JP2013206977A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1ノズル10、第2ノズル20、および第3ノズル30を有し、第1ノズル10は、基板9の第1吐出位置P1に、第1処理液15を吐出し、第2ノズル20は、基板9の第2吐出位置P2に、超音波が印加された第2処理液25を吐出し、また、第3ノズル30は、第1吐出位置P1と第2吐出位置P2との間のP3に、気体35を吹き付けることにより、異物を除去するときには、第2処理液25により基板9を振動させ、当該振動により基板9の表面から遊離した異物9Pを、第1処理液15で流して除去すると共に、気体35の吹き付けにより第2処理液25の広がりを抑制して、キャビテーションによる基板9のダメージを抑制する。
【選択図】図3
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を示した図である。この基板処理装置1は、半導体の製造工程において、半導体ウエハ9の表面に付着したパーティクル等の異物を除去する、枚様式の洗浄装置である。図1に示すように、本実施形態の基板処理装置1は、保持部80、第1ノズル10、第2ノズル20、第3ノズル30、排液捕集部40、および制御部50を備えている。
続いて、上記の基板処理装置1を用いた異物除去処理について、説明する。図2は、基板処理装置1における異物除去処理の流れを示したフローチャートである。図3は、半導体ウエハ9に対する第1処理液15、第2処理液25、および窒素ガス35の吐出時の様子を、模式的に示した図である。図4は、半導体ウエハ9に対して第1処理液15、第2処理液25、および窒素ガス35を吐出しているときの、半導体ウエハ9の上面図である。なお、図4では、半導体ウエハ9の上面のうち、第1処理液15が広がっている領域をハッチングで示し、第2処理液25が広がっている領域をクロスハッチングで示している。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
9 半導体ウエハ
9B 超音波振動
9P 異物
10 第1ノズル
15 第1処理液
15F 液流
20 第2ノズル
24 超音波振動子
25 第2処理液
30 第3ノズル
35 窒素ガス
40 排液捕集部
50 制御部
80 保持部
91 デバイス領域
92 パターン
93 帯状領域
P1 第1吐出位置
P2 第2吐出位置
P3 第3吐出位置
Claims (13)
- 基板の表面から異物を除去する基板処理装置であって、
基板を略水平に保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板の第1吐出位置に、第1処理液を吐出する第1ノズルと、
前記保持部に保持された基板の第2吐出位置に、超音波が印加された第2処理液を吐出する第2ノズルと、
前記第1吐出位置と前記第2吐出位置との間に、気体を吹き付ける第3ノズルと、
を備える基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記気体が、窒素ガスまたは乾燥空気である基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記気体が、窒素ガスまたは乾燥空気と、有機溶剤の蒸気との混合気体である基板処理装置。 - 基板の表面から異物を除去する基板処理装置であって、
基板を略水平に保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板の第1吐出位置に、第1処理液を吐出する第1ノズルと、
前記保持部に保持された基板の第2吐出位置に、超音波が印加された第2処理液を吐出する第2ノズルと、
前記第1吐出位置と前記第2吐出位置との間に、第2処理液より表面張力の低い第3処理液を吐出する第3ノズルと、
を備える基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記第3処理液が、有機溶剤である基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記有機溶剤が、イソプロピルアルコールまたはハイドロフルオロエーテルのいずれかである基板処理装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第2吐出位置が、基板の周縁部である基板処理装置。 - 請求項1から請求項7までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第2吐出位置が、前記第1吐出位置より、基板の外周側に位置し、
前記第2ノズルが、鉛直下向きまたは基板の外周側へ斜めに向けられている基板処理装置。 - 請求項1から請求項8までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第3ノズルが、鉛直下向きまたは前記第2吐出位置側へ斜めに向けられている基板処理装置。 - 請求項1から請求項8までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第3ノズルが、上面視において、前記第1吐出位置と前記第2吐出位置とを結ぶ直線を横切る方向に、向けられている基板処理装置。 - 請求項1から請求項10までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第2処理液が、脱イオン水、イソプロピルアルコール、またはハイドロフルオロエーテルのいずれか、またはこれらの混合液である基板処理装置。 - 請求項1から請求項11までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第2ノズルの吐出を開始する前に、前記第3ノズルの吐出を開始し、前記第2ノズルの吐出を停止させた後に、前記第3ノズルの吐出を停止させる制御部を、さらに備える基板処理装置。 - 基板の表面から異物を除去する基板処理方法であって、
超音波が印加された処理液を、基板に供給しつつ、基板の表面における前記処理液の広がりを堰き止め、かつ、基板の表面の他の領域に、他の処理液による液流を形成する基板処理方法。
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