WO2016117483A1 - 弾性波装置の製造方法、および弾性波装置 - Google Patents

弾性波装置の製造方法、および弾性波装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2016117483A1
WO2016117483A1 PCT/JP2016/051203 JP2016051203W WO2016117483A1 WO 2016117483 A1 WO2016117483 A1 WO 2016117483A1 JP 2016051203 W JP2016051203 W JP 2016051203W WO 2016117483 A1 WO2016117483 A1 WO 2016117483A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resist
wave device
layer
idt
region
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/051203
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
岩本敬
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN201680004198.8A priority Critical patent/CN107112968B/zh
Publication of WO2016117483A1 publication Critical patent/WO2016117483A1/ja
Priority to US15/622,105 priority patent/US10707825B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device having at least two IDT electrodes having different resonance frequencies and film thicknesses on the same piezoelectric substrate.
  • each IDT is manufactured in a separate process.
  • etching for determining the thickness of the IDT is performed, and then a resist pattern is formed by a photolithography method, and then the line width of the IDT is reduced. Etching to decide.
  • an object of the present invention is to form a resist pattern by a litho photolithography method, and then form all layers of two or more kinds of metal films including an etching resistant material constituting the IDT electrode, and then etch resistance.
  • a method for manufacturing an elastic wave device that suppresses variation in the line width of each IDT electrode in an elastic wave device in which an IDT electrode having a thickness of at least two is formed on the same piezoelectric substrate by etching a layer having no surface, and elasticity It is to provide a wave device.
  • the first resist is applied to the main surface of the piezoelectric substrate, and the first resist is exposed and developed, whereby the main surface on which the first comb-shaped electrode is formed is formed.
  • a first resist corresponding to the shape of the first comb electrode in the first region and corresponding to the shape of the second comb electrode in the second region of the main surface on which the second comb electrode is formed.
  • the elastic wave device is, for example, a filter, a duplexer, a triplexer, or a multiplexer.
  • the line widths of the first and second comb electrodes are determined by one pattern formation process of the first resist without an etching process. Therefore, the method for manufacturing an acoustic wave filter according to the present invention determines the line widths of the first and second comb electrodes with fewer steps compared to the prior art. Can be suppressed.
  • each comb electrode is narrowed in the direction opposite to the piezoelectric substrate. Tapered shape. With such a tapered shape, the insulating material for covering each comb electrode is likely to be placed on the side surface of each comb electrode. Therefore, the taper shape of each comb-shaped electrode can increase the reliability of insulation of each comb-shaped electrode.
  • the second resist in the second region and the uppermost conductive material in the second region may be dissolved.
  • the protective layer in the first region is formed, and at the same time, the uppermost conductive material in the second region is etched. Therefore, this manufacturing method simplifies the entire process.
  • the etching solution for dissolving the uppermost conductive material in the second region may include a component for passivating the lower conductive material adjacent to the uppermost layer.
  • nitric acid (HNO 3 ) having an oxidizing action is used as a component for passivating nickel.
  • HNO 3 nitric acid
  • This passive film becomes an etching stop layer that prevents the metal film containing nickel from being dissolved by etching. Therefore, in this aspect, since the passive film prevents the lower layer conductive material from being dissolved by the etching solution for dissolving the uppermost layer conductive material, a change in the thickness of the lower layer in the second region can be suppressed.
  • each IDT electrode it is possible to suppress variation in the lateral width of each IDT electrode in an elastic wave device in which at least two or more IDT electrodes are formed on the same piezoelectric substrate.
  • FIG. 1A is a plan view of an elastic wave device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a cross-sectional view of the elastic wave device for explaining the thickness of each IDT.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a process sequence of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • FIGS. 3A to 3D are diagrams for explaining the pattern forming process of the first resist.
  • FIG. 4A is a diagram for explaining the formation process of the first film
  • FIG. 4B is a diagram for explaining the formation process of the second film
  • FIG. FIG. 5 is a diagram for explaining a first resist removal step.
  • FIG. 5B are diagrams for explaining a process for forming a protective layer made of the second resist
  • FIG. 5C is a diagram for explaining an etching process
  • FIG. 5D is a diagram for explaining the protective layer removing step.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a process sequence of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first modification.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a process sequence of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the second modification.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining an etching process of the method for manufacturing an acoustic wave device according to the second modification.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view of an elastic wave device having four pass bands, and FIG.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view of the elastic wave device before thickness adjustment of each IDT.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • 12A and 12B are diagrams for illustrating a detailed cross-sectional shape of the metal film in the film forming process.
  • FIG. 13A is a diagram showing a detailed cross-sectional shape of each IDT
  • FIG. 13B is a cross-sectional view of an acoustic wave device covered with an insulating layer.
  • FIG. 1A is a plan view of an acoustic wave device 300
  • FIG. 1B is a cross-sectional view of the acoustic wave device 300 for explaining the thickness of each IDT (Interdigital Transducer). It is.
  • the cross-sectional view of FIG. 1 (B) is obtained by arranging a part of the AA cross-sectional view and a part of the BB cross-sectional view in order to compare the thickness of the IDT 101 and the thickness of the IDT 201. Yes, which is different from the cross-sectional view of the actual acoustic wave device 300.
  • a duplexer is shown as the elastic wave device 300.
  • the elastic wave device of the present invention is not limited to a duplexer, and may be a filter, a triplexer, or a multiplexer.
  • the acoustic wave device 300 has two pass bands and is constituted by a surface acoustic wave filter that demultiplexes a transmission signal and a reception signal. As shown in FIG. 1A, the acoustic wave device 300 includes a plurality of IDTs 101, IDTs 105, IDTs 201, and IDTs 205. The elastic wave device 300 realizes two passbands by making the thicknesses of the IDT 101 and the IDT 105 different from the thicknesses of the IDT 201 and the IDT 205.
  • the acoustic wave device 300 includes a piezoelectric substrate 50 having IDTs 101, 105, 201, and 205 formed on the main surface.
  • the piezoelectric substrate 50 includes, for example, a crystal of lithium tantalate (LiTaO 3 ) or lithium niobate (LiNbO 3 ) and has piezoelectricity.
  • the IDT 101 and the IDT 105 are arranged in a region 901 on the main surface of the piezoelectric substrate 50, and the IDT 201 and the IDT 205 are arranged in a region 902 on the main surface of the piezoelectric substrate 50.
  • the region 901 and the region 902 are obtained by dividing the region of the main surface of the piezoelectric substrate 50 by the virtual dividing line DL.
  • the IDT 101 is composed of two electrodes, one electrode is connected to the electrode pad 102 and the other electrode is connected to the pad electrode 103.
  • the IDT 105 has one electrode connected to the pad electrode 106 and the other electrode connected to the pad electrode 107.
  • the IDT 201 one electrode is connected to the pad electrode 202 and the other electrode is connected to the pad electrode 203.
  • the IDT 205 one electrode is connected to the pad electrode 206 and the other electrode is connected to the pad electrode 207.
  • each actual IDT electrode has a larger number of comb teeth than the shape shown in FIG.
  • the pad electrodes 103, 107, 203, and 207 are connected to the ground via vias (not shown).
  • the pad electrode 102 is connected to the terminal 102P.
  • the terminal 102P is connected to a transmission circuit (not shown) and receives a transmission signal.
  • the pad electrode 202 is connected to the terminal 202P.
  • the terminal 202P is connected to a reception circuit (not shown) and outputs a reception signal.
  • the pad electrode 106 and the pad electrode 206 are connected to the terminal 106P.
  • Terminal 106P is connected to an antenna (not shown).
  • the shape, electrode spacing, and thickness of the IDT 101 and the IDT 105 are set so that the transmission signal output from the terminal 102P passes the component of the first pass band from the IDT 101 to the IDT 105.
  • the shape, electrode spacing, and thickness of the IDT 201 and IDT 205 are set so that the received signal input from the antenna (not shown) to the terminal 106P passes the second passband component from the IDT 205 to the IDT 201.
  • the first pass band is set to 1,920 MHz to 1,980 MHz, which is a band 1 transmission band of LTE (Long Term Evolution) standard.
  • the second passband is set to 2,110-2,170 MHz, which is the reception band of the LTE standard band1.
  • the elastic wave device 300 has a first pass band and a second pass band because the thicknesses of the IDTs 101 and 105 and the thicknesses of the IDTs 201 and 205 are different from each other.
  • the IDT 101 is thicker than the IDT 201 as shown in FIG.
  • the thickness of the IDT 105 is equal to the thickness of the IDT 101
  • the thickness of the IDT 205 is equal to the thickness of the IDT 201.
  • the IDT 101 is formed by sequentially laminating a first layer 10 and a second layer 20 on the main surface of the piezoelectric substrate 50. In the IDT 201, only the first layer 10 is arranged on the main surface of the piezoelectric substrate 50.
  • the elastic wave device 300 minimizes the error of the first and second passbands by minimizing the error of the electrode width of each IDT. In other words, the elastic wave device 300 according to the present embodiment minimizes the errors in the first and second passbands by minimizing the length error between the IDT comb teeth. .
  • FIG. 2 is a diagram showing a process sequence of the acoustic wave device 300.
  • a first resist pattern is formed (S10).
  • a wafer 50W to be a plurality of piezoelectric substrates 50 is prepared.
  • the first resist 1 is applied to the main surface of the mirror-finished wafer 50W.
  • the first resist 1 is exposed.
  • a stepper is used as the exposure apparatus. That is, the first resist 1 is irradiated with UV (Ultraviolet) light through the photomask 903 and the projection lens 904 disposed above the wafer 50W.
  • the first resist 1 is developed.
  • the first resist 1R remains in the portion irradiated with the UV light, and a pattern 1P in which the first resist 1 is removed in the portion not irradiated with the UV light is formed on the wafer 50W.
  • the first film 10M is formed on the wafer 50W on which the pattern 1P made of the first resist 1R is formed (S20).
  • the first film 10M includes, for example, aluminum (Al).
  • the first film 10M is formed by, for example, an electron beam evaporation method. Also, the thickness of the first film 10M is adjusted to be 250 nm.
  • the first film 10M is formed on the upper and lower portions of the pattern 1P, respectively.
  • the upper portion of the pattern 1P is the upper surface of the first resist 1R
  • the lower portion of the pattern 1B is a portion of the main surface of the wafer 50W that is not covered with the first resist 1R.
  • the in-plane film thickness of the wafer 50W may be made more uniform using a correction plate.
  • the second film 20M is formed on the first film 10M (S30). That is, the second film 20 is stacked on the first film 10M without forming a resist on the first film 10M.
  • the second film 20M includes, for example, copper (Cu). Tungsten (Ta) or nickel (Ni) may be used as the conductive material of the second film 20M.
  • the second film 20M is formed on the first film 10M formed on the upper and lower portions of the pattern 1P.
  • the formation of the second film 20M is also performed, for example, by electron beam evaporation.
  • the thickness of the second film 20M is adjusted to 20 nm.
  • the first resist 1R is removed (S40). That is, the first resist 1R is removed from the wafer 50W with a developer. Then, as shown in FIG. 4C, the laminated film formed on the pattern 1P is removed from the wafer 50W together with the first resist 1R.
  • the laminated electrode formed of the first layer 10 and the second layer 20 formed under the pattern 1P remains on the wafer 50W even when the first resist 1R is developed. That is, the stacked electrodes composed of the first layer 10 and the second layer 20 remaining in the region 901 on the main surface of the wafer 50W become the IDT 101 and the IDT 105.
  • pad electrodes 102, 103, 106, 107, 202, 203, 206, and 207 and terminals P102P, 202P, and 106P are formed.
  • a wiring for connecting the pad electrode and each terminal is formed.
  • metal layer patterning is performed on electrode portions other than the IDTs 101, 105, 201, and 205 for the purpose of, for example, reducing the resistance value.
  • a protective layer made of the second resist 200 is formed (S51 and S52). More specifically, first, as shown in FIG. 5A, the second resist 200 is applied to the wafer 50W. At this time, the thickness of the second resist 200 is adjusted so that the stacked body including the first layer 10 and the second layer 20 formed in the IDT 101, the IDT 105, and the region 902 is covered with the second resist 200.
  • the second resist 200 is exposed and developed.
  • an aligner exposure apparatus is used as the exposure apparatus.
  • the second resist 200 is a positive resist
  • the second resist 200 is exposed using a photomask having a pattern in which light is shielded in the region 901 and light is transmitted in the region 902.
  • the second resist 200 in the region 901 remains on the wafer 50W
  • the second resist 200 in the region 902 is removed from the wafer 50W.
  • the second resist 200 in the region 901 remains on the wafer 50W while covering the IDTs 101 and 105, and is removed from the region 902.
  • the protective layer of the 2nd resist 200 which protects IDT101 and IDT105 is formed. Since the second resist 200 in the region 902 is removed, the stacked body including the first layer 10 and the second layer 20 in the region 902 is exposed.
  • the conductive material on the wafer 50W is etched (S60).
  • a solution that dissolves the conductive material of the second layer 20 is used.
  • ferric chloride (FeCl 2 ) is used as an etching solution for dissolving copper (Cu).
  • the second layer 20 in the region 902 is removed.
  • the electrodes made of the first layer 10 remaining in the region 902 become IDT 201 and IDT 205.
  • the main surface of the wafer 50W on which the IDTs 101, 105, 201, and 205 are formed is silicon oxide (SiO 2 ) in order to prevent the characteristics from being changed by being exposed to the external environment. Cover with a protective film. Then, after performing the passband measurement, the electrode protective film is shaved by dry etching to adjust the passband.
  • the protective film made of silicon oxide is desirably formed thicker than a desired thickness. If the protective film is formed thicker than the desired thickness, even if batch-to-batch variations occur in the formation of the IDTs 101, 105, 201, and 205, the pass band can be easily adjusted by adjusting the amount of the protective film cut. .
  • the pass band shift amount with respect to the protective film shaving amount is IDT electrode so that the film thickness of the protective film can be adjusted at once for the entire main surface of the wafer 50W regardless of the area of the main surface of the wafer 50W.
  • the electrode widths of the IDTs 101, 105, 201, and 205 are determined by one exposure and development on the first resist 1 shown in FIGS. 3C and 3D. That is, the method for manufacturing the acoustic wave device 300 shown in FIG. 2 sets the electrode widths of the IDTs 101, 105, 201, and 205 without performing etching to determine the electrode widths of the electrode widths of the IDTs 101, 105, 201, and 205. To do. Since the method for manufacturing the acoustic wave device 300 according to the present embodiment determines the electrode widths of the IDTs 101, 105, 201, and 205 with fewer processes than in the prior art, it is possible to minimize electrode width errors. it can. Therefore, the elastic wave device 300 can minimize the errors in the first and second passbands caused by the error in the electrode width.
  • this manufacturing method in the region 901 and the region 902, a stacked body including the first layer 10 and the second layer 20 is formed, and then the stacked body in the region 902 is thinned by etching, so that the main surface of the wafer 50W Of these, IDT is not formed in the portion exposed to the etching solution. Therefore, this manufacturing method can prevent the characteristics of the piezoelectric substrate 50 under the IDTs 101, 105, 201, and 205 from being changed by being exposed to the etching solution.
  • the manufacturing method of acoustic wave device 300 shown in FIG. 6 performs the process of step S52A instead of step S52, and does not execute the process of step S60 with respect to the manufacturing method shown in FIG.
  • step S52A development is performed using a developer that dissolves the second resist 200 and the second layer 20.
  • a developer that dissolves the second resist 200 and the second layer 20.
  • the second layer 20 is made of nickel (Ni), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is used as the developer.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the formation of the protective layer made of the second resist 200 and the etching of the second layer 20 in the region 902 can be simultaneously performed, so that the entire process can be simplified. .
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a process sequence of a method for manufacturing the acoustic wave device 300 according to the second modification.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of acoustic wave device 300 for explaining the thickness of IDT 201 in region 902.
  • the surface of the first layer 10 that is the lower layer adjacent to the uppermost layer is passivated when the second layer 20 that is the uppermost layer of the region 902 is etched.
  • the etching solution By using the etching solution, the thickness of the first layer 10 is prevented from being changed by etching.
  • the method of manufacturing the elastic wave device 300 according to the modified example 2 is different from the step 60 in that the step S60B is performed. It is different from the manufacturing method. The description of other overlapping steps is omitted.
  • step S60B the conductive material formed on the piezoelectric substrate 50 is etched using an etchant that dissolves the second layer 20 and passivates the conductive material of the first layer 10.
  • an etchant that dissolves the second layer 20 and passivates the conductive material of the first layer 10.
  • an etchant that dissolves the second layer 20 and passivates the conductive material of the first layer 10.
  • an etchant that dissolves the second layer 20 and passivates the conductive material of the first layer 10.
  • an etchant that dissolves the second layer 20 and passivates the conductive material of the first layer 10.
  • an etchant that dissolves the second layer 20 and passivates the conductive material of the first layer 10.
  • the oxide layer 10 ⁇ / b> S has etching resistance and prevents the etching solution that dissolves the second layer 20 from dissolving the first layer 10. That is, the oxide layer 10 ⁇ / b> S serves as an etching stop layer for the first layer 10. Accordingly, the thickness of the first layer 10 is difficult to change because the first layer 10 is hardly dissolved by the etching solution for dissolving the second layer 20. Thereby, the manufacturing method of the elastic wave apparatus 300 which concerns on the modification 2 can make the thickness of the electrode of IDT201,205 of the area
  • the material that is likely to be passive is not limited to nickel, and tungsten (Ta), aluminum (Al), titanium (Ti), and chromium (Cr) can be used.
  • the formation of the etching stop layer by changing the surface of the first layer 10 to the oxide layer 10S with an etching solution containing a component having an oxidizing action is not limited to the above example. If a noble metal is used as the conductive material of the first layer 10, the thickness of the first layer 10 hardly changes during the etching of the second layer 20 in the region 902, regardless of the etchant containing a component having an oxidizing action. Become. That is, in order to form the electrode thickness difference between IDT 101 and IDT 201, if the first layer 10 under the second layer 20 removed by etching is formed of a noble metal, etching is performed to form the electrode thickness difference. Even if it performs, the thickness of the 1st layer 10 becomes difficult to change.
  • the noble metal used as the etching stop layer is used for conductive materials such as aluminum (Al), titanium (Ti), copper (Cu), tungsten (W), and tantalum (Ta).
  • a material having a high selectivity to the etching solution is used.
  • platinum (Pt), palladium (Pd), and gold (Au) are used as noble metals.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view of elastic wave device 400 for explaining the thicknesses of IDTs 301, 302, 303, and 304.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view of the acoustic wave device 400 before adjusting the thickness of the electrode.
  • the acoustic wave device 400 is a so-called surface acoustic wave filter. As shown in FIG. 9A, the IDTs 301, 302, 303, and 304 have different thicknesses. IDT301, IDT302, IDT303, and IDT304 are thick in this order.
  • a first layer 311, a second layer 312, a third layer 313, a fourth layer 314, and a fifth layer 315 are sequentially stacked on the main surface of the wafer 50W.
  • the IDT 302 has a stacked structure in which the fifth layer 315 is removed from the stacked structure of the IDT 301.
  • the IDT 303 has a stacked structure in which the fourth layer 314 is removed from the stacked structure of the IDT 302.
  • the IDT 304 has a stacked structure in which the third layer 313 is removed from the stacked structure of the IDT 303.
  • the lower portions of the patterns of the IDTs 301, 302, 303, and 304 are formed on the main surface of the wafer 50W with the first resist 1 (step shown in step S10 of FIG. 2).
  • Five films are sequentially formed on the wafer 50W (repetition of steps S20 and S30).
  • step S51, S52 and S70 the step of forming a protective layer with the second resist for the region to be protected from etching
  • step S60 the etching
  • a protective layer is formed in a region where IDTs 301 and 303 are to be formed. Then, the conductive material formed on the wafer 50W is etched with an etching solution containing nitric acid. Then, the fifth layer 315 (copper) in the region where the IDTs 302 and 304 are to be formed is removed. Further, during this etching, the surface of the fourth layer 314 (nickel) below the fifth layer 315 in the region where the IDTs 302 and 304 are to be formed is passivated by nitric acid.
  • a protective layer is formed in the region where the IDTs 301 and 302 are to be formed.
  • tetramethylammonium hydroxide is used as a developer for the second resist.
  • the fourth layer 314 nickel in the region where the IDT 304 is to be formed is removed.
  • the wafer 50W is exposed to an etching solution containing nitric acid without removing the protective layer in the region where the IDTs 301 and 302 are to be formed. Then, the fifth layer 315 (copper) in the region where the IDT 303 is to be formed and the third layer 313 (copper) in the region where the IDT 304 is to be formed are dissolved.
  • the second layer 312 (platinum) which is the lower layer of the third layer 313 in the region where the IDT 304 is to be formed, is a precious metal and hardly dissolves.
  • the wafer 50W is exposed to tetramethylammonium hydroxide in order to remove the protective layer in the region of the IDTs 301 and 302.
  • the fourth layer (nickel) in the region of IDT 303 is removed from the wafer 50W together with the protective layer.
  • the manufacturing method described above can also be applied to the acoustic wave device 500 shown in FIG.
  • the elastic wave device 500 is a so-called boundary acoustic wave filter.
  • the mains of the wafer 50W are further covered so as to cover the IDTs 101, 105, 201, 205.
  • a dielectric layer 501 is formed on the surface.
  • As a material of the dielectric layer 501 for example, silicon oxide (SiO 2) is used.
  • the elastic wave device 600 is a so-called elastic plate wave filter.
  • the support portion 601 is formed in a predetermined region of the main surface of the support substrate 50S, and the piezoelectric film 50L is formed of a piezoelectric material so as to cover the main surface of the support substrate 50S on which the support portion 601 is formed.
  • the cavity 602 and the cavity 603 surrounded by the support substrate 50S, the support 601 and the piezoelectric film 50L are formed.
  • IDTs 101, 105, 201, and 205 are formed on the surface of the piezoelectric film 50L on the surface opposite to the support substrate 50S by the manufacturing method described above. Specifically, the IDT 101 and the IDT 105 are formed in a region overlapping the cavity 602 when the elastic wave device 600 is viewed in plan. The IDT 201 and the IDT 205 are formed in a region overlapping the cavity 603 in plan view of the acoustic wave device 600.
  • FIG. 12A is a diagram showing a detailed cross-sectional shape of the metal film in the film forming process of the first film 10M.
  • FIG. 12B is a diagram showing a detailed cross-sectional shape of the metal film in the film forming process of the second film 20M.
  • the first film 10M when the first film 10M is formed on the main surface of the piezoelectric substrate 50 covered with the first resist 1R by the electron beam evaporation method, the first film 1M is formed on the first resist 1R.
  • the first film 10MU has an inversely tapered shape that becomes thicker toward the opposite side of the piezoelectric substrate 50.
  • the reverse taper shape of the first film 10MU becomes an umbrella in a portion of the main surface of the piezoelectric substrate 50 that is not covered with the first resist 1R.
  • a first film 10MB having a forward taper shape that narrows toward the opposite side of the piezoelectric substrate 50 is formed.
  • the second film 20MU formed on the first film 10MU has an inversely tapered shape that becomes thicker toward the opposite side of the piezoelectric substrate 50.
  • the reverse taper-shaped second film 20MU As the reverse taper-shaped second film 20MU is formed, the reverse taper shape of the second film 20MU becomes an umbrella above the first film 10MB, so that it becomes thinner toward the opposite side of the piezoelectric substrate 50.
  • a forward-tapered second film 20MB is formed.
  • FIG. 13B is a cross-sectional view of the acoustic wave device 300 covered with the insulating layer 30.
  • an insulating material is applied to the main surface of the piezoelectric substrate 50.
  • the IDTs 101, 105, 201, and 205 have a forward tapered shape, an insulating material is easily placed on the side surface of each IDT. As a result, each IDT is more reliably covered with the insulating layer 30. That is, the forward tapered shape of the IDTs 101, 105, 201, 205 can improve the insulation reliability by the insulating layer 30.
  • the resonance frequency of the IDT is shifted to a lower frequency side due to a change in the weight of the IDT.
  • IDTs made of different conductive materials and having different thicknesses have different weight changes for each IDT.
  • IDTs having different thicknesses made of different conductive materials have variations in the shift amount of the resonance frequency.
  • the elastic wave device 300 Since the elastic wave device 300 according to the present embodiment has high reliability of insulation by the insulating layer 30, the change in the weight of each IDT due to the oxidation of each IDT and the variation in the resonance frequency shift amount of each IDT resulting therefrom. Can be suppressed.
  • Table 1 shows combinations of IDT conductive materials of two different thicknesses.
  • Table 2 shows combinations of IDT conductive materials with three different thicknesses.
  • Table 3 shows combinations of four types of IDT conductive materials.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

　弾性波装置の製造方法は、第１レジストのパターンが形成された圧電基板上に、導電材料からなる複数の膜を順に積層する工程と、複数の膜が積層された圧電基板から第１レジストを除去する工程と、第１レジストが除去された圧電基板に第２レジストを塗布し、第２レジストに対し露光及び現像することで、第１領域を第２レジストで保護する保護層を形成する工程と、第１領域が保護層で保護された状態で、第２導電材料をエッチングする工程と、を有する。

Description

弾性波装置の製造方法、および弾性波装置
　本発明は、同一の圧電基板に少なくとも、共振周波数と膜厚が異なる２以上のＩＤＴ電極を有する弾性波装置に関する。
　従来、同一の圧電基板に少なくとも、共振周波数と膜厚が異なる２以上のＩＤＴ電極を有する弾性波装置を製造する方法として、それぞれのＩＤＴを別工程で作製していた。
　しかしながら、それぞれのＩＤＴを別工程で作製すると、それぞれのＩＤＴの線幅のバラつき方が異なってしまうため、後で周波数調整することが困難であった。
　そのため、例えば、特許文献１に開示された弾性波フィルタの製造方法のように、ＩＤＴを構成する金属膜をすべて積んだ後に、エッチングで不要な電極層を削除し、一括でエッチングすることで、それぞれのＩＤＴの線幅のバラつき方が異なってしまうことを防止していた。
　具体的には、ＩＤＴ電極を構成する金属膜をすべて成膜した後に、ＩＤＴの膜厚を決めるためのエッチングを行い、その後フォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成し、その後に、ＩＤＴの線幅を決めるためのエッチングを行っていた。
特開２０１０－８１２１１号公報
　しかしながら、特許文献１に開示された弾性波フィルタの製造方法では、ＩＤＴ電極を構成する金属膜をすべて成膜した後に、リソフォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行い、ＩＤＴ電極パターニング用レジストを形成していたため、その後にＩＤＴ電極の線幅を決めるためのエッチングが必要であったが、これにより、ＩＤＴ電極の線幅を決める工程がレジスト形成工程とエッチング工程の２工程となるため、ＩＤＴ電極の線幅のばらつきが大きくなっていた。
　そこで、本発明の目的は、リソフォトリソグラフィー法によってレジストパターンを形成してから、ＩＤＴ電極を構成するエッチング耐性のある材料を含む２種以上の金属膜すべての層を成膜した後、エッチング耐性のない層をエッチングすることで、同一の圧電基板に少なくとも２以上の膜厚のＩＤＴ電極が形成された弾性波装置における、各ＩＤＴ電極の線幅のばらつきを抑える弾性波装置の製造方法、弾性波装置を提供することにある。
　本発明の弾性波フィルタの製造方法は、圧電基板の前記主面に第１レジストを塗布し、第１レジストに対し露光及び現像することで、第１の櫛型電極が形成される主面の第１領域で第１の櫛型電極の形状に対応し、第２の櫛型電極が形成される主面の第２領域で第２の櫛型電極の形状に対応している、第１レジストのパターンを形成する工程と、第１レジストのパターンが形成された圧電基板上に、導電材料からなる複数の膜を順に積層する工程と、複数の膜が積層された圧電基板から第１レジストを除去する工程と、第１レジストが除去された圧電基板に第２レジストを塗布し、第２レジストに対し露光及び現像することで、第１領域を第２レジストで保護する保護層を形成する工程と、第１領域が保護層で保護された状態で、第２導電材料をエッチングする工程と、を有する。
　弾性波装置は、例えば、フィルタ、デュプレクサ、トリプレクサ、又は、マルチプレクサである。
　この製造方法では、第１及び第２の櫛型電極の線幅は、エッチング工程なしに、１回の第１レジストのパターン形成工程によって決定される。従って、本発明の弾性波フィルタの製造方法は、従来技術に比べて、より少ない工程で第１及び第２の櫛型電極の線幅を決定するので、それら櫛型電極の線幅のばらつきを抑えることができる。
　第１レジストのパターンを形成した後に、導電材料からなる複数の膜を順に積層する工程によって櫛型電極を形成すると、各櫛型電極は、圧電基板とは反対方向に向かって細くなっている、テ―パ形状となる。このようなテーパ形状であれば、各櫛型電極を覆うための絶縁材料が各櫛型電極の側面にも載り易くなる。従って、各櫛型電極のテーパ形状は、各櫛型電極の絶縁の信頼性を高くすることができる。
　また、第２レジストに対する現像は、第２領域の第２レジストと、第２領域の最上層の導電材料と、を溶解させてもよい。
　この製造方法では、第１領域の保護層を形成すると同時に第２領域の最上層の導電材料をエッチングする。従って、この製造方法では、全体の工程が簡略化される。
　また、第２領域の最上層の導電材料を溶解させるエッチング液は、該最上層と隣り合う下層の導電材料を不動態化させる成分を含んでもよい。
　例えば、最上層の導電材料として銅（Ｃｕ）を用い、その下層の導電材料としてニッケル（Ｎｉ）を用いる場合、ニッケルを不動態化させる成分として、酸化作用を有する硝酸（ＨＮＯ３）を用いる。すると、最上層の銅が溶解し、硝酸がニッケルを含む下層の表面に触れると、その表面にはニッケルが酸化した不動態被膜が形成される。この不動態被膜は、エッチングによってニッケルを含む金属膜が溶解することを防ぐエッチングストップ層となる。従って、この態様は、最上層の導電材料を溶解させるエッチング液によって下層の導電材料が溶解することを当該不動態被膜が防ぐので、第２領域の下層の厚みの変化を抑えることができる。
　この発明によれば、同一の圧電基板に少なくとも２以上のＩＤＴ電極が形成された弾性波装置における、各ＩＤＴ電極の横幅のばらつきを抑えることができる。
図１（Ａ）は、本発明の実施形態に係る弾性波装置の平面図であり、図１（Ｂ）は、各ＩＤＴの厚みを説明するための弾性波装置の断面図である。 図２は、本発明の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の工程順序を示す図である。 図３（Ａ）～図３（Ｄ）は、それぞれ第１レジストのパターン形成工程を説明するための図である。 図４（Ａ）は、第１膜の形成工程を説明するための図であり、図４（Ｂ）は、第２膜の形成工程を説明するための図であり、図４（Ｃ）は、第１レジストの除去工程を説明するための図である。 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、それぞれ第２レジストからなる保護層の形成工程を説明するための図であり、図５（Ｃ）は、エッチング工程を説明するための図であり、図５（Ｄ）は、保護層の除去工程を説明するための図である。 図６は、変形例１に係る弾性波装置の製造方法の工程順序を示す図である。 図７は、変形例２に係る弾性波装置の製造方法の工程順序を示す図である。 図８は、変形例２に係る弾性波装置の製造方法のエッチング工程を説明するための図である。 図９（Ａ）は、４つの通過帯域を有する弾性波装置の断面図であり、図９（Ｂ）は、各ＩＤＴの厚み調整前の当該弾性波装置の断面図である。 図１０は、弾性波装置の断面図である。 図１１は、弾性波装置の断面図である。 図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、成膜工程における金属膜の詳細な断面形状を示すための図である。 図１３（Ａ）は、各ＩＤＴの詳細な断面形状を示す図であり、図１３（Ｂ）は、絶縁層で覆われた弾性波装置の断面図である。
　本発明の実施形態に係る弾性波装置３００について、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）を用いて説明する。図１（Ａ）は、弾性波装置３００の平面図であり、図１（Ｂ）は、各ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：櫛型形状の電極）の厚みを説明するための弾性波装置３００の断面図である。ただし、図１（Ｂ）の断面図は、ＩＤＴ１０１の厚みとＩＤＴ２０１の厚みとを比較するために、Ａ－Ａ断面図の一部と、Ｂ－Ｂ断面図の一部とを並べたものであり、実際の弾性波装置３００の断面図とは異なる。また、本実施形態では弾性波装置３００としてデュプレクサを示すが、本発明の弾性波装置は、デュプレクサに限らず、フィルタ、トリプレクサ、又はマルチプレクサであってもよい。
　弾性波装置３００は、２つの通過帯域を有し、送信信号と受信信号とを分波する弾性表面波フィルタによって構成される。図１（Ａ）に示すように、弾性波装置３００は、複数のＩＤＴ１０１、ＩＤＴ１０５、ＩＤＴ２０１、及びＩＤＴ２０５を備える。弾性波装置３００は、ＩＤＴ１０１及びＩＤＴ１０５の厚みと、ＩＤＴ２０１及びＩＤＴ２０５の厚みとを異ならせることで、２つの通過帯域を実現するものである。
　より具体的には、図１（Ａ）に示すように、弾性波装置３００は、主面にＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５が形成される圧電基板５０を備える。圧電基板５０は、例えば、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）の結晶を含み、圧電性を有する。
　図１（Ａ）に示すように、ＩＤＴ１０１及びＩＤＴ１０５は、圧電基板５０の主面の領域９０１に配置され、ＩＤＴ２０１及びＩＤＴ２０５は、圧電基板５０の主面の領域９０２に配置される。ただし、領域９０１及び領域９０２は、仮想の分割線ＤＬによって圧電基板５０の主面の領域が分割されたものである。
　ＩＤＴ１０１は、２つの電極からなり、一方の電極が電極パッド１０２に接続され、他方の電極がパッド電極１０３に接続される。同様に、ＩＤＴ１０５は、一方の電極がパッド電極１０６に接続され、他方の電極がパッド電極１０７に接続される。ＩＤＴ２０１は、一方の電極がパッド電極２０２に接続され、他方の電極がパッド電極２０３に接続される。ＩＤＴ２０５は、一方の電極がパッド電極２０６に接続され、他方の電極がパッド電極２０７に接続される。ただし、実際の各ＩＤＴ電極は、図１（Ａ）に示す形状と比べて、櫛の歯数がより多い。
　パッド電極１０３，１０７，２０３，２０７は、不図示のビアを介してグランドに接続される。パッド電極１０２は、端子１０２Ｐに接続される。端子１０２Ｐは、不図示の送信回路に接続され、送信信号が入力される。パッド電極２０２は、端子２０２Ｐに接続される。端子２０２Ｐは、不図示の受信回路に接続され、受信信号を出力する。パッド電極１０６及びパッド電極２０６は、端子１０６Ｐに接続される。端子１０６Ｐは、不図示のアンテナに接続される。
　弾性波装置３００において、端子１０２Ｐから出力された送信信号は、第１通過帯域の成分がＩＤＴ１０１からＩＤＴ１０５へ通過するように、ＩＤＴ１０１及びＩＤＴ１０５の形状、電極間隔及び厚みが設定されている。同様に、不図示のアンテナから端子１０６Ｐに入力された受信信号は、第２通過帯域の成分がＩＤＴ２０５からＩＤＴ２０１へ通過するように、ＩＤＴ２０１及びＩＤＴ２０５の形状、電極間隔及び厚みが設定されている。ここでは、第１通過帯域は、一例として、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格のｂａｎｄ１の送信帯域である１，９２０ＭＨｚ～１，９８０ＭＨｚに設定されている。第２通過帯域は、一例として、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１の受信帯域である２，１１０～２，１７０ＭＨｚに設定されている。
　弾性波装置３００は、ＩＤＴ１０１，１０５の厚みと、ＩＤＴ２０１，２０５の厚みとが互いに異なることによって、第１通過帯域と第２通過帯域とを有する。
　より具体的には、図１（Ｂ）に示すように、ＩＤＴ１０１は、ＩＤＴ２０１よりも厚い。図示は省略するが、ＩＤＴ１０５の厚みは、ＩＤＴ１０１の厚みと等しく、ＩＤＴ２０５の厚みは、ＩＤＴ２０１の厚みと等しい。
　ＩＤＴ１０１は、第１層１０と、第２層２０とが順に圧電基板５０の主面に積層されてなる。ＩＤＴ２０１は、第１層１０のみが圧電基板５０の主面に配置されてなる。
　ここで、本実施形態に係る弾性波装置３００は、各ＩＤＴの電極幅の誤差を最小限に抑えることで、第１，２通過帯域の誤差を最小限に抑えたものである。換言すれば、本実施形態に係る弾性波装置３００は、ＩＤＴの櫛歯間の長さの誤差を最小限に抑えることで、第１，２通過帯域の誤差を最小限に抑えたものである。
　次に、弾性波装置３００の製造方法について、図２を用いて説明する。図２は、弾性波装置３００の工程順序を示す図である。
　まず、第１レジストのパターンを形成する（Ｓ１０）。
　より具体的には、図３（Ａ）に示すように、まず、複数の圧電基板５０となるべきウェーハ５０Ｗを用意する。そして、図３（Ｂ）に示すように、鏡面仕上げされたウェーハ５０Ｗの主面に第１レジスト１を塗布する。そして、図３（Ｃ）に示すように、第１レジスト１に対して露光を行う。例えば、露光装置としてステッパーを用いる。すなわち、ウェーハ５０Ｗの上方に配置されたフォトマスク９０３及び投影レンズ９０４を介して第１レジスト１にＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を照射する。そして、図３（Ｄ）に示すように、第１レジスト１を現像する。すると、ＵＶ光が照射された部分で第１レジスト１Ｒが残留し、ＵＶ光が照射されていない部分で第１レジスト１が除去されたパターン１Ｐがウェーハ５０Ｗ上に形成される。
　図２に戻り、第１レジスト１のパターン形成が終わると（Ｓ１０）、第１レジスト１Ｒからなるパターン１Ｐが形成されたウェーハ５０Ｗに第１膜１０Ｍを形成する（Ｓ２０）。第１膜１０Ｍは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む。第１膜１０Ｍは、例えば、電子ビーム蒸着法によって形成される。また、第１膜１０Ｍの厚みが２５０ｎｍとなるように調整する。すると、図４（Ａ）に示すように、パターン１Ｐの上部と下部とにおいて、それぞれ第１膜１０Ｍが形成される。ただし、パターン１Ｐの上部とは、第１レジスト１Ｒの上面であり、パターン１Ｂの下部とは、ウェーハ５０Ｗの主面のうち第１レジスト１Ｒに覆われていない部分である。
　なお、成膜が真空蒸着で行われるので、１ｎｍのオーダーで高精度に厚みを調整することが可能である。また、補正板を用いてウェーハ５０Ｗの面内の膜厚をより均一化させてもよい。
　そして、さらに第１膜１０Ｍの上に第２膜２０Ｍを形成する（Ｓ３０）。すなわち、第１膜１０Ｍの上にレジストを形成することなく、第１膜１０Ｍの上に第２膜２０を積層する。第２膜２０Ｍは、例えば、銅（Ｃｕ）を含む。第２膜２０Ｍの導電材料として、タングステン（Ｔａ）やニッケル（Ｎｉ）を用いてもよい。すると、図４（Ｂ）に示すように、パターン１Ｐの上部と下部とに形成された第１膜１０Ｍのさらに上に第２膜２０Ｍが形成される。第２膜２０Ｍの形成も、例えば、電子ビーム蒸着で行われる。第２膜２０Ｍの厚みが２０ｎｍとなるように調整する。
　第２膜２０Ｍの形成が終わると（Ｓ３０）、第１レジスト１Ｒを除去する（Ｓ４０）。すなわち、現像液で第１レジスト１Ｒをウェーハ５０Ｗから除去する。すると、図４（Ｃ）に示すように、パターン１Ｐの上部に形成された積層膜は、第１レジスト１Ｒと共にウェーハ５０Ｗから除去される。パターン１Ｐの下部に形成された第１層１０及び第２層２０からなる積層電極は、第１レジスト１Ｒの現像を行っても、ウェーハ５０Ｗに残留する。すなわち、ウェーハ５０Ｗの主面の領域９０１に残留した第１層１０及び第２層２０からなる積層電極は、ＩＤＴ１０１及びＩＤＴ１０５となる。
　なお、図示は省略するが、第１レジスト１Ｒの除去後（Ｓ４０）、パッド電極１０２，１０３，１０６，１０７，２０２，２０３，２０６，２０７と、端子Ｐ１０２Ｐ，２０２Ｐ，１０６Ｐとを形成し、各パッド電極と各端子とを接続する配線を形成する。また、ＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５以外の電極部に対し、例えば抵抗値を下げることを目的として、金属層パターニングを行う。
　図２に戻り、第１レジスト１Ｒの除去を終えると（Ｓ４０）、第２レジスト２００からなる保護層の形成を行う（Ｓ５１及びＳ５２）。より具体的には、まず、図５（Ａ）に示すように、第２レジスト２００をウェーハ５０Ｗに塗布する。この際、ＩＤＴ１０１、ＩＤＴ１０５、及び領域９０２に形成された第１層１０と第２層２０とからなる積層体が、第２レジスト２００に覆われるように第２レジスト２００の厚みを調整する。
　次に、第２レジスト２００に対して露光及び現像を行う。例えば、露光装置としてアライナー露光装置を用いる。第２レジスト２００に対する露光は、例えば第２レジスト２００がポジ型レジストである場合、領域９０１で遮光し、領域９０２で透光させるパターンのフォトマスクを用いて行う。露光後に現像を行うと、領域９０１の第２レジスト２００はウェーハ５０Ｗに残留し、領域９０２の第２レジスト２００はウェーハ５０Ｗから除去される。すると、図５（Ｂ）に示すように、領域９０１の第２レジスト２００は、ＩＤＴ１０１，１０５を覆ったままウェーハ５０Ｗに残留し、領域９０２からは除去される。これにより、ＩＤＴ１０１，ＩＤＴ１０５を保護する第２レジスト２００の保護層が形成される。領域９０２の第２レジスト２００が除去されるので、領域９０２の第１層１０及び第２層２０からなる積層体は、露出する。
　次に、ウェーハ５０Ｗ上の導電材料に対し、エッチングを行う（Ｓ６０）。エッチング液としては、第２層２０の導電材料を溶解させるものを用いる。ここでは、銅（Ｃｕ）を溶解させるエッチング液として第二塩化鉄（ＦｅＣｌ２）を用いる。すると、図５（Ｃ）に示すように、領域９０２の第２層２０が除去される。領域９０２に残留した第１層１０からなる電極は、ＩＤＴ２０１及びＩＤＴ２０５となる。
　最後に、領域９０１の第２レジスト２００からなる保護層を除去する（Ｓ７０）。
　なお、図示は省略するが、その後、外部環境に曝されることで特性が変化することを防ぐために、ＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５が形成されたウェーハ５０Ｗの主面を酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる保護膜で覆う。そして、通過帯域測定を行った後、電極保護膜をドライエッチングで削り、通過帯域の調整を行う。なお、酸化シリコンからなる保護膜は、所望の厚さよりも厚く形成することが望ましい。保護膜を所望の厚さより厚く形成すれば、ＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５の成膜においてバッチ間バラつきが発生しても、保護膜の削り量を調整することで通過帯域の調整を行いやすくなる。
　さらに、ウェーハ５０Ｗの主面の領域毎によらず、ウェーハ５０Ｗの主面全体に対して一度で保護膜の膜厚調整を行えるように、保護膜の削り量に対する通過帯域のシフト量がＩＤＴ電極重量に反比例することを考慮して、予め保護膜の厚み、保護膜の削り量、及びＩＤＴの厚みの差を設定しておくとよい。
　ここで、ＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５の電極幅は、図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）に示す第１レジスト１に対する１回の露光及び現像によって決定される。すなわち、図２に示す弾性波装置３００の製造方法は、ＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５の電極幅の電極幅を決定するためにエッチングすることなく、ＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５の電極幅を設定する。本実施形態に係る弾性波装置３００の製造方法は、従来技術に比べて、より少ない工程でＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５の電極幅を決定するので、電極幅の誤差を最小限に抑えることができる。従って、弾性波装置３００は、電極幅の誤差に起因する第１，第２通過帯域の誤差を最小限に抑えることができる。
　また、この製造方法では、領域９０１及び領域９０２において、第１層１０及び第２層２０からなる積層体を形成し、その後、領域９０２の積層体をエッチングで薄くするので、ウェーハ５０Ｗの主面のうち、エッチング液で晒された部分にＩＤＴを形成することがない。従って、この製造方法は、エッチング液に晒されることよってＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５の下の圧電基板５０の特性が変化することを防止することができる。
　次に、変形例１に係る弾性波装置３００の製造方法について、図６を用いて説明する。変形例１に係る弾性波装置３００の製造方法は、第２レジスト２００の保護層を形成するための第２レジスト２００の現像の際に、同時に領域９０２の最上層である第２層２０を溶解させる点において、図２に示す弾性波装置３００の製造方法と異なる。具体的には、図６に示す弾性波装置３００の製造方法は、図２に示す製造方法に対して、ステップＳ５２に代えてステップＳ５２Ａの工程を実施し、ステップＳ６０の工程を実施しない。
　ステップＳ５２Ａでは、第２レジスト２００と第２層２０とを溶解させる現像液を用いて現像する。例えば、第２層２０がニッケル（Ｎｉ）からなる場合、現像液として水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いる。
　変形例１に係る弾性波装置３００の製造方法は、第２レジスト２００からなる保護層の形成と、領域９０２の第２層２０に対するエッチングとを同時に行うので、工程全体を簡略化させることができる。
　次に、変形例２に係る弾性波装置３００の製造方法について図７及び図８を用いて説明する。図７は、変形例２に係る弾性波装置３００の製造方法の工程順序を示す図である。図８は、領域９０２のＩＤＴ２０１の厚みを説明するための弾性波装置３００の断面図である。
　変形例２に係る弾性波装置３００の製造方法は、領域９０２の最上層である第２層２０をエッチングする際に、最上層と隣り合う下層である第１層１０の表面を不動態化させるエッチング液を用いることで、第１層１０がエッチングによって厚みが変化することを防止するものである。
　具体的には、図７に示すように、変形例２に係る弾性波装置３００の製造方法は、ステップ６０に代えてステップＳ６０Ｂの工程を実施する点において、図２に示す弾性波装置３００の製造方法と相違する。その他の重複する工程の説明は省略する。
　ステップＳ６０Ｂでは、第２層２０を溶解させ、第１層１０の導電材料を不動態化させるエッチング液を用いて圧電基板５０に形成された導電材料をエッチングする。例えば、第１層１０がチタン（Ｔｉ）からなり、第２層２０が銅（Ｃｕ）からなる場合、硝酸（ＨＮＯ３）を含むエッチング液を用いる。これにより、硝酸が銅を溶解させ、チタンからなる第１層１０の表面を酸化させる。すると、図８に示すように、第１層１０の表面には、酸化層１０Ｓが形成される。酸化層１０Ｓは、エッチング耐性を有し、第２層２０を溶解させるエッチング液が第１層１０を溶解させることを防ぐ。すなわち、酸化層１０Ｓは、第１層１０に対するエッチングストップ層となる。従って、第１層１０の厚みは、第２層２０を溶解させるエッチング液によって第１層１０が溶解しにくくなるので、変化しにくくなる。これにより、変形例２に係る弾性波装置３００の製造方法は、領域９０２のＩＤＴ２０１，２０５の電極の厚みをより高い精度で所望の厚みとすることができる。
　なお、不動態となりやすい材料としては、ニッケルに限らず、タングステン（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、及びクロム（Ｃｒ）を用いることが可能である。
　また、酸化作用を有する成分を含むエッチング液で第１層１０の表面を酸化層１０Ｓに変質させることでエッチングストップ層を形成することは、上述の例に限らない。第１層１０の導電材料として貴金属を用いれば、酸化作用を有する成分を含むエッチング液によらず、領域９０２の第２層２０のエッチングの際に、第１層１０の膜厚が変化しにくくなる。すなわち、ＩＤＴ１０１とＩＤＴ２０１との電極の厚み差を形成するために、エッチングで除去される第２層２０の下の第１層１０を貴金属で形成すれば、電極の厚み差を形成するためにエッチングを行っても第１層１０の厚みは変化しにくくなる。
　弾性波装置３００の製造方法において、エッチングストップ層となる貴金属としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、及びタンタル（Ｔａ）等の導電材料に用いられるエッチング液に対する選択比が高いものを用いる。例えば、貴金属として、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び金（Ａｕ）を用いる。
　次に、上述の各工程を繰り返すことで、以下のような弾性波装置４００を製造することができる。図９（Ａ）は、ＩＤＴ３０１，３０２，３０３，３０４の各厚みを説明するための弾性波装置４００の断面図である。図９（Ｂ）は、電極の厚み調整前の弾性波装置４００の断面図である。
　弾性波装置４００は、いわゆる弾性表面波フィルタである。図９（Ａ）に示すように、ＩＤＴ３０１，３０２，３０３，３０４は、それぞれ互いに厚みが異なる。ＩＤＴ３０１，ＩＤＴ３０２，ＩＤＴ３０３，及びＩＤＴ３０４の順に厚みが厚い。
　より具体的には、ＩＤＴ３０１は、第１層３１１、第２層３１２、第３層３１３、第４層３１４、及び第５層３１５が順にウェーハ５０Ｗの主面上に積層されてなる。ＩＤＴ３０２は、ＩＤＴ３０１の積層構成から第５層３１５が除去された積層構成である。ＩＤＴ３０３は、ＩＤＴ３０２の積層構成から第４層３１４が除去された積層構成である。ＩＤＴ３０４は、ＩＤＴ３０３の積層構成から第３層３１３が除去された積層構成である。
　このような弾性波装置４００の製造方法は、まず、ウェーハ５０Ｗの主面に第１レジスト１で各ＩＤＴ３０１，３０２，３０３，３０４のパターンの下部を形成する（図２のステップＳ１０に示す工程）。そして、アルミニウム（２５０ｎｍ）からなる第１膜、白金（１０ｎｍ）からなる第２膜、銅（２０ｎｍ）からなる第３膜、ニッケル（２０ｎｍ）からなる第４膜、及び銅（５ｎｍ）からなる第５膜を順にウェーハ５０Ｗに形成する（ステップＳ２０及びＳ３０の工程の繰り返し）。なお、同じ導電材料からなる複数の膜を形成する場合、サイドエッチングの影響を小さくするために、薄い方をより表面側に形成することが望ましい。
　その後、第１レジストを除去すると（Ｓ４０）、図９（Ｂ）に示すように、第１層３１１～第５層３１５まで積層された電極パターンがウェーハ５０Ｗの主面上に形成される。ＩＤＴ３０１は、この時点で形成される。
　そして、エッチングから保護すべき領域に対して第２レジストで保護層を形成する工程（ステップＳ５１，Ｓ５２及びＳ７０）と、エッチング（Ｓ６０）とを繰り返し、電極パターンの領域毎に電極を形成する層を表層から順に除去していく。具体的には、図９（Ａ）に示す弾性波装置４００を製造するには、図９（Ｂ）に示す状態から、以下の工程を行う。
　ＩＤＴ３０１，３０３を形成すべき領域に保護層を形成する。そして、硝酸を含むエッチング液でウェーハ５０Ｗに形成された導電材料をエッチングする。すると、ＩＤＴ３０２，３０４を形成すべき領域の第５層３１５（銅）は除去される。さらに、このエッチングの際にＩＤＴ３０２，３０４を形成すべき領域の第５層３１５の下層の第４層３１４（ニッケル）の表面が硝酸によって不動態化する。
　次に、いったん保護層を除去した後に、ＩＤＴ３０１，３０２を形成すべき領域に保護層を形成する。この際に第２レジストの現像液として水酸化テトラメチルアンモニウムを使用する。すると、第２レジストからなる保護層の形成と同時にＩＤＴ３０４を形成すべき領域の第４層３１４（ニッケル）を除去する。
　次に、ＩＤＴ３０１，３０２を形成すべき領域の保護層を除去せずに、硝酸を含むエッチング液にウェーハ５０Ｗを晒す。すると、ＩＤＴ３０３を形成すべき領域の第５層３１５（銅）と、ＩＤＴ３０４を形成すべき領域の第３層３１３（銅）とが溶解する。また、ＩＤＴ３０４を形成すべき領域の第３層３１３の下層である第２層３１２（白金）は貴金属であるためほとんど溶解しない。
　最後に、ＩＤＴ３０１，３０２の領域の保護層を除去するために、ウェーハ５０Ｗを水酸化テトラメチルアンモニウムに晒す。この際、ＩＤＴ３０３の領域の第４層（ニッケル）が保護層と共にウェーハ５０Ｗから除去される。
　なお、上述の製造方法は、図１０に示す弾性波装置５００にも適用できる。弾性波装置５００は、いわゆる弾性境界波フィルタである。具体的には、上述の製造方法で互いに厚みが異なるＩＤＴ１０１，１０５とＩＤＴ２０１，２０５とをウェーハ５０Ｗの主面に形成した後に、ＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５を覆うように、さらにウェーハ５０Ｗの主面に誘電体層５０１を形成する。誘電体層５０１の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いる。
　また、例えば、上述の製造方法は、図１１に示す弾性波装置６００にも適用可能である。弾性波装置６００は、いわゆる弾性板波フィルタである。具体的には、支持基板５０Ｓの主面の所定領域に支持部６０１を形成し、支持部６０１を形成した支持基板５０Ｓの主面を覆うように、圧電材料で圧電膜５０Ｌを形成する。すると、図１１に示すように、支持基板５０Ｓ、支持部６０１、及び圧電膜５０Ｌで囲まれる空洞部６０２及び空洞部６０３が形成される。そして、圧電膜５０Ｌの面であって支持基板５０Ｓと反対側の面に、上述の製造方法でＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５を形成する。具体的には、弾性波装置６００を平面視して空洞部６０２に重なる領域にＩＤＴ１０１及びＩＤＴ１０５を形成する。弾性波装置６００を平面視して空洞部６０３に重なる領域にＩＤＴ２０１及びＩＤＴ２０５を形成する。
　ところで、上述したように、第１レジスト１Ｒを形成した後に全ての電極層を積層すると、各ＩＤＴの断面形状は、圧電基板５０と反対側に向かって細くなるテーパ形状となる。これについて、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）を用いて説明する。図１２（Ａ）は、第１膜１０Ｍの成膜工程における金属膜の詳細な断面形状を示す図である。図１２（Ｂ）は、第２膜２０Ｍの成膜工程における金属膜の詳細な断面形状を示す図である。
　図１２（Ａ）に示すように、第１レジスト１Ｒで覆われた圧電基板５０の主面に対し、電子ビーム蒸着法によって第１膜１０Ｍを形成すると、第１レジスト１Ｒの上部に形成される第１膜１０ＭＵは、圧電基板５０の反対側に向かって太くなる逆テーパ形状となる。この逆テーパ形状の第１膜１０ＭＵが形成されるにつれて、圧電基板５０の主面のうち第１レジスト１Ｒで覆われていない部分では、第１膜１０ＭＵの逆テーパ形状が傘となることで、圧電基板５０の反対側に向かって細くなる順テーパ形状の第１膜１０ＭＢが形成される。
　図１２（Ｂ）に示すように、第２膜２０Ｍを形成すると、第１膜１０ＭＵの上部に形成される第２膜２０ＭＵは、圧電基板５０の反対側に向かって太くなる逆テーパ形状となる。この逆テーパ形状の第２膜２０ＭＵが形成されるにつれて、第１膜１０ＭＢの上部には、第２膜２０ＭＵの逆テーパ形状が傘となることで、圧電基板５０の反対側に向かって細くなる順テーパ形状の第２膜２０ＭＢが形成される。
　そして、後半工程を経ると、図１３（Ａ）に示すように、圧電基板５０と反対側に向かって細くなる順テーパ形状のＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５が形成される。
　ここで、一般的に、各ＩＤＴを外部環境から保護するために、圧電基板の主面を絶縁層で覆うことがある。図１３（Ｂ）は、絶縁層３０で覆われた弾性波装置３００の断面図である。図１３（Ｂ）に示す絶縁層３０を形成するためには、例えば、圧電基板５０の主面に対し、絶縁材料を塗布する。この際、ＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５が順テーパ形状であるため、各ＩＤＴの側面に絶縁材料が載り易い。これにより、各ＩＤＴがより確実に絶縁層３０で覆われるようになる。すなわち、ＩＤＴ１０１，１０５，２０１，２０５の順テーパ形状は、絶縁層３０による絶縁の信頼性を向上させることができる。
　一般的に、不十分な絶縁によってＩＤＴが酸化してしまうと、ＩＤＴの重みの変化によってＩＤＴの共振周波数が低周波数側へシフトする。特に、異なる導電材料のからなる厚みの異なるＩＤＴは、重みの変化がＩＤＴ毎に異なる。その結果、異なる導電材料のからなる厚みの異なるＩＤＴは、共振周波数のシフト量にバラつきを有する。
　本実施形態に係る弾性波装置３００は、絶縁層３０による絶縁の信頼性が高いので、各ＩＤＴの酸化による各ＩＤＴの重みの変化と、それに起因する各ＩＤＴの共振周波数のシフト量のバラつきとを抑えることができる。
　次に、各ＩＤＴの導電材料の組み合わせについて説明する。表１は、２種類の厚みのＩＤＴの導電材料の組み合わせを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表２は、３種類の厚みのＩＤＴの導電材料の組み合わせを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表３は、４種類の厚みのＩＤＴの導電材料の組み合わせを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
３００，４００，５００，６００…弾性波装置
１０１，１０５，２０１，２０５，３０１，３０２，３０３，３０４…ＩＤＴ
１０２，１０３，１０６，１０７，２０２，２０３，２０６，２０７…パッド電極
１０２Ｐ，１０６Ｐ，２０２Ｐ…端子
１０…第１層
１０Ｍ…第１膜
２０…第２層
２０Ｍ…第２膜
５０…圧電基板
５０Ｗ…ウェーハ
１，１Ｒ…第１レジスト
２００…第２レジスト
３１１…第１層
３１２…第２層
３１３…第３層
３１４…第４層
３１５…第５層
５０１…誘電体層
５０Ｓ…支持基板
６０１…支持部
６０２，６０３…空洞部
５０Ｌ…圧電膜

Claims (7)

  1. 　少なくとも、共振周波数が異なる第１及び第２の櫛型電極を圧電基板の主面に形成する弾性波装置の製造方法であって、
    　前記圧電基板の前記主面に第１レジストを塗布し、前記第１レジストに対し露光及び現像することで、前記第１の櫛型電極が形成される前記主面の第１領域で前記第１の櫛型電極の形状に対応し、前記第２の櫛型電極が形成される前記主面の第２領域で前記第２の櫛型電極の形状に対応している、前記第１レジストのパターンを形成する工程と、
    　前記第１レジストのパターンが形成された前記圧電基板上に、導電材料からなる複数の膜を順に積層する工程と、
    　前記複数の膜が積層された前記圧電基板から前記第１レジストを除去する工程と、
    　前記第１レジストが除去された前記圧電基板に第２レジストを塗布し、前記第２レジストに対し露光及び現像することで、前記第１領域を前記第２レジストで保護する保護層を形成する工程と、
    　前記第１領域が前記保護層で保護された状態で、前記第２導電材料をエッチングする工程と、
    　を有する弾性波装置の製造方法。
  2. 　前記第２レジストに対する現像は、前記第２領域の前記第２レジストと、前記第２領域の最上層の導電材料と、を溶解させる、
    　請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
  3. 　前記第２領域の最上層の導電材料を溶解させるエッチング液は、該最上層と隣り合う下層の導電材料を不動態化させる成分を含む、
    　請求項１または２に記載の弾性波装置の製造方法。
  4. 　前記弾性波装置は、フィルタ、デュプレクサ、トリプレクサ、又は、マルチプレクサである、請求項１～３のいずれかに記載の弾性波装置の製造方法。
  5. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板の主面に配置される第１櫛型電極と、
    　前記圧電基板の主面に配置され、前記第１櫛型電極の厚みより薄い第２櫛型電極と、
    　を備える弾性波フィルタであって、
    　前記第１櫛型電極の積層数は、前記第２櫛型電極の積層数より多く、
    　前記第１櫛型電極の最上層の層は、前記第２櫛型電極の最上層の層の導電材料と異なる導電材料からなり、
    　前記第２櫛型電極の最上層面は、エッチング耐性を有し、
    　前記第１櫛型電極及び前記第２櫛型電極は、前記圧電基板とは反対方向に向かって細くなっている、テ―パ形状である、
    　弾性波装置。
  6. 　前記圧電基板及び前記第１及び第２櫛型電極の前記最上層面の上に絶縁層が形成されている、請求項５記載の弾性波装置。
  7. 　前記弾性波装置は、フィルタ、デュプレクサ、トリプレクサ、又は、マルチプレクサである、請求項５または６に記載の弾性波装置。
PCT/JP2016/051203 2015-01-22 2016-01-18 弾性波装置の製造方法、および弾性波装置 WO2016117483A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201680004198.8A CN107112968B (zh) 2015-01-22 2016-01-18 弹性波装置的制造方法以及弹性波装置
US15/622,105 US10707825B2 (en) 2015-01-22 2017-06-14 Method for manufacturing elastic wave device, and elastic wave device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-010213 2015-01-22
JP2015010213 2015-01-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/622,105 Continuation US10707825B2 (en) 2015-01-22 2017-06-14 Method for manufacturing elastic wave device, and elastic wave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016117483A1 true WO2016117483A1 (ja) 2016-07-28

Family

ID=56417029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/051203 WO2016117483A1 (ja) 2015-01-22 2016-01-18 弾性波装置の製造方法、および弾性波装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10707825B2 (ja)
CN (1) CN107112968B (ja)
WO (1) WO2016117483A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106384782A (zh) * 2016-11-02 2017-02-08 清华大学 一种多层金属电极材料及其制备方法
JP2018050135A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10700662B2 (en) * 2017-12-28 2020-06-30 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, and multiplexer
TWI791099B (zh) * 2018-03-29 2023-02-01 日商日本碍子股份有限公司 接合體及彈性波元件
JP2020145567A (ja) * 2019-03-06 2020-09-10 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11811391B2 (en) * 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252686A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Kinseki Ltd 二重モード弾性表面波フイルタ及びその製造方法
JP2001168671A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスとその製造方法
JP2005223876A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Samsung Electro Mech Co Ltd マルチバンド用表面弾性波素子の製造方法
JP2011009882A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1133268C (zh) * 1997-07-28 2003-12-31 东芝株式会社 表面声波滤波器及其制造方法
JP3317274B2 (ja) * 1999-05-26 2002-08-26 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
US7148610B2 (en) * 2002-02-01 2006-12-12 Oc Oerlikon Balzers Ag Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device
DE102004037819B4 (de) * 2004-08-04 2021-12-16 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten
JP5483851B2 (ja) 2008-09-25 2014-05-07 京セラ株式会社 弾性表面波装置の製造方法
CN104734662B (zh) * 2009-04-22 2017-09-22 天工滤波方案日本有限公司 弹性波元件和使用它的电子设备
JP2012160979A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイス及びその製造方法
US9331667B2 (en) * 2014-07-21 2016-05-03 Triquint Semiconductor, Inc. Methods, systems, and apparatuses for temperature compensated surface acoustic wave device
JP6465363B2 (ja) * 2016-01-07 2019-02-06 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP6390819B2 (ja) * 2016-04-25 2018-09-19 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
KR102054634B1 (ko) * 2016-08-30 2019-12-10 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치 및 그 제조 방법
CN110140295B (zh) * 2017-01-13 2023-02-28 株式会社村田制作所 弹性波装置
KR102304886B1 (ko) * 2017-02-22 2021-09-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성표면파 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252686A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Kinseki Ltd 二重モード弾性表面波フイルタ及びその製造方法
JP2001168671A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスとその製造方法
JP2005223876A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Samsung Electro Mech Co Ltd マルチバンド用表面弾性波素子の製造方法
JP2011009882A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018050135A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法
CN106384782A (zh) * 2016-11-02 2017-02-08 清华大学 一种多层金属电极材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107112968B (zh) 2020-10-16
CN107112968A (zh) 2017-08-29
US20170279429A1 (en) 2017-09-28
US10707825B2 (en) 2020-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016117483A1 (ja) 弾性波装置の製造方法、および弾性波装置
JP5766457B2 (ja) 弾性波デバイス及びその製造方法
CN115603694B (zh) Tc-saw器件、用于制作tc-saw器件的方法
JP4841640B2 (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP2001267868A (ja) 弾性表面波装置の製造方法
JP5275153B2 (ja) 弾性波デバイスの製造方法
US20150180451A1 (en) Surface acoustic wave device and filter
JP2006109287A (ja) 弾性表面波素子及びその製造方法
JP2005210475A (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2014195312A (ja) 弾性波装置
US8174165B2 (en) Surface acoustic wave device and manufacturing method of the same surface acoustic wave device
JP2021097282A (ja) 弾性表面波素子及びその製造方法
JP2007036670A (ja) 弾性表面波素子の製造方法、及び弾性表面波素子
EP2015450A1 (en) Electronic component and method for manufacturing same
JP4706337B2 (ja) 弾性表面波素子のｉｄｔの設計方法および弾性表面波素子形成用フォトマスク並びに弾性表面波素子の製造方法、弾性表面波素子
JP2007267117A (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
US20150145381A1 (en) Quartz vibrator and manufacturing method thereof
JP2010081211A (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH1093369A (ja) 弾性表面波装置およびその製造方法
JPH04158612A (ja) 弾性表面波素子の製造方法
JP4370882B2 (ja) 弾性表面波装置の周波数調整方法
JP2010263662A (ja) 弾性表面波素子および通信装置
KR20060118062A (ko) 표면 탄성파 필터 패키지 및 그에 사용되는 기판의제조방법과 그 제조방법에 의하여 제조된 표면 탄성파 필터패키지용 기판
JP2005191703A (ja) 弾性表面波素子の製造方法
JPH0936687A (ja) 弾性表面波素子の電極形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16740090

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16740090

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1