WO2022107699A1 - 弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置 - Google Patents

弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2022107699A1
WO2022107699A1 PCT/JP2021/041750 JP2021041750W WO2022107699A1 WO 2022107699 A1 WO2022107699 A1 WO 2022107699A1 JP 2021041750 W JP2021041750 W JP 2021041750W WO 2022107699 A1 WO2022107699 A1 WO 2022107699A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
elastic wave
resonator
resonators
filter
electrode finger
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/041750
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
圭司 岡田
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN202180077203.9A priority Critical patent/CN116530012A/zh
Publication of WO2022107699A1 publication Critical patent/WO2022107699A1/ja
Priority to US18/196,520 priority patent/US20230283262A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0004—Impedance-matching networks
    • H03H9/0009—Impedance-matching networks using surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave filter and a composite filter device having first, second and third elastic wave resonators connected in series.
  • the power resistance deteriorates because the displacement is large in the frequency range of resonance frequency-antiresonance frequency when power is applied. In particular, since the voltage at the antiresonance frequency becomes high, migration occurs due to local heat generation, and the power resistance is lowered.
  • Patent Document 1 the power resistance is improved by serial division, but the power resistance is still not sufficient.
  • the frequency has increased, the distance between the electrode fingers has become shorter, so that further improvement in power resistance is required.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave filter and a composite filter device capable of increasing the withstand power.
  • a series arm having an input end and an output end and connecting the input end and the output end is serialized in the order of first, second, ... Nth.
  • N (n is a natural number) elastic wave resonators connected to the above are provided, and each of the n elastic wave resonators has a plurality of electrode fingers, and the n elastic wave resonators are provided.
  • the mth elastic wave resonator (m is a natural number of 1 ⁇ m ⁇ n) is included, and the mth elastic wave resonator is sandwiched between the first and nth elastic wave resonators.
  • the electrode finger pitch of the mth elastic wave resonator is the smallest among the electrode finger pitches of the n elastic wave resonators.
  • a series arm having an input end and an output end and connecting the input end and the output end, and a parallel arm connecting the series arm and the ground potential.
  • the parallel arm is equipped with n (n is a natural number) elastic wave resonators connected in series in the order of the first, second, ... nth, and the nth elastic wave resonators are provided.
  • Each of the elastic wave resonators has a plurality of electrode fingers, and the n elastic wave resonators include the mth elastic wave resonator (m is a natural number of 1 ⁇ m ⁇ n), and the m.
  • the elastic wave resonator is sandwiched between the first and nth elastic wave resonators, and the electrode finger pitch of the mth elastic wave resonator is the electrode of the n elastic wave resonators. It is the largest of the finger pitches.
  • the composite filter device includes an elastic wave filter configured according to the present invention and at least one band-passing type filter having a pass band different from that of the elastic wave filter, and the elastic wave filter and the at least one.
  • One end of the bandpass type filter is commonly connected.
  • the elastic wave filter and the composite filter device according to the present invention can improve the power resistance.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a composite filter device having an elastic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a modified example of a composite filter device having an elastic wave filter according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a composite filter device having an elastic wave filter according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view for explaining the electrode structure of the elastic wave resonator.
  • FIG. 5 is a schematic plan view for explaining the positional relationship of the first to third elastic wave resonators in the elastic wave filter of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the frequency in the elastic wave filters of Example 1 and Comparative Example 1 and the power consumption per unit area.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a composite filter device having an elastic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a modified example of a composite filter device having an elastic wave filter according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic plan view for explaining the positional relationship of the first to third elastic wave resonators in the elastic wave filter according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the frequency in the elastic wave filters of Example 2 and Comparative Example 2 and the power consumption per unit area.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of a composite filter device having an elastic wave filter according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of a composite filter device having an elastic wave filter according to a third embodiment.
  • FIG. 11 is a circuit diagram of a composite filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a circuit diagram of a composite filter device having an elastic wave filter according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic plan view for explaining the positional relationship of the first to third elastic wave resonators in the elastic wave filter of the fourth embodiment.
  • FIG. 14 is a circuit diagram of an elastic wave filter according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a circuit diagram of an elastic wave filter according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a circuit diagram of a composite filter device according to an eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a composite filter device having an elastic wave filter according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the composite filter device.
  • the composite filter device 1 has a common terminal 4 connected to an antenna.
  • An inductor L1 for impedance adjustment is connected between the common terminal 4 and the ground potential.
  • the elastic wave filter 2 according to the first embodiment of the present invention is connected between the common terminal 4 and the transmission terminal 5.
  • the elastic wave filter 2 is a transmission filter. Therefore, the transmission terminal 5 is the input end, and the common terminal 4 is the output end.
  • An elastic wave filter 3 as a receiving filter is connected between the common terminal 4 and the receiving terminal 6.
  • series arm resonators S1 to S5 are provided in the series arm connecting the transmission terminal 5 and the common terminal 4. Further, parallel arm resonators P1 to P4 are provided in each of the plurality of parallel arms connecting the series arm and the ground potential.
  • the parallel arm resonator P1 is connected between the connection point between the series arm resonator S1 and the series arm resonator S2 and the ground potential.
  • the parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonator S2 and the series arm resonator S3 and the ground potential.
  • the ground potential side ends of the parallel arm resonators P1 and P2 are commonly connected and connected to the ground potential.
  • the parallel arm resonator P3 is connected between the connection point between the series arm resonator S3 and the series arm resonator S4 and the ground potential.
  • the parallel arm resonator P4 is connected between the connection point between the series arm resonator S4 and the series arm resonator S5 and the ground potential.
  • the ground potential side end of the parallel arm resonator P3 and the parallel arm resonator P4 are commonly connected and connected to the ground potential via the inductor L3.
  • the inductor L2 is connected between the transmission terminal 5 and the ground potential.
  • the series arm resonators S1 to S5 and the parallel arm resonators P1 to P4 are all elastic wave resonators in which elastic wave resonators are connected in series to each other. It has a structure divided into. That is, each of the above resonators includes a plurality of divided resonators. More specifically, in the series arm resonators S1 to S5, the series arm resonator S1 is an elastic wave resonator S1a to S1d, the series arm resonator S2 is an elastic wave resonator S2a to S2e, and the series arm resonator S3.
  • series arm resonators S4 have elastic wave resonators S4a to S4c, and series arm resonator S5 has elastic wave resonators S5a to S5d.
  • the parallel arm resonators P1 to P3 each have a structure in which three elastic wave resonators are connected in series, and the parallel arm resonator P4 has a structure in which two elastic wave resonators are connected in series.
  • the elastic wave filters 2 and 3 are arranged on the piezoelectric substrate 7. More specifically, IDT electrodes and reflectors constituting the series arm resonators S1 to S5 and the parallel arm resonators P1 to P4 are provided on the piezoelectric substrate 7. Similarly, on the elastic wave filter 3 side, IDT electrodes and reflectors constituting each elastic wave resonator are provided. Note that FIG. 3 schematically shows only the position where the elastic wave filter 3 is provided.
  • FIG. 4 is a plan view showing the electrode structure of the elastic wave resonator.
  • the IDT electrode 11 has a plurality of first electrode fingers 11a interspersed with each other and a plurality of second electrode fingers 12a.
  • the electrode finger pitch P is the distance between the center of the electrode fingers between the adjacent first electrode fingers 11a and the second electrode fingers 12a.
  • the electrode finger pitch related to the comparison between the elastic wave resonators is assumed to be the average electrode finger pitch in each elastic wave resonator.
  • X is an elastic wave propagation direction, which is a direction orthogonal to the direction in which the first and second electrode fingers 11a and 12a extend.
  • Y is a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the first to third elastic wave resonators S4a to S4c are arranged in the Y direction, that is, in the direction orthogonal to the elastic wave propagation direction X.
  • the second elastic wave resonator S4b is sandwiched between the first and third elastic wave resonators S4a and S4c.
  • the electrode finger pitches of the elastic wave resonators S4a to S4c are different in the series arm resonator S4. More specifically, the elastic wave resonator S4a corresponds to the first elastic wave resonator in the present invention, the elastic wave resonator S4b corresponds to the second elastic wave resonator, and the elastic wave resonator S4c corresponds to the second elastic wave resonator. Corresponds to the elastic wave resonator of 3.
  • the elastic wave resonator S4a will be referred to as a first elastic wave resonator S4a
  • the elastic wave resonator S4b will be referred to as a second elastic wave resonator S4b
  • the elastic wave resonator S4c will be referred to as a third elastic wave resonator S4c.
  • the average electrode finger pitch of the second elastic wave resonator S4b is the smallest among the average electrode finger pitches of the first to third elastic wave resonators S4a to S4c
  • the second elastic wave resonator S4b Is physically sandwiched between the first elastic wave resonator S4a and the third elastic wave resonator S4c.
  • the number of elastic wave resonators is not limited to three.
  • n elastic wave resonators are arranged on the input end side in the series arm.
  • a series arm resonator S4 is configured on the piezoelectric substrate 7, and the series arm resonator S4 is a first elastic wave resonator S4a to a third as shown in FIG. It has an elastic wave resonator S4c. Then, on the piezoelectric substrate 7, the second elastic wave resonator S4b is physically sandwiched between the first elastic wave resonator S4a and the third elastic wave resonator S4c.
  • the resonance frequency of the second elastic wave resonator S4b is located outside the pass band. More specifically, it is located on the high frequency side of the pass band.
  • the capacitance of the second elastic wave resonator S4b the logarithm of the electrode finger ⁇ the crossing width ⁇ the first and third elastic wave resonators S4a, S4c. It is said to be capacity.
  • the areas of the first and third elastic wave resonators S4a and S4c, which generate a large amount of heat are larger than those in the case where the resonance frequencies of the first to third elastic wave resonators are equal and the capacitances are also equal. Therefore, the heat generation density is lowered, and the power resistance can be improved. Further, the attenuation amount on the high frequency side of the pass band can be improved without deteriorating the attenuation amount in the pass band.
  • the electrode finger pitch P in the second elastic wave resonator S4b is the smallest of the electrode finger pitches in the first to third elastic wave resonators S4a to S4c.
  • the elastic wave filter 2 can effectively improve the power resistance.
  • the reason for this is as follows.
  • the first to third elastic wave resonators S4a to S4c are connected in series. Since the electrode finger pitch of the second elastic wave resonator S4b is the smallest, the power consumption, that is, the calorific value of the second elastic wave resonator S4b is the largest among the first to third elastic wave resonators S4a to S4c. Few. Therefore, the second elastic wave resonator S4b, which is difficult to generate heat, is physically sandwiched between the first and third elastic wave resonators S4a and S4c, so that the unit area of the series arm resonator S4 is increased. The power consumption can be reduced and the power resistance can be improved.
  • Circuit elements other than the first to third elastic wave resonators S4a to S4c are connected between the first and third elastic wave resonators S4a and S4c and the second elastic wave resonator S4b. It has not been. Further, the wiring connecting the first and third elastic wave resonators S4a and S4c and the second elastic wave resonator S4b is not connected to the ground potential. Therefore, the heat dissipation from the second elastic wave resonator S4b tends to be insufficient. In such cases, the present invention is particularly suitable.
  • a plurality of wirings connecting the elastic wave resonators are collectively referred to as a connection node. Even when no circuit element other than the n elastic wave resonators is connected to the connection node connecting the n elastic wave resonators and the connection node is not connected to the ground potential. Similar to the above, the present invention is particularly suitable.
  • the elastic wave filter 3 is a ladder type filter having series arm resonators S11 to S15 and parallel arm resonators P11 to P14.
  • the elastic wave filter 3 is also not particularly limited, but the series arm resonators S11 to S15 and the parallel arm resonators P11 to P14 are made of elastic wave resonators.
  • the inductor L4 is connected between the parallel arm resonator P14 and the ground potential.
  • the inductor L5 is connected between the receiving terminal 6 and the ground potential.
  • the circuit configuration of the elastic wave filter 3 is not particularly limited, and may be a band-passing type filter other than the ladder type filter. Further, the elastic wave filter 3 may be a band-passing type filter other than the elastic wave filter.
  • FIG. 6 shows the relationship between the frequency of the elastic wave filter 2 of the first embodiment and the frequency of the elastic wave filter of the comparative example 1 and the power consumption per unit area.
  • Example 1 the wavelength determined by the electrode finger pitch of the IDT electrodes of the first and third elastic wave resonators S4a and S4c was set to 1.5374 ⁇ m, and the wavelength determined by the electrode finger pitch in the reflector was also set to the same value. ..
  • the wavelength determined by the electrode finger pitch in the second elastic wave resonator S4b was 1.5297 ⁇ m, and the wavelength determined by the electrode finger pitch in the reflector was also set to the same value.
  • Comparative Example 1 the wavelength determined by the electrode finger pitch in the second elastic wave resonator S4b is the same as the wavelength determined by the electrode finger pitch in the first and third elastic wave resonators S4a and S4c, that is, 1.5374 ⁇ m. did.
  • Other configurations of Comparative Example 1 were the same as those of Example 1.
  • the solid line in FIG. 6 shows the result of Example 1, and the broken line shows the result of Comparative Example 1.
  • the alternate long and short dash line in FIG. 6 indicates the end of the pass band in the elastic wave filter 2.
  • the pass band is 2500 MHz or more and 2580 MHz or less.
  • the power consumption is significantly smaller than that of the comparative example 1 on the high frequency side in the pass band and on the high frequency side than the pass band as compared with the comparative example 1. You can see that it is. That is, it can be seen that in the vicinity of 2550 MHz to 2620 MHz, the power consumption can be significantly reduced and the power withstand power can be improved in the first embodiment. In particular, it can be seen that the power consumption can be significantly reduced in the vicinity of 2575 MHz, which is the antiresonance frequency to which a large amount of power is applied.
  • the elastic wave filter 2 can effectively improve the power resistance as compared with the conventional elastic wave filter.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a modified example of the elastic wave filter 2 in the composite filter device 1 of the first embodiment.
  • the parallel arm resonator P1 has an elastic wave resonator P1A, an elastic wave resonator P1B, an elastic wave resonator P1C, and an elastic wave resonator P1D connected in series with each other.
  • the elastic wave resonator P1B is the first elastic wave resonator of the present invention
  • the elastic wave resonator P1C is the second elastic wave resonator of the present invention
  • the elastic wave resonator P1D is the present invention. It is a third elastic wave resonator.
  • the electrode finger pitch of the third elastic wave resonator P1D which is the elastic wave resonator of m, may be the maximum among the four elastic wave resonators P1A, P1B, P1C and P1D.
  • the antiresonance frequency of the fourth elastic wave resonator P1D is preferably located on the low frequency side of the pass band of the elastic wave filter.
  • FIG. 7 is a schematic plan view for explaining the positional relationship of the first to third elastic wave resonators in the elastic wave filter according to the second embodiment of the present invention.
  • the third parallel arm resonator P3 has first to third elastic wave resonators P3a to P3c connected in series with each other.
  • the withstand power can be improved by the configuration in which the first to third elastic wave resonators P3a to P3c are connected in series, but further, the second elastic wave resonator P3b can be improved.
  • the electrode finger pitch is the largest among the electrode finger pitches of the first to third elastic wave resonators P3a to P3c, and the second elastic wave resonator P3b is the first and third elastic wave resonators P3a, By being sandwiched between P3c, the power resistance can be enhanced more effectively.
  • the second elastic wave resonator P3b is sandwiched between the first elastic wave resonator P3a and the third elastic wave resonator P3c in the Y direction orthogonal to the elastic wave propagation direction X. ..
  • the third parallel arm resonator P3 is configured as described above, and other configurations are the same as those of Comparative Example 1 described above. That is, the series arm resonator S4 is the same as that of Comparative Example 1 described above.
  • FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the frequencies of the elastic wave filters of the second embodiment and the elastic wave filters of Comparative Example 2 and the power consumption per unit area. Also in FIG. 8, the alternate long and short dash line indicates the lower limit and the upper limit of the pass band.
  • the wavelength determined by the electrode finger pitch of the second elastic wave resonator P3b was 1.5866 ⁇ m, that is, the electrode finger pitch was 0.7933 ⁇ m, and the electrode finger pitch in the reflector was also the same.
  • Comparative Example 2 the electrode finger pitches of the first to third elastic wave resonators P3a to P3c were all the same, that is, the wavelength determined by the electrode finger pitch was 1.5858 ⁇ m.
  • Other configurations of Comparative Example 2 were the same as those of Example 2.
  • the resonance frequencies and antiresonance frequencies of the first to third elastic wave resonators S4a to S4c are as shown in Table 1 below.
  • the resonance frequencies and antiresonance frequencies of the first to third elastic wave resonators P3a to P3c in the parallel arm resonator P3 are as shown in Table 2 below.
  • the number of elastic wave resonators is not limited to three.
  • the series arm resonator may include n elastic wave resonators (n is a natural number).
  • n elastic wave resonators may be connected in series in the order of first, second, ... nth.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of a composite filter device having an elastic wave filter according to a third embodiment of the present invention
  • FIG. 10 is a schematic plan view thereof. Note that FIG. 10 shows the arrangement of each resonator, and wiring is omitted.
  • the composite filter device 31 has a common terminal 4, a transmission terminal 5, and a reception terminal 6 connected to an antenna, similarly to the composite filter device 1.
  • An elastic wave filter 32 as a transmission filter is connected between the common terminal 4 and the transmission terminal 5.
  • the elastic wave filter 32 is an elastic wave filter according to a third embodiment of the present invention.
  • An elastic wave filter 33 as a reception filter is connected between the common terminal 4 and the reception terminal 6.
  • series arm resonators S1 to S5 are provided on the series arm connecting the transmission terminal 5 and the common terminal 4. Further, parallel arm resonators P1 to P4 are connected between the series arm and the ground potential.
  • the difference from the elastic wave filter 2 of the first embodiment is that the series arm resonators S1 to S5 are each composed of a single elastic wave resonator and are not divided into a plurality of elastic wave resonators. ..
  • the parallel arm resonators P1 to P4 also consist of a single elastic wave resonator in the elastic wave filter 32.
  • the series arm resonators S2 to S4 correspond to the first to third elastic wave resonators in the present invention.
  • the electrode finger pitch in the series arm resonator S3 which is the second elastic wave resonator is made smaller than the electrode finger pitch of the series arm resonators S2 and S4 which are the first and third elastic wave resonators.
  • the series arm resonator S3 is physically sandwiched between the series arm resonator S2 and the series arm resonator S4 in the Y direction on the piezoelectric substrate 7. That is, in the direction Y orthogonal to the elastic wave propagation direction X, the series arm resonator S3 is sandwiched between the series arm resonator S2 and the series arm resonator S4.
  • the resonance frequency of the series arm resonator S3 is located outside the pass band of the elastic wave filter 32. More specifically, it is located on the high frequency side of the pass band.
  • the calorific value of the series arm resonator S3 is smaller than the calorific value of the series arm resonators S2 and S4. Therefore, on the piezoelectric substrate 7, the amount of heat generated can be reduced and the power resistance can be improved in the portion where the series arm resonators S2 to S4 are arranged.
  • the present invention is not limited to the structure in which one elastic wave resonator is divided in series so as to have the first to third elastic wave resonators, but the first to third elastic waves connected in series with each other. It can be widely applied to structures having wave resonators.
  • the elastic wave filter 33 as a receiving filter has a structure in which a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 34 and an elastic wave resonator 35 are connected.
  • the circuit configuration of the elastic wave filter 33 is not particularly limited.
  • FIG. 11 is a circuit diagram of a composite filter device having an elastic wave filter according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the elastic wave filter 42 of the fourth embodiment is connected between the common terminal 4 and the transmission terminal 5.
  • the series arm resonators S1 to S5 are arranged in order from the transmission terminal 5 side in the series arm connecting the common terminal 4 and the transmission terminal 5.
  • the series arm resonator S1 is an elastic wave resonator S1b1 and S1b2 connected in parallel with the elastic wave resonator S1a, an elastic wave resonator S1c, and an elastic wave resonator connected in parallel with each other. It has S1d1 and S1d2.
  • the series arm resonator S2 includes an elastic wave resonator S2a corresponding to the first elastic wave resonator of the present invention, elastic wave resonators S2b1 and S2b2 corresponding to the second elastic wave resonator, and a third. It has an elastic wave resonator S2c of.
  • the elastic wave resonator S2b1 and the elastic wave resonator S2b2 are connected in parallel.
  • the series arm resonators S3 to S5 have a structure in which a plurality of elastic wave resonators are connected in series.
  • the parallel arm resonators P1 to P4 also have a structure in which a plurality of elastic wave resonators are connected in series.
  • the ground potential side ends of the parallel arm resonators P3 and P4 are commonly connected and connected to the ground potential via the inductor L3.
  • the electrode finger pitches of the second elastic wave resonators S2b1 and S2b2 are made smaller than the electrode finger pitches of the first and third elastic wave resonators S2a and S2c. There is.
  • the electrode finger pitches of the first elastic wave resonator S2a and the third elastic wave resonator S2c may or may not be equal.
  • the electrode finger pitches of the second elastic wave resonators S2b1 and S2b2 may or may not be equal. However, the electrode finger pitches of the second elastic wave resonators S2b1 and S2b2 need to be smaller than the electrode finger pitches of the first and third elastic wave resonators S2a and S2c as described above.
  • FIG. 13 is a schematic plan view for explaining the positional relationship between the elastic wave resonators S2a, S2b1, S2b2, and S2c in the elastic wave filter of the fourth embodiment.
  • the second elastic wave resonators S2b1 and S2b2 are the first elastic wave resonator S2a and the third elastic wave. It is physically sandwiched between the resonator S2c and the resonator S2c.
  • the resonance frequencies of the second elastic wave resonators S2b1 and S2b2 are located on the high frequency side of the pass band of the elastic wave filter 42. That is, it is located outside the pass band.
  • the elastic wave filter 42 is configured as described above, the amount of heat generated by the series arm resonator S2 can be reduced and the power resistance can be improved. That is, the second elastic wave resonators S2b1 and S2b2, which are less likely to generate heat, are sandwiched between the first and third elastic wave resonators S2a and S2c. Therefore, the amount of heat generated can be reduced and the power resistance can be improved.
  • the second elastic wave resonator may be divided so as to connect a plurality of elastic wave resonators in parallel.
  • the number of divisions may be 3 or more.
  • the first and third elastic wave resonators may also have a structure in which they are divided in parallel.
  • FIG. 12 is a circuit diagram of a composite filter device having an elastic wave filter according to a fifth embodiment of the present invention.
  • the composite filter device 41A shown in FIG. 12 has substantially the same configuration as the composite filter device 41 shown in FIG. The difference is that elastic wave resonators P1a, P1b, P1c1, P1c2 and P1d are used instead of the parallel arm resonator P1 shown in FIG.
  • the elastic wave resonators P1c1 and P1c2 are first and second divided resonators, and are connected in parallel to each other.
  • the elastic wave resonator P1a, the elastic wave resonator P1b, the elastic wave resonators P1c1 and P1c2 connected in parallel to each other, and the elastic wave resonator P1d are connected in series.
  • the elastic wave resonator P1b corresponds to the first elastic wave resonator of the present invention
  • the elastic wave resonators P1c1 and P1c2, which are the first and second divided resonators, are the second elastic wave resonators.
  • the elastic wave resonator P1d corresponds to the third elastic wave resonator.
  • the composite filter device 41A is the same as the composite filter device 41 shown in FIG. 11 in other respects.
  • the first to third parallel arm resonators of the present invention may be connected to each other to the parallel arms as in the composite filter device 41A.
  • the electrode finger pitches of the second elastic wave resonators P1c1 and P1c2 are larger than the electrode finger pitches of the first and third elastic wave resonators P1b and P1d.
  • the electrode finger pitches of the first elastic wave resonator P1b and the third elastic wave resonator P1d may or may not be equal.
  • the electrode finger pitches of the elastic wave resonator P1c1 and the elastic wave resonator P1c2 may be equal or different.
  • the first to third elastic wave resonators of the present invention may be used in the parallel arm resonator as described above.
  • FIG. 14 is a circuit diagram of the elastic wave filter according to the sixth embodiment.
  • the elastic wave filter 51 is a ladder type filter used as a transmission filter.
  • a plurality of series arm resonators S1 to S5 are arranged between the input end 5a and the output end 4a.
  • Parallel arm resonators P1 to P4 are provided in each of the plurality of parallel arms connecting the series arm and the ground potential.
  • the present invention may be applied to a single elastic wave filter 51 instead of a composite filter device such as the elastic wave filter 51.
  • the series arm resonators S2 to S4 constitute the first to third elastic wave resonators of the present invention, as in the fourth embodiment, thereby enhancing the power resistance.
  • the elastic wave resonators 52 to 54 constituting the series arm resonator S1 are configured as the first to third elastic wave resonators instead of the series arm resonators S2 to S4. Thereby, the power resistance may be increased.
  • the positions of the first to third elastic wave resonators connected in series with each other are not particularly limited.
  • FIG. 15 is a circuit diagram of an elastic wave filter according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the series arm resonators S1 to S3 and the vertically coupled resonator type elastic wave filter 64 are connected in series in the series arm connecting the input end 62 and the output end 63.
  • the parallel arm resonator P1 is connected to the parallel arm connecting the series arm and the ground potential.
  • the series arm resonators S1 to S3 are configured as the first to third elastic wave resonators of the present invention. , Power resistance can be improved.
  • the first to third elastic wave resonators in the present invention are not limited to the ladder type filter.
  • FIG. 16 is a circuit diagram of the composite filter device 71 as the eighth embodiment of the present invention.
  • the composite filter device 71 has a common terminal 4 connected to an antenna.
  • One end of three or more band-passing filters 72 to 74 ... Is connected to the common terminal 4.
  • the composite filter device according to the present invention is applied not only to a duplexer having a transmission filter and a reception filter, but also to various composite filter devices such as a multiplexer in which one ends of three or more band-passing filters are commonly connected to each other. be able to.
  • Elastic wave resonators S2a to S2e Elastic wave resonators S2b1 , S2b2 ... Elastic wave resonators S3a to S3d ... Elastic wave resonators S4a to S4c ... Elastic wave resonators S5a to S5d ... Elastic wave resonators S11 to S15 ... Series arm resonators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

耐電力性を高めることができる、弾性波フィルタを提供する。　入力端と、出力端とを有し、前記入力端と前記出力端とを結ぶ直列腕に、第１，第２，第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｂ，Ｓ４ｃの順に直列に接続されたｎ個（ｎ＝３）の弾性波共振子を備え、第１、第２及び第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｂ，Ｓ４ｃが複数本の電極指を有し、第１～第３の弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃが、第ｍの弾性波共振子（ｍは１＜ｍ＜ｎの自然数であり、ｍ＝２）を含み、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂの電極指ピッチが、第１、第２及び第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｂ，Ｓ４ｃの電極指ピッチのうち最小である、弾性波フィルタ２。

Description

弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置
　本発明は、直列に接続された第１、第２及び第３の弾性波共振子を有する弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置に関する。
　従来、複数の弾性波共振子を有する弾性波フィルタが種々提案されている。下記の特許文献１に記載の弾性波フィルタでは、電極指ピッチが等しく、かつ互いに直列に接続された複数の共振子が設けられている。引用文献１では、直列腕共振子を互いに直列に接続された複数の共振子に分割することにより、耐電力性が高められている。
特開平９－２０５３４３号公報
　弾性波共振子において、耐電力性が悪くなるのは、電力印加時に、共振周波数－***振周波数の周波数域において変位が大きいことによる。特に、***振周波数における電圧が高くなるため、局所発熱により、マイグレーションが生じ、耐電力性が低下する。
　特許文献１では、直列分割により、耐電力性の向上が図られているが、なお耐電力性は十分ではなかった。特に、近年、高周波化に伴って、電極指間の距離が短くなっているため、より一層の耐電力性の向上が求められている。
　本発明の目的は、耐電力性を高めることができる弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波フィルタのある広い局面では、入力端と、出力端とを有し、前記入力端と前記出力端とを結ぶ直列腕に、第１、第２、…第ｎの順に直列に接続されたｎ個（ｎは自然数）の弾性波共振子が備えられており、前記ｎ個の弾性波共振子がそれぞれ、複数本の電極指を有し、前記ｎ個の弾性波共振子が、第ｍの弾性波共振子（ｍは１＜ｍ＜ｎの自然数）を含み、前記第ｍの弾性波共振子が前記第１及び第ｎの弾性波共振子の間に挟まれており、前記第ｍの弾性波共振子の前記電極指ピッチが、前記ｎ個の弾性波共振子の電極指ピッチのうち最小である。
　本発明に係る弾性波フィルタの他の広い局面では、入力端と、出力端とを有し、前記入力端と前記出力端とを結ぶ直列腕と、前記直列腕とグラウンド電位とを結ぶ並列腕とが備えられており、前記並列腕に、第１、第２、…第ｎの順に直列に接続されたｎ個（ｎは自然数）の弾性波共振子が備えられており、前記ｎ個の弾性波共振子がそれぞれ、複数本の電極指を有し、前記ｎ個の弾性波共振子が、第ｍの弾性波共振子（ｍは１＜ｍ＜ｎの自然数）を含み、前記第ｍの弾性波共振子が前記第１及び第ｎの弾性波共振子の間に挟まれており、前記第ｍの弾性波共振子の前記電極指ピッチが、前記ｎ個の弾性波共振子の電極指ピッチのうち最大である。
　本発明に係る複合フィルタ装置は、本発明に従って構成された弾性波フィルタと、前記弾性波フィルタと通過帯域が異なる少なくとも１つの帯域通過型フィルタとを備え、前記弾性波フィルタと、前記少なくとも１つの帯域通過型フィルタの一端同士が共通接続されている。
　本発明に係る弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置では、耐電力性を高めることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の回路図である。 図２は、第１の実施形態に係る弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の変形例を示す回路図である。 図３は、第１の実施形態に係る弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の略図的平面図である。 図４は、弾性波共振子の電極構造を説明するための平面図である。 図５は、第１の実施形態の弾性波フィルタにおける第１～第３の弾性波共振子の位置関係を説明するための略図的平面図である。 図６は、実施例１及び比較例１の弾性波フィルタにおける周波数と、単位面積あたりの消費電力との関係を示す図である。 図７は、本発明の第２の実施形態の弾性波フィルタにおける第１～第３の弾性波共振子の位置関係を説明するための略図的平面図である。 図８は、実施例２及び比較例２の弾性波フィルタにおける周波数と、単位面積あたりの消費電力との関係を示す図である。 図９は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の回路図である。 図１０は、第３の実施形態の弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の略図的平面図である。 図１１は、本発明の第４の実施形態に係る複合フィルタ装置の回路図である。 図１２は、本発明の第５の実施形態の弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の回路図である。 図１３は、第４の実施形態の弾性波フィルタにおける第１～第３の弾性波共振子の位置関係を説明するための略図的平面図である。 図１４は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波フィルタの回路図である。 図１５は、本発明の第７の実施形態に係る弾性波フィルタの回路図である。 図１６は、本発明の第８の実施形態に係る複合フィルタ装置の回路図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の回路図であり、図３は、この複合フィルタ装置の略図的平面図である。
　複合フィルタ装置１は、アンテナに接続される共通端子４を有する。共通端子４とグラウンド電位との間に、インピーダンス調整用のインダクタＬ１が接続されている。
　共通端子４と送信端子５との間に、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタ２が接続されている。弾性波フィルタ２は、送信フィルタである。従って、送信端子５が入力端であり、共通端子４が出力端となる。
　共通端子４と受信端子６との間に受信フィルタとしての弾性波フィルタ３が接続されている。
　弾性波フィルタ２では、送信端子５と共通端子４とを結ぶ直列腕において、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５が設けられている。また、直列腕とグラウンド電位とを結ぶ複数の並列腕において、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４がそれぞれ設けられている。
　並列腕共振子Ｐ１は、直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位との間に接続されている。並列腕共振子Ｐ２は、直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ３との間の接続点とグラウンド電位との間に接続されている。並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２のグラウンド電位側端部は共通接続されており、かつグラウンド電位に接続されている。並列腕共振子Ｐ３は、直列腕共振子Ｓ３と直列腕共振子Ｓ４との間の接続点とグラウンド電位との間に接続されている。並列腕共振子Ｐ４は、直列腕共振子Ｓ４と直列腕共振子Ｓ５との間の接続点とグラウンド電位との間に接続されている。並列腕共振子Ｐ３と並列腕共振子Ｐ４のグラウンド電位側端部は共通接続され、かつインダクタＬ３を介してグラウンド電位に接続されている。
　送信端子５とグラウンド電位との間に、インダクタＬ２が接続されている。
　弾性波フィルタ２では、耐電力性を高めるために、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４は、いずれも弾性波共振子を互いに直列に接続された複数の弾性波共振子に分割した構造を有する。すなわち、上記各共振子は、それぞれ、複数の分割共振子を含む。より具体的には、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５は、それぞれ、直列腕共振子Ｓ１は弾性波共振子Ｓ１ａ～Ｓ１ｄ、直列腕共振子Ｓ２は弾性波共振子Ｓ２ａ～Ｓ２ｅ、直列腕共振子Ｓ３は弾性波共振子Ｓ３ａ～Ｓ３ｄ、直列腕共振子Ｓ４は弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃ、直列腕共振子Ｓ５は弾性波共振子Ｓ５ａ～Ｓ５ｄを有する。
　並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３は、それぞれ、３個の弾性波共振子を直列に接続した構造を有し、並列腕共振子Ｐ４は２個の弾性波共振子を直列に接続した構造を有する。
　図３に示すように、複合フィルタ装置１では、圧電基板７上に、上記弾性波フィルタ２，３が配置されている。より具体的には、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４を構成するＩＤＴ電極や反射器が圧電基板７上に設けられている。弾性波フィルタ３側においても、同様に、各弾性波共振子を構成するＩＤＴ電極及び反射器が設けられている。なお、図３では、弾性波フィルタ３が設けられている位置のみを略図的に示している。
　図４は、弾性波共振子の電極構造を示す平面図である。弾性波共振子ではＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向両側に反射器１２，１３が配置されている。ここで、ＩＤＴ電極１１は互いに間挿し合う複数本の第１の電極指１１ａと、複数本の第２の電極指１２ａとを有する。電極指ピッチＰとは、隣り合う第１の電極指１１ａと第２の電極指１２ａとの間の電極指中心間距離である。本明細書において、弾性波共振子間の比較に係る電極指ピッチは、それぞれの弾性波共振子における平均電極指ピッチであるものとする。図４において、Ｘは弾性波伝搬方向であり、第１，第２の電極指１１ａ，１２ａが延びる方向と直交する方向である。Ｙは弾性波伝搬方向と直交する方向である。
　図５に示すように、第１～第３の弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃはＹ方向、すなわち弾性波伝搬方向Ｘと直交する方向に並べられている。このＹ方向において、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂが、第１，第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｃ間に挟まれている。
　弾性波フィルタ２の特徴の１つは、直列腕共振子Ｓ４において弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃの電極指ピッチが異なることにある。より具体的には、弾性波共振子Ｓ４ａは本発明における第１の弾性波共振子に相当し、弾性波共振子Ｓ４ｂは第２の弾性波共振子に相当し、弾性波共振子Ｓ４ｃは第３の弾性波共振子に相当する。以下、弾性波共振子Ｓ４ａを第１の弾性波共振子Ｓ４ａ、弾性波共振子Ｓ４ｂを第２の弾性波共振子Ｓ４ｂ、弾性波共振子Ｓ４ｃを第３の弾性波共振子Ｓ４ｃとして記述する。そして、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂの平均電極指ピッチが、第１～第３の弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃの平均電極指ピッチのうち最小であり、かつ第２の弾性波共振子Ｓ４ｂが、第１の弾性波共振子Ｓ４ａと第３の弾性波共振子Ｓ４ｃとの間に物理的に挟まれて配置されている。
　なお、上記弾性波共振子は３個には限定されない。本発明における特徴的な直列腕共振子は、ｎ個（ｎは自然数）の弾性波共振子を含んでいればよい。ｎ個の弾性波共振子が、第１、第２、…第ｎの順に直列に接続されていればよい。さらに、ｎ個の弾性波共振子が、第ｍの弾性波共振子（ｍは１＜ｍ＜ｎの自然数）を含み、第ｍの弾性波共振子の上記電極指ピッチが、ｎ個の弾性波共振子の電極指ピッチのうち最小であればよい。本実施形態の場合、ｎ＝３であり、ｍ＝２である。
　なお、好ましくは、ｎ個の弾性波共振子は、直列腕において、入力端側に配置される。
　図３に示すように、圧電基板７上において直列腕共振子Ｓ４が構成されているが、この直列腕共振子Ｓ４は、図５に示すように、第１の弾性波共振子Ｓ４ａ～第３の弾性波共振子Ｓ４ｃを有する。そして、圧電基板７上において、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂが、第１の弾性波共振子Ｓ４ａと第３の弾性波共振子Ｓ４ｃとの間に物理的に挟まれている。
　なお、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂの共振周波数は通過帯域外に位置している。より具体的には、通過帯域よりも高域側に位置している。第１～第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｂ，Ｓ４ｃにおいて、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂの容量＝電極指の対数×交差幅＜第１，第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｃの容量とされている。この場合には、第１～第３の弾性波共振子の共振周波数が等しく、容量も等しい場合に比べ、発熱が大きい第１，第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｃの面積が大きくなる。よって、発熱密度が低くなり、耐電力性を高めることができる。さらに、通過帯域における減衰量を悪化させることなく、通過帯域よりも高域側における減衰量を改善することができる。
　本実施形態では、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂにおける電極指ピッチＰは、第１～第３の弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃにおける電極指ピッチのうち最小とされている。
　そのため、弾性波フィルタ２では、耐電力性を効果的に高めることができる。この理由は、以下の通りである。直列腕共振子Ｓ４では、第１～第３の弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃが直列に接続されている。そして、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂの電極指ピッチが最も小さいため、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂにおける消費電力すなわち発熱量は、第１～第３の弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃにおいて最も少ない。そのため、発熱し難い第２の弾性波共振子Ｓ４ｂが、第１，第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｃ間に物理的に挟まれていることにより、直列腕共振子Ｓ４における単位面積あたりの消費電力を小さくすることができ、耐電力性を高めることができる。
　なお、第１，第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｃと、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂとの間には、第１～第３の弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃ以外の回路素子は接続されていない。さらに、第１，第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｃと、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂとを接続する配線は、グラウンド電位に接続されていない。そのため、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂからの放熱性が不十分となりがちである。このような場合に、本発明が特に好適である。ここで、弾性波共振子間を接続する複数の配線を、まとめて接続ノードと記載する。ｎ個の弾性波共振子間を接続する接続ノードに、該ｎ個の弾性波共振子以外の回路素子が接続されておらず、かつ該接続ノードがグラウンド電位に接続されていない場合にも、上記と同様に、本発明が特に好適である。
　弾性波フィルタ３は、直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１５及び並列腕共振子Ｐ１１～Ｐ１４を有するラダー型フィルタである。弾性波フィルタ３においても、特に限定されないが、直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１５及び並列腕共振子Ｐ１１～Ｐ１４は、弾性波共振子からなる。また、受信フィルタとしての弾性波フィルタ３では、並列腕共振子Ｐ１４とグラウンド電位との間にインダクタＬ４が接続されている。また、受信端子６とグラウンド電位との間にインダクタＬ５が接続されている。
　弾性波フィルタ３の回路構成は特に限定されず、ラダー型フィルタ以外の他の帯域通過型フィルタであってもよい。また、弾性波フィルタ３は、弾性波フィルタ以外の帯域通過型フィルタであってもよい。
　次に、上記第１の実施形態に係る弾性波フィルタ２についての実施例１と、比較例１の弾性波フィルタの周波数と単位面積あたりの消費電力との関係を図６に示す。
　なお、実施例１では、第１，第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｃのＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長は１．５３７４μｍとし、反射器における電極指ピッチで定まる波長も同じ値とした。第２の弾性波共振子Ｓ４ｂにおける電極指ピッチで定まる波長は、１．５２９７μｍとし、反射器における電極指ピッチで定まる波長も同じ値とした。
　比較例１では、第２の弾性波共振子Ｓ４ｂにおける電極指ピッチで定まる波長は、第１，第３の弾性波共振子Ｓ４ａ，Ｓ４ｃにおける電極指ピッチで定まる波長と同一、すなわち１．５３７４μｍとした。その他の構成は、比較例１は実施例１と同様とした。
　図６の実線が実施例１の結果を示し、破線が比較例１の結果を示す。図６の一点鎖線は弾性波フィルタ２における通過帯域の端部を示す。なお、通過帯域は、２５００ＭＨｚ以上、２５８０ＭＨｚ以下である。図６から明らかなように、比較例１に比べ、実施例１によれば、通過帯域内における高域側並びに通過帯域よりも高域側において、消費電力が比較例１に比べて、著しく小さくなっていることがわかる。すなわち、２５５０ＭＨｚから２６２０ＭＨｚ付近において、実施例１では消費電力を大幅に低減することができ、耐電力性を高め得ることがわかる。特に、大きな電力が加わる***振周波数である２５７５ＭＨｚ付近において、消費電力を著しく小さくし得ることがわかる。
　よって、弾性波フィルタ２では、従来の弾性波フィルタに比べ、耐電力性を効果的に高めることができる。
　図２は、第１の実施形態の複合フィルタ装置１における弾性波フィルタ２の変形例を示す回路図である。本変形例では、並列腕共振子Ｐ１が、互いに直列に接続された弾性波共振子Ｐ１Ａ、弾性波共振子Ｐ１Ｂ、弾性波共振子Ｐ１Ｃ及び弾性波共振子Ｐ１Ｄを有する。ここで、弾性波共振子Ｐ１Ｂが本発明の第１の弾性波共振子であり、弾性波共振子Ｐ１Ｃが本発明の第２の弾性波共振子であり、弾性波共振子Ｐ１Ｄが本発明の第３の弾性波共振子である。従って、ｎ＝４の弾性波共振子が並列腕において直列に接続されており、３個（ｍ＝３）の弾性波共振子Ｐ１Ｂ～Ｐ１Ｄが直列に接続されている。この場合においても、ｍの弾性波共振子である第３の弾性波共振子Ｐ１Ｄの電極指ピッチが、４個の弾性波共振子Ｐ１Ａ，Ｐ１Ｂ，Ｐ１Ｃ及びＰ１Ｄのうち、最大であればよい。この場合には、好ましくは、第４の弾性波共振子Ｐ１Ｄの***振周波数が、弾性波フィルタの通過帯域よりも低域側に位置している。
　図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波フィルタにおける第１～第３の弾性波共振子の位置関係を説明するための略図的平面図である。
　図７に示すように、第２の実施形態では第３の並列腕共振子Ｐ３が、互いに直列に接続された第１～第３の弾性波共振子Ｐ３ａ～Ｐ３ｃを有する。並列腕共振子Ｐ３では、第１～第３の弾性波共振子Ｐ３ａ～Ｐ３ｃが直列に接続されている構成により耐電力性を高めることができるが、さらに、第２の弾性波共振子Ｐ３ｂの電極指ピッチが第１～第３の弾性波共振子Ｐ３ａ～Ｐ３ｃの電極指ピッチのうち最大であり、かつ第２の弾性波共振子Ｐ３ｂが、第１，第３の弾性波共振子Ｐ３ａ，Ｐ３ｃ間に挟まれていることにより、耐電力性をより効果的に高めることができる。
　なお、第２の弾性波共振子Ｐ３ｂは、弾性波伝搬方向Ｘと直交するＹ方向において、第１の弾性波共振子Ｐ３ａと、第３の弾性波共振子Ｐ３ｃとの間に挟まれている。
　第２の実施形態の弾性波フィルタでは、第３の並列腕共振子Ｐ３が上記のように構成されており、その他の構成は、前述した比較例１と同様である。すなわち、直列腕共振子Ｓ４は、前述した比較例１と同様とされている。
　第２の実施形態においても、耐電力性を効果的に高めることができることを、図８を参照して説明する。
　図８は、第２の実施形態の弾性波フィルタの実施例２と比較例２の弾性波フィルタの周波数と、単位面積あたりの消費電力との関係を示す図である。図８においても、一点鎖線は通過帯域の下限と上限とを示す。
　なお、実施例２では、第１，第３の弾性波共振子Ｐ３ａ，Ｐ３ｃの電極指ピッチで定まる波長は、１．５８５８μｍとした。すなわち、電極指ピッチは１．５８５８／２＝０．７９２９μｍである。反射器についても同じピッチとした。
　他方、第２の弾性波共振子Ｐ３ｂの電極指ピッチで定まる波長は１．５８６６μｍ、すなわち電極指ピッチは０．７９３３μｍとし、反射器における電極指ピッチも同様とした。
　比較例２では、第１～第３の弾性波共振子Ｐ３ａ～Ｐ３ｃの電極指ピッチを全て同一とし、すなわち電極指ピッチで定まる波長を１．５８５８μｍとした。その他の構成は、比較例２は実施例２と同様とした。
　図８の実線が実施例２の結果を、破線が比較例２の結果を示す。
　図８から明らかなように、並列腕共振子Ｐ３では、通過帯域において最も電力が大きく印加される共振周波数において、比較例２に比べ消費電力を十分に小さくし得ることがわかる。従って、第２の実施形態の弾性波フィルタにおいても、耐電力性を効果的に高め得ることがわかる。
　なお、第１～第３の弾性波共振子Ｓ４ａ～Ｓ４ｃの共振周波数及び***振周波数は下記の表１に示す通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　並列腕共振子Ｐ３における第１～第３の弾性波共振子Ｐ３ａ～Ｐ３ｃにおける共振周波数及び***振周波数は下記の表２に示す通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　なお、上記弾性波共振子は３個には限定されない。第２の実施形態においても、直列腕共振子は、ｎ個（ｎは自然数）の弾性波共振子を含んでいればよい。並列腕において、ｎ個の弾性波共振子が、第１、第２、…第ｎの順に直列に接続されていればよい。さらに、ｎ個の弾性波共振子が、第ｍの弾性波共振子（ｍは１＜ｍ＜ｎの自然数）を含み、第ｍの弾性波共振子の前記電極指ピッチが、ｎ個の弾性波共振子の電極指ピッチのうち最大であればよい。本実施形態の場合、ｎ＝３であり、ｍ＝２である。
　図９は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の回路図であり、図１０はその略図的平面図である。なお、図１０においては、各共振子の配置を示しており、配線は省略している。
　図９に示すように、複合フィルタ装置３１は、複合フィルタ装置１と同様に、アンテナに接続される共通端子４と、送信端子５と、受信端子６とを有する。共通端子４と送信端子５との間に送信フィルタとしての弾性波フィルタ３２が接続されている。弾性波フィルタ３２が、本発明の第３の実施形態に係る弾性波フィルタである。共通端子４と受信端子６との間に受信フィルタとしての弾性波フィルタ３３が接続されている。
　弾性波フィルタ３２では、送信端子５と共通端子４とを結ぶ直列腕に、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５が設けられている。また、直列腕とグラウンド電位との間に並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４が接続されている。第１の実施形態の弾性波フィルタ２と異なるところは、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５が、それぞれ、単一の弾性波共振子からなり、複数の弾性波共振子に分割されていないことにある。同様に、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４についても、弾性波フィルタ３２では、単一の弾性波共振子からなる。
　ラダー型フィルタである弾性波フィルタ３２において、直列腕共振子Ｓ２～Ｓ４が、本発明における第１～第３の弾性波共振子に相当する。
　すなわち、第２の弾性波共振子である直列腕共振子Ｓ３における電極指ピッチは、第１，第３の弾性波共振子である直列腕共振子Ｓ２，Ｓ４の電極指ピッチよりも小さくされている。そして、直列腕共振子Ｓ３は、図１０に示すように、圧電基板７上でＹ方向において、直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ４との間に物理的に挟まれている。すなわち、弾性波伝搬方向Ｘと直交する方向Ｙにおいて、直列腕共振子Ｓ３が、直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ４との間に挟まれている。なお、直列腕共振子Ｓ３の共振周波数は、弾性波フィルタ３２の通過帯域外に位置している。より具体的には、通過帯域よりも高域側に位置している。
　弾性波フィルタ３２では、直列腕共振子Ｓ２～Ｓ４が上記のように構成されているため、直列腕共振子Ｓ３の発熱量は直列腕共振子Ｓ２，Ｓ４の発熱量よりも小さい。従って、圧電基板７上において、直列腕共振子Ｓ２～Ｓ４が配置されている部分において、発熱量を小さくすることができ、耐電力性を高めることができる。
　このように、本発明は、１つの弾性波共振子を第１～第３の弾性波共振子を有するように直列分割した構造に限らず、互いに直列に接続された第１～第３の弾性波共振子を有する構造に広く適用することができる。
　なお、複合フィルタ装置３１では、受信フィルタとしての弾性波フィルタ３３は、縦結合共振子型弾性波フィルタ３４と、弾性波共振子３５とを接続した構造を有する。弾性波フィルタ３３の回路構成は特に限定されない。
　図１１は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の回路図である。複合フィルタ装置４１では、共通端子４と送信端子５との間に第４の実施形態の弾性波フィルタ４２が接続されている。弾性波フィルタ４２では、共通端子４と送信端子５とを結ぶ直列腕において、送信端子５側から順に、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５が配置されている。ここでは、直列腕共振子Ｓ１は、弾性波共振子Ｓ１ａと互いに並列に接続されている弾性波共振子Ｓ１ｂ１，Ｓ１ｂ２と、弾性波共振子Ｓ１ｃと、互いに並列に接続されている弾性波共振子Ｓ１ｄ１，Ｓ１ｄ２とを有する。
　また、直列腕共振子Ｓ２は、本発明の第１の弾性波共振子に相当する弾性波共振子Ｓ２ａと、第２の弾性波共振子に相当する弾性波共振子Ｓ２ｂ１，Ｓ２ｂ２と、第３の弾性波共振子Ｓ２ｃとを有する。弾性波共振子Ｓ２ｂ１と弾性波共振子Ｓ２ｂ２とは並列に接続されている。
　直列腕共振子Ｓ３～Ｓ５は、複数の弾性波共振子を直列に接続した構造を有する。並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４についても、複数の弾性波共振子を直列に接続した構造を有する。並列腕共振子Ｐ３，Ｐ４のグラウンド電位側端部が共通接続され、インダクタＬ３を介してグラウンド電位に接続されている。
　複合フィルタ装置４１では、直列腕共振子Ｓ２において、第２の弾性波共振子Ｓ２ｂ１，Ｓ２ｂ２の電極指ピッチが、第１，第３の弾性波共振子Ｓ２ａ，Ｓ２ｃの電極指ピッチより小さくされている。第１の弾性波共振子Ｓ２ａと、第３の弾性波共振子Ｓ２ｃの電極指ピッチは等しくてもよく、等しくなくてもよい。
　また、第２の弾性波共振子Ｓ２ｂ１及びＳ２ｂ２の電極指ピッチは等しくともよく、等しくなくてもよい。もっとも、第２の弾性波共振子Ｓ２ｂ１，Ｓ２ｂ２の電極指ピッチは、上記のように、第１，第３の弾性波共振子Ｓ２ａ，Ｓ２ｃの電極指ピッチよりも小さいことが必要である。
　図１３は、第４の実施形態の弾性波フィルタにおける弾性波共振子Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ１，Ｓ２ｂ２，Ｓ２ｃの位置関係を説明するための略図的平面図である。圧電基板７上において、弾性波伝搬方向Ｘと直交するＹ方向において、第２の弾性波共振子である弾性波共振子Ｓ２ｂ１，Ｓ２ｂ２が、第１の弾性波共振子Ｓ２ａと第３の弾性波共振子Ｓ２ｃとの間に物理的に挟まれている。そして、第２の弾性波共振子Ｓ２ｂ１，Ｓ２ｂ２の共振周波数は、弾性波フィルタ４２の通過帯域の高域側に位置している。すなわち、通過帯域外に位置している。
　弾性波フィルタ４２では上記のように構成されているため、直列腕共振子Ｓ２において、発熱量を小さくすることができ、耐電力性を高めることができる。すなわち、発熱し難い第２の弾性波共振子Ｓ２ｂ１，Ｓ２ｂ２が、第１，第３の弾性波共振子Ｓ２ａ，Ｓ２ｃ間に挟まれている。よって、発熱量を小さくし、耐電力性を高めることができる。
　第２の弾性波共振子Ｓ２ｂ１，Ｓ２ｂ２のように、第２の弾性波共振子は、複数の弾性波共振子を並列接続するように分割されている構成であってもよい。この場合、分割数は３以上であってもよい。
　また、第１～第４の実施形態において、第１，第３の弾性波共振子についても、並列分割されている構造を有していてもよい。
　図１２は、本発明の第５の実施形態の弾性波フィルタを有する複合フィルタ装置の回路図である。図１２に示す複合フィルタ装置４１Ａは、図１１に示した複合フィルタ装置４１とほぼ同様に構成されている。異なるところは、図１１に示した並列腕共振子Ｐ１に代えて、弾性波共振子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｃ１，Ｐ１ｃ２及びＰ１ｄが用いられていることにある。弾性波共振子Ｐ１ｃ１，Ｐ１ｃ２は、第１，第２の分割共振子であり、互いに並列に接続されている。この構造では、弾性波共振子Ｐ１ａと、弾性波共振子Ｐ１ｂと、互いに並列に接続された弾性波共振子Ｐ１ｃ１，Ｐ１ｃ２と、弾性波共振子Ｐ１ｄとが直列に接続されている。ここでは、弾性波共振子Ｐ１ｂが、本発明の第１の弾性波共振子に相当し、第１，第２の分割共振子である弾性波共振子Ｐ１ｃ１，Ｐ１ｃ２が第２の弾性波共振子に相当し、弾性波共振子Ｐ１ｄが第３の弾性波共振子に相当する。
　複合フィルタ装置４１Ａは、その他の点は図１１に示した複合フィルタ装置４１と同様である。
　複合フィルタ装置４１Ａのように、弾性波フィルタ４２Ａにおいて、並列腕に本発明の第１～第３の並列腕共振子が互いに接続されていてもよい。第２の弾性波共振子Ｐ１ｃ１，Ｐ１ｃ２の電極指ピッチは、第１，第３の弾性波共振子Ｐ１ｂ，Ｐ１ｄの電極指ピッチよりも大きくされている。なお、第１の弾性波共振子Ｐ１ｂと、第３の弾性波共振子Ｐ１ｄとの電極指ピッチは等しくてもよく、等しくなくともよい。また、弾性波共振子Ｐ１ｃ１と、弾性波共振子Ｐ１ｃ２の電極指ピッチは等しくともよく、異なっていてもよい。本発明では、並列腕共振子において、上記のように本発明の第１～第３の弾性波共振子を用いてもよい。
　図１４は、第６の実施形態に係る弾性波フィルタの回路図である。弾性波フィルタ５１は、送信フィルタとして用いられるラダー型フィルタである。ここでは、入力端５ａと出力端４ａとの間に、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５が配置されている。直列腕とグラウンド電位とを結ぶ複数の並列腕において、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４がそれぞれ設けられている。弾性波フィルタ５１のように、複合フィルタ装置ではなく、単体の弾性波フィルタ５１に、本発明が適用されてもよい。ここでは、直列腕共振子Ｓ２～Ｓ４が、第４の実施形態と同様に、本発明の第１～第３の弾性波共振子を構成しており、それによって耐電力性が高められる。
　なお、弾性波フィルタ５１において、直列腕共振子Ｓ２～Ｓ４ではなく、直列腕共振子Ｓ１を構成している弾性波共振子５２～５４を第１～第３の弾性波共振子として構成し、それによって、耐電力性を高めてもよい。
　すなわち、本発明においては、互いに直列に接続されている第１～第３の弾性波共振子の位置は特に限定されない。
　図１５は、本発明の第７の実施形態に係る弾性波フィルタの回路図である。弾性波フィルタ６１では、入力端６２と出力端６３とを結ぶ直列腕において、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３と縦結合共振子型弾性波フィルタ６４とが直列に接続されている。そして、直列腕とグラウンド電位とを結ぶ並列腕に並列腕共振子Ｐ１が接続されている。このように、縦結合共振子型弾性波フィルタ６４を有する弾性波フィルタ６１においても、例えば、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３を本発明の第１～第３の弾性波共振子として構成することにより、耐電力性を高めることができる。
　すなわち、本発明における第１～第３の弾性波共振子はラダー型フィルタに限定されない。
　図１６は、本発明の第８の実施形態としての複合フィルタ装置７１の回路図である。複合フィルタ装置７１は、アンテナに接続される共通端子４を有する。この共通端子４に、３以上の帯域通過型フィルタ７２～７４…の一端が接続されている。このような３以上の帯域通過型フィルタ７２～７４…の少なくとも１つにおいて、本発明の弾性波フィルタを用いることにより、耐電力性を高めることができる。
　すなわち、本発明に係る複合フィルタ装置は、送信フィルタ及び受信フィルタを有するデュプレクサだけでなく、３以上の帯域通過型フィルタの一端同士が共通接続されているマルチプレクサなどの様々な複合フィルタ装置に適用することができる。
１，１Ａ…複合フィルタ装置
２，３…弾性波フィルタ
４…共通端子
４ａ…出力端
５…送信端子
５ａ…入力端
６…受信端子
７…圧電基板
１１…ＩＤＴ電極
１１ａ，１２ａ…第１，第２の電極指
１２，１３…反射器
３１…複合フィルタ装置
３２，３３…弾性波フィルタ
３４…縦結合共振子型弾性波フィルタ
３５…弾性波共振子
４１，４１Ａ…複合フィルタ装置
４２，４２Ａ…弾性波フィルタ
５１…弾性波フィルタ
５２～５４…弾性波共振子
６１…弾性波フィルタ
６２…入力端
６３…出力端
６４…縦結合共振子型弾性波フィルタ
７１…複合フィルタ装置
７２～７４…帯域通過型フィルタ
Ｌ１～Ｌ５…インダクタ
Ｐ１～Ｐ４…並列腕共振子
Ｐ１Ａ～Ｐ１Ｄ…弾性波共振子
Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｃ１，Ｐ１ｃ２，Ｐ１ｄ…弾性波共振子
Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ３ｃ…第１，第２，第３の弾性波共振子
Ｐ１１～Ｐ１４…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ５…直列腕共振子
Ｓ１ａ～Ｓ１ｄ…弾性波共振子
Ｓ１ｂ１，Ｓ１ｂ２，Ｓ１ｄ１，Ｓ１ｄ２…弾性波共振子
Ｓ２ａ～Ｓ２ｅ…弾性波共振子
Ｓ２ｂ１，Ｓ２ｂ２…弾性波共振子
Ｓ３ａ～Ｓ３ｄ…弾性波共振子
Ｓ４ａ～Ｓ４ｃ…弾性波共振子
Ｓ５ａ～Ｓ５ｄ…弾性波共振子
Ｓ１１～Ｓ１５…直列腕共振子

Claims (8)

  1. 　入力端と、出力端とを有し、前記入力端と前記出力端とを結ぶ直列腕に、第１、第２、…第ｎの順に直列に接続されたｎ個（ｎは自然数）の弾性波共振子を備え、
    　前記ｎ個の弾性波共振子がそれぞれ、複数本の電極指を有し、
    　前記ｎ個の弾性波共振子が、第ｍの弾性波共振子（ｍは１＜ｍ＜ｎの自然数）を含み、
    　前記第ｍの弾性波共振子が前記第１及び第ｎの弾性波共振子の間に挟まれており、
    　前記第ｍの弾性波共振子の前記電極指ピッチが、前記ｎ個の弾性波共振子の電極指ピッチのうち最小である、弾性波フィルタ。
  2. 　入力端と、出力端とを有し、前記入力端と前記出力端とを結ぶ直列腕と、前記直列腕とグラウンド電位とを結ぶ並列腕とを備え、
    　前記並列腕に、第１、第２、…第ｎの順に直列に接続されたｎ個（ｎは自然数）の弾性波共振子を備え、
    　前記ｎ個の弾性波共振子がそれぞれ、複数本の電極指を有し、
    　前記ｎ個の弾性波共振子が、第ｍの弾性波共振子（ｍは１＜ｍ＜ｎの自然数）を含み、
    　前記第ｍの弾性波共振子が前記第１及び第ｎの弾性波共振子の間に挟まれており、
    　前記第ｍの弾性波共振子の前記電極指ピッチが、前記ｎ個の弾性波共振子の電極指ピッチのうち最大である、弾性波フィルタ。
  3. 　前記ｎ個の弾性波共振子が、前記直列腕において、前記入力端側に配置されている、請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  4. 　前記第ｍの弾性波共振子の共振周波数が、前記弾性波フィルタの通過帯域外に位置している、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  5. 　前記ｎ個の弾性波共振子間を接続する接続ノードには、該ｎ個の弾性波共振子以外の回路素子が接続されておらず、かつ前記ｎ個の弾性波共振子間を接続する接続ノードが、グラウンド電位に接続されていない、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  6. 　前記第ｍの弾性波共振子が、並列に接続された第１の分割共振子及び第２の分割共振子を有し、前記第１の分割共振子及び前記第２の分割共振子の電極指ピッチの双方が前記第１の弾性波共振子及び前記第ｎの弾性波共振子の電極指ピッチより小さい、請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  7. 　前記第ｍの弾性波共振子が、並列に接続された第１の分割共振子及び第２の分割共振子を有し、前記第１の分割共振子及び前記第２の分割共振子の電極指ピッチの双方が前記第１の弾性波共振子及び前記第ｎの弾性波共振子の電極指ピッチより大きい、請求項２に記載の弾性波フィルタ。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、前記弾性波フィルタと通過帯域が異なる少なくとも１つの帯域通過型フィルタとを備え、前記弾性波フィルタと、前記少なくとも１つの帯域通過型フィルタの一端同士が共通接続されている、複合フィルタ装置。
PCT/JP2021/041750 2020-11-18 2021-11-12 弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置 WO2022107699A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202180077203.9A CN116530012A (zh) 2020-11-18 2021-11-12 弹性波滤波器和复合滤波器装置
US18/196,520 US20230283262A1 (en) 2020-11-18 2023-05-12 Acoustic wave filter and composite filter device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-191895 2020-11-18
JP2020191895 2020-11-18

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/196,520 Continuation US20230283262A1 (en) 2020-11-18 2023-05-12 Acoustic wave filter and composite filter device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022107699A1 true WO2022107699A1 (ja) 2022-05-27

Family

ID=81708072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/041750 WO2022107699A1 (ja) 2020-11-18 2021-11-12 弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230283262A1 (ja)
CN (1) CN116530012A (ja)
WO (1) WO2022107699A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7370546B1 (ja) 2022-06-23 2023-10-30 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイス
JP7370547B1 (ja) 2022-10-20 2023-10-30 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール
JP7378105B1 (ja) 2022-10-20 2023-11-13 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003096533A1 (fr) * 2002-05-14 2003-11-20 Tdk Corporation Element elastique a ondes de surface, dispositif elastique a ondes de surface et filtre ramifie
JP2010109417A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Murata Mfg Co Ltd ラダー型フィルタ及びそれを備えるデュプレクサ
JP2018038040A (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 位相補償つきフィルタデバイスとこれを含む電子デバイス
JP2020078048A (ja) * 2018-11-08 2020-05-21 株式会社村田製作所 マルチプレクサ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003096533A1 (fr) * 2002-05-14 2003-11-20 Tdk Corporation Element elastique a ondes de surface, dispositif elastique a ondes de surface et filtre ramifie
JP2010109417A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Murata Mfg Co Ltd ラダー型フィルタ及びそれを備えるデュプレクサ
JP2018038040A (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 位相補償つきフィルタデバイスとこれを含む電子デバイス
JP2020078048A (ja) * 2018-11-08 2020-05-21 株式会社村田製作所 マルチプレクサ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7370546B1 (ja) 2022-06-23 2023-10-30 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイス
JP7370547B1 (ja) 2022-10-20 2023-10-30 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール
JP7378105B1 (ja) 2022-10-20 2023-11-13 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN116530012A (zh) 2023-08-01
US20230283262A1 (en) 2023-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022107699A1 (ja) 弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置
US10469055B2 (en) Filter device including longitudinally coupled resonator elastic wave filter and elastic wave resonator
CN102334291B (zh) 梯型弹性波滤波器
JP5765502B1 (ja) デュプレクサ
WO2016088680A1 (ja) ラダー型フィルタ、弾性波フィルタモジュール及びデュプレクサ
JP6337867B2 (ja) 帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ
WO2016111315A1 (ja) 弾性波装置
CN110114973B (zh) 弹性波装置
KR101686006B1 (ko) 래더형 필터 및 듀플렉서
US7868716B2 (en) Acoustic wave filter apparatus
JP6465047B2 (ja) 弾性波共振子、帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ
US20220006441A1 (en) Electro acoustic resonator and rf filter
CN108696266B (zh) 声波谐振器、滤波器和复用器
CN107306122B (zh) 弹性波滤波器装置
US20170373666A1 (en) Surface acoustic wave filter, duplexer, and multiplexer
CN115514337A (zh) 声表面波谐振器、弹性波滤波器以及多工器
JP6593554B2 (ja) 弾性表面波共振子、弾性表面波フィルタおよびデュプレクサ
CN109075772B (zh) 复合滤波器装置、高频前端电路以及通信装置
CN110771040B (zh) 弹性波滤波器装置、复合滤波器装置以及多工器
WO2018030170A1 (ja) 弾性波装置及びラダー型フィルタ
US7880561B2 (en) Surface acoustic wave filter device and duplexer
WO2018159111A1 (ja) 弾性波装置及びその製造方法
WO2022070885A1 (ja) 縦結合共振子型弾性波フィルタ及び弾性波フィルタ
WO2023042835A1 (ja) 弾性波フィルタ
WO2023002948A1 (ja) 受信フィルタ及び複合フィルタ装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21894573

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202180077203.9

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21894573

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP