WO2020066380A1 - 回路モジュール及び通信装置 - Google Patents

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WO2020066380A1
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清志 相川
貴文 楠山
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a circuit module and a communication device including the circuit module.
  • Patent Document 1 discloses a module including a wiring board, a first component layer mounted on one main surface of the wiring substrate, and a second component layer mounted on the other main surface of the wiring substrate. ing.
  • components are mounted on both main surfaces of the wiring board, respectively, so that the component mounting density is improved and the size of the module is reduced.
  • the module disclosed in Patent Literature 1 has a limitation in improving the component mounting density.
  • the components cannot be mounted on the other main surface of the wiring board, and thus the component mounting density cannot be improved.
  • the area of the component to be mounted on one main surface of the wiring board is larger than the area of the component to be mounted on the other main surface, a blank area where the component is not mounted on the other main surface occurs, It becomes difficult to improve the mounting density.
  • the present invention has been made in order to solve the above-described problems, and has as its object to provide a circuit module capable of improving the component mounting density.
  • a circuit module includes a first wiring substrate having a first main surface, and a plurality of first components mounted on the first main surface.
  • the plurality of first components include a laminated component formed into one chip by being molded with a resin member, and the laminated component includes a second wiring board having a second main surface and a third main surface facing each other. , One or more second components mounted on the second main surface, and one or more third components mounted on the third main surface.
  • the component mounting density can be improved.
  • FIG. 1 is a plan view of the circuit module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the circuit module according to the first embodiment.
  • FIG. 3A is a plan view of the laminated component according to Embodiment 1.
  • FIG. 3B is a bottom view of the laminated component according to Embodiment 1.
  • FIG. 4 is a sectional view of the laminated component according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a sectional view of a circuit module according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a laminated component according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a circuit configuration diagram of the high-frequency module and the communication device according to the second embodiment.
  • FIG. 8A is a graph illustrating an example of a first frequency band according to Embodiment 2.
  • FIG. 8B is a graph illustrating an example of a second frequency band according to Embodiment 2.
  • FIG. 9A is a plan view of the high-frequency module according to Embodiment 2.
  • FIG. 9B is a bottom view of the high-frequency module according to Embodiment 2.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to Embodiment 2.
  • FIG. 11A is a plan view of the laminated component according to Embodiment 2.
  • FIG. 11B is a bottom view of the laminated component according to Embodiment 2.
  • FIG. 12 is a sectional view of the laminated component according to the second embodiment.
  • the circuit module 100 includes a wiring board 110, a plurality of components 120, and a resin member 140.
  • the plurality of components 120 are examples of the plurality of first components, and are electronic components mounted on the main surface 111 of the wiring board 110. Electronic components are sometimes called circuit elements. As shown in FIGS. 1 and 2, the plurality of components 120 include a laminated component 130.
  • the component 134 is an example of one or more second components, and is also referred to as an upper component.
  • the component 134 is an electronic component mounted on the main surface 132 of the wiring board 131.
  • the component 134 is mounted face-down on the main surface 132.
  • reception filter B40 the reception filter of communication band B40 (hereinafter, referred to as reception filter B40) is larger than the reception filter of communication band B1 (hereinafter, reception filter B1) will be described with reference to FIGS. 8A and 8B.
  • a 2G WiFi communication band is adjacent to the high band side of the pass band of the reception filter B40. Therefore, in order to avoid overlap between the pass band of the reception filter B40 and the communication band of 2G WiFi, steepness is required on the high band side of the pass band of the reception filter B40.
  • the number of resonators increases as the number of stages of the ladder circuit increases, so that the area of the surface acoustic wave filter becomes relatively large.
  • the laminated component 94 is composed of the receiving filters 62 and 63.
  • the laminated component 94 is mounted on the main surface 92 of the module board 91. Details of the laminated component 94 will be described later with reference to the drawings.
  • the resin member 97 is disposed on the main surface 92 of the module substrate 91, and covers a part of the receiving circuit and the main surface 92 of the module substrate 91.
  • the resin member 97 has a function of ensuring reliability such as mechanical strength and moisture resistance of a circuit element forming the receiving circuit.
  • the resin member 98 is disposed on the main surface 93 of the module substrate 91, and covers a part of the receiving circuit and the main surface 93 of the module substrate 91.
  • the resin member 98 has a function of ensuring reliability such as mechanical strength and moisture resistance of a circuit element constituting the receiving circuit. Note that the resin members 97 and 98 are not essential components of the high-frequency module according to the present invention.
  • the receiving filters 62 and 63 are connected by a via conductor 945 that penetrates the wiring board 941 in the Z direction.
  • the via conductor 945 corresponds to the wiring 64 that bundles the reception filters 62 and 63 in the circuit configuration of FIG.
  • Each of the plurality of columnar electrodes 944 extends from the main surface 943 of the wiring substrate 941 toward the main surface 92 of the module substrate 91. Each of the plurality of columnar electrodes 944 penetrates the resin member 946b, and the tip is exposed from the resin member 946b. The plurality of columnar electrodes 944 are arranged along the edge of the wiring board 941 so as to surround the reception filter 63. Note that the plurality of columnar electrodes 944 are not essential components of the circuit module according to the present invention.
  • the laminated component 94 exchanges an electric signal with the module substrate 91 and a circuit element mounted on the module substrate 91 via the plurality of columnar electrodes 944.
  • the acoustic wave filter can be mounted on each of the main surfaces 942 and 943 of the wiring board 941 of the laminated component 94.
  • the pass band of the elastic wave filter mounted on the main surface 942 corresponds to the first frequency band.
  • the pass band of the elastic wave filter mounted on the main surface 943 can correspond to the second frequency band.
  • the wiring between the two elastic wave filters can be shortened.
  • the wiring loss and the matching error due to the wiring can be reduced, and the high-frequency module 1 can obtain good characteristics.
  • circuit module and the communication device As described above, the circuit module and the communication device according to the embodiment of the present invention have been described with reference to the embodiment and the modification thereof. It is not limited to. A person skilled in the art can think of another embodiment realized by combining arbitrary constituent elements in the above-described embodiment and its modifications, and the above-described embodiment and its modifications without departing from the gist of the present invention. Modifications obtained by performing various modifications, and various devices incorporating the above-described circuit module and communication device are also included in the present invention.
  • circuit module the high-frequency module, and the communication device according to the above-described embodiment and its modified example
  • another circuit element, a wiring, and the like are inserted between paths connecting each circuit element and a signal path disclosed in the drawings. It may be.
  • the area of the upper component is larger than the area of the lower component when the wiring board of the multilayer component is viewed in a plan view, but is not limited thereto.
  • the area of the upper part may be smaller than the area of the lower part.
  • the size of the area of the upper part may be equal to the size of the area of the lower part.
  • the receiving circuit has been described as an example of the high-frequency module (circuit module).
  • the high-frequency module may be a transmitting circuit.
  • the high-frequency module may be a transmission / reception circuit.
  • the present invention can be used for a high-frequency module arranged in a multi-band compatible front end unit, and can be widely used for communication equipment such as a mobile phone including the high-frequency module.

Landscapes

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Abstract

回路モジュール（１００）は、主面（１１１）を有する配線基板（１１０）と、主面（１１１）に実装された複数の部品（１２０）と、を備え、複数の部品（１２０）は、樹脂部材（１３７ａ及び１３７ｂ）によりモールドされることで１チップ化された積層部品（１３０）を含み、積層部品（１３０）は、互いに対向する主面（１３２及び１３３）を有する配線基板（１３１）と、主面（１３２）に実装された部品（１３４）と、主面（１３３）に実装された部品（１３５）と、を有する。

Description

回路モジュール及び通信装置
　本発明は、回路モジュール及び当該回路モジュールを備える通信装置に関する。
　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子が増加し、フロントエンドモジュールの小型化を困難にしている。
　特許文献１には、配線基板と、配線基板の一方主面に実装された第１の部品層と、配線基板の他方主面に実装された第２の部品層と、を備えるモジュールが開示されている。特許文献１のモジュールでは、配線基板の両主面それぞれに部品が実装されることで、部品実装密度が向上し、モジュールの小型化を実現している。
国際公開第２０１４／０１７２２８号
　しかしながら、特許文献１に開示されたモジュールでは、部品実装密度の向上に限界がある。例えば、配線基板の一方主面のみに部品の実装が制限される場合には、配線基板の他方主面に部品を実装することができないため、部品実装密度を向上させることができない。また、例えば、配線基板の一方主面に実装すべき部品の面積が他方主面に実装すべき部品の面積よりも大きい場合には、他方主面において部品が実装されない余白領域が発生し、部品実装密度を向上させることが難しくなる。
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、部品実装密度を向上させることができる回路モジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る回路モジュールは、第１主面を有する第１配線基板と、前記第１主面に実装された複数の第１部品と、を備え、前記複数の第１部品は、樹脂部材によりモールドされることで１チップ化された積層部品を含み、前記積層部品は、互いに対向する第２主面及び第３主面を有する第２配線基板と、前記第２主面に実装された１以上の第２部品と、前記第３主面に実装された１以上の第３部品と、を有する。
　本発明によれば、部品実装密度を向上させることができる。
図１は、実施の形態１に係る回路モジュールの平面図である。 図２は、実施の形態１に係る回路モジュールの断面図である。 図３Ａは、実施の形態１に係る積層部品の平面図である。 図３Ｂは、実施の形態１に係る積層部品の下面図である。 図４は、実施の形態１に係る積層部品の断面図である。 図５は、実施の形態１の変形例に係る回路モジュールの断面図である。 図６は、実施の形態１の変形例に係る積層部品の断面図である。 図７は、実施の形態２に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。 図８Ａは、実施の形態２における第１周波数帯域の一例を示すグラフである。 図８Ｂは、実施の形態２における第２周波数帯域の一例を示すグラフである。 図９Ａは、実施の形態２に係る高周波モジュールの平面図である。 図９Ｂは、実施の形態２に係る高周波モジュールの下面図である。 図１０は、実施の形態２に係る高周波モジュールの断面図である。 図１１Ａは、実施の形態２に係る積層部品の平面図である。 図１１Ｂは、実施の形態２に係る積層部品の下面図である。 図１２は、実施の形態２に係る積層部品の断面図である。
　以下、本発明の実施の形態及びその変形例について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態及びその変形例は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態及びその変形例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態及びその変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
　なお、以下の図面において、Ｘ軸及びＹ軸は、配線基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、Ｚ軸は、配線基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。
　（実施の形態１）
　実施の形態１について、図１～図４を参照しながら具体的に説明する。
　［１．１　回路モジュール１００内の部品の配置構成］
　まず、実施の形態１に係る回路モジュール１００内の部品の配置構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１に係る回路モジュール１００の平面図である。図２は、実施の形態１に係る回路モジュール１００の断面図である。具体的には、図２は、図１のＩＩ－ＩＩ切断線における回路モジュール１００の断面図である。なお、図１では、樹脂部材１４０が無い状態で回路モジュール１００が表されている。
　回路モジュール１００は、例えばＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ　Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ　Ｓｙｓｔｅｍ）などの無線フロントエンド回路にて用いられる各種機能部品を一体化したフロントエンドモジュールである。また例えば、回路モジュール１００は、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）モジュールであってもよい。なお、本発明に係る回路モジュールは、これらに限定されない。
　図１及び図２に示すように、回路モジュール１００は、配線基板１１０と、複数の部品１２０と、樹脂部材１４０と、を備える。
　配線基板１１０は、第１配線基板の一例であり、親基板とも呼ばれる。配線基板１１０としては、例えば複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、又は、プリント基板等が用いられる。
　図１に示すように、配線基板１１０は矩形状を有する。なお、配線基板１１０の形状は、矩形状に限定されない。配線基板１１０は、矩形以外の多角形状又は長円形状を有してもよい。
　また、図２に示すように、配線基板１１０は、互いに対向する主面１１１及び１１２を有する。主面１１１は、第１主面の一例である。主面１１２は、第４主面の一例である。
　複数の部品１２０は、複数の第１部品の一例であり、配線基板１１０の主面１１１に実装された電子部品である。電子部品は、回路素子と呼ばれる場合もある。図１及び図２に示すように、複数の部品１２０は積層部品１３０を含む。
　積層部品１３０は、樹脂部材によりモールドされることで複数の部品が１チップ化された電子部品である。積層部品１３０の詳細については、図面を用いて後述する。
　樹脂部材１４０は、配線基板１１０の主面１１１及び当該主面１１１に実装された複数の部品１２０を覆っている。つまり、回路モジュール１００は、樹脂部材１４０によりモールドされている。樹脂部材１４０は、複数の部品１２０の機械強度及び耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材１４０の材料は、特に限定されず、従来の電子部品用のモールド樹脂が用いられればよい。なお、樹脂部材１４０は、本発明に係る回路モジュールに必須の構成要素ではない。
　［１．２　積層部品１３０内の部品の配置構成］
　ここで、積層部品１３０内の部品の配置構成について、図３Ａ、図３Ｂ及び図４を参照しながら説明する。図３Ａは、実施の形態１に係る積層部品１３０の平面図である。図３Ｂは、実施の形態１に係る積層部品１３０の下面図である。図４は、実施の形態１に係る積層部品１３０の断面図である。具体的には、図４は、図３Ａ及び図３ＢのＩＶ－ＩＶ切断線における積層部品１３０の断面図である。なお、図３Ａ及び図３Ｂでは、樹脂部材１３７ａ及び１３７ｂが無い状態で積層部品１３０が表されている。
　図３Ａ、図３Ｂ及び図４に示すように、積層部品１３０は、配線基板１３１と、部品１３４と、部品１３５と、複数の柱状電極１３６と、樹脂部材１３７ａ及び１３７ｂと、を備える。
　配線基板１３１は、第２配線基板の一例であり、子基板とも呼ばれる。配線基板１３１としては、例えば複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、又は、プリント基板等が用いられる。
　図３Ａ及び図３Ｂに示すように、配線基板１３１は矩形状を有する。なお、配線基板１３１の形状は、矩形状に限定されない。配線基板１３１は、矩形以外の多角形状又は長円形状を有してもよい。
　図４に示すように、配線基板１３１は、互いに対向する主面１３２及び１３３を有する。主面１３２は、第２主面の一例である。また、主面１３３は、第３主面の一例である。
　配線基板１３１の主面１３３は、配線基板１１０の主面１１１と対向している。ここでは、配線基板１３１は、配線基板１１０と平行に配置されている。なお、配線基板１３１は、配線基板１１０と厳密に平行に配置されなくてもよく、配線基板１１０に対していくらか傾斜していてもよい。
　配線基板１３１は、主面と平行な互いに異なる平面に形成された、第１平面配線パターン１３１ａ、第２平面配線パターン１３１ｂ及び平面グランドパターン１３１ｃを有する。第１平面配線パターン１３１ａは、主面１３２に実装された部品１３４のための配線パターンであり、主面１３２側に配置されている。第２平面配線パターン１３１ｂは、主面１３３に実装された部品１３５のための配線パターンであり、主面１３３側に配置されている。平面グランドパターン１３１ｃは、グランド電位に設定されており、Ｚ方向において第１平面配線パターン１３１ａ及び第２平面配線パターン１３１ｂの間に配置されている。なお、本開示において、主面と平行な平面は、主面と厳密に平行な平面だけではなく、主面と実質的に平行な平面を含む。つまり、平行は、略平行を意味する。
　部品１３４は、１以上の第２部品の一例であり、上部品とも呼ばれる。部品１３４は、配線基板１３１の主面１３２に実装された電子部品である。ここでは、部品１３４は、主面１３２にフェイスダウン実装されている。
　部品１３５は、１以上の第３部品の一例であり、下部品とも呼ばれる。部品１３５は、配線基板１３１の主面１３３に実装された電子部品である。ここでは、部品１３５は、主面１３３にフェイスダウン実装されている。
　配線基板１３１を平面視した場合に、部品１３５の領域は、部品１３４の領域よりも小さく、部品１３４の領域に完全に重複している。言い換えれば、部品１３４の領域は、部品１３５の領域よりも大きく、部品１３５の領域を包含している。
　複数の柱状電極１３６の各々は、配線基板１３１の主面１３３から配線基板１１０の主面１１１に向かって延びている。複数の柱状電極１３６の各々は、樹脂部材１３７ｂを貫通しており、その先端が樹脂部材１３７ｂから露出している。複数の柱状電極１３６は、部品１３５を囲むように、配線基板１３１の端縁に沿って配列されている。なお、複数の柱状電極１３６は、本発明に係る回路モジュールに必須の構成要素ではない。
　積層部品１３０は、複数の柱状電極１３６を経由して、配線基板１１０及び当該配線基板１１０に実装された複数の部品１２０と電気信号のやりとりを行う。また、複数の柱状電極１３６のいくつかは、配線基板１１０のグランド電位に設定される。
　樹脂部材１３７ａは、配線基板１３１の主面１３２及び部品１３４を覆っている。また、樹脂部材１３７ｂは、配線基板１３１の主面１３３及び部品１３５を覆っている。つまり、積層部品１３０は、樹脂部材１３７ａ及び１３７ｂでモールドされている。言い換えれば、樹脂部材１３７ａ及び１３７ｂは、主面１３２及び１３３並びに部品１３４及び１３５を覆うことで、積層部品１３０を１つの部品として一体化する。樹脂部材１３７ａ及び１３７ｂは、積層部品１３０の機械強度及び耐湿性などの信頼性を確保する機能を有しており、積層部品１３０の一体性及び実装の容易さを向上させている。
　なお、樹脂部材１３７ａ及び１３７ｂの材料は、特に限定されない。樹脂部材１３７ａ及び１３７ｂの材料は、樹脂部材１４０の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　［１．３　効果等］
　以上のように、本実施の形態に係る回路モジュール１００によれば、配線基板１１０の主面１１１に実装された複数の部品１２０は、樹脂部材１３７ａ及び１３７ｂによりモールドされることで１チップ化された積層部品１３０を含むことができる。そして、積層部品１３０は、互いに対向する主面１３２及び１３３を有する配線基板１３１と、配線基板１３１の主面１３２に実装された部品１３４と、配線基板１３１の主面１３３に実装された部品１３５とを有することができる。これにより、配線基板１１０の主面１１１に２つの部品１３４及び１３５を垂直方向に重ねて１つの積層部品１３０として実装することができ、配線基板１１０の主面１１１上の部品実装面積を低減し、部品実装密度を向上させることができる。例えば、配線基板１１０の主面１１１のみに部品の実装が制限される場合でも、当該主面１１１に積層部品１３０を実装することで部品実装密度の向上を図ることができる。
　また、積層部品１３０では、２つの部品１３４及び１３５を互いに対向する主面１３２及び１３３にそれぞれ実装することができる。したがって、配線基板１３１を挟んで２つの部品１３４及び１３５が配置されるので、配線基板１３１を挟まずに２つの部品１３４及び１３５が配置される場合よりも、２つの部品１３４及び１３５間のアイソレーションを向上させることができる。
　また、本実施の形態に係る回路モジュール１００によれば、積層部品１３０の配線基板１３１は、主面１３２側に配置された第１平面配線パターン１３１ａと、主面１３３側に配置された第２平面配線パターン１３１ｂと、第１平面配線パターン１３１ａ及び第２平面配線パターン１３１ｂの間に配置され、グランド電位に設定される平面グランドパターン１３１ｃと、を有することができる。これにより、２つの部品１３４及び１３５間に平面グランドパターンが配置されるので、２つの部品１３４及び１３５間のアイソレーションをさらに向上させることができる。
　また、本実施の形態に係る回路モジュール１００によれば、積層部品１３０の配線基板１３１を平面視した場合に、主面１３２に実装された部品１３４の領域を、主面１３３に実装された部品１３５の領域よりも大きくすることができる。これにより、主面１３２には大きな部品１３４を配置し、主面１３３には、複数の柱状電極１３６と小さな部品１３５とを配置することができる。その結果、配線基板１３１の主面１３２及び１３３に余白領域が発生することを抑制することができ、部品実装密度を向上させることができる。
　（実施の形態１の変形例）
　実施の形態１の変形例では、親基板（配線基板１１０）の両主面に部品が実装される点と、子基板（配線基板１３１）の各主面に複数の部品が実装される点とが、主として実施の形態１と異なる。以下に、上記実施の形態１と異なる点を中心に、本変形例について図５及び図６を参照しながら説明する。
　図５は、実施の形態１の変形例に係る回路モジュール１００Ａの断面図である。図５に示すように、回路モジュール１００Ａは、配線基板１１０、複数の部品１２０及び樹脂部材１４０に加えて、部品１５０、樹脂部材１６０及び複数の柱状電極１７０を備える。
　部品１５０は、第４部品の一例であり、配線基板１１０の主面１１２に実装された電子部品である。
　樹脂部材１６０は、配線基板の主面１１２及び部品１５０を覆っている。なお、樹脂部材１６０は、配線基板の主面１１２及び当該主面１１２に実装された部品１５０のすべてを覆う必要はなく、その一部を覆ってもよい。例えば、樹脂部材１６０は、部品１５０と主面１１２との間に充填されるだけであってもよい。つまり、樹脂部材１６０は、部品１５０のＺ軸負側の面を覆わなくてもよい。なお、樹脂部材１６０は、本発明に係る回路モジュールに必須の構成要素ではない。
　複数の柱状電極１７０の各々は、配線基板１１０の主面１１２からＺ軸負方向に延びている。複数の柱状電極１７０の各々は、樹脂部材１６０を貫通しており、その先端が樹脂部材１６０から露出している。複数の柱状電極１７０は、部品１５０を囲むように、配線基板１１０の端縁に沿って配列されている。なお、複数の柱状電極１７０は、本発明に係る回路モジュールに必須の構成要素ではない。
　回路モジュール１００Ａは、回路モジュール１００ＡのＺ軸負方向側に配置される実装基板と、複数の柱状電極１７０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、柱状電極１７０のいくつかは、実装基板のグランド電位に設定される。
　次に、本変形例に係る積層部品１３０Ａについて図６を参照しながら説明する。図６は、実施の形態１の変形例に係る積層部品１３０Ａの断面図である。図６に示すように、本変形例に係る積層部品１３０Ａは、部品１３４ａ及び１３４ｂと、部品１３５ａ及び１３５ｂと、を備える。
　部品１３４ａ及び１３４ｂは、複数の第２部品の一例であり、配線基板１３１の主面１３２に実装された複数の電子部品である。
　部品１３５ａ及び１３５ｂは、複数の第３部品の一例であり、配線基板１３１の主面１３３に実装された複数の電子部品である。配線基板１３１を平面視した場合に、部品１３５ａ及び１３５ｂの領域は、部品１３４ａ及び１３４ｂの領域よりも小さい。言い換えれば、部品１３４ａ及び１３４ｂの領域は、部品１３５ａ及び１３５ｂの領域よりも大きい。
　以上のように、本変形例に係る回路モジュール１００Ａによれば、配線基板１１０の主面１１１に対向する主面１１２にも部品１５０を実装することができる。これにより、部品実装密度をさらに向上させることができる。例えば、配線基板１１０の主面１１１に実装すべき部品の面積が主面１１２に実装すべき部品の面積よりも大きい場合でも、主面１１１に積層部品１３０Ａを実装することで、主面１１２において部品が実装されない余白領域を削減し、部品実装密度を向上させることが可能となる。
　また、本変形例に係る回路モジュール１００Ａによれば、積層部品１３０Ａの配線基板１３１の主面１３２及び１３３の各々に複数の部品を実装することができる。これにより、部品実装密度をさらに向上させることができる。
　（実施の形態２）
　次に、実施の形態２について、図７～図１２を参照しながら具体的に説明する。本実施の形態では、回路モジュールの一具体例として高周波モジュールについて説明する。
　［２．１　高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成］
　まず、本実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成について、図７を参照しながら具体的に説明する。
　図７は、実施の形態２に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成図である。図７に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ素子２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
　ＲＦＩＣ３は、アンテナ素子２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。
　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、又は、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
　アンテナ素子２は、高周波モジュール１の共通端子３１に接続され、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ素子２及びＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
　次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
　高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）に用いられる受信回路を構成する。ＣＡとは、第１周波数帯域及び第２周波数帯域の高周波信号を同時に送信、同時に受信、又は同時に送受信する通信技術である。より具体的には、ＣＡでは、（１）第１周波数帯域の高周波信号を送信及び／又は受信と、（２）第２周波数帯域の高周波信号を送信及び／又は受信と、を同時に行うことができる。
　例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１を備える通信装置は、第１周波数帯域の高周波信号と、第２周波数帯域の高周波信号とを同時に受信できる。図７に示すように、高周波モジュール１は、共通端子３１と、受信出力端子８１～８３と、制御回路１１と、受信低雑音増幅器２１～２３と、受信フィルタ６１～６３と、整合回路４１、４２、４３、７１及び７２と、スイッチ５１と、を備える。
　共通端子３１は、アンテナ素子２に接続される。
　受信低雑音増幅器２１～２３の各々は、高周波信号を低雑音で増幅する。受信低雑音増幅器２１～２３の各々は、例えば、ローノイズアンプである。受信低雑音増幅器２１によって増幅された高周波信号は、受信出力端子８１から出力される。また、受信低雑音増幅器２２によって増幅された高周波信号は、受信出力端子８２から出力される。受信低雑音増幅器２３によって増幅された高周波信号は、受信出力端子８３から出力される。
　受信フィルタ６１は、受信低雑音増幅器２１と共通端子３１とを結ぶ受信経路に配置され、共通端子３１から入力された高周波信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の高周波信号を通過させる。
　受信フィルタ６２及び６３は、配線６４によって並列接続されている。受信フィルタ６２は、受信低雑音増幅器２２と共通端子３１とを結ぶ受信経路に配置され、共通端子３１から入力された高周波信号のうち、通信バンドＢ（第１周波数帯域）の受信帯域の高周波信号を通過させる。また、受信フィルタ６３は、受信低雑音増幅器２３と共通端子３１とを結ぶ受信経路に配置され、共通端子３１から入力された高周波信号のうち、通信バンドＣ（第２周波数帯域）の受信帯域の高周波信号を通過させる。つまり、受信フィルタ６２の通過帯域は、ＣＡのための第１周波数帯域に対応し、受信フィルタ６３の通過帯域は、ＣＡのための第２周波数帯域に対応する。
　第１周波数帯域及び第２周波数帯域の組み合わせとしては、例えば、通信バンドＢ４０（Ｒｘ２３００－２４００Ｍｈｚ）及び通信バンドＢ１（２１１０－２１７０Ｍｈｚ）を用いることができる。このとき、通信バンドＢ４０は、上側の受信フィルタ６２に割り当てられ、通信バンドＢ１は、下側の受信フィルタ６３に割り当てることができる。これにより、平面視したときに、上側の受信フィルタ６２の面積を下側の受信フィルタ６３の面積よりも大きくすることができる。
　ここで、通信バンドＢ４０の受信フィルタ（以下、受信フィルタＢ４０という）が通信バンドＢ１の受信フィルタ（以下、受信フィルタＢ１という）よりも大きい理由について図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明する。
　図８Ａは、受信フィルタＢ４０の周波数特性を示すグラフである。また、図８Ｂは、受信フィルタＢ１の周波数特性を示すグラフである。なお、図８Ａ及び図８Ｂには、受信フィルタの通過帯域近傍で用いられる通信バンドが表されている。
　図８Ａに示すように、受信フィルタＢ４０の通過帯域の高域側には、２ＧＷｉＦｉの通信バンドが隣接する。したがって、受信フィルタＢ４０の通過帯域と２ＧＷｉＦｉの通信バンドとの重複を避けるために、受信フィルタＢ４０の通過帯域の高域側には急峻性が要求される。受信フィルタＢ４０として弾性表面波フィルタが用いられる場合には、ラダー回路の段数が多くなって共振子の数が増えるため、弾性表面波フィルタの面積が比較的大きくなる。
　一方、図８Ｂに示すように、受信フィルタＢ１の通過帯域は、受信フィルタＢ４０の通過帯域よりも低域側であり、受信フィルタＢ４０の通過帯域と隣り合う各通信バンド（Ｂ１Ｔｘ及び２ＧＷｉＦｉ）との間に余裕がある。この場合、受信フィルタＢ１のラダー回路の段数は、受信フィルタＢ４０のラダー回路の段数よりも少なくてもよく、受信フィルタＢ１の面積を比較的小さくできる。
　なお、受信フィルタのサイズに影響を与える要因は、受信フィルタの通過帯域と隣り合う通信バンドとの間の近さに限定されない。例えば、耐電力の要求性能が高い場合には、電力密度を下げるために受信フィルタのサイズが大きくなる場合もある。
　なお、上記の受信フィルタ６１～６３は、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ　Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、及び誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。
　整合回路４１は、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１との間の受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１とのインピーダンス整合をとる。整合回路４２は、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６２との間の受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６２とのインピーダンス整合をとる。整合回路４３は、受信低雑音増幅器２３と受信フィルタ６３との間の受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２３と受信フィルタ６３とのインピーダンス整合をとる。これらの整合回路４１～４３の各々は、インダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含む。
　スイッチ５１は、共通端子３１と受信フィルタ６１～６３とを結ぶ信号経路に配置され、共通端子３１と受信低雑音増幅器２１～２３の各々との導通及び非導通を切り替える。より具体的には、スイッチ５１は、（１）共通端子３１と受信フィルタ６１との接続、（２）共通端子３１と受信フィルタ６２及び６３との接続、及び、（３）共通端子３１と他の受信フィルタ（図示せず）との接続、を切り替える。なお、スイッチ５１は、上記（１）～（３）のうちのいずれかの接続のみを行うスイッチ回路で構成されてもよく、また、上記（１）～（３）のうちの２以上の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成されてもよい。
　整合回路７１は、スイッチ５１と受信フィルタ６１とを結ぶ経路に配置され、アンテナ素子２及びスイッチ５１と、受信フィルタ６１とのインピーダンス整合をとる。整合回路７２は、スイッチ５１と受信フィルタ６２及び６３とを結ぶ経路に配置され、アンテナ素子２及びスイッチ５１と、受信フィルタ６２及び６３とのインピーダンス整合をとる。これらの整合回路７１及び７２の各々は、インダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含む。
　制御回路１１は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、スイッチ５１の接続を制御する。具体的には、制御回路１１は、制御信号（図示せず）によって、スイッチ５１の接続を切り替える。なお、制御回路１１は、高周波モジュール１の外部に設けられていてもよく、例えば、ＲＦＩＣ３又はＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
　上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、通信バンドＡの通信バンドの高周波信号の受信と、通信バンドＢ及び通信バンドＣの通信バンドの高周波信号の同時受信とを、切り替えることが可能である。
　［２．２　高周波モジュール１内の回路素子の配置構成］
　次に、高周波モジュール１を構成する回路素子の配置構成について図９Ａ、図９Ｂ及び図１０を参照しながら説明する。図９Ａは、実施の形態２に係る高周波モジュール１の平面図である。図９Ｂは、実施の形態２に係る高周波モジュール１の下面図である。また、図１０は、実施の形態２に係る高周波モジュール１の断面図である。具体的には、図１０は、図９Ａ及び図９ＢのＩＸ－ＩＸ切断線における高周波モジュール１の断面図である。なお、図９Ａ及び図９Ｂでは、樹脂部材９７及び９８が無い状態で高周波モジュール１が表されている。
　図９Ａ、図９Ｂ及び図１０に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、図７に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、積層部品９４と、半導体ＩＣ９５と、複数の柱状電極９６と、樹脂部材９７及び９８と、他の回路素子（符号なし）を有している。
　モジュール基板９１は、第１配線基板の一例であり、親基板とも呼ばれる。モジュール基板９１は、互いに対向する主面９２（第１主面の一例）及び主面９３（第４主面の一例）を有し、上記受信回路を実装する基板である。主面９２及び９３は、それぞれ、第１主面及び第４主面の一例である。モジュール基板９１としては、例えば、ＬＴＣＣ基板、又は、プリント基板等が用いられる。
　積層部品９４は、受信フィルタ６２及び６３で構成されている。積層部品９４は、モジュール基板９１の主面９２に実装されている。積層部品９４の詳細については図面を用いて後述する。
　半導体ＩＣ９５は、制御回路１１、受信低雑音増幅器２１～２３及びスイッチ５１で構成される集積回路である。半導体ＩＣ９５は、モジュール基板９１の主面９３に実装されている。
　複数の柱状電極９６の各々は、モジュール基板９１の主面９３から延びている。複数の柱状電極９６の各々は、樹脂部材９８を貫通しており、その一端が樹脂部材９８から露出している。なお、複数の柱状電極９６は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
　高周波モジュール１は、高周波モジュール１のＺ軸負方向側に配置される実装基板と、複数の柱状電極９６を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の柱状電極９６のいくつかは、実装基板のグランド電位に設定される。
　樹脂部材９７は、モジュール基板９１の主面９２に配置され、上記受信回路の一部、及びモジュール基板９１の主面９２を覆っている。樹脂部材９７は、上記受信回路を構成する回路素子の機械強度及び耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材９８は、モジュール基板９１の主面９３に配置され、上記受信回路の一部、及びモジュール基板９１の主面９３を覆っている。樹脂部材９８は、上記受信回路を構成する回路素子の機械強度及び耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９７及び９８は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
　図９Ａ、図９Ｂ及び図１０に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、受信フィルタ６１と、受信フィルタ６２及び６３を含む積層部品９４と、整合回路４１、４２、４３、７１及び７２と、他の回路素子（符号なし）とは、モジュール基板９１の主面９２に表面実装されている。一方、制御回路１１、受信低雑音増幅器２１～２３及びスイッチ５１を含む半導体ＩＣ９５は、モジュール基板９１の主面９３に表面実装されている。
　［２．３　積層部品９４内の回路素子の配置構成］
　ここで、モジュール基板９１の主面９２に実装された積層部品９４を構成する回路素子の配置構成について図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１２を参照しながら説明する。図１１Ａは、実施の形態２に係る積層部品９４の平面図である。図１１Ｂは、実施の形態２に係る積層部品９４の下面図である。図１２は、実施の形態２に係る積層部品９４の断面図である。具体的には、図１２は、図１１Ａ及び図１１ＢのＸＩ－ＸＩ切断線における積層部品９４の断面図である。なお、図１１Ａ及び図１１Ｂでは、樹脂部材９４６ａ及び９４６ｂが無い状態で高周波モジュール１が表されている。
　図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１２に示すように、積層部品９４は、配線基板９４１と、受信フィルタ６２及び６３と、複数の柱状電極９４４と、樹脂部材９４６ａ及び９４６ｂと、を備える。
　配線基板９４１は、第２配線基板の一例であり、子基板とも呼ばれる。配線基板９４１としては、例えば、ＬＴＣＣ基板、又は、プリント基板等が用いられる。
　また、配線基板９４１は、主面と平行な互いに異なる平面に形成された、第１平面配線パターン９４１ａ、第２平面配線パターン９４１ｂ及び平面グランドパターン９４１ｃを有する。第１平面配線パターン９４１ａは、受信フィルタ６２のための配線パターンであり、主面９４２側に配置されている。第２平面配線パターン９４１ｂは、受信フィルタ６３のための配線パターンであり、主面９４３側に配置されている。平面グランドパターン９４１ｃは、グランド電位に設定されており、Ｚ方向において第１平面配線パターン９４１ａ及び第２平面配線パターン９４１ｂの間に配置されている。
　受信フィルタ６２及び６３は、それぞれ、第２部品及び第３部品の一例であり、上部品及び下部品とも呼ばれる。受信フィルタ６２は、配線基板９４１の主面９４２に実装されており、受信フィルタ６３は、主面９４２に対向する主面９４３に実装されている。図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、配線基板９４１を平面視した場合に、受信フィルタ６２の領域は、受信フィルタ６３の領域よりも大きい。
　図１２に示すように、受信フィルタ６２及び６３は、配線基板９４１をＺ方向に貫通するビア導体９４５で接続されている。このビア導体９４５は、図７の回路構成において受信フィルタ６２及び６３を束ねる配線６４に対応する。
　複数の柱状電極９４４の各々は、配線基板９４１の主面９４３からモジュール基板９１の主面９２に向かって延びている。複数の柱状電極９４４の各々は、樹脂部材９４６ｂを貫通しており、その先端が樹脂部材９４６ｂから露出している。複数の柱状電極９４４は、受信フィルタ６３を囲むように、配線基板９４１の端縁に沿って配列されている。なお、複数の柱状電極９４４は、本発明に係る回路モジュールに必須の構成要素ではない。
　積層部品９４は、複数の柱状電極９４４を経由して、モジュール基板９１及びモジュール基板９１に実装された回路素子と電気信号のやりとりを行う。
　樹脂部材９４６ａは、配線基板９４１の主面９４２及び受信フィルタ６２を覆っている。また、樹脂部材９４６ｂは、配線基板９４１の主面９４３及び受信フィルタ６３を覆っている。つまり、積層部品９４は、樹脂部材９４６ａ及び９４６ｂでモールドされている。樹脂部材９４６ａ及び９４６ｂは、積層部品９４の機械強度及び耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。また、樹脂部材９４６ａ及び９４６ｂは、積層部品９４の一体性及びハンドリング性を向上させている。なお、樹脂部材９４６ａ及び９４６ｂの材料は、樹脂部材９７及び９８の材料と同一であってもよいし、異なってもよい。
　［２．４　効果等］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、積層部品９４の配線基板９４１の主面９４２及び９４３の各々に弾性波フィルタを実装することができる。そして、第１周波数帯域及び第２周波数帯域の高周波信号を同時に送信又は受信するＣＡが適用される場合に、主面９４２に実装された弾性波フィルタの通過帯域は、第１周波数帯域に対応し、主面９４３に実装された弾性波フィルタの通過帯域は、第２周波数帯域に対応することができる。これにより、ＣＡに係る２つの弾性波フィルタを、配線基板９４１を挟んで近接して配置することができる。例えば２つの弾性波フィルタをビア導体９４５で束ねることで、２つの弾性波フィルタ間の配線を短くすることができる。その結果、配線ロス及び配線によるマッチング誤差を低減することができ、高周波モジュール１は良好な特性を得ることができる。
　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明の実施の形態に係る回路モジュール及び通信装置について、実施の形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明に係る回路モジュール及び通信装置は、上記実施の形態及びその変形例に限定されるものではない。上記実施の形態及びその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態及びその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記回路モジュール及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態及びその変形例に係る回路モジュール、高周波モジュール及び通信装置において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されていてもよい。
　なお、上記各実施の形態及びその変形例において、積層部品に含まれる配線基板は、第１平面配線パターン、第２平面配線パターン及び平面グランドパターンからなる三層構造の平面パターンを有していたが、これに限定されない。例えば、配線基板は、さらに平面配線パターン及び／又は平面グランドパターンを含んでもよいし、平面グランドパターンを含まなくてもよい。
　なお、上記各実施の形態において、積層部品の配線基板を平面視した場合に、上部品の領域は、下部品の領域よりも大きいが、これに限定されない。例えば、上部品の領域は、下部品の領域よりも小さくてもよい。また例えば、上部品の領域のサイズは、下部品の領域のサイズと等しくてもよい。
　なお、上記実施の形態２では、高周波モジュール（回路モジュール）の一例として受信回路を説明したが、高周波モジュールは送信回路であってもよい。また、高周波モジュールは、送受信回路であってもよい。
　本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールに利用することができ、当該高周波モジュールを備える携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１　　高周波モジュール
　２　　アンテナ素子
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１１　　制御回路
　２１、２２、２３　　受信低雑音増幅器
　３１　　共通端子
　４１、４２、４３、７１、７２　　整合回路
　５１　　スイッチ
　６１、６２、６３　　受信フィルタ
　６４　　配線
　８１、８２、８３　　受信出力端子
　９１　　モジュール基板
　９２、９３、１１１、１１２、１３２、１３３、９４２、９４３　　主面
　９４、１３０、１３０Ａ　　積層部品
　９５　　半導体ＩＣ
　９６、１３６、１７０、９４４　　柱状電極
　９７、９８、１３７ａ、１３７ｂ、１４０、１６０、９４６ａ、９４６ｂ　　樹脂部材
　１００、１００Ａ　　回路モジュール
　１１０、１３１、９４１　　配線基板
　１２０、１３４、１３４ａ、１３４ｂ、１３５、１３５ａ、１３５ｂ、１５０　　部品
　１３１ａ、９４１ａ　　第１平面配線パターン
　１３１ｂ、９４１ｂ　　第２平面配線パターン
　１３１ｃ、９４１ｃ　　平面グランドパターン
　９４５　　ビア導体

Claims (9)

  1. 　第１主面を有する第１配線基板と、
    　前記第１主面に実装された複数の第１部品と、を備え、
    　前記複数の第１部品は、樹脂部材によりモールドされることで１チップ化された積層部品を含み、
    　前記積層部品は、
    　互いに対向する第２主面及び第３主面を有する第２配線基板と、
    　前記第２主面に実装された１以上の第２部品と、
    　前記第３主面に実装された１以上の第３部品と、を有する、
    　回路モジュール。
  2. 　前記第１配線基板は、前記第１主面に対向する第４主面を有し、
    　前記回路モジュールは、さらに、前記第４主面に実装された第４部品を備える、
    　請求項１に記載の回路モジュール。
  3. 　前記第４主面及び前記第４部品の少なくとも一部は、樹脂部材によりモールドされており、
    　前記回路モジュールは、さらに、前記第４主面から前記樹脂部材を貫通する柱状電極を備える、
    　請求項１又は２に記載の回路モジュール。
  4. 　前記１以上の第２部品は、第１弾性波フィルタを含み、
    　前記１以上の第３部品は、第２弾性波フィルタを含む、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  5. 　前記回路モジュールは、第１周波数帯域及び第２周波数帯域の高周波信号を、同時に送信、同時に受信、又は同時に送受信するキャリアアグリゲーションに用いられ、
    　前記第１弾性波フィルタの通過帯域は、前記第１周波数帯域に対応し、
    　前記第２弾性波フィルタの通過帯域は、前記第２周波数帯域に対応する、
    　請求項４に記載の回路モジュール。
  6. 　前記第２配線基板は、前記第２主面側に配置された第１平面配線パターンと、前記第３主面側に配置された第２平面配線パターンと、前記第１平面配線パターン及び前記第２平面配線パターンの間に配置され、グランド電位に設定される平面グランドパターンと、を有する、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  7. 　前記第２配線基板の前記第３主面は、前記第１配線基板の前記第１主面に対向しており、
    　前記積層部品は、さらに、前記第３主面から前記第１主面に延びる柱状電極を備え、
    　前記第２配線基板を平面視した場合に、前記１以上の第２部品の領域は、前記１以上の第３部品の領域よりも大きい、
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  8. 　前記１以上の第２部品は、複数の第２部品を含み、
    　前記１以上の第３部品は、複数の第３部品を含む、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  9. 　アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項１～８のいずれか１項に記載の回路モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022024641A1 (ja) * 2020-07-28 2022-02-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022034715A1 (ja) * 2020-08-13 2022-02-17 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022065015A1 (ja) * 2020-09-25 2022-03-31 株式会社村田製作所 半導体集積回路及び高周波モジュール
WO2022080360A1 (ja) * 2020-10-16 2022-04-21 株式会社村田製作所 電子部品モジュール、サブモジュールおよびその製造方法
WO2023047957A1 (ja) * 2021-09-27 2023-03-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール、及び、通信装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4333565A1 (en) * 2022-09-01 2024-03-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component with reduced stress

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127588A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Tdk Corp 弾性表面波分波器
JP2002344146A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Tdk Corp 高周波モジュールとその製造方法
JP2007134795A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Sony Corp 送受信チップパッケージとその実装方法及び製造方法、並びに、送受信チップパッケージを用いた送受信モジュール及び送受信デュプレクサパッケージ
WO2014188760A1 (ja) * 2013-05-21 2014-11-27 株式会社村田製作所 モジュール
JP2015002245A (ja) * 2013-06-14 2015-01-05 株式会社デンソー モールドパッケージを備えた電子装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115561A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Sony Corp 集積型電子部品、電子部品装置及びその製造方法
JP4066770B2 (ja) 2002-10-10 2008-03-26 エプソントヨコム株式会社 圧電発振器
JP4288529B2 (ja) * 2004-06-30 2009-07-01 日立金属株式会社 高周波部品及びマルチバンド通信装置
CN101371352B (zh) * 2006-02-14 2010-11-10 株式会社村田制作所 多层陶瓷电子部件和多层陶瓷基片以及多层陶瓷电子部件的制造方法
JP5154162B2 (ja) * 2007-08-02 2013-02-27 ソニー株式会社 半導体モジュールの製造方法
JP5506201B2 (ja) 2009-01-29 2014-05-28 日本電波工業株式会社 水晶発振器を備えた電子カード
WO2012118111A1 (ja) * 2011-03-03 2012-09-07 株式会社村田製作所 基板、デュプレクサ及び基板モジュール
CN104471707B (zh) 2012-07-26 2017-07-04 株式会社村田制作所 半导体模块
JP5842859B2 (ja) * 2013-04-15 2016-01-13 株式会社村田製作所 多層配線基板およびこれを備えるモジュール
JP5422078B1 (ja) * 2013-08-30 2014-02-19 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
US20160099192A1 (en) 2014-07-31 2016-04-07 Skyworks Solutions, Inc. Dual-sided radio-frequency package having ball grid array
WO2017073509A1 (ja) * 2015-10-26 2017-05-04 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
CN108476016B (zh) * 2015-12-25 2021-09-24 株式会社村田制作所 高频模块
US10453802B2 (en) * 2017-08-30 2019-10-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structure, semiconductor device and method for manufacturing the same
US11462455B2 (en) * 2018-06-22 2022-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127588A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Tdk Corp 弾性表面波分波器
JP2002344146A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Tdk Corp 高周波モジュールとその製造方法
JP2007134795A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Sony Corp 送受信チップパッケージとその実装方法及び製造方法、並びに、送受信チップパッケージを用いた送受信モジュール及び送受信デュプレクサパッケージ
WO2014188760A1 (ja) * 2013-05-21 2014-11-27 株式会社村田製作所 モジュール
JP2015002245A (ja) * 2013-06-14 2015-01-05 株式会社デンソー モールドパッケージを備えた電子装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022024641A1 (ja) * 2020-07-28 2022-02-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022034715A1 (ja) * 2020-08-13 2022-02-17 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022065015A1 (ja) * 2020-09-25 2022-03-31 株式会社村田製作所 半導体集積回路及び高周波モジュール
WO2022080360A1 (ja) * 2020-10-16 2022-04-21 株式会社村田製作所 電子部品モジュール、サブモジュールおよびその製造方法
WO2023047957A1 (ja) * 2021-09-27 2023-03-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール、及び、通信装置

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