JP4370882B2 - 弾性表面波装置の周波数調整方法 - Google Patents
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Description
2…くし型電極
3…絶縁膜
3a…最上層
100…弾性表面波フィルタ
101…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
102…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
103〜105,108〜110…くし型電極
106,107…反射器
111,112…反射器
113…平衡入力端子
114,115…不平衡出力端子
Claims (7)
- 圧電基板と、該圧電基板上に形成されたくし型電極と、前記くし型電極を覆うように前記圧電基板上に形成された絶縁膜とを有する弾性表面波装置の周波数調整方法であって、
前記絶縁膜をプラズマ処理し、該絶縁膜表面を変質させることにより周波数を変化させることを特徴とする、弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 前記絶縁膜の最上層が、Si3N4からなり、絶縁膜のプラズマ処理が酸素プラズマ処理であり、該酸素プラズマ処理により、前記絶縁膜の表面のSi3N4をSiO2に変質させることにより周波数を変化させる、請求項1に記載の弾性表面波装置の周波数調整方法。
- 前記絶縁膜の最上層が、SiO2からなり、絶縁膜のプラズマ処理が窒素プラズマ処理であり、該窒素プラズマ処理により、前記絶縁膜の表面のSiO2をSi3N4に変質させることにより周波数を変化させる、請求項1に記載の弾性表面波装置の周波数調整方法。
- 前記絶縁膜の最上層が、SiONからなり、絶縁膜のプラズマ処理が酸素プラズマ処理であり、該酸素プラズマ処理により、前記絶縁膜の表面のSiONをSiO2に変質させることにより周波数を変化させる、請求項1に記載の弾性表面波装置の周波数調整方法。
- 前記絶縁膜の最上層が、SiONからなり、絶縁膜のプラズマ処理が窒素プラズマ処理であり、該窒素プラズマ処理により、前記絶縁膜の表面のSiONをSi3N4に変質させることにより周波数を変化させる、請求項1に記載の弾性表面波装置の周波数調整方法。
- 前記絶縁膜が、複数の絶縁材料層を積層した構造を有し、最上層と、最上層以外の絶縁性材料層とが異なる材料で構成されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性表面波装置の周波数調整方法。
- 前記弾性表面波装置の絶縁膜が、単一の絶縁材料からなる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性表面波装置の周波数調整方法。
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