WO2016039443A1 - 封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 - Google Patents

封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2016039443A1
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optical semiconductor
sealing layer
semiconductor element
layer
mold
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PCT/JP2015/075838
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広希 河野
恭也 大薮
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日東電工株式会社
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    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a sealing layer-covered optical semiconductor element and a method for manufacturing an optical semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a sealing layer-covered optical semiconductor element, and a method for manufacturing an optical semiconductor device using the same.
  • an optical semiconductor device including an optical semiconductor element and a sealing layer sealed by the optical semiconductor element is known.
  • the sealing region has a predetermined thickness.
  • the sealing layer formed from has a thickness corresponding to the sealing region.
  • the compression molding machine includes a clamper, an upper clamp stopper, and a lower clamp stopper.
  • the sealing layer in the sealing region is required to have an accurate dimension capable of setting the thickness to a desired thickness.
  • the method described in Patent Document 1 has a problem in that the above-described requirement cannot be satisfied. .
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a sealing layer-covered optical semiconductor element including a sealing layer having excellent dimensional accuracy even with a small press.
  • the present invention is a method for producing a sealing layer-covered optical semiconductor element comprising an optical semiconductor element and a sealing layer that covers the optical semiconductor element, the first mold having a cavity, the first A step of preparing a press provided with a second die for opposing placement to one die, comprising a release layer and the sealing layer of the B stage placed on the surface of the release layer;
  • the sealing member whose volume ratio is 100% or more and 120% or less with respect to the sealing layer accommodation volume obtained by subtracting the volume of the optical semiconductor element from the volume of the cavity is the first mold and the second mold.
  • An element member comprising a step of arranging the sealing layer between the molds so as to face the second mold, a base material, and the optical semiconductor element arranged on the surface of the base material, Between one mold and the second mold, before the sealing member Placing the optical semiconductor element toward the first mold on the second mold side; and bringing the first mold and the second mold close to each other, and A method for producing a sealing layer-covered optical semiconductor element, comprising the step of disposing the optical semiconductor element in a cavity and covering the optical semiconductor element with the sealing layer.
  • the configuration of the press can be simplified,
  • the optical semiconductor element can be reliably covered with the sealing layer by disposing the sealing layer in the cavity. Therefore, the optical semiconductor device can be covered with the sealing layer by a small press.
  • the volume ratio of the sealing layer of the B stage is in a specific range with respect to the sealing layer housing volume obtained by subtracting the volume of the optical semiconductor element from the volume of the cavity, and the sealing layer Since the optical semiconductor element is covered with the sealing layer while disposing in the cavity, a sealing layer having excellent dimensional accuracy can be obtained.
  • the area of the sealing layer is smaller than an opening cross-sectional area of the cavity along a direction orthogonal to the pressing direction in which the first mold and the second mold are close to each other.
  • the area of the sealing layer is the area of the region where the single optical semiconductor element is disposed on the substrate.
  • the optical semiconductor element is arranged such that the area of the sealing layer is disposed on the outermost side of the plurality of optical semiconductor elements in the base material.
  • the present invention is characterized in that an area of the release layer is larger than an opening cross-sectional area of the cavity along a direction orthogonal to a pressing direction in which the first mold and the second mold are close to each other.
  • the method for producing an encapsulating layer-coated optical semiconductor element according to any one of [1] to [3] above.
  • the present invention is characterized in that the first mold includes a first flat plate and a frame member that is disposed on a surface of the first flat plate and has an opening that forms a cavity.
  • the first mold forms a cavity by the opening of the frame member. Therefore, the first mold can be easily prepared. Further, the first mold can be easily cleaned, and as a result, the press can be easily maintained.
  • the press includes a heat source, the sealing layer of the B stage has both thermoplasticity and thermosetting property, and the optical semiconductor element is covered with the sealing layer.
  • the sealing layer according to any one of the above [1] to [5], wherein the sealing layer is plasticized by heating, and then the plasticized sealing layer is thermally cured. It is a manufacturing method of a covering optical semiconductor element.
  • the sealing layer of the B stage has both thermoplasticity and thermosetting property
  • the sealing layer in the step of covering the optical semiconductor element with the sealing layer, the sealing layer is heated to be plasticized and sealed. While reliably covering the optical semiconductor element with the stop layer, the plasticized sealing layer can be thermally cured to improve the reliability of the optical semiconductor element.
  • the sealing layer contains an alkenyl group-containing polysiloxane containing two or more alkenyl groups and / or cycloalkenyl groups in the molecule, and two or more hydrosilyl groups in the molecule.
  • the alkenyl group-containing polysiloxane is formed into a sheet form from a sealing composition containing a phenyl-based silicone resin composition containing a hydrosilyl group-containing polysiloxane and a hydrosilylation catalyst.
  • the alkenyl group-containing polysiloxane is represented by the following average composition formula (1): Indicated, Average composition formula (1): R 1 a R 2 b SiO (4-ab) / 2 (In the formula, R 1 represents an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms and / or a cycloalkenyl group having 3 to 10 carbon atoms. R 2 represents an unsubstituted or substituted monovalent carbon atom having 1 to 10 carbon atoms.
  • a hydrogen group (excluding an alkenyl group and a cycloalkenyl group); a is from 0.05 to 0.50, and b is from 0.80 to 1.80.
  • the hydrosilyl group-containing polysiloxane is represented by the following average composition formula (2): Average composition formula (2): H c R 3 d SiO (4-cd) / 2 (Wherein R 3 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and / or a cycloalkenyl group), and c is 0.30 or more) 1.0, and d is 0.90 or more and 2.0 or less.)
  • R 2 and R 3 includes a phenyl group
  • the product obtained by reacting the phenyl silicone resin composition is represented by the following average composition formula (3): Average composition formula (3): R 5 e SiO (4-e) / 2 (In the formula, R 5 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and a cycloalkenyl group) including a phenyl
  • the content ratio of the phenyl group in R 5 of the average composition formula (3) is 30 mol% or more and 55 mol% or less, according to any one of the above [1] to [6], It is a manufacturing method of this sealing layer covering optical semiconductor element.
  • the optical semiconductor The element can be securely embedded and covered.
  • the present invention provides the encapsulating layer-coated optical semiconductor element according to any one of [1] to [7], wherein the encapsulating layer contains a phosphor. It is a manufacturing method.
  • the light emitted from the optical semiconductor element has excellent dimensional accuracy, and can be wavelength-converted by the sealing layer containing the phosphor, so that the sealing layer-coated light with excellent color uniformity A semiconductor element can be obtained.
  • the present invention provides an encapsulating layer-coated optical semiconductor element disposed on the surface of a substrate by the method for producing an encapsulating layer-coated optical semiconductor element according to any one of [1] to [8].
  • the substrate is a second release layer, and after the step of preparing the sealing layer-covered optical semiconductor element, the sealing layer-covered optical semiconductor element is peeled from the second release layer. And a step of mounting the optical semiconductor element of the peeled sealing layer-covered optical semiconductor element on a substrate.
  • an encapsulating layer-coated optical semiconductor element including an encapsulating layer having excellent dimensional accuracy is prepared, an optical semiconductor device having excellent light emission characteristics and durability can be obtained.
  • the present invention provides a sealing layer-coated optical semiconductor device disposed on the surface of a substrate by the method for producing a sealing layer-coated optical semiconductor device according to any one of [1] to [8].
  • the base material is a substrate on which the optical semiconductor element is mounted.
  • an encapsulating layer-coated optical semiconductor element including an encapsulating layer having excellent dimensional accuracy is prepared, an optical semiconductor device having excellent light emission characteristics and durability can be obtained.
  • an optical semiconductor device can be covered by sealing with a small press.
  • a sealing layer having excellent dimensional accuracy can be obtained.
  • an optical semiconductor device having excellent light emission characteristics and durability can be obtained.
  • FIG. 1A to 1E are process diagrams for explaining a method of manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention.
  • FIG. 1A is a preparation process, a sealing member arranging process and an element member arranging process
  • FIG. 1B is a covering process.
  • 1C shows a step of taking out a sealing layer-covered optical semiconductor element with a release layer
  • FIG. 1D shows a release step
  • FIG. 1E shows a mounting step.
  • FIG. 2 shows an enlarged cross-sectional view of the press shown in FIG. 1A.
  • FIG. 3 shows an exploded perspective view of the press shown in FIG. 1A.
  • FIG. 4 shows an enlarged bottom view of the element member.
  • FIG. 1A is a preparation process, a sealing member arranging process and an element member arranging process
  • FIG. 1B is a covering process.
  • 1C shows a step of taking out a sealing layer-covered optical semiconductor element with a release layer
  • FIG. 1D shows a release step
  • FIG. 5 shows a preparation step, a sealing member arrangement step, and an element member arrangement step in a modification of the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention.
  • FIG. 6 shows a preparation process, a sealing member arrangement process, and an element member arrangement process in a modification of the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention.
  • FIG. 7 shows a preparation step, a sealing member arrangement step, and an element member arrangement step in a modification of the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention.
  • FIG. 8 shows a step of taking out a sealing layer-coated optical semiconductor element with a release layer according to a modification of the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention.
  • FIG. 9 is a process diagram for explaining a modification of the manufacturing method of the optical semiconductor device.
  • FIG. 9A is a preparation process, a sealing member arranging process and an element member arranging process
  • FIG. 9B is a covering process
  • FIG. 9D shows a process of taking out the optical semiconductor device with a release layer
  • the up and down direction on the paper surface is the up and down direction (an example of a press direction and a thickness direction, which will be described later, the first direction), and the upper side on the paper surface is the upper side (upstream in the press direction, one side in the first direction). Is the lower side (downstream in the pressing direction, the other side in the first direction).
  • the left and right direction on the paper is the left and right direction (second direction orthogonal to the pressing direction)
  • the left side on the paper is the left side (one side in the second direction)
  • the right side on the paper is the right side (the other side in the second direction).
  • the paper thickness direction is the front-rear direction (the third direction orthogonal to the press direction and the second direction), the left side of the paper is the left side (one side in the third direction), and the right side of the paper is the right side (third).
  • Direction other side Specifically, it conforms to the direction arrow in each figure.
  • FIG. 1D An example of the method for producing a sealing layer-covered optical semiconductor element of the present invention is shown in FIG. 1D, and includes an optical semiconductor element 16 and a sealing layer-covered optical semiconductor element that covers the optical semiconductor element 16.
  • a preparation step comprising a preparation step, a sealing member arrangement step, an element member arrangement step, and a covering step.
  • the press 1 includes a lower mold 2 as a first mold, an upper mold 3 as a second mold, a heater 7 as a heat source, and a plurality of ( Two (2) pins 21 and a plurality (eight) springs 22 are provided.
  • the lower mold 2 is disposed at the lower part of the press 1 and is formed in a substantially rectangular flat plate shape extending in the left-right direction and the front-rear direction. Specifically, the lower mold 2 has a cavity 9 that opens toward the upper side in the center, and is cut in the vertical direction and the front-rear direction as well as the cross-sectional shape when cut in the vertical direction and the left-right direction.
  • the cross-sectional shape at the time is formed in a bottomed concave shape.
  • the lower mold 2 includes a lower flat plate 4 and a frame member 5 disposed on the upper surface of the lower flat plate 4.
  • the lower flat plate 4 is formed in a substantially rectangular flat plate shape extending in the left-right direction and the front-rear direction.
  • the lower flat plate 4 is provided with a plurality (eight) first recesses 23.
  • the plurality of (eight) first recesses 23 are formed such that the upper surface of the lower flat plate 4 is recessed downward.
  • Two first recesses 23 are disposed at each corner of the lower flat plate 4 at intervals in the direction from the center of the lower flat plate 4 toward the outer side (radial direction). That is, two first recesses 23 are provided on each of a plurality (four) of straight lines (on the diagonal lines) extending radially from the center of the lower flat plate 4. That is, the eight first recesses 23 include four inner first recesses 23 ⁇ / b> A and four outer first recesses 23 ⁇ / b> B arranged at intervals on the outer side in the radial direction.
  • the frame member 5 is formed so that its outer shape is smaller than the outer shape of the lower plate 4, and the upper surface of the lower plate 4 is exposed so that the peripheral edge of the upper surface of the lower plate 4 is exposed. Is placed. Specifically, as shown in FIG. 3, the frame member 5 is disposed so as to overlap the inner first recess 23 ⁇ / b> A in the lower flat plate 4, while exposing the outer first recess 23.
  • the frame member 5 is formed in a substantially rectangular frame shape in plan view. That is, an opening 8 that penetrates the frame member 5 in the vertical direction (the thickness direction of the frame member 5) is formed at the center of the frame member 5.
  • the opening 8 is formed in a substantially rectangular shape in plan view.
  • the opening 8 exposes the upper surface of the central portion of the lower flat plate 4.
  • the frame member 5 is arranged so that the outer peripheral edge portion thereof is located inside the outer peripheral edge portion of the lower flat plate 4 when projected in the vertical direction. Thereby, the frame member 5 exposes the outer end portion of the lower flat plate 4.
  • the frame member 5 is provided with a plurality of (four) first insertion holes 24.
  • Each of the plurality (four) of first insertion holes 24 is formed so as to penetrate the frame member 5 in the vertical direction.
  • Each of the plurality (four) of first insertion holes 24 is located at the same position as each of the plurality (four) of inner first recesses 23A when projected in the vertical direction.
  • the opening cross-sectional area S ⁇ b> 2 along the left-right direction and the front-rear direction of the cavity 9 is, for example, 400 mm 2 or more, preferably 1600 mm 2 or more, and for example, 14400 mm 2.
  • it is preferably 6400 mm 2 or less.
  • the depth T2 of the cavity 9 is the vertical length T2 of the opening 8, that is, the thickness T2 of the frame member 5 and is, for example, 100 ⁇ m or more, preferably 350 ⁇ m or more, and for example, 1000 ⁇ m.
  • it is preferably 600 ⁇ m or less.
  • the upper mold 3 is configured so that it can be disposed opposite to the upper side of the lower mold 2 in the press 1. As shown in FIG. 3, the upper mold 3 is formed in the same shape as the outer shape of the lower flat plate 4 of the lower mold 2. The upper mold 3 is formed in a substantially rectangular flat plate shape extending in the left-right direction and the front-rear direction.
  • the upper mold 3 is provided with a plurality (eight) of second recesses 25 and a plurality (two) of second insertion holes 26.
  • the plurality (eight) second recesses 25 are arranged on the lower surface of the upper mold 3 so as to correspond to the plurality (eight) first recesses 23 provided on the lower plate 4.
  • the plurality (eight) second recesses 25 are composed of the plurality (four) inner second recesses 25A and the plurality (four) outer second recesses arranged at intervals on the radially outer side thereof. 25B.
  • Each of the multiple (eight) second recesses 25 is formed such that the lower surface of the upper mold 3 is recessed upward.
  • Each of the plural (two) second insertion holes 26 penetrates the upper mold 3 in the vertical direction.
  • the second insertion hole 26 is disposed at the center in the front-rear direction at both ends in the left-right direction of the upper mold 3. That is, the plurality (two) of the second insertion holes 26 are arranged at intervals in the left-right direction.
  • the second insertion hole 26 is disposed between the second recesses 25 that are spaced apart in the front-rear direction at the left end portion of the upper mold 3, and is disposed at the front end in the right end portion of the upper mold 3. It arrange
  • the upper mold 3 is configured to be pressable against the lower mold 2. Specifically, the upper mold 3 is connected to a drive unit (not shown) that can apply pressure to the lower mold 2.
  • the heater 7 is disposed on each of the lower surface of the lower flat plate 4 and the upper surface of the upper mold 3.
  • the heater 7 is configured to heat the lower mold 2 and the upper mold 3.
  • a plurality (two) of pins 21 are provided on the lower flat plate 4. As shown in FIG. 3, each of the plurality (two) of pins 21 is formed in a substantially cylindrical shape extending in the vertical direction. . Specifically, each of the plural (two) pins 21 is erected on the upper surface of the lower flat plate 4. That is, the lower end portions of the plurality (two) of pins 21 are fixed to the upper surface of the center portion in the front-rear direction at both left and right end portions of the lower flat plate 4. The plurality (two) of pins 21 are arranged at intervals in the left-right direction.
  • the pin 21 is disposed between the first recesses 23 that are spaced apart in the front-rear direction at the left end portion of the lower flat plate 4, and is spaced apart in the front-rear direction at the right end portion of the lower flat plate 4. It arrange
  • the diameter of the pin 21 is adjusted so that the pin 21 is inserted and slid into a third insertion hole 27 of the first release layer 12 and a second insertion hole 26 of the upper mold 3 described later.
  • the vertical length of the pin 21 is adjusted to a length that allows the second insertion hole 26 to be inserted.
  • the springs 22 are not shown in FIG. 1A, FIG. 2 and FIG. 3, but a plurality (eight) are provided as shown in FIG. 1A.
  • Each of the plural (eight) springs 22 is a push spring that extends in the vertical direction and is configured to be contractible in the vertical direction and has a pressing force in the vertical direction.
  • the lower end portion of the spring 22 is accommodated and fixed in the first recess 23, while the upper end portion of the spring 22 is accommodated and fixed in the second recess 25, and the spring The middle part of 22 in the vertical direction is inserted into the first insertion hole 24 of the frame member 5 and the fourth insertion hole 28 of the carrier 32 described later.
  • a lower mold 2 provided with a heater 7 and an upper mold 3 provided with a heater 7 are prepared.
  • the lower end of the pin 21 is fixed to the upper surface of the lower flat plate 4 of the lower mold 2. Further, among the plurality (eight) springs 22, the lower ends of some (four) springs 22 are inserted into the first insertion holes 24, and subsequently inserted into the inner first recess 23A. The lower ends of the remaining (four) springs 22 are inserted into the outer first recess 23B.
  • the upper mold 3 is not yet arranged opposite to the upper side of the lower mold 2 and will be arranged opposite to the upper side of the lower mold 2 in the covering step as will be described later.
  • the sealing member 11 is formed in the substantially rectangular flat plate shape extended in the front-back direction and the left-right direction.
  • the sealing member 11 includes a first release layer 12 as a release layer and a B-stage seal layer 13 disposed on the upper surface (surface) of the first release layer 13.
  • the sealing member 11 includes only the first release layer 12 and the sealing layer 13.
  • the first peeling layer 12 is provided on the back surface (the lower surface in FIG. 1A). It is stuck so that it can be peeled off. That is, the first release layer 12 is laminated on the back surface of the sealing layer 13 so as to cover the back surface of the sealing layer 13 (the lower surface in FIG. 1A) at the time of shipment / transport / storage of the sealing member 11.
  • the flexible film can be peeled off from the lower surface of the sealing layer 13 so as to be bent in a substantially U shape. That is, the 1st peeling layer 12 consists only of a flexible film.
  • the sticking surface of the 1st peeling layer 12, ie, the contact surface with respect to the sealing layer 13, is peel-processed, such as a fluorine treatment, as needed.
  • the first release layer 12 has a flat plate shape along the left-right direction and the front-rear direction, and specifically, is formed in a substantially rectangular shape in plan view that is long in the left-right direction.
  • the first release layer 12 covers (closes) the cavity 9 in the sealing member arranging step.
  • the first release layer 12 is rigid enough to prevent the central portion of the first release layer 12 and the sealing layer 13 from falling into the cavity 9 due to the gravity of the first release layer 12 and the sealing layer 13 ( Strength).
  • the first release layer 12 is flexible (thermal) so that the central portion of the first release layer 12 and the sealing layer 13 can fall into the cavity 9 by hot pressing (see FIG. 1B) in the covering step. Plasticity).
  • Examples of the material for forming the first release layer 12 include a thermoplastic resin.
  • the thermoplastic resin include a styrene resin such as polystyrene, an olefin resin such as polyethylene and polypropylene, a polyester resin such as PET, an acrylic resin such as an acrylic resin, such as a fluorine resin, and the like.
  • examples thereof include thermoplastic silicone resins.
  • a polyester resin is used.
  • the softening temperature of the 1st peeling layer 12 is 40 degreeC or more, for example, Preferably, it is 60 degreeC or more, for example, is 150 degrees C or less, Preferably, it is 100 degrees C or less.
  • third insertion holes 27 are provided at both ends in the left-right direction of the first release layer 12.
  • Two third insertion holes 27 are provided corresponding to the second insertion holes 26 of the upper mold 3 described above, and each of the two third insertion holes 27 corresponds to the first release layer 12. It is arranged at the center in the front-rear direction. The interval between the two third insertion holes 27 is the same as the interval between the two second insertion holes 26.
  • the dimensions of the first release layer 12 are appropriately adjusted according to the dimensions of the press 1 and the sealing layer 13. Specifically, as shown in FIG. 2, the length in the left-right direction of the first release layer 12 is shorter than the length in the left-right direction of the lower flat plate 4 and compared with the length in the left-right direction of the frame member 5. Long and tuned. As shown in FIG. 3, the length of the first release layer 12 in the front-rear direction is adjusted to be shorter than the length of the frame member 5 and longer than the length of the opening 8 in the front-rear direction. Yes. Therefore, as shown in FIG.
  • the area S4 of the first release layer 12 is equal to the opening cross-sectional area S2 of the opening 8, that is, the opening cross-sectional area S2 along the front-rear direction and the left-right direction of the cavity 9 of the lower mold 2. Compared to a large adjustment.
  • the thickness T4 of the first release layer 12 is, for example, 20 ⁇ m or more, preferably 30 ⁇ m or more, from the viewpoint of rigidity, flexibility, handling properties, and cost reduction. It is 200 ⁇ m or less, preferably 100 ⁇ m or less. If the thickness T4 of the first release layer 12 is equal to or greater than the above lower limit, it is possible to prevent the first release layer 12 from being bent and the sealing layer 13 from falling into the cavity 9 in the sealing member arranging step. If thickness T4 of the 1st peeling layer 12 is below the said upper limit, handling property can be improved and cost reduction can be achieved.
  • the sealing layer 13 has a flat plate shape, specifically, has a predetermined thickness, extends in the front-rear direction and the left-right direction, and has a flat upper surface and a flat lower surface. Yes. Further, the sealing layer 13 is not the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 (see FIG. 1D) and the optical semiconductor device 30 (see FIG. 1E), which will be described later, but the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 and the optical semiconductor device 30.
  • One component that is, a component for producing the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 and the optical semiconductor device 30, and is configured without including the optical semiconductor element 16 and the substrate 20 on which the optical semiconductor element 16 is mounted. .
  • the sealing member 11 including the first release layer 12 and the sealing layer 13 is a device that can be used industrially by distributing components alone.
  • the sealing layer 13 is formed in a sheet form from a B-stage sealing composition.
  • the sealing composition contains, for example, a sealing resin as an essential component.
  • the sealing resin is a transparent resin, and specifically includes a curable resin such as a thermosetting resin or a photocurable resin, and preferably includes a thermosetting resin.
  • thermosetting resin examples include a two-stage reaction curable resin and a one-stage reaction curable resin.
  • the two-stage reaction curable resin has two reaction mechanisms. In the first stage reaction, the A stage state is changed to the B stage (semi-cured), and then in the second stage reaction, the B stage state is obtained. To C-stage (complete curing). That is, the two-stage reaction curable resin is a thermosetting resin that can be in a B-stage state under appropriate heating conditions.
  • the B stage state is a state between the A stage state in which the thermosetting resin is liquid and the C stage state in which the thermosetting resin is completely cured. It is a semi-solid or solid state smaller than the elastic modulus in the C-stage state.
  • the first-stage reaction curable resin has one reaction mechanism, and can be C-staged (completely cured) from the A-stage state by the first-stage reaction. However, in the first stage reaction curable resin, the reaction stops in the middle of the first stage reaction, and can be changed from the A stage state to the B stage state. Is resumed, and includes a thermosetting resin that can be converted into a C stage (completely cured) from the B stage state. That is, such a thermosetting resin is a thermosetting resin that can be in a B-stage state.
  • sealing resin examples include silicone resin, urethane resin, epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, and unsaturated polyester resin.
  • a silicone resin is used.
  • silicone resin examples include addition reaction curable silicone resin compositions, condensation reaction / addition reaction curable silicone resins, and the like. Silicone resins may be used alone or in combination.
  • the addition reaction curable silicone resin composition is a one-step reaction curable resin and contains, for example, an alkenyl group-containing polysiloxane, a hydrosilyl group-containing polysiloxane, and a hydrosilylation catalyst.
  • the alkenyl group-containing polysiloxane contains two or more alkenyl groups and / or cycloalkenyl groups in the molecule.
  • the alkenyl group-containing polysiloxane is specifically represented by the following average composition formula (1).
  • R 1 a R 2 b SiO (4-ab) / 2 (In the formula, R 1 represents an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms and / or a cycloalkenyl group having 3 to 10 carbon atoms. R 2 represents an unsubstituted or substituted monovalent carbon atom having 1 to 10 carbon atoms.
  • a hydrogen group (excluding an alkenyl group and a cycloalkenyl group); a is from 0.05 to 0.50, and b is from 0.80 to 1.80.
  • examples of the alkenyl group represented by R 1 include alkenyl having 2 to 10 carbon atoms such as vinyl, allyl, propenyl, butenyl, pentenyl, hexenyl, heptenyl, octenyl and the like. Groups.
  • examples of the cycloalkenyl group represented by R 1 include a cycloalkenyl group having 3 to 10 carbon atoms such as a cyclohexenyl group and a norbornenyl group.
  • R 1 is preferably an alkenyl group, more preferably an alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms, and still more preferably a vinyl group.
  • the alkenyl groups represented by R 1 may be the same type or a plurality of types.
  • the monovalent hydrocarbon group represented by R 2 is an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms other than an alkenyl group and a cycloalkenyl group.
  • Examples of the unsubstituted monovalent hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and a pentyl group.
  • Alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms such as heptyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group and decyl group, for example, cyclohexane having 3 to 6 carbon atoms such as cyclopropyl, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group.
  • alkyl groups such as aryl groups having 6 to 10 carbon atoms such as phenyl, tolyl and naphthyl groups, and aralkyl groups having 7 to 8 carbon atoms such as benzyl and benzylethyl groups.
  • Preferred examples include an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and more preferred examples include a methyl group and / or a phenyl group.
  • examples of the substituted monovalent hydrocarbon group include those obtained by substituting a hydrogen atom in the above-mentioned unsubstituted monovalent hydrocarbon group with a substituent.
  • substituents examples include a halogen atom such as a chlorine atom, such as a glycidyl ether group.
  • substituted monovalent hydrocarbon group examples include a 3-chloropropyl group and a glycidoxypropyl group.
  • the monovalent hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted, and is preferably unsubstituted.
  • the monovalent hydrocarbon groups represented by R 2 may be of the same type or a plurality of types.
  • a methyl group and / or a phenyl group are mentioned, More preferably, combined use of a methyl group and a phenyl group is mentioned.
  • A is preferably 0.10 or more and 0.40 or less.
  • B is preferably 1.5 or more and 1.75 or less.
  • the weight average molecular weight of the alkenyl group-containing polysiloxane is, for example, 100 or more, preferably 500 or more, and for example, 10,000 or less, preferably 5000 or less.
  • the weight average molecular weight of the alkenyl group-containing polysiloxane is a conversion value based on standard polystyrene measured by gel permeation chromatography.
  • the alkenyl group-containing polysiloxane is prepared by an appropriate method, and a commercially available product can also be used.
  • alkenyl group-containing polysiloxane may be of the same type or a plurality of types.
  • the hydrosilyl group-containing polysiloxane contains, for example, two or more hydrosilyl groups (SiH groups) in the molecule.
  • the hydrosilyl group-containing polysiloxane is represented by the following average composition formula (2).
  • composition formula (2) H c R 3 d SiO (4-cd) / 2 (Wherein R 3 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and / or a cycloalkenyl group), and c is 0.30 or more) 1.0, and d is 0.90 or more and 2.0 or less.)
  • R 3 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and / or a cycloalkenyl group), and c is 0.30 or more) 1.0, and d is 0.90 or more and 2.0 or less.
  • R 3 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and / or a cycloalkenyl group), and c is 0.30 or more) 1.0, and d is 0.90 or more and 2.0 or less.)
  • an unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, more preferably a methyl group. And / or a phenyl group.
  • C is preferably 0.5 or less.
  • D is preferably 1.3 or more and 1.7 or less.
  • the weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is, for example, 100 or more, preferably 500 or more, and for example, 10,000 or less, preferably 5000 or less.
  • the weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is a conversion value based on standard polystyrene measured by gel permeation chromatography.
  • the hydrosilyl group-containing polysiloxane is prepared by an appropriate method, and a commercially available product can also be used.
  • hydrosilyl group-containing polysiloxane may be of the same type or a plurality of types.
  • At least one of the hydrocarbon groups R 2 and R 3 include a phenyl group, preferably a carbide in both R 2 and R 3 Hydrogen contains a phenyl group.
  • the addition reaction curable silicone resin composition is a phenyl silicone resin composition.
  • the blending ratio of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is the ratio of the number of moles of alkenyl groups and cycloalkenyl groups of the alkenyl group-containing polysiloxane to the number of moles of hydrosilyl groups of the hydrosilyl group-containing polysiloxane (number of moles of alkenyl groups and cycloalkenyl groups). / Number of moles of hydrosilyl group) is adjusted to be, for example, 1/30 or more, preferably 1/3 or more, and for example, 30/1 or less, preferably 3/1 or less.
  • the hydrosilylation catalyst is a substance (addition catalyst) that improves the reaction rate of the hydrosilylation reaction (hydrosilyl addition) between the alkenyl group and / or cycloalkenyl group of the alkenyl group-containing polysiloxane and the hydrosilyl group of the hydrosilyl group-containing polysiloxane. If it exists, it will not specifically limit, For example, a metal catalyst is mentioned. Examples of the metal catalyst include platinum catalysts such as platinum black, platinum chloride, chloroplatinic acid, platinum-olefin complexes, platinum-carbonyl complexes, and platinum-acetyl acetate, such as palladium catalysts such as rhodium catalyst.
  • the blending ratio of the hydrosilylation catalyst is, for example, 1.0 ppm or more on a mass basis with respect to the alkenyl group-containing polysiloxane and the hydrosilyl group-containing polysiloxane as the metal amount of the metal catalyst (specifically, metal atom).
  • Yes for example, 10000 ppm or less, preferably 1000 ppm or less, and more preferably 500 ppm or less.
  • the addition reaction curable silicone resin composition is prepared by blending an alkenyl group-containing polysiloxane, a hydrosilyl group-containing polysiloxane, and a hydrosilylation catalyst in the above-described proportions.
  • the above addition reaction curable silicone resin composition is prepared as an A stage (liquid) state by blending an alkenyl group-containing polysiloxane, a hydrosilyl group-containing polysiloxane, and a hydrosilylation catalyst, and then the reaction is stopped midway. By doing so, it is prepared as a B stage (liquid) state.
  • the addition reaction curable silicone resin composition can be obtained by hydrosilylation of an alkenyl group and / or cycloalkenyl group of an alkenyl group-containing polysiloxane with a hydrosilyl group of a hydrosilyl group-containing polysiloxane by heating under desired conditions. Then, the hydrosilylation addition reaction is once stopped. As a result, the A stage state can be changed to the B stage (semi-cured) state. Thereafter, the above-described hydrosilylation addition reaction is resumed and completed by heating under further desired conditions. As a result, the B stage state can be changed to the C stage (fully cured) state.
  • addition reaction curable silicone resin composition when in a B stage (semi-cured) state, it is solid.
  • the B-stage addition reaction curable silicone resin composition can have both thermoplasticity and thermosetting properties. That is, the B-stage addition reaction curable silicone resin composition is once plasticized by heating and then completely cured.
  • the condensation / addition reaction curable silicone resin composition is a two-stage reaction curable resin, and specifically, for example, those described in JP 2010-265436 A, JP 2013-187227 A, and the like. 1 to 8 condensation / addition reaction curable silicone resin compositions, for example, JP 2013-091705 A, JP 2013-001815 A, JP 2013-001814 A, JP 2013-001813 A, Examples thereof include a cage-type octasilsesquioxane-containing silicone resin composition described in JP2012-102167A.
  • the condensation / addition reaction curable silicone resin composition is solid and has both thermoplasticity and thermosetting properties.
  • a methyl silicone resin composition in which all alkyl groups directly bonded to silicon atoms are methyl groups two-stage reaction curable methyl silicone resin composition
  • Specific examples include a methyl silicone resin composition prepared from silanol-type polydimethylsiloxane at both ends, dimethylpolysiloxane-CO-methylhydrogensiloxane, and an alkenyl group-containing silicon compound.
  • the condensation / addition reaction curable silicone resin composition is prepared from a stage A state to a stage B (semi-cured) state by causing a condensation reaction by heating.
  • the condensation / addition reaction curable silicone resin composition in the B stage state can then undergo an addition reaction by further heating to be in the C stage (fully cured) state.
  • thermosetting resin from the viewpoint of durability and optical properties, a one-step reaction curable resin, specifically, an addition reaction curable silicone resin composition can be mentioned, and more preferably, a phenyl silicone resin composition. Is mentioned.
  • the refractive index of the sealing resin is, for example, 1.50 or more and, for example, 1.60 or less.
  • the refractive index of the sealing resin is calculated by an Abbe refractometer.
  • the refractive index of the sealing resin is the refraction between the curable resin of the B stage and the curable resin of the C stage (corresponding to a product described later) when the sealing resin is a curable resin of the B stage. Since the rate is substantially the same, it is calculated as the refractive index of the C-stage curable resin.
  • the blending ratio of the sealing resin is, for example, 20% by mass or more, preferably 25% by mass or more, and, for example, 70% by mass or less, preferably 50% by mass or less, with respect to the sealing composition. More preferably, it is less than 50 mass%, More preferably, it is 40 mass% or less, Most preferably, it is 30 mass% or less. If the compounding ratio of the sealing resin is within the above range, the moldability of the sealing layer 13 can be ensured.
  • the sealing composition can also contain, for example, an inorganic filler and / or a phosphor in addition to the above-described sealing resin.
  • the inorganic filler is blended in the sealing composition as necessary in order to improve the moldability of the sealing layer 13 (see FIG. 1A). Specifically, the inorganic filler is blended in the sealing resin before the reaction (specifically, the A stage).
  • the inorganic filler include silica (SiO 2 ), talc (Mg 3 (Si 4 O 10 ) (HO) 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), boron oxide (B 2 O 3 ), calcium oxide (CaO).
  • inorganic particles inorganic materials
  • the composite inorganic particle prepared from the inorganic substance illustrated above is mentioned, for example, Preferably, the composite inorganic oxide particle (specifically glass particle etc.) prepared from an oxide is mentioned. .
  • the composite inorganic oxide particles include, for example, silica, or silica and boron oxide as main components, and alumina, calcium oxide, zinc oxide, strontium oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, barium oxide, antimony oxide, and the like. Is contained as a minor component.
  • the content ratio of the main component in the composite inorganic oxide particles is, for example, more than 40% by mass, preferably 50% by mass or more, and for example, 90% by mass or less, preferably with respect to the composite inorganic oxide particles. Is 80 mass% or less.
  • the content ratio of the subcomponent is the remainder of the content ratio of the main component described above.
  • the composite oxide particles are blended with the main component and subcomponents described above, heated and melted, rapidly cooled, and then pulverized by, for example, a ball mill or the like. It is obtained by applying surface processing (specifically, spheroidization, etc.).
  • the shape of the inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape, a plate shape, and a needle shape.
  • spherical shape is mentioned from a fluid viewpoint.
  • the average particle diameter of the inorganic filler is, for example, 10 ⁇ m or more, preferably 15 ⁇ m or more, and for example, 50 ⁇ m or less, preferably 40 ⁇ m or less, more preferably 30 ⁇ m or less, and further preferably 25 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter of the inorganic filler is calculated as a D50 value. Specifically, it is measured by a laser diffraction particle size distribution meter.
  • the refractive index of the inorganic filler is, for example, 1.50 or more, preferably 1.52 or more, and for example, 1.60 or less, preferably 1.58 or less. If the refractive index of the inorganic filler is within the above range, the difference from the refractive index of the sealing resin described above can be within the desired range. That is, the absolute value of the difference in refractive index between the sealing resin and the inorganic filler can be reduced, and therefore the transparency of the sealing layer 13 can be improved.
  • the refractive index of the inorganic filler is calculated by an Abbe refractometer.
  • the absolute value of the difference in refractive index between the sealing resin and the inorganic filler is, for example, 0.10 or less, preferably 0.05 or less, and usually 0 or more, for example. If the absolute value of the difference in refractive index is not more than the above upper limit, the sealing layer 13 has excellent transparency.
  • the blending ratio of the inorganic filler is, for example, 30% by mass or more, preferably 50% by mass or more, more preferably more than 50% by mass, still more preferably 60% by mass or more, particularly preferably with respect to the sealing composition. Is 70% by mass or more, and is, for example, 80% by mass or less, preferably 75% by mass or less. Further, the blending ratio of the inorganic filler is, for example, 50 parts by mass or more, preferably 100 parts by mass or more, more preferably 200 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the sealing resin. It is 300 parts by mass or less, preferably 300 parts by mass or less.
  • the blending ratio of the inorganic filler is within the above range, excellent moldability of the sealing layer 13 with the inorganic filler can be ensured.
  • the phosphor has a wavelength conversion function, and examples thereof include a yellow phosphor capable of converting blue light into yellow light, and a red phosphor capable of converting blue light into red light.
  • yellow phosphor examples include silicate phosphors such as (Ba, Sr, Ca) 2 SiO 4 : Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu (barium orthosilicate (BOS)), for example, Y 3 Al Garnet-type phosphors having a garnet-type crystal structure such as 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium, aluminum, garnet): Ce), Tb 3 Al 3 O 12 : Ce (TAG (terbium, aluminum, garnet): Ce) Examples thereof include oxynitride phosphors such as Ca- ⁇ -SiAlON.
  • silicate phosphors such as (Ba, Sr, Ca) 2 SiO 4 : Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu (barium orthosilicate (BOS)
  • Y 3 Al Garnet-type phosphors having a garnet-type crystal structure such as 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium, aluminum, garnet): Ce
  • red phosphor examples include nitride phosphors such as CaAlSiN 3 : Eu and CaSiN 2 : Eu.
  • Examples of the shape of the phosphor include a spherical shape, a plate shape, and a needle shape.
  • spherical shape is mentioned from a fluid viewpoint.
  • the average value of the maximum length of the phosphor (in the case of a sphere, the average particle diameter) is, for example, 0.1 ⁇ m or more, preferably 1 ⁇ m or more, and for example, 200 ⁇ m or less, preferably 100 ⁇ m or less. But there is.
  • the specific gravity of the phosphor is, for example, 2.0 or more, and, for example, 9.0 or less.
  • Fluorescent substances can be used alone or in combination.
  • the blending ratio of the phosphor is, for example, 0.1 parts by mass or more, preferably 0.5 parts by mass or more, for example, 80 parts by mass or less, preferably 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the sealing resin. Or less.
  • a sealing composition containing the above-described sealing resin and, if necessary, an inorganic filler and / or a phosphor is prepared. Specifically, a sealing composition containing an A-stage sealing resin and, if necessary, an inorganic filler and / or a phosphor is prepared.
  • a sealing resin and, if necessary, an inorganic filler and / or a phosphor are mixed in the above-described blending ratio.
  • a sealing composition in which an inorganic filler is dispersed in a sealing resin is prepared as a varnish.
  • the viscosity of the varnish at 25 ° C. is, for example, 1,000 mPa ⁇ s or more, preferably 4,000 mPa ⁇ s or more, and, for example, 1,000,000 mPa ⁇ s or less, preferably 200,000 mPa ⁇ s. It is as follows. The viscosity is measured by adjusting the temperature of the varnish to 25 ° C. and using an E-type cone.
  • varnish is applied to the surface (upper surface) of the first release layer 12.
  • a coating device such as a dispenser, an applicator, or a slit die coater is used.
  • a coating film is formed by applying the varnish to the first release layer 12.
  • the coating film is semi-cured. That is, the A stage coating film is changed to the B stage.
  • the curable resin is a thermosetting resin that can be in a B-stage state
  • the coating film is heated.
  • the heating temperature is 70 ° C. or higher, preferably 80 ° C. or higher, and 120 ° C. or lower, preferably 100 ° C. or lower. If heating temperature is the said range, curable resin can be reliably made into B stage.
  • the heating time is, for example, 5 minutes or more, preferably 8 minutes or more, and for example, 30 minutes or less, preferably 20 minutes or less.
  • the coating film is irradiated with ultraviolet rays.
  • the coating film is irradiated with ultraviolet rays using a UV lamp or the like.
  • the hydrosilylation reaction between the alkenyl group and / or cycloalkenyl group and the hydrosilyl group proceeds partway and then stops.
  • the condensation reaction is completed.
  • the sealing layer 13 (or coating film) is repelled from the first release layer 12, and therefore the sealing layer 13 aggregates in a plan view, and in a plan view. The area becomes smaller. As a result, the sealing layer 13 tends to increase in thickness. On the other hand, when the sealing layer 13 becomes a B stage by heating, the sealing layer 13 tends to shrink with heating, and in particular, tends to become thinner in the thickness direction. For this reason, the increase in thickness due to repelling of the sealing layer 13 from the first release layer 12 cancels out the decrease in thickness due to heat shrinkage, and the thickness of the sealing layer 13 does not change substantially. .
  • the sealing member 11 including the first peeling layer 12 and the sealing layer 13 laminated on the first peeling layer 12 is obtained.
  • inorganic fillers and / or phosphors blended as necessary are uniformly dispersed in the silicone resin composition as a matrix.
  • the sealing layer 13 in a semi-cured (B stage) state has flexibility, and after being in a semi-cured (B stage) state, it is in a fully cured (C stage) state to be described later (that is, A C stage product) is possible.
  • the B-stage sealing layer 13 preferably has both plasticity and curability.
  • the sealing resin includes the above-described phenyl-based silicone resin composition and / or cage-type octasilsesquioxy. In the case of a sun-containing silicone resin composition, it has both plasticity and curability. More preferably, the B-stage sealing layer 13 has both thermoplasticity and thermosetting properties. That is, the sealing layer 13 of the B stage can be cured after being plasticized once by heating.
  • the thermoplastic temperature of the sealing layer 13 is, for example, 40 ° C. or more, preferably 60 ° C. or more, and for example, 120 ° C. or less, preferably 100 ° C. or less.
  • the thermoplastic temperature is a temperature at which the sealing layer 13 exhibits thermoplasticity. Specifically, it is a temperature at which the sealing resin of the B stage is softened by heating, and is substantially the same as the softening temperature. .
  • the thermosetting temperature of the sealing layer 13 is, for example, 100 ° C. or more, preferably 120 ° C. or more, and for example, 150 ° C. or less.
  • the thermosetting temperature is a temperature at which the B-stage sealing layer 13 exhibits thermosetting properties, and specifically, a temperature at which the plasticized sealing layer 13 is completely cured by heating to become a solid state. .
  • the dimensions of the sealing layer 13 are adjusted so that the volume ratio of the sealing layer 13 to the cavity 9 described below is within a desired range.
  • the volume ratio of the sealing layer 13 is 100% or more with respect to the sealing layer accommodation volume 19 (see the broken line in FIG. 2) obtained by subtracting the volume of the plurality of optical semiconductor elements 16 from the volume of the cavity 9. It is 120% or less, preferably 110% or less.
  • the volume ratio of the sealing layer 13 is less than the above lower limit or exceeds the above upper limit, the thickness of the sealing layer 13 in the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 is accurately set to a desired thickness. I can't.
  • the sealing layer accommodation volume 19 is the volume which the sealing layer 13 occupies in the cavity 9 at the time of the press of the press 1 in the coating process (refer FIG. 1B) mentioned later, as shown with the dashed-dotted line of FIG. It is. Therefore, specifically, the sealing layer accommodating volume 19 is a volume obtained by subtracting the volume of the plurality of optical semiconductor elements 16 and the volume of the first release layer 12 falling into the cavity 9 from the volume of the cavity 9. Since the volume of the falling first release layer 12 is excessively smaller than that of the cavity 9, the volume of the first release layer 12 is included in the calculation when the sealing layer accommodating volume 19 is not substantially considered. It does not have to be.
  • the area S ⁇ b> 1 of the sealing layer 13 specifically, the cross-sectional area S ⁇ b> 1 along the left-right direction and the front-rear direction of the sealing layer 13 is the opening cross-sectional area S ⁇ b> 2 of the cavity 9. It is smaller than the cross-sectional area along the direction and the front-rear direction.
  • the area S1 of the sealing layer 13 is, for example, less than 100%, preferably 95% or less, more preferably 90% or less, for example, 80% with respect to the opening cross-sectional area S2 of the cavity 9. That's it.
  • the thickness T1 of the sealing layer 13 is appropriately set according to the dimensions of the optical semiconductor element 16, and is, for example, more than 70%, preferably over the thickness (vertical length, depth) T2 of the cavity 9. 100% or more, and for example, 180% or less, preferably 130% or less.
  • the thickness T1 of the sealing layer 13 is, for example, 100 ⁇ m or more, and, for example, 1000 ⁇ m or less.
  • the thickness T5 of the sealing layer 13 in the sealing layer-coated optical semiconductor element 10 is desired.
  • the thickness can be accurately set.
  • the B-stage sealing layer 13 (sealing layer 13 formed from a sealing composition containing a B-stage curable resin) has a shear storage elastic modulus G ′ of 80 ° C., for example, 3 Pa or more, preferably 12 Pa or more, and for example, 140 Pa or less, preferably 70 Pa or less. If the shear storage modulus G ′ at 80 ° C. of the sealing layer 13 is not more than the above upper limit, it is possible to effectively prevent the optical semiconductor element 16 from being damaged when the optical semiconductor element 16 described below is sealed. it can. On the other hand, if the shear storage elastic modulus G ′ at 80 ° C.
  • the sealing layer 13 is equal to or higher than the lower limit, good shape retention of the sealing layer 13 when sealing the optical semiconductor element 16 is ensured, and the sealing layer 13 is sealed.
  • the handleability of the stop layer 13 can be improved.
  • the 80 degreeC shear storage elastic modulus G 'of the sealing layer 13 is more than the said minimum, the thickness uniformity of the sealing layer 13 can be ensured and it can adjust to desired thickness.
  • the shear storage modulus G ′ at 80 ° C. of the sealing layer 13 is obtained by dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a frequency of 1 Hz, a temperature rising rate of 20 ° C./min, and a temperature range of 20 to 150 ° C.
  • the transmittance of the sealing layer 13 with respect to light having a wavelength of 460 nm when the thickness is 600 ⁇ m is, for example, 70% or more, preferably 80% or more, more preferably 90% or more, and still more preferably 95% or more. For example, it is 100% or less. If the transmittance is equal to or higher than the lower limit, the light emitted from the optical semiconductor element 16 can be sufficiently transmitted after the optical semiconductor element 16 is sealed.
  • the transmittance of the sealing layer 13 is measured using, for example, an integrating sphere.
  • the prepared sealing member 11 is arranged on the upper surface of the lower mold 2 so that the sealing layer 13 faces upward.
  • the lower surface of the first release layer 12 is covered with the first release layer 12 so that the first release layer 12 covers (closes) the cavity 9 and the sealing layer 13 is included in the cavity 9 when projected in the vertical direction. Then, it is placed on the upper surface of the frame member 5.
  • the pin 21 is inserted into the third insertion hole 27.
  • the movement and deformation of the first release layer 12 in the left-right direction and the front-rear direction are restricted and locked to the pin 21.
  • the central portion of the first release layer 12 is disposed opposite to the upper surface of the lower flat plate 4 exposed from the cavity 9 with an interval corresponding to the thickness of the cavity 9.
  • the element member 15 includes a second release layer 17 as a base material and an optical semiconductor element 16 disposed on the surface (lower surface) of the second release layer 17.
  • the second release layer 17 covers and seals the optical semiconductor element 16 with the sealing layer 13 until the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 is obtained, and then the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 is peeled off. In the meantime, in order to protect the optical semiconductor element 16 of the sealing layer-covered optical semiconductor element 10, it is detachably attached to the exposed surface (upper surface in FIG. 1C) of the optical semiconductor element 16 in the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 Has been. That is, the second release layer 17 supports the optical semiconductor element 16 and covers the exposed surface of the optical semiconductor element 16 (the upper surface in FIG. 2A) when the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 is shipped, transported, and stored.
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 can be peeled off as shown by the phantom line in FIG. 1D immediately before the optical semiconductor element 16 is stacked on the exposed surface of the optical semiconductor element 16 and mounted on the substrate 20. It is a flexible film. That is, the 2nd peeling layer 17 consists only of a flexible film.
  • the second release layer 17 is made of the same material as the first release layer 12 described above. Moreover, the 2nd peeling layer 17 can also be formed from the heat peeling sheet from which the sealing layer covering optical semiconductor element 10 can peel easily by heating.
  • the second release layer 17 has a substantially rectangular plate shape in plan view, and the area of the second release layer 17 is larger than the opening cross-sectional area of the cavity 9 and smaller than the upper mold 3.
  • the thickness of the 2nd peeling layer 17 is 10 micrometers or more, for example, Preferably, it is 50 micrometers or more, for example, is 1000 micrometers or less, Preferably, it is 100 micrometers or less.
  • a plurality (nine) of optical semiconductor elements 16 are mounted on the surface (lower surface) of the second release layer 17.
  • the plurality of optical semiconductor elements 16 are aligned in the left-right direction and spaced apart in the front-rear direction.
  • Each of the plurality of optical semiconductor elements 16 is formed in a substantially flat plate shape along the front-rear direction and the left-right direction.
  • Each of the plurality of optical semiconductor elements 16 has a substantially rectangular shape in plan view, and a cross-sectional shape along the vertical direction and the front-rear direction and a cross-sectional shape along the vertical direction and the left-right direction are formed in a substantially rectangular shape. Yes.
  • the front-rear direction length and the left-right direction length of the optical semiconductor element 16 are, for example, 50 ⁇ m or more, preferably 500 ⁇ m or more, and, for example, 2000 ⁇ m or less, preferably 1000 ⁇ m or less.
  • each optical semiconductor element 16 is, for example, 0.1 ⁇ m or more, preferably 0.2 ⁇ m or more, and, for example, 500 ⁇ m or less, preferably 200 ⁇ m or less.
  • the volume (total volume) of the plurality of optical semiconductor elements 16 is, for example, 10 mm 3 or more, preferably 50 mm 3 or more, and for example, 650 mm 3 or less, preferably 300 mm 3 or less.
  • the element arrangement region 18 is a region surrounded by a line segment connecting the outer edges of the optical semiconductor elements 16 arranged on the outermost side among the plurality of optical semiconductor elements 16.
  • the element arrangement region 18 has a line segment A connecting a plurality of front end edges (specifically, a front left end edge and a front right end edge) of the optical semiconductor element 16A arranged on the foremost side, and on the rear side.
  • the area S3 of the element arrangement region 18 described above is appropriately set depending on the number, size, arrangement, and the like of the optical semiconductor element 16, but for example, as shown in FIG. 2, compared to the area S1 of the sealing layer 13, small.
  • the area S1 of the sealing layer 13 is larger than the area S3 of the element arrangement region 18, and is, for example, more than 100%, preferably 110% or more with respect to the area S3 of the element arrangement region 18. More preferably, it is 120% or more, for example, 150% or less.
  • the area S3 of the element arrangement region 18, for example, 200 mm 2 or more, preferably not 1000 mm 2 or more, and is, for example, 12000 mm 2 or less, or preferably 6000 mm 2 or less.
  • the prepared element member 15 is arranged on the upper side of the sealing member 11.
  • the second release layer 17 of the element member 15 is disposed on the lower surface of the carrier 32.
  • the carrier 32 is a support plate for positioning the element member 15 below the upper mold 3 while supporting the second release layer 17.
  • the carrier 32 is formed in a substantially flat plate shape extending in the front-rear direction and the left-right direction.
  • the carrier 32 is formed in a size included in the upper mold 3 when projected in the vertical direction.
  • the thickness of the carrier 32 is, for example, 100 ⁇ m or more, preferably 350 ⁇ m or more, and for example, 1000 ⁇ m or less, preferably 600 ⁇ m or less.
  • the carrier 32 is made of, for example, glass, ceramic, stainless steel, or the like.
  • a fourth insertion hole 28 is provided at the corner of the carrier 32 at the same position as the first insertion hole 24 of the frame member 5 when projected in the vertical direction.
  • the fourth insertion hole 28 is formed so as to penetrate the carrier 32 in the thickness direction.
  • the spring 22 is inserted into the fourth insertion hole 28 of the carrier 32 in which the element member 15 is arranged.
  • the covering step is performed after the sealing member arranging step and the element member arranging step.
  • the upper mold 3 is disposed opposite to the upper side of the lower mold 2.
  • the pin 21 is inserted into the second insertion hole 26, and then the upper mold 3 is slid downward, and the lower surface of the upper mold 3 and the carrier 32 are moved. Make contact with the top surface. At the same time, the upper end of the spring 22 is accommodated in the second recess 25.
  • the upper mold 3 is arranged opposite to the upper side of the lower mold 2.
  • the sealing member 11 is disposed between the lower mold 2 and the upper mold 3.
  • the element member 15 is disposed between the lower mold 2 and the upper mold 3 and on the upper mold 3 side with respect to the sealing member 11.
  • the sealing layer 13 contains a thermosetting resin having thermoplasticity and thermosetting property
  • the temperature of the lower mold 2 and the upper mold 3 is equal to or higher than the thermoplastic temperature of the thermosetting resin.
  • it is a thermosetting temperature or higher, and specifically, for example, 60 ° C. or higher, preferably 80 ° C.
  • it is 150 ° C. or lower, preferably 120 ° C. or lower.
  • the lower mold 2 and the upper mold 3 are brought close to each other. Specifically, the upper mold 3 is pressed (pressed down) toward the lower mold 2.
  • the press pressure is, for example, 0.1 MPa or more, preferably 1 MPa or more, and for example, 10 MPa or less, preferably 5 MPa or less.
  • the sealing layer 13 contains a thermosetting resin having thermoplasticity and thermosetting property by pressing the lower die 2 of the upper die 3, the heat of the lower die 2 and the upper die 3 is increased. Conducted to the sealing layer 13 and plasticized. Subsequently, the optical semiconductor element 16 is embedded in the plasticized sealing layer 13. Further, the first release layer 12 is plasticized or softened, and subsequently, the central portion of the second release layer 17 is bent downward by pressing the lower mold 2 of the upper mold 3, and subsequently the second release layer is released. Since the layer 17 presses the sealing layer 13 downward, the sealing layer 13 is filled in the cavity 9.
  • the first release layer 12 is in direct contact with the inner surface of the cavity 9, that is, the exposed surface of the lower flat plate 4 exposed from the opening 8, and the inner peripheral surface of the opening 8 of the frame member 5, That is, the sealing layer 13 is disposed (filled) on the exposed surface of the lower flat plate 4 and the inner peripheral surface of the cavity 9 via the first release layer 12.
  • the second release layer 17 is pressed so that the second release layer 17 contacts the first release layer 12 disposed on the upper surface of the frame member 5.
  • the volume ratio with respect to the sealing layer accommodation volume 19 of the sealing layer 13 exceeds 100%, it is not accommodated in the sealing layer accommodation volume 19, and overflows from the cavity 9 to the front-back direction outer side and the left-right direction outer side.
  • the sealing composition swells (protrudes) between the first release layer 12 disposed on the upper surface of the frame member 5 and the peripheral end portion of the second release layer 17. That is, the bulging part 14 formed from the sealing composition is formed outside the cavity 9.
  • the heating temperature is, for example, the same range as described above, and the pressing time is, for example, 1 minute or more, preferably 5 minutes or more, and, for example, 60 minutes or less, preferably 20 minutes or less. It is.
  • thermoset when the sealing layer 13 contains a thermosetting resin having plasticity and thermosetting property, it is thermoset (C stage).
  • the reaction of the phenyl silicone resin composition contains an alkenyl group and / or cycloalkenyl group of the alkenyl group-containing polysiloxane and a hydrosilyl group.
  • the hydrosilyl addition reaction with the hydrosilyl group of the polysiloxane is further accelerated.
  • the alkenyl group and / or cycloalkenyl group or the hydrosilyl group of the hydrosilyl group-containing polysiloxane disappears, and the hydrosilyl addition reaction is completed, whereby the product of the C-stage phenyl-based silicone resin composition, A cured product is obtained. That is, by completing the hydrosilyl addition reaction, curability (specifically, thermosetting) is exhibited in the phenyl silicone resin composition.
  • R 5 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and a cycloalkenyl group) including a phenyl group. .5 or more and 2.0 or less.)
  • the unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 5 includes an unsubstituted or substituted monovalent carbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2 in the formula (1). Examples thereof are the same as the hydrogen group and the unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3 in the formula (2).
  • an unsubstituted monovalent hydrocarbon group more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and more preferably a combined use of a phenyl group and a methyl group is used.
  • an unsubstituted monovalent hydrocarbon group more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and more preferably a combined use of a phenyl group and a methyl group.
  • E is preferably 0.7 or more and 1.0 or less.
  • the proportion of the phenyl groups in R 5 in the average composition formula of the product (3) is, for example, 30 mol% or more, preferably is 35 mol% or more, and is, for example, 55 mol% or less, preferably 50 mol% or less.
  • thermoplasticity of the B-stage sealing layer 13 (see FIG. 1A) can be ensured. That is, since the 80 ° C. shear storage modulus G ′ of the sealing layer 13 described later exceeds the desired range, the optical semiconductor element 16 may not be securely embedded and sealed.
  • the content ratio of the phenyl group in R 5 of the average composition formula (3) of the product is a monovalent hydrocarbon group directly bonded to the silicon atom of the product (indicated by R 5 in the average composition formula (3)). This is the phenyl group concentration.
  • the content ratio of the phenyl group in R 5 of the average composition formula (3) of the product is calculated by 1 H-NMR and 29 Si-NMR. Details of the calculation method of the content ratio of the phenyl group in R 5 are described in Examples described later, and are calculated by 1 H-NMR and 29 Si-NMR, for example, based on the description of WO2011 / 125463 and the like. .
  • the heating temperature is, for example, 100 ° C. or more, preferably 120 ° C. or more, and for example, 170 ° C. or less, preferably 160 ° C. or less.
  • the heating time is, for example, 1 hour or longer, and for example, 4 hours or shorter.
  • the press on the lower mold 2 of the upper mold 3 is released. That is, the upper mold 3 and the carrier 32 are moved away from the lower mold 2 so that the arrow in FIG. That is, the upper mold 3 is moved upward.
  • the upper mold 3 is pushed up so that the second recess 25 of the upper mold 3 is detached from the upper end of the spring 22 and the pin 21 is pulled out from the second insertion hole 26. .
  • the carrier 32 is pushed up so that the spring 22 is pulled out from the fourth insertion hole 28 of the carrier 32.
  • a release layer comprising a second release layer 17 that covers the upper surface and the upper surface of the sealing layer 13, and a first release layer 12 that covers the lower surface and side surfaces of the sealing layer 13 (excluding the side surfaces of the bulging portion 14).
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 40 is pushed up. That is, the first release layer 12 is raised. In this way, the sealing layer-covered optical semiconductor element 40 with the release layer is taken out from the press 1.
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 40 with a release layer includes the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 including the optical semiconductor element 16 and the sealing layer 13 that embeds and covers the optical semiconductor element 16.
  • the thickness T5 of the sealing layer 13 in the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 is the vertical length between the lower surface of the sealing layer 13 and the upper surface of the sealing layer 13 located on the side of the optical semiconductor element 16. In this case, the depth is substantially the same as the depth T2 of the cavity 9.
  • the thickness T5 of the sealing layer 13 in the sealing layer-covered optical semiconductor element 40 with the release layer is thinner than the thickness T1 (see FIG. 2) of the sealing layer 13 before the optical semiconductor element 16 is covered.
  • the thickness T5 of the sealing layer 13 in the sealing layer-covered optical semiconductor element 40 with the release layer is, for example, 100% of the thickness T1 of the sealing layer 13 before the optical semiconductor element 16 is covered.
  • the thickness T5 of the sealing layer 13 is, for example, 100 ⁇ m or more, preferably 350 ⁇ m or more, and for example, 1000 ⁇ m or less, preferably 600 ⁇ m or less.
  • the sealing layer 13 is disposed in the vicinity of the optical semiconductor element 16, and serves as a sealing portion 33 that serves to seal (cover) the optical semiconductor element 16.
  • a bulging portion 14 that is formed in a thin film from the sealing portion 33 and does not serve for sealing (covering) the optical semiconductor element 16 is integrally provided.
  • the bulging portion 14 is removed in a subsequent cutting step and is not included in the sealing layer-covered optical semiconductor element 10, but the sealing portion 33 is included in the sealing layer-covered optical semiconductor element 10.
  • the first release layer 12 is peeled off from the sealing layer 13 so as to be bent in a substantially U shape.
  • the sealing layer 13 corresponding to each optical semiconductor element 16 is cut along the front-rear direction and the left-right direction. That is, the plurality of optical semiconductor elements 16 are singulated. Further, the sealing layer 13 is cut so that the bulging portion 14 is removed.
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 including one optical semiconductor element 16 and the sealing layer 13 that embeds and covers the optical semiconductor element 16 is obtained in a state of being supported by the second release layer 17.
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 preferably includes only the optical semiconductor element 16 and the sealing layer 13 without including the second release layer 17 and the substrate 20.
  • This method includes a step of preparing the above-described sealing layer-covered optical semiconductor element 10 (see FIG. 1D), a peeling step of peeling the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 from the second release layer 17 (see FIG. 1D arrow), And the mounting process (refer FIG. 1E) which mounts the optical semiconductor element 16 of the peeled sealing layer covering optical semiconductor element 10 in the board
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 obtained by the manufacturing method described above is peeled from the second peeling layer 17. Specifically, the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 is pulled downward.
  • the plurality of sealing layer-covered optical semiconductor elements 10 are sorted according to the emission wavelength and the emission efficiency.
  • a substrate 20 having terminals (not shown) provided on the upper surface is prepared.
  • the substrate 20 has a substantially rectangular flat plate shape extending in the front-rear direction and the left-right direction, and is, for example, an insulating substrate. Moreover, the board
  • the selected sealing layer-covered optical semiconductor element 10 is mounted on the substrate 20 as shown in FIG. 1E.
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 shown in FIG. A terminal (not shown) is brought into contact with a terminal (not shown) of the substrate 20 to be electrically connected. That is, the optical semiconductor element 16 of the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 is flip-chip mounted on the substrate 20.
  • the optical semiconductor device 30 including the substrate 20 and the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 mounted on the substrate 20 is obtained.
  • the optical semiconductor device 30 includes only the substrate 20 and the sealing layer-covered optical semiconductor element 10. That is, the optical semiconductor device 30 preferably includes only the substrate 20, the optical semiconductor element 16, and the sealing layer 13.
  • this sealing layer covering optical semiconductor element 10 As shown in FIG. 1A, the lower mold 2 having the cavity 9 and the upper mold 3 to be disposed opposite to the lower mold 2 As shown in FIG. 1B, the sealing layer 13 is disposed in the cavity 9 to seal the plurality of optical semiconductor elements 16 while the press 1 having the above is prepared.
  • the layer 13 can be reliably covered. Therefore, the plurality of optical semiconductor elements 16 can be covered with the sealing layer 13 and sealed with the small press 1.
  • the volume ratio of the sealing member 11 of the B stage is the sealing layer accommodation in which the volume of the plurality of optical semiconductor elements 16 is subtracted from the volume of the cavity 9. Since the plurality of optical semiconductor elements 16 are covered with the sealing layer 13 while being in a specific range with respect to the volume 19 and the sealing layer 13 is disposed in the cavity 9, the dimensions, specifically the thickness ( It is possible to obtain the sealing layer 13 having excellent accuracy in the vertical length (T5). That is, the thickness T5 of the sealing layer 13 can be adjusted with an accuracy (tolerance) of 95% or more and 105% or less with respect to the depth T2 of the cavity 9, for example.
  • the sealing layer 13 can form the bulging part 14 as shown in FIG. 1B, the volume ratio of the sealing layer 13 is the sealing layer accommodating volume even if the above-described tolerance is greatly allowed. In contrast, as long as the upper limit (specifically, 120%) is less than or equal to 19, the sealing layer 13 having excellent accuracy of the thickness T5 can be obtained.
  • this sealing layer covering optical semiconductor element 10 if the sealing layer 13 of B stage has both thermoplasticity and thermosetting property, as shown to FIG.
  • the sealing layer 13 is heated and plasticized, and the plurality of optical semiconductor elements 16 are surely covered and sealed with the sealing layer 13.
  • the plasticized sealing layer 13 can be thermoset to improve the reliability of the plurality of optical semiconductor elements 16.
  • the sealing layer 13 a phenyl group in R 5 in the average composition formula of the product obtained by reacting a silicone resin composition (3) If the content ratio is within a specific range, the plurality of optical semiconductor elements 16 can be reliably embedded, covered and sealed.
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 if the sealing layer 13 contains a phosphor, the light emitted from the plurality of optical semiconductor elements 16 is excellent in dimensional accuracy, and the phosphor. Since the wavelength can be converted by the sealing layer 13 containing, the sealing layer-coated optical semiconductor element 10 having excellent color uniformity can be obtained.
  • the optical semiconductor device 30 including the sealing layer 13 having excellent dimensional accuracy is prepared.
  • the optical semiconductor device 30 having excellent light emission characteristics and durability can be obtained.
  • the area S1 of the sealing layer 13 before sealing is formed smaller than the opening cross-sectional area S2 of the cavity 9.
  • it can be formed larger or the same size as the opening cross-sectional area S2 of the cavity 9.
  • the sealing layer 13 is preferably formed larger than the cavity 9 so as to include the cavity 9 when projected in the vertical direction.
  • the area S ⁇ b> 1 of the sealing layer 13 is formed smaller than the opening cross-sectional area S ⁇ b> 2 of the cavity 9. Then, the cavity 9 can be reliably filled with the sealing layer 13 having a smaller cross-sectional area than the opening cross-sectional area S ⁇ b> 2 of the cavity 9. Therefore, the sealing layer 13 that is more excellent due to the accuracy of the thickness T5 can be produced, and the sealing layer-coated optical semiconductor element 10 that includes the sealing layer 13 and has excellent color uniformity can be obtained.
  • the area S1 of the sealing layer 13 is formed larger than the area S3 of the element arrangement region 18, but for example, as shown in FIG.
  • the area S1 of the sealing layer 13 can be formed smaller or the same size as the area S3 of the element arrangement region 18.
  • the area S ⁇ b> 1 of the sealing layer 13 is formed larger than the area S ⁇ b> 3 of the element arrangement region 18. Then, the plurality of optical semiconductor elements 16 can be covered quickly and reliably by the sealing layer 13 having the area S1 larger than the area S3 of the element arrangement region 18. Therefore, the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 can be manufactured with good processability (productivity).
  • the area S4 of the first release layer 12 is formed larger than the opening cross-sectional area S2 of the cavity 9, but for example, as shown in FIG. Compared to the opening cross-sectional area S2 of the cavity 9, it can be formed smaller or the same size.
  • the first release layer 12 is formed so as to overlap with each other, for example, when projected in the vertical direction, and specifically, has the same shape as the sealing layer 13.
  • the area S ⁇ b> 4 of the first release layer 12 is formed larger than the opening cross-sectional area S ⁇ b> 2 of the cavity 9. Then, the sealing composition overflowing from the cavity 9 can be prevented from adhering to the lower mold 2 by the first release layer 12 having the area S4 larger than the opening cross-sectional area S2 of the cavity 9.
  • the lower mold 2 includes the lower flat plate 4 and the frame member 5 having the opening 8, thereby forming the cavity 9. That is, although the lower mold 2 is composed of two members, for example, although not shown, it may be composed of one member.
  • a thick flat plate member is first prepared, and then the upper surface of the central portion of the flat plate member is cut to form the cavity 9.
  • the lower mold 2 is composed of two members, a lower flat plate 4 and a frame member 5. Then, the lower mold 2 can be easily prepared. Further, the lower mold 2 can be disassembled and easily cleaned, and as a result, the press 1 can be easily maintained.
  • the pin 21 is formed in a substantially cylindrical shape, but the shape is not limited.
  • it can also be formed in a substantially conical shape that is pointed upward.
  • the pin 21 is formed so that the cross section along the left-right direction and the front-back direction becomes smaller as it goes upward. That is, the pin 21 is formed in a tapered shape.
  • the pin 21 is easily pulled out from the second insertion hole 26 and the third insertion hole 27.
  • the handleability of the sealing layer-covered optical semiconductor element 40 with the release layer is improved. Can be improved.
  • the second release layer 17 is described as an example of the base material in the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention.
  • the optical semiconductor device 30 can be manufactured without using the second peeling layer 17 as the substrate 20 and performing the peeling process using the second peeling layer 17 (see FIG. 1D). it can.
  • a mounting substrate 29 including the optical semiconductor element 16 and the substrate 20 on which the optical semiconductor element 16 is mounted first, a mounting substrate 29 including the optical semiconductor element 16 and the substrate 20 on which the optical semiconductor element 16 is mounted. Prepare. The optical semiconductor element 16 is flip-chip mounted on the substrate 20 or connected by wire bonding. A fourth insertion hole 28 is formed in the substrate 20 so that the reference numerals in parentheses in FIG. 3 are referred to.
  • the mounting substrate 29 is disposed opposite to the upper side of the sealing member 11. Specifically, the mounting substrate 29 is arranged so that the optical semiconductor element 16 faces downward.
  • An optical semiconductor device 50 with a release layer comprising: the substrate 20 formed; the sealing layer 13 that seals the optical semiconductor element 16; and the first release layer 12 disposed on the surface (lower surface and side surfaces) of the sealing layer 13. Get.
  • the optical semiconductor device 50 with a release layer is taken out from the press 1, and then the first release layer 12 is peeled from the sealing layer 13 in the optical semiconductor device 50 with the release layer as indicated by a virtual line in FIG. 9C. .
  • the sealing layer 13 and the substrate 20 corresponding to each optical semiconductor element 16 are cut along the front-rear direction and the left-right direction so that a plurality of optical semiconductor elements 16 are separated. Tidy up. Thereby, the bulging part 14 and the board
  • an optical semiconductor device 30 including one optical semiconductor element 16, a substrate 20 on which the optical semiconductor element 16 is mounted, and a sealing layer 13 (sealing portion 33) that seals the optical semiconductor element 16 is obtained. It is done.
  • the optical semiconductor device 30 includes only the optical semiconductor element 16, the substrate 20, and the sealing layer 13.
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 is mounted on the substrate 20.
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 including the plurality of optical semiconductor elements 16 is not cut on the substrate 20 without cutting the sealing layer 13, that is, without separating the optical semiconductor elements 16 into individual pieces. It can also be implemented. In that case, first, the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 provided with the second peeling layer 17 is mounted on the substrate 20, and then the second peeling layer 17 is peeled from the sealing layer 13. Alternatively, first, after the second release layer 17 is peeled from the sealing layer 13, the sealing layer-covered optical semiconductor element 10 including the sealing layer 13 from which the second release layer 17 is peeled may be mounted on the substrate 20. it can.
  • a plurality of optical semiconductor elements 16 are arranged on the second release layer 17, and then, as shown in FIG. It is sealed by.
  • the present invention is not limited to this.
  • a single optical semiconductor element 16 is disposed on the second release layer 17, and then the single optical semiconductor element 16 is sealed with the single sealing layer 13. You can also.
  • the element arrangement region 18 is a region in which the single optical semiconductor element 16 is arranged in the second release layer 17, and more specifically, the optical semiconductor element 16 may have a substantially rectangular shape in plan view. For example, it is a substantially rectangular region surrounded by the front edge, the rear edge, the right edge, and the left edge.
  • This modification can also provide the same operational effects as the above-described embodiment.
  • blending ratio content ratio
  • physical property values and parameters used in the following description are described in the above-mentioned “Mode for Carrying Out the Invention”, and the corresponding blending ratio (content ratio) ), Physical property values, parameters, etc. may be replaced with the upper limit values (numerical values defined as “less than” or “less than”) or lower limit values (numbers defined as “greater than” or “exceeded”). it can.
  • Example 1 (corresponding to FIGS. 1A to 3) ⁇ Preparation process> As shown in FIGS. 1A, 2 and 3, a lower mold 2 and an upper mold 3 were prepared. Table 1 shows the dimensions of the frame member 5 of the lower mold 2.
  • a sealing member 11 including a first release layer 12 and a B-stage sealing layer 13 was prepared.
  • the dimensions of the first release layer 12 and the sealing layer 13 are shown in Table 1.
  • the method for preparing the sealing member 11 is described in the following synthesis examples, preparation examples, and production examples. Thereafter, the sealing member 11 was disposed on the upper surface of the lower mold 2.
  • the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the alkenyl group-containing polysiloxane A was measured by gel permeation chromatography and found to be 2300.
  • polystyrene equivalent weight average molecular weight of the alkenyl group-containing polysiloxane B was measured by gel permeation chromatography and found to be 1000.
  • the average unit formula and average composition formula of the hydrosilyl group-containing polysiloxane C are as follows.
  • polystyrene equivalent weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing polysiloxane C was measured by gel permeation chromatography and found to be 1000.
  • the prepared varnish was applied to the surface of the first release layer 12 having a thickness of 50 ⁇ m (PTE sheet, trade name “SS4C”, softening temperature 80 ° C., manufactured by Nippa Corporation) with an applicator, and the thickness after heating was 595 ⁇ m ( T1), and then heated at 90 ° C. for 9.5 minutes to B-stage (semi-cure) the phenyl-based silicone resin composition in the varnish. Thereby, the sealing layer was manufactured.
  • PTE sheet trade name “SS4C”, softening temperature 80 ° C., manufactured by Nippa Corporation
  • an element member 15 including a second release layer 17 (thermal release sheet) and nine optical semiconductor elements 16 disposed on the lower surface of the second release layer 17 was prepared.
  • Table 1 shows dimensions of the optical semiconductor element 16 and the second release layer 17.
  • the element member 15 was attached to the lower surface of the carrier 32 (glass plate). Thereafter, the element member 15 and the carrier 32 were disposed opposite to the upper side of the sealing member 11.
  • the lower mold 2 and the upper mold 3 were heated at 90 ° C. for 10 minutes by the heater 7 while pressing the upper mold 3 against the lower mold 2 at 1 MPa.
  • the upper mold 3 and the carrier 32 are sequentially pulled up from the press 1, and subsequently, as shown in FIG. 1C, the first release layer 12, the second release layer 17, the optical semiconductor element 16 and A sealing layer-covered optical semiconductor element 40 with a release layer including the sealing layer 13 was obtained.
  • the sealing layer-covered optical semiconductor element 40 with a release layer was heated in an oven at 150 ° C. for 2 hours to be post-cured (post-cured).
  • the thickness T5 of the sealing layer 13 in the sealing layer-covered optical semiconductor element 40 with the release layer was 550 ⁇ m (92% with respect to the thickness T1 of the sealing layer 13 before sealing, 595 ⁇ m).
  • the sealing layer 13 corresponding to each optical semiconductor element 16 was cut to separate the plurality of optical semiconductor elements 16 into pieces.
  • a sealing layer-covered optical semiconductor element 10 including the optical semiconductor element 16 and the sealing layer 13 was obtained.
  • Table 2 shows the percentage of the volume of the sealing layer 13 with respect to the sealing layer accommodation volume 19.
  • Table 2 shows the magnitude relationship among the area S1 of the sealing layer 13, the opening cross-sectional area S2 of the cavity 9, and the area S3 of the element arrangement region 18.
  • Example 2 and 3 and Comparative Examples 1 and 2 (corresponding to FIGS. 1A to 3) The treatment was performed in the same manner as in Example 1 except that the dimension of the thickness T1 was changed according to Table 1.
  • Example 4 (corresponding to FIG. 5) The process was performed in the same manner as in Example 1 except that the dimensions of the thickness T1 and the area S1 were changed according to Table 1.
  • the area S1 of the sealing layer 13 before sealing was formed larger than the opening cross-sectional area S2 of the cavity 9.
  • Example 5 (corresponding to FIG. 6) The process was performed in the same manner as in Example 1 except that the dimensions of the thickness T1 and the area S1 were changed according to Table 1.
  • the area S1 of the sealing layer 13 before sealing was formed smaller than the area S3 of the element arrangement region 18.
  • Comparative Example 3 (corresponding to FIGS. 1A to 3) Instead of phenyl silicone resin composition, methyl silicone resin composition (trade name “ELASTOSIL LR7665”, one-step reaction curable addition reaction curable silicone resin composition, thermosetting that cannot be in a B-stage state. Resin, manufactured by Asahi Kasei Wacker Silicone Co., Ltd.) was used. That is, the sealing layer 13 was prepared in a liquid varnish state.
  • ELASTOSIL LR7665 one-step reaction curable addition reaction curable silicone resin composition, thermosetting that cannot be in a B-stage state. Resin, manufactured by Asahi Kasei Wacker Silicone Co., Ltd.
  • the A-stage phenyl-based silicone resin composition A was reacted (completely cured, C-staged) at 100 ° C. for 1 hour without adding an inorganic filler to obtain a product.
  • the manufacturing method of a sealing layer covering optical semiconductor element is used for the manufacturing method of an optical semiconductor device.

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Abstract

　封止層被覆光半導体素子の製造方法は、光半導体素子と、光半導体素子を被覆する封止層とを備える封止層被覆光半導体素子の製造方法である。この方法は、キャビティを有する第１金型と、第１金型に対向配置するための第２金型とを備えるプレスを準備する工程、剥離層と剥離層の表面に配置されるＢステージの封止層とを備える。封止層の体積割合がキャビティの体積から光半導体素子の体積を差し引いた封止層収容体積に対して、１００％以上、１２０％以下である封止部材を、第１金型および第２金型の間に、封止層が第２金型に向かうように、配置する工程、基材と、基材の表面に配置される光半導体素子とを備える素子部材を、第１金型および第２金型の間であって、封止部材に対する第２金型側に、光半導体素子が第１金型に向かうように、配置する工程、および、第１金型および第２金型を近接させて、封止層を前記キャビティに配置して、光半導体素子を封止層により被覆する工程を備える。

Description

封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法
　本発明は、封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法、詳しくは、封止層被覆光半導体素子の製造方法、および、それを用いる光半導体装置の製造方法に関する。
　従来、光半導体素子と、光半導体素子により封止される封止層とを備える光半導体装置が知られている。
　そのような光半導体装置の製造方法として、例えば、下型と、上型と、上型の下面より下端面が下方に位置し、上型の周囲に配置されるクランパと、クランパおよび下型のそれぞれの側方に配置される上クランプストッパおよび下クランプストッパとを備える圧縮成形機を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
　すなわち、特許文献１に記載の方法では、下型に、光半導体素子と、それが実装される回路基板とを備える封止前の光半導体装置を載置し、次いで、上型と光半導体装置との間に、封止樹脂を塗布した後、上型およびクランパを下降させて、封止樹脂および光半導体装置を挟持（型締め）して、クランパの内側面と上型の下面によって包囲された封止領域において封止樹脂を圧縮成形する方法が提案されている。
　さらに、特許文献１に記載の圧縮成形機を用いる方法では、上クランプストッパおよび下クランプストッパが互いに当接する型締め位置にあるときに、封止領域が所定の厚さとなり、そのため、封止樹脂から形成される封止層は、封止領域に対応する厚さを有する。
特開２００６－９３３５４号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の方法では、圧縮成形機が、クランパ、上クランプストッパおよび下クランプストッパを備えるので、大型化するという不具合がある。
　また、封止領域における封止層には、その厚みを所望の厚みに設定できる寸法の精確性が要求されるところ、特許文献１に記載の方法では、上記した要求を満足できないという不具合がある。
　本発明の目的は、小型のプレスによっても、寸法の精確性に優れる封止層を備える封止層被覆光半導体素子を製造する方法を提供することにある。
　［１］本発明は、光半導体素子と、前記光半導体素子を被覆する封止層とを備える封止層被覆光半導体素子の製造方法であって、キャビティを有する第１金型と、前記第１金型に対向配置するための第２金型とを備えるプレスを準備する工程、剥離層と前記剥離層の表面に配置されるＢステージの前記封止層とを備え、前記封止層の体積割合が前記キャビティの体積から前記光半導体素子の体積を差し引いた封止層収容体積に対して、１００％以上、１２０％以下である封止部材を、前記第１金型および前記第２金型の間に、前記封止層が前記第２金型に向かうように、配置する工程、基材と、前記基材の表面に配置される前記光半導体素子とを備える素子部材を、前記第１金型および前記第２金型の間であって、前記封止部材に対する前記第２金型側に、前記光半導体素子が前記第１金型に向かうように、配置する工程、および、前記第１金型および前記第２金型を近接させて、前記封止層を前記キャビティに配置して、前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程を備えることを特徴とする、封止層被覆光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、キャビティを有する第１金型と、第１金型に対向配置するための第２金型とを備えるプレスを準備するので、プレスの構成を簡単にすることができながら、封止層をキャビティに配置して、光半導体素子を封止層により確実に被覆することができる。そのため、小型のプレスによって、光半導体装置を封止層により被覆することができる。
　また、この方法によれば、Ｂステージの封止層の体積割合が、キャビティの体積から光半導体素子の体積を差し引いた封止層収容体積に対して特定範囲にあり、かつ、かかる封止層をキャビティに配置しつつ、光半導体素子を封止層により被覆するので、寸法の精確性に優れる封止層を得ることができる。
　［２］本発明は、前記封止層の面積が、前記キャビティの、前記第１金型および前記第２金型が近接するプレス方向に対する直交方向に沿う開口断面積に比べて、小さいことを特徴とする、上記［１］に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、キャビティの開口断面積に比べて小さい面積を有する封止層を、キャビティに確実に充填することができる。そのため、寸法の精確性により一層優れる封止層を作製することができる。
　［３］本発明は、前記光半導体素子が前記基材に単数配置される場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記単数の光半導体素子が配置される領域の面積に比べて大きく、前記光半導体素子が前記基材に複数設けられる場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記複数の光半導体素子のうち最外側に配置される前記光半導体素子の外側端縁を結ぶ線分で囲まれる領域の面積に比べて、大きいことを特徴とする、上記［１］または［２］に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、上記した領域の面積に比べて大きい面積を有する封止層により確実に光半導体素子を被覆しつつ、封止層の寸法の精確性を向上させることができる。
　［４］本発明は、前記剥離層の面積が、前記キャビティの、前記第１金型および前記第２金型が近接するプレス方向に対する直交方向に沿う開口断面積に比べて、大きいことを特徴とする、上記［１］～［３］のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、キャビティの開口断面積に比べて大きい面積を有する剥離層によって、キャビティから溢れる封止層が第１金型に付着することを防止することができる。
　［５］本発明は、前記第１金型は、第１平板と、前記第１平板の表面に配置され、キャビティを形成する開口部を有する枠部材とを備えることを特徴とする、上記［１］～［４］のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、第１金型は、枠部材が有する開口部によって、キャビティを形成する。そのため、第１金型を簡単に用意することができる。また、第１金型を簡便に清掃することができ、その結果、プレスを簡易にメンテナンスすることができる。
　［６］本発明は、前記プレスは、熱源を備え、前記Ｂステージの封止層は、熱可塑性および熱硬化性を併有し、前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程では、前記封止層を加熱して可塑化し、続いて、可塑化した前記封止層を熱硬化させることを特徴とする、上記［１］～［５］のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、Ｂステージの封止層が、熱可塑性および熱硬化性を併有するので、光半導体素子を封止層により被覆する工程において、封止層を加熱して可塑化して、封止層によって光半導体素子を確実に被覆しつつ、その後、可塑化した封止層を熱硬化させて、光半導体素子の信頼性を向上させることができる。
　［７］本発明は、前記封止層は、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、分子内に２個以上のヒドロシリル基を含有するヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有するフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する封止組成物からシート状に形成され、前記アルケニル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示され、
　平均組成式（１）：
　Ｒ１ ａＲ２ ｂＳｉＯ（４－ａ－ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２～１０のアルケニル基および／または炭素数３～１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
　前記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（２）で示され、
　平均組成式（２）：
　ＨｃＲ３ ｄＳｉＯ（４－ｃ－ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
　前記平均組成式（１）および前記平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方は、フェニル基を含み、
　前記フェニル系シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物は、下記平均組成式（３）で示され、
　平均組成式（３）：
　Ｒ５ ｅＳｉＯ（４－ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
　前記平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が、３０モル％以上、５５モル％以下であることを特徴とする、上記［１］～［６］のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、封止層において、シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が特定の範囲にあるので、光半導体素子を確実に埋設して被覆することができる。
　［８］本発明は、前記封止層は、蛍光体を含有していることを特徴とする、上記［１］～［７］のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法である。
　この方法によれば、光半導体素子から発光された光を、寸法の精確性に優れ、蛍光体を含有する封止層によって波長変換することができるので、色均一性に優れる封止層被覆光半導体素子を得ることができる。
　［９］本発明は、上記［１］～［８］のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、前記基材は、第２剥離層であり、前記封止層被覆光半導体素子を用意する工程の後に、前記封止層被覆光半導体素子を前記第２剥離層から剥離する工程、および、剥離した前記封止層被覆光半導体素子の前記光半導体素子を基板に実装する工程をさらに備えていることを特徴とする、光半導体装置の製造方法である。
　この方法によれば、寸法の精確性に優れる封止層を備える封止層被覆光半導体素子を用意するので、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置を得ることができる。
　［１０］本発明は、上記［１］～［８］のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、前記基材は、前記光半導体素子が実装された基板であることを特徴とする、光半導体装置の製造方法である。
　この方法によれば、寸法の精確性に優れる封止層を備える封止層被覆光半導体素子を用意するので、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置を得ることができる。
　本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法によれば、小型のプレスによって、光半導体装置を封止により被覆することができる。また、寸法の精確性に優れる封止層を得ることができる。
　本発明の光半導体装置の製造方法によれば、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置を得ることができる。
図１Ａ～図１Ｅは、本発明の光半導体装置の製造方法を説明する工程図であり、図１Ａは、準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程、図１Ｂは、被覆工程、図１Ｃは、剥離層付封止層被覆光半導体素子を取り出す工程、図１Ｄは、剥離工程、図１Ｅは、実装工程を示す。 図２は、図１Ａに示すプレスの拡大断面図を示す。 図３は、図１Ａに示すプレスの分解斜視図を示す。 図４は、素子部材の拡大底面図を示す。 図５は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程を示す。 図６は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程を示す。 図７は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程を示す。 図８は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の剥離層付封止層被覆光半導体素子を取り出す工程を示す。 図９は、光半導体装置の製造方法の変形例を説明する工程図であり、図９Ａは、準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程、図９Ｂは、被覆工程、図９Ｃは、剥離層付光半導体装置を取り出す工程、図９Ｄは、光半導体素子を個片化する工程を示す。
　図１において、紙面上下方向は、上下方向（後述するプレス方向および厚み方向の一例、第１方向）であり、紙面上側は、上側（プレス方向上流側、第１方向一方側）、紙面下側は、下側（プレス方向下流側、第１方向他方側）である。図１において、紙面左右方向は、左右方向（プレス方向に直交する第２方向）であり、紙面左側は、左側（第２方向一方側）、紙面右側は、右側（第２方向他方側）である。図１において、紙面紙厚方向は、前後方向（プレス方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面左側は、左側（第３方向一方側）、紙面右側は、右側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
　本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の一例は、図１Ｄに示され、光半導体素子１６と、光半導体素子１６を被覆する封止層１３とを備える封止層被覆光半導体素子１０の製造方法であって、準備工程、封止部材配置工程、素子部材配置工程および被覆工程を備える。以下、各工程を図１Ａ～図１Ｄを主に参照して詳述する。
　　＜準備工程＞
　準備工程では、プレス１を準備する。
　図１Ａ、図２および図３に示すように、プレス１は、第１金型としての下金型２と、第２金型としての上金型３と、熱源としてのヒータ７と、複数（２つ）のピン２１と、複数（８つ）のバネ２２とを備える。
　下金型２は、プレス１の下部に配置されており、左右方向および前後方向に延びる略矩形平板状に形成されている。詳しくは、下金型２は、上側に向かって開口されるキャビティ９を中央部に有しており、上下方向および左右方向に切断したときの断面形状、および、上下方向および前後方向に切断したときの断面形状が有底凹形状に形成されている。下金型２は、図３に示すように、下平板４と、下平板４の上面に配置される枠部材５とを備える。
　下平板４は、左右方向および前後方向に延びる略矩形平板状に形成されている。下平板４には、複数（８つ）の第１凹部２３が、設けられている。複数（８つ）の第１凹部２３は、下平板４の上面が下側に向かって凹むように形成されている。第１凹部２３は、下平板４の各隅部において、２つ、下平板４の中心部から外側部に向かう方向（放射方向）に、間隔を隔てて配置される。つまり、第１凹部２３は、下平板４の中心部から放射状に延びる複数（４つ）の直線上（対角線上）のそれぞれに、２つ設けられている。つまり、８つの第１凹部２３は、４つの内側第１凹部２３Ａと、それらの放射方向外側に間隔を隔てて配置される４つの外側第１凹部２３Ｂとを備えている。
　枠部材５は、図２に示すように、その外形形状が下平板４の外形形状よりも小さく形成されており、下平板４の上面の周端部を露出するように、下平板４の上面に載置されている。詳しくは、図３に示すように、枠部材５は、下平板４における内側第１凹部２３Ａに重なる一方、外側の第１凹部２３を露出するように、配置されている。枠部材５は、平面視略矩形枠状に形成されている。つまり、枠部材５の中央部には、枠部材５を上下方向（枠部材５の厚み方向）に貫通する開口部８が形成されている。
　開口部８は、平面視略矩形状に形成されている。また、開口部８は、下平板４の中央部の上面を露出している。枠部材５は、上下方向に投影したときに、その外周縁部が、下平板４の外周縁部より内側に位置するように、配置されている。これによって、枠部材５は、下平板４の外端部を露出している。
　さらに、枠部材５には、複数（４つ）の第１挿入孔２４が設けられている。複数（４つ）の第１挿入孔２４のそれぞれは、枠部材５を上下方向に貫通するように形成されている。複数（４つ）の第１挿入孔２４のそれぞれは、上下方向に投影したときに、複数（４つ）の内側第１凹部２３Ａのそれぞれと同一位置に位置している。
　下金型２では、図２に示すように、キャビティ９の左右方向および前後方向に沿う開口断面積Ｓ２は、例えば、４００ｍｍ２以上、好ましくは、１６００ｍｍ２以上であり、また、例えば、１４４００ｍｍ２以下、好ましくは、６４００ｍｍ２以下である。また、キャビティ９の深さＴ２は、開口部８の上下方向長さＴ２、つまり、枠部材５の厚みＴ２であって、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。
　上金型３は、プレス１において下金型２の上側に対向配置できるように構成されている。図３に示すように、上金型３は、下金型２の下平板４の外形形状と同一形状に形成されている。上金型３は、左右方向および前後方向に延びる略矩形平板状に形成されている。
　上金型３には、複数（８つ）の第２凹部２５と、複数（２つ）の第２挿入孔２６とが設けられている。
　複数（８つ）の第２凹部２５は、上金型３の下面において、下平板４に設けられる複数（８つ）の第１凹部２３に対応するように、配置されている。つまり、複数（８つ）の第２凹部２５は、複数（４つ）の内側第２凹部２５Ａと、それらの放射方向外側に間隔を隔てて配置される複数（４つ）の外側第２凹部２５Ｂとを備えている。複数（８つ）の第２凹部２５のそれぞれは、上金型３の下面が上側に向かって凹むように形成されている。
　複数（２つ）の第２挿入孔２６のそれぞれは、上金型３を上下方向に貫通している。第２挿入孔２６は、上金型３の左右方向両端部における前後方向中央部に配置されている。つまり、複数（２つ）の第２挿入孔２６は、左右方向に間隔を隔てて配置されている。また、第２挿入孔２６は、上金型３の左端部において、前後方向に間隔を隔てて配置される第２凹部２５の間に配置され、また、上金型３の右端部において、前後方向に間隔を隔てて配置される第２凹部２５の間に配置されている。
　また、上金型３は、下金型２に対してプレス可能に構成されている。具体的には、上金型３には、下金型２に対する圧力を付与できる駆動部（図示せず）が接続される。
　ヒータ７は、図１Ａに示すように、下平板４の下面、および、上金型３の上面のそれぞれに配置されている。ヒータ７は、下金型２および上金型３を加熱可能に構成されている。
　ピン２１は、下平板４に複数（２つ）設けられており、図３に示すように、複数（２つ）のピン２１のそれぞれは、上下方向に延びる略円柱状に、形成されている。具体的には、複数（２つ）のピン２１のそれぞれは、下平板４の上面に立設されている。つまり、複数（２つ）のピン２１の下端部は、下平板４の左右方向両端部における前後方向中央部の上面に固定されている。複数（２つ）のピン２１は、左右方向に間隔を隔てて配置されている。また、ピン２１は、下平板４の左端部において、前後方向に間隔を隔てて配置される第１凹部２３の間に配置され、また、下平板４の右端部において、前後方向に間隔を隔てて配置される第１凹部２３の間に配置されている。
　ピン２１は、後述する第１剥離層１２の第３挿入孔２７、および、上金型３の第２挿入孔２６に挿入されて摺動されるように、直径が調整されている。ピン２１の上下方向長さは、第２挿入孔２６を挿入可能な長さに、調整されている。
　バネ２２は、図１Ａ、図２および図３において全て図示していないが、図１Ａが参照されるように、複数（８つ）設けられている。複数（８つ）のバネ２２のそれぞれは、上下方向に延び、上下方向に収縮可能に構成されており、上下方向に押圧力を有する押しバネである。図３が参照されるように、バネ２２の下端部は、第１凹部２３に収容されて固定される一方、バネ２２の上端部は、第２凹部２５に収容されて固定され、そして、バネ２２の上下方向途中部は、枠部材５の第１挿入孔２４、および、後述するキャリア３２の第４挿入孔２８に挿入される。
　そして、プレス１を準備するには、図１Ａに示すように、ヒータ７が設けられた下金型２と、ヒータ７が設けられた上金型３とをそれぞれ用意する。
　次いで、ピン２１の下端部を、下金型２の下平板４の上面に固定する。また、複数（８つ）のバネ２２のうち、一部（４つ）のバネ２２の下端部を、第１挿入孔２４に挿入し、続いて、内側第１凹部２３Ａに差し込むとともに、別途、残部（４つ）のバネ２２の下端部を、外側第１凹部２３Ｂに差し込む。
　なお、この時点において、上金型３は、下金型２の上側にまだ対向配置されず、後述するが、被覆工程において、下金型２の上側に対向配置される。
　　＜封止部材配置工程＞
　封止部材配置工程では、まず、封止部材１１を用意する。
　　（封止部材）
　図３に示すように、封止部材１１は、前後方向および左右方向に延びる略矩形平板状に形成されている。封止部材１１は、剥離層としての第１剥離層１２と、第１剥離層１３の上面（表面）に配置されるＢステージの封止層１３とを備える。好ましくは、封止部材１１は、第１剥離層１２と、封止層１３とのみからなる。
　第１剥離層１２は、封止層１３によって光半導体素子１６（後述）を封止するまでの間、封止層１３を保護するために、封止層１３の裏面（図１Ａにおける下面）に剥離可能に貼着されている。つまり、第１剥離層１２は、封止部材１１の出荷・搬送・保管時において、封止層１３の裏面（図１Ａにおける下面）を被覆するように、封止層１３の裏面に積層され、封止層１３の使用直前において、図１Ｃに示すように、封止層１３の下面から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がすことができる可撓性フィルムである。つまり、第１剥離層１２は、可撓性フィルムのみからなる。また、第１剥離層１２の貼着面、つまり、封止層１３に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理されている。
　図３に示すように、第１剥離層１２は、左右方向および前後方向に沿う平板状をなし、具体的には、左右方向に長い平面視略矩形状に形成されている。図２に示すように、第１剥離層１２は、封止部材配置工程において、第１剥離層１２がキャビティ９を被覆（閉鎖）する。そして、第１剥離層１２は、第１剥離層１２および封止層１３の重力によって、第１剥離層１２の中央部および封止層１３がキャビティ９内に落ち込むことを防止できるような剛性（強度）を有する。一方、第１剥離層１２は、被覆工程の熱プレス（図１Ｂ参照）によって、第１剥離層１２の中央部および封止層１３がキャビティ９内に落ち込むことができるような可撓性（熱可塑性）を有する。
　第１剥離層１２を形成する材料として、例えば、熱可塑性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリスチレンなどのスチレン系樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのオレフィン系樹脂、例えば、ＰＥＴなどのポリエステル系樹脂、例えば、アクリル樹脂などのアクリル系樹脂、例えば、フッ素系樹脂、例えば、熱可塑性シリコーン樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリエステル系樹脂が挙げられる。第１剥離層１２の軟化温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。
　図３に示すように、第１剥離層１２の左右方向両端部には、第３挿入孔２７が設けられている。
　第３挿入孔２７は、上記した上金型３の第２挿入孔２６に対応して２つ設けられており、２つの第３挿入孔２７のぞれぞれは、第１剥離層１２の前後方向中央部に配置されている。２つの第３挿入孔２７間の間隔は、２つの第２挿入孔２６間の間隔と同一である。
　第１剥離層１２の寸法は、プレス１および封止層１３の寸法に応じて適宜調整される。具体的には、図２に示すように、第１剥離層１２の左右方向長さは、下平板４の左右方向長さに比べて短く、かつ、枠部材５の左右方向長さに比べて長く、調整されている。図３に示すように、第１剥離層１２の前後方向長さは、枠部材５の前後方向長さに比べて短く、かつ、開口部８の前後方向長さに比べて長く、調整されている。従って、図２に示すように、第１剥離層１２の面積Ｓ４は、開口部８の開口断面積Ｓ２、つまり、下金型２のキャビティ９の前後方向および左右方向に沿う開口断面積Ｓ２に比べて、大きく調整されている。
　図２に示すように、第１剥離層１２の厚みＴ４は、剛性、可撓性、ハンドリング性および低コスト化の観点から、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。第１剥離層１２の厚みＴ４が上記下限以上であれば、封止部材配置工程において、第１剥離層１２が撓んで、封止層１３がキャビティ９内に落ち込むことを防止することができる。第１剥離層１２の厚みＴ４が上記上限以下であれば、ハンドリング性を向上させて、低コスト化を図ることができる。
　図３に示すように、封止層１３は、平板状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、前後方向および左右方向に延び、平坦な上面および平坦な下面を有している。また、封止層１３は、後述する封止層被覆光半導体素子１０（図１Ｄ参照）および光半導体装置３０（図１Ｅ参照）ではなく、封止層被覆光半導体素子１０および光半導体装置３０の一部品、すなわち、封止層被覆光半導体素子１０および光半導体装置３０を作製するための部品であり、光半導体素子１６および光半導体素子１６を搭載する基板２０を含むことなく、構成されている。
　そのため、第１剥離層１２および封止層１３を備える封止部材１１は、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
　封止層１３は、Ｂステージの封止組成物からシート状に形成されている。封止組成物は、例えば、封止樹脂を必須成分として含有している。封止樹脂は、透明樹脂であって、具体的には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などの硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
　熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。
　２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。なお、Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。
　１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。ただし、１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂を含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。
　封止樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
　シリコーン樹脂としては、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。
　付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。
　アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。
　平均組成式（１）：
　Ｒ１ ａＲ２ ｂＳｉＯ（４－ａ－ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２～１０のアルケニル基および／または炭素数３～１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
　式（１）中、Ｒ１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２～１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３～１０のシクロアルケニル基が挙げられる。
　Ｒ１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２～４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。
　Ｒ１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
　Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１～１０の１価の炭化水素基である。
　非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１～１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３～６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６～１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７～８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１～３のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
　一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。
　置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。
　置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３－クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。
　１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。
　Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。
　ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。
　ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。
　アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
　アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
　また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
　ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。
　平均組成式（２）：
　ＨｃＲ３ ｄＳｉＯ（４－ｃ－ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
　式（２）中、Ｒ３で示される非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
　ｃは、好ましくは、０．５以下である。
　ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。
　ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
　ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
　また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
　上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、フェニル基を含み、好ましくは、Ｒ２およびＲ３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含むので、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。
　ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。
　ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金－オレフィン錯体、白金－カルボニル錯体、白金－アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。
　ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１００００ｐｐｍ以下、好ましくは、１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。
　付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。
　上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製され、その後、反応が途中で停止することにより、Ｂステージ（液体）状態として調製される。
　つまり、上記したように、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態となることができる。その後、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Ｂステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。
　なお、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物がＢステージ（半硬化）状態にあるときには、固体状である。そして、このＢステージ状態の付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、熱可塑性および熱硬化性を併有することができる。つまり、Ｂステージの付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。
　縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０－２６５４３６号公報、特開２０１３－１８７２２７号公報などに記載される第１～第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３－０９１７０５号公報、特開２０１３－００１８１５号公報、特開２０１３－００１８１４号公報、特開２０１３－００１８１３号公報、特開２０１２－１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。
　縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物としては、好ましくは、ケイ素原子に直接結合するアルキル基がすべてメチル基であるメチル系シリコーン樹脂組成物（２段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物、具体的には、両末端シラノール型ポリジメチルシロキサンと、ジメチルポリシロキサン－ＣＯ－メチルハイドロジェンシロキサンと、アルケニル基含有ケイ素化合物とから調製されるメチル系シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
　縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、加熱により、縮合反応を生じて、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態として調製される。Ｂステージ状態の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、その後、さらなる加熱により、付加反応を生じて、Ｃステージ（完全硬化）状態となることができる。
　熱硬化性樹脂としては、耐久性および光学特性の観点から、１段反応硬化性樹脂、具体的には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
　封止樹脂の屈折率は、例えば、１．５０以上であり、また、例えば、１．６０以下である。封止樹脂の屈折率は、アッベ屈折率計によって算出される。なお、封止樹脂の屈折率は、封止樹脂がＢステージの硬化性樹脂である場合には、Ｂステージの硬化性樹脂とＣステージの硬化性樹脂（後述する生成物に相当）との屈折率が実質的に同一であることから、Ｃステージの硬化性樹脂の屈折率として算出される。
　封止樹脂の配合割合は、封止組成物に対して、例えば、２０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、５０質量％未満、さらに好ましくは、４０質量％以下、とりわけ好ましくは、３０質量％以下である。封止樹脂の配合割合が上記範囲内であれば、封止層１３の成形性を確保することができる。
　　（無機フィラー、蛍光体）
　封止組成物は、上記した封止樹脂の他に、例えば、無機フィラーおよび／または蛍光体を含有することもできる。
　無機フィラーは、封止層１３（図１Ａ参照）の成形性を向上させるために、封止組成物に必要により配合される。具体的には、無機フィラーは、反応前（具体的には、Ａステージ）の封止樹脂に配合される。無機フィラーとしては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機フィラーとして、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、好ましくは、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
　複合無機酸化物粒子としては、例えば、シリカ、あるいは、シリカおよび酸化ホウ素を主成分として含有し、また、アルミナ、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化アンチモンなどを副成分として含有する。複合無機酸化物粒子における主成分の含有割合は、複合無機酸化物粒子に対して、例えば、４０質量％を超え、好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。副成分の含有割合は、上記した主成分の含有割合の残部である。
　複合酸化物粒子は、上記した主成分および副成分を配合して、加熱して溶融させて、それらの溶融物を急冷し、その後、例えば、ボールミルなどによって粉砕し、その後、必要により、適宜の表面加工（具体的には、球体化など）を施して、得られる。
　無機フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。無機フィラーの平均粒子径は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下、より好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、２５μｍ以下である。無機フィラーの平均粒子径が上記上限を超える場合には、封止組成物（後述するワニス）において無機フィラーが沈降する傾向がある。一方、無機フィラーの平均粒子径が上記下限に満たない場合には、封止組成物のシート成形性が低下したり、あるいは、封止層１３（図１Ａ参照）の透明性が低下する傾向がある。無機フィラーの平均粒子径は、Ｄ５０値として算出される。具体的には、レーザー回折式粒度分布計により測定される。
　無機フィラーの屈折率は、例えば、１．５０以上、好ましくは、１．５２以上であり、また、例えば、１．６０以下、好ましくは、１．５８以下である。無機フィラーの屈折率が上記範囲内にあれば、上記した封止樹脂の屈折率との差を所望範囲内にすることができる。つまり、封止樹脂および無機フィラーの屈折率の差の絶対値を小さくすることができ、そのため、封止層１３の透明性を向上させることができる。無機フィラーの屈折率は、アッベ屈折率計によって算出される。
　封止樹脂および無機フィラーの屈折率の差の絶対値は、例えば、０．１０以下、好ましくは、０．０５以下であり、通常、例えば、０以上である。上記した屈折率の差の絶対値が上記上限以下であれば、封止層１３の透明性が優れる。
　無機フィラーの配合割合は、封止組成物に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上、より好ましくは、５０質量％超過、さらに好ましくは、６０質量％以上、とりわけ好ましくは、７０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。また、無機フィラーの配合割合は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、５０質量部以上、好ましくは、１００質量部以上、より好ましくは、２００質量部以上であり、また、例えば、４００質量部以下、好ましくは、３００質量部以下である。
　無機フィラーの配合割合が上記範囲内であれば、無機フィラーによる封止層１３の優れた成形性を確保することができる。
　蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
　黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ－α－ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
　赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
　蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
　蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
　蛍光体の比重は、例えば、２．０以上であり、また、例えば、９．０以下である。
　蛍光体は、単独使用または併用することができる。
　蛍光体の配合割合は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
　　（封止層の製造）
　封止層１３を製造するには、まず、上記した封止樹脂と、必要により無機フィラーおよび／または蛍光体とを含有する封止組成物を調製する。具体的には、Ａステージの封止樹脂と、必要により無機フィラーおよび／または蛍光体とを含有する封止組成物を調製する。
　例えば、封止樹脂と、必要により無機フィラーおよび／または蛍光体とを上記した配合割合で混合する。
　これによって、無機フィラーが封止樹脂中に分散された封止組成物を、ワニスとして調製する。
　ワニスの２５℃における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、２００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。なお、粘度は、ワニスを２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて測定される。
　次いで、調製したワニスを塗布する。具体的には、図１Ａに示すように、ワニスを、第１剥離層１２の表面（上面）に塗布する。
　ワニスを第１剥離層１２の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置が用いられる。
　ワニスの第１剥離層１２への塗布によって、塗膜が形成される。
　その後、封止樹脂が硬化性樹脂である場合には、塗膜を半硬化させる。つまり、Ａステージの塗膜をＢステージ化させる。具体的には、硬化性樹脂がＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂であれば、塗膜を加熱する。加熱条件として、加熱温度が、７０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱温度が上記範囲であれば、硬化性樹脂を確実にＢステージにすることができる。また、加熱時間が、例えば、５分以上、好ましくは、８分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。
　あるいは、封止樹脂が光硬化性樹脂であれば、塗膜に紫外線を照射する。具体的には、ＵＶランプなどを用いて、塗膜に紫外線を照射する。
　これによって、塗膜におけるＡステージの硬化性樹脂をＢステージにする。
　硬化性樹脂が付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応が途中まで進行して、一旦、停止する。
　一方、硬化性樹脂が縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、縮合反応が完結する。
　封止樹脂がＢステージとなる際には、封止層１３（あるいは塗膜）は、第１剥離層１２からはじかれ、そのため、封止層１３は、平面視において凝集して、平面視における面積が小さくなる。その結果、封止層１３は、厚みが厚くなる傾向となる。一方、封止層１３は、加熱によりＢステージとなる場合には、加熱に伴い収縮する傾向、とりわけ、厚み方向に薄くなる傾向にある。そのため、封止層１３の第１剥離層１２からはじかれることによる厚みの増加分と、加熱収縮に伴う厚みの減少分とが、相殺して、封止層１３は厚みが実質的に変化しない。
　これによって、図１Ａに示すように、第１剥離層１２と、第１剥離層１２に積層された封止層１３とを備える封止部材１１を得る。
　封止層１３では、必要により配合される無機フィラーおよび／または蛍光体が、マトリクスとしてのシリコーン樹脂組成物中に均一に分散されている。
　半硬化（Ｂステージ）状態の封止層１３は、可撓性を有しており、半硬化（Ｂステージ）状態となった後、後述する完全硬化（Ｃステージ）状態となること（つまり、Ｃステージの生成物を生成すること）が可能な状態である。
　また、Ｂステージの封止層１３は、好ましくは、可塑性および硬化性を併有し、具体的には、封止樹脂が、上記したフェニル系シリコーン樹脂組成物および／またはかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物である場合には、可塑性および硬化性を併有する。Ｂステージの封止層１３は、より好ましくは、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、Ｂステージの封止層１３は、加熱により、一旦、可塑化した後、硬化することができる。
　封止層１３の熱可塑温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。なお、熱可塑温度は、封止層１３が熱可塑性を示す温度であり、具体的には、Ｂステージの封止樹脂が加熱によって軟化する温度であって、軟化温度と実質的に同一である。
　封止層１３の熱硬化温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下である。熱硬化温度は、Ｂステージの封止層１３が熱硬化性を示す温度であり、具体的には、可塑化した封止層１３が加熱によって完全に硬化して、固体状となる温度である。
　封止層１３の寸法は、次に説明する封止層１３のキャビティ９に対する体積割合が所望の範囲となるように、調整される。封止層１３の体積割合は、キャビティ９の体積から複数の光半導体素子１６の体積を差し引いた封止層収容体積１９（図２の破線参照）に対して、１００％以上であり、また、１２０％以下、好ましくは、１１０％以下である。封止層１３の体積割合が、上記下限に満たない場合、または、上記上限を超える場合には、封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３の厚みを所望の厚みに精確に設定することができない。
　なお、封止層収容体積１９は、図２の１点鎖線で示すように、後述する被覆工程（図１Ｂ参照）において、プレス１のプレス時において、キャビティ９内において封止層１３が占める体積である。そのため、詳しくは、封止層収容体積１９は、キャビティ９の体積から、複数の光半導体素子１６の体積およびキャビティ９に落ち込む第１剥離層１２の体積を差し引いた体積であるところ、キャビティ９に落ち込む第１剥離層１２の体積が、キャビティ９に比べて過小であるので、封止層収容体積１９を計算する上で、実質的に考慮されず、第１剥離層１２の体積を計算に含めなくてもよい。
　図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１、詳しくは、封止層１３の左右方向および前後方向に沿う断面積Ｓ１は、キャビティ９の開口断面積Ｓ２、詳しくは、キャビティ９の左右方向および前後方向に沿う断面積に比べて、小さい。封止層１３の面積Ｓ１は、詳しくは、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に対して、例えば、１００％未満、好ましくは、９５％以下、より好ましくは、９０％以下であり、例えば、８０％以上である。
　一方、封止層１３の厚みＴ１は、光半導体素子１６の寸法に応じて適宜設定され、キャビティ９の厚み（上下方向長さ、深さ）Ｔ２に対して、例えば、７０％超過、好ましくは、１００％以上であり、また、例えば、１８０％以下、好ましくは、１３０％以下である。具体的には、封止層１３の厚みＴ１は、例えば、１００μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下である。
　封止層１３の寸法が、上記範囲内であれば、封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３の厚みＴ５（封止前の封止層１３の厚みＴ５、図１Ｃ参照）を所望の厚みに精確に設定することができる。
　　（封止層の物性）
　Ｂステージの封止層１３（Ｂステージの硬化性樹脂を含有する封止組成物から形成される封止層１３）は、８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が、例えば、３Ｐａ以上、好ましくは、１２Ｐａ以上であり、また、例えば、１４０Ｐａ以下、好ましくは、７０Ｐａ以下である。封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記上限以下であれば、次に説明する光半導体素子１６の封止時に、光半導体素子１６が損傷することを有効に防止することができる。一方、封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記下限以上であれば、光半導体素子１６を封止する際の封止層１３の良好な保形性を確保して、封止層１３の取扱性を向上させることができる。また、封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記下限以上であれば、封止層１３の厚みの均一性を確保でき、また、所望の厚みにする調節することができる。
　封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’は、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、温度範囲２０～１５０℃の条件における動的粘弾性測定で得られる。
　また、厚み６００μｍのときにおける、波長４６０ｎｍの光に対する封止層１３の透過率が、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、９０％以上、さらに好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、１００％以下である。透過率が上記下限以上であれば、光半導体素子１６を封止した後、光半導体素子１６から発光される光を十分に透過させることができる。封止層１３の透過率は、例えば、積分球を用いて測定される。
　　（封止部材の配置）
　次いで、図２に示すように、用意した封止部材１１を、下金型２の上面に、封止層１３が上側に向かうように、配置する。
　具体的には、第１剥離層１２がキャビティ９を被覆（閉鎖）し、封止層１３が、上下方向に投影したときに、キャビティ９に含まれるように、第１剥離層１２の下面を、枠部材５の上面に載置する。
　同時に、第３挿入孔２７に、ピン２１を挿入する。これによって、第１剥離層１２は、左右方向および前後方向の移動および変形が規制されて、ピン２１に係止される。そのため、第１剥離層１２の中央部、および、封止層１３がキャビティ９内に落ち込むことが防止される。これによって、第１剥離層１２の中央部は、キャビティ９から露出する下平板４の上面に対して、キャビティ９の厚み分の間隔を隔てて、対向配置される。
　　＜素子部材配置工程＞
　素子部材配置工程では、図１Ａに示すように、まず、素子部材１５を用意する。
　素子部材１５は、基材としての第２剥離層１７と、第２剥離層１７の表面（下面）に配置される光半導体素子１６とを備える。
　第２剥離層１７は、封止層１３によって光半導体素子１６を被覆して封止して、封止層被覆光半導体素子１０を得た後、封止層被覆光半導体素子１０を剥離するまでの間、封止層被覆光半導体素子１０の光半導体素子１６を保護するために、封止層被覆光半導体素子１０における光半導体素子１６の露出面（図１Ｃにおける上面）に剥離可能に貼着されている。つまり、第２剥離層１７は、封止層被覆光半導体素子１０の出荷・搬送・保管時において、光半導体素子１６を支持し、光半導体素子１６の露出面（図２Ａにおける上面）を被覆するように、光半導体素子１６の露出面に積層され、光半導体素子１６の基板２０に対する実装直前において、図１Ｄの仮想線で示すように、封止層被覆光半導体素子１０を引き剥がすことができる可撓性フィルムである。つまり、第２剥離層１７は、可撓性フィルムのみからなる。
　第２剥離層１７は、上記した第１剥離層１２と同様の材料から形成されている。また、第２剥離層１７を、加熱により封止層被覆光半導体素子１０が容易に剥離できる熱剥離シートから形成することもできる。
　第２剥離層１７は、平面視略矩形板状をなし、第２剥離層１７の面積は、キャビティ９の開口断面積に比べて大きく、かつ、上金型３より小さく、形成されている。第２剥離層１７の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
　図３に示すように、光半導体素子１６は、第２剥離層１７の表面（下面）に複数（９つ）載置されている。複数の光半導体素子１６は、左右方向におよび前後方向間隔を隔てて整列配置されている。複数の光半導体素子１６のそれぞれは、前後方向および左右方向に沿う略平板状に形成されている。また、複数の光半導体素子１６のそれぞれは、平面視略矩状をなし、上下方向および前後方向に沿う断面形状、および、上下方向および左右方向に沿う断面形状が、略矩形状に形成されている。
　光半導体素子１６の前後方向長さおよび左右方向長さは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
　各光半導体素子１６の厚み（上下方向長さ）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
　複数の光半導体素子１６の体積（総体積）は、例えば、１０ｍｍ３以上、好ましくは、５０ｍｍ３以上であり、また、例えば、６５０ｍｍ３以下、好ましくは、３００ｍｍ３以下である。
　そして、図４に示すように、第２剥離層１７において光半導体素子１６が配置される領域が、素子配置領域１８（仮想線参照）として区画される。詳しくは、素子配置領域１８は、複数の光半導体素子１６のうち、最外側に配置される光半導体素子１６の外側端縁を結ぶ線分で囲まれる領域である。具体的には、素子配置領域１８は、最前側に配置される光半導体素子１６Ａの複数の前端縁（具体的には、前左端縁および前右端縁）を結ぶ線分Ａと、最後側に配置される光半導体素子１６Ｂの複数の後端縁（具体的には、後左端縁および後右端縁）を結ぶ線分Ｂと、最左側に配置される光半導体素子１６Ｃの複数の左端縁（具体的には、前左端縁および後左端縁）を結ぶ線分Ｃと、最右側に配置される光半導体素子１６Ｄの複数の右端縁（具体的には、前右端縁および後右端縁）を結ぶ線分Ｄとによって囲まれる底面視矩形状の領域である。
　上記した素子配置領域１８の面積Ｓ３は、光半導体素子１６の個数、寸法、配置などによっても適宜設定されるが、例えば、図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１に比べて、小さい。換言すれば、封止層１３の面積Ｓ１は、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、大きく、素子配置領域１８の面積Ｓ３に対して、例えば、１００％超過、好ましくは、１１０％以上、より好ましくは、１２０％以上であり、また、例えば、１５０％以下である。
　具体的には、素子配置領域１８の面積Ｓ３は、例えば、２００ｍｍ２以上、好ましくは、１０００ｍｍ２以上であり、また、例えば、１２０００ｍｍ２以下、好ましくは、６０００ｍｍ２以下である。
　次いで、図２および図３に示すように、用意した素子部材１５を、封止部材１１の上側に配置する。
　具体的には、素子部材１５の第２剥離層１７をキャリア３２の下面に配置する。
　キャリア３２は、第２剥離層１７を支持しつつ、素子部材１５を上金型３の下側に位置させるための支持板である。キャリア３２は、前後方向および左右方向に延びる略平板状に形成されている。キャリア３２は、上下方向に投影したときに、上金型３に含まれる大きさに形成されている。キャリア３２の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。キャリア３２は、例えば、ガラス、セラミック、ステンレスなどから形成されている。
　図３に示すように、キャリア３２の隅部には、上下方向に投影したときに枠部材５の第１挿入孔２４と同一位置に位置する第４挿入孔２８が設けられている。第４挿入孔２８は、キャリア３２を厚み方向に貫通するように形成されている。
　その後、素子部材１５が配置されたキャリア３２の第４挿入孔２８にバネ２２を挿入する。
　　＜被覆工程＞
　被覆工程を、封止部材配置工程および素子部材配置工程の後に、実施する。
　被覆工程では、図１Ａ、図２および図３に示すように、まず、上金型３を、下金型２の上側に対向配置する。
　上金型３を配置するには、まず、第２挿入孔２６にピン２１を挿入して、続いて、上金型３を下方にスライドさせて、上金型３の下面と、キャリア３２の上面とを接触させる。これとともに、第２凹部２５にバネ２２の上端部を収容する。
　これによって、上金型３を下金型２の上側に対向配置する。封止部材１１は、下金型２および上金型３の間に配置される。また、素子部材１５は、下金型２および上金型３の間であって、封止部材１１に対する上金型３側に配置される。
　続いて、図１Ａに示すように、ヒータ７によって下金型２および上金型３を加熱する。下金型２および上金型３の温度は、封止層１３が、熱可塑性および熱硬化性を有する熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂の熱可塑温度またはそれ以上であって、好ましくは、熱硬化性樹脂の熱可塑および熱硬化を一度に実施する観点から、熱硬化温度またはそれ以上であって、具体的には、例えば、６０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１２０℃以下である。
　続いて、下金型２および上金型３を近接させる。具体的には、上金型３を下金型２に向けてプレスする（押し下げる）。
　プレス圧は、例えば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは、１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、５ＭＰａ以下である。
　上金型３の下金型２に対するプレスによって、封止層１３が、熱可塑性および熱硬化性を有する熱硬化性樹脂を含有する場合には、下金型２および上金型３の熱が封止層１３に伝導して可塑化する。引き続き、光半導体素子１６が、可塑化した封止層１３に埋設される。さらに、第１剥離層１２が可塑化あるいは軟化して、続いて、上金型３の下金型２に対するプレスによって、第２剥離層１７の中央部が下方に撓み、引き続いて、第２剥離層１７が封止層１３を下方にプレスするので、封止層１３がキャビティ９内に充填される。なお、キャビティ９の内面、つまり、開口部８から露出する下平板４の露出面と、枠部材５の開口部８における内周面とには、第１剥離層１２が直接接触しており、つまり、下平板４の露出面およびキャビティ９の内周面には、封止層１３が第１剥離層１２を介して配置（充填）される。
　また、図１Ｂに示すように、枠部材５の上面に配置される第１剥離層１２に対して、第２剥離層１７が接触するように、第２剥離層１７が押圧する。
　なお、封止層１３の、封止層収容体積１９に対する体積割合が１００％を超過する場合には、封止層収容体積１９に収容されず、キャビティ９から前後方向外側および左右方向外側に溢れる封止組成物が、枠部材５の上面に配置される第１剥離層１２と、第２剥離層１７の周端部との間に膨出（突出）する。つまり、キャビティ９の外側において、封止組成物から形成される膨出部１４が形成される。
　一方、図１Ｂに示さないが、封止層１３の、封止層収容体積１９に対する体積割合が１００％である場合には、例えば、封止層収容体積１９に完全に収容され、上記した膨出部１４が形成されない。
　その後、引き続き、プレス１による熱プレスを継続する。
　加熱温度は、例えば、上記した温度と同一範囲であり、また、プレス時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、５分間以上であり、また、例えば、６０分間以下、好ましくは、２０分間以下である。
　これによって、封止層１３が可塑性および熱硬化性を有する熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化する（Ｃステージ化する）。
　（生成物）
　封止樹脂がフェニル系シリコーン樹脂組成物を含む場合において、フェニル系シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物の生成物、つまり、硬化物が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、フェニル系シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。
　上記した生成物は、下記平均組成式（３）で示される。
　平均組成式（３）：
　Ｒ５ ｅＳｉＯ（４－ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
　Ｒ５で示される非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基としては、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基、および、式（２）のＲ３で示される非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。
　ｅは、好ましくは、０．７以上、１．０以下である。
　そして、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。
　生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が上記した下限に満たない場合には、Ｂステージの封止層１３（図１Ａ参照）の熱可塑性を確保することができず、つまり、後述する封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が所望範囲を超えるため、光半導体素子１６を確実に埋設して封止することができない場合がある。
　一方、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が上記した上限以下であれば、Ｃステージの封止層１３（図１Ａ参照）の可撓性の低下を防止することができる。
　生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する１価の炭化水素基（平均組成式（３）においてＲ５で示される）におけるフェニル基濃度である。
　生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、１Ｈ－ＮＭＲおよび２９Ｓｉ－ＮＭＲにより算出される。Ｒ５におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、後述する実施例において記載され、また、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などの記載に基づいて、１Ｈ－ＮＭＲおよび２９Ｓｉ－ＮＭＲにより算出される。
　その後、必要により、封止層１３を、加熱して、ポストキュアを実施する。加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１７０℃以下、好ましくは、１６０℃以下である。加熱時間は、例えば、１時間以上であり、また、例えば、４時間以下である。
　その後、上金型３の下金型２に対するプレスを解除する。つまり、図８の矢印が参照されるように、上金型３およびキャリア３２を下金型２に対して離間する方向に移動させる。すなわち、上金型３を上側に移動させる。この際、図３に示すように、上金型３の第２凹部２５をバネ２２の上端部から離脱させるとともに、ピン２１が第２挿入孔２６から引き抜かれるように、上金型３を押し上げる。
　続いて、これとともに、バネ２２がキャリア３２の第４挿入孔２８から引き抜かれるように、キャリア３２を押し上げる。
　続いて、ピン２１が第３挿入孔２７から引き抜かれるように、図１Ｃに示すように、複数の光半導体素子１６と、それらを被覆して埋設する封止層１３と、光半導体素子１６の上面および封止層１３の上面を被覆する第２剥離層１７と、封止層１３の下面および側面（膨出部１４の側面を除く）を被覆する第１剥離層１２とを備える剥離層付封止層被覆光半導体素子４０を押し上げる。つまり、第１剥離層１２を上昇させる。これによって、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０をプレス１から取り出す。
　また、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０は、光半導体素子１６およびそれを埋設して被覆する封止層１３を備える封止層被覆光半導体素子１０を含む。
　封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３の厚みＴ５は、封止層１３の下面と、光半導体素子１６の側方に位置する封止層１３の上面との間の上下方向長さであって、キャビティ９の深さＴ２と実質的に同一の範囲である。そして、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０における封止層１３の厚みＴ５は、光半導体素子１６を被覆する前の封止層１３の厚みＴ１（図２参照）に比べて、薄くあるいは同一である。剥離層付封止層被覆光半導体素子４０における封止層１３の厚みＴ５は、具体的には、光半導体素子１６を被覆する前の封止層１３の厚みＴ１に対して、例えば、１００％以下、好ましくは、９５％以下、より好ましくは、９０％以下であり、また、例えば、好ましくは、８０％以上である。具体的には、封止層１３の厚みＴ５は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。
　剥離層付封止層被覆光半導体素子４０において、封止層１３は、光半導体素子１６の近傍に配置され、光半導体素子１６の封止（被覆）に役する封止部３３と、封止部３３の外側において、封止部３３より薄膜で形成され、光半導体素子１６の封止（被覆）に役しない膨出部１４とを一体的に備えている。なお、膨出部１４は、その後の切断工程において除去され、封止層被覆光半導体素子１０に含まれないが、封止部３３は、封止層被覆光半導体素子１０に含まれる。
　その後、図１Ｃの仮想線で示すように、第１剥離層１２を封止層１３から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がす。
　続いて、図１Ｄの太１点鎖線で示すように、各光半導体素子１６に対応する封止層１３を前後方向および左右方向に沿って切断する。つまり、複数の光半導体素子１６を個片化する。また、膨出部１４が除去されるように、封止層１３を切断する。これによって、１つの光半導体素子１６と、光半導体素子１６を埋設して被覆する封止層１３とを備える封止層被覆光半導体素子１０を、第２剥離層１７に支持される状態で得る。なお、封止層被覆光半導体素子１０は、好ましくは、第２剥離層１７および基板２０を含まず、光半導体素子１６と、封止層１３とのみからなる。
　　＜光半導体装置の製造方法＞
　次に、上記した封止層被覆光半導体素子１０によって、光半導体装置３０を製造する方法について説明する。
　この方法は、上記した封止層被覆光半導体素子１０を用意する工程（図１Ｄ参照）、封止層被覆光半導体素子１０を第２剥離層１７から剥離する剥離工程（図１Ｄ矢印参照）、および、剥離した封止層被覆光半導体素子１０の光半導体素子１６を基板２０に実装する実装工程（図１Ｅ参照）を備える。
　　＜剥離工程＞
　剥離工程では、上記した製造方法により得られた封止層被覆光半導体素子１０を第２剥離層１７から剥離する。具体的には、封止層被覆光半導体素子１０を下方に引っ張る。
　これにより、封止層被覆光半導体素子１０を複数得る。
　続いて、複数の封止層被覆光半導体素子１０を発光波長や発光効率に応じて選別する。
　　＜実装工程＞
　実装工程では、まず、上面に端子（図示せず）が設けられた基板２０を用意する。
　基板２０は、前後方向および左右方向に延びる略矩形平板状をなし、例えば、絶縁基板である。また、基板２０は、上面に配置される端子（図示せず）を備えている。
　次いで、実装工程では、図１Ｅに示すように、選別された封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装する。
　封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装するには、図１Ｄに示す封止層被覆光半導体素子１０を上下反転し、そして、封止層被覆光半導体素子１０における光半導体素子１６の端子（図示せず）を、基板２０の端子（図示せず）と接触させて、電気的に接続させる。つまり、封止層被覆光半導体素子１０の光半導体素子１６を基板２０にフリップチップ実装する。
　これにより、基板２０と、基板２０に実装される封止層被覆光半導体素子１０とを備える光半導体装置３０を得る。好ましくは、光半導体装置３０は、基板２０と、封止層被覆光半導体素子１０とのみからなる。つまり、光半導体装置３０は、好ましくは、基板２０と、光半導体素子１６と、封止層１３とのみからなる。
　　（作用効果）
　そして、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、図１Ａに示すように、キャビティ９を有する下金型２と、下金型２に対向配置するための上金型３とを備えるプレス１を準備するので、プレス１の構成を簡単にすることができながら、図１Ｂに示すように、封止層１３をキャビティ９に配置して、複数の光半導体素子１６を封止層１３により確実に被覆することができる。そのため、小型のプレス１によって、複数の光半導体素子１６を封止層１３により被覆して封止することができる。
　また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、Ｂステージの封止部材１１の体積割合が、キャビティ９の体積から複数の光半導体素子１６の体積を差し引いた封止層収容体積１９に対して特定範囲にあり、かつ、かかる封止層１３をキャビティ９に配置しつつ、複数の光半導体素子１６を封止層１３により被覆するので、寸法、具体的には、厚み（上下方向長さ）Ｔ５の精確性に優れる封止層１３を得ることができる。つまり、封止層１３の厚みＴ５を、キャビティ９の深さＴ２に対して、例えば、９５％以上、１０５％以下の精度（公差）で調整することができる。
　さらに、封止層１３は、図１Ｂに示すように、膨出部１４を形成することができるので、上記した公差を大きく許容しても、封止層１３の体積割合が封止層収容体積１９に対して、上記した上限（具体的には、１２０％）以下である限りにおいて、厚みＴ５の精確性に優れる封止層１３を得ることができる。
　また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、Ｂステージの封止層１３が、熱可塑性および熱硬化性を併有すれば、図１Ｂに示すように、複数の光半導体素子１６を封止層１３により被覆する被覆工程において、封止層１３を加熱して可塑化して、封止層１３によって複数の光半導体素子１６を確実に被覆して封止しつつ、その後、可塑化した封止層１３を熱硬化させて、複数の光半導体素子１６の信頼性を向上させることができる。
　また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、封止層１３において、シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が特定の範囲にあれば、複数の光半導体素子１６を確実に埋設して被覆して封止することができる。
　また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法において、封止層１３が蛍光体を含有すれば、複数の光半導体素子１６から発光された光を、寸法の精確性に優れ、蛍光体を含有する封止層１３によって波長変換することができるので、色均一性に優れる封止層被覆光半導体素子１０を得ることができる。
　また、上記の光半導体装置３０の製造方法によれば、図１Ｄに示すように、寸法の精確性に優れる封止層１３を備える光半導体装置３０を用意するので、図１Ｅに示すように、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置３０を得ることができる。
　　（変形例）
　変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
　上記した一実施形態では、図２に示すように、被覆部材配置工程において、封止前の封止層１３の面積Ｓ１を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、小さく形成しているが、例えば、図５に示すように、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、大きくあるいは同じ大きさに形成することができる。
　図５に示すように、封止層１３は、好ましくは、上下方向に投影したときに、キャビティ９を含むように、キャビティ９より大きく形成されている。
　好ましくは、図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、小さく形成する。そうすれば、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて小さい断面積を有する封止層１３を、キャビティ９に確実に充填することができる。そのため、厚みＴ５の精確性により一層優れる封止層１３を作製して、そして、かかる封止層１３を備え、色均一性に優れる封止層被覆光半導体素子１０を得ることができる。
　上記した一実施形態では、図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、大きく形成しているが、例えば、図６に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、小さくあるいは同じ大きさに形成することができる。
　好ましくは、図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、大きく形成する。そうすれば、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて大きい面積Ｓ１を有する封止層１３により、迅速かつ確実に複数の光半導体素子１６を被覆することができる。そのため、プロセス性（生産性）よく、封止層被覆光半導体素子１０を製造することができる。
　上記した一実施形態では、図２に示すように、第１剥離層１２の面積Ｓ４を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、大きく形成しているが、例えば、図７に示すように、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、小さくあるいは同じ大きさに形成することができる。
　図７に示すように、第１剥離層１２は、例えば、上下方向に投影したときに、互いに重なるように形成され、具体的には、封止層１３と同一形状に形成されている。
　好ましくは、図２に示すように、第１剥離層１２の面積Ｓ４を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、大きく形成する。そうすれば、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて大きい面積Ｓ４を有する第１剥離層１２によって、キャビティ９から溢れる封止組成物が下金型２に付着することを防止することができる。
　上記した一実施形態では、図３に示すように、下金型２は、下平板４と、開口部８を有する枠部材５とを備え、これによって、キャビティ９を形成している。つまり、下金型２を２部材から構成しているが、例えば、図示しないが、１部材から構成することもできる。
　その場合には、例えば、厚肉の平板部材をまず用意し、その後、平板部材の中央部の上面を切削してキャビティ９を形成する。
　好ましくは、図３に示すように、下金型２を、下平板４および枠部材５の２部材から構成する。そうすれば、下金型２を簡単に用意することができる。また、下金型２を分解して簡便に清掃することができ、その結果、プレス１を簡易にメンテナンスすることができる。
　また、上記した一実施形態では、図２に示すように、ピン２１を、略円柱状に形成しているが、その形状は限定されない。例えば、図８に示すように、上方に向かって尖る略円錐状に形成することもできる。
　図８に示すように、ピン２１は、上方に向かうに従って左右方向および前後方向に沿う断面が小さくなるように形成されている。つまり、ピン２１は、先細状に形成されている。
　この構成によれば、第２挿入孔２６および第３挿入孔２７からピン２１が容易に引き抜かれる。とりわけ、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０の第１剥離層１２が有する第３挿入孔２７からピン２１が容易に引き抜かれるので、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０の取扱性を向上させることができる。
　上記した一実施形態では、図１Ａ～図１Ｅに示すように、本発明の光半導体装置の製造方法における基材の一例として、第２剥離層１７を挙げて説明しているが、例えば、図９Ａ～図９Ｄに示すように、第２剥離層１７を基板２０とし、そして、第２剥離層１７を用いる剥離工程（図１Ｄ参照）を実施することなく、光半導体装置３０を製造することもできる。
　この実施形態の光半導体装置３０の製造方法では、図９Ａに示すように、素子部材配置工程において、まず、光半導体素子１６と、光半導体素子１６が実装された基板２０とを備える実装基板２９を用意する。光半導体素子１６は、基板２０に対してフリップチップ実装され、あるいは、ワイヤボンディング接続されている。図３の括弧書きされた符号が参照されるように、基板２０には、第４挿入孔２８が形成されている。
　その後、図９Ａに示すように、実装基板２９を、封止部材１１の上側に対向配置する。具体的には、実装基板２９を、光半導体素子１６が下側に向かうように、配置する。
　続いて、図９Ｂに示すように、被覆工程を実施し、その後、上金型３およびキャリア３２を引き上げ、続いて、図９Ｃに示すように、光半導体素子１６と、光半導体素子１６が実装された基板２０と、光半導体素子１６を封止する封止層１３と、封止層１３の表面（下面および側面）に配置される第１剥離層１２とを備える剥離層付光半導体装置５０を得る。
　その後、剥離層付光半導体装置５０をプレス１から取り出し、続いて、図９Ｃの仮想線で示すように、剥離層付光半導体装置５０において、第１剥離層１２を封止層１３から剥離する。
　続いて、図９Ｄの１点鎖線で示すように、各光半導体素子１６に対応する封止層１３および基板２０を前後方向および左右方向に沿って切断して、複数の光半導体素子１６を個片化する。これによって、膨出部１４およびそれに対応する基板２０を除去する。
　これによって、１つの光半導体素子１６と、光半導体素子１６が実装される基板２０と、光半導体素子１６を封止する封止層１３（封止部３３）とを備える光半導体装置３０が得られる。好ましくは、光半導体装置３０は、光半導体素子１６と、基板２０と、封止層１３とのみからなる。
　図９Ａ～図９Ｄに示される方法によっても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第２剥離層１７を用いないので、その分、簡便に、光半導体装置３０を得ることができる。
　上記した一実施形態では、図１Ｄに示すように、封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３を切断して、光半導体素子１６を個片化した後、図１Ｅに示すように、封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装している。しかし、図示しないが、封止層１３を切断せず、つまり、光半導体素子１６を個片化することなく、複数の光半導体素子１６を備える封止層被覆光半導体素子１０を、基板２０に実装することもできる。その場合には、まず、第２剥離層１７が設けられた封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装し、その後、第２剥離層１７を封止層１３から剥離する。あるいは、まず、第２剥離層１７を封止層１３から剥離した後、第２剥離層１７が剥離された封止層１３を備える封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装することもできる。
　また、上記した一実施形態では、図１Ａに示すように、複数の光半導体素子１６を第２剥離層１７に配置し、その後、図１Ｂに示すように、これを、単数の封止層１３によって封止している。しかし、これに限定されず、例えば、図示しないが、単数の光半導体素子１６を第２剥離層１７に配置し、その後、単数の光半導体素子１６を単数の封止層１３によって封止することもできる。
　その場合には、素子配置領域１８は、第２剥離層１７において単数の光半導体素子１６が配置される領域であって、より具体的には、光半導体素子１６が平面視略矩形状であれば、前端縁、後端縁、右端縁および左端縁によって囲まれる略矩形状の領域である。
　この変形例によっても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
　以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
　　実施例１　（図１Ａ～図３に対応）
　　＜準備工程＞
　図１Ａ、図２および図３に示すように、下金型２および上金型３を用意した。下金型２の枠部材５の寸法を表１に示す。
　　＜封止部材配置工程＞
　第１剥離層１２と、Ｂステージの封止層１３とを備える封止部材１１を用意した。第１剥離層１２および封止層１３の寸法を表１に記載する。封止部材１１を用意する方法を以下の各合成例、調製例および作製例に記載する。その後、封止部材１１を、下金型２の上面に配置した。
　　（合成例１）
　撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
　平均単位式：
（（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．１５（ＣＨ３Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ２／２）０．６０（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．２５
　平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．１５（ＣＨ３）０．９０（Ｃ６Ｈ５）０．８５ＳｉＯ１．０５
　つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。
　また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２３００であった。
　　（合成例２）
　撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
　平均単位式：
（ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３１（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．４７
　平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．３１（ＣＨ３）０．６２（Ｃ６Ｈ５）０．９１ＳｉＯ１．０８
　つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。
　また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
　　（合成例３）
　撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。
　ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
　平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３３（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＰｈＳｉＯ３／２）０．４５
　平均組成式：
　Ｈ０．３３（ＣＨ３）０．６６（Ｃ６Ｈ５）０．８９ＳｉＯ１．０６
　つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。
　また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
　　（調製例１）
　アルケニル基含有ポリシロキサンＡ（合成例１）２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ（合成例２）２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（合成例３、架橋剤Ｃ）２５ｇ、および、白金カルボニル錯体（商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％）５ｍｇを混合して、フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａを調製した。
　　（作製例１）
　調製例１のフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａに対して、無機フィラー（屈折率１．５５、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５、平均粒子径：１５μｍ（分級品））を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物のワニスを調製した。つまり、封止組成物において、フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａの配合割合が５０質量％、無機フィラーＡの配合割合が５０質量％である。
　次いで、調製したワニスを、アプリケータにて、厚み５０μｍの第１剥離層１２（ＰＴＥシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、軟化温度８０℃、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが５９５μｍ（Ｔ１）となるように塗布し、その後、９０℃で９．５分、加熱することにより、ワニスにおけるフェニル系シリコーン樹脂組成物をＢステージ化（半硬化）させた。これにより、封止層を製造した。
　　＜素子部材配置工程＞
　別途、第２剥離層１７（熱剥離シート）と、第２剥離層１７の下面に配置される９つの光半導体素子１６とを備える素子部材１５を用意した。光半導体素子１６および第２剥離層１７の寸法などを表１に記載する。続いて、素子部材１５を、キャリア３２（ガラス板）の下面に貼着した。その後、素子部材１５およびキャリア３２を、封止部材１１の上側に対向配置した。
　　＜被覆工程＞
　上金型３の下面をキャリア３２の上面と接触させることにより、上金型３の下金型２の上側に対向配置した。
　続いて、図１Ｂに示すように、上金型３を下金型２に対して、１ＭＰａでプレスしながら、ヒータ７により下金型２および上金型３を９０℃で１０分加熱した。
　その後、図１Ｃに示すように、上金型３およびキャリア３２をプレス１から順次引き上げ、続いて、図１Ｃに示すように、第１剥離層１２、第２剥離層１７、光半導体素子１６および封止層１３を備える剥離層付封止層被覆光半導体素子４０を得た。その後、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０を１５０℃で２時間オーブン中で加熱して、ポストキュアした（後硬化させた）。なお、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０における封止層１３の厚みＴ５は、５５０μｍ（封止前の封止層１３の厚みＴ１　５９５μｍに対して９２％）であった。
　　＜剥離工程＞
　その後、図１Ｃの仮想線で示すように、第１剥離層１２を封止層１３から引き剥がした。
　続いて、図１Ｄの１点鎖線で示すように、各光半導体素子１６に対応する封止層１３を切断して、複数の光半導体素子１６を個片化した。
　図１Ｄの矢印で示すように、剥離工程では、光半導体素子１６および封止層１３からなる封止層被覆光半導体素子１０を得た。
　　＜実装工程＞
　その後、図１Ｅに示すように、光半導体素子１６を基板２０に実装した。これにより、光半導体装置３０を得た。
　封止層１３の体積の、封止層収容体積１９に対する百分率を表２に示す。また、封止層１３の面積Ｓ１と、キャビティ９の開口断面積Ｓ２と、素子配置領域１８の面積Ｓ３との大小関係を、表２に示す。
　　実施例２、３および比較例１、２　（図１Ａ～図３に対応）
　厚みＴ１の寸法を表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
　　実施例４　（図５に対応）
　厚みＴ１と面積Ｓ１との寸法を表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
　つまり、封止前の封止層１３の面積Ｓ１を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、大きく形成した。
　　実施例５　（図６に対応）
　厚みＴ１と面積Ｓ１との寸法を表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
　つまり、封止前の封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、小さく形成した。
　　比較例３　（図１Ａ～図３に対応）
　フェニル系シリコーン樹脂組成物に代えて、メチル系シリコーン樹脂組成物（商品名「ＥＬＡＳＴＯＳＩＬ　ＬＲ７６６５」、１段反応硬化性の付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、Ｂステージ状態となることができない熱硬化性樹脂、旭化成ワッカーシリコーン社製）を用い、さらに、塗布後の加熱を実施しなかった以外は、実施例１と同様に処理した。つまり、封止層１３を、液状のワニスの状態で調製した。
　　（評価）
　以下の各項目を評価した。その結果を表２に記載する。
　　［プロセス性］
　素子部材１５をプレス１にセットしてから、加熱を開始した後、プレスを開始できるまでに要した時間が、１分間以内のものを「○」と評価し、１分間超過し２分以内のものを「△」とし、２分間超過のものを「×」と評価した。
　　［厚み精度］
　剥離層付封止層被覆光半導体素子４０における封止層１３の厚みＴ５からキャビティ９の深さＴ２を差し引いた値の、キャビティ９の深さＴ２に対する比（＝（Ｔ５－Ｔ２）／Ｔ２×１００）が±１％以下のものを「◎」と評価し、±１％超過、±３％以下のものを「○」と評価し、３％超過、±５％以下のものを「△」と評価し、±５％超過のものを「×」と評価した。
　　［色均一性］
　光半導体装置３０における光半導体素子１６のＣＩＥ－ｙ測定によるばらつき６σが、０．０２以下のものを「◎」と評価し、０．０２超過、０．０３以下のものを「○」と評価し、０．０３超過、０．０５以下のものを「△」と評価し、０．０５超過のものを「×」と評価した。
　　［フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａの反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基の含有割合の測定］
　フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａ（つまり、無機フィラーが含まれていないフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａ）の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基（平均組成式（３）のＲ５）におけるフェニル基の含有割合（モル％）を、１Ｈ－ＮＭＲおよび２９Ｓｉ－ＮＭＲにより算出した。
　具体的には、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａを、無機フィラーを添加せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。
　次いで、得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲおよび２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出した。
　その結果、４８％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　なお、上記説明は本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は後記の請求の範囲に含まれる。
　封止層被覆光半導体素子の製造方法は、光半導体装置の製造方法に用いられる。
１     プレス
２     下金型
３     上金型
４     下平板
５     枠部材
７     ヒータ
８     開口部
９     キャビティ
１０   封止層被覆光半導体素子
１１   封止部材
１２   第１剥離層
１３   封止層
１５   素子部材
１６   光半導体素子
１７   第２剥離層
１８   素子配置領域
１９   封止層収容体積
２０   基板
３０   光半導体装置
Ｓ１   封止層の面積
Ｓ２   キャビティの開口断面積
Ｓ３   素子配置領域の面積
Ｓ４   第１剥離層の面積

Claims (10)

  1. 　光半導体素子と、前記光半導体素子を被覆する封止層とを備える封止層被覆光半導体素子の製造方法であって、
    　キャビティを有する第１金型と、前記第１金型に対向配置するための第２金型とを備えるプレスを準備する工程、
    　剥離層と前記剥離層の表面に配置されるＢステージの前記封止層とを備え、前記封止層の体積割合が前記キャビティの体積から前記光半導体素子の体積を差し引いた封止層収容体積に対して、１００％以上、１２０％以下である封止部材を、前記第１金型および前記第２金型の間に、前記封止層が前記第２金型に向かうように、配置する工程、
    　基材と、前記基材の表面に配置される前記光半導体素子とを備える素子部材を、前記第１金型および前記第２金型の間であって、前記封止部材に対する前記第２金型側に、前記光半導体素子が前記第１金型に向かうように、配置する工程、および、
    　前記第１金型および前記第２金型を近接させて、前記封止層を前記キャビティに配置して、前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程
    を備えることを特徴とする、封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  2. 　前記封止層の面積が、前記キャビティの、前記第１金型および前記第２金型が近接するプレス方向に対する直交方向に沿う開口断面積に比べて、小さいことを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  3. 　前記光半導体素子が前記基材に単数配置される場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記単数の光半導体素子が配置される領域の面積に比べて大きく、
    　前記光半導体素子が前記基材に複数設けられる場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記複数の光半導体素子のうち最外側に配置される前記光半導体素子の外側端縁を結ぶ線分で囲まれる領域の面積に比べて、大きいことを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  4. 　前記剥離層の面積が、前記キャビティの、前記第１金型および前記第２金型が近接するプレス方向に対する直交方向に沿う開口断面積に比べて、大きいことを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  5. 　前記第１金型は、
    　　第１平板と、
    　　前記第１平板の表面に配置され、キャビティを形成する開口部を有する枠部材と
    を備えることを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  6. 　前記プレスは、熱源を備え、
    　前記Ｂステージの封止層は、熱可塑性および熱硬化性を併有し、
    　前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程では、前記封止層を加熱して可塑化し、続いて、可塑化した前記封止層を熱硬化させることを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  7. 　前記封止層は、
    　　分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、分子内に２個以上のヒドロシリル基を含有するヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有するフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する封止組成物からシート状に形成され、
    　前記アルケニル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示され、
    　平均組成式（１）：
    　Ｒ１ ａＲ２ ｂＳｉＯ（４－ａ－ｂ）／２
    （式中、Ｒ１は、炭素数２～１０のアルケニル基および／または炭素数３～１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
    　前記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（２）で示され、
    　平均組成式（２）：
    　ＨｃＲ３ ｄＳｉＯ（４－ｃ－ｄ）／２
    （式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
    　前記平均組成式（１）および前記平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方は、フェニル基を含み、
    　前記フェニル系シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物は、下記平均組成式（３）で示され、
    　平均組成式（３）：
    　Ｒ５ ｅＳｉＯ（４－ｅ）／２
    （式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１～１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
    　前記平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が、３０モル％以上、５５モル％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  8. 　前記封止層は、蛍光体を含有していることを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  9. 　請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、
    　前記基材は、第２剥離層であり、
    　前記封止層被覆光半導体素子を用意する工程の後に、前記封止層被覆光半導体素子を前記第２剥離層から剥離する工程、および、
    　剥離した前記封止層被覆光半導体素子の前記光半導体素子を基板に実装する工程
    をさらに備えていることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
  10. 　請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、
    　前記基材は、前記光半導体素子が実装された基板であることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
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