WO2022210088A1 - 基板処理装置、および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022210088A1
WO2022210088A1 PCT/JP2022/013136 JP2022013136W WO2022210088A1 WO 2022210088 A1 WO2022210088 A1 WO 2022210088A1 JP 2022013136 W JP2022013136 W JP 2022013136W WO 2022210088 A1 WO2022210088 A1 WO 2022210088A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
liquid
main surface
vibrator
vibration
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/013136
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
幸吉 広城
光則 中森
洋介 川渕
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to CN202280023841.7A priority Critical patent/CN117063266A/zh
Priority to KR1020237032188A priority patent/KR20230163391A/ko
Priority to JP2023511011A priority patent/JPWO2022210088A1/ja
Publication of WO2022210088A1 publication Critical patent/WO2022210088A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/004—Nozzle assemblies; Air knives; Air distributors; Blow boxes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/02—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by using ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • a substrate processing apparatus described in Patent Document 1 includes a spin chuck that horizontally holds and rotates a substrate, and a first processing liquid (HFE (hydrofluoroether)) and a second processing liquid (HFE (hydrofluoroether)) on the upper surface of the substrate held by the spin chuck.
  • a first processing liquid supply nozzle and a second processing liquid supply nozzle are provided for supplying a liquid (gas-dissolved water), respectively.
  • HFE and gas-dissolved water are supplied to the upper surface of the substrate held by the spin chuck, forming a liquid film of HFE on the upper surface of the substrate, and further forming a liquid film of gas-dissolved water thereon. In this state, ultrasonic vibration is applied to the liquid film of gas-dissolved water and HFE.
  • One aspect of the present disclosure provides a technique for improving the quality of the uneven pattern of the substrate.
  • a substrate processing method is a substrate having a first main surface and a second main surface facing opposite to each other and including an uneven pattern on the first main surface. It involves applying vibrations by means of a vibrator while the whole is exposed.
  • FIG. 1A is a diagram showing a reference example of drying the substrate
  • FIG. 1B is a diagram showing an example of processing after drying the substrate
  • FIG. FIG. 4 is a diagram showing an example
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of a single substrate processing apparatus.
  • FIG. 3 is a flow chart showing an example of a single substrate processing method.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of step S105.
  • FIG. 5 is a diagram showing another example of step S105.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of a batch-type substrate processing apparatus, showing an example of a state in which a substrate is immersed in a processing liquid stored inside a processing tank.
  • FIG. 1A is a diagram showing a reference example of drying the substrate
  • FIG. 1B is a diagram showing an example of processing after drying the substrate
  • FIG. FIG. 4 is a diagram showing an example
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of a single substrate processing apparatus.
  • FIG. 3 is a
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a batch-type substrate processing apparatus, showing an example of a state in which substrates are arranged inside a drying tank.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of a state in which the substrate immersed in the processing liquid is being pulled up from the processing liquid.
  • FIG. 9 is a diagram showing an example of a vibrator attached to a substrate holder. 10 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 9.
  • FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the uneven pattern of the substrate.
  • the processing liquid L may be supplied to the substrate W, and then the substrate W may be dried.
  • the substrate W has a first principal surface Wa and a second principal surface Wb facing opposite to each other, and includes an uneven pattern on the first principal surface Wa.
  • the treatment liquid L is supplied to the first main surface Wa.
  • the protrusions In the process of drying the substrate W, an interface between gas and liquid appears on the first main surface Wa of the substrate W, and surface tension acts on the first main surface Wa.
  • the protrusions When the first main surface Wa includes an uneven pattern, the protrusions may be inclined due to variations in surface tension or the like, and the tips of adjacent protrusions may adhere to each other.
  • the inventor observed the first main surface Wa of the substrate W with a SEM (scanning electron microscope) or the like, the inventor formed a position mark on the first main surface Wa with a marking needle. As a result of SEM observation, the inventor found that the ratio of inclined convex portions is lower in the vicinity of the position mark than in the region away from the position mark.
  • the present inventor formed a position mark with a marking needle in a region with a high ratio of inclined convex portions, and then observed the region again. was found to be lower. This suggests that the adhering tips of the adjacent projections were peeled off by the impact of the marking, and the projections stood upright.
  • the present inventor conducted an experiment based on the above findings, and after drying the substrate W, if the substrate W was vibrated with a vibrator, as shown in FIG. It was found that the tips that were formed can be peeled off from each other.
  • the present inventor conducted an experiment based on the above knowledge and found that if the substrate W is vibrated by a vibrator in the process of drying the substrate W as shown in FIG. It was found that the adhesion between the tips can be suppressed.
  • the vibration of the substrate W can equalize the thickness of the processing liquid L and reduce variations in surface tension.
  • the vibration of the substrate W can suppress the creeping of the treatment liquid L along the protrusions, and the formation of the droplets of the treatment liquid L extending over the tips of the adjacent protrusions can be suppressed. This is because it is possible to suppress adhesion between the tips of the projections.
  • the uneven pattern of the substrate W may be a pattern including a plurality of pillars as shown in FIG. 1, a pattern including a plurality of holes, a line-and-space pattern, or the like shown in FIG. It may be a circuit pattern of a 3D NAND memory such as In any uneven pattern, the quality of the uneven pattern can be improved by vibrating the substrate W with a vibrator.
  • the substrate W shown in FIG. 11 includes a silicon wafer W1, a silicon nitride film W2, and a silicon oxide film W3.
  • the silicon nitride film W2 and the silicon oxide film W3 are alternately laminated on the silicon wafer W1 to form a laminate W4.
  • the substrate W includes a pillar W5 penetrating the laminate W4 in the lamination direction, and an opening W6 penetrating the laminate W4 in the lamination direction.
  • the silicon nitride film W2 is etched by supplying a chemical such as a phosphoric acid solution to the opening W6.
  • the substrate processing apparatus 10 supplies a processing liquid to the substrate W, and then dries the substrate W.
  • the substrate processing apparatus 10 includes, for example, a substrate holding unit 11, a rotation driving unit 12, a first liquid supply unit 20, a second liquid supply unit 30, a gas supply unit 40, and a control unit. a portion 17; Note that the second liquid supply unit 30 and the gas supply unit 40 have arbitrary configurations and may be omitted.
  • the substrate holding part 11 horizontally holds the substrate W with the first main surface Wa of the substrate W facing upward.
  • the substrate W includes, for example, a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, or a glass substrate.
  • a conductive film, an insulating film, or the like is formed on a surface of a semiconductor substrate, a glass substrate, or the like. Multiple membranes may be formed.
  • the substrate W includes a device such as an electronic circuit on its first main surface Wa, and includes an uneven pattern (not shown).
  • the substrate holding portion 11 has, for example, a disc-shaped plate portion 111 and claw portions 112 arranged on the outer peripheral portion of the plate portion 111 .
  • a plurality of claw portions 112 are arranged at intervals in the circumferential direction, and hold the substrate W so as to be lifted from the plate portion 111 by holding the peripheral edge of the substrate W.
  • a gap is formed between the substrate W and the plate portion 111 .
  • the substrate holding part 11 has a rotating shaft part 113 extending downward from the center of the plate part 111 .
  • Rotating shaft portion 113 is rotatably supported by bearing 114 .
  • a through hole 115 is formed to vertically pass through the plate portion 111 and the rotating shaft portion 113 .
  • a fixed shaft portion 116 is provided in the through hole 115 .
  • the rotation driving section 12 rotates the substrate holding section 11 .
  • the rotation driving section 12 rotates the substrate holding section 11 around a vertically arranged rotating shaft section 113 to rotate the substrate W together with the substrate holding section 11 .
  • the rotary drive section 12 has, for example, a rotary motor 121 and a transmission mechanism 122 that transmits the rotary motion of the rotary motor 121 to the rotary shaft section 113 .
  • the transmission mechanism 122 includes, for example, pulleys and timing belts. Note that the transmission mechanism 122 may include a plurality of gears instead of the pulleys and timing belts.
  • the first liquid supply unit 20 supplies the processing liquid from above to the substrate W held by the substrate holding unit 11 .
  • the first liquid supply unit 20 may supply a plurality of types of processing liquids, and may supply processing liquids according to the processing stage of the substrate W.
  • the processing liquid supplied by the first liquid supply unit 20 is, for example, a chemical liquid, a rinse liquid, a drying liquid, and the like.
  • Chemical solutions are DHF (dilute hydrofluoric acid), SC-1 (aqueous solution containing ammonium hydroxide and hydrogen peroxide), SC-2 (aqueous solution containing hydrogen chloride and hydrogen peroxide), or SPM (sulfuric acid and hydrogen peroxide).
  • Aqueous solution containing Multiple types of chemical solutions may be used.
  • the rinse liquid is pure water such as DIW (deionized water).
  • the dry liquid is an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol).
  • the first liquid supply section 20 has a first nozzle 21 for ejecting the processing liquid.
  • the first nozzle 21 may be provided for each treatment liquid, and the plurality of first nozzles 21 may eject different treatment liquids. Alternatively, one first nozzle 21 may sequentially eject a plurality of treatment liquids.
  • a supply line 22 for supplying the processing liquid to the first nozzle 21 is connected to the first nozzle 21 .
  • a supply line 22 is provided for each processing liquid.
  • An on-off valve 23 , a flow controller 24 and a flow meter 25 are provided in the middle of the supply line 22 .
  • the first liquid supply unit 20 supplies the processing liquid, for example, to the center of the first main surface Wa of the substrate W during rotation.
  • the supplied treatment liquid spreads over the entire first main surface Wa by centrifugal force, and is shaken off from the peripheral edge of the substrate W. As shown in FIG.
  • the droplets of the treatment liquid shaken off are collected in the cup 13 .
  • a drain pipe 14 and an exhaust pipe 15 are provided at the bottom of the cup 13 .
  • the drain pipe 14 discharges the liquid in the cup 13 and the exhaust pipe 15 discharges the gas in the cup 13 .
  • the first liquid supply unit 20 has a first moving mechanism 26 that moves the first nozzle 21 in the radial direction of the substrate W.
  • the first moving mechanism 26 has, for example, a turning arm 261 and a turning mechanism 262 that turns the turning arm 261 .
  • the swivel arm 261 is horizontally arranged and holds the first nozzle 21 at its tip.
  • the turning mechanism 262 turns the turning arm 261 around a turning shaft 263 extending downward from the base end of the turning arm 261 .
  • the first moving mechanism 26 may have an elevating mechanism 264 that elevates the swing arm 261 .
  • the first moving mechanism 26 may have a guide rail and a direct-acting mechanism that moves the first nozzle 21 along the guide rail instead of the turning arm 261 and turning mechanism 262 .
  • the second liquid supply section 30 supplies liquid from below to the substrate W held by the substrate holding section 11 . Although the details will be described later, the second liquid supply unit 30 supplies the liquid to the second main surface Wb of the substrate W after applying vibration to the liquid using a vibrator.
  • the liquid for example, pure water such as DIW is used.
  • the second liquid supply section 30 has a second nozzle 31 for discharging liquid.
  • a supply line 32 that supplies liquid to the second nozzle 31 is connected to the second nozzle 31 .
  • the supply line 32 is provided so as to pass through the fixed shaft portion 116 .
  • An on-off valve 33 , a flow controller 34 , and a flow meter 35 are provided in the middle of the supply line 32 .
  • the second nozzle 31 only needs to eject fluid, and instead of liquid, gas may be ejected, or mixed fluid of liquid and gas may be ejected. Any fluid may be used as long as it can be vibrated by the vibrator.
  • the second liquid supply unit 30 has a second moving mechanism 36 that moves the second nozzle 31 in the radial direction of the substrate W.
  • the second moving mechanism 36 has, for example, a horizontally arranged guide rail 361 and a linear motion mechanism that moves the second nozzle 31 along the guide rail 361 .
  • the guide rail 361 is fixed to the fixed shaft portion 116 .
  • the linear motion mechanism includes, for example, a rotary motor and a ball screw that converts rotary motion of the rotary motor into linear motion of the second nozzle heating section. Note that the structure of the second moving mechanism 36 is not particularly limited.
  • the gas supply unit 40 supplies gas from above to the substrate W held by the substrate holding unit 11 .
  • the supplied gas will be described later in detail, but as shown in FIG. 4 or FIG. Press the boundary line A3 of A2.
  • the boundary line A3 can be moved outward in the radial direction of the substrate W at a constant speed.
  • the gas supply unit 40 has a third nozzle 41 for discharging gas, as shown in FIG.
  • the gas is, for example, nitrogen gas or dry air.
  • a supply line 42 for supplying gas to the third nozzle 41 is connected to the third nozzle 41 .
  • An on-off valve 43 , a flow controller 44 , and a flow meter 45 are provided in the middle of the supply line 42 .
  • the gas supply unit 40 has a third moving mechanism 46 that moves the third nozzle 41 in the radial direction of the substrate W.
  • the third moving mechanism 46 has, for example, a turning arm 461 and a turning mechanism 462 that turns the turning arm 461 .
  • the swivel arm 461 is horizontally arranged and holds the third nozzle 41 at its tip.
  • the turning mechanism 462 turns the turning arm 461 around a turning shaft 463 extending downward from the base end of the turning arm 461 .
  • the third moving mechanism 46 may have an elevating mechanism 464 that elevates the turning arm 461 .
  • the third moving mechanism 46 may have a guide rail and a direct-acting mechanism that moves the third nozzle 41 along the guide rail instead of the turning arm 461 and turning mechanism 462 .
  • the first moving mechanism 26 and the third moving mechanism 46 are separately provided in order to move the first nozzle 21 and the third nozzle 41 independently.
  • the first nozzle 21 and the third nozzle 41 may be moved by one moving mechanism.
  • the control unit 17 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 18 and a storage medium 19 such as a memory.
  • the storage medium 19 stores programs for controlling various processes executed in the substrate processing apparatus 10 .
  • the control unit 17 controls the operation of the substrate processing apparatus 10 by causing the CPU 18 to execute programs stored in the storage medium 19 .
  • a transport device loads the substrate W into the substrate processing apparatus 10 (step S101). After placing the substrate W on the substrate holding unit 11 , the transport device exits from the interior of the substrate processing apparatus 10 .
  • the substrate holding part 11 receives the substrate W from the transport device and horizontally holds the substrate W with the first main surface Wa of the substrate W facing upward. After that, the rotation driving section 12 rotates the substrate W together with the substrate holding section 11 .
  • the first liquid supply unit 20 supplies the chemical liquid to the center of the first main surface Wa of the substrate W being rotated (step S102).
  • the chemical liquid spreads over the entire first main surface Wa of the substrate W by centrifugal force, forming a liquid film on the substrate W. As shown in FIG.
  • the first liquid supply unit 20 supplies the rinse liquid to the center of the first main surface Wa of the substrate W being rotated (step S103).
  • the rinsing liquid spreads over the entire first main surface Wa of the substrate W due to centrifugal force, and the chemical liquid remaining on the substrate W is washed away. As a result, a liquid film of the rinse liquid is formed on the substrate W. As shown in FIG.
  • the first liquid supply unit 20 supplies the drying liquid to the center of the first main surface Wa of the substrate W being rotated (step S104).
  • the drying liquid spreads over the entire first main surface Wa of the substrate W due to centrifugal force, and the rinse liquid remaining on the substrate W is washed away. As a result, a liquid film of the drying liquid is formed on the substrate W. As shown in FIG.
  • step S105 the rotation drive unit 12 continues to rotate the substrate W, shakes off the drying liquid remaining on the substrate W, and dries the substrate W. Details of step S105 will be described later. After drying the substrate W, the rotation driving unit 12 stops rotating the substrate W. As shown in FIG.
  • a transport device enters the interior of the substrate processing apparatus 10, receives the substrate W from the substrate holding unit 11, and carries the received substrate W out of the substrate processing apparatus 10 (step S106).
  • the substrate holding part 11 releases the holding of the substrate W before transferring the substrate W to the transfer device.
  • step S104 the supply of dry liquid (step S104) may not be performed.
  • the substrate W is dried (step S105), and the rinse liquid remaining on the substrate W is shaken off by centrifugal force.
  • the organic solvent that is the drying liquid has a smaller surface tension than the pure water that is the rinsing liquid. Therefore, from the viewpoint of improving the quality of the uneven pattern, it is preferable to supply the drying liquid (step S104).
  • step S105 on the first main surface Wa of the substrate W, a first area A1 covered with the treatment liquid L (for example, a drying liquid), a second area A2 exposed from the treatment liquid L, A boundary line A3 is formed between the first area A1 and the second area A2.
  • the boundary line A3 is moved in the direction in which the second area A2 expands, and the substrate W is dried.
  • step S105 for example, the substrate holding unit 11 horizontally holds the substrate W, and the rotation driving unit 12 rotates the substrate W to move the position of the boundary line A3 radially outward of the substrate W by centrifugal force.
  • the second area A2 is first formed in the center of the first main surface Wa of the substrate W, and then gradually expands outward in the radial direction of the substrate W.
  • the boundary line A3 widens gradually outward in the radial direction of the substrate W in a concentric shape.
  • the rotation drive section 12 corresponds to the moving section described in the claims.
  • the first moving mechanism 26 may move the first nozzle 21 radially outward of the substrate W when moving the boundary line A3.
  • the processing liquid L can be supplied to the outside of the boundary line A3 while moving the boundary line A3 outward in the radial direction of the substrate W, and the peripheral edge of the substrate W is naturally dried before the boundary line A3 reaches the peripheral edge of the substrate W. You can prevent it from happening.
  • the third moving mechanism 46 may move the third nozzle 41 radially outward of the substrate W when moving the boundary line A3.
  • the third nozzle 41 supplies gas toward the boundary line A3 or radially inward of the boundary line A3, and presses the boundary line A3 with the pressure of the gas.
  • the third moving mechanism 46 moves the third nozzle 41 so as to interlock with the first nozzle 21 .
  • vibration is applied to the substrate W when moving the boundary line A3.
  • the vibration of the substrate W can not only separate the tips of the adhering protrusions, but also suppress the adhesion of the tips of the protrusions themselves.
  • the substrate processing apparatus 10 includes vibrators 16A to 16D that apply vibrations to the substrate W held by the substrate holding part 11.
  • the substrate processing apparatus 10 may include at least one of vibrators 16A to 16D.
  • the vibrators 16A-16D include piezoelectric elements, for example.
  • the material of the piezoelectric element is, for example, lead zirconate titanate (PZT).
  • the vibrators 16A-16D are connected to oscillators.
  • the oscillator vibrates the vibrators 16A-16D at a predetermined frequency.
  • the oscillator applies, for example, an alternating voltage to the vibrators 16A-16D.
  • An oscillator may be provided for each transducer 16A-16D to individually vibrate the transducers 16A-16D.
  • the oscillation frequencies of the vibrators 16A to 16D are not particularly limited, but are determined by the pitch of the protrusions of the uneven pattern of the substrate W or the like. The higher the oscillation frequency, the shorter the wavelength of vibration.
  • the oscillation frequency is preferably set such that the vibration wavelength is twice or less than the pitch of the projections.
  • the oscillation frequency is, for example, 1 MHz or higher. From the viewpoint of suppressing damage to the PZT, the oscillation frequency is preferably 50 MHz or less, more preferably 10 MHz or less.
  • harmonics may be used, or an AC voltage other than the natural frequency may be applied to the vibrators 16A-16D.
  • the vibration may not be a sine wave, but may be a square wave or a pulse wave. Note that the vibration may be random vibration.
  • the first area A1 has a first sub-area A11 in which the thickness of the treatment liquid L is constant, and a second sub-area A12 in which the thickness of the treatment liquid L decreases from the first sub-area A11 to the boundary line A3. . It is the second sub-region A12 that the surface tension acts on the uneven pattern. Therefore, by intensively vibrating the second sub-region A12, the quality of the uneven pattern can be efficiently improved.
  • the vibrator 16A is attached to the first nozzle 21 and applies vibration to the substrate W by applying vibration to the processing liquid L.
  • the first nozzle 21 supplies the treatment liquid L to the vicinity of the second sub-region A12. Therefore, by vibrating the treatment liquid L, the second sub-region A12 can be vibrated intensively, and the quality of the uneven pattern can be efficiently improved.
  • the supply position of the processing liquid L to which vibration is applied by the vibrator 16A may be moved radially outward of the substrate W. While moving the position of the boundary line A3, the second sub-region A12 can be kept vibrating intensively.
  • the supply position of the treatment liquid L is set in front of the boundary line A3 in the movement direction, and is moved at a constant distance from the boundary line A3.
  • the vibrator 16A has, for example, an irradiation surface facing the ejection port of the first nozzle 21 for ejecting the processing liquid L, and irradiates ultrasonic waves from the irradiation surface toward the ejection port to vibrate the processing liquid L.
  • the vibrator 16A applies vibration to the treatment liquid L inside the first nozzle 21 . Therefore, the material of the first nozzle 21 is preferably metal, glass, amorphous carbon, or ceramic instead of resin that absorbs vibration. Ceramics are, for example, quartz or silicon carbide.
  • the treatment liquid L may be degassed liquid.
  • a degassed liquid is a liquid whose dissolved gas concentration has been reduced by degassing. By using the degassed liquid, it is possible to suppress the occurrence of cavitation and reduce the impact caused when the cavitation is crushed. Therefore, it is possible to suppress the breakage of the convex portion and the generation of particles.
  • the oscillation frequency of the vibrator 16A is preferably 2 MHz or more. If the oscillation frequency is 2 MHz or more, the occurrence of cavitation can be suppressed.
  • the vibrator 16A applies vibration to the processing liquid L, as shown in FIG. 5, the ejection direction of the processing liquid L is inclined radially outward of the substrate W as it approaches the first main surface Wa of the substrate W. You may have When the concave-convex pattern includes a plurality of pillars, the tips of the convex portions can be efficiently vibrated in the lateral direction.
  • the inclination angle of the ejection direction of the treatment liquid L is, for example, greater than 0° and equal to or less than 60°.
  • the inclination angle of the ejection direction of the treatment liquid L is 90°.
  • the oscillator 16B is attached to the second nozzle 31 and applies vibration to the substrate W by applying vibration to the liquid L2.
  • the second nozzle 31 supplies the liquid L2 directly below the second sub-region A12. Therefore, by vibrating the liquid L2, the second sub-region A12 can be vibrated intensively, and the quality of the uneven pattern can be efficiently improved.
  • the supply position of the liquid L2 to which vibration is applied by the vibrator 16B may be moved radially outward of the substrate W. While moving the position of the boundary line A3, the second sub-region A12 can be kept vibrating intensively. The supply position of the liquid L2 is set directly below the second sub-region A12.
  • the vibrator 16B has, for example, an irradiation surface that directly faces the ejection port of the second nozzle 31 that ejects the liquid L2, and emits ultrasonic waves from the irradiation surface toward the ejection port to vibrate the liquid L2.
  • the vibrator 16B applies vibration to the liquid L2 inside the second nozzle 31 .
  • the material of the second nozzle 31 is preferably metal, glass, amorphous carbon, or ceramic instead of resin that absorbs vibration. Ceramics are, for example, quartz or silicon carbide.
  • the discharge direction of the liquid L2 is inclined outward in the radial direction of the substrate W as it approaches the second main surface Wb of the substrate W, as shown in FIG. may
  • the concave-convex pattern includes a plurality of pillars, the tips of the convex portions can be efficiently vibrated in the lateral direction.
  • the inclination angle ⁇ of the discharge direction of the liquid L2 is, for example, greater than 0° and equal to or less than 60°.
  • the inclination angle ⁇ of the ejection direction of the liquid L2 is 90°.
  • the vibrator 16C is attached to the third nozzle 41 and applies vibration to the substrate W by applying vibration to the gas G.
  • the third nozzle 41 supplies gas G to the vicinity of the second sub-region A12. Therefore, by vibrating the gas G, the second sub-region A12 can be vibrated intensively, and the quality of the uneven pattern can be efficiently improved.
  • the supply position of the gas G to which vibration is applied by the vibrator 16C may be moved radially outward of the substrate W. While moving the position of the boundary line A3, the second sub-region A12 can be kept vibrating intensively.
  • the supply position of the gas G is set behind the boundary line A3 in the moving direction, and is moved at a constant distance from the boundary line A3. In addition, although the supply position of the gas G may be moved, it may be stopped.
  • the vibrator 16C has, for example, an irradiation surface directly facing the discharge port of the third nozzle 41 for discharging the gas G, and emits ultrasonic waves from the irradiation surface toward the discharge port to vibrate the gas G.
  • the vibrator 16 ⁇ /b>C applies vibration to the gas G inside the third nozzle 41 . Therefore, the material of the third nozzle 41 is preferably metal, glass, amorphous carbon, or ceramic instead of resin that absorbs vibration. Ceramics are, for example, quartz or silicon carbide.
  • the discharge direction of the gas G is inclined outward in the radial direction of the substrate W as it approaches the first main surface Wa of the substrate W.
  • the concave-convex pattern includes a plurality of pillars, the tips of the convex portions can be efficiently vibrated in the lateral direction.
  • the inclination angle of the discharge direction of the gas G is, for example, greater than 0° and equal to or less than 60°.
  • the inclination angle of the ejection direction of the gas G is 90°.
  • the vibrator 16D is attached to the substrate holding portion 11 and applies vibration to the substrate W by applying vibration to the substrate holding portion 11 .
  • the material of the substrate holding portion 11 is preferably metal, glass, amorphous carbon, or ceramic instead of resin that absorbs vibration. Ceramics are, for example, quartz or silicon carbide.
  • the vibrator 16D is attached to the claw portion 112 of the substrate holding portion 11, for example, and applies vibration to the substrate W by applying vibration to the claw portion 112. Further, the vibrator 16D may come into contact with the peripheral edge of the substrate W, or may apply vibration to the substrate W directly. Damping of vibration can be suppressed.
  • vibration is applied to the substrate W when the boundary line A3 is moved. Vibration may be applied to the substrate W. In the latter case, at least one of vibrators 16B-16D is used to prevent the first main surface Wa of substrate W from getting wet again.
  • the substrate W may be rotated when the liquid L2 vibrated by the vibrator 16B is supplied to the substrate W. Vibration can be applied over the entire circumference of the substrate W. FIG. Further, when the liquid L2 vibrated by the vibrator 16B is supplied to the substrate W, the second nozzle 31 for ejecting the liquid L2 may be moved in the radial direction of the substrate W. Vibration can be applied to the entire substrate W in the radial direction.
  • the substrate W may be rotated when the gas G vibrated by the oscillator 16C is supplied to the substrate W. Vibration can be applied over the entire circumference of the substrate W.
  • FIG. when supplying the substrate W with the gas G vibrated by the oscillator 16 ⁇ /b>C, the third nozzle 41 for discharging the gas G may be moved in the radial direction of the substrate W. Vibration can be applied to the entire substrate W in the radial direction.
  • FIG. 6 and 7 The substrate processing apparatus 50 supplies the processing liquid L to the substrate W, and then dries the substrate W.
  • the substrate processing apparatus 50 includes a processing container 60 , a substrate holding section 70 , a gas supply section 80 , a gas discharge section 86 and a control section 57 .
  • the processing container 60 has a processing tank 61 that stores the processing liquid L in which the substrate W is immersed.
  • the treatment liquid L is, for example, pure water such as DIW.
  • the processing tank 61 has, for example, an inner tank 611 for storing the processing liquid L, an outer tank 612 for collecting the processing liquid overflowing from the inner tank 611 , and a seal tank 613 surrounding the upper end of the outer tank 612 .
  • a nozzle 51 for supplying the processing liquid L into the inner bath 611 is provided inside the inner bath 611 .
  • the bottom wall of the inner tank 611 is provided with a discharge port 52 for discharging the processing liquid L stored inside the inner tank 611 .
  • the processing container 60 has a drying bath 62 for drying the substrates W.
  • the drying bath 62 is arranged above the processing bath 61 .
  • the drying tank 62 includes, for example, a tubular side wall 621 .
  • the cylindrical side wall 621 is open upward and has a loading/unloading port 622 for the substrate W at its upper end.
  • the drying tank 62 further has a lid 623 that opens and closes the loading/unloading port 622 .
  • the lid body 623 has a dome shape that protrudes upward and is moved up and down by the opening/closing mechanism 53 .
  • the processing container 60 has a casing 63 between the processing bath 61 and the drying bath 62 .
  • a shutter 64 is movably arranged inside the casing 63 . The shutter 64 is moved between a communicating position where the processing bath 61 and the drying bath 62 are communicated as shown in FIG. 6 and a blocking position where the processing bath 61 and the drying bath 62 are blocked as shown in FIG.
  • the substrate processing apparatus 50 further includes an opening/closing mechanism 54 that moves the shutter 64 between the communicating position and the blocking position.
  • the opening/closing mechanism 54 moves the shutter 64 horizontally.
  • the opening/closing mechanism 54 may also move the shutter 64 in the vertical direction.
  • the shutter 64 is horizontally arranged and holds a frame-shaped seal 65 on its upper surface.
  • the substrate holding unit 70 vertically holds each of a plurality of substrates W arranged at intervals in the horizontal direction.
  • the substrate holder 70 has, for example, a plurality of (eg, four) arms 71A to 71D extending in the horizontal direction.
  • the multiple arms 71A to 71D each include grooves 711 at equal pitches in the X-axis direction.
  • a peripheral edge of the substrate W is inserted into the groove 711 .
  • a plurality of arms 71A to 71D hold the periphery of each substrate W at a plurality of points.
  • the substrate holding part 70 has a vertical back plate 72 that cantilevers a plurality of arms 71A to 71D, and an elevating rod 73 (see FIGS. 6 and 7) extending directly upward from the back plate 72.
  • the lifting rod 73 is inserted through a through hole of the lid 623, and the through hole is provided with a sealing mechanism.
  • a lifting mechanism 55 is connected to the upper end of the lifting rod 73 .
  • the elevating mechanism 55 elevates the substrate holder 70 .
  • the gas supply unit 80 supplies gas to the interior of the processing container 60 .
  • the supplied gas is, for example, an inert gas G1 or a mixed gas of the inert gas G1 and organic solvent vapor G2.
  • An organic solvent is, for example, IPA.
  • the supplied gas may be preheated. Drying of the substrate W can be accelerated.
  • the gas supply unit 80 includes a nozzle 81, for example.
  • a plurality of nozzles 81 may be provided inside the processing container 60 .
  • a supply line 82 is connected to each nozzle 81 .
  • the supply line 82 has, for example, a common line 821 and a plurality of individual lines 822-823.
  • the common line 821 connects the confluence of the individual lines 822 to 823 and the nozzle 81 .
  • a heater 83 for heating the supplied gas may be provided in the middle of the common line 821 .
  • the individual line 822 supplies the inert gas G1 to the nozzle 81.
  • the individual line 823 supplies the organic solvent vapor G2 to the nozzle 81 .
  • An on-off valve 84 and a flow rate controller 85 are provided in the middle of each of the individual lines 822 and 823 .
  • the gas discharge unit 86 discharges gas from the inside of the processing container 60 to the outside.
  • the gas discharge section 86 includes, for example, a discharge line 87 extending from the drying tank 62 .
  • An on-off valve 88 and a flow controller 89 are provided in the middle of the discharge line 87 .
  • the control unit 57 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 58 and a storage medium 59 such as a memory.
  • the storage medium 59 stores programs for controlling various processes executed in the substrate processing apparatus 50 .
  • the control unit 57 controls the operation of the substrate processing apparatus 50 by causing the CPU 58 to execute programs stored in the storage medium 59 .
  • the substrate holding unit 70 receives a plurality of substrates W from a transfer device (not shown) above the loading/unloading port 622 of the processing container 60 .
  • the elevating mechanism 55 lowers the substrate holder 70 .
  • the opening/closing mechanism 53 moves the lid 623 from the open position to the closed position, and closes the loading/unloading port 622 of the processing container 60 with the lid 623 .
  • the shutter 64 is positioned at the communication position so as not to interfere with the substrate holder 70 and the substrate W.
  • the elevating mechanism 55 lowers the substrate holder 70 to immerse the plurality of substrates W in the treatment liquid L as shown in FIG. Thereby, a plurality of substrates W are collectively processed.
  • the elevating mechanism 55 raises the substrate holding unit 70 to pull up the plurality of substrates W from the processing liquid L stored inside the processing tank 61, and the inner space of the drying tank 62 as shown in FIG. to stop.
  • the gas supply unit 80 supplies the inert gas G1 to the interior of the drying chamber 62, and the gas discharge unit 86 discharges the gas inside the drying chamber 62 to the outside to volatilize the droplets adhering to the substrate W. Dry the W.
  • the gas supply unit 80 may preheat the inert gas G1 in order to promote the drying of the substrate W.
  • the gas supply unit 80 may supply a mixed gas of the inert gas G1 and the vapor G2 of the organic solvent.
  • the organic solvent vapor G2 adheres to the substrate W, it condenses. The heat of condensation can heat the substrate W, and the drying of the substrate W can be accelerated.
  • the opening/closing mechanism 53 moves the lid 623 from the closed position to the open position to open the loading/unloading port 622 of the processing container 60 . Further, the elevating mechanism 55 lifts the substrate holding unit 70 to unload the plurality of substrates W to the outside of the processing container 60 . After that, the substrate holding part 70 transfers the substrate W to a transport device (not shown) above the loading/unloading port 622 of the processing container 60 .
  • the substrate processing apparatus 50 pulls up the substrate W immersed in the processing liquid L from the processing liquid L stored inside the processing tank 61 .
  • a first region A1 covered with the processing liquid L for example, pure water and an organic solvent
  • a second region A2 exposed from the processing liquid L and a first region A1 A boundary line A3 of the second area A2 is formed.
  • the boundary line A3 is moved in the direction in which the second area A2 expands, and the substrate W is dried.
  • the lifting mechanism 55 lifts the substrate W immersed in the processing liquid L from the processing liquid L stored inside the processing bath 61 by lifting the substrate holding unit 70 .
  • the boundary line A3 is lowered from the upper end of the substrate W toward the lower end.
  • the lifting mechanism 55 corresponds to the moving part described in the claims.
  • the liquid level of the processing liquid L may be lowered by discharging the processing liquid L stored inside the processing bath 61 through the discharge port 52 .
  • the boundary line A3 is lowered from the upper end of the substrate W toward the lower end.
  • the discharge port 52 corresponds to the moving part described in the claims.
  • the gas supply unit 80 may form a liquid film F containing an organic solvent on the pure water that is the treatment liquid L.
  • the organic solvent discharged from the nozzle 81 condenses on pure water that is colder than the organic solvent, forming a liquid film F.
  • the organic solvent forming the liquid film F preferably has a density lower than that of pure water.
  • the organic solvent has a smaller surface tension than pure water, when the substrate W passes through the liquid film F, the rinsing liquid and particles adhering to the substrate W can be taken into the liquid film F by the Marangoni effect. can promote. Moreover, since the organic solvent has a smaller surface tension than pure water, it is possible to suppress pattern collapse due to the surface tension.
  • the vibration of the substrate W can not only separate the tips of the adhering protrusions, but also suppress the adhesion of the tips of the protrusions themselves.
  • the substrate processing apparatus 50 includes vibrators 56A-56B for applying vibrations to the substrate W held by the substrate holding part 70.
  • FIG. The substrate processing apparatus 10 may include at least one of the oscillators 56A-56B.
  • the vibrators 56A-56B include piezoelectric elements, for example.
  • the material of the piezoelectric element is, for example, lead zirconate titanate (PZT).
  • the vibrators 56A-56B are connected to oscillators.
  • the oscillator vibrates the vibrators 56A-56B at a predetermined frequency.
  • the oscillator applies, for example, an alternating voltage to the vibrators 56A-56B.
  • An oscillator may be provided for each transducer 56A-56B to individually vibrate the transducers 56A-56B.
  • the oscillation frequencies of the vibrators 56A to 56B are not particularly limited, but are determined by the pitch of the protrusions of the uneven pattern of the substrate W, or the like. The higher the oscillation frequency, the shorter the wavelength of vibration.
  • the oscillation frequency is preferably set such that the vibration wavelength is twice or less than the pitch of the projections.
  • the oscillation frequency is, for example, 1 MHz or higher. From the viewpoint of suppressing damage to the PZT, the oscillation frequency is preferably 50 MHz or less, more preferably 10 MHz or less.
  • harmonics may be used, or an AC voltage other than the natural frequency may be applied to the vibrators 56A-56B.
  • the vibration may not be a sine wave, but may be a square wave or a pulse wave. Note that the vibration may be random vibration.
  • the vibrator 56A is attached to the substrate holding section 70 and applies vibration to the substrate W by applying vibration to the substrate holding section 70.
  • the material of the substrate holding portion 70 is preferably metal, glass, amorphous carbon, or ceramic, instead of resin that absorbs vibration. Ceramics are, for example, quartz or silicon carbide.
  • the substrate holding part 70 includes a plurality of (for example, four) arms 71A to 71D extending in the horizontal direction, a vertical back plate 72 for cantilevering the plurality of arms 71A to 71D, have The upper end portion 721 of the back plate 72 is exposed above the surface of the processing liquid L when the substrate W is immersed in the processing liquid L. As shown in FIG. The vibrator 56A is attached to the upper end portion 721 of the back plate 72, for example.
  • arms 71A to 71D are arranged in the width direction of the back plate 72.
  • the two arms 71B and 71C aligned in the center in the width direction are arranged below the two arms 71A and 71D provided at both ends in the width direction, and support the substrate W from below.
  • two arms 71A and 71D provided at both ends in the width direction support the substrate W obliquely from the side.
  • the substrate W is mainly supported by two arms 71B and 71C aligned in the center in the width direction. Therefore, as shown in FIG. 9, the vibrator 56A may be arranged vertically above at least one of the two arms 71B and 71C aligned in the center in the width direction when viewed from the front. Arms 71B and 71C can be vibrated efficiently, and substrate W can be vibrated efficiently.
  • the lower end portion 722 of the back plate 72 may have a chevron shape with the central portion protruding downward when viewed from the front.
  • the lower end portion 722 also functions as a connecting portion to which one ends of the multiple arms 71A to 71D are connected.
  • the lower end 722 may also include a reflective surface S configured to reflect vibrations applied to the back plate 72 by the transducers 56A, 56A toward the arms 71B, 71C, as shown in FIG. good.
  • the reflective surface S may be provided on an extension line of the arms 71B and 71C, which are targets of vibration reflection, or may be provided over the entire width of the lower end portion 722 .
  • the reflecting surface S may be a curved surface inclined toward the arms 71B and 71C, or may be a flat surface inclined toward the arms 71B and 71C.
  • the angle ⁇ formed by the reflecting surface S and the horizontal plane (extending direction of the arms 71B and 71C) may be, for example, 35° or more and 55° or less.
  • the vibrator 56B is attached to the bottom wall of the processing tank 61 (more specifically, the inner tank 611), and applies vibration to the processing liquid L from the bottom wall. Vibration is applied to the substrate W by doing so. Therefore, the material of the processing tank 61 is preferably metal, glass, amorphous carbon, or ceramic, rather than vibration-absorbing resin. Ceramics are, for example, quartz or silicon carbide.
  • the treatment liquid L may be degassed liquid.
  • a degassed liquid is a liquid whose dissolved gas concentration has been reduced by degassing. By using the degassed liquid, it is possible to suppress the occurrence of cavitation and reduce the impact caused when the cavitation is crushed. Therefore, it is possible to suppress the breakage of the convex portion and the generation of particles.
  • the oscillation frequency of the vibrator 56B is preferably 2 MHz or more. If the oscillation frequency is 2 MHz or more, the occurrence of cavitation can be suppressed.
  • vibration is applied to the substrate W when the boundary line A3 is moved. Vibration may be applied to the substrate W. In the latter case, for example, the vibrator 56A applies vibration to the substrate W via the substrate holder 70 while the substrate W is housed inside the drying chamber 62 .

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

基板処理方法は、互いに反対向きの第１主面と第２主面とを有し前記第１主面に凹凸パターンを含む基板に対して、前記第１主面の全体が露出した状態で、振動子によって振動を印可することを含む。

Description

基板処理装置、および基板処理方法
　本開示は、基板処理装置、および基板処理方法に関する。
　特許文献１に記載の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の上面に第１処理液（ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル））、第２処理液（気体溶存水）をそれぞれ供給する第１処理液供給ノズル、第２処理液供給ノズルを備えている。スピンチャックに保持された基板の上面にＨＦＥおよび気体溶存水が供給され、基板の上面にＨＦＥの液膜が形成され、さらにその上層に気体溶存水の液膜が形成される。この状態で気体溶存水とＨＦＥの液膜に超音波振動が付与される。
日本国特開２０１１－７７１４４号公報
　本開示の一態様は、基板の凹凸パターンの品質を改善する、技術を提供する。
　本開示の一態様に係る基板処理方法は、互いに反対向きの第１主面と第２主面とを有し前記第１主面に凹凸パターンを含む基板に対して、前記第１主面の全体が露出した状態で、振動子によって振動を印可することを含む。
　本開示の一態様によれば、基板の凹凸パターンの品質を改善できる。
図１（Ａ）は基板の乾燥の参考例を示す図であり、図１（Ｂ）は基板の乾燥後の処理の実施例を示す図であり、図１（Ｃ）は基板の乾燥の実施例を示す図である。 図２は、枚葉式の基板処理装置の一例を示す図である。 図３は、枚葉式の基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図４は、ステップＳ１０５の一例を示す図である。 図５は、ステップＳ１０５の別の一例を示す図である。 図６は、バッチ式の基板処理装置の一例を示す図であって、処理槽の内部に溜めた処理液に基板を浸漬させた状態の一例を示す図である。 図７は、バッチ式の基板処理装置の一例を示す図であって、乾燥槽の内部に基板を配置した状態の一例を示す図である。 図８は、処理液に浸漬した基板を処理液から引き上げる途中の状態の一例を示す図である。 図９は、基板保持部に取り付けた振動子の一例を示す図である。 図１０は、図９のＸ－Ｘ線に沿った断面図である。 図１１は、基板の凹凸パターンの一例を示す断面図である。
　以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。尚、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
　図１（Ａ）に示すように、基板Ｗに処理液Ｌを供給し、その後、基板Ｗを乾燥することがある。基板Ｗは、互いに反対向きの第１主面Ｗａと第２主面Ｗｂとを有し、第１主面Ｗａに凹凸パターンを含む。処理液Ｌは、第１主面Ｗａに供給される。
　基板Ｗを乾燥する過程で、気体と液体の界面が基板Ｗの第１主面Ｗａに現れ、表面張力が第１主面Ｗａに作用する。第１主面Ｗａが凹凸パターンを含む場合、表面張力のバラツキなどによって、凸部が傾斜し、隣り合う凸部の先端同士が付着してしまうことがある。
　本発明者は、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）などで基板Ｗの第１主面Ｗａを観察する際に、第１主面Ｗａにケガキ針で位置マークを形成していた。ＳＥＭ観察の結果、位置マークの近傍では、位置マークから離れた領域に比べて、傾斜した凸部の割合が低いことを本発明者は見出した。
　次に、本発明者は、傾斜した凸部の割合が高い領域にケガキ針で位置マークを形成し、その後、再度、当該領域を観察したところ、位置マークの近傍では、傾斜した凸部の割合が低くなることを見出した。これは、隣り合う凸部の付着した先端同士がケガキの衝撃によって剥離し、凸部が直立したことを示唆している。
　更に、本発明者は、上記の知見に基づき実験を行い、基板Ｗを乾燥した後に、振動子で基板Ｗを振動させれば、図１（Ｂ）に示すように、隣り合う凸部の付着した先端同士を剥離できることを見出した。
　更にまた、本発明者は、上記の知見に基づき実験を行い、図１（Ｃ）に示すように基板Ｗを乾燥する過程で、振動子で基板Ｗを振動させれば、隣り合う凸部の先端同士の付着を抑制できることを見出した。
　基板Ｗを乾燥する過程で、振動子で基板Ｗを振動させれば、隣り合う凸部の付着した先端同士を剥離できるだけではなく、隣り合う凸部の先端同士の付着そのものを抑制できると考えられる。図１（Ｃ）に示すように、基板Ｗの振動によって、処理液Ｌの厚みを均等化でき、表面張力のバラツキを低減できるからである。また、基板Ｗの振動によって、凸部に沿った処理液Ｌの這い上がりを抑制でき、隣り合う凸部の先端同士にまたがる処理液Ｌの液滴の形成を抑制でき、その液滴の揮発による凸部の先端同士の付着を抑制できるからである。
　なお、基板Ｗの凹凸パターンは、図１に示すように複数のピラーを含むパターンでもよいし、複数のホールを含むパターンでもよいし、ラインアンドスペースのようなパターンでもよいし、図１１に示すような３Ｄ　ＮＡＮＤメモリの回路パターンであってもよい。いずれの凹凸パターンであっても、振動子で基板Ｗを振動させれば、凹凸パターンの品質を改善できる。
　ちなみに、図１１に示す基板Ｗは、シリコンウェハＷ１と、シリコン窒化膜Ｗ２と、シリコン酸化膜Ｗ３と、を含む。シリコン窒化膜Ｗ２と、シリコン酸化膜Ｗ３とは、シリコンウェハＷ１の上に交互に積層され、積層体Ｗ４を構成する。また、基板Ｗは、積層体Ｗ４を積層方向に貫通するピラーＷ５と、積層体Ｗ４を積層方向に貫通する開口Ｗ６と、を含む。開口Ｗ６にリン酸水溶液などの薬液を供給することで、シリコン窒化膜Ｗ２がエッチングされる。
　次に、図２を参照して、枚葉式の基板処理装置１０の一例について説明する。基板処理装置１０は、基板Ｗに対して処理液を供給し、その後、基板Ｗを乾燥する。図２に示すように、基板処理装置１０は、例えば、基板保持部１１と、回転駆動部１２と、第１液供給部２０と、第２液供給部３０と、ガス供給部４０と、制御部１７とを有する。なお、第２液供給部３０とガス供給部４０は、任意の構成であって、無くてもよい。
　基板保持部１１は、基板Ｗの第１主面Ｗａを上に向けて、基板Ｗを水平に保持する。基板Ｗは、例えばシリコンウェハ若しくは化合物半導体ウェハ等の半導体基板、又はガラス基板を含む。半導体基板又はガラス基板等の表面には、導電膜又は絶縁膜などが形成される。複数の膜が形成されてもよい。基板Ｗは、その第１主面Ｗａに、電子回路等のデバイスを含み、不図示の凹凸パターンを含む。
　基板保持部１１は、例えば、円盤状のプレート部１１１と、プレート部１１１の外周部に配置される爪部１１２とを有する。爪部１１２は、周方向に間隔をおいて複数配置され、基板Ｗの周縁を保持することにより、基板Ｗをプレート部１１１から浮かせて保持する。基板Ｗとプレート部１１１との間には、隙間が形成される。また、基板保持部１１は、プレート部１１１の中央から下方に延在する回転軸部１１３を有する。回転軸部１１３は、軸受１１４によって回転自在に支持される。プレート部１１１と回転軸部１１３とを鉛直方向に貫通する貫通穴１１５が形成される。その貫通穴１１５には、固定軸部１１６が設けられる。
　回転駆動部１２は、基板保持部１１を回転させる。回転駆動部１２は、鉛直に配置された回転軸部１１３を中心に基板保持部１１を回転させ、基板保持部１１と共に基板Ｗを回転させる。回転駆動部１２は、例えば、回転モータ１２１と、回転モータ１２１の回転運動を回転軸部１１３に伝達する伝達機構１２２とを有する。伝達機構１２２は、例えば、プーリと、タイミングベルトとを含む。なお、伝達機構１２２は、プーリとタイミングベルトの代わりに、複数のギヤを含んでもよい。
　第１液供給部２０は、例えば、基板保持部１１に保持されている基板Ｗに対し、上方から処理液を供給する。第１液供給部２０は、複数種類の処理液を供給してよく、基板Ｗの処理段階に応じた処理液を供給してよい。第１液供給部２０によって供給する処理液は、例えば、薬液、リンス液、及び乾燥液などである。
　薬液は、ＤＨＦ（希フッ酸）、ＳＣ－１（水酸化アンモニウムと過酸化水素を含む水溶液）、ＳＣ－２（塩化水素と過酸化水素を含む水溶液）、又はＳＰＭ（硫酸と過酸化水素を含む水溶液）などである。複数種類の薬液が用いられてもよい。リンス液は、ＤＩＷ（脱イオン水）などの純水である。乾燥液は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤である。
　第１液供給部２０は、処理液を吐出する第１ノズル２１を有する。第１ノズル２１は処理液毎に設けられ、複数の第１ノズル２１が異なる処理液を吐出してもよい。あるいは、１つの第１ノズル２１が複数の処理液を順番に吐出してもよい。第１ノズル２１には、第１ノズル２１に処理液を供給する供給ライン２２が接続される。供給ライン２２は、処理液毎に設けられる。供給ライン２２の途中には、開閉バルブ２３と、流量制御器２４と、流量計２５と、が設けられる。
　第１液供給部２０は、例えば、回転中の基板Ｗの第１主面Ｗａの中心に、処理液を供給する。供給した処理液は、遠心力によって第１主面Ｗａ全体に濡れ広がり、基板Ｗの周縁から振り切られる。振り切られた処理液の液滴は、カップ１３に回収される。カップ１３の底部には、排液管１４と排気管１５とが設けられる。排液管１４はカップ１３内の液体を排出し、排気管１５はカップ１３内のガスを排出する。
　第１液供給部２０は、基板Ｗの径方向に第１ノズル２１を移動させる第１移動機構２６を有する。第１移動機構２６は、例えば、旋回アーム２６１と、旋回アーム２６１を旋回させる旋回機構２６２とを有する。旋回アーム２６１は、水平に配置され、その先端で第１ノズル２１を保持する。旋回機構２６２は、旋回アーム２６１の基端部から下方に延びる旋回軸２６３を中心に、旋回アーム２６１を旋回させる。第１移動機構２６は、旋回アーム２６１を昇降させる昇降機構２６４を有してもよい。なお、第１移動機構２６は、旋回アーム２６１と旋回機構２６２との代わりに、ガイドレールと、ガイドレールに沿って第１ノズル２１を移動させる直動機構と、を有してもよい。
　第２液供給部３０は、基板保持部１１に保持されている基板Ｗに対し、下方から液体を供給する。詳しくは後述するが、第２液供給部３０は、振動子によって振動を液体に印可したうえで、液体を基板Ｗの第２主面Ｗｂに対して供給する。液体としては、例えば、ＤＩＷなどの純水が用いられる。
　第２液供給部３０は、液体を吐出する第２ノズル３１を有する。第２ノズル３１には、第２ノズル３１に液体を供給する供給ライン３２が接続される。供給ライン３２は、固定軸部１１６を通るように設けられる。供給ライン３２の途中には、開閉バルブ３３と、流量制御器３４と、流量計３５と、が設けられる。
　なお、第２ノズル３１は、流体を吐出すればよく、液体の代わりに気体を吐出してもよいし、液体と気体の混合流体を吐出してもよい。流体は、振動子によって振動を印可できるものであればよい。
　第２液供給部３０は、基板Ｗの径方向に第２ノズル３１を移動させる第２移動機構３６を有する。第２移動機構３６は、例えば、水平に配置されるガイドレール３６１と、ガイドレール３６１に沿って第２ノズル３１を移動させる直動機構と、を有する。ガイドレール３６１は、固定軸部１１６に固定される。直動機構は、例えば、回転モータと、回転モータの回転運動を第２ノズル加熱部の直線運動に変換するボールねじとを含む。なお、第２移動機構３６の構造は特に限定されない。
　ガス供給部４０は、基板保持部１１に保持されている基板Ｗに対し、上方からガスを供給する。供給したガスは、詳しくは後述するが、図４又は図５に示すように、基板Ｗの第１主面Ｗａにおいて、乾燥液で被覆した第１領域Ａ１と、乾燥液から露出した第２領域Ａ２の境界線Ａ３を押さえる。これにより、境界線Ａ３を基板Ｗの径方向外方に一定の速度で移動できる。
　ガス供給部４０は、図２に示すように、ガスを吐出する第３ノズル４１を有する。ガスは、例えば窒素ガス又はドライエアなどである。第３ノズル４１には、第３ノズル４１にガスを供給する供給ライン４２が接続されている。供給ライン４２の途中には、開閉バルブ４３と、流量制御器４４と、流量計４５と、が設けられる。
　ガス供給部４０は、基板Ｗの径方向に第３ノズル４１を移動させる第３移動機構４６を有する。第３移動機構４６は、例えば、旋回アーム４６１と、旋回アーム４６１を旋回させる旋回機構４６２とを有する。旋回アーム４６１は、水平に配置され、その先端で第３ノズル４１を保持する。旋回機構４６２は、旋回アーム４６１の基端部から下方に延びる旋回軸４６３を中心に、旋回アーム４６１を旋回させる。第３移動機構４６は、旋回アーム４６１を昇降させる昇降機構４６４を有してもよい。なお、第３移動機構４６は、旋回アーム４６１と旋回機構４６２との代わりに、ガイドレールと、ガイドレールに沿って第３ノズル４１を移動させる直動機構と、を有してもよい。
　なお、本実施形態では、第１ノズル２１と第３ノズル４１を独立して移動させるべく、第１移動機構２６と第３移動機構４６とを別々に設けたが、第１ノズル２１と第３ノズル４１を同時に同じ方向に同じ速さで移動させる場合、１つの移動機構で第１ノズル２１と第３ノズル４１とを移動させてもよい。
　制御部１７は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）１８と、メモリなどの記憶媒体１９とを備える。記憶媒体１９には、基板処理装置１０において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１７は、記憶媒体１９に記憶されたプログラムをＣＰＵ１８に実行させることにより、基板処理装置１０の動作を制御する。
　次に、図３を参照して、基板処理方法の一例について説明する。図３に示す各ステップＳ１０１～Ｓ１０６は、制御部１７による制御下で実施される。
　先ず、不図示の搬送装置が、基板Ｗを基板処理装置１０の内部に搬入する（ステップＳ１０１）。搬送装置は、基板保持部１１に基板Ｗを載置した後、基板処理装置１０の内部から退出する。基板保持部１１は、基板Ｗを搬送装置から受け取り、基板Ｗの第１主面Ｗａを上に向けて基板Ｗを水平に保持する。その後、回転駆動部１２が基板保持部１１と共に基板Ｗを回転させる。
　次に、第１液供給部２０が、回転させている基板Ｗの第１主面Ｗａの中心に薬液を供給する（ステップＳ１０２）。薬液は、遠心力によって基板Ｗの第１主面Ｗａ全体に濡れ広がり、基板Ｗの上に液膜を形成する。
　次に、第１液供給部２０が、回転させている基板Ｗの第１主面Ｗａの中心にリンス液を供給する（ステップＳ１０３）。リンス液は、遠心力によって基板Ｗの第１主面Ｗａ全体に濡れ広がり、基板Ｗの上に残った薬液を洗い流す。その結果、基板Ｗの上に、リンス液の液膜が形成される。
　次に、第１液供給部２０が、回転させている基板Ｗの第１主面Ｗａの中心に乾燥液を供給する（ステップＳ１０４）。乾燥液は、遠心力によって基板Ｗの第１主面Ｗａ全体に濡れ広がり、基板Ｗの上に残ったリンス液を洗い流す。その結果、基板Ｗの上に、乾燥液の液膜が形成される。
　次に、回転駆動部１２が、基板Ｗを引き続き回転させ、基板Ｗの上に残った乾燥液を振り切り、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ１０５）。なお、ステップＳ１０５の詳細は、後述する。基板Ｗの乾燥後、回転駆動部１２が基板Ｗの回転を停止する。
　次に、不図示の搬送装置が基板処理装置１０の内部に進入し、基板保持部１１から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを基板処理装置１０の外部に搬出する（ステップＳ１０６）。基板保持部１１は、搬送装置に基板Ｗを渡す前に、基板Ｗの保持を解除する。
　なお、図３に示す処理の一部は実施されなくてもよい。例えば、乾燥液の供給（ステップＳ１０４）は実施されなくてもよい。この場合、リンス液の供給（ステップＳ１０３）に続いて、基板Ｗの乾燥（ステップＳ１０５）が実施され、基板Ｗに残るリンス液が遠心力によって振り切られる。
　但し、乾燥液である有機溶剤は、リンス液である純水よりも、小さな表面張力を有する。それゆえ、凹凸パターンの品質改善の観点から、乾燥液の供給（ステップＳ１０４）を実施することが好ましい。
　次に、図４を参照して、図３のステップＳ１０５の一例について説明する。図４に示すように、ステップＳ１０５では、基板Ｗの第１主面Ｗａに、処理液Ｌ（例えば乾燥液）で被覆した第１領域Ａ１と、処理液Ｌから露出した第２領域Ａ２と、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の境界線Ａ３が形成される。第２領域Ａ２が広がる方向に境界線Ａ３が移動させられ、基板Ｗが乾燥される。
　ステップＳ１０５では、例えば、基板保持部１１が基板Ｗを水平に保持すると共に回転駆動部１２が基板Ｗを回転させ、遠心力によって基板Ｗの径方向外方に境界線Ａ３の位置を移動させる。第２領域Ａ２は、最初に、基板Ｗの第１主面Ｗａの中心に形成され、その後、基板Ｗの径方向外方に徐々に広がる。境界線Ａ３は、基板Ｗの径方向外方に、同心円状に徐々に広がる。本実施形態では回転駆動部１２が特許請求の範囲に記載の移動部に相当する。
　境界線Ａ３を移動させる際に、第１移動機構２６は、基板Ｗの径方向外方に、第１ノズル２１を移動させてもよい。境界線Ａ３を基板Ｗの径方向外方に移動させながら、境界線Ａ３の外側に処理液Ｌを供給でき、境界線Ａ３が基板Ｗの周縁に達する前に、基板Ｗの周縁が自然に乾燥してしまうのを防止できる。
　また、境界線Ａ３を移動させる際に、第３移動機構４６は、基板Ｗの径方向外方に、第３ノズル４１を移動させてもよい。第３ノズル４１は、境界線Ａ３又は境界線Ａ３の径方向内側に向けてガスを供給し、ガスの圧力で境界線Ａ３を押さえる。これにより、境界線Ａ３の逆戻りを防止でき、境界線Ａ３を基板Ｗの径方向外方に一定の速度で移動できる。第３移動機構４６は、第１ノズル２１と連動するように、第３ノズル４１を移動させる。
　境界線Ａ３を移動させる際に、基板Ｗの第１主面Ｗａに気体と液体の界面が現れ、表面張力が凹凸パターンに作用する。そこで、本実施形態では、境界線Ａ３を移動させる際に、基板Ｗに対して振動を印可する。上記の通り、基板Ｗの振動によって、付着した凸部の先端同士を剥離できるだけではなく、凸部の先端同士の付着そのものを抑制できる。
　基板処理装置１０は、基板保持部１１で保持された基板Ｗに対して振動を印可する振動子１６Ａ～１６Ｄを備える。なお、基板処理装置１０は、振動子１６Ａ～１６Ｄのうちの少なくとも１つを備えればよい。
　振動子１６Ａ～１６Ｄは、例えば圧電素子を含む。圧電素子の材質は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）である。振動子１６Ａ～１６Ｄは、発振器に接続されている。発振器は、振動子１６Ａ～１６Ｄを所定の周波数で振動させる。発振器は、例えば振動子１６Ａ～１６Ｄに交流電圧を印可する。発振器は、振動子１６Ａ～１６Ｄを個別に振動させるべく、振動子１６Ａ～１６Ｄごとに設けられてもよい。
　振動子１６Ａ～１６Ｄの発振周波数は、特に限定されないが、基板Ｗの凹凸パターンの凸部のピッチなどで決められる。発振周波数が高いほど、振動の波長が短くなる。振動の波長が凸部のピッチの２倍以下になるように、発振周波数が設定されることが好ましい。発振周波数は、例えば１ＭＨｚ以上である。発振周波数は、ＰＺＴの破損を抑制する観点から、好ましくは５０ＭＨｚ以下であり、より好ましくは１０ＭＨｚ以下である。
　振動子１６Ａ～１６Ｄの発振周波数が高いほど、単位時間当たりの基板Ｗの変位回数が増え、凸部の先端同士が離れやすい。振動の周波数が高くなるように、高調波を利用してもよいし、固有振動数以外の交流電圧を振動子１６Ａ～１６Ｄに印可してもよい。振動は、サイン波ではなくてもよく、矩形波又はパルス波でもよい。なお、振動は、ランダムな振動であってもよい。
　ところで、第１領域Ａ１は、処理液Ｌの厚みが一定の第１サブ領域Ａ１１と、第１サブ領域Ａ１１から境界線Ａ３にかけて処理液Ｌの厚みが薄くなる第２サブ領域Ａ１２と、を有する。表面張力が凹凸パターンに作用するのは、第２サブ領域Ａ１２である。従って、第２サブ領域Ａ１２を集中的に振動させれば、凹凸パターンの品質を効率的に改善できる。
　振動子１６Ａは、第１ノズル２１に取り付けられ、処理液Ｌに対して振動を印可することで、基板Ｗに対して振動を印可する。第１ノズル２１は、第２サブ領域Ａ１２の近傍に処理液Ｌを供給する。従って、処理液Ｌを振動させれば、第２サブ領域Ａ１２を集中的に振動でき、凹凸パターンの品質を効率的に改善できる。
　境界線Ａ３の位置を移動させる際に、振動子１６Ａによって振動を印可した処理液Ｌの供給位置を、基板Ｗの径方向外方に移動させてよい。境界線Ａ３の位置を移動させる間、第２サブ領域Ａ１２を集中的に振動させ続けることができる。処理液Ｌの供給位置は、境界線Ａ３の移動方向前方に設定され、境界線Ａ３から一定の距離で移動させられる。
　振動子１６Ａは、例えば、第１ノズル２１の処理液Ｌを吐出する吐出口に正対する照射面を有しており、照射面から吐出口に向けて超音波を照射し、処理液Ｌを振動させる。振動子１６Ａは、第１ノズル２１の内部で処理液Ｌに対して振動を印可する。従って、第１ノズル２１の材質は、振動を吸収する樹脂ではなく、金属、ガラス、アモルファスカーボン、又はセラミックであることが好ましい。セラミックは、例えば、石英、又は炭化ケイ素である。
　振動子１６Ａが処理液Ｌに対して振動を印可する場合、処理液Ｌとして、脱気液が用いられてもよい。脱気液は、脱気によって溶存ガスの濃度を低減した液体である。脱気液を用いることで、キャビテーションの発生を抑制でき、キャビテーションが押しつぶされるときに生じる衝撃を低減できる。従って、凸部の破損、及びパーティクルの発生を抑制できる。
　なお、処理液Ｌとして、脱気液ではなく、通常の濃度で溶存ガスを含む液体が用いられる場合、振動子１６Ａの発振周波数は２ＭＨｚ以上であることが好ましい。発振周波数が２ＭＨｚ以上であれば、キャビテーションの発生を抑制できる。
　振動子１６Ａが処理液Ｌに対して振動を印可する場合、図５に示すように、処理液Ｌの吐出方向は基板Ｗの第１主面Ｗａに近づくほど基板Ｗの径方向外方に傾斜していてもよい。凹凸パターンが複数のピラーを含む場合などに、凸部の先端部を横方向に効率的に振動させることができる。
　処理液Ｌの吐出方向の傾斜角は、例えば０°よりも大きく６０°以下である。処理液Ｌの吐出方向が基板Ｗの第１主面Ｗａに対して垂直である場合、処理液Ｌの吐出方向の傾斜角が９０°である。
　振動子１６Ｂは、第２ノズル３１に取り付けられ、液体Ｌ２に対して振動を印可することで、基板Ｗに対して振動を印可する。第２ノズル３１は、第２サブ領域Ａ１２の真下に液体Ｌ２を供給する。従って、液体Ｌ２を振動させれば、第２サブ領域Ａ１２を集中的に振動でき、凹凸パターンの品質を効率的に改善できる。
　境界線Ａ３の位置を移動させる際に、振動子１６Ｂによって振動を印可した液体Ｌ２の供給位置を、基板Ｗの径方向外方に移動させてよい。境界線Ａ３の位置を移動させる間、第２サブ領域Ａ１２を集中的に振動させ続けることができる。液体Ｌ２の供給位置は、第２サブ領域Ａ１２の真下に設定される。
　振動子１６Ｂは、例えば、第２ノズル３１の液体Ｌ２を吐出する吐出口に正対する照射面を有しており、照射面から吐出口に向けて超音波を照射し、液体Ｌ２を振動させる。振動子１６Ｂは、第２ノズル３１の内部で液体Ｌ２に対して振動を印可する。従って、第２ノズル３１の材質は、振動を吸収する樹脂ではなく、金属、ガラス、アモルファスカーボン、又はセラミックであることが好ましい。セラミックは、例えば、石英、又は炭化ケイ素である。
　振動子１６Ｂが液体Ｌ２に対して振動を印可する場合、図５に示すように、液体Ｌ２の吐出方向は基板Ｗの第２主面Ｗｂに近づくほど基板Ｗの径方向外方に傾斜していてもよい。凹凸パターンが複数のピラーを含む場合などに、凸部の先端部を横方向に効率的に振動させることができる。
　液体Ｌ２の吐出方向の傾斜角θは、例えば０°よりも大きく６０°以下である。液体Ｌ２の吐出方向が基板Ｗの第２主面Ｗｂに対して垂直である場合、液体Ｌ２の吐出方向の傾斜角θが９０°である。
　振動子１６Ｃは、第３ノズル４１に取り付けられ、ガスＧに対して振動を印可することで、基板Ｗに対して振動を印可する。第３ノズル４１は、第２サブ領域Ａ１２の近傍にガスＧを供給する。従って、ガスＧを振動させれば、第２サブ領域Ａ１２を集中的に振動でき、凹凸パターンの品質を効率的に改善できる。
　境界線Ａ３の位置を移動させる際に、振動子１６Ｃによって振動を印可したガスＧの供給位置を、基板Ｗの径方向外方に移動させてよい。境界線Ａ３の位置を移動させる間、第２サブ領域Ａ１２を集中的に振動させ続けることができる。ガスＧの供給位置は、境界線Ａ３の移動方向後方に設定され、境界線Ａ３から一定の距離で移動させられる。なお、ガスＧの供給位置は、移動させられてもよいが、静止させられてもよい。
　振動子１６Ｃは、例えば、第３ノズル４１のガスＧを吐出する吐出口に正対する照射面を有しており、照射面から吐出口に向けて超音波を照射し、ガスＧを振動させる。振動子１６Ｃは、第３ノズル４１の内部でガスＧに対して振動を印可する。従って、第３ノズル４１の材質は、振動を吸収する樹脂ではなく、金属、ガラス、アモルファスカーボン、又はセラミックであることが好ましい。セラミックは、例えば、石英、又は炭化ケイ素である。
　振動子１６ＣがガスＧに対して振動を印可する場合、図５に示すように、ガスＧの吐出方向は基板Ｗの第１主面Ｗａに近づくほど基板Ｗの径方向外方に傾斜していてもよい。凹凸パターンが複数のピラーを含む場合などに、凸部の先端部を横方向に効率的に振動させることができる。
　ガスＧの吐出方向の傾斜角は、例えば０°よりも大きく６０°以下である。ガスＧの吐出方向が基板Ｗの第１主面Ｗａに対して垂直である場合、ガスＧの吐出方向の傾斜角が９０°である。
　振動子１６Ｄは、基板保持部１１に取り付けられ、基板保持部１１に対して振動を印可することで、基板Ｗに対して振動を印可する。基板保持部１１の材質は、振動を吸収する樹脂ではなく、金属、ガラス、アモルファスカーボン、又はセラミックであることが好ましい。セラミックは、例えば、石英、又は炭化ケイ素である。
　振動子１６Ｄは、例えば、基板保持部１１の爪部１１２に取り付けられ、爪部１１２に対して振動を印可することで、基板Ｗに対して振動を印可する。また、振動子１６Ｄは、基板Ｗの周縁に接触してもよく、基板Ｗに対して直接に振動を印可してもよい。振動の減衰を抑制できる。
　本実施形態では、境界線Ａ３を移動させる際に基板Ｗに対して振動を印可するが、境界線Ａ３を移動させた後、つまり、基板Ｗの第１主面Ｗａ全体が露出した状態で、基板Ｗに対して振動を印可してもよい。後者の場合、基板Ｗの第１主面Ｗａが再び濡れないように、振動子１６Ｂ～１６Ｄのうちの少なくとも１つが用いられる。
　振動子１６Ｂによって振動させた液体Ｌ２を基板Ｗに供給する際には、基板Ｗを回転させてもよい。基板Ｗの周方向全体に亘って振動を印可できる。また、振動子１６Ｂによって振動させた液体Ｌ２を基板Ｗに供給する際には、液体Ｌ２を吐出する第２ノズル３１を基板Ｗの径方向に移動させてもよい。基板Ｗの径方向全体に亘って振動を印可できる。
　同様に、振動子１６Ｃによって振動させたガスＧを基板Ｗに供給する際には、基板Ｗを回転させてもよい。基板Ｗの周方向全体に亘って振動を印可できる。また、振動子１６Ｃによって振動させたガスＧを基板Ｗに供給する際には、ガスＧを吐出する第３ノズル４１を基板Ｗの径方向に移動させてもよい。基板Ｗの径方向全体に亘って振動を印可できる。
　次に、図６及び図７を参照して、バッチ式の基板処理装置５０の一例について説明する。基板処理装置５０は、基板Ｗに対して処理液Ｌを供給し、その後、基板Ｗを乾燥する。図６及び図７に示すように、基板処理装置５０は、処理容器６０と、基板保持部７０と、ガス供給部８０と、ガス排出部８６と、制御部５７と、を備える。
　処理容器６０は、基板Ｗが浸漬される処理液Ｌを溜める処理槽６１を有する。処理液Ｌは、例えばＤＩＷなどの純水である。処理槽６１は、例えば、処理液Ｌを溜める内槽６１１と、内槽６１１からオーバーフローした処理液を回収する外槽６１２と、外槽６１２の上端を囲むシール槽６１３とを有する。内槽６１１の内部には、内槽６１１の内部に処理液Ｌを供給するノズル５１が設けられる。また、内槽６１１の底壁には、内槽６１１の内部に溜めた処理液Ｌを排出する排出ポート５２が設けられる。
　処理容器６０は、基板Ｗを乾燥させる乾燥槽６２を有する。乾燥槽６２は、処理槽６１の上方に配置される。乾燥槽６２は、例えば、筒状の側壁６２１を含む。筒状の側壁６２１は、上方に開放されており、その上端に基板Ｗの搬入出口６２２を有する。乾燥槽６２は、搬入出口６２２を開閉する蓋体６２３を更に有する。蓋体６２３は、上に凸のドーム状であって、開閉機構５３によって昇降させられる。
　処理容器６０は、処理槽６１と乾燥槽６２の間にケーシング６３を有する。ケーシング６３の内部には、シャッター６４が移動可能に配置される。シャッター６４は、図６に示すように処理槽６１と乾燥槽６２を連通する連通位置と、図７に示すように処理槽６１と乾燥槽６２を遮断する遮断位置との間で移動させられる。
　基板処理装置５０は、シャッター６４を連通位置と遮断位置との間で移動させる開閉機構５４を更に備える。開閉機構５４は、シャッター６４を水平方向に移動させる。開閉機構５４は、シャッター６４を鉛直方向にも移動させてもよい。シャッター６４は、水平に配置され、その上面に枠状のシール６５を保持する。
　基板保持部７０は、例えば、図１０に示すように、水平方向に間隔をおいて配列される複数枚の基板Ｗの各々を鉛直に立てて保持する。基板保持部７０は、例えば、水平方向に延びる複数本（例えば４本）のアーム７１Ａ～７１Ｄを有する。複数本のアーム７１Ａ～７１Ｄは、それぞれ、Ｘ軸方向に等ピッチで溝７１１を含む。溝７１１には基板Ｗの周縁が挿入される。複数本のアーム７１Ａ～７１Ｄは、各基板Ｗの周縁を複数点で保持する。
　基板保持部７０は、複数本のアーム７１Ａ～７１Ｄを片持ち支持する鉛直な背板７２と、背板７２から真上に延びる昇降ロッド７３（図６及び図７参照）と、を有する。昇降ロッド７３は、蓋体６２３の貫通穴に挿通されており、その貫通穴にはシール機構が設けられている。昇降ロッド７３の上端には、昇降機構５５が接続されている。昇降機構５５は、基板保持部７０を昇降させる。
　ガス供給部８０は、処理容器６０の内部にガスを供給する。供給するガスは、例えば不活性ガスＧ１、又は不活性ガスＧ１と有機溶剤の蒸気Ｇ２との混合ガスである。有機溶剤は、例えばＩＰＡである。供給するガスは、予め加熱されてもよい。基板Ｗの乾燥を促進できる。
　ガス供給部８０は、例えばノズル８１を含む。ノズル８１は、処理容器６０の内部に複数設けられてもよい。各ノズル８１には、供給ライン８２が接続されている。供給ライン８２は、例えば、共通ライン８２１と、複数の個別ライン８２２～８２３とを有する。
　共通ライン８２１は、複数の個別ライン８２２～８２３の合流点と、ノズル８１とを接続する。共通ライン８２１の途中には、供給するガスを加熱するヒータ８３が設けられてもよい。
　個別ライン８２２は、ノズル８１に対して不活性ガスＧ１を供給する。一方、個別ライン８２３は、ノズル８１に対して有機溶剤の蒸気Ｇ２を供給する。個別ライン８２２、８２３の各々の途中には、開閉バルブ８４と、流量制御器８５とが設けられる。
　ガス排出部８６は、処理容器６０の内部から外部にガスを排出させる。ガス排出部８６は、例えば乾燥槽６２から延びる排出ライン８７を含む。排出ライン８７の途中には、開閉バルブ８８と、流量制御器８９とが設けられる。
　制御部５７は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）５８と、メモリなどの記憶媒体５９とを備える。記憶媒体５９には、基板処理装置５０において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部５７は、記憶媒体５９に記憶されたプログラムをＣＰＵ５８に実行させることにより、基板処理装置５０の動作を制御する。
　次に、基板処理装置５０の動作について説明する。基板処理装置５０の動作は、制御部５７による制御下で実施される。
　まず、基板保持部７０が、処理容器６０の搬入出口６２２の上方にて、不図示の搬送装置から、複数枚の基板Ｗを受け取る。次に、昇降機構５５が、基板保持部７０を下降させる。また、開閉機構５３が蓋体６２３を開放位置から閉塞位置に移動させ、処理容器６０の搬入出口６２２を蓋体６２３で閉塞する。
　昇降機構５５が基板保持部７０を下降させる間、シャッター６４は、基板保持部７０及び基板Ｗと干渉しないように、連通位置に位置する。昇降機構５５は、基板保持部７０を下降させることで、図６に示すように複数枚の基板Ｗを処理液Ｌに浸漬させる。これにより、複数枚の基板Ｗが一括で処理される。
　次に、昇降機構５５は、基板保持部７０を上昇させることで、複数枚の基板Ｗを処理槽６１の内部に溜めた処理液Ｌから引き上げ、図７に示すように乾燥槽６２の内部空間で停止させる。ガス供給部８０が乾燥槽６２の内部に不活性ガスＧ１を供給すると共に、ガス排出部８６が乾燥槽６２の内部のガスを外部に排出し、基板Ｗに付着した液滴を揮発させ、基板Ｗを乾燥させる。
　ガス供給部８０は、基板Ｗの乾燥を促進すべく、不活性ガスＧ１を予め加熱してもよい。また、ガス供給部８０は、不活性ガスＧ１と有機溶剤の蒸気Ｇ２との混合ガスを供給してもよい。有機溶剤の蒸気Ｇ２は、基板Ｗに付着すると凝縮する。凝縮熱によって基板Ｗを加熱でき、基板Ｗの乾燥を促進できる。
　次に、開閉機構５３が、蓋体６２３を閉塞位置から開放位置に移動させ、処理容器６０の搬入出口６２２を開放する。また、昇降機構５５が、基板保持部７０を上昇させることで、複数枚の基板Ｗを処理容器６０の外部に搬出する。その後、基板保持部７０は、処理容器６０の搬入出口６２２の上方にて、不図示の搬送装置に基板Ｗを渡す。
　ところで、図８に示すように、基板処理装置５０は、処理槽６１の内部に溜めた処理液Ｌから、処理液Ｌに浸漬した基板Ｗを引き上げる。その結果、基板Ｗの第１主面Ｗａに、処理液Ｌ（例えば純水と有機溶剤）で被覆した第１領域Ａ１と、処理液Ｌから露出した第２領域Ａ２と、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の境界線Ａ３が形成される。第２領域Ａ２が広がる方向に境界線Ａ３が移動させられ、基板Ｗが乾燥される。
　例えば、昇降機構５５が、基板保持部７０を上昇させることで、処理槽６１の内部に溜めた処理液Ｌから、処理液Ｌに浸漬した基板Ｗを引き上げる。その結果、基板Ｗの上端から下端に向けて、境界線Ａ３が下降させられる。本実施形態では昇降機構５５が特許請求の範囲に記載の移動部に相当する。
　なお、排出ポート５２が、処理槽６１の内部に溜めた処理液Ｌを排出することで、処理液Ｌの液面の高さを下げてもよい。この場合も、基板Ｗの上端から下端に向けて、境界線Ａ３が下降させられる。この場合、排出ポート５２が特許請求の範囲に記載の移動部に相当する。
　境界線Ａ３が下降させられる際に、ガス供給部８０が処理液Ｌである純水の上に有機溶剤を含む液膜Ｆを形成してもよい。ノズル８１から吐出された有機溶剤が、有機溶剤よりも冷たい純水の上で凝縮し、液膜Ｆを形成する。液膜Ｆを構成する有機溶剤は、純水よりも低い密度を有するものが好ましい。
　有機溶剤は、純水よりも小さな表面張力を有するので、基板Ｗが液膜Ｆを通過する時に、基板Ｗに付着したリンス液及びパーティクルをマランゴニ効果によって液膜Ｆに取り込むことができ、乾燥を促進できる。また、有機溶剤は純水よりも小さな表面張力を有するので、表面張力によるパターン倒壊を抑制できる。
　本実施形態においても、境界線Ａ３を移動させる際に、基板Ｗの第１主面Ｗａに気体と液体の界面が現れ、表面張力が凹凸パターンに作用する。そこで、境界線Ａ３を移動させる際に、基板Ｗに対して振動を印可する。上記の通り、基板Ｗの振動によって、付着した凸部の先端同士を剥離できるだけではなく、凸部の先端同士の付着そのものを抑制できる。
　基板処理装置５０は、図６及び図７に示すように、基板保持部７０で保持された基板Ｗに対して振動を印可する振動子５６Ａ～５６Ｂを備える。なお、基板処理装置１０は、振動子５６Ａ～５６Ｂのうちの少なくとも１つを備えればよい。
　振動子５６Ａ～５６Ｂは、例えば圧電素子を含む。圧電素子の材質は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）である。振動子５６Ａ～５６Ｂは、発振器に接続されている。発振器は、振動子５６Ａ～５６Ｂを所定の周波数で振動させる。発振器は、例えば振動子５６Ａ～５６Ｂに交流電圧を印可する。発振器は、振動子５６Ａ～５６Ｂを個別に振動させるべく、振動子５６Ａ～５６Ｂごとに設けられてもよい。
　振動子５６Ａ～５６Ｂの発振周波数は、特に限定されないが、基板Ｗの凹凸パターンの凸部のピッチなどで決められる。発振周波数が高いほど、振動の波長が短くなる。振動の波長が凸部のピッチの２倍以下になるように、発振周波数が設定されることが好ましい。発振周波数は、例えば１ＭＨｚ以上である。発振周波数は、ＰＺＴの破損を抑制する観点から、好ましくは５０ＭＨｚ以下であり、より好ましくは１０ＭＨｚ以下である。
　振動子５６Ａ～５６Ｂの発振周波数が高いほど、単位時間当たりの基板Ｗの変位回数が増え、凸部の先端同士が離れやすい。振動の周波数が高くなるように、高調波を利用してもよいし、固有振動数以外の交流電圧を振動子５６Ａ～５６Ｂに印可してもよい。振動は、サイン波ではなくてもよく、矩形波又はパルス波でもよい。なお、振動は、ランダムな振動であってもよい。
　振動子５６Ａは、例えば、図９及び図１０に示すように、基板保持部７０に取り付けられ、基板保持部７０に対して振動を印可することで、基板Ｗに対して振動を印可する。従って、基板保持部７０の材質は、振動を吸収する樹脂ではなく、金属、ガラス、アモルファスカーボン、又はセラミックであることが好ましい。セラミックは、例えば、石英、又は炭化ケイ素である。
　図９に示すように、基板保持部７０は、水平方向に延びる複数本（例えば４本）のアーム７１Ａ～７１Ｄと、複数本のアーム７１Ａ～７１Ｄを片持ち支持する鉛直な背板７２と、を有する。背板７２の上端部７２１は、基板Ｗが処理液Ｌに浸漬された状態において、処理液Ｌの液面よりも上方に露出する。振動子５６Ａは、例えば背板７２の上端部７２１に取り付けられる。
　背板７２の幅方向に４本のアーム７１Ａ～７１Ｄが並んでいる。幅方向中央に並ぶ２本のアーム７１Ｂ、７１Ｃは、幅方向両端に設けた２本のアーム７１Ａ、７１Ｄよりも下方に配置され、基板Ｗを下方から支持する。一方、幅方向両端に設けた２本のアーム７１Ａ、７１Ｄは、基板Ｗを斜め横から支持する。
　基板Ｗは、主に幅方向中央に並ぶ２本のアーム７１Ｂ、７１Ｃで支持される。そこで、図９に示すように正面から見て、幅方向中央に並ぶ２本のアーム７１Ｂ、７１Ｃのうちの少なくとも１本の鉛直上方に、振動子５６Ａが配置されていてもよい。アーム７１Ｂ、７１Ｃを効率的に振動でき、基板Ｗを効率的に振動できる。
　背板７２の下端部７２２は、図９に示すように、正面から見て、中央部が下方に向けて突出した山型状を呈していてもよい。下端部７２２は、複数本のアーム７１Ａ～７１Ｄの一端部が接続される接続部としても機能する。下端部７２２は、図１０に示すように、振動子５６Ａ、５６Ａによって背板７２に印可された振動を、アーム７１Ｂ、７１Ｃに向けて反射させるように構成された反射面Ｓを含んでもいてもよい。
　反射面Ｓは、振動の反射対象となるアーム７１Ｂ、７１Ｃの延長線上に設けられていてもよいし、下端部７２２の幅方向全体に亘って設けられていてもよい。反射面Ｓは、アーム７１Ｂ、７１Ｃに向けて傾斜した曲面であってもよいし、アーム７１Ｂ、７１Ｃに向けて傾斜した平坦面であってもよい。反射面Ｓが平坦面である場合、反射面Ｓと水平面（アーム７１Ｂ、７１Ｃの延在方向）のなす角αは例えば３５°以上５５°以下であってよい。
　振動子５６Ｂは、例えば、図６及び図７に示すように、処理槽６１（より詳細には内槽６１１）の底壁に取り付けられ、その底壁から処理液Ｌに対して振動を印可することで、基板Ｗに対して振動を印可する。従って、処理槽６１の材質は、振動を吸収する樹脂ではなく、金属、ガラス、アモルファスカーボン、又はセラミックであることが好ましい。セラミックは、例えば、石英、又は炭化ケイ素である。
　振動子５６Ｂが処理液Ｌに対して振動を印可する場合、処理液Ｌとして、脱気液が用いられてもよい。脱気液は、脱気によって溶存ガスの濃度を低減した液体である。脱気液を用いることで、キャビテーションの発生を抑制でき、キャビテーションが押しつぶされるときに生じる衝撃を低減できる。従って、凸部の破損、及びパーティクルの発生を抑制できる。
　なお、処理液Ｌとして、脱気液ではなく、通常の濃度で溶存ガスを含む液体が用いられる場合、振動子５６Ｂの発振周波数は２ＭＨｚ以上であることが好ましい。発振周波数が２ＭＨｚ以上であれば、キャビテーションの発生を抑制できる。
　本実施形態では、境界線Ａ３を移動させる際に基板Ｗに対して振動を印可するが、境界線Ａ３を移動させた後、つまり、基板Ｗの第１主面Ｗａ全体が露出した後で、基板Ｗに対して振動を印可してもよい。後者の場合、例えば、基板Ｗを乾燥槽６２の内部に収容した状態で、振動子５６Ａが基板保持部７０を介して基板Ｗに対して振動を印可する。
　以上、本開示に係る基板処理装置、及び基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　本出願は、２０２１年４月１日に日本国特許庁に出願した特願２０２１－０６２６９４号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０２１－０６２６９４号の全内容を本出願に援用する。
Ｗ　　基板
Ｗａ　第１主面
Ｗｂ　第２主面
Ａ１　第１領域
Ａ２　第２領域
Ａ３　境界線

Claims (20)

  1. 　互いに反対向きの第１主面と第２主面とを有し前記第１主面に凹凸パターンを含む基板に対して、前記第１主面の全体が露出した状態で、振動子によって振動を印可することを含む、基板処理方法。
  2. 　前記基板に対して振動を印可することは、前記振動子によって振動を印可した液体を、前記基板の前記第２主面に供給することを含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記液体を供給する際に、前記基板を回転させる、請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記液体を供給する際に、前記液体を吐出するノズルを、前記基板の径方向に移動させる、請求項２又は３に記載の基板処理方法。
  5. 　前記基板に対して振動を印可することは、前記基板を保持する基板保持部に対して前記振動子によって振動を印可することを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  6. 　前記基板保持部は、１枚の前記基板を水平に保持する、請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 　前記基板保持部は、水平方向に間隔をおいて配列される複数枚の前記基板の各々を鉛直に保持する、請求項５に記載の基板処理方法。
  8. 　前記基板に対して振動を印可することで、前記凹凸パターンの隣り合う凸部の付着した先端同士を剥離することを含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  9. 　互いに反対向きの第１主面と第２主面とを有し前記第１主面に凹凸パターンを含む基板を保持する基板保持部と、
    　前記基板保持部で保持された前記基板に対して、前記第１主面の全体が露出した状態で、振動を印可する振動子と、
    　を備える、基板処理装置。
  10. 　前記基板の前記第２主面に液体を供給するノズルを備え、
    　前記振動子は、前記ノズルから吐出される前記液体に対して振動を印可する、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 　前記振動子は、前記基板保持部に対して振動を印可する、請求項９又は１０に記載の基板処理装置。
  12. 　互いに反対向きの第１主面と第２主面とを有し前記第１主面に凹凸パターンを含む基板の前記第１主面に処理液を供給することと、前記処理液を供給した前記基板を乾燥することと、を含む基板処理方法であって、
    　前記基板の前記第１主面において、前記処理液で被覆した第１領域と、前記処理液から露出した第２領域との境界線の位置を移動させることと、
    　前記境界線の位置を移動させる際に、前記基板に対して振動子で振動を印可することと、
    　を含む、基板処理方法。
  13. 　前記境界線の位置を移動させることは、前記基板を水平に保持した状態で前記基板を回転させ、遠心力によって前記基板の径方向外方に前記境界線の位置を移動させることを含む、請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 　前記基板に振動を印可することは、（ａ）前記振動子によって振動を印可した前記処理液を前記基板の前記第１主面に供給すること、（ｂ）前記振動子によって振動を印可した液体を前記基板の前記第２主面に供給すること、（ｃ）前記振動子によって振動を印可したガスを前記基板の前記第１主面に供給すること、及び（ｄ）前記基板を保持する基板保持部を前記振動子で振動させること、のうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 　前記境界線の位置を移動させる際に、（ａ）前記振動子によって振動を印可した前記処理液の供給位置、（ｂ）前記振動子によって振動を印可した液体の供給位置、及び（ｃ）前記振動子によって振動を印可したガスの供給位置、のうちの少なくとも１つを前記基板の径方向外方に移動させることを含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 　前記境界線の位置を移動させることは、処理槽の内部に溜めた前記処理液から、前記処理液に浸漬した前記基板を引き上げること、又は前記基板が浸漬された前記処理液の液面の高さを下げることを含む、請求項１２に記載の基板処理方法。
  17. 　前記基板に振動を印可することは、前記処理槽の内部に溜めた前記処理液に対して振動子によって振動を印可すること、及び前記基板を保持する基板保持部に対して振動子によって振動を印可すること、のうちの少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 　互いに反対向きの第１主面と第２主面とを有し前記第１主面に凹凸パターンを含む基板の前記第１主面に処理液を供給し、前記処理液を供給した前記基板を乾燥する、基板処理装置であって、
    　前記基板を保持する基板保持部と、
    　前記基板の前記第１主面において、前記処理液で被覆した第１領域と、前記処理液から露出した第２領域との境界線の位置を移動させる移動部と、
    　前記移動部によって前記境界線の位置を移動させる際に、前記基板に対して振動を印可する振動子と、を備える、基板処理装置。
  19. 　前記移動部は、前記基板を前記基板保持部によって水平に保持した状態で、前記基板を回転させる、請求項１８に記載の基板処理装置。
  20. 　前記移動部は、処理槽の内部に溜めた前記処理液から、前記処理液に浸漬した前記基板を引き上げるか、又は前記基板が浸漬された前記処理液の液面の高さを下げる、請求項１８に記載の基板処理装置。
PCT/JP2022/013136 2021-04-01 2022-03-22 基板処理装置、および基板処理方法 WO2022210088A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202280023841.7A CN117063266A (zh) 2021-04-01 2022-03-22 基片处理装置和基片处理方法
KR1020237032188A KR20230163391A (ko) 2021-04-01 2022-03-22 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
JP2023511011A JPWO2022210088A1 (ja) 2021-04-01 2022-03-22

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021062694 2021-04-01
JP2021-062694 2021-04-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022210088A1 true WO2022210088A1 (ja) 2022-10-06

Family

ID=83455283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/013136 WO2022210088A1 (ja) 2021-04-01 2022-03-22 基板処理装置、および基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPWO2022210088A1 (ja)
KR (1) KR20230163391A (ja)
CN (1) CN117063266A (ja)
WO (1) WO2022210088A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11260779A (ja) * 1997-12-02 1999-09-24 Tadahiro Omi スピン洗浄装置及びスピン洗浄方法
JP2001017930A (ja) * 1999-07-08 2001-01-23 Dan Kagaku:Kk 基板の洗浄方法及びその装置
JP2007088257A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板乾燥方法
JP2009088227A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
JP2013206977A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2019125608A (ja) * 2018-01-11 2019-07-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5449953B2 (ja) 2009-09-29 2014-03-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11260779A (ja) * 1997-12-02 1999-09-24 Tadahiro Omi スピン洗浄装置及びスピン洗浄方法
JP2001017930A (ja) * 1999-07-08 2001-01-23 Dan Kagaku:Kk 基板の洗浄方法及びその装置
JP2007088257A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板乾燥方法
JP2009088227A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
JP2013206977A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2019125608A (ja) * 2018-01-11 2019-07-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022210088A1 (ja) 2022-10-06
KR20230163391A (ko) 2023-11-30
CN117063266A (zh) 2023-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11289324B2 (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
US7032269B2 (en) Brush scrubbing-high frequency resonating substrate processing system
JP2000188273A (ja) 半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法
JPH1154471A (ja) 処理装置及び処理方法
SG174616A1 (en) Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
KR20080030481A (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
TW201237951A (en) Liquid processing method, liquid processing apparatus and recording medium
KR20040014079A (ko) 기판 세정 장치
KR100468110B1 (ko) 웨이퍼 처리 장치
WO2022210088A1 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
PL208012B1 (pl) Sposób i system do obróbki płytek półprzewodnikowych oraz przyrząd i głowica do stosowania tego sposobu
JP6513852B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2005142309A (ja) 基板の洗浄方法、洗浄装置および洗浄システム
KR20080030203A (ko) 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판의 세정 방법
KR100927029B1 (ko) 트랜스듀서 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
KR100927028B1 (ko) 초음파 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
JP2007324509A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2702473B2 (ja) 洗浄方法
WO2023188154A1 (ja) 電子部品洗浄方法
TWI528436B (zh) 用以處理平坦物體之聲波能量系統、方法及裝置
JP7414335B1 (ja) 電子部品洗浄装置
JPH08299928A (ja) 基板の表面処理用超音波発生装置
KR100938249B1 (ko) 초음파 발생 장치 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
KR101517819B1 (ko) 반도체 웨이퍼 제조장치 및 그 방법
JP2987132B2 (ja) 基板洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22780303

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023511011

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202280023841.7

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22780303

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1