for transmitting the signal of the first band. Thereby, the high-frequency circuit 1 can be miniaturized compared to the case where different impedance elements are used in the third mode and the second mode.
  • FIG. 4A is a diagram showing a first mode circuit state of the high-frequency circuit 1A according to Modification 1 of the embodiment.
  • FIG. 4B is a diagram showing a second mode circuit state of the high-frequency circuit 1A according to Modification 1 of the embodiment.
  • FIG. 4C is a diagram showing a third mode circuit state of the high-frequency circuit 1A according to Modification 1 of the embodiment.
  • the high frequency circuit 1A includes filters 11, 12 and 20, a low noise amplifier 30, a power amplifier 40, switches 60, 61 and 62, a matching circuit 50 and an antenna connection terminal. 100 , a high frequency output terminal 110 and a high frequency input terminal 120 .
  • a high-frequency circuit 1A according to this modification differs from the high-frequency circuit 1 according to the embodiment in the configuration of the switch 61 and the connection configuration between the switches 61 and 62 and the filter 12 .
  • descriptions of the same points as those of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment will be omitted, and different points will be mainly described.
  • Power amplifier 40 is an example of a first power amplifier, and can amplify high-frequency transmission signals (hereinafter referred to as transmission signals) of first, second, and third bands input from high-frequency input terminal 120. .
  • Power amplifier 40 is connected between high frequency input terminal 120 and switch 62 .
  • the low-noise amplifier 30 is an example of a second low-noise amplifier, and amplifies high-frequency received signals (hereinafter referred to as received signals) of the first band and the third band input from the antenna connection terminal 100 .
  • Low noise amplifier 30 is connected between high frequency output terminal 110 and switch 61 .
  • the first band consists of a first downlink operating band and a first uplink operating band.
  • the second band consists of a second downlink operating band and a second uplink operating band.
  • the third band consists only of the third downlink operating band.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating band combinations applied to the high-frequency circuit 1A according to Modification 1 of the embodiment.
  • the first band is, for example, band B28 for LTE for FDD or band n28 for 5G-NR (first uplink operating band: 703-748 MHz, first downlink link operating band: 758-803 MHz)
  • the second band is, for example, band B20 for LTE for FDD or band n20 for 5G-NR (second downlink operating band: 791-821 MHz, second Uplink operating band: 832-862 MHz).
  • the third band is for example band B29 for LTE or band n29 for 5G-NR (third downlink operating band: 717.25-727.25 MHz).
  • the third band overlaps at least a portion of the first uplink operating band.
  • the first downlink operating band and the second downlink operating band at least partially overlap.
  • the switch 61 is an example of a fifth switch and is connected between the filters 11 and 12 and the low noise amplifier 30. Specifically, the switch 61 has a common terminal 61a and select terminals 61b and 61c. The common terminal 61 a is connected to the input terminal of the low noise amplifier 30 . The selection terminal 61 b is connected to the filter 11 and the selection terminal 61 c is connected to the filter 12 . With this connection configuration, the switch 61 switches connection and disconnection between the filter 11 and the low noise amplifier 30 and connection and disconnection between the filter 12 and the low noise amplifier 30 based on, for example, a control signal from the RFIC 3 . switch.
  • a switch 62 is an example of a fourth switch and is connected between filters 12 and 20 and power amplifier 40 .
  • the switch 62 has a common terminal 62a and select terminals 62b and 62c.
  • Common terminal 62 a is connected to the output terminal of power amplifier 40 .
  • the selection terminal 62 b is connected to the filter 12 and the selection terminal 62 c is connected to the filter 20 .
  • the switch 62 switches connection/disconnection between the filter 12 and the power amplifier 40 and switches connection/disconnection between the filter 20 and the power amplifier 40 based on, for example, a control signal from the RFIC 3 .
  • the matching circuit 50 is an example of an impedance matching circuit, includes an impedance element, and is connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 60 .
  • the impedance element is, for example, an inductor having one end connected to the selection terminal 60e and the other end connected to the ground.
  • the first mode is a mode in which the transmission signal and reception signal of the first band are transmitted simultaneously.
  • the second mode is a mode in which the transmission signal and reception signal of the first band and the transmission signal of the second band are simultaneously transmitted (2 uplinks and 1 downlink).
  • the third mode is a mode for transmitting the received signal of the third band.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected. are disconnected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60e are disconnected.
  • the common terminal 62a and the selection terminal 62b are connected, the common terminal 62a and the selection terminal 62c are disconnected, and the common terminal 61a and the selection terminal 61b are connected. , the common terminal 61a and the selection terminal 61c are disconnected.
  • filter 11 and low noise amplifier 30 are connected, filter 12 and power amplifier 40 are connected, and filter 20 and power amplifier 40 are disconnected.
  • the transmission signal of the first band is transmitted through the transmission path of the high frequency input terminal 120, the power amplifier 40, the switch 62, the filter 12, the switch 60, the antenna connection terminal 100, and the antenna 2.
  • a received signal of the first band is transmitted through a receiving path including the antenna 2 , the antenna connection terminal 100 , the switch 60 , the filter 11 , the switch 61 , the low noise amplifier 30 and the high frequency output terminal 110 .
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected. are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60e are connected.
  • the common terminal 62a and the selection terminal 62b are connected, the common terminal 62a and the selection terminal 62c are connected, the common terminal 61a and the selection terminal 61b are connected, The common terminal 61a and the selection terminal 61c are disconnected. That is, filter 11 and low noise amplifier 30 are in a connected state, filter 12 and power amplifier 40 are in a connected state, and filter 20 and power amplifier 40 are in a connected state.
  • the transmission signal of the first band is transmitted through the transmission path of the high frequency input terminal 120, the power amplifier 40, the switch 62, the filter 12, the switch 60, the antenna connection terminal 100, and the antenna 2.
  • a received signal of the first band is transmitted through a receiving path including the antenna 2 , the antenna connection terminal 100 , the switch 60 , the filter 11 , the switch 61 , the low noise amplifier 30 and the high frequency output terminal 110 .
  • the transmission signal of the second band is transmitted through the transmission path including the high frequency input terminal 120 , the power amplifier 40 , the switch 62 , the filter 20 , the switch 60 , the antenna connection terminal 100 and the antenna 2 .
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are disconnected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected. are disconnected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60e are connected.
  • the common terminal 62a and the selection terminal 62b are disconnected, the common terminal 62a and the selection terminal 62c are disconnected, and the common terminal 61a and the selection terminal 61b are disconnected. state, and the common terminal 61a and the selection terminal 61c are connected. That is, the filter 11 and the low noise amplifier 30 are disconnected, the filter 12 and the power amplifier 40 are connected, and the filter 20 and the power amplifier 40 are disconnected.
  • the received signal of the third band is transmitted through a receiving path including the antenna 2, the antenna connection terminal 100, the switch 60, the filter 12, the switch 61, the low noise amplifier 30, and the high frequency output terminal 110.
  • the impedance is matched without the matching circuit 50 connected, whereas the filter 12 is used for the reception of the third band.
  • the impedance is matched by connecting the matching circuit 50 to prevent the impedance from being shifted due to the filter 11 being in an open state. That is, even if the same filter 12 is used in the first mode and the third mode, the connection state of the matching circuit 50 is changed if the modes are different. This can suppress an increase in transmission loss of the high-frequency circuit 1A in both the first mode and the third mode using the same filter.
  • the impedance element (matching circuit 50) is used both in the third mode for transmitting the signals of the third band and in the second mode for simultaneously transmitting the signals of the first and second bands.
  • the impedance element (matching circuit 50) is not used in the first mode in which the signal of the first band is transmitted. Thereby, the high-frequency circuit 1A can be miniaturized compared to the case where different impedance elements are used in the third mode and the second mode.
  • the filter 12 has a switch configuration that can be connected to both the power amplifier 40 and the low noise amplifier 30, the filter 12 used as a transmission filter in the first mode is used as a reception filter in the third mode. It is possible to
  • FIG. 6A is a diagram showing a second mode circuit state of the high-frequency circuit 1B according to Modification 2 of the embodiment.
  • the high frequency circuit 1B includes filters 11, 12 and 20, low noise amplifiers 30 and 31, a power amplifier 40, switches 60, 61, 63 and 64, a matching circuit 50, an antenna connection a terminal 100;
  • High-frequency circuit 1B according to the present modification differs from high-frequency circuit 1 according to the embodiment in that switches 63 and 64 are added instead of switch 62 and low-noise amplifier 31 is added. is different.
  • description of the same points as those of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the power amplifier 40 is an example of a second power amplifier, and can amplify transmission signals of the first band and the third band input from the high frequency input terminal 120 .
  • Power amplifier 40 is connected to switch 63 .
  • the low-noise amplifier 30 is an example of a first low-noise amplifier, and amplifies received signals of the first band and the third band input from the antenna connection terminal 100 .
  • Low noise amplifier 30 is connected to switch 61 .
  • the low-noise amplifier 31 is an example of a third low-noise amplifier, and amplifies the second band received signal input from the antenna connection terminal 100 .
  • Low noise amplifier 31 is connected to switch 64 .
  • a switch 61 is an example of a third switch and is connected between the filter 11 and the low noise amplifier 30 .
  • the switch 61 has a common terminal 61a and a selection terminal 61b.
  • the common terminal 61 a is connected to the input terminal of the low noise amplifier 30 .
  • the selection terminal 61b is connected to the filter 11.
  • FIG. With this connection configuration, the switch 61 switches connection and disconnection between the filter 11 and the low noise amplifier 30 based on, for example, a control signal from the RFIC 3 .
  • a switch 63 is an example of a sixth switch and is connected between the filter 12 and the power amplifier 40 .
  • the switch 63 has a common terminal 63a and a selection terminal 63b.
  • the common terminal 63 a is connected to the output terminal of the power amplifier 40 .
  • the selection terminal 63b is connected to the filter 12.
  • FIG. With this connection configuration, the switch 63 switches connection and disconnection between the filter 12 and the power amplifier 40 based on a control signal from the RFIC 3, for example.
  • the switch 64 is an example of a seventh switch and is connected between the filter 20 and the low noise amplifier 31. Specifically, the switch 64 has a common terminal 64a and a selection terminal 64b. The common terminal 64 a is connected to the input terminal of the low noise amplifier 31 . The selection terminal 64b is connected to the filter 20. FIG. With this connection configuration, the switch 64 switches connection and disconnection between the filter 20 and the low noise amplifier 31 based on, for example, a control signal from the RFIC 3 .
  • the first mode is a mode in which the transmission signal and reception signal of the first band are transmitted simultaneously.
  • the second mode is a mode in which the transmission signal and reception signal of the first band and the reception signal of the second band are simultaneously transmitted (1 uplink, 2 downlinks).
  • the third mode is a mode for transmitting the received signal of the third band.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60d are disconnected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are disconnected.
  • the terminal 60a and the selection terminal 60e are disconnected.
  • the common terminal 61a and the selection terminal 61b are connected, the common terminal 63a and the selection terminal 63c are connected, and the common terminal 64a and the selection terminal 64b are disconnected.
  • filter 11 and low noise amplifier 30 are in a connected state
  • filter 12 and power amplifier 40 are in a connected state
  • filter 20 and low noise amplifier 31 are in a non-connected state.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected. are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60e are connected.
  • the common terminal 61a and the selection terminal 61b are connected, the common terminal 63a and the selection terminal 63c are connected, and the common terminal 64a and the selection terminal 64b are connected. . That is, the filter 11 and the low noise amplifier 30 are connected, the filter 12 and the power amplifier 40 are connected, and the filter 20 and the low noise amplifier 31 are connected.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are disconnected, the common terminal 60a and the selection terminal 60d are disconnected, The common terminal 60a and the selection terminal 60e are connected.
  • the common terminal 61a and the selection terminal 61b are connected, the common terminal 63a and the selection terminal 63b are disconnected, and the common terminal 64a and the selection terminal 64b are disconnected. becomes. That is, the filter 11 and the low noise amplifier 30 are connected, the filter 12 and the power amplifier 40 are disconnected, and the filter 20 and the low noise amplifier 31 are disconnected.
  • the impedance is matched without the matching circuit 50 connected, whereas the filter 11 is used for the reception of the third band.
  • the impedance is matched by connecting the matching circuit 50 to prevent the impedance from being shifted due to the filter 12 being in an open state. That is, even when the same filter 11 is used in the first mode and the third mode, the connection state of the matching circuit 50 is changed if the modes are different. This can suppress an increase in transmission loss of the high-frequency circuit 1B in both the first mode and the third mode using the same filter.
  • the impedance element (matching circuit 50) is used both in the third mode for transmitting the signals of the third band and in the second mode for simultaneously transmitting the signals of the first and second bands.
  • the impedance element (matching circuit 50) is not used in the first mode in which the signal of the first band is transmitted. Thereby, the high-frequency circuit 1B can be miniaturized compared to the case where different impedance elements are used in the third mode and the second mode.
  • the filter 20 is configured to be connectable to the low noise amplifier 31, it is possible to perform 1 uplink and 2 downlinks in the second mode.
  • FIG. 6B is a diagram showing a second mode circuit state of the high-frequency circuit 1C according to Modification 3 of the embodiment.
  • high frequency circuit 1C includes filters 11, 12 and 20, low noise amplifier 32, power amplifier 40, divider 70, switches 60, 61, 63 and 64, matching circuit 50 and , and an antenna connection terminal 100 .
  • a high-frequency circuit 1C according to this modification differs from the high-frequency circuit 1B according to modification 2 in that a low-noise amplifier 32 and a distributor 70 are arranged instead of the low-noise amplifiers 30 and 31 .
  • description of the same points as those of the high-frequency circuit 1B according to the second modified example will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the low-noise amplifier 32 is an example of a fourth low-noise amplifier, and amplifies received signals of the first band, the second band, and the third band input from the antenna connection terminal 100 .
  • Low noise amplifier 32 has its input terminals connected to switches 61 and 64 and its output terminal connected to distributor 70 .
  • the distributor 70 power-divides a high-frequency signal input to an input terminal, and outputs the power-divided high-frequency signal from two output terminals.
  • a switch 61 is an example of a third switch and is connected between the filter 11 and the low noise amplifier 32 .
  • the switch 61 has a common terminal 61a and a selection terminal 61b.
  • the common terminal 61 a is connected to the input terminal of the low noise amplifier 32 .
  • the selection terminal 61b is connected to the filter 11.
  • FIG. With this connection configuration, the switch 61 switches connection and disconnection between the filter 11 and the low noise amplifier 32 based on, for example, a control signal from the RFIC 3 .
  • a switch 63 is an example of a sixth switch and is connected between the filter 12 and the power amplifier 40 .
  • the switch 63 has a common terminal 63a and a selection terminal 63b.
  • the common terminal 63 a is connected to the output terminal of the power amplifier 40 .
  • the selection terminal 63b is connected to the filter 12.
  • FIG. With this connection configuration, the switch 63 switches connection and disconnection between the filter 12 and the power amplifier 40 based on a control signal from the RFIC 3, for example.
  • a switch 64 is an example of a seventh switch and is connected between the filter 20 and the low noise amplifier 32 .
  • the switch 64 has a common terminal 64a and a selection terminal 64b.
  • Common terminal 64 a is connected to the input terminal of low noise amplifier 32 .
  • the selection terminal 64b is connected to the filter 20.
  • FIG. With this connection configuration, the switch 64 switches connection and disconnection between the filter 20 and the low noise amplifier 32 based on a control signal from the RFIC 3, for example.
  • the high-frequency circuit 1C according to the present modification has the same effect as the high-frequency circuit 1B according to the second modification, and uses one low-noise amplifier instead of two low-noise amplifiers for the first to third low-noise amplifiers. Since the received signal of the mode can be amplified, it is possible to reduce the power consumption and size of the high frequency circuit 1C.
  • FIG. 7 is a diagram showing a second mode circuit state of the high-frequency circuit 1D according to Modification 4 of the embodiment.
  • the high frequency circuit 1D includes filters 11, 12 and 20, low noise amplifiers 30 and 31, power amplifiers 40 and 41, switches 60, 61, 63 and 65, a matching circuit 50, and an antenna connection terminal 100 .
  • a high-frequency circuit 1D according to this modification differs from the high-frequency circuit 1B according to modification 2 in that a switch 65 is arranged instead of the switch 64 and a power amplifier 41 is added.
  • description of the same points as those of the high-frequency circuit 1B according to the second modified example will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the power amplifier 40 is an example of a second power amplifier, and can amplify transmission signals of the first band and the third band. Power amplifier 40 is connected to switch 63 .
  • the low-noise amplifier 30 is an example of a first low-noise amplifier, and amplifies received signals of the first band and the third band input from the antenna connection terminal 100 .
  • Low noise amplifier 30 is connected to switch 61 .
  • the power amplifier 41 is an example of a third power amplifier and can amplify the transmission signal of the second band. Power amplifier 41 is connected to switch 65 .
  • the low-noise amplifier 31 is an example of a third low-noise amplifier, and amplifies the second band received signal input from the antenna connection terminal 100 .
  • Low noise amplifier 31 is connected to switch 65 .
  • a switch 61 is an example of a third switch and is connected between the filter 11 and the low noise amplifier 30 .
  • the switch 61 has a common terminal 61a and a selection terminal 61b.
  • the common terminal 61 a is connected to the input terminal of the low noise amplifier 30 .
  • the selection terminal 61b is connected to the filter 11.
  • FIG. With this connection configuration, the switch 61 switches connection and disconnection between the filter 11 and the low noise amplifier 30 based on, for example, a control signal from the RFIC 3 .
  • a switch 63 is an example of a sixth switch and is connected between the filter 12 and the power amplifier 40 .
  • the switch 63 has a common terminal 63a and a selection terminal 63b.
  • the common terminal 63 a is connected to the output terminal of the power amplifier 40 .
  • the selection terminal 63b is connected to the filter 12.
  • FIG. With this connection configuration, the switch 63 switches connection and disconnection between the filter 12 and the power amplifier 40 based on a control signal from the RFIC 3, for example.
  • a switch 65 is an example of an eighth switch and is connected between the filter 20 and the low noise amplifier 31 and power amplifier 41 .
  • the switch 65 has a common terminal 65a and selection terminals 65b and 65c.
  • the common terminal 65 a is connected to the filter 20
  • the selection terminal 65 b is connected to the output terminal of the power amplifier 41
  • the selection terminal 65 c is connected to the input terminal of the low noise amplifier 31 .
  • the switch 65 switches the connection between the filter 20 and the low noise amplifier 31 and the connection between the filter 20 and the power amplifier 41 based on a control signal from the RFIC 3, for example.
  • the high-frequency circuit 1D according to this modified example has the same effects as the high-frequency circuit 1B according to the modified example 2, and the filter 20 can be used in a time division duplex (TDD) system. In other words, it is possible to perform both 1 uplink 2 downlink and 2 uplink 1 downlink in the second mode.
  • TDD time division duplex
  • the high-frequency circuit 1 according to the present embodiment and the high-frequency circuit 1A according to the first modification include the filter 12 having a passband including the uplink operating band in the first band for FDD, the first a filter 11 having a passband including the downlink operating band of the bands; a filter 20 having a passband including at least a portion of the second band; a matching circuit 50; It has a selection terminal 60b, a selection terminal 60c connected to the filter 12, and a selection terminal 60d connected to the filter 20, and switches between conduction and non-conduction between the common terminal 60a and the selection terminal 60b.
  • a switch 60 that switches between conduction and non-conduction with 60c and switches between conduction and non-conduction between the common terminal 60a and the selection terminal 60d; a fourth switch element that switches between conduction and non-conduction between the common terminal 60a and the matching circuit 50; Prepare.
  • One of filters 11 and 12 includes the third band in its passband. In the first mode in which the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are disconnected, the common terminal 60a and the selection terminal 60d are matched. The circuit 50 is disconnected.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected, the common terminal 60a and the matching circuit are connected. 50 are connected.
  • the common terminal 60a and one of the selection terminals 60b and 60c are connected and the common terminal 60a and the other of the selection terminals 60b and 60c are disconnected, the common terminal 60a and the matching circuit 50 are connected. state.
  • the impedance in the first mode, the impedance was matched without the matching circuit 50 being connected, whereas in the third mode, the other of the filters 11 and 12 is in an open state and the impedance is shifted. , impedance matching is achieved by connecting the matching circuit 50 . That is, even if one of the same filters 11 and 12 is used, the connection state of the matching circuit 50 is changed if the transmission modes are different. Thereby, an increase in transmission loss of the high-frequency circuit 1 can be suppressed in both the first mode and the third mode using the same filter. Also, the matching circuit 50 is used in the third mode and the second mode. Also, the matching circuit 50 is not used in the first mode. Thereby, the high-frequency circuits 1 and 1A can be miniaturized compared to the case where different impedance elements are used in the third mode and the second mode.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal
  • the common terminal 60a and matching circuit 50 are in a connected state.
  • the common terminal 60a and the selection terminal 60b are connected, the common terminal 60a and the selection terminal 60c are connected, and the common terminal 60a and the selection terminal 60d are connected, the common terminal 60a and the matching circuit are connected. 50 are disconnected.
  • the common terminal 60a and one of the selection terminals 60b and 60c are connected and the common terminal 60a and the other of the selection terminals 60b and 60c are disconnected, the common terminal 60a and the matching circuit 50 are disconnected. Connected.
  • the high-frequency circuit 1 is further connected between the low-noise amplifier 30, the power amplifier 40, the low-noise amplifier 30 and the filter 11, and switches connection and disconnection between the low-noise amplifier 30 and the filter 11.
  • the switch 61 is connected between the power amplifier 40 and the filter 12 and the filter 20, switches connection and disconnection between the power amplifier 40 and the filter 12, and connects and disconnects the power amplifier 40 and filter 20.
  • a switch 62 for switching may be provided.
  • the high frequency circuit 1 can be miniaturized.
  • the filter 11 and the low noise amplifier 30 are in a connected state, the filter 12 and the power amplifier 40 are in a connected state, and the filter 20 and the power amplifier 40 are in a connected state.
  • the filter 11 and the low noise amplifier 30 are connected, the filter 12 and the power amplifier 40 are connected, and the filter 20 and the power amplifier 40 are connected.
  • the filter 11 and the low noise amplifier 30 are connected, the filter 12 and the power amplifier 40 are disconnected, and the filter 20 and the power amplifier 40 are disconnected. good too.
  • the first band is band B13 for LTE or band n13 for 5G-NR
  • the second band is band B26 for LTE or band for 5G-NR
  • n26 and the third band may be B67 for LTE or band n67 for 5G-NR.
  • the high-frequency circuit 1A according to Modification 1 is further connected between the low-noise amplifier 30, the power amplifier 40, the low-noise amplifier 30 and the filters 11 and 12, and the low-noise amplifier 30 and the filter 11 and a switch 61 for switching connection and disconnection between the low-noise amplifier 30 and the filter 12, and between the power amplifier 40 and the filters 12 and 20, the power amplifier 40 and the filter 12 and a switch 62 that switches connection and disconnection with and switches connection and disconnection between the power amplifier 40 and the filter 20 .
  • the filter 12 since the filter 12 has a switch configuration that can be connected to both the power amplifier 40 and the low noise amplifier 30, the filter 12 is used as a transmission filter in the first mode, and is used as a reception filter in the third mode. Can be used as a filter.
  • the filter 11 and the low noise amplifier 30 are in a connected state, the filter 12 and the power amplifier 40 are in a connected state, and the filter 20 and
  • the filter 11 and the low noise amplifier 30 are connected, the filter 12 and the power amplifier 40 are connected, and the filter 20 and the power amplifier 40 are connected.
  • the filter 11 and low noise amplifier 30 are disconnected, filter 12 and low noise amplifier 30 are connected, and filter 20 and power amplifier 40 are connected. It may be in a non-connected state.
  • the first band is band B28 for LTE or band n28 for 5G-NR
  • the second band is band B20 for LTE or band for 5G-NR
  • n20 and the third band may be band B29 for LTE or band n29 for 5G-NR.
  • the high-frequency circuit 1B according to the modification 2 is further connected between the low-noise amplifiers 30 and 31, the power amplifier 40, the low-noise amplifier 30 and the filter 11, and the low-noise amplifier 30 and the filter 11 a switch 61 connected between the power amplifier 40 and the filter 12 and switching between connection and disconnection between the power amplifier 40 and the filter 12; a low noise amplifier 31 and the filter 20; , and a switch 64 for switching connection and disconnection between the low noise amplifier 31 and the filter 20 .
  • the filter 20 is configured to be connectable to the low noise amplifier 31, it is possible to perform one uplink and two downlinks in the second mode.
  • the high-frequency circuit 1C according to Modification 3 is further connected between the low-noise amplifier 32, the power amplifier 40, the low-noise amplifier 32 and the filter 11, and the connection between the low-noise amplifier 32 and the filter 11.
  • reception signals of the first to third modes can be amplified by one low noise amplifier 32, it is possible to reduce the power consumption and size of the high frequency circuit 1C.
  • high-frequency circuit 1D is further connected between low-noise amplifiers 30 and 31, power amplifiers 40 and 41, low-noise amplifier 30 and filter 11, and is connected between low-noise amplifier 30 and filter 11.
  • a switch 63 connected between the power amplifier and the 40 filter 12 for switching connection and disconnection between the power amplifier 40 and the filter 12
  • a low noise amplifier 31 and power A switch 65 connected between the amplifier 41 and the filter 20 and switching between the connection between the low noise amplifier 31 and the filter 20 and the connection between the power amplifier 41 and the filter 20 may be provided.
  • the filter 20 can be used in TDD. In other words, it is possible to perform both 1 uplink 2 downlink and 2 uplink 1 downlink in the second mode.
  • the impedance element included in the matching circuit 50 may be an inductor having one end connected to the fourth switch element and the other end connected to the ground.
  • the fourth switch element may be included in the switch 60 .
  • the high frequency circuit 1 can be miniaturized.
  • the switch 60 may be included in a semiconductor IC.
  • the switch 60 can be reduced in size and height.
  • the impedance element may be included in the semiconductor IC.
  • the communication device 5 includes an RFIC 3 that processes high frequency signals, and a high frequency circuit 1 that transmits high frequency signals between the RFIC 3 and the antenna 2 .
  • the communication device 5 can achieve the same effects as those of the high-frequency circuit 1 described above.
  • bands for 5G-NR or LTE were used, but in addition to or instead of 5G-NR or LTE, communication bands for other radio access technologies are used. good too.
  • communication bands for wireless local area networks may be used.
  • a millimeter wave band of 7 gigahertz or more may be used.
  • the high-frequency circuit 1, the antenna 2, and the RFIC 3 constitute a millimeter wave antenna module, and a distributed constant filter, for example, may be used as the filter.
  • the present invention can be widely used in communication equipment such as mobile phones as a high-frequency circuit arranged in the front end section.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • 12 20 filter 30, 31, 32 low noise amplifier 40, 41 power amplifier 50 matching circuit 60, 61, 62, 63, 64, 65 switch 60a, 61a, 62a, 63a, 64a, 65a common terminal 60b, 60c, 60d, 60e, 61b, 61c, 62b, 62c, 63b, 64b, 65b, 65c selection terminal 70 distributor 100 antenna connection terminal 110 high frequency output terminal 120 high frequency input terminal

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Abstract

高周波回路（１）は共通端子（６０ａ）、フィルタ（１１）に接続された選択端子（６０ｂ）、フィルタ（１２）に接続された選択端子（６０ｃ）、フィルタ（２０）に接続された選択端子（６０ｄ）および整合回路（５０）に接続された選択端子（６０ｅ）を有するスイッチ（６０）を備え、第１バンドの送受信信号を伝送する場合、共通端子（６０ａ）は選択端子（６０ｂおよび６０ｃ）と接続され、共通端子（６０ａ）は選択端子（６０ｄおよび６０ｅ）と非接続となり、第１バンドの送受信信号および第２バンドの信号を同時伝送する場合、共通端子（６０ａ）は選択端子（６０ｂ）、選択端子（６０ｃ）、選択端子（６０ｄ）および選択端子（６０ｅ）と接続され、第３バンドの信号を伝送する場合、共通端子（６０ａ）は選択端子（６０ｂおよび６０ｅ）と接続され、共通端子（６０ａ）は選択端子（６０ｃおよび６０ｄ）と非接続となる。

Description

高周波回路および通信装置
　本発明は、高周波回路および通信装置に関する。
　マルチバンド化およびマルチモード化に対応したフロントエンド回路に対して、複数の高周波信号を低損失かつ高アイソレーションで送受信することが求められている。
　特許文献１には、通過帯域の異なる複数のフィルタがマルチプレクサ（スイッチ）を介してアンテナに接続された構成を有する受信モジュール（伝送回路）が開示されている。
米国特許出願公開第２０１６／０１２７０１５号明細書
　３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）で規定されたバンドには、例えば、第１ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）バンドのアップリンク動作バンドまたはダウンリンク動作バンド（以下、第１帯域と記す）が、他の受信専用バンドと周波数が重複する場合がある。
　ここで、第１ＦＤＤバンドの信号と上記他の受信専用バンドの信号とを伝送可能な高周波回路を実現する場合、第１帯域を通過帯域とするフィルタと、上記他の受信専用バンドを通過帯域とするフィルタとは、高周波回路の小型化の観点から１つのフィルタ（以下、第１フィルタと記す）として兼用されることが考えられる。
　しかしながら、第１フィルタは、第１ＦＤＤバンドの受信フィルタであるため、第１ＦＤＤバンドの送信フィルタと同時使用する（第１伝送モード）前提でインピーダンス整合されている。このため、第１フィルタを、上記他の受信専用バンドの受信フィルタとして使用する（第２伝送モード）場合、第１ＦＤＤバンドの送信フィルタのインピーダンスをオープンにすると、第１フィルタのインピーダンスがずれてしまい伝送損失が増大する可能性がある。
　そこで、本発明は、複数の伝送モードの高周波信号を低損失で伝送できる小型の高周波回路および通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波回路は、周波数分割複信用の第１バンドのうちのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、第１バンドのうちのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第３フィルタと、インピーダンス素子と、共通端子、第１フィルタに接続された第１端子、第２フィルタに接続された第２端子、および第３フィルタに接続された第３端子を有し、共通端子と第１端子との導通および非導通を切り替え、共通端子と第２端子との導通および非導通を切り替え、共通端子と第３端子との導通および非導通を切り替える第１スイッチと、共通端子とインピーダンス素子との導通および非導通を切り替える第２スイッチと、を備え、第１フィルタおよび第２フィルタの一方は、第３バンドを通過帯域に含み、共通端子と第１端子とが接続状態となり、共通端子と第２端子とが接続状態となり、共通端子と第３端子とが非接続状態となる第１モードでは、共通端子とインピーダンス素子とが非接続状態となり、共通端子と第１端子とが接続状態となり、共通端子と第２端子とが接続状態となり、共通端子と第３端子とが接続状態となる第２モードでは、共通端子とインピーダンス素子とが接続状態となり、共通端子と第１端子および第２端子の一方とが接続状態となり、共通端子と第１端子および第２端子の他方とが非接続状態となる第３モードでは、共通端子とインピーダンス素子とが接続状態となる。
　本発明によれば、複数の伝送モードの高周波信号を低損失で伝送できる小型の高周波回路および通信装置を提供することが可能となる。
図１は、実施の形態に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。 図２は、実施の形態に係る高周波回路に適用されるバンドの組み合わせを例示した図である。 図３Ａは、実施の形態に係る高周波回路の第１モードの回路状態を示す図である。 図３Ｂは、実施の形態に係る高周波回路の第２モードの回路状態を示す図である。 図３Ｃは、実施の形態に係る高周波回路の第３モードの回路状態を示す図である。 図４Ａは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路の第１モードの回路状態を示す図である。 図４Ｂは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路の第２モードの回路状態を示す図である。 図４Ｃは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路の第３モードの回路状態を示す図である。 図５は、実施の形態の変形例１に係る高周波回路に適用されるバンドの組み合わせを例示した図である。 図６Ａは、実施の形態の変形例２に係る高周波回路の第２モードの回路状態を示す図である。 図６Ｂは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路の第２モードの回路状態を示す図である。 図７は、実施の形態の変形例４に係る高周波回路の第２モードの回路状態を示す図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、または比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、および比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡素化される場合がある。
　本開示において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含むことを意味する。また、「ＡとＢとの間に接続される」とは、ＡおよびＢを結ぶ経路上でＡおよびＢと接続されることを意味する。
　また、本開示において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
　（実施の形態）
　［１　高周波回路１および通信装置５の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波回路１および通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１に係る高周波回路１および通信装置５の回路構成図である。
　［１．１　通信装置５の回路構成］
　まず、通信装置５の回路構成について説明する。図１に示すように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、を備える。
　高周波回路１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波回路１の詳細な回路構成については後述する。
　アンテナ２は、高周波回路１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波回路１から出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波回路１へ出力する。
　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ：図示せず）へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣから入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波回路１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチおよび増幅器等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部または全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣまたは高周波回路１に実装されてもよい。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２は、必須の構成要素ではない。
　［１．２　高周波回路１の回路構成］
　次に、高周波回路１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波回路１は、フィルタ１１、１２および２０と、低雑音増幅器３０と、電力増幅器４０と、スイッチ６０、６１および６２と、整合回路５０と、アンテナ接続端子１００と、高周波出力端子１１０と、高周波入力端子１２０と、を備える。
　アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。高周波入力端子１２０は、高周波回路１の外部から高周波送信信号を受けるための端子である。高周波出力端子１１０は、高周波回路１の外部に高周波受信信号を提供するための端子である。
　フィルタ１１は、第２フィルタの一例であり、周波数分割複信（ＦＤＤ）用の第１バンドのうちの第１ダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１は、スイッチ６０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。
　フィルタ１２は、第１フィルタの一例であり、ＦＤＤ用の第１バンドのうちの第１アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１２は、スイッチ６０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。
　また、フィルタ１１および１２の一方は、第３バンドを通過帯域に含んでいる。第３バンドは、第１ダウンリンク動作バンドおよび第１アップリンク動作バンドの少なくとも一部と重なっている。
　なお、フィルタ１１および１２は、第１バンドの送信信号および受信信号を通過させるデュプレクサを構成していてもよい。
　フィルタ２０は、第３フィルタの一例であり、第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有している。フィルタ２０は、スイッチ６０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。
　電力増幅器４０は、第１電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１２０から入力された第１バンド、第２バンドおよび第３バンドの高周波送信信号（以下、送信信号と記す）を増幅可能である。電力増幅器４０は、高周波入力端子１２０とスイッチ６２との間に接続されている。
　低雑音増幅器３０は、第１低雑音増幅器の一例であり、アンテナ接続端子１００から入力された第１バンドおよび第３バンドの高周波受信信号（以下、受信信号と記す）を増幅する。低雑音増幅器３０は、高周波出力端子１１０とスイッチ６１との間に接続されている。
　なお、第１バンド、第２バンドおよび第３バンドのそれぞれは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのために、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドを意味する。本実施の形態では、通信システムとしては、例えばＬＴＥ(Long Term Evolution)システム、５Ｇ（5th Generation）－ＮＲ（New Radio）システム、およびＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。
　第１バンドは、第１ダウンリンク動作バンドおよび第１アップリンク動作バンドで構成されている。第２バンドは、第２ダウンリンク動作バンドおよび第２アップリンク動作バンドで構成されている。第３バンドは、第３ダウンリンク動作バンドのみで構成されている。
　なお、アップリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのアップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、ダウンリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。
　図２は、実施の形態に係る高周波回路１に適用されるバンドの組み合わせを例示した図である。
　本実施の形態に係る高周波回路１では、第１バンドは、例えば、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用のＬＴＥのためのバンドＢ１３または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３（第１ダウンリンク動作バンド：７４６－７５６ＭＨｚ、第１アップリンク動作バンド：７７７－７８７ＭＨｚ）であり、第２バンドは、例えば、ＦＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ２６または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６（第２アップリンク動作バンド：８１４－８４９ＭＨｚ、第２ダウンリンク動作バンド：８５９－８９４ＭＨｚ）である。第３バンドは、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７（第３ダウンリンク動作バンド：７３８－７５８ＭＨｚ）である。第３バンドは、第１ダウンリンク動作バンドの少なくとも一部と重なっている。
　図１に戻り、高周波回路１の回路構成について説明する。
　スイッチ６０は、第１スイッチの一例であり、４つのＳＰＳＴ（Single Pole Single Throw）型のスイッチ素子（第１スイッチ素子～第４スイッチ素子）を有する。各スイッチ素子の一方の端子である共通端子６０ａは、アンテナ接続端子１００に接続されている。第１スイッチ素子の他方の端子である選択端子６０ｂ（第２端子）は、フィルタ１１に接続されている。第２スイッチ素子の他方の端子である選択端子６０ｃ（第１端子）は、フィルタ１２に接続されている。第３スイッチ素子の他方の端子である選択端子６０ｄ（第３端子）は、フィルタ２０に接続されている。第４スイッチ素子の他方の端子である選択端子６０ｅ（第４端子）は、整合回路５０に接続されている。この構成により、スイッチ６０は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１００とフィルタ１１との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１００とフィルタ１２との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１００とフィルタ２０との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１００と整合回路５０との接続および非接続を切り替える。なお、スイッチ６０が有するスイッチ素子の数は、高周波回路１が有するフィルタおよび整合回路の数に応じて、適宜設定される。
　なお、共通端子６０ａと整合回路５０との接続および非接続を切り替える第４スイッチ素子は、スイッチ６０に含まれていなくてもよく、スイッチ６０とは異なる第２スイッチに含まれていてもよい。
　スイッチ６１は、第３スイッチの一例であり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０との間に接続されている。具体的には、スイッチ６１は、共通端子６１ａおよび選択端子６１ｂを有する。共通端子６１ａは低雑音増幅器３０の入力端子に接続されている。選択端子６１ｂはフィルタ１１に接続されている。この接続構成により、スイッチ６１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１１と低雑音増幅器３０との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ６２は、第４スイッチの一例であり、フィルタ１２および２０と電力増幅器４０との間に接続されている。具体的には、スイッチ６２は、共通端子６２ａ、選択端子６２ｂおよび６２ｃを有する。共通端子６２ａは、電力増幅器４０の出力端子に接続されている。選択端子６２ｂはフィルタ１２に接続され、選択端子６２ｃはフィルタ２０に接続されている。この接続構成により、スイッチ６２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１２と電力増幅器４０との接続および非接続を切り替え、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０との接続および非接続を切り替える。
　整合回路５０は、インピーダンス整合回路の一例であり、インピーダンス素子を含み、スイッチ６０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。インピーダンス素子は、例えば、一端が選択端子６０ｅに接続され、他端がグランドに接続されたインダクタである。
　なお、スイッチ６０は、半導体ＩＣ（Integrated Circuit）に形成されていてもよい。さらに、スイッチ６１および６２が、上記半導体ＩＣに含まれてもよい。また、整合回路５０のインピーダンス素子が、上記半導体ＩＣに含まれてもよい。これによれば、スイッチ６０、６１、６２、およびインピーダンス素子を小型化かつ低背化できる。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
　なお、図１に表された回路素子のいくつかは、高周波回路１に含まれなくてもよい。例えば、高周波回路１は、少なくともフィルタ１１、１２および２０、スイッチ６０、ならびに整合回路５０を備えればよく、他の回路素子を備えなくてもよい。
　［１．３　実施の形態における各モードの回路接続状態］
　まず、各モードの定義を示す。
　第１モードは、第１バンドの送信信号および受信信号を同時伝送するモードである。第２モードは、第１バンドの送信信号および受信信号ならびに第２バンドの送信信号を同時伝送する（２アップリンク１ダウンリンク）モードである。第３モードは、第３バンドの受信信号を伝送するモードである。
　図３Ａは、実施の形態に係る高周波回路１の第１モードの回路状態を示す図である。同図に示すように、第１モードが実行される場合、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが非接続状態となる。
　また、第１モードが実行される場合、共通端子６２ａと選択端子６２ｂとが接続状態となり、共通端子６２ａと選択端子６２ｃとが非接続状態となり、共通端子６１ａと選択端子６１ｂとが接続状態となる。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが非接続状態となる。
　このとき、第１バンドの送信信号は、高周波入力端子１２０、電力増幅器４０、スイッチ６２、フィルタ１２、スイッチ６０、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。また、第１バンドの受信信号は、アンテナ２、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ１１、スイッチ６１、低雑音増幅器３０、および高周波出力端子１１０、という受信経路を伝送する。
　図３Ｂは、実施の形態に係る高周波回路１の第２モードの回路状態を示す図である。同図に示すように、第２モードが実行される場合、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが接続状態となる。
　また、第２モードが実行される場合、共通端子６２ａと選択端子６２ｂとが接続状態となり、共通端子６２ａと選択端子６２ｃとが接続状態となり、共通端子６１ａと選択端子６１ｂとが接続状態となる。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが接続状態となる。
　このとき、第１バンドの送信信号は、高周波入力端子１２０、電力増幅器４０、スイッチ６２、フィルタ１２、スイッチ６０、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。また、第１バンドの受信信号は、アンテナ２、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ１１、スイッチ６１、低雑音増幅器３０、および高周波出力端子１１０、という受信経路を伝送する。また、第２バンドの送信信号は、高周波入力端子１２０、電力増幅器４０、スイッチ６２、フィルタ２０、スイッチ６０、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。
　図３Ｃは、実施の形態に係る高周波回路１の第３モードの回路状態を示す図である。同図に示すように、第３モードが実行される場合、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが接続状態となる。
　また、第３モードが実行される場合、共通端子６２ａと選択端子６２ｂとが非接続状態となり、共通端子６２ａと選択端子６２ｃとが非接続状態となり、共通端子６１ａと選択端子６１ｂとが接続状態となる。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが非接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが非接続状態となる。
　このとき、第３バンドの受信信号は、アンテナ２、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ１１、スイッチ６１、低雑音増幅器３０、および高周波出力端子１１０、という受信経路を伝送する。
　これによれば、フィルタ１１および１２が第１バンドのデュプレクサとして使用される第１モードでは、整合回路５０が接続されない状態でインピーダンス整合されていたのに対して、フィルタ１１を第３バンドの受信フィルタとして使用する第３モードでは、フィルタ１２がオープン状態となってインピーダンスがずれてしまうことを、整合回路５０を接続することでインピーダンス整合している。つまり、第１モードおよび第３モードで同じフィルタ１１を使用する場合であっても、モードが異なれば、整合回路５０の接続状態を変化させている。これにより、同じフィルタを使用する第１モードおよび第３モードの双方で高周波回路１の伝送損失の増加を抑制できる。
　また、第３バンドの信号を伝送する第３モード時と、第１バンドおよび第２バンドの信号を同時伝送する第２モード時とで、インピーダンス素子（整合回路５０）を兼用している。また、第１バンドの信号を伝送する第１モード時には、インピーダンス素子（整合回路５０）を使用しない。これにより、第３モード時と第２モード時とで異なるインピーダンス素子を使用する場合と比較して、高周波回路１を小型化できる。
　なお、第３モードは、第３バンドの受信信号と第２バンドの送信信号とを同時伝送するモードであってもよい。具体的には、第３モードでは、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが接続状態となってもよい。このとき、共通端子６２ａと６２ｂとが非接続状態となり、共通端子６２ａと６２ｃとが接続状態となり、共通端子６１ａと６１ｂとが接続状態となってもよい。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが非接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが接続状態となってもよい。
　さらに、第３モードは、第３バンドの受信信号と第２バンドの送信信号と第２バンドの受信信号とを同時伝送するモードであってもよい。具体的には、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが接続状態となってもよい。このとき、共通端子６２ａと６２ｂとが非接続状態となり、共通端子６２ａと６２ｃとが接続状態となり、共通端子６１ａと６１ｂとが接続状態となってもよい。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが非接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが接続状態となってもよい。なお、このとき、図３Ｃでは、第２バンドの受信信号を伝送する回路は図示されていない。
　なお、第３バンドの受信信号と第２バンドの送信信号と第２バンドの受信信号とを同時伝送する第３モードでは、第１バンドは、例えば、ＦＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８（第１アップリンク動作バンド：７０３－７４８ＭＨｚ、第１ダウンリンク動作バンド：７５８－８０３ＭＨｚ）であり、第２バンドは、例えば、ＦＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ６６（第２アップリンク動作バンド：１７１０－１７８０ＭＨｚ、第２ダウンリンク動作バンド：２１１０－２２００ＭＨｚ）、ＦＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ２（第２アップリンク動作バンド：１８５０－１９１０ＭＨｚ、第２ダウンリンク動作バンド：１９３０－１９９０ＭＨｚ）、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５（第１アップリンク動作バンド：８２４－８４９ＭＨｚ、第１ダウンリンク動作バンド：８６９－８９４ＭＨｚ）である。第３バンドは、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ２９（第３ダウンリンク動作バンド：７１７－７２８ＭＨｚ）である。第３バンドは、第１アップリンク動作バンドの少なくとも一部と重なっている。
　また、第２バンドがＬＴＥのためのバンドＢ６６である場合、第３バンドの受信信号、第２バンドの送信信号および受信信号と同時に、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７（３３００－４２００ＭＨｚ）の送信信号が、図３Ｃに示された高周波回路１の回路構成とは別回路で伝送されてもよい。すなわち、バンドＢ６６の送信信号および受信信号、バンドｎ７７の送信信号または受信信号、ならびにバンドＢ２９の受信信号の同時伝送（２アップリンク／３ダウンリンク：ＤＣ（Dual Connectivity）＿２９＿６６＿ｎ７７）に対応可能である。
　また、第２バンドがＬＴＥのためのバンドＢ２である場合、第３バンドの受信信号、第２バンドの送信信号および受信信号と同時に、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７の送信信号が、図３Ｃに示された高周波回路１の回路構成とは別回路で伝送されてもよい。すなわち、バンドＢ２の送信信号および受信信号、バンドｎ７７の送信信号または受信信号、ならびにバンドＢ２９の受信信号の同時伝送（２アップリンク／３ダウンリンク：ＤＣ＿２＿２９＿ｎ７７）に対応可能である。
　また、第２バンドが５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５である場合、第３バンドの受信信号、第２バンドの送信信号および受信信号と同時に、ＬＴＥのためのバンドＢ２の送信信号および受信信号が、図３Ｃに示された高周波回路１の回路構成とは別回路で伝送されてもよい。さらに、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７の受信信号が、図３Ｃに示された高周波回路１の回路構成とは別回路で伝送されてもよい。すなわち、バンドＢ２およびバンドｎ５の送信信号ならびにバンドＢ２、バンドｎ５、バンドＢ２９およびバンドｎ７７受信信号の同時伝送（２アップリンク／４ダウンリンク：ＤＣ＿２＿２９＿ｎ５＿ｎ７７）に対応可能である。
　また、第２バンドが５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５である場合、第３バンドの受信信号および第２バンドの受信信号と同時に、ＬＴＥのためのバンドＢ２の送信信号および受信信号が、図３Ｃに示された高周波回路１の回路構成とは別回路で伝送されてもよい。さらに、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７７の送信信号および受信信号が、図３Ｃに示された高周波回路１の回路構成とは別回路で伝送されてもよい。すなわち、バンドＢ２およびバンドｎ７７の送信信号ならびにバンドＢ２、バンドｎ５、バンドＢ２９およびバンドｎ７７受信信号の同時伝送（２アップリンク／４ダウンリンク：ＤＣ＿２＿２９＿ｎ５＿ｎ７７）に対応可能である。
　なお、本実施の形態における高周波回路１では、上記のようなスイッチ６０の接続構成を示したが、本発明に係る高周波回路１では、インピーダンス素子とスイッチ６０の接続構成が、上記の接続構成と逆の接続構成を有してもよい。すなわち、第１モードでは、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが接続状態となる。また、第２モードでは、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが非接続状態となる。第３モードでは、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが非接続状態となる。
　これによれば、フィルタ１１および１２が第１バンドのデュプレクサとして使用される第１モードでは、整合回路５０が接続された状態でインピーダンス整合されていたのに対して、フィルタ１１を第３バンドの受信フィルタとして使用する第３モードでは、フィルタ１２がオープン状態となってインピーダンスがずれてしまうことを、整合回路５０を接続しないことでインピーダンス整合している。つまり、第１モードおよび第３モードで同じフィルタ１１を使用する場合であっても、モードが異なれば、整合回路５０の接続状態を変化させている。これにより、同じフィルタを使用する第１モードおよび第３モードの双方で高周波回路１の伝送損失の増加を抑制できる。
　また、第３バンドの信号を伝送する第３モード時と、第１バンドおよび第２バンドの信号を同時伝送する第２モード時とで、インピーダンス素子（整合回路５０）を使用しない。また、第１バンドの信号を伝送する第１モード時には、インピーダンス素子（整合回路５０）を使用している。これにより、第３モード時と第２モード時とで異なるインピーダンス素子を使用する場合と比較して、高周波回路１を小型化できる。
　［１．４　変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成］
　次に、変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成について、図４Ａ～図４Ｃを参照しながら説明する。
　図４Ａは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路１Ａの第１モードの回路状態を示す図である。図４Ｂは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路１Ａの第２モードの回路状態を示す図である。図４Ｃは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路１Ａの第３モードの回路状態を示す図である。
　図４Ａ～図４Ｃに示すように、高周波回路１Ａは、フィルタ１１、１２および２０と、低雑音増幅器３０と、電力増幅器４０と、スイッチ６０、６１および６２と、整合回路５０と、アンテナ接続端子１００と、高周波出力端子１１０と、高周波入力端子１２０と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ａは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、スイッチ６１の構成と、スイッチ６１、６２およびフィルタ１２の間の接続構成とが異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ａについて、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　電力増幅器４０は、第１電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１２０から入力された第１バンド、第２バンドおよび第３バンドの高周波送信信号（以下、送信信号と記す）を増幅可能である。電力増幅器４０は、高周波入力端子１２０とスイッチ６２との間に接続されている。
　低雑音増幅器３０は、第２低雑音増幅器の一例であり、アンテナ接続端子１００から入力された第１バンドおよび第３バンドの高周波受信信号（以下、受信信号と記す）を増幅する。低雑音増幅器３０は、高周波出力端子１１０とスイッチ６１との間に接続されている。
　第１バンドは、第１ダウンリンク動作バンドおよび第１アップリンク動作バンドで構成されている。第２バンドは、第２ダウンリンク動作バンドおよび第２アップリンク動作バンドで構成されている。第３バンドは、第３ダウンリンク動作バンドのみで構成されている。
　図５は、実施の形態の変形例１に係る高周波回路１Ａに適用されるバンドの組み合わせを例示した図である。
　本変形例に係る高周波回路１Ａでは、第１バンドは、例えば、ＦＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８（第１アップリンク動作バンド：７０３－７４８ＭＨｚ、第１ダウンリンク動作バンド：７５８－８０３ＭＨｚ）であり、第２バンドは、例えば、ＦＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ２０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０（第２ダウンリンク動作バンド：７９１－８２１ＭＨｚ、第２アップリンク動作バンド：８３２－８６２ＭＨｚ）である。第３バンドは、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２９（第３ダウンリンク動作バンド：７１７．２５－７２７．２５ＭＨｚ）である。第３バンドは、第１アップリンク動作バンドの少なくとも一部と重なっている。また、第１ダウンリンク動作バンドと第２ダウンリンク動作バンドとは、少なくとも一部重なっている。
　図４Ａ～図４Ｃに戻り、高周波回路１の回路構成について説明する。
　スイッチ６１は、第５スイッチの一例であり、フィルタ１１および１２と低雑音増幅器３０との間に接続されている。具体的には、スイッチ６１は、共通端子６１ａ、選択端子６１ｂおよび６１ｃを有する。共通端子６１ａは低雑音増幅器３０の入力端子に接続されている。選択端子６１ｂはフィルタ１１に接続され、選択端子６１ｃはフィルタ１２に接続されている。この接続構成により、スイッチ６１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１１と低雑音増幅器３０との接続および非接続を切り替え、かつ、フィルタ１２と低雑音増幅器３０との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ６２は、第４スイッチの一例であり、フィルタ１２および２０と電力増幅器４０との間に接続されている。具体的には、スイッチ６２は、共通端子６２ａおよび選択端子６２ｂおよび６２ｃを有する。共通端子６２ａは、電力増幅器４０の出力端子に接続されている。選択端子６２ｂはフィルタ１２に接続され、選択端子６２ｃはフィルタ２０に接続されている。この接続構成により、スイッチ６２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１２と電力増幅器４０との接続および非接続を切り替え、フィルタ２０と電力増幅器４０との接続および非接続を切り替える。
　整合回路５０は、インピーダンス整合回路の一例であり、インピーダンス素子を含み、スイッチ６０を介してアンテナ接続端子１００に接続されている。インピーダンス素子は、例えば、一端が選択端子６０ｅに接続され、他端がグランドに接続されたインダクタである。
　［１．５　変形例１における各モードの回路接続状態］
　まず、各モードの定義を示す。
　第１モードは、第１バンドの送信信号および受信信号を同時伝送するモードである。第２モードは、第１バンドの送信信号および受信信号ならびに第２バンドの送信信号を同時伝送する（２アップリンク１ダウンリンク）モードである。第３モードは、第３バンドの受信信号を伝送するモードである。
　図４Ａに示すように、第１モードが実行される場合、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが非接続状態となる。
　また、第１モードが実行される場合、共通端子６２ａと選択端子６２ｂとが接続状態となり、共通端子６２ａと選択端子６２ｃとが非接続状態となり、共通端子６１ａと選択端子６１ｂとが接続状態となり、共通端子６１ａと選択端子６１ｃとが非接続状態となる。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが非接続状態となる。
　このとき、第１バンドの送信信号は、高周波入力端子１２０、電力増幅器４０、スイッチ６２、フィルタ１２、スイッチ６０、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。また、第１バンドの受信信号は、アンテナ２、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ１１、スイッチ６１、低雑音増幅器３０、および高周波出力端子１１０、という受信経路を伝送する。
　図４Ｂに示すように、第２モードが実行される場合、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが接続状態となる。
　また、第２モードが実行される場合、共通端子６２ａと選択端子６２ｂとが接続状態となり、共通端子６２ａと選択端子６２ｃとが接続状態となり、共通端子６１ａと選択端子６１ｂとが接続状態となり、共通端子６１ａと選択端子６１ｃとが非接続状態となる。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが接続状態となる。
　このとき、第１バンドの送信信号は、高周波入力端子１２０、電力増幅器４０、スイッチ６２、フィルタ１２、スイッチ６０、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。また、第１バンドの受信信号は、アンテナ２、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ１１、スイッチ６１、低雑音増幅器３０、および高周波出力端子１１０、という受信経路を伝送する。また、第２バンドの送信信号は、高周波入力端子１２０、電力増幅器４０、スイッチ６２、フィルタ２０、スイッチ６０、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。
　図４Ｃに示すように、第３モードが実行される場合、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが接続状態となる。
　また、第３モードが実行される場合、共通端子６２ａと選択端子６２ｂとが非接続状態となり、共通端子６２ａと選択端子６２ｃとが非接続状態となり、共通端子６１ａと選択端子６１ｂとが非接続状態となり、共通端子６１ａと選択端子６１ｃとが接続状態となる。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが非接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが非接続状態となる。
　このとき、第３バンドの受信信号は、アンテナ２、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ１２、スイッチ６１、低雑音増幅器３０、および高周波出力端子１１０、という受信経路を伝送する。
　これによれば、フィルタ１１および１２が第１バンドのデュプレクサとして使用される第１モードでは、整合回路５０が接続されない状態でインピーダンス整合されていたのに対して、フィルタ１２を第３バンドの受信フィルタとして使用する第３モードでは、フィルタ１１がオープン状態となってインピーダンスがずれてしまうことを、整合回路５０を接続することでインピーダンス整合する。つまり、第１モードおよび第３モードで同じフィルタ１２を使用する場合であっても、モードが異なれば、整合回路５０の接続状態を変化させている。これにより、同じフィルタを使用する第１モードおよび第３モードの双方で高周波回路１Ａの伝送損失の増加を抑制できる。
　また、第３バンドの信号を伝送する第３モード時と、第１バンドおよび第２バンドの信号を同時伝送する第２モード時とで、インピーダンス素子（整合回路５０）を兼用している。また、第１バンドの信号を伝送する第１モード時には、インピーダンス素子（整合回路５０）を使用しない。これにより、第３モード時と第２モード時とで異なるインピーダンス素子を使用する場合と比較して、高周波回路１Ａを小型化できる。
　さらに、フィルタ１２を、電力増幅器４０および低雑音増幅器３０のいずれにも接続可能なスイッチ構成としているので、第１モードでは送信用フィルタとして使用するフィルタ１２を、第３モードでは受信用フィルタとして使用することが可能である。
　［１．６　変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成］
　次に、変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成について、図６Ａを参照しながら説明する。
　図６Ａは、実施の形態の変形例２に係る高周波回路１Ｂの第２モードの回路状態を示す図である。図６Ａに示すように、高周波回路１Ｂは、フィルタ１１、１２および２０と、低雑音増幅器３０および３１と、電力増幅器４０と、スイッチ６０、６１、６３および６４と、整合回路５０と、アンテナ接続端子１００と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｂは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、スイッチ６２に替わってスイッチ６３および６４が付加されている点、ならびに低雑音増幅器３１が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｂについて、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　電力増幅器４０は、第２電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１２０から入力された第１バンドおよび第３バンドの送信信号を増幅可能である。電力増幅器４０は、スイッチ６３に接続されている。
　低雑音増幅器３０は、第１低雑音増幅器の一例であり、アンテナ接続端子１００から入力された第１バンドおよび第３バンドの受信信号を増幅する。低雑音増幅器３０は、スイッチ６１に接続されている。
　低雑音増幅器３１は、第３低雑音増幅器の一例であり、アンテナ接続端子１００から入力された第２バンドの受信信号を増幅する。低雑音増幅器３１は、スイッチ６４に接続されている。
　スイッチ６１は、第３スイッチの一例であり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０との間に接続されている。具体的には、スイッチ６１は、共通端子６１ａおよび選択端子６１ｂを有する。共通端子６１ａは低雑音増幅器３０の入力端子に接続されている。選択端子６１ｂはフィルタ１１に接続されている。この接続構成により、スイッチ６１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１１と低雑音増幅器３０との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ６３は、第６スイッチの一例であり、フィルタ１２と電力増幅器４０との間に接続されている。具体的には、スイッチ６３は、共通端子６３ａおよび選択端子６３ｂを有する。共通端子６３ａは、電力増幅器４０の出力端子に接続されている。選択端子６３ｂはフィルタ１２に接続されている。この接続構成により、スイッチ６３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１２と電力増幅器４０との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ６４は、第７スイッチの一例であり、フィルタ２０と低雑音増幅器３１との間に接続されている。具体的には、スイッチ６４は、共通端子６４ａおよび選択端子６４ｂを有する。共通端子６４ａは低雑音増幅器３１の入力端子に接続されている。選択端子６４ｂはフィルタ２０に接続されている。この接続構成により、スイッチ６４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２０と低雑音増幅器３１との接続および非接続を切り替える。
　［１．７　変形例２における各モードの回路接続状態］
　まず、各モードの定義を示す。
　第１モードは、第１バンドの送信信号および受信信号を同時伝送するモードである。第２モードは、第１バンドの送信信号および受信信号ならびに第２バンドの受信信号を同時伝送する（１アップリンク２ダウンリンク）モードである。第３モードは、第３バンドの受信信号を伝送するモードである。
　第１モードが実行される場合、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが非接続状態となる。
　また、第１モードが実行される場合、共通端子６１ａと選択端子６１ｂとが接続状態となり、共通端子６３ａと選択端子６３ｃとが接続状態となり、共通端子６４ａと選択端子６４ｂとが非接続状態となる。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と低雑音増幅器３１とが非接続状態となる。
　図６Ａに示すように、第２モードが実行される場合、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが接続状態となる。
　また、第２モードが実行される場合、共通端子６１ａと選択端子６１ｂとが接続状態となり、共通端子６３ａと選択端子６３ｃとが接続状態となり、共通端子６４ａと選択端子６４ｂとが接続状態となる。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と低雑音増幅器３１とが接続状態となる。
　第３モードが実行される場合、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｅとが接続状態となる。
　また、第３モードが実行される場合、共通端子６１ａと選択端子６１ｂとが接続状態となり、共通端子６３ａと選択端子６３ｂとが非接続状態となり、共通端子６４ａと選択端子６４ｂとが非接続状態となる。つまり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが非接続状態となり、かつ、フィルタ２０と低雑音増幅器３１とが非接続状態となる。
　これによれば、フィルタ１１および１２が第１バンドのデュプレクサとして使用される第１モードでは、整合回路５０が接続されない状態でインピーダンス整合されていたのに対して、フィルタ１１を第３バンドの受信フィルタとして使用する第３モードでは、フィルタ１２がオープン状態となってインピーダンスがずれてしまうことを、整合回路５０を接続することでインピーダンス整合する。つまり、第１モードおよび第３モードで同じフィルタ１１を使用する場合であっても、モードが異なれば、整合回路５０の接続状態を変化させている。これにより、同じフィルタを使用する第１モードおよび第３モードの双方で高周波回路１Ｂの伝送損失の増加を抑制できる。
　また、第３バンドの信号を伝送する第３モード時と、第１バンドおよび第２バンドの信号を同時伝送する第２モード時とで、インピーダンス素子（整合回路５０）を兼用している。また、第１バンドの信号を伝送する第１モード時には、インピーダンス素子（整合回路５０）を使用しない。これにより、第３モード時と第２モード時とで異なるインピーダンス素子を使用する場合と比較して、高周波回路１Ｂを小型化できる。
　さらに、フィルタ２０を低雑音増幅器３１と接続可能な構成としているので、第２モードでは１アップリンク２ダウンリンクを実行することが可能である。
　［１．８　変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成］
　次に、変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成について、図６Ｂを参照しながら説明する。
　図６Ｂは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路１Ｃの第２モードの回路状態を示す図である。図６Ｂに示すように、高周波回路１Ｃは、フィルタ１１、１２および２０と、低雑音増幅器３２と、電力増幅器４０と、分配器７０と、スイッチ６０、６１、６３および６４と、整合回路５０と、アンテナ接続端子１００と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｃは、変形例２に係る高周波回路１Ｂと比較して、低雑音増幅器３０および３１に替わって低雑音増幅器３２および分配器７０が配置された点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｃについて、変形例２に係る高周波回路１Ｂと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　低雑音増幅器３２は、第４低雑音増幅器の一例であり、アンテナ接続端子１００から入力された第１バンド、第２バンドおよび第３バンドの受信信号を増幅する。低雑音増幅器３２の入力端子は、スイッチ６１および６４に接続され、出力端子は分配器７０に接続されている。
　分配器７０は、入力端子に入力された高周波信号を電力分配し、当該電力分配された高周波信号を２つの出力端子から出力する。
　スイッチ６１は、第３スイッチの一例であり、フィルタ１１と低雑音増幅器３２との間に接続されている。具体的には、スイッチ６１は、共通端子６１ａおよび選択端子６１ｂを有する。共通端子６１ａは低雑音増幅器３２の入力端子に接続されている。選択端子６１ｂはフィルタ１１に接続されている。この接続構成により、スイッチ６１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１１と低雑音増幅器３２との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ６３は、第６スイッチの一例であり、フィルタ１２と電力増幅器４０との間に接続されている。具体的には、スイッチ６３は、共通端子６３ａおよび選択端子６３ｂを有する。共通端子６３ａは、電力増幅器４０の出力端子に接続されている。選択端子６３ｂはフィルタ１２に接続されている。この接続構成により、スイッチ６３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１２と電力増幅器４０との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ６４は、第７スイッチの一例であり、フィルタ２０と低雑音増幅器３２との間に接続されている。具体的には、スイッチ６４は、共通端子６４ａおよび選択端子６４ｂを有する。共通端子６４ａは低雑音増幅器３２の入力端子に接続されている。選択端子６４ｂはフィルタ２０に接続されている。この接続構成により、スイッチ６４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２０と低雑音増幅器３２との接続および非接続を切り替える。
　これによれば、本変形例に係る高周波回路１Ｃは、変形例２に係る高周波回路１Ｂと同様の効果を奏するとともに、２つの低雑音増幅器に替わりに１つの低雑音増幅器で第１～第３モードの受信信号を増幅できるので、高周波回路１Ｃの消費電力の低減および小型化という効果を奏する。
　［１．９　変形例４に係る高周波回路１Ｄの回路構成］
　次に、変形例４に係る高周波回路１Ｄの回路構成について、図７を参照しながら説明する。
　図７は、実施の形態の変形例４に係る高周波回路１Ｄの第２モードの回路状態を示す図である。図７に示すように、高周波回路１Ｄは、フィルタ１１、１２および２０と、低雑音増幅器３０および３１と、電力増幅器４０および４１と、スイッチ６０、６１、６３および６５と、整合回路５０と、アンテナ接続端子１００と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｄは、変形例２に係る高周波回路１Ｂと比較して、スイッチ６４に替わってスイッチ６５が配置された点、および、電力増幅器４１が付加された点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｄについて、変形例２に係る高周波回路１Ｂと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　電力増幅器４０は、第２電力増幅器の一例であり、第１バンドおよび第３バンドの送信信号を増幅可能である。電力増幅器４０は、スイッチ６３に接続されている。
　低雑音増幅器３０は、第１低雑音増幅器の一例であり、アンテナ接続端子１００から入力された第１バンドおよび第３バンドの受信信号を増幅する。低雑音増幅器３０は、スイッチ６１に接続されている。
　電力増幅器４１は、第３電力増幅器の一例であり、第２バンドの送信信号を増幅可能である。電力増幅器４１は、スイッチ６５に接続されている。
　低雑音増幅器３１は、第３低雑音増幅器の一例であり、アンテナ接続端子１００から入力された第２バンドの受信信号を増幅する。低雑音増幅器３１は、スイッチ６５に接続されている。
　スイッチ６１は、第３スイッチの一例であり、フィルタ１１と低雑音増幅器３０との間に接続されている。具体的には、スイッチ６１は、共通端子６１ａおよび選択端子６１ｂを有する。共通端子６１ａは低雑音増幅器３０の入力端子に接続されている。選択端子６１ｂはフィルタ１１に接続されている。この接続構成により、スイッチ６１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１１と低雑音増幅器３０との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ６３は、第６スイッチの一例であり、フィルタ１２と電力増幅器４０との間に接続されている。具体的には、スイッチ６３は、共通端子６３ａおよび選択端子６３ｂを有する。共通端子６３ａは、電力増幅器４０の出力端子に接続されている。選択端子６３ｂはフィルタ１２に接続されている。この接続構成により、スイッチ６３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ１２と電力増幅器４０との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ６５は、第８スイッチの一例であり、フィルタ２０と低雑音増幅器３１および電力増幅器４１との間に接続されている。具体的には、スイッチ６５は、共通端子６５ａ、選択端子６５ｂおよび６５ｃを有する。共通端子６５ａはフィルタ２０に接続され、選択端子６５ｂは電力増幅器４１の出力端子に接続され、選択端子６５ｃは低雑音増幅器３１の入力端子に接続されている。この接続構成により、スイッチ６５は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、フィルタ２０と低雑音増幅器３１との接続およびフィルタ２０と電力増幅器４１との接続を切り替える。
　これによれば、本変形例に係る高周波回路１Ｄは、変形例２に係る高周波回路１Ｂと同様の効果を奏するとともに、フィルタ２０を時分割複信方式（ＴＤＤ：Time Division Duplex）で使用できる。言い換えると、第２モードでは１アップリンク２ダウンリンクおよび２アップリンク１ダウンリンクの双方を実行することが可能である。
　［１．１０　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１および変形例１に係る高周波回路１Ａは、ＦＤＤ用の第１バンドのうちのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１２と、第１バンドのうちのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１１と、第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有するフィルタ２０と、整合回路５０と、共通端子６０ａ、フィルタ１１に接続された選択端子６０ｂ、フィルタ１２に接続された選択端子６０ｃ、およびフィルタ２０に接続された選択端子６０ｄを有し、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとの導通および非導通を切り替え、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとの導通および非導通を切り替え、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとの導通および非導通を切り替えるスイッチ６０と、共通端子６０ａと整合回路５０との導通および非導通を切り替える第４スイッチ素子と、を備える。フィルタ１１および１２の一方は第３バンドを通過帯域に含む。共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となる第１モードでは、共通端子６０ａと整合回路５０とが非接続状態となる。共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが接続状態となる第２モードでは、共通端子６０ａと整合回路５０とが接続状態となる。共通端子６０ａと選択端子６０ｂおよび６０ｃの一方とが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｂおよび６０ｃの他方とが非接続状態となる第３モードでは、共通端子６０ａと整合回路５０とが接続状態となる。
　これによれば、第１モードでは、整合回路５０が接続されない状態でインピーダンス整合されていたのに対して、第３モードでは、フィルタ１１および１２の他方がオープン状態となりインピーダンスがずれてしまうことを、整合回路５０を接続することでインピーダンス整合する。つまり、同じフィルタ１１および１２の一方を使用する場合であっても、伝送モードが異なれば、整合回路５０の接続状態を変化させている。これにより、同じフィルタを使用する第１モードおよび第３モードの双方で高周波回路１の伝送損失の増加を抑制できる。また、第３モード時と第２モード時とで、整合回路５０を使用する。また、第１モード時には整合回路５０を使用しない。これにより、第３モード時と第２モード時とで異なるインピーダンス素子を使用する場合と比較して、高周波回路１および１Ａを小型化できる。
　また、本実施の形態に係る高周波回路１および変形例１に係る高周波回路１Ａは、共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが非接続状態となる第１モードでは、共通端子６０ａと整合回路５０とが接続状態となる。共通端子６０ａと選択端子６０ｂとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｃとが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｄとが接続状態となる第２モードでは、共通端子６０ａと整合回路５０とが非接続状態となる。共通端子６０ａと選択端子６０ｂおよび６０ｃの一方とが接続状態となり、共通端子６０ａと選択端子６０ｂおよび６０ｃの他方とが非接続状態となる第３モードでは、共通端子６０ａと整合回路５０とが非接続状態となる。
　また例えば、高周波回路１は、さらに、低雑音増幅器３０と、電力増幅器４０と、低雑音増幅器３０とフィルタ１１との間に接続され、低雑音増幅器３０とフィルタ１１との接続および非接続を切り替えるスイッチ６１と、電力増幅器４０とフィルタ１２およびフィルタ２０との間に接続され、電力増幅器４０とフィルタ１２との接続および非接続を切り替え、かつ、電力増幅器４０とフィルタ２０との接続および非接続を切り替えるスイッチ６２と、を備えてもよい。
　これによれば、第１バンドの送信信号および第２バンドの送信信号を１つの電力増幅器４０で増幅するので、高周波回路１を小型化できる。
　また例えば、高周波回路１において、第１モードでは、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが非接続状態となり、第２モードでは、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが接続状態となり、第３モードでは、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが非接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが非接続状態となってもよい。
　また例えば、高周波回路１において、第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１３または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３であり、第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２６または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６であり、第３バンドは、ＬＴＥのためのＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７であってもよい。
　また例えば、変形例１に係る高周波回路１Ａは、さらに、低雑音増幅器３０と、電力増幅器４０と、低雑音増幅器３０とフィルタ１１および１２との間に接続され、低雑音増幅器３０とフィルタ１１との接続および非接続を切り替え、かつ、低雑音増幅器３０とフィルタ１２との接続および非接続を切り替えるスイッチ６１と、電力増幅器４０とフィルタ１２および２０との間に接続され、電力増幅器４０とフィルタ１２との接続および非接続を切り替え、かつ、電力増幅器４０とフィルタ２０との接続および非接続を切り替えるスイッチ６２と、を備えてもよい。
　これによれば、フィルタ１２を、電力増幅器４０および低雑音増幅器３０のいずれにも接続可能なスイッチ構成としているので、第１モードでは送信用フィルタとして使用するフィルタ１２を、第３モードでは受信用フィルタとして使用することが可能である。
　また例えば、変形例１に係る高周波回路１Ａにおいて、第１モードでは、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが非接続状態となり、第２モードでは、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ１２と電力増幅器４０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが接続状態となり、第３モードでは、フィルタ１１と低雑音増幅器３０とが非接続状態となり、かつ、フィルタ１２と低雑音増幅器３０とが接続状態となり、かつ、フィルタ２０と電力増幅器４０とが非接続状態となってもよい。
　また例えば、高周波回路１Ａにおいて、第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８であり、第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、第３バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２９であってもよい。
　また例えば、変形例２に係る高周波回路１Ｂは、さらに、低雑音増幅器３０および３１と、電力増幅器４０と、低雑音増幅器３０とフィルタ１１との間に接続され、低雑音増幅器３０とフィルタ１１との接続および非接続を切り替えるスイッチ６１と、電力増幅器４０とフィルタ１２との間に接続され、電力増幅器４０とフィルタ１２との接続および非接続を切り替えるスイッチ６３と、低雑音増幅器３１とフィルタ２０との間に接続され、低雑音増幅器３１とフィルタ２０との接続および非接続を切り替えるスイッチ６４と、を備えてもよい。
　これによれば、フィルタ２０を低雑音増幅器３１と接続可能な構成としているので、第２モードでは１アップリンク２ダウンリンクを実行することが可能である。
　また例えば、変形例３に係る高周波回路１Ｃは、さらに、低雑音増幅器３２と、電力増幅器４０と、低雑音増幅器３２とフィルタ１１との間に接続され、低雑音増幅器３２とフィルタ１１との接続および非接続を切り替えるスイッチ６１と、電力増幅器４０とフィルタ１２との間に接続され、電力増幅器４０とフィルタ１２との接続および非接続を切り替えるスイッチ６３と、低雑音増幅器３２とフィルタ２０との間に接続され、低雑音増幅器３２とフィルタ２０との接続および非接続を切り替えるスイッチ６４と、低雑音増幅器３２の出力端子に接続された分配器７０と、を備えてもよい。
　これによれば、１つの低雑音増幅器３２で第１～第３モードの受信信号を増幅できるので、高周波回路１Ｃの消費電力の低減および小型化が可能となる。
　また例えば、変形例４に係る高周波回路１Ｄは、さらに、低雑音増幅器３０および３１と、電力増幅器４０および４１と、低雑音増幅器３０とフィルタ１１との間に接続され、低雑音増幅器３０とフィルタ１１との接続および非接続を切り替えるスイッチ６１と、電力増幅器と４０フィルタ１２との間に接続され、電力増幅器４０とフィルタ１２との接続および非接続を切り替えるスイッチ６３と、低雑音増幅器３１および電力増幅器４１とフィルタ２０との間に接続され、低雑音増幅器３１とフィルタ２０との接続および電力増幅器４１とフィルタ２０との接続を切り替えるスイッチ６５と、を備えてもよい。
　これによれば、フィルタ２０をＴＤＤで使用できる。言い換えると、第２モードでは１アップリンク２ダウンリンクおよび２アップリンク１ダウンリンクの双方を実行することが可能である。
　また例えば、高周波回路１において、整合回路５０に含まれるインピーダンス素子は、一端が第４スイッチ素子に接続され、他端がグランドに接続されたインダクタであってもよい。
　また例えば、高周波回路１において、第４スイッチ素子は、スイッチ６０に含まれてもよい。
　これによれば、高周波回路１を小型化できる。
　また例えば、高周波回路１において、スイッチ６０は半導体ＩＣに含まれてもよい。
　これによれば、スイッチ６０を小型化かつ低背化できる。
　また例えば、高周波回路１において、インピーダンス素子は、上記半導体ＩＣに含まれてもよい。
　これによれば、インピーダンス素子を小型化かつ低背化できる。
　また、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２との間で高周波信号を伝送する高周波回路１と、を備える。
　これによれば、通信装置５は、高周波回路１の上記効果と同様の効果を奏することができる。
　（その他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波回路および通信装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明に係る高周波回路および通信装置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態および変形例に係る高周波回路および通信装置の回路構成において、図面に表された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されてもよい。
　また、上記実施の形態において、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥのためのバンドが用いられていたが、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥに加えてまたは代わりに、他の無線アクセス技術のための通信バンドが用いられてもよい。例えば、無線ローカルエリアネットワークのための通信バンドが用いられてもよい。また例えば、７ギガヘルツ以上のミリ波帯域が用いられてもよい。この場合、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ３とは、ミリ波アンテナモジュールを構成し、フィルタとして、例えば分布定数型フィルタが用いられてもよい。
　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波回路として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ　　高周波回路
　２　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　５　　通信装置
　１１、１２、２０　　フィルタ
　３０、３１、３２　　低雑音増幅器
　４０、４１　　電力増幅器
　５０　　整合回路
　６０、６１、６２、６３、６４、６５　　スイッチ
　６０ａ、６１ａ、６２ａ、６３ａ、６４ａ、６５ａ　　共通端子
　６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅ、６１ｂ、６１ｃ、６２ｂ、６２ｃ、６３ｂ、６４ｂ、６５ｂ、６５ｃ　　選択端子
　７０　　分配器
　１００　　アンテナ接続端子
　１１０　　高周波出力端子
　１２０　　高周波入力端子

Claims (16)

  1. 　周波数分割複信用の第１バンドのうちのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
    　前記第１バンドのうちのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、
    　第２バンドの少なくとも一部を含む通過帯域を有する第３フィルタと、
    　インピーダンス素子と、
    　共通端子、前記第１フィルタに接続された第１端子、前記第２フィルタに接続された第２端子、および前記第３フィルタに接続された第３端子を有し、前記共通端子と前記第１端子との導通および非導通を切り替え、前記共通端子と前記第２端子との導通および非導通を切り替え、前記共通端子と前記第３端子との導通および非導通を切り替える第１スイッチと、
    　前記共通端子と前記インピーダンス素子との導通および非導通を切り替える第２スイッチと、を備え、
    　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタの一方は、第３バンドを通過帯域に含み、
    　前記共通端子と前記第１端子とが接続状態となり、前記共通端子と前記第２端子とが接続状態となり、前記共通端子と前記第３端子とが非接続状態となる第１モードでは、前記共通端子と前記インピーダンス素子とが非接続状態となり、
    　前記共通端子と前記第１端子とが接続状態となり、前記共通端子と前記第２端子とが接続状態となり、前記共通端子と前記第３端子とが接続状態となる第２モードでは、前記共通端子と前記インピーダンス素子とが接続状態となり、
    　前記共通端子と前記第１端子および前記第２端子の一方とが接続状態となり、前記共通端子と前記第１端子および前記第２端子の他方とが非接続状態となる第３モードでは、前記共通端子と前記インピーダンス素子とが接続状態となる、
    　高周波回路。
  2. 　周波数分割複信用の第１バンドのうちのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
    　前記第１バンドのうちのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、
    　第２バンドの少なくとも一部含む通過帯域を有する第３フィルタと、
    　インピーダンス素子と、
    　共通端子、前記第１フィルタに接続された第１端子、前記第２フィルタに接続された第２端子、および前記第３フィルタに接続された第３端子を有し、前記共通端子と前記第１端子との導通および非導通を切り替え、前記共通端子と前記第２端子との導通および非導通を切り替え、前記共通端子と前記第３端子との導通および非導通を切り替える第１スイッチと、
    　前記共通端子と前記インピーダンス素子との導通および非導通を切り替える第２スイッチと、を備え、
    　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタの一方は、第３バンドを通過帯域に含み、
    　前記共通端子と前記第１端子とが接続状態となり、前記共通端子と前記第２端子とが接続状態となり、前記共通端子と前記第３端子とが非接続状態となる第１モードでは、前記共通端子と前記インピーダンス素子とが接続状態となり、
    　前記共通端子と前記第１端子とが接続状態となり、前記共通端子と前記第２端子とが接続状態となり、前記共通端子と前記第３端子とが接続状態となる第２モードでは、前記共通端子と前記インピーダンス素子とが非接続状態となり、
    　前記共通端子と前記第１端子および前記第２端子の一方とが接続状態となり、前記共通端子と前記第１端子および前記第２端子の他方とが非接続状態となる第３モードでは、前記共通端子と前記インピーダンス素子とが非接続状態となる、
    　高周波回路。
  3. 　さらに、
    　第１低雑音増幅器と、
    　第１電力増幅器と、
    　前記第１低雑音増幅器と前記第２フィルタとの間に接続され、前記第１低雑音増幅器と前記第２フィルタとの接続および非接続を切り替える第３スイッチと、
    　前記第１電力増幅器と前記第１フィルタおよび前記第３フィルタとの間に接続され、前記第１電力増幅器と前記第１フィルタとの接続および非接続を切り替え、かつ、前記第１電力増幅器と前記第３フィルタとの接続および非接続を切り替える第４スイッチと、を備える、
    　請求項１または２に記載の高周波回路。
  4. 　前記第１モードでは、前記第２フィルタと前記第１低雑音増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第１フィルタと前記第１電力増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第３フィルタと前記第１電力増幅器とが非接続状態となり、
    　前記第２モードでは、前記第２フィルタと前記第１低雑音増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第１フィルタと前記第１電力増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第３フィルタと前記第１電力増幅器とが接続状態となり、
    　前記第３モードでは、前記第２フィルタと前記第１低雑音増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第１フィルタと前記第１電力増幅器とが非接続状態となり、かつ、前記第３フィルタと前記第１電力増幅器とが非接続状態となる、
    　請求項３に記載の高周波回路。
  5. 　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１３または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３であり、
    　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２６または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６であり、
    　前記第３バンドは、ＬＴＥのためのＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７である、
    　請求項３または４に記載の高周波回路。
  6. 　さらに、
    　第２低雑音増幅器と、
    　第１電力増幅器と、
    　前記第２低雑音増幅器と前記第１フィルタおよび前記第２フィルタとの間に接続され、前記第２低雑音増幅器と前記第２フィルタとの接続および非接続を切り替え、かつ、前記第２低雑音増幅器と前記第１フィルタとの接続および非接続を切り替える第５スイッチと、
    　前記第１電力増幅器と前記第１フィルタおよび前記第３フィルタとの間に接続され、前記第１電力増幅器と前記第１フィルタとの接続および非接続を切り替え、かつ、前記第１電力増幅器と前記第３フィルタとの接続および非接続を切り替える第４スイッチと、を備える、
    　請求項１または２に記載の高周波回路。
  7. 　前記第１モードでは、前記第２フィルタと前記第２低雑音増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第１フィルタと前記第１電力増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第３フィルタと前記第１電力増幅器とが非接続状態となり、
    　前記第２モードでは、前記第２フィルタと前記第２低雑音増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第１フィルタと前記第１電力増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第３フィルタと前記第１電力増幅器とが接続状態となり、
    　前記第３モードでは、前記第２フィルタと前記第２低雑音増幅器とが非接続状態となり、かつ、前記第１フィルタと前記第２低雑音増幅器とが接続状態となり、かつ、前記第３フィルタと前記第１電力増幅器とが非接続状態となる、
    　請求項６に記載の高周波回路。
  8. 　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２８または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８であり、
    　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２０または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０であり、
    　前記第３バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２９である、
    　請求項６または７に記載の高周波回路。
  9. 　さらに、
    　第１低雑音増幅器および第３低雑音増幅器と、
    　第２電力増幅器と、
    　前記第１低雑音増幅器と前記第２フィルタとの間に接続され、前記第１低雑音増幅器と前記第２フィルタとの接続および非接続を切り替える第３スイッチと、
    　前記第２電力増幅器と前記第１フィルタとの間に接続され、前記第２電力増幅器と前記第１フィルタとの接続および非接続を切り替える第６スイッチと、
    　前記第３低雑音増幅器と前記第３フィルタとの間に接続され、前記第３低雑音増幅器と前記第３フィルタとの接続および非接続を切り替える第７スイッチと、を備える、
    　請求項１または２に記載の高周波回路。
  10. 　さらに、
    　第４低雑音増幅器と、
    　第２電力増幅器と、
    　前記第４低雑音増幅器と前記第２フィルタとの間に接続され、前記第４低雑音増幅器と前記第２フィルタとの接続および非接続を切り替える第３スイッチと、
    　前記第２電力増幅器と前記第１フィルタとの間に接続され、前記第２電力増幅器と前記第１フィルタとの接続および非接続を切り替える第６スイッチと、
    　前記第４低雑音増幅器と前記第３フィルタとの間に接続され、前記第４低雑音増幅器と前記第３フィルタとの接続および非接続を切り替える第７スイッチと、
    　前記第４低雑音増幅器の出力端子に接続された分配器と、を備える、
    　請求項１または２に記載の高周波回路。
  11. 　さらに、
    　第１低雑音増幅器および第３低雑音増幅器と、
    　第２電力増幅器および第３電力増幅器と、
    　前記第１低雑音増幅器と前記第２フィルタとの間に接続され、前記第１低雑音増幅器と前記第２フィルタとの接続および非接続を切り替える第３スイッチと、
    　前記第２電力増幅器と前記第１フィルタとの間に接続され、前記第２電力増幅器と前記第１フィルタとの接続および非接続を切り替える第６スイッチと、
    　前記第３低雑音増幅器および前記第３電力増幅器と前記第３フィルタとの間に接続され、前記第３低雑音増幅器と前記第３フィルタとの接続および前記第３電力増幅器と前記第３フィルタとの接続を切り替える第８スイッチと、を備える、
    　請求項１または２に記載の高周波回路。
  12. 　前記インピーダンス素子は、一端が前記第２スイッチに接続され、他端がグランドに接続されたインダクタである、
    　請求項１～１１のいずれか１項に記載の高周波回路。
  13. 　前記第２スイッチは、前記第１スイッチに含まれる、
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の高周波回路。
  14. 　前記第１スイッチは、半導体ＩＣに含まれる、
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の高周波回路。
  15. 　前記インピーダンス素子は、前記半導体ＩＣに含まれる、
    　請求項１４に記載の高周波回路。
  16. 　高周波信号を処理する信号処理回路と、
    　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波回路と、備える、
    　通信装置。
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