JP7370546B1 - 弾性波デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】耐電力がより向上した弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、圧電基板と、複数の直列共振器を備える。複数の直列共振器は、第１直列共振器Ｓ１と第２直列共振器Ｓ２を含む。第１直列共振器は、少なくとも第１～第３直列分割共振器Ｄ１～Ｄ３を含む。第２直列共振器は、少なくとも第４～第６直列分割共振器Ｄ４～Ｄ６を含む。第１直列分割共振器Ｄ１、第２直列分割共振器Ｄ２及び第３直列分割共振器Ｄ３のうち、最初に電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器の***振周波数は第１***振周波数であり、他の直列分割共振器の***振周波数は第２***振周波数であり、第４直列分割共振器Ｄ４、第５直列分割共振器Ｄ５及び第６直列分割共振器Ｄ６のうち、中央に配置された直列分割共振器の***振周波数は第２***振周波数であり、他の直列分割共振器の***振周波数は第１***振周波数である。
【選択図】図３
【解決手段】弾性波デバイスは、圧電基板と、複数の直列共振器を備える。複数の直列共振器は、第１直列共振器Ｓ１と第２直列共振器Ｓ２を含む。第１直列共振器は、少なくとも第１～第３直列分割共振器Ｄ１～Ｄ３を含む。第２直列共振器は、少なくとも第４～第６直列分割共振器Ｄ４～Ｄ６を含む。第１直列分割共振器Ｄ１、第２直列分割共振器Ｄ２及び第３直列分割共振器Ｄ３のうち、最初に電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器の***振周波数は第１***振周波数であり、他の直列分割共振器の***振周波数は第２***振周波数であり、第４直列分割共振器Ｄ４、第５直列分割共振器Ｄ５及び第６直列分割共振器Ｄ６のうち、中央に配置された直列分割共振器の***振周波数は第２***振周波数であり、他の直列分割共振器の***振周波数は第１***振周波数である。
【選択図】図３
Description
本開示は、弾性波デバイスに関する。詳しくはＳＨ波を用いる弾性表面波デバイス、例えば、フィルタ、デュプレクサまたはマルチプレクサに関する。
スマートフォンを代表とする移動通信端末の高周波通信用システムにおいて、通信に使用する周波数帯以外の不要な信号を除去するために、高周波フィルタ等が用いられている。
高周波フィルタ等には、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）素子等を有する弾性波デバイスが用いられている。ＳＡＷ素子は、圧電基板上に一対の櫛型電極を有するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を形成した素子である。
例えば、弾性表面波デバイスは、以下のように製造される。まず、弾性波を伝搬させる圧電基板とこの圧電基板よりも小さな熱膨張係数を持つ支持基板とを接合した多層膜基板を作成する。次に、その多層膜基板にフォトリソグラフィ技術を用いて多数のＩＤＴ電極を形成し、その後、ダイシングにより所定のサイズに切り出して弾性表面波デバイスとする。この製造方法では、多層膜基板を利用することにより、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化が支持基板により抑制されるため、弾性波デバイスとしての周波数特性が安定化する。
例えば、特許文献１には、耐電力を向上させるため、弾性波共振器を直列に分割する技術が開示されている。
しかしながら、３個以上に分割された直列分割共振器は、真ん中に近い直列分割共振器ほど、放熱経路がなく、熱が滞留する。その結果、耐電力が十分に向上しない。
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、耐電力がより向上した弾性波デバイスを提供することである。
本発明にかかる弾性波デバイスは、
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された入力パッドと、
前記圧電基板上に形成された出力パッドと、
前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、
前記圧電基板上に形成された複数の直列共振器および複数の並列共振器と、
を備え、
前記複数の直列共振器および前記複数の並列共振器はバンドパスフィルタを構成しており、
前記複数の直列共振器は、第１直列共振器と第２直列共振器を含む、３個以上の直列共振器を有し、
前記第１直列共振器は、少なくとも第１直列分割共振器、第２直列分割共振器および第３直列分割共振器を含み、
前記第２直列共振器は、前記第１直列共振器よりも前記入力パッドから電気的に離れた位置に配置され、前記入力パッド、前記出力パッドおよび前記グランドパッドのいずれとも直接接続されておらず、前記第１直列共振器よりも放熱されにくく、かつ、少なくとも第４直列分割共振器、第５直列分割共振器および第６直列分割共振器を含み、
前記第１直列分割共振器、前記第２直列分割共振器および前記第３直列分割共振器のうち、最初に前記入力パッドから印加された電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器の***振周波数は、第１***振周波数であり、前記最初に前記入力パッドから印加された電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器以外の直列分割共振器の***振周波数は、前記第１***振周波数よりも高周波である第２***振周波数であり、
前記第１***振周波数および前記第２***振周波数は前記バンドパスフィルタの通過帯域において最も高い周波数よりも高い周波数であり、
前記第４直列分割共振器、前記第５直列分割共振器および前記第６直列分割共振器のうち、中央に配置された直列分割共振器の***振周波数は、前記第２***振周波数であり、前記中央に配置された直列分割共振器以外の直列分割共振器の***振周波数は、前記第１***振周波数である弾性波デバイスとした。
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された入力パッドと、
前記圧電基板上に形成された出力パッドと、
前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、
前記圧電基板上に形成された複数の直列共振器および複数の並列共振器と、
を備え、
前記複数の直列共振器および前記複数の並列共振器はバンドパスフィルタを構成しており、
前記複数の直列共振器は、第１直列共振器と第２直列共振器を含む、３個以上の直列共振器を有し、
前記第１直列共振器は、少なくとも第１直列分割共振器、第２直列分割共振器および第３直列分割共振器を含み、
前記第２直列共振器は、前記第１直列共振器よりも前記入力パッドから電気的に離れた位置に配置され、前記入力パッド、前記出力パッドおよび前記グランドパッドのいずれとも直接接続されておらず、前記第１直列共振器よりも放熱されにくく、かつ、少なくとも第４直列分割共振器、第５直列分割共振器および第６直列分割共振器を含み、
前記第１直列分割共振器、前記第２直列分割共振器および前記第３直列分割共振器のうち、最初に前記入力パッドから印加された電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器の***振周波数は、第１***振周波数であり、前記最初に前記入力パッドから印加された電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器以外の直列分割共振器の***振周波数は、前記第１***振周波数よりも高周波である第２***振周波数であり、
前記第１***振周波数および前記第２***振周波数は前記バンドパスフィルタの通過帯域において最も高い周波数よりも高い周波数であり、
前記第４直列分割共振器、前記第５直列分割共振器および前記第６直列分割共振器のうち、中央に配置された直列分割共振器の***振周波数は、前記第２***振周波数であり、前記中央に配置された直列分割共振器以外の直列分割共振器の***振周波数は、前記第１***振周波数である弾性波デバイスとした。
前記複数の直列共振器および前記複数の並列共振器は複数の電極指を有するＩＤＴ電極を含み、
前記第１直列分割共振器、前記第２直列分割共振器および前記第３直列分割共振器のうち、最初に前記入力パッドから印加された電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器は、前記第４直列分割共振器、前記第５直列分割共振器および前記第６直列分割共振器のうち、中央に配置された直列分割共振器よりも電極指の数が多いことが、本開示の一形態とされる
前記第１直列分割共振器、前記第２直列分割共振器および前記第３直列分割共振器のうち、最初に前記入力パッドから印加された電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器は、前記第４直列分割共振器、前記第５直列分割共振器および前記第６直列分割共振器のうち、中央に配置された直列分割共振器よりも電極指の数が多いことが、本開示の一形態とされる
前記圧電基板は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの単結晶からなる基板であることが、本発明の一形態とされる。
前記圧電基板の前記複数の直列共振器および前記複数の並列共振器が形成された主面とは反対の主面に支持基板を備え、前記支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板であることが、本発明の一形態とされる。
前記弾性波デバイスを備えるモジュールであることが、本開示の一形態とされる。
本開示によれば、耐電力がより向上した弾性波デバイスを提供できる。
実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。
実施の形態１．
図１は、実施の形態１にかかる弾性波デバイスを示す断面図である。
図１は、実施の形態１にかかる弾性波デバイスを示す断面図である。
図１に示すように、弾性波デバイス２０は、配線基板２３、外部接続端子２４、デバイスチップ２５、電極パッド２６、バンプ２７および封止部２８を備える。
例えば、配線基板２３は、樹脂からなる多層基板である。例えば、配線基板２３は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。
外部接続端子２４は、配線基板２３の下面に複数形成される。
電極パッド２６は、配線基板２３の主面に複数形成される。例えば、電極パッド２６は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、電極パッド２６の厚みは、１０μｍから２０μｍである。
バンプ２７は、電極パッド２６のそれぞれの上面に形成される。例えば、バンプ２７は、金バンプである。例えば、バンプ２７の高さは、１０μｍから５０μｍである。
配線基板２３とデバイスチップ２５の間は、空隙２９が形成されている。
デバイスチップ２５は、バンプ２７を介して、配線基板２３にフリップチップボンディングにより実装される。デバイスチップ２５は、複数のバンプ２７を介して複数の電極パッド２６と電気的に接続される。
デバイスチップ２５は、例えば表面弾性波デバイスチップである。デバイスチップ２５は、圧電材料で形成された圧電基板を備えている。圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板である。
圧電基板の厚みは、例えば、０．３μｍから５μｍとすることができる。別の例によれば、圧電基板は、圧電セラミックスで形成された基板である。
さらに別の例によれば、圧電基板は、圧電基板と支持基板とが接合された基板である。支持基板は、例えば、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。
圧電基板上に、弾性波素子５２が形成される。例えば、デバイスチップ２５の主面において、複数の弾性波素子５２を含む、送信用フィルタがまたは受信用フィルタが形成される。
別の例によれば、デバイスチップ２５の主面上に、送信フィルタおよび受信用フィルタを含むデュプレクサが形成される。
送信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信用フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。
受信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信用フィルタは、ラダー型フィルタである。
封止部２８は、デバイスチップ２５を覆うように形成される。例えば、封止部２８は、合成樹脂等の絶縁体により形成される。例えば、封止部２８は、金属で形成される。
封止部２８が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミドなどである。好ましくは、封止部２８は、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。
次に、図２を用いて、デバイスチップ２５上に形成された弾性波素子５２の例を説明する。図２は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子（共振器）の例を示す図である。
図２に示されるように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）５２ａと一対の反射器５２ｂとは、デバイスチップ２５の主面に形成される。ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂは、弾性波（主にＳＨ波）を励振し得るように設けられる。
例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、アルミニウム、モリブデン、イリジウム、タングステン、コバルト、ニッケル、ルテニウム、クロム、ストロンチウム、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。
例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜により形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４５０ｎｍである。
ＩＤＴ５２ａは、一対の櫛形電極５２ｃを備える。一対の櫛形電極５２ｃは、互いに対向する。櫛形電極５２ｃは、複数の電極指５２ｄとバスバー５２ｅとを備える。
複数の電極指５２ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー５２ｅは、複数の電極指５２ｄを接続する。
一対の反射器５２ｂの一方は、ＩＤＴ５２ａの一側に隣接する。一対の反射器５２ｂの他方は、ＩＤＴ５２ａの他側に隣接する。
次に、図３を用いて、デバイスチップ２５上に形成された送信フィルタの例を説明する。図３は実施の形態１における弾性波デバイスの例を示す図である。
図３に示されるように、デバイスチップ２５上に、バンドパスフィルタである送信フィルタ３０が形成されている。送信フィルタ３０は、第１直列共振器Ｓ１、第２直列共振器Ｓ２、第１並列共振器Ｐ１、第２並列共振器Ｐ２、入力パッドＩＮ、アンテナパッドＡＮＴおよびグランドパッドＧＮＤを含む、ラダー型フィルタである。
第１直列共振器Ｓ１は、第１直列分割共振器Ｄ１、第２直列分割共振器Ｄ２および第３直列分割共振器Ｄ３を含んでいる。第２直列共振器Ｓ２は、第４直列分割共振器Ｄ４、第５直列分割共振器Ｄ５および第６直列分割共振器Ｄ６を含んでいる。
第１直列分割共振器Ｄ１、第２直列分割共振器Ｄ２、第３直列分割共振器Ｄ３、第４直列分割共振器Ｄ４、第５直列分割共振器Ｄ５および第６直列分割共振器Ｄ６は、ＩＤＴを含むことができる。
一例によれば、第１直列分割共振器Ｄ１、第２直列分割共振器Ｄ２、第３直列分割共振器Ｄ３、第４直列分割共振器Ｄ４、第５直列分割共振器Ｄ５および第６直列分割共振器Ｄ６の電極指の数は、ぞれぞれ、３２８本、３１４本、３１４本、３２８本、３１４本、３２８本とすることができる。
第１直列共振器Ｓ１の直列分割共振器のうち、第１直列分割共振器Ｄ１は、入力パッドＩＮに印加された電気信号が最初に印加される位置に配置された直列分割共振器である。第１直列分割共振器Ｄ１の***振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２６３８ＭＨｚとすることができる。
第１直列共振器Ｓ１の直列分割共振器のうち、第２直列分割共振器Ｄ２および第３直列分割共振器Ｄ３は、入力パッドＩＮに印加された電気信号が最初に印加される位置に配置された直列分割共振器以外の直列分割共振器である。第２直列分割共振器Ｄ２および第３直列分割共振器Ｄ３の***振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２６４５ＭＨｚとすることができる。
第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第５直列分割共振器Ｄ５は、中央に配置された直列分割共振器である。第５直列分割共振器Ｄ５の***振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２６４５ＭＨｚとすることができる。
第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第４直列分割共振器Ｄ４および第６直列分割共振器Ｄ６は、中央に配置された直列分割共振器以外の直列分割共振器である。第４直列分割共振器Ｄ４および第６直列分割共振器Ｄ６の***振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２６３８ＭＨｚとすることができる。
入力パッドＩＮ、アンテナパッドＡＮＴおよびグランドパッドＧＮＤには、それぞれにバンプ２７が配置され、配線基板２３上に形成されたバンプパッド２６と電気的に接続される。
共振器は、電気信号が印加され、励起することで発熱する。放熱が十分でないと、高温状態が長く継続することで、共振器は、破壊されやすい。共振器は、主に配線を通してバンプから放熱される。
ここで、第１直列共振器Ｓ１と入力パッドＩＮに形成されるバンプ２７の距離は、第２直列共振器Ｓ２と入力パッドＩＮに形成されるバンプ２７の距離よりも小さい。よって、第１直列共振器Ｓ１は、第２直列共振器Ｓ２よりも放熱されやすい。
換言すれば、第２直列共振器Ｓ２は、第１直列共振器Ｓ１よりも放熱されにくく、放熱の観点からより耐電力が要請される。
第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第５直列分割共振器Ｄ５は、中央に配置された直列分割共振器である。第５直列分割共振器Ｄ５が励起し発熱するときは、第４直列分割共振器Ｄ４および第６直列分割共振器Ｄ６も励起し発熱する。第５直列分割共振器Ｄ５は、発熱体に挟まれ、かつ、放熱経路から放熱できる放熱量が第４直列分割共振器Ｄ４および第６直列分割共振器Ｄ６に比較して少ない。
よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、中央に配置された第５直列分割共振器Ｄ５は、放熱の観点から、より耐電力が要請される。
第１直列共振器Ｓ１の直列分割共振器のうち、入力パッドＩＮに印加された電気信号が最初に印加される位置に配置された第１直列分割共振器Ｄ１は、最もバンプに近いため、放熱がよい。
送信フィルタ３０の通過帯域は、例えば、Ｂａｎｄ７において、２５００ＭＨｚ～２５７０ＭＨｚとすることができる。第１直列分割共振器Ｄ１、第４直列分割共振器Ｄ４および第６直列分割共振器Ｄ６の***振周波数は、２６３８ＭＨｚ（第１***振周波数）であり、第２直列分割共振器Ｄ２、第３直列分割共振器Ｄ３および第５直列分割共振器Ｄ５の***振周波数は２６４５ＭＨｚ（第２***振周波数）である。
ここで、ラダー型フィルタの直列共振器は、その***振周波数が、通過帯域において最も高い周波数である２５７０ＭＨｚ（システム周波数）よりも高周波側において、２５７０ＭＨｚに近づくほど、発熱しやすい。よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、耐電力が最も要求される第５直列分割共振器Ｄ５の***振周波数を２５４５ＭＨｚとし、第１直列共振器Ｓ１の直列分割共振器のうち、最も放熱がよい第１直列分割共振器Ｄ１の***振周波数を２６３８ＭＨｚとした。
図４は、実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタと比較例の通過特性を示す図である。実線は実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタの通過特性を示している。破線は比較例にかかる送信フィルタの通過特性を示している。
比較例にかかる送信フィルタは、第５直列分割共振器Ｄ５の***振周波数を２６３８ＭＨｚとし、第１直列分割共振器Ｄ１を２６４５ＭＨｚとした。その他の構成は実施の形態１にかかる弾性波デバイス送信フィルタと同様である。
図４に示すとおり、実施の形態１にかかる弾性波デバイスと比較例の送信フィルタの通過特性は、ほとんど変わりはない。すなわち、本発明を適用することによる通過特性への悪影響はほとんどないと考えられる。
図５は、実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタと比較例の第５直列分割共振器Ｄ５の耐電力を示す図である。実線は実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタの第５直列分割共振器Ｄ５の耐電力を示している。破線は比較例にかかる送信フィルタの第５直列分割共振器Ｄ５の耐電力を示している。
ここで耐電力は、消費電力と電極指の変位量の積を、共振器の面積で除した値であるＳＤＶ値を用いて比較する。ＳＤＶ値は、ＳＡＷ ｄｕｒａｂｉｌｉｔｙ ｖａｌｕｅであって、共振器がその単位面積当たりにおいてかかる負荷を示しており、低い値ほど耐電力が高いことを意味する。
図５に示すとおり、実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタの第５直列分割共振器Ｄ５は、比較例の第５直列分割共振器Ｄ５に比べて、ＳＤＶ値が大幅に低減され、耐電力が大幅に向上していることがわかる。
図６は、実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタと比較例の第１直列分割共振器Ｄ１の耐電力を示す図である。実線は実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタの第１直列分割共振器Ｄ１の耐電力を示している。破線は比較例にかかる送信フィルタの第１直列分割共振器Ｄ１の耐電力を示している。
さらに、一点鎖線は、実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタの第１直列分割共振器Ｄ１の変形例の耐電力を示す。変形例は、電極指の数を４００本とし、第５直列分割共振器Ｄ５の電極指の数よりも多くしたものである。
図６に示すとおり、実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタの第１直列分割共振器Ｄ１は、比較例の第５直列分割共振器Ｄ５に比べて、ＳＤＶ値が上昇し、耐電力が低下していることがわかる。一方で、実施の形態１に比べて、変形例の第１直列分割共振器Ｄ１の耐電力は向上したことがわかる。
図７は、変形例にかかる第１直列分割共振器Ｄ１を採用した実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタと比較例の耐電力試験の結果を示す図である。実線は変形例にかかる第１直列分割共振器Ｄ１を採用した実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタの耐電力を示している。破線は比較例にかかる送信フィルタの耐電力を示している。
耐電力試験は、変形例にかかる第１直列分割共振器Ｄ１を採用した実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタと比較例をそれぞれ試作し、印加する電力を漸次上げていき、ヒューズするまでの印加電力を記録するものである。
図７に示すとおり、変形例にかかる第１直列分割共振器Ｄ１を採用した実施の形態１にかかる弾性波デバイスの送信フィルタは、比較例に比べて、耐電力が大幅に向上していることがわかる。
以上で説明された実施の形態１によれば、耐電力がより向上した弾性波デバイスを提供することができる。
実施の形態２．
図８は、実施の形態２の弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態２の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
図８は、実施の形態２の弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態２の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
図８において、モジュール１００は、配線基板１３０と複数の外部接続端子１３１と集積回路部品ＩＣと弾性波デバイス２０とインダクタ１１１と封止部１１７とを備える。
複数の外部接続端子１３１は、配線基板１３０の下面に形成される。複数の外部接続端子１３１は、予め設定された移動通信端末のマザーボードに実装される。
例えば、集積回路部品ＩＣは、配線基板１３０の内部に実装される。集積回路部品ＩＣは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。
弾性波デバイス２０は、配線基板１３０の主面に実装される。
インダクタ１１１は、配線基板１３０の主面に実装される。インダクタ１１１は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１１１は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。
封止部１１７は、弾性波デバイス２０を含む複数の電子部品を封止する。
以上で説明された実施の形態２によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス２０を備える。このため、より耐電力が向上した弾性波デバイスを備えるモジュールを提供できる。
少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。
理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。
特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。
本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。
「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。
前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。
２０ 弾性波デバイス
２３ 配線基板
２４ 外部接続端子
２５ デバイスチップ
２６ 電極パッド
２７ バンプ
２８ 封止部
２９ 空隙
３０ 送信フィルタ
ＩＮ 入力パッド
ＡＮＴ アンテナパッド
ＧＮＧ グランドパッド
Ｓ１ 第１直列共振器
Ｓ２ 第２直列共振器
Ｄ１～Ｄ６ 第１直列分割共振器～第６直列分割共振器
Ｐ１ 第１並列共振器
Ｐ２ 第２並列共振器
５２ 弾性波素子、 ５２ａ ＩＤＴ、 ５２ｂ 反射器、 ５２ｃ 櫛形電極、 ５２ｄ 電極指
１００ モジュール、 １１１ インダクタ、 １１７ 封止部、 １３０ 配線基板、 １３１ 外部接続端子、 ＩＣ 集積回路部品
２３ 配線基板
２４ 外部接続端子
２５ デバイスチップ
２６ 電極パッド
２７ バンプ
２８ 封止部
２９ 空隙
３０ 送信フィルタ
ＩＮ 入力パッド
ＡＮＴ アンテナパッド
ＧＮＧ グランドパッド
Ｓ１ 第１直列共振器
Ｓ２ 第２直列共振器
Ｄ１～Ｄ６ 第１直列分割共振器～第６直列分割共振器
Ｐ１ 第１並列共振器
Ｐ２ 第２並列共振器
５２ 弾性波素子、 ５２ａ ＩＤＴ、 ５２ｂ 反射器、 ５２ｃ 櫛形電極、 ５２ｄ 電極指
１００ モジュール、 １１１ インダクタ、 １１７ 封止部、 １３０ 配線基板、 １３１ 外部接続端子、 ＩＣ 集積回路部品
Claims (7)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された入力パッドと、
前記圧電基板上に形成された出力パッドと、
前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、
前記圧電基板上に形成された複数の直列共振器および複数の並列共振器と、
を備え、
前記複数の直列共振器および前記複数の並列共振器はバンドパスフィルタを構成しており、
前記複数の直列共振器は、第１直列共振器と第２直列共振器を含む、３個以上の直列共振器を有し、
前記第１直列共振器は、少なくとも第１直列分割共振器、第２直列分割共振器および第３直列分割共振器を含み、
前記第２直列共振器は、前記第１直列共振器よりも前記入力パッドから電気的に離れた位置に配置され、前記入力パッド、前記出力パッドおよび前記グランドパッドのいずれとも直接接続されておらず、前記第１直列共振器よりも放熱されにくく、かつ、少なくとも第４直列分割共振器、第５直列分割共振器および第６直列分割共振器を含み、
前記第１直列分割共振器、前記第２直列分割共振器および前記第３直列分割共振器のうち、最初に前記入力パッドから印加された電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器の***振周波数は、第１***振周波数であり、前記最初に前記入力パッドから印加された電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器以外の直列分割共振器の***振周波数は、前記第１***振周波数よりも高周波である第２***振周波数であり、
前記第１***振周波数および前記第２***振周波数は前記バンドパスフィルタの通過帯域において最も高い周波数よりも高い周波数であり、
前記第４直列分割共振器、前記第５直列分割共振器および前記第６直列分割共振器のうち、中央に配置された直列分割共振器の***振周波数は、前記第２***振周波数であり、前記中央に配置された直列分割共振器以外の直列分割共振器の***振周波数は、前記第１***振周波数である弾性波デバイス。 - 前記複数の直列共振器および前記複数の並列共振器は複数の電極指を有するＩＤＴ電極を含み、
前記第１直列分割共振器、前記第２直列分割共振器および前記第３直列分割共振器のうち、最初に前記入力パッドから印加された電気信号が印加される位置に配置された直列分割共振器は、前記第４直列分割共振器、前記第５直列分割共振器および前記第６直列分割共振器のうち、中央に配置された直列分割共振器よりも電極指の数が多い請求項１に記載の弾性波デバイス。 - 前記圧電基板は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの単結晶からなる基板である請求項１に記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板の前記複数の直列共振器および前記複数の並列共振器が形成された主面とは反対の主面に支持基板を備える請求項１に記載の弾性波デバイス。
- 前記支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板である請求項４に記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板と前記支持基板は、ファンデルワールス力により接合されている請求項４に記載の弾性波デバイス。
- 請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。
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