WO2018180181A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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chamber
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liquid
processing
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正幸 尾辻
高橋　光和
本庄　一大
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株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate.
  • substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field-Emission-Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo Mask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates and the like are included.
  • Patent Document 1 discloses a process of supplying a film forming treatment liquid containing a volatile component to the main surface of the substrate, and evaporating the volatile component to solidify or cure the film forming processing liquid on the main surface of the substrate.
  • a substrate cleaning system that performs a step of forming a film and a step of removing the film on the main surface of the substrate with a removing liquid is disclosed.
  • Volume shrinkage occurs when the film-forming treatment liquid is solidified or cured, and volume expansion occurs due to film swelling when the removal liquid is supplied.
  • a tensile force acts on the particles on the substrate, and the particles are separated from the substrate main surface (including the surface of the pattern). Thereby, particles on the main surface of the substrate can be removed.
  • FIG. 14 of Patent Document 1 shows a substrate cleaning apparatus including a first processing unit, a second processing unit, and a third processing unit.
  • the substrate taken out from the carrier is carried into the first processing unit by the substrate transfer device.
  • the first processing unit supplies a topcoat liquid as a film forming processing liquid to the substrate.
  • the substrate supplied with the topcoat liquid is taken out from the first processing unit by the substrate transfer device and is carried into the third processing unit.
  • a 3rd process part heats a board
  • the substrate on which the top coat film is formed is taken out from the third processing unit by the substrate transfer device and is carried into the second processing unit.
  • the second processing unit removes the topcoat film by supplying an alkaline developer as a remover to the substrate. Thereafter, the substrate is cleaned in the second processing unit, and the substrate after the cleaning is taken out from the second processing unit by the substrate transfer apparatus.
  • the substrate after the processing is accommodated in a carrier.
  • the same substrate transport apparatus carries an unprocessed substrate into the first processing unit, and transports the substrate coated with the film-forming treatment liquid from the first processing unit to the third processing unit.
  • the substrate on which the film is formed by the heat treatment in the third processing unit is transferred from the third processing unit to the second processing unit, and the substrate that has been processed in the second processing unit is further transferred from the second processing unit. I am carrying it out.
  • the film-forming treatment liquid may adhere to the substrate transport apparatus.
  • the adhering processing liquid is then transferred to another substrate held by the substrate transfer apparatus and contaminates the substrate.
  • the transfer of the processing liquid to the substrate after processing impairs the quality of the substrate processing.
  • the atmosphere of the film-forming treatment liquid drifts in the space where the substrate is transferred by the substrate transfer device, there is a possibility that the substrate may be adversely affected by the atmosphere.
  • one object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which the influence of processing for forming a solidified film on the substrate surface is suppressed from affecting other substrates.
  • a processing liquid is supplied to the surface of a substrate in a processing chamber to form a processing liquid film on the surface of the substrate, and the processing liquid film is solidified in a solidification chamber.
  • a solidification unit that forms a solidified film on the surface of the substrate a removal processing unit that supplies a removal liquid for removing the solidified film in the removal chamber to the surface of the substrate, a substrate that is carried into the processing chamber, and the removal chamber
  • a substrate processing apparatus including a main transfer unit for unloading a substrate from the substrate and a local transfer unit for unloading the substrate from the processing chamber and loading the substrate into the solidification chamber.
  • the substrate is carried into the solidification chamber by the local transfer unit. Therefore, since the main transport unit can be prevented from being contaminated by the processing liquid, the transfer of the processing liquid to another substrate can be suppressed or prevented. Moreover, since the atmosphere of the processing liquid can be suppressed or prevented from drifting in the space where the substrate is transferred by the main transfer unit, adverse effects on the substrate due to the atmosphere of the processing liquid can be avoided. Thus, the substrate processing quality can be improved. In addition, the substrate that has been processed in the processing chamber can be quickly transferred to the solidification chamber regardless of the operating state of the main transfer unit.
  • This substrate processing apparatus may be used for a cleaning process for removing foreign substances on the surface of the substrate.
  • Volume shrinkage occurs when the treatment liquid film solidifies on the surface of the substrate. Further, when a removing liquid is supplied to remove the solidified film formed on the surface of the substrate, the solidified film swells and volume expansion occurs. During the volume shrinkage and expansion, a tensile force acts on the foreign matter (particles or the like) on the substrate surface, whereby the foreign matter on the substrate surface can be peeled off. The peeled foreign matter can be removed out of the substrate together with the solidified film.
  • the solidification unit includes a heating unit for heating the substrate.
  • substrate can be heated and solidified.
  • the solidification unit may include a substrate holding unit that holds a substrate and the heating unit that heats the substrate held by the substrate holding unit.
  • the solidification unit may include a decompression unit that depressurizes the solidification chamber to a pressure lower than atmospheric pressure.
  • the solidification unit may include a ventilation unit for ventilating the solidification chamber.
  • the ventilation unit may include a low-humidity gas supply unit that supplies low-humidity gas (for example, inert gas) into the solidification chamber.
  • the main transport unit is disposed in a main transport chamber, and the local transport unit is disposed in a local transport chamber separated from the main transport chamber. Accordingly, since the atmosphere of the processing liquid can be more reliably suppressed or prevented from drifting in the main transfer chamber, the substrate transferred by the main transfer unit can be suppressed or prevented from being affected by the atmosphere of the processing liquid.
  • the local transfer unit further unloads the substrate from the solidification chamber and loads the substrate into the removal chamber.
  • the substrate transfer device since the substrate is heated in the third processing unit, the substrate transfer device holds the heated substrate, and thus heat may be accumulated in the substrate transfer device. The accumulated heat is transferred to the substrate transported by the substrate transport apparatus, which may adversely affect the substrate.
  • the local transport unit transports a substrate from the processing chamber and transports the substrate into the solidification chamber, and unloads the substrate from the solidification chamber to the removal chamber. And a second transfer arm for loading the substrate.
  • the substrate on which the processing liquid film is formed is transported by the first transport arm, and the substrate on which the solidified film is formed is transported by the second transport arm. Therefore, even if the processing liquid adheres to the first transfer arm, it is possible to suppress or prevent the processing liquid from transferring to the substrate after the solidification processing.
  • the second transfer arm is preferably disposed above the first transfer arm, whereby the processing liquid on the substrate held by the first transfer arm can be suppressed or prevented from adhering to the second transfer arm.
  • the liquid processing unit includes a substrate holding unit that holds the substrate horizontally and a processing liquid discharge unit that discharges the processing liquid to the substrate held by the substrate holding unit.
  • the processing liquid can be spread on the horizontally held substrate and a processing liquid film covering the surface of the substrate can be formed.
  • the processing chamber and the removal chamber are the same chamber. That is, the treatment liquid and the removal chamber may be separate chambers or the same chamber.
  • the local transfer unit has a transfer arm that holds a substrate and passes through a local transfer chamber, the substrate processing apparatus is provided in the local transfer chamber, and the transfer arm is It further includes an arm cleaning nozzle that discharges the cleaning liquid to be cleaned.
  • This configuration allows the transfer arm of the local transfer unit to be cleaned, so that the transfer arm can be kept clean. Thereby, it is possible to avoid accumulation of contamination of the processing liquid on the transfer arm, and it is possible to transfer the substrate while suppressing contamination by the processing liquid. In addition, since the cleaning of the transfer arm is performed in the local transfer chamber, it is possible to suppress or prevent the influence of the cleaning liquid or the processing liquid on the substrate transferred by the main transfer unit.
  • the local transfer chamber includes a bottom portion that receives the cleaning liquid and a drainage unit that drains the cleaning liquid received in the bottom portion.
  • the local transport unit has a transport arm for holding a substrate, and the substrate processing apparatus is provided in the transport arm and discharges a cleaning liquid for cleaning the transport arm. And an arm cleaning nozzle.
  • the transfer arm can be reliably cleaned by discharging the cleaning liquid from the arm cleaning nozzle provided in the transfer arm. Accordingly, it is possible to avoid accumulation of contamination of the processing liquid on the transfer arm, and it is possible to transfer the substrate while suppressing contamination by the processing liquid. Further, it is possible to suppress or prevent the influence of the cleaning liquid or the processing liquid on the substrate transported by the main transport unit.
  • the local transfer unit has a transfer arm that holds the substrate and passes through the local transfer chamber, and the substrate processing apparatus is provided adjacent to the local transfer chamber.
  • a unit a unit.
  • the transfer arm can be cleaned in the arm cleaning chamber when the local transfer unit is not transferring the substrate. Since the arm cleaning nozzle is disposed in the arm cleaning chamber, the transfer arm can be cleaned while suppressing the cleaning liquid from entering the local transfer chamber. Thereby, the influence of the cleaning liquid on the substrate can be suppressed. In addition, by reducing the pressure of the arm cleaning chamber, the transfer arm after being cleaned with the cleaning liquid can be quickly dried.
  • the removal processing unit includes a substrate holding unit that horizontally holds the substrate in the removal chamber, a removal liquid discharge unit that discharges the removal liquid to the substrate held by the substrate holding unit, including.
  • a processing liquid film is formed on a surface of a substrate by supplying a processing liquid to the surface of the substrate to form a processing liquid film on the surface of the substrate, and after the processing liquid film forming step, the substrate
  • the solidified film forming step of solidifying the processing liquid film in the solidification chamber to form a solidified film on the surface of the substrate
  • the solidified film forming step A second local transfer step of transferring the substrate to the removal chamber, a removal treatment step of supplying a removal liquid for removing the solidified film to the surface of the substrate in the removal chamber, and a main transfer unit to the treatment chamber.
  • the solidified film forming step includes a heating step of heating the substrate by a heating unit.
  • the substrate is transferred through a main transfer chamber in the main transfer step, and the substrate is passed through a local transfer chamber separated from the main transfer chamber in the first local transfer step. Be transported.
  • the first local transport step and the second local transport step are executed by a common local transport unit.
  • the first local transport step is performed by the first transport arm of the local transport unit
  • the second local transport step is performed by the second transport arm of the local transport unit
  • the method according to an embodiment of the present invention further includes an arm cleaning step of supplying a cleaning liquid to the transfer arm of the local transfer unit.
  • the processing chamber and the removal chamber are a common chamber.
  • a cleaning step of cleaning the substrate is performed before the processing liquid film forming step.
  • FIG. 1A is a plan view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a schematic elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a liquid processing unit provided in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the solidification unit provided in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration example of a local transfer robot provided in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 5A is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5B is a schematic elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 6A is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6B is an illustrative elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 7 is an illustrative elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, and shows the configuration of one side of the main transfer chamber.
  • FIG. 8 is an illustrative plan view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention, and shows a configuration example of a solidification unit.
  • FIG. 10 is a view for explaining a seventh embodiment of the present invention, and shows a configuration of a hand washing unit for washing the hand of the local transfer robot.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the eighth embodiment of the present invention, and is a sectional view schematically showing still another configuration example of the solidification unit.
  • FIG. 1A is a plan view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is an elevation view thereof.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a carrier holding unit 2, an indexer robot IR, a plurality of liquid processing units M11 to M14 and M21 to M24 (collectively referred to as “liquid processing unit M”), and a plurality of solidification units D11 to D11. D14, D21 to D24 (referred to collectively as “solidification unit D”), main transfer robot CR, and local transfer robots LR11 to LR14, LR21 to LR24 (referred to collectively as “local transfer robot LR”).
  • the main transfer robot CR is an example of a main transfer unit
  • the local transfer robot LR is an example of a local transfer unit.
  • the carrier holding unit 2 holds a carrier 3 that is a substrate container for holding a plurality of substrates W in a stacked state.
  • the carrier holding unit 2 is configured to hold a plurality of carriers 3.
  • the indexer robot IR accesses the carrier 3 held by the carrier holding unit 2 to take in and out the substrate W, and transfers the substrate W to and from the main transfer robot CR.
  • the plurality of liquid processing units M and the plurality of solidification units D are three-dimensionally arranged so as to form a multilayer structure (a two-layer structure in this embodiment).
  • the main transfer robot CR is disposed in the main transfer chamber 5 that extends linearly from the carrier holding portion 2 in a plan view, and is disposed on both sides of the main transfer chamber 5.
  • Two stacked unit groups G 1, G 2; G 3, G 4 are arranged along the main transfer chamber 5.
  • four stacked unit groups G1 to G4 are arranged around the main transfer robot CR.
  • liquid processing units M11 to M14 and M21 to M24 are arranged in the first layer S1 and the second layer S2 of the substrate processing apparatus 1, respectively, and the substrate processing apparatus 1 has a total of eight liquid processing units M. It has.
  • first layer S ⁇ b> two liquid processing units M ⁇ b> 11 and M ⁇ b> 12; M ⁇ b> 13 and M ⁇ b> 14 are arranged along the main transfer chamber 5 on both sides of the main transfer chamber 5.
  • Four solidification units D11 to D14 are respectively disposed on the four liquid processing units M11 to M14.
  • two liquid processing units M21, M22; M23, M24 are arranged along the main transfer chamber 5 on each side of the main transfer chamber 5.
  • Four solidification units D21 to D24 are arranged on the four liquid processing units M21 to M24, respectively.
  • One liquid processing unit M and a solidification unit D disposed thereon form a corresponding pair.
  • the laminated unit group G1 is configured by laminating a liquid processing unit M11, a solidification unit D11, a liquid treatment unit M21, and a solidification unit D21 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G2 is configured by stacking a liquid processing unit M12, a solidification unit D12, a liquid processing unit M22, and a solidification unit D22 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G3 is configured by stacking a liquid processing unit M13, a solidification unit D13, a liquid processing unit M23, and a solidification unit D23 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G4 is configured by stacking a liquid processing unit M14, a solidifying unit D14, a liquid processing unit M24, and a solidifying unit D24 in order from the bottom.
  • the main transfer robot CR can access a total of eight liquid processing units M and deliver the substrate W, and can deliver the substrate W to and from the indexer robot IR.
  • the main transfer robot CR may be configured to access a total of eight solidification units D and take out the substrate W.
  • four local transfer robots LR are provided in the first layer S1, and four local transfer robots LR are provided in the second layer S2. More specifically, in the plan view, two local transfer robots LR11, LR12; LR13, LR14 are arranged on each side of the main transfer chamber 5 in the first layer S1. More specifically, on one side of the main transfer chamber 5, in the first layer S1, one local transfer robot LR11 is disposed between the carrier holding unit 2 and the liquid processing unit M11, and the carrier holding unit Another local transfer robot LR12 is arranged at an end portion far from 2. The arrangement of the two local transfer robots LR13 and LR14 on the other side of the main transfer chamber 5 is the same.
  • the four local transfer robots LR21, LR22; LR23, LR24 in the second layer S2 are also arranged in the same manner.
  • the local transfer robots LR11 to LR14 and LR21 to LR24 are arranged in local transfer chambers C11 to C14, C21 to C24 (collectively referred to as “local transfer chamber C”), respectively.
  • the local transfer chamber C forms a transfer space partitioned so as to be separated (separated) from the main transfer chamber 5.
  • one local transfer robot LR is provided for each pair of liquid processing unit M and solidification unit D.
  • the local transfer robot LR takes out the substrate W after being processed by the liquid processing unit M from the liquid processing unit M and transfers it to the corresponding solidification unit D.
  • the operation examples of the indexer robot IR, the main transfer robot CR, and the local transfer robot LR are outlined as follows.
  • the indexer robot IR takes out an unprocessed substrate W from one of the carriers 3 and passes it to the main transfer robot CR.
  • the main transfer robot CR carries the substrate W received from the indexer robot IR into one of the liquid processing units M.
  • the liquid processing unit M performs a process on the loaded substrate W. Specifically, the liquid processing unit M performs a pre-cleaning process on the substrate surface, then supplies a processing liquid for film formation to the substrate W, and forms a liquid film of the processing liquid on the surface of the substrate W. To do.
  • the substrate W processed by the liquid processing unit M that is, the substrate W having a processing liquid film formed on the surface thereof is unloaded by the local transfer robot LR and transferred to the solidification unit D arranged immediately above it.
  • the solidification unit D solidifies the treatment liquid film on the surface of the loaded substrate W to form a solidified film on the surface of the substrate W.
  • the solidified substrate W is transported to the liquid processing unit M by the local transport robot LR.
  • the liquid processing unit M supplies the removal liquid to the substrate W, removes the solidified film on the surface of the substrate W (removal process), and further performs a post-cleaning process.
  • the substrate W is unloaded from the liquid processing unit M by the main transfer robot CR.
  • the main transfer robot CR passes the substrate W to the indexer robot IR.
  • the indexer robot IR stores the transferred substrate W in one of the carriers 3.
  • the substrate W after processing by the solidification unit D may be transferred by the main transfer robot CR. That is, the main transfer robot CR may carry the substrate W after the processing by the solidification unit D out of the solidification unit D and carry it into any liquid processing unit M for removal processing.
  • the liquid processing unit M that supplies the processing liquid for film formation to the substrate W and the liquid processing unit M that executes the removal process may be different liquid processing units.
  • the indexer robot IR may operate so as to pass the unprocessed substrate W to the main transport robot CR and receive the processed substrate W from the main transport robot CR immediately before, immediately after, or simultaneously with it.
  • the main transport robot CR may operate to receive an unprocessed substrate W from the indexer robot IR and to pass the processed substrate W to the indexer robot IR immediately before, immediately after, or at the same time.
  • the main transfer robot CR carries the unprocessed substrate W into the liquid processing unit M, and immediately after or immediately before the processed substrate W (substrate W after the post-cleaning process) is unloaded from the liquid processing unit M. It may work.
  • one solidification unit D is associated with one liquid processing unit M. And the liquid processing unit M and the solidification unit D are laminated
  • the local transport robot LR unloads the substrate W processed by the liquid processing unit M from the liquid processing unit M, transports it to the solidification unit D corresponding to the liquid processing unit M, and loads it into the solidification unit D. Specifically, the local transport robot LR transports the substrate W taken out from the liquid processing unit M in the vertical direction (more specifically, upward).
  • the local transport robot LR carries the substrate W processed by the solidification unit D out of the solidification unit D, transports it to the liquid processing unit M corresponding to the solidification unit D, and carries it into the liquid processing unit M. . Specifically, the local transport robot LR transports the substrate W taken out from the solidification unit D in the vertical direction (more specifically, downward).
  • the main transfer robot CR carries the unprocessed substrate W into the liquid processing unit M and unloads the processed substrate W from the liquid processing unit M.
  • the liquid processing unit M also has a function as a removal processing unit.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the liquid processing unit M.
  • the liquid processing unit M includes a processing chamber 11.
  • the processing chamber 11 is an example of a processing chamber that forms a processing liquid film on the surface of the substrate W, and is also an example of a removal chamber that removes a solidified film on the surface of the substrate W.
  • a spin chuck 12 as a substrate holding unit that can hold and rotate the substrate W horizontally, a cup 13 that surrounds the spin chuck 12, a chemical nozzle 14, and a film formation as a processing liquid discharge unit.
  • a treatment liquid nozzle 15, a removal liquid nozzle 16 as a removal liquid discharge unit, a rinse nozzle 29, and a blocking plate 19 are provided.
  • the spin chuck 12 is rotated around a vertical rotation axis 18 by a motor 17 which is an example of a substrate rotation unit.
  • a chemical solution pipe 21 is coupled to the chemical solution nozzle 14.
  • a chemical liquid valve 22 for opening and closing the chemical liquid passage is interposed.
  • the chemical solution is supplied from the chemical solution supply source 23 to the chemical solution pipe 21.
  • chemicals include HF (hydrofluoric acid), SC1 (ammonia hydrogen peroxide solution), SC2 (hydrochloric acid hydrogen peroxide solution), SPM (sulfuric acid hydrogen peroxide solution), phosphoric acid, hydrofluoric acid, FPM (hydrofluoric acid hydrogen peroxide solution). Hydrogen oxide water), FOM (hydrofluoric acid ozone water), AOM (ammonia ozone water) and the like can be mentioned.
  • the chemical nozzle 14 may be a moving nozzle that can move above the substrate W held by the spin chuck 12. 2 is provided separately from the blocking plate 19, the chemical nozzle may be incorporated in the blocking plate 19.
  • the film formation treatment liquid nozzle 26 is coupled to the film formation treatment liquid nozzle 15.
  • a film forming process liquid valve 27 for opening and closing the film forming process liquid passage is interposed in the middle of the film forming process liquid pipe 26.
  • a film forming treatment liquid is supplied to the film forming treatment liquid pipe 26 from a film forming treatment liquid supply source 28.
  • the film-forming treatment liquid is a liquid that can be solidified by a predetermined solidification process such as heating or reduced pressure to form a solidified film, and that the solidified film can be removed by a predetermined removal liquid.
  • a top coat solution, a resist solution, a phenol resin solution, or the like can be used as the film forming solution.
  • the top coat liquid is a liquid for forming a protective film formed on the resist film.
  • the film forming treatment liquid nozzle 15 may be a moving nozzle that can move above the substrate W held by the spin chuck 12.
  • the removal liquid nozzle 101 is coupled to the removal liquid nozzle 16.
  • a removal liquid valve 102 for opening and closing the removal liquid passage is interposed in the middle of the removal liquid pipe 101.
  • a removal liquid is supplied to the removal liquid pipe 101 from a removal liquid supply source 103.
  • the removal liquid is a liquid that can remove the solidified film formed by solidifying the film-forming treatment liquid.
  • an alkaline developer or SC1 ammonia hydrogen peroxide solution
  • the alkaline developer may contain aqueous ammonia, TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution), an aqueous choline solution, and the like.
  • the removal liquid nozzle 16 may be a moving nozzle that can move above the substrate W held by the spin chuck 12.
  • a rinse liquid pipe 31A and an organic solvent pipe 31B are coupled to the rinse nozzle 29. More specifically, in this embodiment, the rinse liquid pipe 31A is coupled to the rinse nozzle 29, and the organic solvent pipe 31B joins the rinse liquid pipe 31A. In the middle of the rinsing liquid pipe 31A, a rinsing liquid valve 32A for opening and closing the rinsing liquid distribution passage is interposed. In the middle of the organic solvent pipe 31B, an organic solvent valve 32B for opening and closing the organic solvent passage is interposed.
  • the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source 33A to the rinse liquid pipe 31A.
  • the rinse liquid is DIW (deionized water) in this embodiment. Of course, other rinse solutions such as carbonated water may be used.
  • the organic solvent is supplied from the organic solvent supply source 33B to the organic solvent pipe 31B.
  • the organic solvent is an example of a low surface tension liquid having a surface tension smaller than that of the rinsing liquid.
  • the rinse liquid and the organic solvent are supplied from the common nozzle 29 through the pipe 31A, but separate independent pipes and nozzles that supply the rinse liquid and the organic solvent, respectively, may be provided.
  • the organic solvent is an organic solvent that can replace the rinsing liquid, and more specifically, an organic solvent having an affinity for water.
  • organic solvent examples include isopropyl alcohol (IPA), methanol, ethanol, butanol, acetone, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), EGMEA (ethylene glycol monoethyl ether acetate), and the like.
  • the blocking plate 19 has a facing surface 19 a that faces the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 12.
  • the shielding plate 19 is driven by the shielding plate drive unit 20.
  • the shield plate drive unit 20 includes a shield plate lifting / lowering unit 20A and a shield plate rotating unit 20B.
  • the shielding plate lifting / lowering unit 20A moves the shielding plate 19 up and down to bring the facing surface 19a closer to or away from the substrate W held by the spin chuck 12.
  • the shielding plate rotating unit 20 ⁇ / b> B rotates the shielding plate 19 around the rotation axis 18 common with the spin chuck 12. More specifically, the shielding plate rotating unit 20 ⁇ / b> B gives a rotational force to the rotating shaft 25 that supports the shielding plate 19.
  • a rinse nozzle 29 is disposed at the center of the opposing surface 19 a of the blocking plate 19, that is, on the rotation axis 18.
  • the rotating shaft 25 is a hollow shaft, and a rinse liquid pipe 31A is inserted through
  • An opening 19b that exposes the rinse nozzle 29 downward is formed at the center of the facing surface 19a.
  • the opening 19b communicates with the internal space of the rotating shaft 25.
  • An inert gas flow path 45 for flowing an inert gas is formed.
  • An inert gas pipe 46 is connected to the inert gas flow path 45.
  • an inert gas valve 47 for opening and closing the flow path is interposed.
  • the inert gas pipe 46 is coupled to an inert gas supply source 48.
  • the inert gas supply source 48 supplies an inert gas.
  • the inert gas is a gas inert to the material on the surface of the substrate W, and may be, for example, a nitrogen gas.
  • a chemical pipe is further inserted through the rotary shaft 25, and the chemical nozzle is exposed downward from the opening 19b.
  • the rinse nozzle 29 moves up and down at the same time, whereby the height from the substrate W held by the spin chuck 12 to the rinse nozzle 29 varies.
  • the rotation shaft 130 of the spin chuck 12 is a hollow shaft.
  • a back nozzle 131 is inserted through the rotating shaft 130. The upper end of the back nozzle 131 forms a discharge port 132 for discharging the rinse liquid toward the rotation center of the lower surface of the substrate W.
  • a rinse liquid supply pipe 133 is coupled to the back nozzle 131.
  • the rinse liquid supply pipe 133 is coupled to the rinse liquid supply source 135 via the rinse liquid valve 134 and is coupled to the organic solvent supply source 137 via the organic solvent valve 136.
  • the rinse liquid supply source 135 supplies DIW and other rinse liquids.
  • the organic solvent supply source 137 supplies IPA and other organic solvents.
  • the space between the back nozzle 131 and the rotating shaft 130 forms an inert gas flow path 140 for supplying an inert gas toward the lower surface of the substrate W.
  • An inert gas supply pipe 141 is coupled to the inert gas flow path 140.
  • An inert gas valve 142 is interposed in the middle of the inert gas supply pipe 141.
  • the inert gas supply pipe 141 is coupled to the inert gas supply source 143.
  • the inert gas supply source 143 supplies an inert gas.
  • the inert gas is a gas inert to the substance constituting the substrate W, and may be a nitrogen gas, for example.
  • a substrate loading / unloading opening 37 through which the substrate W is loaded / unloaded by the main transfer robot CR, and a substrate loading / unloading opening through which the substrate W is loaded / unloaded by the local transfer robot LR. 38 are formed.
  • the substrate loading / unloading opening 37 and the substrate loading / unloading opening 38 are respectively provided with shutters 39 and 40 for opening and closing them.
  • the shutters 39 and 40 are driven to open and close by shutter drive units 41 and 42, respectively.
  • the substrate loading / unloading opening 37 is an opening that allows the main transfer chamber 5 and the processing chamber 11 to communicate with each other, and is formed in the side wall 35 that partitions the main transfer chamber 5 and the processing chamber 11.
  • the substrate loading / unloading opening 38 is an opening that allows the processing chamber 11 and the local transfer chamber C to communicate with each other, and is formed in the side wall 36 that partitions the processing chamber 11 and the local transfer chamber C.
  • the shutter 39 opens the substrate loading / unloading opening 37.
  • the hand HC (arm) of the main transfer robot CR holding the unprocessed substrate W enters the processing chamber 11 from the substrate loading / unloading opening 37 and transfers the substrate W to the spin chuck 12.
  • the cup 13 or the spin chuck 12 may be moved up and down as necessary.
  • the hand HC of the main transfer robot CR that has transferred the substrate W to the spin chuck 12 exits the processing chamber 11 through the substrate loading / unloading opening 37.
  • the shutter drive unit 41 drives the shutter 39 to close the substrate carry-in / carry-out opening 37.
  • the spin chuck 12 is rotated by the motor 17 and the chemical solution valve 22 is opened.
  • the chemical solution is supplied to the surface of the rotating substrate W, and the chemical solution spreads over the entire surface of the substrate W by centrifugal force.
  • a chemical process for treating the substrate W with the chemical solution (chemical process for pre-cleaning) is executed.
  • the chemical liquid valve 22 By closing the chemical liquid valve 22, the supply of the chemical liquid is stopped, and the chemical liquid process is completed.
  • the rinse liquid valves 32A and 134 are opened while the rotation of the spin chuck 12 is continued. Thereby, the rinse liquid is supplied to the front surface and the back surface of the substrate W in the rotating state.
  • the rinse liquid supplied to the surface of the substrate W spreads over the entire surface of the substrate W and replaces the chemical liquid on the surface of the substrate W.
  • the rinse liquid supplied to the back surface of the substrate W spreads over the entire area of the back surface of the substrate W, and the rinse liquid adhering to the back surface of the substrate W is washed away.
  • the rinsing process is executed.
  • the rinse liquid valve 32A By closing the rinse liquid valve 32A, the supply of the rinse liquid is stopped, and the rinse process is completed.
  • the organic solvent valve 32B is opened after the end of the rinsing process or immediately before the end of the rinsing process. Thereby, the organic solvent is supplied to the surface of the substrate W.
  • the spin chuck 12 is held in a rotating state. Accordingly, the organic solvent spreads over the entire surface of the substrate W and replaces the rinse liquid on the surface of the substrate W.
  • the blocking plate driving unit 20 lowers the blocking plate 19 and arranges the facing surface 19 a at a processing position close to the surface of the substrate W.
  • the organic solvent valve 32B is closed and the blocking plate 19 is raised. Further, the film forming process liquid nozzle 15 is disposed above the substrate W, and in this state, the film forming process liquid valve 27 is opened. Thereby, the film-forming treatment liquid is supplied to the surface of the substrate W. The spin chuck 12 is held in a rotating state. Therefore, the film-forming treatment liquid spreads over the entire surface of the substrate W and forms the liquid film 10 over the entire surface of the substrate W. After the film forming liquid film 10 is formed, the film forming liquid valve 27 is closed.
  • the blocking plate 19 is lowered, and the opposing surface 19a is disposed at a processing position close to the substrate W. Further, the organic solvent valve 136 is opened. As a result, an organic solvent is supplied from the back nozzle 131 to the back surface (lower surface) of the substrate W, and the organic solvent spreads over the entire back surface of the substrate W by centrifugal force, thereby washing away the film forming treatment liquid adhering to the back surface of the substrate W. .
  • the organic solvent valve 136 is closed, and the rotation of the spin chuck 12 is accelerated. Thereby, the liquid component on the back surface of the substrate W is shaken off. At this time, the inert gas valves 47 and 142 may be opened. Thereby, on the surface side of the substrate W, volatilization of the volatile components in the film formation processing liquid film 10 is promoted, and thereby the film formation processing liquid film 10 is solidified. Also, drying is promoted on the back side of the substrate W.
  • the shield plate drive unit 20 retracts the shield plate 19 upward. Then, the rotation of the spin chuck 12 is stopped, and the process for forming the film forming process liquid film 10 is completed.
  • the shutter drive unit 42 drives the shutter 40 to open the substrate loading / unloading opening 38.
  • the hand LH (arm) of the local transfer robot LR enters the processing chamber 11 from the substrate loading / unloading opening 38, receives the substrate W from the spin chuck 12, and processes the substrate W through the substrate loading / unloading opening 38. Carry out of the room 11.
  • the cup 13 or the spin chuck 12 may be moved up and down as necessary.
  • the local transport robot LR transports the substrate W having the film forming treatment liquid film 10 formed on the surface thereof to the solidification unit D.
  • the substrate W on which the solidified film 10S is formed is transported to the liquid processing unit M by the local transport robot LR.
  • the shutter drive unit 42 drives the shutter 40 to open the substrate loading / unloading opening 38.
  • the hand LH (arm) of the local transfer robot LR enters the processing chamber 11, passes the substrate W to the spin chuck 12, and then moves out of the processing chamber 11.
  • the cup 13 or the spin chuck 12 may be moved up and down as necessary.
  • the liquid processing unit M performs a removal process for removing the solidified film 10S on the surface of the substrate W thus introduced and a subsequent cleaning process (post-cleaning process).
  • the spin chuck 12 is rotated by the motor 17, and the removal liquid nozzle 16 is disposed above the substrate W held by the spin chuck 12 in order to execute the removal process. Then, the removal liquid valve 102 is opened. Thereby, the removal liquid is supplied to the surface of the substrate W, and the removal liquid spreads over the entire surface of the substrate W by centrifugal force. Due to the action of the removing liquid, the solidified film 10S on the surface of the substrate W is peeled off.
  • a post-cleaning process is performed. Specifically, the chemical liquid valve 22 is opened in a state where the chemical liquid nozzle 14 is disposed above the substrate W and the spin chuck 12 is rotated. Thereby, the chemical solution is supplied to the surface of the rotating substrate W, and the chemical solution spreads over the entire surface of the substrate W by centrifugal force. In this way, a chemical liquid process (chemical liquid process for post-cleaning) for treating the substrate W with the chemical liquid is executed. By closing the chemical liquid valve 22, the supply of the chemical liquid is stopped, and the chemical liquid process is completed. The chemical nozzle 14 is retracted from above the spin chuck 12.
  • the rinse liquid valves 32A and 134 are opened while the rotation of the spin chuck 12 is continued. Thereby, the rinse liquid is supplied to the front surface and the back surface of the substrate W in the rotating state.
  • the rinse liquid supplied to the surface of the substrate W spreads over the entire surface of the substrate W and replaces the chemical liquid on the surface of the substrate W.
  • the rinse liquid supplied to the back surface of the substrate W spreads over the entire area of the back surface of the substrate W, and the rinse liquid adhering to the back surface of the substrate W is washed away.
  • the rinsing process is executed.
  • the rinse liquid valve 32A By closing the rinse liquid valve 32A, the supply of the rinse liquid is stopped, and the rinse process is completed.
  • the organic solvent valves 32B and 136 are opened after the end of the rinsing process or immediately before the end of the rinsing process. Thereby, the organic solvent is supplied to the front surface and the back surface of the substrate W.
  • the spin chuck 12 is held in a rotating state. Therefore, the organic solvent spreads over the entire area of the front surface and the back surface of the substrate W and replaces the rinse liquid on the front surface and the back surface of the substrate W.
  • the blocking plate driving unit 20 lowers the blocking plate 19 and arranges the facing surface 19 a at a processing position close to the surface of the substrate W.
  • the organic solvent valves 32B and 136 are closed, and instead, the inert gas valves 47 and 142 are opened, and the inert gas is supplied to the front and back surfaces of the substrate W. Further, the rotation of the spin chuck 12 is accelerated. Thereby, the liquid components on the front surface and the back surface of the substrate W are shaken off. The inert gas supplied to the front and back surfaces of the substrate W promotes drying of the substrate W.
  • the rotation of the spin chuck 12 is stopped and the inert gas valves 47 and 142 are closed. Further, the shield plate drive unit 20 retracts the shield plate 19 upward.
  • the shutter drive unit 41 drives the shutter 39 to open the substrate loading / unloading opening 37.
  • the hand HC (arm) of the main transfer robot CR enters the processing chamber 11, receives the substrate W from the spin chuck 12, and processes the substrate W through the substrate loading / unloading opening 37. Carry out of the room 11.
  • the cup 13 or the spin chuck 12 may be moved up and down as necessary.
  • the removal of the solidified film 10S on the substrate W can be performed by a chemical solution supplied from the chemical solution nozzle 14 depending on the type of the solidified film 10S. That is, the chemical liquid supplied from the chemical liquid nozzle 14 may be used as the removal liquid. In this case, the removal liquid nozzle 16 and the related configuration can be omitted, and there is no need to distinguish between the removal process and the post-cleaning process.
  • the pre-cleaning step before forming the film forming liquid film 10 may be omitted.
  • the blocking plate 19 is located at a close position close to the substrate W throughout the process.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the solidification unit D.
  • the solidification unit D has a solidification chamber 51 composed of a vacuum chamber (vacuum chamber) that can be sealed.
  • the volume of the solidification chamber 51 is smaller than the volume of the processing chamber 11 of the liquid processing unit M, whereby the solidification chamber 51 has a structure that can efficiently depressurize the internal space.
  • a substrate holder 52 as a substrate holding unit that holds the substrate W is disposed in the solidification chamber 51.
  • the substrate holder 52 includes a heater 53H as a substrate heating unit and a cooling unit 53C as a substrate cooling unit, thereby forming a temperature adjustment plate.
  • the heater 53H heats the substrate W by heat transfer or heat radiation.
  • an electromagnetic wave irradiation unit that irradiates electromagnetic waves (ultraviolet rays, infrared rays, microwaves, laser light, etc.) and heats the substrate may be used as the substrate heating unit.
  • a flash lamp may be used as the substrate heating unit.
  • the cooling unit 53C may have a refrigerant passage that passes through the substrate holder 52, or may have an electronic cooling element.
  • a plurality of (three or more) lift pins 54 are disposed through the substrate holder 52.
  • the lift pins 54 are moved up and down by the lift pin lifting / lowering unit 55, thereby moving the substrate W up and down on the substrate holder 52.
  • the solidifying chamber 51 includes a base portion 511 and a movable lid portion 512 that moves up and down with respect to the base portion 511.
  • the movable lid portion 512 is moved up and down relative to the base portion 511 by the lid portion driving unit 56.
  • a solidification processing space 50 is defined between the base portion 511 and the movable lid portion 512.
  • the lower end edge portion 58 of the movable lid portion 512 is formed along a plane that follows the upper surface 59 of the base portion 511.
  • an O-ring 60 as a seal member is disposed at a position facing the lower end edge portion 58 of the movable lid portion 512.
  • the exhaust pipe 62 is coupled to the base portion 511.
  • the exhaust pipe 62 communicates with the solidification processing space 50.
  • the exhaust pipe 62 is connected to an exhaust unit 63 such as a vacuum pump.
  • An exhaust valve 64 is interposed in the exhaust pipe 62.
  • the exhaust unit 63 is an example of a decompression unit. By opening the exhaust valve 64 and driving the exhaust unit 63, the solidification processing space 50 can be decompressed to an atmospheric pressure lower than atmospheric pressure (for example, 0.01 Torr or less).
  • the movable lid portion 512 is provided with an inert gas nozzle 71 for introducing an inert gas into the solidification processing space 50.
  • An inert gas pipe 72 is coupled to the inert gas nozzle 71.
  • An inert gas valve 73 is interposed in the middle of the inert gas pipe 72.
  • the inert gas pipe 72 is coupled to an inert gas supply source 74 that supplies an inert gas.
  • the inert gas is an example of a low humidity gas
  • the inert gas nozzle 71 is an example of a low humidity gas supply unit.
  • the inside of the solidification chamber 51 can be ventilated and the atmosphere in which the film-forming treatment liquid 10 is easy to dry. Can be formed.
  • the operation of the solidification unit D is outlined as follows.
  • the hand LH of the local transfer robot LR carries the substrate W with the film forming treatment liquid film 10 formed on the surface thereof into the solidification unit D.
  • the movable lid portion 512 is in an open position away from the base portion 511, whereby a substrate carry-in opening is formed between the movable lid portion 512 and the base portion 511.
  • the lift pin 54 is in a raised position where the tip thereof is spaced upward from the surface of the substrate holder 52.
  • the hand LH of the local transfer robot LR enters between the movable lid portion 512 and the base portion 511 and passes the substrate W to the lift pins 54.
  • the lift pins 54 to which the substrate W has been transferred descend and place the substrate W on the upper surface of the substrate holder 52.
  • the lid drive unit 56 lowers the movable lid 512 and presses it against the base 511 via the O-ring 60. Thereby, the solidification processing space 50 becomes a sealed space. Further, the exhaust valve 64 is opened and the exhaust unit 63 is driven, whereby the atmosphere in the solidification processing space 50 is exhausted and the solidification processing space 50 is decompressed. The inert gas valve 73 is closed so as not to inhibit the decompression.
  • Solidification means solidifying or curing, and the solvent component in the film-forming treatment liquid may evaporate and dry to solidify or cure, or molecules in the film-forming treatment liquid may be solidified. May be combined into a polymer to be solidified or cured. When volume shrinkage occurs during the solidification, force acts on foreign matters such as particles adhering to the surface of the substrate W, whereby the foreign matters are separated from the surface of the substrate W.
  • the exhaust unit 63 is stopped, and the inside of the solidification processing space 50 is pressurized to atmospheric pressure by opening the inert gas valve 73 as necessary. Then, the heater 53H stops driving, and instead, the cooling unit 53C is operated to cool the substrate holder 52. Thereby, the substrate W is cooled to room temperature, for example. Thereafter, the lid driving unit 56 raises the movable lid 512 and separates it from the base 511. Further, the lift pins 54 rise to lift the substrate W to a height away from the upper surface of the substrate holder 52.
  • the hand LH of the local transport robot LR enters between the movable lid portion 512 and the base portion 511, scoops the processed substrate W from the lift pins 54, and exits to the local transport chamber C.
  • the main transport robot CR transports the solidified substrate W
  • the hand HC of the main transport robot CR enters between the movable lid portion 512 and the base portion 511, and the processed substrate W is transferred from the lift pins 54. Scrap and exit into the main transfer chamber 5.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration example of the local transport robot LR.
  • the local transfer robot LR is disposed in the local transfer chamber C.
  • the local transfer chamber C opposes the processing chamber 11 of the liquid processing unit M and the solidification chamber 51 of the solidification unit D disposed on the processing chamber 11, and solidifies when the solidification chamber 51 is opened. It communicates with the chamber 51.
  • the local transfer robot LR includes a hand LH (arm) for holding the substrate W and a hand drive unit 90 for driving the hand LH.
  • the hand LH includes a pair of hands LH1 and LH2, which are displaced in the vertical direction (and further shifted in the horizontal direction as necessary).
  • the hand drive unit 90 moves the hands LH1 and LH2 horizontally and vertically, and further rotates the hands LH1 and LH2 around the vertical rotation axis 89 as necessary.
  • the hands LH1 and LH2 enter the processing chamber 11 of the liquid processing unit M, receive the substrate W from the spin chuck 12, transport the substrate W to the solidification unit D, and transfer the substrate W into the solidification chamber 51. W can be carried in and transferred to the lift pin 54 (see FIG. 3), and then moved out to the local transfer chamber C.
  • the hands LH 1 and LH 2 enter the solidification chamber 51 of the solidification unit D, receive the substrate W from the lift pins 54, transport the substrate W to the liquid processing unit M, and transfer the substrate W into the processing chamber 11. It can be carried in and passed to the spin chuck 12 and then moved out to the local transfer chamber C.
  • the pair of hands LH1 and LH2 can advance and retreat independently of these units.
  • the hand LH1 is used when the substrate W on which the film forming liquid film 10 is formed is transferred from the liquid processing unit M to the solidification unit D
  • the hand LH2 is used to solidify the substrate W on which the solidified film 10S is formed. It may be used when transporting from the unit D to the liquid processing unit M.
  • the hand LH2 holding the substrate W after the processing in the solidification unit D holds the substrate W on which the film forming liquid film 10 is formed. It is preferable to be disposed above the hand LH1.
  • the local transfer robot LR Since the solidification unit D is disposed on the liquid processing unit M, the local transfer robot LR operates to raise the hand LH to the height of the solidification unit D after unloading the substrate W from the liquid processing unit M. To do. The local transfer robot LR operates to lower the hand LH to the height of the liquid processing unit M after unloading the substrate W from the solidification unit D.
  • the local transfer robot LR further includes a hand heating unit 97A (arm heating unit) that heats the hand LH1 in order to keep or heat the substrate W on which the film processing liquid film 10 is formed by the liquid processing unit M. Also good.
  • the hand heating unit 97A may be configured to circulate the heat medium through the heat medium passage 98A formed in the hand LH1. Instead of such a configuration having the heat medium passage 98A, the hand LH1 may be provided with a heater (not shown) for heating the hand LH1.
  • the hand heating unit 97A may be configured to heat the heating plate 99A provided in the local transfer chamber C. In this case, the hand LH1 is brought into contact with the heating plate 99A during a period in which the hand LH1 does not hold the substrate W.
  • the hand LH1 is heated during the non-operational period of the hand LH1.
  • the substrate W By transporting the substrate W with the heated hand LH1, the substrate W can be heated during the transport, so that the substrate W is heated and the solidification of the film processing liquid film 10 can be advanced.
  • the local transfer robot LR may further include a hand cooling unit 97B (arm cooling unit) that cools the hand LH2 in order to cool the substrate W on which the solidified film 10S is formed by the solidifying unit D.
  • the hand cooling unit 97B may be configured to circulate the refrigerant in the refrigerant passage 98B formed in the hand LH2.
  • the hand LH2 may be provided with an electronic cooling element (not shown) for cooling the hand LH2.
  • the hand cooling unit 97B may be configured to cool the cooling plate 99B provided in the local transfer chamber C. In this case, the hand LH2 is brought into contact with the cooling plate 99B while the hand LH2 is not holding the substrate W.
  • the hand LH2 is cooled during the non-operational period of the hand LH2.
  • the substrate W can be cooled during the transport, so that the sufficiently cooled substrate W can be carried into the liquid processing unit M.
  • the cooling processing time in the solidification unit D can be shortened.
  • the hands LH1 and LH2 may be configured in a plate shape corresponding to the shape of the substrate W.
  • Such plate-like hands LH1 and LH2 have a notched plate shape in which notches for avoiding chuck pins provided in the spin chuck 12 are formed in the periphery for delivery of the substrate W to and from the spin chuck 12. You may have.
  • a cleaning liquid for cleaning the hand LH in the hand LH of the local transfer robot LR (or a movable part whose relative position with the hand LH does not change greatly regardless of the movement of the hand LH).
  • a cleaning liquid nozzle 91 for supplying the liquid may be disposed.
  • the cleaning liquid nozzle 91 is connected to the cleaning liquid pipe 92.
  • a cleaning liquid valve 93 is interposed in the cleaning liquid pipe 92.
  • the cleaning liquid pipe 92 is connected to a cleaning liquid supply source 94.
  • the cleaning liquid supply source 94 supplies a cleaning liquid for cleaning the hand LH.
  • This cleaning liquid is preferably a liquid having affinity with the film-forming treatment liquid, for example, an organic solvent.
  • a cleaning liquid nozzle 91A may be attached in the local transfer chamber C.
  • the cleaning liquid valve 93 When the local transport robot LR is not transporting the substrate W, by opening the cleaning liquid valve 93, the cleaning liquid can be discharged from the cleaning liquid nozzles 91 and 91A, and the hand LH can be cleaned with the cleaning liquid. Thereby, in particular, the film-forming treatment liquid and other substances adhering to the hand LH can be removed, and the hand LH can be kept clean.
  • the bottom 160 of the local transfer chamber C receives the cleaning liquid.
  • a drainage pipe 161 as a drainage unit is connected to the bottom 160.
  • the cleaning liquid received at the bottom 160 is drained through the drain pipe 161.
  • An inert gas nozzle 165 for supplying an inert gas into the local transfer chamber C may be provided.
  • An inert gas pipe 166 is connected to the inert gas nozzle 165.
  • An inert gas valve 167 is interposed in the middle of the inert gas pipe 166.
  • An inert gas supply source 168 is connected to the inert gas pipe 166.
  • the inert gas supply source 168 supplies nitrogen gas and other inert gases.
  • the inert gas can be supplied into the local transfer chamber C by opening the inert gas valve 167. Thereby, drying of the hand LH after washing
  • the inert gas nozzle 165 may be disposed in the hand LH (or a movable part where the relative position with the hand LH does not change greatly regardless of the movement of the hand LH). Thereby, it is possible to efficiently supply the inert gas to the hand LH and the surface of the substrate W held by the hand LH.
  • the local transfer robot LR has the hand LH1 and a configuration related thereto. That is, the hand LH2 and the configuration related thereto can be omitted.
  • the hand LH2 and the configuration related thereto may be omitted. That is, the same hand LH1 may be used to carry the substrate W on which the film forming liquid film 10 is formed and the substrate W on which the solidified film 10S is formed. In this case, after transporting the substrate W from the liquid processing unit M to the solidification unit D, the hand LH1 is cleaned, and then the solidified film 10S is formed on the surface from the solidification unit D to the liquid processing unit M with the hand LH1. The processed substrate W may be transported.
  • the substrate W is solidified by the local transfer robot LR. Into the solidification chamber 51. Therefore, since the main transfer robot CR can be prevented from being contaminated by the film forming process liquid, it is possible to suppress or prevent the film forming process liquid from being transferred to another substrate transferred by the main transfer robot CR. In addition, since the atmosphere of the film-forming treatment liquid can be suppressed or prevented from drifting in the space where the substrate W is transferred by the main transfer robot CR, the adverse effect on the substrate W due to the atmosphere of the film-forming treatment liquid can also be avoided. Thus, the substrate processing quality can be improved. Further, the substrate W can be quickly transferred from the processing chamber 11 to the solidification chamber 51 by the local transfer robot LR regardless of the operation state of the main transfer robot CR. Therefore, the conveyance time can be shortened.
  • the main transfer robot CR is arranged in the main transfer chamber 5, and the local transfer robot LR is arranged in the local transfer chamber C separated from the main transfer chamber 5.
  • the main transfer robot CR is arranged in the main transfer chamber 5
  • the local transfer robot LR is arranged in the local transfer chamber C separated from the main transfer chamber 5.
  • the solidification unit D solidifies the film formation processing liquid film 10 on the substrate W by reducing the pressure of the processing space 50 in the solidification chamber 51 and heating the substrate W with the heater 53H. Therefore, the film-forming liquid film 10 can be quickly solidified to form a solidified film 10S. In this process, the film forming treatment liquid film 10 shrinks in volume while solidifying. Thereby, a pulling force acts on foreign matters such as particles on the surface of the substrate W, and the foreign matters can be peeled off from the surface of the substrate W.
  • the liquid processing unit M has a spin chuck 12 and a blocking plate 19 in the processing chamber 11 and has a relatively large volume. Therefore, it is not practical to depressurize the space in the processing chamber 11 and dry the film forming treatment liquid film 10, and even if possible, it takes a long time to depressurize the large volume space.
  • the substrate W after the processing by the liquid processing unit M is carried into the solidification chamber 51 having a smaller volume, and the reduced-pressure drying process is performed in the solidification chamber 51. Thereby, the film-forming process liquid film 10 can be solidified in a short time.
  • the substrate W on which the solidified film 10S is formed is carried into the processing chamber 11 of the liquid processing unit M from the solidifying chamber 51 by the local transfer robot LR or the main transfer robot CR.
  • the liquid processing unit M functions as a removing unit that removes the solidified film 10S
  • the processing chamber 11 functions as a removing chamber that provides a space in which the removing process is performed.
  • the liquid processing unit M supplies a removal liquid to the substrate W to remove the solidified film 10S on the substrate W.
  • the solidified film 10S swells with the removal liquid and expands in volume. Thereby, a tensile force acts on the foreign matter on the surface of the substrate W, and the foreign matter is peeled off from the surface of the substrate W.
  • the separated foreign matter is removed out of the substrate W together with the solidified film 10S. In this way, a cleaning process for removing foreign matters on the surface of the substrate W is achieved.
  • the local transfer robot LR When the local transfer robot LR unloads the substrate W that has been solidified by the solidification unit D from the solidification chamber 51 and loads it into the processing chamber 11 of the liquid processing unit M for removal processing, the main transfer is performed. It can be avoided that the robot DR is affected by the substrate W after the solidification process. In particular, when the substrate W after processing in the solidification unit D is at a high temperature, it is possible to avoid the main transfer robot CR from accumulating the heat generated by the high-temperature substrate W. Thereby, it is possible to suppress or prevent the influence of heat on the substrate W transported by the main transport robot CR.
  • the local transfer robot LR has a pair of hands LH1 and LH2, and the hand LH1 as the first transfer arm carries out the substrate W from the processing chamber 11 and carries it into the solidification chamber 51. 2
  • the substrate W after the solidification process is unloaded from the solidification chamber 51 by the hand LH2 as a transfer arm, and is loaded into the process chamber 11 for the removal process. Therefore, even if the film forming treatment liquid adheres to the hand LH1, it is possible to suppress or prevent the treatment liquid from transferring to the substrate W after the solidification treatment.
  • the hand LH2 since the hand LH2 is disposed above the hand LH1, it is possible to more reliably suppress or prevent the deposition processing liquid on the substrate W held by the hand LH1 from adhering to the hand LH2. it can.
  • the cleaning liquid nozzles 91 and 91A are provided in the local transfer chamber C, and the hand LH can be cleaned by discharging the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzles 91 and 91A.
  • the hand LH can be kept in a clean state, the substrate W can be transported while suppressing contamination of the substrate W due to the hand LH.
  • the cleaning of the hand LH is performed in the local transfer chamber C, it is possible to suppress or prevent the influence of the cleaning liquid or the film forming process liquid on the substrate W transferred by the main transfer robot CR.
  • the cleaning liquid nozzle 91 when the cleaning liquid nozzle 91 is provided in the hand LH of the local transfer robot LR (or a movable part where the relative position of the hand LH does not change greatly regardless of movement of the hand LH), the hand LH can be more reliably cleaned. . Therefore, it is possible to avoid accumulation of contamination such as the film forming treatment liquid in the hand LH, and it is possible to transport the substrate W while suppressing contamination by the film forming treatment liquid. Further, it is possible to suppress or prevent the influence of the cleaning liquid or the film forming treatment liquid on the substrate W transferred by the main transfer robot CR.
  • the local transfer chamber C includes a bottom portion 160 that receives the cleaning liquid, and a drain pipe 161 that drains the cleaning liquid received by the bottom portion 160.
  • the substrate processing method executed according to this embodiment supplies a film forming process liquid to the surface of the substrate W in the processing chamber 11 to form a film forming process liquid film 10 on the surface of the substrate W. Then, after this processing liquid film forming step, a first local transport step for transporting the substrate W to the solidification chamber 51, and the film formation processing liquid film 10 is solidified in the solidification chamber 51 to form a solidified film on the surface of the substrate W A solidified film forming step for forming 10S, a second local transfer step for transferring the substrate W to the processing chamber 11 as a removal chamber after the solidified film forming step, and a solidified film in the processing chamber 11 (removal chamber) An unprocessed substrate W is carried into the processing chamber 11 by the removal processing step of supplying a removing liquid for removing 10S to the surface of the substrate W and the main transfer robot CR, and after the removal processing step, the processing chamber 11 Main transfer process to unload substrate W from (removal chamber) , Including the.
  • the solidified film forming step includes a heating step of heating the substrate W by a heater 53H as a heating unit.
  • the solidified film forming step includes a depressurizing step of depressurizing the solidification processing space 50 in which the substrate W is processed.
  • the substrate W is transferred through the main transfer chamber 5, and in the first local transfer step, the substrate W is transferred through the local transfer chamber C separated from the main transfer chamber 5.
  • the first local transport process and the second local transport process may be performed by a common local transport robot LR.
  • the first local transfer step is performed by the hand LH1 of the local transfer robot LR
  • the second local transfer step is performed by the hand LH2 of the local transfer robot LR.
  • the first local transfer process is performed by the local transfer robot LR
  • the second local transfer process is performed by the main transfer robot CR.
  • the substrate processing method of this embodiment includes a hand cleaning process (arm cleaning process) for supplying a cleaning liquid to the hand LH of the local transfer robot LR.
  • a hand cleaning process arm cleaning process
  • the treatment liquid film formation step and the removal treatment step may be performed in a common treatment chamber 11. Further, when the treatment liquid film formation step and the removal treatment step are performed in different liquid treatment units M, the treatments are performed in different chambers.
  • FIG. 5A is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 5B is an elevation view thereof. 5A and 5B, the same reference numerals are assigned to the corresponding parts of the above-described parts in FIGS. 1A and 1B.
  • a local transfer chamber C is arranged between two stacked unit groups G1, G2 arranged on one side of the main transfer chamber 5, and the local transfer robot LR is placed in the local transfer chamber C. Has been placed.
  • a local transfer chamber C is arranged between two stacked unit groups G3 and G4 arranged on the other side of the main transfer chamber 5, and a local transfer robot LR is arranged in the local transfer chamber C.
  • the plurality of units constituting the laminated unit groups G1 to G4 and the laminated state thereof are the same as in the case of the first embodiment.
  • the main transfer robot CR can access a total of eight liquid processing units M and deliver the substrate W, and also delivers the substrate W to and from the indexer robot IR. be able to.
  • the liquid processing unit M may be configured such that the substrate W can be taken out by accessing a total of eight solidification units D.
  • two local transfer robots LR are provided in the first layer S1, and two local transfer robots LR are provided in the second layer S2. More specifically, in the plan view, one local transfer robot LR11, LR12 is arranged on each side of the main transfer chamber 5 in the first layer S1. More specifically, on one side of the main transfer chamber 5, in the first layer S1, one local transfer robot LR11 is disposed between the liquid processing units M11 and M12. Similarly, one local transfer robot LR12 is disposed between the liquid processing units M13 and M14 on the other side of the main transfer chamber 5.
  • the two local transfer robots LR21 and LR22 in the second layer S2 are similarly arranged.
  • the local transfer robots LR11, LR12, LR21, LR22 are arranged in the local transfer chambers C11, C12, C21, C22, respectively.
  • the local transfer chamber C forms a transfer space partitioned so as to be separated (separated) from the main transfer chamber 5.
  • the local transfer robot LR11 arranged on one side of the main transfer chamber 5 is shared by the two liquid processing units M11 and M12.
  • the local transport robot LR11 takes out the substrate W that has been processed by the liquid processing unit M11 on the side close to the carrier holding unit 2, transports the substrate W in the vertical direction (more specifically, upward), and the liquid processing unit M11. It carries in to solidification unit D11 on the top. Further, the local transport robot LR11 takes out the substrate W that has been processed in the liquid processing unit M12 on the side far from the carrier holding unit 2, transports the substrate W in the vertical direction (more specifically, upward), and the liquid processing unit M12. It carries in to solidification unit D12 on the top.
  • the local transport robot LR11 transports the substrate W that has been processed in the liquid processing unit M11 on the side close to the carrier holding unit 2 to the solidification unit D12 on the liquid processing unit M12 on the side far from the carrier holding unit 2. Also good. Similarly, the local transport robot LR11 transports the substrate W, which has been processed in the liquid processing unit M12 on the side far from the carrier holding unit 2, to the solidification unit D11 on the liquid processing unit M11 on the side close to the carrier holding unit 2. May be.
  • the local transfer robot LR11 includes two liquid processing units M11 and M12 disposed on one side of the main transfer chamber 5 in the first layer S1, and two solidification units respectively disposed on them. D11 and D12 can be accessed. Then, the substrate W that has been processed by one liquid processing unit M11, M12 is carried into one of the two solidification units D11, D12 by the local transfer robot LR11, and the film formation processing liquid film on the surface thereof is solidified. To be solidified.
  • the local transport robot LR11 takes out the substrate W that has been subjected to the solidification process in the solidification unit D11 on the side close to the carrier holding unit 2 and transports the substrate W in the vertical direction (more specifically, downward). It is carried into the lower liquid processing unit M11. Further, the local transport robot LR11 takes out the substrate W that has been solidified by the solidification unit D12 farther from the carrier holding unit 2 and transports it in the vertical direction (more specifically, downward). It is carried into the lower liquid processing unit M12.
  • the local transport robot LR11 transports the substrate W that has been processed by the solidification unit D11 on the side close to the carrier holding unit 2 to the liquid processing unit M12 below the liquid processing unit M12 on the side far from the carrier holding unit 2. Also good. Similarly, the local transport robot LR11 transports the substrate W that has been processed in the solidification unit D12 on the side far from the carrier holding unit 2 to the liquid processing unit M11 below the solidification unit D11 on the side close to the carrier holding unit 2. May be. More generally, the substrate W that has been subjected to the solidification process in one solidification unit D11, D12 is carried into one of the two liquid treatment units M11, M12 by the local transport robot LR11, and the surface is solidified. A removal process is performed to remove the film.
  • the operation of the local transfer robot LR12 arranged on the other side of the main transfer chamber 5 in the first layer S1 is the same. That is, the local transfer robot LR12 is configured to be accessible to the two liquid processing units M13 and M14 and the two solidification units D13 and D14, and the local transfer robot LR11 on the opposite side of the main transfer chamber 5 with respect to them. The same operation is performed.
  • the operation of the local transfer robots LR21 and LR22 arranged in the second layer S2 is the same. That is, the local transfer robot LR21 is configured to be accessible to the two liquid processing units M21 and M22 and the two solidification units D21 and D22, and performs the same operation as the local transfer robot LR11.
  • the local transfer robot LR22 is configured to be accessible to the two liquid processing units M23 and M24 and the two solidification units D23 and D24, and performs the same operation as the local transfer robot LR11.
  • the two local transfer robots LR11 and LR21 arranged on one side of the main transfer chamber 5 are respectively arranged in two local transfer chambers C11 and C21 that overlap in plan view.
  • the two local transfer robots LR12 and LR22 disposed on the other side of the main transfer chamber 5 are respectively disposed in two local transfer chambers C12 and C22 that overlap in plan view.
  • the two local transfer chambers C11, C21; C12, C22 that overlap in the vertical direction may be a single local transfer chamber that communicates vertically. Then, one local transfer robot LR may be arranged in the one local transfer chamber C.
  • the liquid processing unit M11, the solidification unit D11, the liquid processing unit M21, and the solidification unit D21 are stacked in this order on the carrier holding unit 2 side with respect to the local transfer chamber C.
  • the laminated unit group G1 is located, and the laminated unit group G2 in which the liquid processing unit M12, the solidification unit D12, the liquid treatment unit M22, and the solidification unit D22 are laminated in this order is located on the side far from the carrier holding unit 2.
  • One local transfer robot LR arranged in the local transfer chamber C can access a total of eight units constituting the pair of stacked unit groups G1 and G2.
  • the local transport robot LR has solidified units D11, D12, and D21 in which one substrate W that has been subjected to the film forming process liquid film forming process in certain liquid processing units M11, M12, M21, and M22 is stacked immediately above. , D22 may be carried in. Further, the local transfer robot LR has access to four solidification units D11, D12, D21, D21, D21, D21, D21, D21, D21, D21, D21, D21, D21, D21, D21, D21, It may be carried into any one of D22. Generally, productivity can be improved by carrying the substrate W into the solidification unit D that is not used for processing.
  • the local transport robot LR carries in one liquid processing unit M11, M12, M21, M22 stacked immediately below one substrate W that has been solidified by a certain solidification unit D11, D12, D21, D22. It may work. Further, the local transport robot LR can access any one of the four liquid processing units M11, M12, M21, and M22 that can access one substrate W that has been solidified by a certain solidifying unit D11, D12, D21, and D22. You may carry it into one of these. Generally, productivity can be improved by carrying the substrate W into the liquid processing unit M that is not used for processing and performing the removal processing.
  • the other side of the main transfer chamber 5 has the same configuration, and one local transfer robot LR shared by the two stacked unit groups G3 and G4 can be operated in the same manner.
  • the configuration of this embodiment can reduce the occupation area (footprint) of the substrate processing apparatus 1A.
  • the substrate W that has been subjected to the solidification process in the solidification unit D may be transported by the main transport robot CR.
  • the main transfer robot CR may operate so that the substrate W is carried into an arbitrary liquid processing unit M and the removal process is performed.
  • FIG. 6A is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus 1B according to a third embodiment of the present invention
  • FIG. 6B is an elevation view thereof.
  • the unit arrangement forms a three-layer structure including the first layer S1, the second layer S2, and the third layer S3.
  • three stacked unit groups G11, G12, G13 are arranged along the main transfer chamber 5 on one side of the main transfer chamber 5, and three stacked units are arranged on the other side of the main transfer chamber 5.
  • Groups G14, G15, and G16 are arranged along the main transfer chamber 5.
  • the stacked unit group G11 is configured by stacking three liquid processing units M11, M21, and M31 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G13 is configured by stacking three liquid processing units M12, M22, and M32 in order from the bottom.
  • the multilayer unit group G12 arranged between the multilayer unit groups G11 and G13 is configured by stacking six solidification units D11, D12, D21, D22, D31, and D32 in order from the bottom.
  • local transport chambers C11, C21, and C31 are stacked in order from the bottom between the stacked unit groups G11 and G13, and the local transport robots LR11, LR21, and LR31 are respectively disposed therein. ing.
  • the local transfer chambers C11, C21, and C31 are arranged on the opposite side of the main transfer chamber 5 with respect to the stacked unit group G12.
  • the stacked unit group G14 is configured by stacking three liquid processing units M13, M23, and M33 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G16 is configured by stacking three liquid processing units M14, M24, and M34 in order from the bottom.
  • the multilayer unit group G15 arranged between the multilayer unit groups G14 and G16 is configured by stacking six solidification units D13, D14, D23, D24, D33, and D34 in order from the bottom.
  • local transfer chambers C12, C22, and C32 are sequentially stacked from the bottom between the stacked unit groups G14 and G16, and the local transfer robots LR12, LR22, and LR32 are respectively disposed therein. ing.
  • the local transfer chambers C12, C22, and C32 are disposed on the side opposite to the main transfer chamber 5 with respect to the stacked unit group G15.
  • a pair of liquid processing units M11 and M12 are arranged on one side of the main transfer chamber 5 along the longitudinal direction in the plan view of the main transfer chamber 5 in the first layer S1.
  • a pair of solidification units D11 and D12 and one local transfer robot LR11 are arranged between the pair of liquid processing units M11 and M12.
  • the pair of solidification units D11 and D12 are stacked one above the other.
  • the solidification units D11 and D12 are disposed near the main transfer chamber 5, and the local transfer robot LR11 is disposed on the opposite side of the main transfer chamber 5 from the solidification units D11 and D12.
  • the local transfer robot LR11 is disposed in the local transfer chamber C11.
  • the local transfer robot LR11 can access the pair of liquid processing units M11 and M12 and the pair of solidification units D11 and D12.
  • the local transfer robot LR11 unloads the substrate W that has been subjected to the film formation processing liquid film formation processing by one liquid processing unit M11, M12, and loads the substrate W into one of the pair of solidification units D11, D12. To work. Further, the local transport robot LR11 carries out the substrate W that has been solidified by one solidifying unit D11, D12, and carries the substrate W into one of the pair of liquid processing units M11, M12 for removal processing. Operates to do.
  • a pair of liquid processing units M13 and M14 are arranged along the longitudinal direction of the main transfer chamber 5 in plan view.
  • a pair of solidification units D13 and D14 and one local transfer robot LR12 are disposed between them.
  • the pair of solidification units D13 and D14 are stacked one above the other.
  • These solidification units D13 and D14 are arranged at positions close to the main transfer chamber 5, and a local transfer chamber C12 is defined on the opposite side of the main transfer chamber 5 with respect to the solidification units D13 and D14. LR12 is accommodated.
  • the local transfer robot LR12 can access the pair of liquid processing units M13 and M14 and the pair of solidification units D13 and D14.
  • the local transfer robot LR12 operates to unload the substrate W that has been processed by one liquid processing unit M13, M14, and to load the substrate W into one of the pair of solidification units D13, D14. Further, the local transport robot LR12 carries out the substrate W that has been solidified by one solidifying unit D13, D14, and carries the substrate W into one of the pair of liquid processing units M13, M14 for removal processing. Operates to do.
  • the unit arrangement of the second layer S2 and the third layer S3 and the operation of the local transfer robot LR in each layer are the same.
  • the second layer S2 includes a pair of liquid processing units M21, M22, a pair of solidification units D21, D22 and one local transfer robot LR21 disposed on one side of the main transfer chamber 5, A pair of liquid processing units M23, M24, a pair of solidification units D23, D24 and one local transfer robot LR22 arranged on the other side are included.
  • the third layer S3 includes a pair of liquid processing units M31, M32, a pair of solidification units D31, D32 and one local transfer robot LR31 arranged on one side of the main transfer chamber 5, A pair of liquid processing units M33 and M34, a pair of solidification units D33 and D34, and one local transfer robot LR32 disposed on the other side are included.
  • the liquid processing unit M and the solidification unit D are arranged in a plane (horizontal arrangement), thereby suppressing a total height of the substrate processing apparatus 1B, and a large number of liquid processing units. M and solidification unit D can be provided.
  • the three local transfer robots LR11, LR21, and LR31 arranged on one side of the main transfer chamber 5 are arranged in the three local transfer chambers C11, C21, and C31 that overlap in a plan view.
  • the three local transfer chambers C11, C21, and C31 may be a single local transfer chamber C that communicates vertically. Further, one local transfer robot LR may be arranged in the one local transfer chamber C.
  • a laminated unit group G11 in which three liquid processing units M11, M21, and M31 are laminated is positioned on the carrier holding unit 2 side with respect to the local transfer chamber C, and on the side far from the carrier holding unit 2,
  • a laminated unit group G13 in which three liquid processing units M12, M22, and M32 are laminated is positioned, and a laminated unit in which six solidifying units D11, D12, D21, D22, D31, and D32 are laminated on the main transfer chamber 5 side.
  • Group G12 is located.
  • One local transfer robot LR arranged in the local transfer chamber C can access a total of twelve units constituting these three stacked unit groups G11 to G13.
  • the local transfer robot LR may operate so as to carry in one solid-state unit D located in the same layer, one substrate W for which film formation processing liquid film formation has been completed in a certain liquid processing unit M.
  • the local transfer robot LR may operate to carry one substrate W that has been solidified by a certain solidification unit D into the liquid processing unit M located in the same layer for the removal process. Good.
  • the local transfer robot LR may carry in one arbitrary one of the six solidification units D that can be accessed, after the substrate W having been subjected to the film formation processing liquid film formation in a certain liquid processing unit M is completed. Good.
  • productivity can be improved by carrying the substrate W into the solidification unit D that is not used for processing.
  • the local transport robot LR carries one substrate W that has been solidified by a certain solidification unit D into any one of the six accessible liquid processing units M for removal processing. May be.
  • productivity can be improved by carrying the substrate W into the liquid processing unit M that is not used for processing.
  • the same configuration can be applied to the opposite side of the main transfer chamber 5.
  • the configuration of this embodiment can reduce the occupation area (footprint) of the substrate processing apparatus 1B. Furthermore, as can be understood from the comparison of FIG. 5B and FIG. 6B and the like, the configuration of this embodiment allows more units to be arranged in the same height space. In other words, substrate processing apparatuses having the same number of units can be configured at a lower height.
  • FIG. 7 is an illustrative elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1C according to the fourth embodiment of the present invention, and shows the configuration of one side of the main transfer chamber.
  • a pair of stacked unit groups G21 and G22 are arranged on one side of the main transfer chamber 5 (see FIG. 5A and the like), and local transfer robots LR1 and LR2 are arranged between them.
  • one stacked unit group G21 is configured by stacking three liquid processing units M1, M2, and M3 in three layers.
  • Another stacked unit group G22 includes one liquid processing unit M4 and four solidification units D1 to D4 stacked in order on the liquid processing unit M4.
  • a similar configuration is provided on the opposite side of the main transfer chamber 5.
  • the main transfer robot CR is accessible to the four liquid processing units M1 to M4 arranged on one side of the main transfer chamber 5, and is similarly arranged on the opposite side of the main transfer chamber 5. Is accessible.
  • the main transfer robot CR can access four solidification units D1 to D4 arranged on one side of the main transfer chamber 5 and can access four solidification units similarly arranged on the opposite side of the main transfer chamber 5. It may be configured.
  • two local transfer robots LR1 and LR2 are provided on one side of the main transfer chamber 5, and these are arranged in one local transfer chamber C.
  • the lower local transfer robot LR1 may be accessible to three liquid processing units M1, M2, M4 and two solidification units D1, D2.
  • the upper local transfer robot LR2 may be able to access the two liquid processing units M2 and M3 and the four solidification units D1 to D4.
  • These local transfer robots LR1 and LR2 operate so as to carry the substrate W after the film formation processing liquid is formed in the liquid processing units M1 to M4 into any of the solidification units D1 to D4.
  • the local transfer robots LR1 and LR2 operate so as to carry the substrate W that has been solidified by the solidification units D1 to D4 into any of the liquid treatment units M1 to M4 for the removal process.
  • a similar configuration is provided on the opposite side of the main transfer chamber 5, and the operations of the two local transfer robots are the same.
  • the main transfer robot CR may transfer the substrate W after the solidification process. That is, the main transport robot CR may operate so as to carry the substrate W solidified by a certain solidification unit D into any liquid processing unit M.
  • FIG. 8 is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus 1D according to the fifth embodiment of the present invention.
  • three stacked unit groups G31, G32, and G33 are provided.
  • the first stacked unit group G31 is configured by stacking liquid processing units M11, M21, and M31 in a plurality of layers (three layers in this embodiment).
  • the second stacked unit group G32 faces the first stacked unit group G31 along the alignment direction of the carriers 3 in the carrier holding unit 2.
  • the second stacked unit group G32 is configured by stacking liquid processing units M12, M22, and M32 in a plurality of layers.
  • the third stacked unit group G33 is disposed between the first and second stacked unit groups G31 and G32.
  • the third stacked unit group G33 is configured by stacking the solidification units D1 to D6 in a plurality of layers (six layers in this embodiment), and is similar to the stacked unit groups G12 and G15 shown in FIGS. 6A and 6B. It has the composition of.
  • a local transfer chamber C is disposed on the opposite side of the solid transfer units D1 to D6 from the main transfer robot CR. In the local transfer chamber C, a local transfer robot LR is arranged.
  • One local transfer robot LR may be provided in each layer corresponding to the liquid processing units M11, M12; M12, M22; M31, M32. Further, one local transfer robot LR that is commonly used for the liquid processing units M arranged in a plurality of layers (for example, all layers) may be provided.
  • the main transfer robot CR is disposed in the main transfer chamber 5A.
  • the main transfer chamber 5 is defined between the first to third stacked unit groups G31 to G33 and the indexer robot IR.
  • the transfer of the substrate W between the indexer robot IR and the main transfer robot CR may be performed via the substrate transfer unit 7 that temporarily holds the substrate W.
  • the main transfer robot CR carries the unprocessed substrate W received from the indexer robot IR through the substrate transfer unit 7 into one liquid processing unit M included in the first or second stacked unit group G31, G32. .
  • the substrate W after being processed by the liquid processing unit M is unloaded by the local transfer robot LR, and is loaded into any of the solidification units D1 to D6 accessible by the local transfer robot LR.
  • the substrate W processed by the solidification unit D is taken out by the local transfer robot LR, and is carried into a liquid processing unit M accessible by the local transfer robot LR for removal processing.
  • the substrate W that has been subjected to the removal processing or the like by the liquid processing unit M is taken out by the main transfer robot CR and transferred to the indexer robot IR via the substrate transfer unit 7.
  • the substrate W after the solidification processing in the solidification unit D may be carried into the liquid processing unit M for removal processing by the main transport robot CR.
  • FIG. 9 is a view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention, and shows a configuration example of the solidification unit D.
  • the solidification unit D has a solidification chamber 111 that constitutes a vacuum chamber.
  • An exhaust pipe 112 is connected to the solidification chamber 111.
  • the exhaust pipe 112 is connected to an exhaust unit 113 such as a vacuum pump.
  • An exhaust valve 110 is interposed in the exhaust pipe 112.
  • a substrate loading / unloading opening 114 for loading / unloading the substrate W by the local transfer robot LR is formed in the solidification chamber 111 on the side wall 115.
  • a substrate unloading opening 116 for unloading the substrate W after the solidification process may be formed in the side wall 117 in the solidification chamber 111 by the main transfer robot CR.
  • a shutter 118 for opening and closing the substrate carry-out opening 116 is provided, and the shutter 118 is configured to be driven by the shutter drive unit 119.
  • an O-ring 120 as a seal member is preferably provided on the surface of the shutter 118 that faces the solidification chamber 111. In this case, the shutter 118 is pressed against the side wall 117 of the solidification chamber 111, thereby hermetically sealing the substrate carry-out opening 116 via the O-ring 120.
  • the shutter drive unit 119 drives the shutter 118 to open the substrate carry-out opening 116.
  • the hand HC of the main transport robot CR enters the opened substrate carry-out opening 116.
  • the substrate loading / unloading opening 114 is opened and closed by a lid member 125 provided in the hand LH of the local transfer robot LR.
  • An O-ring 126 as a seal member is provided on the surface of the lid member 125 that faces the solidification chamber 111.
  • the local transfer robot LR carries the substrate W after the film formation processing liquid film 10 is formed in the liquid processing unit M into the solidification chamber 111, and further attaches the lid member 125 to the side wall of the solidification chamber 111 via the O-ring 126. It operates to press against 115. Thereby, the substrate loading / unloading opening 114 is airtightly closed.
  • An inert gas nozzle 71 ⁇ / b> A for introducing an inert gas into the space in the solidification chamber 111 is provided on the ceiling surface of the solidification chamber 111.
  • the inert gas nozzle 71A has the same configuration as that of the solidification unit shown in FIG. 3, and an inert gas is supplied to the inert gas nozzle 71A. 9, parts corresponding to those in FIG. 3 are given the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the outline of the operation of the solidification unit D is as follows.
  • the local transfer robot LR carries the substrate W into the solidification chamber 111 with the substrate carry-out opening 116 closed by the shutter 118.
  • This substrate W is a substrate in a state where the film forming treatment liquid film 10 is formed on the upper surface thereof.
  • the local transfer robot LR closes the substrate loading / unloading opening 114 by causing the hand LH to enter the solidification chamber 111 and pressing the lid member 125 against the outer surface of the side wall 115 of the solidification chamber 111.
  • the solidification chamber 111 becomes an airtight sealed space.
  • the exhaust valve 110 is opened and the exhaust unit 113 is operated, whereby the space in the solidification chamber 111 is reduced to a pressure lower than the atmospheric pressure. Thereby, the film forming treatment liquid film 10 on the substrate W is dried and solidified.
  • the inert gas valve 73 is opened, and the inert gas is supplied into the solidification chamber 111 from the inert gas nozzle 71. Thereby, the inside of the solidification chamber 111 is held in a low humidity space.
  • the inert gas valve 73 is closed so as not to inhibit the pressure reduction.
  • the operation of the exhaust unit 113 is stopped, and the inert gas valve 73 is opened as necessary.
  • the space in the solidification chamber 111 returns to atmospheric pressure.
  • the local transfer robot LR retracts the hand LH holding the substrate W on which the solidified film 10 ⁇ / b> S is formed, so as to leave the solidifying chamber 111.
  • the local transport robot LR transports the substrate W to the liquid processing unit M for removal processing.
  • the shutter drive unit 119 retracts the shutter 118 from the substrate carry-out opening 116, thereby opening the substrate carry-out opening 116. Thereafter, the main transfer robot CR causes the hand HC to enter the solidification chamber 111, receives the solidified substrate W from the hand LH of the local transfer robot LR, and unloads the substrate W from the substrate carry-out opening 116.
  • a shutter drive mechanism for opening and closing the substrate carry-in / carry-out opening 114 can be omitted.
  • the substrate W can be held in the solidification chamber 111 by the hand LH of the local transfer robot LR, there is no need to provide a substrate holding mechanism in the solidification chamber 111. Since the film forming treatment liquid film 10 by the reduced pressure can be solidified in a short time, there is no possibility that the productivity will be greatly affected by the holding of the substrate W during the solidifying process by the hand LH of the local transfer robot LR.
  • the substrate loading / unloading opening 114 can be sealed by the lid member 125, and the solidification process can be performed by holding the substrate W in the solidification chamber 111 as it is. Therefore, the operation dedicated to opening / closing the substrate carry-in / out opening 114 and the delivery operation of the substrate W can be omitted, so that the time required for the entire process can be shortened and productivity can be improved.
  • the shutter is opened / closed for loading / unloading the substrate, the time for the hand LH to leave the solidification chamber 111 when the substrate is loaded, the time for the hand LH to enter the solidification chamber 111 when the substrate is unloaded, and the substrate is placed on the lift pin.
  • Time for operation, time for receiving a substrate from the lift pins, time for raising and lowering the lift pins, and the like can be omitted.
  • the opening / closing time of the substrate loading / unloading opening 114 and the time required for the transfer of the substrate W to the main transport robot CR can be saved.
  • the substrate W may be heated in parallel with the solidification process by the reduced pressure. Specifically, the substrate W may be heated by heating the hand LH of the local transfer robot LR with the hand heating unit 97A (see FIG. 4). Further, a heating unit 127 for heating the substrate W by radiant heat or electromagnetic wave irradiation may be provided in the solidifying chamber 111, and the substrate W held by the hand LH may be heated by the heating unit 127.
  • FIG. 10 is a view for explaining a seventh embodiment of the present invention, and shows a configuration of a hand cleaning unit (arm cleaning unit) for cleaning the hand LH of the local transfer robot LR.
  • a configuration for cleaning the hand LH is provided in the local transfer chamber C.
  • a hand cleaning unit 170 is provided adjacent to the local transfer chamber C as indicated by a virtual line in FIG.
  • the hand cleaning unit 170 depressurizes the hand cleaning chamber 171 provided adjacent to the local transfer chamber C, the hand cleaning nozzle 172 disposed in the hand cleaning chamber, and the hand cleaning chamber 171 to a pressure lower than atmospheric pressure.
  • the hand cleaning chamber 171 constitutes a vacuum chamber.
  • An exhaust / drain pipe 176 is connected to the bottom 175 of the hand cleaning chamber 171.
  • the exhaust / drainage pipe 176 is connected to an exhaust unit 173 such as a vacuum pump via an exhaust pipe 176A.
  • An exhaust valve 177 is interposed in the exhaust pipe 176A.
  • the exhaust / drainage pipe 176 is further connected to the drainage pipe 176B via the drainage valve 178.
  • an opening 180 for inserting the hand LH of the local transfer robot LR is formed in the side wall 181.
  • the opening 180 is opened and closed by a lid member 125 provided in the hand LH of the local transfer robot LR.
  • An O-ring 126 as a seal member is provided on the surface of the lid member 125 that faces the hand cleaning chamber 171.
  • the hand cleaning nozzle 172 is disposed on the ceiling surface of the hand cleaning chamber 171, for example.
  • the hand cleaning nozzle 172 discharges cleaning liquid to the hand LH inserted into the hand cleaning chamber 171.
  • the hand cleaning nozzle 172 may be a shower nozzle that discharges the cleaning liquid in a shower shape.
  • a cleaning liquid pipe 185 is connected to the hand cleaning nozzle 172.
  • the cleaning liquid pipe 185 is connected to the cleaning liquid supply source 186.
  • the cleaning liquid supply source 186 supplies a cleaning liquid capable of dissolving the film forming processing liquid, for example, an organic solvent.
  • a cleaning liquid valve 187 that opens and closes the cleaning liquid flow path is interposed in the cleaning liquid pipe 185.
  • the outline of the operation of the hand washing unit 170 is as follows.
  • the local transfer robot LR closes the opening 180 by causing the hand LH to enter the hand cleaning chamber 171 and pressing the lid member 125 against the outer surface of the side wall 181 of the hand cleaning chamber 171.
  • the inside of the hand cleaning chamber 171 becomes an airtight sealed space.
  • the drain valve 178 is opened.
  • the cleaning liquid is supplied from the hand cleaning nozzle 172 to the hand LH by opening the cleaning liquid valve 187.
  • the cleaning liquid falls to the bottom 175, passes through the exhaust / drain pipe 176, and further drains through the drain valve 178 to the drain pipe 176B.
  • the cleaning liquid valve 187 is closed and the discharge of the cleaning liquid is stopped. Then, the drain valve 178 is closed, and instead, the exhaust valve 177 is opened, and the exhaust unit 173 is operated. Thereby, the space in the hand cleaning chamber 171 is decompressed to a pressure lower than the atmospheric pressure. Thereby, the liquid component on the hand LH evaporates and the hand LH is dried.
  • the exhaust unit 173 is stopped, and the drain valve 178 is opened as necessary. Thereby, the space in the hand cleaning chamber 171 returns to atmospheric pressure. Next, the local transfer robot LR retracts the hand LH to leave the hand cleaning chamber 171.
  • the substrate W may be heated in parallel with the decompression of the hand cleaning chamber 171. Specifically, the substrate W may be heated by heating the hand LH of the local transfer robot LR with the hand heating unit 97A (see FIG. 4). Thereby, drying of the hand LH can be promoted. Further, a heating unit 188 for heating the hand LH by radiant heat or electromagnetic wave irradiation may be provided in the hand cleaning chamber 171 to promote drying of the hand LH.
  • the hand cleaning chamber 171 (arm cleaning chamber) is provided adjacent to the local transfer chamber C, the hand cleaning is performed when the local transfer robot LR is not transferring the substrate W.
  • the hand LH can be cleaned in the chamber 171. Since the hand cleaning nozzle 172 (arm cleaning nozzle) is disposed in the hand cleaning chamber 171, the hand LH can be cleaned while preventing the cleaning liquid from entering the local transfer chamber C. Thereby, the influence of the cleaning liquid on the substrate W can be suppressed. Further, by reducing the pressure of the hand cleaning chamber 171, the hand LH after being cleaned with the cleaning liquid can be quickly dried.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention, and schematically shows a configuration example of a solidification unit that can be used in place of the solidification unit described above. It is sectional drawing.
  • the solidification unit D has a configuration similar to that shown in FIG. 3, and further includes a cooling plate 80 as a substrate cooling unit.
  • a configuration similar to the configuration shown in FIG. 9 can be used.
  • FIG. 10 shows an example having a configuration similar to the configuration shown in FIG.
  • the cooling plate 80 is disposed on the base part 81, holds the substrate W on the upper surface, and cools from the lower surface.
  • a plurality of (three or more) lift pins 84 are disposed through the cooling plate 80. The lift pins 84 are moved up and down by the lift pin lifting / lowering unit 85, thereby moving the substrate W up and down on the cooling plate 80.
  • the substrate processing apparatus further includes a second local transfer robot 150 that transfers the substrate W that has been solidified in the solidification chamber 51 to the cooling plate 80.
  • the second local transport robot 150 includes a hand 151 that holds the substrate W and a hand drive unit 152 that moves the hand 151.
  • the hand drive unit 152 reciprocates the hand 151 between the upper side of the substrate holder 52 (first substrate holding position) and the upper side of the cooling plate 80 (second substrate holding position).
  • the hand drive unit 152 may raise and lower the substrate W to deliver the lift pins 54 and 84 and the substrate W.
  • the solidification processing space 50 in the solidification chamber 51 is decompressed, and the film formation processing liquid film 10 on the surface of the substrate W is solidified, so 10S is formed.
  • the solidification treatment space 50 is returned to atmospheric pressure, and the movable lid 512 is opened.
  • an opening for carrying out the substrate W is formed between the base portion 511 and the movable lid portion 512.
  • the solidified substrate W is lifted above the substrate holder 52 by the lift pins 54.
  • the second local transport robot 150 causes the hand 151 to enter through an opening formed between the base portion 511 and the movable lid portion 512.
  • the lift pins 54 are lowered, and the solidified substrate W is transferred to the hand 151.
  • the second local transfer robot 150 drives the hand 151 to move the substrate W to above the cooling plate 80.
  • the lift pin lifting / lowering unit 85 raises the lift pin 84 to receive the substrate W from the hand 151.
  • the lift pins 84 are lowered, whereby the substrate W is placed on the cooling plate 80.
  • the cooling plate 80 cools the substrate W to room temperature. Thereafter, the lift pins 84 lift the substrate W, and the hand LH of the local transfer robot LR receives the substrate W and carries it out of the solidification unit D.
  • the hand HC of the main transport robot CR receives the substrate W from the lift pins 84 and carries it out of the solidification unit D.
  • the processing time in the solidification unit D can be shortened, and thus the productivity can be increased. Since the substrate W heated in the solidification chamber 51 is transported by the second local transport robot 150 that is different from the main transport robot CR, it is possible to avoid that excessive heat is stored in the main transport robot CR. The influence of heat on the substrate W carried by the CR can be suppressed.
  • the solidification unit D is configured to decompress the interior of the solidification chambers 51 and 111 and perform drying under reduced pressure.
  • the solidification unit D needs to have a configuration for decompression. Absent.
  • the solidification unit D may be configured to heat the substrate W in the atmospheric pressure and solidify the film forming treatment liquid film 10.
  • a heated inert gas may be supplied from the inert gas supply source 74, and drying and solidification of the film forming treatment liquid film 10 may be promoted by warm air generated by the inert gas.
  • the substrate transfer unit for temporarily holding the substrate W is disposed between the indexer robot IR and the main transfer robot CR. In the same manner as in the configuration of FIG. 8, the substrate may be transferred between them.

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Abstract

基板処理装置は、処理室内で基板の表面に処理液を供給して、基板の表面に処理液膜を形成する液処理ユニットと、固化室内で前記処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化ユニットと、除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理ユニットと、前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送ユニットと、前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入するローカル搬送ユニットと、を含む。

Description

基板処理装置および基板処理方法
　この発明は、基板を処理するための装置および方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
　半導体装置等の製造工程では、基板の表面に付着した異物を除去するための洗浄処理が行われる。たとえば、特許文献１は、基板の主面に揮発成分を含む成膜用処理液を供給する工程と、揮発成分を蒸発させて成膜用処理液を固化または硬化させることにより基板の主面に膜を形成する工程と、除去液によって基板主面上の膜を除去する工程とを実行する基板洗浄システムを開示している。成膜用処理液が固化または硬化するときに体積収縮が生じ、また除去液が供給されると膜の膨潤によって体積膨張が生じる。体積収縮および膨張の際に基板上のパーティクルに対して引っ張り力が作用し、基板主面（パターンの表面を含む）からパーティクルが引き離される。それにより、基板主面のパーティクルを除去することができる。
　特許文献１の図１４には、第１処理部、第２処理部および第３処理部を備えた基板洗浄装置が示されている。キャリヤから取り出された基板は、基板搬送装置によって第１処理部に搬入される。第１処理部は、基板に成膜用処理液としてトップコート液を供給する。トップコート液が供給された基板は、前記基板搬送装置によって第１処理部から取り出され、第３処理部に搬入される。第３処理部は、ホットプレートによって基板を加熱し、トップコート液中の揮発成分を揮発させる。それにより、トップコート液が体積収縮しながら固化または硬化して、トップコート膜が形成される。トップコート膜が形成された基板は、前記基板搬送装置によって第３処理部から取り出され、第２処理部に搬入される。第２処理部は、基板に除去液としてのアルカリ現像液を供給することによって、トップコート膜を除去する。その後、第２処理部において基板の洗浄が行われ、その洗浄後の基板は、前記基板搬送装置によって第２処理部から取り出される。その処理後の基板は、キャリヤに収容される。
特開２０１５－６２２５９号公報（図１４）
　特許文献１の先行技術では、同じ基板搬送装置が、未処理の基板を第１処理部に搬入し、成膜用処理液が塗布された基板を第１処理部から第３処理部に搬送し、第３処理部で加熱処理を受けて膜が形成された基板を第３処理部から第２処理部に搬送し、さらに第２処理部での処理を終えた基板を当該第２処理部から搬出している。
　第１処理部での処理後の基板の表面は未硬化の成膜用処理液で濡れているから、その成膜用処理液が基板搬送装置に付着するおそれがある。その付着した処理液は、その後に基板搬送装置が保持する別の基板へと転移し、その基板を汚染する。とくに、処理が終了した基板への処理液の転移は、基板処理の品質を損なう。また、成膜用処理液の雰囲気が、基板搬送装置によって基板が搬送される空間に漂うから、その雰囲気による基板への悪影響が生じるおそれもある。
　そこで、この発明の一つの目的は、基板表面に固化膜を形成するための処理の影響が他の基板に及ぶことを抑制した基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
　この発明の一実施形態は、処理室内で基板の表面に処理液を供給して、基板の表面に処理液膜を形成する液処理ユニットと、固化室内で前記処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化ユニットと、除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理ユニットと、前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送ユニットと、前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入するローカル搬送ユニットと、を含む、基板処理装置を提供する。
　この構成により、基板上の処理液膜が形成された後、その基板は、ローカル搬送ユニットによって固化室へと搬入される。したがって、主搬送ユニットが処理液によって汚染されることを回避できるので、その処理液が他の基板へと転移することを抑制または防止できる。また、主搬送ユニットによって基板が搬送される空間に処理液の雰囲気が漂うことを抑制または防止できるので、処理液の雰囲気による基板への悪影響も回避できる。こうして、基板処理品質を向上できる。また、主搬送ユニットの動作状態にかかわらず、処理室での処理を終えた基板を速やかに固化室へと搬送できる。
　この基板処理装置は、基板の表面の異物を除去する洗浄処理のために使用されてもよい。基板の表面で処理液膜が固化するときに体積収縮が生じる。また、基板の表面に形成された固化膜を除去するために除去液が供給されると、固化膜が膨潤して、体積膨張が生じる。この体積収縮および膨張の際に、基板表面の異物（パーティクル等）に引っ張り力が働き、それによって、基板表面の異物を剥離させることできる。剥離された異物は、固化膜と一緒に基板外へと除去できる。
　この発明の一実施形態では、前記固化ユニットが、前記基板を加熱する加熱ユニットを含む。これにより、基板上の処理液膜を加熱して固化させることができる。
　より具体的には、前記固化ユニットは、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持された基板を加熱する前記加熱ユニットとを含んでいてもよい。
　前記固化ユニットは、固化室内を大気圧よりも低い圧力に減圧する減圧ユニットを含んでいてもよい。また前記固化ユニットは、固化室内を換気する換気ユニットを含んでいてもよい。換気ユニットは、固化室内に低湿度ガス（たとえば不活性ガス）を供給する低湿度ガス供給ユニットを含んでいてもよい。それにより、基板上の成膜処理液膜の乾燥を促進し、その固化を促進できる。
　この発明の一実施形態では、前記主搬送ユニットが主搬送室に配置されており、前記ローカル搬送ユニットが、前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室に配置されている。これにより、処理液の雰囲気が主搬送室に漂うことをより確実に抑制または防止できるので、主搬送ユニットによって搬送される基板が処理液の雰囲気の影響を受けることを抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送ユニットが、さらに、前記固化室から基板を搬出し、前記除去室へ基板を搬入する。これにより、主搬送ユニットが固化処理後の基板から影響を受けることを回避できる。たとえば、固化処理後の基板が高温になっているとしても、主搬送ユニットが蓄熱することを回避できる。
　前述の特許文献１の構成では、第３処理部において基板が加熱されるので、その加熱された基板を基板搬送装置が保持することによって、基板搬送装置に熱が蓄積されるおそれがある。蓄積された熱は、基板搬送装置が搬送する基板へと伝わるから、それによって、基板に悪影響が及ぶおそれがある。
　そこで、ローカル搬送ユニットによって固化室から除去室へと基板を搬送することにより、主搬送ユニットに熱が蓄積されることを回避できるから、主搬送ユニットが搬送する基板に対する熱の影響を抑制できる。
　この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送ユニットが、前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入する第１搬送アームと、前記固化室から基板を搬出して前記除去室へ基板を搬入する第２搬送アームとを含む。
　この構成により、処理液膜が形成された基板は第１搬送アームで搬送され、固化膜が形成された基板は第２搬送アームで搬送される。したがって、第１搬送アームに処理液が付着したとしても、その処理液が固化処理後の基板に転移することを抑制または防止できる。
　第２搬送アームは第１搬送アームよりも上方に配置されることが好ましく、それにより、第１搬送アームによって保持される基板上の処理液が第２搬送アームに付着することを抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記液処理ユニットが、基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持された基板に処理液を吐出する処理液吐出ユニットとを含む。この構成により、水平に保持された基板上に処理液を広がらせ、基板の表面を覆う処理液膜を形成できる。
　この発明の一実施形態では、前記処理室と前記除去室とが同一の室である。すなわち、処理液および除去室は、別の室であってもよいし、同一の室であってもよい。
　この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送ユニットが、基板を保持してローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、前記基板処理装置が、前記ローカル搬送室に設けられ、前記搬送アームを洗浄する洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルをさらに含む。
　この構成により、ローカル搬送ユニットの搬送アームを洗浄できるので、搬送アームを清浄な状態に保持できる。それにより、搬送アームに処理液の汚染が蓄積されることを回避でき、処理液による汚染を抑制しながら、基板を搬送できる。しかも、搬送アームの洗浄はローカル搬送室で行われるので、主搬送ユニットによって搬送される基板に洗浄液または処理液の影響が及ぶことを抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送室は、前記洗浄液を受ける底部と、前記底部に受けられた洗浄液を排液する排液ユニットとを含む。これにより、搬送アームを洗浄した後の洗浄液をローカル搬送室外へと排出できるので、ローカル搬送室内の雰囲気を清浄に保持できる。それによって、基板への処理液雰囲気の影響を一層抑制できる。
　この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送ユニットが、基板を保持する搬送アームを有しており、前記基板処理装置が、前記搬送アームに設けられ、当該搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルをさらに含む。この構成により、搬送アームに設けられたアーム洗浄ノズルから洗浄液を吐出することで、搬送アームを確実に洗浄できる。したがって、搬送アームに処理液の汚染が蓄積されることを回避でき、処理液による汚染を抑制しながら、基板を搬送できる。また、主搬送ユニットによって搬送される基板に洗浄液または処理液の影響が及ぶことを抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送ユニットが、基板を保持してローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、前記基板処理装置が、前記ローカル搬送室に隣接して設けられたアーム洗浄室と、前記アーム洗浄室内に配置され、前記搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルと、前記アーム洗浄室内を大気圧よりも低圧に減圧して前記搬送アームを乾燥させる減圧ユニットと、をさらに含む。
　この構成により、ローカル搬送室に隣接してアーム洗浄室が設けられているので、ローカル搬送ユニットが基板を搬送していないときに、アーム洗浄室内において搬送アームを洗浄できる。アーム洗浄室にアーム洗浄ノズルが配置されているので、ローカル搬送室内に洗浄液が入り込むことを抑制しながら、搬送アームを洗浄できる。それにより、洗浄液による基板への影響を抑制できる。また、アーム洗浄室が減圧されることにより、洗浄液によって洗浄された後の搬送アームを速やかに乾燥できる。
　この発明の一実施形態では、前記除去処理ユニットが、前記除去室内で基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持された基板に除去液を吐出する除去液吐出ユニットと、を含む。この構成により、水平に保持された基板に除去液が供給されるので、基板表面に除去液を容易に行き渡らせて、固化膜の除去処理を効率的に進行させることができる。
　この発明の一実施形態は、基板の表面に処理室内で処理液を供給して、基板の表面に処理液膜を形成する処理液膜形成工程と、前記処理液膜形成工程の後、前記基板を固化室へ搬送する第１ローカル搬送工程と、前記固化室内で前記処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化膜形成工程と、前記固化膜形成工程の後、前記基板を除去室へ搬送する第２ローカル搬送工程と、前記除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理工程と、主搬送ユニットによって、前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送工程と、を含む、基板処理方法を提供する。
　この発明の一実施形態では、前記固化膜形成工程が、前記基板を加熱ユニットによって加熱する加熱工程を含む。
　この発明の一実施形態では、前記主搬送工程において前記基板が主搬送室を通って搬送され、前記第１ローカル搬送工程において、前記基板が前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室を通って搬送される。
　この発明の一実施形態では、前記第１ローカル搬送工程および前記第２ローカル搬送工程が、共通のローカル搬送ユニットによって実行される。
　この発明の一実施形態では、前記第１ローカル搬送工程が、前記ローカル搬送ユニットの第１搬送アームによって行われ、前記第２ローカル搬送工程が、前記ローカル搬送ユニットの第２搬送アームによって行われる。
　この発明の一実施形態の方法は、前記ローカル搬送ユニットの搬送アームに洗浄液を供給するアーム洗浄工程をさらに含む。
　この発明の一実施形態では、前記処理室および前記除去室が、共通の室である。
　この発明の一実施形態では、前記処理液膜形成工程の前に、基板を洗浄する洗浄工程が実行される。
　本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
図１Ａは、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための平面図である。 図１Ｂは、前記第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた液処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図３は、前記基板処理装置に備えられた固化ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図４は、前記基板処理装置に備えられたローカル搬送ロボットの構成例を説明するための図である。 図５Ａは、この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図５Ｂは、前記第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図である。 図６Ａは、この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図６Ｂは、前記第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図である。 図７は、この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図であり、主搬送室の一方側の構成が示されている。 図８は、この発明の第５の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図９は、この発明の第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、固化ユニットの構成例を示す。 図１０は、この発明の第７の実施形態を説明するための図であり、ローカル搬送ロボットのハンドを洗浄するハンド洗浄ユニットの構成を示す。 図１１は、この発明の第８の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、固化ユニットのさらに他の構成例を図解的に示す断面図である。
　以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
　［第１の実施形態］
　図１Ａは、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明するための平面図であり、図１Ｂはその立面図である。基板処理装置１は、キャリヤ保持部２と、インデクサロボットＩＲと、複数の液処理ユニットＭ１１～Ｍ１４，Ｍ２１～Ｍ２４（総称するときには「液処理ユニットＭ」という。）と、複数の固化ユニットＤ１１～Ｄ１４，Ｄ２１～Ｄ２４（総称するときには「固化ユニットＤ」という。）と、主搬送ロボットＣＲと、ローカル搬送ロボットＬＲ１１～ＬＲ１４，ＬＲ２１～ＬＲ２４（総称するときには「ローカル搬送ロボットＬＲ」という。）とを含む。主搬送ロボットＣＲは主搬送ユニットの一例であり、ローカル搬送ロボットＬＲはローカル搬送ユニットの一例である。
　キャリヤ保持部２は、複数枚の基板Ｗを積層状態で保持する基板容器であるキャリヤ３を保持する。この実施形態では、キャリヤ保持部２は、複数のキャリヤ３を保持可能に構成されている。インデクサロボットＩＲは、キャリヤ保持部２に保持されたキャリヤ３にアクセスして基板Ｗを出し入れし、かつ主搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。
　複数の液処理ユニットＭおよび複数の固化ユニットＤは、この実施形態では、複数層構造（この実施形態では２層構造）を成すように立体的に配置されている。具体的には、図１Ａに表れているように、平面視において、キャリヤ保持部２から直線状に延びた主搬送室５に主搬送ロボットＣＲが配置されており、主搬送室５の両側に２つずつの積層ユニット群Ｇ１，Ｇ２；Ｇ３，Ｇ４が主搬送室５に沿って配置されている。それにより、平面視において、主搬送ロボットＣＲの周囲に４箇の積層ユニット群Ｇ１～Ｇ４が配置されている。
　基板処理装置１の第１層Ｓ１および第２層Ｓ２に各４個の液処理ユニットＭ１１～Ｍ１４，Ｍ２１～Ｍ２４が配置されており、基板処理装置１は、合計で８個の液処理ユニットＭを備えている。第１層Ｓ１において、主搬送室５の両側に２つずつの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２；Ｍ１３，Ｍ１４が主搬送室５に沿って配置されている。これらの４個の液処理ユニットＭ１１～Ｍ１４の上に４個の固化ユニットＤ１１～Ｄ１４がそれぞれ配置されている。さらに、第２層Ｓ２において、主搬送室５の両側に２つずつの液処理ユニットＭ２１，Ｍ２２；Ｍ２３，Ｍ２４が主搬送室５に沿って配置されている。これらの４個の液処理ユニットＭ２１～Ｍ２４の上に４個の固化ユニットＤ２１～Ｄ２４がそれぞれ配置されている。一つの液処理ユニットＭと、その上に配置された固化ユニットＤとが、対応する対を成している。
　積層ユニット群Ｇ１は、下から順に、液処理ユニットＭ１１、固化ユニットＤ１１、液処理ユニットＭ２１および固化ユニットＤ２１を積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ２は、下から順に、液処理ユニットＭ１２、固化ユニットＤ１２、液処理ユニットＭ２２および固化ユニットＤ２２を積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ３は、下から順に、液処理ユニットＭ１３、固化ユニットＤ１３、液処理ユニットＭ２３および固化ユニットＤ２３を積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ４は、下から順に、液処理ユニットＭ１４、固化ユニットＤ１４、液処理ユニットＭ２４および固化ユニットＤ２４を積層して構成されている。
　主搬送ロボットＣＲは、合計８個の液処理ユニットＭにアクセスして基板Ｗを渡すことができ、さらにインデクサロボットＩＲとの間で基板Ｗを受け渡しすることができる。主搬送ロボットＣＲは、合計８個の固化ユニットＤにアクセスして基板Ｗを取り出すことができるように構成されていてもよい。
　ローカル搬送ロボットＬＲは、この実施形態では、第１層Ｓ１に４個備えられ、第２層Ｓ２に４個備えられている。より具体的には、平面視において、第１層Ｓ１には、主搬送室５の両側に２個ずつのローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ１２；ＬＲ１３，ＬＲ１４が配置されている。さらに具体的には、主搬送室５の一方側において、第１層Ｓ１には、キャリヤ保持部２と液処理ユニットＭ１１との間に一つのローカル搬送ロボットＬＲ１１が配置されており、キャリヤ保持部２から遠い側の端部にもう一つのローカル搬送ロボットＬＲ１２が配置されている。主搬送室５の他方側における２つのローカル搬送ロボットＬＲ１３，ＬＲ１４の配置も同様である。そして、第２層Ｓ２における４個のローカル搬送ロボットＬＲ２１，ＬＲ２２；ＬＲ２３，ＬＲ２４も同様に配置されている。ローカル搬送ロボットＬＲ１１～ＬＲ１４，ＬＲ２１～ＬＲ２４は、ローカル搬送室Ｃ１１～Ｃ１４，Ｃ２１～Ｃ２４（総称するときには「ローカル搬送室Ｃ」という。）内にそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Ｃは、主搬送室５から分離（離隔）するように区画された搬送空間を形成している。
　こうして、各対の液処理ユニットＭおよび固化ユニットＤに対して、一つのローカル搬送ロボットＬＲが設けられている。ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭによって処理された後の基板Ｗを当該液処理ユニットＭから取り出して、対応する固化ユニットＤへと搬送する。
　インデクサロボットＩＲ、主搬送ロボットＣＲおよびローカル搬送ロボットＬＲの動作例を概説すれば、次のとおりである。
　すなわち、インデクサロボットＩＲは、いずれかのキャリヤ３から未処理の基板Ｗを取り出し、主搬送ロボットＣＲに渡す。主搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから受け取った基板Ｗをいずれかの液処理ユニットＭに搬入する。液処理ユニットＭは、搬入された基板Ｗに対する処理を実行する。液処理ユニットＭは、具体的には、基板表面に対して前洗浄処理を施した後、成膜用の処理液を基板Ｗに供給し、その処理液の液膜を基板Ｗの表面に形成する。液処理ユニットＭによって処理された基板Ｗ、すなわち、表面に処理液膜が形成された基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって搬出され、その直上に配置された固化ユニットＤへと搬送される。固化ユニットＤは、搬入された基板Ｗの表面の処理液膜を固化させて固化膜を基板Ｗの表面に形成する。この固化処理後の基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって液処理ユニットＭへと搬送される。液処理ユニットＭは、基板Ｗに除去液を供給して、基板Ｗの表面の固化膜を除去し（除去処理）、さらに後洗浄処理を実行する。その後、基板Ｗは、液処理ユニットＭから主搬送ロボットＣＲによって搬出される。主搬送ロボットＣＲは、その基板ＷをインデクサロボットＩＲに渡す。インデクサロボットＩＲは、渡された基板Ｗをいずれかのキャリヤ３に収納する。
　固化ユニットＤによる処理後の基板Ｗは、主搬送ロボットＣＲによって搬送されてもよい。すなわち、主搬送ロボットＣＲは、固化ユニットＤによる処理後の基板Ｗを固化ユニットＤから搬出し、除去処理のために、いずれかの液処理ユニットＭに搬入してもよい。この場合、成膜用の処理液を基板Ｗに供給する液処理ユニットＭと、除去処理を実行する液処理ユニットＭとは、異なる液処理ユニットであり得る。
　インデクサロボットＩＲは、未処理の基板Ｗを主搬送ロボットＣＲに渡し、その直前、直後または同時に、処理済みの基板Ｗを主搬送ロボットＣＲから受け取るように動作してもよい。同様に、主搬送ロボットＣＲは、未処理の基板ＷをインデクサロボットＩＲから受け取り、その直前、直後または同時に、処理済みの基板ＷをインデクサロボットＩＲに渡すように動作してもよい。さらに、主搬送ロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを液処理ユニットＭに搬入し、その直後または直前に液処理ユニットＭから処理済みの基板Ｗ（後洗浄処理後の基板Ｗ）を搬出するように動作してもよい。
　このように、この実施形態では、一つの液処理ユニットＭに対して一つの固化ユニットＤが対応付けられている。そして、液処理ユニットＭと固化ユニットＤとが積層されている。さらに、一つの液処理ユニットＭおよび一つの固化ユニットＤの対に対して、一つのローカル搬送ロボットＬＲが設けられており、ローカル搬送ロボットＬＲは、それらの液処理ユニットＭおよび固化ユニットＤにアクセス可能である。ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭによって処理された基板Ｗを液処理ユニットＭから搬出し、その液処理ユニットＭに対応する固化ユニットＤへと搬送して、その固化ユニットＤに搬入する。具体的には、ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭから取り出した基板Ｗを垂直方向（さらに具体的には上方）へと搬送する。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、固化ユニットＤによって処理された基板Ｗを固化ユニットＤから搬出し、その固化ユニットＤに対応する液処理ユニットＭへと搬送して、その液処理ユニットＭに搬入する。具体的には、ローカル搬送ロボットＬＲは、固化ユニットＤから取り出した基板Ｗを垂直方向（さらに具体的には下方）へと搬送する。主搬送ロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを液処理ユニットＭに搬入し、液処理ユニットＭから処理後の基板Ｗを搬出する。
　液処理ユニットＭは、この実施形態では、除去処理ユニットとしての機能をも有している。
　図２は、液処理ユニットＭの構成例を説明するための図解的な断面図である。液処理ユニットＭは、処理室１１を備えている。処理室１１は、基板Ｗの表面に処理液膜を形成する処理室の一例であり、かつ基板Ｗの表面の固化膜を除去する除去室の一例でもある。処理室１１内には、基板Ｗを水平に保持して回転可能な基板保持ユニットとしてのスピンチャック１２と、スピンチャック１２を取り囲むカップ１３と、薬液ノズル１４と、処理液吐出ユニットとしての成膜処理液ノズル１５と、除去液吐出ユニットとしての除去液ノズル１６と、リンスノズル２９と、遮断板１９とが設けられている。スピンチャック１２は、基板回転ユニットの一例であるモータ１７によって鉛直な回転軸線１８まわりに回転させられる。
　薬液ノズル１４には、薬液配管２１が結合されている。薬液配管２１の途中には、薬液通路を開閉する薬液バルブ２２が介装されている。薬液配管２１には、薬液供給源２３から薬液が供給される。薬液の例としては、ＨＦ（フッ酸）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水）、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水）、リン酸、フッ硝酸、ＦＰＭ（フッ酸過酸化水素水）、ＦＯＭ（フッ酸オゾン水）、ＡＯＭ（アンモニアオゾン水）等を挙げることができる。薬液ノズル１４は、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの上方で移動可能な移動ノズルであってもよい。また、図２の薬液ノズル１４は、遮断板１９とは別に設けられているが、薬液ノズルは遮断板１９に組み込まれてもよい。
　成膜処理液ノズル１５には、成膜処理液配管２６が結合されている。成膜処理液配管２６の途中には、成膜処理液通路を開閉する成膜処理液バルブ２７が介装されている。成膜処理液配管２６には、成膜処理液供給源２８から、成膜処理液が供給される。成膜処理液は、加熱や減圧等の所定の固化処理によって固化して固化膜を形成でき、所定の除去液によってその固化膜を除去できる液体である。具体的には、成膜処理液としては、トップコート液、レジスト液、フェノール樹脂液などを利用できる。トップコート液とは、レジスト膜の上に形成される保護膜を形成するための液である。成膜処理液ノズル１５は、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの上方で移動可能な移動ノズルであってもよい。
　除去液ノズル１６には、除去液配管１０１が結合されている。除去液配管１０１の途中には除去液通路を開閉する除去液バルブ１０２が介装されている。除去液配管１０１には、除去液供給源１０３から、除去液が供給される。除去液は、成膜処理液を固化して形成した固化膜を除去することができる液体である。具体的には、除去液として、アルカリ現像液やＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）が用いられてもよい。アルカリ現像液は、アンモニア水、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）、コリン水溶液等を含んでいてもよい。除去液ノズル１６は、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの上方で移動可能な移動ノズルであってもよい。
　リンスノズル２９には、リンス液配管３１Ａおよび有機溶剤配管３１Ｂが結合されている。より具体的には、この実施形態では、リンス液配管３１Ａがリンスノズル２９に結合されており、有機溶剤配管３１Ｂがリンス液配管３１Ａに合流している。リンス液配管３１Ａの途中には、リンス液配通路を開閉するリンス液バルブ３２Ａが介装されている。有機溶剤配管３１Ｂの途中には、有機溶剤通路を開閉する有機溶剤バルブ３２Ｂが介装されている。リンス液配管３１Ａには、リンス液供給源３３Ａからリンス液が供給される。リンス液は、この実施形態ではＤＩＷ（脱イオン水）である。むろん、炭酸水等の他のリンス液が用いられてもよい。有機溶剤配管３１Ｂには、有機溶剤供給源３３Ｂから有機溶剤が供給される。有機溶剤は、リンス液よりも表面張力が小さい低表面張力液体の一例である。この実施形態では、リンス液および有機溶剤が配管３１Ａを通って共通のノズル２９から供給されているが、リンス液および有機溶剤をそれぞれ供給する個別の独立した配管およびノズルが設けられてもよい。
　有機溶剤は、リンス液と置換可能な有機溶剤であり、より具体的には、水との親和性のある有機溶剤である。このような有機溶剤としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、メタノール、エタノール、ブタノール、アセトン、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＥＧＭＥＡ（エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート）などを例示することができる。
　遮断板１９は、スピンチャック１２に保持される基板Ｗの上面に対向する対向面１９ａを有している。遮断板１９は、遮断板駆動ユニット２０によって駆動される。遮断板駆動ユニット２０は、遮断板昇降ユニット２０Ａと、遮断板回転ユニット２０Ｂとを含む。遮断板昇降ユニット２０Ａは、遮断板１９を上下動させて、対向面１９ａをスピンチャック１２に保持された基板Ｗに接近させたり離間させたりする。遮断板回転ユニット２０Ｂは、スピンチャック１２と共通の回転軸線１８まわりに遮断板１９を回転駆動する。より具体的には、遮断板回転ユニット２０Ｂは、遮断板１９を支持している回転軸２５に回転力を与える。遮断板１９の対向面１９ａの中央、すなわち、回転軸線１８上に、リンスノズル２９が配置されている。回転軸２５は、中空軸であり、その内部をリンス液配管３１Ａが挿通している。
　対向面１９ａの中央には、リンスノズル２９を下方に向けて露出させる開口１９ｂが形成されている。この開口１９ｂは、回転軸２５の内部空間と連通している。リンス液配管３１Ａと回転軸２５の内壁との間には、不活性ガスを流通させるための不活性ガス流路４５が形成されている。この不活性ガス流路４５には、不活性ガス配管４６が接続されている。不活性ガス配管４６の途中には、流路を開閉する不活性ガスバルブ４７が介装されている。不活性ガス配管４６は、不活性ガス供給源４８に結合されている。不活性ガス供給源４８は、不活性ガスを供給する。不活性ガスは、基板Ｗの表面の物質に対して不活性なガスであり、たとえば窒素ガスであってもよい。薬液ノズルを遮断板１９に組み込む場合には、回転軸２５にはさらに薬液配管が挿通され、薬液ノズルは、開口１９ｂから下方に向けて露出させられる。
　遮断板昇降ユニット２０Ａによって遮断板１９を上下動させることによって、リンスノズル２９が同時に昇降し、それによって、スピンチャック１２に保持された基板Ｗからリンスノズル２９までの高さが変動する。
　スピンチャック１２の回転軸１３０は、中空軸で構成されている。この回転軸１３０には、裏面ノズル１３１が挿通されている。裏面ノズル１３１の上端は、基板Ｗ下面の回転中心に向けてリンス液を吐出する吐出口１３２を形成している。裏面ノズル１３１には、リンス液供給配管１３３が結合されている。リンス液供給配管１３３は、リンス液バルブ１３４を介してリンス液供給源１３５に結合され、かつ有機溶剤バルブ１３６を介して有機溶剤供給源１３７に結合されている。リンス液供給源１３５は、ＤＩＷその他のリンス液を供給する。有機溶剤供給源１３７は、ＩＰＡその他の有機溶剤を供給する。
　裏面ノズル１３１と回転軸１３０との間の空間は、基板Ｗの下面に向けて不活性ガスを供給するための不活性ガス流路１４０を形成している。不活性ガス流路１４０には、不活性ガス供給配管１４１が結合されている。不活性ガス供給配管１４１の途中に不活性ガスバルブ１４２が介装されている。不活性ガス供給配管１４１は、不活性ガス供給源１４３に結合されている。不活性ガス供給源１４３は、不活性ガスを供給する。不活性ガスは、基板Ｗを構成する物質に対して不活性なガスであり、たとえば窒素ガスであってもよい。
　処理室１１の側壁３５，３６には、主搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬入／搬出される基板搬入／搬出開口３７と、ローカル搬送ロボットＬＲによって基板Ｗが搬入／搬出される基板搬入／搬出開口３８とがそれぞれ形成されている。基板搬入／搬出開口３７および基板搬入／搬出開口３８には、それらを開閉するシャッタ３９，４０がそれぞれ配置されている。シャッタ３９，４０は、シャッタ駆動ユニット４１，４２によって、それぞれ開閉駆動される。基板搬入／搬出開口３７は、主搬送室５と処理室１１とを連通させる開口であり、主搬送室５と処理室１１とを区画する側壁３５に形成されている。基板搬入／搬出開口３８は、処理室１１とローカル搬送室Ｃとを連通させる開口であり、処理室１１とローカル搬送室Ｃとを区画する側壁３６に形成されている。
　液処理ユニットＭの動作を概説すれば次のとおりである。
　主搬送ロボットＣＲが未処理の基板Ｗを搬入するとき、シャッタ３９が基板搬入／搬出開口３７を開く。未処理の基板Ｗを保持した主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣ（アーム）が基板搬入／搬出開口３７から処理室１１内へと進入し、スピンチャック１２に、その基板Ｗを渡す。基板Ｗの受け渡しのために、必要に応じて、カップ１３またはスピンチャック１２が上下動されてもよい。基板Ｗをスピンチャック１２に渡した主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣは、基板搬入／搬出開口３７を通って処理室１１から退出する。その後、シャッタ駆動ユニット４１は、シャッタ３９を駆動して、基板搬入／搬出開口３７を閉じる。
　次いで、モータ１７によってスピンチャック１２が回転させられ、薬液バルブ２２が開かれる。それにより、回転状態の基板Ｗの表面に薬液が供給され、遠心力によって基板Ｗ表面の全域に薬液が行き渡る。こうして、基板Ｗを薬液で処理する薬液工程（前洗浄のための薬液工程）が実行される。薬液バルブ２２を閉じることにより薬液の供給が停止して、薬液工程が終了する。
　薬液工程の後、スピンチャック１２の回転を継続しながら、リンス液バルブ３２Ａ，１３４が開かれる。それにより、回転状態の基板Ｗの表面および裏面にリンス液が供給される。基板Ｗの表面に供給されたリンス液は、基板Ｗ表面の全域に広がり、基板Ｗ表面の薬液を置換する。また、基板Ｗの裏面に供給されたリンス液は、基板Ｗ裏面の全域に広がり、基板Ｗの裏面に付着したリンス液を洗い流す。こうしてリンス工程が実行される。リンス液バルブ３２Ａを閉じることによりリンス液の供給が停止して、リンス工程が終了する。
　このリンス工程の終了後、またはリンス工程の終了直前に、有機溶剤バルブ３２Ｂが開かれる。それにより、基板Ｗ表面に有機溶剤が供給される。スピンチャック１２は回転状態に保持される。したがって、有機溶剤は、基板Ｗ表面の全域に広がり、基板Ｗ表面のリンス液を置換する。このとき、遮断板駆動ユニット２０は、遮断板１９を下降させて、対向面１９ａを基板Ｗの表面に近接した処理位置に配置する。
　次に、有機溶剤バルブ３２Ｂが閉じられて、遮断板１９が上昇させられる。さらに、基板Ｗの上方に成膜処理液ノズル１５が配置され、その状態で、成膜処理液バルブ２７が開かれる。それにより、基板Ｗ表面に成膜処理液が供給される。スピンチャック１２は回転状態に保持される。したがって、成膜処理液は、基板Ｗ表面の全域に広がり、基板Ｗ表面の全域に亘る液膜１０を形成する。この成膜処理液膜１０が形成された後、成膜処理液バルブ２７が閉じられる。
　次に、成膜処理液ノズル１５が退避した後、遮断板１９が下降させられて、対向面１９ａが基板Ｗに近接した処理位置に配置される。さらに、有機溶剤バルブ１３６が開かれる。それにより、裏面ノズル１３１から基板Ｗ裏面（下面）に有機溶剤が供給され、その有機溶剤は、遠心力によって基板Ｗの裏面の全域に行き渡り、基板Ｗの裏面に付着した成膜処理液を洗い流す。
　その後、有機溶剤バルブ１３６が閉じられ、スピンチャック１２の回転が加速される。それにより、基板Ｗの裏面の液成分が振り切られる。このとき、不活性ガスバルブ４７および１４２が開かれてもよい。それにより、基板Ｗの表面側では、成膜処理液膜１０中の揮発成分の揮発が促され、それにより、成膜処理液膜１０の固化が進む。また、基板Ｗの裏面側では、乾燥が促進される。
　その後、遮断板駆動ユニット２０が遮断板１９を上方に退避させる。そして、スピンチャック１２の回転が停止されて、成膜処理液膜１０を形成するための処理が終了する。
　次に、シャッタ駆動ユニット４２は、シャッタ４０を駆動して、基板搬入／搬出開口３８を開く。この基板搬入／搬出開口３８から、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ（アーム）が処理室１１内に進入し、スピンチャック１２から基板Ｗを受け取り、基板搬入／搬出開口３８を通して、当該基板Ｗを処理室１１外へと搬出する。基板Ｗの受け渡しのために、必要に応じて、カップ１３またはスピンチャック１２が上下動されてもよい。ローカル搬送ロボットＬＲは、表面に成膜処理液膜１０が形成された状態の基板Ｗを、固化ユニットＤまで搬送する。
　固化ユニットＤで成膜処理液膜１０が固化されて固化膜１０Ｓとされた後、その固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって、液処理ユニットＭへと搬送される。このとき、シャッタ駆動ユニット４２は、シャッタ４０を駆動して、基板搬入／搬出開口３８を開く。この基板搬入／搬出開口３８から、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ（アーム）が処理室１１内に進入し、スピンチャック１２に基板Ｗを渡した後に、処理室１１外へと退出する。基板Ｗの受け渡しのために、必要に応じて、カップ１３またはスピンチャック１２が上下動されてもよい。
　液処理ユニットＭは、こうして導入された基板Ｗに対して、その表面の固化膜１０Ｓを除去するための除去工程と、その後の洗浄工程（後洗浄工程）とを実行する。
　具体的には、モータ１７によってスピンチャック１２が回転させられ、さらに、除去工程を実行するために、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの上方に除去液ノズル１６が配置される。そして、除去液バルブ１０２が開かれる。それにより、基板Ｗの表面に除去液が供給され、その除去液は遠心力によって基板Ｗの表面の全域に行き渡る。この除去液の作用によって、基板Ｗの表面の固化膜１０Ｓが剥離される。
　次に、除去液バルブ１０２を閉じ、除去液ノズル１６を基板Ｗの上方から退避させた後に、後洗浄工程が実行される。具体的には、薬液ノズル１４が基板Ｗの上方に配置され、スピンチャック１２が回転させられている状態で、薬液バルブ２２が開かれる。それにより、回転状態の基板Ｗの表面に薬液が供給され、遠心力によって基板Ｗ表面の全域に薬液が行き渡る。こうして、基板Ｗを薬液で処理する薬液工程（後洗浄のための薬液工程）が実行される。薬液バルブ２２を閉じることにより薬液の供給が停止して、薬液工程が終了する。薬液ノズル１４は、スピンチャック１２の上方から退避させられる。
　薬液工程の後、スピンチャック１２の回転を継続しながら、リンス液バルブ３２Ａ，１３４が開かれる。それにより、回転状態の基板Ｗの表面および裏面にリンス液が供給される。基板Ｗの表面に供給されたリンス液は、基板Ｗ表面の全域に広がり、基板Ｗ表面の薬液を置換する。また、基板Ｗの裏面に供給されたリンス液は、基板Ｗ裏面の全域に広がり、基板Ｗの裏面に付着したリンス液を洗い流す。こうしてリンス工程が実行される。リンス液バルブ３２Ａを閉じることによりリンス液の供給が停止して、リンス工程が終了する。
　このリンス工程の終了後、またはリンス工程の終了直前に、有機溶剤バルブ３２Ｂ，１３６が開かれる。それにより、基板Ｗ表面および裏面に有機溶剤が供給される。スピンチャック１２は回転状態に保持される。したがって、有機溶剤は、基板Ｗ表面および裏面の全域に広がり、基板Ｗ表面および裏面のリンス液を置換する。このとき、遮断板駆動ユニット２０は、遮断板１９を下降させて、対向面１９ａを基板Ｗの表面に近接した処理位置に配置する。
　次に、有機溶剤バルブ３２Ｂ，１３６が閉じられ、代わって、不活性ガスバルブ４７，１４２が開かれて、基板Ｗの表面および裏面に不活性ガスが供給される。また、スピンチャック１２の回転が加速される。それによって、基板Ｗの表面および裏面の液成分が振り切られる。基板Ｗの表裏面に供給される不活性ガスは、基板Ｗの乾燥を促進する。
　乾燥処理が終了すると、スピンチャック１２の回転が停止させられ、不活性ガスバルブ４７，１４２が閉じられる。さらに、遮断板駆動ユニット２０が遮断板１９を上方に退避させる。
　次に、シャッタ駆動ユニット４１は、シャッタ３９を駆動して、基板搬入／搬出開口３７を開く。この基板搬入／搬出開口３７から、主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣ（アーム）が処理室１１内に進入し、スピンチャック１２から基板Ｗを受け取り、基板搬入／搬出開口３７を通して、当該基板Ｗを処理室１１外へと搬出する。基板Ｗの受け渡しのために、必要に応じて、カップ１３またはスピンチャック１２が上下動されてもよい。
　基板Ｗ上の固化膜１０Ｓの除去は、その固化膜１０Ｓの種類によっては、薬液ノズル１４から供給される薬液によって行うこともできる。すなわち、薬液ノズル１４から供給される薬液が除去液として用いられてもよい。この場合には、除去液ノズル１６およびそれに関連する構成を省くことができ、除去工程と後洗浄工程とを区別する必要がない。
　また、成膜処理液膜１０を形成する前の前洗浄工程は、省かれてもよい。
　また、薬液ノズルが遮断板１９に組み込まれる場合には、遮断板１９は、処理の間、終始、基板Ｗに近接した近接位置に位置する。
　図３は、固化ユニットＤの構成例を説明するための図解的な断面図である。固化ユニットＤは、密閉可能な減圧チャンバ（真空チャンバ）からなる固化室５１を有している。固化室５１の容積は、液処理ユニットＭの処理室１１の容積よりも小さく、それによって、固化室５１は、内部空間を効率的に減圧できる構造を有している。固化室５１内に、基板Ｗを保持する基板保持ユニットとしての基板ホルダ５２が配置されている。基板ホルダ５２には、基板加熱ユニットとしてのヒータ５３Ｈと、基板冷却ユニットとしての冷却ユニット５３Ｃとが内蔵されており、それによって、温度調節プレートが構成されている。ヒータ５３Ｈは、伝熱または熱輻射によって基板Ｗを加熱する。ヒータ５３Ｈの代わりに、電磁波（紫外線、赤外線、マイクロ波、レーザ光など）を照射して基板を加熱する電磁波照射ユニットを基板加熱ユニットとして用いてもよい。また、フラッシュランプを基板加熱ユニットとして用いてもよい。冷却ユニット５３Ｃは、基板ホルダ５２内を通る冷媒通路を有していてもよいし、電子冷熱素子を有していてもよい。
　基板ホルダ５２を貫通して複数（３本以上）のリフトピン５４が配置されている。リフトピン５４は、リフトピン昇降ユニット５５によって上下動され、それによって、基板ホルダ５２上で基板Ｗを上下動させる。
　固化室５１は、ベース部５１１と、ベース部５１１に対して上下動する可動蓋部５１２とを有している。可動蓋部５１２は、蓋部駆動ユニット５６によって、ベース部５１１に対して上下動させられる。ベース部５１１と可動蓋部５１２との間に固化処理空間５０が区画される。可動蓋部５１２の下端縁部５８は、ベース部５１１の上面５９に倣う平面に沿って形成されている。ベース部５１１において、可動蓋部５１２の下端縁部５８に対向する位置には、シール部材としてのＯリング６０が配置されている。可動蓋部５１２をベース部５１１に接近させ、ベース部５１１に向けて押し付けると、可動蓋部５１２とベース部５１１との間がＯリング６０によって密閉される。こうして、密閉された固化処理空間５０が形成される。
　ベース部５１１には、排気配管６２が結合されている。排気配管６２は、固化処理空間５０に連通している。排気配管６２は、真空ポンプ等の排気ユニット６３に接続されている。排気配管６２には、排気バルブ６４が介装されている。排気ユニット６３は減圧ユニットの一例であり、排気バルブ６４を開いて排気ユニット６３を駆動することによって、固化処理空間５０を大気圧よりも低い気圧（たとえば０．０１Ｔｏｒｒ以下）に減圧できる。
　可動蓋部５１２には、固化処理空間５０に不活性ガスを導入するための不活性ガスノズル７１が設けられている。不活性ガスノズル７１には、不活性ガス配管７２が結合されている。不活性ガス配管７２の途中には、不活性ガスバルブ７３が介装されている。不活性ガス配管７２は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源７４に結合されている。不活性ガスは低湿度ガスの一例であり、不活性ガスノズル７１等は低湿度ガス供給ユニットの一例である。たとえば、基板Ｗが固化処理空間５０に搬入される前から、不活性ガスノズル７１から不活性ガスを供給しておくことによって、固化室５１内を換気でき、成膜処理液１０が乾燥しやすい雰囲気を形成できる。
　固化ユニットＤの動作を概説すれば、次のとおりである。
　ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨは、表面に成膜処理液膜１０が形成された状態の基板Ｗを固化ユニットＤに搬入する。基板Ｗが搬入されるとき、可動蓋部５１２はベース部５１１から離れた開放位置にあり、それにより、可動蓋部５１２とベース部５１１との間に基板搬入開口が形成される。このとき、リフトピン５４は、その先端が基板ホルダ５２の表面から上方に離間した上昇位置にある。その状態で、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨが、可動蓋部５１２とベース部５１１との間に進入して、リフトピン５４に基板Ｗを渡す。基板Ｗを渡されたリフトピン５４は、下降し、基板ホルダ５２の上面に基板Ｗを載置する。
　蓋部駆動ユニット５６は、可動蓋部５１２を下降させ、Ｏリング６０を介してベース部５１１に押し付ける。これにより、固化処理空間５０が密閉空間となる。さらに、排気バルブ６４が開かれ、排気ユニット６３が駆動されることにより、固化処理空間５０内の雰囲気が排気され、固化処理空間５０が減圧される。減圧を阻害しないように、不活性ガスバルブ７３は閉状態とされる。
　固化処理空間５０内が減圧されることによって、基板Ｗの表面の成膜処理液膜１０の蒸発が促進される。さらに、ヒータ５３Ｈを駆動して基板ホルダ５２が加熱され、ベーク処理が行われる。こうして、基板Ｗの雰囲気の減圧と基板Ｗの加熱とを併用して、成膜処理液膜１０が速やかに固化する。固化とは、ここでは、固体化または硬化することを意味し、成膜処理液中の溶媒成分が蒸発して乾燥して固体化または硬化してもよいし、成膜処理液中の分子同士が結合して高分子化して固体化または硬化してもよい。この固化の際に体積収縮が生じることによって、基板Ｗの表面に付着しているパーティクル等の異物に力が働き、それによって、異物が基板Ｗの表面から引き離される。
　成膜処理液膜１０の固化が終了した後、排気ユニット６３が停止され、必要に応じて不活性ガスバルブ７３を開くことにより、固化処理空間５０内が大気圧まで加圧される。そして、ヒータ５３Ｈが駆動停止し、代わって、冷却ユニット５３Ｃが作動させられて、基板ホルダ５２が冷却される。それにより、基板Ｗがたとえば常温まで冷却させられる。その後、蓋部駆動ユニット５６が、可動蓋部５１２を上昇させて、ベース部５１１から離間させる。さらに、リフトピン５４が上昇して、基板ホルダ５２の上面から上方に離れた高さまで基板Ｗを持ち上げる。この状態で、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨが可動蓋部５１２とベース部５１１との間に進入し、リフトピン５４から処理後の基板Ｗをすくいとり、ローカル搬送室Ｃへと退出する。固化処理後の基板Ｗを主搬送ロボットＣＲが搬送する場合には、主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣが可動蓋部５１２とベース部５１１との間に進入し、リフトピン５４から処理後の基板Ｗをすくいとり、主搬送室５へと退出する。
　図４は、ローカル搬送ロボットＬＲの構成例を説明するための図である。ローカル搬送ロボットＬＲは、ローカル搬送室Ｃ内に配置されている。ローカル搬送室Ｃは、液処理ユニットＭの処理室１１と、当該処理室１１の上に配置された固化ユニットＤの固化室５１とに対向し、固化室５１が開かれているときに、固化室５１と連通する。
　ローカル搬送ロボットＬＲは、基板Ｗを保持するためのハンドＬＨ（アーム）と、ハンドＬＨを駆動するハンド駆動ユニット９０とを含む。この例では、ハンドＬＨは、一対のハンドＬＨ１，ＬＨ２を含み、これらは上下方向にずれて（さらに必要に応じて水平方向にずれて）配置されている。ハンド駆動ユニット９０は、ハンドＬＨ１，ＬＨ２を水平移動および垂直移動させ、さらに必要に応じて、ハンドＬＨ１，ＬＨ２を鉛直な回転軸線８９まわりに回動させる。
　それにより、ハンドＬＨ１，ＬＨ２は、液処理ユニットＭの処理室１１内に進入してスピンチャック１２から基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを固化ユニットＤまで搬送し、固化室５１内へとその基板Ｗを搬入してリフトピン５４（図３参照）に渡し、その後にローカル搬送室Ｃに退出することができる。また、ハンドＬＨ１，ＬＨ２は、固化ユニットＤの固化室５１内に進入してリフトピン５４から基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを液処理ユニットＭまで搬送し、その基板Ｗを処理室１１内へと搬入してスピンチャック１２に渡し、その後にローカル搬送室Ｃに退出することができる。
　ハンド駆動ユニット９０は、少なくとも液処理ユニットＭおよび固化ユニットＤにアクセスするときに、一対のハンドＬＨ１，ＬＨ２をそれらのユニットに対して独立して進退させることができる。たとえば、ハンドＬＨ１は、成膜処理液膜１０が形成された基板Ｗを液処理ユニットＭから固化ユニットＤに搬送するときに用いられ、ハンドＬＨ２は、固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗを固化ユニットＤから液処理ユニットＭに搬送するときに用いられてもよい。この場合、成膜処理液膜１０からの液だれを考慮して、固化ユニットＤでの処理後の基板Ｗを保持するハンドＬＨ２は、成膜処理液膜１０が形成された基板Ｗを保持するハンドＬＨ１よりも上方に配置されていることが好ましい。
　固化ユニットＤは、液処理ユニットＭの上に配置されているので、ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭから基板Ｗを搬出した後、ハンドＬＨを固化ユニットＤの高さまで上昇させるように動作する。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、固化ユニットＤから基板Ｗを搬出した後、ハンドＬＨを液処理ユニットＭの高さまで下降させるように動作する。
　ローカル搬送ロボットＬＲは、さらに、液処理ユニットＭによって成膜処理液膜１０が形成された基板Ｗを保温または加熱するためにハンドＬＨ１を加熱するハンド加熱ユニット９７Ａ（アーム加熱ユニット）を備えていてもよい。ハンド加熱ユニット９７Ａは、ハンドＬＨ１に形成された熱媒通路９８Ａに熱媒を循環させるように構成されていてもよい。このような熱媒通路９８Ａを有する構成に代えて、ハンドＬＨ１を加熱するヒータ（図示せず）をハンドＬＨ１に備えてもよい。また、ハンド加熱ユニット９７Ａは、ローカル搬送室Ｃに備えられた加熱プレート９９Ａを加熱するように構成されていてもよい。この場合、ハンドＬＨ１が基板Ｗを保持していない期間に、ハンドＬＨ１が加熱プレート９９Ａに接触させられる。それにより、ハンドＬＨ１の非稼働動期間にハンドＬＨ１が加熱される。その加熱されたハンドＬＨ１によって基板Ｗを搬送することにより、搬送中に基板Ｗを加熱できるので、基板Ｗが加熱され、成膜処理液膜１０の乾燥固化を進行させることができる。
　ローカル搬送ロボットＬＲは、さらに、固化ユニットＤによって固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗを冷却するためにハンドＬＨ２を冷却するハンド冷却ユニット９７Ｂ（アーム冷却ユニット）を備えていてもよい。ハンド冷却ユニット９７Ｂは、ハンドＬＨ２に形成された冷媒通路９８Ｂに冷媒を循環させるように構成されていてもよい。このような冷媒通路９８Ｂを有する構成に代えて、ハンドＬＨ２を冷却する電子冷熱素子（図示せず）をハンドＬＨ２に備えてもよい。また、ハンド冷却ユニット９７Ｂは、ローカル搬送室Ｃに備えられた冷却プレート９９Ｂを冷却するように構成されていてもよい。この場合、ハンドＬＨ２が基板Ｗを保持していない期間に、ハンドＬＨ２が冷却プレート９９Ｂに接触させられる。それにより、ハンドＬＨ２の非稼働動期間にハンドＬＨ２が冷却される。その冷却されたハンドＬＨ２によって基板Ｗを搬送することにより、搬送中に基板Ｗを冷却できるので、十分に冷却された基板Ｗを液処理ユニットＭに搬入できる。加えて、固化ユニットＤでの冷却処理時間を短縮できる。
　ハンドＬＨ１，ＬＨ２に保持された基板Ｗを効率的に加熱／冷却するために、ハンドＬＨ１，ＬＨ２は、基板Ｗの形状に対応したプレート状に構成されていてもよい。このようなプレート状のハンドＬＨ１，ＬＨ２は、スピンチャック１２との基板Ｗの受け渡しのために、スピンチャック１２に備えられたチャックピンを回避する切欠きが周囲に形成された切欠き付プレート形状を有していてもよい。
　たとえば、図４に示すように、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ（またはハンドＬＨの移動によらずにハンドＬＨとの相対位置が大きく変化しない可動部位）には、ハンドＬＨを洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液ノズル９１が配置されてもよい。洗浄液ノズル９１は、洗浄液配管９２に接続されている。洗浄液配管９２には、洗浄液バルブ９３が介装されている。洗浄液配管９２は、洗浄液供給源９４に接続されている。洗浄液供給源９４は、ハンドＬＨを洗浄するための洗浄液を供給する。この洗浄液は、成膜用処理液と親和性のある液体、たとえば有機溶剤であることが好ましい。
　図４に示すように、ハンドＬＨに洗浄液ノズル９１を備える代わりに、またはその洗浄液ノズル９１に加えて、ローカル搬送室Ｃ内に洗浄液ノズル９１Ａが取り付けられてもよい。
　ローカル搬送ロボットＬＲが基板Ｗを搬送していない期間に、洗浄液バルブ９３を開くことにより、洗浄液ノズル９１，９１Ａから洗浄液を吐出させ、その洗浄液によってハンドＬＨを洗浄することができる。それにより、とくにハンドＬＨに付着する成膜用処理液やその他の物質を除去し、ハンドＬＨを清浄な状態に保持することができる。
　ローカル搬送室Ｃの底部１６０は、洗浄液を受ける。底部１６０には、排液ユニットとしての排液配管１６１が接続されている。底部１６０で受けられた洗浄液は、排液配管１６１を通って排液される。
　ローカル搬送室Ｃ内に不活性ガスを供給する不活性ガスノズル１６５が設けられてもよい。不活性ガスノズル１６５には、不活性ガス配管１６６が接続されている。不活性ガス配管１６６の途中には、不活性ガスバルブ１６７が介装されている。不活性ガス配管１６６には、不活性ガス供給源１６８が接続されている。不活性ガス供給源１６８は、窒素ガスその他の不活性ガスを供給する。不活性ガスバルブ１６７を開くことにより、ローカル搬送室Ｃ内に不活性ガスを供給できる。それにより、洗浄後のハンドＬＨの乾燥を促進できる。また、ハンドＬＨに保持された基板Ｗの付近に不活性ガスを供給することができるから、とくにハンドＬＨ１に保持される基板Ｗ上の成膜処理液膜１０の乾燥を促進し、その固化を促進することができる。
　不活性ガスノズル１６５は、ハンドＬＨ（またはハンドＬＨの移動によらずにハンドＬＨとの相対位置が大きく変化しない可動部位）に配置されてもよい。それにより、ハンドＬＨおよびハンドＬＨに保持された基板Ｗの表面に効率的に不活性ガスを供給できる。
　なお、固化ユニットＤでの処理後の基板Ｗを主搬送ロボットＣＲによって搬出させる場合には、ローカル搬送ロボットＬＲはハンドＬＨ１およびそれに関連する構成を有していれば足りる。すなわち、ハンドＬＨ２およびそれに関連する構成を省くことができる。
　また、固化ユニットＤでの処理後の基板Ｗをローカル搬送ロボットＬＲによって搬送する場合にも、ハンドＬＨ２およびそれに関連する構成を省いてもよい。すなわち、同じハンドＬＨ１で、成膜処理液膜１０が形成された基板Ｗの搬送と、固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗの搬送とを行ってもよい。この場合、液処理ユニットＭから固化ユニットＤへと基板Ｗを搬送した後に、ハンドＬＨ１を洗浄し、その後に、当該ハンドＬＨ１で固化ユニットＤから液処理ユニットＭへと表面に固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗを搬送してもよい。
　以上のように、この実施形態によれば、液処理ユニットＭの処理室において基板Ｗ上に成膜処理液膜１０が形成された後、その基板Ｗが、ローカル搬送ロボットＬＲによって、固化ユニットＤの固化室５１へと搬入される。したがって、主搬送ロボットＣＲが成膜処理液によって汚染されることを回避できるので、その成膜処理液が、主搬送ロボットＣＲによって搬送される他の基板へと転移することを抑制または防止できる。また、主搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬送される空間に成膜処理液の雰囲気が漂うことを抑制または防止できるので、成膜処理液の雰囲気による基板Ｗへの悪影響も回避できる。こうして、基板処理品質を向上できる。さらに、主搬送ロボットＣＲの動作状態にかかわらずに、ローカル搬送ロボットＬＲによって、処理室１１から固化室５１へ基板Ｗを速やかに搬送することができる。したがって、搬送時間を短縮できる。
　とくに、この実施形態では、主搬送ロボットＣＲが主搬送室５に配置されており、ローカル搬送ロボットＬＲは、主搬送室５から離隔されたローカル搬送室Ｃに配置されている。それにより、成膜処理液の雰囲気が主搬送室５に漂うことをより確実に抑制または防止できるので、主搬送ロボットＣＲによって搬送される基板Ｗが成膜処理液の雰囲気の影響を受けることを抑制または防止できる。
　また、この実施形態では、固化ユニットＤは、固化室５１内の処理空間５０を減圧し、かつ基板Ｗをヒータ５３Ｈで加熱することにより、基板Ｗ上の成膜処理液膜１０を固化させる。したがって、成膜処理液膜１０を速やかに固化して、固化膜１０Ｓを形成できる。この過程において、成膜処理液膜１０が固体化しながら体積収縮する。それにより、基板Ｗ表面のパーティクル等の異物に引っ張り力が作用し、基板Ｗ表面から異物を剥離させることができる。
　液処理ユニットＭは、処理室１１内にスピンチャック１２および遮断板１９を有しており、その容積が比較的大きい。そのため、処理室１１内の空間を減圧して成膜処理液膜１０を乾燥させるのは実際的でなく、仮に可能であるとしても、大きな容積の空間の減圧には長い時間がかかる。それに対して、この実施形態では、液処理ユニットＭで処理を終えた後の基板Ｗを、より容積の小さい固化室５１に搬入し、固化室５１内での減圧乾燥処理を行っている。これにより、成膜処理液膜１０を短時間で固化できる。
　固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲまたは主搬送ロボットＣＲによって、固化室５１から液処理ユニットＭの処理室１１へと搬入される。このとき、液処理ユニットＭは、固化膜１０Ｓを除去する除去ユニットとして機能し、処理室１１は除去処理が行われる空間を提供する除去室として機能する。液処理ユニットＭは、基板Ｗに除去液を供給して基板Ｗ上の固化膜１０Ｓを除去する。このとき、固化膜１０Ｓが除去液で膨潤して体積膨張する。それにより、基板Ｗ表面の異物に引っ張り力が作用して、異物を基板Ｗ表面から剥離される。剥離された異物は、固化膜１０Ｓとともに基板Ｗ外へと排除される。こうして、基板Ｗの表面の異物を除去する洗浄処理が達成される。
　ローカル搬送ロボットＬＲが、固化ユニットＤでの固化処理を終えた基板Ｗを固化室５１から搬出して、除去処理のために、液処理ユニットＭの処理室１１に搬入する場合には、主搬送ロボットＤＲが固化処理後の基板Ｗから影響を受けることを回避できる。とくに、固化ユニットＤでの処理後の基板Ｗが高温になっているときには、その高温の基板Ｗが発する熱を主搬送ロボットＣＲが蓄積することを回避できる。それにより、主搬送ロボットＣＲによって搬送される基板Ｗに対して熱の影響が及ぶことを抑制または防止できる。
　また、この実施形態では、ローカル搬送ロボットＬＲは、一対のハンドＬＨ１，ＬＨ２を有し、第１搬送アームとしてのハンドＬＨ１によって処理室１１から基板Ｗを搬出して固化室５１へ搬入し、第２搬送アームとしてのハンドＬＨ２によって固化室５１から固化処理後の基板Ｗを搬出して、除去処理のために処理室１１へと搬入する。したがって、ハンドＬＨ１に成膜処理液が付着したとしても、その処理液が固化処理後の基板Ｗに転移することを抑制または防止できる。さらに、この実施形態では、ハンドＬＨ２がハンドＬＨ１よりも上方に配置されているので、ハンドＬＨ１によって保持される基板Ｗ上の成膜処理液がハンドＬＨ２に付着することを一層確実に抑制または防止できる。
　また、この実施形態では、ローカル搬送室Ｃには、洗浄液ノズル９１，９１Ａが設けられており、その洗浄液ノズル９１，９１Ａから洗浄液を吐出して、ハンドＬＨを洗浄できる。それにより、ハンドＬＨを清浄な状態に保持できるので、ハンドＬＨに起因する基板Ｗの汚染を抑制しながら、基板Ｗを搬送できる。しかも、ハンドＬＨの洗浄はローカル搬送室Ｃで行われるので、主搬送ロボットＣＲによって搬送される基板Ｗに洗浄液または成膜処理液の影響が及ぶことを抑制または防止できる。
　とくに、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ（またはハンドＬＨの移動によらずにハンドＬＨとの相対位置が大きく変化しない可動部位）に洗浄液ノズル９１を設ける場合には、ハンドＬＨをより確実に洗浄できる。したがって、ハンドＬＨに成膜処理液等の汚染が蓄積されることを回避でき、成膜処理液による汚染を抑制しながら、基板Ｗを搬送できる。また、主搬送ロボットＣＲによって搬送される基板Ｗに洗浄液または成膜処理液の影響が及ぶことを抑制または防止できる。
　そして、この実施形態では、ローカル搬送室Ｃは、洗浄液を受ける底部１６０と、底部１６０に受けられた洗浄液を排液する排液配管１６１とを含む。これにより、ハンドＬＨを洗浄した後の洗浄液をローカル搬送室Ｃ外へと排出できるので、ローカル搬送室Ｃ内の雰囲気を清浄に保持できる。それによって、基板Ｗへの成膜処理液雰囲気の影響を一層抑制できる。
　この実施形態によって実行される基板処理方法は、基板Ｗの表面に処理室１１内で成膜処理液を供給して、基板Ｗの表面に成膜処理液膜１０を形成する処理液膜形成工程と、この処理液膜形成工程の後、基板Ｗを固化室５１へ搬送する第１ローカル搬送工程と、固化室５１内で成膜処理液膜１０を固化させて当該基板Ｗの表面に固化膜１０Ｓを形成する固化膜形成工程と、この固化膜形成工程の後、基板Ｗを除去室としての処理室１１へ搬送する第２ローカル搬送工程と、その処理室１１（除去室）内で固化膜１０Ｓを除去するための除去液を基板Ｗの表面に供給する除去処理工程と、主搬送ロボットＣＲによって、処理室１１へ未処理の基板Ｗを搬入し、除去処理工程の後に、前記処理室１１（除去室）から基板Ｗを搬出する主搬送工程と、を含む。
　この実施形態では、前記固化膜形成工程が、基板Ｗを加熱ユニットとしてのヒータ５３Ｈによって加熱する加熱工程を含む。また、前記固化膜形成工程は、基板Ｗが処理される固化処理空間５０を減圧する減圧工程を含む。
　前記主搬送工程では、基板Ｗは、主搬送室５を通って搬送され、前記第１ローカル搬送工程においては、基板Ｗは、主搬送室５から離隔されたローカル搬送室Ｃを通って搬送される。
　前記第１ローカル搬送工程および前記第２ローカル搬送工程は、共通のローカル搬送ロボットＬＲによって行われる場合がある。この場合に、前記第１ローカル搬送工程が、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ１によって行われ、前記第２ローカル搬送工程が、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ２によって行われる。
　また、前記第１ローカル搬送工程がローカル搬送ロボットＬＲによって行われ、前記第２ローカル搬送工程が主搬送ロボットＣＲによって行われる場合がある。
　また、この実施形態の基板処理方法は、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨに洗浄液を供給するハンド洗浄工程（アーム洗浄工程）を含む。
　前記処理液膜形成工程と前記除去処理工程とが、共通の処理室１１内で行われる場合がある。また、前記処理液膜形成工程と前記除去処理工程とが異なる液処理ユニットＭで行われる場合には、それらの処理は異なる室で行われることになる。
　［第２の実施形態］
　図５Ａは、この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置１Ａの構成を説明するための図解的な平面図であり、図５Ｂはその立面図である。図５Ａおよび図５Ｂにおいて、前述の図１Ａおよび図１Ｂの各部の対応部分には同一参照符号を付す。
　この実施形態では、平面視において、主搬送室５の一方側に配置された２つの積層ユニット群Ｇ１，Ｇ２の間にローカル搬送室Ｃが配置され、そのローカル搬送室Ｃにローカル搬送ロボットＬＲが配置されている。同様に、主搬送室５の他方側に配置された２つの積層ユニット群Ｇ３，Ｇ４の間にローカル搬送室Ｃが配置され、そのローカル搬送室Ｃにローカル搬送ロボットＬＲが配置されている。積層ユニット群Ｇ１～Ｇ４を構成する複数のユニットおよびそれらの積層状態は、第１の実施形態の場合と同様である。
　主搬送ロボットＣＲは、第１の実施形態の場合と同様に、合計８個の液処理ユニットＭにアクセスして基板Ｗを渡すことができ、さらにインデクサロボットＩＲとの間で基板Ｗを受け渡しすることができる。また、液処理ユニットＭは、合計８個の固化ユニットＤにアクセスして基板Ｗを取り出すことができるように構成されていてもよい。
　ローカル搬送ロボットＬＲは、この実施形態では、第１層Ｓ１に２個備えられ、第２層Ｓ２に２個備えられている。より具体的には、平面視において、第１層Ｓ１には、主搬送室５の両側に１個ずつのローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ１２が配置されている。さらに具体的には、主搬送室５の一方側において、第１層Ｓ１には、液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２の間に一つのローカル搬送ロボットＬＲ１１が配置されている。主搬送室５の他方側にも同様に、液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４の間に一つのローカル搬送ロボットＬＲ１２が配置されている。第２層Ｓ２における２個のローカル搬送ロボットＬＲ２１，ＬＲ２２も同様に配置されている。ローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ１２，ＬＲ２１，ＬＲ２２は、ローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２内にそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Ｃは、主搬送室５から分離（離隔）するように区画された搬送空間を形成している。
　第１層Ｓ１において、主搬送室５の一方側に配置されたローカル搬送ロボットＬＲ１１は、２つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２によって共有される。
　すなわち、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２に近い側の液処理ユニットＭ１１での処理を終えた基板Ｗを取り出し、垂直方向（より具体的には上方）に搬送し、その液処理ユニットＭ１１の上の固化ユニットＤ１１へと搬入する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２から遠い側の液処理ユニットＭ１２での処理を終えた基板Ｗを取り出し、垂直方向（より具体的には上方）に搬送し、その液処理ユニットＭ１２の上の固化ユニットＤ１２へと搬入する。
　ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２に近い側の液処理ユニットＭ１１での処理を終えた基板Ｗを、キャリヤ保持部２から遠い側の液処理ユニットＭ１２の上の固化ユニットＤ１２に搬送してもよい。同様に、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２から遠い側の液処理ユニットＭ１２での処理を終えた基板Ｗをキャリヤ保持部２に近い側の液処理ユニットＭ１１の上の固化ユニットＤ１１に搬送してもよい。
　より一般化すれば、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、第１層Ｓ１において主搬送室５の一方側に配置された２つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２と、それらの上にそれぞれ配置された２つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２にアクセス可能である。そして、一つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２で処理を終えた基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲ１１によって、２つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２のいずれかに搬入されて、その表面の成膜処理液膜を固化するための固化処理を受ける。
　一方、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２に近い側の固化ユニットＤ１１での固化処理を終えた基板Ｗを取り出し、垂直方向（より具体的には下方）に搬送し、その固化ユニットＤ１１の下の液処理ユニットＭ１１へと搬入する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２から遠い側の固化ユニットＤ１２での固化処理を終えた基板Ｗを取り出し、垂直方向（より具体的には下方）に搬送し、その固化ユニットＤ１２の下の液処理ユニットＭ１２へと搬入する。
　ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２に近い側の固化ユニットＤ１１での処理を終えた基板Ｗを、キャリヤ保持部２から遠い側の液処理ユニットＭ１２の下の液処理ユニットＭ１２に搬送してもよい。同様に、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２から遠い側の固化ユニットＤ１２での処理を終えた基板Ｗをキャリヤ保持部２に近い側の固化ユニットＤ１１の下の液処理ユニットＭ１１に搬送してもよい。より一般化すれば、一つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２での固化処理を終えた基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲ１１によって、２つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２のいずれかに搬入されて、その表面の固化膜を除去するための除去処理を受ける。
　第１層Ｓ１において主搬送室５の他方側に配置されたローカル搬送ロボットＬＲ１２の動作も同様である。すなわち、ローカル搬送ロボットＬＲ１２は、２つの液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４および２つの固化ユニットＤ１３，Ｄ１４にアクセス可能に構成されており、それらに対して、主搬送室５の反対側のローカル搬送ロボットＬＲ１１と同様な動作を行う。
　第２層Ｓ２に配置されたローカル搬送ロボットＬＲ２１，ＬＲ２２の動作も同様である。すなわち、ローカル搬送ロボットＬＲ２１は、２つの液処理ユニットＭ２１，Ｍ２２および２つの固化ユニットＤ２１，Ｄ２２にアクセス可能に構成されており、それらに対して、ローカル搬送ロボットＬＲ１１と同様な動作を行う。また、ローカル搬送ロボットＬＲ２２は、２つの液処理ユニットＭ２３，Ｍ２４および２つの固化ユニットＤ２３，Ｄ２４にアクセス可能に構成されており、それらに対して、ローカル搬送ロボットＬＲ１１と同様な動作を行う。
　主搬送室５の一方側に配置された２つのローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ２１は、この実施形態では、平面視において重なり合う２つのローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１にそれぞれ配置されている。同様に、主搬送室５の他方側に配置された２つのローカル搬送ロボットＬＲ１２，ＬＲ２２は、この実施形態では、平面視において重なり合う２つのローカル搬送室Ｃ１２，Ｃ２２にそれぞれ配置されている。
　上下に重なり合った２つのローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１；Ｃ１２，Ｃ２２を、上下に連通した一つのローカル搬送室としてもよい。そして、この一つのローカル搬送室Ｃ内に一つのローカル搬送ロボットＬＲを配置してもよい。
　この場合、主搬送室５の一方側では、ローカル搬送室Ｃに対してキャリヤ保持部２側には、液処理ユニットＭ１１、固化ユニットＤ１１、液処理ユニットＭ２１および固化ユニットＤ２１がこの順で積層された積層ユニット群Ｇ１が位置し、キャリヤ保持部２から遠い側にも、液処理ユニットＭ１２、固化ユニットＤ１２、液処理ユニットＭ２２および固化ユニットＤ２２がこの順で積層された積層ユニット群Ｇ２が位置する。ローカル搬送室Ｃに配置された一つのローカル搬送ロボットＬＲは、これらの一対の積層ユニット群Ｇ１，Ｇ２を構成する合計８個のユニットに対してアクセスすることができる。
　この場合、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２，Ｍ２１，Ｍ２２で成膜処理液膜形成処理が終了した一つの基板Ｗをその直上に積層された固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２に搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２，Ｍ２１，Ｍ２２で成膜処理液膜形成処理が終了した一つの基板Ｗを、アクセス可能な４つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２のうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない固化ユニットＤに基板Ｗを搬入することにより、生産性を高めることができる。
　また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２で固化処理が終了した一つの基板Ｗをその直下に積層された液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２，Ｍ２１，Ｍ２２に搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２で固化処理が終了した一つの基板Ｗを、アクセス可能な４つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２，Ｍ２１，Ｍ２２のうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない液処理ユニットＭに基板Ｗを搬入して除去処理を行わせることにより、生産性を高めることができる。
　主搬送室５の他方側についても、同様の構成であり、２つの積層ユニット群Ｇ３，Ｇ４によって共有される一つのローカル搬送ロボットＬＲを同様に動作させることができる。
　図１Ａおよび図５Ａの比較から理解されるとおり、この実施形態の構成により、基板処理装置１Ａの占有面積（フットプリント）を小さくすることができる。
　なお、固化ユニットＤでの固化処理を終了した基板Ｗの搬送は、主搬送ロボットＣＲによって行ってもよい。この場合、主搬送ロボットＣＲは、任意の液処理ユニットＭに当該基板Ｗを搬入して除去処理を行わせるように動作してもよい。
　［第３の実施形態］
　図６Ａは、この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置１Ｂの構成を説明するための図解的な平面図であり、図６Ｂは、その立面図である。この実施形態の基板処理装置１Ｂでは、ユニットの配置が、第１層Ｓ１、第２層Ｓ２および第３層Ｓ３を含む三層構造を形成している。
　この実施形態では、平面視において、主搬送室５の一方側に３つの積層ユニット群Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１３が主搬送室５に沿って配置され、主搬送室５の他方側に３つの積層ユニット群Ｇ１４，Ｇ１５，Ｇ１６が主搬送室５に沿って配置されている。
　積層ユニット群Ｇ１１は、３つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１３は、３つの液処理ユニットＭ１２，Ｍ２２，Ｍ３２を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１１，Ｇ１３の間に配置された積層ユニット群Ｇ１２は、６つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ３１，Ｄ３２を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１１，Ｇ１３の間には、さらに、ローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１が下から順に積層して配置されており、それらの中に、ローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ２１，ＬＲ３１がそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１は、この実施形態では、積層ユニット群Ｇ１２に対して、主搬送室５とは反対側に配置されている。
　積層ユニット群Ｇ１４は、３つの液処理ユニットＭ１３，Ｍ２３，Ｍ３３を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１６は、３つの液処理ユニットＭ１４，Ｍ２４，Ｍ３４を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１４，Ｇ１６の間に配置された積層ユニット群Ｇ１５は、６つの固化ユニットＤ１３，Ｄ１４，Ｄ２３，Ｄ２４，Ｄ３３，Ｄ３４を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１４，Ｇ１６の間には、さらに、ローカル搬送室Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ３２が下から順に積層して配置されており、それらの中に、ローカル搬送ロボットＬＲ１２，ＬＲ２２，ＬＲ３２がそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ３２は、この実施形態では、積層ユニット群Ｇ１５に対して、主搬送室５とは反対側に配置されている。
　各層の構成に着目すると、第１層Ｓ１において、主搬送室５の一方側には、主搬送室５の平面視における長手方向に沿って、一対の液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２が配置されており、この一対の液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２の間に、一対の固化ユニットＤ１１，Ｄ１２と、一つのローカル搬送ロボットＬＲ１１とが配置されている。一対の固化ユニットＤ１１，Ｄ１２は、この実施形態では、上下に積層されている。固化ユニットＤ１１，Ｄ１２は、主搬送室５に近い位置に配置されており、固化ユニットＤ１１，Ｄ１２に対して主搬送室５とは反対側にローカル搬送ロボットＬＲ１１が配置されている。
　ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、ローカル搬送室Ｃ１１内に配置されている。ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、一対の液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２および一対の固化ユニットＤ１１，Ｄ１２にアクセス可能である。
　ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、一つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２で成膜処理液膜形成処理を終えた基板Ｗを搬出して、一対の固化ユニットＤ１１，Ｄ１２のいずれかにその基板Ｗを搬入するように動作する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、一つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２で固化処理を終えた基板Ｗを搬出して、一対の液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２のいずれかにその基板Ｗを搬入して除去処理を行わせるように動作する。
　第１層Ｓ１において、主搬送室５の他方側のユニット配置も同様である。すなわち、主搬送室５の他方側には、主搬送室５の平面視における長手方向に沿って、一対の液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４が配置されており、この一対の液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４の間に一対の固化ユニットＤ１３，Ｄ１４と一つのローカル搬送ロボットＬＲ１２とが配置されている。一対の固化ユニットＤ１３，Ｄ１４は上下に積層されている。それらの固化ユニットＤ１３，Ｄ１４は、主搬送室５に近い位置に配置され、固化ユニットＤ１３，Ｄ１４に対して主搬送室５とは反対側にローカル搬送室Ｃ１２が区画され、そこにローカル搬送ロボットＬＲ１２が収容されている。
　ローカル搬送ロボットＬＲ１２は、一対の液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４および一対の固化ユニットＤ１３，Ｄ１４にアクセス可能である。ローカル搬送ロボットＬＲ１２は、一つの液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４で処理を終えた基板Ｗを搬出して、一対の固化ユニットＤ１３，Ｄ１４のいずれかにその基板Ｗを搬入するように動作する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１２は、一つの固化ユニットＤ１３，Ｄ１４で固化処理を終えた基板Ｗを搬出して、一対の液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４のいずれかにその基板Ｗを搬入して除去処理を行わせるように動作する。
　第２層Ｓ２および第３層Ｓ３のユニット配置および各層のローカル搬送ロボットＬＲの動作も同様である。第２層Ｓ２は、主搬送室５の一方側に配置された一対の液処理ユニットＭ２１，Ｍ２２、一対の固化ユニットＤ２１，Ｄ２２および一つのローカル搬送ロボットＬＲ２１を含み、さらに、主搬送室５の他方側に配置された一対の液処理ユニットＭ２３，Ｍ２４、一対の固化ユニットＤ２３，Ｄ２４および一つのローカル搬送ロボットＬＲ２２を含む。第３層Ｓ３は、主搬送室５の一方側に配置された一対の液処理ユニットＭ３１，Ｍ３２、一対の固化ユニットＤ３１，Ｄ３２および一つのローカル搬送ロボットＬＲ３１を含み、さらに、主搬送室５の他方側に配置された一対の液処理ユニットＭ３３，Ｍ３４、一対の固化ユニットＤ３３，Ｄ３４および一つのローカル搬送ロボットＬＲ３２を含む。
　このように、この実施形態では、液処理ユニットＭと固化ユニットＤとが平面的に配置（水平配置）されており、それにより、基板処理装置１Ｂの全高を抑制しながら、多数の液処理ユニットＭおよび固化ユニットＤを備えることができる。
　主搬送室５の一方側に配置された３つのローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ２１，ＬＲ３１は、この実施形態では、平面視において、重なり合う３つのローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１にそれぞれ配置されている。この３つのローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１を上下に連通した一つのローカル搬送室Ｃとしてもよい。また、この一つのローカル搬送室Ｃ内に一つのローカル搬送ロボットＬＲを配置してもよい。この場合、ローカル搬送室Ｃに対してキャリヤ保持部２側には、３つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１が積層された積層ユニット群Ｇ１１が位置し、キャリヤ保持部２から遠い側には、３つの液処理ユニットＭ１２，Ｍ２２，Ｍ３２が積層された積層ユニット群Ｇ１３が位置し、主搬送室５側には６つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ３１，Ｄ３２が積層された積層ユニット群Ｇ１２が位置する。ローカル搬送室Ｃに配置された一つのローカル搬送ロボットＬＲは、これらの３つの積層ユニット群Ｇ１１～Ｇ１３を構成する合計１２個のユニットに対してアクセスすることができる。
　この場合、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る液処理ユニットＭで成膜処理液膜形成が終了した一つの基板Ｗを同一層内に位置する固化ユニットＤに搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る固化ユニットＤで固化処理が終了した一つの基板Ｗを、除去処理のために、同一層内に位置する液処理ユニットＭに搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る液処理ユニットＭで成膜処理液膜形成が終了した一つの基板Ｗを、アクセス可能な６つの固化ユニットＤのうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない固化ユニットＤに基板Ｗを搬入することにより、生産性を高めることができる。そして、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る固化ユニットＤで固化処理が終了した一つの基板Ｗを、除去処理のために、アクセス可能な６つの液処理ユニットＭのうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない液処理ユニットＭに基板Ｗを搬入することにより、生産性を高めることができる。むろん、主搬送室５の反対側に関しても、同様の構成とすることができる。
　図１Ａおよび図６Ａの比較から理解されるとおり、この実施形態の構成により、基板処理装置１Ｂの占有面積（フットプリント）を小さくすることができる。さらに、図５Ｂおよび図６Ｂ等の比較から理解されるとおり、この実施形態の構成により、同じ高さのスペースに、より多くのユニットを配置することができる。換言すれば、同じユニット数の基板処理装置を、より低い高さで構成することができる。
　［第４の実施形態］
　図７は、この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置１Ｃの構成を説明するための図解的な立面図であり、主搬送室の一方側の構成が示されている。主搬送室５（図５Ａ等参照）の一方側に、一対の積層ユニット群Ｇ２１，Ｇ２２が配置されており、それらの間にローカル搬送ロボットＬＲ１，ＬＲ２が配置されている。この例では、一つの積層ユニット群Ｇ２１は３つの液処理ユニットＭ１，Ｍ２，Ｍ３を三層に積層して構成されている。もう一つの積層ユニット群Ｇ２２は、一つの液処理ユニットＭ４と、その上に順に積層された４つの固化ユニットＤ１～Ｄ４とを含む。主搬送室５の反対側にも同様の構成が設けられている。主搬送ロボットＣＲは、主搬送室５の一方側に配置された４つの液処理ユニットＭ１～Ｍ４にアクセス可能であり、かつ主搬送室５の反対側に同様に配置された４つの液処理ユニットにアクセス可能である。主搬送ロボットＣＲは、主搬送室５の一方側に配置された４つの固化ユニットＤ１～Ｄ４にアクセス可能で、かつ主搬送室５の反対側に同様に配置された４つの固化ユニットにアクセス可能に構成されていてもよい。
　この例では、主搬送室５の一方側に、２つのローカル搬送ロボットＬＲ１，ＬＲ２が設けられており、それらは、一つのローカル搬送室Ｃ内に配置されている。たとえば、下側のローカル搬送ロボットＬＲ１は、３つの液処理ユニットＭ１，Ｍ２，Ｍ４および２つの固化ユニットＤ１，Ｄ２にアクセス可能であってもよい。そして、上側のローカル搬送ロボットＬＲ２は、２つの液処理ユニットＭ２，Ｍ３および４つの固化ユニットＤ１～Ｄ４にアクセス可能であってもよい。これらのローカル搬送ロボットＬＲ１，ＬＲ２は、液処理ユニットＭ１～Ｍ４で成膜処理液が形成された後の基板Ｗをいずれかの固化ユニットＤ１～Ｄ４に搬入するように動作する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１，ＬＲ２は、固化ユニットＤ１～Ｄ４で固化処理された後の基板Ｗを、除去処理のために、いずれかの液処理ユニットＭ１～Ｍ４に搬入するように動作する。主搬送室５の反対側にも同様の構成が設けられており、２つのローカル搬送ロボットの動作も同様である。固化処理後の基板Ｗの搬送は、主搬送ロボットＣＲが行ってもよい。すなわち、主搬送ロボットＣＲは、或る固化ユニットＤで固化処理された基板Ｗを、いずれかの液処理ユニットＭに搬入するように動作してもよい。
　［第５の実施形態］
　図８は、この発明の第５の実施形態に係る基板処理装置１Ｄの構成を説明するための図解的な平面図である。この実施形態では、３つの積層ユニット群Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ３３が設けられている。第１の積層ユニット群Ｇ３１は、液処理ユニットＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１を複数層（この実施形態では三層）に積層して構成されている。第２の積層ユニット群Ｇ３２は、キャリヤ保持部２におけるキャリヤ３の整列方向に沿って、第１の積層ユニット群Ｇ３１に対向している。この第２の積層ユニット群Ｇ３２は、液処理ユニットＭ１２，Ｍ２２，Ｍ３２を複数層に積層して構成されている。第３の積層ユニット群Ｇ３３は、第１および第２の積層ユニット群Ｇ３１，Ｇ３２の間に配置されている。第３の積層ユニット群Ｇ３３は、固化ユニットＤ１～Ｄ６を複数層（この実施形態では６層）に積層して構成されており、図６Ａおよび図６Ｂに示した積層ユニット群Ｇ１２，Ｇ１５と類似の構成を有している。固化ユニットＤ１～Ｄ６に対して主搬送ロボットＣＲとは反対側にローカル搬送室Ｃが配置されている。ローカル搬送室Ｃには、ローカル搬送ロボットＬＲが配置されている。ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２；Ｍ１２，Ｍ２２；Ｍ３１，Ｍ３２に対応した各層に一つずつ設けられていてもよい。また、複数層（たとえば全ての層）に配置された液処理ユニットＭに対して共通に用いられる一つのローカル搬送ロボットＬＲが設けられていてもよい。
　主搬送ロボットＣＲは、主搬送室５Ａに配置されている。主搬送室５は、第１～第３の積層ユニット群Ｇ３１～Ｇ３３とインデクサロボットＩＲとの間に区画されている。インデクサロボットＩＲと主搬送ロボットＣＲとの間の基板Ｗの受け渡しは、一時的に基板Ｗを保持する基板受渡しユニット７を介して行われてもよい。主搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから基板受渡しユニット７を介して受け取った未処理の基板Ｗを、第１または第２の積層ユニット群Ｇ３１，Ｇ３２に含まれる一つの液処理ユニットＭに搬入する。その液処理ユニットＭで処理された後の基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって搬出され、当該ローカル搬送ロボットＬＲがアクセス可能な固化ユニットＤ１～Ｄ６のいずれかに搬入される。その固化ユニットＤで処理された後の基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって取り出され、除去処理のために、当該ローカル搬送ロボットＬＲがアクセス可能な液処理ユニットＭに搬入される。その液処理ユニットＭで除去処理等を終えた基板Ｗは、主搬送ロボットＣＲによって取り出され、基板受渡しユニット７を介して、インデクサロボットＩＲへと渡される。
　固化ユニットＤでの固化処理後の基板Ｗは、主搬送ロボットＣＲによって、除去処理のために、液処理ユニットＭに搬入されてもよい。
　［第６の実施形態］
　図９は、この発明の第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、固化ユニットＤの構成例を示す。この固化ユニットＤは、真空チャンバを構成する固化室１１１を有している。固化室１１１には、排気管１１２が接続されている。排気管１１２は、真空ポンプ等の排気ユニット１１３に接続されている。排気管１１２には、排気バルブ１１０が介装されている。
　固化室１１１には、ローカル搬送ロボットＬＲによって基板Ｗを搬入／搬出するための基板搬入／搬出開口１１４が側壁１１５に形成されている。
　さらに、固化室１１１には、主搬送ロボットＣＲによって、固化処理後の基板Ｗを搬出するための基板搬出開口１１６が側壁１１７に形成されていてもよい。この場合、基板搬出開口１１６を開閉するためのシャッタ１１８が設けられ、シャッタ１１８がシャッタ駆動ユニット１１９によって駆動されるように構成されることが好ましい。また、シャッタ１１８の固化室１１１に対向する表面には、シール部材としてのＯリング１２０が設けられていることが好ましい。この場合、シャッタ１１８は、固化室１１１の側壁１１７に押し付けられ、それによって、Ｏリング１２０を介して基板搬出開口１１６を気密に密閉する。主搬送ロボットＣＲが固化ユニットＤによる処理済みの基板Ｗを搬出するときには、シャッタ駆動ユニット１１９はシャッタ１１８を駆動して基板搬出開口１１６を開放する。その開放された基板搬出開口１１６に主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣが進入する。
　一方、基板搬入／搬出開口１１４は、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨに備えられた蓋部材１２５によって開閉される。蓋部材１２５の固化室１１１に対向する表面には、シール部材としてのＯリング１２６が設けられている。ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭで成膜処理液膜１０が形成された後の基板Ｗを固化室１１１に搬入し、さらに、蓋部材１２５をＯリング１２６を介して固化室１１１の側壁１１５に押し付けるように動作する。それにより、基板搬入／搬出開口１１４が気密に閉塞される。
　固化室１１１の天井面には、固化室１１１内の空間に不活性ガスを導入するための不活性ガスノズル７１Ａが設けられている。この不活性ガスノズル７１Ａに関して、図３に示した固化ユニットの場合と同様の構成が備えられており、不活性ガスノズル７１Ａに不活性ガスが供給されている。図９において、図３の各部に対応する部分に同一参照符号を付して説明を省略する。
　固化ユニットＤの動作の概要は次のとおりである。
　基板搬出開口１１６がシャッタ１１８によって閉塞された状態で、ローカル搬送ロボットＬＲが基板Ｗを固化室１１１に搬入する。この基板Ｗは、その上面に成膜処理液膜１０が形成された状態の基板である。ローカル搬送ロボットＬＲは、ハンドＬＨを固化室１１１内に進入させ、かつ、蓋部材１２５を固化室１１１の側壁１１５の外面に押し付けて基板搬入／搬出開口１１４を閉塞する。こうして、固化室１１１内は気密な密閉空間となる。この状態で、排気バルブ１１０が開かれ、排気ユニット１１３が作動させられることにより、固化室１１１内の空間が大気圧よりも低圧に減圧される。それによって、基板Ｗ上の成膜処理液膜１０が乾燥して固化する。
　固化室１１１内の空間の減圧が開始されるまでの期間には、不活性ガスバルブ７３が開かれ、不活性ガスノズル７１から固化室１１１内に不活性ガスが供給される。それにより、固化室１１１内が低湿度の空間に保持される。固化室１１１内の減圧が開始されると、減圧を阻害しないように、不活性ガスバルブ７３が閉じられる。
　こうして基板Ｗ上の成膜処理液膜１０の固化が終了すると、排気ユニット１１３が動作停止され、必要に応じて不活性ガスバルブ７３が開かれる。それによって、固化室１１１内の空間が大気圧に戻る。次いで、ローカル搬送ロボットＬＲは、固化膜１０Ｓ形成された基板Ｗを保持しているハンドＬＨを後退させて固化室１１１から退出させる。そして、ローカル搬送ロボットＬＲは、その基板Ｗを、除去処理のために液処理ユニットＭに搬送する。
　固化処理後の基板Ｗの搬送を主搬送ロボットＣＲで行うときには、シャッタ駆動ユニット１１９がシャッタ１１８を基板搬出開口１１６から退避させ、それによって、基板搬出開口１１６が開かれる。その後、主搬送ロボットＣＲがハンドＨＣを固化室１１１内に進入させ、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨから、固化処理済みの基板Ｗを受け取り、基板搬出開口１１６からその基板Ｗを搬出する。
　このように、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨに蓋部材１２５を設けることによって、基板搬入／搬出開口１１４を開閉するためのシャッタ駆動機構を省くことができる。また、固化室１１１内での基板Ｗの保持をローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨで行えるので、固化室１１１内に基板保持機構を設ける必要がない。減圧による成膜処理液膜１０の固化は短時間で行えるので、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨによる固化処理中の基板Ｗの保持が原因で生産性に大きな影響が生じるおそれはない。
　また、固化室１１１にハンドＬＨで基板Ｗを搬送する動作により、蓋部材１２５によって基板搬入／搬出開口１１４を密閉でき、そのまま、固化室１１１内で基板Ｗを保持して固化処理を行える。したがって、基板搬入／搬出開口１１４の開閉専用の動作および基板Ｗの受け渡し動作を省略できるから、工程全体の所要時間を短縮でき、生産性を向上できる。具体的には、基板搬入／搬出開口のためのシャッタ開閉時間、基板搬入時にハンドＬＨが固化室１１１から退出する時間、基板搬出時にハンドＬＨが固化室１１１に進入する時間、基板をリフトピンに置く動作のための時間、基板をリフトピンから受け取る動作のための時間、リフトピンを上昇および下降させる時間などを省くことができる。さらに、固化処理後の基板Ｗをローカル搬送ロボットＬＲで搬送するときには、基板搬入／搬出開口１１４の開閉時間、主搬送ロボットＣＲとの基板Ｗの受け渡しに要する時間なども省くことができる。
　さらに、減圧による固化処理と並行して、基板Ｗを加熱してもよい。具体的には、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨをハンド加熱ユニット９７Ａ（図４参照）で加熱することによって、基板Ｗを加熱してもよい。また、固化室１１１内に輻射熱または電磁波照射によって基板Ｗを加熱する加熱ユニット１２７を備え、この加熱ユニット１２７によって、ハンドＬＨに保持されている基板Ｗを加熱してもよい。
　［第７の実施形態］
　図１０は、この発明の第７の実施形態を説明するための図であり、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨを洗浄するハンド洗浄ユニット（アーム洗浄ユニット）の構成を示す。
　前述の実施形態では、ハンドＬＨを洗浄するための構成がローカル搬送室Ｃ内に備えられている。これに対して、この実施形態では、たとえば図８に仮想線で示すように、ローカル搬送室Ｃに隣接してハンド洗浄ユニット１７０が設けられている。
　ハンド洗浄ユニット１７０は、ローカル搬送室Ｃに隣接して設けられたハンド洗浄室１７１と、ハンド洗浄室内に配置されたハンド洗浄ノズル１７２と、ハンド洗浄室１７１内を大気圧よりも低圧に減圧するための排気ユニット１７３とを含む。
　ハンド洗浄室１７１は、真空チャンバを構成している。ハンド洗浄室１７１の底部１７５には、排気／排液管１７６が接続されている。排気／排液管１７６は、排気管１７６Ａを介して、真空ポンプ等の排気ユニット１７３に接続されている。排気管１７６Ａには、排気バルブ１７７が介装されている。排気／排液管１７６は、さらに、排液バルブ１７８を介して排液管１７６Ｂに接続されている。
　ハンド洗浄室１７１には、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨを差し入れるための開口１８０が側壁１８１に形成されている。開口１８０は、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨに備えられた蓋部材１２５によって開閉される。蓋部材１２５のハンド洗浄室１７１に対向する表面には、シール部材としてのＯリング１２６が設けられている。ローカル搬送ロボットＬＲは、基板Ｗを搬送していないときに、ハンドＬＨを開口１８０からハンド洗浄室１７１に差し入れ、さらに、蓋部材１２５をＯリング１２６を介してハンド洗浄室１７１の側壁１７４に押し付けるように動作する。それにより、開口１８０が気密に閉塞される。
　ハンド洗浄ノズル１７２は、たとえば、ハンド洗浄室１７１の天井面に配置されている。ハンド洗浄ノズル１７２は、ハンド洗浄室１７１に差し入れられたハンドＬＨに対して洗浄液を吐出する。ハンド洗浄ノズル１７２は、洗浄液をシャワー状に吐出するシャワーノズルであってもよい。ハンド洗浄ノズル１７２には、洗浄液配管１８５が接続されている。洗浄液配管１８５は、洗浄液供給源１８６に接続されている。洗浄液供給源１８６は、成膜処理液を溶解させることができる洗浄液、たとえば有機溶剤を供給する。洗浄液配管１８５には、洗浄液流路を開閉する洗浄液バルブ１８７が介装されている。
　ハンド洗浄ユニット１７０の動作の概要は次のとおりである。
　ローカル搬送ロボットＬＲは、ハンドＬＨをハンド洗浄室１７１内に進入させ、かつ、蓋部材１２５をハンド洗浄室１７１の側壁１８１の外面に押し付けて開口１８０を閉塞する。こうして、ハンド洗浄室１７１内は気密な密閉空間となる。この状態で、排液バルブ１７８が開かれる。そして、洗浄液バルブ１８７が開かれることにより、ハンド洗浄ノズル１７２からハンドＬＨに洗浄液が供給される。それにより、ハンドＬＨが洗浄される。洗浄液は、底部１７５へと落下し、排気／排液管１７６を通り、さらに排液バルブ１７８を通って排液管１７６Ｂへと排液される。
　ハンド洗浄ノズル１７２から所定時間だけ洗浄液が吐出されると、洗浄液バルブ１８７が閉じられ、洗浄液の吐出が停止される。そして、排液バルブ１７８が閉じられ、代わって排気バルブ１７７が開かれ、排気ユニット１７３が作動させられる。これにより、ハンド洗浄室１７１内の空間が大気圧よりも低圧に減圧される。それによって、ハンドＬＨ上の液成分が蒸発し、ハンドＬＨが乾燥する。
　こうしてハンドＬＨの洗浄および乾燥が終了すると、排気ユニット１７３が動作停止され、必要に応じて排液バルブ１７８が開かれる。それによって、ハンド洗浄室１７１内の空間が大気圧に戻る。次いで、ローカル搬送ロボットＬＲは、ハンドＬＨを後退させてハンド洗浄室１７１から退出させる。
　ハンド洗浄室１７１の減圧と並行して、基板Ｗを加熱してもよい。具体的には、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨをハンド加熱ユニット９７Ａ（図４参照）で加熱することによって、基板Ｗを加熱してもよい。それにより、ハンドＬＨの乾燥を促進できる。また、ハンド洗浄室１７１内に輻射熱または電磁波照射によってハンドＬＨを加熱する加熱ユニット１８８を備えて、ハンドＬＨの乾燥を促進してもよい。
　このように、この実施形態では、ローカル搬送室Ｃに隣接してハンド洗浄室１７１（アーム洗浄室）が設けられているので、ローカル搬送ロボットＬＲが基板Ｗを搬送していないときに、ハンド洗浄室１７１においてハンドＬＨを洗浄できる。そして、ハンド洗浄室１７１にハンド洗浄ノズル１７２（アーム洗浄ノズル）が配置されているので、ローカル搬送室Ｃ内に洗浄液が入り込むことを抑制しながら、ハンドＬＨを洗浄できる。それにより、洗浄液による基板Ｗへの影響を抑制できる。また、ハンド洗浄室１７１が減圧されることにより、洗浄液によって洗浄された後のハンドＬＨを速やかに乾燥できる。
　［第８の実施形態］
　図１１は、この発明の第７の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、前述の固化ユニットに代えて用いることができる、固化ユニットの構成例を図解的に示す断面図である。
　この実施形態では、固化ユニットＤは、図３に示した構成と類似の構成を有しており、さらに、基板冷却ユニットとしての冷却プレート８０を備えている。図３に示した構成に代えて、図９に示した構成と類似の構成を用いることもできる。図１０には、図３に示した構成と類似の構成を備えた例を示す。
　冷却プレート８０は、ベース部８１上に配置されており、その上面に基板Ｗを保持して下面から冷却する。冷却プレート８０を貫通して複数（３本以上）のリフトピン８４が配置されている。リフトピン８４は、リフトピン昇降ユニット８５よって上下動され、それによって、冷却プレート８０上で基板Ｗを上下動させる。
　基板処理装置は、さらに、固化室５１における固化処理が終了した基板Ｗを冷却プレート８０まで搬送する第２のローカル搬送ロボット１５０を備えている。第２のローカル搬送ロボット１５０は、基板Ｗを保持するハンド１５１と、ハンド１５１を移動させるハンド駆動ユニット１５２とを含む。ハンド駆動ユニット１５２は、基板ホルダ５２の上方（第１の基板保持位置）と冷却プレート８０の上方（第２の基板保持位置）との間でハンド１５１を往復移動させる。ハンド１５１とリフトピン５４，８４との基板Ｗの受け渡しに際しては、リフトピン５４，８４が昇降される。むろん、ハンド駆動ユニット１５２が基板Ｗを昇降させてリフトピン５４，８４と基板Ｗを受け渡す構成とすることもできる。
　固化室５１では、基板ホルダ５２によって基板Ｗを加熱しながら、固化室５１内の固化処理空間５０を減圧して、基板Ｗの表面の成膜処理液膜１０が固体化させられて、固化膜１０Ｓが形成される。
　この固化処理の後、固化処理空間５０が大気圧に戻され、可動蓋部５１２が開放される。そうしてベース部５１１と可動蓋部５１２との間に基板Ｗを搬出するための開口が形成される。そして、リフトピン５４によって、固化処理済みの基板Ｗが基板ホルダ５２の上方へと持ち上げられる。すると、第２のローカル搬送ロボット１５０は、ベース部５１１と可動蓋部５１２との間に形成された開口を介してそのハンド１５１を進入させる。その後、リフトピン５４が下降することにより、固化処理済みの基板Ｗがハンド１５１に渡される。そして、第２のローカル搬送ロボット１５０は、ハンド１５１を駆動して、その基板Ｗを冷却プレート８０の上方まで移動させる。その状態で、リフトピン昇降ユニット８５がリフトピン８４を上昇させることにより、ハンド１５１から基板Ｗを受け取る。ハンド１５１が冷却プレート８０の上方から退避した後、リフトピン８４が下降し、それによって、冷却プレート８０上に基板Ｗが載置される。
　冷却プレート８０は基板Ｗを常温まで冷却する。その後、リフトピン８４が基板Ｗを持ち上げ、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨがその基板Ｗを受け取って固化ユニットＤ外へと搬出する。固化処理後の基板Ｗの搬送を主搬送ロボットＣＲで行う場合には、主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣがリフトピン８４から基板Ｗを受け取って固化ユニットＤ外へと搬出する。
　このように、固化処理後の基板Ｗを冷却プレート８０で冷却する構成であるので、固化ユニットＤでの処理時間を短縮できるから、生産性を高めることができる。固化室５１で加熱された基板Ｗの搬送を主搬送ロボットＣＲとは別の第２のローカル搬送ロボット１５０で行うので、主搬送ロボットＣＲに過剰な熱が蓄えられることを回避でき、主搬送ロボットＣＲが搬送する基板Ｗに対する熱の影響を抑制できる。
　以上、この発明の実施形態について説明してきたが、この発明は、さらに他の形態で実施することができる。
　たとえば、前述の実施形態では、固化ユニットＤは、固化室５１，１１１内を減圧して減圧乾燥を行うように構成されているが、固化ユニットＤは減圧のための構成を備えている必要はない。たとえば、固化ユニットＤは、大気圧中で基板Ｗを加熱して、成膜処理液膜１０を固化するように構成されていてもよい。また、不活性ガス供給源７４から加熱された不活性ガスを供給し、その不活性ガスによる温風によって成膜処理液膜１０の乾燥および固化を促進する構成としてもよい。
　前述の図１Ａ，１Ｂ、図５Ａ，５Ｂ、図６Ａ，６Ｂ、図７の構成において、インデクサロボットＩＲと主搬送ロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に保持する基板受渡しユニットを配置し、図８の構成の場合と同様にして、それらの間の基板受け渡しを行ってもよい。
　この出願は、２０１７年３月２７日に日本国特許庁に提出された特願２０１７－０６１３８１号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。
　本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
　Ｗ　基板
　ＩＲ　インデクサロボット
　Ｓ１　第１層
　Ｓ２　第２層
　Ｓ３　第３層
　M,M1-M4,M11-M14,M21-M24,M31-M34　液処理ユニット
　D,D1-D6,D11-D14,D21-D24,D31-D34　固化ユニット
　LR,LR1,LR2,LR11-LR14,LR21-LR24,LR31,LR32　ローカル搬送ロボット
　ＬＨ，ＬＨ１，ＬＨ２　ローカル搬送ロボットのハンド
　C,C11-C14,C21-C24　ローカル搬送室
　G1-G4,G11-G16,G21,G22,G31-G33　積層ユニット群
　ＣＲ　主搬送ロボット
　ＨＣ　主搬送ロボットのハンド
　　１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ　基板処理装置
　　２　キャリヤ保持部
　　３　キャリヤ
　　５，５Ａ　主搬送室
　　７　基板受渡しユニット
　１０　成膜処理液膜
　１０Ｓ　固化膜
　１１　処理室
　１２　スピンチャック
　１３　カップ
　１４　薬液ノズル
　１５　成膜処理液ノズル
　１６　除去液ノズル
　１７　モータ
　１８　回転軸線
　１９　遮断板
　　１９ａ　対向面
　　１９ｂ　開口
　２０　遮断板駆動ユニット
　　２０Ａ　遮断板昇降ユニット
　　２０Ｂ　遮断板回転ユニット
　２１　薬液配管
　２２　薬液バルブ
　２３　薬液供給源
　２５　遮断板の回転軸
　２６　成膜処理液配管
　２７　成膜処理液バルブ
　２８　成膜処理液供給源
　２９　リンスノズル
　３１Ａ　リンス液配管
　３１Ｂ　有機溶剤配管
　３２Ａ　リンス液バルブ
　３２Ｂ　有機溶剤バルブ
　３３Ａ　リンス液供給源
　３３Ｂ　有機溶剤供給源
　３７　基板搬入／搬出開口
　３８　基板搬入／搬出開口
　３９，４０　シャッタ
　４１，４２　シャッタ駆動ユニット
　４５　不活性ガス流路
　４６　不活性ガス配管
　４７　不活性ガスバルブ
　４８　不活性ガス供給源
　５０　固化処理空間
　５１　固化室
　　５１１　ベース部
　　５１２　可動蓋部
　５２　基板ホルダ
　５３Ｈ　ヒータ
　５３Ｃ　冷却ユニット
　５４　リフトピン
　５５　リフトピン昇降ユニット
　５６　蓋部駆動ユニット
　６２　排気配管
　６３　排気ユニット
　６４　排気バルブ
　７１，７１Ａ　不活性ガスノズル
　７２　不活性ガス配管
　７３　不活性ガスバルブ
　７４　不活性ガス供給源
　８０　冷却プレート
　８１　ベース部
　８４　リフトピン
　８５　リフトピン昇降ユニット
　８９　回転軸線
　９０　ハンド駆動ユニット
　９１，９１Ａ　洗浄液ノズル
　９２　洗浄液配管
　９３　洗浄液バルブ
　９４　洗浄液供給源
　９７Ａ　ハンド加熱ユニット
　９７Ｂ　ハンド冷却ユニット
　９８Ａ　熱媒通路
　９８Ｂ　冷媒通路
　９９Ａ　加熱プレート
　９９Ｂ　冷却プレート
　１０１　除去液配管
　１０２　除去液バルブ
　１０３　除去液供給源
　１１０　排気バルブ
　１１１　固化室
　１１２　排気管
　１１３　排気ユニット
　１１４　基板搬入／搬出開口
　１１６　基板搬出開口
　１１８　シャッタ
　１２５　蓋部材
　１２６　Ｏリング
　１２７　加熱ユニット
　１３１　裏面ノズル
　１３２　吐出口
　１３３　リンス液供給配管
　１３４　リンス液バルブ
　１３５　リンス液供給源
　１３６　有機溶剤バルブ
　１３７　有機溶剤供給源
　１４０　不活性ガス流路
　１４１　不活性ガス供給配管
　１４２　不活性ガスバルブ
　１４３　不活性ガス供給源
　１５０　第２のローカル搬送ロボット
　１５１　ハンド
　１５２　ハンド駆動ユニット
　１６０　底部
　１６１　排液配管
　１６５　不活性ガスノズル
　１６６　不活性ガス配管
　１６７　不活性ガスバルブ
　１６８　不活性ガス供給源
　１７０　ハンド洗浄ユニット
　１７１　ハンド洗浄室
　１７２　ハンド洗浄ノズル
　１７３　排気ユニット
　１７５　底部
　１７６　排気／排液管
　１７７　排気バルブ
　１７８　排液バルブ
　１８０　開口
　１８１　側壁
　１８５　洗浄液配管
　１８６　洗浄液供給源
　１８７　洗浄液バルブ
　１８８　加熱ユニット

Claims (20)

  1. 　処理室内で基板の表面に処理液を供給して、基板の表面に処理液膜を形成する液処理ユニットと、
    　固化室内で前記処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化ユニットと、
    　除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理ユニットと、
    　前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送ユニットと、
    　前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入するローカル搬送ユニットと、を含む、基板処理装置。
  2. 　前記固化ユニットが、前記基板を加熱する加熱ユニットを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記主搬送ユニットが主搬送室に配置されており、前記ローカル搬送ユニットが、前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室に配置されている、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記ローカル搬送ユニットが、さらに、前記固化室から基板を搬出し、前記除去室へ基板を搬入する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 　前記ローカル搬送ユニットが、前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入する第１搬送アームと、前記固化室から基板を搬出して前記除去室へ基板を搬入する第２搬送アームとを含む、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記液処理ユニットが、
    　基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
    　前記基板保持ユニットに保持された基板に処理液を吐出する処理液吐出ユニットとを含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 　前記処理室と前記除去室とが同一の室である、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 　前記ローカル搬送ユニットが、基板を保持してローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、
    　前記ローカル搬送室に設けられ、前記搬送アームを洗浄する洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルをさらに含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 　前記ローカル搬送室は、前記洗浄液を受ける底部と、前記底部に受けられた洗浄液を排液する排液ユニットとを含む、請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 　前記ローカル搬送ユニットが、基板を保持する搬送アームを有しており、
    　前記搬送アームに設けられ、当該搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルをさらに含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 　前記ローカル搬送ユニットが、基板を保持してローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、
    　前記ローカル搬送室に隣接して設けられたアーム洗浄室と、
    　前記アーム洗浄室内に配置され、前記搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルと、
    　前記アーム洗浄室内を大気圧よりも低圧に減圧して前記搬送アームを乾燥させる減圧ユニットと、をさらに含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  12. 　前記除去処理ユニットが、
    　前記除去室内で基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
    　前記基板保持ユニットに保持された基板に除去液を吐出する除去液吐出ユニットと、を含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  13. 　基板の表面に処理室内で処理液を供給して、基板の表面に処理液膜を形成する処理液膜形成工程と、
    　前記処理液膜形成工程の後、前記基板を固化室へ搬送する第１ローカル搬送工程と、
    　前記固化室内で前記処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化膜形成工程と、
    　前記固化膜形成工程の後、前記基板を除去室へ搬送する第２ローカル搬送工程と、
    　前記除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理工程と、
    　主搬送ユニットによって、前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送工程と、を含む、基板処理方法。
  14. 　前記固化膜形成工程が、前記基板を加熱ユニットによって加熱する加熱工程を含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 　前記主搬送工程において前記基板が主搬送室を通って搬送され、前記第１ローカル搬送工程において、前記基板が前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室を通って搬送される、請求項１３または１４に記載の基板処理方法。
  16. 　前記第１ローカル搬送工程および前記第２ローカル搬送工程が、共通のローカル搬送ユニットによって実行される、請求項１３～１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  17. 　前記第１ローカル搬送工程が、前記ローカル搬送ユニットの第１搬送アームによって行われ、前記第２ローカル搬送工程が、前記ローカル搬送ユニットの第２搬送アームによって行われる、請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 　前記ローカル搬送ユニットの搬送アームに洗浄液を供給するアーム洗浄工程をさらに含む、請求項１３～１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  19. 　前記処理室および前記除去室が、共通の室である、請求項１３～１８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  20. 　前記処理液膜形成工程の前に、基板を洗浄する洗浄工程を実行する、請求項１３～１９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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