WO2016143316A1 - 薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置 - Google Patents

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irradiated
manufacturing
thin film
irradiation
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哲憲 田中
中村　渉
庄治 岡崎
藤原　正樹
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a thin film element device and a light irradiation device used therefor.
  • a separation layer is formed on a transparent support substrate such as a glass substrate, and after forming a substrate layer and a thin film element such as an organic EL (electroluminescence) element on the separation layer, laser light is irradiated from the support substrate side.
  • a method of manufacturing a thin film element device has been proposed in which the adhesion at the interface between the separation layer and the substrate layer is reduced, and the substrate layer and the thin film element are peeled off from the support substrate.
  • Patent Document 1 in a method for peeling a transfer layer that peels a transfer layer existing on a substrate via a separation layer from the substrate, the transfer layer is irradiated with laser light multiple times.
  • the surface of the support substrate on which the laser light is irradiated (rear surface) has deposits or scratches. If present, the laser beam will be blocked at a portion where there are deposits or scratches. In such a case, in the part where the deposits or scratches are present, the energy by the laser beam is not sufficiently supplied to the separation layer, and the peeling of the thin film element device becomes locally defective, and a part of the thin film element device is supported by the support substrate. Will remain on the surface.
  • the back surface of the support substrate to which the laser beam is irradiated comes into contact with, for example, the roller of the substrate transport device or the surface of the stage of the processing device during the manufacturing process, so that dirt adheres or fine scratches occur. Or chemicals may remain.
  • the present invention has been made in view of such points, and an object of the present invention is to suppress a peeling failure of the thin film element device.
  • a method of manufacturing a thin film element device includes: an element forming step of forming a thin film element on a substrate layer after forming the substrate layer on a transparent support substrate; An element peeling step of peeling the substrate layer and the thin film element from the support substrate by irradiating laser light from the side opposite to the side on which the substrate layer and the thin film element are formed.
  • the laser light is irradiated from a plurality of different directions.
  • the light irradiation apparatus is a light irradiation apparatus including a stage on which an irradiated substrate is placed and an irradiation head that irradiates the irradiated substrate with laser light, wherein the stage or the irradiation head includes:
  • the irradiation substrate is configured to be irradiated with laser light from a plurality of different directions.
  • the laser beam is irradiated from a plurality of directions different from each other.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. It is sectional drawing of the organic electroluminescent layer which comprises the organic electroluminescent display apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. It is sectional drawing of the to-be-irradiated substrate produced in order to manufacture the organic electroluminescent display apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. It is a side view of the light irradiation apparatus used for the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 5 is a first cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL layer 16 constituting the organic EL display device 50a.
  • the organic EL display device 50a includes a resin substrate layer 10, a base coat layer 11 provided on the resin substrate layer 10, an organic EL element 19a provided on the base coat layer 11, and an organic EL display. And a support 22 provided on the element 19a via an adhesive layer 21.
  • a display area for image display is defined in a rectangular shape, and a plurality of pixels are arranged in a matrix in the display area.
  • a sub-pixel for performing red gradation display, a sub-pixel for performing green gradation display, and a sub-pixel for performing blue gradation display are adjacent to each other. It is arranged.
  • the resin substrate layer 10 is made of a transparent resin material having heat resistance such as polyimide resin.
  • the base coat layer 11 is made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.
  • the organic EL element 19a includes a plurality of TFTs 12, an interlayer insulating film 13, a plurality of first electrodes 14, an edge cover 15, a plurality of organic EL layers 16, a second electrode 17 and a sealing film provided in this order on the base coat layer 11. 18 is provided.
  • the TFT 12 is a switching element provided for each sub-pixel on the base coat layer 11 as shown in FIG.
  • the TFT 12 includes, for example, a gate electrode provided on the base coat layer 11, a gate insulating film provided so as to cover the gate electrode, and a semiconductor layer provided on the gate insulating film so as to overlap the gate electrode. And a source electrode and a drain electrode provided on the semiconductor layer so as to face each other.
  • the bottom gate type TFT 12 is illustrated, but the TFT 12 may be a top gate type TFT.
  • the interlayer insulating film 13 is provided so as to cover a portion other than a part of the drain electrode of each TFT 12.
  • the interlayer insulation film 13 is comprised by transparent organic resin materials, such as an acrylic resin, for example.
  • the plurality of first electrodes 14 are provided in a matrix on the interlayer insulating film 13 so as to correspond to the plurality of subpixels.
  • the first electrode 14 is connected to the drain electrode of each TFT 12 through a contact hole formed in the interlayer insulating film 13.
  • the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
  • the material constituting the first electrode 14 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation.
  • the material constituting the first electrode 14 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. There may be.
  • the first electrode 14 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of the material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the edge cover 15 is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral edge portion of each first electrode 14.
  • the material constituting the edge cover 15 include silicon nitride (SiO 2 ), silicon nitride such as trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ) (SiNx (x is a positive number)), silicon oxynite.
  • An inorganic film such as a ride (SiNO) or an organic film such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, or a novolac resin can be used.
  • the plurality of organic EL layers 16 are arranged on the first electrodes 14 and are provided in a matrix so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • the organic EL layer 16 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection layer provided in this order on the first electrode 14. 5 is provided.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of improving the efficiency of hole injection from the first electrode 14 to the organic EL layer 16 by bringing the energy levels of the first electrode 14 and the organic EL layer 16 close to each other.
  • a material constituting the hole injection layer for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Examples include hydrazone derivatives and stilbene derivatives.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 14 to the organic EL layer 16.
  • examples of the material constituting the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.
  • the light emitting layer 3 when voltage is applied by the first electrode 14 and the second electrode 17, holes and electrons are injected from the first electrode 14 and the second electrode 17, respectively, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, and coumarin derivatives.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • examples of the material constituting the electron transport layer 4 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 17 and the organic EL layer 16 closer to each other, and improving the efficiency with which electrons are injected from the second electrode 17 into the organic EL layer 16.
  • the drive voltage of the organic EL element 18 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride.
  • Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO), and the like can be given.
  • the second electrode 17 is provided so as to cover each organic EL layer 16 and the edge cover 15.
  • the second electrode 17 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 is more preferably composed of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
  • the second electrode 17 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2).
  • the second electrode 17 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. .
  • the second electrode 17 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
  • the sealing film 18 is provided so as to cover a stacked body of the plurality of first electrodes 14, the edge cover 15, the plurality of organic EL layers 16, and the second electrode 17.
  • the sealing film 18 has a function of protecting the organic EL layer 16 from moisture and oxygen.
  • silicon nitride SiNx (Si 2 N 3 ) such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ).
  • x is a positive number
  • inorganic materials such as silicon carbonitride (SiCN), and organic materials such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide.
  • the adhesive layer 21 is made of, for example, an acrylic, epoxy, or silicone thermosetting or ultraviolet curable adhesive.
  • the support 22 is made of a flexible synthetic resin film such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or aramid.
  • the organic EL display device 50a having the above configuration is flexible and configured to display an image by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 via the TFT 12 in each sub-pixel. Yes.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of an irradiated substrate 60a produced in order to manufacture the organic EL display device 50a.
  • FIG. 4 is a side view of the light irradiation device 80a used in the method for manufacturing the organic EL display device 50a.
  • FIGS. 5, 6 and 13 are first, second and third sectional views for explaining a method of manufacturing the organic EL display device 50a.
  • 7 to 12 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a method of irradiating laser beams La and Lb in the method of manufacturing the organic EL display device 50a.
  • 14 and 15 are first and second cross-sectional views for explaining the effects in the method of manufacturing the organic EL display device 50a.
  • 16 and 17 are first and second cross-sectional views for explaining the incident angle ⁇ of the laser beam Lb in the method for manufacturing the organic EL display device 50a.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50a of this embodiment includes an element formation process and an element peeling process.
  • a metal film such as molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), and titanium (Ti), an alloy film containing them, an oxidation film, etc. are formed on the surface of the support substrate 8 such as a glass substrate by, for example, sputtering.
  • An amorphous silicon film is formed to a thickness of about 100 nm to 300 nm by a material film or a nitride film, or a CVD (chemical vapor deposition) method, and a separation layer 9 is formed as shown in FIG.
  • the coating film is baked to obtain a thickness of about 5 ⁇ m to 20 ⁇ m as shown in FIG.
  • the resin substrate layer 10 is formed.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like is formed on the surface of the resin substrate layer 10 by a CVD method, for example, to a thickness of about 50 nm to 1000 nm to form the base coat layer 11 as shown in FIG. .
  • the TFT 12 After, on the surface of the base coat layer 11, the TFT 12, the interlayer insulating film 13, the first electrode 14, the edge cover 15, the organic EL layer 16 (the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emission) using a known method.
  • the organic EL layer 16 By forming the layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5), the second electrode 17, and the sealing film 18, an organic EL element 19a is formed as shown in FIG.
  • the coating surface is coated with, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate,
  • a flexible synthetic resin film such as aramid and curing the applied adhesive
  • the support 22 is attached to the surface of the sealing film 18 via the adhesive layer 21 as shown in FIG. wear.
  • coats an adhesive agent on the surface of the sealing film 18 and affixes the support body 22 was illustrated, after sticking a film adhesive on the surface of the sealing film 18 The support 22 may be attached to the surface.
  • the irradiated substrate 60a (see FIG. 3) can be manufactured.
  • the light irradiation device 80a includes a processing chamber 70 that substantially forms a sealed space, a stage 71a provided in the processing chamber 70, an irradiation head 72a and an irradiation head 72b, an irradiation head 72a, A laser light source (not shown) for supplying laser beams La and Lb via an optical fiber cable is provided in 72b.
  • the laser light source is composed of, for example, an XeF excimer laser (wavelength 351 nm), an XeCl excimer laser (wavelength 308 nm), a YVO 4 solid laser (wavelength 355 nm), or the like.
  • the wavelengths of the laser beams La and Lb are preferably selected to have a high transmittance with respect to the support substrate 8.
  • the stage 71a is configured to place the irradiated substrate 60a and move in the X (vertical) direction and the Y (horizontal) direction in the processing chamber 70.
  • the irradiation head 72a is configured to irradiate the laser beam La from the vertical direction on the surface of the irradiated substrate 60a.
  • the irradiation head 72b is configured to irradiate the laser beam Lb from an oblique direction (incident angle ⁇ : about 30 ° to 80 °) with respect to the surface of the irradiated substrate 60a.
  • the light irradiation device 80a configured to move the stage 71a on which the substrate to be irradiated 60a is mounted is illustrated in order to scan the irradiation regions of the laser light La and Lb on the substrate to be irradiated 60a.
  • the irradiation heads 72a and 72b may be moved.
  • the substrate to be irradiated 60a produced in the element formation process is placed on the stage 71a so that the organic EL display device 50a faces downward.
  • the irradiation head 72a is used to irradiate the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser beam La from the vertical direction, and FIGS.
  • the irradiation head 72b is used to irradiate the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with laser light Lb from an oblique direction.
  • the stage 71a by sequentially moving the stage 71a in the X direction or the Y direction, the irradiation area of the laser beams La and Lb is scanned from one end to the other end of the support substrate 8 as shown in FIGS. Let Here, in FIG. 7 to FIG.
  • the irradiation regions of the laser beams La and Lb are shown so as not to overlap the irradiation regions before and after the laser beam La, but when scanning the laser beams La and Lb,
  • the laser beam La and Lb are scanned by a width that is slightly narrower than the width of the irradiation area so that the irradiation area slightly overlaps the previous irradiation area.
  • a rectangular shape is exemplified as the beam shape of the irradiation spots of the laser beams La and Lb, but the beam shape may be other shapes such as a circle and an ellipse.
  • the separation layer 9 on the support substrate 8 expands and contracts in a short time (laser pulse width), and the adhesion at the interface between the separation layer 9 and the resin substrate layer 10 decreases.
  • the organic EL display device 50a including the resin substrate layer 10 and the organic EL element 19a is peeled from the irradiated substrate 60a.
  • the intensity of the laser beam Lb from the oblique direction with respect to the surface of the support substrate 8 is naturally lower than the intensity of the laser beam La from the direction perpendicular to the surface of the support substrate 8.
  • the laser is applied to the portion where the adhesion at the interface between separation layer 9 and resin substrate layer 10 is not lowered. Since the light Lb may be irradiated weakly, the intensity of the laser light Lb from the oblique direction can be made lower than when the laser light La from the vertical direction is irradiated after the laser light Lb from the oblique direction is irradiated. . Further, as shown in FIG. 14, even if the deposit A exists on the surface of the support substrate 8 and the unirradiated region U of the laser beam La exists in the separation layer 9, As shown in FIG.
  • the laser beam Lb is irradiated. Further, as shown in FIGS. 16 and 17, the laser beam Lb is irradiated onto the unirradiated region due to the large-sized deposit A as the incident angle ⁇ with respect to the surface of the support substrate 8 increases.
  • the organic EL display device 50a of this embodiment can be manufactured.
  • the irradiation head 72a irradiates the surface of the support substrate 8 of the irradiated substrate 60a with the laser beam La from the vertical direction, and the irradiation head 72b irradiates the irradiated substrate.
  • the laser beam Lb is irradiated from the oblique direction to the surface of the support substrate 8 of 60a. Therefore, even if the deposit A exists on the surface of the support substrate 8 and the unirradiated region U of the laser light La exists in the separation layer 9, the unirradiated region U can be irradiated with the laser light Lb. it can. Thereby, the energy by the laser beams La and Lb is sufficiently supplied to the separation layer 9, so that the peeling failure of the organic EL display device 50a can be suppressed.
  • the laser beam La is irradiated from the vertical direction to the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a, and is supported in another area of the substrate to be irradiated 60a. Since the laser beam Lb is irradiated on the surface of the substrate 8 from an oblique direction, the processing time required for the element peeling process can be shortened.
  • the manufacturing method in which the irradiation of the laser beam La and the irradiation of the laser beam Lb are performed simultaneously in different areas is illustrated. However, the irradiation of the laser beam La and the irradiation of the laser beam Lb are performed in the same area.
  • the intensity of the laser beam Lb from the oblique direction with respect to the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a is set higher than the intensity of the laser beam La from the vertical direction.
  • the separation layer 9 functions as a thermal light exchange film, so that the laser beams La and Lb are emitted from the resin substrate layer. 10 is not directly irradiated, and damage to the resin substrate layer 10 due to the laser beams La and Lb can be suppressed.
  • the organic EL display device 50a in which the separation layer 9 is provided between the support substrate 8 and the resin substrate layer 10 is illustrated. However, the separation layer 9 is omitted and the support substrate of the resin substrate layer 10 is omitted. Ablation may occur on the 8th side.
  • the base coat layer 11 functions as a protective film, so that dry etching, wet etching, resist peeling, Damage to the resin substrate layer 10 in processing such as baking can be suppressed.
  • the organic EL display device 50a in which the base coat layer 11 is provided between the resin substrate layer 10 and the organic EL element 19a is illustrated, but the base coat layer 11 may be omitted.
  • the support 22 is bonded to the surface of the organic EL element 19a after the organic EL element 19a is formed. Therefore, the organic EL display device 50a is deformed into a roll after the element peeling step. Can be suppressed, and post-processing can be facilitated.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50a in which the support 22 is bonded to the surface of the organic EL element 19a is exemplified, but the bonding of the support 22 may be omitted.
  • FIGS. 18 and 19 are first and second cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 20 is a side view of the light irradiation device 80b used in the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view for explaining an effect in the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 17 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50a is manufactured by irradiating the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser beam La from the vertical direction and the laser beam Lb from the oblique direction, respectively.
  • the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a is irradiated with the laser beam Lb from the first oblique direction and the laser beam Lc from the second oblique direction, respectively.
  • a method of manufacturing the organic EL display device 50a will be exemplified.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the present embodiment includes an element formation process and an element peeling process
  • the element formation process is substantially the same as the element formation process of the first embodiment. Below, an element peeling process is demonstrated.
  • the light irradiation device 80b includes a processing chamber 70 that substantially forms a sealed space, a stage 71a, an irradiation head 72b and an irradiation head 72c provided in the processing chamber 70, an irradiation head 72b, A laser light source (not shown) that supplies laser light Lb and Lc to the 72c via an optical fiber cable is provided.
  • the irradiation head 72b is configured to irradiate the surface of the irradiated substrate 60a with the laser light Lb from the first oblique direction from the upper right side to the lower left side in the drawing. .
  • the irradiation head 72c is configured to irradiate the surface of the irradiated substrate 60a with the laser light Lb from the second oblique direction from the upper left side to the lower right side in the drawing. Yes.
  • a stage that can be moved while the substrate to be irradiated 60a is placed in order to scan the irradiation region of the laser light Lb and Lc on the substrate to be irradiated 60a.
  • the light irradiation device 80b provided with 71a is illustrated, the irradiation heads 72b and 72c may be moved instead of moving the stage 71a.
  • the laser beams Lb and Lc are shown to be irradiated upward, but the laser beams Lb and Lc are on the stage 71a as shown in FIG. Irradiation is directed downward with respect to the substrate to be irradiated 60a.
  • the irradiated substrate 60a produced in the element formation process of the first embodiment is placed on the stage 71a so that the organic EL display device 50a side faces downward.
  • the irradiation head 72b is used to irradiate the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser light Lb from the first oblique direction.
  • the irradiation head 72c is used to irradiate the surface of the support substrate 8 of the irradiated substrate 60a with laser light Lc from an oblique direction.
  • the stage 71a is sequentially moved in the X direction or the Y direction, thereby scanning the irradiation regions of the laser beams Lb and Lc from one end of the support substrate 8 toward the other end.
  • scanning is performed by a width that is slightly narrower than the width of the irradiation region of the laser beams Lb and Lc so that the irradiation region slightly overlaps the irradiation region before that.
  • the separation layer 9 on the support substrate 8 expands and contracts in a short time (laser pulse width), and the adhesion at the interface between the separation layer 9 and the resin substrate layer 10 decreases, so that the irradiated substrate 60a
  • the organic EL display device 50a including the resin substrate layer 10 and the organic EL element 19a is peeled off (see FIG. 13).
  • the unirradiated region has a laser beam. Lc is irradiated.
  • the organic EL display device 50a of this embodiment can be manufactured.
  • the effects (1), (2), (4) to (7) described above can be achieved.
  • the following effect (8) can be obtained.
  • the irradiation head 72b irradiates the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser beam Lb from the first oblique direction. Then, the irradiation head 72c irradiates the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser beam Lc from the second oblique direction. Therefore, even if the deposit A exists on the surface of the support substrate 8 and there is an unirradiated region of the laser light Lb in the separation layer 9, the unirradiated region can be irradiated with the laser light Lc. Thereby, the energy by the laser beams Lb and Lc is sufficiently supplied to the separation layer 9, so that the peeling failure of the organic EL display device 50a can be suppressed.
  • the laser beams Lb and Lc are irradiated from the first and second oblique directions onto the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a. Since the steps are performed simultaneously, the processing time required for the element peeling step can be shortened.
  • the manufacturing method in which the irradiation of the laser beam Lb and the irradiation of the laser beam Lc are performed simultaneously in different areas is illustrated. However, the irradiation of the laser beam Lb and the irradiation of the laser beam Lc are performed in the same area. May be performed simultaneously.
  • the laser beam Lb and Lc are irradiated from the first and second oblique directions onto the surface of the support substrate 8 of the irradiated substrate 60a. Even if the large-sized deposit A is present on the surface of the laser beam, it is possible to make it harder to form an unirradiated region of the laser beam than when the laser beam irradiation device 80a of the first embodiment is used.
  • FIG. 22 is a side view of the light irradiation device 80c used in the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 23 to 34 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a method of irradiating the laser beams Lb and Lc in the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 35 is a side view of a light irradiation device 80d of a first modification used in the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIGS. 36 to 41 are a plan view and a side view for explaining a modification of the substrate reversing mechanism in the light irradiation device 80d.
  • FIG. 42 is a plan view for explaining another modification of the substrate reversing mechanism in the light irradiation device 80d.
  • FIG. 44 is a side view of a light irradiation device 80e of a second modification used in the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the present embodiment includes an element formation process and an element peeling process
  • the element formation process is substantially the same as the element formation process of the first embodiment. Below, an element peeling process is demonstrated.
  • the light irradiation device 80 c includes a processing chamber 70 that substantially forms a sealed space, a stage 71 a and an irradiation head 72 provided in the processing chamber 70, and an optical fiber cable for the irradiation head 72. And a laser light source (not shown) for supplying laser beams Lb and Lc via the laser beam.
  • the irradiation head 72 irradiates the surface of the substrate to be irradiated 60a with the laser beam Lc from the first oblique direction from the upper left to the lower right in the drawing
  • the substrate 60a is provided to be reversible by 180 ° so that the state (two-dot chain line) in which the laser beam Lb is irradiated from the second oblique direction from the upper right side to the lower left side in the drawing is switched with respect to the surface of the substrate 60a. Yes.
  • a stage that can be moved while the substrate to be irradiated 60a is placed in order to scan the irradiation region of the laser light Lb and Lc on the substrate to be irradiated 60a.
  • the light irradiation apparatus 80c provided with 71a was illustrated, you may move the irradiation head 72 instead of moving the stage 71a.
  • FIGS. 29 to 34 for convenience, the laser beams Lb and Lc are shown to be irradiated upward, but the laser beams Lb and Lc are irradiated on the stage 71a as shown in FIG. Irradiated downward with respect to 60a.
  • the substrate to be irradiated 60a produced in the element formation process of the first embodiment is placed on the stage 71a so that the organic EL display device 50a side faces downward.
  • the irradiation head 72 is used to irradiate the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60 a with the laser light Lc from the first oblique direction, and then the irradiation head 72 is moved 180 °.
  • the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a is irradiated with the laser light Lb from the second oblique direction.
  • the stage 71a in the X direction or the Y direction as shown in FIGS. 23 to 35 and FIGS.
  • the irradiation region of the laser light Lc is changed from one end to the other. Scan towards the edge. Further, after the stage 71a is returned to the original position, it is sequentially moved in the X direction or the Y direction, thereby supporting the irradiation region of the laser beam Lb as shown in FIGS. 26 to 28 and FIGS. 32 to 34. The substrate 8 is scanned from one end to the other end.
  • the irradiation areas of the laser beams Lb and Lc are shown not to overlap the irradiation areas before and after that, but when scanning the laser beams Lb and Lc, Scanning is performed by a width that is slightly narrower than the width of the irradiation region of the laser beams Lb and Lc so that the irradiation region slightly overlaps the irradiation region before that.
  • the separation layer 9 on the support substrate 8 expands and contracts in a short time (laser pulse width), and the adhesion at the interface between the separation layer 9 and the resin substrate layer 10 decreases, so that the irradiated substrate 60a
  • the organic EL display device 50a including the resin substrate layer 10 and the organic EL element 19a is peeled off (see FIG. 13).
  • the organic EL display device 50a of this embodiment can be manufactured.
  • the light irradiation device 80c in which the irradiation head 72 is reversed and the irradiation directions of the laser beams Lb and Lc are switched is illustrated, but the light irradiation devices 80d and 80e having the following configuration are also exemplified. Good.
  • the light irradiation device 80 d includes a processing chamber 70 that substantially forms a sealed space, a stage 71 b and an irradiation head 72 provided in the processing chamber 70, and an optical fiber cable for the irradiation head 72. And a laser light source (not shown) for supplying the laser beams Lb and Lc via the laser beam.
  • the irradiation head 72 is configured to irradiate the laser beams Lc and Lb from the first and second oblique directions onto the surface of the irradiated substrate 60a by the operation of the stage 71b. Has been. Then, as shown in FIG.
  • the stage 71b is rotated 180 ° around the rotation axis S perpendicular to the placement surface M of the substrate to be irradiated 60a so that the irradiation directions of the laser beams Lb and Lc to the substrate to be irradiated 60a are switched. It is provided so that it can rotate one by one.
  • the stage 71b is mounted with a substrate reversing mechanism that can be rotated by 180 ° around the rotation axis S.
  • the substrate reversing mechanism is configured as shown in FIGS. 36 to 41, for example. Alternatively, a configuration as shown in FIG.
  • one corner of the substrate to be irradiated 60a is marked with a black circle.
  • the stage 71c which replaces the stage 71b, includes a substrate inversion lifting mechanism 73 as shown in FIGS.
  • the substrate inversion lifting mechanism 73 lifts the irradiated substrate 60a from the surface of the stage 71c while adsorbing the irradiated substrate 60a, and rotates the irradiated substrate 60a about the rotation axis S by 180 °. Then, the substrate to be irradiated 60a is lowered to the surface of the stage 71c. Further, as shown in FIG.
  • the stage 71d in place of the stage 71b does not include the substrate reversing mechanism as described above, and moves the irradiated substrate 60a on the stage 71d along the two-dot chain line in the drawing.
  • the direction of the substrate to be irradiated 60a may be changed by taking in and out by the transfer robot 74.
  • the light irradiation device 80e includes a processing chamber 70 that substantially forms a sealed space, a stage 71e and an irradiation head 72 provided in the processing chamber 70, and an optical fiber cable for the irradiation head 72. And a laser light source (not shown) for supplying laser beams Lb and Lc via the laser beam.
  • the irradiation head 72 is configured to irradiate the laser light Lc and Lb from the first and second oblique directions onto the surface of the irradiated substrate 60a by the operation of the stage 71e. Has been. Then, as shown in FIG.
  • the stage 71e rotates around a rotation axis S parallel to the placement surface M of the substrate to be irradiated 60a so that the irradiation directions of the laser beams Lb and Lc to the substrate to be irradiated 60a are switched. It is provided as possible.
  • the irradiation head 72 irradiates the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser beam Lc from the first oblique direction. After that, the irradiation head 72 irradiates the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser beam Lb from the second oblique direction. Therefore, even if the deposit A exists on the surface of the support substrate 8 and there is an unirradiated region of the laser light Lc in the separation layer 9, the unirradiated region can be irradiated with the laser light Lb. Thereby, the energy by the laser beams Lb and Lc is sufficiently supplied to the separation layer 9, so that the peeling failure of the organic EL display device 50a can be suppressed.
  • the laser beams Lc and Lb are emitted from the first and second oblique directions with respect to the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a. Since the irradiation is performed, even if the large-sized deposit A is present on the surface of the support substrate 8, an unirradiated region of the laser beam is less likely to be formed than when the laser beam irradiation device 80 a of the first embodiment is used. can do.
  • FIGS. 45 and 46 are a cross-sectional view and a plan view for explaining the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 47 is a cross-sectional view for explaining an effect in the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • the method of manufacturing the organic EL display device 50a that irradiates the laser beams Lb and Lc from two oblique directions has been exemplified.
  • the oblique 4 that differs by 90 ° in plan view A method of manufacturing the organic EL display device 50a that irradiates the laser beams Lb to Le from the direction will be exemplified.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the present embodiment includes an element formation process and an element peeling process.
  • the element formation process is substantially the same as that of the first embodiment.
  • the element peeling process will be described.
  • the element peeling process can be performed using, for example, the light irradiation apparatus 80d described in the third embodiment.
  • the stage 71b is provided so as to be rotatable by 90 ° around the rotation axis S perpendicular to the mounting surface M of the substrate to be irradiated 60a. Just do it. 45 and 47, for convenience, the laser beams Lb to Le are shown to be irradiated upward, but the laser beams Lb to Le are irradiated downward to the irradiated substrate 60a on the stage 71a. (See FIG. 35).
  • the irradiated substrate 60a produced in the element formation process of the first embodiment is placed on the stage 71b so that the organic EL display device 50a side faces downward.
  • the irradiation head 72 irradiates the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser beam Lc from the first oblique direction.
  • the stage 71b is sequentially moved in the X direction or the Y direction, thereby scanning the irradiation region of the laser light Lc from one end of the support substrate 8 toward the other end.
  • the stage 71b is rotated 90 ° clockwise, and the irradiation head 72 irradiates the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser light Ld from the second oblique direction.
  • the stage 71b is sequentially moved in the X direction or the Y direction, thereby scanning the irradiation region of the laser light Ld from one end of the support substrate 8 toward the other end.
  • the stage 71b is rotated 90 ° clockwise, and the irradiation head 72 irradiates the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser light Lb from the third oblique direction. At this time, the stage 71b is sequentially moved in the X direction or the Y direction to scan the irradiation region of the laser light Lb from one end of the support substrate 8 toward the other end.
  • stage 71b is rotated 90 ° clockwise, and the irradiation head 72 irradiates the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a with the laser beam Le from the fourth oblique direction.
  • the stage 71b is sequentially moved in the X direction or the Y direction, thereby scanning the irradiation region of the laser light Le from one end of the support substrate 8 toward the other end.
  • scanning is performed by a width that is a little narrower than the width of the irradiation region of the laser beams Lb to Le so that the irradiation region slightly overlaps the irradiation region before that.
  • the separation layer 9 on the support substrate 8 expands and contracts in a short time (laser pulse width), and the adhesion at the interface between the separation layer 9 and the resin substrate layer 10 decreases, so that the irradiated substrate 60a
  • the organic EL display device 50a including the resin substrate layer 10 and the organic EL element 19a is peeled off (see FIG. 13).
  • the surface B of the support substrate 8 has a scratch B extending in the lateral direction in FIG. 46
  • the separation layer 9 has a linear unirradiated region of the laser beams Lb and Lc. Even if exists, the unirradiated region is irradiated with laser beams Ld and Le as shown in FIG.
  • the organic EL display device 50a of this embodiment can be manufactured.
  • the manufacturing method of the organic EL display apparatus 50a performed using the light irradiation apparatus 80d demonstrated in the said 3rd Embodiment was illustrated, the manufacturing method of the organic EL display apparatus 50a of this embodiment is shown.
  • the light irradiation device 80c described in the third embodiment can also be used.
  • the method of manufacturing the organic EL display device 50a in which the laser light irradiation from the first, second, third, and fourth oblique directions is performed at different times is exemplified. By simultaneously irradiating the laser beams from the second, third and fourth oblique directions, the processing time required for the element peeling step may be shortened.
  • the laser beams Lc, Ld, Lb and Le from the first, second, third and fourth oblique directions with respect to the surface of the support substrate 8 of the irradiated substrate 60a. are sequentially irradiated. Therefore, even if the deposit A exists on the surface of the support substrate 8 and there is an unirradiated region of the laser beam Lc in the separation layer 9, the unirradiated region is irradiated with the laser beams Ld, Lb, and Le. be able to. Thereby, the energy by the laser beams Lb to Le is sufficiently supplied to the separation layer 9, so that the peeling failure of the organic EL display device 50a can be suppressed.
  • the laser beams Lc, Ld, Lb and Le from the first, second, third and fourth oblique directions with respect to the surface of the support substrate 8 of the irradiated substrate 60a are sequentially irradiated, so that even if a large-sized deposit A exists on the surface of the support substrate 8, an unirradiated region of laser light is formed as compared with the case of using the laser light irradiation device 80a of the first embodiment. Can be made difficult.
  • the laser beams Lc, Ld, Lb, and Le are sequentially irradiated from the first, second, third, and fourth oblique directions onto the surface of the support substrate 8 of the substrate to be irradiated 60a. Even if linear scratches B are present on the surface of the support substrate 8, the laser beam is not irradiated as compared with the case where the laser beams Lc and Lb are irradiated from the first and second oblique directions of the third embodiment. The region can be made difficult to form.
  • 48 to 50 show a fifth embodiment of a method for manufacturing a thin film element device and a light irradiation device used therefor according to the present invention.
  • a method for manufacturing a thin film element device and a light irradiation device used therefor a method for manufacturing an organic EL display device and a laser light irradiation device used therefor will be exemplified.
  • 48, 49, and 50 are first, second, and third cross-sectional views for describing the method of manufacturing the organic EL display device of this embodiment.
  • the method of manufacturing the organic EL display device 50a including one resin substrate layer 10 is exemplified.
  • two resin substrate layers 10a and 10b are provided.
  • a method for manufacturing the organic EL display device 50b will be exemplified.
  • the organic EL display device 50b includes an element substrate 20a and a counter substrate 30a that are provided so as to face each other, and a sealing material provided in a frame shape between the element substrate 20a and the counter substrate 30a ( And a filler 25a provided in a region surrounded by a sealing material between the element substrate 20a and the counter substrate 30a.
  • a display area for image display is defined in a rectangular shape, and a plurality of pixels are arranged in a matrix in the display area.
  • a sub-pixel for performing red gradation display, a sub-pixel for performing green gradation display, and a sub-pixel for performing blue gradation display are adjacent to each other. It is arranged.
  • the element substrate 20a is provided on the first resin substrate layer 10a, the first base coat layer 11a provided on the first resin substrate layer 10a, and the first base coat layer 11a.
  • the organic EL element 19a is provided.
  • the counter substrate 30a is provided on the second resin substrate layer 10b, the second base coat layer 11b provided on the second resin substrate layer 10b, and the second base coat layer 11b.
  • the color filter layer 24 is provided.
  • the filler 25a has a getter function for adsorbing moisture, oxygen, and the like.
  • examples of the material constituting the filler 25a include thermosetting epoxy resin and silicon resin.
  • the filler 25a contains, for example, metal oxides such as calcium oxide (CaO), barium oxide (BaO), and aluminum oxide (Al 2 O 3 ), activated carbon, silica gel, zeolite, and the like.
  • the sealing material is provided so that the element substrate 20a and the counter substrate 30a are bonded to each other at the peripheral edge of the substrate.
  • a material which forms a sealing material the epoxy resin, acrylic resin, polyimide resin, phenol resin, etc. which have ultraviolet curable and / or thermosetting are mentioned, for example.
  • the resin substrate layers 10a and 10b are substantially the same as the resin substrate layer 10 described in the first embodiment.
  • the base coat layers 11a and 11b are substantially the same as the base coat layer 11 described in the first embodiment.
  • the color filter layer 24 includes, for example, a black matrix (not shown) provided in a grid pattern, and a red layer, a green layer, and a blue layer provided between the grids of the black matrix so as to correspond to each subpixel. And a plurality of colored layers (not shown).
  • the organic EL display device 50b having the above configuration has flexibility and is configured to display an image by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 via the TFT 12 in each sub-pixel. Yes.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50b of this embodiment includes a panel manufacturing process including an element forming process and an element peeling process.
  • a metal film such as molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), titanium (Ti), or an alloy including them is formed on the surface of the first support substrate 8a such as a glass substrate by, for example, sputtering.
  • An amorphous silicon film is formed to a thickness of about 100 nm to 300 nm by a film, an oxide film or a nitride film, or a CVD (chemical vapor deposition) method, and the first separation layer 9a is formed as shown in FIG. Form.
  • a polyimide resin is applied to the surface of the first separation layer 9a by, for example, a spin coating method or a slit coating method
  • the coating film is baked to obtain a thickness of 5 ⁇ m as shown in FIG.
  • a first resin substrate layer 10a having a thickness of about 20 ⁇ m is formed.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like is formed on the surface of the first resin substrate layer 10a by a CVD method to a thickness of about 50 nm to 1000 nm, for example, and as shown in FIG. Base coat layer 11a is formed.
  • the TFT 12, the interlayer insulating film 13, the first electrode 14, the edge cover 15, and the organic EL layer 16 are formed on the surface of the first base coat layer 11a using a known method.
  • the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5), the second electrode 17 and the sealing film 18 are formed, thereby forming an organic EL element 19a as shown in FIG.
  • the element substrate 20a can be produced on the first support substrate 8a via the first separation layer 9a.
  • a metal film such as molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), titanium (Ti), or an alloy including them is formed on the surface of the second support substrate 8b such as a glass substrate by, for example, sputtering.
  • An amorphous silicon film is formed to a thickness of about 100 nm to 300 nm by a film, an oxide film or a nitride film, or a CVD (chemical vapor deposition) method, and the second separation layer 9b is formed as shown in FIG. Form.
  • a polyimide resin is applied to the surface of the second separation layer 9b by, for example, a spin coat method or a slit coat method
  • the applied film is baked to obtain a thickness of 5 ⁇ m as shown in FIG.
  • a second resin substrate layer 10b having a thickness of about 20 ⁇ m is formed.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like is formed on the surface of the second resin substrate layer 10b by a CVD method, for example, to a thickness of about 50 nm to 1000 nm. As shown in FIG. Base coat layer 11b is formed.
  • a color filter layer 24 is formed on the surface of the second base coat layer 11b using a known method.
  • the counter substrate 30a can be fabricated on the second support substrate 8b via the second separation layer 9b.
  • a seal resin is arranged in a frame shape on the surface of the element substrate 20a fabricated on the first support substrate 8a by a dispenser method, and a filling resin is dropped inside the seal resin.
  • the element substrate 20a on which the sealing resin and the filling resin are arranged and the counter substrate 30a manufactured on the second support substrate 8b are bonded together in a reduced pressure atmosphere, and then the reduced pressure atmosphere is released to open the first substrate.
  • the outer surfaces of the first support substrate 8a and the second support substrate 8b are pressurized.
  • the sealing resin sandwiched between the element substrate 20a and the counter substrate 30a is irradiated with ultraviolet rays and then heated to cure the sealing resin and the filling resin, thereby forming the sealing material and the filling material 25a.
  • the irradiated substrate 60b (see FIG. 48) can be manufactured.
  • the laser beams L are different from each other from the second support substrate 8b side.
  • the adhesion at the interface between the second separation layer 9b and the second resin substrate layer 10b is reduced, and the irradiated substrate including the organic EL display device 50b is irradiated from the irradiated substrate 60b.
  • the substrate 60c is peeled off (see FIG. 49).
  • any one of the light irradiation devices 80a to 80e used in the first to fourth embodiments as shown in FIG. 49, from the first support substrate 8a side of the substrate to be irradiated 60c.
  • the adhesion at the interface between the first separation layer 9a and the first resin substrate layer 10a is reduced, and as shown in FIG.
  • the organic EL display device 50b is peeled from the substrate 60c.
  • the organic EL display device 50b of this embodiment can be manufactured.
  • the color filter layer 24 may be abbreviate
  • FIGS. 51, 52, and 53 are first, second, and third cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the liquid crystal display device 50c of the present embodiment.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 50a is illustrated.
  • a method for manufacturing the liquid crystal display device 50c is illustrated.
  • the liquid crystal display device 50c includes an element substrate 20b and a counter substrate 30b that are provided so as to face each other, and a sealing material (non-set) provided in a frame shape between the element substrate 20b and the counter substrate 30b. And a liquid crystal layer 25b provided in a region surrounded by a sealing material between the element substrate 20b and the counter substrate 30b.
  • a display area for image display is defined in a rectangular shape, and a plurality of pixels are arranged in a matrix in the display area.
  • a sub-pixel for performing red gradation display, a sub-pixel for performing green gradation display, and a sub-pixel for performing blue gradation display are adjacent to each other. It is arranged.
  • the element substrate 20b is provided on the first resin substrate layer 10a, the first base coat layer 11a provided on the first resin substrate layer 10a, and the first base coat layer 11a.
  • TFT array element 19b is provided on the first resin substrate layer 10a, the first base coat layer 11a provided on the first resin substrate layer 10a, and the first base coat layer 11a.
  • the TFT array element 19b includes, for example, a plurality of TFTs (12 (see FIG. 1)), an interlayer insulating film (13 (see FIG. 1)), a plurality of pixel electrodes, and an orientation provided in order on the first base coat layer 11a. It has a membrane.
  • the plurality of pixel electrodes are provided in a matrix on the interlayer insulating film (13) so as to correspond to each sub-pixel.
  • Each pixel electrode is connected to the drain electrode of each TFT (12) through a contact hole formed in the interlayer insulating film (13).
  • the pixel electrode is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide).
  • the alignment films of the TFT array element 19b and the counter substrate 30b are made of, for example, a polyimide resin.
  • the counter substrate 30b includes a second resin substrate layer 10b, a second base coat layer 11b sequentially provided on the second resin substrate layer 10b, a color filter layer 24, a common electrode 23, and And an alignment film (not shown).
  • the common electrode 23 is made of a transparent conductive film such as ITO.
  • the liquid crystal layer 25b is made of, for example, a nematic liquid crystal material having electro-optical characteristics.
  • the liquid crystal display device 50c having the above configuration has flexibility, and is disposed between each pixel electrode on the element substrate 20b and the common electrode 23 on the counter substrate 30 via the TFT (12) in each subpixel.
  • a predetermined voltage to the liquid crystal layer 25b to change the alignment state of the liquid crystal layer 25b for example, the light transmittance from the backlight is adjusted to display an image.
  • the manufacturing method of the liquid crystal display device 50c of this embodiment includes a panel manufacturing process including an element forming process and an element peeling process.
  • a TFT (12), an interlayer insulating film (13), a pixel electrode, and an alignment film are formed on the surface of the first base coat layer 11a formed in the panel manufacturing process of the fifth embodiment using a known method.
  • a TFT array element 19b is formed as shown in FIG.
  • the element substrate 20b can be fabricated on the first support substrate 8a via the first separation layer 9a.
  • the surface of the second base coat layer 11b formed in the panel manufacturing process of the fifth embodiment is formed using a known method as shown in FIG. 51. A film is formed. Thereby, the counter substrate 30b can be produced on the second support substrate 8b via the second separation layer 9b.
  • a seal resin is arranged in a frame shape by, for example, a dispenser method, and a liquid crystal material is dropped inside the seal resin.
  • the element substrate 20b on which the sealing resin and the filling resin are arranged and the counter substrate 30b manufactured on the second support substrate 8b are bonded together in a reduced pressure atmosphere, and then the reduced pressure atmosphere is released, thereby The outer surfaces of the first support substrate 8a and the second support substrate 8b are pressurized.
  • the sealing resin sandwiched between the element substrate 20b and the counter substrate 30b is irradiated with ultraviolet rays, and then heated to cure the sealing resin, thereby forming the sealing material and the liquid crystal layer 25b.
  • the irradiated substrate 60d (see FIG. 51) can be manufactured.
  • the laser beams L are different from each other from the second support substrate 8b side as shown in FIG.
  • the adhesion at the interface between the second separation layer 9b and the second resin substrate layer 10b is lowered, and the irradiated substrate including the liquid crystal display device 50c from the irradiated substrate 60d. 60e is peeled off (see FIG. 52).
  • any one of the light irradiation devices 80a to 80e used in the first to fourth embodiments as shown in FIG. 52, from the first support substrate 8a side of the substrate to be irradiated 60e.
  • the adhesion at the interface between the first separation layer 9a and the first resin substrate layer 10a is reduced, and as shown in FIG.
  • the liquid crystal display device 50c is peeled off from the substrate 60e.
  • the liquid crystal display device 50c of this embodiment can be manufactured.
  • the organic EL layer having the five-layer structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is illustrated.
  • a three-layer laminated structure of a hole injection layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer may be used.
  • the organic EL display device using the first electrode as the anode and the second electrode as the cathode is illustrated.
  • the present invention reverses the stacked structure of the organic EL layers,
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.
  • the organic EL display device or the liquid crystal display device including the element substrate using the electrode of the TFT connected to the first electrode as the drain electrode is exemplified.
  • the present invention is connected to the first electrode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device or a liquid crystal display device provided with an element substrate in which the TFT electrode is called a source electrode.
  • the organic EL display device or the liquid crystal display device is exemplified as the thin film element device.
  • the present invention can also be applied to a thin film element device such as an X-ray image sensor.
  • the present invention is useful for flexible display devices.

Abstract

　透明な支持基板８に基板層１０を形成した後に、その基板層１０に薄膜素子を形成する素子形成工程と、支持基板８の基板層１０及び薄膜素子が形成された側と反対側からレーザー光Ｌａ及びＬｂを照射することにより、基板層１０及び薄膜素子を支持基板８から剥離させる素子剥離工程とを備え、素子剥離工程では、レーザー光Ｌａ、Ｌｂを互いに異なる複数の方向から照射する。

Description

薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置
　本発明は、薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置に関するものである。
　近年、ガラス基板等の透明な支持基板上に分離層を形成し、その分離層上に基板層及び有機ＥＬ（electroluminescence）素子等の薄膜素子を形成した後に、支持基板側からレーザー光を照射することにより、分離層と基板層との界面での密着性を低下させて、基板層及び薄膜素子を支持基板から剥離させる薄膜素子装置の製造方法が提案されている。
　例えば、特許文献１には、基板上に分離層を介して存在する被転写層を基板から剥離する被転写層の剥離方法において、分離層にレーザー光を複数回照射して、被転写層を基板から離脱させる際、レーザー光による単位照射領域が略正六角形である被転写層の剥離方法が開示されている。
特開２００８－２４４１８８号公報
　ところで、上述したようなレーザー光の照射により、薄膜素子装置を支持基板から剥離させる薄膜素子装置の製造方法では、支持基板のレーザー光を照射する側の表面（裏面）に付着物やキズ等が存在すると、付着物やキズ等が存在する部分でレーザー光が遮断されてしまう。そうなると、付着物やキズ等が存在する部分では、レーザー光によるエネルギーが分離層に十分に供給されなくなるので、薄膜素子装置の剥離が局所的に不良になり、薄膜素子装置の一部が支持基板の表面に残ってしまう。ここで、レーザー光が照射される支持基板の裏面は、製造工程中に、例えば、基板搬送装置のローラーや処理装置のステージの表面に接触するので、汚れが付着したり、微細なキズが生じたり、薬液が残ったりするおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、薄膜素子装置の剥離不良を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る薄膜素子装置の製造方法は、透明な支持基板に基板層を形成した後に、該基板層に薄膜素子を形成する素子形成工程と、前記支持基板の前記基板層及び薄膜素子が形成された側と反対側からレーザー光を照射することにより、前記基板層及び薄膜素子を前記支持基板から剥離させる素子剥離工程とを備える薄膜素子装置の製造方法であって、前記素子剥離工程では、前記レーザー光を互いに異なる複数の方向から照射することを特徴とする。
　また、本発明に係る光照射装置は、被照射基板を載置するステージと、前記被照射基板にレーザー光を照射する照射ヘッドとを備えた光照射装置であって、前記ステージ又は照射ヘッドは、前記被照射基板に対して、互いに異なる複数の方向からレーザー光を照射するように構成されていることを特徴とする。
　本発明によれば、レーザー光を互いに異なる複数の方向から照射するので、薄膜素子装置の剥離不良を抑制することにある。
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を製造するために作製する被照射基板の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる光照射装置の側面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための第１の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための第２の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための第３の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における効果を説明するための第１の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における効果を説明するための第２の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の入射角度を説明するための第１の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の入射角度を説明するための第２の断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する第１の断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する第２の断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる光照射装置の側面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における効果を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる光照射装置の側面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるレーザー光の照射方法を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置の側面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置における基板反転機構の変形例を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置における基板反転機構の変形例を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置における基板反転機構の変形例を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置における基板反転機構の変形例を説明するための側面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置における基板反転機構の変形例を説明するための側面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置における基板反転機構の変形例を説明するための側面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置における基板反転機構の他の変形例を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置における基板反転機構の他の変形例を説明するための平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いる第２の変形例の光照射装置の側面図である。 本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における効果を説明するための断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための第１の断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための第２の断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための第３の断面図である。 本発明の第６の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための第１の断面図である。 本発明の第６の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための第２の断面図である。 本発明の第６の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための第３の断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図１７は、本発明に係る薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置の第１の実施形態を示している。なお、本実施形態では、薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置として、有機ＥＬ表示装置の製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層１６の断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート層１１と、ベースコート層１１上に設けられた有機ＥＬ素子１９ａと、有機ＥＬ素子１９ａ上に接着層２１を介して設けられた支持体２２とを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、例えば、画像表示を行う表示領域が矩形状に規定され、その表示領域には、複数の画素がマトリクス状に配列されている。そして、各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等の耐熱性を有する透明な樹脂材料により構成されている。
　ベースコート層１１は、例えば、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。
　有機ＥＬ素子１９ａは、ベースコート層１１上に順に設けられた複数のＴＦＴ１２、層間絶縁膜１３、複数の第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６、第２電極１７及び封止膜１８を備えている。
　ＴＦＴ１２は、図１に示すように、ベースコート層１１上に各サブ画素毎に設けられたスイッチング素子である。ここで、ＴＦＴ１２は、例えば、ベースコート層１１上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にゲート電極と重なるように設けられた半導体層と、半導体層上に互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、ボトムゲート型のＴＦＴ１２を例示したが、ＴＦＴ１２は、トップゲート型のＴＦＴであってもよい。
　層間絶縁膜１３は、図１に示すように、各ＴＦＴ１２のドレイン電極の一部以外を覆うように設けられている。ここで、層間絶縁膜１３は、例えば、アクリル樹脂等の透明な有機樹脂材料により構成されている。
　複数の第１電極１４は、図１に示すように、複数のサブ画素に対応するように、層間絶縁膜１３上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極１４は、図１に示すように、層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー１５は、図１に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図１に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、有機ＥＬ層１６は、図２に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１８の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７は、図１に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆うように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜１８は、図１に示すように、複数の第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６及び第２電極１７の積層体を覆うように設けられている。そして、封止膜１８は、有機ＥＬ層１６を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、封止膜１８を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料が挙げられる。
　接着層２１は、例えば、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系等の熱硬化型又は紫外線硬化型の接着剤により構成されている。
　支持体２２は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミド等の可撓性を有する合成樹脂フィルムにより構成されている。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ａは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。ここで、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを製造するために作製する被照射基板６０ａの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法に用いる光照射装置８０ａの側面図である。また、図５、図６及び図１３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を説明するための第１、第２及び第３の断面図である。また、図７～図１２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法におけるレーザー光Ｌａ、Ｌｂの照射方法を説明するための平面図及び断面図である。また、図１４及び図１５は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における効果を説明するための第１及び第２の断面図である。また、図１６及び図１７は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法におけるレーザー光Ｌｂの入射角度θを説明するための第１及び第２の断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、素子形成工程及び素子剥離工程を備える。
　＜素子形成工程＞
　まず、ガラス基板等の支持基板８の表面に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の金属膜、それらを含む合金膜、酸化物膜若しくは窒化物膜、又はＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により、アモルファスシリコン膜を厚さ１００ｎｍ～３００ｎｍ程度に成膜して、図３に示すように、分離層９を形成する。
　続いて、分離層９の表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、ポリイミド樹脂を塗布した後に、その塗布膜を焼成することにより、図３に示すように、厚さ５μｍ～２０μｍ程度の樹脂基板層１０を形成する。
　さらに、樹脂基板層１０の表面に、例えば、ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等を厚さ５０ｎｍ～１０００ｎｍ程度に成膜して、図３に示すように、ベースコート層１１を形成する。
　その後、ベースコート層１１の表面に、周知の方法を用いて、ＴＦＴ１２、層間絶縁膜１３、第１電極１４、エッジカバー１５、有機ＥＬ層１６（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極１７及び封止膜１８を形成することにより、図３に示すように、有機ＥＬ素子１９ａを形成する。
　さらに、封止膜１８の表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、熱硬化型又は紫外線硬化型の接着剤を塗布した後に、その塗布面に、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミド等の可撓性を有する合成樹脂フィルムを配置させ、塗布した接着剤を硬化させることにより、図３に示すように、封止膜１８の表面に接着層２１を介して支持体２２を貼り付ける。なお、本実施形態では、封止膜１８の表面に接着剤を塗布して支持体２２を貼り付ける製造方法を例示したが、封止膜１８の表面にフィルム状の接着剤を貼り付けた後に、その表面に支持体２２を貼り付けてもよい。
　以上のようにして、被照射基板６０ａ（図３参照）を作製することができる。
　＜素子剥離工程＞
　ここで、素子剥離工程に用いる光照射装置８０ａについて説明する。
　光照射装置８０ａは、図４に示すように、実質的に密閉空間を形成する処理室７０と、処理室７０内に設けられたステージ７１ａ、照射ヘッド７２ａ及び照射ヘッド７２ｂと、照射ヘッド７２ａ及び７２ｂに光ファイバケーブルを介してレーザー光Ｌａ及びＬｂを供給するレーザー光源（不図示）とを備えている。ここで、レーザー光源は、例えば、ＸｅＦエキシマレーザー（波長３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）、ＹＶＯ４固体レーザー（波長３５５ｎｍ）等により構成されている。なお、レーザー光Ｌａ及びＬｂの波長は、支持基板８に対する透過率が高いものを選択することが好ましい。
　ステージ７１ａは、被照射基板６０ａを載置して、処理室７０内において、Ｘ（縦）方向及びＹ（横）方向に移動可能に構成されている。
　照射ヘッド７２ａは、図４に示すように、被照射基板６０ａの表面に対して垂直方向からレーザー光Ｌａを照射するように構成されている。
　照射ヘッド７２ｂは、図４に示すように、被照射基板６０ａの表面に対して斜め方向（入射角θ：３０°～８０°程度）からレーザー光Ｌｂを照射するように構成されている。
　なお、本実施形態では、被照射基板６０ａに対するレーザー光Ｌａ及びＬｂの照射領域を走査させるために、被照射基板６０ａを載置したステージ７１ａが移動可能に構成された光照射装置８０ａを例示したが、ステージ７１ａを移動させる代わりに、照射ヘッド７２ａ及び７２ｂを移動させてもよい。
　上記構成の光照射装置８０ａを用いて行う素子剥離工程について、図４～図１７を用いて説明する。ここで、図５、図６、図１０～図１２、図１４～図１７では、便宜上、レーザー光Ｌａ及びＬｂを上向きに照射するように示しているが、レーザー光Ｌａ及びＬｂは、図４に示すように、ステージ７１ａ上の被照射基板６０ａに対して下向きに照射される。
　まず、図４に示すように、ステージ７１ａ上に上記素子形成工程で作製された被照射基板６０ａをその有機ＥＬ表示装置５０ａ側が下向きになるように載置する。
　続いて、図４及び図５に示すように、照射ヘッド７２ａを用いて、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して垂直方向からレーザー光Ｌａを照射すると共に、図４及び図６に示すように、照射ヘッド７２ｂを用いて、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射する。このとき、ステージ７１ａをＸ方向又はＹ方向に順次移動させることにより、図７～図１２に示すように、レーザー光Ｌａ及びＬｂの照射領域を支持基板８の一方端から他方端に向けて走査させる。ここで、図７～図１２では、便宜上、レーザー光Ｌａ及びＬｂの各照射領域をその前後の照射領域に重なり合わないように示しているが、レーザー光Ｌａ及びＬｂを走査させる際には、レーザー光Ｌａ及びＬｂの照射領域の幅のより少し狭い幅の分だけ走査させて、当該照射領域がその前の照射領域に少し重なり合うようにする。なお、本実施形態では、レーザー光Ｌａ及びＬｂの照射スポットのビーム形状として、矩形を例示したが、そのビーム形状は、円形や楕円形等の他の形状であってもよい。
　これにより、支持基板８上の分離層９が短時間（レーザーパルス幅）で膨張及び収縮して、分離層９と樹脂基板層１０との界面での密着性が低下するので、図１３に示すように、被照射基板６０ａから、樹脂基板層１０及び有機ＥＬ素子１９ａを含む有機ＥＬ表示装置５０ａが剥離する。ここで、支持基板８の表面に対して斜め方向からのレーザー光Ｌｂの強度は、当然、支持基板８の表面に対して垂直方向からのレーザー光Ｌａの強度よりも低くなる。さらに、垂直方向からのレーザー光Ｌａを照射した後に、斜め方向からのレーザー光Ｌｂを照射することにより、分離層９と樹脂基板層１０との界面での密着性が低下していない箇所にレーザー光Ｌｂを弱く照射すればよいので、斜め方向からのレーザー光Ｌｂを照射した後に、垂直方向からのレーザー光Ｌａを照射する場合よりも斜め方向からのレーザー光Ｌｂの強度を低くすることができる。また、図１４に示すように、支持基板８の表面に付着物Ａが存在して、分離層９にレーザー光Ｌａの未照射領域Ｕが存在しても、その未照射領域Ｕには、図１５に示すように、レーザー光Ｌｂが照射される。また、レーザー光Ｌｂは、図１６及び図１７に示すように、支持基板８の表面に対する入射角θが大きい程、大面積の付着物Ａによる未照射領域に照射される。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置８０ａによれば、以下の（１）～（７）の効果を得ることができる。
　（１）レーザー光照射装置８０ａを用いる素子剥離工程では、照射ヘッド７２ａにより被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して垂直方向からレーザー光Ｌａを照射すると共に、照射ヘッド７２ｂにより被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射する。そのため、支持基板８の表面に付着物Ａが存在して、分離層９にレーザー光Ｌａの未照射領域Ｕが存在しても、その未照射領域Ｕには、レーザー光Ｌｂを照射することができる。これにより、レーザー光Ｌａ及びＬｂによるエネルギーが分離層９に十分に供給されるので、有機ＥＬ表示装置５０ａの剥離不良を抑制することができる。
　（２）レーザー光照射装置８０ａを用いる素子剥離工程では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して垂直方向からレーザー光Ｌａの照射を行いながら、被照射基板６０ａの別のエリアで支持基板８の表面に対して斜め方向からレーザー光Ｌｂの照射を行うので、素子剥離工程に要する処理時間を短くすることができる。なお、本実施形態では、レーザー光Ｌａの照射と、レーザー光Ｌｂの照射とを別々のエリアに同時に行う製造方法を例示したが、レーザー光Ｌａの照射と、レーザー光Ｌｂの照射とを同じエリアに同時に行ってもよい。また、レーザー光Ｌａの照射と、レーザー光Ｌｂの照射とを同じエリアに交互に行う場合には、被照射基板６０ａの温度上昇が抑制されて、有機ＥＬ素子１９ａへのダメージを小さくすることができる。
　（３）レーザー光照射装置８０ａを用いる素子剥離工程では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して斜め方向からのレーザー光Ｌｂの強度をその垂直方向からのレーザー光Ｌａの強度よりも低くすることにより、レーザー光Ｌａ及びＬｂの照射による消費電力が少なくなるので、製造コストを低減することができる。
　（４）素子形成工程では、支持基板８及び樹脂基板層１０の間に分離層９を形成するので、分離層９が熱光交換膜として機能することにより、レーザー光Ｌａ及びＬｂが樹脂基板層１０に直接的に照射されなくなり、レーザー光Ｌａ及びＬｂによる樹脂基板層１０のダメージを抑制することができる。なお、本実施形態では、支持基板８及び樹脂基板層１０の間に分離層９が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、分離層９を省略して、樹脂基板層１０の支持基板８側でアブレーションを発生させてもよい。
　（５）素子形成工程では、樹脂基板層１０及び有機ＥＬ素子１９ａの間にベースコート層１１を形成するので、ベースコート層１１が保護膜として機能することにより、ドライエッチング、ウエットエッチング、レジストの剥離、ベーキング等の処理における樹脂基板層１０のダメージを抑制することができる。なお、本実施形態では、樹脂基板層１０及び有機ＥＬ素子１９ａの間にベースコート層１１が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、ベースコート層１１は、省略されていてもよい。
　（６）素子形成工程では、有機ＥＬ素子１９ａを形成した後に、有機ＥＬ素子１９ａの表面に支持体２２を接着するので、素子剥離工程の後に、有機ＥＬ表示装置５０ａがロール状に変形することを抑制することができ、後工程の処理を容易にすることができる。なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子１９ａの表面に支持体２２を接着する有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を例示したが、支持体２２の接着を省略してもよい。
　（７）素子形成工程では、有機ＥＬ素子１９ａを形成するので、自発光型の表示装置を実現することができる。
　《第２の実施形態》
　図１８～図２１は、本発明に係る薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置の第２の実施形態を示している。なお、本実施形態では、薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置として、有機ＥＬ表示装置の製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置を例示する。ここで、図１８及び図１９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を説明する第１及び第２の断面図である。また、図２０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法に用いる光照射装置８０ｂの側面図である。また、図２１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における効果を説明するための断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図１７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して垂直方向からのレーザー光Ｌａ及び斜め方向からのレーザー光Ｌｂをそれぞれ照射して、有機ＥＬ表示装置５０ａを製造する方法を例示したが、本実施形態では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１の斜め方向からのレーザー光Ｌｂ及び第２の斜め方向からのレーザー光Ｌｃをそれぞれ照射して、有機ＥＬ表示装置５０ａを製造する方法を例示する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、素子形成工程及び素子剥離工程を備えるが、その素子形成工程は、上記第１の実施形態の素子形成工程と実質的に同じであるので、以下には、素子剥離工程について説明する。
　＜素子剥離工程＞
　ここで、素子剥離工程に用いる光照射装置８０ｂについて説明する。
　光照射装置８０ｂは、図２０に示すように、実質的に密閉空間を形成する処理室７０と、処理室７０内に設けられたステージ７１ａ、照射ヘッド７２ｂ及び照射ヘッド７２ｃと、照射ヘッド７２ｂ及び７２ｃに光ファイバケーブルを介してレーザー光Ｌｂ及びＬｃを供給するレーザー光源（不図示）とを備えている。
　照射ヘッド７２ｂは、図２０に示すように、被照射基板６０ａの表面に対して図中右上側から左下側に向けての第１の斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射するように構成されている。
　照射ヘッド７２ｃは、図２０に示すように、被照射基板６０ａの表面に対して図中左上側から右下側に向けての第２の斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射するように構成されている。
　なお、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、被照射基板６０ａに対するレーザー光Ｌｂ及びＬｃの照射領域を走査させるために、被照射基板６０ａを載置した状態で移動可能なステージ７１ａを備えた光照射装置８０ｂを例示したが、ステージ７１ａを移動させる代わりに、照射ヘッド７２ｂ及び７２ｃを移動させてもよい。
　上記構成の光照射装置８０ｂを用いて行う素子剥離工程について、図１８～図２１を用いて説明する。ここで、図１８、図１９及び図２１では、便宜上、レーザー光Ｌｂ及びＬｃを上向きに照射するように示しているが、レーザー光Ｌｂ及びＬｃは、図２０に示すように、ステージ７１ａ上の被照射基板６０ａに対して下向きに照射される。
　まず、図２０に示すように、ステージ７１ａ上に上記第１の実施形態の素子形成工程で作製された被照射基板６０ａをその有機ＥＬ表示装置５０ａ側が下向きになるように載置する。
　続いて、図１８及び図２０に示すように、照射ヘッド７２ｂを用いて、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１の斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射すると共に、図１９及び図２０に示すように、照射ヘッド７２ｃを用いて、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して斜め方向からレーザー光Ｌｃを照射する。このとき、ステージ７１ａをＸ方向又はＹ方向に順次移動させることにより、レーザー光Ｌｂ及びＬｃの照射領域を支持基板８の一方端から他方端に向けて走査させる。ここで、レーザー光Ｌｂ及びＬｃを走査させる際には、レーザー光Ｌｂ及びＬｃの照射領域の幅のより少し狭い幅の分だけ走査させて、当該照射領域がその前の照射領域に少し重なり合うようにする。
　これにより、支持基板８上の分離層９が短時間（レーザーパルス幅）で膨張及び収縮して、分離層９と樹脂基板層１０との界面での密着性が低下するので、被照射基板６０ａから、樹脂基板層１０及び有機ＥＬ素子１９ａを含む有機ＥＬ表示装置５０ａが剥離する（図１３参照）。ここで、図２１に示すように、支持基板８の表面に付着物Ａが存在して、分離層９にレーザー光Ｌｂの未照射領域が存在しても、その未照射領域には、レーザー光Ｌｃが照射される。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置８０ｂによれば、上述の（１）、（２）、（４）～（７）の効果の他に以下の（８）の効果を得ることができる。
　（１）について詳述すると、レーザー光照射装置８０ｂを用いる素子剥離工程では、照射ヘッド７２ｂにより被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１の斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射すると共に、照射ヘッド７２ｃにより被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第２の斜め方向からレーザー光Ｌｃを照射する。そのため、支持基板８の表面に付着物Ａが存在して、分離層９にレーザー光Ｌｂの未照射領域が存在しても、その未照射領域には、レーザー光Ｌｃを照射することができる。これにより、レーザー光Ｌｂ及びＬｃによるエネルギーが分離層９に十分に供給されるので、有機ＥＬ表示装置５０ａの剥離不良を抑制することができる。
　（２）について詳述すると、レーザー光照射装置８０ｂを用いる素子剥離工程では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１及び第２の斜め方向からレーザー光Ｌｂ及びＬｃの照射を同時に行うので、素子剥離工程に要する処理時間を短くすることができる。なお、本実施形態では、レーザー光Ｌｂの照射と、レーザー光Ｌｃの照射とを別々のエリアに同時に行う製造方法を例示したが、レーザー光Ｌｂの照射と、レーザー光Ｌｃの照射とを同じエリアに同時に行ってもよい。また、レーザー光Ｌｂの照射と、レーザー光Ｌｃの照射とを同じエリアに交互に行う場合には、被照射基板６０ａの温度上昇が抑制されて、有機ＥＬ素子１９ａへのダメージを小さくすることができる。
　（８）レーザー光照射装置８０ｂを用いる素子剥離工程では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１及び第２の斜め方向からレーザー光Ｌｂ及びＬｃを照射するので、支持基板８の表面に大面積の付着物Ａが存在しても、上記第１の実施形態のレーザー光照射装置８０ａを用いた場合よりもレーザー光の未照射領域が形成され難くすることができる。
　《第３の実施形態》
　図２２～図４４は、本発明に係る薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置の第３の実施形態を示している。なお、本実施形態では、薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置として、有機ＥＬ表示装置の製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置を例示する。ここで、図２２は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法に用いる光照射装置８０ｃの側面図である。また、図２３～図３４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法におけるレーザー光Ｌｂ、Ｌｃの照射方法を説明するための平面図及び断面図である。また、図３５は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法に用いる第１の変形例の光照射装置８０ｄの側面図である。また、図３６～図４１は、光照射装置８０ｄにおける基板反転機構の変形例を説明するための平面図及び側面図である。また、図４２は、光照射装置８０ｄにおける基板反転機構の他の変形例を説明するための平面図である。また、図４４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法に用いる第２の変形例の光照射装置８０ｅの側面図である。
　上記第１及び第２の実施形態では、２つの照射ヘッド７２ａ、７２ｂを備えたレーザー光照射装置８０ａ及び８０ｂを用いる有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を例示したが、本実施形態では、１つの照射ヘッド７２を備えたレーザー光照射装置８０ｃを用いる有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を例示する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、素子形成工程及び素子剥離工程を備えるが、その素子形成工程は、上記第１の実施形態の素子形成工程と実質的に同じであるので、以下には、素子剥離工程について説明する。
　＜素子剥離工程＞
　ここで、素子剥離工程に用いる光照射装置８０ｃについて説明する。
　光照射装置８０ｃは、図２２に示すように、実質的に密閉空間を形成する処理室７０と、処理室７０内に設けられたステージ７１ａ及び照射ヘッド７２と、照射ヘッド７２に光ファイバケーブルを介してレーザー光Ｌｂ、Ｌｃを供給するレーザー光源（不図示）とを備えている。
　照射ヘッド７２は、図２２に示すように、被照射基板６０ａの表面に対して図中左上側から右下側に向けての第１の斜め方向からレーザー光Ｌｃを照射する状態と、被照射基板６０ａの表面に対して図中右上側から左下側に向けての第２の斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射する状態（２点鎖線）とが切り替わるように１８０°ずつ反転可能に設けられている。
　なお、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、被照射基板６０ａに対するレーザー光Ｌｂ及びＬｃの照射領域を走査させるために、被照射基板６０ａを載置した状態で移動可能なステージ７１ａを備えた光照射装置８０ｃを例示したが、ステージ７１ａを移動させる代わりに、照射ヘッド７２を移動させてもよい。
　上記構成の光照射装置８０ｃを用いて行う素子剥離工程について、図２２～図３４を用いて説明する。ここで、図２９～図３４では、便宜上、レーザー光Ｌｂ及びＬｃを上向きに照射するように示しているが、レーザー光Ｌｂ及びＬｃは、図２２に示すように、ステージ７１ａ上の被照射基板６０ａに対して下向きに照射される。
　まず、図２２に示すように、ステージ７１ａ上に上記第１の実施形態の素子形成工程で作製された被照射基板６０ａをその有機ＥＬ表示装置５０ａ側が下向きになるように載置する。
　続いて、図２２に示すように、照射ヘッド７２を用いて、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１の斜め方向からレーザー光Ｌｃを照射した後に、照射ヘッド７２を１８０°反転させ、その照射ヘッド７２（２点鎖線参照）を用いて、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第２の斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射する。このとき、ステージ７１ａをＸ方向又はＹ方向に順次移動させることにより、図２３～図３５、及び図２９～図３１に示すように、レーザー光Ｌｃの照射領域を支持基板８の一方端から他方端に向けて走査させる。さらに、ステージ７１ａを元の位置に戻した後に、Ｘ方向又はＹ方向に順次移動させることにより、図２６～図２８、及び図３２～図３４に示すように、レーザー光Ｌｂの照射領域を支持基板８の一方端から他方端に向けて走査させる。ここで、図２３～図３４では、便宜上、レーザー光Ｌｂ及びＬｃの各照射領域をその前後の照射領域に重なり合わないように示しているが、レーザー光Ｌｂ及びＬｃを走査させる際には、レーザー光Ｌｂ及びＬｃの照射領域の幅のより少し狭い幅の分だけ走査させて、当該照射領域がその前の照射領域に少し重なり合うようにする。
　これにより、支持基板８上の分離層９が短時間（レーザーパルス幅）で膨張及び収縮して、分離層９と樹脂基板層１０との界面での密着性が低下するので、被照射基板６０ａから、樹脂基板層１０及び有機ＥＬ素子１９ａを含む有機ＥＬ表示装置５０ａが剥離する（図１３参照）。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　なお、本実施形態では、照射ヘッド７２が反転して、レーザー光Ｌｂ及びＬｃの照射方向が切り替わる光照射装置８０ｃを例示したが、以下のような構成の光照射装置８０ｄ及び８０ｅであってもよい。
　光照射装置８０ｄは、図３５に示すように、実質的に密閉空間を形成する処理室７０と、処理室７０内に設けられたステージ７１ｂ及び照射ヘッド７２と、照射ヘッド７２に光ファイバケーブルを介してレーザー光Ｌｂ及びＬｃを供給するレーザー光源（不図示）とを備えている。ここで、照射ヘッド７２は、図３５に示すように、ステージ７１ｂの動作により、被照射基板６０ａの表面に対して第１及び第２の斜め方向からレーザー光Ｌｃ及びＬｂを照射するように構成されている。そして、ステージ７１ｂは、図３５に示すように、被照射基板６０ａに対するレーザー光Ｌｂ及びＬｃの照射方向が切り替わるように、被照射基板６０ａの載置面Ｍに垂直な回転軸Ｓ周りに１８０°ずつ回動可能に設けられている。なお、光照射装置８０ｄでは、ステージ７１ｂが回転軸Ｓ周りに１８０°ずつ回動可能な基板反転機構を搭載しているが、基板反転機構は、例えば、図３６～図４１に示すような構成や図４２に示すような構成等であってもよい。ここで、図３６～図３８及び図４２の平面図では、被照射基板６０ａの向きを明示するために被照射基板６０ａの１つの角部に黒丸の印を付している。
　具体的に、ステージ７１ｂの代わりになるステージ７１ｃは、図３６～図４１に示すように、基板反転昇降機構７３を備えている。ここで、基板反転昇降機構７３は、図３６～図４１に示すように、被照射基板６０ａを吸着した状態でステージ７１ｃの表面から持ち上げて、被照射基板６０ａを回転軸Ｓ周りに１８０°回転させた後に、被照射基板６０ａをステージ７１ｃの表面まで下ろすように構成されている。また、ステージ７１ｂの代わりになるステージ７１ｄは、図４２に示すように、上述のような基板反転機構を備えず、ステージ７１ｄ上の被照射基板６０ａを図中の２点鎖線に沿って移動する搬送ロボット７４で出し入れして、被照射基板６０ａの向きを変えてもよい。
　光照射装置８０ｅは、図４４に示すように、実質的に密閉空間を形成する処理室７０と、処理室７０内に設けられたステージ７１ｅ及び照射ヘッド７２と、照射ヘッド７２に光ファイバケーブルを介してレーザー光Ｌｂ、Ｌｃを供給するレーザー光源（不図示）とを備えている。ここで、照射ヘッド７２は、図４４に示すように、ステージ７１ｅの動作により、被照射基板６０ａの表面に対して第１及び第２の斜め方向からレーザー光Ｌｃ及びＬｂを照射するように構成されている。そして、ステージ７１ｅは、図４４に示すように、被照射基板６０ａに対するレーザー光Ｌｂ及びＬｃの照射方向が切り替わるように、被照射基板６０ａの載置面Ｍに平行な回転軸Ｓ周りに回動可能に設けられている。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置８０ｃ～８０ｅによれば、上述の（１）、（４）～（８）の効果の他に以下の（９）の効果を得ることができる。
　（１）について詳述すると、レーザー光照射装置８０ｃ～８０ｅを用いる素子剥離工程では、照射ヘッド７２により被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１の斜め方向からレーザー光Ｌｃを照射した後に、照射ヘッド７２により被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第２の斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射する。そのため、支持基板８の表面に付着物Ａが存在して、分離層９にレーザー光Ｌｃの未照射領域が存在しても、その未照射領域には、レーザー光Ｌｂを照射することができる。これにより、レーザー光Ｌｂ及びＬｃによるエネルギーが分離層９に十分に供給されるので、有機ＥＬ表示装置５０ａの剥離不良を抑制することができる。
　（８）について詳述すると、レーザー光照射装置８０ｃ～８０ｅを用いる素子剥離工程では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１及び第２の斜め方向からレーザー光Ｌｃ及びＬｂを照射するので、支持基板８の表面に大面積の付着物Ａが存在しても、上記第１の実施形態のレーザー光照射装置８０ａを用いた場合よりもレーザー光の未照射領域が形成され難くすることができる。
　（９）レーザー光照射装置８０ｃ～８０ｅでは、照射ヘッド７２が１つだけ設けられているので、照射ヘッド７２にレーザー光を供給するレーザー発振器が１台で済むことになり、低コストのレーザー光照射装置８０ｃ～８０ｅを実現することができる。
　《第４の実施形態》
　図４５～図４７は、本発明に係る薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置の第４の実施形態を示している。なお、本実施形態では、薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置として、有機ＥＬ表示装置の製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置を例示する。ここで、図４５及び図４６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を説明するための断面図及び平面図である。また、図４７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における効果を説明するための断面図である。
　上記第２及び第３の実施形態では、斜め２方向からレーザー光Ｌｂ、Ｌｃを照射する有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を例示したが、本実施形態では、平面視で９０°ずつ異なる斜め４方向からレーザー光Ｌｂ～Ｌｅを照射する有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を例示する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、素子形成工程及び素子剥離工程を備えるが、素子形成工程は、上記第１の実施形態のものと実質的に同じであるので、以下には、素子剥離工程について説明する。
　＜素子剥離工程＞
　ここで、素子剥離工程は、例えば、上記第３の実施形態で説明した光照射装置８０ｄを用いて行うことができる。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法に対応するために、ステージ７１ｂが被照射基板６０ａの載置面Ｍに垂直な回転軸Ｓ周りに９０°ずつ回動可能に設けられていればよい。また、図４５及び図４７では、便宜上、レーザー光Ｌｂ～Ｌｅを上向きに照射するように示しているが、レーザー光Ｌｂ～Ｌｅは、ステージ７１ａ上の被照射基板６０ａに対して下向きに照射される（図３５参照）。
　まず、図３５に示すように、ステージ７１ｂ上に上記第１の実施形態の素子形成工程で作製された被照射基板６０ａをその有機ＥＬ表示装置５０ａ側が下向きになるように載置する。
　続いて、図３５、図４５及び図４６に示すように、照射ヘッド７２により、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１の斜め方向からレーザー光Ｌｃを照射する。このとき、ステージ７１ｂをＸ方向又はＹ方向に順次移動させることにより、レーザー光Ｌｃの照射領域を支持基板８の一方端から他方端に向けて走査させる。
　その後、ステージ７１ｂを時計回りに９０°回転させ、照射ヘッド７２により、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第２の斜め方向からレーザー光Ｌｄを照射する。このとき、ステージ７１ｂをＸ方向又はＹ方向に順次移動させることにより、レーザー光Ｌｄの照射領域を支持基板８の一方端から他方端に向けて走査させる。
　さらに、ステージ７１ｂを時計回りに９０°回転させ、照射ヘッド７２により、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第３の斜め方向からレーザー光Ｌｂを照射する。このとき、ステージ７１ｂをＸ方向又はＹ方向に順次移動させることにより、レーザー光Ｌｂの照射領域を支持基板８の一方端から他方端に向けて走査させる。
　最後に、ステージ７１ｂを時計回りに９０°回転させ、照射ヘッド７２により、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第４の斜め方向からレーザー光Ｌｅを照射する。このとき、ステージ７１ｂをＸ方向又はＹ方向に順次移動させることにより、レーザー光Ｌｅの照射領域を支持基板８の一方端から他方端に向けて走査させる。
　ここで、レーザー光Ｌｂ～Ｌｅを走査させる際には、レーザー光Ｌｂ～Ｌｅの照射領域の幅のより少し狭い幅の分だけ走査させて、当該照射領域がその前の照射領域に少し重なり合うようにする。
　これにより、支持基板８上の分離層９が短時間（レーザーパルス幅）で膨張及び収縮して、分離層９と樹脂基板層１０との界面での密着性が低下するので、被照射基板６０ａから、樹脂基板層１０及び有機ＥＬ素子１９ａを含む有機ＥＬ表示装置５０ａが剥離する（図１３参照）。ここで、図４６及び図４７に示すように、支持基板８の表面に図４６中の横方向に延びるキズＢが存在して、分離層９にレーザー光Ｌｂ及びＬｃの線状の未照射領域が存在しても、その未照射領域には、図４７に示すように、レーザー光Ｌｄ及びＬｅが照射される。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　なお、本実施形態では、上記第３の実施形態で説明した光照射装置８０ｄを用いて行う有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を例示したが、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、上記第３の実施形態で説明した光照射装置８０ｃを用いて行うこともできる。また、本実施形態では、第１、第２、第３及び第４の斜め方向からのレーザー光の照射を別々の時間に行う有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を例示したが、第１、第２、第３及び第４の斜め方向からのレーザー光の照射を同時に行うことにより、素子剥離工程に要する処理時間を短くしてもよい。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置によれば、上述の（１）、（４）～（８）、（９）の効果の他に以下の（１０）の効果を得ることができる。
　（１）について詳述すると、素子剥離工程では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１、第２、第３及び第４の斜め方向からレーザー光Ｌｃ、Ｌｄ、Ｌｂ及びＬｅを順次照射する。そのため、支持基板８の表面に付着物Ａが存在して、分離層９にレーザー光Ｌｃの未照射領域が存在しても、その未照射領域には、レーザー光Ｌｄ、Ｌｂ及びＬｅを照射することができる。これにより、レーザー光Ｌｂ～Ｌｅによるエネルギーが分離層９に十分に供給されるので、有機ＥＬ表示装置５０ａの剥離不良を抑制することができる。
　（８）について詳述すると、素子剥離工程では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１、第２、第３及び第４の斜め方向からレーザー光Ｌｃ、Ｌｄ、Ｌｂ及びＬｅを順次照射するので、支持基板８の表面に大面積の付着物Ａが存在しても、上記第１の実施形態のレーザー光照射装置８０ａを用いた場合よりもレーザー光の未照射領域が形成され難くすることができる。
　（１０）素子剥離工程では、被照射基板６０ａの支持基板８の表面に対して第１、第２、第３及び第４の斜め方向からレーザー光Ｌｃ、Ｌｄ、Ｌｂ及びＬｅを順次照射するので、支持基板８の表面に線状のキズＢが存在しても、上記第３の実施形態の第１及び第２の斜め方向からレーザー光Ｌｃ及びＬｂを照射する場合よりもレーザー光の未照射領域が形成され難くすることができる。
　《第５の実施形態》
　図４８～図５０は、本発明に係る薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置の第５の実施形態を示している。なお、本実施形態では、薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置として、有機ＥＬ表示装置の製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置を例示する。ここで、図４８、図４９及び図５０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための第１、第２及び第３の断面図である。
　上記第１～第４の実施形態では、１つの樹脂基板層１０を備えた有機ＥＬ表示装置５０ａを製造する方法を例示したが、本実施形態では、２つの樹脂基板層１０ａ及び１０ｂを備えた有機ＥＬ表示装置５０ｂを製造する方法を例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図５０に示すように、互いに対向するように設けられた素子基板２０ａ及び対向基板３０ａと、素子基板２０ａ及び対向基板３０ａの間に枠状に設けられたシール材（不図示）と、素子基板２０ａ及び対向基板３０ａの間のシール材に囲まれた領域に設けられた充填材２５ａとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、例えば、画像表示を行う表示領域が矩形状に規定され、その表示領域には、複数の画素がマトリクス状に配列されている。そして、各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。
　素子基板２０ａは、図５０に示すように、第１の樹脂基板層１０ａと、第１の樹脂基板層１０ａ上に設けられた第１のベースコート層１１ａと、第１のベースコート層１１ａ上に設けられた有機ＥＬ素子１９ａとを備えている。
　対向基板３０ａは、図５０に示すように、第２の樹脂基板層１０ｂと、第２の樹脂基板層１０ｂ上に設けられた第２のベースコート層１１ｂと、第２のベースコート層１１ｂ上に設けられたカラーフィルター層２４とを備えている。
　充填材２５ａは、水分や酸素等を吸着させるゲッター機能を有している。ここで、充填材２５ａを構成する材料としては、例えば、熱硬化性を有するエポキシ樹脂やシリコン樹脂等が挙げられる。また、充填材２５ａには、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような金属酸化物、活性炭、シリカゲル、ゼオライト等が含有されている。
　上記シール材は、素子基板２０ａ及び対向基板３０ａを基板周縁部で互いに接着するように設けられている。ここで、シール材を形成する材料としては、例えば、紫外線硬化性及び／又は熱硬化性を有するエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
　樹脂基板層１０ａ及び１０ｂは、上記第１の実施形態で説明した樹脂基板層１０と実質的に同じである。
　ベースコート層１１ａ及び１１ｂは、上記第１の実施形態で説明したベースコート層１１と実質的に同じである。
　カラーフィルター層２４は、例えば、格子状に設けられたブラックマトリクス（不図示）と、各サブ画素に対応するように、ブラックマトリクスの各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの複数の着色層（不図示）とを備えている。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法について説明する。ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法は、素子形成工程を含むパネル作製工程及び素子剥離工程を備える。
　＜パネル作製工程＞
　まず、ガラス基板等の第１の支持基板８ａの表面に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の金属膜、それらを含む合金膜、酸化物膜若しくは窒化物膜、又はＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により、アモルファスシリコン膜を厚さ１００ｎｍ～３００ｎｍ程度に成
膜して、図４８に示すように、第１の分離層９ａを形成する。
　続いて、第１の分離層９ａの表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、ポリイミド樹脂を塗布した後に、その塗布膜を焼成することにより、図４８に示すように、厚さ５μｍ～２０μｍ程度の第１の樹脂基板層１０ａを形成する。
　さらに、第１の樹脂基板層１０ａの表面に、例えば、ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等を厚さ５０ｎｍ～１０００ｎｍ程度に成膜して、図４８に示すように、第１のベースコート層１１ａを形成する。
　その後、第１のベースコート層１１ａの表面に、周知の方法を用いて、ＴＦＴ１２、層間絶縁膜１３、第１電極１４、エッジカバー１５、有機ＥＬ層１６（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極１７及び封止膜１８を形成することにより、図４８に示すように、有機ＥＬ素子１９ａを形成する。
　以上のようにして、第１の支持基板８ａ上に第１の分離層９ａを介して素子基板２０ａを作製することができる。
　また、ガラス基板等の第２の支持基板８ｂの表面に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の金属膜、それらを含む合金膜、酸化物膜若しくは窒化物膜、又はＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により、アモルファスシリコン膜を厚さ１００ｎｍ～３００ｎｍ程度に成膜して、図４８に示すように、第２の分離層９ｂを形成する。
　続いて、第２の分離層９ｂの表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、ポリイミド樹脂を塗布した後に、その塗布膜を焼成することにより、図４８に示すように、厚さ５μｍ～２０μｍ程度の第２の樹脂基板層１０ｂを形成する。
　さらに、第２の樹脂基板層１０ｂの表面に、例えば、ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等を厚さ５０ｎｍ～１０００ｎｍ程度に成膜して、図４８に示すように、第２のベースコート層１１ｂを形成する。
　その後、第２のベースコート層１１ｂの表面に、周知の方法を用いて、図４８に示すように、カラーフィルター層２４を形成する。
　以上のようにして、第２の支持基板８ｂ上に第２の分離層９ｂを介して対向基板３０ａを作製することができる。
　さらに、例えば、第１の支持基板８ａに作製された素子基板２０ａの表面に、ディスペンサ方式により、シール樹脂を枠状に配置すると共に、シール樹脂の内側に充填樹脂を滴下して配置する。
　続いて、シール樹脂及び充填樹脂が配置された素子基板２０ａと、第２の支持基板８ｂに作製された対向基板３０ａとを減圧雰囲気で貼り合わせた後に、その減圧雰囲気を開放することにより、第１の支持基板８ａ及び第２の支持基板８ｂの外側の表面を加圧する。
　さらに、例えば、素子基板２０ａ及び対向基板３０ａに挟まれたシール樹脂に紫外線を照射した後に、加熱することにより、シール樹脂及び充填樹脂を硬化させて、シール材及び充填材２５ａを形成する。
　以上のようにして、被照射基板６０ｂ（図４８参照）を作製することができる。
　＜素子剥離工程＞
　まず、上記第１～第４の実施形態で用いた光照射装置８０ａ～８０ｅの何れか１つを用いて、図４８に示すように、第２の支持基板８ｂ側からレーザー光Ｌを互いに異なる複数の方向から照射することにより、第２の分離層９ｂと第２の樹脂基板層１０ｂとの界面での密着性を低下させて、被照射基板６０ｂから、有機ＥＬ表示装置５０ｂを含む被照射基板６０ｃを剥離させる（図４９参照）。
　続いて、上記第１～第４の実施形態で用いた光照射装置８０ａ～８０ｅの何れか１つを用いて、図４９に示すように、被照射基板６０ｃの第１の支持基板８ａ側からレーザー光Ｌを互いに異なる複数の方向から照射することにより、第１の分離層９ａと第１の樹脂基板層１０ａとの界面での密着性を低下させて、図５０に示すように、被照射基板６０ｃから有機ＥＬ表示装置５０ｂを剥離させる。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置によれば、上述の（１）～（１０）の効果を得ることができる。
　なお、本実施形態では、カラーフィルター層２４を備えた有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法を例示したが、カラーフィルター層２４は、省略されていてもよい。
　《第６の実施形態》
　図５１～図５３は、本発明に係る薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置の第６の実施形態を示している。なお、本実施形態では、薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置として、液晶表示装置の製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置を例示する。ここで、図５１、図５２及び図５３は、本実施形態の液晶表示装置５０ｃの製造方法を説明するための第１、第２及び第３の断面図である。
　上記第１～第５の実施形態では、有機ＥＬ表示装置５０ａを製造する方法を例示したが、本実施形態では、液晶表示装置５０ｃを製造する方法を例示する。
　液晶表示装置５０ｃは、図５３に示すように、互いに対向するように設けられた素子基板２０ｂ及び対向基板３０ｂと、素子基板２０ｂ及び対向基板３０ｂの間に枠状に設けられたシール材（不図示）と、素子基板２０ｂ及び対向基板３０ｂの間のシール材に囲まれた領域に設けられた液晶層２５ｂとを備えている。ここで、液晶表示装置５０ｃでは、例えば、画像表示を行う表示領域が矩形状に規定され、その表示領域には、複数の画素がマトリクス状に配列されている。そして、各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。
　素子基板２０ｂは、図５３に示すように、第１の樹脂基板層１０ａと、第１の樹脂基板層１０ａ上に設けられた第１のベースコート層１１ａと、第１のベースコート層１１ａ上に設けられたＴＦＴアレイ素子１９ｂとを備えている。
　ＴＦＴアレイ素子１９ｂは、例えば、第１のベースコート層１１ａ上に順に設けられた複数のＴＦＴ（１２（図１参照））、層間絶縁膜（１３（図１参照））、複数の画素電極及び配向膜を備えている。ここで、上記複数の画素電極は、各サブ画素に対応するように、層間絶縁膜（１３）上にマトリクス状に設けられている。また、上記各画素電極は、層間絶縁膜（１３）に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ（１２）のドレイン電極に接続されている。また、上記画素電極は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜により構成されている。また、ＴＦＴアレイ素子１９ｂ及び対向基板３０ｂの配向膜は、例えば、ポリイミド樹脂により構成されている。
　対向基板３０ｂは、図５３に示すように、第２の樹脂基板層１０ｂと、第２の樹脂基板層１０ｂ上に順に設けられた第２のベースコート層１１ｂ、カラーフィルター層２４、共通電極２３及び配向膜（不図示）とを備えている。ここで、共通電極２３は、ＩＴＯ等の透明導電膜により構成されている。
　液晶層２５ｂは、例えば、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
　上記構成の液晶表示装置５０ｃは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ（１２）を介して素子基板２０ｂ上の各画素電極と対向基板３０上の共通電極２３との間に配置する液晶層２５ｂに所定の電圧を印加して液晶層２５ｂの配向状態を変えることにより、例えば、バックライトからの光の透過率を調整して、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の液晶表示装置５０ｃの製造方法について説明する。ここで、本実施形態の液晶表示装置５０ｃの製造方法は、素子形成工程を含むパネル作製工程及び素子剥離工程を備える。
　＜パネル作製工程＞
　上記第５の実施形態のパネル作製工程で形成された第１のベースコート層１１ａの表面に、周知の方法を用いて、ＴＦＴ（１２）、層間絶縁膜（１３）、画素電極及び配向膜を形成することにより、図５１に示すように、ＴＦＴアレイ素子１９ｂを形成する。これにより、第１の支持基板８ａ上に第１の分離層９ａを介して素子基板２０ｂを作製することができる。
　また、上記第５の実施形態のパネル作製工程で形成された第２のベースコート層１１ｂの表面に、周知の方法を用いて、図５１に示すように、カラーフィルター層２４、共通電極２３及び配向膜を形成する。これにより、第２の支持基板８ｂ上に第２の分離層９ｂを介して対向基板３０ｂを作製することができる。
　さらに、例えば、第１の支持基板８ａに作製された素子基板２０ｂの表面に、例えば、ディスペンサ方式により、シール樹脂を枠状に配置すると共に、シール樹脂の内側に液晶材料を滴下して配置する。
　続いて、シール樹脂及び充填樹脂が配置された素子基板２０ｂと、第２の支持基板８ｂに作製された対向基板３０ｂとを減圧雰囲気で貼り合わせた後に、その減圧雰囲気を開放することにより、第１の支持基板８ａ及び第２の支持基板８ｂの外側の表面を加圧する。
　さらに、例えば、素子基板２０ｂ及び対向基板３０ｂに挟まれたシール樹脂に紫外線を照射した後に、加熱することにより、シール樹脂を硬化させて、シール材及び液晶層２５ｂを形成する。
　以上のようにして、被照射基板６０ｄ（図５１参照）を作製することができる。
　＜素子剥離工程＞
　まず、上記第１～第４の実施形態で用いた光照射装置８０ａ～８０ｅの何れか１つを用いて、図５１に示すように、第２の支持基板８ｂ側からレーザー光Ｌを互いに異なる複数の方向から照射することにより、第２の分離層９ｂと第２の樹脂基板層１０ｂとの界面での密着性を低下させて、被照射基板６０ｄから、液晶表示装置５０ｃを含む被照射基板６０ｅを剥離させる（図５２参照）。
　続いて、上記第１～第４の実施形態で用いた光照射装置８０ａ～８０ｅの何れか１つを用いて、図５２に示すように、被照射基板６０ｅの第１の支持基板８ａ側からレーザー光Ｌを互いに異なる複数の方向から照射することにより、第１の分離層９ａと第１の樹脂基板層１０ａとの界面での密着性を低下させて、図５３に示すように、被照射基板６０ｅから液晶表示装置５０ｃを剥離させる。
　以上のようにして、本実施形態の液晶表示装置５０ｃを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置５０ｃの製造方法及びそれに用いるレーザー光照射装置によれば、上述の（１）～（６）、（８）～（１０）の効果を得ることができる。
　なお、上記第１～第５の実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記第１～第５の実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置又は液晶表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置又は液晶表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、薄膜素子装置として、有機ＥＬ表示装置又は液晶表示装置を例示したが、本発明は、Ｘ線イメージセンサー等の薄膜素子装置にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｌａ～Ｌｅ　　レーザー光
Ｓ　　　回転軸
８，８ａ，８ｂ　　支持基板
９，９ａ，９ｂ　　分離層
１０，１０ａ，１０ｂ　　樹脂基板層
１１，１１ａ，１１ｂ　　ベースコート層
１９ａ　　有機ＥＬ素子（薄膜素子）
１９ｂ　　ＴＦＴアレイ素子（薄膜素子）
２２　　　支持体
５０ａ，５０ｂ　　有機ＥＬ表示装置（薄膜素子装置）
５０ｃ　　液晶表示装置（薄膜素子装置）
６０ａ～６０ｅ　　被照射基板
７１ａ～７１ｅ　　ステージ
７２，７２ａ～７２ｃ　　照射ヘッド
８０ａ～８０ｅ　　レーザー光照射装置

Claims (20)

  1. 　透明な支持基板に基板層を形成した後に、該基板層に薄膜素子を形成する素子形成工程と、
    　前記支持基板の前記基板層及び薄膜素子が形成された側と反対側からレーザー光を照射することにより、前記基板層及び薄膜素子を前記支持基板から剥離させる素子剥離工程とを備える薄膜素子装置の製造方法であって、
    　前記素子剥離工程では、前記レーザー光を互いに異なる複数の方向から照射することを特徴とする薄膜素子装置の製造方法。
  2. 　前記素子剥離工程では、前記レーザー光を第１の方向と、該第１の方向と異なる第２の方向とから照射することを特徴とする請求項１に記載の薄膜素子装置の製造方法。
  3. 　前記素子剥離工程では、前記第１及び第２の方向からのレーザー光の照射を同時に行うことを特徴とする請求項２に記載の薄膜素子装置の製造方法。
  4. 　前記素子剥離工程では、前記第１及び第２の方向からのレーザー光の照射を別々の時間に行うことを特徴とする請求項２に記載の薄膜素子装置の製造方法。
  5. 　前記第１の方向は、前記支持基板の表面に対して垂直方向であり、前記第２の方向は、前記支持基板の表面に対して斜め方向であることを特徴とする請求項２～４の何れか１つに記載の薄膜素子装置の製造方法。
  6. 　前記素子剥離工程では、前記支持基板の表面に対して、前記垂直方向からのレーザー光と前記斜め方向からのレーザー光とを移動させながら照射し、前記支持基板の表面では、前記垂直方向からのレーザー光が照射された後に、前記斜め方向からのレーザー光が照射されることを特徴とする請求項５に記載の薄膜素子装置の製造方法。
  7. 　前記斜め方向からのレーザー光の強度は、前記垂直方向からのレーザー光の強度よりも低いことを特徴とする請求項６に記載の薄膜素子装置の製造方法。
  8. 　前記第１及び第２の方向は、前記支持基板の表面に対して斜め方向であることを特徴とする請求項２～４の何れか１つに記載の薄膜素子装置の製造方法。
  9. 　前記素子剥離工程では、前記レーザー光を前記支持基板の表面に対して、平面視で９０°ずつ異なる第１、第２、第３及び第４の斜め方向から照射することを特徴とする請求項１に記載の薄膜素子装置の製造方法。
  10. 　前記素子剥離工程では、前記第１、第２、第３及び第４の斜め方向からのレーザー光の照射を同時に行うことを特徴とする請求項９に記載の薄膜素子装置の製造方法。
  11. 　前記素子剥離工程では、前記第１、第２、第３及び第４の斜め方向からのレーザー光の照射を別々の時間に行うことを特徴とする請求項９に記載の薄膜素子装置の製造方法。
  12. 　前記素子形成工程では、前記支持基板及び基板層の間に分離層を形成することを特徴とする請求項１～１１の何れか１つに記載の薄膜素子装置の製造方法。
  13. 　前記素子形成工程では、前記基板層及び薄膜素子の間にベースコート層を形成することを特徴とする請求項１～１２の何れか１つに記載の薄膜素子装置の製造方法。
  14. 　前記素子形成工程では、前記薄膜素子を形成した後に、該薄膜素子の表面に支持体を接着することを特徴とする請求項１～１３の何れか１つに記載の薄膜素子装置の製造方法。
  15. 　前記薄膜素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１～１４の何れか１つに記載の薄膜素子装置の製造方法。
  16. 　被照射基板を載置するステージと、
    　前記被照射基板にレーザー光を照射する照射ヘッドとを備えた光照射装置であって、
    　前記ステージ又は照射ヘッドは、前記被照射基板に対して、互いに異なる複数の方向からレーザー光を照射するように構成されていることを特徴とする光照射装置。
  17. 　前記照射ヘッドは、複数設けられ、
    　前記複数の照射ヘッドは、前記被照射基板に対する前記レーザー光の照射方向が互いに異なっていることを特徴とする請求項１６に記載の光照射装置。
  18. 　前記照射ヘッドは、前記被照射基板に対する前記レーザー光の照射方向が切り替え可能に１つ設けられていることを特徴とする請求項１６に記載の光照射装置。
  19. 　前記ステージは、前記被照射基板に対する前記レーザー光の照射方向が切り替わるように前記被照射基板の載置面に垂直な軸周りに回動可能に設けられていることを特徴とする請求項１６に記載の光照射装置。
  20. 　前記ステージは、前記被照射基板に対する前記レーザー光の照射方向が切り替わるように前記被照射基板の載置面に平行な軸周りに回動可能に設けられていることを特徴とする請求項１６に記載の光照射装置。
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