JP7370547B1 - 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/09—Elastic or damping supports
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数の共振器と
を備え、
前記複数の共振器の少なくとも1つは、直列に分割された、入力される電気信号が最初に入力される第1分割共振器と、入力される電気信号が最後に入力される第2分割共振器と、前記第1分割共振器と前記第2分割共振器の間に配置された第3分割共振器とを含む多段分割共振器であり、
前記第3分割共振器のキャパシタンスは、前記第1分割共振器のキャパシタンスおよび前記第2分割共振器のキャパシタンスよりも大きく、
前記複数の共振器のそれぞれは、IDT電極を有する表面弾性波共振器である弾性波デバイスとした。
図1は実施の形態1における弾性波デバイスの縦断面図である。
図8は、実施の形態1の弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態1の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
25 デバイスチップ、 26 電極パッド、 27 バンプ 28 封止部
52 弾性波素子、 52a IDT電極、 52b 反射器
52c 櫛形電極、 52d 電極指、 52e バスバー
30 送信フィルタ、 S1 第1直列共振器、 S2 第2直列共振器
P1 第1並列共振器、 P2 第2並列共振器
IN 入力パッド、 ANT アンテナパッド、 GND グランドパッド
D1 第1直列分割共振器、 D2 第2直列分割共振器、 D3 第3直列分割共振器、 D4 第4直列分割共振器、 D5 第5直列分割共振器
100 モジュール、 130 配線基板、 131 外部接続端子
IC 集積回路部品、 111 インダクタ、 117 封止部
Claims (11)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数の共振器と
を備え、
前記複数の共振器の少なくとも1つは、直列に分割された、入力される電気信号が最初に入力される第1分割共振器と、入力される電気信号が最後に入力される第2分割共振器と、前記第1分割共振器と前記第2分割共振器の間に配置された第3分割共振器とを含む多段分割共振器であり、
前記第3分割共振器のキャパシタンスは、前記第1分割共振器のキャパシタンスおよび前記第2分割共振器のキャパシタンスよりも大きく、
前記複数の共振器のそれぞれは、IDT電極を有する表面弾性波共振器である弾性波デバイス。 - 前記第1分割共振器の共振周波数および前記第2分割共振器の共振周波数は、前記第3分割共振器の共振周波数よりも低い請求項1に記載の弾性波デバイス。
- 前記多段分割共振器は、前記第1分割共振器と前記第3分割共振器の間に配置された第4分割共振器と、前記第2分割共振器と前記第3分割共振器の間に配置された第5分割共振器とを含む請求項1に記載の弾性波デバイス。
- 前記第3分割共振器、前記第4分割共振器および前記第5分割共振器のキャパシタンスは、前記第1分割共振器および前記第2分割共振器のキャパシタンスよりも大きい請求項3に記載の弾性波デバイス。
- 前記第1分割共振器および前記第2分割共振器の共振周波数は、前記第3分割共振器、前記第4分割共振器および前記第5分割共振器の共振周波数よりも低い請求項3に記載の弾性波デバイス。
- 前記第3分割共振器のキャパシタンスは、前記第4分割共振器および前記第5分割共振器のキャパシタンスよりも大きい請求項3に記載の弾性波デバイス。
- 前記第4分割共振器および前記第5分割共振器の共振周波数は、前記第3分割共振器の共振周波数よりも低い請求項3に記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの単結晶からなる基板である請求項1から7のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板の前記複数の共振器が形成された主面とは反対の主面に支持基板を備え、前記支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板である請求項1から7のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
- 前記複数の共振器は、デュプレクサとして機能する請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
- 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022168715A JP7370547B1 (ja) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール |
CN202310987604.9A CN117955453A (zh) | 2022-10-20 | 2023-08-07 | 弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022168715A JP7370547B1 (ja) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7370547B1 true JP7370547B1 (ja) | 2023-10-30 |
JP2024061048A JP2024061048A (ja) | 2024-05-07 |
Family
ID=88510032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022168715A Active JP7370547B1 (ja) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7370547B1 (ja) |
CN (1) | CN117955453A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016027707A1 (ja) | 2014-08-22 | 2016-02-25 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ |
WO2018123775A1 (ja) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置および弾性表面波フィルタ |
WO2022107699A1 (ja) | 2020-11-18 | 2022-05-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置 |
-
2022
- 2022-10-20 JP JP2022168715A patent/JP7370547B1/ja active Active
-
2023
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016027707A1 (ja) | 2014-08-22 | 2016-02-25 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ |
WO2018123775A1 (ja) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置および弾性表面波フィルタ |
WO2022107699A1 (ja) | 2020-11-18 | 2022-05-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117955453A (zh) | 2024-04-30 |
JP2024061048A (ja) | 2024-05-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230814 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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