WO2018116923A1

WO2018116923A1 - 透明電極及び電子デバイス

Info

Publication number: WO2018116923A1
Application number: PCT/JP2017/044654
Authority: WO
Inventors: 邦夫谷; 大津　信也
Original assignee: コニカミノルタ株式会社
Priority date: 2016-12-19
Filing date: 2017-12-13
Publication date: 2018-06-28
Also published as: KR20190070959A; CN110431919A; JPWO2018116923A1

Abstract

本発明の課題は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ経時安定性に優れた透明電極と、当該透明電極を備えた電子デバイスを提供することである。　透明電極１は、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する金属親和性層１１と、当該金属親和性層１１に隣接して設けられ、銀と当該銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層１２ａと、銀を主成分とする第２導電性層１２ｂと、をこの順で有する。（式中のＸ_１及びＸ_２は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ_１を表す。Ｒ_１は、水素原子又は置換基を表す。　式中のＡ_１は、５員又は６員のヘテロアリール環を構成する残基を表す。）

Description

透明電極及び電子デバイス

　本発明は、透明電極及び電子デバイスに関する。より詳しくは、導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性に優れた透明電極と、この透明電極を備えた電子デバイスに関する。

　有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence、以下、「ＥＬ」）を利用した有機ＥＬ素子は、数Ｖ～数十Ｖ程度の低電圧で発光することが可能な薄厚型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、近年では、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として注目されている。
　このような有機ＥＬ素子は、対向配置された２枚の電極間に有機材料からなる発光層を介在させた構成となっている。しかし、発光層で生じた光は電極を透過してはじめて外部に取り出し可能となるため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極とする必要がある。

　透明電極は、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ_２－Ｉｎ_２Ｏ_３：Indium Tin Oxide、以下、「ＩＴＯ」）等の酸化物半導体系の材料で形成されたものが一般的となっている。また、ＩＴＯ等を用いた透明電極においては、ＩＴＯの上に銀を積層することで低抵抗化を図る検討もなされている。
　しかしながら、ＩＴＯは高価なインジウム（Ｉｎ）を含有するため、透明電極や電子デバイスの製造コストを上昇させてしまうという問題がある。
　また、ＩＴＯ等を用いた透明電極の形成には主としてスパッタ法が用いられてきた。しかしながら、有機ＥＬ素子の場合、主に有機材料からなる有機機能層上に透明電極を形成することになるので、スパッタ法で透明電極の形成を行うと、勢いよく飛んでくる原子によって有機機能層がダメージを受け、有機機能層本来の性能が損なわれてしまうという問題もある。

　上記問題に鑑み、近年、スパッタ法の代わりに蒸着法を用いて透明電極を形成する試みがなされている。例えば、導電性の高い銀又は銀とマグネシウムからなる導電性層を、蒸着法により形成するというものである（特許文献１、２参照）。
　しかし、銀又は銀とマグネシウムからなる薄膜層を透明電極の導電性層として用いると、銀がマイグレーションを起こし、導電性を低下させてしまう可能性がある。導電性の低下は、例えば、有機ＥＬ素子を照明として用いた場合に、発光域の面内均一性の低下につながるため、非常に大きな問題となる。一方、マイグレーションを抑制するために導電性層を厚くすると、光透過性が低下してしまう。つまり、銀又は銀とマグネシウムからなる透明電極においては、導電性と光透過性とを両立させることが困難であった。

　また、上述したような透明電極を、例えば有機ＥＬ素子のカソードとして用いる場合には、隣接層への高い電荷注入性が求められる。従来、透明電極の電荷注入性を高める方法として、透明電極に仕事関数の低い材料を含有させる方法が知られている。また、銀と銀とは異なる金属元素を含む導電性層と銀を積層構成とした透明電極を用いる方法も開示されている（特許文献３～７参照）。
　しかし、それらの方法は、導電性、光透過性及び電子注入性をともに満たすという点においていまだ不十分であった。また、従来は、銀と銀とは異なる金属元素を含む導電性層が形成されるのは、多くの場合、銀との親和性が十分でないフッ化リチウム（ＬｉＦ）の表面であったため、時間経過とともに厚さ方向の原子比率の分布に偏りが生じてしまい、経時安定性に課題を残していた。

特許第５３２８８４５号公報国際公開第２０１３／０９９８６７号特許第４６９９０９８号公報国際公開第２０１１／０１３３９３号特許第５６０３１３６号公報特開２０１５－１７３０４２号公報特許第５９０１１６１号公報

　本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ経時安定性に優れた透明電極と、当該透明電極を備えた電子デバイスを提供することである。

　本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、特定の構造を有する化合物を含有する金属親和性層と、当該金属親和性層に隣接して設けられ、銀と当該銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層と、銀を主成分とする第２導電性層と、をこの順で積層することにより銀の拡散を防止でき、その結果、優れた導電性と光透過性を両立し、かつ経時安定性に優れた透明電極を実現できることを見いだした。
　さらに、この透明電極を、電子デバイス、特に有機ＥＬ素子に適用することで、デバイス特性を向上させることができることを見いだし、本発明に至った。

　すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
　１．下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する金属親和性層と、
　当該金属親和性層に隣接して設けられ、銀と当該銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層と、
　銀を主成分とする第２導電性層と、をこの順で有する透明電極。

（式中のＸ_１及びＸ_２は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ_１を表す。Ｒ_１は、水素原子又は置換基を表す。また、式中のＡ_１は、５員又は６員のヘテロアリール環を構成する残基を表す。）

　２．前記一般式（１）で表される構造を有する化合物が、下記一般式（２）で表される構造を有する有機化合物である第１項に記載の透明電極。

（式中のＸ_１、Ｘ_２、Ｘ_３及びＸ_４は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ_１を表す。Ｒ_１は、水素原子又は置換基を表す。また、式中のＡ_１及びＡ_２は、それぞれ独立に、５員又は６員のヘテロアリール環を構成する残基を表す。また、式中のＬ_１は、単なる結合手、又はアリール環若しくはヘテロアリール環を含む２価の連結基を表す。）

　３．前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、６員のヘテロアリール環を構成する残基を表す第１項又は第２項に記載の透明電極。

　４．前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、ピリジン環、ピラジン環、トリアジン環、ピリジミン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環、ベンゾイソキノリン環又はフェナンスリジン環を構成する残基を表す第３項に記載の透明電極。

　５．前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、５員のヘテロアリール環を構成する残基を表す第１項又は第２項に記載の透明電極。

　６．前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、インドール環、イミダゾール環、ベンズイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環又はチアゾール環を構成する残基を表す第５項に記載の透明電極。

　７．前記第１導電性層に含まれる銀の濃度が、５０～９９ａｔ％の範囲内である第１項から第６項までのいずれか一項に記載の透明電極。

　８．前記第１導電性層の厚さと前記第２導電性層の厚さの合計が５～２５ｎｍの範囲内であり、
　かつ、前記第２導電性層の厚さが１～１０ｎｍの範囲内である第１項から第７項までのいずれか一項に記載の透明電極。

　９．第１項から第８項までのいずれか一項に記載の透明電極が具備されている電子デバイス。

　１０．前記電子デバイスが、有機エレクトロルミネッセンス素子である第９項に記載の電子デバイス。

　本発明の上記手段により、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ経時安定性に優れた透明電極、及び当該透明電極を備えた電子デバイスを提供することができる。
　本発明においては、金属親和性層と導電性層が隣接し、当該導電性層を構成する第１導電性層及び第２導電性層が金属親和性層側からこの順に積層されていればよく、各層の製造の順は問わず効果を有するが、効果の発現機構・作用機構については、現時点では明確になっていない。しかし、以下のように推察している。
　金属親和性層の表面に第１導電性層を形成する際、第１導電性層を構成する銀原子が金属親和性層に含有されている銀親和性化合物と相互作用し、金属親和性層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、その結果、特異箇所への銀の移動（マイグレーション）及び凝集が抑制されるものと考えられる。すなわち、銀原子が、銀原子と親和性のある原子を有する金属親和性層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって形成されているものと推察される。
　一般的には、金属親和性層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合して３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により、島状に形成しやすいと考えられている。しかし、本発明においては、金属親和性層に含有されている銀親和性化合物により、島状成長が抑制され、層状成長が促進されているものと推察される。本発明における、銀と銀とは異なる金属元素とを含有する第１導電性層は、上述した様に、銀原子の凝集が金属親和性層により制御されることで、銀の合金を主成分とする第１導電性層の膜成長が制御され、その結果、薄いながらも均一な厚さの導電性層が得られるようになる。それが、光透過性と導電性の両立につながっているものと考えられる。
　また、従来の透明電極においては、銀と銀とは異なる金属との原子比率の厚さ方向の分布に偏りが生じ、導電性層の光透過率、シート抵抗を変動させる原因となっていたが、本発明においては、金属親和性層に含有されている銀親和性化合物によって、銀と銀とは異なる金属元素の原子比率の分布が制御されていると推測している。その結果、経時での性能変動が小さい透明電極とすることができているものと考えられる。
　なお、導電性層を先に形成し、その後、導電性層の表面に金属親和性層を形成した場合であっても、導電性層を構成する銀原子が金属親和性層に含有されている、銀原子と親和性のある原子と相互作用し、運動性が抑制されると推測している。これによって、導電性層の表面平滑性が良化して乱反射を抑制することができ、光透過率を向上することが可能である。また該相互作用によって、熱や温度といった物理刺激に対する導電性層の変化が抑制され、経時安定性を向上させることができているものと考えられる。
　また、本発明の透明電極を、有機ＥＬ素子のカソードとして用いた場合について、電子注入性の向上は、電極材料に仕事関数の低い金属を用いて、かつ、電極材料の凝集を抑制し、下地となる層との界面を空隙なく均一に形成することが重要である。前述した様に、本発明の透明電極構成は、一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する金属親和性層を用いたことで、銀と銀とは異なる金属元素とを含有する第１導電性層が均一に形成できているため電子注入性が向上したものと推測している。
　次に、面内発光均一性の向上には、低抵抗の金属を用いてシート抵抗を下げることと、上述した様に金属薄膜を均一形成することが非常に重要である。本発明の透明電極構成は、薄膜の均一形成ができ、かつ低抵抗の銀を主成分とする第２導電性層を積層することによってシート抵抗を下げることができたため面内発光均一性が向上したものと推測している。
　更に、経時安定性の向上は、安定した電荷供給とシート抵抗が変動しないことが重要である。本発明の透明電極構成は、経時した場合でも銀と銀とは異なる金属元素とを含有する第１導電性層の原子比率の分布がほとんど変わらないように制御できたため経時安定性が向上したものと推測している。
　また、アノードとして用いた場合は、上述の電子注入性以外の部分は同様であり、本発明の構成とすることで、面内発光均一性と経時安定性に優れたアノードを提供することが可能である。

本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の第１例を示す概略断面図本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の第２例を示す概略断面図本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の第３例を示す概略断面図本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の第４例を示す概略断面図

　本発明の透明電極は、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する金属親和性層と、当該金属親和性層に隣接して設けられ、銀と当該銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層と、銀を主成分とする第２導電性層と、をこの順で有することを特徴とする。この特徴は、各請求項に係る発明に共通する又は対応する技術的特徴である。

　本発明の実施態様としては、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物が、前記一般式（２）で表される構造を有する有機化合物であることが好ましい。これにより、第１導電性層の銀とより一層相互作用するので、銀の凝集をより一層防ぐことができる。

　また、本発明においては、前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、６員のヘテロアリール環を構成する残基を表すものとすることが好ましい。これにより、銀原子の拡散距離を抑制し、凝集を抑制させるという効果が得られる。

　また、本発明の実施態様としては、前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、ピリジン環、ピラジン環、トリアジン環、ピリジミン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環、ベンゾイソキノリン環又はフェナンスリジン環を構成する残基を表すものとすることが好ましい。これにより、銀原子の拡散距離を抑制し、凝集を抑制させるという効果が得られる。

　また、本発明の実施態様としては、前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、５員のヘテロアリール環を構成する残基を表すものとすることが好ましい。これにより、銀原子の拡散距離を抑制し、凝集を抑制させるという効果が得られる。

　また、本発明の実施態様としては、前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、インドール環、イミダゾール環、ベンズイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環又はチアゾール環を構成する残基を表すものとすることが好ましい。これにより、銀原子の拡散距離を抑制し、凝集を抑制させるという効果が得られる。

　また、本発明の実施態様としては、前記第１導電性層に含まれる銀の濃度が、５０～９９ａｔ％（ａｔｏｍｉｃ％、原子％）の範囲内であるものとすることが好ましい。これにより、第１導電性層を均一に形成できるという効果が得られる。

　また、本発明の実施態様としては、前記第１導電性層の厚さと前記第２導電性層の厚さの合計が５～２５ｎｍの範囲内であり、かつ、前記第２導電性層の厚さが１～１０ｎｍの範囲内であるものとすることが好ましい。これにより、光透過性と導電性の両立という効果が得られる。

　また、本発明に係る透明電極は、電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンス素子に好適に具備され得る。これにより、低消費電力、且つ長寿命という効果が得られる。

　以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。
　なお、本願において、数値範囲を表す「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用している。
　また、各図の説明において、構成要素の末尾に括弧書きした数字は、各図における符号を表す。

《透明電極》
　本発明の透明電極は、金属親和性層と、当該金属親和性層に隣接して形成された導電性層と、を備えたものであって、前記金属親和性層が、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有し、かつ、前記導電性層が、少なくとも、銀と当該銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層と、銀を主成分とする第２導電性層と、をこの順で含む積層構造をなしている。これにより、本発明の透明電極は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ経時安定性に優れた透明電極を得ることができるものとなっている。

〔透明電極の構成〕
　図１は、本発明の透明電極の基本的な構成の一例を示した概略断面図である。
　図１に示したように、透明電極（１）は、金属親和性層（１１）と、この金属親和性層（１１）に隣接する導電性層（１２）を有し、該導電性層（１２）が、銀と当該銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層（１２ａ）、銀を主成分とする第２導電性層（１２ｂ）とがこの順で積層された３層構造である。特に、基材（２）の表面に、金属親和性層（１１）、第１導電性層（１２ａ）及び第２導電性層（１２ｂ）がこの順に設けられていることが好ましい形態である。

　なお、本発明でいう「銀と当該銀とは異なる金属とを含有する」とは、銀と銀とは異なる金属とが、単なる混合物の状態となっていることや、合金となっていることをいう。
　第１導電性層を構成する材料成分に占める銀の比率は、５０～９９ａｔ％の範囲内であり、好ましくは、７０ａｔ％以上、より好ましくは８０ａｔ％以上であり、さらに好ましくは９０～９９ａｔ％の範囲内である。なお、銀と混合する銀とは異なる金属については後述する。
　また、本発明でいう「銀を主成分とする」とは、純粋な銀、ごく微量の不純物が自然に混入された銀、又は本発明の効果を高めるためにごく微量の銀以外の元素を副成分として含有させた銀で構成されることをいう。この場合の第２導電性層を構成する材料成分に占める銀の比率は、９９超～１００ａｔ％の範囲内である。
　また、本発明の透明電極（１）でいう「透明」とは、波長５００ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいい、光透過率が６０％以上であることがより好ましく、光透過率が６５％以上であることが更に好ましい。

［基材］
　基材（２）を構成する材料は、特に限定されるものではないが、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができる。なお、基材（２）は、透明であっても不透明であってもよいが、基材（２）を不透明な材料で構成する場合には、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。
　一方、本発明の透明電極（１）が、基材（２）側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基材（２）は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基材（２）としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。

　使用可能なガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。
　これらのガラス材料を基材（２）として使用する場合には、金属親和性層（１１）との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、表面に研磨等の物理的処理が施されたものとしてもよいし、無機物又は有機物からなる被膜、若しくはこれらの組み合わせからなるハイブリッド被膜が形成されたものとしてもよい。

　使用可能な樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（略称：ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（略称：ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（略称：ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート（略称：ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等で形成されたフィルムが挙げられる。
　これらの樹脂フィルムを基材（２）として使用する場合には、基材（２）をガラスで形成する場合と同様、表面に無機物又は有機物からなる被膜、若しくはこれらを組み合わせたハイブリッド被膜が形成されたものとしてもよい。

　このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。さらには、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^－３ｍＬ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１×１０^－５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
　こうしたバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の電子デバイスや有機ＥＬ素子の劣化をもたらす要因の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。さらに、当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機機能層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機機能層との積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

　バリア性フィルムを作製する方法は、特に限定されるものではないが、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。特に、特開２００４－６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法を用いるのが好ましい。

［金属親和性層］
　本発明に係る金属親和性層（１１）とは、導電性層（１２）に隣接して当該導電性層の銀の凝集を防ぐための層であり、銀と相互作用し当該銀の凝集を防ぐ下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を少なくとも１種類含有する層をいう。

　（一般式（１）で表される構造を有する化合物）

（式中のＸ_１及びＸ_２は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ_１を表す。Ｒ_１は、水素原子又は置換基を表す。
　また、式中のＡ_１は、５員又は６員のヘテロアリール環を構成する残基を表す。）

　上記Ｒ_１が表す置換基としては、ピリジン環、ピラジン環、トリアジン環、ピリミジン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環、ベンゾイソキノリン環、インドール環、イミダゾール環、ベンズイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環又はカルバゾール環等を含む置換基が挙げられる。

　また、Ａ_１は、５員又は６員のヘテロアリール環を構成する残基を表すが、Ａ_１を含むことによって構成可能となるヘテロアリール環のうち、５員のものとしては、イミダゾール環、ベンズイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環又はチアゾール環等が挙げられる。
　また、Ａ_１によって構成可能となるヘテロアリール環のうち、６員のものとしては、ピリジン環、ピラジン環、トリアジン環、ピリミジン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、カルボリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環、ベンゾイソキノリン環又はフェナンスリジン環等が挙げられる。
　また、Ａ_１はさらに置換基を有していても良い。
　なお、本発明においては、インドール環のように窒素原子の孤立電子対が芳香環の形成に関与している化合物も、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物に含む。
　一方、リチウム８－ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）やトリス（８－キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）のように金属錯体を構成するものは上記一般式（１）で表される構造を有する化合物から除かれる。

　本発明の実施形態としては、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物が、下記一般式（２）で表される構造を有する有機化合物であることが好ましい。これにより、第１導電性層（１２ａ）の銀とより一層相互作用するので、銀の凝集をより一層防ぐことができる。

（一般式（２）で表される構造を有する化合物）

（式中のＸ_１、Ｘ_２、Ｘ_３及びＸ_４は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ_１を表す。Ｒ_１は、水素原子又は置換基を表す。
　式中のＡ_１及びＡ_２は、それぞれ独立に、５員又は６員のヘテロアリール環を構成する残基を表す。
　式中のＬ_１は、単なる結合手、又はアリール環若しくはヘテロアリール環を含む２価の連結基を表す。

　Ａ_１及びＲ_１は、上記一般式（１）におけるＡ_１及びＲ_１と同義である。
　また、Ａ_２を含むことによって構成可能となるヘテロアリール環は、前述したＡ_１を含むことによって構成可能となるヘテロアリール環として挙げたものの中から選択するのが好ましい。
　また、Ａ_２もＡ_１と同様にさらに置換基を有していてもよい。
　なお、Ａ_２はＡ_１と同一のものとしてもよいし、異なるものとしてもよい。

　また、Ｌ_１が表す２価の連結基を構成可能なアリール環としては、例えば、ベンゼン環、ｐ－クロロフェニル環、メシチレン環、トルエン環、キシレン環、ナフタレン環、アントラセン環、アズレニル環、アセナフテニル環、フルオレニル環、フェナントリル環、インデニル環、ピレニル環、ビフェニリル環等が挙げられる。
　また、Ｌ_１が表す２価の連結基を構成可能なヘテロアリール環としては、例えば、ピリジン環、ピリミジニル環、フリル環、ピロリル環、イミダゾリル環、ベンゾイミダゾリル環、ピラゾリル環、ピラジニル環、トリアゾリル環（例えば、１，２，４－トリアゾール－１－イル環、１，２，３－トリアゾール－１－イル環等）、オキサゾリル環、ベンゾオキサゾリル環、チアゾリル環、イソオキサゾリル環、イソチアゾリル環、フラザニル環、チエニル環、キノリル環、ベンゾフリル環、ジベンゾフリル環、ベンゾチエニル環、ジベンゾチエニル環、インドリル環、カルバゾリル環、カルボリニル環、ジアザカルバゾリル環（前記カルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、キノキサリニル環、ピリダジニル環、トリアジニル環、キナゾリニル環又はフタラジニル環等が挙げられる。

　なお、上記一般式（２）で表される構造を有する有機化合物に、金属錯体を構成するものが含まれないことは、上記一般式（１）で表される構造を有する有機化合物の場合と同様である。

　以下に、本発明に係る金属親和性層（１１）に用いることが可能な、上記一般式（１）又は上記一般式（２）で表される構造を有する化合物の具体例（例示化合物１～６７）を挙げる。

　金属親和性層（１１）の形成方法は、特に制限はなく、例えば、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる湿式方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。
　この金属親和性層（１１）の厚さは、１～１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、３～５０ｎｍの範囲内にあることがより好ましく、この範囲内であればいずれの厚さであっても効果を得ることができる。具体的には、厚さが１００ｎｍ以下であれば、層の吸収成分が少なくなり、透明電極（１）の光透過率が向上するため好ましい。また、厚さが３ｎｍ以上であれば、均一で連続的な金属親和性層（１１）が形成されるため好ましい。

　また、金属親和性層（１１）が含有する上記一般式（１）又は上記一般式（２）で表される構造を有する化合物が、最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が－２．２～－１．６ｅＶの範囲内にある有機化合物であると、第１導電性層（１２ａ）を構成する金属原子、特に銀原子とのエネルギー準位が近く、電子軌道間における相互作用することが可能になる。これにより、第１導電性層（１２）との親和性が向上し、銀の凝集を抑制することができるため、好ましい。また、有機ＥＬ素子においては、該エネルギー準位とすることで、導電性層（１２）からのキャリア注入及び発光層へのキャリア輸送が好適となるため好ましい。

　また、金属親和性層（１１）は、上記一般式（１）又は上記一般式（２）で表される構造を有する化合物とともに、駆動電圧低下や発光輝度向上のための材料を含有したものであっても良い。具体的には、特開平６－３２５８７１号公報、特開平９－１７５７４号公報、特開平１０－７４５８６号公報等に記載されたストロンチウムやアルミニウム、Ｌａ金属等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、Ｌｉｑ等に代表される金属錯体等が挙げられる。

〔導電性層〕
　本発明の透明電極（１）を構成する導電性層（１２）は、金属親和性層（１１）に隣接して形成された層である。また、導電性層（１２）は、金属親和性層（１１）側から、銀と当該銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層（１２ａ）と、銀を主成分とする第２導電性層（１２ｂ）と、を含む積層構造をなしている。

　このような導電性層（１２）の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。

　また、導電性層（１２）の厚さは、５～２５ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは５～１８ｎｍであり、さらに好ましくは５～１２ｎｍである。厚さを２５ｎｍ以下にすると層の吸収成分又は反射成分が少なくなり、透明電極（１）の光透過率が向上するためより好ましい。また、厚さを５ｎｍ以上にすると層の導電性が十分になるため好ましい。
　第１導電性層（１２ａ）の厚さは、０．５～１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、更に好ましくは１～５ｎｍの範囲内である。厚さを０．５ｎｍ以上にすると生産時の安定性が確保できるため好ましい。また、厚さを１５ｎｍ以下にすると導電性を低く保つことができるので好ましい。

　第１導電性層（１２ａ）に含有される銀とは異なる金属としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等が挙げられる。
　本発明においては、第１導電性層を銀の合金とするのが好ましい。具体的には、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）、銅銀（ＣｕＡｇ）、パラジウム銀（ＰｄＡｇ）、インジウム銀（ＩｎＡｇ）、アルミニウム銀（ＡｌＡｇ）、セシウム銀（ＣｓＡｇ）、イッテルビウム銀（ＹｂＡｇ）、パラジウム銅銀（ＰｄＣｕＡｇ）等が挙げられるが、中でも、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）、アルミニウム銀（ＡｌＡｇ）、イッテルビウム銀（ＹｂＡｇ）が好ましい。

　また、第２導電性層（１２ｂ）の厚さは１～１０ｎｍであることが好ましく、１～５ｎｍであることがより好ましい。１０ｎｍより薄いと層の吸収成分又は反射成分が少なくなり、１ｎｍより厚いと導電性層（１２）全体を均一に形成することができるため、導電性の観点から好ましい。
　第２導電性層（１２ｂ）を形成する銀は、できるだけ純粋なものとするのが好ましい。

　上述した金属親和性層（１１）と、この金属親和性層（１１）に隣接する導電性層（１２）と、を含む積層構造の透明電極（１）のシート抵抗値は、数百Ω／ｓｑ．であることが好ましく、１００Ω／ｓｑ．以下であることがより好ましい。また、電極の大面積化の観点から５０Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、２０Ω／ｓｑ．であることがより好ましい。

　なお、透明電極（１）は、導電性層（１２）の表面が保護膜で覆われていてもよい。この場合、透明電極（１）の光透過性を損なうことのないように、保護膜が光透過性を有していることが好ましい。
　また、第２導電性層（１２ｂ）の第１導電性層（１２ａ）が存在する側と反対側に隣接して、さらに別の導電性層が設けられていても良い。この場合、透明電極（１）の光透過性や導電性を損なうことのないようにすることが好ましい。
　また、透明電極（１）においては、第２導電性層（１２ｂ）の第１導電性層（１２ａ）が存在する側と反対側に更に金属親和性層（１１）を形成することにより、導電性層（１２）を、２層の金属親和性層（１１）で挟んだ構成としてもよい。

〔透明電極が奏する効果〕
　本発明の透明電極（１）は、前述したように構成されることで、金属親和性層（１１）の表面に第１導電性層（１２ａ）を形成する際に、第１導電性層（１２ａ）を構成する銀原子が、金属親和性層（１１）を構成する非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物と相互作用する。このため、金属親和性層（１１）表面における銀原子の拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられると推定している。

　また、銀の合金を主成分とする第１導電性層（１２ａ）の形成においては、島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）で薄膜成長するのが一般的である。このため、銀粒子が島状に孤立しやすく、第１導電性層（１２ａ）が薄いときには導電性を得ることが困難であり、シート抵抗値が高くなるという問題がある。導電性を確保するには第１導電性層（１２ａ）を厚くする必要があるが、厚くすると光透過率が下がるため、透明電極としては不適であった。
　しかしながら、本発明構成の透明電極（１）によれば、上述したように金属親和性層（１１）上において銀の凝集が抑えられるため、銀を含有する第１導電性層（１２ａ）の形成においては、層状成長型（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）で薄膜成長するようになると推定している。

　また、本発明の透明電極（１）は、上述したように、波長５００ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをもって「透明」としているが、金属親和性層（１１）として用いられる上述した各材料は、銀と銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層（１２ａ）と比較して、十分に光透過性の良好な膜を形成する。一方、透明電極（１）の導電性は、第１導電性層（１２ａ）と銀を主成分とする第２導電性層（１２ｂ）とによって確保される。つまり、第１導電性層（１２ａ）及び第２導電性層（１２ｂ）が、薄いながらも導電性を確保したものとなっている。したがって、透明電極（１）の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になる。

　なお、導電性層（１２）を先に形成し、その後、導電性層（１２）に隣接して金属親和性層（１１）を形成した場合であっても、導電性層を構成する銀原子が、金属親和性層に含有されている、銀原子と親和性のある原子と相互作用し、運動性が抑制されると推定している。これによって、導電性層（１２）の表面平滑性が良化することで乱反射を抑制することができ、光透過率を向上することが可能である。また該相互作用によって、熱や温度といった物理刺激に対する導電性層（１２）の変化が抑制され、経時安定性を向上させることができているものと考えられる。

　また、前記金属親和性層（１１）が含有する有機化合物に、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いることで、銀と銀とは異なる金属元素とを含有する第１導電性層（１２ａ）における厚さ方向の元素分布を抑制することも可能になる。これによって、透明電極（１）の光透過率、シート抵抗といった電極特性が向上するとともに、カソードとして用いた場合に、隣接する金属親和性層（１１）への電子注入性の経時変動が小さくなるため好ましい。

《電子デバイス》
　上述した本発明の透明電極（１）は、各種電子デバイスに用いることが可能である。
　電子デバイスの例としては、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられる。これらの電子デバイスにおいて光透過性を必要とされる電極部材として、上述の透明電極（１）を用いることができる。特に、本発明の透明電極（１）では、有機ＥＬ素子に適用することが好ましい。
　以下、本発明の透明電極（１）を用いた電子デバイスの一例として、有機ＥＬ素子の実施の形態について説明する。

［有機ＥＬ素子の構成例１］
〔構成例１に係る有機ＥＬ素子の構成〕
　図２は、構成例１に係る有機ＥＬ素子の概略断面図である。
　本例に係る有機ＥＬ素子は、いわゆるボトムエミッション型、すなわち、透明基板を有し、透明基板側から光を取り出すようにしたものである。具体的には、図２に示したように、透明基板（２）上に、透明電極（１）、発光機能層（３）、対向電極（４）をこの順で積層することにより構成されている。
　この有機ＥＬ素子（１００）においては、透明電極として、先に説明した本発明の透明電極（１）を用いている。このため有機ＥＬ素子（１００）は、発生させた光（以下、発光光（ｈ）と記す）を、少なくとも透明基板（２）側から取り出すことが可能に構成されている。

　また、有機ＥＬ素子（１００）の層構造は以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよい。ここでは、透明電極（１）がアノード（すなわち陽極）として機能し、対向電極（４）がカソード（すなわち陰極）として機能することとする。
　この場合、発光機能層（３）を構成する各層は、アノードである透明電極（１）側から、例えば、正孔注入層（３ａ）、正孔輸送層（３ｂ）、発光層（３ｃ）、電子輸送層（３ｄ）、電子注入層（３ｅ）の順で積層されることになるが、このうち少なくとも発光層（３ｃ）を有することが必須である。

　また、発光機能層（３）は、これらの層の他に、正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに、発光層（３ｃ）は、各波長領域の発光光ｈを発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の補助層を介して積層させた構造としてもよい。補助層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらにカソードである対向電極（４）も、必要に応じた積層構造であってもよい。このような構成においては、発光機能層（３）のうち、透明電極（１）と対向電極（４）とで挟まれた部分のみが、有機ＥＬ素子（１００）における発光領域となる。

　なお、正孔注入層（３ａ）及び正孔輸送層（３ｂ）は、両者の機能を兼ね備えた正孔輸送注入層としてもよい。また、電子輸送層（３ｄ）及び電子注入層（３ｅ）も、両者の機能を兼ね備えた電子輸送注入層としてもよい。また、これらの発光機能層（３）のうち、例えば、電子注入層（３ｅ）は無機材料で構成されているものとしてもよい。

　以上のような構成の有機ＥＬ素子（１００）は、有機材料等を用いて構成された発光機能層（３）の劣化を防止することを目的として、透明基板（２）上において後述する封止材（６）で封止されている。この封止材（６）は、接着剤（７）を介して透明基板（２）側に固定されている。ただし、透明電極（１）及び対向電極（４）の端子部分は、透明基板（２）上において発光機能層（３）によって互いに絶縁性を保った状態で封止材（６）から露出させた状態で設けられていることとする。

　以下、上述した有機ＥＬ素子（１００）を構成するための主要各層の詳細を、透明基板（２）、透明電極（１）、対向電極（４）、発光機能層（３）の発光層（３ｃ）、発光機能層（３）の他の層（３ａ，３ｂ，３ｄ，３ｅ）、補助電極（５）、及び封止材（６）の順に説明する。

（透明基板）
　透明基板（２）は、先に説明した本発明の透明電極（１）が設けられる基材（２）であり、先に説明した基材（２）の材料うち、光透過性を有する透明なものを用いて形成されている。

（透明電極：アノード）
　透明電極（１）は、先に説明した本発明の透明電極（１）であり、透明基板（２）側から、金属親和性層（１１）、第１導電性層（１２ａ）、第２導電性層（１２ｂ）を順に積層した構成である。ここでは特に、透明電極（１）はアノードとして機能するものであり、第１導電性層（１２ａ）及び第２導電性層（１２ｂ）が実質的なアノードとなっている。
　なお、透明電極（１）には、低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極（１）の各層（１２ａ，１２ｂ）に、補助電極（５）を、各層にそれぞれ接するように設けてもよい。

（対向電極：カソード）
　対向電極（４）は、発光機能層（３）に電子を供給するカソードとして機能する電極膜であり、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

　対向電極（４）は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により形成することができる。また、対向電極（４）のシート抵抗値は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、厚さは通常５ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
　なお、この有機ＥＬ素子（１００）が、対向電極（４）側からも発光光（ｈ）を取り出すものである場合には、上述した導電性材料のうちから選択される光透過性の良好な導電性材料により対向電極（４）が構成されていればよい。

（発光層）
　本発明に用いられる発光層（３ｃ）は、発光材料が含有されているが、中でも発光材料としてリン光発光性化合物（リン光発光材料、リン光発光化合物、リン光性化合物）が含有されていることが好ましい。
　この発光層（３ｃ）は、電極又は電子輸送層（３ｄ）から注入された電子と、正孔輸送層（３ｂ）から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層（３ｃ）の層内であっても発光層（３ｃ）と隣接する層との界面であってもよい。
　このような発光層（３ｃ）としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層（３ｃ）間には非発光性の補助層（図示せず）を有していることが好ましい。

　発光層（３ｃ）の厚さの総和は、好ましくは、１～１００ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから１～３０ｎｍの範囲内である。なお、発光層（３ｃ）の厚さの総和とは、発光層（３ｃ）間に非発光性の補助層が存在する場合には、当該補助層も含む厚さである。
　複数層を積層した構成の発光層（３ｃ）の場合、個々の発光層（３ｃ）の厚さとしては、１～５０ｎｍの範囲内に調整することが好ましく、１～２０ｎｍの範囲内に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層（３ｃ）が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層（３ｃ）の厚さの関係については、特に制限はない。

　以上のように構成されている発光層（３ｃ）は、発光材料や後述するホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により形成することができる。
　また、発光層（３ｃ）は、複数の発光材料が混合されて構成されていてもよく、またリン光発光性化合物と蛍光性化合物（蛍光発光材料、蛍光ドーパント）とが混合されて構成されていてもよい。
　発光層（３ｃ）の構成として、ホスト化合物（発光ホスト）、発光材料（発光ドーパント）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。

〈ホスト化合物〉
　発光層（３ｃ）に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層（３ｃ）に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

　ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
　用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。

　公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）の化合物が好ましい。
　ここでいうガラス転移温度とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１に準拠した方法により求められる値である。

　公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報、米国特許出願公開第２００３／０１７５５５３号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２８０９６５号明細書、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００１７３３０号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２３８９１９号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号明細書、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８－０７４９３９号公報、特開２００７－２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書等が挙げられる。

〈発光材料〉
（１）リン光発光性化合物
　本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光性化合物が挙げられる。
　リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
　上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

　リン光発光性化合物の発光の原理としては２種挙げられる。
　一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光性化合物に移動させることでリン光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型である。
　もう一つは、リン光発光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。
　いずれの場合においても、リン光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。

　リン光発光性化合物は、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、中でも、元素の周期表で８～１０族の金属を含有する錯体系化合物とするのが好ましく、さらには、イリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でもイリジウム化合物とするのが好ましい。

　本発明においては、少なくとも一の発光層（３ｃ）に２種以上のリン光発光性化合物が含有されていてもよく、発光層（３ｃ）におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層（３ｃ）の厚さ方向で変化していてもよい。
　また、リン光発光性化合物の含有量は、発光層（３ｃ）の総量に対し０．１～３０体積％の範囲内とするのが好ましい。

　本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
　Ｎａｔｕｒｅ　３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書、Ｉｎｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許出願公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号明細書、米国特許第６９２１９１５号明細書、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許第７４４５８５５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１３４９８４号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／０９８１２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第２００８／１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、米国特許出願公開第２０１２／２２８５８３号明細書、米国特許出願公開第２０１２／２１２１２６号明細書、特開２０１２－０６９７３７号公報、特開２０１１－１８１３０３号公報、特開２００９－１１４０８６号公報、特開２００３－８１９８８号公報、特開２００２－３０２６７１号公報、特開２００２－３６３５５２号公報等である。

　中でも、好ましいリン光ドーパントとしてはＩｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属－炭素結合、金属－窒素結合、金属－酸素結合、金属－硫黄結合のうち少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。

　上記のリン光発光性化合物（リン光発光性金属錯体等ともいう）は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９～２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５～１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４～１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５～３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５～７０９頁（２００４年）、さらにこれらの文献中に記載の特許文献等の方法を適用することにより合成することができる。

（２）蛍光性化合物
　本発明で用いることのできる発光材料には、蛍光発光性化合物も含まれる。
　蛍光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

〔注入層：正孔注入層、電子注入層〕
　注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層（３ｃ）の間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（３ａ）と電子注入層（３ｅ）とがある。
　注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層（３ａ）であれば、アノードと発光層（３ｃ）又は正孔輸送層（３ｂ）との間、電子注入層（３ｅ）であればカソードと発光層（３ｃ）又は電子輸送層（３ｄ）との間に存在させてもよい。

　正孔注入層（３ａ）は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。

　電子注入層（３ｅ）は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明においては、電子注入層（３ｅ）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその厚さを１ｎｍ～１０μｍの範囲内とするのが好ましい。

（正孔輸送層）
　正孔輸送層（３ｂ）は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層（３ａ）、電子阻止層も正孔輸送層（３ｂ）に含まれる。正孔輸送層（３ｂ）は単層又は複数層設けることができる。

　正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
　正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

　芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（ＴＰＤ）；２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン；ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル；４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン；４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン；３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ－フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが三つスターバースト型に連結された４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

　さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
　また、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ　ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。

　正孔輸送層（３ｂ）は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層（３ｂ）の厚さについては特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。この正孔輸送層（３ｂ）は、上記材料の１種又は２種以上からなる１層構造であってもよい。

　また、正孔輸送層（３ｂ）の材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　これらの文献に記載されているように、正孔輸送層（３ｂ）のｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

（電子輸送層）
　電子輸送層（３ｄ）は、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層（３ｅ）、正孔阻止層も電子輸送層（３ｄ）に含まれる。電子輸送層（３ｄ）は単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。

　単層構造の電子輸送層（３ｄ）、及び積層構造の電子輸送層（３ｄ）において発光層（３ｃ）に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層（３ｃ）に伝達する機能を有していればよい。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層（３ｄ）の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

　また、８－キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層（３ｄ）の材料として用いることができる。

　その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層（３ｄ）の材料として好ましく用いることができる。また、発光層（３ｃ）の材料としても用いられるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層（３ｄ）の材料として用いることができるし、正孔注入層（３ａ）、正孔輸送層（３ｂ）と同様にｎ型－Ｓｉ、ｎ型－ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層（３ｄ）の材料として用いることができる。
　なお、ここで挙げた電子輸送材料は、前述した金属親和性層（１１）に、駆動電圧低下や発光輝度向上を目的として添加することも可能である。

　電子輸送層（３ｄ）は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
　電子輸送層（３ｄ）の厚さは、特に制限されるものではないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。電子輸送層（３ｄ）は上記材料の１種又は２種以上からなる１層構造であってもよい。

　また、電子輸送層（３ｄ）に不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。さらに電子輸送層（３ｄ）には、カリウムやカリウム化合物等を含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層（３ｄ）のｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。

　また、電子輸送層（３ｄ）の材料（電子輸送性化合物）として、本発明に係る金属親和性層（１１）を構成する材料と同様のものを用いてもよい。これは、電子注入層（３ｅ）を兼ねた電子注入輸送層であっても同様であり、本発明に係る金属親和性層（１１）を構成する材料と同様のものを用いてもよく、金属親和層と兼ねても良い。

（阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
　阻止層は、上記した発光機能層（３）の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

　正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層（３ｄ）の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の電子輸送層（３ｄ）の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層（３ｃ）に隣接して設けられていることが好ましい。

　一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層（３ｂ）の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の正孔輸送層（３ｂ）の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。正孔阻止層の厚さとしては、好ましくは３～１００ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは５～３０ｎｍの範囲内である。

（補助電極）
　補助電極（５）は、透明電極（１）の抵抗を下げる目的で設けられるものであって、第１導電性層（１２ａ）及び第２導電性層（１２ｂ）にそれぞれ接するように設けられている。補助電極（５）を形成する材料としては、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面（２ａ）からの発光光ｈの取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極（５）の作製方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法等が挙げられる。補助電極（５）の線幅は、光を取り出す開口率の観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極（５）の厚さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましい。

（封止材）
　封止材（６）は、有機ＥＬ素子（１００）を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材であって接着剤（７）によって透明基板（２）側に固定されるものであってもよく、封止膜であってもよい。このような封止材（６）は、有機ＥＬ素子（１００）における透明電極（１）及び対向電極（４）の端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層（３）を覆う状態で設けられている。また、封止材（６）に電極を設け、有機ＥＬ素子（１００）の透明電極（１）及び対向電極（４）の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。

　板状（フィルム状）の封止材（６）としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。

　これらの中でも、封止材（６）としてポリマー基板や金属基板を薄型のフィルム状にしたものを用いるのが好ましい。
　さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^－３ｍＬ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^－３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

　また、以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材（６）として用いてもよい。この場合、上述した基板材料に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。
　また、このような板状の封止材（６）を透明基板（２）側に固定するための接着剤（７）は、封止材（６）と透明基板（２）とに挟まれる有機ＥＬ素子（１００）を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤（７）は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２－シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。

　また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることもできる。
　なお、有機ＥＬ素子（１００）を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤（７）は、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤（７）中に乾燥剤を分散させておいてもよい。

　封止材（６）と透明基板（２）との接着部分への接着剤（７）の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
　また、板状の封止材（６）と透明基板（２）と接着剤（７）との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

　吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

　一方、封止材（６）として封止膜を用いる場合、有機ＥＬ素子（１００）における発光機能層（３）を完全に覆い、かつ有機ＥＬ素子（１００）における透明電極（１）及び対向電極（４）の端子部分を露出させる状態で、透明基板（２）上に封止膜が設けられる。
　このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機ＥＬ素子（１００）における発光機能層（３）の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜とともに、有機材料からなる膜を用いて積層構造としてもよい。

　これらの膜の作製方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

（保護膜、保護板）
　透明基板（２）とともに、有機ＥＬ素子（１００）及び封止材（６）を挟むようにして保護膜又は保護板を設けてもよい。この保護膜又は保護板は、有機ＥＬ素子（１００）を機械的に保護するためのものであり、特に封止材（６）が封止膜である場合には、有機ＥＬ素子（１００）に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜又は保護板を設けることが好ましい。

　以上のような保護膜又は保護板としては、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

〔構成例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法〕
　有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、図２に示した有機ＥＬ素子（１００）の製造方法について説明する。

　まず、透明基板（２）上に、本発明に係る上記一般式（１）又は上記一般式（２）で表される構造を有する化合物を含有する金属親和性層（１１）を、蒸着法等の適宜の方法により、厚さが１μｍ以下、好ましくは１０～１００ｎｍとなるように形成する。
　次に、金属親和性層（１１）の上に、銀と銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層（１２ａ）を、蒸着法等の適宜の方法により、厚さが０．５～１５ｎｍの範囲内となるように形成する。そして、第１導電性層（１２ａ）の上に、銀を主成分とする第２導電性層（１２ｂ）を、蒸着法等の適宜の方法により、厚さが１～１０ｎｍの範囲内となるように、かつ第１導電性層（１２ａ）と併せた厚さが５～２５ｎｍの範囲内となるように形成する。こうして透明基板（２）の上に、アノードとなる透明電極（１）が形成される。

　なお、本発明の場合、導電性層（１２）を金属親和性層（１１）上に形成しているので、導電性層（１２）形成後の高温アニール処理（例えば、１５０℃以上の加熱プロセス）等を行わなくても導電性層１２が十分に導電性を有するものとなるが、必要に応じて、形成後に高温アニール処理等を行うようにしてもよい。

　透明電極（１）を形成した後は、透明電極（１）の上に正孔注入層（３ａ）、正孔輸送層（３ｂ）、発光層（３ｃ）、電子輸送層（３ｄ）、電子注入層（３ｅ）の順に積層することで、発光機能層（３）を形成する。その際、電子輸送性と電子注入性を併せ持つ材料を用いる場合には、電子輸送層（３ｄ）と電子注入層（３ｅ）を、例えば電子注入輸送層という一の層にまとめて形成することも可能である。これら各層の形成は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに、層ごとに異なる形成方法を適用してもよい。これらの各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０～４５０℃、真空度１×１０^－６～１×１０^－２Ｐａ、蒸着速度０．０１～５０ｎｍ／秒、基板温度－５０～３００℃、厚さ０．１～５μｍの範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。

　発光機能層（３）を形成した後は、発光機能層（３）の上にカソードとなる対向電極（４）を、蒸着法やスパッタ法等の適宜の方法によって形成する。その際、対向電極（４）は、発光機能層（３）によって透明電極（１）に対して絶縁状態を保ちつつ、発光機能層（３）の上方から透明基板（２）の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。これにより、有機ＥＬ素子（１００）が得られる。またその後には、有機ＥＬ素子（１００）における透明電極（１）及び対向電極（４）の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層（３）を覆う封止材（６）を設ける。

　以上により、透明基板（２）上に所望の有機ＥＬ素子（１００）が得られる。このような有機ＥＬ素子（１００）の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層（３）から対向電極（４）まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板（２）を取り出して異なる形成方法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

　このようにして得られた有機ＥＬ素子（１００）に直流電圧を印加する場合には、アノードである透明電極（１）を＋の極性とし、カソードである対向電極（４）を－の極性として、電圧２～４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

〔構成例１に係る有機ＥＬ素子の効果〕
　以上説明した有機ＥＬ素子（１００）は、本発明の導電性、光透過性及び経時安定性を兼ね備えた透明電極（１）をアノードとして用い、この上に発光機能層（３）とカソードとなる対向電極（４）とを設けた構成となっている。このため、透明電極（１）と対向電極（４）との間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子（１００）での高輝度発光を実現しつつ、所定輝度を得るための駆動電圧の低減、面内均一発光性、及び経時安定性の向上を図ることが可能になる。

［有機ＥＬ素子の構成例２］
〔構成例２に係る有機ＥＬ素子の構成〕
　図３は、構成例２に係る有機ＥＬ素子の概略断面図である。
　本例に係る有機ＥＬ素子（２００）は、構成例１と同様、ボトムエミッション型のものであるが、透明電極（１）をカソード（対向電極（４）をアノード）として用いているが点が上述した構成例１と相違している。以下、構成例１に係る有機ＥＬ素子（１００）と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、構成例２の有機ＥＬ素子（２００）の特徴的な構成について説明する。

　図３に示したように、有機ＥＬ素子（２００）は、透明基板（２）上に設けられており、図２に示した構成例１と同様に、透明基板（２）上の透明電極（１）として上述した本発明の透明電極（１）を用いている。このため有機ＥＬ素子（２００）は、少なくとも透明基板（２）側から発光光（ｈ）を取り出せるように構成されている。

　このように構成される有機ＥＬ素子（２００）の層構造は、以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは、構成例１と同様である。
　図３に示した構成例２の場合の一例としては、カソードとして機能する透明電極（１）の上に、電子注入層（３ｅ）／電子輸送層（３ｄ）／発光層（３ｃ）／正孔輸送層（３ｂ）／正孔注入層（３ａ）をこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料で構成された発光層（３ｃ）を有することが必須である。

　なお、発光機能層（３）は、これらの層の他にも、構成例１で説明したのと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用される。このような構成において、発光機能層（３）のうち、透明電極（１）と対向電極（４）とに挟まれた部分のみが、有機ＥＬ素子（２００）における発光領域となることも、構成例１と同様である。

　また、以上のような層構成においては、透明電極（１）の低抵抗化を図ることを目的として、導電性層（１２）の各層（１２ａ，１２ｂ）に補助電極（５）が設けられていてもよいことも、図２に示した構成例１と同様である。

　アノードとして用いられる対向電極（４）は、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。
　以上のように構成されている対向電極（４）は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極（４）としてのシート抵抗値は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、厚さは通常５ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内とされる。

　なお、この有機ＥＬ素子（２００）が、対向電極（４）側からも発光光（ｈ）を取り出せるように構成されている場合、対向電極（４）を構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。

　以上のような構成の有機ＥＬ素子（２００）は、発光機能層（３）の劣化を防止することを目的として、構成例１と同様に封止材（６）で封止されていることも、図２に示した構成例１と同様である。

〔構成例２に係る有機ＥＬ素子の効果〕
　以上説明した有機ＥＬ素子（２００）は、本発明の導電性、光透過性及び経時安定性を兼ね備えた透明電極（１）をカソードとして用い、この上に発光機能層（３）とアノードとなる対向電極（４）とを設けた構成となっている。このため、構成例１と同様に、透明電極（１）と対向電極（４）との間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子（２００）での高輝度発光を実現しつつ、所定輝度を得るための駆動電圧の低減、面内均一発光性、及び経時安定性の向上を図ることが可能になる。

［有機ＥＬ素子の構成例３］
〔構成例３に係る有機ＥＬ素子の構成〕
　図４は、本発明の電子デバイスの一例として、本発明の透明電極（１Ａ）を用いた有機ＥＬ素子の構成例３を示す概略断面図である。
　図４に示した構成例３の有機ＥＬ素子（３００）は、いわゆるトップエミッション型である点、すなわち、基板（２Ａ）側に対向電極（４Ａ）を設け、この表面に発光機能層（３）、透明電極（１Ａ）を順に積層した点が、構成例１と相違している。以下、構成例１と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、構成例３の有機ＥＬ素子（３００）の特徴的な構成を説明する。

　図４に示した有機ＥＬ素子（３００）は、基板（２Ａ）上に設けられており、基板（２Ａ）側から、アノードとなる対向電極（４Ａ）、発光機能層（３）、及びカソードとなる透明電極（１Ａ）がこの順に積層されている。このうち、透明電極（１Ａ）として、先に説明した本発明の透明電極（１）と同様のものを用いている。このため、有機ＥＬ素子（３００）は、少なくとも基板（２Ａ）とは逆の透明電極（１Ａ）側から発光光（ｈ）を取り出せるように構成されている。

　このように構成される有機ＥＬ素子（３００）の層構造は以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは、構成例１と同様である。
　図４に示した構成例３の場合は、アノードとして機能する対向電極（４Ａ）の表面に、正孔注入層（３ａ）、正孔輸送層（３ｂ）、発光層（３ｃ）、電子輸送層（３ｄ）をこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層（３ｃ）を有することが必須である。また、電子輸送層（３ｄ）と電子注入層（３ｅ）は電子輸送性と電子注入性を併せ持つ材料である場合は、例えば電子輸送層（３ｄ）のみとすることも可能である。

　特に、構成例３の有機ＥＬ素子（３００）に特徴的な構成としては、電子注入層（３ｅ）が、透明電極（１Ａ）における金属親和性層（１１）の機能を兼ねているところにある。すなわち、本例における、透明電極（１Ａ）は、電子注入層（３ｅ）と、その表面に隣接して設けられた第１導電性層（１２ａ）と、第２導電性層（１２ｂ）と、で構成されている。
　この電子注入層（３ｅ）は、上述した本発明の透明電極（１）の金属親和性層（１１）を構成する材料を用いて構成されている。

　なお、発光機能層（３）は、これらの層の他にも、構成例１で説明したものと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用されるが、透明電極（１Ａ）の電子注入層（３ｅ、金属親和性層）と、銀と銀とは異なる金属元素とを含有する第１導電性層（１２ａ）との間、及び銀と銀とは異なる金属元素を含有する第１導電性層（１２ａ）と銀を主成分とする第２導電性層（１２ｂ）の間に他の層が設けられることはない。以上のような構成において、発光機能層（３）のうち、透明電極（１Ａ）と対向電極（４Ａ）とに挟まれた部分のみが、有機ＥＬ素子（３００）における発光領域となることは、構成例１と同様である。

　また、以上のような層構成においては、透明電極（１Ａ）の更なる低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極（１Ａ）の銀を主成分とする第２導電性層（１２ｂ）に接して補助電極（５）が設けられていてもよいことも、構成例１と同様である。

　さらに、アノードとして用いられる対向電極（４Ａ）は、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

　以上のように構成されている対向電極（４Ａ）は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極（４Ａ）としてのシート抵抗値は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、厚さは通常５ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内とされる。

　なお、この有機ＥＬ素子（３００）が、対向電極（４Ａ）側からも発光光（ｈ）を取り出せるように構成されている場合、対向電極（４Ａ）を構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。またこの場合、基板（２Ａ）としては、構成例１で説明した透明基板（２）と同様のものが用いられ、基板（２Ａ）の外側に向かう面が光取り出し面（２ａ）となる。

〔構成例３に係る有機ＥＬ素子の効果〕
　以上説明した有機ＥＬ素子（３００）は、発光機能層（３）の最上部を構成する電子注入層（３ｅ）を金属親和性層（１１）とし、この上に、銀と銀とは異なる金属元素とを含有する第１導電性層（１２ａ）と、銀を主成分とする第２導電性層（１２ｂ）を設けることにより、金属親和性層（１１）とこの上の導電性層（１２）とを含む透明電極（１Ａ）をカソードとして設けた構成となっている。このため、構成例１及び構成例２と同様に、透明電極（１Ａ）と対向電極（４Ａ）との間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子（３００）での高輝度発光を実現しつつ、透明電極（１Ａ）側からの発光光（ｈ）の取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減、面内均一発光性、及び経時安定性の向上を図ることが可能になる。また、対向電極（４Ａ）が光透過性を有する場合には、対向電極（４Ａ）からも発光光（ｈ）を取り出すことができる。

　なお、図４に示した構成例３においては、透明電極（１Ａ）の金属親和性層（１１）が電子注入性を有する電子輸送層（３ｅ）を兼ねているものとして説明したが、本例はこれに限られるものではなく、金属親和性層（１１）が電子輸送層（３ｄ）を兼ねているものであってもよい。また、金属親和性層（１１）が有機ＥＬ素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されているものとしてもよく、この場合には、金属親和性層（１１）は電子輸送性及び電子注入性を有していないものとする。

　さらに、透明電極（１Ａ）の金属親和性層（電子注入層（３ｅ））が有機ＥＬ素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されている場合には、基板（２Ａ）側の対向電極（４Ａ）をカソードとし、発光機能層（３）上の透明電極（１Ａ）をアノードとしてもよい。この場合、発光機能層（３）は、基板（２Ａ）上の対向電極（カソード、４Ａ）側から順に、例えば、電子注入層（３ｅ）／電子輸送層（３ｄ）／発光層（３ｃ）／正孔輸送層（３ｂ）／正孔注入層（３ａ）が積層される。そしてこの上に極薄い金属親和性層（１１）と、銀と銀とは異なる金属元素とを含有する第１導電性層（１２ａ）と、銀を主成分とする第２導電性層（１２ｂ）との積層構造からなる透明電極（１）が、アノードとして設けられる。

［有機ＥＬ素子の構成例４］
　図５は、本発明の電子デバイスの一例として、本発明の透明電極（１，１Ａ）を用いた有機ＥＬ素子の構成例４を示す概略断面図である。

　図５に示した構成例４の有機ＥＬ素子（４００）は、対向電極として構成例３の透明電極（１Ａ）を用いている点、すなわち、カソードもアノードも本発明の透明電極（１，１Ａ）を用いた点が、構成例１と相違している。以下、構成例１，３と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、構成例４の有機ＥＬ素子（４００）の特徴的な構成を説明する。

　図５に示す有機ＥＬ素子（４００）は、透明基板（２）上に設けられており、透明基板（２）側から、アノード電極となる透明電極（１）、発光機能層（３）、及びカソードとなる透明電極（１Ａ）がこの順に積層されている。このため、有機ＥＬ素子（４００）は、透明基板（２）側、及びカソードとなる透明電極（１Ａ）側の両方から発光光（ｈ）を取り出せるように構成されている。

　このように構成される有機ＥＬ素子（４００）の層構造は以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは、構成例１と同様である。
　〔有機ＥＬ素子の効果〕
　以上説明した有機ＥＬ素子（４００）は、構成例１、２及び構成例３と同様に、電極間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子（４００）での高輝度発光を実現しつつ、透明電極（１）側からの発光光（ｈ）の取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。

《有機ＥＬ素子の用途》
　上述した各構成の有機ＥＬ素子は、上述したように面発光体であるため各種の発光光源として用いることができる。例えば、家庭用照明や車内照明等の照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

　また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。この場合、近年の照明装置及びディスプレイの大型化にともない、有機ＥＬ素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化してもよい。

　動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、カラー又はフルカラー表示装置を作製することが可能である。

　以下では、用途の一例として照明装置について説明し、次にタイリングによって発光面を大面積化した照明装置について説明する。

〔照明装置〕
　本発明に係る照明装置は、本発明の有機ＥＬ素子を具備することができる。

　本発明に係る照明装置に用いる有機ＥＬ素子は、上述した構成の各有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた設計としてもよい。共振器構造を有するように構成された有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。

　なお、本発明の有機ＥＬ素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子）に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて、混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の３原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。

　また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合したものでもよい。

　このような白色有機ＥＬ素子は、各色発光の有機ＥＬ素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機ＥＬ素子自体が白色を発光する。このため、素子を構成するほとんどの層の形成にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で形成することができ、生産性も向上する。

　また、このような白色有機ＥＬ素子の発光層（３ｃ）に用いる発光材料としては、特に制限はなく、たとえば液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、上記した金属錯体や公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。

　以上に説明した白色有機ＥＬ素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置を作製することが可能である。

　以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　なお、本実施例では、第１導電性層（１２ａ）の第２導電性層（１２ｂ）が存在する側と反対側に隣接する層（本発明では金属親和性層（１１）又は電子注入層（３ｅ））を「下地層」と称することがある。下地層は、導電性層（１２）の下側だけでなく、上側に存在していてもよい。
（実施例１）
《透明電極の作製》
　下記の方法に従って、透明電極１～６９を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。透明電極１、２及び４～１０は、第１導電性層（１２ａ）と第２導電性層（１２ｂ）からなる（下地層のない）構造の透明電極として作製し、透明電極１１～２５は、下地層と第１導電性層（１２ａ）と第２導電性層（１２ｂ）との積層構造の透明電極として作製し、透明電極３及び２６～６９は、金属親和性層（１１）と第１導電性層（１２ａ）と第２導電性層（１２ｂ）との積層構造の透明電極として作製した。

〔透明電極１の作製〕
　透明な無アルカリガラス製の基材（２）を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、この基材ホルダーを真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。一方、タンタル製の抵抗加熱ボートに銀、別のタンタル製の抵抗加熱ボートにマグネシウム（Ｍｇ）を充填し、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽内を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、下記表Iに示した比率（ａｔ％）となるように、蒸着速度０．０１～０．２ｎｍ／秒で、基材（２）上に厚さ８ｎｍのマグネシウム－銀（１：９）からなる第１導電性層（１２ａ）を形成し、透明電極１を作製した。
　また、

〔透明電極２、４～１０の作製〕
　下記表Iに示すような銀と合金を形成するための材料（アルミニウム（Ａｌ）、マグネ
シウム（Ｍｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、セシウム（Ｃｓ））及び銀をそれぞれタンタル製の抵抗加熱ボートに充填し、当該真空槽内に取り付けた。そして、下記表Iに示した
比率（ａｔ％）、及び厚さとする以外は透明電極１と同様の方法にて第１導電性層（１２ａ）を形成した。続いて、第２導電性層（１２ｂ）を形成して、透明電極２及び４～１０を作製した。

〔透明電極３の作製〕
　透明な無アルカリガラス製の基材（２）を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、例示化合物６５をタングステン製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基材ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タンタル製の抵抗加熱ボートに銀、及びアルミニウム（Ａｌ）を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

　次いで、第１真空槽を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、例示化合物６５の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材（２）上に厚さ３０ｎｍの例示化合物６５からなる金属親和性層（１１）を設けた。

　次いで、金属親和性層（１１）まで形成した基材（２）を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、銀、及びＡｌの入った加熱ボートを通電して加熱し、表に示した比率（ａｔ％）となるように、蒸着速度０．０１～０．２ｎｍ／秒で、基材（２）上に厚さ８ｎｍのアルミニウム－銀（１：９）からなる第１導電性層（１２ａ）を形成し、透明電極３を作製した。

〔透明電極１１～２５の作製〕
　下記表Iに示すような下地層を形成するための材料（ＬｉＦ、Ａｌｑ_３、Ｌｉｑ又はＥＴ－１）を抵抗加熱ボートに充填し、当該第１真空槽内に取り付けた。更に、下記表Iに示す様な導電性層（１２）を形成するための材料を抵抗加熱ボートに充填し、当該第２真空槽内に取り付けた。透明電極３と同様の方法にて、透明な無アルカリガラス製の基材（２）上に、厚さが３０ｎｍの下地層を形成し、次いで、下地層まで形成した基材（２）を真空のまま第２真空槽に移し、下記表Iに示す比率（ａｔ％）及び厚さとなる様に第１導電性層（１２ａ）、及び第２導電性層（１２ｂ）を形成し、透明電極１１～２５を作製した。

〔透明電極２６～６９の作製〕
　下記表I、表II及び表IIIに示すような金属親和性層（１１）を形成するための材料（各種例示化合物等）を抵抗加熱ボートに充填し、当該第１真空槽内に取り付けた。更に、下記表I、表II及び表IIIに示す様な導電性層（１２）を形成するための材料を抵抗加熱ボートに充填し、当該第２真空槽内に取り付けた。透明電極３と同様の方法にて、透明な無アルカリガラス製の基材（２）上に、厚さが３０ｎｍの金属親和性層（１１）を形成し、次いで、金属親和性層（１１）まで形成した基材（２）を真空のまま第２真空槽に移し、下記表I、表II及び表IIIに示す比率（ａｔ％）及び厚さとなる様に第１導電性層（１２ａ）、及び第２導電性層（１２ｂ）を形成し、透明電極２６～６９を作製した。

《透明電極の評価》
　上記作製した透明電極１～６９について、下記の方法に従い、光透過率、シート抵抗値及び経時安定性（シート抵抗値の変化量）の測定を行った。

〔光透過率の測定〕
　作製した各透明電極１～６９について、分光光度計（日立製作所製Ｕ－３３００）を用い、各透明電極１～６９の基材（２）をリファレンスとして、波長５００ｎｍにおける光透過率（％）を測定した。

〔シート抵抗値の測定〕
　上記作製した各透明電極１～６９について、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ－Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式でシート抵抗値（Ω／ｓｑ．）を測定した。

〔シート抵抗値変化量の測定〕
　上記作製した各透明電極１～６９について、温度８０℃、湿度５０％の環境下で、１００時間保存した後のシート抵抗値（Ω／ｓｑ．）を測定し、その変化量（Ω／ｓｑ．）を算出した。

　以上により得られた各測定結果を下記表I、表II及び表IIIに示す。なお、表中のシート抵抗値の変化量は、透明電極１９のシート抵抗値の変化量を１００とする相対値で示している。

　上記表I、表II及び表IIIに記載の結果より明らかなように、第１導電性層（１２ａ）のみを設けた透明電極１に対し、第１導電性層（１２ａ）上に更に第２導電性層（１２ｂ）を設けた透明電極５は、シート抵抗値は良化するものの、シート抵抗値変化量は改善できていない。一方、導電性層（１２）に加え例示化合物１０を含有する金属親和性層（１１）を設けた透明電極２９は、光透過率、シート抵抗値、シート抵抗値変化量ともに優れていることが見て取れる。また、ＬｉＦ（透明電極１２）、Ｌｉｑ（透明電極１６）を含有する下地層を設けた透明電極１１～１７では、これらの課題を解決することができないが、本発明の例示化合物１０を併用して金属親和性層（１１）を設けた透明電極５９又は６０を用いることで課題を解決できることも見て取れる。
　また、透明電極３と５８は、第２導電性層の有無以外の構成が全て共通しているが、銀を主成分とする第２導電性層（１２ｂ）を有する透明電極５８は、光透過率、シート抵抗値、シート抵抗値変化量ともに優れていることが見て取れる。

　また、透明電極２８と３０、又は透明電極６６～６９は、第１導電性層（１２ａ）のＡｇ比率以外の構成が全て共通しているが、Ａｇ比率が高いものほど、光透過率が向上し、シート抵抗値及びシート抵抗値の変化量が低下していることが見て取れる。
　また、透明電極３０及び６３～６５は、第２導電性層（１２ｂ）及び導電性層（１２）の厚さ以外の構成が全て共通しているが、第２導電性層（１２ｂ）の厚さが１０ｎｍを大きく超える透明電極６４，６５は、１０ｎｍを超えない透明電極３０，６３に比べ、シート抵抗値やシート抵抗値の変化量は良化するものの、光透過率が低下してしまうことが見て取れる。
　また、透明電極２８と６８は、第１導電性層（１２ａ）と第２導電性層（１２ｂ）の厚さの比率以外の構成が全て共通しているが、第２導電性層（１２ｂ）の比率が高い透明電極６８は、比率が低い透明電極２８に比べ、光透過率、シート抵抗値、シート抵抗値変化量ともに優れていることが見て取れる。

　また、透明電極６２は、導電性層（１２）の厚さが５ｎｍあるのに対し、透明電極６１は４ｎｍしかない点を除いて他の構成は全て共通しているが、透明電極６２は、光透過率、シート抵抗値、シート抵抗値変化量ともに透明電極６１よりも優れていることが見て取れる。
　また、透明電極６４は、第２導電性層（１２ｂ）の厚さが２２ｎｍで導電性層（１２）の厚さが２５ｎｍであるのに対し、透明電極６５は、第２導電性層（１２ｂ）の厚さが２５ｎｍで導電性層（１２）の厚さが２８ｎｍもある点を除いて他の構成が全て共通しているが、透明電極６４は、光透過率が透明電極６５よりも優れていることが見て取れる。
　また、透明電極６７は、第１導電性層（１２ａ）のＡｇ比率が５０ａｔ％を超えているのに対し、透明電極６６は、４０ａｔ％しかない点を除いて他の構成は全て共通しているが、透明電極６７は、光透過率、シート抵抗値、シート抵抗値変化量ともに透明電極６６よりも優れていることが見て取れる。

（実施例２）
《発光パネルの作製》
　透明電極（１）をカソードとして用いた発光パネル（トップエミッション型有機ＥＬパネル、構成例３）１－１～１－５８を作製した。

〔発光パネル１－１の作製〕
　以下、図４を参照して発光パネルの作製手順を説明する。

（ガラス基板及び対向電極（４Ａ）の形成）
　１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板（２Ａ）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
　洗浄済みのガラス基板（２Ａ）を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、発光機能層（３）を構成する各材料を最適な量でタングステン製抵抗加熱ボートに充填し、加熱ボートを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、電極材料を構成する各材料を最適な量でタンタル製の抵抗加熱ボートに銀、及びマグネシウム（Ｍｇ）を充填し、基板ホルダーと加熱ボートとを第２真空槽内に取り付けた。

　はじめに、真空蒸着装置の蒸着室内を真空度４×１０^－４Ｐａまで減圧し、各材料が入った加熱ボートを順次通電して加熱することにより、以下のように各層を形成した。
　まず、ガラス基板（２Ａ）上にアノードとしてアルミニウム（Ａｌ）からなる対向電極（４Ａ）を厚さ１００ｎｍで形成した。

（正孔注入層の形成）
　次いで、正孔注入材料として下記構造式に示すＨＡＴ－ＣＮが入った加熱ボートに通電して加熱し、ＨＡＴ－ＣＮよりなる正孔注入層（３ａ）を、ＩＴＯ対向電極（４Ａ）上に形成した。この際、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内で、厚さ１０ｎｍとした。

（正孔輸送層の形成）
　次いで、正孔輸送注入材料としてα－ＮＰＤ（後述）が入った加熱ボートに通電して加熱し、α－ＮＰＤよりなる正孔輸送層（３ｂ）を、正孔注入層（３ａ）上に形成した。この際、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内、厚さ１２０ｎｍとした。

（発光層の形成）
　次いで、ホスト材料として例示化合物Ｈ１（後述）の入った加熱ボートと、蛍光発光性化合物である例示化合物ＤＰ１（後述）の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ１と蛍光発光性化合物ＤＰ１とよりなる発光層（３ｃ）を、正孔輸送層（３ｂ）１上に形成した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ１：蛍光発光性化合物ＤＰ１＝９５：５（質量比）となるように、加熱ボートの通電を調節した。また、厚さを３０ｎｍとした。

（電子輸送層の形成）
　その後、電子輸送材料としてＡｌｑ_３（前出）の入った加熱ボートを通電し、Ａｌｑ_３よりなる電子輸送層（３ｄ）を、発光層（３ｃ）上に形成した。この際、蒸着速度を０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内とし、厚さを３０ｎｍとした。

（電子注入層の形成）
　次に、電子注入材料としてＬｉＦ（前出）の入った加熱ボートに通電して加熱し、ＬｉＦよりなる電子注入層（３ｅ）を、電子輸送層（３ｄ）上に形成した。この際、蒸着速度を０．０１～０．０２ｎｍ／秒の範囲内とし、厚さを２ｎｍとした。

（導電性層１２ａ，１２ｂの形成）
　その後、電子注入層（３ｅ）まで形成した透明基板（２Ａ）を、真空蒸着装置の蒸着室から、導電性層材料としてタングステン製の抵抗加熱ボートに銀、及びマグネシウム（Ｍｇ）が充填された真空槽内に、真空状態を保持したまま移送した。次に、真空槽を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、下記表IVに示す比率（Ａｇ：９０％）及び厚さとなる様に、電子注入層（３ｅ）上に、第１導電性層（１２ａ）及び第２導電性層（１２ｂ）をカソードとして順に形成した。

（キャッピング層の形成）
　その後、元の真空層内に移送し、図４には図示しなかったが、導電性層（１２）上に、α－ＮＰＤ（前出）を蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内で厚さが４０ｎｍとなるまで蒸着し、キャッピング層とした。
　以上の手順により、透明基板（２）上に有機ＥＬ素子（３００）を形成した。

（有機ＥＬ素子の封止）
　その後、有機ＥＬ素子（３００）を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材（６）で覆い、有機ＥＬ素子（３００）を囲む状態で、ガラス基板（２Ａ）と封止材（６）との間に接着剤（７、シール材）をシールした。接着剤（７）としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。封止材（６）とガラス基板（２Ａ）との間に充填した接着剤（７）に対して、封止材（６）側からＵＶ光を照射し、接着剤（７）を硬化させて有機ＥＬ素子（３００）を封止した。

　なお、有機ＥＬ素子（３００）の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、１００ｍｍ×１００ｍｍの透明基板（２Ａ）における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域とし、発光領域の全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域を設けた。また、アノードである対向電極（４Ａ）及びカソードである透明電極（１）は、発光機能層（３）によって絶縁された状態で、ガラス基板（２Ａ）の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。

　以上のようにして、ガラス基板（２Ａ）上に有機ＥＬ素子（３００）を設け、これを封止材（６）と接着剤（７）とで封止した発光パネル１－１を作製した。
　発光パネル１－１においては、発光層（３ｃ）で発生した各色の発光光（ｈ）が、透明電極（１）側、すなわち封止材（６）側から取り出される。

〔発光パネル１－２～１－５８の作製〕
　電子輸送層（３ｄ）、電子注入層（３ｅ）及び導電性層（１２）の構成材料及び厚さを、下記表IV及び表Vに記載の条件に変更した以外は上記発光パネル１－１と同様の方法にて発光パネル１－２～１－５８を作製した。

《発光パネルの評価》
　上記作製した発光パネル１－１～１－５８について、下記の方法に従い、初期駆動電圧、面内発光均一性、駆動電圧の変化量について測定を行った。

〔初期駆動電圧の測定〕
　上記作製した各発光パネルについて、各発光パネルの透明電極（１）側（すなわち、封止剤１７側）での正面輝度を測定し、１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を初期駆動電圧（Ｖ）として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ株式会社製）を用いた。評価は、同様の製造方法により別バッチで作製した５パネルについて測定し、その平均値を表す。得られた初期駆動電圧（Ｖ）の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。

〔面内発光均一性の評価〕
　定電圧電源を用いて、有機ＥＬ素子に２．５ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電流を流し、サンプルの発光部から無作為に選んだ１０か所の輝度を、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ株式会社製）を用いて測定し、下記計算式を用いて輝度のバラツキを求めた。なお、式中の平均輝度は、選んだ１０か所からそれぞれ得た測定値の平均である。
　輝度バラツキ（％）＝（（最高輝度－最低輝度）／平均輝度）×１００
　輝度バラツキの評価ランク
　◎：５％未満
　○：５％以上、１０％未満
　△：１０％以上、２０％未満
　×：２０％以上

〔駆動電圧変化量の測定〕
　上記作製した各発光パネルについて、温度８０℃、湿度５０％の環境下で、１００時間保存した後に、上述した初期駆動電圧の測定方法と同じ手法（１０００ｃｄ／ｍ^２）で、発光パネルの透明電極（１）側での正面輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を保存後駆動電圧（Ｖ′）として測定し、下記式を用いて駆動電圧の変化量（ΔＶ／％）を算出した。その値が小さい程、良好であることを示している。
　ΔＶ（駆動電圧変化量％）＝保存後駆動電圧（Ｖ′）／初期駆動電圧（Ｖ）

　以上により得られた結果を、下記表IV及び表Vに示す。なお、初期駆動電圧の値は発光パネル１－１０を１００とする相対値で示している。また、駆動電圧変化量は、透明電極１９の変化量を１００とする相対値で示している。

　上記表IV及び表Vに記載の結果より明らかなように、本発明の上記一般式（１）又は上記一般式（２）で表される構造を有する化合物を含有する電子注入層（３ｅ）を設けることで、当該化合物を含有しない電子注入層（３ｅ）を設けた場合と比べ、面内発光均一性を改良し、駆動電圧変化量を低減していることが見て取れる。これは、上述した様に、本発明の金属親和性層（１１）を兼ねる電子注入層（３ｅ）が銀と銀とは異なる金属元素を含有する第１導電性層（１２ａ）を均一に形成し、経時による厚さ方向の原子分布変動を抑制することができているためと推測される。
　また、本発明以外の材料との組合せを用いた場合（発光パネル１－４、１－５、１－６）についても、駆動電圧が低減し、面内発光均一性が向上し、駆動電圧変化量が低減していることが見て取れる。
　また、１－１０と１－１１又は１－４６と１－４７のパネルは、第２導電性層の有無以外の構成が全て共通しているが、銀を主成分とする第２導電性層を有する１－１０や１－４６のパネルは、面内発光均一性が向上し、駆動電圧変化量が低減していることが見て取れる。

　１－１０及び１－５６～１－５８のパネルは、第１導電性層１２ａのＡｇ比率以外の構成が全て共通しているが、Ａｇ比率が高いものほど、駆動電圧変化量が低減していることが見て取れる。また、４者の中で最もＡｇ比率が低い１－５６のパネルに比べ他の３者は面内発光均一性も向上していることが見て取れる。
　また、１－５３と１－５４のパネルは、第２導電性層１２ｂ及び導電性層１２の厚さ以外の構成が全て共通しているが、第２導電性層１２ｂがより厚い１－５４のパネルは、薄い１－５３のパネルに比べ、面内発光均一性が向上し、駆動電圧変化量が低減していることが見て取れる。
　また、１－１０と１－５３のパネルは、第１導電性層１２ａと第２導電性層１２ｂの厚さの比率以外の構成が全て共通しているが、第２導電性層１２ｂの比率が高い１－１０のパネルは、比率が低い１－５３のパネルに比べ、面内発光均一性が向上し、駆動電圧変化量が低減していることが見て取れる。

（実施例３）
《発光パネルの作製》
　また、透明電極（１）をアノードとして用いた発光パネル（ボトムエミッション型有機ＥＬパネル、構成例１）２－１～２－９を作製した。

〔発光パネル２－１の作製〕
　以下、図２を参照して発光パネルの作製手順を説明する。
　（ガラス基板及び透明電極（１）の形成）
　１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板（２）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
　洗浄済みのガラス基板（２）を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、発光機能層（３）を構成する各材料を最適な量でタングステン製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タンタル製の抵抗加熱ボートに電極材料を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

　次いで、第１真空槽を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、Ａｌｑ_３の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内で、ガラス基板（２）上に厚さ３０ｎｍのＡｌｑ_３からなる下地層を設けた。

　次いで、下地層まで形成したガラス基板（２）を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、銀、及びマグネシウムの入った加熱ボートを通電して加熱し、下記表VIに示した比率（ａｔ％）となるように、蒸着速度０．０１～０．２ｎｍ／秒の範囲内で、ガラス基板（２）上に厚さ１ｎｍのマグネシウム－銀（１：９）からなる第１導電性層（１２ａ）を形成し、次いで、厚さ７ｎｍの銀からなる第２導電性層（１２ｂ）を形成し、透明電極１を作製した。

（正孔注入層の形成）
　次いで、正孔注入材料として上述したＨＡＴ－ＣＮが入った加熱ボートに通電して加熱し、ＨＡＴ－ＣＮよりなる正孔注入層（３ａ）を、ＩＴＯ対向電極（４）上に形成した。この際、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内にて、厚さが１０ｎｍとなるようにした。

（正孔輸送層の形成）
　次いで、正孔輸送注入材料としてα－ＮＰＤ（前出）が入った加熱ボートに通電して加熱し、α－ＮＰＤよりなる正孔輸送層（３ｂ）を、正孔注入層（３ａ）上に形成した。この際、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内にて、厚さが１２０ｎｍとなるようにした。

（発光層の形成）
　次いで、ホスト材料として例示化合物Ｈ２の入った加熱ボートと、リン光発光性化合物である例示化合物ＤＰ２の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ２とリン光発光性化合物ＤＰ２とよりなる発光層（３ｃ）を、正孔輸送層（３ｂ）１上に形成した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ２：リン光発光性化合物ＤＰ２＝８５：１５（質量比）となるように、加熱ボートの通電を調節した。また、厚さを３０ｎｍとした。

（電子注入層の形成）
　次に、電子注入材料としてＬｉｑ（前出）の入った加熱ボートに通電して加熱し、ＬｉＦよりなる電子注入層（３ｅ）を、電子輸送層（３ｄ）上に形成した。この際、蒸着速度０．０１～０．０２ｎｍ／秒の範囲内とし、厚さを２ｎｍとした。
　（対向電極の形成）
　その後、電子注入層（３ｅ）まで形成したガラス基板（２）を、真空蒸着装置の蒸着室から、導電性層材料としてタングステン製の抵抗加熱ボートにアルミニウム（Ａｌ）が充填された真空槽内に、真空状態を保持したまま移送した。次に、真空槽を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電して加熱し、厚さ１００ｎｍのカソードとして形成した。

（キャッピング層の形成）
　その後、元の真空層内に移送し、図２には図示していないが、対向電極（４）上に、α－ＮＰＤ（前出）を蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒で厚さが４０ｎｍとなるように蒸着し、キャッピング層とした。
　以上の手順により、透明基板２上に有機ＥＬ素子（１００）を形成した。

（有機ＥＬ素子の封止）
　その後、有機ＥＬ素子（１００）を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材（６）で覆い、有機ＥＬ素子（３００）を囲む状態で、封止材（６）と透明基板（２）との間に接着剤（７、シール材）をシールした。接着剤（７）としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。封止材（６）と透明基板（２）との間に充填した接着剤（７）に対して、封止材（６）側からＵＶ光を照射し、接着剤（７）を硬化させて有機ＥＬ素子（１００）を封止した。

　なお、有機ＥＬ素子（１００）の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、１００ｍｍ×１００ｍｍの透明基板（２）における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域とし、発光領域の全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域を設けた。また、アノードである透明電極（１）及びカソードである対向電極（４）は、発光機能層（３）によって絶縁された状態で、透明基板（２）の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。

　以上のようにして、透明基板（２）上に有機ＥＬ素子（１００）を設け、これを封止材（６）と接着剤（７）とで封止した発光パネル２－１を作製した。
　発光パネル２－１においては、発光層（３ｃ）で発生した各色の発光光（ｈ）が、透明電極（１）側、すなわち透明基板（２）側から取り出される。

〔発光パネル２－２～２－９の作製〕
　上記発光パネル２－１の作製において、下地層（金属親和性層（１１））、及び導電性層（１２ａ，１２ｂ）の構成材料及び厚さを、下記表VIに記載の条件に変更した以外は同様にして、発光パネル２－２～２－９を作製した。
《発光パネルの評価》
　上記作製した発光パネル２－１～２－９について、各発光パネルの透明アノード（１）側（すなわち、基板（２）側）での正面輝度を測定した以外は、実施例２で説明した方法と同様に測定を行った。

　以上により得られた結果を、下記表VIに示す。

　上記表VIに記載の結果より明らかなように、本発明の上記一般式（１）又は上記一般式（２）で表される構造を有する化合物を含有する金属親和性層（１１）を設けたことで、当該化合物を含有しない（Ａｌｑ_３（発光パネル２－１）、ＥＴ－１（発光パネル２－２）を含有する）下地層を設けた場合に比べ、駆動電圧を低減し、面内発光均一性を改良し、駆動電圧変化量を低減していることが見て取れる。

（実施例４）
《発光パネルの作製》
　透明電極（１）をカソード及びアノードとして用いた発光パネル（透明型有機ＥＬパネル、構成例４）３－１～３－６を作製した。

　〔発光パネル３－１の作製〕
　以下、図５を参照して発光パネルの作製手順を説明する。
　（ガラス基板及び透明電極（１）の形成）
　１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板（２）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
洗浄済みのガラス基板（２）を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、発光機能層（３）を構成する各材料を最適な量でタングステン製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タンタル製の抵抗加熱ボートに電極材料を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

　次いで、第１真空槽を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、Ａｌｑ_３の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒で、ガラス基板（２）上に厚さ３０ｎｍのＡｌｑ_３からなる下地層を設けた。

　次いで、下地層まで形成したガラス基板（２）を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、銀、及びマグネシウムの入った加熱ボートを通電して加熱し、下記表VIIに示した比率（ａｔ％）となるように、蒸着速度０．０１～０．２ｎｍ／秒の範囲内で、下地層上に厚さ１ｎｍのマグネシウム－銀（１：９）からなる第１導電性層（１２ａ）を形成し、次いで、厚さ７ｎｍの銀からなる第２導電性層（１２ｂ）を形成し、透明電極１を作製した。

　（正孔注入層の形成）
　次いで、正孔注入材料として上述したＨＡＴ－ＣＮが入った加熱ボートに通電して加熱し、ＨＡＴ－ＣＮよりなる正孔注入層（３ａ）を、透明電極（１）上に形成した。この際、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒、厚さ１０ｎｍとした。

　（正孔輸送層の形成）
　次いで、正孔輸送注入材料としてα－ＮＰＤ（前出）が入った加熱ボートに通電して加熱し、α－ＮＰＤよりなる正孔輸送層（３ｂ）を、正孔注入層（３ａ）上に形成した。この際、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒、厚さ１２０ｎｍとした。

　（発光層の形成）
　次いで、ホスト材料として例示化合物Ｈ３（後述）の入った加熱ボートと、リン光発光性化合物である例示化合物ＤＰ２の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ３とリン光発光性化合物ＤＰ２とよりなる発光層（３ｃ）を、正孔輸送層（３ｂ）１上に形成した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ３：リン光発光性化合物ＤＰ２＝８５：１５（質量比）となるように、加熱ボートの通電を調節した。また、厚さは３０ｎｍとした。

　（電子輸送層の形成）
　その後、電子輸送材料としてＡｌｑ_３（前出）の入った加熱ボートを通電し、Ａｌｑ_３よりなる電子輸送層（３ｄ）を、発光層（３ｃ）上に形成した。この際、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒、厚さ３０ｎｍとした。

　（電子注入層の形成）
　次に、電子注入材料としてＡｌｑ_３の入った加熱ボートとＬｉｑ（前出）の入った加熱ボートに通電して加熱し、下記表VIIに示す比率にて、電子注入層（３ｅ）を、発光層（３ｃ）上
に形成した。この際、蒸着速度０．０１～０．０２ｎｍ／秒、厚さ３０ｎｍとした。

　（導電性層１２の形成）
　その後、電子注入層（３ｅ）まで形成したガラス基板（２）を、真空蒸着装置の蒸着室から、導電性層材料としてタングステン製の抵抗加熱ボートに銀、及びマグネシウム（Ｍｇ）が充填された真空槽内に、真空状態を保持したまま移送した。次に、真空槽を４×１０^－４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、下記表VIIに示す比率（Ａｇ：９０％）及び厚さとなる様に、電子注入層（３ｅ）上に第１導電性層（１２ａ）及び第２導電性層（１２ｂ）をカソードとして順に形成した。

　（キャッピング層の形成）
　その後、元の真空層内に移送し、図５には図示していないが、導電性層（１２）上に、α－ＮＰＤ（前出）を蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒で厚さが４０ｎｍとなるまで蒸着し、キャッピング層とした。
　以上の手順により、透明基板２上に有機ＥＬ素子（４００）を形成した。

　（有機ＥＬ素子の封止）
　その後、有機ＥＬ素子（４００）を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材（６）で覆い、有機ＥＬ素子（４００）を囲む状態で、封止材（６）と透明基板（２）との間に接着剤（７、シール材）をシールした。接着剤（７）としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。封止材（６）と透明基板（２Ａ）との間に充填した接着剤（７）に対して、封止材（６）側からＵＶ光を照射し、接着剤（７）を硬化させて有機ＥＬ素子（４００）を封止した。

　なお、有機ＥＬ素子（４００）の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、１００ｍｍ×１００ｍｍのガラス基板（２）における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域とし、発光領域の全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域を設けた。また、アノードである透明電極（１）及びカソードである透明電極（１Ａ）は、発光機能層（３）によって絶縁された状態で、ガラス基板（２）の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。

　以上のようにして、透明基板（２）上に有機ＥＬ素子（４００）を設け、これを封止材（６）と接着剤（７）とで封止した発光パネル３－１を作製した。

　発光パネル３－１においては、発光層（３ｃ）で発生した各色の発光光（ｈ）が、透明基板（２）と封止材（６）側の両方から取り出される。

　〔発光パネル３－２～３－６の作製〕
　上記発光パネル３－１の作製において、下地層（金属親和性層（１１））及び導電性層（１２）の構成材料及び厚さを、下記表VIIに記載の条件に変更した以外は同様にして、発光パネル３－２～３－６を作製した。

　《発光パネルの評価》
　上記作製した発光パネル３－１～３－６について、各発光パネルの透明カソード側（すなわち、封止剤６側）と、透明アノード側（１）側（すなわち、透明基板（２）側）との両側での正面輝度を測定し、その和が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を駆動電圧（Ｖ）として測定した以外は、実施例２と同様の方法で評価を行った。

　以上により得られた結果を、下記表VIIに示す。

　上記表VIIに記載の結果より明らかなように、本発明の上記一般式（１）又は上記一般式（２）で表される構造を有する化合物を含有する金属親和性層（１１）を設けたことで、当該化合物を含有しない（Ａｌｑ_３（発光パネル３－１、３－３）を含有する）下地層を設けた場合に比べ、駆動電圧を低減し、面内発光均一性を改良し、駆動電圧変化量を低減していることが見て取れる。

　本発明は、例えば、家庭用照明や車内照明等の照明装置、時計や液晶表示装置のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、各種の発光光源として用いることができる。
　また、本発明は、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置として用いることもできる。

１，１Ａ　透明電極
１１　金属親和性層
１２　導電性層
１２ａ　第１導電性層
１２ｂ　第２導電性層
２，２Ａ　基板（基材）
２ａ　光取り出し面
１００，２００，３００，４００　有機ＥＬ素子
３　発光機能層
３ａ　正孔注入層
３ｂ　正孔輸送層
３ｃ　発光層
３ｄ　電子輸送層
３ｅ　電子注入層
４，４Ａ　対向電極
５　補助電極
６　封止材
７　接着剤
ｈ　発光光

Claims

　下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する金属親和性層と、
　当該金属親和性層に隣接して設けられ、銀と当該銀とは異なる金属とを含有する第１導電性層と、
　銀を主成分とする第２導電性層と、をこの順で有する透明電極。

（式中のＸ_１及びＸ_２は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ_１を表す。Ｒ_１は、水素原子又は置換基を表す。
　式中のＡ_１は、５員又は６員のヘテロアリール環を構成する残基を表す。）
　前記一般式（１）で表される構造を有する化合物が、下記一般式（２）で表される構造を有する有機化合物である請求項１に記載の透明電極。

（式中のＸ_１、Ｘ_２、Ｘ_３及びＸ_４は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ_１を表す。Ｒ_１は、水素原子又は置換基を表す。
　式中のＡ_１及びＡ_２は、それぞれ独立に、５員又は６員のヘテロアリール環を構成する残基を表す。
　式中のＬ_１は、単なる結合手、又はアリール環若しくはヘテロアリール環を含む２価の連結基を表す。
　前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、６員のヘテロアリール環を構成する残基を表す請求項１又は２に記載の透明電極。
　前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、ピリジン環、ピラジン環、トリアジン環、ピリジミン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環、ベンゾイソキノリン環又はフェナンスリジン環を構成する残基を表す請求項３に記載の透明電極。
　前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、５員のヘテロアリール環を構成する残基を表す請求項１又は請求項２に記載の透明電極。
　前記Ａ_１及びＡ_２が、それぞれ独立に、インドール環、イミダゾール環、ベンズイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環又はチアゾール環を構成する残基を表す請求項５に記載の透明電極。
　前記第１導電性層に含まれる銀の濃度が、５０～９９ａｔ％の範囲内である請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の透明電極。
　前記第１導電性層の厚さと前記第２導電性層の厚さの合計が５～２５ｎｍの範囲内であり、
　かつ、前記第２導電性層の厚さが１～１０ｎｍの範囲内である請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の透明電極。
　請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の透明電極が具備されている電子デバイス。
　前記電子デバイスが、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項９に記載の電子デバイス。