KR102288985B1 - 액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 하우징과; 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐과; 노즐로 처리액을 공급하는 액공급유닛을 포함하되, 액공급유닛은, 처리액이 저장되는 저장 공간을 가지는 용기와; 용기에서 노즐로 처리액이 흐르도록 하는 액공급관과; 노즐로 처리액이 공급되기 전에 처리액에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 처리액에 마이크로파를 인가하여 처리액 내부의 불순물을 응집시키고, 가온시켜 기판 세정 효율이 향상된다.

Description

액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Unit for suppling liquid, Apparatus and Method for treating a substrate}
본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.
세정 공정은, 다양한 종류의 세정액을 사용하여 수행되는데, 이러한 기판 세정 공정 시 사용되는 세정액들 중 이소프로필알코올(Isopropyl Alcohol, 이하, 'IPA')은 표면장력이 낮아 기판을 세척하기 위해 널리 사용된다.
보통 IPA를 이용하는 기판 세정 장치는 IPA 공급 유닛 및 세정 유닛을 포함한다. IPA 공급 유닛은 중앙 케미칼 공급시스템(CCSS:Central Chemical Supply System)을 포함한다. 예컨대, 중앙 케미칼 공급시스템은 다양한 종류의 약액 탱크들 및 약액 탱크들로부터 세정 유닛으로 IPA를 공급하는 공급 라인들을 포함한다.
보통 가압가스(예컨대, 질소가스)로 약액 탱크를 가압하여, 약액 탱크 내 IPA를 세정 유닛으로 공급하고, 이때 IPA의 승온을 위해 약액 탱크 또는 공급 라인 내부에 히터가 삽입된다. 히터는 주로 열선이 사용된다. 세정 유닛은 IPA 공급 유닛으로부터 공급받은 IPA를 기판에 분사하여 기판 상의 이물질을 제거한다.
그러나, 상기와 같은 기판 세정 장치는 IPA의 불순물 및 온도 관리가 어려운 문제점이 있다.
예컨대, 상기와 같은 기판 세정 장치에서 기판 세정 공정이 실시되지 않는 경우, 세정 유닛으로 세정액을 공급하는 공급 라인들에 IPA가 정체되어 유기불순물이 발생된다. 또한, 히터가 세정액 공급 라인 혹은 IPA를 보관하는 탱크 내부에 위치하는 경우, 히터가 세정액을 오염 시킬 수 있다.
이와 같은 유기불순물 또는 오염물에는 공급 라인에 설치된 필터에 의해서도 걸러지지 않는 크기의 파티클이 존재하며, 이와 같은 파티클을 포함하는 IPA를 기판에 분사할 경우 파티클이 기판에 흡착되어 기판의 세정이 효과적으로 이루어지지 않는다.
종래의 열선을 포함하는 히터의 경우, IPA를 승온시키는 데 상당한 시간이 소요된다. 또한, 기판에 원하는 온도의 IPA를 공급하는 데 어려움이 있다. 예컨대, 세정액이 액공급관을 따라 이동되면서 그 온도가 점차 낮아져 설정온도보다 낮은 온도의 IPA가 기판으로 분사되게 된다.
이와 같이 IPA 내에 파티클이 포함되거나 IPA의 온도가 충분히 높지 않은 경우, 기판의 세정 효율이 저하된다.
본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 세정액 내의 불순물을 효율적으로 제거하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 세정액을 원하는 온도로 단시간에 승온시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징과; 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐과; 노즐로 처리액을 공급하는 액공급유닛을 포함하되, 액공급유닛은, 처리액이 저장되는 저장 공간을 가지는 용기와; 용기에서 노즐로 처리액이 흐르도록 하는 액공급관과; 노즐로 처리액이 공급되기 전에 처리액에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가부재를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액공급관에 설치되어 노즐로 공급되는 처리액에서 불순물을 여과하는 필터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 마이크로파 인가부재는 필터보다 상류에 배치되어 처리액에서 불순물을 응집시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액공급관에는 필터보다 상류에 밸브가 설치되고, 마이크로파 인가부재는 밸브보다 하류에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액공급관에는 필터보다 상류에 펌프가 설치되고, 마이크로파 인가부재는 펌프보다 하류에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액공급관에는 필터보다 상류에 유량계가 설치되고, 마이크로파 인가부재는 유량계보다 하류에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 마이크로파 인가부재는 필터보다 하류에 배치되어 처리액을 가열시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 마이크로파 인가부재는 노즐에 인접하게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 마이크로파 인가부재는 용기에 설치되어 용기 내의 처리액에 마이크로파를 인가할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 용기는 내에 배치되며 마이크로파 인가부재를 감싸는 커버를 더 포함하고 커버는 마이크로파가 투과하는 재질로 제공되고, 용기는 마이크로파가 투과하지 않는 재질로 제공되어 마이크로파가 용기의 외부로 유출되는 것을 차단할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 마이크로파 인가부재는, 액공급관에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 마이크로파 인가부재는, 처리액에서 불순물을 응집시키기 위한 제1마이크로파를 인가하는 제1마이크로파 인가부재와; 처리액을 가열하기 위한 제2마이크로파를 인가하는 제2마이크로파 인가부재를 더 포함하며, 제2마이크로파 인가부재는 제1마이크로파 인가부재 보다 낮은 출력의 마이크로파를 제공할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액공급관에 설치되어 노즐로 공급되는 처리액에서 불순물을 여과하는 필터를 더 포함하고, 제1마이크로파 인가부재는 필터보다 상류에 배치되고, 제2마이크로파 인가부재는 필터보다 하류에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액공급관에는 필터보다 상류에 밸브가 설치되고, 제1마이크로파 인가부재는 밸브보다 하류에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액공급관에는 필터보다 상류에 펌프가 설치되고, 제1마이크로파 인가부재는 펌프보다 하류에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액공급관에는 필터보다 상류에 유량계가 설치되고, 제1마이크로파 인가부재는 유량계보다 하류에 설치될 수 있다.
또한, 본 발명은 액공급유닛을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 액공급유닛은, 처리액이 저장되는 저장 공간을 가지는 용기와; 용기에서 노즐로 처리액이 흐르도록 하는 액공급관과; 액공급관에 설치되어 노즐로 공급되는 처리액에서 불순물을 여과하는 필터와; 노즐로 처리액이 공급되기 전에 처리액에 마이크로파를 인가하여 처리액에서 불순물을 응집시키기 위한 제1마이크로파를 인가하는 제1마이크로파 인가부재를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 처리액을 가열하기 위한 제2마이크로파를 인가하는 제2마이크로파 인가부재를 더 포함하며, 제2마이크로파 인가부재는 제1마이크로파 인가부재 보다 낮은 출력의 마이크로파를 제공할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제1마이크로파 인가부재는 필터보다 상류에 배치되고, 제2마이크로파 인가부재는 필터보다 하류에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제2마이크로파 인가부재는 노즐에 인접하게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 처리액은 유기물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되, 처리액에 제1마이크로파를 인가하여 처리액 내의 불순물을 응집시키고, 이후에 처리액이 기판으로 공급되기 전에 처리액 내에서 응집된 불순물을 필터로 여과시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 처리액에 제2마이크로파를 인가하여 처리액이 기판으로 공급되기 전에 처리액을 가열할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제2마이크로파는 제1마이크로파보다 출력이 더 낮을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제2마이크로파는 필터를 통과한 처리액이 기판으로 공급되기 전에 처리액에 인가될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 처리액은 유기 용제일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 처리액은 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 필터를 통과하기 전에 처리액에 마이크로파를 인가하여 처리액 내부의 불순물을 응집시키므로, 필터에 의한 여과 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리액에 마이크로파를 인가하여 단시간에 처리액을 가온 시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 노즐 부근에서 처리액에 마이크로파를 인가하므로, 설정온도보다 낮은 온도의 세정액이 기판으로 공급되는 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 5는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 처리액이 수용된 용기 내부를 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
본 실시예에는 기판을 케미칼 처리 및 린스 처리하는 세정 공정을 일 예로 설명한다. 그러나 본 실시예는 세정 공정에 한정되지 않고, 식각 공정, 애싱 공정, 현상 공정 등, 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 공정에 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.
인덱스 모듈(10)은 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.
용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 반송 챔버(300)의 일측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다.
반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지유닛(440), 액 토출 유닛(460), 그리고 승강 유닛(480)을 가진다.
하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지유닛(440), 그리고 액 토출 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.
컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 토출 유닛(460)은 지지유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.
일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다.
일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.
지지유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다.
지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.
승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 토출 유닛(460)은 처리액을 기판(W)에 공급한다. 액 토출 유닛(460)은 아암(461)과 아암(461)의 끝단에 고정 결합되어 기판(W)에 액을 토출 시키는 노즐(462)을 포함한다.
일 예에 의하면, 액 토출 유닛(460)은 복수 개가 제공되고, 서로 상이한 종류의 처리액을 기판(W)에 공급할 수 있다. 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제 등을 포함할 수 있다. 케미칼은 희석된 황산(H2SO4, Diluted Sulfuric acid Peroxide), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다.
액공급유닛(500)은 액 토출 유닛(460)에 처리액을 공급한다. 이하, 도 3 아래에서는 액 공급 유닛이 처리액으로서 이소프로필 알코올과 같은 유기용제를 공급하는 것을 예로 들어 설명한다. 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
상술한 바와 같이, 액 토출 유닛(460)에서 공급되는 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제 등을 포함할 수 있다. 아래의 실시예에서는 기판(W)의 건조를 위해 유기 용제가 공급되는 것으로 설명한다. 일 실시예로 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다.
액공급유닛(500)은 처리액 공급원(510), 용기(520), 액공급관(540), 필터(560) 및 마이크로파 인가부재(580)를 포함할 수 있다.
처리액 공급원(510)은 용기(520)에 IPA를 공급한다. 처리액 공급원(510)과 용기(520)는 인렛관(541)에 의해 연결되고, 인렛관(541)에는 밸브(552)가 설치된다. 밸브(552)는 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브일 수 있다. 용기(520)는 처리액 공급원(510)으로부터 IPA를 공급받아 저장한다. 용기(520) 내 처리액은 노즐(462)로 공급된다. 용기(520)와 노즐(462)은 액공급관(540)에 의해 연결된다.
마이크로파 인가부재(580)는 노즐(462)로 IPA가 공급되기 전에 IPA에 마이크로파를 인가하여 IPA 내부의 불순물을 응집시키거나 IPA의 온도를 상승시킨다.
도 3은 액공급유닛(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 마이크로파 인가부재(580)는 필터(560)보다 상류에 배치되어 액공급관(540)을 흐르는 IPA 액에 마이크로파를 인가한다. 이에 의해 액공급관(540)을 흐르는 IPA 액이 필터에 도달하기 전에 IPA 액에서 불순물이 응집되어 불순물의 크기가 커진다.
일반적으로 필터(560)를 통해 여과되는 입자의 크기에는 한계가 있어, 미세한 크기의 입자는 필터(560)에 의해 여과되지 않는다. 특히, IPA 액 내부에 존재하는 유기 불순물의 경우 필터(560)에 의해 여과되지 않는 미세한 크기가 존재한다. 따라서, 액공급관(540)에 필터(560)가 설치됨에도 불구하고 노즐(462)로 공급되는 IPA 액 내부에 여전히 미세한 크기의 불순물이 존재한다.
마이크로파 인가부재(580)는 필터(560)보다 상류에서 IPA 액에 마이크로파를 인가한다. 이에 의해, IPA 액 내부에 존재하는 미세한 크기의 유기 불순물들은 응집되고, IPA 액이 필터(560)를 통과할 때 응집된 IPA 내부의 유기 불순물들은 필터(560)에 의해 대부분 여과된다.
액공급관(540)에는 밸브(554)와 유량계(556)가 설치될 수 있다. 밸브(554)는 용기(520)로부터 공급되는 IPA 액의 유량을 조절할 수 있다. 밸브(554)는 개폐 밸브이거나 유량 조절 밸브일 수 있다. 유량계(556)는 액공급관(540)을 흐르는 IPA 액의 유량을 직접 또는 간접적으로 측정할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 마이크로파 인가부재(580)는 필터(560)보다 상류에 배치되되, 액공급관(540)에 설치되는 밸브(554), 펌프(558), 유량계(556)보다 하류에 배치된다. 이는 IPA 액이 밸브(554), 펌프(558), 또는 유량계(556) 등을 통과할 때 발생하는 불순물이 필터(560)에 의해 여과되도록 한다.
액공급관(540)에서 IPA의 흐름이 정체될 경우 IPA 내부에 불순물이 발생한다. 이를 방지하기 위해 종래의 액공급유닛(500)은 IPA의 계속적인 유동을 위해 IPA 순환 경로를 필수적으로 포함한다. 그러나, 본 발명은 필터(560) 전단에서 IPA 내부의 불순물을 응집시켜 불순물이 필터(560)에서 여과되도록 하는 바 IPA의 순환 경로를 단축시키거나 생략할 수 있다.
도 4는 본 발명의 액공급유닛(500)의 다른 실시예를 보여준다. 도4를 참조하면, 마이크로파 인가부재(580)는 필터(560)보다 하류에 배치된다. 마이크로파 인가부재(580)는 IPA를 가열시킬 수 있다.
마이크로파는 IPA에 분자단위로 작용하는 바, 종래의 열선을 갖춘 히터를 통해 IPA를 가온 시킬 때 보다 IPA를 원하는 공정온도로 승온시키는데 소요되는 시간이 단축된다. 또한, 종래의 열선과 달리 마이크로파는 그 전원 공급이 차단되는 경우 마이크로파 인가부재(580)에 잔열을 남기지 않으므로 온도제어가 용이하다.
IPA가 액공급관(540)을 따라 이동하며 IPA의 온도는 하강한다. 마이크로파 인가부재(580)가 노즐(462)로부터 멀리 배치되는 경우, 가열에 의해 공정온도로 승온된 IPA 액이 액공급관(540)을 따라 흐르는 동안에 온도가 떨어져, 기판(W)에 공급될 때에 IPA 액의 온도는 요구되는 공정온도 보다 낮아진다. 이를 방지하기 위해 마이크로파 인가부재(580)는, 노즐(462)에 인접하게 제공되어 기판(W)에 IPA가 공급되기 직전에 IPA를 원하는 공정온도로 승온시킬 수 있다.
선택적으로 필터(560)보다 상류의 위치에서 히터에 의해 IPA 액의 온도가 공정 온도로 가열되고, 마이크로파 인가부재는 필터(560)를 통과한 후 노즐(462)로 공급되는 동안에 하강된 IPA 액의 온도를 보상하도록 제공될 수 있다.
도 5는 액공급유닛(500)의 또 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 액공급유닛(500)은 제1마이크로파 인가부재(581)와 제2마이크로파 인가부재(582)를 포함한다. 제1마이크로파 인가부재(581)는 도 3의 마이크로파 인가부재(580)와 유사하게 제공되어, IPA 액 내부에 불순물을 응집한다. 제2마이크로파 인가부재(582)는 도 4의 마이크로파 인가부재(580)와 유사하게 제공되어 노즐(462)로 공급되기 직전에 IPA 액을 가열한다. 즉, 제1마이크로파 인가부재(581)는 필터(560)보다 상류에 배치되고, 제2마이크로파 인가부재(582)는 필터(560)보다 하류에 배치된다.
마이크로파의 출력을 크게 할수록 IPA 내부의 불순물은 더 잘 응집되며 IPA의 온도는 더 높이 상승된다. 이때, 마이크로파 인가부재(580)의 출력을 충분히 크게 하지 못하는 경우 IPA 내부에 불순물이 잘 응집되지 않는다. 일반적으로 IPA 액은 약 섭씨 82도에서 끊고, 기판 처리에 사용할 때에는 이보다 낮은 온도에서 사용한다.
제2마이크로파 인가부재(582)는 IPA 액을 원하는 공정 온도까지 승온시킬 수 있는 출력으로 IPA 액에 마이크로파를 인가하고, 제1마이크로파 인가부재(581)는 충분히 큰 출력으로 마이크로파를 IPA 액에 인가하여 IPA 액 내부에 불순물을 응집시킨다. 예컨대, 제1마이크로파 인가부재(581)는 제2마이크로파 인가부재(582)보다 더 큰 출력으로 IPA 액에 마이크로파를 인가할 수 있다.
도 3 및 도 4에서는 마이크로파 인가부재(580)가 액공급관(540)에 설치되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 마이크로파 인가부재(580)는 도 6과 같이 용기(520)에 설치되어 용기(520) 내의 처리액에 마이크로파를 인가할 수 있다.
마이크로파 인가부재(580)는 용기(520) 내의 IPA 액에서 불순물을 응집시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한 마이크로파 인가부재(580)는 용기(520) 내의 IPA 액을 가열하는 기능을 수행할 수 있다. IPA 액에서 불순물의 응집과 IPA 액의 가열은 동시에 이루어질 수 있다.
도 6을 참조하면, 마이크로파 인가부재(580)는 용기(520) 내부에 설치된다. 용기(520)는 그 내부에 삽입된 마이크로파 인가부재(580)를 감싸는 커버(522)를 더 포함할 수 있다. 커버(522)는 마이크로파가 투과하는 재질로 제공되어 용기(520) 내부에 수용된 IPA로 마이크로파가 전달되도록 한다. 용기(520)의 외측 재질은 마이크로파가 투과하지 않는 재질로 제공되어 마이크로파가 용기(520)의 외부로 유출되는 것을 차단할 수 있다. 일 실시예에서, 커버는 테플론(Teflon)일 수 있고, 용기(520)의 외측 재질은 스테인레스 스틸일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
462: 노즐
500: 액공급유닛
520: 용기
540: 액공급관
560: 필터
580: 마이크로파 인가부재
581: 제1마이크로파 인가부재
582: 제2마이크로파 인가부재

Claims (27)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
    상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐과;
    상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액공급유닛을 포함하되,
    상기 액공급유닛은,
    상기 처리액이 저장되는 저장 공간을 가지는 용기와;
    상기 용기에서 상기 노즐로 상기 처리액이 흐르도록 하는 액공급관과;
    상기 노즐로 상기 처리액이 공급되기 전에 상기 처리액에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가부재와;
    상기 액공급관에 설치되어 상기 노즐로 공급되는 처리액에서 불순물을 여과하는 필터를 포함하고,
    상기 마이크로파 인가부재는 상기 필터보다 상류에 배치되어 상기 처리액에서 불순물을 응집시키고,
    상기 처리액은 유기물을 포함하는 액인 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 액공급관에는,
    상기 필터보다 상류에 밸브가 설치되고,
    상기 밸브보다 하류에 상기 마이크로파 인가부재는 설치되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 액공급관에는,
    상기 필터보다 상류에 펌프가 설치되고,
    상기 펌프보다 하류에 상기 마이크로파 인가부재가 설치되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 액공급관에는,
    상기 필터보다 상류에 유량계가 설치되고,
    상기 유량계 보다 하류에 상기 마이크로파 인가부재가 설치되는 기판 처리 장치.
  7. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
    상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐과;
    상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액공급유닛을 포함하되,
    상기 액공급유닛은,
    상기 처리액이 저장되는 저장 공간을 가지는 용기와;
    상기 용기에서 상기 노즐로 상기 처리액이 흐르도록 하는 액공급관과;
    상기 노즐로 상기 처리액이 공급되기 전에 상기 처리액에 마이크로파를 인가하는 제1마이크로파 인가부재와;
    상기 액공급관에 설치되어 상기 노즐로 공급되는 처리액에서 불순물을 여과하는 필터와;
    상기 필터보다 하류에 배치되어 상기 처리액을 가열시키는 제2마이크로파 인가부재를 포함하고,
    상기 제1마이크로파 인가부재는 상기 필터보다 상류에 배치되어 상기 처리액에서 불순물을 응집시키고,
    상기 처리액은 유기물을 포함하는 액인 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2마이크로파 인가부재는 상기 노즐에 인접하게 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로파 인가부재는 상기 용기에 설치되어 상기 용기 내의 처리액에 마이크로파를 인가하는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 용기 내에 배치되며 상기 제1마이크로파 인가부재를 감싸는 커버를 더 포함하고 상기 커버는 마이크로파가 투과하는 재질로 제공되고,
    상기 용기는 마이크로파가 투과하지 않는 재질로 제공되어 마이크로파가 상기 용기의 외부로 유출되는 것을 차단하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로파 인가부재는,
    상기 액공급관에 설치되는 기판 처리장치.
  12. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
    상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐과;
    상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액공급유닛을 포함하되,
    상기 액공급유닛은,
    상기 처리액이 저장되는 저장 공간을 가지는 용기와;
    상기 용기에서 상기 노즐로 상기 처리액이 흐르도록 하는 액공급관과;
    상기 노즐로 상기 처리액이 공급되기 전에 상기 처리액에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가부재를 포함하고,
    상기 마이크로파 인가부재는,
    상기 처리액에서 불순물을 응집시키기 위한 제1마이크로파를 인가하는 제1마이크로파 인가부재와;
    상기 처리액을 가열하기 위한 제2마이크로파를 인가하는 제2마이크로파 인가부재를 더 포함하며,
    상기 제2마이크로파 인가부재는 제1마이크로파 인가부재 보다 낮은 출력의 마이크로파를 제공하고,
    상기 액공급관에 설치되어 상기 노즐로 공급되는 처리액에서 불순물을 여과하는 필터를 더 포함하고,
    상기 제1마이크로파 인가부재는 상기 필터보다 상류에 배치되고, 상기 제2마이크로파 인가부재는 상기 필터보다 하류에 배치되고,
    상기 처리액은 유기물을 포함하는 액인 기판 처리 장치.
  13. 삭제
  14. 제12항에 있어서,
    상기 액공급관에는,
    상기 필터보다 상류에 밸브가 설치되고,
    상기 밸브보다 하류에 상기 제1마이크로파 인가부재가 설치되는 기판 처리 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 액공급관에는,
    상기 필터보다 상류에 펌프가 설치되고,
    상기 펌프보다 하류에 상기 제1마이크로파 인가부재가 설치되는 기판 처리 장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 액공급관에는,
    상기 필터보다 상류에 유량계가 설치되고,
    상기 유량계보다 하류에 상기 제1마이크로파 인가부재가 설치되는 기판 처리 장치.
  17. 처리액이 저장되는 저장 공간을 가지는 용기와;
    상기 용기에서 노즐로 상기 처리액이 흐르도록 하는 액공급관과;
    상기 노즐로 상기 처리액이 공급되기 전에 상기 처리액에 마이크로파를 인가하여 상기 처리액에서 불순물을 응집시키기 위한 제1마이크로파를 인가하는 제1마이크로파 인가부재를 포함하고,
    상기 처리액은 유기물을 포함하는 액이고,
    상기 액공급관에 설치되어 상기 노즐로 공급되는 처리액에서 불순물을 여과하는 필터를 더 포함하며,
    상기 제1마이크로파 인가부재는 상기 필터보다 상류에 배치되는 액공급유닛.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 처리액을 가열하기 위한 제2마이크로파를 인가하는 제2마이크로파 인가부재를 더 포함하며,
    상기 제2마이크로파 인가부재는 제1마이크로파 인가부재 보다 낮은 출력의 마이크로파를 제공하는 액공급유닛.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제2마이크로파 인가부재는 상기 필터보다 하류에 배치되는 액공급유닛.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    상기 제2마이크로파 인가부재는 상기 노즐에 인접하게 제공되는 액공급유닛.
  21. 삭제
  22. 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되,
    상기 처리액에 제1마이크로파를 인가하여 상기 처리액 내의 불순물을 응집시키고, 이후에 상기 처리액이 상기 기판으로 공급되기 전에 상기 처리액 내에서 응집된 불순물을 필터로 여과시키고,
    상기 처리액은 유기 용제인 기판 처리 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 처리액에 제2마이크로파를 인가하여 상기 처리액이 상기 기판으로 공급되기 전에 상기 처리액을 가열하는 기판 처리 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제2마이크로파는 상기 제1마이크로파보다 출력이 더 낮은 기판 처리 방법.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 제2마이크로파는 상기 필터를 통과한 상기 처리액이 상기 기판으로 공급되기 전에 상기 처리액에 인가되는 기판 처리 방법.
  26. 삭제
  27. 제22항에 있어서,
    상기 처리액은 이소프로필알코올(IPA)인 기판 처리 방법.
KR1020190076767A 2019-06-27 2019-06-27 액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102288985B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2090708A1 (en) 1992-04-30 1993-10-31 Jeffrey Merritt Mckay Combination transducer/slider/suspension and method for making
JPH10340851A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置用の清浄空気供給装置
JPH11226387A (ja) * 1998-02-13 1999-08-24 Karasawa Fine:Kk 流体による処理方法および装置
JP2000124185A (ja) 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20030021581A (ko) 2001-09-06 2003-03-15 씨엘디 주식회사 세정 장치 및 그를 이용한 세정 방법
AU2003246171A1 (en) * 2002-07-08 2004-01-23 Tokyo Electron Limited Processing device and processing method
KR20060048607A (ko) * 2004-08-05 2006-05-18 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 액체가열장치, 세정장치, 및 세정방법
TW200618108A (en) * 2004-09-07 2006-06-01 Phifer Smith Corp Copper processing using an ozone-solvent solution
JP2008066505A (ja) 2006-09-07 2008-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 流体加熱装置及びそれを利用するウエハ処理装置
KR100938235B1 (ko) * 2007-11-07 2010-01-22 세메스 주식회사 약액 공급 장치
JPWO2014157210A1 (ja) * 2013-03-26 2017-02-16 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体
WO2014157211A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
KR101696194B1 (ko) * 2014-05-29 2017-01-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20160045299A (ko) * 2014-10-17 2016-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 연계 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP6742124B2 (ja) * 2016-03-30 2020-08-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6994307B2 (ja) * 2017-03-27 2022-01-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6993806B2 (ja) * 2017-07-31 2022-01-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR20190019230A (ko) * 2017-08-16 2019-02-27 세메스 주식회사 세정 유체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6979852B2 (ja) * 2017-10-26 2021-12-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法

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