CN107409455B - 薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置 - Google Patents

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Abstract

具备：元件形成工序，在透明的支承基板8上形成基板层10之后，在该基板层10上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从支承基板8的与形成有基板层10和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光La和Lb，使基板层10和薄膜元件从支承基板8剥离，在元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射激光La、Lb。

Description

薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置
技术领域
本发明涉及薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置。
背景技术
近年来，提出了以下的薄膜元件装置的制造方法：在玻璃基板等透明的支承基板上形成分离层，在该分离层上形成基板层和有机EL(electroluminescence：电致发光)元件等薄膜元件之后，从支承基板侧照射激光，由此，使分离层与基板层的界面的密合性下降，从而使基板层和薄膜元件从支承基板剥离。
例如，专利文献1中公开了一种被转印层的剥离方法，其将隔着分离层存在于基板上的被转印层从基板剥离，其中，在对分离层多次照射激光而使被转印层从基板脱离时，激光的单位照射区域为大致正六边形。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-244188号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
可是，在通过如上所述的激光照射使薄膜元件装置从支承基板剥离的薄膜元件装置的制造方法中，当在支承基板的照射激光的一侧的表面(背面)上存在附着物或划痕等时，在存在附着物或划痕等的部分，激光会被遮断。那样的话，在存在附着物或划痕等的部分，激光的能量不能充分地被供给到分离层，因此，薄膜元件装置的剥离会局部地变得不良，薄膜元件装置的一部分会残留在支承基板的表面上。在此，被照射激光的支承基板的背面在制造工序中要与例如基板搬送装置的辊或处理装置的工作台的表面接触，因此，有可能附着污物，或者产生微细的划痕，或者残留药液。
本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于抑制薄膜元件装置的剥离不良。
用于解决技术问题的手段
为了实现上述目的，本发明的薄膜元件装置的制造方法具备：元件形成工序，在透明的支承基板上形成基板层之后，在该基板层上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从上述支承基板的与形成有上述基板层和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光，使上述基板层和薄膜元件从上述支承基板剥离，上述薄膜元件装置的制造方法的特征在于：在上述元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射上述激光。
另外，本发明的光照射装置具备：载置被照射基板的工作台；和向上述被照射基板照射激光的照射头，上述光照射装置的特征在于：上述工作台或照射头从相互不同的多个方向对上述被照射基板照射激光。
发明效果
根据本发明，从相互不同的多个方向照射激光，因此，能够抑制薄膜元件装置的剥离不良。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的有机EL显示装置的截面图。
图2是构成本发明第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。
图3是为了制造本发明第一实施方式的有机EL显示装置而制作的被照射基板的截面图。
图4是本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的光照射装置的侧面图。
图5是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第一截面图。
图6是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第二截面图。
图7是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。
图8是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。
图9是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。
图10是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。
图11是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。
图12是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。
图13是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第三截面图。
图14是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的效果进行说明的第一截面图。
图15是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的效果进行说明的第二截面图。
图16是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的入射角度进行说明的第一截面图。
图17是用于对本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的入射角度进行说明的第二截面图。
图18是对本发明第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第一截面图。
图19是对本发明第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第二截面图。
图20是本发明第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的光照射装置的侧面图。
图21是用于对本发明第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法的效果进行说明的截面图。
图22是本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的光照射装置的侧面图。
图23是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。
图24是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。
图25是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。
图26是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。
图27是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。
图28是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。
图29是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。
图30是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。
图31是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。
图32是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。
图33是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。
图34是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。
图35是本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的侧面图。
图36是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的平面图。
图37是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的平面图。
图38是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的平面图。
图39是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的侧面图。
图40是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的侧面图。
图41是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的侧面图。
图42是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的另一变形例进行说明的平面图。
图43是用于对本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的另一变形例进行说明的平面图。
图44是本发明第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第二变形例的光照射装置的侧面图。
图45是用于对本发明第四实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的截面图。
图46是用于对本发明第四实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的平面图。
图47是用于对本发明第四实施方式的有机EL显示装置的制造方法的效果进行说明的截面图。
图48是用于对本发明第五实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第一截面图。
图49是用于对本发明第五实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第二截面图。
图50是用于对本发明第五实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第三截面图。
图51是用于对本发明第六实施方式的液晶显示装置的制造方法进行说明的第一截面图。
图52是用于对本发明第六实施方式的液晶显示装置的制造方法进行说明的第二截面图。
图53是用于对本发明第六实施方式的液晶显示装置的制造方法进行说明的第三截面图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1～图17表示本发明的薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置的第一实施方式。此外，在本实施方式中，作为薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置，例示有机EL显示装置的制造方法及其所使用的激光照射装置。在此，图1是本实施方式的有机EL显示装置50a的截面图。另外，图2是构成有机EL显示装置50a的有机EL层16的截面图。
如图1所示，有机EL显示装置50a具备：树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的底涂层11；设置在底涂层11上的有机EL元件19a；和隔着粘接层21设置在有机EL元件19a上的支承体22。在此，在有机EL显示装置50a中，例如，进行图像显示的显示区域被规定为矩形状，在其显示区域，呈矩阵状排列有多个像素。在各像素中，例如，用于进行红色的灰度等级显示的子像素、用于进行绿色的灰度等级显示的子像素和用于进行蓝色的灰度等级显示的子像素以彼此相邻的方式排列。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等具有耐热性的透明树脂材料构成。
底涂层11例如由氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜构成。
有机EL元件19a具备在底涂层11上依次设置的多个TFT12、层间绝缘膜13、多个第一电极14、边缘罩15、多个有机EL层16、第二电极17和密封膜18。
如图1所示，TFT12是在底涂层11上按每个子像素设置的开关元件。在此，TFT12例如具备：设置在底涂层11上的栅极电极；以覆盖栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜；以与栅极电极重叠的方式设置在栅极绝缘膜上的半导体层；和以相互对峙的方式设置在半导体层上的源极电极和漏极电极。此外，在本实施方式中，例示了底栅型的TFT12，但是TFT12也可以为顶栅型的TFT。
如图1所示，层间绝缘膜13以覆盖各TFT12的漏极电极的一部分以外的方式设置。在此，层间绝缘膜13例如由丙烯酸树脂等透明有机树脂材料构成。
如图1所示，多个第一电极14以与多个子像素对应的方式呈矩阵状设置在层间绝缘膜13上。在此，如图1所示，第一电极14经由设置在层间绝缘膜13中的接触孔与各TFT12的漏极电极连接。另外，第一电极14具有向有机EL层16注入空穴的功能。另外，为了提高向有机EL层16的空穴注入效率，第一电极14更优选由功函数大的材料形成。在此，作为构成第一电极14的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等金属材料。另外，构成第一电极14的材料也可以为例如镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、或氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金。另外，构成第一电极14的材料也可以为例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极14也可以通过将多个由上述材料构成的层层叠而形成。此外，作为功函数大的材料，例如可举出铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图1所示，边缘罩15以覆盖各第一电极14的周缘部的方式设置为格子状。在此，作为构成边缘罩15的材料，例如可举出氧化硅(SiO2)、四氮化三硅(Si3N4)那样的氮化硅(SiNx(x为正数))、氧氮化硅(SiNO)等的无机膜、或聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等的有机膜。
如图1所示，多个有机EL层16配置在各第一电极14上，以与多个子像素对应的方式设置为矩阵状。在此，如图2所示，有机EL层16具备在第一电极14上依次设置的空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4和电子注入层5。
空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有使第一电极14和有机EL层16的能级接近，改善从第一电极14向有机EL层16的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可举出***衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物等。
空穴传输层2具有使从第一电极14向有机EL层16的空穴传输效率提高的功能。在此，作为构成空穴传输层2的材料，例如可举出卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对苯乙炔、聚硅烷、***衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是在由第一电极14和第二电极17进行电压施加时，从第一电极14和第二电极17分别被注入空穴和电子，并且空穴和电子复合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。作为构成发光层3的材料，例如可举出金属喔星类化合物[8-羟基喹啉金属配位化合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、紫环酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯乙炔、聚硅烷等。
电子传输层4具有使电子高效率地移动到发光层3的功能。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如，作为有机化合物，可举出噁二唑衍生物、***衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属喔星类化合物(metal oxinoid compounds)等。
电子注入层5具有使第二电极17和有机EL层16的能级接近，提高从第二电极17向有机EL层16注入电子的效率的功能，利用该功能，能够使有机EL元件18的驱动电压下降。此外，电子注入层5也称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)那样的无机碱性化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图1所示，第二电极17以覆盖各有机EL层16和边缘罩15的方式设置。另外，第二电极17具有向有机EL层16注入电子的功能。另外，为了提高向有机EL层16的电子注入效率，第二电极17更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极17的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极17也可以由例如镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第二电极17也可以由例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第二电极17也可以通过将多个由上述材料构成的层层叠而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图1所示，密封膜18以覆盖多个第一电极14、边缘罩15、多个有机EL层16和第二电极17的层叠体的方式设置。密封膜18具有保护有机EL层16不受水分或氧气的影响的功能。在此，作为构成密封膜18的材料，例如可举出氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、四氮化三硅(Si3N4)那样的氮化硅(SiNx(x为正数))、碳氮化硅(SiCN)等无机材料、丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等有机材料。
粘接层21例如由丙烯酸系、环氧系、硅氧烷系等的热固型或紫外线固化型的粘接剂构成。
支承体22例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、芳族聚酰胺等具有挠性的合成树脂膜构成。
上述结构的有机EL显示装置50a具有挠性，构成为通过在各子像素中，借助TFT12使有机EL层16的发光层3适当发光，进行图像显示。
接着，对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明。在此，图3是为了制造有机EL显示装置50a而制作的被照射基板60a的截面图。另外，图4是有机EL显示装置50a的制造方法所使用的光照射装置80a的侧面图。另外，图5、图6和图13是用于对有机EL显示装置50a的制造方法进行说明的第一、第二和第三截面图。另外，图7～图12是用于对有机EL显示装置50a的制造方法中的激光La、Lb的照射方法进行说明的平面图和截面图。另外，图14和图15是用于对有机EL显示装置50a的制造方法的效果进行说明的第一截面图和第二截面图。另外，图16和图17是用于对有机EL显示装置50a的制造方法中的激光Lb的入射角度θ进行说明的第一截面图和第二截面图。此外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备元件形成工序和元件剥离工序。
＜元件形成工序＞
首先，在玻璃基板等支承基板8的表面上，例如，通过溅射法形成钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)等的金属膜、含有这些金属的合金膜、氧化物膜或氮化物膜，或者通过CVD(chemical vapor deposition：化学气相沉积)法形成厚度100nm～300nm左右的非晶硅膜，从而如图3所示，形成分离层9。
接着，在分离层9的表面上，例如，通过旋涂法或狭缝涂布法涂布聚酰亚胺树脂之后，对该涂布膜进行烧制，由此，如图3所示，形成厚度5μm～20μm左右的树脂基板层10。
进而，在树脂基板层10的表面上，例如，通过CVD法形成厚度50nm～1000nm左右的氧化硅膜或氮化硅膜等，从而如图3所示，形成底涂层11。
然后，在底涂层11的表面上，利用众所周知的方法形成TFT12、层间绝缘膜13、第一电极14、边缘罩15、有机EL层16(空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、电子注入层5)、第二电极17和密封膜18，由此，如图3所示，形成有机EL元件19a。
进而，在密封膜18的表面上，例如，通过旋涂法或狭缝涂布法涂布热固型或紫外线固化型的粘接剂之后，在其涂布面上配置例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、芳族聚酰胺等具有挠性的合成树脂膜，使涂布后的粘接剂固化，由此，如图3所示，在密封膜18的表面上隔着粘接层21粘贴支承体22。此外，在本实施方式中，例示了在密封膜18的表面上涂布粘接剂而粘贴支承体22的制造方法，但是也可以在密封膜18的表面上粘贴膜状的粘接剂之后，在其表面上粘贴支承体22。
通过如以上那样操作，能够制作被照射基板60a(参照图3)。
＜元件剥离工序＞
在此，对元件剥离工序所使用的光照射装置80a进行说明。
如图4所示，光照射装置80a具备：实质上形成密闭空间的处理室70；设置在处理室70内的工作台71a、照射头72a和照射头72b；和经由光缆向照射头72a和72b供给激光La和Lb的激光光源(未图示)。在此，激光光源例如由XeF准分子激光(波长351nm)、XeCl准分子激光(波长308nm)、YVO4固体激光(波长355nm)等构成。此外，激光La和Lb的波长优选选择对支承基板8的透射率高的波长。
工作台71a构成为载置被照射基板60a，并在处理室70内能够在X(纵)方向和Y(横)方向上移动。
如图4所示，照射头72a构成为从相对于被照射基板60a的表面垂直的垂直方向对被照射基板60a的表面照射激光La。
如图4所示，照射头72b构成为从相对于被照射基板60a的表面倾斜的倾斜方向(入射角θ：30°～80°左右)对被照射基板60a的表面照射激光Lb。
此外，在本实施方式中，例示了为了使激光La和Lb对被照射基板60a的照射区域扫描而将载置有被照射基板60a的工作台71a构成为能够移动的光照射装置80a，但是也可以使照射头72a和72b移动来代替使工作台71a移动。
利用图4～图17对使用上述结构的光照射装置80a进行的元件剥离工序进行说明。在此，在图5、图6、图10～图12、图14～图17中，为方便起见，以使激光La和Lb向上照射的方式进行了图示，但是如图4所示，激光La和Lb对工作台71a上的被照射基板60a向下进行照射。
首先，如图4所示，将在上述元件形成工序中制作出的被照射基板60a以其有机EL显示装置50a侧向下的方式载置在工作台71a上。
接着，如图4和图5所示，使用照射头72a，从垂直方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光La，并且如图4和图6所示，使用照射头72b，从倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lb。此时，通过使工作台71a在X方向或Y方向上依次移动，如图7～图12所示，使激光La和Lb的照射区域从支承基板8的一端向另一端扫描。在此，在图7～图12中，为方便起见，以使激光La和Lb的各照射区域不与其前后的照射区域重叠的方式进行了图示，但是在使激光La和Lb扫描时，使扫描的宽度比激光La和Lb的照射区域的宽度稍窄，以使该照射区域与其前边的照射区域稍微重叠。此外，在本实施方式中，作为激光La和Lb的照射点的光束形状，例示了矩形，但是其光束形状也可以为圆形或椭圆形等其他形状。
由此，支承基板8上的分离层9以短时间(激光脉冲宽度)进行膨胀和收缩，从而分离层9与树脂基板层10的界面的密合性下降，因此，如图13所示，包含树脂基板层10和有机EL元件19a的有机EL显示装置50a从被照射基板60a剥离。在此，来自相对于支承基板8的表面倾斜的倾斜方向的激光Lb的强度，当然比来自相对于支承基板8的表面垂直的垂直方向的激光La的强度低。另外，只要通过在照射来自垂直方向的激光La之后照射来自倾斜方向的激光Lb，对分离层9与树脂基板层10的界面的密合性未下降的部位弱弱地照射激光Lb即可，因此，与在照射来自倾斜方向的激光Lb之后照射来自垂直方向的激光La的情况相比，能够使来自倾斜方向的激光Lb的强度降低。另外，如图14所示，即使在支承基板8的表面存在附着物A从而在分离层9存在激光La的未照射区域U，如图15所示，也能够对该未照射区域U照射激光Lb。另外，如图16和图17所示，激光Lb相对于支承基板8的表面的入射角θ越大，能够对由越大面积的附着物A产生的未照射区域进行照射。
通过如以上那样操作，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法及其所使用的激光照射装置80a，能够得到以下的(1)～(7)的效果。
(1)在使用激光照射装置80a的元件剥离工序中，通过照射头72a从垂直方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光La，并且通过照射头72b从倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lb。因此，即使在支承基板8的表面存在附着物A从而在分离层9存在激光La的未照射区域U，也能够对该未照射区域U照射激光Lb。由此，激光La和Lb的能量被充分地供给到分离层9，因此，能够抑制有机EL显示装置50a的剥离不良。
(2)在使用激光照射装置80a的元件剥离工序中，在从垂直方向对被照射基板60a的支承基板8的表面进行激光La的照射的同时，在被照射基板60a的其他区域从倾斜方向对支承基板8的表面进行激光Lb的照射，因此，能够缩短元件剥离工序所需要的处理时间。此外，在本实施方式中，例示了对各自的区域同时进行激光La的照射和激光Lb的照射的制造方法，但是也可以对同一区域同时进行激光La的照射和激光Lb的照射。另外，在对同一区域交替地进行激光La的照射和激光Lb的照射的情况下，能够抑制被照射基板60a的温度上升，从而减小对有机EL元件19a的损伤。
(3)在使用激光照射装置80a的元件剥离工序中，使从相对于被照射基板60a的支承基板8的表面倾斜的倾斜方向照射的激光Lb的强度比从相对于被照射基板60a的支承基板8的表面垂直的垂直方向照射的激光La的强度低，由此，由激光La和Lb的照射引起的电力消耗减少，因此，能够降低制造成本。
(4)在元件形成工序中，在支承基板8和树脂基板层10之间形成分离层9，因此，分离层9作为光热交换膜发挥作用，由此，激光La和Lb不会直接被照射到树脂基板层10，能够抑制由激光La和Lb引起的树脂基板层10的损伤。此外，在本实施方式中，例示了在支承基板8和树脂基板层10之间设置有分离层9的有机EL显示装置50a，但是也可以省略分离层9，从而在树脂基板层10的支承基板8侧产生烧蚀。
(5)在元件形成工序中，在树脂基板层10和有机EL元件19a之间形成底涂层11，因此，底涂层11作为保护膜发挥作用，由此，能够抑制干式蚀刻、湿式蚀刻、抗蚀剂的剥离、烘干等处理中的树脂基板层10的损伤。此外，在本实施方式中，例示了在树脂基板层10和有机EL元件19a之间设置有底涂层11的有机EL显示装置50a，但是也可以省略底涂层11。
(6)在元件形成工序中，在形成有机EL元件19a之后，在有机EL元件19a的表面上粘接支承体22，因此，能够抑制在元件剥离工序之后，有机EL显示装置50a变形为卷状，能够容易进行后面工序的处理。此外，在本实施方式中，例示了在有机EL元件19a的表面上粘接支承体22的有机EL显示装置50a的制造方法，但是也可以省略支承体22的粘接。
(7)在元件形成工序中，形成有机EL元件19a，因此，能够实现自发光型的显示装置。
《第二实施方式》
图18～图21表示本发明的薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置的第二实施方式。此外，在本实施方式中，作为薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置，例示有机EL显示装置的制造方法及其所使用的激光照射装置。在此，图18和图19是对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明的第一截面图和第二截面图。另外，图20是本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法所使用的光照射装置80b的侧面图。另外，图21是用于对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的效果进行说明的截面图。此外，在以下的各实施方式中，对于与图1～图17相同的部分，赋予相同的符号，省略其详细说明。
在上述第一实施方式中，例示了对被照射基板60a的支承基板8的表面分别照射来自垂直方向的激光La和来自倾斜方向的激光Lb来制造有机EL显示装置50a的方法，但是在本实施方式中，例示对被照射基板60a的支承基板8的表面分别照射来自第一倾斜方向的激光Lb和来自第二倾斜方向的激光Lc来制造有机EL显示装置50a的方法。
本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备元件形成工序和元件剥离工序，该元件形成工序与上述第一实施方式的元件形成工序实质上相同，因此，以下对元件剥离工序进行说明。
＜元件剥离工序＞
在此，对元件剥离工序所使用的光照射装置80b进行说明。
如图20所示，光照射装置80b具备：实质上形成密闭空间的处理室70；设置在处理室70内的工作台71a、照射头72b和照射头72c；和经由光缆向照射头72b和72c供给激光Lb和Lc的激光光源(未图示)。
如图20所示，照射头72b构成为从第一倾斜方向对被照射基板60a的表面照射激光Lb，其中，第一倾斜方向为从图中右上侧向左下侧的倾斜方向。
图20所示，照射头72c构成为从第二倾斜方向对被照射基板60a的表面照射激光Lb，其中，第二倾斜方向为从图中左上侧向右下侧的倾斜方向。
此外，在本实施方式中，与上述第一实施方式同样，例示了为了使激光Lb和Lc对被照射基板60a的照射区域扫描而具备在载置有被照射基板60a的状态下能够移动的工作台71a的光照射装置80b，但是也可以使照射头72b和72c移动来代替使工作台71a移动。
以下，利用图18～图21对使用上述结构的光照射装置80b进行的元件剥离工序进行说明。在此，在图18、图19和图21中，为方便起见，以使激光Lb和Lc向上照射的方式进行了图示，但是如图20所示，激光Lb和Lc对工作台71a上的被照射基板60a向下进行照射。
首先，如图20所示，将在上述第一实施方式的元件形成工序中制作出的被照射基板60a以其有机EL显示装置50a侧向下的方式载置在工作台71a上。
接着，如图18和图20所示，使用照射头72b从第一倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lb，并且如图19和图20所示，使用照射头72c从倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lc。此时，通过使工作台71a在X方向或Y方向上依次移动，使激光Lb和Lc的照射区域从支承基板8的一端向另一端扫描。在此，在使激光Lb和Lc扫描时，使扫描的宽度比激光Lb和Lc的照射区域的宽度稍窄，以使该照射区域与其前边的照射区域稍微重叠。
由此，支承基板8上的分离层9以短时间(激光脉冲宽度)进行膨胀和收缩，从而分离层9与树脂基板层10的界面的密合性下降，因此，包含树脂基板层10和有机EL元件19a的有机EL显示装置50a从被照射基板60a剥离(参照图13)。在此，如图21所示，即使在支承基板8的表面存在附着物A从而在分离层9存在激光Lb的未照射区域，也能够对该未照射区域照射激光Lc。
通过如以上那样操作，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法及其所使用的激光照射装置80b，除了能够得到上述(1)、(2)、(4)～(7)的效果以外，还能够得到以下的(8)的效果。
对(1)进行详细说明，在使用激光照射装置80b的元件剥离工序中，通过照射头72b从第一倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lb，并且通过照射头72c从第二倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lc。因此，即使在支承基板8的表面存在附着物A从而在分离层9存在激光Lb的未照射区域，也能够对该未照射区域照射激光Lc。由此，激光Lb和Lc的能量被充分地供给到分离层9，因此，能够抑制有机EL显示装置50a的剥离不良。
对(2)进行详细说明，在使用激光照射装置80b的元件剥离工序中，从第一倾斜方向和第二倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面同时进行激光Lb和Lc的照射，因此，能够缩短元件剥离工序所需要的处理时间。此外，在本实施方式中，例示了对各自的区域同时进行激光Lb的照射和激光Lc的照射的制造方法，但是也可以对同一区域同时进行激光Lb的照射和激光Lc的照射。另外，在对同一区域交替地进行激光Lb的照射和激光Lc的照射的情况下，能够抑制被照射基板60a的温度上升，从而减小对有机EL元件19a的损伤。
(8)在使用激光照射装置80b的元件剥离工序中，从第一倾斜方向和第二倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lb和Lc，因此，即使在支承基板8的表面上存在大面积的附着物A，也能够使得比使用上述第一实施方式的激光照射装置80a的情况更难以形成激光的未照射区域。
《第三实施方式》
图22～图44表示本发明的薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置的第三实施方式。此外，在本实施方式中，作为薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置，例示有机EL显示装置的制造方法及其所使用的激光照射装置。在此，图22是本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法所使用的光照射装置80c的侧面图。另外，图23～图34是用于对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法中的激光Lb、Lc的照射方法进行说明的平面图和截面图。另外，图35是本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置80d的侧面图。另外，图36～图41是用于对光照射装置80d的基板翻转机构的变形例进行说明的平面图和侧面图。另外，图42是用于对光照射装置80d的基板翻转机构的另一变形例进行说明的平面图。另外，图44是本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法所使用的第二变形例的光照射装置80e的侧面图。
在上述第一实施方式和第二实施方式中，例示了使用具备2个照射头72a、72b的激光照射装置80a和80b的有机EL显示装置50a的制造方法，但是在本实施方式中，例示使用具备1个照射头72的激光照射装置80c的有机EL显示装置50a的制造方法。
本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备元件形成工序和元件剥离工序，该元件形成工序与上述第一实施方式的元件形成工序实质上相同，因此，以下对元件剥离工序进行说明。
＜元件剥离工序＞
在此，对元件剥离工序所使用的光照射装置80c进行说明。
如图22所示，光照射装置80c具备：实质上形成密闭空间的处理室70；设置在处理室70内的工作台71a和照射头72；和经由光缆向照射头72供给激光Lb、Lc的激光光源(未图示)。
如图22所示，照射头72设置成每次能够翻转180°，使得从第一倾斜方向对被照射基板60a的表面照射激光Lc的状态和从第二倾斜方向对被照射基板60a的表面照射激光Lb的状态(双点划线)切换，其中，第一倾斜方向为从图中左上侧向右下侧的倾斜方向，第二倾斜方向为从图中右上侧向左下侧的倾斜方向。
此外，在本实施方式中，与上述第一实施方式同样，例示了为了使激光Lb和Lc对被照射基板60a的照射区域扫描而具备在载置有被照射基板60a的状态下能够移动的工作台71a的光照射装置80c，但是也可以使照射头72移动来代替使工作台71a移动。
以下，利用图22～图34对使用上述结构的光照射装置80c进行的元件剥离工序进行说明。在此，在图29～图34中，为方便起见，以使激光Lb和Lc向上照射的方式进行了图示，但是如图22所示，激光Lb和Lc对工作台71a上的被照射基板60a向下进行照射。
首先，如图22所示，将在上述第一实施方式的元件形成工序中制作出的被照射基板60a以其有机EL显示装置50a侧向下的方式载置在工作台71a上。
接着，如图22所示，在使用照射头72从第一倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lc之后，使照射头72翻转180°，使用该照射头72(参照双点划线)从第二倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lb。此时，通过使工作台71a在X方向或Y方向上依次移动，如图23～图35和图29～图31所示，使激光Lc的照射区域从支承基板8的一端向另一端扫描。进而，通过在使工作台71a返回到原来的位置之后在X方向或Y方向上依次移动，如图26～图28和图32～图34所示，使激光Lb的照射区域从支承基板8的一端向另一端扫描。在此，在图23～图34中，为方便起见，以使激光Lb和Lc的各照射区域不与其前后的照射区域重叠的方式进行了图示，但是在使激光Lb和Lc扫描时，使扫描的宽度比激光Lb和Lc的照射区域的宽度稍窄，以使该照射区域与其前边的照射区域稍微重叠。
由此，支承基板8上的分离层9以短时间(激光脉冲宽度)进行膨胀和收缩，从而分离层9与树脂基板层10的界面的密合性下降，因此，包含树脂基板层10和有机EL元件19a的有机EL显示装置50a从被照射基板60a剥离(参照图13)。
通过如以上那样操作，能够制造出本实施方式的有机EL显示装置50a。
此外，在本实施方式中，例示了照射头72翻转而切换激光Lb和Lc的照射方向的光照射装置80c，但是也可以为如以下那样的构成的光照射装置80d和80e。
如图35所示，光照射装置80d具备：实质上形成密闭空间的处理室70；设置在处理室70内的工作台71b和照射头72；和经由光缆向照射头72供给激光Lb和Lc的激光光源(未图示)。在此，如图35所示，照射头72构成为通过工作台71b的动作，从第一倾斜方向和第二倾斜方向对被照射基板60a的表面照射激光Lc和Lb。如图35所示，工作台71b设置成能够绕与被照射基板60a的载置面M垂直的旋转轴S每次转动180°，使得激光Lb和Lc对被照射基板60a的照射方向切换。此外，在光照射装置80d中，搭载有能够使工作台71b绕旋转轴S每次转动180°的基板翻转机构，但是基板翻转机构也可以为例如如图36～图41所示的结构或如图42所示的结构等。在此，在图36～图38和图42的平面图中，为明确表示被照射基板60a的朝向，在被照射基板60a的1个角部标有黑圆点的符号。
具体地说，如图36～图41所示，代替工作台71b的工作台71c具备基板翻转升降机构73。在此，如图36～图41所示，基板翻转升降机构73构成为在吸附有被照射基板60a的状态下，使被照射基板60a从工作台71c的表面升起，使被照射基板60a绕旋转轴S旋转180°之后，使被照射基板60a下降到工作台71c的表面。另外，如图42所示，代替工作台71b的工作台71d也可以不具备如上所述的基板翻转机构，而利用沿着图中的双点划线移动的搬送机器人74取出和放入工作台71d上的被照射基板60a，来改变被照射基板60a的朝向。
如图44所示，光照射装置80e具备：实质上形成密闭空间的处理室70；设置在处理室70内的工作台71e和照射头72；和经由光缆向照射头72供给激光Lb、Lc的激光光源(未图示)。在此，如图44所示，照射头72构成为通过工作台71e的动作，从第一倾斜方向和第二倾斜方向对被照射基板60a的表面照射激光Lc和Lb。如图44所示，工作台71e设置成能够绕与被照射基板60a的载置面M平行的旋转轴S转动，使得激光Lb和Lc对被照射基板60a的照射方向切换。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法及其所使用的激光照射装置80c～80e，除了能够得到上述的(1)、(4)～(8)的效果以外，还能够得到以下的(9)的效果。
对(1)进行详细说明，在使用激光照射装置80c～80e的元件剥离工序中，在通过照射头72从第一倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lc之后，通过照射头72从第二倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lb。因此，即使在支承基板8的表面上存在附着物A从而在分离层9存在激光Lc的未照射区域，也能够对该未照射区域照射激光Lb。由此，激光Lb和Lc的能量被充分地供给到分离层9，因此，能够抑制有机EL显示装置50a的剥离不良。
对(8)进行详细说明，在使用激光照射装置80c～80e的元件剥离工序中，从第一倾斜方向和第二倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lc和Lb，因此，即使在支承基板8的表面上存在大面积的附着物A，也能够比使用上述第一实施方式的激光照射装置80a的情况更难以形成激光的未照射区域。
(9)在激光照射装置80c～80e中，仅设置有1个照射头72，因此，只需要1台向照射头72供给激光的激光振荡器即可，能够实现低成本的激光照射装置80c～80e。
《第四实施方式》
图45～图47表示本发明的薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置的第四实施方式。此外，在本实施方式中，作为薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置，例示有机EL显示装置的制造方法及其所使用的激光照射装置。在此，图45和图46是用于对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明的截面图和平面图。另外，图47是用于对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的效果进行说明的截面图。
在上述第二实施方式和第三实施方式中，例示了从2个倾斜方向照射激光Lb、Lc的有机EL显示装置50a的制造方法，但是在本实施方式中，例示从在俯视时依次相差90°的4个倾斜方向照射激光Lb～Le的有机EL显示装置50a的制造方法。
本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备元件形成工序和元件剥离工序，元件形成工序与上述第一实施方式的元件形成工序实质上相同，因此，以下对元件剥离工序进行说明。
＜元件剥离工序＞
在此，元件剥离工序例如能够使用在上述第三实施方式中说明的光照射装置80d进行。此外，为了应对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法，只要工作台71b设置成能够绕与被照射基板60a的载置面M垂直的旋转轴S每次转动90°即可。另外，在图45和图47中，为方便起见，以使激光Lb～Le向上照射的方式进行了图示，但是激光Lb～Le对工作台71a上的被照射基板60a向下进行照射(参照图35)。
首先，如图35所示，将在上述第一实施方式的元件形成工序中制作出的被照射基板60a以其有机EL显示装置50a侧向下的方式载置在工作台71b上。
接着，如图35、图45和图46所示，通过照射头72从第一倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lc。此时，通过使工作台71b在X方向或Y方向上依次移动，使激光Lc的照射区域从支承基板8的一端向另一端扫描。
然后，使工作台71b顺时针旋转90°，通过照射头72从第二倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Ld。此时，通过使工作台71b在X方向或Y方向上依次移动，使激光Ld的照射区域从支承基板8的一端向另一端扫描。
进而，使工作台71b顺时针旋转90°，通过照射头72从第三倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Lb。此时，通过使工作台71b在X方向或Y方向上依次移动，使激光Lb的照射区域从支承基板8的一端向另一端扫描。
最后，使工作台71b顺时针旋转90°，通过照射头72从第四倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面照射激光Le。此时，通过使工作台71b在X方向或Y方向上依次移动，使激光Le的照射区域从支承基板8的一端向另一端扫描。
在此，在使激光Lb～Le扫描时，使扫描的宽度比激光Lb～Le的照射区域的宽度稍窄，以使该照射区域与其前边的照射区域稍微重叠。
由此，支承基板8上的分离层9以短时间(激光脉冲宽度)进行膨胀和收缩，从而分离层9与树脂基板层10的界面的密合性下降，因此，包含树脂基板层10和有机EL元件19a的有机EL显示装置50a从被照射基板60a剥离(参照图13)。在此，如图46和图47所示，即使在支承基板8的表面上存在在图46中的横向上延伸的划痕B从而在分离层9存在激光Lb和Lc的线状的未照射区域，如图47所示，也能够对该未照射区域照射激光Ld和Le。
通过如以上那样操作，能够制造出本实施方式的有机EL显示装置50a。
此外，在本实施方式中，例示了使用在上述第三实施方式说明的光照射装置80d进行的有机EL显示装置50a的制造方法，但是本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法也能够使用在上述第三实施方式中说明的光照射装置80c进行。另外，在本实施方式中，例示了在各自的时间进行来自第一倾斜方向、第二倾斜方向、第三倾斜方向和第四倾斜方向的激光的照射的有机EL显示装置50a的制造方法，但是也可以通过同时进行来自第一倾斜方向、第二倾斜方向、第三倾斜方向和第四倾斜方向的激光的照射，缩短元件剥离工序所需要的处理时间。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法及其所使用的激光照射装置，除了能够得到上述的(1)、(4)～(8)、(9)的效果以外，还能够得到以下的(10)的效果。
对(1)进行详细说明，在元件剥离工序中，从第一倾斜方向、第二倾斜方向、第三倾斜方向和第四倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面依次照射激光Lc、Ld、Lb和Le。因此，即使在支承基板8的表面上存在附着物A从而在分离层9存在激光Lc的未照射区域，也能够对该未照射区域照射激光Ld、Lb和Le。由此，激光Lb～Le的能量被充分地供给到分离层9，因此，能够抑制有机EL显示装置50a的剥离不良。
对(8)进行详细说明，在元件剥离工序中，从第一倾斜方向、第二倾斜方向、第三倾斜方向和第四倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面依次照射激光Lc、Ld、Lb和Le，因此，即使在支承基板8的表面上存在大面积的附着物A，也能够比使用上述第一实施方式的激光照射装置80a的情况更难以形成激光的未照射区域。
(10)在元件剥离工序中，从第一倾斜方向、第二倾斜方向、第三倾斜方向和第四倾斜方向对被照射基板60a的支承基板8的表面依次照射激光Lc、Ld、Lb和Le，因此，即使在支承基板8的表面上存在线状的划痕B，也能够比上述第三实施方式的从第一倾斜方向和第二倾斜方向照射激光Lc和Lb的情况更难以形成激光的未照射区域。
《第五实施方式》
图48～图50表示本发明的薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置的第五实施方式。此外，在本实施方式中，作为薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置，例示有机EL显示装置的制造方法及其所使用的激光照射装置。在此，图48、图49和图50是用于对本实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第一、第二和第三截面图。
在上述第一～第四实施方式中，例示了制造具备1个树脂基板层10的有机EL显示装置50a的方法，但是在本实施方式中，例示制造具备2个树脂基板层10a和10b的有机EL显示装置50b的方法。
如图50所示，有机EL显示装置50b具备：以彼此相对的方式设置的元件基板20a和对置基板30a；在元件基板20a和对置基板30a之间呈框状设置的密封件(未图示)；和设置在元件基板20a和对置基板30a之间的由密封件包围的区域中的填料25a。在此，在有机EL显示装置50b中，例如，进行图像显示的显示区域被规定为矩形状，在该显示区域，呈矩阵状排列有多个像素。在各像素中，例如，用于进行红色的灰度等级显示的子像素、用于进行绿色的灰度等级显示的子像素和用于进行蓝色的灰度等级显示的子像素以彼此相邻的方式排列。
如图50所示，元件基板20a具备：第一树脂基板层10a；设置在第一树脂基板层10a上的第一底涂层11a；和设置在第一底涂层11a上的有机EL元件19a。
如图50所示，对置基板30a具备：第二树脂基板层10b；设置在第二树脂基板层10b上的第二底涂层11b；和设置在第二底涂层11b上的彩色滤光片层24。
填料25a具有吸附水分和氧气等的吸收功能。在此，作为构成填料25a的材料，例如可举出具有热固性的环氧树脂或硅树脂等。另外，填料25a含有例如氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化铝(Al2O3)那样的金属氧化物、活性炭、硅胶、沸石等。
上述密封件以在基板周缘部将元件基板20a和对置基板30a彼此粘接的方式设置。在此，作为形成密封件的材料，例如可举出具有紫外线固化性和/或热固性的环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂等。
树脂基板层10a和10b与在上述第一实施方式中说明的树脂基板层10实质上相同。
底涂层11a和11b与在上述第一实施方式中说明的底涂层11实质上相同。
彩色滤光片层24例如具备：设置为格子状的黑矩阵(未图示)；和以与各子像素对应的方式分别设置在黑矩阵的各格子间的红色层、绿色层和蓝色层等多个着色层(未图示)。
上述结构的有机EL显示装置50b具有挠性，构成为通过在各子像素中，借助TFT12使有机EL层16的发光层3适当发光，进行图像显示。
接着，对本实施方式的有机EL显示装置50b的制造方法进行说明。在此，本实施方式的有机EL显示装置50b的制造方法具备包含元件形成工序的面板制作工序和元件剥离工序。
＜面板制作工序＞
首先，在玻璃基板等第一支承基板8a的表面上，例如，通过溅射法形成钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)等的金属膜、含有这些金属的合金膜、氧化物膜或氮化物膜，或者通过CVD(chemical vapor deposition：化学气相沉积)法形成厚度100nm～300nm左右的非晶硅膜，如图48所示，形成第一分离层9a。
接着，在第一分离层9a的表面上，例如，通过旋涂法或狭缝涂布法涂布聚酰亚胺树脂之后，对该涂布膜进行烧制，由此，如图48所示，形成厚度5μm～20μm左右的第一树脂基板层10a。
进而，在第一树脂基板层10a的表面上，例如，通过CVD法形成厚度50nm～1000nm左右的氧化硅膜或氮化硅膜等，如图48所示，形成第一底涂层11a。
然后，在第一底涂层11a的表面上，通过利用众所周知的方法形成TFT12、层间绝缘膜13、第一电极14、边缘罩15、有机EL层16(空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、电子注入层5)、第二电极17和密封膜18，如图48所示，形成有机EL元件19a。
通过如以上那样操作，能够隔着第一分离层9a在第一支承基板8a上制作元件基板20a。
另外，在玻璃基板等第二支承基板8b的表面上，例如，通过溅射法形成钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)等的金属膜、含有这些金属的合金膜、氧化物膜或氮化物膜，或者通过CVD(chemical vapor deposition：化学气相沉积)法形成厚度100nm～300nm左右的非晶硅膜，如图48所示，形成第二分离层9b。
接着，在第二分离层9b的表面上，例如，通过旋涂法或狭缝涂布法涂布聚酰亚胺树脂之后，对该涂布膜进行烧制，由此，如图48所示，形成厚度5μm～20μm左右的第二树脂基板层10b。
进而，在第二树脂基板层10b的表面上，例如，通过CVD法形成厚度50nm～1000nm左右的氧化硅膜或氮化硅膜等，如图48所示，形成第二底涂层11b。
然后，在第二底涂层11b的表面上，利用众所周知的方法，如图48所示，形成彩色滤光片层24。
通过如以上那样操作，能够隔着第二分离层9b在第二支承基板8b上制作对置基板30a。
进而，例如，在第一支承基板8a上制作的元件基板20a的表面上，通过分配(dispenser)方式，呈框状配置密封树脂，并且在密封树脂的内侧滴下配置填充树脂。
接着，将配置有密封树脂和填充树脂的元件基板20a和在第二支承基板8b上制作的对置基板30a在减压气氛下贴合之后，使该减压气氛开放，由此，对第一支承基板8a和第二支承基板8b的外侧的表面进行加压。
进而，例如，在对由元件基板20a和对置基板30a夹着的密封树脂照射紫外线之后，进行加热，由此，使密封树脂和填充树脂固化，从而形成密封件和填料25a。
通过如以上那样操作，能够制作出被照射基板60b(参照图48)。
＜元件剥离工序＞
首先，如图48所示，通过利用在上述第一～第四实施方式中使用的光照射装置80a～80e中的任一个，从第二支承基板8b侧且从相互不同的多个方向照射激光L，使第二分离层9b与第二树脂基板层10b的界面的密合性下降，从而使包含有机EL显示装置50b的被照射基板60c从被照射基板60b剥离(参照图49)。
接着，如图49所示，通过利用在上述第一～第四实施方式中使用的光照射装置80a～80e中的任一个，从被照射基板60c的第一支承基板8a侧且从相互不同的多个方向照射激光L，使第一分离层9a与第一树脂基板层10a的界面的密合性下降，从而如图50所示，使有机EL显示装置50b从被照射基板60c剥离。
通过如以上那样操作，能够制造出本实施方式的有机EL显示装置50b。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50b的制造方法及其所使用的激光照射装置，能够得到上述的(1)～(10)的效果。
此外，在本实施方式中，例示了具备彩色滤光片层24的有机EL显示装置50b的制造方法，但是也可以省略彩色滤光片层24。
《第六实施方式》
图51～图53表示本发明的薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置的第六实施方式。此外，在本实施方式中，作为薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置，例示液晶显示装置的制造方法及其所使用的激光照射装置。在此，图51、图52和图53是用于对本实施方式的液晶显示装置50c的制造方法进行说明的第一、第二和第三截面图。
在上述第一～第五实施方式中，例示了制造有机EL显示装置50a的方法，但是在本实施方式中，例示制造液晶显示装置50c的方法。
如图53所示，液晶显示装置50c具备：以彼此相对的方式设置的元件基板20b和对置基板30b；在元件基板20b和对置基板30b之间呈框状设置的密封件(未图示)；和设置在元件基板20b和对置基板30b之间的由密封件包围的区域中的液晶层25b。在此，在液晶显示装置50c中，例如，进行图像显示的显示区域被规定为矩形状，在该显示区域内，呈矩阵状排列有多个像素。在各像素中，例如，用于进行红色的灰度等级显示的子像素、用于进行绿色的灰度等级显示的子像素和用于进行蓝色的灰度等级显示的子像素以彼此相邻的方式排列。
如图53所示，元件基板20b具备：第一树脂基板层10a；设置在第一树脂基板层10a上的第一底涂层11a；和设置在第一底涂层11a上的TFT阵列元件19b。
TFT阵列元件19b例如具备在第一底涂层11a上依次设置的多个TFT(12(参照图1))、层间绝缘膜(13(参照图1))、多个像素电极和取向膜。在此，上述多个像素电极以与各子像素对应的方式呈矩阵状设置在层间绝缘膜(13)上。另外，上述各像素电极经由在层间绝缘膜(13)中形成的接触孔与各TFT(12)的漏极电极连接。另外，上述像素电极例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等的透明导电膜构成。另外，TFT阵列元件19b和对置基板30b的取向膜例如由聚酰亚胺树脂构成。
如图53所示，对置基板30b具备：第二树脂基板层10b；和在第二树脂基板层10b上依次设置的第二底涂层11b、彩色滤光片层24、共用电极23和取向膜(未图示)。在此，共用电极23由ITO等的透明导电膜构成。
液晶层25b例如由具有电光学特性的向列型液晶材料等构成。
上述结构的液晶显示装置50c具有挠性，构成为通过在各子像素中，借助TFT(12)对在元件基板20b上的各像素电极与对置基板30上的共用电极23之间配置的液晶层25b施加规定的电压而改变液晶层25b的取向状态，来调节例如来自背光源的光的透射率，从而进行图像显示。
接着，对本实施方式的液晶显示装置50c的制造方法进行说明。在此，本实施方式的液晶显示装置50c的制造方法具备包含元件形成工序的面板制作工序和元件剥离工序。
＜面板制作工序＞
在由上述第五实施方式的面板制作工序形成的第一底涂层11a的表面上，使用众所周知的方法形成TFT(12)、层间绝缘膜(13)、像素电极和取向膜，由此，如图51所示，形成TFT阵列元件19b。由此，能够隔着第一分离层9a在第一支承基板8a上制作元件基板20b。
另外，在由上述第五实施方式的面板制作工序形成的第二底涂层11b的表面上，使用众所周知的方法，如图51所示，形成彩色滤光片层24、共用电极23和取向膜。由此，能够隔着第二分离层9b在第二支承基板8b上制作对置基板30b。
进而，例如，在第一支承基板8a上制作的元件基板20b的表面上，例如，通过分配方式，呈框状配置密封树脂，并且在密封树脂的内侧滴下配置液晶材料。
接着，将配置有密封树脂和填充树脂的元件基板20b和在第二支承基板8b上制作的对置基板30b在减压气氛下贴合之后，使该减压气氛开放，由此，对第一支承基板8a和第二支承基板8b的外侧的表面进行加压。
进而，例如，在对由元件基板20b和对置基板30b夹着的密封树脂照射紫外线之后，进行加热，由此，使密封树脂固化，从而形成密封件和液晶层25b。
通过如以上那样操作，能够制作出被照射基板60d(参照图51)。
＜元件剥离工序＞
首先，使用在上述第一～第四实施方式中使用的光照射装置80a～80e中的任一个，如图51所示，从第二支承基板8b侧且从相互不同的多个方向照射激光L，由此，使第二分离层9b与第二树脂基板层10b的界面的密合性下降，从而使包含液晶显示装置50c的被照射基板60e从被照射基板60d剥离(参照图52)。
接着，使用在上述第一～第四实施方式中使用的光照射装置80a～80e中的任一个，如图52所示，从被照射基板60e的第一支承基板8a侧且从相互不同的多个方向照射激光L，由此，使第一分离层9a与第一树脂基板层10a的界面的密合性下降，从而如图53所示，使液晶显示装置50c从被照射基板60e剥离。
通过如以上那样操作，能够制造出本实施方式的液晶显示装置50c。
如以上说明的那样，根据本实施方式的液晶显示装置50c的制造方法及其所使用的激光照射装置，能够得到上述的(1)～(6)、(8)～(10)的效果。
此外，在上述第一～第五实施方式中，例示了空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的5层层叠构造的有机EL层，但是有机EL层也可以为例如空穴注入层兼空穴传输层、发光层和电子传输层兼电子注入层的3层层叠构造。
另外，在上述第一～第五实施方式中，例示了以第一电极为阳极且以第二电极为阴极的有机EL显示装置，但是本发明也能够应用于使有机EL层的层叠构造反转，以第一电极为阴极且以第二电极为阳极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了具备以与第一电极连接的TFT的电极为漏极电极的元件基板的有机EL显示装置或液晶显示装置，但是本发明也能够应用于具备将与第一电极连接的TFT的电极称为源极电极的元件基板的有机EL显示装置或液晶显示装置。
另外，在上述各实施方式中，作为薄膜元件装置，例示了有机EL显示装置或液晶显示装置，但是本发明也能够应用于X射线图像传感器等薄膜元件装置。
产业上的可利用性
如以上说明的那样，本发明对柔性显示装置是有用的。
符号说明
La～Le 激光
S 旋转轴
8、8a、8b 支承基板
9、9a、9b 分离层
10、10a、10b 树脂基板层
11、11a、11b 底涂层
19a 有机EL元件(薄膜元件)
19b TFT阵列元件(薄膜元件)
22 支承体
50a、50b 有机EL显示装置(薄膜元件装置)
50c 液晶显示装置(薄膜元件装置)
60a～60e 被照射基板
71a～71e 工作台
72、72a～72c 照射头
80a～80e 激光照射装置

Claims (6)

1.一种薄膜元件装置的制造方法，其具备：
元件形成工序，在透明的支承基板上形成基板层之后，在该基板层上形成薄膜元件；和
元件剥离工序，通过从所述支承基板的与形成有所述基板层和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光，使所述基板层和薄膜元件从所述支承基板剥离，
所述薄膜元件装置的制造方法的特征在于：
在所述元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射所述激光，
在所述元件剥离工序中，从第一方向和与该第一方向不同的第二方向照射所述激光，
所述第一方向为相对于所述支承基板的表面垂直的垂直方向，所述第二方向为相对于所述支承基板的表面倾斜的倾斜方向，
在所述元件剥离工序中，在使来自所述垂直方向的激光和来自所述倾斜方向的激光移动的同时，对所述支承基板的表面进行照射，所述支承基板的表面在被照射来自所述垂直方向的激光之后，被照射来自所述倾斜方向的激光。
2.根据权利要求1所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：
来自所述倾斜方向的激光的强度比来自所述垂直方向的激光的强度低。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：
在所述元件形成工序中，在所述支承基板和基板层之间形成分离层。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：
在所述元件形成工序中，在所述基板层和薄膜元件之间形成底涂层。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：
在所述元件形成工序中，在形成所述薄膜元件之后，在该薄膜元件的表面上粘接支承体。
6.根据权利要求1或2所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：
所述薄膜元件为有机EL元件。
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